KR102573571B1 - 지문 센서 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치는, 기판의 제1 층에 배치된 제1 내지 제n 수신전극과, 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제m 송신전극과, 상기 제1 내지 제m 송신전극과 교대로 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제k 접지전극과, 상기 기판의 제3 층에 배치되어 상기 제1 내지 제m 송신전극과 연결된 신호라인을 갖는 지문 센서; 및 상기 지문 센서를 구동시켜 상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량에 기초해서 지문해서 지문을 검출하는 신호 처리 회로; 를 포함하고, 상기 신호 처리 회로는, 구동 신호를 이용하여 상기 제1 내지 제m 송신전극을 시분할 방식으로 구동하는 동안에, 상기 제1 내지 제m 송신전극중 구동 대상이 아닌 송신전극을 접지시킴으로써 상기 제3층의 노이즈가 상기 제1 내지 제n 수신전극으로 유입되는 것을 차단한다.

Description

지문 센서 장치{FINGERPRINT SENSOR APPARATUS}
본 발명은 지문 센서 장치에 관한 것이다.
통상 지문 센서 장치는 전자 디바이스에 적용될 수 있고, 사람의 지문을 감지하는 기능을 수행한다. 최근 노트북, 휴대폰 등과 같은 모바일 기기 등의 전다 디바이스에서 보안의 중요성이 점차 증대됨에 따라, 전자 디바이스에 지문 센서 장치가 채용되어, 전자 디바이스의 전원 온/오프 또는 슬립(sleep) 모드의 해제 등과 같은 특정 기능에 대한 보안이 강화되고 있다.
지문 센서 장치는 상체 인식 기술의 한 분야로, 그 동작 원리에 따라 광학 방식, 고주파(RF) 방식 및 정전용량 방식 등으로 구분될 수 있다.
여기서 정전용량 방식의 지문 센서 장치는 지문 센서와 이 센서의 구동 및 검출을 위한 집적회로(IC)를 포함할 수 있다.
한편, 지문인식 알고리즘의 특성상, 지문 센서의 면적은 FRR(False rejection rate)과 반비례한다. 즉, 지문 센서의 면적을 크게 하면 인식 오류를 줄일 수 있다. 이에 따라, 지문 센서는 크게 만들어야 하지만, 집적회로(IC)는 제작 비용문제로 작게 만들어야 하는 과제가 있다.
일반적으로, 지문 센서는 구조에 따라 분류하면 기판 타입의 지문 센서 및 실리콘 타입의 지문 센서가 있다.
기존의 기판 타입의 지문 센서는, 수신 전극이 배치된 제1 층, 송신 전극이 배치된 제2 층, 접지층이 배치된 제3 층, 그리고 집적회로(IC) 및 각종 신호 패턴이 배치되는 제4층을 갖는 기판 구조로 이루어져 있다.
이와 같은 4층의 기판 구조는 일반적인 PCB 공정의 경우, 코어(core)층을 기반으로 양면이 대칭이 되도록 제작될 수밖에 없기 때문이다.
이와 같은 4층의 기판구조를 갖는 지문 센서는 그 높이를 줄이는데 한계가 있으므로, 휴대폰 등의 전자 디바이스의 슬림(slim)화를 방해하는 요소로 작용한다.
일 예로, 휴대폰에 적용되는 지문 센서의 위치는 매우 다양하개 배치될 수 있으나, 지문 센서가 홈 번튼(home button)이 있는 위치에 배치되는 경우에는, 지문 센서가 홈 버튼(home button)의 아래에 배치될 수 있고, 이 경우, 홈 버튼의 위치에는 충전 콘넥터(micro USB)와 겹치는 위치이므로 지문 센서는 휴대폰의 두께를 증대시키는 원인이 될 수 있고, 충전 콘넥터(micro USB)가 마이크로(Micro) USB의 경우에는, 마이크로 USB는 규격화된 구조이므로 변경이 불가능하므로 하우징(Housing)을 박형으로 만들거나 지문 센서의 두께를 박형으로 만들어야 하는 기술적인 해결 과제가 존재한다.
하기 선행기술문헌들은, 전술한 종래의 기술적인 해결과제에 대한 해결책을 개시하고 있지 않다.
한국 공개특허 제2012-0018710호 공보
본 발명의 일 실시 예는, 지문 센서의 기판에 배치되는 전극 구조를 박형에 유리한 구조로 제작하고, 이 지문 센서를 아이솔레이션를 개선할 수 있도록 구동시하는 지문 센서 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 의해, 기판의 제1 층에 배치된 제1 내지 제n 수신전극과, 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제m 송신전극과, 상기 제1 내지 제m 송신전극과 교대로 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제k 접지전극과, 상기 기판의 제3 층에 배치되어 상기 제1 내지 제m 송신전극과 연결된 신호라인을 갖는 지문 센서; 및 상기 지문 센서를 구동시켜 상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량에 기초해서 지문해서 지문을 검출하는 신호 처리 회로; 를 포함하고, 상기 신호 처리 회로는, 구동 신호를 이용하여 상기 제1 내지 제m 송신전극을 시분할 방식으로 구동하는 동안에, 상기 제1 내지 제m 송신전극중 구동 대상이 아닌 송신전극을 접지시킴으로써 상기 제3층의 노이즈가 상기 제1 내지 제n 수신전극으로 유입되는 것을 차단하는 지문 센서 장치가 제안된다.
본 과제의 해결 수단에서는, 하기 상세한 설명에서 설명되는 여러 개념들 중 하나가 제공된다. 본 과제 해결 수단은, 청구된 사항의 핵심 기술 또는 필수적인 기술을 확인하기 위해 의도된 것이 아니며, 단지 청구된 사항들 중 하나가 기재된 것이며, 청구된 사항들 각각은 하기 상세한 설명에서 구체적으로 설명된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 지문 센서의 기판에 배치되는 전극 구조를 박형에 유리한 구조로 제작하고, 이 지문 센서를 아이솔레이션를 개선할 수 있도록 구동시킴으로써, 요구되는 성능을 만족하면서도 박형 구조로 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치를 구비한 전자 디바이스의 외관 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치의 상면도이다.
도 3은 도 2의 지문 센서 장치의 C1-C1선 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 송신전극 및 접지전극의 배치구조를 보이는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 송신전극 및 구동 신호의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 자문 센서 장치의 구성 블록도이다.
도 7의 (a) (b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 구동 방법의 설명도이다.
이하에서는, 본 발명은 설명되는 실시 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
또한, 본 발명의 각 실시 예에 있어서, 하나의 예로써 설명되는 구조, 형상 및 수치는 본 발명의 기술적 사항의 이해를 돕기 위한 예에 불과하므로, 이에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다양하게 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 본 발명의 실시 예들은 서로 조합되어 여러 가지 새로운 실시 예가 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 참조된 도면에서 본 발명의 전반적인 내용에 비추어 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치를 구비한 전자 디바이스의 외관 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 디바이스(10)는 화면을출력하고 터치 입력을 위한 디스플레이 장치(11), 입력부(12), 및 음성출력을 위한 오디오부(13)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지문 센서 장치(도 2)는 디스플레이 장치(11) 및 입력부(12) 중 적어도 하나와 일체화되어 형성될 수 있고, 전자 디바이스(10)의 슬립 모드의 해제 또는 전원의 온 등의 동작 인증을 위한 지문을 감지할 수 있다.
일 예로, 지문 센서 장치가 디스플레이 장치와 일체되어 형성되는 경우, 지문 센서는 디스플레이장치가 표시하는 화면이 투과할 수 있을 정도로 높은 빛의 투과율을 가져야 하고, 이에 따라 지문 센서 장치는 투명한 필름재질의 베이스 기판 및 미세한 선폭의 도체선의 전극을 이용하여 구현될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치의 상면도이고, 도 3은 도 2의 지문 센서 장치의 C1-C1선 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지문 센서 장치는 지문 센서(200) 및 신호 처리 회로(300)를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 지문 센서(200)는 기판(100)에 형성된 제1 내지 제n 수신전극(YE, YE1~YEn, n은 1이상의 자연수), 제1 내지 제m 송신전극(XEm, m은 1이상 n미만의 자연수), 제1 내지 제k 접지전극(GE, GE1~GEk, k은 1이상 n미만의 자연수) 및 신호라인(SL, 도 3)을 포함할 수 있다.
상기 기판(100)은 제1 기판(101, 도 3) 및 제2 기판(102, 도 3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판(101)의 제1 면(예, 상면)인 제1 층(LY1)에는 제1 내지 제n 수신전극(YE, YE1~YEn)이 배치될 수 있다.
상기 제1 기판(101)의 제2 면(예, 하면)과 상기 제2 기판(102)의 제1면(예, 상면)이 접하는 제2 층(LY2)에는 제1 내지 제m 송신전극(XEm)이 배치될 수 있고, 또한 상기 제2 층(LY2)에는 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)과 교대로 제1 내지 제k 접지전극(GE, GE1~GEk)이 배치될 수 있다. 그리고, 상기 제2 기판(102)의 제2면(예, 하면)인 제3 층(LY3)에는 신호라인(SL)이 배치될 수 있고, 상기 신호라인(SL)은 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)과 연결될 수 있다.
또한, 상기 제3 층(LY3)에는 상기 신호 처리 회로(300)가 실장될 수 있고, 이외에도 각종 부품 또는 소자등이 실장될 수 있으며, 상기 신호 처리 회로(300), 전극들 및 각종 부품 또는 소자 등의 연결을 위한 배선이 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 복수의 송신전극(XE), 복수의 수신전극(YE) 및 복수의 접지전극(GE)은 실질적으로 동일한 폭으로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다.
다른 일 예로, 감지 감도를 높이기 위해서는, 상기 송신전극(XE)이 상기 접지전극(GE)의 폭보다 넓은 폭을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판의 제1층과 제3층간의 아이솔레이션 특성을 높이기 위해서는 상기 접지전극(GE)이 송신전극(XE)의 폭보다 넓은 폭을 포함할 수 있다.
상기 신호 처리 회로(300)는, 상기 지문 센서(200)를 구동시켜 상기 제1 내지 제n 수신전극(YE)과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)으로부터의 정전용량에 기초해서 지문해서 지문을 검출할 수 있다.
일 예로, 상기 신호 처리 회로(300)는, 구동 신호(Sdr)를 이용하여 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)을 시분할 방식으로 구동시킬 수 있고, 이러한 구동 동안에, 상기 기판(100)의 제1 층(LY1)과 상기 제3 층(LY3)간의 아이솔레이션을 위해, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)중 구동 대상이 아닌 송신전극을 접지시킬 수 있다.
이 경우, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)중 구동 대상이 아닌 송신전극이 접지되므로, 이와 같이 접지 상태인 송신전극이 상기 제1 내지 제k 접지전극과 함께 아이솔레이션 기능을 수행할 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)중 구동 대상이 아닌 송신전극이 접지됨으로써, 상기 제3층의 노이즈가 상기 제1 내지 제n 수신전극으로 유입되는 것이 차단될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 송신전극 및 접지전극의 배치구조를 보이는 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)은, 상기 제1 내지 제k 접지전극(GE, GE1~GEk)과 I:J (여기서, I 및 J는 1이상의 자연수) 교대로 배치될 수 있다.
일 예로, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)은, 상기 제1 내지 제k 접지전극(GE, GE1~GEk)과 1:1 교대로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제1 내지 제k 접지전극(GEk) 각각은 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE) 각각의 사이에 배치될 수 있다.
다른 일 예로, 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)은, 상기 제1 내지 제k 접지전극(GE, GE1~GEk)과 1:2 교대로, 또는 1: 3 교대로, 또는 2:1 교대로 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 송신전극 및 구동 신호의 설명도이다.
도 5를 참조하면, 상기 구동 신호(Sdr)는 시분할 방식의 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr1~Sdrm)를 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr1~Sdrm) 각각은 서로 다른 시간에 위치하는 구동 구간(T1,T2,...,Tm)과 비 구동 구간을 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr1~Sdrm) 각각은 상기 구동 구간(T1,T2,...,Tm)에는 하이레벨의 전압을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr1~Sdrm) 각각의 비 구동 구간에는 접지레벨의 전압을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 자문 센서 장치의 구성 블록도이다.
도 6을 참조하면, 상기 자문 센서 장치는, 전술한 바와 같이, 지문 센서(200) 및 신호 처리 회로(300)를 포함한다.
상기 신호 처리 회로(300)는 드라이버(310)와 신호 처리기(320)를 포함할 수 있다.
상기 드라이버(310)는 상기 지문 센서(200)의 제1 내지 제m 송신전극(XE)에 공급할 상기 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr)(Sdr1~Sdrm)를 생성할 수 있다.
상기 신호 처리기(320)는 상기 제1 내지 제n 수신전극(YE)과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극(XE)으로부터의 정전용량을 검출하는 검출신호(Sdet)에 기초해서 지문을 감지할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 내지 제m 구동 신호(Sdr1~Sdrm) 각각은 상기 구동 구간(T1,T2,...,Tm)에는 하이레벨의 전압을 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 구동 구간들중에서 제1 구동 구간을 T1, 제2 구동 구간을 T2, 제3 구동 구간을 T3, 그리고 제m 구동 구간을 Tm이라고 하면, 상기 제1 구동 신호(Sdr1)는 제1 구동 구간(T1)에 하이레벨의 전압을 포함하고, 상기 제2 구동 신호(Sdr2)는 제2 구동 구간(T2)에 하이레벨의 전압을 포함하고, 상기 제3 구동 신호(Sdr3)는 제3 구동 구간(T3)에 하이레벨의 전압을 포함하고, 상기 제m 구동 신호(Sdrm)는 제m 구동 구간(Tm)에 하이레벨의 전압을 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 구동 신호(Sdr1)에 의해 제1 송신전극(XE1)이 구동중인 경우에는 나머지 제2 내지 제m 송신전극(XE2~XEm)이 접지레벨로 되고, 상기 제2 구동 신호(Sdr2)에 의해 제2 송신전극(XE2)이 구동중인 경우에는 나머지 제1 송신전국(XE1), 제3 내지 제m 송신전극(XE3~XEm)이 접지레벨로 되고, 상기 제3 구동 신호(Sdr3)에 의해 제3 송신전극(XE3)이 구동중인 경우에는 나머지 제1 및 제2 송신전국(XE1,XE2), 제4 내지 제m 송신전극(XE4~XEm)이 접지레벨로 될 수 있다.
한편, 상기 신호 처리기(320)는 상기 제1 내지 제n 수신전극(YE, YE1~YEn)들로부터의 용량변화에 해당되는 신호를 검출하기 위한 복수의 검출 회로, 상기 복수의 검출회로로부터의 복수의 검출신호를 선택하기 위한 선택 회로(MUX), 상기 선택 회로(MUX)에 의해 선택된 신호를 디지털 신호로 변환하는 ADC, 그리고 상기 ADC로부터의 신호에 기초해서 지문을 감지하기 위한 마이크로 프로세서(MCU)를 포함할 수 있다.
도 7의 (a) (b)는 본 발명의 일 실시 예에 따른 구동 방법의 설명도이다.
도 7이 (a)를 참조하면, 상기 제1 구동 신호(Sdr1)에 의해 제1 송신전극(XE1)이 구동중인 경우에는 나머지 제2 내지 제m 송신전극(XE2~XEm)이 접지레벨로 될 수 있다.
도 7의 (b)를 참조하면, 상기 제2 구동 신호(Sdr2)에 의해 제2 송신전극(XE2)이 구동중인 경우에는 나머지 제1 송신전국(XE1), 제3 내지 제m 송신전극(XE3~XEm)이 접지레벨로 될 수 있다.
도 6, 도 7의 (a) 및 (b)를 참조한 설명과 같이, 복수의 송신전극중 구동 대상이 아닌 송신전극을 접지시켜서, 이 접지 상태인 송신전극이 상기 제1 내지 제k 접지전극과 함께 기판의 제1 층과 제3 층간의 아이솔레이션 기능을 개선할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명의 실시 예에 의하면, 송신전극과 접지전극을 동일한 층에 배치할 수 있어서, 지문 센서의 기판에 배치되는 전극 구조를 박형에 유리한 구조로 제작할 수 있고, 이러한 구조를 갖는 지문 센서에 대해 아이솔레이션를 개선할 수 있도록 구동시킴으로써, 요구되는 성능을 만족하면서도 박형 구조로 제작할 수 있다.
100: 기판
YE, YE1~YEn: 제1 내지 제n 수신전극
XE, XE1~XEm: 제1 내지 제m 송신전극
GE, GE1~GEk: 제1 내지 제k 접지전극
SL: 신호라인
200: 지문 센서
300: 신호 처리 회로
310: 드라이버
320: 신호 처리기

Claims (10)

  1. 기판의 제1 층에 배치된 제1 내지 제n 수신전극과, 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제m 송신전극과, 상기 제1 내지 제m 송신전극과 교대로 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제k 접지전극과, 상기 기판의 제3 층에 배치되어 상기 제1 내지 제m 송신전극과 연결된 신호라인을 갖는 지문 센서; 및
    상기 지문 센서를 구동시켜 상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량에 기초해서 지문해서 지문을 검출하는 신호 처리 회로; 를 포함하고,
    상기 신호 처리 회로는, 구동 신호를 이용하여 상기 제1 내지 제m 송신전극을 시분할 방식으로 구동하는 동안에, 상기 제1 내지 제m 송신전극중 구동 대상이 아닌 송신전극을 접지시키고,
    상기 제1 내지 제k 접지전극의 각각의 폭은 상기 제1 내지 제m 송신전극의 각각의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 지문 센서 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제m 송신전극은,
    상기 제1 내지 제k 접지전극과 I:J (여기서, I 및 J는 1이상의 자연수) 교대로 배치되는 지문 센서 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제m 송신전극은,
    상기 제1 내지 제k 접지전극과 1:1 교대로 배치되는 지문 센서 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 구동 신호는
    시분할 방식의 제1 내지 제m 구동 신호를 포함하고,
    상기 제1 내지 제m 구동 신호 각각은 서로 다른 시간에 위치하는 구동 구간과 비 구동 구간을 포함하고, 상기 구동 구간에는 하이레벨의 전압을 포함하고, 상기 비 구동 구간에는 접지레벨의 전압을 포함하는 지문 센서 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 신호 처리 회로는
    상기 지문 센서의 제1 내지 제m 송신전극에 공급할 상기 구동 신호를 생성하는 드라이버; 및
    상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량을 검출하는 검출신호에 기초해서 지문을 검출하는 신호 처리기;
    를 포함하는 지문 센서 장치.
  6. 기판의 제1 층에 배치된 제1 내지 제n 수신전극과, 상기 기판의 제2 층에 배치된 제1 내지 제m 송신전극과, 상기 제1 내지 제m 송신전극 각각의 사이에 배치된 제1 내지 제k 접지전극과, 상기 기판의 제3 층에 배치되어 상기 제1 내지 제m 송신전극과 연결된 신호라인을 갖는 지문 센서; 및
    상기 지문 센서를 구동시켜 상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량에 기초해서 지문해서 지문을 검출하는 신호 처리 회로; 를 포함하고,
    상기 신호 처리 회로는
    상기 제1 내지 제m 송신전극에 시분할 방식의 구동 신호를 공급하고, 상기 제1 내지 제m 송신전극중 구동 대상이 아닌 송신전극은 상기 구동 신호의 접지레벨에 의해 접지되고,
    상기 제1 내지 제k 접지전극의 각각의 폭은 상기 제1 내지 제m 송신전극의 각각의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 지문 센서 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 내지 제m 송신전극은,
    상기 제1 내지 제k 접지전극의 I개당 J개 (여기서, I 및 J는 1이상의 자연수) 인접 배치되는 지문 센서 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 내지 제m 송신전극은,
    상기 제1 내지 제k 접지전극의 1개당 1개 인접 배치되는 지문 센서 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 구동 신호는
    시분할 방식의 제1 내지 제m 구동 신호를 포함하고,
    상기 제1 내지 제m 구동 신호 각각은 서로 다른 시간에 위치하는 구동 구간과 비 구동 구간을 포함하고, 상기 구동 구간에는 하이레벨의 전압을 포함하고, 상기 비 구동 구간에는 접지레벨의 전압을 포함하는 지문 센서 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 신호 처리 회로는
    상기 지문 센서의 제1 내지 제m 송신전극에 공급할 상기 구동 신호를 생성하는 드라이버; 및
    상기 제1 내지 제n 수신전극과 교차하는 상기 제1 내지 제m 송신전극으로부터의 정전용량을 검출하는 검출신호에 기초해서 지문을 검출하는 신호 처리기;
    를 포함하는 지문 센서 장치.


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