KR102547687B1 - 증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법 - Google Patents

증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 여기광을 조사하는 발광부와, 여기광에 의해 형광된 증착물질의 빛을 수광하는 수광부와, 광조사 및 수광의 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 측정지점조절기구를 포함하는 증착률 모니터링 장치를 개시한다.

Description

증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법 {Deposition rate monitoring apparatus and deposition rate monitoring method using the same}
본 발명의 실시예들은 증착 장치에서 증착이 진행되고 있는 동안 증착률을 실시간으로 감시할 수 있는 증착률 모니터링 장치 및 그것을 이용한 증착률 모니터링 방법에 관한 것이다.
예컨대 유기 발광 디스플레이 장치의 유기막 형성과 같은 박막 제조 공정에는 증착원의 증기를 발생시켜서 기판 표면에 달라붙게 하여 박막을 형성하는 증착 공정이 많이 이용된다. 즉, 기판 위에 마스크를 대고, 상기 증착원의 노즐을 통해 분출된 증기를 그 마스크의 개구로 통과시켜서 원하는 패턴의 박막이 기판 상에 형성되게 하는 것이다. 그리고, 상기와 같은 유기 발광 디스플레이 장치의 특성은 증착된 박막의 두께가 원하는 규격대로 얼마나 정밀하게 형성되었는지에 상당 부분 의존하기 때문에, 우수한 품질의 유기 발광 디스플레이 장치를 제작하기 위해서는 박막의 증착률을 실시간으로 모니터링하는 작업이 필요하다.
그런데, 종래의 증착률 모니터링 장치에서는 증착원의 증기가 분출되는 다수의 노즐 중 어느 하나에 대해서만 증착률을 측정하여 전체의 증착률로 고려하기 때문에, 증착원의 노즐 상황에 따라 오차가 발생할 가능성이 매우 높다. 그렇다고 해서 이를 해결하기 위해 각 노즐마다 모니터링 장치를 배치하면 증착 장치가 너무 커지고 비용 부담도 심해지는 문제가 생긴다.
본 발명의 실시예들은 증착원의 여러 노즐에 대한 증착률 모니터링을 작은 공간 내에서 효율적으로 수행할 수 있도록 개선된 증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 여기광을 조사하는 발광부와, 상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광하는 수광부와, 상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 측정지점조절기구를 포함하는 증착률 모니터링 장치를 개시한다.
상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며, 상기 측정지점조절기구는 상기 다수의 노즐에 대응하는 위치 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시킬 수 있다.
상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시킬 수 있다.
상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며, 상기 외장케이스와 상기 광학계를 포함한 상기 발광부 및 상기 수광부 전체가 상기 회전판의 회전에 따라 움직일 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치될 수 있다.
상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며, 상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부의 각 외장케이스 내에서 상기 각각의 광학계를 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함할 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치될 수 있다.
상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 왕복이동가능하게 지지하는 이동판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 이동판을 왕복이동시키는 액츄에이터를 포함할 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열을 따라 왕복이동할 수 있다.
상기 여기광은 자외선을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예는 증착원의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 발광부로부터 여기광을 조사하는 단계와, 상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광부에서 수광하는 단계와, 상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법을 개시한다.
상기 증착원에는 다수의 노즐이 구비되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계에서 상기 다수의 노즐에 대응하는 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시킬 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 전체를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 각각의 외장케이스 안에 장착된 광학계를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되며, 상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부 및 상기 수광부를 상기 노즐 열을 따라 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 여기광은 자외선을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치 및 이를 이용한 증착률 모니터링 방법은 단일 모니터링 장치로 복수 노즐에 대한 증착률을 다 측정할 수 있게 해주므로, 이를 사용하면 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 관한 증착률 모니터링 장치가 구비된 증착 장치의 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치 구조를 도시한 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 평면도이다.
도 3c는 도 3a 및 도 3b에 도시된 발광부 및 수광부의 내부 구조를 개략적으로 보인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치를 도시한 평면도이다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 증착 장치를 이용해서 증착을 진행할 수 있는 대상체의 예로서 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치가 구비된 증착 장치의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
도시된 바와 같이 상기 증착 장치는 증착 대상재인 기판(10) 상에 원하는 패턴을 형성하기 위한 마스크(20)와, 챔버(40) 내에서 상기 기판(10)을 향해 증착 물질(S)을 분출하는 증착원(30) 등을 구비하고 있다.
따라서, 증착원(30)에 구비된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37)로부터 증착 물질(S)이 분출되면 해당 증착 물질(S)이 마스크(20)에 형성된 개구를 통과하여 기판(10)에 증착되면서 소정 패턴의 박막을 형성하게 된다.
그리고, 상기 증착원(30)의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치(100)가 상기 증착 물질(S)에 대해 광을 조사하고 다시 그로부터 빛을 수광하는 방식으로 증착률을 실시간으로 측정하게 된다. 이때, 이 증착률 모니터링 장치(100)는 증착원(30)에 구비된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 어느 하나의 노즐로부터 분출된 증착 물질(S)을 측정 대상으로 선택하여 증착률을 모니터링할 수 있다. 즉, 측정할 지점을 바꾸면서 모니터링할 수 있게 해주는 측정지점조절기구를 구비하고 있다. 이러한 증착률 모니터링 장치(100)의 자세한 구조는 뒤에서 설명하기로 한다.
그리고, 상기 증착률 모니터링 장치(100)는 도 1과 같이 기판(10)이 마스크(20)와 밀착되어 고정된 상태로 증착을 진행하는 증착 장치에 사용될 수도 있지만, 도 2와 같이 기판(10)이 마스크(20)와 약간 이격된 채 화살표 A방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 일명 스몰 마스크 스캐닝(small mask scanning) 방식의 증착 장치에서도 사용될 수 있다. 즉, 증착 물질(S)에 대한 측정 지점을 가변시키면서 증착률을 모니터링하고자 하는 곳에는 다 사용될 수 있으며, 증착 방식에 제한되는 것은 아니다.
그리고, 상기의 증착 장치로 예컨대 도 6에 예시한 바와 같은 유기 발광 표시 장치의 박막을 형성할 수 있다.
도 6을 참조하여 유기 발광 표시 장치의 구조를 간략히 살펴보면, 기판(320)상에 버퍼층(330)이 형성되어 있고, 이 버퍼층(330) 상부로 TFT가 구비된다.
TFT는 활성층(331)과, 이 활성층(331)을 덮도록 형성된 게이트 절연막(332)과, 게이트 절연막(332) 상부의 게이트 전극(333)을 갖는다.
게이트 전극(333)을 덮도록 층간 절연막(334)이 형성되며, 층간 절연막(334)의 상부에 소스전극(335a) 및 드레인 전극(335b)이 형성된다.
상기 소스전극(335a) 및 드레인 전극(335b)은 게이트 절연막(332) 및 층간 절연막(334)에 형성된 컨택홀에 의해 활성층(331)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접촉된다.
그리고, 상기 드레인 전극(335b)에 유기 발광 소자(OLED)의 화소전극(321)이 연결된다. 화소전극(321)은 평탄화막(337) 상부에 형성되어 있으며, 이 화소전극(321)을 덮도록 화소정의막(Pixel defining layer: 338)이 형성된다. 그리고, 이 화소정의막(338)에 소정의 개구부를 형성한 후, 유기 발광 소자(OLED)의 유기막(326)이 형성되고, 이들 상부에 대향전극(327)이 형성된다.
이중에서, 예컨대 상기 유기 발광 소자(OLED)의 유기막(326)에 대응하도록 상기한 마스크(20)의 개구를 준비해서 증착을 진행하면, 원하는 패턴의 유기막(326)을 구현할 수 있다. 또는, 대향전극(327)의 경우에도 마찬가지로 그 패턴에 대응하도록 상기한 마스크(200)의 개구를 준비해서 사용하면,원하는 패턴의 박막을 형성할 수 있다.
이상은 상기한 증착 장치로 제조할 수 있는 대상체의 예를 간단히 설명한 것이고, 이제 상기 증착률 모니터링 장치(100)의 세부 구조를 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착률 모니터링 장치(100)의 구조를 도시한 것이다.
먼저, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 증착률 모니터링 장치(100)는 증착원(30)에 일렬로 배치된 다수의 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 일단측에 배치되며, 여기광으로서 자외선(L1)을 증착 물질(S)에 조사하는 발광부(111)와, 그 증착 물질(S)로부터 빛(L2)을 수광하는 수광부(112), 그리고 이 발광부(111) 및 수광부(112)를 제어하는 컨트롤러(120) 등을 구비하고 있다. 즉, 발광부(111)에서 측정 지점의 증착 물질(S)에 자외선(L1)을 조사하면 증착 물질(S)이 여기되어 형광 특성을 띄게 되고, 이 형광된 빛(L2)을 수광부(112)에서 수광하여 컨트롤러(120)로 신호를 보내면, 컨트롤러(120)가 그로부터 증착률을 산출하게 된다. 이 산출값은 증착원(30)에 대한 피드백 신호로 사용될 수도 있고, 또는 작업자에게 실시간 상황을 표시해주는 형태로 사용될 수도 있다. 참조부호 110은 발광부(111) 및 수광부(112) 등을 지지하는 지지체를 나타낸다.
그리고, 본 실시예에서는 전술한 바와 같이 상기 발광부(111)와 수광부(112)의 측정 대상이 되는 포커스 지점 즉, 여러 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 측정 타겟이 되는 한 지점을 선택할 수 있도록 측정지점조절기구가 구비되어 있다.
이 측정지점조절기구는 상기 발광부(111)와 수광부(112)의 위치를 가변시켜서 측정 지점을 원하는 위치로 바꿔주는 것으로, 상기 발광부(111)와 수광부(112) 각각을 지지하여 지지체(110)에 회전가능하게 설치된 회전판(113)(114)과, 각 회전판(113)(114)을 회전구동시키는 액츄에이터(115)(116)를 구비한다. 예를 들어, 액츄에이터(115)(116)와 회전판(113)(114)은 랙과 피니언 구조로 연결될 수 있다.
따라서, 액츄에이터(115)(116)가 회전판(113)(114)을 회전시키면, 도 3a 및 도 3b에 실선으로 도시된 바와 같이 증착률 모니터링 장치(100)에서 가장 멀리 있는 노즐(37)에서부터, 점선으로 도시된 바와 같이 가장 가까이 있는 노즐(31)까지 측정 지점을 원하는 대로 자유롭게 바꿀 수 있게 된다.
예를 들어, 증착률 모니터링 장치(100)에서 가장 멀리 있는 노즐(37)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 3a 및 도 3b에 실선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(37)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하고, 가장 가까이 있는 노즐(31)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 3a 및 도 3b에 점선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(31)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하면 된다.
그러면, 단일 증착률 모니터링 장치를 가지고 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 측정이 가능해지므로, 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다
상기와 같은 구조의 증착률 모니터링 장치(100)를 구비한 증착 장치는 다음과 같이 사용될 수 있다.
도 1의 증착 장치를 예로 들면, 우선 증착원(30)이 준비된 챔버(40) 안에 기판(10)과 마스크(20)를 설치한다.
이 상태에서 증착원(30)의 여러 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)로부터 증착 물질(S)을 분출시키며, 이렇게 분출된 증착 물질(S)이 마스크(20)의 개구(미도시)를 통해 기판(10)에 증착되면서 원하는 패턴의 박막을 형성하게 된다.
그리고, 이와 같은 증착이 진행되는 동안, 상기 증착률 모니터링 장치(100)에서는 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 어느 하나를 측정 지점으로 선택해서 발광부(111)와 수광부(112)의 위치를 조정한 후, 해당 측정 지점에 대한 광조사와 수광을 통해 증착률을 측정하여 모니터링한다. 이때, 예를 들어 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대해 일정 시간마다 측정 지점을 순차적 또는 임의로 바꿔가며 모니터링을 진행할 수 있다.
그러므로, 장비의 규모를 크게 늘이지 않고도 좁은 공간에서 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 모니터링을 효율적으로 수행할 수 있게 된다.
한편, 본 실시예에서는 도 3c에 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112) 전체가 회전판(113)(114) 상에서 회전하는 구조를 제시한 것이다. 즉, 발광부(111)와 수광부(112)는 각각 외장케이스(111a)(112a)와 그 안에 장착된 광학계(111b)(112b)를 구비하고 있는데, 각 외장케이스(111a)(112a)와 광학계(111b)(112b)를 포함한 발광부(111)와 수광부(112) 전체가 회전판(113)(114) 상에서 회전하며 측정 위치를 가변시키게 된다.
그러나, 이와 다른 실시예로서 도 4에 도시된 바와 같이 각 외장케이스(211a)(212a)내의 광학계(211b)(212b)만 회전하도록 증착률 모니터링 장치(200)를 구성할 수도 있다. 즉, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 측정 지점을 가변시킬 수 있도록 발광부(211)와 수광부(212)의 초점 위치를 바꾸는 것은 전술한 실시예와 같지만, 발광부(211)와 수광부(212) 전체를 움직이는 것이 아니라, 외장케이스(211a)(212a) 안에 있는 광학계(211b)(212b)만 회전하도록 그 안에 회전판(211c)(212c)과 액츄에이터(211d)(212d)를 설치한 것이다.
이렇게 하면 광학계(211b)(212b)만 회전시키면서 마찬가지로 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 측정 지점을 원하는 대로 자유롭게 바꿀 수 있으며, 측정된 값은 컨트롤러(220)에 의해 증착원(30) 제어에 피드백되거나 작업자에게 표시해주는 형태로 활용될 수 있다.
한편, 또 다른 실시예로서 도 5에 도시된 바와 같은 증착률 모니터링 장치(300)로의 변형도 가능하다.
즉, 발광부(311)와 수광부(312)를 전술한 실시예들처럼 회전 또는 틸트로 변위 시키는 것이 아니라, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)의 열을 따라 왕복 이동시킴으로써 측정 지점이 변하게 하는 것이다. 이를 위해 본 실시예의 증착률 모니터링 장치(300)에는 상기 발광부(311)와 수광부(312)가 지지되는 이동판(310)과, 그 이동판(310)을 왕복 이동시키는 액츄에이터(313)가 구비되어 있다.
따라서, 일렬로 배치된 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 중 가장 왼쪽의 노즐(37)을 측정 지점으로 설정한다면, 도 5에 실선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시켜서 해당 노즐(37)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하고, 가장 오른쪽에 있는 노즐(31)을 측정 지점으로 설정한다면, 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37) 열을 따라 이동판(310)을 움직여서 도 5에 점선으로 도시된 바와 같이 발광부(111)와 수광부(112)를 위치시키고 해당 노즐(31)로 분출되는 증착 물질(S)에 광조사와 수광의 초점이 맞게 하면 된다. 물론, 그 사이의 노즐(32,33,34,35,35)을 선택할 경우에는 해당 노즐의 위치에 정지시키면 된다. 마찬가지로, 단일 증착률 모니터링 장치(300)를 가지고 복수 노즐(31,32,33,34,35,35,37)에 대한 증착률 측정이 가능해진다.
그리므로, 이상에서 설명한 증착률 모니터링 장치(100)(200)(300)는 단일 모니터링 장치로 복수 노즐에 대한 증착률을 다 측정할 수 있게 해주므로, 이를 사용하면 장치 규모나 비용 증가의 부담 없이 전체 노즐 통한 실시간 증착률을 효율적으로 모니터링할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판 20: 마스크
30: 증착원 31~37: 노즐
40: 챔버 100,200,300: 증착률 모니터링 장치
111,211,311: 발광부 112,212,312: 수광부
113,114,211c,212c: 회전판 115,116,211d,212c,313: 액츄에이터

Claims (16)

  1. 증착원에 구비된 다수의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 여기광을 조사하는 발광부;
    상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광하는 수광부; 및
    상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 측정지점조절기구;를 포함하되,
    상기 측정지점조절기구는 상기 다수의 노즐에 대응하는 위치 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시키며,
    상기 측정지점조절기구는 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며,
    상기 외장케이스와 상기 광학계를 포함한 상기 발광부 및 상기 수광부 전체가 상기 회전판의 회전에 따라 움직이는 증착률 모니터링 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고,
    상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광부 및 상기 수광부는 각각 외장케이스와 그 내부에 장착된 광학계를 구비하며,
    상기 측정지점조절기구는, 상기 발광부 및 상기 수광부의 각 외장케이스 내에서 상기 각각의 광학계를 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고,
    상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치된 증착률 모니터링 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 여기광은 자외선을 포함하는 증착률 모니터링 장치.
  11. 증착원에 구비된 다수의 노즐을 통해 분출되는 증착물질에 발광부로부터 여기광을 조사하는 단계;
    상기 여기광에 의해 형광된 상기 증착물질의 빛을 수광부에서 수광하는 단계; 및
    상기 발광부의 광조사 및 상기 수광부의 수광 대상이 되는 측정지점을 가변시키는 단계;를 포함하되,
    상기 측정지점은 측정지점조절기구에 의하여 가변시키며,
    상기 측정지점조절기구는 상기 다수의 노즐에 대응하는 위치 중 어느 하나의 위치로 상기 측정지점을 가변시키며,
    상기 측정지점조절기구는 상기 발광부 및 상기 수광부를 각각 회전가능하게 지지하는 회전판과, 상기 측정지점이 변하도록 상기 회전판을 회전시키는 액츄에이터를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며,
    상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 전체를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 다수의 노즐은 열을 이루며 배치되고, 상기 발광부 및 상기 수광부는 상기 노즐 열의 일단측에 배치되며,
    상기 측정지점을 가변시키는 단계는 상기 발광부와 상기 수광부 각각의 외장케이스 안에 장착된 광학계를 회전시켜서 상기 측정지점을 가변시키는 단계를 포함하는 증착률 모니터링 방법.
  15. 삭제
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 여기광은 자외선을 포함하는 증착률 모니터링 방법.
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