KR102556400B1 - 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 형광체를 포함하고 상기 발광소자의 측면과 상부면에 배치되는 몰딩부를 포함하고, 상기 형광체의 적어도 일부는 상기 몰딩부의 적어도 상부면에서 노출된다.
Description
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 발광소자 패키지에는 발광소자에서 방출된 빛에 의하여 형광체가 여기되어 활성층에서 방출된 빛보다 장파장 영역의 빛을 방출할 수 있다.
도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 발광소자 패키지(10)는 발광소자(11) 및 형광체(13)를 포함하고 발광소자(11)를 감싸도록 배치되는 몰딩부(12)를 포함한다.
발광소자(11)에는 제1 전극(11a)와 제2 전극(11b)가 배치될 수 있다. 그리고, 몰딩부(12)는 액체 상태의 몰딩부(12)에 형광체(13)를 투입한 뒤, 경화되어 몰딩부(12) 내에 형광체(13)가 배치될 수 있다.
몰딩부(12)는 실리콘(silicon) 수지 등으로 이루어지는데, 이러한 몰딩부(12)는 점성을 가지고 있어 먼지 등의 이물질들이 몰딩부의 표면에 붙을 수 있고, 이로 인해 발광소자 패키지의 불량률이 높아질 수 있다.
실시 예는 형광체를 포함하는 몰딩부의 표면에서 형광체가 노출되도록 몰딩부의 표면을 연마하여 몰딩부 표면의 끈적거림을 최소화시킬 수 있는 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
실시 예는 발광소자; 및 형광체를 포함하고 상기 발광소자의 측면과 상부면에 배치되는 몰딩부를 포함하고, 상기 형광체의 적어도 일부는 상기 몰딩부의 적어도 상부면에서 노출되는 발광소자 패키지를 제공한다.
예를 들어, 상기 몰딩부는 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(Si) 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 몰딩부의 적어도 하나의 측면에서 상기 형광체의 일부가 노출될 수 있다.
예를 들어, 상기 형광체의 직경은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
예를 들어, 상기 몰딩부의 상면에 서 상기 형광체의 일부가 돌출되어 표면 거칠기(surface roughness)가 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 표면 거칠기의 크기는 0.05㎛ 내지 0.1㎛일 수 있다.
상술한 바와 같은 실시 예에 의하면, 발광소자 패키지의 표면에 먼지 등의 이물질이 붙는 것을 방지하여 발광소자 패키지의 불량률을 최소화하고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 발광소자(110) 및 몰딩부(130)를 포함한다.
실시 예에서, 발광소자(110)는 플립 칩(flip chip)으로 구비될 수 있고, 발광소자의 측면과 상부면에 배치되어 발광소자(110)를 감싸도록 몰딩부(120)가 배치될 수 있다.
발광소자(110)는 기판(미도시) 상에 배치될 수 있는데, 기판은 발광소자(110)에 배치되는 제1 전극(111) 및 제2 전극(112)과 전기적으로 연결되어 발광소자에 전원을 공급해 줄 수 있다.
그리고, 제1 전극(111)과 제2 전극(112)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 몰딩부(120)는 형광체(130)를 포함할 수 있고, 형광체(130)는 발광소자(110)로부터 방출된 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 보다 장파장인 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광소자에서 방출되는 청색광과 이에 의해 여기된 형광 물질이 방출하는 다른 파장의 광이 조합되어 청색 외에 다른 색을 만들어 낼 수 있는 것이다.
형광체는 야그(YAG) 계열의 형광체나, 나이트라이드(Nitride) 계열의 형광체, 실리케이트(Silicate) 또는 이들이 혼합되어 사용될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
또한, 몰딩부(120)는 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(Si) 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상술한 몰딩부(120)는 점성을 가지고 있고, 이로 인하여 발광소자 패키지의 SMT(Surface Mounter Technology) 공정을 진행할 때 몰딩부의 표면에 먼지 등의 이물질들이 붙을 수 있다.
따라서, 점성이 작은 유기물로 이루어진 형광체가 몰딩부의 표면에 노출될 수 있도록 몰딩부의 표면을 연마하여 몰딩부의 표면에 이물질들이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 형광체(130)의 적어도 일부는 몰딩부(120)의 표면에 노출되도록 배치될 수 있고, 예를 들어, 형광체가 노출된 몰딩부의 표면은 몰딩부의 상면 또는 측면 중 적어도 하나일 수 있으며, 측면보다는 상면에서 더 많이 노출될 수 있다.
몰딩부에 형광체를 혼합할 때, 액체 상태의 실리콘에 형광체를 투입하고 실리콘을 경화시킬 수 있다. 실리콘이 경화되는 동안 몰딩부의 하부로 형광체가 침강되어 몰딩부의 하부로 갈수록 형광체가 많이 분포하게 된다.
몰딩부의 표면을 연마하는 두께는 몰딩부의 표면에 형광체가 노출되는 비율에 따라 달라질 수 있으며, 몰딩부의 표면에 형광체가 노출되는 비율은 발광소자의 크기나, 몰딩부의 점성 및 형광체의 점성 등에 따라 결정될 수 있다.
실시 예에서, 형광체의 직경(R1)은 20㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
형광체가 노출되도록 몰딩부의 표면을 연마하게 되면, 발광소자의 광에 의해 여기된 형광체에서 발광되는 빛이 몰딩부의 표면으로 직접 방출될 수 있기 때문에 발광소자 패키지의 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 몰딩부의 표면이 연마되면서 몰딩부의 상면과 측면에서 형광체의 일부가 돌출되어 표면 거칠기(surface roughness)가 형성될 수 있고, 표면 거칠기의 크기(R2)는 0.05㎛ 내지 0.1㎛일 수 있다.
몰딩부의 표면에 표면 거칠기가 형성됨에 따라 발광소자에서 방출되는 광의 광효율이 개선될 수 있다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 발광소자 및 몰딩부(220)를 포함한다.
실시 예의 발광소자는 수평형 발광소자로 구비될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
발광소자는 빛을 방출하는 발광 구조물을 포함하고, 발광 구조물에는 발광소자가 실장되는 발광소자 패키지의 리드 프레임에 연결되어 전원을 공급받는 제1 전극(214)과 제2 전극(215)이 배치될 수 있다.
실시 예에서, 투광성 기판(211)은 사파이어 기판 등이 사용될 수 있고, 투광성을 가지는 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하는데 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 투광성 기판(211)의 일면에는 복수의 반도체 화합물이 적층된 발광 구조물이 배치된다. 그리고, 발광 구조물은 투광성 기판(211)의 상부에 구비되는 제1 도전형 반도체층(210a), 제1 도전형 반도체층(210a)의 상부에 구비되는 활성층(210b), 활성층(210b)의 상부에 구비되는 제2 도전형 반도체층(210c)을 포함한다.
여기서, 제1 도전형 반도체층(210a)과 활성층(210b) 및 제2 도전형 반도체층(210c)을 포함하는 발광 구조물은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 도전형 반도체층(210a)과 투광성 기판(211) 사이에는 버퍼층(213)을 성장시킬 수 있는데, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다.
아울러, 제1 도전형 반도체층(210a)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(210a)이 n형 반도체층인 경우, 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
한편, 활성층(210b)은 제1 도전형 반도체층(210a)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(210c)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(210b)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
또한, 활성층(210b)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
아울러, 제2 도전형 반도체층(210c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤≤x≤1, 0≤≤y≤≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 도전형 반도체층(210c)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
한편, 발광소자에 구비되는 제1 전극(214)은 제1 도전형 반도체층(210a)의 일부가 메사 식각되어 일부가 노출된 면에 배치되고, 제2 전극(215)은 제2 도전형 반도체층(210c)의 하단면 일측에 배치된다. 여기서, 도전성을 높이기 위해 제2 도전형 반도체층(210c)의 하단면과 제2 전극(215) 사이에는 ITO(Indium Tin Oxide)(212)가 더 포함될 수 있다.
또한, 제1 전극(214)과 제2 전극(215)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 발광 구조물을 감싸고 발광 구조물에 배치된 제1 및 제2 전극(214, 215)의 상단이 노출되도록 몰딩부(220)가 배치될 수 있다. 그리고, 제1 전극(214)과 제2 전극(215)은 몰딩부(220)의 표면보다 돌출되어 배치될 수도 있다.
몰딩부(220)는 형광체(230)를 포함할 수 있고, 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(Si) 수지 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
발광 구조물과 발광 구조물의 상단부에 배치된 제1 및 제2 전극(214, 215)을 감싸도록 몰딩부(220)가 배치될 때, 제1 전극과 제2 전극의 높이가 서로 달라 몰딩부의 상단면이 제1 전극과 제2 전극의 높이에 따라 굴곡질 수 있다.
실시 예에서는, 제1 및 제2 전극과, 몰딩부에 포함된 형광체가 노출되도록 몰딩부의 상단면을 평평하게 연마할 수 있다.
몰딩부에 형광체를 혼합할 때, 액체 상태의 실리콘에 형광체를 투입시키고 실리콘을 경화시키는 과정에서 몰딩부의 하부로 형광체가 침강되어 몰딩부의 하부로 갈수록 형광체가 많이 분포하게 된다.
따라서, 몰딩부의 표면을 연마하는 두께는 몰딩부의 표면에 형광체가 노출되는 비율과, 제1 및 제2 전극의 두께를 고려하여 결정될 수 있다.
또한, 몰딩부의 측면을 형광체가 노출되도록 연마할 수 있다.
상술한 바와 같이, 점성이 낮은 형광체를 몰딩부의 표면에 노출시킴으로써, 몰딩부의 점성 때문에 발광소자 패키지의 제조공정 중에 몰딩부의 표면에 이물질이 달라붙는 것을 방지할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 4a를 참조하면, 투광성 기판(211) 상에 버퍼층(213) 및 제1 도전형 반도체층(210a)과 활성층(210b) 및 제2 도전형 반도체층(210c)을 포함하는 발광 구조물을 성장시킨다.
여기서, 발광 구조물은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 투광성 기판(211)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있는데, 투광성을 가지는 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하며, 예를 들면 사파이어(Al2O3)를 사용할 수 있다. 그리고, 투광성 기판 위에는 요철 구조가 형성될 수 있고 이에 대해 한정하지는 않으며, 투광성 기판에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(210a) 상에 제1 전극(214)을 배치시키고, 제2 도전형 반도체층(210c) 상에 제2 전극(215)을 배치시킬 수 있고, 제1 전극(214)와 제2 전극(215)은 발광소자가 실장될 기판에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 발광 구조물과 제1 및 제2 전극을 둘러싸도록 몰딩부(220)를 배치시킬 수 있다. 몰딩부(220)의 두께(h1)는 제조될 발광소자 패키지의 두께(h2)보다 0.085 내지 0.095배 더 두껍게 형성시킬 수 있다. 예를 들어, 350㎛ 두께의 발광소자 패키지의 경우 30㎛ 더 두껍게 몰딩부(220)를 형성할 수 있다.
몰딩부(220)는 형광체(230)를 포함할 수 있고, 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(Si) 수지 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
몰딩부에 형광체를 혼합할 때, 액체 상태의 실리콘에 형광체를 투입시키고 실리콘을 경화시키는 과정에서 몰딩부의 하부로 형광체가 침강되어 몰딩부의 하부로 갈수록 형광체가 많이 분포하게 된다.
따라서, 몰딩부를 연마하는 두께가 두꺼워질수록 몰딩부의 표면에 노출되는 형광체의 표면적이 넓어질 수 있다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 전극(214, 215)의 상단과 몰딩부(220)에 포함된 형광체(230)가 몰딩부(220)의 표면에 노출되도록 몰딩부(220)의 상면을 연마할 수 있다.
제1 및 제2 전극(214, 215)이 노출되고 몰딩부(220)의 상면에 형광체(230)가 노출되도록, 제조될 발광소자 패키지의 두께보다 두껍게 배치된 몰딩부(220)를 연마시킬 수 있다.
실리콘을 경화시키는 과정에서 몰딩부의 하부로 형광체가 침강되어 몰딩부의 하부로 갈수록 형광체가 많이 분포하게 되므로, 몰딩부를 연마하는 두께가 두꺼워질수록 몰딩부의 표면에 노출되는 형광체의 표면적이 넓어질 수 있다.
또한, 몰딩부는 상면뿐만 아니라 측면도 연마공정을 통하여 형광체가 노출되도록 할 수도 있다.
몰딩부의 표면이 연마되면서 몰딩부의 상면과 측면에는 표면 거칠기(surface roughness)가 형성되어 발광소자에서 방출되는 광의 광효율이 개선될 수 있다.
그리고, 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 헤드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200: 발광소자 패키지 110: 발광소자
120, 220: 몰딩부 130, 230: 형광체
120, 220: 몰딩부 130, 230: 형광체
Claims (6)
- 발광소자; 및
형광체 및 수지를 포함하고 상기 발광소자의 측면과 상부면에 배치되는 몰딩부를 포함하고,
상기 형광체의 적어도 일부는 상기 몰딩부의 적어도 상부면 및 상기 수지에서 노출되고,
상기 몰딩부의 상면에서 상기 형광체의 일부가 돌출되어 표면 거칠기(surface roughness)가 형성되는 발광소자 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 수지는 에폭시(epoxy) 또는 실리콘(Si) 수지 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지. - 제1 항에 있어서,
상기 형광체의 직경은 20㎛ 내지 30㎛인 발광소자 패키지. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 표면 거칠기의 크기는 0.05㎛ 내지 0.1㎛인 발광소자 패키지. - 삭제
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