KR102566766B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 감압 및 가열을 수반하는 건조 처리를, 휨을 포함한 기판에 대해서도 양호하게 실행할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 가열 및 그 주위 공간의 감압에 의하여 기판의 주면에 형성된 도포막(F)을 건조시키는 기판(S)을 수평 자세로 수용 가능한 처리 공간(SP)을 갖는 챔버(10)와, 처리 공간(SP) 내에서, 기판(S)의 하면에 맞닿아 기판(S)을 하방으로부터 지지하는 지지부(32)와, 지지부(32)에 지지된 기판(S)의 상면에 부분적으로 맞닿아 기판의 휨을 교정하는 교정 부재(41)와, 처리 공간(SP) 내에서, 지지부(32)에 지지된 기판(S)의 하면을 가열하는 가열부(20)와, 처리 공간(SP)을 감압하는 감압부(50)를 구비한다.The substrate processing apparatus according to the present invention can satisfactorily perform a drying process involving depressurization and heating even for a substrate including warpage. For this reason, the substrate processing apparatus 1 is a processing space capable of accommodating the substrate S in a horizontal position in which the coating film F formed on the main surface of the substrate is dried by heating the substrate S and depressurizing the space around the substrate S. The chamber 10 having the SP, the supporting part 32 supporting the substrate S from below by contacting the lower surface of the substrate S in the processing space SP, and the supporting part 32 supporting the substrate S. A correction member 41 that partially comes into contact with the upper surface of the substrate S to correct the warpage of the substrate, and a heating unit that heats the lower surface of the substrate S supported by the support unit 32 in the processing space SP ( 20) and a pressure reducing unit 50 for reducing the pressure in the processing space SP.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

이 발명은, 기판에 형성된 도포막을 건조시키는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for drying a coating film formed on a substrate.

반도체 디바이스의 제조 프로세스 중 하나로서, 기판 표면에 도포액을 도포하여 도포막을 형성하고 이것을 건조시킴으로써, 기판 표면에 레지스트막이나 보호막 등의 기능막을 형성하는 처리가 있다. 지금까지, 이와 같은 건조 처리로서는, 도포막이 형성된 기판의 주위 공간을 감압하여 용매 성분을 휘발시키는 감압 건조 처리와, 감압 처리 후의 기판을 가열하여 도포막을 완전하게 건조시키는 가열 건조 처리가 각각 전용의 장치로 행해지는 것이 일반적이었다(예를 들면, 일본국 특허공개 2006-105524호 공보(특허문헌 1) 참조).As one of the semiconductor device manufacturing processes, there is a process of forming a functional film such as a resist film or a protective film on a substrate surface by applying a coating liquid to a substrate surface to form a coating film and drying it. Until now, as such a drying process, a vacuum drying process in which the space around the substrate on which the coated film is formed is reduced to volatilize the solvent component, and a heat-drying process in which the substrate after the reduced pressure treatment is heated to completely dry the coated film are dedicated devices, respectively. It was common to do this (see, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-105524 (Patent Document 1)).

이와 같은 종래 기술에는, 장치 간에서 기판을 반송할 필요가 있어 처리 시간의 단축을 도모할 수 없는 것, 및, 장치의 점유 면적이 커지는 것 등의 해결해야 할 과제가 있었다. 이들 과제에 대하여, 본원 출원인은, 1개의 장치로 감압 건조 처리와 가열 건조 처리를 실행하는 것이 가능한 기술을 먼저 개시하고 있다(일본국 특허 제5089288호 공보(특허문헌 2) 참조).Such a prior art has problems to be solved, such as the need to transport substrates between devices, making it impossible to shorten the processing time, and increasing the area occupied by the devices. Regarding these problems, the applicant of this application first discloses a technique capable of performing vacuum drying treatment and heat drying treatment with one apparatus (refer to Japanese Patent No. 5089288 (Patent Document 2)).

이 장치에 있어서는, 도포막이 형성된 기판이, 내부 공간을 감압 가능한 챔버 내에서 수평 자세로 유지된다. 그리고, 내부 공간이 감압되고, 또한 챔버 내에 설치된 램프 히터가 기판을 가열함으로써, 도포막을 건조시킨다.In this apparatus, the substrate on which the coating film is formed is held in a horizontal posture within a chamber capable of depressurizing the inner space. Then, the inner space is depressurized and the lamp heater provided in the chamber heats the substrate, thereby drying the coated film.

최근, 이러한 종류의 처리에 제공되는 기판의 대형화가 진행되고 있다. 이에 따라 기판의 휨이 발생하기 쉬워져, 균일한 가열 처리가 어렵게 되어 있다. 예를 들면, 웨이퍼 레벨 패키지(WLP; Wafer Level Packaging)나 패널 레벨 패키지(PLP; Panel Level Packaging)와 같은 제조 형태로 제조되는 반도체 패키지에서는, 유리 기판 상에 복수의 반도체 칩이나 칩 간의 배선 등이 다층에 조합되어 있다. 그들의 열수축률이나 열팽창률의 차이량은, 단순히 레지스트층 등을 적층한 반도체 기판보다 크게 되어 있다. 그 때문에, 기판의 휨이 현저한 것이 되어 있다.[0003] In recent years, the size of substrates used for this kind of processing is progressing. As a result, warpage of the substrate is likely to occur, and uniform heat treatment is difficult. For example, in a semiconductor package manufactured in a manufacturing form such as a wafer level packaging (WLP) or a panel level packaging (PLP), a plurality of semiconductor chips or interconnections between chips are formed on a glass substrate. It is combined in multiple layers. The difference in thermal contraction rate and thermal expansion rate is larger than that of a semiconductor substrate on which a resist layer or the like is simply laminated. Therefore, warpage of the substrate has become remarkable.

이 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 감압 및 가열을 수반하는 건조 처리를, 휨을 포함한 기판에 대해서도 양호하게 실행할 수 있는 기판 처리 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention was made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing technique capable of satisfactorily performing a drying process involving depressurization and heating even for a substrate including warpage.

이 발명의 일 양태는, 기판의 가열 및 그 주위 공간의 감압에 의하여 상기 기판의 주면에 형성된 도포막을 건조시키는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 목적을 달성하기 위하여, 상기 기판을 수평 자세로 수용 가능한 처리 공간을 갖는 챔버와, 상기 처리 공간 내에서, 상기 기판의 하면에 맞닿아 상기 기판을 하방으로부터 지지하는 지지부와, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 상면에 부분적으로 맞닿아 상기 기판의 휨을 교정하는 교정 부재와, 상기 처리 공간 내에서, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 하면을 가열하는 가열부와, 상기 처리 공간을 감압하는 감압부를 구비하고 있다.One aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for drying a coating film formed on a main surface of a substrate by heating the substrate and depressurizing the space around the substrate, in order to achieve the above object, a process capable of accommodating the substrate in a horizontal posture A chamber having a space, a support part in contact with the lower surface of the substrate and supporting the substrate from below in the processing space, and a calibration part that partially comes into contact with the upper surface of the substrate supported by the support part to correct warpage of the substrate. A member, a heating unit for heating a lower surface of the substrate supported by the support unit in the processing space, and a pressure reducing unit for depressurizing the processing space.

또, 이 발명의 다른 일 양태는, 기판을 가열하고 그 주위 공간을 감압하여 상기 기판의 주면에 형성된 도포막을 건조시키는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 목적을 달성하기 위하여, 상기 기판을 가열하는 가열부가 내부의 처리 공간에 배치된 챔버 내에서, 상기 기판의 하면에 지지부를 맞닿게 하여, 상기 가열부의 상방에, 또한 상기 가열부로부터 소정의 갭을 두고 상기 기판을 지지하고, 상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 상면에 부분적으로 교정 부재를 맞닿게 하여 상기 기판의 휨을 교정하며, 상기 처리 공간을 감압하고, 상기 가열부에 의하여 상기 기판을 가열하여 상기 도포막을 건조시킨다.In addition, another aspect of the present invention is a substrate processing method for drying a coating film formed on a main surface of the substrate by heating the substrate and depressurizing the space around the substrate, in order to achieve the above object, a heating unit for heating the substrate In a chamber disposed in an internal processing space, the substrate is supported above the heating part and at a predetermined gap from the heating part by bringing the support part into contact with the lower surface of the substrate, and the support part is supported. The curvature of the substrate is corrected by partially bringing the correction member into contact with the upper surface of the substrate, the processing space is depressurized, and the substrate is heated by the heater to dry the coated film.

기판을 그 하면측으로부터 가열하는 구성에 있어서는, 기판에 휨이 있으면 균일한 가열이 이루어지지 않아, 건조 후의 도포막의 품질에 편차를 발생시킬 우려가 있다. 상기와 같이 구성된 발명에서는, 지지부에 의하여 하면측으로부터 지지되는 기판의 상면에 교정 부재가 맞닿음으로써, 기판이 상하 양면으로부터 유지되어, 기판에 휨이 있는 경우에는 그 휨이 교정된다. 이 때문에, 휨이 있는 기판이더라도, 기판 표면의 도포막에 대한 가열 불균일을 억제하여, 도포막의 건조를 양호하게 행하는 것이 가능하다.In the configuration in which the substrate is heated from the lower surface side, if the substrate has warpage, uniform heating is not achieved, and there is a possibility that the quality of the coated film after drying may vary. In the invention structured as described above, the substrate is held from both the upper and lower surfaces by the correcting member abutting against the upper surface of the substrate supported from the lower surface side by the supporting portion, and if the substrate has warpage, the warpage is corrected. For this reason, even if the substrate has a warp, it is possible to suppress uneven heating of the coating film on the surface of the substrate and to dry the coating film satisfactorily.

이상과 같이, 본 발명에서는, 교정 부재가 기판의 상면에 맞닿음으로써 휨을 교정할 수 있다. 이 때문에, 휨을 포함한 기판에 대해서도, 감압 및 가열을 수반하는 건조 처리를 양호하게 실행할 수 있다.As described above, in the present invention, warpage can be corrected by the correcting member abutting the upper surface of the substrate. For this reason, it is possible to satisfactorily perform the drying treatment involving depressurization and heating even for a substrate including warpage.

도 1은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는, 챔버로의 기판의 반입 시에 있어서의 각 부의 동작을 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는, 리프트 핀 및 교정 핀의 배치를 나타내는 도면이다.
도 4는, 하부 히터의 배치예를 나타내는 도면이다.
도 5는, 기판 처리 장치에 의한 가열 감압 건조 처리를 나타내는 플로차트이다.1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
2A to 2C are diagrams showing the operation of each part when a substrate is loaded into the chamber.
3A and 3B are diagrams showing the arrangement of lift pins and straightening pins.
4 : is a figure which shows the arrangement example of a lower heater.
Fig. 5 is a flow chart showing a heating and vacuum drying process by the substrate processing apparatus.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로는, 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태인 기판 처리 장치(1)의 주요부의 구성을 나타내는 단면도와, 그들에 대한 제어계의 블록도를 조합한 도면이다. 또한, 이하의 각 도면에 있어서 장치 각 부의 배치 관계를 명확하게 하기 위하여, 도 1에 나타내는 바와 같이 우수계(右手系) XYZ 직교 좌표를 설정한다. 이 좌표계로 나타내어지는 XY 평면이 수평면을 나타내고, Z방향이 연직 방향을 나타낸다. 특히 (-Z)방향이 연직 하향 방향을 나타낸다.1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. More specifically, FIG. 1 is a combination of cross-sectional views showing the configuration of main parts of a substrate processing apparatus 1 as an embodiment of the present invention and a block diagram of a control system therefor. In addition, in each drawing below, in order to clarify the arrangement relationship of each part of the device, as shown in Fig. 1, even-hand system XYZ orthogonal coordinates are set. The XY plane represented by this coordinate system represents the horizontal plane, and the Z direction represents the vertical direction. In particular, the (-Z) direction represents a vertically downward direction.

이 기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 패널 레벨 패키지(PLP; Panel Level Package)의 제조 공정의 일부에 적용 가능한 것이다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 표면에 처리액에 의한 도포막(F)이 형성된 기판(S)을, 도포막(F)이 미건조인 상태로 받아들여, 기판(S)을 가열함과 더불어 주위 공간을 감압한다. 이에 의하여, 기판 처리 장치(1)는, 도포막 중의 용매 성분을 휘발시켜 도포막을 건조, 경화시키는 처리를 실행한다. 이하에서는, 이와 같은 기판 처리를 「가열 감압 건조 처리」라고 칭한다.This substrate processing apparatus 1 is applicable to a part of the manufacturing process of a panel level package (PLP), for example. Specifically, the substrate processing apparatus 1 accepts a substrate S on which a coating film F formed by a treatment liquid is formed on the surface in a state in which the coating film F is not dried, and treats the substrate S In addition to heating, the surrounding space is decompressed. In this way, the substrate processing apparatus 1 performs a process of drying and curing the coating film by volatilizing the solvent component in the coating film. Below, such a substrate treatment is referred to as "heating and vacuum drying treatment".

기판(S)으로서는 예를 들면, 평면에서 보았을 때 직사각형 형상을 갖고, 그 표면 상에 반도체 칩이나 배선 등이 적층된 반도체 패키지용 유리 기판을 적용 가능하다. 또, 도포막(F)은, 예를 들면 포토레지스트막이다. 또한, 기판의 재질이나 도포막의 종류에 대해서는, 이에 한정되는 것은 아니다. 또 처리 대상이 되는 기판은, 예를 들면 반도체 패키지 이외의 반도체 디바이스의 제조에 이용되는 기판이어도 된다.As the substrate S, for example, a glass substrate for semiconductor packages having a rectangular shape in plan view and having semiconductor chips, wires, and the like laminated thereon can be applied. In addition, the coating film F is, for example, a photoresist film. In addition, about the material of a board|substrate or the kind of coating film, it is not limited to this. Further, the substrate to be processed may be a substrate used for manufacturing semiconductor devices other than semiconductor packages, for example.

기판 처리 장치(1)는, 주된 구성으로서 챔버(10), 배기부(50) 및 제어부(90)를 구비하고 있다. 챔버(10)는, 상면(Sa)에 도포막(F)이 형성된 기판(S)을 그 내부에 받아들여 소정의 처리를 행한다. 배기부(50)는 챔버(10)의 내부 공간에 접속되어, 챔버 내부 공간을 배기한다. 제어부(90)은, CPU(Central Processing Unit)(91)를 구비하고 있다. CPU(91)가, 소정의 제어 프로그램을 실행함으로써 장치 각 부의 동작을 제어하여, 이하에 설명하는 각종 처리를 실현한다. 또한, 도 1에 있어서의 점선 화살표는, 제어부(90)로부터 장치 각 부로의 제어 신호의 흐름을 나타내고 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 10, an exhaust unit 50, and a control unit 90 as main components. The chamber 10 receives the substrate S in which the coating film F is formed on the upper surface Sa, and performs a predetermined process therein. The exhaust unit 50 is connected to the internal space of the chamber 10 and exhausts the internal space of the chamber. The control unit 90 includes a CPU (Central Processing Unit) 91 . The CPU 91 controls the operation of each unit of the device by executing a predetermined control program, thereby realizing various processes described below. Also, dotted arrows in FIG. 1 indicate the flow of control signals from the control unit 90 to each unit of the device.

챔버(10)는, 기판(S)의 주위를 감압하기 위한 처리 공간(SP)을 형성하고, 처리에 의하여 휘발된 기체 성분이 주위에 비산하는 것을 방지하며, 또 가열되는 기판(S)의 주위를 덮음으로써 열의 방산을 억제하여 에너지 효율을 높이는 기능을 갖는다. 이들 목적을 위하여, 챔버(10)는, 커버부(11)와 저판부(12)가 시일 부재(13)를 통하여 조합된 상자형 구조로 되어 있다. 보다 구체적으로는, 하방이 개구한 공동(空洞)을 갖는 커버부(11)가, 대략 평판 형상의 저판부(12)의 상부를 폐색함으로써, 커버부(11)와 저판부(12)의 사이에 처리 공간(SP)이 형성된다. 커버부(11) 및 저판부(12)는, 예를 들면 스테인리스강 또는 알루미늄 등의 금속 재료에 의하여 형성된다. 또, 시일 부재(13)는 고무 등의 탄성 재료에 의하여 형성된다.The chamber 10 forms a processing space SP for depressurizing the surroundings of the substrate S, prevents gas components volatilized by processing from scattering to the surroundings, and also surrounds the substrate S to be heated. It has the function of increasing energy efficiency by suppressing heat dissipation by covering the For these purposes, the chamber 10 has a box-like structure in which a cover portion 11 and a bottom plate portion 12 are combined via a seal member 13. More specifically, the cover portion 11 having a cavity open downward closes the upper portion of the substantially flat bottom plate portion 12, thereby forming a gap between the cover portion 11 and the bottom plate portion 12. The processing space (SP) is formed in. The cover part 11 and the bottom plate part 12 are formed of metal materials, such as stainless steel or aluminum, for example. Further, the sealing member 13 is formed of an elastic material such as rubber.

커버부(11)는, 도시하지 않은 지지 기구에 의하여 연직 방향(Z방향)으로 승강 가능하게 지지되어 있다. 제어부(90)에 설치된 챔버 구동부(93)가, 커버부(11)를 Z방향으로 승강시킨다. 이에 의하여, 챔버(10)가 개폐된다. 구체적으로는, 챔버 구동부(93)에 의하여, 커버부(11)가 도 1에 나타내는 하부 위치에 위치 결정된 상태로 챔버(10)는 폐색되어, 내부에 처리 공간(SP)이 형성된다. 한편, 챔버 구동부(93)에 의하여 커버부(11)가 상방으로 이동함으로써, 커버부(11)와 저판부(12)가 이격되어, 처리 공간(SP)은 외부 공간에 개방된다. 커버부(11)의 폐쇄 상태에서 기판(S)에 대한 처리가 실행되는 한편, 개방 상태에서는 기판(S)의 출입이나 내부 부품에 대한 메인터넌스 작업 등을 행하는 것이 가능해진다.The cover part 11 is supported so that it can move up and down in the vertical direction (Z direction) by a support mechanism (not shown). A chamber drive unit 93 installed in the control unit 90 moves the cover unit 11 up and down in the Z direction. As a result, the chamber 10 is opened and closed. Specifically, the chamber 10 is closed by the chamber driving unit 93 in a state where the cover unit 11 is positioned at the lower position shown in FIG. 1, and the processing space SP is formed therein. Meanwhile, when the cover part 11 is moved upward by the chamber driving part 93, the cover part 11 and the bottom plate part 12 are spaced apart, and the processing space SP is opened to the outside space. In the closed state of the cover section 11, the processing of the substrate S is executed, while in the open state, it is possible to take in and out of the substrate S and perform maintenance work on internal components.

챔버(10)의 저판부(12)에는, 핫 플레이트(20)가 설치되어 있다. 핫 플레이트(20)는, 평면에서 보았을 때 상면이 기판(S)과 거의 같거나, 또는 이것보다 조금 큰 사이즈의 평판 형상 부재이다. 핫 플레이트(20)의 내부에는, 핫 플레이트(20)를 승온시키는 열원으로서 도시하지 않은 히터가 내장되어 있다. 이 히터를 다른 열원과 구별하기 위하여, 이하에서는 「내부 히터」라고 칭하는 것으로 한다. 핫 플레이트(20)는, 도시하지 않은 지지 부재에 의하여 저판부(12)의 상면으로부터 상방으로 이격된 상태로 지지되어 있다. 이에 의하여, 핫 플레이트(20)와 저판부(12) 사이의 열적 분리가 도모되어 있다. 내부 히터에 대하여 제어부(90)의 내부 히터 제어부(94)로부터 전력이 공급됨으로써, 히터가 승온하여, 핫 플레이트(20)가 가열된다. 내부 히터 제어부(94)는, CPU(91)로부터의 제어 지령에 따라, 핫 플레이트(20)의 상면(21)이 소정의 온도가 되도록 내부 히터를 제어한다. 이에 의하여, 핫 플레이트(20)로부터의 복사열에 의하여 기판(S)이 균일하게 가열된다.A hot plate 20 is installed on the bottom plate portion 12 of the chamber 10 . The hot plate 20 is a flat plate-like member whose upper surface is substantially the same as or slightly larger than that of the substrate S in plan view. A heater (not shown) is built into the hot plate 20 as a heat source for raising the temperature of the hot plate 20 . In order to distinguish this heater from other heat sources, it is hereinafter referred to as an "internal heater". The hot plate 20 is supported while being spaced upward from the upper surface of the bottom plate portion 12 by a support member (not shown). This achieves thermal separation between the hot plate 20 and the bottom plate portion 12 . When electric power is supplied to the internal heater from the internal heater controller 94 of the controller 90, the temperature of the heater rises and the hot plate 20 is heated. The internal heater controller 94 controls the internal heater so that the upper surface 21 of the hot plate 20 reaches a predetermined temperature according to a control command from the CPU 91 . Accordingly, the substrate S is uniformly heated by the radiant heat from the hot plate 20 .

기판 처리 장치(1)에는, 핫 플레이트(20)와 외부의 반송 로봇과 사이에서의 기판(S)의 수도(受渡)를 원활하게 행하기 위하여, 승강 기구(30)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 챔버(10)의 저판부(12) 및 핫 플레이트(20)에는 연직 방향(Z)으로 연장되는 관통 구멍이 복수 형성되어 있고, 그들 관통 구멍의 각각에 리프트 핀(32)이 삽통되어 있다. 각 리프트 핀(32)의 하단은 승강 부재(33)에 고정되어 있다. 승강 부재(33)는, 제어부(90)의 리프트 핀 구동부(92)에 의하여 상하 방향으로 승강 자유자재로 지지되어 있다. CPU(91)로부터의 승강 지령에 따라 리프트 핀 구동부(92)가 작동하여 승강 부재(33)를 승강시킨다. 이에 의하여 각 리프트 핀(32)이 일체적으로 승강한다. 리프트 핀(32)은, 그 상단이 핫 플레이트(20)의 상면(21)보다 상방으로 크게 돌출하는 상부 위치와, 핫 플레이트(20)의 상면(21)으로부터의 상단의 돌출량이 보다 작은 하부 위치의 사이에서 승강 이동한다.In the substrate processing apparatus 1, an elevating mechanism 30 is installed to smoothly transfer the substrate S between the hot plate 20 and an external transfer robot. Specifically, a plurality of through holes extending in the vertical direction Z are formed in the bottom plate portion 12 and the hot plate 20 of the chamber 10, and the lift pins 32 are inserted into each of the through holes. has been The lower end of each lift pin 32 is fixed to the elevating member 33 . The elevating member 33 is supported by the lift pin drive unit 92 of the control unit 90 to move up and down freely in the vertical direction. In accordance with the lift command from the CPU 91, the lift pin driving unit 92 operates to lift the lift member 33. Thereby, each lift pin 32 moves up and down integrally. The lift pins 32 are located at an upper position where the upper end protrudes more upwardly than the upper surface 21 of the hot plate 20, and at a lower position where the amount of protrusion of the upper end from the upper surface 21 of the hot plate 20 is smaller. move up and down between

도 1은 리프트 핀이 하부 위치에 있는 상태를 나타내고 있다. 이 상태에서는 리프트 핀(32)의 상단은 핫 플레이트(20)의 상면(21)으로부터 약간 상방으로 돌출되어 있다. 이 때문에, 기판(S)은, 그 하면(Sb)이 핫 플레이트(20)의 상면(21)과 미소한 갭을 둔 상태로 수평 자세로 지지된다. 또한, 이와 같이 리프트 핀(32)에 의하여 지지되는 양태 대신에, 기판(S)이 핫 플레이트(20)의 상면(21)에 설치된 돌기부에 의하여 지지되는 구성으로 하는 것도 가능하다. 이 경우, 리프트 핀(32)은 더욱 하방에 위치하여 기판(S)으로부터 이격된 상태여도 된다.1 shows a state in which the lift pins are in the lower position. In this state, the upper end of the lift pin 32 slightly protrudes upward from the upper surface 21 of the hot plate 20 . For this reason, the substrate S is supported in a horizontal posture with its lower surface Sb and the upper surface 21 of the hot plate 20 with a small gap. In addition, instead of being supported by the lift pins 32 as described above, it is also possible to adopt a configuration in which the substrate S is supported by protrusions provided on the upper surface 21 of the hot plate 20 . In this case, the lift pin 32 may be located further downward and may be in a state separated from the substrate S.

핫 플레이트(20)의 상면(21)으로부터의 복사열에 의하여 기판(S)이 가열된다. 기판(S)의 하면(Sb)과 핫 플레이트(20)의 상면(21)의 사이에 갭을 형성함으로써, 핫 플레이트(20)로부터 기판(S)으로의 열이동은, 전도가 아니라 주로 복사에 의하여 행해지게 된다. 이렇게 함으로써, 핫 플레이트(20) 상에서의 온도 불균일에 기인하여 발생할 수 있는 기판(S)에 대한 가열 불균일을 억제할 수 있다. 그 결과, 기판(S)에 형성된 도포막(F)을 균일하게 가열하여 균질한 막을 형성하는 것이 가능해진다.The substrate S is heated by radiant heat from the upper surface 21 of the hot plate 20 . By forming a gap between the lower surface Sb of the substrate S and the upper surface 21 of the hot plate 20, heat transfer from the hot plate 20 to the substrate S is mainly radiated, not conduction. will be done by By doing this, uneven heating of the substrate S, which may occur due to uneven temperature on the hot plate 20, can be suppressed. As a result, it becomes possible to uniformly heat the coating film F formed on the substrate S to form a homogeneous film.

처리 대상물로서 반입되는 기판(S)은 평면 상태를 유지하고 있다고는 한정되지 않고, 굴곡이나 휨을 갖고 있는 경우가 있다. 예를 들면 서로 열팽창률이 상이한 기능층이 적층된 기판(S)은, 처리의 과정에서 그것들이 신축하는 것에 기인하여 발생한 휨이 잔류한 채로 반입되어 오는 경우가 있다.The board|substrate S carried in as an object to be processed is not limited to maintaining a flat state, but may have bends and curvature. For example, the board|substrate S on which functional layers with mutually different thermal expansion coefficients were laminated|stacked may be carried in with the warp which arose due to the expansion and contraction of them remaining in the process of a process.

이와 같은 기판(S)의 휨은, 핫 플레이트(20)와의 사이에 있어서의 갭 변동의 원인이 된다. 열원과의 거리의 편차에 의하여 도포막(F)의 가열 불균일이 발생함으로써, 막질의 편차를 발생시킬 우려가 있다. 그래서, 이와 같은 기판(S)의 휨을 교정하여 평면 상태에 가깝게 하기 위하여, 이 기판 처리 장치(1)에는 교정 기구(40)가 설치되어 있다.Such warping of the substrate S causes gap fluctuations between the substrate S and the hot plate 20 . Variation in the distance from the heat source causes uneven heating of the coating film F, which may cause variations in film quality. Therefore, in order to correct the warpage of the substrate S and bring it closer to a flat state, a straightening mechanism 40 is installed in the substrate processing apparatus 1 .

교정 기구(40)는, 복수의 교정 핀(41)이, 커버부(11)의 내측 천장면(111)에 각각 조정 너트(42)를 통하여 장착된 구조를 갖고 있다. 기판(S)에 휨이 있는 경우, 커버부(11)의 폐쇄 상태에서 교정 핀(41)이 기판(S)의 상면(Sa)에 상방으로부터 맞닿음으로써, 휨이 교정된다. 여기서의 「교정」은, 기판(S)을 엄밀한 의미에서의 평탄한 상태로 하는 것은 아니고, 핫 플레이트(20)와의 갭의 편차를, 가열 불균일이 발생하지 않을 정도로까지 억제하는 것을 목적으로 하는 것이다. 그 때문에 반드시 모든 교정 핀(41)이 기판(S)에 맞닿아 있을 필요는 없다.The calibration mechanism 40 has a structure in which a plurality of calibration pins 41 are attached to the inner ceiling surface 111 of the cover section 11 via adjustment nuts 42, respectively. When the board|substrate S has warp, the correction pin 41 abuts the upper surface Sa of the board|substrate S from upper direction in the closed state of the cover part 11, and the warp is corrected. The "calibration" here does not make the substrate S flat in the strict sense, but aims to suppress the deviation of the gap from the hot plate 20 to the extent that heating unevenness does not occur. Therefore, it is not necessarily necessary that all the calibration pins 41 are in contact with the substrate S.

조정 너트(42)에 나사식 결합되는 교정 핀(41)의 삽입량을 개별적으로 조정함으로써, 각 교정 핀(41)의 하단의 연직 방향 위치를 변경하는 것이 가능하다. 이에 의하여, 각 교정 핀(41) 하단의 Z방향 위치를 맞출 수 있고, 또 다양한 두께의 기판(S)에 대하여 적절한 교정을 실시하는 것이 가능해진다.By individually adjusting the amount of insertion of the calibration pins 41 screwed into the adjustment nut 42, it is possible to change the position of the lower end of each calibration pin 41 in the vertical direction. Thereby, it becomes possible to align the position of the lower end of each calibration pin 41 in the Z direction, and to perform appropriate calibration with respect to the substrate S of various thicknesses.

챔버(10)의 저판부(12)에는, 배기용 관통 구멍(121) 및 퍼지용 관통 구멍(122)이 형성되어 있다. 이 중 배기용 관통 구멍(121)에는, 배기부(50)의 배기용 배관(51)이 접속되어 있다. 또, 퍼지용 관통 구멍(122)에는, 배기부(50)의 퍼지용 배관(52)이 접속되어 있다. 배기용 배관(51)은, 배기용 밸브(53) 및 펌프(54)를 통하여 도시하지 않은 배기 라인에 접속되어 있다. 또, 퍼지용 배관(52)은, 퍼지용 밸브(55)를 통하여 도시하지 않은 퍼지용 가스원에 접속되어 있다.A through hole 121 for exhaust and a through hole 122 for purge are formed in the bottom plate portion 12 of the chamber 10 . Among them, the exhaust pipe 51 of the exhaust unit 50 is connected to the exhaust through hole 121 . Further, the purging pipe 52 of the exhaust unit 50 is connected to the purging through hole 122 . The exhaust pipe 51 is connected to an exhaust line (not shown) via an exhaust valve 53 and a pump 54 . Moreover, the piping 52 for a purge is connected to the gas source for a purge (not shown) via the valve 55 for a purge.

배기부(50)는 제어부(90)의 분위기 제어부(97)에 의하여 제어된다. 구체적으로는, 분위기 제어부(97)로부터의 제어 신호에 따라 배기용 밸브(53) 및 펌프(54)가 작동함으로써, 챔버(10) 내의 기체가 배기되어, 처리 공간(SP)이 감압된다. 또, 분위기 제어부(97)로부터의 제어 신호에 따라 퍼지용 밸브(55)가 작동함으로써, 외부의 가스원으로부터 퍼지용 가스가 처리 공간(SP)에 도입된다. 이와 같이, 분위기 제어부(97)로부터의 제어 신호에 따라 배기부(50)가 작동함으로써, 처리 공간(SP) 내의 분위기가 제어된다.The exhaust unit 50 is controlled by the atmosphere controller 97 of the controller 90. Specifically, when the exhaust valve 53 and the pump 54 operate according to a control signal from the atmosphere controller 97, the gas in the chamber 10 is exhausted and the processing space SP is depressurized. Moreover, when the purge valve 55 operates according to the control signal from the atmosphere controller 97, the purge gas is introduced into the processing space SP from an external gas source. In this way, the atmosphere in the processing space SP is controlled by the operation of the exhaust unit 50 according to the control signal from the atmosphere control unit 97 .

커버부(11)의 상면(112)에는 상부 히터(16)가 설치되어 있다. 상부 히터(16)는, 제어부(90)의 상부 히터 제어부(96)로부터 전력 공급을 받아 승온하여, 커버부(11)의 천판을 가열한다. 필요에 따라 커버부(11)를 가열해 둠으로써, 도포막(F)으로부터 휘발된 성분이 차가운 커버부(11)에 닿아 석출되어, 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다.An upper heater 16 is installed on the upper surface 112 of the cover part 11 . The upper heater 16 heats the top plate of the cover part 11 by receiving electric power from the upper heater control part 96 of the control part 90 and raising the temperature. By heating the cover part 11 as needed, it can prevent the component volatilized from the coating film F from falling to the board|substrate S by contacting the cold cover part 11 and precipitating.

또, 저판부(12)의 하면에는 하부 히터(15)가 장착되어 있다. 하부 히터(15)는, 제어부(90)의 하부 히터 제어부(95)로부터 전력 공급을 받아 승온하여, 저판부(12)를 가열한다. 상세하게는 후술하는데, 하부 히터(15)는, 저판부(12)를 통하여 기판(S)의 주연부를 하방으로부터 보조적으로 가열함으로써, 기판(S)의 온도 불균일을 저감하는 기능을 갖는 것이다.In addition, a lower heater 15 is attached to the lower surface of the bottom plate portion 12 . The lower heater 15 receives electric power from the lower heater controller 95 of the controller 90 and raises the temperature to heat the bottom plate portion 12 . Although described later in detail, the lower heater 15 has a function of reducing temperature unevenness of the substrate S by auxiliary heating the periphery of the substrate S from below via the bottom plate portion 12 .

도 2a 내지 도 2c는 챔버로의 기판의 반입 시에 있어서의 각 부의 동작을 모식적으로 나타내는 도면이다. 상술한 바와 같이, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 챔버(10)를 구성하는 커버부(11)가 상방으로 퇴피한 상태로 외부로부터 기판(S)을 받아들일 수 있다. 구체적으로는, 챔버 구동부(93)가 커버부(11)를 상방으로 이동시킴으로써, 도 2a에 나타내는 바와 같이 커버부(11)와 저판부(12)를 상하 방향으로 크게 이격시킬 수 있다.2A to 2C are diagrams schematically illustrating the operation of each part when a substrate is loaded into a chamber. As described above, in this substrate processing apparatus 1, the substrate S can be received from the outside in a state in which the cover portion 11 constituting the chamber 10 is retracted upward. Specifically, when the chamber drive part 93 moves the cover part 11 upward, as shown in FIG. 2A, the cover part 11 and the bottom plate part 12 can be spaced large in the vertical direction.

이 상태로, 측방으로부터 기판(S)의 반입을 받아들일 수 있다. 즉, 기판(S)이, 외부의 반송 로봇에 설치된 핸드(H)에 재치(載置)된 상태로, 커버부(11)와 저판부(12)의 간극을 통과하여 기판 처리 장치(1)에 반입되어 온다. 이때, 핸드(H)와의 간섭을 피하기 위하여, 리프트 핀(32)은 하부 위치로 하강하고 있는 것이 바람직하다.In this state, carrying in of the board|substrate S can be received from the side. That is, the substrate S passes through the gap between the cover portion 11 and the bottom plate portion 12 in a state in which the substrate S is placed on the hand H installed in the external transfer robot, and the substrate processing apparatus 1 is brought into At this time, in order to avoid interference with the hand H, the lift pin 32 is preferably lowered to a lower position.

기판(S)이 소정 위치까지 이송된 단계에서, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(32)이 상승함으로써 기판(S)의 하면(Sb)에 맞닿고, 이에 의하여 핸드(H)로부터 리프트 핀(32)에 기판(S)이 수도된다. 수도 후, 핸드(H)가 측방으로 퇴피하여, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(32)이 하부 위치까지 하강함으로써, 기판(S)이 핫 플레이트(20)에 대하여 소정의 갭을 둔 상태로 수평 지지된다.At the stage where the substrate S is transferred to a predetermined position, as shown in FIG. 2B , the lift pins 32 rise to come into contact with the lower surface Sb of the substrate S, thereby removing the lift pins from the hand H. Substrate S may also be applied to (32). After the transfer, the hand H is retracted sideways, and the lift pins 32 are lowered to the lower position as shown in FIG. 2C, so that the substrate S leaves a predetermined gap with respect to the hot plate 20. supported horizontally by

이 상태로부터, 도 2c에 점선 화살표로 나타내는 바와 같이 커버부(11)가 하강해 옴으로써, 도 1에 나타내는 바와 같이, 커버부(11)와 저판부(12)가 시일 부재(13)를 통하여 결합된다. 이렇게 함으로써 처리 공간(SP)이 폐색된 상태가 출현한다. 이때, 기판(S)의 상면(Sa)의 높이에 따라 조정된 교정 핀(41)이 기판(S)에 맞닿음으로써, 기판(S)의 휨이 교정된다. 또, 상기와 반대의 동작에 의하여, 챔버(10)로부터 기판(S)을 반출하는 것이 가능하다.From this state, as shown by the dotted line arrow in FIG. 2C, the cover portion 11 descends, and as shown in FIG. 1, the cover portion 11 and the bottom plate portion 12 pass through the sealing member 13. are combined By doing so, a state in which the processing space SP is closed appears. At this time, the curvature of the substrate S is corrected by the correction pin 41 adjusted according to the height of the upper surface Sa of the substrate S abutting the substrate S. Moreover, it is possible to carry out the board|substrate S from the chamber 10 by the operation opposite to the above.

도 3a 및 도 3b는 리프트 핀 및 교정 핀의 배치를 나타내는 도면이다. 도 3a는 평면에서 보았을 때의 기판(S)과 리프트 핀(32) 및 교정 핀(41)의 위치 관계를 나타내고 있다. 보다 구체적으로는, 수평 자세로 지지되는 기판(S)에 대하여 하면측으로부터 리프트 핀(32)이 맞닿는 위치가 흰색 동그라미표로 나타내어져 있다. 또, 기판(S)의 상면측으로부터 교정 핀(41)이 맞닿는 위치가 해칭이 있는 동그라미표로 나타내어져 있다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 복수의 리프트 핀(32)은, 기판(S)에 의한 하중을 분산시키면서 기판(S)을 지지하기 위하여, 일정 피치로 분산 배치되어 있다. 한편, 이와 같이 리프트 핀(32)이 배치된 영역(Rp)보다 외측에, 복수의 교정 핀(41)이 일정 피치로 배열되어 있다. 따라서, 교정 핀(41)은 리프트 핀(32)이 맞닿는 위치보다 외측에서 기판(S)에 맞닿는다. 또한, 영역(Rp) 내에 있어서의 리프트 핀(32)의 배치 및 영역(Rp)의 외측에 있어서의 교정 핀(41)의 배치는, 이 예에 한정되는 것은 아니다.3A and 3B are diagrams showing the arrangement of lift pins and straightening pins. FIG. 3A shows the positional relationship of the board|substrate S, the lift pin 32, and the straightening pin 41 at the time of a planar view. More specifically, the position where the lift pin 32 abuts from the lower surface side with respect to the board|substrate S supported in a horizontal posture is shown by the white circle mark. Moreover, the position where the correction pin 41 abuts from the upper surface side of the board|substrate S is shown by the hatched circle mark. As shown in this figure, the plurality of lift pins 32 are distributed at a constant pitch in order to support the substrate S while distributing the load from the substrate S. On the other hand, outside the area Rp where the lift pins 32 are arranged, a plurality of straightening pins 41 are arranged at a constant pitch. Accordingly, the straightening pins 41 abut against the substrate S at an outer side than the position at which the lift pins 32 abut. The arrangement of the lift pins 32 within the region Rp and the arrangement of the calibration pins 41 outside the region Rp are not limited to these examples.

상기와 같이 하는 이유는 이하와 같다. 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서 처리에 제공되는 기판(S)은, 예를 들면 유리 기판의 상면에 반도체 회로 등의 디바이스가 적층된 것이다. 이와 같은 기판에서는, 각 재료의 열팽창률의 차이에 기인하여, 도 3b에 나타내는 바와 같이 기판(S)의 주연부가 상향으로 젖혀져, 기판(S)이 전체적으로 아래로 볼록한 곡면을 이루고 있는 케이스를 많이 볼 수 있다.The reason for doing the above is as follows. The substrate S subjected to processing in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment is, for example, a device such as a semiconductor circuit laminated on an upper surface of a glass substrate. In such a substrate, there are many cases in which the periphery of the substrate S is tilted upward due to the difference in the coefficient of thermal expansion of each material, as shown in FIG. can see.

이와 같은 경우, 리프트 핀(32)에 의하여 하방으로부터 기판(S)을 지지하는 것만으로는, 기판(S)의 휨이 유지되고, 결과적으로, 핫 플레이트(20)와의 사이의 갭이 기판(S)의 주연부에 있어서 중앙부보다 커진다. 이것은, 기판(S)의 주연부에 있어서, 열원인 핫 플레이트(20)와의 거리가 커져, 가열이 불충분해진다고 하는 문제를 발생시킨다. 리프트 핀(32)에 의하여 하방으로부터 지지되는 영역(Rp)보다 외측에 있어서 교정 핀(41)이 기판(S)의 상면에 맞닿음으로써, 도 3b에 점선으로 나타낸 바와 같이, 기판(S)의 주연부에 있어서의 휨을 상방으로부터 눌러 기판(S)을 평면 상태에 가깝게 하는 것이 가능해진다.In this case, the warp of the substrate S is maintained only by supporting the substrate S from below with the lift pins 32, and as a result, the gap between the substrate S and the hot plate 20 is reduced. ) at the periphery, it is larger than at the center. This causes a problem that, at the periphery of the substrate S, the distance from the hot plate 20, which is a heat source, becomes large, and heating becomes insufficient. When the straightening pins 41 come into contact with the upper surface of the substrate S outside the region Rp supported from below by the lift pins 32, as shown by the dotted line in FIG. 3B, the It becomes possible to suppress the warp in the periphery from upper direction, and to bring the board|substrate S closer to a flat state.

상술한 특허문헌 1에 기재된 기술과 같이, 도포막을 사전에 감압함으로써 용제 성분을 부분적으로 휘발시킨 상태로 행하는 가열 건조 처리에서는, 가열 전에 도포막의 경화가 어느 정도 진행되어 있다. 그 때문에, 이와 같은 가열 불균일이 완전 건조 후의 도포막의 품질에 주는 영향은 비교적 작다. 한편, 본 실시 형태와 같이, 도포막이 미건조인 상태로 기판을 받아들이는 가열 감압 건조 처리에 있어서는, 액상의 도포막에 대하여 불균일이 있는 가열이 행해지는 것에 의한 막질의 편차는 더욱 커진다. 그 때문에, 기판(S)의 휨을 교정함으로써 가열 불균일을 저감하기 위한 상기와 같은 방책은 특히 효과적이다.In the heat-drying treatment performed in a state in which the solvent component is partially volatilized by depressurizing the coating film in advance as in the technique described in Patent Document 1 described above, curing of the coating film has progressed to some extent before heating. Therefore, the effect of such uneven heating on the quality of the coating film after complete drying is relatively small. On the other hand, in the heating and reduced pressure drying treatment in which the substrate is received in an undried state as in the present embodiment, uneven heating of the liquid coating film increases the variation in film quality. Therefore, the above measures for reducing heating nonuniformity by correcting the warpage of the substrate S are particularly effective.

기판(S)의 주연부에 있어서의 가열 부족을 해소하는 것을 목적으로 하고, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는 또한, 챔버(10)의 저판부(12)에 하부 히터(15)(도 1)를 배치하고 있다. 하부 히터(15)는, 저판부(12)를 가열함으로써, 핫 플레이트(20) 내의 내부 히터에 의한 기판(S)의 가열에 더하여, 보조적으로 기판(S)을 가열하려고 하는 것이다.For the purpose of eliminating the lack of heating in the periphery of the substrate S, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, a lower heater 15 (Fig. 1) is being placed. By heating the bottom plate portion 12, the lower heater 15 is intended to heat the substrate S auxiliaryly in addition to the heating of the substrate S by the internal heater in the hot plate 20.

내부 히터의 발열에 의하여 핫 플레이트(20)를 승온시키는 경우, 핫 플레이트(20)의 중앙부에 비하여, 특히 열이 외부로 빠져나가기 쉬운 주연부에서 온도가 충분히 오르지 않는 경우가 있을 수 있다. 그 때문에, 기판(S)의 전역에 있어서 핫 플레이트(20)와의 거리를 일정하게 유지할 수 있었다고 해도, 기판(S)의 주연부에서 충분한 가열이 얻어지지 않는다고 하는 가열 불균일이 발생할 수 있다. 기판(S)이 직사각형인 경우, 특히 그 네 귀퉁이의 근방에 있어서 가열 부족이 발생하기 쉽다.When the temperature of the hot plate 20 is raised by heat generated by the internal heater, there may be cases in which the temperature does not rise sufficiently, especially in the periphery where heat easily escapes to the outside, compared to the central portion of the hot plate 20 . For this reason, even if the distance to the hot plate 20 can be kept constant over the entire area of the substrate S, heating unevenness such that sufficient heating cannot be obtained may occur at the periphery of the substrate S. When the substrate S has a rectangular shape, insufficient heating tends to occur especially in the vicinity of its four corners.

핫 플레이트(20) 상에서 온도 검출점을 늘리거나 히터의 발열 패턴을 고안하거나 함으로써 개선의 여지가 있지만, 제어점끼리의 간섭에 의하여 오히려 온도가 안정되지 않는다고 하는 일도 일어날 수 있다. 이 문제에 대응하기 위하여, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 기판(S)의 주연부를 선택적으로 가열하는 하부 히터(15)를 설치함으로써, 중앙부와의 온도차의 해소가 도모되고 있다.Although there is room for improvement by increasing the number of temperature detection points on the hot plate 20 or devising a heat generation pattern of the heater, it may happen that the temperature is rather unstable due to interference between control points. In order to deal with this problem, in this substrate processing apparatus 1, by installing a lower heater 15 that selectively heats the periphery of the substrate S, the temperature difference with the central portion is eliminated.

도 4는 하부 히터의 배치예를 나타내는 도면이다. 도 4에 부호 (a) 및 (b)를 붙여 나타내는 2개의 사례와 같이, 하부 히터(15)는, 저판부(12)의 하면 중, 그 상방에 배치되는 기판(S)의 주연부에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 구체적으로는, 도 4의 (a)에 나타내는 예에 있어서는, 하부 히터(15)는, 4개의 발열체(15a~15d)를 갖고 있고, 각각의 발열체(15a~15d)는, 기판(S)의 4개의 정점에 대응하여, 각 정점의 바로 아래 위치 및 그 주변 영역을 커버하도록 배치되어 있다. 한편, 도 4의 (b)에 나타내는 예에서는, 기판(S)의 주연부에 해당되는 4개의 변의 바로 아래 위치를 포함하는 주변 영역을 커버하도록, 직사각형 환상으로 형성된 하부 히터(15)가 설치되어 있다.4 is a diagram showing an arrangement example of a lower heater. As in the two cases indicated by reference numerals (a) and (b) in FIG. 4 , the lower heater 15 corresponds to the periphery of the substrate S disposed above the lower surface of the bottom plate portion 12. placed in position. Specifically, in the example shown in (a) of FIG. 4 , the lower heater 15 has four heat generating elements 15a to 15d, and each heat generating element 15a to 15d is of the substrate S Corresponding to the four vertices, it is arranged so as to cover the position immediately below each vertex and the surrounding area. On the other hand, in the example shown in (b) of FIG. 4 , a lower heater 15 formed in a rectangular annular shape is provided so as to cover a peripheral area including a position immediately below the four sides corresponding to the periphery of the substrate S. .

이들 구성에서는, 필요에 따라 하부 히터(15)에 통전함으로서, 기판(S)의 중앙부에 비하여 온도가 낮아지기 쉬운 기판(S)의 주연부를 가열할 수 있다. 가열은, 하부 히터(15)에 의하여 데워진 저판부(12)로부터의 복사열에 의하여 직접적으로, 혹은 당해 복사열에 의하여 핫 플레이트(20)의 주연부를 데움으로써 간접적으로, 행하는 것이 가능하다. 이렇게 함으로써, 기판(S)의 전역에 있어서 도포막(F)의 건조를 균일하게 진행시킬 수 있어, 건조 후의 도포막(F)의 품질을 균일하고 또한 양호한 것으로 하는 것이 가능해진다.In these configurations, by energizing the lower heater 15 as needed, it is possible to heat the periphery of the substrate S, which tends to be lower in temperature than the central portion of the substrate S. Heating can be performed directly by radiant heat from the bottom plate portion 12 heated by the lower heater 15 or indirectly by heating the periphery of the hot plate 20 by the radiant heat. By doing in this way, drying of the coating film F can be progressed uniformly in the whole area of the board|substrate S, and it becomes possible to make the quality of the coating film F after drying uniform and favorable.

하부 히터(15)로부터 발생하는 파티클 등의 오염 물질이 기판(S)에 부착하는 것을 방지하기 위하여, 하부 히터(15)는 기판(S)보다 하방에 배치되는 것이 바람직하다. 이것은 내부 히터에 대해서도 동일하지만, 기판(S)의 가열 주체인 내부 히터(구체적으로는 이것을 내장하는 핫 플레이트(20))에 대해서는, 챔버(10) 내에서 기판(S)과 근접시켜 배치하는 것이 필요하다.In order to prevent contaminants such as particles generated from the lower heater 15 from adhering to the substrate S, the lower heater 15 is preferably disposed below the substrate S. This is the same for the internal heater, but for the internal heater (specifically, the hot plate 20 incorporating it), which is the main body of heating the substrate S, it is better to arrange it in close proximity to the substrate S in the chamber 10. need.

한편, 하부 히터(15)는 기판(S)의 주연부만을 보조적으로 가열하는 것이기 때문에, 기판(S)에 근접하여 배치할 필요는 없다. 이 실시 형태와 같이, 챔버(10)의 외측, 예를 들면 저판부(12)의 하면에 설치하는 것도 가능하다. 이와 같이 핫 플레이트(20)와 하부 히터(15)를 이격 배치함으로써, 각각의 온도 제어가 간섭하여 오히려 온도 분포가 불안정해지는 것을 미연에 방지하는 것이 가능하다. 단, 충분한 가열 효과를 얻기 위하여, 하부 히터(15)의 설정 목표 온도는 내부 히터의 그것보다 높게 하는 것이 바람직하다.On the other hand, since the lower heater 15 auxiliary heats only the periphery of the substrate S, there is no need to arrange it close to the substrate S. Like this embodiment, it is also possible to install on the outside of the chamber 10, for example, on the lower surface of the bottom plate part 12. In this way, by disposing the hot plate 20 and the lower heater 15 apart from each other, it is possible to prevent the temperature distribution from becoming unstable due to interference of each temperature control. However, in order to obtain a sufficient heating effect, it is preferable to set the set target temperature of the lower heater 15 higher than that of the internal heater.

도 5는 이 기판 처리 장치에 의한 가열 감압 건조 처리의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 이 처리는, 제어부(90)의 CPU(91)가 미리 준비된 제어 프로그램을 실행하여 장치 각 부에 소정의 동작을 행하게 함으로써 실현된다. 미리, 핫 플레이트(20)가 소정의 온도로 승온되어 있다(단계 S101). 또, 상부 히터(16) 및 하부 히터(15)에 있어서도, 필요에 따른 승온 제어가 이루어진다.Fig. 5 is a flow chart showing the flow of heating and vacuum drying processing by this substrate processing apparatus. This processing is realized by causing the CPU 91 of the control unit 90 to execute a control program prepared in advance to make each unit of the device perform a predetermined operation. In advance, the temperature of the hot plate 20 is raised to a predetermined temperature (step S101). Moreover, also in the upper heater 16 and the lower heater 15, temperature increase control is performed as needed.

그리고, 리프트 핀(32)이 하부 위치에 위치 결정되고, 커버부(11)가 상방으로 이동하여 개방 상태가 되어(단계 S102), 기판(S)의 받아들임이 가능한 상태가 된다. 이 상태로, 외부의 반송 로봇에 의하여 미처리의(즉 미건조의 도포막(F)을 담지한) 기판(S)이 반입되고, 리프트 핀(32)이 상부 위치로 상승함으로써, 반송 로봇의 핸드(H)로부터 기판(S)을 수취한다(단계 S103). 또한, 기판(S)의 반입 및 반출은 반송 로봇에 의한 것에 한정되지 않고, 수평 자세로의 기판 반송이 가능한 적절한 반송 기구를 이용한 임의의 방법이어도 된다.Then, the lift pin 32 is positioned at the lower position, and the cover portion 11 moves upward to enter an open state (step S102), thereby enabling acceptance of the substrate S. In this state, the unprocessed (that is, the undried coating film F is supported) substrate S is carried in by the external transfer robot, and the lift pin 32 is raised to the upper position, thereby lifting the hand of the transfer robot. The board|substrate S is received from (H) (step S103). In addition, carrying in and carrying out of the board|substrate S is not limited to using a conveyance robot, Any method using the appropriate conveyance mechanism which can convey the board|substrate in a horizontal posture may be used.

반송 로봇이 퇴피하여 리프트 핀(32)이 하부 위치로 하강함으로써(단계 S104), 기판(S)은 처리를 위한 위치, 즉 미리 승온된 핫 플레이트(20)로부터 소정의 갭을 둔 상방 위치에 위치 결정된다. 또한 커버부(11)가 하강하여 처리 공간(SP)을 폐색함과 더불어, 커버부(11)에 장착된 교정 핀(41)이 기판(S)의 상면(Sa)에 맞닿아 압압함으로써, 기판(S)의 휨이 교정된다(단계 S105).When the transfer robot is retracted and the lift pins 32 are lowered to the lower position (step S104), the substrate S is positioned at a position for processing, that is, an upper position with a predetermined gap from the hot plate 20 that has been heated in advance. It is decided. In addition, the cover part 11 descends to block the processing space SP, and the correction pin 41 attached to the cover part 11 comes into contact with the upper surface Sa of the substrate S to press the substrate. The warpage of (S) is corrected (step S105).

다음으로, 배기부(50)가 작동하여 처리 공간(SP)을 감압한다(단계 S106). 기판(S)이 수용된 처리 공간(SP)을 감압함으로써, 가열과 더불어 도포막(F) 중의 용제 성분의 휘발이 촉진되어, 도포막(F)의 건조가 진행된다. 이때, 하부 히터(15)가 기판(S)의 주연부를 가열함으로써, 기판(S) 상에서 균일하게 건조를 진행시킬 수 있다.Next, the exhaust unit 50 operates to depressurize the processing space SP (step S106). By reducing the pressure in the processing space SP where the substrate S is accommodated, volatilization of the solvent component in the coating film F is promoted along with heating, and drying of the coating film F proceeds. At this time, since the lower heater 15 heats the periphery of the substrate S, drying can be performed uniformly on the substrate S.

기판(S)의 가열 및 주위 공간의 감압을 소정 시간 계속하여 실행한 후(단계 S107), 배기부(50)가 배기를 정지하고, 대신하여 퍼지용 가스를 도입함으로써(단계 S108), 처리 공간(SP)의 감압 상태는 해제된다. 그리고, 커버부(11)가 상방으로 이동함으로써 처리 공간(SP) 내의 기판(S)이 외부 공간에 개방되고(단계 S109), 리프트 핀(32)이 상승하여 기판(S)을 핫 플레이트(20)로부터 상방으로 퇴피시킨다(단계 S110). 그 후, 외부의 반송 로봇을 받아들임으로써 건조 처리 후의 기판(S)이 외부로 반출된다(단계 S111).After heating the substrate S and depressurizing the surrounding space continuously for a predetermined period of time (step S107), the exhaust unit 50 stops exhausting and instead introduces a purge gas (step S108) to process space. The depressurized state of (SP) is released. Then, as the cover part 11 moves upward, the substrate S in the processing space SP is opened to the outside space (step S109), and the lift pins 32 rise to lift the substrate S into the hot plate 20 ) to be retracted upward (step S110). Then, the board|substrate S after the drying process is carried out to the outside by accepting the external transfer robot (step S111).

처리해야 할 다음 기판(S)이 있는 경우에는(단계 S112에 있어서 YES), 단계 S102로 돌아와 새로운 기판(S)을 받아들이고 상기와 동일한 처리가 행해진다. 한편, 새로운 기판(S)이 없으면(단계 S112에 있어서 NO), 소정의 종료 동작을 거쳐 처리를 종료시킬 수 있다.If there is a next substrate S to be processed (YES in step S112), the process returns to step S102 to receive a new substrate S and the same processing as above is performed. On the other hand, if there is no new substrate S (NO in step S112), the process can be terminated through a predetermined end operation.

이상과 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 미건조의 도포막(F)이 형성된 기판(S)을 챔버(10) 내에 받아들이고, 챔버(10) 내에서 도포막(F)에 대하여 가열 감압 건조 처리를 실행한다. 이 경우에 있어서, 기판(S)의 하면(Sb)측에 리프트 핀(32)을 맞닿게 하는 한편, 상면(Sa)측에 교정 핀(41)을 맞닿게 함으로써, 기판(S)의 휨을 교정하여 평면 상태에 가까워지게 할 수 있다. 이에 의하여, 기판(S)이 국소적으로 핫 플레이트(20)로부터 이격함으로써 가열 불균일에 기인하는, 건조 후의 도포막(F)의 품질 편차를 작게 하는 것이 가능하다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the substrate S on which the undried coating film F is formed is accommodated in the chamber 10 and applied to the coating film F in the chamber 10. Heating and vacuum drying treatment is performed on the In this case, the warpage of the substrate S is corrected by bringing the lift pins 32 into contact with the lower surface Sb side of the substrate S and bringing the correction pin 41 into contact with the upper surface Sa side. This can bring it closer to the flat state. As a result, when the substrate S is locally separated from the hot plate 20, it is possible to reduce the quality variation of the coated film F after drying due to uneven heating.

또, 기판(S)의 하방에, 기판(S)의 주연부를 보조적으로 가열하는 하부 히터(15)가 설치되어 있다. 이 때문에, 기판(S)의 주연부와 중앙부의 사이에서 온도차가 발생하는 것을 억제하여, 가열 불균일에 기인하는 도포막(F)의 품질 편차를 더욱 저감하는 것이 가능해진다.Further, below the substrate S, a lower heater 15 for auxiliary heating of the periphery of the substrate S is provided. For this reason, it becomes possible to suppress the occurrence of a temperature difference between the periphery and the central portion of the substrate S, and further reduce the quality variation of the coating film F resulting from uneven heating.

또한, 본 발명은 상기한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 그 취지를 벗어나지 않는 한에 있어서 상술한 것 이외에 다양한 변경을 행하는 것이 가능하다. 예를 들면 상기 실시 형태에서는, 기판(S)의 중앙부의 영역(Rp)에 16개의 리프트 핀(32)을 배치하는 한편, 그 외측을 둘러싸도록 16개의 교정 핀(41)을 배치하고 있다. 그러나, 이들 배치는 그 일례를 나타낸 것으로, 배치에 대해서는 이것 이외에도 적절히 개변하여 적용하는 것이 가능하다.In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It is possible to make various changes other than what was mentioned above, as long as it does not deviate from the meaning. For example, in the above embodiment, 16 lift pins 32 are arranged in the region Rp of the central portion of the substrate S, while 16 straightening pins 41 are arranged so as to surround the outside. However, these arrangements are examples, and arrangements other than these can be appropriately modified and applied.

또, 상기 실시 형태의 교정 핀(41)은, 리프트 핀(32)보다 외측에서 기판(S)에 맞닿는다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 최외측의 리프트 핀과 같은 위치에서, 즉 영역(Rp)의 외연에 대응하는 위치에서 기판에 맞닿도록, 교정 핀이 배치되어도 된다.Moreover, the straightening pin 41 of the said embodiment abuts on the board|substrate S from the outside of the lift pin 32. However, it is not limited to this, and the correction pins may be disposed so as to contact the substrate at the same position as the outermost lift pin, that is, at a position corresponding to the periphery of the region Rp.

또, 상기 실시 형태의 리프트 핀(32) 및 교정 핀(41)은 모두, 작은 선단부가 기판(S)에 맞닿는 구조를 갖는 것이다. 그러나, 기판(S)을 지지하기 위하여 하면에 맞닿는 부재 및 휨을 교정하기 위하여 상면에 맞닿는 부재 중 적어도 한쪽이, 예를 들면 막대 형상 혹은 평판 형상을 갖고, 핀 형상의 부재보다 넓은 면적으로 기판에 맞닿는 것이어도 된다.In addition, both the lift pin 32 and the straightening pin 41 of the above embodiment have a structure in which a small front end abuts against the substrate S. However, at least one of a member in contact with the lower surface to support the substrate S and a member in contact with the upper surface to correct the warp have, for example, a rod shape or a flat plate shape, and contact the substrate with a larger area than the pin-shaped member It could be anything.

또, 상기 실시 형태에 있어서의 챔버(10)는, 평판 형상의 저판부(12)의 상부를, 하측이 개구하는 커버부(11)에 의하여 덮음으로써 처리 공간(SP)을 형성하는 것이다. 이것 대신에, 예를 들면 상부가 개구하는 상자형의 하우징의 상부를 평판 형상의 커버 부재가 폐색하는 구조여도 된다.Further, in the chamber 10 in the above embodiment, the processing space SP is formed by covering the upper portion of the flat bottom plate portion 12 with the cover portion 11 having an open lower side. Instead of this, for example, a structure in which a flat cover member closes the upper part of a box-shaped housing with an upper opening may be used.

또, 상기 실시 형태에 있어서의 상부 히터(16) 및 하부 히터(15)에 대해서는, 필요에 따라 통전되면 되고, 이들 중 적어도 한쪽을 사용하지 않는 건조 처리도 실시 가능하다.Moreover, about the upper heater 16 and the lower heater 15 in the said embodiment, it just has to be energized as needed, and the drying process which does not use at least one of them is also implementable.

또, 상기 실시 형태는 직사각형 기판을 처리 대상으로 하는 것이며, 핫 플레이트의 형상이나 리프트 핀, 교정 핀의 배치도 직사각형 기판을 전제로 하는 것으로 되어 있다. 그러나, 본 발명의 적용 대상이 되는 기판은 직사각형인 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 원형 기판이나 외주에 요철이 있는 이형(異形) 기판이더라도, 각 부의 형상이나 배치를 적절히 개변함으로써, 동일한 처리를 실행하는 것이 가능하다.In addition, the above-described embodiment is intended to process a rectangular substrate, and the shape of the hot plate and the arrangement of the lift pins and straightening pins are also premised on the rectangular substrate. However, the substrate to which the present invention is applied is not limited to a rectangular one. For example, it is possible to perform the same processing on a circular substrate or a deformed substrate having irregularities on the outer periphery by appropriately changing the shape or arrangement of each part.

이상 설명한 바와 같이, 이 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 리프트 핀(32)이 본 발명의 「지지부」로서 기능하고, 교정 핀(41)이 본 발명의 「교정 부재」로서 기능하고 있다. 또, 핫 플레이트(20)가 본 발명의 「가열부」로서 기능하는 한편, 하부 히터(15)가 「제2 가열부」로서 기능하고 있다. 또, 배기부(50)가 본 발명의 「감압부」로서 기능하고 있다. 또, 커버부(11)가 본 발명의 「상측 유닛」에 상당하는 한편, 저판부(12)가 「하측 유닛」에 상당하고, 이들이 일체로서 본 발명의 「챔버」를 형성하고 있다. 또한, 조정 너트(42)가, 본 발명의 「조정 기구」로서 기능하고 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment, the lift pins 32 function as the "supporting portion" of the present invention, and the calibration pins 41 function as the "calibration member" of the present invention. there is. Further, while the hot plate 20 functions as a "heating unit" of the present invention, the lower heater 15 functions as a "second heating unit". Also, the exhaust unit 50 functions as a "pressure reducing unit" of the present invention. Further, while the cover portion 11 corresponds to the "upper unit" of the present invention, the bottom plate portion 12 corresponds to the "lower unit", and they integrally form the "chamber" of the present invention. Moreover, the adjustment nut 42 functions as the "adjustment mechanism" of the present invention.

이상, 구체적인 실시 형태를 예시하여 설명해 온 바와 같이, 본 발명에 있어서, 가열부는, 상면이 기판과 같거나 또는 이것보다 큰 평면 사이즈를 가지며 소정 온도로 승온 제어되는 핫 플레이트를 갖고, 지지부가 핫 플레이트의 상면에 대하여 소정의 갭을 두고 대향시켜 기판을 지지하는 구성이어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 승온 제어된 핫 플레이트로부터의 복사열에 의하여, 기판(S)을 균일하게 가열할 수 있다.As described above by exemplifying specific embodiments, in the present invention, the heating unit has a hot plate whose upper surface has a plane size equal to or larger than that of the substrate and is controlled to be heated to a predetermined temperature, and the support unit has a hot plate. It may be configured to support the substrate by opposing the upper surface of the substrate with a predetermined gap therebetween. According to such a configuration, the substrate S can be uniformly heated by the radiant heat from the hot plate whose temperature has been controlled.

또 예를 들면, 챔버 내에서 지지된 기판보다 낮은 위치에, 기판의 주연부를 가열하는 제2 가열부가 설치되어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 중앙부에 비하여 온도가 낮아지기 쉬운 기판의 주연부를 제2 가열부로 가열함으로써, 중앙부와의 온도차를 해소하여 균일한 건조 처리를 실행하는 것이 가능해진다.Further, for example, a second heating unit for heating the periphery of the substrate may be provided at a position lower than the substrate supported in the chamber. According to this configuration, by heating the periphery of the substrate whose temperature tends to be lower than that of the central portion with the second heating unit, it is possible to eliminate the temperature difference with the central portion and perform a uniform drying process.

이 경우에 있어서, 제2 가열부는, 챔버의 바닥부를 가열하는 것이어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판을 직접적으로 가열하는 가열부로부터 멀리 떨어지게 하여 제2 가열부가 배치된다. 제2 가열부는, 챔버의 바닥부를 통하여 간접적으로 기판을 가열하게 된다. 이것은, 양 가열부에 있어서의 온도 제어가 서로 간섭하여, 기판에 있어서의 온도 분포가 오히려 복잡해지거나 불안정해지거나 하는 것을 방지할 수 있다.In this case, the second heating unit may heat the bottom of the chamber. According to this configuration, the second heating unit is disposed away from the heating unit that directly heats the substrate. The second heating unit indirectly heats the substrate through the bottom of the chamber. This can prevent the temperature control in both heating units from interfering with each other, resulting in rather complicated or unstable temperature distribution in the substrate.

또 예를 들면, 지지부가 기판을 지지하면서 승강 이동하는 구성이어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 가열부에 대한 기판의 거리를 변경할 수 있다. 그 때문에, 예를 들면 챔버에 대한 기판의 반입 및 반출을 위한 작업을 용이하게 할 수 있다.Further, for example, a configuration in which the support portion moves up and down while supporting the substrate may be used. According to this configuration, the distance of the substrate to the heating part can be changed. For this reason, it is possible to facilitate work for loading and unloading substrates into and out of the chamber, for example.

또 예를 들면, 챔버는, 지지부 및 가열부가 설치된 하측 유닛과, 교정 부재가 설치된 상측 유닛을 갖고, 상측 유닛과 하측 유닛이 결합되어 하측 유닛의 상부를 상측 유닛이 폐색함으로써 처리 공간을 형성하는 것이어도 된다. 이 경우 또한, 상측 유닛과 하측 유닛이 결합되면, 교정 부재의 하단이 지지부에 지지되는 기판의 상면의 연직 방향 위치에 대응하는 높이에 위치 결정되는 구성이어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 상측 유닛과 하측 유닛이 결합되어 처리 공간을 형성하는 동작 자체가, 교정 부재에 의하여 기판을 눌러 휨을 교정하는 동작을 겸하게 되어, 처리 시간을 짧게 할 수 있다.Further, for example, the chamber has a lower unit provided with a support unit and a heating unit, and an upper unit equipped with a calibration member, and the upper unit and the lower unit are combined so that the upper unit closes the upper part of the lower unit to form a processing space. It can be done. In this case, again, when the upper unit and the lower unit are coupled, the configuration may be such that the lower end of the calibration member is positioned at a height corresponding to the position in the vertical direction of the upper surface of the substrate supported by the support member. According to this configuration, the operation itself of forming the processing space by combining the upper unit and the lower unit also serves as the operation of correcting the warpage by pressing the substrate with the correcting member, so that the processing time can be shortened.

이 경우에 있어서, 상측 유닛과 하측 유닛이 결합되었을 때의 교정 부재의 하단의 연직 방향 위치를 조정하는 조정 기구가 추가로 설치되어도 된다. 이에 의하여, 두께가 상이한 기판에 대하여 같은 장치로 처리를 행하는 것이 가능해진다. 바꾸어 말하면, 이 조정 기구를 구비함으로써, 기판 처리 장치는 다양한 두께의 기판에 대응하는 것이 가능해진다.In this case, an adjustment mechanism for adjusting the vertical position of the lower end of the correcting member when the upper unit and the lower unit are engaged may be further provided. This makes it possible to process substrates having different thicknesses with the same device. In other words, by providing this adjusting mechanism, the substrate processing apparatus can accommodate substrates of various thicknesses.

또 예를 들면, 교정 부재는, 기판의 상면 주연부에 맞닿는 구성이어도 된다. 보다 구체적으로는, 교정 부재는, 평면에서 보았을 때, 기판 중 지지부에 의하여 지지되는 영역보다 외측에서 기판에 맞닿는 것이어도 된다. 이와 같은 구성에 의하면, 주연부가 상향으로 젖혀진 기판을 평탄에 가까워지도록 교정할 수 있다.Further, for example, the straightening member may have a configuration in contact with the periphery of the upper surface of the substrate. More specifically, the straightening member may be in contact with the substrate outside the region of the substrate supported by the support portion in plan view. According to this configuration, it is possible to straighten a substrate whose periphery is tilted upward so as to approach flatness.

이 발명은, 표면에 도포액을 도포하여 이것을 건조시킴으로써 기판 표면에 도포막의 층을 형성하는 기판 처리 프로세스 전반에 적용할 수 있다.This invention can be applied to the entire substrate treatment process of forming a layer of a coating film on the surface of a substrate by applying a coating liquid to the surface and drying it.

1 기판 처리 장치
10 챔버
11 커버부(상측 유닛)
12 저판부(하측 유닛)
15 하부 히터(제2 가열부)
20 핫 플레이트(가열부)
32 리프트 핀(지지부)
41 교정 핀(교정 부재)
42 조정 너트(조정 기구)
50 배기부(감압부)
F 도포막
S 기판
SP 처리 공간1 substrate processing unit
10 chamber
11 cover part (upper unit)
12 bottom plate (lower unit)
15 lower heater (second heating unit)
20 hot plate (heating part)
32 lift pin (support part)
41 calibration pin (calibration member)
42 adjustment nut (adjustment mechanism)
50 Exhaust part (decompression part)
F coating film
S substrate
SP processing space

Claims (12)

기판을 가열하고 그 주위 공간을 감압하여 상기 기판의 주면에 형성된 도포막을 건조시키는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판을 수평 자세로 수용 가능한 처리 공간을 갖는 챔버와,
상기 처리 공간 내에서, 상기 기판의 하면에 맞닿아 상기 기판을 하방으로부터 지지하는 지지부와,
상기 지지부에 지지된 상기 기판의 상면에 부분적으로 맞닿아 상기 기판의 휨을 교정하는 교정 부재와,
상기 처리 공간 내에서, 상기 지지부에 지지된 상기 기판의 하면을 가열하는 제1 가열부와,
상기 처리 공간 밖으로부터 상기 챔버의 바닥부를 가열함으로써 상기 기판의 주연부를 가열하는 제2 가열부와,
상기 처리 공간을 감압하는 감압부
를 구비하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for heating a substrate and depressurizing a space around it to dry a coating film formed on a main surface of the substrate,
a chamber having a processing space capable of accommodating the substrate in a horizontal position;
a support portion that abuts against a lower surface of the substrate and supports the substrate from below within the processing space;
A correcting member that partially comes into contact with the upper surface of the substrate supported by the support part to correct the warp of the substrate;
a first heating unit configured to heat a lower surface of the substrate supported by the support unit in the processing space;
a second heating unit for heating a periphery of the substrate by heating a bottom of the chamber from outside the processing space;
Decompression unit for depressurizing the processing space
A substrate processing apparatus comprising a. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 가열부는, 상면이 상기 기판과 같거나 또는 이것보다 큰 평면 사이즈를 가지며 소정 온도로 승온 제어되는 핫 플레이트를 갖고,
상기 지지부는, 상기 기판을 상기 핫 플레이트의 상기 상면에 대하여 소정의 갭을 두고 대향시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first heating part has a hot plate having a plane size equal to or larger than the upper surface of the substrate and controlled to raise the temperature to a predetermined temperature;
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the support portion opposes the substrate to the upper surface of the hot plate with a predetermined gap therebetween. 직사각형의 상기 기판을 처리 대상으로 하는 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 처리 장치로서,
상기 제2 가열부는, 상기 기판의 4개의 정점 각각에 대응하는 4개의 발열체를 갖고, 상기 발열체 각각은, 상기 챔버의 바닥부의 하면 중 대응하는 상기 정점의 바로 아래 위치와 그 주변 영역을 커버하도록 배치되는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 for processing the rectangular substrate,
The second heating unit has four heating elements corresponding to each of the four vertices of the substrate, and each of the heating elements is disposed to cover a position immediately below the corresponding apex and an area around the lower surface of the bottom of the chamber. , a substrate processing apparatus. 직사각형의 상기 기판을 처리 대상으로 하는 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 처리 장치로서,
상기 제2 가열부는, 상기 챔버의 바닥부의 하면 중 상기 기판의 주연부의 바로 아래 위치와 그 주변 영역을 커버하도록 배치된 직사각형 환상의 히터를 갖는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 for processing the rectangular substrate,
The second heating unit has a rectangular annular heater arranged to cover a position immediately below the periphery of the substrate and a peripheral area thereof among the lower surface of the bottom portion of the chamber. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 지지부는, 상기 기판을 지지하면서 승강 이동하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the support portion moves up and down while supporting the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 챔버는, 상기 지지부 및 상기 제1 가열부가 설치된 하측 유닛과, 상기 교정 부재가 설치된 상측 유닛을 갖고,
상기 상측 유닛과 상기 하측 유닛이 결합되어 상기 하측 유닛의 상부를 상기 상측 유닛이 폐색함으로써 상기 처리 공간을 형성하며,
상기 상측 유닛과 상기 하측 유닛이 결합되면, 상기 교정 부재의 하단은, 상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 상면의 연직 방향 위치에 대응하는 높이에 위치 결정되는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The chamber has a lower unit in which the support unit and the first heating unit are installed, and an upper unit in which the calibration member is installed,
The upper unit and the lower unit are combined to form the processing space by the upper unit closing the upper part of the lower unit;
When the upper unit and the lower unit are coupled, a lower end of the calibration member is positioned at a height corresponding to a vertical position of an upper surface of the substrate supported by the support member. 청구항 6에 있어서,
상기 상측 유닛과 상기 하측 유닛이 결합되었을 때의 상기 교정 부재의 하단의 연직 방향을 조정하는 조정 기구를 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 6,
and an adjustment mechanism for adjusting a vertical direction of a lower end of the correcting member when the upper unit and the lower unit are engaged. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 교정 부재는, 상기 기판의 상면 주연부에 맞닿는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or claim 2,
The calibration member is in contact with the periphery of the upper surface of the substrate. 청구항 8에 있어서,
상기 교정 부재는, 평면에서 보았을 때, 상기 기판 중 상기 지지부에 의하여 지지되는 영역보다 외측에서 상기 기판에 맞닿는, 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the correction member abuts on the substrate at an outer side of a region supported by the support part among the substrates, when viewed in a plan view. 기판을 가열하고 그 주위 공간을 감압하여 상기 기판의 주면에 형성된 도포막을 건조시키는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 가열하는 제1 가열부가 내부의 처리 공간에 배치된 챔버 내에서, 상기 기판의 하면에 지지부를 맞닿게 하여, 상기 제1 가열부의 상방에, 또한 상기 제1 가열부로부터 소정의 갭을 두고 상기 기판을 지지하고,
제2 가열부가, 상기 처리 공간 밖으로부터 상기 챔버의 바닥부를 가열하여 상기 기판의 주연부를 가열하고,
상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 상면에 부분적으로 교정 부재를 맞닿게 하여 상기 기판의 휨을 교정하며,
상기 처리 공간을 감압하고, 상기 제1 가열부 및 상기 제2 가열부에 의하여 상기 기판을 가열하여 상기 도포막을 건조시키는, 기판 처리 방법.A substrate processing method in which a coating film formed on a main surface of the substrate is dried by heating the substrate and depressurizing the space around the substrate,
The first heating unit for heating the substrate is disposed in the processing space inside the chamber, and the support unit is brought into contact with the lower surface of the substrate, so that a predetermined gap is formed above the first heating unit and from the first heating unit. and supporting the substrate,
a second heating unit heats the bottom of the chamber from outside the processing space to heat the periphery of the substrate;
Correcting the warpage of the substrate by bringing a correcting member into partial contact with the upper surface of the substrate supported by the support;
Depressurizing the processing space, heating the substrate by the first heating unit and the second heating unit to dry the coated film. 청구항 10에 있어서,
상기 제1 가열부는, 상면이 상기 기판과 같거나 또는 이것보다 큰 평면 사이즈를 가지며 소정 온도로 승온 제어되는 핫 플레이트를 갖고, 상기 지지부는, 상기 기판을 상기 핫 플레이트의 상기 상면에 대하여 상기 갭을 두고 대향시키는, 기판 처리 방법.The method of claim 10,
The first heating unit has a hot plate having a plane size equal to or larger than that of the substrate and controlled to raise the temperature to a predetermined temperature, and the support unit holds the substrate in the gap with respect to the upper surface of the hot plate. A method of processing a substrate by placing and facing each other. 삭제delete
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