KR20170026982A - 지문 감지 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

지문 감지 센서 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20170026982A
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권용일
이창배
김현준
이영기
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서는 기판; 상기 기판의 일면 상에 형성되고, 도체선으로 구성되는 복수의 제1 전극; 상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성되고, 도체선으로 구성되어 상기 복수의 제1 전극과 교차하는 복수의 제2 전극; 을 포함하고, 상기 복수의 제1 전극의 도체선의 선폭 및 상기 복수의 제2 전극의 도체선의 선폭 중 적어도 하나는 1~10㎛ 일 수 있다.

Description

지문 감지 센서 및 이의 제조 방법{SENSOR FOR DETECTING FINGERPRINT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 지문 감지 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
지문 감지 센서는 사람의 지문의 마루와 골을 감지하는 센서를 지칭한다. 지문 감지 센서는 동작 원리에 따라 초음파 방식, 적외선 방식, 정전용량 방식 등으로 구분할 수 있다. 이 가운데 정전용량 방식은 정전용량의 변화를 감지하여 지문의 골과 마루를 검출하는 방식을 말한다.
최근 노트북, 휴대폰 등과 같은 모바일 기기의 보안 중요성이 점차 확산되어감에 따라 모바일 기기 내에 지문 감지 센서를 적용하여, 모바일 기기의 전원 온/오프 또는 슬립(sleep) 모드의 해제 여부를 결정한다.
정전용량 방식의 지문 감지 센서의 지문 인식율을 높이기 위해서는 해상도를 높여야 하는데, 일반적으로 지문 감지 센서의 해상도는 센서의 면적에 비례한다. 다만, 모바일 기기는 부피 및 크기가 작아지는 추세에 있으므로 이에 탑재되는 지문 감지 센서 또한 소형화가 요구되는데, 소형의 지문 감지 센서는 높은 해상도를 유지할 수 없어, 지문 인식률이 떨어지는 문제점이 있다.
한국 공개특허공보 2008-0109327
본 발명의 과제는 전극의 도체선의 선폭을 얇게 하고, 도체선을 세밀하게 배치할 수 있는 지문 감지 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 복수의 제1 전극의 도체선의 선폭 및 복수의 제2 전극의 도체선의 선폭 중 적어도 하나는 1~10㎛ 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서는 높은 해상도 및 지문 인식률을 획득할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서를 구비한 전자 기기의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 단면도이다.
도 4는 도 3의 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제작 공정도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지문 감지 센서의 단면도이다.
도 6은 도 5의 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제작 공정도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서를 구비한 전자 기기의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 기기(100)는 화면을 출력하기 위한 디스플레이 장치(110), 입력부(120), 및 음성 출력을 위한 오디오부(130)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서(미도시)는 디스플레이 장치(110) 및 입력부(120) 중 적어도 하나와 일체화되어 형성되어, 전자 기기(100)의 슬립 모드의 해제 및 전원의 온오프 여부를 결정할 수 있다.
지문 감지 센서가 디스플레이 장치와 일체되어 형성되는 경우, 지문 감지 센서는 디스플레이 장치가 표시하는 화면이 투과할 수 있을 정도로 높은 빛 투과율을 가져야 한다. 따라서 지문 감지 센서는 투명한 필름 재질의 베이스 기판에 미세한 선폭의 도체선으로 전극을 형성함으로써 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서는 정전용량 방식에 따라 동작할 수 있으므로 전극에서 생성되는 정전용량의 변화를 검출하기 위한 정전용량 감지 회로와, 정전용량 감지 회로의 출력 신호를 디지털 값으로 변환하는 아날로그-디지털 변환 회로, 디지털 값으로 변환된 데이터를 이용하여 터치 입력을 판단하는 연산 회로 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 상면도이다.
도 2를 참조하면, 지문 감지 센서는 기판(210) 및 기판(210) 상에 형성되는 전극층(220)을 포함할 수 있다.
기판(210)은 PET(Polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide), PMMA(PolymethlymethAcrylate), COP (Cyclo-Olefin Polymers) 등의 필름, 소다 글라스(Soda glass), 또는 강화 글라스(tempered glass)와 같은 재질로 형성될 수 있다. 기판(210) 내부에는 기판(210)의 일 면에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 기판의 타면에 마련되는 배선층(미도시, 도 3 참조)과 전기적으로 연결하기 위한 복수의 비아가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(210)의 비아는 박막 공정에 의해 제조될 수 있다. 비아가 박막 공정에 의해 제조되어, 비아의 홀의 폭은 2~10㎛ 일 수 있고, 비아의 랜드의 폭은 4~20㎛ 일 수 있다.
전극층(220)은 X 축 방향으로 연장되는 복수의 제1 전극(223)과, Y 축 방향으로 연장되는 복수의 제2 전극(225)을 포함할 수 있다. 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)는 도체선으로 형성될 수 있고, 도체선은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)은 박막 공정에 의해 제조될 수 있다. 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)이 박막 공정에 의해 제조되어, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 각각의 도체선 중 적어도 하나의 선폭은 1~10㎛ 일 수 있고, 복수의 제1 전극(223)의 도체선 중 인접하는 도체선 간의 이격 거리 및 상기 복수의 제2 전극(225)의 도체선 중 인접하는 도체선의 이격 거리 중 적어도 하나는 1~10㎛ 일 수 있다. 또한, 복수의 제1 전극(223)의 도체선의 두께 및 상기 복수의 제2 전극(225)의 도체선의 두께 중 적어도 하나는 0.2~10㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 박막 공정으로 제조함으로써, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)의 도체선의 선폭을 줄이는 동시에 도체선을 세밀하게 배치할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서는 높은 해상도를 획득할 수 있고, 제1 전극(223)과 제2 전극(225)의 복수의 교차 노드에서 생성되는 결합 정전용량의 편차가 작아질 수 있으므로, 결합 정전용량의 캘리브레이션이 용이할 수 있다.
도 2에는 도시되지 않았으나, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 각각은 기판(210)의 타면에 부착되는 컨트롤러 집적 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 컨트롤러 집적 회로는 복수의 제1 전극(223)에 구동 신호를 인가하고, 복수의 제2 전극(225)로부터 감지 신호를 검출하여 지문을 검출할 수 있다.
구체적으로, 컨트롤러 집적 회로는 사용자의 손가락의 터치 입력에 의해 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 생성되는 정전용량을 검출하고 검출된 정전용량의 변화에 따라 손가락의 지문을 검출할 수 있다. 컨트롤러 집적 회로는 제1 전극(223) 각각에 순차적으로 구동 신호를 인가하고, 제2 전극(225)에서 동시에 정전용량의 변화를 검출하는 방식으로 동작할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 지문 감지 센서를 Y-Z 평면으로 잘라서 나타낸 단면도로서, 도 2에서 설명한 기판(210), 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 이외에 절연층(230), 보호층(240), 커버 렌즈(280), 배선층(250) 및 컨트롤러 집적 회로(260)을 더 포함할 수 있고, 추가적으로 커버 렌즈(280)를 더 포함할 수 있다.
절연층(230)은 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성되어, 제1 전극(223)과 제2 전극(225)을 상호 절연할 수 있다. 제1 전극(223)에 구동 신호가 인가되는 경우, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성된 절연층(230)에 의해 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 정전용량이 생성될 수 있다. 일 예로, 절연층(230)의 비유전율은 3.2 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 절연층(230)은 박막 공정에 의해 제조될 수 있다. 절연층(230)이 박막 공정에 의해 제조되어, 절연층(230)은 두께가 2~6㎛ 일 수 있다.
보호층(240)은 제2 전극(225) 상에 형성되고, 보호층(240) 상에는 커버 렌즈(280)가 형성되어, 사용자의 손가락의 접촉을 인가받을 수 있다.
보호층(240)은 제2 전극(225)를 덮도록 형성되어, 박막 공정으로 제조되는 제2 전극(225)을 보호할 수 있다. 보호층(240)은 박막 공정에 의해 제조될 수 있고, 보호층(240)의 두께는 1~5㎛일 수 있다. 일 예로, 보호층(240)은 솔더 레지스트(SR)를 포함할 수 있고, 비유전율은 3.2 일 수 있다.
커버 렌즈(280)는 글라스(glass) 재질로 형성되어, 커버 렌즈(280)는 일종의 커버 윈도우로 기능할 수 있다. 커버 렌즈(280)는 글라스를 인쇄 또는 스프레이 방식을 이용하여 형성할 수 있고, 글라스에 도료 또는 안료를 첨가함으로써 색상이 부여될 수 있다. 색상이 부여된 커버 렌즈(280)은 기판(210) 상에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 시각적으로 차폐할 수 있다.
커버 렌즈(280) 상에 사용자의 손가락이 접촉되는 경우, 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 형성되는 정전용량의 변화가 발생하고, 정전용량의 변화에 따라 손가락의 지문이 검출될 수 있다.
배선층(250)은 기판(210)의 타면에 형성될 수 있고, 일 예로 구리(Cu)를 이용하여 제작될 수 있다. 배선층(250)은 그라운드 전극 및 신호 배선 전극 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그라운드 전극은 지문 감지 센서 내로 유입되는 노이즈를 차폐할 수 있고, 신호 배선 전극은 컨트롤러 집적 회로(260)와 연결되어, 컨트롤러 집적 회로(260)와 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 전기적으로 연결할 수 있다.
컨트롤러 집적 회로(260)는 배선층(250)에 실장될 수 있다. 컨트롤러 집적 회로(260)는 플립 칩(flip chip) 형태로 배선층(250)에 탑재될 수 있다. 도 3에 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 기판(210) 내부에는 기판(210)에 마련되는 제1 전극(223)을 배선층(250)과 전기적으로 연결하기 위한 복수의 비아가 형성될 수 있고, 복수의 비아는 절연층(230)을 관통하여 제2 전극(225)까지 연장될 수 있다.
컨트롤러 집적 회로(260)는 배선층(250)의 신호 배선 전극 및 기판(210)의 복수의 비아를 통하여 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 도시되지 않았으나, 기판(210)에는 배선층(250)과 제1 전극(223) 사이에서 형성되는 노이즈를 차폐하기 위한 그라운드 전극층이 추가적으로 형성될 수 있다. .
본 발명의 일 실시예에 따르면, 지문 감지 센서를 박막 공정으로 제조하여 지문 감지 센서를 박형화 할 수 있고, 박형화된 지문 감지 센서에서 사용자의 지문을 검출하여 높은 지문 인식률을 획득할 수 있다.
도 4는 도 3의 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제작 공정도이다. 이 하, 도 4를 참조하여, 도 3의 지문 감지 센서의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제조 방법은 캐리어(270)를 마련하고(도 4(a)), 캐리어(270) 상에 배선층(250)을 형성(도 4(b))한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐리어(270)는 글라스(glass)로 제조될 수 있다. 캐리어(270)를 글라스로 제조하여, 이 후 공정에서 캐리어(270) 상에 적층되는 층 또는 막의 운반 편의성을 증대할 수 있다.
배선층(250)은 구리(Cu)를 이용하여 형성될 수 있다. 배선층(250)은 지문 감지 센서 내로 유입되는 노이즈를 차폐하기 위한 그라운드 전극을 포함할 수 있고, 추후 공정에서 실장되는 컨트롤러 집적 회로(260)와 연결되는 신호 배선 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐리어(270) 상에 배선층(250)을 형성한 후, 배선층(250) 상에 상대적으로 비중이 큰 기판(210)을 적층하여, 배선층(250)과 기판(210)의 접착력을 향상할 수 있다.
캐리어(270) 상에 배선층(250)을 형성한 후에, 배선층(250) 상에 기판(210)을 형성할 수 있다(도 4(c)). 기판(210)은 PET(Polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide), PMMA(PolymethlymethAcrylate), COP (Cyclo-Olefin Polymers) 등의 필름, 소다 글라스(Soda glass), 또는 강화 글라스(tempered glass)와 같은 재질로 형성될 수 있다.
기판(210)의 내부에는 기판(210)의 일면에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 타면에 마련되는 배선층(250)과 전기적으로 연결하기 위한 복수의 비아가 형성될 수 있다.
이 후, 기판(210) 상에는 제1 전극(223), 절연층(230), 및 제2 전극(225)이 순차적으로 적층 형성될 수 있다(도 4(d) ~ (f)). 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)은 도체선으로 형성될 수 있고, 도체선은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
절연층(230)은 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성되어, 제1 전극(223)과 제2 전극(225)을 상호 절연할 수 있다. 제1 전극(223)에 구동 신호가 인가되는 경우, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성된 절연층(230)에 의해 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 정전용량이 생성될 수 있다.
제2 전극(225) 상에는 보호층(240) 및 커버 렌즈(280)가 순차적으로 형성될 수 있다(도 4(g)).
보호층(240)은 제2 전극(225) 상에 형성되고, 보호층(240) 상에는 커버 렌즈(280)가 형성되어, 사용자의 손가락의 접촉을 인가받을 수 있다.
보호층(240)은 제2 전극(225)를 덮도록 형성되어, 박막 공정으로 제조되는 제2 전극(225)을 보호할 수 있다. 보호층(240)은 박막 공정에 의해 제조될 수 있고, 보호층(240)의 두께는 1~5㎛일 수 있다. 일 예로, 보호층(240)은 솔더 레지스트(SR)를 포함할 수 있고, 비유전율은 3.2 일 수 있다.
커버 렌즈(280)는 글라스(glass) 재질로 형성되어, 커버 렌즈(280)는 일종의 커버 윈도우로 기능할 수 있다. 커버 렌즈(280)를 형성하는 글라스는 인쇄 또는 스프레이 방식을 이용하여 도료 또는 안료를 첨가함으로써 색상이 부여될 수 있다. 색상이 부여된 커버 렌즈(280)은 기판(210) 상에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 시각적으로 차폐할 수 있다. 커버 렌즈(280) 상에 사용자의 손가락이 접촉되는 경우, 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 형성되는 정전용량의 변화가 발생하고, 정전용량의 변화에 따라 손가락의 지문이 검출될 수 있다.
제2 전극(225) 상에 보호층(240) 및 커버 렌즈(280)가 형성된 후에 캐리어(270)는 제거되고(도 4(h)), 배선층(250) 상에 컨트롤러 집적 회로(260)가 실장될 수 있다(도 4(i)). 컨트롤러 집적 회로(260)는 플립 칩(flip chip) 형태로 배선층(250)에 탑재될 수 있다. 컨트롤러 집적 회로(260)는 배선층(250)의 신호 배선 전극 및 기판(210)의 복수의 비아를 통하여 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 도시되지 않았으나, 기판(210)에는 배선층(250)과 제1 전극(223) 사이에서 형성되는 노이즈를 차폐하기 위한 그라운드 전극층이 추가적으로 형성될 수 있다. .
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 지문 감지 센서의 단면도이다. 도 5는 도 2에 도시한 지문 감지 센서를 Y-Z 평면으로 잘라서 나타낸 단면도로서, 도 2에서 설명한 기판(210), 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 이외에 절연층(230), 커버 렌즈(280), 배선층(250) 및 컨트롤러 집적 회로(260)을 더 포함할 수 있고, 추가적으로 커버 렌즈(280)를 더 포함할 수 있다.
도 5의 지문 감지 센서는 도 3의 지문 감지 센서와 구성이 유사하므로 중복되는 설명은 생략하고, 차이점을 중점적으로 설명하도록 한다.
도 3의 지문 감지 센서와 도 5의 지문 감지 센서를 비교하면, 도 3의 지문 감지 센서의 제2 전극(225)은 보호층(240)을 통하여 커버 렌즈(280)과 접합되는데 반하여, 도 5의 제2 전극(225)은 직접적으로 커버 렌즈(280)와 접합된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 보호층(240)을 제거하여 제조 비용을 절감할 수 있고, 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 도 5의 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제작 공정도이다. 이 하, 도 6을 참조하여, 도 5의 지문 감지 센서의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 일 실시예에 따른 지문 감지 센서의 제조 방법은 커버 렌즈(280)를 마련하는 것으로부터 시작한다(도 6(a)).
커버 렌즈(280)는 글라스(glass) 재질로 형성되어, 커버 렌즈(280)는 일종의 커버 윈도우로 기능할 수 있다. 커버 렌즈(280)를 형성하는 글라스는 인쇄 또는 스프레이 방식을 이용하여 형성될 수 있고, 글라스에 도료 또는 안료를 첨가함으로써 커버 렌즈(280)에 색상이 부여될 수 있다. 색상이 부여된 커버 렌즈(280)은 기판(210) 상에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 시각적으로 차폐할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 커버 렌즈(280)를 일종의 캐리어로 이용하여, 도 4의 실시예에 따른 제조 방법에 비하여, 제조 비용을 줄이고, 제작 공정을 단순화 할 수 있다.
이후, 커버 렌즈(280) 상에는 제2 전극(225)이 형성된다(도 6(b)). 구체적으로 도시되지 않았으나, 커버 렌즈(280)와 제2 전극(225) 사이에는 티타늄(Ti) 층이 추가적으로 형성될 수 있다. 티타늄(Ti) 층은 커버 렌즈(280)와 제2 전극(225)의 접착층으로 기능할 수 있다.
절연층(230)은 제2 전극(225)을 덮도록 형성될 수 있고(도 6(c)), 절연층(230)상에는 제1 전극(223)이 형성될 수 있다(도 6(d)). 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)은 도체선으로 형성될 수 있고, 도체선은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
절연층(230)은 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성되어, 제1 전극(223)과 제2 전극(225)을 상호 절연할 수 있다. 제1 전극(223)에 구동 신호가 인가되는 경우, 제1 전극(223) 및 제2 전극(225) 사이에 형성된 절연층(230)에 의해 제1 전극(223)과 제2 전극(225) 사이에서 정전용량이 생성될 수 있다.
제1 전극(223) 상에는 기판(210)이 형성될 수 있다(도 6(e)). 기판(210)은 PET(Polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide), PMMA(PolymethlymethAcrylate), COP (Cyclo-Olefin Polymers) 등의 필름, 소다 글라스(Soda glass), 또는 강화 글라스(tempered glass)와 같은 재질로 형성될 수 있다.
기판(210)의 내부에는 기판(210)의 일면에 마련되는 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)을 기판(210)의 타면에 마련되는 배선층(250)과 전기적으로 연결하기 위한 복수의 비아가 형성될 수 있다.
이후, 기판(210) 상에는 배선층(250)이 형성되고(도 6(f)), 배선층(250) 상에는 컨트롤러 집적 회로(260)가 실장될 수 있다(도 6(g)). 배선층(250)은 구리(Cu)를 이용하여 제작될 수 있다. 배선층(250)은 지문 감지 센서 내로 유입되는 노이즈를 차폐하기 위한 그라운드 전극을 포함할 수 있고, 추후 공정에서 실장되는 컨트롤러 집적 회로(260)와 연결되는 신호 배선 전극을 포함할 수 있다. 컨트롤러 집적 회로(260)는 배선층(250)의 신호 배선 전극 및 기판(210)의 복수의 비아를 통하여 제1 전극(223) 및 제2 전극(225)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 도시되지 않았으나, 기판(210)에는 배선층(250)과 제1 전극(223) 사이에서 형성되는 노이즈를 차폐하기 위한 그라운드 전극층이 추가적으로 형성될 수 있다. .
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 전자 기기
110: 디스플레이 장치
120: 입력부
130: 오디오부
210: 기판
220: 전극층
223: 제1 전극
225: 제2 전극
230: 절연층
240: 보호층
250: 배선층
260: 컨트롤러 집적 회로
270: 캐리어
280: 커버 렌즈

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판의 일면 상에 형성되고, 도체선으로 구성되는 복수의 제1 전극;
    상기 복수의 제1 전극 상에 형성되는 절연층; 및
    상기 절연층 상에 형성되고, 도체선으로 구성되어 상기 복수의 제1 전극과 교차하는 복수의 제2 전극; 을 포함하고,
    상기 복수의 제1 전극의 도체선의 선폭 및 상기 복수의 제2 전극의 도체선의 선폭 중 적어도 하나는 1~10㎛ 인 지문 감지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극의 도체선 중 인접하는 도체선 간의 이격 거리 및 상기 복수의 제2 전극의 도체선 중 인접하는 도체선의 이격 거리 중 적어도 하나는 1~10㎛ 인 지문 감지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극의 도체선의 두께 및 상기 복수의 제2 전극의 도체선의 두께 중 적어도 하나는 0.2~10㎛인 지문 감지 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연층의 두께는 4~6㎛ 인 지문 감지 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 형성되는 보호층; 을 더 포함하고,
    상기 보호층의 두께는 1~5㎛ 인 지문 감지 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 타면 상에 형성되는 배선층; 을 더 포함하고,
    상기 배선층은 상기 기판 및 상기 절연층에 형성되는 비아를 통하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 지문 감지 센서.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 배선층에 실장되는 컨트롤러 집적 회로; 를 더 포함하는 지문 감지 센서.
  8. 캐리어를 마련하는 단계;
    상기 캐리어 상에 배선층을 형성하는 단계;
    상기 배선층 상에 기판, 제1 전극, 절연층, 및 제2 전극을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 배선층과 접합된 캐리어를 제거하는 단계; 및
    상기 캐리어가 제거된 배선층의 면 상에 컨트롤러 집적 회로를 실장하는 단계; 를 포함하는 지문 감지 센서의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 캐리어를 제거하기 전에, 상기 제2 전극 상에 보호층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 지문 감지 센서의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 절연층, 상기 제2 전극 및 상기 보호층 중 적어도 하나는 박막 공정에 의해 형성되는 지문 감지 센서의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 컨트롤러 집적 회로를 실장하는 단계는,
    상기 컨트롤러 집적 회로를 플립 칩(flip chip) 형태로 실장하는 지문 감지 센서의 제조 방법.
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