KR102539566B1 - Ultraviolet light emitting device - Google Patents
Ultraviolet light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102539566B1 KR102539566B1 KR1020210113919A KR20210113919A KR102539566B1 KR 102539566 B1 KR102539566 B1 KR 102539566B1 KR 1020210113919 A KR1020210113919 A KR 1020210113919A KR 20210113919 A KR20210113919 A KR 20210113919A KR 102539566 B1 KR102539566 B1 KR 102539566B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- contact electrode
- layer
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 10
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 9
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시예는, 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 복수 개의 발광부를 포함하고, 상기 복수 개의 발광부는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 컨택 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 상에 배치되는 제1 커버 전극; 및 상기 제2 컨택 전극 상에 배치되는 제2 커버 전극을 포함하고, 상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 식각 영역에 형성된 중간층을 포함하고, 상기 중간층은 상기 제1 도전형 반도체층보다 알루미늄 조성이 낮고, 상기 중간층은 상기 복수 개의 발광부 사이에 배치되는 제1 중간 영역, 및 상기 제1 도전형 반도체층의 가장자리를 둘러싸고 상기 복수 개의 제1 중간 영역의 양단과 연결되는 제2 중간 영역을 포함하고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 중간 영역 상에 배치되는 제1 서브 전극, 및 상기 제2 중간 영역 상에 배치되는 제2 서브 전극을 포함하는 자외선 발광소자를 개시한다.Embodiments include a light emitting structure including a plurality of light emitting units disposed on a first conductivity type semiconductor layer, wherein the plurality of light emitting units include an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; a first contact electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer; a second contact electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer; a first cover electrode disposed on the first contact electrode; and a second cover electrode disposed on the second contact electrode, wherein the light emitting structure includes an intermediate layer formed in an etched region where the first conductivity-type semiconductor layer is exposed, and the intermediate layer is the first conductivity-type semiconductor layer. The middle layer has a lower aluminum composition than the layer, and the intermediate layer includes a first intermediate region disposed between the plurality of light emitting units and a second intermediate region surrounding edges of the first conductivity type semiconductor layer and connected to both ends of the plurality of first intermediate regions. An ultraviolet light emitting device including an intermediate region, wherein the first contact electrode includes a first sub-electrode disposed on the first intermediate region and a second sub-electrode disposed on the second intermediate region.
Description
실시예는 자외선 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to an ultraviolet light emitting device.
발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 중요한 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그곳에서 재결합되어 빛이 발생된다. 활성 영역에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출 표면을 통해 반도체 칩 밖으로 탈출한다. LED의 패키징은 일반적으로 탈출하는 빛을 희망하는 출력 방출 형태로 지향하는데 사용된다.A light emitting diode (LED, Light Emitting Diode) is a kind of important solid-state device that converts electrical energy into light, and generally includes an active layer of a semiconductor material interposed between two opposite doping layers. When a bias is applied across the two doped layers, holes and electrons are injected into the active layer and recombine there to generate light. Light generated in the active region is emitted in all directions and escapes out of the semiconductor chip through all exposed surfaces. The packaging of an LED is generally used to direct the escaping light into the desired output emission form.
최근 수처리 및 살균제품 등의 수요가 급증함에 따라 자외선 발광소자에 대한 관심이 높아지고 있다. 고출력 자외선 발광소자에 대한 요구가 커짐에 따라 광출력을 향상시키기 위한 많은 연구 개발이 진행되고 있다.Recently, as demand for water treatment and sterilization products has rapidly increased, interest in ultraviolet light emitting devices has increased. As the demand for a high-output ultraviolet light emitting device increases, a lot of research and development is being conducted to improve light output.
그러나, 자외선 발광소자는 가시광 발광소자에 비해 전류 분산 효율이 떨어져 발광 효율이 감소하는 문제가 있다.However, the UV light emitting device has a problem in that the luminous efficiency decreases due to lower current dissipation efficiency than the visible light emitting device.
실시예는 발광 효율이 개선된 자외선 발광소자를 제공한다.The embodiment provides an ultraviolet light emitting device having improved luminous efficiency.
실시예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.The problem to be solved in the embodiment is not limited thereto, and it will be said that the solution to the problem described below or the purpose or effect that can be grasped from the embodiment is also included.
본 발명의 일 특징에 따른 자외선 발광소자는, 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 복수 개의 발광부를 포함하고, 상기 복수 개의 발광부는 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 컨택 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 컨택 전극; 상기 제1 컨택 전극 상에 배치되는 제1 커버 전극; 및 상기 제2 컨택 전극 상에 배치되는 제2 커버 전극을 포함하고, 상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 식각 영역에 형성된 중간층을 포함하고, 상기 중간층은 상기 제1 도전형 반도체층보다 알루미늄 조성이 낮고, 상기 중간층은 상기 복수 개의 발광부 사이에 배치되는 제1 중간 영역, 및 상기 제1 도전형 반도체층의 가장자리를 둘러싸고 상기 복수 개의 제1 중간 영역의 양단과 연결되는 제2 중간 영역을 포함하고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 중간 영역 상에 배치되는 제1 서브 전극, 및 상기 제2 중간 영역 상에 배치되는 제2 서브 전극을 포함한다.An ultraviolet light emitting device according to one feature of the present invention includes a light emitting structure including a plurality of light emitting units disposed on a first conductivity type semiconductor layer, wherein the plurality of light emitting units includes an active layer and a second conductivity type semiconductor layer; a first contact electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer; a second contact electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer; a first cover electrode disposed on the first contact electrode; and a second cover electrode disposed on the second contact electrode, wherein the light emitting structure includes an intermediate layer formed in an etched region where the first conductivity-type semiconductor layer is exposed, and the intermediate layer is the first conductivity-type semiconductor layer. The middle layer has a lower aluminum composition than the layer, and the intermediate layer includes a first intermediate region disposed between the plurality of light emitting units and a second intermediate region surrounding edges of the first conductivity type semiconductor layer and connected to both ends of the plurality of first intermediate regions. and an intermediate region, wherein the first contact electrode includes a first sub-electrode disposed on the first intermediate region and a second sub-electrode disposed on the second intermediate region.
상기 제2 컨택 전극은 상기 제1 컨택 전극과 다른 재질을 포함할 수 있다.The second contact electrode may include a material different from that of the first contact electrode.
상기 제2 컨택 전극은 Au 또는 Rh를 포함할 수 있다.The second contact electrode may include Au or Rh.
상기 식각 영역 상에 형성되고 상기 중간층을 노출하는 제1 관통홀을 포함하는 제1 절연층을 포함하고, 상기 중간층과 상기 제1 관통홀 사이에는 제1 이격 영역이 형성될 수 있다.A first insulating layer formed on the etched region and including a first through hole exposing the intermediate layer may be included, and a first separation region may be formed between the intermediate layer and the first through hole.
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연층의 상부를 덮고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 이격 영역에 형성되어 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉할 수 있다.The first contact electrode may cover an upper portion of the first insulating layer, and may be formed in the first separation region to contact the first conductivity type semiconductor layer.
상기 제1 절연층은 상기 제2 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 제2 관통홀을 포함하고, 상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 관통홀로 노출된 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 배치되고, 상기 제2 관통홀과 이격된 제2 이격 영역을 포함할 수 있다.The first insulating layer includes a second through hole exposing a portion of the second conductive semiconductor layer, and the second contact electrode is disposed on the second conductive semiconductor layer exposed through the second through hole. and a second separation area spaced apart from the second through hole.
상기 제2 커버 전극은 상기 제2 이격 영역으로 연장되어 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉할 수 있다.The second cover electrode may extend into the second separation region and contact the second conductivity type semiconductor layer.
상기 제2 관통홀을 통해 상기 제2 도전형 반도체층이 노출된 영역 중에서 상기 제2 이격 영역의 반사율은 상기 제1 커버 전극에 배치된 영역보다 높을 수 있다.A reflectance of the second separation region among regions in which the second conductivity-type semiconductor layer is exposed through the second through hole may be higher than that of an region disposed on the first cover electrode.
상기 제1 컨택 전극의 전체 면적은 상기 제1 커버 전극의 전체 면적보다 크고, 상기 제2 컨택 전극의 전체 면적은 상기 제2 커버 전극의 전체 면적보다 작을 수 있다.A total area of the first contact electrode may be larger than a total area of the first cover electrode, and a total area of the second contact electrode may be smaller than a total area of the second cover electrode.
상기 중간층의 전체 면적은 상기 제1 커버 전극의 면적보다 넓을 수 있다.A total area of the intermediate layer may be larger than an area of the first cover electrode.
실시예에 따르면, 자외선 발광소자의 발광 효율이 개선될 수 있다.According to the embodiment, the luminous efficiency of the UV light emitting device can be improved.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Various advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to the above description, and will be more easily understood in the process of describing specific embodiments of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 2a는 도 1의 A-A' 방향 단면도이다.
도 2b는 도 1의 B-B' 방향 단면도이다.
도 3은 도 2a의 A 부분 확대도이다.
도 4는 복수 개의 발광부를 둘러싸는 중간층을 보여주는 평면도이다.
도 5는 복수 개의 발광부를 둘러싸는 제1 컨택 전극을 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 7는 중간층, 제1 컨택 전극, 및 제1 커버 전극을 보여주는 평면도이다.
도 8은 제2 분할 영역을 갖는 중간층을 보여주는 평면도이다.
도 9는 제1 분할 영역을 갖는 제1 컨택 전극을 보여주는 평면도이다.
도 10은 제1 커버 전극을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 7의 C-C' 방향 단면도이다.
도 12는 도 7의 D-D' 방향 단면도이다.
도 13은 도 7의 E-E' 방향 단면도이다.
도 14은 도 13의 변형예이다.
도 15는 제1 컨택 전극에 분할 영역이 없는 비교예와 제1 컨택 전극에 분할 영역이 있는 실시예의 광출력을 측정한 그래프이다.
도 16은 제1 컨택 전극에 분할 영역이 없는 비교예와 제1 컨택 전극에 분할 영역이 있는 실시예의 동작 전압을 측정한 그래프이다.
도 17a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다.
도 17b는 도 17a의 F-F' 단면도이다.
도 18은 도 9의 제1 변형예이다.
도 19는 도 9의 제2 변형예이다.
도 20은 도 9의 제3 변형예이다.
도 21은 도 9의 제4 변형예이다.
도 22는 도 9의 제5 변형예이다.1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2a is a cross-sectional view in the AA 'direction of Figure 1;
FIG. 2B is a cross-sectional view in the direction BB′ of FIG. 1 .
3 is an enlarged view of part A of FIG. 2A.
4 is a plan view showing an intermediate layer surrounding a plurality of light emitting units.
5 is a plan view illustrating a first contact electrode surrounding a plurality of light emitting units.
6 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
7 is a plan view illustrating an intermediate layer, a first contact electrode, and a first cover electrode.
8 is a plan view showing an intermediate layer having a second divided region.
9 is a plan view illustrating a first contact electrode having a first divided region.
10 is a plan view illustrating a first cover electrode.
FIG. 11 is a cross-sectional view in the CC′ direction of FIG. 7 .
FIG. 12 is a cross-sectional view in the direction DD′ of FIG. 7 .
FIG. 13 is a cross-sectional view in the direction EE' of FIG. 7 .
FIG. 14 is a modified example of FIG. 13 .
15 is a graph of optical output measurements of a comparative example in which the first contact electrode does not have a divided region and an embodiment in which the first contact electrode has a divided region.
16 is a graph in which operating voltages are measured in a comparative example in which the first contact electrode has no divided region and an embodiment in which the first contact electrode has a divided region.
17A is a plan view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
17B is a FF′ cross-sectional view of FIG. 17A.
FIG. 18 is a first modified example of FIG. 9 .
FIG. 19 is a second modified example of FIG. 9 .
FIG. 20 is a third modified example of FIG. 9 .
FIG. 21 is a fourth modified example of FIG. 9 .
FIG. 22 is a fifth modified example of FIG. 9 .
본 실시 예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시 예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 각각의 실시 예로 한정되는 것은 아니다. The present embodiments may be modified in other forms or combined with each other, and the scope of the present invention is not limited to each of the embodiments described below.
특정 실시 예에서 설명된 사항이 다른 실시 예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시 예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시 예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.Even if a matter described in a specific embodiment is not described in another embodiment, it may be understood as a description related to another embodiment, unless there is a description contrary to or contradictory to the matter in another embodiment.
예를 들어, 특정 실시 예에서 구성 A에 대한 특징을 설명하고 다른 실시 예에서 구성 B에 대한 특징을 설명하였다면, 구성 A와 구성 B가 결합된 실시 예가 명시적으로 기재되지 않더라도 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.For example, if the characteristics of component A are described in a specific embodiment and the characteristics of component B are described in another embodiment, the opposite or contradictory description even if the embodiment in which components A and B are combined is not explicitly described. Unless there is, it should be understood as belonging to the scope of the present invention.
실시 예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where an element is described as being formed “on or under” of another element, on or under (on or under) or under) includes both elements formed by directly contacting each other or by indirectly placing one or more other elements between the two elements. In addition, when expressed as "on or under", it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다. 도 2a는 도 1의 A-A' 방향 단면도이다. 도 2b는 도 1의 B-B' 방향 단면도이다. 1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view in the direction A-A' of FIG. 1 . FIG. 2B is a BB′ direction cross-sectional view of FIG. 1 .
도 1 내지 도 2b를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 구조물(120)은 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 예시적으로 발광 구조물(120)은 근자외선 파장대의 광(UV-A)을 출력할 수도 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)을 출력할 수도 있고, 심자외선 파장대의 광(UV-C)을 출력할 수 있다.Referring to Figures 1 to 2b, the
예시적으로, 근자외선 파장대의 광(UV-A)은 320nm 내지 420nm 범위에서 피크 파장을 가질 수 있고, 원자외선 파장대의 광(UV-B)은 280nm 내지 320nm 범위에서 피크 파장을 가질 수 있으며, 심자외선 파장대의 광(UV-C)은 100nm 내지 280nm 범위에서 피크 파장을 가질 수 있다.Illustratively, light (UV-A) in the near ultraviolet wavelength range may have a peak wavelength in the range of 320 nm to 420 nm, and light (UV-B) in the far ultraviolet wavelength range may have a peak wavelength in the range of 280 nm to 320 nm, Light (UV-C) in the deep ultraviolet wavelength range may have a peak wavelength in the range of 100 nm to 280 nm.
발광 구조물(120)이 자외선 파장대의 광을 발광할 때, 발광 구조물(120)의 각 반도체층은 알루미늄(Al)을 포함하는 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0<y1≤1, 0≤x1+y1≤1) 물질을 포함할 수 있다. 여기서, Al의 조성은 In 원자량과 Ga 원자량 및 Al 원자량을 포함하는 전체 원자량과 Al 원자량의 비율로 나타낼 수 있다. 예를 들어, Al 조성이 40%인 경우 Ga의 조성은 60%인 Al0.4Ga0.6N일 수 있다. When the
또한 실시 예의 설명에 있어서 조성이 낮거나 높다라는 의미는 각 반도체층의 조성 %의 차이로 이해될 수 있다. 예를 들면, 제1 반도체층의 알루미늄 조성이 30%이고 제2 반도체층의 알루미늄 조성이 60%인 경우, 제2 반도체층의 알루미늄 조성은 제1 반도체층의 알루미늄 조성보다 30% 더 높다고 표현할 수 있다.In addition, in the description of the embodiment, the meaning of low or high composition may be understood as a difference in composition % of each semiconductor layer. For example, if the aluminum composition of the first semiconductor layer is 30% and the aluminum composition of the second semiconductor layer is 60%, the aluminum composition of the second semiconductor layer can be expressed as 30% higher than that of the first semiconductor layer. there is.
기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 및 Ge 중 선택된 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 기판(110)은 자외선 파장대의 광이 투과할 수 있는 투광 기판일 수 있다.The
버퍼층(미도시)은 기판(110)과 반도체층들 사이의 격자 부정합을 완화할 수 있다. 버퍼층은 Ⅲ족과 Ⅴ족 원소가 결합된 형태이거나 AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층은 AlN일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 버퍼층은 도펀트를 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The buffer layer (not shown) may alleviate lattice mismatch between the
제1 도전형 반도체층(121)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(121)은 Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1, 0<y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 AlGaN, AlN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1 도전형 반도체층(121)은 n형 반도체층일 수 있다.The first conductivity-
활성층(122)은 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(123) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(122)은 제1 도전형 반도체층(121)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(123)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(122)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 자외선 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The
활성층(122)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(122)의 구조는 이에 한정하지 않는다.The
활성층(122)은 복수 개의 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 우물층과 장벽층은 Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(0≤x2≤1, 0<y2≤1, 0≤x2+y2≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 우물층은 발광하는 파장에 따라 알루미늄 조성이 달라질 수 있다. 알루미늄 조성이 높아질수록 우물층에서 발광하는 파장은 짧아질 수 있다.The
제2 도전형 반도체층(123)은 활성층(122) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(123)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. The second conductivity
제2 도전형 반도체층(123)은 Inx5Aly2Ga1-x5-y2N (0≤x5≤1, 0<y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. The second
제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2 도전형 반도체층(123)은 p형 반도체층일 수 있다.When the second dopant is a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba, the second conductivity-
활성층(122)과 제2 도전형 반도체층(123) 사이에는 전자 차단층(Electron-Blocking Layer; EBL)이 배치될 수 있다. 전자 차단층(미도시)은 활성층(122)의 구속층으로 전자 이탈을 감소시킬 수 있다.An electron-blocking layer (EBL) may be disposed between the
발광 구조물(120)은 메사 식각에 의해 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)이 일부 제거됨으로써 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 식각 영역(P2) 및 활성층(122)과 제2 도전형 반도체층(123)이 잔존하는 발광부(P1)를 포함할 수 있다. The
자외선 발광 소자는 청색광을 방출하는 발광 소자에 비해 측면으로 발광하는 TM(Transverse Magnetic mode) 모드의 발광 확률이 상대적으로 높기 때문에 활성층(122)의 측면을 최대한 넓히는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 발광부(P1)를 복수 개로 분리함으로써 활성층(122)의 노출 면적을 증가시켜 측면으로 방출되는 광의 추출 효율을 높일 수 있다. 실시예에서는 복수 개의 발광부(P1)가 3개인 것을 개시하였으나 발광부(P1)의 개수는 특별히 한정하지 않는다.It may be advantageous to widen the side surface of the
발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(121) 상에 선택적으로 재성장한 중간층(130)을 포함할 수 있다. 노출된 제1 도전형 반도체층(121)은 복수 개의 발광부(P1)가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다.The
중간층(130)은 선택적으로 재성장된 n형 반도체층일 수 있다. 중간층(130)의 알루미늄 조성은 제1 도전형 반도체층(121)보다 작을 수 있다. 예시적으로 중간층(130)의 알루미늄 조성은 0% 내지 30%일 수 있다. 중간층(130)은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 이러한 구성에 의하면 제1 컨택 전극(151)과 중간층(130)의 오믹 저항이 낮아져 동작 전압이 낮아질 수 있다.The
중간층(130)을 구성하는 물질은 제1 도전형 반도체층(121)과 동일할 수 있다. 예시적으로 제1 도전형 반도체층(121)과 중간층(130)의 조성은 모두 AlGaN일 수 있다. A material constituting the
중간층(130)은 제1 도펀트(Si)가 1E17/cm3 내지 1E20/cm3의 농도로 포함될 수 있다. 중간층(130)은 제1 도펀트(Si) 농도는 제1 도전형 반도체층(121)보다 높을 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 중간층(130)은 제1 도펀트(Si) 농도는 제1 도전형 반도체층(121)과 동일하거나 더 낮을 수 있다.The
중간층(130)은 알루미늄 조성이 다른 제1 중간층(미도시)과 제2 중간층(미도시)이 복수 회 적층되는 초격자 구조를 가질 수 있다. 제1 중간층의 알루미늄 조성은 제2 중간층의 알루미늄 조성보다 높을 수 있다. 제1 중간층과 제2 중간층의 두께는 각각 5nm 내지 10nm일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.The
제1 중간층은 AlxGa1-xN(0.6≤x≤1)의 조성식을 만족할 수 있고, 제2 중간층은 AlyGa1-yN(0≤y≤0.5)의 조성식을 만족할 수 있다. 예시적으로 제1 중간층은 AlGaN이고 제2 중간층은 GaN일 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제1 중간층과 제2 중간층은 모두 AlGaN일 수도 있다. 이때도 제1 중간층의 알루미늄 조성은 제2 중간층의 알루미늄 조성보다 높을 수 있다.The first intermediate layer may satisfy a composition equation of AlxGa1-xN (0.6≤x≤1), and the second intermediate layer may satisfy a composition equation of AlyGa1-yN (0≤y≤0.5). Illustratively, the first intermediate layer may be AlGaN and the second intermediate layer may be GaN. However, it is not necessarily limited to this, and both the first intermediate layer and the second intermediate layer may be AlGaN. Even in this case, the aluminum composition of the first intermediate layer may be higher than the aluminum composition of the second intermediate layer.
이러한 초격자 구성에 의하면, 자외선 광 흡수를 최소화하면서도 격자 부정합에 의한 스트레스를 저하시켜 소자 안정성을 개선할 수 있다.According to this superlattice configuration, device stability can be improved by reducing stress due to lattice mismatch while minimizing ultraviolet light absorption.
제1 절연층(141)은 식각 영역(P2), 발광부(P1)의 측면, 및 발광부(P1)의 상면 일부 영역에 배치될 수 있다. 제1 절연층(141)은 식각 영역(P2)에서 제1 도전형 반도체층(121)을 노출시키는 제1 관통홀(141a)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 절연층(141)은 식각 영역(P2)의 일부를 노출시켜 중간층(130)을 재성장시킬 면적을 조절할 수 있다. 제1 절연층(141)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.The first insulating
재성장 면적이 넓은 경우 재성장 속도가 상대적으로 빨라지나 중간층의 표면이 거칠어질 수 있다. 이와 반대로 재성장 면적이 좁은 경우 재성장 속도가 상대적으로 느려지나 표면이 매끄러워질 수 있다. 따라서, 실시예에 따르면, 제1 관통홀의 면적을 조절하여 재성장이 상대적으로 빠른 시간에 완료되면서도 표면의 거칠기(Roughness)가 낮은 재성장층을 형성할 수 있다.When the regrowth area is large, the regrowth rate is relatively high, but the surface of the intermediate layer may be rough. Conversely, when the regrowth area is small, the regrowth rate is relatively slow, but the surface may be smooth. Therefore, according to the embodiment, a regrowth layer having low surface roughness can be formed while regrowth is completed in a relatively fast time by adjusting the area of the first through hole.
제1 컨택 전극(151)은 중간층(130) 상에 배치될 수 있다. 제1 컨택 전극(151)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The
예시적으로 제1 컨택 전극(151)은 Cr, Ti, TiN 중 적어도 하나를 포함하는 제1 층 및 Al, Rh, Pt 중 적어도 하나를 포함하는 제2 층으로 구성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제1 컨택 전극(151)은 식각 영역(P2)으로 방출되는 자외선 광을 효과적으로 차단할 수 있도록 다양한 구조 및 재질을 포함할 수 있다. 예시적으로 제1 컨택 전극(151)은 Cr/ Al/ Ni/ Au/ Ni /Ti층을 포함할 수 있다.For example, the
제1 컨택 전극(151)은 제1 절연층(141)의 상부로 연장될 수 있다. 이러한 구성에 의하면 제1 컨택 전극(151)의 반사 면적이 넓어져 광 추출 효율이 개선될 수 있다. 따라서, 중간층(130)의 전체 영역은 수직방향으로 제1 컨택 전극(151)과 오버랩되고, 제1 컨택 전극(151)의 면적은 중간층(130)의 면적보다 클 수 있다.The
제1 커버 전극(152)은 제1 컨택 전극(151) 상에 배치될 수 있다. 제1 커버 전극(152)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 제1 커버 전극(152)의 재질은 제1 컨택 전극(151)과 상이할 수 있다. 예시적으로 제1 커버 전극(152)은 Ti/Au/Ni/Ti 층으로 구성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 커버 전극(152)의 재질은 제1 컨택 전극(151)과 동일할 수도 있다. The
제2 컨택 전극(161)은 발광부(P1) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로 제2 컨택 전극(161)은 제1 절연층(141)의 제2 관통홀(141b)로 노출된 제2 도전형 반도체층(123) 상에 배치될 수 있다. The
제2 컨택 전극(161)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.The
예시적으로 제2 컨택 전극(161)은 Ni/Au 또는 Ni/Rh층을 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 오믹 특성 및 접착력이 개선되고, 자외선 광을 일정 부분 반사하는 특성을 가질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제2 컨택 전극(161)은 활성층(122)에서 방출되는 자외선 광을 효과적으로 차단할 수 있도록 다양한 구조 및 재질을 포함할 수 있다.For example, the
제2 커버 전극(162)은 제2 컨택 전극(161) 상에 배치될 수 있다. 제2 커버 전극(162)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 텅스텐(W) 및 구리(Cu) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 제2 커버 전극(162)의 재질은 제2 컨택 전극(161)과 상이할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제2 커버 전극(162)의 재질은 제2 컨택 전극(161)과 동일할 수도 있다. The
제2 커버 전극(162)은 Ti/ Au/ Ni/ Ti 층으로 구성될 수 있다. 제2 커버 전극(162)의 재질은 제1 커버 전극(152)의 재질과 동일할 수 있다.The
제2 절연층(142)은 제1 커버 전극(152)과 제2 커버 전극(162)을 전체적으로 덮고, 제1 커버 전극(152)을 노출시키는 제3 관통홀(142a) 및 제2 커버 전극(162)을 노출시키는 제4 관통홀(142b)을 포함할 수 있다. 제4 관통홀(142b)은 제3 관통홀(142a) 보다 크게 제작되어 정공 주입 효율을 높일 수 있다.The second
제2 절연층(142)의 재질은 제1 절연층(141)의 재질과 상이할 수 있다. 예시적으로 제2 절연층(142)은 금속간 절연막(IMD, Inter-Metal Dielectric)일 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제1 절연층(141)의 재질과 제2 절연층(142)의 재질은 동일할 수도 있다. 제2 절연층(142)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택될 수 있다. 제1 절연층(141)과 제2 절연층(142)은 하나의 절연층으로 기능할 수도 있다.A material of the second insulating
제2 커버 전극(162) 상에는 제2 상부 전극(163)이 배치될 수 있다. 제2 상부 전극(163), 제2 커버 전극(162), 및 제2 컨택 전극(161)에 의해 제2 패드(170b)는 제2 도전형 반도체층(123)과 전기적으로 연결될 수 있다.A second
제1 커버 전극(152) 상에는 제1 상부 전극(153)이 배치될 수 있다. 제1 상부 전극(153), 제1 커버 전극(152), 및 제1 컨택 전극(151)에 의해 제1 패드(170a)는 제1 도전형 반도체층(121)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 상부 전극(153)과 제2 상부 전극(163)은 커버 전극 상에 배치되어 주위 영역과의 높이를 맞추어주는 역할을 함으로써 본딩시 스트레스를 완화시켜주는 역할을 수행할 수 있다. 제1 상부 전극(153)과 제2 상부 전극(163)은 Ti/Ni/Au로 구성될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. A first
도 3은 도 2a의 A 부분 확대도이다. 도 4는 복수 개의 발광부를 둘러싸는 중간층을 보여주는 평면도이다. 도 5는 복수 개의 발광부를 둘러싸는 제1 컨택 전극을 보여주는 평면도이다.3 is an enlarged view of part A of FIG. 2A. 4 is a plan view showing an intermediate layer surrounding a plurality of light emitting units. 5 is a plan view illustrating a first contact electrode surrounding a plurality of light emitting units.
도 3을 참조하면, 중간층(130)은 제1 절연층(141)의 제1 관통홀(141a)로 제1 도전형 반도체층(121)이 노출된 식각 영역(P2) 상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the
제1 컨택 전극(151)은 중간층(130) 상에 배치되고 제1 절연층(141)의 상부로 연장될 수 있다. 또한, 제1 컨택 전극(151)은 제1 관통홀(140a)과 중간층(130) 사이의 제1 이격 영역(EA1)에 삽입되어 제1 도전형 반도체층(121)과 접촉할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 반사 면적이 넓어져 광 추출 효율이 개선되고 분산 효율이 개선될 수 있다.The
제1 커버 전극(152)은 제1 컨택 전극(151)의 상면에 배치될 수 있다. 제1 커버 전극(152)의 면적은 제1 컨택 전극(151)의 면적보다 작을 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 제1 커버 전극(152)은 제1 컨택 전극(151)의 면적보다 넓게 형성되어 제1 컨택 전극(151)을 전체적으로 커버할 수도 있다.The
제2 커버 전극(162)은 제2 컨택 전극(161)과 제1 절연층(141) 사이의 제2 이격 영역(EA2)에 삽입되어 제2 도전형 반도체층(123)과 접촉할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 반사 면적이 넓어져 광 추출 효율이 개선되고 분산 효율이 개선될 수 있다. The
제2 컨택 전극(161)은 Ni/Au 또는 Ni/Rh로 구성될 수 있다. 또한, 제2 커버 전극(162)은 Ni/Al 또는 Ti/Al일 수 있다. 따라서, 제2 커버 전극(162)은 제2 컨택 전극(161)보다 자외선의 반사율이 높을 수 있다. The
그러나, 제2 커버 전극(162) 중에서 제2 컨택 전극(161)와 중첩되는 영역은 실질적으로 반사 효율이 떨어질 수 있다. 제2 컨택 전극(161)은 상대적으로 반사율이 낮아서 자외선 광의 일부를 흡수할 수 있기 때문이다. 따라서, 제2 컨택 전극(161)의 면적은 상대적으로 줄이고 제2 커버 전극(162)의 면적을 넓히는 것이 자외선 광 반사 관점에서 유리할 수 있다.However, a region of the
따라서, 실시예는 제2 컨택 전극(161)과 제1 절연층(141) 사이에 제2 이격 영역(EA2)이 형성되고, 제2 컨택 전극(161)이 제2 이격 영역(EA2)에 삽입되는 구조를 가질 수 있다. Therefore, in the embodiment, the second separation area EA2 is formed between the
제2 도전형 반도체층(123)이 제2 관통홀(141b)로 노출된 영역에서 제2 커버 전극(162)이 배치된 제2 이격 영역(EA2)의 반사율은 제2 컨택 전극(161)이 배치된 영역의 반사율보다 높을 수 있다.The reflectance of the second separation area EA2 where the
제2 컨택 전극(161)의 전체 영역은 수직방향으로 제2 커버 전극(162)과 오버랩되고, 제2 커버 전극(162)의 면적은 제1 컨택 전극(151)의 면적보다 클 수 있다. 이때, 제1 커버 전극(152)의 상면의 높이와 제2 커버 전극(162)의 상면의 높이는 실질적으로 동일할 수 있다.The entire area of the
도 4를 참조하면, 중간층(130)은 복수 개의 발광부(P1) 사이에 배치되는 제1 중간 영역(131), 및 제1 도전형 반도체층(121)의 가장자리를 둘러싸고 복수 개의 제1 중간 영역(131)의 양단(131a, 131b)과 연결되는 제2 중간 영역(132)을 포함할 수 있다. 제1 중간 영역(131)은 복수 개의 발광부(P1)와 제2 방향(Y축 방향)으로 중첩되는 영역으로 정의할 수 있고, 제2 중간 영역(132)은 복수 개의 발광부(P1)를 둘러싸는 사각 링 형상으로 정의할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the
복수 개의 발광부(P1)는 서로 마주 보는 영역에 형성된 곡률부(R1)를 포함할 수 있다. 곡률부(R1)는 복수 개의 발광부(P1)가 서로 멀어지는 방향으로 형성될 수 있다. 따라서, 발광부(P1)의 일단부(P11)의 폭(W31)은 타단부(P12)의 폭(W32)보다 작을 수 있다. The plurality of light emitting parts P1 may include curvature parts R1 formed in regions facing each other. The curvature part R1 may be formed in a direction in which the plurality of light emitting parts P1 are away from each other. Accordingly, the width W31 of one end P11 of the light emitting portion P1 may be smaller than the width W32 of the other end P12.
중간층(130)의 제1 중간 영역(131)은 곡률부(R1) 사이에 배치되는 일단부(131-1)의 폭(W21)이 타단부(131-2)의 폭(W22)보다 클 수 있다. 따라서, 전극 패드와 전기적으로 연결되는 일단부(131-1)의 면적이 넓어져 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.In the first
도 5를 참조하면, 제1 컨택 전극(151)은 제1 중간 영역(131) 상에 배치되는 제1 서브 전극(151b), 및 제2 중간 영역(132) 상에 배치되는 제2 서브 전극(151a)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 컨택 전극(151)은 중간층(130)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 제1 서브 전극(151b)의 일단부(EH1)의 폭(W41)은 타단부(EH2)의 폭(W42)보다 크게 형성될 수 있다. 제1 서브 전극(151b)은 복수 개의 발광부(P1)와 제2 방향(Y축 방향)으로 중첩되는 영역으로 정의할 수 있고, 제2 서브 전극(151a)은 복수 개의 발광부(P1)를 둘러싸는 사각 링 형상으로 정의할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
표 1은 발광소자의 칩 사이즈에 따른 제1 컨택 전극, 중간층, 및 제1 커버전극의 면적을 측정한 표이고, 표 2는 발광소자의 칩 사이즈에 따른 활성층, 제2 컨택 전극 및 제2 커버 전극의 면적을 측정한 표이다.Table 1 is a table measuring the areas of the first contact electrode, the intermediate layer, and the first cover electrode according to the chip size of the light emitting device, and Table 2 is the active layer, the second contact electrode, and the second cover according to the chip size of the light emitting device. This is a table measuring the area of the electrode.
표 1을 참조하면, 중간층(130)과 제1 커버 전극(152)의 면적은 제1 컨택 전극(151)의 면적보다 작음을 알 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 제1 컨택 전극(151)의 면적이 충분히 넓어져 반사 효율 및 전류 분산 효율이 증가될 수 있는 장점이 있다. 또한, 중간층(130)의 면적은 제1 커버 전극(152)의 면적보다 넓을 수 있다. 따라서, 중간층(130)의 면적이 상대적으로 넓어져 제1 컨택 전극(151)과의 접촉 면적이 넓어지기 때문에 전류 분산 효율이 개선될 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the area of the
또한, 표 2를 참조하면, 제2 커버 전극(162)의 면적은 제2 컨택 전극(161)의 면적 보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제2 커버 전극(162)이 제2 컨택 전극(161)을 완전히 덮으면서 제2 이격 영역(EA2)에도 제2 커버 전극(162)이 배치되어 반사 효율을 개선할 수 있다.Also, referring to Table 2, the area of the
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다. 도 7는 중간층, 제1 컨택 전극, 및 제1 커버 전극을 보여주는 평면도이다. 도 8은 제2 분할 영역을 갖는 중간층을 보여주는 평면도이다. 도 9는 제1 분할 영역을 갖는 제1 컨택 전극을 보여주는 평면도이다. 도 10은 제1 커버 전극을 보여주는 평면도이다. 6 is a plan view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 7 is a plan view illustrating an intermediate layer, a first contact electrode, and a first cover electrode. 8 is a plan view showing an intermediate layer having a second divided region. 9 is a plan view illustrating a first contact electrode having a first divided region. 10 is a plan view illustrating a first cover electrode.
도 6을 참조하면, 발광부(P1)를 복수 개로 분리함으로써 활성층(122)의 노출 면적을 증가시켜 측면으로 방출되는 광의 추출 효율을 높일 수 있다. 실시예에서는 복수 개의 발광부(P1)가 7개인 것을 개시하였으나 발광부(P1)의 개수는 더 작을 수도 있고 더 많아질 수도 있다.Referring to FIG. 6 , by dividing the light emitting unit P1 into a plurality of pieces, the exposure area of the
도 7 및 도 8을 참조하면, 중간층(130)은 복수 개의 발광부(P1) 사이에 배치되는 복수 개의 제1 중간 영역(131) 및 복수 개의 제1 중간 영역(131)의 양 끝단과 전기적으로 연결되는 제2 중간 영역(132)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , the
제1 중간 영역(131)은 복수 개의 발광부(P1) 사이에 배치되는 영역일 수 있다. 제1 중간 영역(131)은 제1 방향(X축 방향)으로 폭이 변화할 수 있다. 예시적으로 제1 중간 영역(131)의 일단부(131-1)의 폭은 타단부(131-2)의 폭보다 클 수 있다.The first
제2 중간 영역(132)은 제1 도전형 반도체층(121)의 가장자리 영역을 따라 형성되고 복수 개의 제1 중간 영역(131)의 양 끝단(131-1, 131-2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 중간 영역(132)은 사각의 링 형상을 가질 수 있고, 복수 개의 발광부(P1)는 제2 중간 영역(132)의 내측에 배치될 수 있다.The second
제1 중간 영역(131)과 제2 중간 영역(132)은 복수 개의 제2 분할 영역(SA2)을 가질 수 있다. 제1 중간 영역(131)은 분할되어 복수 개의 서브 영역(131a, 131b)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 중간 영역(132)도 복수 개로 분할될 수 있다. 복수 개의 제2 분할 영역(SA2)은 제1 방향(X축 방향)과 수직한 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다.The first
도 9를 참조하면, 제1 컨택 전극(151)은 복수 개의 발광부(P1) 사이에 배치되는 복수 개의 제1 서브 전극(151b) 및 복수 개의 제1 서브 전극(151b)의 양 끝단과 전기적으로 연결되는 제2 서브 전극(151a)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the
제1 서브 전극(151b)과 제2 서브 전극(151a)은 복수 개의 제1 분할 영역(SA1)을 가질 수 있다. 제1 서브 전극(151b)은 분할되어 복수 개의 분할 전극(151b-1, 151b-2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 서브 전극(151a)도 복수 개로 분할될 수 있다. 복수 개의 제1 분할 영역(SA1)은 제2 방향(Y축 방향)으로 중첩될 수 있다.The first sub-electrode 151b and the second sub-electrode 151a may have a plurality of first partition areas SA1. The first sub-electrode 151b may be divided to include a plurality of divided
제1 컨택 전극(151)의 제1 서브 전극(151b)은 제1 중간 영역(131) 상에 배치되고, 제2 서브 전극(151a)은 제2 중간 영역(132) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제1 분할 영역(SA1)과 제2 분할 영역(SA2)은 중첩될 수 있다. 즉, 제1 컨택 전극(151)과 중간층(130)은 면적은 다르지만 형상은 실질적으로 동일할 수 있다.The first sub-electrode 151b of the
도 10을 참조하면, 제1 커버 전극(152)은 제1 컨택 전극(151) 상에 배치되고 분할 영역을 갖지 않을 수 있다. 따라서, 제1 커버 전극(152)은 제1 컨택 전극(151)의 제1 분할 영역(SA1) 상에 형성되어 분할된 제1 서브 전극(151b)을 전기적으로 연결할 수 있다.Referring to FIG. 10 , the
도 11은 도 7의 C-C' 방향 단면도이다. 도 12는 도 7의 D-D' 방향 단면도이다. 도 13은 도 7의 E-E' 방향 단면도이다.11 is a cross-sectional view in the direction C-C′ of FIG. 7 . 12 is a cross-sectional view in the direction DD′ of FIG. 7 . FIG. 13 is a cross-sectional view in the direction E-E' of FIG. 7 .
도 11을 참조하면 제1 컨택 전극(151)의 두께는 제2 컨택 전극(161)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 제1 커버 전극(152)의 높이를 제2 커버 전극(162)의 높이와 맞추기 위해 제1 컨택 전극(151)은 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다. 만약, 제1 컨택 전극(151)의 두께가 제2 컨택 전극(161)의 두께와 비슷하면 상대적으로 제1 커버 전극(152)의 두께를 과도하게 두껍게 형성해야 하므로 제작이 어려워질 수 있다. Referring to FIG. 11 , the thickness of the
도 12를 참조하면, 제1 분할 영역(SA1)에서 제1 컨택 전극(151)은 제거될 수 있다. 따라서, 제1 분할 영역(SA1)에는 제1 컨택 전극(151)이 연결되지 않으므로 제1 분할 영역(SA1) 상에 배치되는 제1 커버 전극(152)의 높이는 발광부(P1) 상에 배치된 제2 커버 전극(162)의 높이보다 낮을 수 있다.Referring to FIG. 12 , the
도 13을 참조하면, 제1 절연층(141)은 제1 분할 영역(SA1)에 배치된 절연 패턴(141-1)을 포함할 수 있다. 중간층(130)은 제1 분할 영역(SA1)과 대응되는 제2 분할 영역(SA2)을 가질 수 있다. 제2 분할 영역(SA2)의 거리는 제1 분할 영역(SA1)보다 클 수 있다. Referring to FIG. 13 , the first insulating
제2 분할 영역(SA2)에서 중간층(130)과 절연 패턴(141-1)이 이격된 제3 이격 영역(EA3)에는 제1 컨택 전극(151)이 삽입되어 제1 도전형 반도체층(121)과 접촉할 수도 있다. 이러한 구성에 의하면 스택 커버리지가 우수해질 수 있다.The
중간층(130)의 두께(T1)는 절연 패턴(141-1)을 포함하는 제1 절연층(141)의 두께(T2)보다 작을 수 있다. 제1 절연층(141)의 두께는 수분 및 오염 등을 효과적으로 방지하기 위해 10nm 내지 300nm일 수 있다. 또한, 중간층(130)은 광 흡수율을 낮추도록 10nm 내지 150nm, 또는 10nm 내지 100nm의 두께를 가질 수 있다.A thickness T1 of the
제1 커버 전극(152)은 제1 분할 영역(SA1) 상에 연속적으로 형성되어 제1 서브 전극(151b)의 분할 전극(151b-1, 151b-2)들을 전기적으로 연결할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 전류가 제1 서브 전극(151b)의 일 측에서 타 측으로 이동할 때 중간에 전류주입이 안되는 이격 영역을 형성함으로써 전류 확산 거리를 증가시킬 수 있다. The
제1 분할 영역(SA1)에는 전류가 제1 도전형 반도체층(121)으로 주입되지 않는다. 따라서, 제1 분할 영역(SA1)이 없었다면 제1 분할 영역(SA1)에 주입되어야 할 전류는 제1 분할 영역(SA1)을 지나서 제2 분할 전극(151b-2)이 위치한 영역에 주입될 수 있다. 따라서, 전류 확산 거리가 넓어질 수 있다.Current is not injected into the first
도 7 및 도 13을 참조하면, 제1 분할 영역(SA1)이 없다면 제3 관통홀(142a)을 통해 제1 서브 전극(151b)의 일단부(EH1)로 주입되는 전류는 대부분 제1 서브 전극(151b)의 일단부(EH1)에 주입되고 제1 서브 전극(151b)의 타단부(EH2)에는 상대적으로 적은 전류가 주입될 수 있다. 그러나, 제1 분할 영역(SA1)이 적정 개수를 갖는다면 일단부(EH1)에 주입되어야 할 전류가 타단부(EH2)까지 이동할 수 있다. 따라서, 제1 도전형 반도체층(121)의 일단에서 타단까지 전류가 유효하게 주입될 수 있다. 그 결과, 광 출력이 향상될 수 있다.7 and 13 , when there is no first partition area SA1, most of the current injected into the first end EH1 of the first sub-electrode 151b through the third through-
제1 분할 영역(SA1)의 거리는 5㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 제1 분할 영역(SA1)의 거리가 5㎛ 보다 작은 경우 간격이 너무 좁아 전류 확산 거리를 실질적으로 증가시키기 어려우며 제1 분할 영역(SA1)의 거리가 100㎛ 보다 큰 경우 간격이 너무 멀어 전류 분산이 어려워질 수 있다. 제1 분할 영역(SA1)의 개수는 1개 내지 20개일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.The distance of the first division area SA1 may range from 5 μm to 100 μm. When the distance of the first partition area SA1 is less than 5 μm, it is difficult to substantially increase the current diffusion distance because the distance is too narrow, and when the distance between the first partition areas SA1 is greater than 100 μm, the distance is too large to cause current dispersion. It can get difficult. The number of first partition areas SA1 may be 1 to 20, but is not necessarily limited thereto.
도 14를 참조하면, 제1 서브 전극(151b)이 분할된 제1 분할 영역(SA1)에서 중간층(130)은 연속 형성될 수도 있다. 이러한 구성에 의하면 중간층(130)은 제1 도전형 반도체층(121) 상에서 전체적으로 연결된 형상을 갖는 반면 제1 컨택 전극(151)은 제1 분할 영역(SA1)에서 분할되는 특징을 가질 수 있다. 이때, 제1 커버 전극(152)은 제1 분할 영역(SA1)에 배치되어 중간층(130)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 중간층(130)이 제1 분할 영역(SA1)에서 분할될 수도 있다.Referring to FIG. 14 , the
도 15는 제1 컨택 전극에 제1 분할 영역이 없는 비교예와 제1 컨택 전극에 제1 분할 영역이 있는 실시예의 광출력을 측정한 그래프이다. 도 16은 제1 컨택 전극에 제1 분할 영역이 없는 비교예와 제1 컨택 전극에 제1 분할 영역이 있는 실시예의 동작 전압을 측정한 그래프이다.FIG. 15 is a graph measuring optical output of a comparative example in which the first contact electrode has no first divided region and an embodiment in which the first contact electrode has the first divided region. 16 is a graph in which operating voltages are measured in a comparative example in which a first divided region is not included in the first contact electrode and an embodiment in which the first divided region is included in the first contact electrode.
도 15를 참조하면, 제1 컨택 전극에 제1 분할 영역이 없는 비교예(Po_case1)에 비해 제1 컨택 전극(151)에 제1 분할 영역(SA1)이 있는 실시예(Po_case2)의 광출력이 향상된 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 16을 참조하면, 제1 컨택 전극(151)에 제1 분할 영역(SA1)이 있는 실시예(Po_case2)의 경우 동작 전압이 비교예(Po_case1)보다 더 낮아졌음을 알 수 있다. 이러한 결과에서 알 수 있듯이 제1 컨택 전극(151)에 일부 제1 분할 영역(SA1)을 형성하면 전류 확산 거리가 증가하여 광 출력이 우수해짐을 알 수 있다.Referring to FIG. 15 , the optical output of the embodiment (Po_case2) having the first partition region SA1 on the
도 17a는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자의 평면도이다. 도 17b는 도 17a의 F-F 단면도이다.17A is a plan view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 17B is a cross-sectional view F-F of FIG. 17A.
도 17a 및 도 17b를 참조하면, 제1 서브 전극(151b)의 제1 분할 영역(SA1)에는 연결전극(151c)이 배치되어 분할된 제1 서브 전극(151b)을 연결할 수 있다. 연결전극(151c)은 절연 패턴(141-1) 상에 배치되어 이웃한 제1 서브 전극(151b)으로 연장될 수 있다. 제1 분할 영역(SA1) 상에는 절연 패턴(141-1), 연결전극(151c), 및 제1 커버 전극(152)이 적층된 구조를 가질 수 있다.Referring to FIGS. 17A and 17B , a
도 18은 도 9의 제1 변형예이다. 도 19는 도 9의 제2 변형예이다. 도 20은 도 9의 제3 변형예이다. 도 21은 도 9의 제4 변형예이다. 도 22는 도 9의 제5 변형예이다.FIG. 18 is a first modified example of FIG. 9 . FIG. 19 is a second modified example of FIG. 9 . FIG. 20 is a third modified example of FIG. 9 . FIG. 21 is a fourth modified example of FIG. 9 . FIG. 22 is a fifth modified example of FIG. 9 .
도 18을 참조하면, 제1 서브 전극(151b)에 2개의 제1 분할 영역(SA11, SA12)이 형성될 수 있다. 따라서, 제1 서브 전극(151b)은 3개의 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3)을 포함할 수 있다. 이 중 제1 분할 전극(151b-1)과 제3 분할 전극(151b-3)은 제2 서브 전극(151a)에 연결된 상태일 수 있다.Referring to FIG. 18 , two first split regions SA11 and SA12 may be formed in the first sub-electrode 151b. Accordingly, the first sub-electrode 151b may include three split
도 19를 참조하면, 제1 서브 전극(151b)에 3개의 제1 분할 영역(SA11, SA12, SA13)이 형성될 수 있다. 따라서, 제1 서브 전극(151b)은 4개의 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3, 151b-4)을 포함할 수 있다. 이 중 제1 분할 전극(151b-1)과 제4 분할 전극(151b-4)은 제2 서브 전극(151a)에 연결된 상태일 수 있다.Referring to FIG. 19 , three first partition regions SA11, SA12, and SA13 may be formed in the first sub-electrode 151b. Accordingly, the first sub-electrode 151b may include four
도 20을 참조하면, 절연층은 제1 패드(170a)가 관통하는 제3 관통홀(142a)을 포함하고, 복수 개의 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3, 151b-4)의 길이는 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 길게 형성될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 복수 개의 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3, 151b-4)의 길이는 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 짧게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 20 , the insulating layer includes a third through
도 21을 참조하면, 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 제1 분할 영역(SA11, SA12, SA13)의 길이는 점차 짧아질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 제1 분할 영역(SA11, SA12, SA13)의 길이는 점차 길어질 수 있다.Referring to FIG. 21 , the lengths of the first divided areas SA11 , SA12 , and SA13 may gradually decrease as the distance from the third through
도 22를 참조하면, 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3, 151b-4)의 길이는 점차 증가하고, 제1 분할 영역(SA11, SA12, SA13)의 거리는 점차 짧아질 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제3 관통홀(142a)에서 멀어질수록 분할 전극(151b-1, 151b-2, 151b-3, 151b-4)의 길이는 점차 감소하고, 제1 분할 영역(SA11, SA12, SA13)의 거리는 점차 길어질 수 있다. 또한, 복수 개의 제1 서브전극(151b)에 형성된 제1 분할 영역(SA1)은 연장 방향과 수직한 방향(Y축 방향)으로 서로 어긋나게 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 22 , the lengths of the
이러한 자외선 발광소자는 다양한 종류의 광원 장치에 적용될 수 있다. 예시적으로 광원장치는 살균 장치, 경화 장치, 조명 장치, 및 표시 장치 및 차량용 램프 등을 포함하는 개념일 수 있다. 즉, 자외선 발광소자는 케이스(몸체)에 배치되는 발광소자 패키지 형태로 다양한 전자 디바이스에 적용될 수 있다.Such an ultraviolet light emitting device may be applied to various types of light source devices. For example, the light source device may include a sterilization device, a curing device, a lighting device, a display device, and a vehicle lamp. That is, the UV light emitting device may be applied to various electronic devices in the form of a light emitting device package disposed in a case (body).
살균 장치는 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 구비하여 원하는 영역을 살균할 수 있다. 살균 장치는 정수기, 에어컨, 냉장고 등의 생활 가전에 적용될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 즉, 살균 장치는 살균이 필요한 다양한 제품(예: 의료 기기)에 모두 적용될 수 있다.The sterilization device may sterilize a desired area by including an ultraviolet light emitting device according to an embodiment. The sterilization device may be applied to household appliances such as water purifiers, air conditioners, and refrigerators, but is not necessarily limited thereto. That is, the sterilization device can be applied to various products (eg, medical devices) requiring sterilization.
예시적으로 정수기는 순환하는 물을 살균하기 위해 실시 예에 따른 살균 장치를 구비할 수 있다. 살균 장치는 물이 순환하는 노즐 또는 토출구에 배치되어 자외선을 조사할 수 있다. 이때, 살균 장치는 방수 구조를 포함할 수 있다.Illustratively, the water purifier may include a sterilization device according to the embodiment to sterilize circulating water. The sterilization device may be disposed at a nozzle through which water circulates or an outlet to irradiate ultraviolet rays. In this case, the sterilization device may include a waterproof structure.
경화 장치는 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 구비하여 다양한 종류의 액체를 경화시킬 수 있다. 액체는 자외선이 조사되면 경화되는 다양한 물질을 모두 포함하는 최광의 개념일 수 있다. 예시적으로 경화장치는 다양한 종류의 레진을 경화시킬 수 있다. 또는 경화장치는 매니큐어와 같은 미용 제품을 경화시키는 데 적용될 수도 있다.The curing device may be provided with an ultraviolet light emitting device according to an embodiment to cure various types of liquids. Liquid may be the lightest concept that includes all various materials that are hardened when irradiated with ultraviolet rays. Illustratively, the curing device may cure various types of resins. Alternatively, the curing device may be applied to curing cosmetic products such as nail polish.
조명 장치는 기판과 실시예의 자외선 발광소자를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열부 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 또한, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등 등을 포함할 수 있다. The lighting device may include a light source module including a substrate and the UV light emitting device of the embodiment, a heat dissipation unit dissipating heat from the light source module, and a power supply unit that processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module. Also, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp.
표시 장치는 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 광학 시트, 디스플레이 패널, 화상 신호 출력 회로 및 컬러 필터를 포함할 수 있다. 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 구성할 수 있다.The display device may include a bottom cover, a reflector, a light emitting module, a light guide plate, an optical sheet, a display panel, an image signal output circuit, and a color filter. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may constitute a backlight unit.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs will not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.
Claims (10)
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 컨택 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 컨택 전극;
상기 제1 컨택 전극 상에 배치되는 제1 커버 전극; 및
상기 제2 컨택 전극 상에 배치되는 제2 커버 전극을 포함하고,
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 식각 영역에 형성된 중간층을 포함하고, 상기 중간층은 상기 제1 도전형 반도체층보다 알루미늄 조성이 낮고,
상기 중간층은 상기 복수 개의 발광부 사이에 배치되는 제1 중간 영역, 및 상기 제1 도전형 반도체층의 가장자리를 둘러싸고 상기 복수 개의 제1 중간 영역의 양단과 연결되는 제2 중간 영역을 포함하고,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 중간 영역 상에 배치되는 제1 서브 전극, 및 상기 제2 중간 영역 상에 배치되는 제2 서브 전극을 포함하는 자외선 발광소자.
a light emitting structure including a plurality of light emitting units disposed on the first conductivity type semiconductor layer, wherein the plurality of light emitting units includes an active layer and a second conductivity type semiconductor layer;
a first contact electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer;
a second contact electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer;
a first cover electrode disposed on the first contact electrode; and
A second cover electrode disposed on the second contact electrode;
The light emitting structure includes an intermediate layer formed in an etched region where the first conductivity-type semiconductor layer is exposed, and the intermediate layer has a lower aluminum composition than the first conductivity-type semiconductor layer;
The intermediate layer includes a first intermediate region disposed between the plurality of light emitting units, and a second intermediate region surrounding edges of the first conductive semiconductor layer and connected to both ends of the plurality of first intermediate regions,
The first contact electrode includes a first sub-electrode disposed on the first intermediate region and a second sub-electrode disposed on the second intermediate region.
상기 제2 컨택 전극은 상기 제1 컨택 전극과 다른 재질을 포함하는 자외선 발광소자.
According to claim 1,
The second contact electrode includes a material different from that of the first contact electrode.
상기 제2 컨택 전극은 Au 또는 Rh를 포함하는 자외선 발광소자.
According to claim 2,
The second contact electrode is an ultraviolet light emitting device containing Au or Rh.
상기 식각 영역 상에 형성되고 상기 중간층을 노출하는 제1 관통홀을 포함하는 제1 절연층을 포함하고,
상기 중간층과 상기 제1 관통홀 사이에는 제1 이격 영역이 형성되는 자외선 발광소자.
According to claim 1,
A first insulating layer formed on the etch region and including a first through hole exposing the intermediate layer;
A first separation region is formed between the intermediate layer and the first through hole.
상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 절연층의 상부를 덮고, 상기 제1 컨택 전극은 상기 제1 이격 영역에 형성되어 상기 제1 도전형 반도체층과 접촉하는 자외선 발광소자.
According to claim 4,
The first contact electrode covers an upper portion of the first insulating layer, and the first contact electrode is formed in the first separation region to contact the first conductivity type semiconductor layer.
상기 제1 절연층은 상기 제2 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 제2 관통홀을 포함하고,
상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 관통홀로 노출된 상기 제2 도전형 반도체층의 상부에 배치되고,
상기 제2 관통홀과 이격된 제2 이격 영역을 포함하는 자외선 발광소자.
According to claim 4,
The first insulating layer includes a second through hole exposing a portion of the second conductivity type semiconductor layer;
The second contact electrode is disposed on the second conductive semiconductor layer exposed through the second through hole;
An ultraviolet light emitting device comprising a second spaced area spaced apart from the second through hole.
상기 제2 커버 전극은 제1 절연층의 상부로 연장되고, 상기 제2 이격 영역에 삽입되어 상기 제2 도전형 반도체층과 접촉하는 자외선 발광소자.
According to claim 6,
The second cover electrode extends above the first insulating layer and is inserted into the second separation region to contact the second conductive semiconductor layer.
상기 제1 컨택 전극의 전체 면적은 상기 제1 커버 전극의 전체 면적보다 크고,
상기 제2 컨택 전극의 전체 면적은 상기 제2 커버 전극의 전체 면적보다 작은 자외선 발광소자.
According to claim 1,
The total area of the first contact electrode is greater than the total area of the first cover electrode;
A total area of the second contact electrode is smaller than a total area of the second cover electrode.
상기 중간층의 전체 면적은 상기 제1 커버 전극의 면적보다 넓은 자외선 발광소자.
According to claim 9,
The entire area of the intermediate layer is wider than the area of the first cover electrode UV light emitting device.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/792,421 US20230238419A1 (en) | 2021-01-21 | 2021-09-24 | Ultraviolet light-emitting device |
| PCT/KR2021/013039 WO2022158679A1 (en) | 2021-01-21 | 2021-09-24 | Ultraviolet light-emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210008657 | 2021-01-21 | ||
| KR20210008657 | 2021-01-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220106019A KR20220106019A (en) | 2022-07-28 |
| KR102539566B1 true KR102539566B1 (en) | 2023-06-05 |
Family
ID=82607556
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210113919A KR102539566B1 (en) | 2021-01-21 | 2021-08-27 | Ultraviolet light emitting device |
| KR1020210113918A KR102539565B1 (en) | 2021-01-21 | 2021-08-27 | Ultraviolet light emitting device |
| KR1020210146485A KR102558800B1 (en) | 2021-01-21 | 2021-10-29 | Ultraviolet light emitting device |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210113918A KR102539565B1 (en) | 2021-01-21 | 2021-08-27 | Ultraviolet light emitting device |
| KR1020210146485A KR102558800B1 (en) | 2021-01-21 | 2021-10-29 | Ultraviolet light emitting device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (3) | KR102539566B1 (en) |
| WO (1) | WO2023075084A1 (en) |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116177A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-11 | Tokyo Electric Co Ltd | Electronic balance |
| US8822976B2 (en) * | 2011-03-23 | 2014-09-02 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element |
| KR20130128931A (en) * | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 삼성전자주식회사 | N-algan thin film and light emitting device for emitting ultraviolet |
| KR102434189B1 (en) * | 2015-05-07 | 2022-08-19 | 서울바이오시스 주식회사 | Uv light emitting apparatus |
| KR20180074198A (en) * | 2016-12-23 | 2018-07-03 | 서울바이오시스 주식회사 | Semiconductor light emitting device |
| KR101928306B1 (en) * | 2017-04-11 | 2018-12-13 | 주식회사 세미콘라이트 | Semiconductor light emitting device |
| KR102390828B1 (en) * | 2017-08-14 | 2022-04-26 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor device |
| WO2019045549A1 (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 서울반도체주식회사 | Display device and method for manufacturing same |
| WO2019069834A1 (en) * | 2017-10-02 | 2019-04-11 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Deep ultraviolet light emitting element and method for producing same |
| KR102403821B1 (en) * | 2017-11-16 | 2022-05-30 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor device |
| KR102478996B1 (en) * | 2018-02-14 | 2022-12-19 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor divece and package including same |
| KR102575580B1 (en) * | 2018-08-21 | 2023-09-06 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Smeiconductor device |
| KR20200086488A (en) * | 2019-01-09 | 2020-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
| KR102621918B1 (en) * | 2019-01-25 | 2024-01-05 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor device |
| KR102627863B1 (en) * | 2019-01-25 | 2024-01-22 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Semiconductor device |
| KR102654917B1 (en) * | 2019-04-15 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR20210034986A (en) * | 2019-09-23 | 2021-03-31 | 주식회사 포톤웨이브 | Uv led providing high quantity of light |
-
2021
- 2021-08-27 KR KR1020210113919A patent/KR102539566B1/en active IP Right Grant
- 2021-08-27 KR KR1020210113918A patent/KR102539565B1/en active IP Right Grant
- 2021-10-29 KR KR1020210146485A patent/KR102558800B1/en active IP Right Grant
-
2022
- 2022-07-13 WO PCT/KR2022/010248 patent/WO2023075084A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102539565B1 (en) | 2023-06-05 |
| KR20220106027A (en) | 2022-07-28 |
| KR20220106018A (en) | 2022-07-28 |
| KR102558800B1 (en) | 2023-07-25 |
| KR20220106019A (en) | 2022-07-28 |
| WO2023075084A1 (en) | 2023-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8946744B2 (en) | Light emitting diode | |
| US20150287876A1 (en) | Light-emitting device | |
| JP2019514224A (en) | Light emitting element, light emitting element package and light emitting module | |
| US10340417B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same | |
| KR102524303B1 (en) | semiconductor device | |
| JP7209331B2 (en) | semiconductor element | |
| KR102539566B1 (en) | Ultraviolet light emitting device | |
| KR102621240B1 (en) | Semiconductor device | |
| US20230238419A1 (en) | Ultraviolet light-emitting device | |
| KR102621918B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR102627863B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR102385672B1 (en) | Ultraviolet light emitting device and light emitting device package including the same | |
| JP7051131B2 (en) | Semiconductor element | |
| JP7219500B2 (en) | Ultraviolet light emitting device and light emitting device package including the same | |
| KR102431076B1 (en) | Ultraviolet light emitting device and light emitting device package including the same | |
| US10622518B1 (en) | Light-emitting diode with a mesa constructed from a unit cell | |
| KR102490260B1 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| KR102512841B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR102552889B1 (en) | Semiconductor device, semiconductor device package and mathod for manufacturing the same | |
| US20200411706A1 (en) | Semiconductor light receiving element and semiconductor relay | |
| KR102251238B1 (en) | Uv light emitting device and lighting system | |
| KR20190127188A (en) | Semiconductor device | |
| KR20200044467A (en) | Semiconductor devie |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |