KR102547264B1 - Manufacturing method of resin laminate with wiring pattern - Google Patents

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Abstract

본 발명의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법은, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층(1, 11)과 구리층(2, 12)의 적층체에서의 상기 구리층의 표면에, 상기 구리층이 노출된 제1 개구부(8, 18)가 형성되도록 에칭 레지스트층(3) 또는 배선 패턴층(14)을 마련하는 공정과, 제1 개구부에 있어서 노출된 구리층을, 구리에 대한 에칭능을 가지고, 또한 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액을 이용하여 제거함으로써 수지층에서의 구리층 측의 면을 노출시키는 공정을 구비하고 있다.In the manufacturing method of the resin laminate with a wiring pattern of the present invention, the copper layer is formed on the surface of the copper layer in a laminate of resin layers (1, 11) and copper layers (2, 12) containing polyvinyl acetal resin. The step of providing the etching resist layer 3 or the wiring pattern layer 14 so that the first openings 8 and 18 in which the layer is exposed are formed, and the copper layer exposed in the first opening is etched to copper and a step of exposing the surface on the copper layer side of the resin layer by removing it using an etchant containing substantially no chlorine.

Description

배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법 Manufacturing method of resin laminate with wiring pattern

본 발명은 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층과 구리층의 적층체로부터 배선 패턴 부착 수지 적층체를 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a resin laminate with a wiring pattern from a laminate of a copper layer and a resin layer containing polyvinyl acetal resin.

종래, 투명한 수지 필름과 해당 필름 상에 적층된 구리 등의 금속층을 가지는 적층체에 있어서, 금속층에 포트리소그래피와 에칭을 실시함으로써 얻어지는 금속 전극 패턴을 구비한 소자를 투명 발열 패널 등으로서 이용하는 것이 제안되고 있다. 투명 수지 중 하나로서 폴리비닐부티랄 등의 폴리비닐아세탈 수지가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1). Conventionally, in a laminate having a transparent resin film and a metal layer such as copper laminated on the film, it is proposed to use an element having a metal electrode pattern obtained by subjecting the metal layer to photolithography and etching as a transparent heating panel or the like. there is. As one of the transparent resins, polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral are known (for example, Patent Document 1).

한편, 수지 기재에 적층된 구리층의 에칭을 실시하여 수지 기재 상에 구리의 배선을 형성하는 경우의 에칭액으로는, 많은 경우, 염화제2구리 등의 염소를 함유하는 에칭제가 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2). On the other hand, as an etchant in the case of forming a copper wiring on a resin substrate by etching a copper layer laminated on a resin substrate, in many cases, an etchant containing chlorine such as cupric chloride is used (eg For example, Patent Document 2).

일본 공개특허공보 2007-102002호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-102002 일본 공개특허공보 2013-80735호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-80735

그러나, 투명 발열 패널 등에 이용되는 회로 부착 투명 수지에 대해서는 투명성이 점점 요구되고 있고, 이 때문에 회로 형성 시에서의 구리층의 에칭에 있어서도 변색 등에 의해 투명 수지의 투명성을 저하시키지 않는 것이 요구되고 있다. 이 점은 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층과 구리층의 적층체를 에칭하는 경우에 있어서도 예외가 아니다. However, transparency is increasingly required for transparent resins with circuits used in transparent heating panels and the like, and for this reason, it is required that the transparency of the transparent resin not be reduced due to discoloration or the like even in the etching of the copper layer during circuit formation. This is not an exception even when etching a laminate of a resin layer containing polyvinyl acetal resin and a copper layer.

본 발명의 과제는 전술한 종래 기술이 가지는 결점을 해소할 수 있는 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. The subject of this invention is providing the manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern which can eliminate the fault which the prior art mentioned above has.

본 발명은 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층과 구리층의 적층체에서의 상기 구리층의 표면에, 상기 구리층이 노출된 제1 개구부(開口部)가 형성되도록 에칭 레지스트층 또는 배선 패턴층을 마련하는 공정과, The present invention relates to an etching resist layer or a wiring pattern layer such that a first opening through which the copper layer is exposed is formed on the surface of a copper layer in a laminate of a resin layer containing a polyvinyl acetal resin and a copper layer. The process of preparing a

상기 제1 개구부에 있어서 노출된 상기 구리층을, 구리에 대한 에칭능을 가지고, 또한 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액을 이용하여 제거함으로써 상기 수지층에서의 상기 구리층 측의 면을 노출시키는 공정을 구비한 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법을 제공하는 것이다. A step of exposing the surface of the resin layer on the copper layer side by removing the copper layer exposed in the first opening using an etchant having copper etching ability and substantially not containing chlorine. It is to provide the manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern provided with.

도 1(a) 내지 도 1(e)는 서브트랙티브법에서의 회로 형성 순서를 나타내는 모식도이다.
도 2(a) 내지 도 2(f)는 애디티브법에서의 회로 형성 순서를 나타내는 모식도이다.
1(a) to 1(e) are schematic diagrams showing circuit formation procedures in the subtractive method.
2(a) to 2(f) are schematic diagrams showing circuit formation procedures in the additive method.

이하 본 발명을 그 바람직한 실시형태에 기초하여 설명한다. 본 발명의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법(이하 "본 발명의 방법"이라고 기재하는 경우도 있음)은 모두 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층과 구리층의 적층체에서의 상기 구리층의 표면에, 상기 구리층이 노출된 제1 개구부가 형성되도록 에칭 레지스트층 또는 배선 패턴층을 마련하는 공정(이하 "제1 공정"이라고도 함)과, The present invention will be described below based on its preferred embodiments. The manufacturing method of the resin laminate with a wiring pattern (hereinafter sometimes referred to as "the method of the present invention") of the present invention is a copper layer in a laminate of a resin layer containing polyvinyl acetal resin and a copper layer. A step of providing an etching resist layer or a wiring pattern layer so that a first opening through which the copper layer is exposed is formed on the surface (hereinafter also referred to as a "first step");

상기 제1 개구부에 있어서 노출된 상기 구리층을, 구리에 대한 에칭능을 가지고, 또한 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액을 이용하여 제거함으로써 상기 수지층에서의 상기 구리층 측의 면을 노출시키는 공정(이하 "제2 공정"이라고도 함)을 구비하고 있다. 본 발명에 있어서, "구리층"은 순구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 층을 가리키고, 전형적으로 구리의 비율은 95질량% 이상이 되는 것이 구리층의 도전성, 에칭 가공성 등의 점에서 바람직하다. 배선 패턴 부착 수지 적층체의 배선 패턴으로는 구리로 이루어지는 배선 회로를 들 수 있다. A step of exposing the surface of the resin layer on the copper layer side by removing the copper layer exposed in the first opening using an etchant having copper etching ability and substantially not containing chlorine. (hereinafter also referred to as "second process") is provided. In the present invention, "copper layer" refers to a layer made of pure copper or a copper alloy, and it is preferable from the viewpoints of conductivity, etching workability, etc. of the copper layer that the proportion of copper is typically 95% by mass or more. As a wiring pattern of the resin laminate with a wiring pattern, a wiring circuit made of copper is exemplified.

상술한 바와 같이, 투명 수지 기판으로 회로를 형성할 때의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법에 대해서는, 투명 수지의 변색을 방지할 수 있는 것이 요구되고 있던 중, 본 발명자는 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층과 구리층을 가지는 적층체에서의 구리층을 염화제2구리에 의해 에칭 처리하면 수지층이 황변되기 쉬운 것을 알게 되었다. 황변은 투명 수지 기판 상에 회로가 형성되어 이루어지는 투명 발열 패널의 제품 가치를 떨어트린다. 본 발명자는 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭제로 구리층을 에칭 처리함으로써 이 황변을 방지할 수 있는 것을 발견했다. As described above, in the method of manufacturing a resin laminate with a wiring pattern when forming a circuit with a transparent resin substrate, while being able to prevent discoloration of the transparent resin has been required, the present inventors have developed a polyvinyl acetal resin. It has been found that when the copper layer in a laminate comprising a resin layer and a copper layer is etched with cupric chloride, the resin layer tends to turn yellow. Yellowing reduces the product value of a transparent heating panel formed by forming a circuit on a transparent resin substrate. The present inventors have found that this yellowing can be prevented by etching the copper layer with an etchant substantially free of chlorine.

본 발명의 방법이 적용되는 회로 형성 방법의 예로는, 서브트랙티브법, 세미 애디티브법 및 모디파이드 세미 애디티브법을 들 수 있다. 서브트랙티브법의 경우는 상기의 제1 공정에서 에칭 레지스트층을 마련하고, 세미 애디티브법 및 모디파이드 세미 애디티브법의 경우는 상기의 제1 공정에서 배선 패턴층을 마련한다. 이하의 설명에서는 세미 애디티브법 및 모디파이드 세미 애디티브법을 총칭하여 간단히 애디티브법이라고 하는 경우도 있다. Examples of circuit formation methods to which the method of the present invention is applied include a subtractive method, a semi-additive method, and a modified semi-additive method. In the case of the subtractive method, an etching resist layer is provided in the first step described above, and in the case of the semi-additive method and the modified semi-additive method, the wiring pattern layer is provided in the first step described above. In the following description, the semi-additive method and the modified semi-additive method are collectively referred to simply as the additive method in some cases.

우선, 서브트랙티브법에 의한 회로 형성에 본 발명의 방법이 적용되는 경우에 대해서 도 1의 (a)~(e)에 기초하여 설명한다. 한편 도 1 및 도 2는 모식적인 것이므로 실제의 치수 관계를 나타내는 것이 아니다. First, the case where the method of the present invention is applied to circuit formation by the subtractive method will be described based on Figs. 1(a) to (e). On the other hand, since FIGS. 1 and 2 are typical, they do not show actual dimensional relationships.

서브트랙티브법에 있어서는 도 1에 도시하는 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층(1)과 구리층(2)의 적층체(10)가 사용된다. 이 적층체(10)로는 동박의 한 면에 수지층이 적층되어 이루어지는 수지층 부착 동박을 들 수 있다. 구리층(2)의 두께는 적층체(10)의 핸들링성 및 에칭의 용이함, 전극 패턴을 발열체로서 사용하기 위한 도통성을 유지하는 등의 점에서, 예를 들면, 1㎛ 이상, 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상, 18㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 구리층(2)은 제조 방법에 특별히 한정은 없고, 예를 들면 전해법 및 압연법, 기상법 등 중 어느 것으로 형성되어도 된다. 또한, 구리층의 두께가 10㎛ 이하로 얇은 경우는 핸들링성의 향상을 위해서 캐리어 부착 동박을 이용해도 된다. 여기서, 캐리어 부착 동박은 캐리어와, 박리층과, 극박(極薄) 동박이 이 순서대로 적층된 구조를 가지고 있다. 캐리어로는 구리, 철, 스테인리스스틸, 알루미늄 등의 금속, 그들의 금속을 주성분으로 하는 합금, 폴리에스테르, 엔지니어링 플라스틱 등의 내열성 수지를 들 수 있고, 전형적으로는 동박이다. 캐리어(15)의 두께로는 반송성이나 박리 시의 찢어짐 방지성의 관점으로부터 12㎛ 이상 100㎛ 이하가 바람직하고, 15㎛ 이상 80㎛ 이하가 보다 바람직하다. 박리층은 극박 동박과 캐리어의 박리를 용이하게 할 목적으로 사용되고, 공지의 유기 박리층 및 무기 박리층 중 어느 것이어도 된다. 유기 박리층에 이용되는 유기 성분의 예로는 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산 등을 들 수 있다. 질소 함유 유기 화합물의 예로는 트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등을 들 수 있고, 그 중에서도 트리아졸 화합물은 박리성이 안정되기 쉬운 점에서 바람직하다. 트리아졸 화합물의 예로는 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)유리아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 들 수 있다. 황 함유 유기 화합물의 예로는 메르캅토벤조티아졸, 티오시아눌산, 2-벤즈이미다졸티올 등을 들 수 있다. 카르복실산의 예로는 모노카르복실산, 디카르복실산 등을 들 수 있다. 한편, 무기 박리층에 이용되는 무기 성분의 예로는 Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn 등 중 적어도 1종으로 이루어지는 금속 혹은 합금, 또는/및 이들의 산화물을 들 수 있다. 박리층의 두께는 전형적으로는 1㎚ 이상 1㎛ 이하이며, 바람직하게는 5㎚ 이상 500㎚ 이하이다. 박리층과 캐리어 사이의 박리 강도는 2gf/㎝ 이상 50gf/㎝ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5gf/㎝ 이상 30gf/㎝ 이하이며, 한층 더 바람직하게는 10gf/㎝ 이상 20gf/㎝ 이하이다. In the subtractive method, a laminate 10 of a resin layer 1 containing polyvinyl acetal resin and a copper layer 2 shown in FIG. 1 is used. As this laminated body 10, the copper foil with a resin layer formed by laminating|stacking a resin layer on one surface of copper foil is mentioned. The thickness of the copper layer 2 is, for example, 1 μm or more and 30 μm or less in terms of handling properties of the laminate 10, ease of etching, and maintaining conductivity for using the electrode pattern as a heating element. It is preferable, and it is more preferable that it is 2 micrometers or more and 18 micrometers or less. The copper layer 2 is not particularly limited in the manufacturing method, and may be formed, for example, by either an electrolytic method, a rolling method, or a vapor phase method. In addition, when the thickness of a copper layer is as thin as 10 micrometers or less, you may use copper foil with a carrier for the improvement of handling property. Here, copper foil with a carrier has a structure in which a carrier, a release layer, and an ultra-thin copper foil are laminated in this order. Examples of the carrier include metals such as copper, iron, stainless steel, and aluminum, alloys containing these metals as a main component, and heat-resistant resins such as polyester and engineering plastics, and are typically copper foil. The thickness of the carrier 15 is preferably 12 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 15 μm or more and 80 μm or less, from the viewpoint of transportability and tear resistance during peeling. The peeling layer is used for the purpose of facilitating peeling of the ultra-thin copper foil and the carrier, and any of a known organic peeling layer and an inorganic peeling layer may be used. Examples of organic components used in the organic release layer include nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, carboxylic acids, and the like. Examples of the nitrogen-containing organic compound include a triazole compound and an imidazole compound, and among these, a triazole compound is preferred because of its easy releasability and stability. Examples of triazole compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N',N'-bis(benzotriazolylmethyl)urea, 1H-1,2,4-triazole and 3-amino -1H-1,2,4-triazole etc. are mentioned. Examples of sulfur-containing organic compounds include mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol and the like. Examples of carboxylic acids include monocarboxylic acids, dicarboxylic acids, and the like. On the other hand, examples of the inorganic component used in the inorganic exfoliation layer include metals or alloys made of at least one of Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn, etc., or/and oxides thereof. there is. The thickness of the release layer is typically 1 nm or more and 1 μm or less, preferably 5 nm or more and 500 nm or less. The peel strength between the release layer and the carrier is preferably 2 gf/cm or more and 50 gf/cm or less, more preferably 5 gf/cm or more and 30 gf/cm or less, still more preferably 10 gf/cm or more and 20 gf/cm or less.

본 발명에서 채용될 수 있는 투명 수지 기판으로서 이용하는 수지층으로는 폴리비닐아세탈 수지로 구성되는 것이 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지는 폴리비닐알코올을 알데히드에 의해 아세탈화하여 얻어지는 수지이며, 아세탈화에 이용되는 알데히드로는 일반적으로, 탄소수가 1~10인 알데히드가 이용된다. 구체적으로는, 예를 들면, n-부틸알데히드, 이소부틸알데히드, n-발레르알데히드, 2-에틸부틸알데히드, n-헥실알데히드, n-옥틸알데히드, n-노닐알데히드, n-데실알데히드, 포름알데히드, 아세트알데하이드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있다. 예를 들면, 폴리비닐아세탈 수지로는 폴리비닐알코올이 부틸알데히드로 아세탈화된 수지인 폴리비닐부티랄이나, 폴리비닐알코올이 포름알데히드로 아세탈화된 수지인 폴리비닐포르말이 이용된다. 이들 중에서도, 폴리비닐부티랄 수지를 이용하는 것이 투명 기재의 유연성, 유리 등의 중간층으로서의 내(耐)관통 충격성, 유리 등의 중간층으로서의 적층 가공성, 색조 클리어성, 투명성 등의 관점에서 바람직하다. The resin layer used as the transparent resin substrate that can be employed in the present invention is preferably composed of polyvinyl acetal resin. Polyvinyl acetal resin is a resin obtained by acetalizing polyvinyl alcohol with an aldehyde, and an aldehyde having 1 to 10 carbon atoms is generally used as an aldehyde used for acetalization. Specifically, for example, n-butylaldehyde, isobutylaldehyde, n-valeraldehyde, 2-ethylbutylaldehyde, n-hexylaldehyde, n-octylaldehyde, n-nonylaldehyde, n-decylaldehyde, formaldehyde , acetaldehyde, benzaldehyde, and the like. For example, as the polyvinyl acetal resin, polyvinyl butyral, which is a resin obtained by acetalizing polyvinyl alcohol with butyraldehyde, or polyvinyl formal, which is a resin obtained by acetalizing polyvinyl alcohol, with formaldehyde, is used. Among these, the use of polyvinyl butyral resin is preferable from the viewpoints of flexibility of the transparent base material, penetration impact resistance as an intermediate layer such as glass, lamination workability as an intermediate layer such as glass, color clearness, transparency, and the like.

수지층(1)을 투명 기재로서 이용한 경우, 투명 기재의 투명성 유지, 수지층의 가요성, 구리층과의 밀착성 유지 등의 관점에서 수지층(1)에서의 폴리비닐아세탈 수지의 함유량은 50질량% 이상이 전형적이다. 수지층(1)에는 폴리비닐아세탈 수지와 더불어, 예를 들면, 수산기 함유 화합물과 카르복실산 함유 화합물의 에스테르 화물 등으로 구성되는 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 실란 커플링제나 실리콘 화합물 등의 접착성 부여제 등이 적절히 함유될 수 있다. When the resin layer 1 is used as a transparent substrate, the content of the polyvinyl acetal resin in the resin layer 1 is 50 mass from the viewpoints of maintaining the transparency of the transparent substrate, flexibility of the resin layer, and maintaining adhesion to the copper layer. % or more is typical. In the resin layer 1, in addition to polyvinyl acetal resin, for example, a plasticizer composed of hydroxyl group-containing compound and ester compound of carboxylic acid-containing compound, etc., antioxidant, ultraviolet absorber, silane coupling agent, adhesion of silicone compound, etc. A gender imparting agent and the like may be appropriately contained.

수지층(1)은 압출 성형법, 캐스팅법, 코팅법, 또는 이들의 조합 등, 종래 공지 중 어느 성형 방법으로 성형되어도 된다. 또한, 수지층(1)은 시판품의 폴리비닐아세탈 수지 필름을 구입하여 사용해도 된다. The resin layer 1 may be molded by any conventionally known molding method such as an extrusion molding method, a casting method, a coating method, or a combination thereof. In addition, the resin layer 1 may purchase and use a commercially available polyvinyl acetal resin film.

수지층(1)의 두께는 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 회로 부착 적층체를 표시 소자, 터칭 패널 및 창문 유리의 열선 등 중 어느 용도로 이용할지에 따라 다르지만, 적층체(10)의 핸들링성 등도 고려하여 일반적으로 30㎛ 이상, 3000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이상, 1500㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또 수지층(1)의 표면은 유리 등의 중간층의 접합 시의 거품 제거를 위해 엠보스 처리가 실시되어 있어도 된다. The thickness of the resin layer 1 varies depending on whether the laminate with a circuit obtained by the method of the present invention is used for a display element, a touch panel, or a heating wire for a window glass, but the handling properties of the laminate 10 are also Considering this, it is generally preferable that it is 30 μm or more and 3000 μm or less, and more preferably 100 μm or more and 1500 μm or less. Moreover, the surface of the resin layer 1 may be embossed for the purpose of removing bubbles at the time of joining an intermediate layer, such as glass.

적층체(10)는 도 1의 (a) 및 (b)의 공정과 같이, 수지층(1)과 구리층(2)을 적층시켜서 적층체(10)을 제조하는 경우에는 가열 압착에 의한 방법을 이용할 수 있다. 가열 압착기로는 진공 라미네이터, 진공 프레스기 등을 이용할 수 있다. 가열 온도는 40℃ 이상 120℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 50℃ 이상 90℃ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 가압력은 0.2㎫ 이상 10㎫ 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.5㎫ 이상 5㎫ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 가압 시간은 30초 이상 120초 이하인 것이 바람직하다. 적층체(10)에서의 수지층(1)과 구리층(2) 사이는 접착제층을 개재시키지 않고 직접 접합되어 있는 것이 회로 부착 적층체를 형성했을 때의 수지층(1)의 투명성을 유지하는 효과가 한층 더 높이 발휘되는 점에서 바람직하다. 캐리어 부착 동박에서의 구리층을 수지층(1)과 상기 방법으로 적층시킨 경우는 적층 후에 캐리어를 기계적으로 박리한다. In the case of manufacturing the laminate 10 by laminating the resin layer 1 and the copper layer 2, as in the steps of (a) and (b) of FIG. 1, the laminate 10 is a method by heat compression is available. A vacuum laminator, a vacuum press machine, etc. can be used as a heat press machine. The heating temperature is preferably 40°C or more and 120°C or less, more preferably 50°C or more and 90°C or less, and the pressing force is preferably 0.2 MPa or more and 10 MPa or less, and 0.5 MPa or more and 5 MPa or less. More preferably, the pressing time is preferably 30 seconds or more and 120 seconds or less. The fact that the resin layer 1 and the copper layer 2 in the laminate 10 are directly bonded without an adhesive layer intervenes maintains the transparency of the resin layer 1 when a laminate with a circuit is formed. It is preferable at the point where an effect is exhibited still higher. When the copper layer in copper foil with a carrier is laminated|stacked with the resin layer 1 by the said method, a carrier is mechanically peeled after lamination|stacking.

도 1(c)에 도시하는 바와 같이, 서브트랙티브법에서는 상기 적층체(10)에 있어서, 구리층(2)이 노출된 제1 개구부(8)가 형성되도록 에칭 레지스트층(3)이 구리층(2)에서의 수지층(1)과 반대 측의 표면에 마련된다. 에칭 레지스트층(3)은 스크린 인쇄나 다이렉트 이미징에 의한 배선 패턴과 동일한 형상으로 도포하는 공법에 이용하는 도포형 레지스트, 도포 내지 적층, 이어서 노광, 현상과 같은 공정을 경유하여 배선 패턴과 동일한 이미지를 형성하는 공법에 이용하는 포토레지스트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 패턴의 가공 정밀도, 패턴 형성의 가공 속도 등의 점으로부터 에칭 레지스트층(3)은 포토레지스트로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 적층체(10)에서의 구리층(2)의 상부면의 전체 면이 포토레지스트로 이루어지는 층을 마련하고, 이어서 이 층에서의 배선 패턴이 되는 부위를 노광하며, 또한 배선 패턴이 되는 부위 이외를 현상 제거함으로써 제1 개구부(8)가 형성된 에칭 레지스트층(3)이 얻어진다. 포토레지스트로는 노광 부분이 경화되는 네가티브형 또는 그 반대로 노광 부분이 용해되는 포지티브형 중 어느 것을 이용해도 된다. 구체적으로는 (메타)아크릴산의 에스테르 등의 아크릴계 수지가 바람직하게 이용된다. 에칭 레지스트층(3)의 두께는 에칭 시에서의 구리층에 대한 밀착성을 높이는 관점 등으로부터 1㎛ 이상 30㎛ 이하가 바람직하고, 3㎛ 이상 25㎛ 이하가 보다 바람직하다. As shown in FIG. 1(c), in the subtractive method, in the layered body 10, the etching resist layer 3 is formed by forming the first opening 8 through which the copper layer 2 is exposed. It is provided on the surface of the opposite side to the resin layer (1) in the layer (2). The etching resist layer 3 forms the same image as the wiring pattern through processes such as application or lamination, followed by exposure and development The photoresist used for the construction method etc. are mentioned. Among these, it is preferable that the etching resist layer 3 consists of a photoresist from points, such as processing precision of a pattern and processing speed of pattern formation. In this case, a layer in which the entire surface of the upper surface of the copper layer 2 in the laminate 10 is made of a photoresist is provided, and then a portion of this layer to be a wiring pattern is exposed, further forming a wiring pattern. The etching resist layer 3 in which the 1st opening part 8 was formed is obtained by removing development other than a site|part. As the photoresist, either a negative type in which the exposed portion is cured or a positive type in which the exposed portion is dissolved conversely may be used. Specifically, acrylic resins such as esters of (meth)acrylic acid are preferably used. The thickness of the etching resist layer 3 is preferably 1 µm or more and 30 µm or less, and more preferably 3 µm or more and 25 µm or less, from the viewpoint of enhancing adhesion to the copper layer during etching.

제2 공정에서는 구리에 대한 에칭능을 가지고 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액을 이용하여, 도 1의 (d)에 도시하는 바와 같이, 에칭 레지스트층(3)의 제1 개구부(8)에 있어서 노출된 구리층(2)을 제거하여 수지층(1)에서의 구리층(2) 측의 면(1a)를 노출시킨다. In the second step, as shown in FIG. 1(d), using an etchant having copper etching ability and substantially containing no chlorine, in the first opening 8 of the etching resist layer 3 The exposed copper layer 2 is removed to expose the surface 1a of the resin layer 1 on the copper layer 2 side.

에칭액이 염소를 실질적으로 비함유한다는 것은, 에칭액 중의 염소의 함유량이 100㎎/L 이하인 것을 의미하고, 이 범위이면 본 발명의 수지층의 황변 방지에 영향을 미치지 않는 점에서 바람직하다. 보다 바람직하게는 에칭액 중의 염소의 함유량은 50㎎/L 이하이며, 보다 바람직하게는 10㎎/L 이하, 더욱 바람직하게는 2㎎/L 이하이다. 에칭액 중의 염소의 농도는, 예를 들면, 전극법이나 DPD법(디에틸-p-페닐렌디아민 법) 등 종래 공지의 방법에 의해 측정할 수 있다. That the etchant is substantially free of chlorine means that the chlorine content in the etchant is 100 mg/L or less, and within this range, it is preferable in that prevention of yellowing of the resin layer of the present invention is not affected. More preferably, the content of chlorine in the etching solution is 50 mg/L or less, more preferably 10 mg/L or less, still more preferably 2 mg/L or less. The concentration of chlorine in the etching solution can be measured by a conventionally known method such as an electrode method or a DPD method (diethyl-p-phenylenediamine method).

구리에 대한 에칭능을 가지고 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액에서의 에칭제로는 과황산 금속염 및 과황산 암모늄염, 황산과 과산화수소의 혼합 용액, 황산과 황산철의 혼합 용액 등을 들 수 있다. 특히 과황산염을 이용하면 에칭 처리에 의한 에칭 레지스트층(3)의 형상이나 에칭 레지스트층(3)의 구리층(2)에 대한 밀착성에 대한 영향이 억제되고, 에칭 후에 얻어지는 배선 패턴이 양호해지기 때문에 바람직하다. 그 이유는 과황산염을 이용한 경우에 에칭 레지스트층(3)의 용해가 일어나기 어렵기 때문일 것으로 본 발명자는 추측하고 있다. 과황산염으로는 수지층(1)의 황변 방지 및 에칭에 의한 회로 패턴의 양호한 형성성의 양립의 효과를 높이는 점, 및 에칭 시의 수지층(1)에 대한 금속 성분의 흡착 방지 면에서 과황산의 알칼리 금속염이 바람직하다. 과황산의 알칼리 금속염 중에서도 과황산 나트륨 또는 과황산 칼륨(페록소이황산 나트륨 또는 페록소이황산 칼륨이라고 불리는 경우도 있음)이 입수 용이성 등의 점에서 바람직하다. 이들의 에칭제는 1종 또는 2종 이상을 조합시켜서 이용할 수 있다. Etching agents in the etchant having copper etching ability and substantially not containing chlorine include metal persulfate salts and ammonium persulfate salts, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixed solution of sulfuric acid and iron sulfate, and the like. In particular, when persulfate is used, the influence of the etching process on the shape of the etching resist layer 3 or the adhesion of the etching resist layer 3 to the copper layer 2 is suppressed, and the wiring pattern obtained after etching is improved. desirable because The present inventors speculate that the reason is that dissolution of the etching resist layer 3 is difficult to occur when persulfate is used. As persulfate, persulfuric acid is used in terms of preventing yellowing of the resin layer 1 and improving the effect of good formability of circuit patterns by etching, and preventing adsorption of metal components to the resin layer 1 during etching. Alkali metal salts are preferred. Among the alkali metal salts of persulfuric acid, sodium persulfate or potassium persulfate (sometimes referred to as sodium peroxodisulfate or potassium peroxodisulfate) is preferred in terms of availability and the like. These etching agents can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

에칭액에서의 에칭제를 용해하는 용매로는 물이 이용되고, 침지법, 샤워법 등을 적절히 채용할 수 있다. 과황산염은 구리층 에칭 속도의 안정성, 교반 속도나 샤워 압력의 편차에 의한 불균형 반응의 방지 등의 점에서 에칭액 중에 50g/L 이상 300g/L 이하의 농도로 함유되어 있는 것이 보다 바람직하고, 80g/L 이상 200g/L 이하의 농도로 함유되어 있는 것이 특히 바람직하다. 에칭액 중의 과황산염의 농도는 역적정법을 이용하여 측정할 수 있다. Water is used as a solvent for dissolving the etchant in the etchant, and an immersion method, a shower method, or the like can be appropriately employed. Persulfate is more preferably contained in a concentration of 50 g/L or more and 300 g/L or less in the etching solution from the viewpoint of stability of copper layer etching rate, prevention of imbalance reaction due to variation in agitation speed or shower pressure, etc. It is especially preferred that it is contained in a concentration of L or more and 200 g/L or less. The concentration of persulfate in the etchant can be measured using a back titration method.

에칭액에는 본 발명의 효과를 해하지 않는 범위에서 상기에서 말한 에칭제 이외의 다른 성분을 함유할 수 있다. 그러한 성분으로는 황산, 계면활성제, 알코올, 소포제(消泡劑) 등을 들 수 있다. The etchant may contain components other than the above-mentioned etchant within a range not impairing the effects of the present invention. Examples of such components include sulfuric acid, surfactants, alcohols, and antifoaming agents.

에칭 시에서의 에칭액의 온도는 에칭 속도의 확보 면과, 액 성분의 안정 유지의 관점에서 22℃ 이상 60℃ 이하가 바람직하고, 25℃ 이상 50℃ 이하가 보다 바람직하다. The temperature of the etchant at the time of etching is preferably 22 ° C. or more and 60 ° C. or less, and more preferably 25 ° C. or more and 50 ° C. or less from the viewpoint of securing the etching rate and maintaining the stability of the liquid components.

에칭 시간은 구리층의 두께나 레지스트 개구 폭, 완성 치수, 에칭액의 에칭 레이트 등의 관계 등에 의해 적절히 조정되는 것이다. The etching time is appropriately adjusted depending on the relationship such as the thickness of the copper layer, the width of the resist opening, the finished size, and the etching rate of the etchant.

에칭 방법으로는 스프레이법 및 침지법 등 공지의 방법을 채용할 수 있다. 본 발명의 방법은 에칭 레지스트층(3)의 제1 개구부(8) 내에 위치하는 수지층(1)의 전부 또는 일부를 노출시킨다. As an etching method, a known method such as a spray method and an immersion method can be employed. The method of the present invention exposes all or part of the resin layer 1 positioned within the first opening 8 of the etching resist layer 3.

이상의 공정에 의해 배선 패턴 부착 수지 적층체(9)가 얻어진다. 에칭 후, 얻어진 에칭물을 물 등의 세정액으로 세정한다. 세정액은 염소를 실질적으로 비함유하는 것이 바람직하다. 염소를 실질적으로 비함유한다란, 구체적으로는 세정액에서의 염소의 함유량이 100㎎/L 이하인 것을 가리킨다. 이 염소 함유량은 50㎎/L 이하인 것이 바람직하고, 10㎎/L 이하인 것이 보다 바람직하다. Through the above process, the resin laminate 9 with a wiring pattern is obtained. After etching, the obtained etchant is washed with a cleaning liquid such as water. The cleaning liquid is preferably substantially free of chlorine. "Substantially not containing chlorine" refers specifically to the fact that the content of chlorine in the washing liquid is 100 mg/L or less. It is preferable that this chlorine content is 50 mg/L or less, and it is more preferable that it is 10 mg/L or less.

이어서, 에칭 레지스트층(3)이 상기 에칭 공정에 있어서 제거되지 않을 경우는 임의 공정으로서 도 1의 (e)과 같이 에칭 레지스트층(3)의 제거를 실시하면 된다. 에칭 레지스트층(3)의 제거는, 예를 들면, 공지의 포토레지스트층을 박리 제거하는 약제를 적절히 선택하여 이용할 수 있고, 예를 들면 가성(苛性) 소다 수용액(2~5질량% 등) 등을 스프레이 내지 침지하여 포토레지스트층을 박리 제거할 수 있다. Next, when the etching resist layer 3 is not removed in the above etching step, the etching resist layer 3 may be removed as shown in FIG. 1(e) as an optional step. For removal of the etching resist layer 3, for example, a known photoresist layer exfoliating agent can be appropriately selected and used. The photoresist layer may be stripped and removed by spraying or dipping.

본 발명의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법은 서브트랙티브법뿐만 아니라 애디티브법에도 적용할 수 있다. 애디티브법에 적용하는 예를 도 2에 기초하여 설명한다. The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern of this invention is applicable not only to the subtractive method but also to the additive method. An example applied to the additive method will be described based on FIG. 2 .

애디티브법의 경우의 제1 공정에서는 도 2(a) 및 (b)와 같이, 수지층과 구리층의 적층체로서 시드층을 구리층(12)으로 하는 적층체(110)를 이용한다. 시드층은 이 표면에 전기 도금에 의해 금속층(후술하는 배선 패턴층(14))을 적층할 때의 전극이 되는 층이다. 수지층(11)으로는 서브트랙티브법의 경우에 설명한 상기의 수지층(1)과 동일한 것이 이용된다. 시드층의 형성에는 무전해 도금법, 기상 성막법, 캐리어 부착 동박을 이용한 동박 적층법 등을 들 수 있다. 그 중에서, 무전해 도금법에 의해 형성될 때에는 도금액 중의 염소가 수지층(110)을 변색시키는 경우가 있다. 또한, 기상 성막법에 의한 방법은 스패터링법 또는 진공 증착법을 들 수 있는데, 기상 성막법에 의한 방법은 수지층(1)이 폴리비닐아세탈 수지일 경우, 수지 성분의 승화에 의해 시드층 내에 컨테미네이션이 존재하는 경우가 있다. 이들 점에서, 캐리어 부착 동박을 이용한 동박 적층법이 염소 변색 방지나 시드층 내의 컨테미네이션 오염 방지 면에서 가장 바람직하다. 시드층의 두께는 후술하는 플래시 에칭의 용이함 등의 관점에서 0.2㎛ 이상 5.0㎛ 이하가 바람직하고, 0.3㎛ 이상 3.0㎛ 이하가 보다 바람직하다. In the first step in the case of the additive method, as shown in Figs. 2 (a) and (b), a laminate 110 having a copper layer 12 as a seed layer is used as a laminate of a resin layer and a copper layer. The seed layer is a layer serving as an electrode when a metal layer (wiring pattern layer 14 described later) is laminated on the surface by electroplating. As the resin layer 11, the same resin layer 1 as described in the case of the subtractive method is used. Formation of the seed layer includes an electroless plating method, a vapor phase film forming method, and a copper foil lamination method using a copper foil with a carrier. Among them, when formed by the electroless plating method, chlorine in the plating solution may discolor the resin layer 110. In addition, the method by the vapor phase film formation method may include a sputtering method or a vacuum deposition method. In the case of the method by the vapor phase film formation method, when the resin layer 1 is a polyvinyl acetal resin, the resin component is sublimated into the seed layer. Terminations may exist. From these points, the copper foil lamination method using copper foil with a carrier is most preferable in terms of preventing chlorine discoloration and preventing contamination by contamination in the seed layer. The thickness of the seed layer is preferably 0.2 μm or more and 5.0 μm or less, and more preferably 0.3 μm or more and 3.0 μm or less, from the viewpoint of ease of flash etching, which will be described later.

동박 적층법에 채용하는 캐리어 부착 동박이나, 동박 적층 조건 등은 전술한 서브트랙티브법의 설명과 동일하다. The copper foil with a carrier employed in the copper foil lamination method, the copper foil lamination conditions, and the like are the same as those of the subtractive method described above.

이어서, 도 2(c)와 같이 적층체(110)에서의 구리층(12) 상에 상기 구리층(12)이 노출된 제2 개구부(17)가 형성되도록, 도금 레지스트층(13)이 구리층(12)에서의 수지층(11)과 반대 측의 표면에 마련된다. 이러한 도금 레지스트층(13)은 포토레지스트로 이루어지는 것이 바람직하다. 이 경우, 적층체(110)에서의 구리층(12)의 상부면의 전체 면이 포토레지스트로 이루어지는 층을 마련하고, 이어서, 배선 패턴을 노광하고, 또한 포토레지스트로 이루어지는 층에서의 배선 패턴이 되는 부위를 현상 제거한다. 이 공정에 의해, 제2 개구부(17)가 형성된 도금 레지스트층(13)이 얻어진다. 도금 레지스트층(13)의 두께는 형성하고자 하는 배선 패턴층(14)의 높이보다 두꺼운 것이 바람직하다. Subsequently, as shown in FIG. 2(c), the plating resist layer 13 is formed on the copper layer 12 in the laminate 110 so that the second opening 17 through which the copper layer 12 is exposed is formed. It is provided on the surface of the layer 12 opposite to the resin layer 11. The plating resist layer 13 is preferably made of photoresist. In this case, a layer in which the entire upper surface of the copper layer 12 in the laminate 110 is made of photoresist is provided, and then the wiring pattern is exposed to light, and the wiring pattern in the layer made of photoresist is further formed. Remove the symptoms of the affected area. Through this process, the plating resist layer 13 in which the second opening 17 is formed is obtained. The thickness of the plating resist layer 13 is preferably greater than the height of the wiring pattern layer 14 to be formed.

이어서 도 2(d)과 같이 제2 개구부(17) 내에 전해 도금법에 의해 금속층인 배선 패턴층(14)을 형성한다. 배선 패턴층(14)의 구성 금속으로는 통상 구리가 이용된다. 전해 도금법에서의 금속 도금액 중의 염소 농도는 100㎎/L 이하인 것이 바람직하고, 50㎎/L 이하인 것이 보다 바람직하다. 단, 수지층의 전해 도금면과 반대 측을 포토레지스트 등의 보호층으로 피복한 상태로 전해 도금을 실시하는 경우, 금속 도금액 중의 염소 농도는 반드시 낮은 필요는 없다. 배선 패턴층(14)의 두께는 통상 2.0㎛ 이상 30.0㎛ 이하이다. 그 후, 도 2(e)와 같이 도금 레지스트층(13)을 제거함으로써 구리층(12)이 노출된 제1 개구부(18)가 형성된 배선 패턴층(14)이 얻어진다. 도금 레지스트층(13)의 제거에는 수산화 나트륨 수용액이나 알카놀아민과 유기 용매와 물의 혼합액 등을 사용할 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 2(d), a wiring pattern layer 14, which is a metal layer, is formed in the second opening 17 by an electrolytic plating method. As a constituent metal of the wiring pattern layer 14, copper is usually used. It is preferable that it is 100 mg/L or less, and, as for the chlorine concentration in the metal plating solution in the electrolytic plating method, it is more preferable that it is 50 mg/L or less. However, when electrolytic plating is performed in a state where the side opposite to the electrolytic plating surface of the resin layer is covered with a protective layer such as photoresist, the chlorine concentration in the metal plating solution is not necessarily low. The thickness of the wiring pattern layer 14 is usually 2.0 μm or more and 30.0 μm or less. Thereafter, by removing the plating resist layer 13 as shown in FIG. 2(e), the wiring pattern layer 14 having the first opening 18 through which the copper layer 12 is exposed is formed. For the removal of the plating resist layer 13, an aqueous solution of sodium hydroxide or a mixture of an alkanolamine, an organic solvent, and water can be used.

이어서 제2 공정으로서 플래시 에칭을 실시한다. 구체적으로는 도 2(f)에 도시하는 바와 같이, 제1 개구부(18)에 있어서 노출된 구리층(12)을, 구리에 대한 에칭능을 가지고, 또한 염소를 실질적으로 비함유하는 에칭액을 이용하여 제거한다. 이로 인해, 수지층(11)에서의 구리층(12) 측의 면을 노출시킨다. Subsequently, flash etching is performed as a second process. Specifically, as shown in FIG. 2(f), the copper layer 12 exposed in the first opening 18 is formed using an etchant having copper etching ability and substantially containing no chlorine. and remove it For this reason, the surface of the resin layer 11 on the copper layer 12 side is exposed.

상기 에칭액에서의 에칭제 및 용매로는 각각 서브트랙티브법의 경우와 동일한 것을 이용할 수 있다. As the etchant and the solvent in the etchant, the same ones as in the case of the subtractive method may be used.

이상과 같이 하여 애디티브법에 의한 배선 패턴 부착 수지 적층체로서, 수지층(11) 상에 회로가 형성된 회로 부착 적층체(19)를 얻을 수 있다. As described above, as a resin laminate with a wiring pattern by the additive method, a laminate with a circuit 19 in which a circuit is formed on the resin layer 11 can be obtained.

애디티브법에서의 본 발명의 방법의 그 밖의 점은 서브트랙티브법의 경우와 동일하다. Other points of the method of the present invention in the additive method are the same as in the case of the subtractive method.

이상과 같이 하여 얻어지는 본 발명의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층 상에 구리의 회로가 형성된 소자는, 그 수지층의 변색이 효과적으로 방지되고 있기 때문에, 투명 수지층 본래의 클리어한 색조가 유지되고 있고, 수지층의 투명성을 이용한 소자, 예를 들면 교통 신호나 도로 표식 등의 발광 표시 소자나, 디스플레이 전면의 터치 패널에 있어서 이용되는 것 이외에, 빌딩의 창문 유리나 쇼윈도우의 열선, 차량에서의 앞 유리, 뒷 유리 등의 창문 유리의 열선 등으로서 바람직하게 이용된다. 창문 유리의 열선은 디프로스터, 디포거 등으로서 사용되고, 맞춤 유리의 중간층 등에 배치된다. In the element in which a copper circuit is formed on a resin layer containing a polyvinyl acetal resin obtained by the method for producing a resin laminate with a wiring pattern of the present invention obtained as described above, discoloration of the resin layer is effectively prevented. Therefore, the original clear color tone of the transparent resin layer is maintained, and in addition to being used in elements utilizing the transparency of the resin layer, for example, light emitting display elements such as traffic signals and road signs, and touch panels on the front surface of displays, It is preferably used as a heating wire for a window glass or a shop window in a building, or a heating wire for a window glass such as a windshield or rear window in a vehicle. The heat wire of the window glass is used as a defroster, defogger, etc., and is placed in the middle layer of custom glass, etc.

실시예 Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명의 범위는 이러한 실시예에 제한되지 않는다. 특별히 언급이 없는 한 "%"는 "질량%"를 의미한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples. However, the scope of the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, "%" means "% by mass".

[실시예 1] [Example 1]

(공정 1) (Process 1)

도 1에 도시하는 서브트랙티브법의 순서에서의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법을 평가했다. The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern in the procedure of the subtractive method shown in FIG. 1 was evaluated.

수지층(1)으로서 가소제(디헥실아디핀산: DHA)가 배합된 시판의 폴리비닐부티랄 수지 필름(그레이드: Architecture Use, 컬러: 클리어, 두께: 760㎛)을 이용했다. 상기의 폴리비닐부티랄 수지 필름에 진공 라미네이터로 60℃, 30초, 1㎫의 조건으로 캐리어 부착 동박(캐리어: 두께 18㎛의 동박, 박리층: 카르복시벤조트리아졸, 극박 동박 두께: 5㎛)을, 극박 동박이 수지 필름과 접촉하도록 적층한 후, 기계적으로 캐리어를 박리하여 수지층(1) 및 구리층(2)을 가지는 적층체(10)를 제작했다. 이 위에 포토레지스트(두께 5㎛)를 이용하여 레지스트 마스크를 형성했다. 이어서, 패턴을 형성하는 부분을 마스크한 포토마스크를 이용해서 자외선 조사를 실시하여 배선 패턴을 형성한 후, 현상액으로서 탄산 나트륨 용액을 이용하여 현상을 실시하고, 배선 패턴 부분 이외를 제거하여 구리층(2)이 노출된 제1 개구부(8)를 가지는 에칭 레지스트층(3)을 형성했다(배선 형성부의 라인/스페이스(L/S): 10㎛/2000㎛). As the resin layer 1, a commercially available polyvinyl butyral resin film (grade: Architecture Use, color: clear, thickness: 760 µm) to which a plasticizer (dihexyladipic acid: DHA) was blended was used. Copper foil with a carrier (carrier: copper foil with a thickness of 18 μm, release layer: carboxybenzotriazole, ultra-thin copper foil thickness: 5 μm) was laminated so that the ultra-thin copper foil was in contact with the resin film, and then the carrier was mechanically peeled off to produce a laminate 10 having the resin layer 1 and the copper layer 2. On this, a resist mask was formed using a photoresist (thickness: 5 μm). Then, after ultraviolet irradiation was performed using a photomask masking the portion forming the pattern to form a wiring pattern, development was performed using a sodium carbonate solution as a developing solution, and parts other than the wiring pattern portion were removed to form a copper layer ( 2) An etching resist layer 3 having an exposed first opening 8 was formed (line/space (L/S) of the wiring forming portion: 10 µm/2000 µm).

(공정 2) (Process 2)

과황산 나트륨(농도: 150g/L)의 수용액을 에칭액에 이용했다. 이 에칭액 중의 염소 농도는 1㎎/L였다. 이 에칭액(30℃)을 이용하여, 공정 1에서 얻어진 적층체에 침지법으로 개구부(8)에 대한 잔사가 딱 보이지 않게 되는 저스트 에칭의 조건으로 에칭 처리를 실시했다. 에칭 후, 물(염소 농도 1㎎/L)로 회로를 세정한 후, 5%의 수산화 나트륨 수용액을 이용하여 레지스트를 제거하고, 다시 상기의 물로 세정하여 건조시켰다. 얻어진 회로 부착 적층체 샘플을 작성하고, 이하의 방법으로 수지 황변도와 에칭 시의 레지스트 밀착성을 평가했다. An aqueous solution of sodium persulfate (concentration: 150 g/L) was used for the etching solution. The chlorine concentration in this etchant was 1 mg/L. Using this etchant (30°C), the laminate obtained in step 1 was immersed in an etching process under conditions of just etching in which the residue to the opening 8 was not clearly visible. After etching, the circuit was washed with water (chlorine concentration: 1 mg/L), then the resist was removed using a 5% sodium hydroxide aqueous solution, washed again with the above water and dried. The obtained laminated body sample with a circuit was created, and resin yellowing degree and resist adhesion at the time of etching were evaluated by the following method.

(수지 황변도) (resin yellowing degree)

색차계: 스가 시험기(주) "Colour Cute i"를 이용해서 JIS K 7373에 준거하고, 표준 일루미넌트 D65을 사용하여 X10Y10Z10 표색계에서의 황색도 YI를 하기 식으로 구했다. 동박을 적층하지 않는 샘플을 블랭크로 하고, 이 블랭크와 에칭 처리 후의 샘플의 황색도 YI의 증가율(%)을 구했다. 얻어진 증가율에 기초하여 하기 평가 기준으로 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Color difference meter: Using Suga Test Instruments Co., Ltd. "Colour Cute i" in accordance with JIS K 7373, using standard illuminant D 65 , the yellowness YI in the X 10 Y 10 Z 10 color system was determined by the following formula. A sample in which no copper foil was laminated was used as a blank, and the yellowness YI increase rate (%) of the blank and the sample after the etching treatment was determined. Based on the obtained increase rate, it was evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

A: 증가율 0.3% 미만 A: increase rate less than 0.3%

B: 증가율 0.3% 이상 1.0% 미만 B: increase rate of 0.3% or more and less than 1.0%

C: 증가율 1.0% 이상 3.0% 미만 C: increase rate of 1.0% or more and less than 3.0%

D: 증가율 3.0% 이상 D: increase rate of 3.0% or more

YI=100(1.3013X10-1.1498Z10)/Y10 YI=100(1.3013X 10 -1.1498Z 10 )/Y 10

(에칭 시의 레지스트 밀착성) (Resist Adhesion during Etching)

에칭 후의 패턴의 불량률을 라인/스페이스(L/S): 10㎛/2000㎛의 배선 패턴에 대하여 실체 현미경(200배)으로 배선 50개를 관찰했다. 각 배선에 있어서, 패턴의 쪼개짐이 있는 경우를 불량이라고 판정하고, 이들의 패턴 불량률(%){(불량이라고 판정된 배선의 수/관찰한 배선 50개)×100}을 산출했다. 이 패턴 불량률에 기초하여 하기 기준에 의해 에칭 시의 레지스트 밀착성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. For the defect rate of the pattern after etching, line/space (L/S): 50 wires were observed with a stereo microscope (200x) for a wiring pattern of 10 µm/2000 µm. In each wiring, the case where there was a crack in the pattern was determined to be defective, and the pattern defect rate (%) {(the number of wirings determined to be defective/50 wires observed)×100} was calculated. Based on this pattern defect rate, the resist adhesion during etching was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1.

A: 패턴 불량률 5% 미만 A: Pattern defect rate less than 5%

B: 패턴 불량률 5% 이상 10% 미만 B: pattern defect rate 5% or more and less than 10%

C: 패턴 불량률 10% 이상 20% 미만 C: pattern defect rate of 10% or more and less than 20%

D: 패턴 불량률 20% 이상 D: pattern defect rate of 20% or more

[실시예 2] [Example 2]

황산/과산화수소수계 에칭제(멜텍스 가부시키가이샤 제품, 엔프레이트 E-462, 황산 농도: 70g/L, 과산화수소수 농도: 10g/L)를 이용했다. 이 에칭액 중의 염소 농도는 0.5㎎/L였다. 이 에칭액을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 회로 부착 적층체를 제작하여 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. A sulfuric acid/hydrogen peroxide aqueous etchant (Enfrate E-462 manufactured by Meltex Co., Ltd., sulfuric acid concentration: 70 g/L, hydrogen peroxide concentration: 10 g/L) was used. The chlorine concentration in this etchant was 0.5 mg/L. A laminate with a circuit was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that this etchant was used. The results are shown in Table 1.

[비교예 1] [Comparative Example 1]

물에 염화제2구리 및 염산을 첨가, 혼합하고, 염화제2구리의 농도 약 135g/L, 염산 농도 105g/L의 수용액(염소 농도로서 102g/L)을 조제했다. 이 수용액을 에칭액으로서 이용하여 에칭 처리 온도를 45℃로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 회로 부착 적층체를 제작하여 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. Cupric chloride and hydrochloric acid were added to water and mixed to prepare an aqueous solution having a cupric chloride concentration of about 135 g/L and a hydrochloric acid concentration of 105 g/L (chlorine concentration: 102 g/L). A laminate with a circuit was produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that this aqueous solution was used as an etchant and the etching treatment temperature was 45°C. The results are shown in Table 1.

[비교예 2] [Comparative Example 2]

A 프로세스(멜텍스 가부시키가이샤 제품, 상품명)의 원액을 그대로 에칭액으로서 이용한 것 이외에, 처리 온도를 45℃로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 회로 부착 적층체를 제작하여 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. A laminate with a circuit was produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the undiluted solution of Process A (Meltex Co., Ltd., trade name) was used as an etchant, and the treatment temperature was 45°C. The results are shown in Table 1.

상기 원액 중, 암모니아 구리착염의 농도는 250g/L(구리 농도는 11g/L), 염화 암모니아의 농도는 150g/L(염소 농도로서 99g/L), 암모니아의 농도는 50g/L였다. In the stock solution, the concentration of ammonia copper complex salt was 250 g/L (copper concentration was 11 g/L), the concentration of ammonia chloride was 150 g/L (99 g/L as chlorine concentration), and the concentration of ammonia was 50 g/L.

[실시예 3] [Example 3]

본 실시예에서는 도 2에 도시하는 애디티브법의 순서에서의 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법을 평가했다. 수지층(11)으로서 실시예 1에서 이용한 폴리비닐부티랄 수지 필름을 준비하고, 이 표면에 극박 구리층의 두께가 2㎛인 점 이외에는 실시예 1에서 이용한 것과 동일한 캐리어 부착 동박을 적층 후, 캐리어를 박리하여 수지층(11) 상에 두께 2㎛의 시드층인 구리층(12)을 형성했다. 이 구리층(12) 상에 도금 레지스트(두께: 25㎛)를 이용하여 레지스트 마스크를 형성했다. 이어서 포토마스크을 이용하여 자외선 조사를 실시해서 배선 패턴을 형성한 후, 현상액으로서 탄산 나트륨 용액을 이용하여 현상을 실시하고, 배선 패턴 부분을 제거하여 구리층(12)이 노출된 제2 개구부(17)를 가지는 도금 레지스트층(13)을 형성했다. 이어서, 상기 도금 레지스트층의 상기 개구부에 전해 구리 도금에 의해 두께 20㎛, 라인/스페이스=10㎛/200㎛의 패턴인 배선 패턴층(14)을 형성했다. 이어서 수산화 나트륨 수용액을 이용하여 도금 레지스트층(13)을 제거해서 제1 개구부(18)를 형성한 후, 과황산 나트륨(농도: 150g/L)의 수용액(염소 농도: 1㎎/L, 온도: 50℃)으로 에칭을 실시했다. 에칭 처리는 침지법에 의해 저스트 에칭될 때까지 실시했다. 에칭 후, 물(염소 농도 1㎎/L)로 적층체를 세정하여 건조했다. 얻어진 회로 부착 적층체에 대해서 상기의 방법으로 수지 황색도의 증가율을 구하여 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에는 수지 황변도 및 레지스트 밀착성으로서 A~D의 4단계의 평가와 더불어 황색도 증가율(%) 및 패턴 불량률(%)의 수치도 각각 함께 나타낸다. In this Example, the manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern in the sequence of the additive process shown in FIG. 2 was evaluated. A polyvinyl butyral resin film used in Example 1 was prepared as the resin layer 11, and the same copper foil with a carrier as that used in Example 1 was laminated on the surface except that the thickness of the ultra-thin copper layer was 2 μm. was peeled off to form a copper layer 12 as a seed layer having a thickness of 2 μm on the resin layer 11. A resist mask was formed on the copper layer 12 using a plating resist (thickness: 25 μm). Subsequently, after UV irradiation is performed using a photomask to form a wiring pattern, development is performed using a sodium carbonate solution as a developer, and the wiring pattern portion is removed to form a second opening 17 where the copper layer 12 is exposed A plating resist layer 13 having was formed. Next, a wiring pattern layer 14 having a thickness of 20 μm and a line/space = 10 μm/200 μm was formed in the opening of the plating resist layer by electrolytic copper plating. Next, the plating resist layer 13 is removed using an aqueous sodium hydroxide solution to form the first opening 18, and then an aqueous solution of sodium persulfate (concentration: 150 g/L) (chlorine concentration: 1 mg/L, temperature: 50°C) was etched. Etching treatment was performed until just etching by the immersion method. After etching, the laminate was washed with water (chlorine concentration: 1 mg/L) and dried. About the obtained laminated body with a circuit, the increase rate of resin yellowness was calculated|required by the said method, and it evaluated. The results are shown in Table 1. Table 1 shows resin yellowing and resist adhesion in four stages A to D, as well as numerical values of yellowness increase rate (%) and pattern defect rate (%), respectively.

Figure 112018029617514-pct00001
Figure 112018029617514-pct00001

표 1에 나타내는 바와 같이, 염소를 실질적으로 비함유하는 각 실시예의 에칭제를 이용함으로써 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층의 황변이 효과적으로 억제되고 있는 것에 비하여, 염소를 함유하는 에칭제를 이용한 각 비교예의 에칭제를 이용함으로써 수지가 황변하고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 서브트랙티브법에 있어서는 에칭 시의 밀착성(패턴 양호성)의 평가가, 에칭제로서 과황산염을 이용한 경우에 높은 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, yellowing of the resin layer containing polyvinyl acetal resin was effectively suppressed by using the etchant of each Example containing substantially no chlorine, whereas each etchant using an etchant containing chlorine was effectively suppressed. It turns out that resin is yellowing by using the etchant of the comparative example. Further, in the subtractive method, it is found that the evaluation of adhesion (pattern goodness) at the time of etching is high when persulfate is used as an etchant.

본 발명에 의하면, 폴리비닐아세탈 수지를 포함하는 수지층의 황변 방지성이 뛰어난 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern excellent in the yellowing prevention property of the resin layer containing polyvinyl acetal resin can be provided.

Claims (6)

폴리비닐아세탈 수지를 50질량% 이상 포함하는 수지층과 구리층의 적층체에서의 상기 구리층의 표면에, 상기 구리층이 노출된 제1 개구부(開口部)가 형성되도록 에칭 레지스트층 또는 배선 패턴층을 마련하는 공정과,
상기 제1 개구부에 있어서 노출된 상기 구리층을, 구리에 대한 에칭능을 가지고, 또한 실질적으로 염소를 비함유하는 에칭액을 이용하여 제거함으로써, 상기 수지층에서의 상기 구리층 측의 면을 노출시켜서 배선 패턴을 형성하는 공정을 구비한, 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
An etching resist layer or wiring pattern such that a first opening portion through which the copper layer is exposed is formed on the surface of the copper layer in the laminate of the resin layer containing 50% by mass or more of polyvinyl acetal resin and the copper layer. A step of preparing a layer;
The surface of the resin layer on the copper layer side is exposed by removing the copper layer exposed in the first opening using an etchant having copper etching ability and substantially containing no chlorine, The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern provided with the process of forming a wiring pattern.
제1항에 있어서,
상기 에칭액 중의 염소의 함유량이 100㎎/L 이하인, 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
According to claim 1,
The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern whose content of chlorine in the said etchant is 100 mg/L or less.
제1항에 있어서,
상기 적층체로서 시드층을 상기 구리층으로 하는 적층체를 이용하고,
상기 적층체에서의 상기 구리층 상에 상기 구리층이 노출된 제2 개구부가 형성되도록 도금 레지스트층을 마련하고, 이어서, 상기 제2 개구부 내에 전해 도금법에 의해 배선 패턴층을 형성한 후, 상기 도금 레지스트층을 제거함으로써 상기 구리층이 노출된 상기 제1 개구부가 형성되도록 상기 배선 패턴층을 마련하는 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
According to claim 1,
As the laminate, a laminate having a seed layer as the copper layer is used,
A plating resist layer is provided on the copper layer in the laminate so that a second opening through which the copper layer is exposed is formed, and then a wiring pattern layer is formed in the second opening by an electrolytic plating method, and then the plating The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern in which the said wiring pattern layer is provided so that the said 1st opening part which exposed the said copper layer may be formed by removing the resist layer.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 에칭액의 에칭제가 과황산염으로 이루어지는 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
According to any one of claims 1 to 3,
The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern in which the etching agent of the said etchant consists of a persulfate.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리비닐아세탈 수지가 폴리비닐부티랄 수지인 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
According to any one of claims 1 to 3,
The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern in which the said polyvinyl acetal resin is polyvinyl butyral resin.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적층체로서 동박의 한 면에 상기 수지층이 적층되어 이루어지는 수지층 부착 동박을 이용하는 배선 패턴 부착 수지 적층체의 제조 방법.
According to any one of claims 1 to 3,
The manufacturing method of the resin laminated body with a wiring pattern using the copper foil with a resin layer formed by laminating the said resin layer on one surface of copper foil as said laminated body.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110637345B (en) * 2017-09-19 2021-10-29 株式会社Lg化学 Electrode substrate for transparent light emitting device display and method of manufacturing the same
CN111326948B (en) * 2018-12-15 2023-04-07 深圳市中光工业技术研究院 Preparation method of laser chip
US20240227377A9 (en) 2021-02-19 2024-07-11 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method for producing laminate and heating element, and defroster
KR20230148149A (en) 2021-02-19 2023-10-24 미쓰이금속광업주식회사 Manufacturing method of laminated board and heating element and defroster
CN116761716A (en) 2021-02-19 2023-09-15 三井金属矿业株式会社 Method for manufacturing laminated plate and heating element, and defroster
CN118614143A (en) 2022-01-28 2024-09-06 三井金属矿业株式会社 Heating element, laminated glass and defroster
CN118575579A (en) 2022-01-28 2024-08-30 三井金属矿业株式会社 Heating element, laminated glass and defroster

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006124786A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Chem Co Ltd Etching solution for metal and method for manufacturing printed wiring board
JP2015003982A (en) * 2013-06-20 2015-01-08 住友ベークライト株式会社 Resin composition for forming primer layer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102002A (en) 2005-10-06 2007-04-19 Sekisui Chem Co Ltd Transparent heat generating panel
JP4736703B2 (en) * 2005-10-14 2011-07-27 宇部興産株式会社 Method for producing copper wiring polyimide film
JP2010087213A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Toppan Printing Co Ltd Method of manufacturing printed wiring board
TWI499690B (en) * 2009-03-13 2015-09-11 Ajinomoto Kk Paste metal laminates
TWI480360B (en) * 2009-04-03 2015-04-11 Du Pont Etchant composition and method
KR101285512B1 (en) * 2010-10-22 2013-07-17 주식회사 엘지화학 Display device compring conductive pattern
JP5816045B2 (en) 2011-09-30 2015-11-17 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil for printed wiring board excellent in productivity and laminated board using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006124786A (en) * 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Chem Co Ltd Etching solution for metal and method for manufacturing printed wiring board
JP2015003982A (en) * 2013-06-20 2015-01-08 住友ベークライト株式会社 Resin composition for forming primer layer

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