KR102538400B1 - Optical lens, light emitting module and light unit having thereof - Google Patents

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Abstract

실시 예는 광학 렌즈 및 이를 갖는 발광 모듈이 개시된다.
실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면; 상기 바닥면의 센터 영역에 상 방향으로 볼록한 리세스; 상기 리세스의 둘레에 입사면; 상기 바닥면 및 입사면의 반대측에 배치되며 상기 리세스에 대응되는 센터 영역이 볼록한 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및 상기 제1광 출사면과 상기 바닥면 사이에 수직 방향으로 연결된 제2광 출사면을 포함하며, 상기 바닥면은 상기 리세스의 둘레에 제1에지 및 상기 제2광 출사면의 하부에 제2에지를 포함하며, 상기 바닥면의 제1에지와 제2에지를 연결한 직선은 상기 제1에지를 지나는 수평한 축에 대해 경사지며, 상기 바닥면의 제1에지는 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치되며, 상기 입사면의 하부 영역은 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치된다.
An embodiment discloses an optical lens and a light emitting module having the same.
An optical lens according to an embodiment includes a bottom surface; a recess convex upward in a center region of the bottom surface; an incident surface around the recess; a first light exit surface disposed opposite to the bottom surface and the incident surface and having a curved surface in which a center region corresponding to the recess is convex; and a second light exit surface connected in a vertical direction between the first light exit surface and the bottom surface, wherein the bottom surface is provided at a first edge around the recess and below the second light exit surface. It includes two edges, and a straight line connecting the first edge and the second edge of the bottom surface is inclined with respect to a horizontal axis passing through the first edge, and the first edge of the bottom surface passes through the second edge. It is disposed below the horizontal straight line, and the lower region of the incident surface is disposed below the horizontal straight line passing through the second edge.

Description

광학 렌즈, 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{OPTICAL LENS, LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THEREOF} Optical lens, light emitting module and light unit having the same

본 발명은 광학 렌즈, 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to an optical lens, a light emitting module, and a light unit having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, for example, a light emitting diode (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and is in the limelight as a next-generation light source replacing conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes use semiconductor devices to generate light, they consume very little power compared to incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet rays generated through high-voltage discharge with phosphors. .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using a potential gap of a semiconductor device, it has a longer lifespan, faster response characteristics, and eco-friendly characteristics than conventional light sources.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many studies are being conducted to replace existing light sources with light emitting diodes, and light emitting diodes are increasingly used as light sources for lighting devices such as various lamps used indoors and outdoors, display devices, electronic signboards, and street lights.

실시 예는 서로 다른 광 출사면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides optical lenses having different light exit surfaces.

실시 예는 입사면 및 제1광 출사면의 정점이 동일한 방향으로 볼록한 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which vertices of the incident surface and the first light exit surface are convex in the same direction.

실시 예는 입사면의 둘레에 곡면의 제1광 출사면과 플랫한 제2광 출사면을 갖는 광학 렌즈를 제공한다.An embodiment provides an optical lens having a curved first light exit surface and a flat second light exit surface around an incident surface.

실시 예는 입사면의 정점이 광원보다 제1광 출사면의 정점에 더 인접한 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which a vertex of the incident surface is more adjacent to a vertex of the first light exit surface than a light source.

실시 예는 발광 소자의 둘레에 경사진 바닥면이 배치된 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens in which an inclined bottom surface is disposed around a light emitting device.

실시 예는 적어도 5면으로 발광하는 발광 소자로부터 입사된 광의 출사각을 변화시켜 주는 광학 렌즈를 제공한다.The embodiment provides an optical lens that changes an emission angle of light incident from a light emitting device that emits light on at least five sides.

실시 예는 발광 소자의 상면 및 측면으로부터 방출된 광을 광학 렌즈의 입사면으로 입사시켜 줄 수 있는 발광 모듈을 제공한다. The embodiment provides a light emitting module capable of injecting light emitted from the top and side surfaces of the light emitting device to the incident surface of an optical lens.

실시 예는 광학 렌즈의 서로 다른 출사면으로 출사된 광의 방출 각도를 변화시켜 주어 휘도 분포를 제어할 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module capable of controlling luminance distribution by changing emission angles of light emitted from different emission surfaces of optical lenses.

실시 예는 광학 렌즈의 바닥면이 발광 소자의 둘레에 배치되므로 광의 손실을 방지할 수 있는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module capable of preventing loss of light since the bottom surface of the optical lens is disposed around the light emitting device.

실시 예는 광학 렌즈의 바닥면을 경사진 면 또는 곡면으로 배치하여, 중심부의 휘도 분포를 개선한 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module in which luminance distribution in the center is improved by arranging the bottom surface of an optical lens as an inclined surface or a curved surface.

실시 예는 출사된 광의 휘도 분포를 제어할 수 있는 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides an optical lens capable of controlling the luminance distribution of emitted light and a light emitting module having the same.

실시 예는 광의 지향각을 벗어난 영역으로 방출되는 광의 출사각이 입사각보다 작은 광학 렌즈 및 이를 갖는 발광 모듈을 제공한다.Embodiments provide an optical lens in which an exit angle of light emitted to a region out of a beam angle is smaller than an incident angle, and a light emitting module having the same.

실시 예는 회로 기판 상에 광학 렌즈로부터 반사된 광의 광량이 최대인 영역에 흡수 층을 제공한 발광 모듈을 제공한다.An embodiment provides a light emitting module in which an absorption layer is provided on a circuit board in a region where the amount of light reflected from an optical lens is maximum.

실시 예는 회로 기판 상에 광학 렌즈의 바닥면으로 진행하는 불 필요한 광을 흡수하는 층을 배치한 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which a layer for absorbing unnecessary light propagating to the bottom surface of an optical lens is disposed on a circuit board.

실시 예는 회로 기판 상에 광학 렌즈의 바닥면으로 진행하는 불 필요한 광을 흡수하는 층에 광학 렌즈의 지지 돌기를 돌출시킨 조명 모듈을 제공한다.An embodiment provides a lighting module in which a support protrusion of an optical lens protrudes from a layer that absorbs unnecessary light propagating to a bottom surface of an optical lens on a circuit board.

실시 예는 회로 기판 상에 광학 렌즈의 바닥면으로 진행하는 불 필요한 광을 흡수하는 층에 광학 렌즈의 지지 돌기 및 상기 지지 돌기를 위한 구멍을 배치한 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which support protrusions of optical lenses and holes for the support protrusions are disposed on a layer that absorbs unnecessary light propagating to the bottom surface of the optical lenses on a circuit board.

실시 예는 회로 기판 상에 배치된 광학 렌즈의 측면 돌출부가 상기 회로 기판의 측면보다 외측에 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which a side protrusion of an optical lens disposed on a circuit board is disposed outside the side surface of the circuit board.

실시 예는 회로 기판 상에 배치된 복수의 광학 렌즈의 각 측면 돌출부가 상기 회로 기판의 적어도 한 측면 또는 양 측면보다 외측에 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which protrusions on each side of a plurality of optical lenses disposed on a circuit board are disposed outside at least one or both side surfaces of the circuit board.

실시 예는 회로 기판 상에 배치된 복수의 광학 렌즈의 측면 돌출부의 절단 면이 상기 회로 기판의 제1축 방향의 측면과 평행하게 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which cut surfaces of side protrusions of a plurality of optical lenses disposed on a circuit board are disposed parallel to a side surface of the circuit board in a first axis direction.

실시 예는 복수의 광학 렌즈의 각 측면 돌출부가 상기 복수의 광학 렌즈가 배열되는 간격 중 더 넓은 방향으로 배치되는 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which side protrusions of a plurality of optical lenses are disposed in a wider direction among intervals in which the plurality of optical lenses are arranged.

실시 예는 제1회로 기판 상에 배치된 광학 렌즈 간의 간격보다 제1회로 기판 상의 광학 렌즈와 제2회로 기판 상의 광학 렌즈 간의 간격이 더 넓게 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which an interval between the optical lenses on the first circuit board and the optical lenses on the second circuit board is wider than the interval between the optical lenses disposed on the first circuit board.

실시 예는 광학 렌즈의 측면 돌출부의 방향이 상기 측면 돌출부에 인접한 두 지지 돌기를 연결한 선분에 대해 직교하는 방향이거나 작교하는 축으로부터 30도 이내에 배치된 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module disposed within 30 degrees from an axis in which the direction of the side protrusion of the optical lens is orthogonal to a line segment connecting two support protrusions adjacent to the side protrusion or an intersecting axis.

실시 예는 광학 렌즈의 측면 돌출부는 상기 광학 렌즈의 출사면보다 외측으로 돌출되는 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides a lighting module in which the side protrusion of the optical lens protrudes outward from the exit surface of the optical lens.

실시 예에 따른 광학 렌즈는, 바닥면; 상기 바닥면의 센터 영역에 상 방향으로 볼록한 리세스; 상기 리세스의 둘레에 입사면; 상기 바닥면 및 입사면의 반대측에 배치되며 상기 리세스에 대응되는 센터 영역이 볼록한 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및 상기 제1광 출사면과 상기 바닥면 사이에 수직 방향으로 연결된 제2광 출사면을 포함하며, 상기 바닥면은 상기 리세스의 둘레에 제1에지 및 상기 제2광 출사면의 하부에 제2에지를 포함하며, 상기 바닥면의 제1에지와 제2에지를 연결한 직선은 상기 제1에지를 지나는 수평한 축에 대해 경사지며, 상기 바닥면의 제1에지는 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치되며, 상기 입사면의 하부 영역은 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치된다. An optical lens according to an embodiment includes a bottom surface; a recess convex upward in a center region of the bottom surface; an incident surface around the recess; a first light exit surface disposed opposite to the bottom surface and the incident surface and having a curved surface in which a center region corresponding to the recess is convex; and a second light exit surface connected in a vertical direction between the first light exit surface and the bottom surface, wherein the bottom surface is provided at a first edge around the recess and below the second light exit surface. It includes two edges, and a straight line connecting the first edge and the second edge of the bottom surface is inclined with respect to a horizontal axis passing through the first edge, and the first edge of the bottom surface passes through the second edge. It is disposed below the horizontal straight line, and the lower region of the incident surface is disposed below the horizontal straight line passing through the second edge.

실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈 또는 라이트 유닛을 포함할 수 있다.
A light emitting module or light unit having an optical lens according to an embodiment may be included.

실시 예는 광학 렌즈 아래에 배치된 발광 소자의 측면으로 방출되는 광 경로를 제어하여, 광학 렌즈의 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiment, a luminance distribution of the optical lens may be improved by controlling a light path emitted to a side of a light emitting device disposed under the optical lens.

실시 예는 광학 렌즈로부터 추출된 광에 의한 핫 스팟과 같은 노이즈를 줄일 수 있다.The embodiment may reduce noise such as hot spots caused by light extracted from an optical lens.

실시 예는 서로 다른 회로 기판 상의 광학 렌즈 간의 간섭을 줄여줄 수 있다.The embodiment may reduce interference between optical lenses on different circuit boards.

실시 예는 광학 렌즈에 의해 발광 소자 간의 간격을 넓게 제공하여, 광학 렌즈 간의 간섭을 줄여줄 수 있다.The embodiment may reduce interference between optical lenses by providing a wide interval between light emitting devices by optical lenses.

실시 예는 회로 기판 상에 흡수층을 배치하여, 곡면의 제1광 출사면으로 반사된 광을 흡수하여, 휘도 분포를 제어할 수 있다.According to the embodiment, the luminance distribution may be controlled by arranging an absorption layer on the circuit board to absorb light reflected from the curved first light exit surface.

실시 예는 백라이트 유닛 내에 배치되는 발광 소자의 개수를 줄일 수 있다.According to the embodiment, the number of light emitting devices disposed in the backlight unit may be reduced.

실시 예는 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve reliability of a light emitting module having an optical lens.

실시 예는 인접한 광학 렌즈 간의 간섭을 최소화하여 화상을 개선할 수 있다.According to the embodiment, an image may be improved by minimizing interference between adjacent optical lenses.

실시 예는 광학 렌즈와 같은 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment may improve reliability of a light unit such as an optical lens.

실시 예는 발광 모듈을 갖는 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve reliability of a lighting system having a light emitting module.

도 1은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 광학 렌즈의 부분 확대도이다.
도 3은 도 2의 광학 렌즈에서 리세스의 바닥 중심과 돌출된 영역의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2의 광학 렌즈에서 제1광 출사면 중에서 리세스에 대응되는 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1의 광학 렌즈의 측 면도이다.
도 6은 도 1의 광학 렌즈의 저면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 광 출사면을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 광학 렌즈 내에 발광 소자를 갖는 발광 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 광학 렌즈 아래에 회로 기판을 갖는 발광 모듈을 나타낸 측 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1광 출사면으로 출사된 광을 설명한 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면으로 출사된 광을 설명한 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1, 2광 출사면으로 출사된 광 분포를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1광 출사면 중에서 상기 리세스에 대응되는 영역으로 방출된 광 경로를 설명한 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 발광 소자로부터 방출된 수평한 광의 진행 경로를 설명한 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 발광 소자로부터 방출된 광 중에서 광학 렌즈의 저점 주변으로 입사된 광의 경로를 설명한 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1 및 제2광 출사면의 출사각을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면이 반사하는 경우의 광 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 1의 광학 렌즈에서 바닥면의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19는 도 1의 광학 렌즈의 제2광 출사면의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 20은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 지지 돌기와 흡수 층을 갖는 회로 기판을 구비한 발광 모듈의 예시도이다.
도 21은 도 20의 발광 모듈의 광학 렌즈의 투시도이다.
도 22는 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 측 단면도이다.
도 23은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 도 23의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 평면도이다.
도 25는 도 24의 발광 모듈의 측 단면도이다.
도 26은 도 24의 발광 모듈이 탑재된 백라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 27은 도 24의 발광 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 28은 도 27의 광학 렌즈에서 입사면과 제1,2광출사면의 출사 각도의 관계를 설명한 도면이다.
도 29은 도 28의 광학 렌즈의 제2광 출사면으로 출사된 광 분포를 나타낸 도면이다.
도 30는 도 23의 발광 소자의 측면도이다.
도 31은 도 23의 발광 소자의 평면도이다.
도 32는 도 23의 발광 소자의 저면도이다.
도 33은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 34는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 바닥면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 35은 도 34의 광학 렌즈의 부분 확대도이다.
도 36은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 바닥면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 37은 도 36의 광학 렌즈의 부분 확대도이다.
도 38은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 입사면의 변형 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 39는 도 38의 광학 렌즈의 입사면을 나타낸 도면이다.
도 40은 도 38의 광학 렌즈의 저면도이다.
도 41은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 42는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면 및 바닥면의 변형 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 43은 실시 예에 따른 광학 렌즈에 측면 돌출부를 배치한 평면도이다.
도 44는 도 43의 광학 렌즈의 배면도이다.
도 45는 도 43의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 평면도이다.
도 46은 도 45의 발광 모듈의 회로 기판 및 광학 렌즈를 나타낸 평면도이다.
도 47는 도 43의 광학 렌즈의 지지 돌기의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 48은 도 43의 광학 렌즈의 지지 돌기의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 49는 실시 예에 따른 회로 기판의 상면을 나타낸 광학 렌즈의 투시도이다.
도 50은 도 43의 발광 모듈의 B-B측 단면도이다.
도 51은 도 43의 발광 모듈의 C-C측 단면도이다.
도 52는 도 51의 발광 모듈의 부분 확대도이다.
도 53은 도 51의 발광 모듈에서 광학 렌즈의 지지 돌기를 회로 기판에 고정하기 위한 예를 나타낸 도면이다.
도 54는 제3실시 예에 따른 광학 렌즈의 측면도이다.
도 55는 도 43의 발광 모듈의 D-D측 단면도이다.
도 56은 도 55의 광학 렌즈의 부분 확대도이다.
도 57은 도 55의 광학 렌즈의 상세 구성을 나타낸 측 단면도이다.
도 58은 실시 예에 따른 회로 기판 상에 광학 렌즈를 배열한 조명 모듈의 예를 나타낸 도면이다.
도 59는 실시 예에 따른 발광 모듈을 갖는 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 60은 도 59의 발광 모듈 상에 광학 시트가 배치된 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 61은 실시 예에 따른 발광 소자의 상세 구성을 나타낸 제1예이다.
도 62는 실시 예에 따른 발광 소자의 제2예이다.
도 63은 실시 예에 따른 발광 소자의 제3예를 나타낸 도면이다.
도 64는 실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 65는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 입사면의 곡선 구간을 베지어 곡선 함수를 이용하여 정의하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 66은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1광 출사면의 곡선 구간을 베지어 곡선 함수를 이용하여 정의하는 일 예를 도시한 도면이다.
도 67은 실시 예와 비교 예의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 68는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 광 출사면의 위치에 따른 출사 광의 변화를 나타낸 도면이다.
도 69는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 입사면의 입사각과 광 출사면의 출사각을 비교한 그래프이다.
도 70은 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 제2광 출사면의 요철 여부에 따른 휘도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 71는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 제2광 출사면의 요철 여부에 따른 색차 변화를 나타낸 그래프이다.
도 72는 실시 예에 따른 광학 렌즈에 있어서, 회로기판의 흡수층 여부에 따른 화상 균일도를 나타낸 그래프이다.
도 73의 (A)은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이며, (B)는 발광 소자의 기준 점을 설명하기 위한 도면이며, (C)는 발광 소자의 평면 상에서 각 방향별 지향각 분포를 나타낸 그래프이고, (D)는 (C)의 지향각 분포를 삼차원 형상으로 나타낸 도면이다.
도 74은 도 27의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 75는 도 34의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 76은 도 38의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 77는 제3실시 예에 따른 광학 렌즈의 광축으로부터 소정 거리에서의 광도를 나타낸 도면이다.
1 is a side cross-sectional view of an optical lens according to an embodiment.
FIG. 2 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view for explaining a relationship between a center of a bottom of a recess and a protruding area in the optical lens of FIG. 2 .
FIG. 4 is a view for explaining a region corresponding to a recess in the first light exit surface of the optical lens of FIG. 2 .
5 is a side view of the optical lens of FIG. 1;
6 is a bottom view of the optical lens of FIG. 1;
7 is a view for explaining a light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
8 is a side cross-sectional view showing a light emitting module having a light emitting element in an optical lens according to an embodiment.
9 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting module having a circuit board under an optical lens according to an embodiment.
10 is a diagram explaining light emitted from a first light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
11 is a diagram explaining light emitted from a second light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
12 is a view showing the distribution of light emitted to first and second light exit surfaces of an optical lens according to an embodiment.
FIG. 13 is a view illustrating a light path emitted from a first light exit surface of an optical lens to a region corresponding to the recess according to an exemplary embodiment.
14 is a diagram illustrating a horizontal path of light emitted from a light emitting device in an optical lens according to an embodiment.
15 is a diagram illustrating a path of light incident around a low point of an optical lens among light emitted from a light emitting device in an optical lens according to an embodiment.
16 is a diagram for explaining emission angles of first and second light emission surfaces of an optical lens according to an embodiment.
17 is a view for explaining a light path when the second light exit surface of the optical lens reflects the light according to the embodiment.
18 is a view showing another example of a bottom surface in the optical lens of FIG. 1;
FIG. 19 is a view showing another example of a second light exit surface of the optical lens of FIG. 1 .
20 is an exemplary view of a light emitting module having a circuit board having an absorption layer and a support protrusion of an optical lens according to an embodiment.
21 is a perspective view of an optical lens of the light emitting module of FIG. 20;
22 is a side cross-sectional view illustrating a light unit having an optical lens according to an embodiment.
23 is a view showing another example of an optical lens according to an embodiment.
24 is a plan view of a light emitting module having an optical lens of FIG. 23;
25 is a side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 24;
FIG. 26 is a view showing a backlight unit in which the light emitting module of FIG. 24 is mounted.
27 is an AA-side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 24;
FIG. 28 is a diagram explaining the relationship between the incident surface and the exit angles of the first and second light exit surfaces in the optical lens of FIG. 27 .
FIG. 29 is a view showing the distribution of light emitted from the second light exit surface of the optical lens of FIG. 28 .
30 is a side view of the light emitting device of FIG. 23;
Fig. 31 is a plan view of the light emitting element of Fig. 23;
32 is a bottom view of the light emitting element of FIG. 23;
33 is a side cross-sectional view illustrating another example of a second light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
34 is a side cross-sectional view showing another example of a bottom surface of an optical lens according to an embodiment.
35 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 34;
36 is a side cross-sectional view showing another example of a bottom surface of an optical lens according to an embodiment.
37 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 36;
38 is a side cross-sectional view showing a modified example of an incident surface of an optical lens according to an embodiment.
39 is a view showing an incident surface of the optical lens of FIG. 38;
Fig. 40 is a bottom view of the optical lens of Fig. 38;
41 is a side cross-sectional view showing another example of a second light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
42 is a side cross-sectional view illustrating a modified example of a second light exit surface and a bottom surface of an optical lens according to an embodiment.
43 is a plan view of disposing side protrusions on an optical lens according to an embodiment.
44 is a rear view of the optical lens of FIG. 43;
45 is a plan view of the light emitting module having the optical lens of FIG. 43;
46 is a plan view illustrating a circuit board and an optical lens of the light emitting module of FIG. 45;
47 is a view showing another example of a support protrusion of the optical lens of FIG. 43;
48 is a view showing another example of a support protrusion of the optical lens of FIG. 43;
49 is a perspective view of an optical lens showing an upper surface of a circuit board according to an embodiment.
50 is a BB-side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 43;
51 is a CC-side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 43;
52 is a partially enlarged view of the light emitting module of FIG. 51;
FIG. 53 is a view showing an example for fixing a support protrusion of an optical lens in the light emitting module of FIG. 51 to a circuit board.
54 is a side view of an optical lens according to a third embodiment.
55 is a DD side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 43;
56 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 55;
Fig. 57 is a side sectional view showing a detailed configuration of the optical lens of Fig. 55;
58 is a diagram illustrating an example of a lighting module in which optical lenses are arranged on a circuit board according to an embodiment.
59 is a view illustrating a light unit having a light emitting module according to an embodiment.
FIG. 60 is a view showing a light unit in which an optical sheet is disposed on the light emitting module of FIG. 59 .
61 is a first example showing a detailed configuration of a light emitting device according to an embodiment.
62 is a second example of a light emitting device according to the embodiment.
63 is a view showing a third example of a light emitting device according to an embodiment.
64 is a diagram illustrating a display device having an optical lens and a light emitting module including the optical lens according to an embodiment.
65 is a diagram illustrating an example of defining a curved section of an incident surface of an optical lens using a Bezier curve function according to an embodiment.
66 is a diagram illustrating an example of defining a curved section of a first light exit surface of an optical lens according to an embodiment by using a Bezier curve function.
67 is a diagram showing luminance distributions of Examples and Comparative Examples.
68 is a diagram illustrating a change in output light according to a position of a light exit surface of an optical lens according to an embodiment.
69 is a graph comparing the incident angle of the incident surface and the exit angle of the light exit surface of the optical lens according to the embodiment.
70 is a graph showing luminance distribution according to whether or not the second light exit surface is uneven in the optical lens according to the embodiment.
71 is a graph showing a change in color difference depending on whether or not the second light exit surface is uneven in the optical lens according to the embodiment.
72 is a graph showing image uniformity depending on whether an absorption layer is present on a circuit board in an optical lens according to an embodiment.
73 (A) is a plan view of a light emitting device according to an embodiment, (B) is a diagram for explaining a reference point of the light emitting device, and (C) is a view angle distribution for each direction on a plane of the light emitting device. It is a graph, and (D) is a diagram showing the angle of view distribution of (C) in a three-dimensional shape.
FIG. 74 is a diagram showing a luminance distribution of a light emitting module having an optical lens of FIG. 27 .
75 is a view showing luminance distribution of the light emitting module having the optical lens of FIG. 34;
FIG. 76 is a view showing luminance distribution of the light emitting module having the optical lens of FIG. 38;
77 is a diagram showing the luminous intensity at a predetermined distance from the optical axis of the optical lens according to the third embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, embodiments will be clearly revealed through the accompanying drawings and description of the embodiments. In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structure may be "on" or "under/under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case of being described as being formed on ", both "on/on" and "under/under" are formed "directly" or "indirectly" through another layer. include In addition, the criterion for the upper/upper or lower/lower of each layer will be described based on the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈을 설명한다.
Hereinafter, an optical lens and a light emitting module including the optical lens according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 광학 렌즈의 부분 확대도이고, 도 3은 도 2의 광학 렌즈에서 리세스의 바닥 중심과 돌출된 영역의 관계를 설명하기 위한 도면이며, 도 4는 도 2의 광학 렌즈에서 제1광 출사면 중에서 리세스에 대응되는 영역을 설명하기 위한 도면이며, 도 5는 도 1의 광학 렌즈의 측 면도이고, 도 6은 도 1의 광학 렌즈의 저면도이다.1 is a side cross-sectional view of an optical lens according to an embodiment, FIG. 2 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 1, and FIG. 3 explains the relationship between the bottom center of a recess and a protruding area in the optical lens of FIG. FIG. 4 is a view for explaining a region corresponding to a recess in the first light exit surface of the optical lens of FIG. 2, FIG. 5 is a side view of the optical lens of FIG. 1, and FIG. It is a bottom view of the optical lens of 1.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 광학 렌즈(300)는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 센터 영역에 상기 바닥면(310)으로부터 위로 볼록한 리세스(recess)(315), 상기 리세스(315)의 둘레에 입사면(320), 상기 바닥면(310) 및 상기 입사면(320)의 반대측에 배치된 제1광 출사면(330), 및 상기 제1광 출사면(330)의 하부에 배치된 제2광 출사면(335)을 포함한다.1 to 6, the optical lens 300 includes a bottom surface 310, a recess 315 convex upward from the bottom surface 310 in the center region of the bottom surface 310, An incident surface 320 around the recess 315, a first light exit surface 330 disposed opposite to the bottom surface 310 and the incident surface 320, and the first light exit surface ( 330) and a second light exit surface 335 disposed below.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)에 대해 수직한 축 방향은 중심 축(Y0) 또는 광 축으로 정의할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)에 대해 수평한 축 방향은 제1축(X0) 방향일 수 있으며, 상기 제1축(X0) 방향은 상기 중심 축(Y0) 또는 광축과 직교하는 방향이 될 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)은 광학 렌즈(300)의 하부 중심일 수 있으며, 기준 점으로 정의될 수 있다.In the optical lens 300 , an axial direction perpendicular to the bottom center P0 of the recess 315 may be defined as a central axis Y0 or an optical axis. An axial direction parallel to the bottom center P0 of the recess 315 may be a first axis X0 direction, and the first axis X0 direction may be orthogonal to the central axis Y0 or the optical axis. direction can be The bottom center P0 of the recess 315 may be the bottom center of the optical lens 300 and may be defined as a reference point.

상기 광학 렌즈(300)는 투광성 재료를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 폴리카보네이트(PC), 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 실리콘 또는 에폭시 수지, 또는 글래스(Glass) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위의 투명 재료를 포함할 수 있다.
The optical lens 300 may include a light-transmitting material. The optical lens 300 may include at least one of polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), silicone or epoxy resin, or glass. The optical lens 300 may include a transparent material having a refractive index ranging from 1.4 to 1.7.

실시 예에 따른 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 리세스(315)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 수평한 제1축(X0)에 대해 경사진 면을 포함하거나 곡면을 포함하거나 경사진 면과 곡면을 모두 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 상기 바닥면(310)의 센터 영역으로부터 수직 상 방향으로 함몰된 형태를 갖는다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 according to the embodiment may be disposed around the recess 315 . The bottom surface 310 may include an inclined surface with respect to the first horizontal axis X0, a curved surface, or both an inclined surface and a curved surface. The recess 315 has a shape depressed in a vertical upward direction from the center area of the bottom surface 310 .

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 리세스(315)에 인접한 제1에지(23) 및 제2광 출사면(335)에 인접한 제2에지(25)를 포함한다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)과 상기 바닥면(310) 사이의 경계 영역이며, 광학 렌즈(300)의 저점 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)는 상기 바닥면(310)의 영역 중에서 가장 낮은 지점을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)의 위치는 수평한 제1축(XO)을 기준으로 제2에지(25)의 위치보다 낮게 위치될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 상기 입사면(320)의 하부 둘레를 커버할 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 외곽 영역이거나 상기 제2광 출사면(335)의 하부 영역이 될 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)과 상기 제2광 출사면(335) 사이의 경계 영역일 수 있다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 includes a first edge 23 adjacent to the recess 315 and a second edge 25 adjacent to the second light exit surface 335 . The first edge 23 is a boundary area between the incident surface 320 and the bottom surface 310 and may include a low point area of the optical lens 300 . The first edge 23 may include the lowest point of the area of the bottom surface 310 . The position of the first edge 23 may be lower than the position of the second edge 25 based on the horizontal first axis XO. The first edge 23 may cover the lower circumference of the incident surface 320 . The second edge 25 may be an outer area of the bottom surface 310 or a lower area of the second light exit surface 335 . The second edge 25 may be a boundary area between the bottom surface 310 and the second light exit surface 335 .

상기 제1에지(23)는 상기 바닥면(310)의 내부 영역이거나 상기 입사면(320)과의 경계 라인일 수 있다. 상기 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 외부 영역이거나 제2광 출사면(335)과의 경계 라인일 수 있다. 상기 제1에지(23)는 내측 모서리이거나 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제2에지(25)는 외측 모서리이거나 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1에지(23)와 제2에지(25)는 상기 바닥면(310)의 양 단부일 수 있다. 상기 제1에지(23)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있으며, 상기 제2에지(25)는 바텀 뷰 형상이 원 형상 또는 타원 형상일 수 있다.The first edge 23 may be an inner region of the bottom surface 310 or a boundary line with the incident surface 320 . The second edge 25 may be an outer region of the bottom surface 310 or a boundary line with the second light exit surface 335 . The first edge 23 may include an inner corner or a curved surface. The second edge 25 may include an outer corner or a curved surface. The first edge 23 and the second edge 25 may be both ends of the bottom surface 310 . The first edge 23 may have a circular or elliptical shape in a bottom view, and the second edge 25 may have a circular or elliptical shape in a bottom view.

상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)에 가까울수록 상기 제1축(X0)과의 간격이 점차 좁아질 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)로부터 멀어질수록 상기 제1축(X0)과의 간격이 점차 커질 수 있다. 상기 바닥면(310)에서 상기 제2에지(25)는 상기 제1축(X0)과의 간격(T0)이 최대이고, 상기 제1에지(23)는 상기 제1축(X0) 사이의 간격이 최소일 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1에지(23)과 상기 제2에지(25) 사이에 경사진 면 또는 곡면을 포함하거나 경사진 면과 곡면을 모두 포함할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제1축(X0)을 기준으로 외측으로 갈수록 점차 멀어지게 됨으로써, 상기 리세스(315)에서 바라 볼 때는 전 반사면이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 리세스(315) 내에서 상기 리세스(315)의 바닥 위에 임의의 광원이 배치된 경우, 상기 바닥면(310)은 경사진 면을 제공할 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 리세스(315)를 통해 입사되는 광에 대해 반사하게 되므로, 광의 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 상기 입사면(320)을 거치지 않고 바닥면(310)으로 직접 입사되는 광들을 제거할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 입사면(320)을 통해 반사면(310)으로 입사된 광의 광량이 증가될 수 있고, 지향각 분포를 개선시켜 줄 수 있다.As the bottom surface 310 is closer to the first edge 23, the distance from the first axis X0 may gradually decrease. The distance between the bottom surface 310 and the first axis X0 may gradually increase as the distance from the first edge 23 increases. On the bottom surface 310, the second edge 25 has a maximum distance T0 from the first axis X0, and the first edge 23 has a distance between the first axes X0. This may be the minimum. The bottom surface 310 may include an inclined surface or a curved surface between the first edge 23 and the second edge 25 or may include both an inclined surface and a curved surface. The bottom surface 310 may become a total reflection surface when viewed from the recess 315 as the bottom surface 310 gradually becomes farther outward with respect to the first axis X0 . For example, when an arbitrary light source is disposed on the bottom of the recess 315 within the recess 315, the bottom surface 310 may provide an inclined surface. Since the bottom surface 310 reflects light incident through the recess 315, loss of light can be reduced. In addition, light directly incident to the bottom surface 310 without passing through the incident surface 320 may be removed. The optical lens 300 can increase the amount of light incident on the reflective surface 310 through the incident surface 320 and improve the beam angle distribution.

상기 바닥면(310)이 상기 리세스(315)의 제1에지(23)에 인접할수록 더 낮아지게 되므로, 제1축(X0)에 점차 가까워질 수 있다. 이에 따라 상기 바닥면(310)의 면적은 증가될 수 있다. 상기 리세스(315)의 입사면(320)의 면적은 상기 바닥면(310)이 낮아진 만큼 더 넓어질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이는 상기 제1에지(23)로부터의 높이가 되므로, 더 깊어질 수 있다. 상기 바닥면(310)의 면적이 증가함으로써, 반사 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥은 더 낮아지게 되므로, 바닥 면적을 증가시켜 줄 수 있다.
Since the bottom surface 310 becomes lower as it approaches the first edge 23 of the recess 315, it can gradually approach the first axis X0. Accordingly, the area of the bottom surface 310 may be increased. An area of the incident surface 320 of the recess 315 may be wider as the bottom surface 310 is lowered. Since the depth of the recess 315 becomes the height from the first edge 23, it may be deeper. By increasing the area of the bottom surface 310, the reflection area can be increased. Since the bottom of the recess 315 is lowered, the bottom area can be increased.

상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 리세스(315)의 바닥과 수평한 제1축(X0) 상에 배치되며, 상기 제2에지(25)는 상기 제1축(X0)으로부터 소정 간격(T0)으로 이격된다. 상기 제2에지(25)와 상기 제1축(X0) 간의 간격(T0)은 입사 면(320)의 하부 영역(22A)으로 입사된 광을 반사하도록 경사진 면을 제공할 수 있는 거리일 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)은 상기 제2에지(25)에 수평한 선을 지나는 입사면(320)의 하부 지점(22)과 제1에지(23) 사이의 영역일 수 있다. The first edge 23 of the bottom surface 310 is disposed on a first axis X0 parallel to the bottom of the recess 315, and the second edge 25 is disposed on the first axis X0 ) at a predetermined interval T0. The distance T0 between the second edge 25 and the first axis X0 may be a distance capable of providing an inclined surface to reflect light incident to the lower region 22A of the incident surface 320. there is. The lower area 22A of the incident surface 320 may be an area between the lower point 22 and the first edge 23 of the incident surface 320 passing a line parallel to the second edge 25. .

상기 제2에지(25)와 상기 제1축(X0) 간의 간격은 500㎛ 이하일 수 있으며, 예컨대 450㎛ 이하일 수 있다. 상기 제2에지(25)와 상기 제1축(X0) 간의 간격은 200㎛ 내지 450㎛ 범위일 수 있으며, 상기 간격(T0)이 상기 범위보다 작은 경우 상기 제2광 출사면(335)의 저점 위치가 낮아져 상기 제2광 출사면(335)으로 방출된 광들의 간섭 문제가 발생될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 상기 제2광 출사면(335)의 고점 위치가 높아져 제1광 출사면(330)의 곡률이 변경되는 문제가 발생되고 광학 렌즈(300)의 두께(D3)가 증가되는 문제가 있다.The distance between the second edge 25 and the first axis X0 may be 500 μm or less, for example, 450 μm or less. The distance between the second edge 25 and the first axis X0 may be in the range of 200 μm to 450 μm, and when the distance T0 is smaller than the range, the lowest point of the second light exit surface 335 When the position is lowered, an interference problem of lights emitted to the second light exit surface 335 may occur, and when the range is greater than the above range, the position of the highest point of the second light exit surface 335 is increased and the first light exit surface ( There is a problem that the curvature of 330 is changed and the thickness D3 of the optical lens 300 is increased.

상기 바닥면(310)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다.The bottom surface 310 may be formed as a curved surface having a Bezier curve. The curve of the bottom surface 310 may be implemented as a spline, for example, cubic, B-spline, or T-spline. The curve of the bottom surface 310 may be implemented as a Bezier curve.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에는 후술되는 바와 같이, 복수의 지지 돌기를 포함할 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향으로 돌출되고 상기 광학 렌즈(300)를 지지하게 된다.
As described below, the bottom surface 310 of the optical lens 300 may include a plurality of support protrusions. The plurality of support protrusions protrude downward from the bottom surface 310 of the optical lens 300 and support the optical lens 300 .

상기 리세스(315)의 바닥 형상은 원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 형상은 다른 예로서, 타원 형상 또는 다각형 형상일 수 있다. 상기 리세스(315)는 측 단면이 종(bell) 형상, 포탄(shell) 형상 또는 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 리세스(315)는 위로 올라갈수록 너비가 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)는 바닥 둘레의 제1에지(23)로부터 상단의 제1정점(21)을 향해 점진적으로 수렴되는 형상을 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바텀 뷰가 원 형상인 경우, 상기 제1정점(21)을 향해 직경이 점진적으로 감소될 수 있다. 상기 리세스(315)는 중심 축(Y0)을 기준으로 회전 대칭 형상으로 제공될 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 도트 형상으로 제공될 수 있다. A bottom shape of the recess 315 may include a circular shape. As another example, the bottom shape of the recess 315 may be an elliptical shape or a polygonal shape. The recess 315 may have a bell shape, a shell shape, or an elliptical cross section. The recess 315 may have a shape in which a width gradually decreases as it goes up. The recess 315 may have a shape gradually converging from the first edge 23 around the bottom toward the first vertex 21 at the top. When the bottom view of the recess 315 has a circular shape, a diameter may gradually decrease toward the first apex 21 . The recess 315 may be provided in a rotationally symmetrical shape with respect to the central axis Y0. The first vertex 21 of the incident surface 320 may be provided in a dot shape.

상기 리세스(315)의 바닥 너비(D1)는 광원 즉, 후술되는 발광 소자가 삽입될 수 있는 너비를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D1)는 발광 소자의 너비의 3배 이하 예컨대, 2.5배 이하일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비는 상기 발광 소자의 너비의 1.2배 내지 2.5배 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 발광 소자의 삽입이 용이하지 않고 상기 범위보다 큰 경우 상기 발광 소자와 제1에지(23) 사이의 영역을 통한 광 손실 또는 광 간섭을 줄 수 있다.
The bottom width D1 of the recess 315 may have a width into which a light source, that is, a light emitting device to be described later may be inserted. The width D1 of the bottom of the recess 315 may be less than three times the width of the light emitting device, for example, less than 2.5 times. The width of the bottom of the recess 315 may be in the range of 1.2 to 2.5 times the width of the light emitting element. If it is smaller than the above range, it is not easy to insert the light emitting element, and if it is larger than the above range, the light emitting element and the first Optical loss or optical interference through the region between the edges 23 may be given.

상기 입사면(320)은 상기 바닥면(310)의 센터 영역으로부터 위로 볼록한 곡면을 가지며, 상기 리세스(315)의 둘레 면 또는 내부면일 수 있다. 상기 입사면(320)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)과의 거리가 위로 올라갈수록 점차 멀어질 수 있다. 상기 입사면(320)은 볼록한 곡면으로 제공되므로, 전 영역에서 광을 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)은 상기 제2광 출사면(335)보다 낮은 위치에 배치되어, 직접 또는 간접으로 광을 입사받을 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)은 상기 리세스(315)의 바닥에서 반사된 광을 입사받을 수 있다. 상기 입사면(320)은 베지어(Bezier) 곡선을 갖는 회전체로 형성될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 스플라인(Spline) 예컨대, 큐빅(cubic), B-스플라인, T-스플라인으로 구현될 수 있다. 상기 입사면(320)의 곡선은 베지어 곡선(Bezier curve)로 구현될 수 있다.
The incident surface 320 has a convex curved surface upward from the center region of the bottom surface 310 and may be a circumferential surface or an inner surface of the recess 315 . The incident surface 320 may gradually become farther away as the distance from the center of the bottom P0 of the recess 315 increases. Since the incident surface 320 is provided as a convex curved surface, it can refract light in the entire area. The lower region 22A of the incident surface 320 is disposed at a position lower than the second light exit surface 335, and may directly or indirectly receive light. The lower region 22A of the incident surface 320 may receive the light reflected from the bottom of the recess 315 . The incident surface 320 may be formed as a rotating body having a Bezier curve. The curve of the incident surface 320 may be implemented as a spline, for example, cubic, B-spline, or T-spline. The curve of the incident surface 320 may be implemented as a Bezier curve.

광학 렌즈(300)는 제1광 출사면(330)과 제2광 출사면(335)을 포함한다. 상기 제1광 출사면(330)은 렌즈 몸체를 기준으로 상기 입사면(320) 및 상기 바닥면(310)의 반대측 면일 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 곡면을 포함한다. 상기 제1광 출사면(330)은 중심 축(Y0)에 대응되는 지점이 제2정점(31)이 될 수 있으며, 상기 제2정점(31)은 렌즈 몸체의 정점일 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 위로 볼록한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 전 영역이 곡면 예컨대, 서로 다른 양의 곡률을 갖는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 상기 중심 축(Y0)을 기준으로 축대칭 형상 예컨대, 회전 대칭 형상을 가질 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에서 상기 제2정점(31)부터 상기 제2광 출사면(335) 사이의 영역은 음의 곡률을 가지지 않을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에서 상기 제2정점(31)부터 상기 제2광 출사면(335) 사이의 영역은 서로 다른 양의 곡률 반경을 가질 수 있다. The optical lens 300 includes a first light exit surface 330 and a second light exit surface 335 . The first light exit surface 330 may be a surface opposite to the incident surface 320 and the bottom surface 310 based on the lens body. The first light exit surface 330 includes a curved surface. A point corresponding to the central axis Y0 of the first light exit surface 330 may be the second apex 31 , and the second apex 31 may be the apex of the lens body. The first light exit surface 330 may include an upwardly convex curved surface. The entire area of the first light exit surface 330 may be formed as a curved surface, for example, a curved surface having different amounts of curvature. The first light exit surface 330 may have an axisymmetric shape, for example, a rotationally symmetric shape with respect to the central axis Y0. An area between the second vertex 31 and the second light exit surface 335 of the second light exit surface 335 may not have a negative curvature. A region between the second vertex 31 and the second light exit surface 335 of the second light exit surface 335 may have a different positive radius of curvature.

상기 제1광 출사면(330)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)과의 거리가 중심 축(Y0)으로부터 멀어질수록 점차 커질 수 있다. 상기 제1광 출사면(330) 중에서 상기 중심 축(Y0) 즉, 상기 제2정점(31)에 인접할수록 상기 제2정점에 접한 수평한 직선(X4)과의 기울기가 없거나 미세한 기울기 차이를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)은 완만한 곡선이거나 평탄한 직선을 포함할 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)은 상기 리세스(315)와 수직하게 오버랩되는 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 사이드 영역(33)은 상기 센터 영역(32)보다 급격한 곡면을 가질 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)과 상기 입사면(320)은 볼록한 곡면을 가지므로, 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로부터 방출되는 광에 대해 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)과 상기 입사면(320)은 상기 중심 축(Y0)으로부터 70±4 이내의 각도(θ21) 범위에서 상기 중심 축(Y0)으로부터 멀어질수록 광이 굴절되는 각도가 커질 수 있다. The first light exit surface 330 may gradually increase as the distance from the center of the bottom P0 of the recess 315 increases from the central axis Y0. Of the first light exit surface 330, as it is closer to the central axis Y0, that is, the second vertex 31, it has no inclination or a slight difference in inclination with the horizontal straight line X4 in contact with the second vertex. can That is, the center area 32 of the first light exit surface 330 may include a gentle curve or a flat straight line. The center area 32 of the first light exit surface 330 may include an area vertically overlapping the recess 315 . The side area 33 of the first light exit surface 330 may have a steeper curved surface than the center area 32 . Since the first light exit surface 330 and the incident surface 320 have convex curved surfaces, light emitted from the bottom center P0 of the recess 315 can be diffused laterally. The first light exit surface 330 and the incident surface 320 are an angle at which light is refracted as the distance from the central axis Y0 increases in the range of an angle θ21 within 70±4 from the central axis Y0. can grow

상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)의 곡률 반경은 상기 입사면(320)의 곡률 반경 보다는 클 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 기울기는 상기 입사면(320)의 기울기보다는 작을 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)은 지향각 내에서 중심축(Y0)을 기준으로 거리가 멀어짐에 따라 단조가 증가하게 되며, 상기 제2광 출사면(335)은 광의 지향각 분포를 벗어난 영역을 포함하며, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 거리가 멀어짐에 따라 단조가 동일하거나 감소하게 된다. The radius of curvature of the center region 32 of the first light exit surface 330 may be greater than the radius of curvature of the incident surface 320 . The slope of the first light exit surface 330 may be smaller than the slope of the incident surface 320 . The monotony of the first light exit surface 330 of the optical lens 300 increases as the distance increases with respect to the central axis Y0 within the beam angle, and the second light exit surface 335 has a It includes an area out of the beam angle distribution, and the monotonicity becomes the same or decreases as the distance increases with respect to the central axis Y0.

상기 제1광 출사면(330)과 상기 제2광 출사면(335) 사이의 경계 영역에서는 광이 굴절되는 각도가 감소될 수 있으며, 예컨대 2도 이하의 오차 범위로 감소될 수 있다. 이는 상기 제1광 출사면(330) 중에서 상기 제2광 출사면(335)에 가까운 면이 접선에 가까워지거나 수직한 면으로 제공될 수 있으므로, 광이 굴절되는 각도가 점차 감소될 수 있다.
In the boundary region between the first light exit surface 330 and the second light exit surface 335, an angle at which light is refracted may be reduced, for example, to an error range of 2 degrees or less. Since a surface of the first light exit surface 330 close to the second light exit surface 335 may be provided as a tangential or perpendicular surface, the angle at which light is refracted may gradually decrease.

상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)은 상기 제1축(X0)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 평평한 면이거나 경사진 면일 수 있으며, 플랜지(Flange)로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second light exit surface 335 of the optical lens 300 may be disposed at a higher position than the first axis X0. The second light exit surface 335 may be a flat surface or an inclined surface, and may be defined as a flange, but is not limited thereto.

상기 제2광 출사면(335)은 상기 제1축(X0)에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 상기 제1광 출사면(330)의 외곽 라인으로부터 수직하게 연장되거나 경사지게 연장될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)는 제1광 출사면(330)에 인접한 제3에지(35)를 포함하며, 상기 제3에지(35)는 상기 제1광 출사면(330)의 외곽 라인과 동일한 위치이거나 상기 제1광 출사면(330)의 외곽 라인보다 내부 또는 외부에 위치할 수 있다. The second light exit surface 335 may be vertically or inclinedly disposed with respect to the first axis X0. The second light exit surface 335 may extend vertically or obliquely from the outer line of the first light exit surface 330 . The second light exit surface 335 includes a third edge 35 adjacent to the first light exit surface 330, and the third edge 35 is an outer line of the first light exit surface 330. It may be located at the same position as or located inside or outside the outer line of the first light exit surface 330 .

상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)와 상기 중심축(Y0)을 연결한 직선(X5)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Y0)으로부터 74±2도 이하의 각도에 위치될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 제1축(X0)에 대해 20도 이하 예컨대, 16±2도의 각도(θ22)로 위치할 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)으로 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)와 제3에지(35) 사이의 각도는 16도 이하 예컨대, 13±2도의 각도를 가질 수 있다. 이러한 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선(X5)에 대한 각도(θ21,θ22)은 상기 광학 렌즈(300)의 외부 각도이다. 상기 제2광 출사면(335)은 상기 제1축(X0)으로부터 이격된 영역에서 입사되는 광을 굴절시켜 방사할 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에 의해 굴절된 광은 중심 축 (Y0)을 기준으로 굴절 전의 각도보다 작은 각도로 방사될 수 있다. 이에 따라 제2광 출사면(335)은 굴절된 광이 수평한 축 또는 수평한 축보다 낮은 방향으로 방사되는 것을 억제할 수 있고 인접한 광학 부재에 간섭을 주거나 광이 손실되는 것을 방지할 수 있다. A straight line X5 connecting the third edge 35 of the second light exit surface 335 and the central axis Y0 is the central axis ( Y0) may be located at an angle of 74 ± 2 degrees or less. The third edge 35 of the second light exit surface 335 has an angle of 20 degrees or less, for example, 16±2 degrees, with respect to the first axis X0 based on the bottom center P0 of the recess 315. It may be positioned at an angle θ22. The angle between the second edge 25 and the third edge 35 of the second light exit surface 335 with the bottom center P0 of the recess 315 is 16 degrees or less, for example, an angle of 13±2 degrees. can have Angles θ21 and θ22 with respect to the straight line X5 passing through the third edge 35 of the second light exit surface 335 are external angles of the optical lens 300 . The second light exit surface 335 may refract and emit light incident in an area spaced apart from the first axis X0. The light refracted by the second light exit surface 335 may be emitted at an angle smaller than the angle before refraction with respect to the central axis Y0. Accordingly, the second light exit surface 335 can suppress refracted light from being emitted in a horizontal axis or a direction lower than the horizontal axis, and can prevent interference with adjacent optical members or loss of light.

상기 중심 축(Y0)과 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)를 지나는 직선(X3)은 상기 제1축(X0)과의 각도(θ23)가 5도 이하 예컨대, 0.4도 내지 4도 범위에 있을 수 있다. 이러한 각도(θ23)는 상기 중심 축(Y0)과의 거리와 상기 제2에지(25)의 높이에 따라 달라질 수 있으며, 상기 범위를 벗어날 경우 광학 렌즈의 두께가 변경될 수 있으며 광의 손실이 증가될 수 있다. The straight line X3 passing through the central axis Y0 and the second edge 25 of the bottom surface 310 has an angle θ23 with the first axis X0 of 5 degrees or less, for example, 0.4 degrees to 4 degrees. may be in the range. This angle θ23 may vary depending on the distance from the central axis Y0 and the height of the second edge 25, and if it is out of the range, the thickness of the optical lens may change and loss of light may increase. can

상기 제2광 출사면(335)은 상기 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심축(Y0)으로부터 반치각을 벗어나는 광들을 굴절시켜 주게 되므로, 광 손실을 줄여줄 수 있다.
Since the second light exit surface 335 refracts light that deviate from the half-intensity angle from the central axis Y0 based on the bottom center P0 of the recess 315, light loss can be reduced. .

상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 두께(D3)보다 크게 배치될 수 있다. 상기 너비(D4)는 상기 광학 렌즈(300)가 원 형상인 경우 길이와 동일할 수 있다. 상기 너비(D4)는 상기 두께(D3)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm 이상 예컨대, 16mm 내지 20mm 범위일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 두께(D3)보다 크게 배치되므로, 조명 장치나 라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있다. 또한 라이트 유닛 내에서 커버하는 영역이 개선되므로 광학 렌즈의 개수는 줄일 수 있고, 광학 렌즈의 두께는 줄여줄 수 있다. The width D4 of the optical lens 300 may be greater than the thickness D3. The width D4 may be the same as the length when the optical lens 300 has a circular shape. The width D4 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more the thickness D3. The width D4 of the optical lens 300 may be greater than or equal to 15 mm, for example, in the range of 16 mm to 20 mm. Since the width D4 of the optical lens 300 is greater than the thickness D3, a uniform luminance distribution can be provided over the entire area of the lighting device or light unit. Also, since the area covered in the light unit is improved, the number of optical lenses can be reduced and the thickness of the optical lenses can be reduced.

상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 바닥 중심(P0)부터 제1정점(21)까지의 간격을 가진다. 여기서, 상기 제1정점(21)은 입사면(320)의 정점이거나 리세스(315)의 상단 지점일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 광학 렌즈(300)의 두께(D3)의 75% 이상 예컨대, 80% 이상의 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)과 바닥 중심(P0) 또는 제1에지(23) 사이의 거리의 80% 이상일 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)가 깊게 배치됨으로써, 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(320)의 제1정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)이 깊은 깊이(D2)를 가지므로, 상기 입사면(320)은 제2정점(31)에 가까운 영역에서 상기 제1정점(21)의 주변 영역으로 입사된 광을 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다.
The depth D2 of the recess 315 has a distance from the bottom center P0 to the first vertex 21 . Here, the first vertex 21 may be a vertex of the incident surface 320 or an upper end of the recess 315 . The depth D2 of the recess 315 may have a depth of 75% or more of the thickness D3 of the optical lens 300 , for example, 80% or more. The depth D2 of the recess 315 may be 80% or more of the distance between the second apex 31 of the first light exit surface 330 and the center of the bottom P0 or the first edge 23. . Since the depth D2 of the recess 315 is deep, even if the center region 32 of the first light exit surface 330 does not have a total reflection surface or negative curvature, the first light exit surface 320 Light may be diffused in the lateral direction even in an area adjacent to the apex 21 . Since the recess 315 has a deep depth D2, the incident surface 320 transmits the incident light from an area close to the second vertex 31 to a peripheral area of the first vertex 21 in a lateral direction. can be refracted.

상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D5)는 제2광 출사면(335)의 너비(D7)의 1/2 이하일 수 있다. 상기 거리(D5)는 예컨대 1.5mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.6mm 내지 1.5mm 범위 예컨대, 0.6mm 내지 1.2mm 범위일 수 있다. 상기 거리(D5)는 간격(T0)보다 크되, 간격(T0)의 3배 이하일 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330) 제2정점(31) 사이의 거리(D5)가 1.5mm 이상인 경우 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)과 사이드 영역(33)으로 진행하는 광량 차이가 커질 수 있고, 광 분포가 균일하지 않을 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 거리(D5)가 0.6mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 이러한 리세스(315) 및 제1광 출사면(330) 사이의 거리(D5)를 상기 범위로 배치함으로써, 제2광 출사면(335)의 센터 영역(32)이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 광의 경로를 외측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 이는 입사면(320)의 제1정점(21)이 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 제2정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1광 출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. 따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다. The minimum distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 is the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex of the first light exit surface 330. (31) may be the interval between. The distance D5 may be less than 1/2 of the width D7 of the second light exit surface 335 . The distance D5 may be, for example, 1.5 mm or less, and may be, for example, in the range of 0.6 mm to 1.5 mm, for example, in the range of 0.6 mm to 1.2 mm. The distance D5 is greater than the distance T0, but may be less than three times the distance T0. When the distance D5 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first light exit surface 330 is 1.5 mm or more, the center of the first light exit surface 330 A difference in amount of light traveling between the area 32 and the side area 33 may increase, and light distribution may not be uniform. When the distance D5 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first light exit surface 330 is less than 0.6 mm, the stiffness of the center side of the optical lens 300 is There is a problem with weakening. By arranging the distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 within the above range, the center area 32 of the second light exit surface 335 becomes a total reflection surface or negative curvature. Even if it does not have, it is possible to diffuse the path of light outward. This is because the closer the first vertex 21 of the incident surface 320 is to the convex second vertex 31 of the first light exit surface 330, the first light exit surface 330 through the incident surface 320. A light amount of light traveling in a lateral direction of may be increased. Therefore, the amount of light diffused in the lateral direction of the optical lens 300 can be increased.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1광 출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.The first vertex 21 of the incident surface 320 is the center of the second light exit surface 335 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second light exit surface 335. It may be placed closer to the apex 31 .

상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)는 제2에지(25) 및 제3에지(35) 사이의 직선 거리로서, 상기 리세스(315)의 깊이(D2)보다 작을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)는 예컨대, 1.8mm 내지 2.3mm 범위일 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)는 상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 거리(D5)의 1.5배 이상 예컨대, 2배 이상일 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)는 상기 깊이(D2)의 0.3배 이상 예컨대, 0.32 내지 0.6배의 범위를 가질 수 있다. 상기 너비(D7)는 상기 광학 렌즈(300)의 두께(D3)의 0.25배 이상 예컨대, 0.3내지 0.5배의 범위를 가질 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 너비(D7)가 상기 범위를 초과할 경우 제2광 출사면(335)으로 출사되는 광량이 증가되어 광 분포 제어가 어려운 문제가 있으며, 상기 범위보다 작을 경우 렌즈 몸체를 제조할 때, 게이트(Gate) 영역의 확보가 어려울 수 있다.
The width D7 of the second light exit surface 335 is a linear distance between the second edge 25 and the third edge 35 and may be smaller than the depth D2 of the recess 315 . The width D7 of the second light exit surface 335 may be, for example, in the range of 1.8 mm to 2.3 mm. The width D7 of the second light exit surface 335 may be 1.5 times or more, for example, 2 times or more of the distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 . The width D7 of the second light exit surface 335 may be 0.3 times or more, for example, 0.32 to 0.6 times the depth D2. The width D7 may have a range of 0.25 times or more, for example, 0.3 to 0.5 times the thickness D3 of the optical lens 300 . When the width D7 of the second light exit surface 335 exceeds the above range, the amount of light emitted from the second light exit surface 335 increases, making it difficult to control the light distribution. When manufacturing a lens body, it may be difficult to secure a gate area.

도 2를 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)에서 바닥 중심(P0), 입사면(320)의 제1정점(21), 및 상기 입사면(320)의 제1에지(23)를 연결한 선분은 삼각형 형상 예컨대, 직각 삼각형 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1정점(21)을 기준으로 상기 중심 축(Y0)과 제1에지(23) 사이의 각도(θ11)는 30도 이하 예컨대, 20도 내지 24도일 수 있다. 이러한 각도(θ12)는 다른 각도(θ14)의 1/3배 이하일 수 있다. 여기서, 상기 각도 θ11/θ12 < 1의 조건을 만족하며, 상기 각도 θ11/θ5> 1의 조건을 만족한다. 여기서, 상기 각도(θ5)는 바닥면(310)의 경사진 각도이다. 상기 각도(θ11)는 각도(θ5)보다 4배 이상 예컨대, 5배 이상 20배 이하의 범위를 갖는다. 상기 각도(θ5)는 상기 각도(θ11)의 1/4 이하 예컨대, 1/5 이하일 수 있다. Referring to FIG. 2 , a line segment connecting the center of the bottom P0 in the optical lens 300, the first vertex 21 of the incident surface 320, and the first edge 23 of the incident surface 320. may be provided in a triangular shape, for example, a right triangle shape. An angle θ11 between the central axis Y0 and the first edge 23 based on the first vertex 21 may be 30 degrees or less, for example, 20 degrees to 24 degrees. This angle θ12 may be less than 1/3 times the other angle θ14. Here, the condition of the angle θ11/θ12 < 1 is satisfied, and the condition of the angle θ11/θ5 > 1 is satisfied. Here, the angle θ5 is an inclined angle of the bottom surface 310 . The angle θ11 has a range of 4 times or more, for example, 5 times or more and 20 times or less than the angle θ5. The angle θ5 may be 1/4 or less of the angle θ11, for example, 1/5 or less.

상기 제2광 출사면(335)의 제2정점(31)을 기준으로 상기 중심 축(Y0)과 상기 제2정점(31)과 제1에지(23)를 연결한 직선 사이의 각도(θ13)는 상기 각도(θ11)보다 작을 수 있으며, 예컨대 15도 내지 22도 범위일 수 있다. 상기 각도 θ11/θ13 < 1의 조건을 만족한다.An angle (θ13) between the center axis Y0 based on the second vertex 31 of the second light exit surface 335 and a straight line connecting the second vertex 31 and the first edge 23 may be smaller than the angle θ11, and may be, for example, in the range of 15 degrees to 22 degrees. The condition of the angle θ11/θ13 < 1 is satisfied.

상기 중심축(Y0)과 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)이 교차되는 수평한 직선(X4)과 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)까지를 연결하는 직선 사이의 각도(R1)는 15도 내지 25도 범위일 수 있다. 상기 직선(X4)은 상기 광학 렌즈(300)의 제2정점(31)에 대해 수평한 직선이거나 상기 중심축(Y0)과 수평한 방향으로 직교하는 직선일 수 있다. 상기 각도(R1)의 탄젠트 값에 따라 제1광 출사면(330)의 높이와 렌즈 반경(H2)의 비율을 계산할 수 있다. 여기서, 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)을 기준으로 중심축(Y0)과 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)까지를 연결하는 직선 사이의 각도는 105도 내지 115도 범위일 수 있다. A horizontal straight line X4 intersecting the central axis Y0 and the second vertex 31 of the first light exit surface 330 and the third edge 35 of the second light exit surface 335 The angle R1 between the connecting straight lines may range from 15 degrees to 25 degrees. The straight line X4 may be a straight line horizontal to the second vertex 31 of the optical lens 300 or a straight line orthogonal to the central axis Y0 in a horizontal direction. The ratio between the height of the first light exit surface 330 and the lens radius H2 may be calculated according to the tangent value of the angle R1. Here, the angle between the central axis Y0 based on the second vertex 31 of the first light exit surface 330 and a straight line connecting the third edge 35 of the second light exit surface 335. may range from 105 degrees to 115 degrees.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)부터 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)까지를 연결하는 직선과 중심 축(Y0) 사이의 각도(R2)는 98도 내지 110도 범위일 수 있다. 상기 각도(R2)에 의해 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35) 간의 높이 차이를 줄 수 있고, 상기 각도(R2)를 범위를 벗어날 경우 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)의 위치가 달라지는 문제가 발생될 수 있다.The angle R2 between the central axis Y0 and a straight line connecting the first vertex 21 of the incident surface 320 to the third edge 35 of the second light exit surface 335 is from 98 degrees to 98 degrees. It may be in the range of 110 degrees. A height difference between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the third edge 35 of the second light exit surface 335 may be given by the angle R2, and the angle R2 If it is out of the range, the position of the third edge 35 of the second light exit surface 335 may be changed.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)부터 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)까지를 연결하는 직선과 중심축(Y0) 사이의 각도(R3)는 104도 내지 120도 범위에 있을 수 있다. 상기 각도(R3)는 각도(R2)와 함께 상기 제2광 출사면(335)의 높이(=D3-D7)를 설정해 줄 수 있고 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)의 높이 차이를 설정해 줄 수 있다. 상기 각도(R1,R2,R3)는 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 양의 곡률을 갖는 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)과, 입사면(320)의 제1정점(21)의 위치에 따라 변화될 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 두께를 슬림(slim)하게 제공할 수 있다.
The angle R3 between a straight line connecting the first vertex 21 of the incident surface 320 to the second edge 25 of the bottom surface 310 and the central axis Y0 is 104 degrees to 120 degrees. may be in range. The angle R3 may set the height (=D3-D7) of the second light exit surface 335 together with the angle R2, and the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second A height difference between the second edges 25 of the two-light exit surface 335 may be set. The angles R1, R2, and R3 are the relationship between the second apex 31 of the first light exit surface 330 having a positive curvature in the center area and the incident surface 320. It can be changed according to the position of the first vertex 21 of . The optical lens 300 may be provided with a slim thickness.

도 3을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 제2에지(25)를 수평하게 연장한 직선(X6)이 상기 입사 면(320)에 교차되는 하부 지점(22)은 상기 바닥 중심(P0)을 중심으로 제1축(X0)에 대해 22도 이하 예컨대, 13도 내지 18도 범위의 각도(θ24)에 위치할 수 있다. 상기 바닥 중심(P0)와 제1에지(23) 사이의 거리는 D1의 1/2이며, 상기 입사면(320)의 하부 지점(22)의 높이는 상기 바닥면(310)의 제2에지(25)와 제1축(X0) 간의 간격(T0)으로서, 500㎛ 이하 예컨대, 200㎛ 내지 450㎛의 범위로 배치될 수 있다. 상기 D1의 1/2의 거리와 상기 간격(T0)의 비율은 상기 각도(θ24)의 범위 내에서 변경될 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 지점(22)의 높이가 상기 범위보다 낮은 경우 광의 손실을 줄이는 데 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광학 렌즈(300)의 두께가 두꺼워지는 문제가 있다. 상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 바닥면(310) 중에서 가장 낮은 저점이 되고, 상기 제1에지(23)와 상기 하부 지점(22) 사이의 영역(22A)에는 상기 하부 지점(22)보다 낮게 진행하는 광이 입사될 수 있다. 이에 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)을 통해 광 손실을 줄일 수 있다.
Referring to FIG. 3 , a lower point 22 at which a straight line X6 extending horizontally from the second edge 25 of the bottom surface 310 in the optical lens 300 intersects the incident surface 320 is It may be positioned at an angle θ24 of 22 degrees or less, for example, 13 degrees to 18 degrees with respect to the first axis X0 with respect to the floor center P0. The distance between the bottom center P0 and the first edge 23 is 1/2 of D1, and the height of the lower point 22 of the incident surface 320 is equal to the second edge 25 of the bottom surface 310. As the distance T0 between the first axis X0 and the first axis X0, it may be arranged in a range of 500 μm or less, for example, 200 μm to 450 μm. The ratio of the distance of 1/2 of the D1 and the distance T0 may be changed within the range of the angle θ24. When the height of the lower point 22 of the incident surface 320 is lower than the above range, it is insignificant in reducing light loss, and when it is higher than the above range, the thickness of the optical lens 300 becomes thick. The first edge 23 of the bottom surface 310 becomes the lowest point among the bottom surface 310, and the area 22A between the first edge 23 and the lower point 22 has the lower portion. Light traveling lower than point 22 may be incident. Accordingly, light loss may be reduced through the lower region 22A of the incident surface 320 .

도 4를 참조하면, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)은 상기 리세스(315)와 수직하게 오버랩되는 영역으로서, 상기 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Y0)으로부터 20도 이하의 각도 예컨대, 14도 내지 18도의 영역에 위치할 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 표면 중에서 상기 리세스(315)의 제1에지(23)에 수직한 직선(Y1)과 교차되는 지점(Px)은 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 상기 중심 축(Y0)으로부터 20도 이하의 각도 예컨대, 14도 이상 18도 이하의 범위에 배치될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)이 상기 범위를 초과할 경우 상기 리세스(315) 내의 반경이 더 커지게 되고, 상기 센터 영역(32)과 상기 사이드 영역(33)의 광량 차이가 커지는 문제가 있다. 또한 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)이 상기 범위보다 작은 경우 상기 리세스(315) 내의 반경이 더 줄어들어 광원의 삽입이 용이하지 않을 수 있으며 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)과 사이드 영역(33)의 광 분포가 균일하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 4 , the center area 32 of the first light exit surface 330 is an area vertically overlapping the recess 315 , and is the central axis Y0 based on the center P0 of the floor. ) at an angle of 20 degrees or less, for example, from 14 degrees to 18 degrees. Among the surfaces of the first light exit surface 330, a point Px crossing a straight line Y1 perpendicular to the first edge 23 of the recess 315 is the center of the bottom P0 of the recess 315. ) may be disposed at an angle of 20 degrees or less from the central axis Y0 based on, for example, a range of 14 degrees or more and 18 degrees or less. When the center area 32 of the first light exit surface 330 exceeds the range, the radius within the recess 315 becomes larger, and the center area 32 and the side area 33 have a larger radius. There is a problem in that the difference in the amount of light increases. In addition, when the center area 32 of the first light exit surface 330 is smaller than the range, the radius within the recess 315 is further reduced, making it difficult to insert the light source. The light distribution of the center area 32 and the side area 33 of may not be uniform.

여기서, 상기 도 1에 도시된 상기 바닥 중심(P0)을 기준으로 제1축(X0)과 제3광 출사면(335)의 제3에지(35) 사이의 각도(θ22)와, 상기 중심 축(Y0)과 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)의 지점(Px) 사이의 각도(θ25)는 20도 이하 예컨대, 14도 내지 18도 범위의 각도를 가질 수 있다. 이러한 각도(θ22, θ25)에 의해 상기 리세스(315)의 깊이와 상기 바닥 면(310)의 경사 각도를 변경할 수 있다.
Here, an angle θ22 between the first axis X0 and the third edge 35 of the third light exit surface 335 based on the center P0 of the floor shown in FIG. 1 and the central axis An angle θ25 between Y0 and the point Px of the center region 32 of the first light exit surface 330 may be 20 degrees or less, for example, in a range of 14 degrees to 18 degrees. The depth of the recess 315 and the inclination angle of the bottom surface 310 may be changed by the angles θ22 and θ25.

도 5 및 도 6은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측면도 및 배면도를 나타낸 도면이다.5 and 6 are views showing a side view and a rear view of an optical lens according to an embodiment.

도 5을 참조하면, 광학 렌즈(300)에서 제2광 출사면(335)은 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 배치되며, 바닥면(310)은 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)의 수평 선상보다 아래로 돌출될 수 있다. Referring to FIG. 5 , in the optical lens 300, the second light exit surface 335 is disposed around the lower portion of the first light exit surface 330, and the bottom surface 310 is the second light exit surface 335. ) It may be disposed below the second edge 25 of the. The bottom surface 310 may protrude below the horizontal line of the second edge 25 of the second light exit surface 335 .

상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 제2광 출사면(335)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 요철 면은 표면이 거친 헤이즈(Haze) 면으로 형성될 수 있다. 상기 요철 면은 산란 입자가 형성된 면일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 다른 예로서, 상기 바닥면(310)에 요철 면을 구비할 수 있다. 상기 바닥면(310)의 요철 면은 표면이 거친 헤이즈 면으로 형성되거나, 산란 입자가 형성될 수 있다. As another example, the optical lens 300 may have a concave-convex surface on the second light exit surface 335 . The uneven surface may be formed of a haze surface having a rough surface. The uneven surface may be a surface on which scattering particles are formed. As another example, the optical lens 300 may have a concave-convex surface on the bottom surface 310 . The concavo-convex surface of the bottom surface 310 may be formed as a haze surface having a rough surface or scattering particles may be formed.

헤이즈에 따른 광학 렌즈의 휘도 분포는 도 70 및 도 71을 참조하기로 한다. 도 70과 같이, 예1은 바닥면 및 측면에 헤이즈가 처리되지 않는 광학 렌즈에서의 휘도 분포의 변화를 나타낸 것이며, 예2는 바닥면 및 측면에 헤이즈가 처리된 광학 렌즈에서의 휘도 분포의 변화를 나타낸 것이다. 여기서, 광학 렌즈의 측면 및 바닥면에 헤이즈가 처리된 예2에서 균일도가 개선됨을 알 수 있다. 도 71과 같이, 예1은 헤이즈가 처리되지 않는 광학 렌즈에서의 색차 변화를 나타낸 것이며, 예2는 헤이즈가 처리된 광학 렌즈에서의 색차 변화를 나타낸 것이다. 헤이즈가 처리된 예2에서 색차 개선 효과가 있음을 알 수 있다.
The luminance distribution of the optical lens according to the haze will be referred to FIGS. 70 and 71 . As shown in FIG. 70, Example 1 shows the change in luminance distribution in the optical lens in which haze is not processed on the bottom and side surfaces, and Example 2 shows the change in luminance distribution in the optical lens in which haze is not processed on the bottom and side surfaces. is shown. Here, it can be seen that the uniformity is improved in Example 2 in which haze is treated on the side surface and the bottom surface of the optical lens. As shown in FIG. 71, Example 1 shows the color difference change in the optical lens without haze treatment, and Example 2 shows the color difference change in the haze treated optical lens. It can be seen that there is a color difference improvement effect in Example 2 in which the haze is treated.

도 7을 참조하면, 광학 렌즈(300)에서 상기 제1광 출사면(330)은 서로 다른 곡률 반경(ra, rb, rc)을 갖는 복수의 원 성분을 가질 수 있으며, 상기 서로 다른 원 성분의 중심(Pa,Pb,Pc)은 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이러한 제1광 출사면(330)의 원 성분들의 중심(Pa,Pb,Pc)은 상기 입사면(320)의 제1정점(21)의 수평한 직선보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)의 원 성분들의 중심(Pa,Pb,Pc)은 상기 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 7 , in the optical lens 300, the first light exit surface 330 may have a plurality of circular components having different curvature radii (ra, rb, rc), and the different circular components The centers (Pa, Pb, Pc) may be located at different positions. The centers (Pa, Pb, Pc) of the circular components of the first light exit surface 330 may be disposed below the horizontal straight line of the first vertex 21 of the incident surface 320. Centers (Pa, Pb, Pc) of the circular components of the first light exit surface 330 may be disposed in an area overlapping the optical lens 300 in a vertical direction.

상기 입사면(320)은 서로 다른 곡률 반경을 갖는 복수의 원 성분을 가질 수 있으며, 상기 원 성분의 중심은 상기 입사면(320)의 제1정점(21)의 수평한 직선보다 아래에 배치될 수 있고, 상기 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다.
The incident surface 320 may have a plurality of circular components having different radii of curvature, and the center of the circular components may be disposed below a horizontal straight line of the first vertex 21 of the incident surface 320. It may be disposed in a region overlapping with the optical lens 300 in a vertical direction.

도 8은 실시 예에 따른 광학 렌즈에 발광 소자가 적용된 발광 모듈을 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8의 광학 렌즈 아래에 회로 기판을 갖는 발광 모듈을 나타낸 측 단면도이다. 도 10은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1광 출사면으로 출사된 광을 설명한 도면이고, 도 11은 도 8의 발광 모듈에 있어서, 광학 렌즈의 제2광 출사면으로 출사된 광을 설명한 도면이며, 도 12는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1, 2광 출사면으로 출사된 광 분포를 나타낸 도면이다.8 is a view showing a light emitting module to which a light emitting element is applied to an optical lens according to an embodiment, and FIG. 9 is a side cross-sectional view showing the light emitting module having a circuit board under the optical lens of FIG. 8 . 10 is a view illustrating light emitted from a first light exit surface of an optical lens according to an embodiment, and FIG. 11 is a view explaining light emitted from a second light exit surface of an optical lens in the light emitting module of FIG. 8 . 12 is a view showing the distribution of light emitted to the first and second light exit surfaces of the optical lens according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 소자(100)는 광학 렌즈(300)의 리세스(315) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 광원으로서, 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315)의 바닥 위에 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 리세스(315)의 바닥 위에서 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)에 대해 수직하게 오버랩되게 배치될 수 있다. Referring to FIG. 8 , the light emitting device 100 may be disposed in the recess 315 of the optical lens 300 . The light emitting device 100 as a light source may be disposed on the bottom of the recess 315 of the optical lens 300 . The light emitting element 100 is perpendicular to the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first light exit surface 330 on the bottom of the recess 315. They may be arranged overlapping.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광(light)의 경로를 변경한 후 외부로 추출시켜 줄 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 광원으로 정의될 수 있다.The optical lens 300 may change the path of the light emitted from the light emitting device 100 and then extract it to the outside. The light emitting device 100 may be defined as a light source.

상기 발광 소자(100)는 화합물 반도체를 갖는 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 청색, 녹색, 청색, UV 또는 백색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 예컨대, 백색 광을 방출할 수 있다.
The light emitting device 100 may include at least one of an LED chip having a compound semiconductor, for example, a UV (Ultraviolet) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip. The light emitting device 100 may include at least one or both of a group II-VI compound semiconductor and a group III-V compound semiconductor. The light emitting device 100 may emit at least one of blue, green, blue, UV, or white light. The light emitting device 100 may emit, for example, white light.

상기 광학 렌즈(300)에서 리세스(315)의 바닥 너비(D1)는 입사면(320)의 하부 너비일 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)보다는 넓게 배치될 수 있다. 상기한 입사면(320) 및 리세스(315)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 용이하게 입사될 수 있는 크기를 갖는다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D1)과 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)의 비율(D1:W1)은 1.8: 1 내지 3.0: 1 범위일 수 있다. 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D1)가 상기 발광 소자(100)의 너비(W1)의 3배 이하로 배치된 경우, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 입사면(320)을 통해 효과적으로 입사될 수 있으며, 상기 3배 초과인 경우 상기 바닥 면(310)의 경사 각도가 달라지는 문제가 있다.In the optical lens 300, the width D1 of the bottom of the recess 315 may be the width of the bottom of the incident surface 320, and may be wider than the width W1 of the light emitting device 100. The incident surface 320 and the recess 315 have sizes such that light emitted from the light emitting device 100 can be easily incident. A ratio (D1:W1) of the bottom width D1 of the recess 315 to the width W1 of the light emitting device 100 may be in the range of 1.8:1 to 3.0:1. When the width D1 of the bottom of the recess 315 is less than three times the width W1 of the light emitting device 100, the light emitted from the light emitting device 100 hits the incident surface 320. It can be effectively incident through, and there is a problem that the inclination angle of the bottom surface 310 is changed when it exceeds 3 times.

상기 입사면(320) 중에서 상기 발광 소자(100)와 동일한 너비를 갖는 위치는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)으로부터 소정 거리(D6)로 이격될 수 있다. 상기 거리(D6)는 상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)와 같거나 0.1mm 이내의 차이를 가질 수 있다. 이는 발광 소자(100)의 상면(S1)을 통해 방출된 수직한 광이 상기 입사면(320)의 제1정점(21) 또는 그 주변 영역으로 입사될 수 있다.
A position of the incident surface 320 having the same width as the light emitting device 100 may be spaced apart from the first vertex 21 of the incident surface 320 by a predetermined distance D6. The distance D6 may be the same as the minimum distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 or may have a difference within 0.1 mm. This means that the vertical light emitted through the upper surface S1 of the light emitting device 100 may be incident to the first vertex 21 of the incident surface 320 or its surrounding area.

상기 중심축(Y0)은 상기 발광 소자(100)의 상면(S1)에 대해 연직한 축 예컨대 광축과 정렬될 경우, 광축으로 정의될 수 있다. 상기 광축 및 중심 축은 상기 발광 소자(100)와 상기 광학 렌즈(300) 간의 정렬 오차를 가질 수 있다. 상기 중심축(Y0)은 회로 기판(400)의 상면에 직교하는 방향일 수 있다. The central axis Y0 may be defined as an optical axis when aligned with an axis perpendicular to the upper surface S1 of the light emitting device 100, for example, an optical axis. The optical axis and the central axis may have an alignment error between the light emitting device 100 and the optical lens 300 . The central axis Y0 may be perpendicular to the upper surface of the circuit board 400 .

상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320) 중에서 상기 발광 소자(100)와 동일한 너비를 갖는 위치에서 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)까지의 거리(D8)는 0.5mm 내지 2mm 범위로서, 거리(D5) 또는 거리(D6)의 2배일 수 있다. 이는 발광 소자(100)과 동일한 너비를 갖는 입사면(320)의 영역이 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31)에 2mm 이하의 거리에 위치하게 됨으로써, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(310)의 깊이(D2)와 상기 제2정점(31)과의 거리에 의해 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 상기 리세스(315) 내에서 너비(W1) 사이의 거리(D6)는, 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 상기 제1광 출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 거리(D5)의 비율은 0.5:1 내지 1:1를 범위를 만족한다.
A distance (D8) from a position having the same width as the light emitting element 100 in the incident surface 320 of the optical lens 300 to the second vertex 31 of the first light exit surface 330 is 0.5 mm. to 2 mm, which may be twice the distance D5 or the distance D6. This is because the area of the incident surface 320 having the same width as the light emitting element 100 is located at a distance of 2 mm or less from the second vertex 31 of the first light exit surface 330, so that the first light exits. Even if the center region of the surface 330 does not have negative curvature, the light can be diffused laterally by the distance between the depth D2 of the incident surface 310 and the second vertex 31 . The distance D6 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the width W1 in the recess 315 is the distance between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second The ratio of the distance D5 between the second vertices 31 of the first light exit surface 330 satisfies the range of 0.5:1 to 1:1.

상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330)의 제2정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D5)는 예컨대 1.5mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.6mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 거리(D5)가 1.5mm 이상인 경우 핫 스팟 현상이 발생될 수 있으며, 상기 거리(D5)가 0.6mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)이 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 제2정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1광 출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. The minimum distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 is the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex of the first light exit surface 330. (31) may be the interval between. The distance D5 may be, for example, 1.5 mm or less, and may be, for example, in the range of 0.6 mm to 1 mm. When the distance D5 is greater than 1.5 mm, a hot spot phenomenon may occur, and when the distance D5 is less than 0.6 mm, stiffness of the center side of the optical lens 300 is weakened. The closer the first vertex 21 of the incident surface 320 is to the convex second vertex 31 of the first light exit surface 330, the first light exit surface 330 passes through the incident surface 320. A light amount of light traveling in a lateral direction of may be increased.

따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 센터 영역(32)이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 센터 영역의 주변으로 광의 경로를 수평 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 도 67은 실시 예에 따른 라이트 유닛에서 광학 렌즈의 휘도 분포를 나타낸 것으로서, 실시 예의 광학 렌즈는 제1광 출사면에 음의 곡률을 갖지 않는 구조이며, 비교 예의 광학 렌즈를 출사면이 음의 곡률을 갖는 구조와 비교한 구성이다. 실시 예의 광학 렌즈는 음의 곡률을 갖는 제1광 출사면을 제공하지 않더라도, 비교 예의 광학 렌즈와 거의 동일한 휘도 분포를 가지게 된다. 이에 따라 광학 렌즈의 제조 공정이 용이할 수 있으며, 음의 곡률을 갖는 영역으로 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
Therefore, the amount of light diffused in the lateral direction of the optical lens 300 can be increased. Even if the center area 32 of the second light exit surface 335 does not have a total reflection surface or negative curvature, the path of light may be diffused in a horizontal direction to the periphery of the center area. 67 shows the luminance distribution of the optical lens in the light unit according to the embodiment, the optical lens of the embodiment has a structure that does not have a negative curvature on the first light exit surface, and the optical lens of the comparative example has a negative curvature on the exit surface It is a configuration compared to a structure having The optical lens of the embodiment has almost the same luminance distribution as the optical lens of the comparative example even though the first light exit surface having a negative curvature is not provided. Accordingly, the manufacturing process of the optical lens may be facilitated, and foreign matter may be prevented from being introduced into an area having a negative curvature.

상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1광 출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다.
The first vertex 21 of the incident surface 320 is the center of the second light exit surface 335 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second light exit surface 335. It may be placed closer to the apex 31 .

도 9와 같이, 발광 모듈(301)은, 발광 소자(100) 및 상기 광학 렌즈(300) 아래에 배치된 회로 기판(400)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 하나 또는 복수개가 상기 회로 기판(400) 상에 소정의 간격을 갖고 배열될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 광학 렌즈(300)와 상기 회로 기판(400) 사이에 배치되고, 상기 회로 기판(400)으로부터 전원을 공급받아 구동하며 광을 방출하게 된다. As shown in FIG. 9 , the light emitting module 301 includes a light emitting device 100 and a circuit board 400 disposed below the optical lens 300 . One or a plurality of light emitting devices 100 may be arranged on the circuit board 400 at a predetermined interval. The light emitting element 100 is disposed between the optical lens 300 and the circuit board 400, receives power from the circuit board 400, drives it, and emits light.

상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 수지 재질의 PCB, 금속 코어를 갖는 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100 . The circuit board 400 may include at least one of a PCB made of resin, a PCB having a metal core (MCPCB, Metal Core PCB), and a flexible PCB (FPCB), but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 입사면(320)으로 입사받아 제1 및 제2광 출사면(330,335)으로 방출하게 된다. 상기 입사면(320)으로부터 입사된 일부 광은 소정의 경로를 거쳐 상기 바닥면(310)에 의해 반사되어 제1 또는 제2광 출사면(330,335)으로 방출될 수 있다. The optical lens 300 receives the light emitted from the light emitting device 100 through the incident surface 320 and emits the light to the first and second light exit surfaces 330 and 335 . Some of the light incident from the incident surface 320 may be reflected by the bottom surface 310 through a predetermined path and then emitted to the first or second light exit surfaces 330 and 335 .

여기서, 상기 발광 소자(100)의 지향각(θ51)은 발광 소자(100)가 가지는 고유한 지향각으로서, 130도 이상 예컨대, 136도 이상으로 방출될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상면(S1) 및 측면(S2)으로 광이 방출될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 130도 이상 예컨대, 136도 이상의 지향각(θ51) 분포로 입사되면, 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 확산된 지향각(θ52)으로 방사할 수 있다. Here, the beam angle θ51 of the light emitting element 100 is a unique beam angle of the light emitting element 100, and may be emitted at 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. The light emitting device 100 may emit light to an upper surface S1 and a side surface S2. The optical lens 300 diffuses the light emitted from the light emitting device 100 through the first and second light exit surfaces 330 and 335 when the light emitted from the light emitting device 100 is incident at a beam angle θ51 distribution of 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. can be radiated at a beam angle θ52.

상기 광학 렌즈(300)에서 입사면(320)은 상기 발광 소자(100)의 상면(S1) 및 측면(S2)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 하부 영역(22A)은 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면(S2)과 서로 대면하게 배치될 수 있다. In the optical lens 300, the incident surface 320 may be disposed outside the upper surface S1 and the side surface S2 of the light emitting device 100. The lower region 22A of the incident surface 320 of the optical lens 300 may face the plurality of side surfaces S2 of the light emitting device 100 .

여기서, 상기 발광 소자(100)는 상면(S1) 및 다수의 측면(S2)을 통해 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 예컨대 5면 또는 그 이상의 발광 면을 갖는다. 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면(S2)은 적어도 4개의 측면을 포함한 구조로서, 발광 면일 수 있다. 상기 입사면(320)에는 상기 발광 소자(100)의 상면(S1) 및 측면(S2)으로부터 방출된 광이 입사될 수 있다. 또한 상기 발광 소자(100)의 각 측면(S2)을 통해 방출된 광은 상기 입사면(320)에 누설 없이 입사될 수 있다.Here, the light emitting device 100 may emit light through an upper surface S1 and a plurality of side surfaces S2. The light emitting device 100 has, for example, five or more light emitting surfaces. The plurality of side surfaces S2 of the light emitting device 100 is a structure including at least four side surfaces, and may be a light emitting surface. Light emitted from the top surface S1 and the side surface S2 of the light emitting device 100 may be incident to the incident surface 320 . In addition, light emitted through each side surface S2 of the light emitting device 100 may be incident to the incident surface 320 without leakage.

상기 발광 소자(100)는 5면 이상의 발광 면을 제공하므로, 측면(S2)을 통해 방출된 광에 의해 발광 소자(100)의 지향각 분포는 넓어질 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각(θ51)은 130도 이상 예컨대, 136도 이상이 될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각(θ51)의 1/2은 65도 이상, 예컨대 68도 이상일 수 있다. 상기 지향각(θ51)은 최대 광도의 1/2이 되는 반치 폭을 지나는 빔각이며, 상기 지향각(θ51)의 1/2은 상기 빔각의 1/2일 수 있다. 이러한 발광 소자(100)의 지향각 분포가 넓게 제공됨으로써, 상기 광학 렌즈(300)를 이용한 광 확산이 보다 용이한 효과가 있다.Since the light emitting device 100 provides 5 or more light emitting surfaces, a beam angle distribution of the light emitting device 100 may be widened by light emitted through the side surface S2. The beam angle θ51 of the light emitting device 100 may be 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. 1/2 of the beam angle θ51 of the light emitting device 100 may be 65 degrees or more, for example, 68 degrees or more. The beam angle θ51 is a beam angle passing through a half width that is 1/2 of the maximum luminous intensity, and 1/2 of the beam angle θ51 may be 1/2 of the beam angle. Since the beam angle distribution of the light emitting element 100 is provided widely, light diffusion using the optical lens 300 is more easily achieved.

상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광의 지향각(θ51)이 130도 이상이면, 상기 광학 렌즈(300)를 통과한 후 지향각(θ52>θ51)은 더 넓어질 수 있다. 예컨대, 상기 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각(θ52)은 상기 발광 소자(100)의 고유한 지향각(θ51)보다 10도 이상 클 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각(θ52)은 140도 이상 예컨대, 146도 이상일 수 있다. If the beam angle θ51 of the light emitted from the light emitting device 100 is 130 degrees or more, the beam beam angle θ52>θ51 after passing through the optical lens 300 may be wider. For example, the beam angle θ52 emitted from the optical lens 300 may be 10 degrees or more greater than the unique beam angle θ51 of the light emitting device 100 . The beam angle θ52 emitted from the optical lens 300 may be greater than or equal to 140 degrees, for example, greater than or equal to 146 degrees.

여기서, 상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선이 이루는 각도(도 1의 θ21)는 상기 발광 소자(100)의 지향각(θ51)의 1/2보다 크고 상기 광학 렌즈(300)의 지향각(θ52)보다는 작을 수 있다. 여기서, 도 1과 같이 상기 광학 렌즈(300)는 리세스(315)의 바닥 중심(P0)을 기준으로 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선(X5)이 이루는 각도(θ21)는 144도 이상 예컨대, 144도 내지 152도 범위일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각(θ52)은 상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 두 직선이 이루는 각도보다 클 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)로부터 방출된 지향각(θ52) 분포는 상기 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 광의 지향 분포를 포함함으로써, 상기 제2광 출사면(335)으로부터 방출된 광 분포에 의해 광 손실을 줄이고 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다.Here, the angle formed by the straight line passing through the third edge 35 of the second light exit surface 335 of the optical lens 300 (θ21 in FIG. 1) is the angle of view θ51 of the light emitting element 100. It may be larger than 1/2 and smaller than the beam angle θ52 of the optical lens 300 . Here, as shown in FIG. 1 , the optical lens 300 is formed by a straight line X5 passing through the third edge 35 of the second light exit surface 335 based on the bottom center P0 of the recess 315. The angle θ21 may be greater than or equal to 144 degrees, for example, in the range of 144 degrees to 152 degrees. A beam angle θ52 emitted from the optical lens 300 may be larger than an angle formed by two straight lines passing through the third edge 35 of the second light exit surface 335 of the optical lens 300 . The distribution of beam angles θ52 emitted from the optical lens 300 includes the directional distribution of the light emitted through the second light exit surface 335, so that the distribution of light emitted from the second light exit surface 335 As a result, light loss can be reduced and luminance distribution can be improved.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사진 면을 제공할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 제1축(X0)을 기준으로 경사진 면으로 제공될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 80% 이상의 영역 예컨대, 전 영역이 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 전 반사면을 포함할 수 있다.The bottom surface 310 of the optical lens 300 may provide an inclined surface with respect to the top surface of the circuit board 400 . The bottom surface 310 of the optical lens 300 may be provided as an inclined surface with respect to the first axis X0. An area of 80% or more of the bottom surface 310 , eg, an entire area, may be inclined with respect to the top surface of the circuit board 400 . The bottom surface 310 may include a total reflection surface.

상기 회로 기판(400)의 상면은 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 제2에지(25)보다 제1에지(23)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 회로 기판(400)의 상면에 접촉될 수 있고, 상기 제2에지(25)는 회로 기판(400)의 상면으로부터 최대 간격(T0)으로 이격될 수 있다. 상기 제1에지(23)는 발광 소자(100) 내의 활성층보다 낮은 위치에 배치될 수 있어, 광의 손실을 방지할 수 있다. The upper surface of the circuit board 400 may be disposed closer to the first edge 23 than the second edge 25 of the bottom surface 310 of the optical lens 300 . The first edge 23 of the bottom surface 310 may contact the upper surface of the circuit board 400, and the second edge 25 may be spaced from the upper surface of the circuit board 400 at a maximum distance T0. can be separated The first edge 23 may be disposed at a position lower than the active layer in the light emitting device 100, thereby preventing loss of light.

상기 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2광 출사면(330,335)은 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제1광 출사면(330)은 전 영역이 광이 출사되는 곡면으로 형성될 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 제2정점(31)으로부터 연속적으로 연결되는 곡면 형상을 포함한다. 상기 제1광 출사면(330)은 입사되는 광을 반사하거나 굴절시켜 외부로 출사시켜 줄 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 중심 축(Y0)을 기준으로, 제1광 출사면(330)으로 방출된 광의 굴절 후의 방출 각도는 굴절 전에 입사된 입사 각도보다 클 수 있다.The first and second light exit surfaces 330 and 335 of the optical lens 300 refract and emit incident light. The entire area of the first light exit surface 330 may be formed as a curved surface through which light is emitted. The first light exit surface 330 includes a curved shape continuously connected from the second vertex 31 . The first light exit surface 330 may reflect or refract incident light and emit it to the outside. With respect to the central axis Y0 of the first light exit surface 330 , an emission angle after refraction of light emitted from the first light exit surface 330 may be greater than an incident angle before refraction.

상기 제2광 출사면(335)은 중심 축(Y0)을 기준으로, 굴절 후의 광(L2)의 각도가 굴절 전에 입사된 광의 각도보다 작게 굴절시켜 준다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300)간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있고, 제2광 출사면(335)을 통해 출사된 일부 광과 제1광 출사면(330)으로 출사된 광이 광학 렌즈(300)의 주변에서 서로 혼색될 수 있다.The second light exit surface 335 refracts the angle of light L2 after refraction smaller than the angle of incident light before refraction with respect to the central axis Y0. Accordingly, it is possible to provide a long optical interference distance between adjacent optical lenses 300, and some of the light emitted through the second light exit surface 335 and the light emitted through the first light exit surface 330 are transferred to the optical lens ( 300) may be mixed with each other in the vicinity.

상기 제2광 출사면(335)은 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 배치되어 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2광 출사면(335)은 경사진 면 또는 플랫(flat) 면을 포함한다. 상기 제2광 출사면(335)은 예컨대 상기 회로 기판(400)의 상면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)이 경사진 면으로 형성될 경우, 사출 성형시 분리가 용이한 효과가 있다. The second light exit surface 335 is disposed around the lower portion of the first light exit surface 330 to refract and emit incident light. The second light exit surface 335 includes an inclined surface or a flat surface. The second light exit surface 335 may be, for example, a surface perpendicular to the upper surface of the circuit board 400 or an inclined surface. When the second light exit surface 335 is formed as an inclined surface, there is an effect of easy separation during injection molding.

상기 제2광 출사면(335)은 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 일부 광을 입사받아 굴절시켜 추출하게 된다. 이때 제2광 출사면(335)은 중심축(Y0)을 기준으로, 방출된 광(L2)의 출사 각이 굴절 전의 입사각보다 작을 수 있다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있다.
The second light exit surface 335 receives some light emitted from the side surface S2 of the light emitting device 100, refracts it, and extracts it. In this case, the second light exit surface 335 may have an exit angle of the emitted light L2 smaller than an incident angle before refraction with respect to the central axis Y0 . Accordingly, it is possible to provide a long optical interference distance between adjacent optical lenses 300 .

도 10 내지 도 12를 참조하여 광학 렌즈(300)의 광 경로를 설명하기로 한다. 도 10 내지 도 12를 참조하면, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사된 제1광(L1)은 굴절되어 제1광 출사면(330)의 소정의 제2지점(P2)으로 방출될 수 있다. 또한 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 상기 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사된 제2광(L2)은 제2광 출사면(335)의 제4지점(P4)으로 방출될 수 있다. A light path of the optical lens 300 will be described with reference to FIGS. 10 to 12 . 10 to 12, among the light emitted from the light emitting device 100, the first light L1 incident to the first point P1 of the incident surface 320 of the optical lens 300 is refracted. The light may be emitted to a predetermined second point P2 of the first light exit surface 330 . In addition, among the lights emitted from the light emitting device 100, the second light L2 incident at the third point P3 of the incident surface 320 is the fourth point P4 of the second light exit surface 335. can be released as

여기서, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사되는 제1광(L1)의 입사 각도를 제1각도(θ1)로 정의하고, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 제1광 출사면(330)의 임의의 제3지점(P2)으로 방출된 제1광(L1)의 방출 각도를 제2각도(θ2)로 정의할 수 있다. 상기 중심축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사되는 제2광(L2)의 입사 각도를 제3각도(θ3)로 정의하고, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 제2광 출사면(335)의 임의의 제4지점(P4)으로 출사된 제2광(L2)의 방출 각도를 제4각도(θ4)로 정의할 수 있다. 상기 제2광(L2)은 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 광일 수 있다. Here, the incident angle of the first light L1 incident on the first point P1 of the incident surface 320 based on the central axis Y0 is defined as a first angle θ1, and the central axis ( An emission angle of the first light L1 emitted to an arbitrary third point P2 of the first light exit surface 330 based on Y0 may be defined as a second angle θ2. An incident angle of the second light L2 incident on the third point P3 of the incident surface 320 based on the central axis Y0 is defined as a third angle θ3, and the central axis Y0 An emission angle of the second light L2 emitted to an arbitrary fourth point P4 of the second light exit surface 335 based on may be defined as a fourth angle θ4. The second light L2 may be light emitted to the side of the light emitting device 100 .

상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)보다 클 수 있다. 상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)가 커질수록 커지게 되며, 상기 제1각도(θ1)가 작아질수록 작아지게 된다. 그리고 제1 및 제2각도(θ1, θ2)는 θ2>θ1 또는 1<(θ2/θ1)의 조건을 만족한다. 상기 제1광 출사면(330)의 제2각도(θ2)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 클 수 있다. 이에 따라 제1광 출사면(330)은 입사면(320)을 통해 입사된 광 중에서 상기 제1광 출사면(330)으로 진행하는 제1광(L1)에 대해 굴절시켜 줌으로써, 제1광(L1)에 대해 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. The second angle θ2 may be greater than the first angle θ1. The second angle θ2 increases as the first angle θ1 increases, and decreases as the first angle θ1 decreases. The first and second angles θ1 and θ2 satisfy the condition of θ2>θ1 or 1<(θ2/θ1). The second angle θ2 of the first light exit surface 330 is an emission angle after refraction and may be greater than an incidence angle before refraction. Accordingly, the first light exit surface 330 refracts the first light L1 traveling to the first light exit surface 330 from among the light incident through the incident surface 320, so that the first light ( L1) may be diffused in the lateral direction of the optical lens 300 .

상기 제4각도(θ4)는 상기 제3각도(θ3)보다 작을 수 있다. 상기 제3각도(θ3)가 증가할수록 상기 제4각도(θ4)는 증가하게 되며, 상기 제3각도(θ3)가 작아질수록 상기 제4각도(θ4)는 작아지게 된다. 그리고 제3 및 제4각도(θ3, θ4)는 θ4<θ3 또는 1>(θ4/θ3)의 조건을 만족한다. 상기 제2광 출사면(335)의 제4각도(θ4)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 작을 수 있다.The fourth angle θ4 may be smaller than the third angle θ3. As the third angle θ3 increases, the fourth angle θ4 increases, and as the third angle θ3 decreases, the fourth angle θ4 decreases. The third and fourth angles θ3 and θ4 satisfy the condition of θ4<θ3 or 1> (θ4/θ3). The fourth angle θ4 of the second light exit surface 335 is an emission angle after refraction and may be smaller than an incidence angle before refraction.

상기 제2광 출사면(335)에는 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광이거나 광 지향각을 벗어난 광들이 입사될 수 있다. 이에 따라 상기 제2광 출사면(335)은 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광과 광 지향각 분포를 벗어난 광에 대해, 휘도 분포의 지향각 영역으로 진행하도록 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에 의해 광 손실은 감소될 수 있다. Light emitted through the side surface S2 of the light emitting device 100 or lights out of a beam angle may be incident to the second light exit surface 335 . Accordingly, the second light exit surface 335 refracts the light emitted through the side surface S2 of the light emitting device 100 and the light out of the light beam angle distribution to proceed to the beam angle region of the luminance distribution. can Light loss may be reduced by the second light exit surface 335 .

상기 바닥 중심(P0)과 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)를 지나는 직선은 상기 중심축(Y0)에 대해 상기 광학 렌즈(300)를 통해 방출된 광의 반치각의 1/2 예컨대, 제4각도(θ4)의 위치 보다 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 중심축(Y0)과 바닥 중심(P0)부터 제3에지(35) 사이를 연결하는 직선 사이의 각도는 상기 발광 소자(100)의 고유한 지향각의 1/2 각도보다 클 수 있고, 광학 렌즈(300)의 지향각의 1/2각도보다 작을 수 있다. 여기서, 상기 반치각 또는 지향각은 발광 소자(100)로부터 방출된 광 출력이 피크치의 50% 또는 1/2이 되는 각도를 나타낸다.
A straight line passing through the bottom center P0 and the third edge 35 of the second light exit surface 335 is 1/1 of the half power angle of the light emitted through the optical lens 300 with respect to the central axis Y0. 2, for example, may be disposed above the position of the fourth angle θ4. For example, the angle between the central axis Y0 and the straight line connecting the third edge 35 from the bottom center P0 may be greater than 1/2 of the unique beam angle of the light emitting device 100, It may be smaller than 1/2 of the beam angle of the optical lens 300 . Here, the half-value angle or beam angle represents an angle at which the light output emitted from the light emitting device 100 is 50% or 1/2 of the peak value.

상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 입사면(320)의 제5지점(P5)으로 입사된 광(L3)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에 의해 반사되고 제2광 출사면(335)의 제6지점(P6)을 통해 투과 또는 반사될 수 있다. 이때 상기 제2광 출사면(335)은 바닥면(310)으로부터 반사되어 입사된 광의 입사각(θ8)보다 작은 출사각(θ9)으로 광(L3)을 투과 또는 반사하게 된다. 상기 입사각(θ8) 및 출사각(θ9)은 중심축(Y0)과의 각도이다. 여기서, 상기 바닥면(310)에 의해 반사되어 제2광 출사면(335)으로 진행하는 광(L3)은 입사각(θ8)보다 출사각(θ9)이 작게 굴절됨으로써, 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 누설될 수 있는 광을 효과적으로 재 사용할 수 있다. 또한 발광 소자(100)의 광 지향각을 벗어나는 광에 대해서도 상기 바닥면(310)에 의한 전 반사를 통해 광 누설을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Among the lights emitted from the light emitting device 100, the light L3 incident at the fifth point P5 of the incident surface 320 is reflected by the bottom surface 310 of the optical lens 300 and the second light It may be transmitted or reflected through the sixth point P6 of the emission surface 335 . At this time, the second light exit surface 335 transmits or reflects the light L3 at an exit angle θ9 smaller than the incident angle θ8 of light reflected from the bottom surface 310 and incident. The incident angle θ8 and the emission angle θ9 are angles with the central axis Y0. Here, the light L3 that is reflected by the bottom surface 310 and proceeds to the second light exit surface 335 is refracted at a smaller exit angle θ9 than the incident angle θ8, so that the side surface of the light emitting element 100 Light that may leak through (S2) can be effectively reused. In addition, there is an effect of preventing light leakage through total reflection by the bottom surface 310 even for light deviating from the light beam angle of the light emitting device 100 .

도 13에 도시된 바와 같이, 광학 렌즈(300)는 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)으로 방출된 광의 경로를 보면, 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 광축을 기준으로 1도 벗어난 각도(θ31)로 입사면(320)에 입사되면, 상기 제1광 출사면(330)으로 출사된 광(L31)은 15도 이상 예컨대, 17도 이상의 각도(θ32)로 굴절된다. 상기 제1광 출사면(330)은 상기 입사면(320)에 중심축(Y0)을 기준으로 1도의 각도(θ31)로 이동된 광이 입사될 때 17배 이상의 각도(θ32) 차이를 갖는 광(L31)으로 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 입사면(320)에 입사된 광이 중심축(Y0)을 기준으로 2도 이동할 때 20도 이상 예컨대, 10배 이상의 차이를 갖고 굴절될 수 있다. As shown in FIG. 13, the optical lens 300 looks at the path of the light emitted to the center region 32 of the first light exit surface 330, and the light emitted from the light emitting element 100 is based on the optical axis. When incident on the incident surface 320 at an angle θ31 out of 1 degree, the light L31 emitted from the first light exit surface 330 is refracted at an angle θ32 of 15 degrees or greater, for example, 17 degrees or greater. The first light exit surface 330 has a difference of 17 times or more angle (θ32) when light moved at an angle (θ31) of 1 degree with respect to the central axis (Y0) is incident on the incident surface (320). It can be refracted by (L31). The first light exit surface 330 may be refracted with a difference of 20 degrees or more, for example, 10 times or more, when the light incident on the incident surface 320 moves by 2 degrees relative to the central axis Y0.

상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)은 상기 리세스(315)의 제1에지(23)에 수직한 직선(Y1)과 교차하는 지점(Px) 이내의 영역으로서, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 중심축(Y0)을 기준으로 10도 이내의 각도(θ33)로 방출된 광(L32)들이 입사될 수 있다. 즉, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 10도 이내의 각도(θ33)로 방출된 광들이 상기 입사면(320) 및 제2광 출사면(335)을 통해 굴절되고 최대 50도 이상의 각도 예컨대, 55도 이상의 각도(θ34)로 굴절될 수 있다. 이러한 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)으로 입사된 광들은 상기 입사면(320) 및 제2광 출사면(335)의 볼록한 곡면에 의해 굴절됨으로써, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역(32)에서의 핫 스팟을 방지할 수 있다. 상기 제1광 출사면(335)의 센터 영역(32)은 상기 발광 소자(100)의 중심으로부터 상기 지점(Px)을 연결한 직선(Y2) 내의 영역으로서, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 22도 이하 예컨대, 18도 이하의 각도(θ25)일 수 있다. 상기 지점(Px)은 상기 제2정점(31)을 수평하게 접하는 직선(X4)보다 낮게 배치될 수 있다.
The center area 32 of the first light exit surface 330 is an area within a point Px crossing a straight line Y1 perpendicular to the first edge 23 of the recess 315, Among the light emitted from the device 100 , light L32 emitted at an angle θ33 within 10 degrees with respect to the central axis Y0 may be incident. That is, the light emitted from the light emitting device 100 at an angle θ33 within 10 degrees is refracted through the incident surface 320 and the second light exit surface 335 and is refracted at an angle of up to 50 degrees or more, for example, It can be refracted at an angle θ34 of 55 degrees or more. The light incident to the center region 32 of the first light exit surface 330 is refracted by the convex curved surfaces of the incident surface 320 and the second light exit surface 335, so that the first light exit surface ( A hot spot in the center region 32 of 330 may be prevented. The center area 32 of the first light exit surface 335 is an area within a straight line Y2 connecting the point Px from the center of the light emitting device 100, and is based on the central axis Y0. It may be an angle θ25 of 22 degrees or less, for example, 18 degrees or less. The point Px may be disposed lower than a straight line X4 horizontally contacting the second vertex 31 .

여기서, 도 68 및 도 69는 제1,2광 출사면으로 출사된 출사각과 입사면의 입사각의 비율을 나타낸 도면이다. 도 68 및 도 12를 참조하여 설명하면, 제1광 출사면(330)의 영역(A1)은 출사각/입사각의 비율이 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에 인접할수록 점차 작아지게 되며, 1보다 큰 비율을 가지게 된다. 도 68의 X축 방향은 입사면으로 입사된 광의 지향각을 나타내는 것으로서, 68도의 이상의 광의 지향각 분포는 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에 의해 제어될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 영역(A2)에서 출사각/입사각의 비율이 1보다 작은 값을 가지게 되며, 바닥면(310)에 의해 제2광 출사면(335)로 반사된 영역(A3)을 통해 출사된 광의 출사각/입사각의 비율은 상기 영역(A2)보다 작은 값을 가지게 된다. Here, FIGS. 68 and 69 are diagrams showing the ratio of the exit angle emitted from the first and second light exit surfaces to the incident angle of the incident surface. Referring to FIGS. 68 and 12, the area A1 of the first light exit surface 330 gradually decreases as the ratio of the exit angle to the incident angle approaches the area A2 of the second light exit surface 335. and have a ratio greater than 1. The X-axis direction in FIG. 68 represents the beam angle of light incident on the incident surface, and the beam beam angle distribution of 68 degrees or more can be controlled by the area A2 of the second light exit surface 335 . In the area A2 of the second light exit surface 335, the ratio of the exit angle/incidence angle has a value smaller than 1, and the area reflected by the bottom surface 310 to the second light exit surface 335 ( The ratio of the emission angle/incidence angle of the light emitted through A3) has a smaller value than that of the area A2.

도 69 및 도 12를 참조하면, 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)으로 출사된 광의 출사각은 광학 렌즈(300)의 입사면(320)으로 입사된 광의 입사각이 증가됨에 따라 증가될 수 있다. 여기서, 상기 출사각은 상기 제1광 출사면(330)의 외측 하부(A4)에서 증가되지 않을 수 있으며, 이는 외측 하부(A4)가 접선이거나 수직한 면으로 제공될 수 있다. 그리고 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)으로 출사된 출사각이 상기 입사면(320)으로 입사각보다 작아지며, 상기 입사각이 증가됨에 따라 증가될 수 있다.
69 and 12, as the angle of incidence of the light emitted from the first light exit surface 330 of the optical lens 300 increases, the angle of incidence of the light incident from the incident surface 320 of the optical lens 300 increases. can be increased Here, the emitting angle may not increase at the outer lower portion A4 of the first light emitting surface 330, which may be provided as a tangential or vertical surface of the outer lower portion A4. Also, an exit angle emitted from the second light exit surface 335 of the optical lens 300 becomes smaller than an incident angle toward the incident surface 320, and may increase as the incident angle increases.

도 14를 참조하면, 상기 발광 소자(100)의 측면(S2)으로부터 수평하게 방출된 광(L11)은 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)을 통해 입사되고, 상기 입사면(320)을 통해 입사된 광(L11)은 바닥면(310)에 의해 반사되고 제2광 출사면(335)을 통해 방출될 수 있다. 상기 광(L11)은 입사면(320)의 하부 영역(22A)에 대해 88도 내지 90도의 각도로 입사될 수 있다. Referring to FIG. 14 , the light L11 emitted horizontally from the side surface S2 of the light emitting device 100 is incident through the lower region 22A of the incident surface 320, and the incident surface 320 The light L11 incident through is reflected by the bottom surface 310 and may be emitted through the second light exit surface 335 . The light L11 may be incident at an angle of 88 degrees to 90 degrees with respect to the lower region 22A of the incident surface 320 .

도 15를 참조하면, 상기 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광 중에서 경사지게 입사된 광(L11,L12,L13)은 상기 회로 기판의 상면에 의해 반사되거나 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)에 경사지게 입사될 수 있다. 상기 입사면(320)의 하부 영역(22A)으로 경사지게 입사된 광(L13)은 바닥면(310)에 의해 반사되어 제2광 출사면(335)으로 방출되거나, 회로 기판에 의해 반사된 광(L12,L14)은 상기 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 굴절될 수 있다. 이러한 입사면(320)의 하부 영역(22A)으로 입사된 광의 휘도 분포는 개선될 수 있다.
Referring to FIG. 15 , among the lights emitted to the side surface S2 of the light emitting device 100, the obliquely incident light L11, L12, and L13 is reflected by the upper surface of the circuit board or is reflected from the incident surface 320. It may enter the lower region 22A obliquely. The light L13 obliquely incident to the lower region 22A of the incident surface 320 is reflected by the bottom surface 310 and emitted to the second light exit surface 335 or light reflected by the circuit board ( L12 and L14 may be refracted through the first and second light exit surfaces 330 and 335 . The luminance distribution of the light incident to the lower region 22A of the incident surface 320 may be improved.

도 16을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)의 영역 중에서, 제2지점(P2)으로 출사되는 출사각(θ2)이 발광 소자(100)의 지향각의 1/2인 경우, 상기 제2지점(P2)으로 입사되는 광의 입사면(320)의 지점과 중심축(Y0) 사이의 거리(D11)는 상기 리세스(315)의 바닥 너비(D1)의 1/2 이하일 수 있다. 이는 광학 렌즈(300)의 두께를 줄이거나 제1광 출사면(330)의 정점 높이를 낮추더라도, 광을 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. Referring to FIG. 16, in the area of the second light exit surface 335 of the optical lens 300, the emission angle θ2 emitted to the second point P2 is equal to 1 of the beam angle of the light emitting element 100. /2, the distance D11 between the point on the incident surface 320 of the light incident to the second point P2 and the central axis Y0 is 1 of the bottom width D1 of the recess 315. /2 or less. Even if the thickness of the optical lens 300 is reduced or the height of the apex of the first light exit surface 330 is reduced, light can be diffused in the lateral direction.

상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 양 에지(23,25)를 지나는 제1직선(X1)과 중심축(Y0)이 이루는 각도(θ6)는 예각 예컨대, 89.5도 이하일 수 있으며, 예컨대 87도 이하일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)이 경사진 각도(θ5)를 갖는 면으로 배치됨으로써, 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 입사된 광을 반사하여 제2광 출사면(335)을 통해 투과 또는 반사시켜 준다. 상기 제2광 출사면(335)의 출사각은 입사면(310)을 통해 입사된 입사각보다 작게 출사하게 됨으로써, 인접한 광학 렌즈(300) 간의 간섭을 줄여줄 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 광량을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 바닥면(310)의 경사진 각도(θ5)는 도 19에 도시된, 제2광 출사면(335)의 경사진 각도(θ7)보다 클 수 있다.
In the optical lens 300, the angle θ6 formed by the first straight line X1 passing through both edges 23 and 25 of the bottom surface 310 and the central axis Y0 may be an acute angle, for example, 89.5 degrees or less, For example, it may be 87 degrees or less. The second light exit surface ( 335) to transmit or reflect. The second light exit surface 335 emits a smaller angle than the incident angle incident through the incident surface 310, so that interference between adjacent optical lenses 300 can be reduced. Accordingly, the amount of light emitted through the second light exit surface 335 of the optical lens 300 can be improved. An inclined angle θ5 of the bottom surface 310 may be greater than an inclined angle θ7 of the second light exit surface 335 shown in FIG. 19 .

상기 중심축(Y0)과 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310) 사이의 제6각도(θ6)는 상기 바닥면(310)과 상기 제2광 출사면(335) 사이의 각도(θ61)보다 작을 수 있다. 상기 각도 θ6/θ61 < 1의 조건을 만족할 수 있다. 여기서, 상기 각도(θ6)는 90도 미만일 수 있으며, 상기 각도(θ61)는 90도 이상 예컨대, 90도 < θ61 ≤95도 의 범위일 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 선분은 중심축(Y0)에 대해 예각을 갖고, 제2광 출사면(335)에 대해 둔각을 갖게 되므로, 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 전반사시켜 줄 수 있고, 또한 상기 전 반사된 광이 제2광 출사면(335)을 통해 굴절됨으로써, 다른 광학 렌즈와의 간섭을 줄여줄 수 있다.
A sixth angle θ6 between the central axis Y0 and the bottom surface 310 of the optical lens 300 is an angle θ61 between the bottom surface 310 and the second light exit surface 335 may be smaller than The condition of the angle θ6/θ61 < 1 may be satisfied. Here, the angle θ6 may be less than 90 degrees, and the angle θ61 may be greater than or equal to 90 degrees, for example, 90 degrees < θ61 ≤ 95 degrees. Since the line segment of the bottom surface 310 of the optical lens 300 has an acute angle with respect to the central axis Y0 and an obtuse angle with respect to the second light exit surface 335, the light emitted from the light emitting element 100 may be totally reflected, and since the totally reflected light is refracted through the second light exit surface 335, interference with other optical lenses may be reduced.

한편, 상기 광학 렌즈(300)의 하부에 배치된 하나 또는 복수의 지지 돌기(미도시)는 바닥면(310)으로부터 하 방향 즉, 회로 기판(400) 방향으로 돌출된다. 상기 지지 돌기는 복수개가 회로 기판(400) 상에 고정되며, 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다.
Meanwhile, one or a plurality of support protrusions (not shown) disposed under the optical lens 300 protrude downward from the bottom surface 310 , that is, toward the circuit board 400 . A plurality of the support protrusions are fixed on the circuit board 400 and can prevent the optical lens 300 from being tilted.

도 17을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)는 예컨대, 바닥면(310) 및 제2광 출사면(335) 상에 헤이즈 면이 형성될 수 있다. 상기 헤이즈 면이 형성된 바닥면(310) 및 제2광 출사면(335)은 일부 광에 대해 투과 또는 반사하게 된다. 상기 제1광 출사면(330)에 의해 반사된 광은 제2광 출사면(335) 또는 입사면 방향으로 광 경로를 변경해 주어, 제1광 출사면(330) 방향으로 광이 방출되도록 할 수 있다.
Referring to FIG. 17 , a haze surface may be formed on the bottom surface 310 and the second light exit surface 335 of the optical lens 300 , for example. The bottom surface 310 and the second light exit surface 335 on which the haze surface is formed transmit or reflect some light. The light reflected by the first light exit surface 330 changes the light path toward the second light exit surface 335 or the incident surface, so that light is emitted toward the first light exit surface 330. there is.

도 18을 참조하면, 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 곡면을 갖는 제1영역(D9)과 평탄 면을 갖는 제2영역(D10)을 포함한다. 상기 바닥면(310)은 리세스(315)에 인접한 영역이 곡면을 갖고 상기 제2광 출사면(335)에 입접한 영역이 평평한 면으로서, 수평한 면이거나 경사진 면으로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 18 , the bottom surface 310 of the optical lens 300 includes a first area D9 having a curved surface and a second area D10 having a flat surface. An area adjacent to the recess 315 of the bottom surface 310 is a curved surface and an area adjacent to the second light exit surface 335 is a flat surface, and may be provided as a horizontal surface or an inclined surface.

상기 제1영역(D9)은 제1에지(23)로부터 위로 볼록한 곡률 반경을 갖게 된다. 즉, 상기 바닥면(310)에서 제1영역(D9)의 곡면은 수평한 연장 선에 대해 위로 오목하게 되며, 예컨대 65mm 내지 75mm 범위의 곡률 반경을 갖는다. 즉, 상기 제1영역(D9)은 음(-)의 곡률을 가질 수 있다. 상기 제2영역(D10)은 상기 제1영역(D9)과 제2에지(25) 사이에 배치된다. 상기 제1영역(D9)의 너비가 제2영역(D10)의 너비보다 더 넓을 수 있다. 상기 제1영역(D9)과 제2영역(D10)의 길이 비율은 6:4 내지 9:1의 비율로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D9)의 너비가 넓을수록 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있다. The first region D9 has a radius of curvature convex upward from the first edge 23 . That is, the curved surface of the first region D9 on the bottom surface 310 is concave upward with respect to the horizontal extension line, and has a radius of curvature in the range of, for example, 65 mm to 75 mm. That is, the first region D9 may have a negative (-) curvature. The second area D10 is disposed between the first area D9 and the second edge 25 . The width of the first region D9 may be wider than that of the second region D10. The length ratio of the first area D9 and the second area D10 may be between 6:4 and 9:1. As the width of the first region D9 increases, the hot spot phenomenon in the center of the optical lens 300 can be reduced.

상기 바닥면(310) 중에서 곡면 구간인 제1영역(D9)은 상기 입사면(320)에 인접하게 배치되며, 상기 평탄한 구간인 제2영역(D10)은 제2에지(25)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 곡면 및 평탄 면은 제1에지(23)부터 제2에지(25)를 직선으로 연결한 선분보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D9)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선보다 낮게 배치되며, 상기 제2영역(D10)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선과 동일 선상에 배치될 수 있다.Of the bottom surface 310, the curved first area D9 is disposed adjacent to the incident surface 320, and the flat area second area D10 is disposed adjacent to the second edge 25. It can be. The curved surface and the flat surface may be disposed above a line segment connecting the first edge 23 to the second edge 25 in a straight line. The first area D9 may be disposed lower than the horizontal extension line of the second edge 25, and the second area D10 may be disposed on the same line as the horizontal extension line of the second edge 25.

상기 바닥면(310)의 제1영역(D9)은 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 다른 방향으로 굴절시켜 주어, 제1 및 제2광 출사면(330,335)에 의한 휘도 분포를 변화시켜 줄 수 있다. 이러한 광의 휘도 분포는 바닥면(310)이 곡면 영역을 포함할 경우, 중심부의 핫 스팟 현상이 경사진 면을 갖는 광학 렌즈에 비해 개선될 수 있다.
The first area D9 of the bottom surface 310 refracts the light emitted from the light emitting device 100 in different directions, thereby changing the luminance distribution by the first and second light exit surfaces 330 and 335. can give When the bottom surface 310 includes a curved area, the hot spot phenomenon in the center of the luminance distribution of light may be improved compared to an optical lens having an inclined surface.

도 19는 도 1의 광학 렌즈의 제2광 출사면 및 바닥 면의 다른 예이다.FIG. 19 is another example of a second light exit surface and a bottom surface of the optical lens of FIG. 1 .

도 19를 참조하면, 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)은 수직한 중심축(Y0)을 기준으로, 제7각도(θ7)로 경사질 수 있다. 상기 제7각도(θ7)는 제5각도(θ5)보다 작을 수 있다. 상기 각도 θ7/θ5 <1의 조건을 만족할 수 있다.Referring to FIG. 19 , the second light exit surface 335 of the optical lens 300 may be inclined at a seventh angle θ7 with respect to the vertical central axis Y0. The seventh angle θ7 may be smaller than the fifth angle θ5. The condition of the angle θ7/θ5 <1 may be satisfied.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 예컨대, 경사면을 갖는 제1영역(D17)과 수평 면을 갖는 제2영역(D18)을 포함한다. 상기 제1영역(D17)은 제1에지(23)부터 경사지게 되며, 상기 제2영역(D18)은 상기 제1영역(D17)과 제2에지(25) 사이에 배치된다. 상기 제1영역(D17)의 구간이 제2영역(D18)의 구간보다 클 수 있다. 상기 제1영역(D17)과 제2영역(D18)의 구간 비율은 6:4 내지 9:1의 비율로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D17)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선보다 낮게 배치되어 발광 소자(100)의 측면과 대응되며, 상기 제2영역(D18)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선과 동일 선상에 배치될 수 있다.The bottom surface 310 of the optical lens 300 includes, for example, a first area D17 having an inclined surface and a second area D18 having a horizontal surface. The first region D17 is inclined from the first edge 23 , and the second region D18 is disposed between the first region D17 and the second edge 25 . The section of the first area D17 may be larger than the section of the second area D18. The section ratio of the first area D17 and the second area D18 may be arranged in a ratio of 6:4 to 9:1. The first region D17 is disposed lower than the horizontal extension line of the second edge 25 and corresponds to the side surface of the light emitting device 100, and the second region D18 is disposed horizontally at the second edge 25. It can be arranged on the same line as the extension line.

상기 제1영역(D17)의 구간이 넓을수록 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있다. 도 73에 도시된 광의 휘도 분포는 바닥면이 수평한 면이 아닌 경사진 면을 갖는 광학 렌즈를 제공한 경우로서, 중심부의 핫 스팟 현상이 개선됨을 알 수 있다.
As the section of the first region D17 is wide, the hot spot phenomenon in the center of the optical lens 300 can be reduced. The luminance distribution of light shown in FIG. 73 is a case where an optical lens having an inclined surface rather than a horizontal surface is provided, and it can be seen that the hot spot phenomenon in the center is improved.

도 20 및 도 21은 실시 예에 따른 발광 모듈에서 회로 기판 상에 흡수층을 배치한 구조이다. 20 and 21 are structures in which an absorption layer is disposed on a circuit board in a light emitting module according to an embodiment.

도 20 및 도 21을 참조하면, 회로 기판(400) 상에 흡수층(412,414)이 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 흡수층(412,414)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)을 통과하는 광을 흡수율이 최대인 영역에 배치될 수 있다. 이는 광학 렌즈(300)은 제1광 출사면(330)에 의해 일부 광이 반사될 수 있고, 상기 반사되는 광의 진행 경로가 집중되는 영역에 상기 흡수층(412,414)이 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 20 and 21 , absorption layers 412 and 414 may be disposed on the circuit board 400 . The absorption layers 412 and 414 of the circuit board 400 may be disposed in a region where the absorption rate of light passing through the bottom surface 310 of the optical lens 300 is greatest. In the optical lens 300 , some light may be reflected by the first light exit surface 330 , and the absorption layers 412 and 414 may be disposed in a region where the path of the reflected light is concentrated.

상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)에 입사된 광의 일부(L5)는 투과되고 일부 광(L6)은 반사될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 제1광 출사면(330)에 의해 반사되는 광(L6)이 바닥면(310)을 투과하면 흡수하게 된다. 상기 흡수층(412,414)은 흑색 레지스트 물질을 포함할 수 있다.A portion L5 of the light incident on the first light exit surface 330 of the optical lens 300 may be transmitted and a portion of light L6 may be reflected. The absorption layers 412 and 414 absorb the light L6 reflected by the first light exit surface 330 when it passes through the bottom surface 310 . The absorption layers 412 and 414 may include a black resist material.

상기 흡수층(412,414)은 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 상기 회로 기판(400)의 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315)를 기준으로 서로 반대측에 배치될 수 있다.The absorption layers 412 and 414 may be disposed in a region overlapping the optical lens 300 in a vertical direction. The absorption layers 412 and 414 may be disposed in a region overlapping the bottom surface 310 of the optical lens 300 in a vertical direction. The absorption layers 412 and 414 may be disposed on opposite sides of the circuit board 400 based on the recess 315 of the optical lens 300 .

상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 회로 기판(400)의 너비(D13)보다 넓은 경우, 상기 광학 렌즈(300)가 배열되는 방향을 따라 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315)의 양측에 상기 흡수층(412,414)이 각각 배치될 수 있다. 이러한 흡수층(412,414)은 상기 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)으로 반사된 일부 광(L6)을 흡수하게 된다. 상기 흡수층(412,414)의 영역은 상기 제1광 출사면(330)으로 반사된 광의 광량이 최대인 영역 아래에 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)의 영역들은 상기 중심축(Y0)의 바닥 중심으로부터 동일한 반경(D12)을 갖고 배치될 수 있다. 도 72과 같이, 상기 회로 기판(400) 상에 흡수층을 갖는 경우(예3)는 흡수층을 갖지 않는 경우(예4)에 비해, 불필요한 광을 흡수하게 되므로, 광의 균일도가 개선됨을 알 수 있다. When the width D4 of the optical lens 300 is wider than the width D13 of the circuit board 400, the recess 315 of the optical lens 300 is along the direction in which the optical lens 300 is arranged. ), the absorption layers 412 and 414 may be respectively disposed on both sides. The absorption layers 412 and 414 absorb some light L6 reflected from the first light exit surface 330 of the optical lens 300 . Areas of the absorption layers 412 and 414 may be disposed below an area in which an amount of light reflected from the first light exit surface 330 is maximum. Areas of the absorption layers 412 and 414 may be disposed with the same radius D12 from the bottom center of the central axis Y0. As shown in FIG. 72 , when the circuit board 400 has the absorption layer (Example 3), unnecessary light is absorbed compared to the case without the absorption layer (Example 4), so the uniformity of light is improved.

도 20 및 도 21을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에는 복수의 지지 돌기(350,355)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350,355)는 제1지지 돌기(350) 및 제2지지 돌기(355)를 포함한다. 상기 제1지지 돌기(350)는 상기 흡수층(412,414)의 영역을 제외하고 복수개가 배치될 수 있으며, 회로 기판(400)의 상면과 접촉될 수 있다. 상기 제1지지 돌기(350)은 2개 또는 3개 이상으로 배치되어, 회로 기판(400) 상에서 광학 렌즈(300)를 지지하게 된다. Referring to FIGS. 20 and 21 , a plurality of support protrusions 350 and 355 may be disposed on the bottom surface 310 of the optical lens 300 . The plurality of support protrusions 350 and 355 include a first support protrusion 350 and a second support protrusion 355 . A plurality of first support protrusions 350 may be disposed except for the areas of the absorption layers 412 and 414 and may contact the upper surface of the circuit board 400 . The first support protrusions 350 are arranged in two or three or more to support the optical lens 300 on the circuit board 400 .

상기 제2지지 돌기(355)는 상기 제1지지 돌기(350)의 높이보다 더 돌출될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355) 간의 간격은 상기 회로 기판(400)의 너비(D13)과 동일하거나 더 이격될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355) 사이에는 상기 회로 기판(400)이 끼워질 수 있다. 이에 따라 제2지지 돌기(355)는 광학 렌즈(300)를 결합하는 과정에서 상기 회로 기판(400)의 외측에 결합되어 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355)는 2개 또는 3개 이상이 배치될 수 있으며, 상기 회로 기판(400)의 양측에 접촉될 수 있다. 상기 제2지지 돌기(355)의 반경은 상기 제1지지 돌기(350)의 반경보다 클 수 있다.
The second support protrusion 355 may protrude higher than the height of the first support protrusion 350 . The distance between the second support protrusions 355 may be equal to or greater than the width D13 of the circuit board 400 . The circuit board 400 may be inserted between the second support protrusions 355 . Accordingly, the second support protrusion 355 is coupled to the outer side of the circuit board 400 in the process of coupling the optical lens 300 to prevent the optical lens 300 from being tilted. Two or more second support protrusions 355 may be disposed, and may contact both sides of the circuit board 400 . A radius of the second support protrusion 355 may be greater than a radius of the first support protrusion 350 .

도 22는 실시 예에 따른 광학 렌즈를 갖는 라이트 유닛을 나타낸 측 단면도이다. 22 is a side cross-sectional view illustrating a light unit having an optical lens according to an embodiment.

도 22를 참조하면, 각 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 서로 다른 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격보다 좁게 배열될 수 있다. 상기 간격(G1)은 도 21에 도시된 광학 렌즈(300)의 너비(D4)의 6배 내지 10배 범위 예컨대, 7배 내지 9배 범위로 배열될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 인접한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 22 , the distance G1 between optical lenses 300 disposed on each circuit board 400 may be narrower than the distance between optical lenses 300 disposed on different circuit boards 400 . The distance G1 may be arranged in a range of 6 to 10 times, for example, 7 to 9 times the width D4 of the optical lens 300 shown in FIG. 21 . The distance G1 between the optical lenses 300 may prevent light interference between adjacent optical lenses 300 .

여기서, 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm 이상이 될 수 있으며, 예컨대 16mm 내지 20mm 범위에 있을 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 범위보다 좁은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈의 개수가 증가될 수 있고 상기 광학 렌즈(300)들 사이의 영역에 암부가 발생될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)가 상기 범위보다 넓은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈의 개수는 감소되지만, 각 광학 렌즈의 휘도가 감소될 수 있다.Here, the width D4 of the optical lens 300 may be greater than or equal to 15 mm, and may be, for example, in the range of 16 mm to 20 mm. When the width D4 of the optical lens 300 is narrower than the range, the number of optical lenses in the light unit may increase and a dark part may be generated in a region between the optical lenses 300 . When the width D4 of the optical lens 300 is greater than the range, the number of optical lenses in the light unit is reduced, but the luminance of each optical lens may be reduced.

상기 광학 렌즈(300)에 의한 휘도 분포가 개선되므로, 회로 기판(400)과 광학 시트(514) 사이의 거리(H1)를 줄여줄 수 있다. 또한 백라이트 유닛 내에 배치된 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있다.
Since the luminance distribution by the optical lens 300 is improved, the distance H1 between the circuit board 400 and the optical sheet 514 may be reduced. Also, the number of optical lenses 300 disposed in the backlight unit may be reduced.

도 23은 도 1의 광학 렌즈의 제2광 출사면의 다른 예이며, 도 24는 도 23의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈이며, 도 25는 도 24의 발광 모듈의 측 단면도이며, 도 26은 도 24의 발광 모듈을 갖는 라이트 유닛을 나타낸 도면이며, 도 27은 도 23의 발광 모듈의 A-A측 단면도이다.23 is another example of a second light exit surface of the optical lens of FIG. 1, FIG. 24 is a light emitting module having the optical lens of FIG. 23, FIG. 25 is a side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 24, and FIG. 24 is a view showing a light unit having a light emitting module, and FIG. 27 is an A-A cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 23 .

도 23을 참조하면, 광학 렌즈(300)는, 바닥면(310), 상기 바닥면(310)의 센터 영역에 상기 바닥면(310)으로부터 위로 볼록한 리세스(recess)(315), 상기 리세스(315)의 둘레에 입사면(320), 상기 바닥면(310) 및 상기 입사면(320)의 반대측에 배치된 제1광 출사면(330), 및 상기 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 배치된 제2광 출사면(335)을 포함한다. 상기 광학 렌즈(300)의 리세스(315), 입사면(320) 및 제1광 출사면(330)은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.Referring to FIG. 23 , an optical lens 300 includes a bottom surface 310, a recess 315 convex upward from the bottom surface 310 in a center region of the bottom surface 310, and the recess 315. The incident surface 320 around 315, the first light exit surface 330 disposed on the opposite side of the bottom surface 310 and the incident surface 320, and the first light exit surface 330 and a second light exit surface 335 disposed on the lower circumference. The recess 315 of the optical lens 300, the incident surface 320, and the first light exit surface 330 will refer to the description of the embodiment disclosed above.

상기 제2광 출사면(335)은 상기 제1광 출사면(330)의 하부 에지로부터 단차진 구조(36)를 포함한다. 상기 단차진 구조(36)는 상기 제1광 출사면(330)의 하부 에지로부터 외측 방향으로 수평하게 연장된 플랫한 면 또는 경사진 면을 포함한다. 상기 단차진 구조(36)의 플랫한 면은 상기 제1광 출사면(330)과 상기 제2광 출사면(335) 사이에 다른 평면일 수 있으며, 예컨대 상기 중심축(Y0)에 대해 90도 또는 그 이상일 수 있다. 상기 단차진 구조(36)의 폭(T4)은 150㎛ 이내 예컨대, 50㎛ 내지 150㎛ 범위일 수 있다. 상기 단차진 구조(36)는 탑뷰 형상이 소정 폭(T4)을 갖는 링 형상으로 구현될 수 있다. 상기 단차진 구조(36)의 폭(T4)은 광학 렌즈(300)의 너비의 오차 범위 내에서 돌출된 형태로 제공된다. 상기 단차진 구조(36)의 평탄한 상면 및 하면은 입사되는 광을 제2광 출사면(335)으로 반사시켜 줄 수 있다. 이러한 단차진 구조(36)의 상면 및 하면이 상기 폭보다 클 경우 광 분포에 영향을 줄 수 있고 광 분포 제어가 어려울 수 있다.
The second light exit surface 335 includes a stepped structure 36 from the lower edge of the first light exit surface 330 . The stepped structure 36 includes a flat surface or an inclined surface extending horizontally outward from the lower edge of the first light exit surface 330 . The flat surface of the stepped structure 36 may be another plane between the first light exit surface 330 and the second light exit surface 335, for example, 90 degrees with respect to the central axis Y0. or more. A width T4 of the stepped structure 36 may be within 150 μm, for example, in the range of 50 μm to 150 μm. The stepped structure 36 may be implemented in a ring shape having a top view shape having a predetermined width T4. The width T4 of the stepped structure 36 protrudes within an error range of the width of the optical lens 300 . The flat upper and lower surfaces of the stepped structure 36 may reflect incident light to the second light exit surface 335 . When the upper and lower surfaces of the stepped structure 36 are larger than the width, the light distribution may be affected and it may be difficult to control the light distribution.

도 24 내지 도 26을 참조하면, 발광 모듈(301)은 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 상에 배치된 광학 렌즈(300), 및 상기 발광 소자(100) 아래에 배치된 회로 기판(400)을 포함한다.24 to 26, the light emitting module 301 includes a light emitting device 100, an optical lens 300 disposed on the light emitting device 100, and a circuit board disposed under the light emitting device 100. (400).

상기 발광 모듈(301)은 상기 회로 기판(400) 상에 복수의 광학 렌즈(300)가 소정의 간격을 갖고 배열될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)는 상기 광학 렌즈(300)과 회로 기판(400) 사이에 배치된다. In the light emitting module 301, a plurality of optical lenses 300 may be arranged at a predetermined interval on the circuit board 400, and the light emitting device 100 may be formed between the optical lens 300 and the circuit board ( 400) is placed between them.

상기 발광 소자(100)는 상면(S1) 및 다수의 측면(S2)을 통해 광을 방출하게 되며, 예컨대 5면 또는 그 이상의 발광 면을 갖는다. 상기 발광 소자(100)의 상면(S1)과 다수의 측면(S2)을 통해 방출된 광은 광학 렌즈(300)의 입사면(320)으로 입사하게 되며, 상기 입사면(320)으로 입사된 광은 굴절되어 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 추출된다. 상기 발광 소자(100)는 5면 이상의 발광 면을 제공하므로, 지향각 분포는 130도 이상 예컨대, 136도 이상이 될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포가 136도 이상이 되므로, 상기 발광 소자(100)의 각 측면(S2)을 통해 방출된 소정 광도를 갖는 광이 광학 렌즈(300)의 입사면(320)을 거쳐 제2광 출사면(335)을 통해 방출될 수 있다.The light emitting device 100 emits light through an upper surface S1 and a plurality of side surfaces S2, and has, for example, five or more light emitting surfaces. The light emitted through the upper surface S1 and the plurality of side surfaces S2 of the light emitting device 100 is incident on the incident surface 320 of the optical lens 300, and the light incident on the incident surface 320 is refracted and extracted through the first and second light exit surfaces 330 and 335 . Since the light emitting device 100 provides 5 or more light emitting surfaces, the beam angle distribution may be 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. Since the beam angle distribution of the light emitting element 100 is 136 degrees or more, the light having a predetermined luminous intensity emitted through each side surface S2 of the light emitting element 100 falls on the incident surface 320 of the optical lens 300. Through the second light exit surface 335 can be emitted.

발광 소자(100)는 예컨대, 도 73의 (C)와 같은 지향각 분포를 제공할 수 있다. 도 73의 (A)은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이며, (B)는 발광 소자의 기준 점을 설명하기 위한 도면이며, (C)는 발광 소자의 평면 상에서 각 방향별 지향각 분포를 나타낸 그래프이고, (D)는 (C)의 지향각 분포를 삼차원 형상으로 나타낸 도면이다.The light emitting device 100 may provide, for example, a beam angle distribution as shown in (C) of FIG. 73 . 73 (A) is a plan view of a light emitting device according to an embodiment, (B) is a diagram for explaining a reference point of the light emitting device, and (C) is a view angle distribution for each direction on a plane of the light emitting device. It is a graph, and (D) is a diagram showing the angle of view distribution of (C) in a three-dimensional shape.

도 73의 (A)와 같이 발광 소자는 상면 및 복수의 측면을 통해 광을 방출하게 된다. 이때 각 방향별 예컨대, 가로 방향, 세로 방향, 대각 방향의 지향각 분포는 도 73의 (C)와 같이, 각 방향의 지향각 분포로 검출될 수 있다. 도 73의 (A,C)에서 세로 방향은 C-Plane의 지향각 분포를 나타낸 도면이다. 이러한 도 73의 (C)와 같이, 각 방향별 광의 지향각 분포를 보면, 반치각이 65도 이상 예컨대 68도 이상으로 나타남을 알 수 있다.
As shown in (A) of FIG. 73, the light emitting element emits light through an upper surface and a plurality of side surfaces. At this time, the beam angle distribution in each direction, for example, the horizontal direction, the vertical direction, and the diagonal direction, can be detected as a beam angle distribution in each direction, as shown in (C) of FIG. 73 . In (A, C) of FIG. 73, the vertical direction is a view showing the distribution of angles of view of the C-Plane. As shown in (C) of FIG. 73, when looking at the distribution of beam angles of light in each direction, it can be seen that the half-maximum angle is 65 degrees or more, for example, 68 degrees or more.

상기 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2광 출사면(330,335)은 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2광 출사면(335)은 중심축(Y0)을 기준으로, 굴절 후의 추출된 광의 각도가 굴절 전에 입사된 광의 각도보다 작게 굴절시켜 준다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(330)간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있고, 제2광 출사면(335)을 통해 출사된 일부 광과 제1광 출사면(330)으로 출사된 광이 광학 렌즈(300)의 주변에서 서로 혼색될 수 있다. 상기 각 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 서로 다른 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G2)보다 좁게 배열될 수 있다. 상기 간격(G1)은 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)의 6배 내지 10배 범위 예컨대, 7배 내지 9배 범위로 배열될 수 있다. 상기 간격(G2)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)의 9배 내지 11배 범위 예컨대, 9.5배 내지 10.5배 범위로 배치될 수 있다. 여기서, 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm 이상이 될 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭 거리 즉, 간격(G1, G2)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)의 최소 6배 이상 이격시켜 줄 수 있다. The first and second light exit surfaces 330 and 335 of the optical lens 300 refract and emit incident light. The second light exit surface 335 refracts the angle of the extracted light after refraction smaller than the angle of the incident light before refraction with respect to the central axis Y0. Accordingly, it is possible to provide a long light interference distance between adjacent optical lenses 330, and some of the light emitted through the second light exit surface 335 and the light emitted through the first light exit surface 330 are transferred to the optical lens ( 300) may be mixed with each other in the vicinity. The distance G1 between the optical lenses 300 disposed on each circuit board 400 may be narrower than the distance G2 between the optical lenses 300 disposed on different circuit boards 400 . The distance G1 may be arranged in a range of 6 to 10 times, for example, 7 to 9 times the width D4 of the optical lens 300 . The interval G2 may be arranged in a range of 9 to 11 times the width D4 of the optical lens 300, for example, in a range of 9.5 to 10.5 times. Here, the width D4 of the optical lens 300 may be 15 mm or more. The optical interference distance between the optical lenses 300, that is, the intervals G1 and G2 may be at least 6 times the width D4 of the optical lenses 300 or more.

도 26과 같이, 발광 모듈(301)의 회로 기판(400)은 바텀 커버(512) 내에 복수개가 배열될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다.
As shown in FIG. 26 , a plurality of circuit boards 400 of the light emitting module 301 may be arranged in the bottom cover 512 . The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100 .

도 23 및 도 27을 참조하면, 발광 모듈(301)에서 중심축(Y0)과 발광 소자(100)의 중심이 교차되는 바닥 중심(P0)은 발광 소자(100)의 상면(S1)보다 낮은 위치에 배치될 수 있다. 상기 바닥 중심(P0)은 광학 렌즈(300)의 기준 점 또는 발광 소자(100)의 중심이 될 수 있다. 상기 바닥 중심(P0)은 발광 소자(100)의 상면(S1)의 중심과 복수의 측면(S2)의 중심이 교차되는 지점이거나 상기 상면(S1)의 중심과 각 측면(S2)의 하부 중심이 교차되는 지점이 될 수 있다. 이러한 바닥 중심(P0)은 중심축(Y0)과 발광 소자(100)로부터 출사된 광이 교차되는 교점이 될 수 있다. 상기 바닥 중심(P0)은 상기 광학 렌즈(300)의 저점과 동일한 수평 선상에 배치되거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 23 and 27 , in the light emitting module 301, the center of the floor where the central axis Y0 and the center of the light emitting element 100 intersect is lower than the upper surface S1 of the light emitting element 100. can be placed in The bottom center P0 may be a reference point of the optical lens 300 or a center of the light emitting device 100 . The bottom center P0 is a point where the center of the upper surface S1 of the light emitting device 100 and the center of the plurality of side surfaces S2 intersect, or the center of the upper surface S1 and the lower center of each side surface S2 are It can be a point of intersection. The center of the floor P0 may be an intersection point where the central axis Y0 and the light emitted from the light emitting device 100 intersect. The center of the bottom P0 may be disposed on the same horizontal line as the lowest point of the optical lens 300 or may be disposed at a higher position.

상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 제1에지(23)는 광학 렌즈(300)의 저점이 될 수 있으며, 지지 돌기(350)를 제외한 영역에서 가장 낮을 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)의 제2에지(25)보다 제1에지(23)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)의 제1에지(23)는 상기 회로 기판(400)의 상면에 접촉될 수 있고, 상기 제2에지(25)는 상기 회로 기판(400)의 상면으로부터 소정 간격(T0)으로 이격될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)의 측면(S2)로 방출된 광의 누설 없이 입사면(320)으로 입사될 수 있다. 상기 간격(T0)은 후술되는 반사 시트의 두께와 같거나 얇을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In the optical lens 300 , the first edge 23 of the bottom surface 310 may be a low point of the optical lens 300 and may be the lowest in an area excluding the support protrusion 350 . The circuit board 400 may be disposed more adjacent to the first edge 23 than the second edge 25 of the bottom surface 310 of the optical lens 300 . The first edge 23 of the bottom surface 310 may contact the upper surface of the circuit board 400, and the second edge 25 may be spaced apart from the upper surface of the circuit board 400 by a predetermined distance T0. can be separated by Accordingly, light emitted to the side surface S2 of the light emitting device 100 may be incident to the incident surface 320 without leakage. The interval T0 may be equal to or thinner than the thickness of the reflective sheet described later, but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 수평한 제1축(X0)을 기준으로 제1에지(23)에서 제2에지(25)까지 경사진 면으로 이루어질 수 있다. 상기 바닥면(310)의 경사진 각도(θ5)는 5도 이내일 수 있으며, 예컨대 0.5도 내지 4도 범위일 수 있다. 상기 바닥면(310)이 경사진 각도(θ5)를 갖는 면으로 배치됨으로써, 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 일부 광을 반사시켜 줄 수 있다. The bottom surface 310 of the optical lens 300 may be formed as an inclined surface from the first edge 23 to the second edge 25 based on the horizontal first axis X0. The inclination angle θ5 of the bottom surface 310 may be within 5 degrees, for example, in the range of 0.5 degrees to 4 degrees. Since the bottom surface 310 is disposed on a surface having an inclined angle θ5, some light emitted to the side of the light emitting device 100 may be reflected.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(330)은 적어도 하나 또는 복수의 오목부를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광학 렌즈(300)는 하부에 배치된 지지 돌기(350)를 포함한다. 상기 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향 즉, 회로 기판(400) 방향으로 돌출된다. 상기 지지 돌기(350)는 복수개가 회로 기판(400) 상에 고정되며, 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다.
The bottom surface 330 of the optical lens 300 may include at least one or a plurality of concave portions, but is not limited thereto. The optical lens 300 includes a support protrusion 350 disposed below. The support protrusion 350 protrudes downward from the bottom surface 310 of the optical lens 300 , that is, toward the circuit board 400 . A plurality of the support protrusions 350 are fixed on the circuit board 400 and can prevent the optical lens 300 from being tilted.

도 28을 참조하면, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 광학 렌즈(300)의 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사된 제1광(L1)은 굴절되어 제1광 출사면(330)의 소정의 제2지점(P2)으로 방출된다. 또한 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 상기 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사된 제2광(L2)은 제2광 출사면(335)의 소정의 제4지점(P4)으로 방출하게 된다. Referring to FIG. 28, among the light emitted from the light emitting device 100, the first light L1 incident at the first point P1 of the incident surface 320 of the optical lens 300 is refracted and the first light L1 is refracted. It is emitted to the predetermined second point P2 of the emission surface 330 . In addition, among the lights emitted from the light emitting device 100, the second light L2 incident to the third point P3 of the incident surface 320 is a predetermined fourth point of the second light exit surface 335 ( P4) is released.

여기서, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제1지점(P1)으로 입사되는 제1광(L1)의 입사 각도를 제1각도(θ1)로 정의하고, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 제1광 출사면(330)의 임의의 제3지점(P2)으로 방출된 제1광(L1)의 방출 각도를 제2각도(θ2)로 정의할 수 있다. 상기 중심축(Y0)을 기준으로 입사면(320)의 제3지점(P3)으로 입사되는 제2광(L2)의 입사 각도를 제3각도(θ3)로 정의하고, 상기 중심축(Y0)을 기준으로 제2광 출사면(335)의 제4지점(P4)으로 출사된 제2광(L2)의 방출 각도를 제4각도(θ4)로 정의할 수 있다. 상기 제2광(L2)은 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 광일 수 있다. Here, the incident angle of the first light L1 incident on the first point P1 of the incident surface 320 based on the central axis Y0 is defined as a first angle θ1, and the central axis ( An emission angle of the first light L1 emitted to an arbitrary third point P2 of the first light exit surface 330 based on Y0 may be defined as a second angle θ2. An incident angle of the second light L2 incident on the third point P3 of the incident surface 320 based on the central axis Y0 is defined as a third angle θ3, and the central axis Y0 Based on , the emission angle of the second light L2 emitted to the fourth point P4 of the second light exit surface 335 may be defined as a fourth angle θ4. The second light L2 may be light emitted to the side of the light emitting device 100 .

상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)보다 크게 된다. 상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)가 점차 커질수록 점차 커지게 되며, 상기 제1각도(θ1)가 점차 작아질수록 점차 작아지게 된다. 그리고 제1 및 제2각도(θ1, θ2)는 θ2>θ1 또는 1<(θ2/θ1)의 조건을 만족한다. 상기 제1광 출사면(330)의 제2각도(θ2)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 클 수 있다.The second angle θ2 is greater than the first angle θ1. The second angle θ2 gradually increases as the first angle θ1 gradually increases, and gradually decreases as the first angle θ1 gradually decreases. The first and second angles θ1 and θ2 satisfy the condition of θ2>θ1 or 1<(θ2/θ1). The second angle θ2 of the first light exit surface 330 is an emission angle after refraction and may be greater than an incidence angle before refraction.

상기 제4각도(θ4)는 상기 제3각도(θ3)보다 작을 수 있다. 상기 제3각도(θ3)가 증가할수록 상기 제4각도(θ4)는 증가하게 되며, 상기 제3각도(θ3)가 감소할수록 상기 제4각도(θ4)는 감소하게 된다. 그리고 제3 및 제4각도(θ3, θ4)는 θ4<θ3 또는 1>(θ4/θ3)의 조건을 만족한다. 상기 제2광 출사면(335)의 제4각도(θ4)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 작을 수 있다.The fourth angle θ4 may be smaller than the third angle θ3. As the third angle θ3 increases, the fourth angle θ4 increases, and as the third angle θ3 decreases, the fourth angle θ4 decreases. The third and fourth angles θ3 and θ4 satisfy the condition of θ4<θ3 or 1> (θ4/θ3). The fourth angle θ4 of the second light exit surface 335 is an emission angle after refraction and may be smaller than an incidence angle before refraction.

상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 중심축(Y0)에 대해 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포를 가지는 광이 굴절된 각도 보다 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 중심축(Y0)과 바닥 중심(P0)부터 제3에지(35) 사이를 연결하는 직선 사이의 각도는 상기 발광 소자(100)의 지향각의 1/2 지점을 지나는 광의 굴절각보다 작을 수 있다. 이에 따라 발광 소자(100)으로부터 방출된 광 중에서 지향각에 인접한 영역으로 조사된 광은 상기 제2광 출사면(335)을 통해 방출되도록 제어할 수 있다. 이 경우 제2광 출사면(335)으로 방출된 제2광(L2)은 제1광 출사면(330)으로 진행하는 광들과 혼색될 수 있다.The third edge 35 of the second light exit surface 335 may be disposed above an angle at which light having an angle of view distribution of the light emitting device 100 is refracted with respect to the central axis Y0 . For example, the angle between the central axis Y0 and the straight line connecting the third edge 35 from the bottom center P0 may be smaller than the angle of refraction of light passing through 1/2 of the angle of view of the light emitting device 100. there is. Accordingly, among the light emitted from the light emitting device 100 , the light irradiated to the area adjacent to the beam angle can be controlled to be emitted through the second light exit surface 335 . In this case, the second light L2 emitted to the second light exit surface 335 may be mixed with the lights traveling to the first light exit surface 330 .

상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로 입사된 광(L3)은 반사되어 제2광 출사면(335)로 입사될 수 있다. 이때 상기 제2광 출사면(335)은 바닥면(310)으로부터 반사되어 입사된 광의 입사 각도보다 작은 방출 각도로 광을 방출하게 된다. 도 29과 같이, 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광 중에서 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 제2광(L2)은 입사 각도보다 작은 방출 각도로 방출될 수 있다.
Of the light emitted from the light emitting device 100 , the light L3 incident on the bottom surface 310 of the optical lens 300 may be reflected and incident on the second light exit surface 335 . At this time, the second light exit surface 335 emits light at an emission angle smaller than the incident angle of the incident light reflected from the bottom surface 310 . As shown in FIG. 29 , among the lights emitted to the side surface S2 of the light emitting device 100, the second light L2 emitted through the second light exit surface 335 may be emitted at an emission angle smaller than the incident angle. .

도 30은 도 23의 광학 렌즈의 측면도이며, 도 31은 도 23의 광학 렌즈의 평면도이며, 도 32는 도 23의 광학 렌즈의 저면도이다.FIG. 30 is a side view of the optical lens of FIG. 23 , FIG. 31 is a plan view of the optical lens of FIG. 23 , and FIG. 32 is a bottom view of the optical lens of FIG. 23 .

도 30 내지 도 32를 참조하면, 광학 렌즈(300)는 제1광 출사면(330)의 하부 둘레에 제2광 출사면(335)이 배치되며, 상기 제2광 출사면(335)의 아래에 바닥면(310)이 배치된다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)보다 아래에 배치될 수 있다. 상기 바닥면(310)은 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25)의 수평 선상보다 아래로 돌출될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)은 제1광 출사면(330)의 외측보다 더 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에 배치된 복수의 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)를 지지하는 돌기이다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 렌즈 중심을 기준으로 60도 이상의 각도 예컨대, 90도 이상의 각도로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.30 to 32, in the optical lens 300, the second light exit surface 335 is disposed around the lower circumference of the first light exit surface 330, and the lower portion of the second light exit surface 335 The bottom surface 310 is disposed on. The bottom surface 310 may be disposed below the second edge 25 of the second light exit surface 335 . The bottom surface 310 may protrude below the horizontal line of the second edge 25 of the second light exit surface 335 . The second light exit surface 335 may protrude outward more than the outside of the first light exit surface 330 . The plurality of support protrusions 350 disposed on the bottom surface 310 of the optical lens 300 are protrusions that support the optical lens 300 . The plurality of support protrusions 350 may be disposed at an angle of 60 degrees or more, for example, 90 degrees or more with respect to the center of the lens, but is not limited thereto.

도 33은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제2광 출사면 및 바닥 면의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 33을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성과 동일한 특징은 생략하여 설명하기로 한다.33 is a view showing another example of a second light exit surface and a bottom surface of an optical lens according to an embodiment. In describing FIG. 33 , the same features as the configuration disclosed above will be omitted and described.

도 33을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)은 수직한 축을 기준으로 소정 각도(θ7)로 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)의 제2에지(25) 간의 직선 거리는 제3에지(35) 간의 직선 거리보다 짧을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)으로 방출된 광의 각도 즉, 제4각도(θ4)는 입사된 굴절 전의 입사 각도보다 작을 수 있다. Referring to FIG. 33 , the second light exit surface 335 of the optical lens 300 may be inclined at a predetermined angle θ7 with respect to a vertical axis. The straight line distance between the second edges 25 of the second light exit surface 335 may be shorter than the straight line distance between the third edges 35 . An angle of the light emitted to the second light exit surface 335, that is, a fourth angle θ4 may be smaller than an incident angle before refraction.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 예컨대, 경사면을 갖는 제1영역(D17)과 수평 면을 갖는 제2영역(D18)을 포함한다. 상기 제1영역(D17)은 제1에지(23)부터 경사지게 되며, 상기 제2영역(D18)은 상기 제1영역(D17)과 제2에지(25) 사이에 배치된다. 상기 제1영역(D17)의 너비가 제2영역(D18)의 너비보다 더 넓을 수 있다. 상기 지지 돌기(360)은 제1영역(D17) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D17)과 제2영역(D18)의 길이 비율은 6:4 내지 9:1의 비율로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D17)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선보다 낮게 배치되어 발광 소자(100)의 측면과 대응되며, 상기 제2영역(D18)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선과 동일 선상에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D17)의 구간이 넓을수록 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있다. 도 74에 도시된 광의 휘도 분포는 바닥면이 수평한 면이 아닌 경사진 면을 갖는 광학 렌즈를 제공한 경우로서, 중심부의 핫 스팟 현상이 개선됨을 알 수 있다.
The bottom surface 310 of the optical lens 300 includes, for example, a first area D17 having an inclined surface and a second area D18 having a horizontal surface. The first region D17 is inclined from the first edge 23 , and the second region D18 is disposed between the first region D17 and the second edge 25 . The width of the first region D17 may be wider than that of the second region D18. The support protrusion 360 may be disposed on the first region D17. The length ratio of the first region D17 and the second region D18 may be between 6:4 and 9:1. The first region D17 is disposed lower than the horizontal extension line of the second edge 25 and corresponds to the side surface of the light emitting device 100, and the second region D18 is disposed horizontally at the second edge 25. It can be arranged on the same line as the extension line. As the section of the first region D17 is wide, the hot spot phenomenon in the center of the optical lens 300 can be reduced. The luminance distribution of light shown in FIG. 74 is a case where an optical lens having an inclined surface rather than a horizontal surface is provided, and it can be seen that the hot spot phenomenon in the center is improved.

도 34는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 바닥 면의 다른 예를 나타낸 도면이며, 도 35는 도 34의 광학 렌즈의 부분 확대도이다. 도 34 및 도 35를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.34 is a view showing another example of a bottom surface of an optical lens according to an embodiment, and FIG. 35 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 34 . In describing FIGS. 34 and 35 , the description of the above-described embodiment will be referred to for the same configuration as that of the above-described embodiment.

도 34 및 도 35를 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(311)은 곡면을 갖는 제1영역(D19)과 수평 면을 갖는 제2영역(D20)을 포함한다. 상기 제1영역(D19)은 제1에지(23)부터 위로 볼록한 곡률을 갖게 된다. 즉, 상기 바닥면(311)의 곡면은 수평한 연장 선에 대해 위로 오목하게 되며, 예컨대 65mm 내지 75mm 범위의 곡률 반경을 갖는다. 즉, 상기 제1영역(D19)는 음(-)의 곡률을 가질 수 있다. 상기 제2영역(D20)은 상기 제1영역(D19)과 제2에지(25) 사이에 배치된다. 상기 제1영역(D19)의 너비가 제2영역(D20)의 너비보다 더 넓을 수 있다. 상기 제1영역(D19)과 제2영역(D20)의 길이 비율은 6:4 내지 9:1의 비율로 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D19)의 너비가 넓을수록 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있다. Referring to FIGS. 34 and 35 , the bottom surface 311 of the optical lens 300 includes a first area D19 having a curved surface and a second area D20 having a horizontal surface. The first region D19 has a convex curvature upward from the first edge 23 . That is, the curved surface of the bottom surface 311 is concave upward with respect to a horizontal extension line, and has a radius of curvature ranging from 65 mm to 75 mm, for example. That is, the first region D19 may have a negative (-) curvature. The second area D20 is disposed between the first area D19 and the second edge 25 . The width of the first region D19 may be wider than that of the second region D20. The length ratio of the first region D19 and the second region D20 may be between 6:4 and 9:1. As the width of the first region D19 increases, the hot spot phenomenon in the center of the optical lens 300 can be reduced.

상기 바닥면(311) 중에서 곡면 구간인 제1영역(D19)은 상기 입사면(320)에 인접하게 배치되며, 상기 평탄한 구간인 제2영역(D20)은 제2에지(25)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 곡면 및 평탄 면은 제1에지(23)부터 제2에지(25)를 직선으로 연결한 선분보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제1영역(D19)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선보다 낮게 배치되며, 상기 제2영역(D20)은 상기 제2에지(25)의 수평 연장 선과 동일 선상에 배치될 수 있다. 상기 지지 돌기(350)는 제1영역(D19)으로부터 돌출되어, 광학 렌즈(300)를 지지할 수 있다. 상기 바닥면(311)의 제1영역(D19)은 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광을 다른 방향으로 굴절시켜 주어, 제1 및 제2광 출사면(330,335)에 의한 휘도 분포를 변화시켜 줄 수 있다. 도 75에 도시된 광의 휘도 분포는 바닥면이 곡면 영역을 포함한 광학 렌즈의 휘도 분포를 나타낸 경우로서, 중심부의 핫 스팟 현상이 경사진 면을 갖는 광학 렌즈에 비해 개선됨을 알 수 있다.
Of the bottom surface 311, the curved first area D19 is disposed adjacent to the incident surface 320, and the flat area second area D20 is disposed adjacent to the second edge 25. It can be. The curved surface and the flat surface may be disposed above a line segment connecting the first edge 23 to the second edge 25 in a straight line. The first area D19 may be disposed lower than the horizontal extension line of the second edge 25, and the second area D20 may be disposed on the same line as the horizontal extension line of the second edge 25. The support protrusion 350 may protrude from the first region D19 and support the optical lens 300 . The first region D19 of the bottom surface 311 refracts the light emitted from the light emitting device 100 in different directions, thereby changing the luminance distribution by the first and second light exit surfaces 330 and 335. can give The luminance distribution of light shown in FIG. 75 shows the luminance distribution of an optical lens whose bottom surface includes a curved area, and it can be seen that the hot spot phenomenon in the center is improved compared to an optical lens having an inclined surface.

도 36은 광학 렌즈의 바닥 면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이고, 도 37은 도 36의 광학 렌즈의 부분 확대도이다. 도 36 및 도 37을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 36 is a side cross-sectional view showing another example of a bottom surface of an optical lens, and FIG. 37 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 36 . In the description of FIGS. 36 and 37 , the description of the above-described embodiment will be referred to for the same configuration as that of the above-described embodiment.

도 36 및 도 37을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(313)은 음의 곡률과 양의 곡률을 갖는 곡면(13,14)을 포함한다. 상기 바닥면(313) 중에서 제1에지(23)에 인접한 제1곡면(13)은 음의 곡률을 갖고, 상기 제2에지(25)에 인접한 제2곡면(14)은 양의 곡률을 가질 수 있다. 상기 제1곡면(13)의 고점은 상기 발광 소자(100)의 상면보다 위에 배치되고 상기 제2에지(25)를 수평하게 연장한 직선보다는 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1곡면(13)은 상기 발광 소자(100)의 측면으로부터 방출된 광을 전 반사하게 되어, 광학 렌즈(300)의 중심부에서의 핫 스팟 현상을 줄여줄 수 있고 휘도 분포를 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1곡면(13)과 제2곡면(14) 사이의 변곡점을 기준으로 직선 길이를 비교하면, 상기 제1곡면(13)의 직선 길이(C11)는 제2곡면(14)의 직선 길이(C12)보다 더 길게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지 돌기(350)는 제1곡면(13)으로부터 상기 제2곡면(14)보다 더 돌출될 수 있어, 광학 렌즈(300)을 지지할 수 있다.
Referring to FIGS. 36 and 37 , the bottom surface 313 of the optical lens 300 includes curved surfaces 13 and 14 having negative and positive curvatures. Of the bottom surface 313, the first curved surface 13 adjacent to the first edge 23 may have a negative curvature, and the second curved surface 14 adjacent to the second edge 25 may have a positive curvature. there is. The highest point of the first curved surface 13 may be disposed above the upper surface of the light emitting device 100 and may be disposed lower than a straight line horizontally extending the second edge 25 . The first curved surface 13 totally reflects the light emitted from the side of the light emitting device 100, thereby reducing the hot spot phenomenon in the center of the optical lens 300 and improving the luminance distribution. there is. When the straight line lengths are compared based on the inflection point between the first curved surface 13 and the second curved surface 14, the straight line length C11 of the first curved surface 13 is the straight line length of the second curved surface 14 ( C12), but is not limited thereto. The support protrusion 350 may protrude more from the first curved surface 13 than the second curved surface 14 to support the optical lens 300 .

도 38은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 입사면의 다른 예를 나타낸 측 단면도이고, 도 39는 도 38의 광학 렌즈의 부분 확대도이며, 도 40은 도 38의 광학 렌즈의 저면도이다. 실시 예에 광학 렌즈를 설명함에 있어서, 상기 실시 예(들)에 개시된 광학 렌즈의 구성과 동일한 구성은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.38 is a side cross-sectional view showing another example of an incident surface of an optical lens according to an embodiment, FIG. 39 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 38 , and FIG. 40 is a bottom view of the optical lens of FIG. 38 . In describing the optical lens in the embodiment, the same configuration as that of the optical lens disclosed in the embodiment(s) will refer to the description disclosed above.

도 38내지 도 40을 참조하면, 광학 렌즈(300)는 리세스(315)를 갖는 입사면(320), 바닥면(310), 및 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 포함한다.Referring to FIGS. 38 to 40 , the optical lens 300 includes an incident surface 320 having a recess 315, a bottom surface 310, and first and second light exit surfaces 330 and 335.

상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320)은 측 단면이 포탄 형상, 종 형상, 반 타원 형상을 포함할 수 있다. 상기 입사면(320)에는 적어도 하나의 플랫 면(27,28)을 포함할 수 있다. 상기 플랫 면(27,28)은 서로 다른 높이에 위치될 수 있다. 상기 플랫 면(27,27)은 상기 중심축(Y0)을 기준으로 90도 또는 그 이상의 각도(θ18) 예컨대, 90도 내지 140도 범위로 배치될 수 있다. The side cross section of the incident surface 320 of the optical lens 300 may include a shell shape, a bell shape, or a semi-elliptical shape. The incident surface 320 may include at least one flat surface 27 or 28 . The flat surfaces 27 and 28 may be located at different heights. The flat surfaces 27 and 27 may be disposed at an angle θ18 of 90 degrees or greater with respect to the central axis Y0, for example, in a range of 90 degrees to 140 degrees.

도 39 및 도 40과 같이, 상기 입사면(320) 내에서의 플랫 면(27,28)은 바텀 뷰 형상이 소정 폭(E1)을 갖는 링(ring) 형상으로 배치될 수 있다. 상기 링 형상의 플랫 면(27,28)은 상기 입사면(320) 내에 복수개가 서로 다른 높이에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 링 형상의 플랫 면(27,28)의 직경은 리세스(315)의 바닥 너비(D1)보다는 좁게 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 39 and 40 , the flat surfaces 27 and 28 within the incident surface 320 may be arranged in a ring shape having a bottom view shape and a predetermined width E1. A plurality of the ring-shaped flat surfaces 27 and 28 may be disposed at different heights within the incident surface 320, but is not limited thereto. Diameters of the ring-shaped flat surfaces 27 and 28 may be narrower than the bottom width D1 of the recess 315 .

상기 플랫 면(27,28)은 상기 입사면(320)의 제1정점(21)에 인접한 제1플랫 면(27)과, 상기 제1플랫 면(27)과 제1에지(23) 사이에 배치된 제2플랫 면(28)을 포함한다. 상기 제2플랫 면(28)은 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)의 수평 연장 선보다 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2플랫 면(27,28)의 너비(E1)은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2플랫 면(27,28)의 너비(E1)는 입사면(320)의 제1정점(21)으로부터 멀어질수록 더 넓어질 수 있으며, 예컨대 제2플랫 면(28)의 너비가 제1플랫 면(27)의 너비보다 더 넓을 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300)는 입사면(320)의 플랫 면(27,28)에 의해 도 76와 같은 휘도 분포 상에서 광학 렌즈의 중심부의 둘레에 주변보다 밝은 복수의 링 형상을 갖는 형태로 나타날 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈의 중심부의 휘도 분포와 주변부의 휘도 분포 차이를 줄여줄 수 있다.
The flat surfaces 27 and 28 are formed between the first flat surface 27 adjacent to the first vertex 21 of the incident surface 320 and between the first flat surface 27 and the first edge 23. and a second flat surface 28 disposed thereon. The second flat surface 28 may be disposed above a horizontal extension line of the third edge 35 of the second light exit surface 335 . Widths E1 of the first and second flat surfaces 27 and 28 may be the same as or different from each other. The width E1 of the first and second flat surfaces 27 and 28 may become wider as the distance from the first vertex 21 of the incident surface 320 increases, for example, the width E1 of the second flat surface 28 The width may be wider than that of the first flat surface 27 . Such an optical lens 300 may appear in the form of having a plurality of ring shapes brighter than the periphery around the center of the optical lens on the luminance distribution as shown in FIG. 76 by the flat surfaces 27 and 28 of the incident surface 320. . Accordingly, a difference between the luminance distribution in the center of the optical lens and the luminance distribution in the periphery may be reduced.

도 41은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다. 도 41을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 41 is a side cross-sectional view illustrating another example of an optical lens according to an embodiment. In describing FIG. 41 , the description of the above-described embodiment will be referred to for the same configuration as that of the above-described embodiment.

도 41을 참조하면, 광학 렌즈(300)는 리세스(315)를 갖는 입사면(320), 바닥면(310), 및 제1 및 제2광 출사면(330,336)을 포함한다.Referring to FIG. 41 , the optical lens 300 includes an incident surface 320 having a recess 315, a bottom surface 310, and first and second light exit surfaces 330 and 336.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 제1에지(23)부터 제2에지(25)까지 수평한 연장 선에 대해 경사진 면이거나 곡면으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom surface 310 of the optical lens 300 may be inclined or curved with respect to a horizontal extension line from the first edge 23 to the second edge 25, but is not limited thereto.

상기 제2광 출사면(336)은 제1광 출사면(330)의 외측 둘레로부터 단차진 구조(37)를 갖고 연장될 수 있다. 상기 제2광 출사면(336)은 상기 제1광 출사면(330)의 하부 에지보다 안쪽에 배치된다. 상기 제2광 출사면(336)은 경사진 면이거나 수직한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제2광 출사면(336)이 경사진 면으로 제공될 경우, 광이 굴절되는 각도가 더 커질 수 있으며, 인접한 광학 렌즈 간의 간섭 거리를 더 길게 제공할 수 있다.The second light exit surface 336 may extend from the outer circumference of the first light exit surface 330 with a stepped structure 37 . The second light exit surface 336 is disposed inside the lower edge of the first light exit surface 330 . The second light exit surface 336 may be provided as an inclined surface or a vertical surface. When the second light exit surface 336 is provided as an inclined surface, an angle at which light is refracted may be increased, and an interference distance between adjacent optical lenses may be provided longer.

상기 바닥면(310)의 제2에지(25) 간의 직선 거리(B1)는 제1광 출사면(330)의 하부 외측 간의 거리(B3)보다 짧게 배치될 수 있다. 또한 상기 제2광 출사면(336)의 상부 에지 간의 직선 거리(B2)는 상기 거리(B1)보다는 길고 상기 거리(B3)보다는 짧을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A straight line distance B1 between the second edges 25 of the bottom surface 310 may be shorter than a distance B3 between the lower and outer sides of the first light exit surface 330 . In addition, the straight line distance B2 between the upper edges of the second light exit surface 336 may be longer than the distance B1 and shorter than the distance B3, but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)는 제2광 출사면(336)을 제1광 출사면(330)의 하부 에지보다 안쪽에 배치하게 되어, 광학 렌즈(300)의 하부 너비를 줄여줄 수 있다. 또한 상기 제2광 출사면(336)은 발광 소자(100)로부터 방출된 일부 광을 입사받아 방출하게 되며, 이때 굴절 전의 입사 각도보다 작은 방출 각도로 광을 방출하게 된다. 이에 따라 발광 모듈 내에서 광학 렌즈 간의 광 간섭 거리도 증가될 수 있다.In the optical lens 300, the second light exit surface 336 is disposed inside the lower edge of the first light exit surface 330, so that the lower width of the optical lens 300 can be reduced. In addition, the second light exit surface 336 receives and emits some of the light emitted from the light emitting device 100, and emits light at an emission angle smaller than the incident angle before refraction. Accordingly, an optical interference distance between optical lenses in the light emitting module may be increased.

도 42는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다. 도 42을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 구성은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 42 is a side cross-sectional view illustrating another example of an optical lens according to an embodiment. In describing FIG. 42 , the description of the above-described embodiment will be referred to for the same configuration as that of the above-described embodiment.

도 42를 참조하면, 광학 렌즈(300)는 리세스(315)의 하부 둘레에 배치된 바닥면(310), 리세스(315)를 갖는 입사면(320), 및 제1 및 제2광 출사면(330,337)을 포함한다.Referring to FIG. 42 , an optical lens 300 includes a bottom surface 310 disposed around a lower circumference of a recess 315, an incident surface 320 having a recess 315, and first and second light output. It includes faces 330 and 337.

상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)은 제1에지(23)부터 수평한 연장 선에 대해 경사진 면이거나 곡면으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom surface 310 of the optical lens 300 may be inclined or curved with respect to a horizontal extension line from the first edge 23, but is not limited thereto.

상기 제2광 출사면(337)은 제1광 출사면(330)의 외측 둘레로부터 단차진 구조(37)를 갖고 연장될 수 있다. 상기 제2광 출사면(337)은 상기 제1광 출사면(330)의 하부 에지보다 안쪽에 배치된다. 상기 제2광 출사면(337)은 경사진 면이거나 수직한 면으로 제공될 수 있다. 상기 제2광 출사면(337)은 제1광 출사면(330)의 최 외곽에 수직한 라인보다 내측 또는 안쪽에 배치될 수 있다.The second light exit surface 337 may extend from the outer circumference of the first light exit surface 330 with a stepped structure 37 . The second light exit surface 337 is disposed inside the lower edge of the first light exit surface 330 . The second light exit surface 337 may be provided as an inclined surface or a vertical surface. The second light exit surface 337 may be disposed inside or inside a line perpendicular to the outermost edge of the first light exit surface 330 .

상기 바닥면(310)과 상기 제2광 출사면(337) 사이의 경계 부분(35A)은 라운드된 곡면으로 처리될 수 있다. 이러한 경계 부분(35A)이 곡면으로 처리되므로, 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 다른 광학 렌즈에 간섭되는 것을 방지할 수 있다.
A boundary portion 35A between the bottom surface 310 and the second light exit surface 337 may be treated as a rounded curved surface. Since the boundary portion 35A is curved, light emitted from the light emitting device 100 can be prevented from interfering with other optical lenses.

도 43은 실시 예에 따른 광학 렌즈에 측면 돌출부를 배치한 평면도이고, 도 44는 도 43의 광학 렌즈의 배면도이며, 도 45는 도 43의 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 평면도이고, 도 46은 도 45의 발광 모듈의 회로 기판 및 광학 렌즈를 나타낸 평면도이다. 43 is a plan view of a side protrusion disposed on an optical lens according to an embodiment, FIG. 44 is a rear view of the optical lens of FIG. 43, FIG. 45 is a plan view of a light emitting module having the optical lens of FIG. 43, and FIG. It is a plan view showing the circuit board and the optical lens of the light emitting module of FIG.

도 43 및 도 44을 참조하면, 광학 렌즈(300)는 리세스(315) 및 상기 리세스(315)의 둘레에 입사면(320)을 포함하며, 상기 리세스(315)는 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 상 방향으로 볼록하게 함몰될 수 있다. 상기 입사면(320)은 상기 리세스(315)의 둘레에 곡면을 갖는다. 상기 리세스(315)는 포탄 형상, 종 형상, 또는 반 타원 형상일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)에 대한 구조는 상기에 개시된 실시 예와 동일한 부분은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 하며, 상이한 부분에 대해 상세하게 설명하기로 한다.43 and 44, the optical lens 300 includes a recess 315 and an incident surface 320 around the recess 315, and the recess 315 includes the optical lens 300. ) It may be convexly depressed in an upward direction from the bottom surface 310 of the. The incident surface 320 has a curved surface around the recess 315 . The recess 315 may have a shell shape, a bell shape, or a semi-elliptical shape. The structure of the optical lens 300 will refer to the description of the above-disclosed embodiment for the same part as the above-described embodiment, and the different parts will be described in detail.

상기 광학 렌즈(300)는 하부에 배치된 복수의 지지 돌기(350)를 포함한다. 상기 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)으로부터 하 방향으로 돌출될 수 있다.The optical lens 300 includes a plurality of support protrusions 350 disposed below. The support protrusion 350 may protrude downward from the bottom surface 310 of the optical lens 300 .

상기 복수의 지지 돌기(350)는 상기 측면 돌출부(360)에 인접한 제1 및 제2지지 돌기(51,52)와, 상기 상기 측면 돌출부(360)를 기준으로 입사면(320)보다 더 이격된 제3 및 제4지지 돌기(53,54)를 포함할 수 있다. The plurality of support protrusions 350 are further spaced apart from the first and second support protrusions 51 and 52 adjacent to the side protrusion 360 and the incident surface 320 based on the side protrusion 360. It may include third and fourth support protrusions 53 and 54 .

상기 측면 돌출부(360)의 임의의 지점 예컨대, 센터 지점은 상기 제1 및 제2지지 돌기(51,52)와의 거리(D15)가 중심축(Y0)과의 거리(D14)보다 가깝게 배치될 수 있다. 상기 거리 D15 > D14로 배치됨으로써, 제 1내지 제4지지 돌기(51,52,53,54)는 입사면(320)의 둘레에서 광학 렌즈(300)를 안정되게 지지할 수 있다. 상기 D14는 광학 렌즈(300)가 원 형상인 경우 반경으로 정의될 수 있다. 여기서, 상기 제1거리(r1)는 광학 렌즈(300)의 반경(D14) 또는 바닥면(310)의 반경의 0.82 내지 0.85 범위 내에 배치될 수 있다. 상기 제1거리(r1)은 6mm 내지 6.5mm 범위를 포함할 수 있으며, 예컨대, 6.2mm 내지 6.4mm의 범위를 포함한다. 중심축(Y0)으로부터 제1거리(r1)에 지지 돌기(350)를 배치해 줌으로써, 제1거리(r1) 및 그 주변 영역(r1±10%)에서 지지 돌기(350)가 배치된 바닥 영역으로 진행하는 광들에 의한 간섭을 줄여줄 수 있다. 상기 제1거리(r1)를 벗어난 영역으로 진행하는 광은 광 분포에 크게 영향을 주지 않게 된다.An arbitrary point of the side protrusion 360, for example, the center point, may be disposed closer to the distance D15 from the first and second support protrusions 51 and 52 than the distance D14 from the central axis Y0. there is. By being arranged at the distance D15 > D14, the first to fourth support protrusions 51, 52, 53, and 54 can stably support the optical lens 300 around the incident surface 320. D14 may be defined as a radius when the optical lens 300 has a circular shape. Here, the first distance r1 may be disposed within a range of 0.82 to 0.85 of the radius D14 of the optical lens 300 or the radius of the bottom surface 310 . The first distance r1 may include a range of 6 mm to 6.5 mm, for example, a range of 6.2 mm to 6.4 mm. By arranging the support protrusion 350 at a first distance r1 from the central axis Y0, the bottom area where the support protrusion 350 is disposed at the first distance r1 and its peripheral area (r1±10%). It is possible to reduce the interference caused by the light propagating to . Light traveling to an area out of the first distance r1 does not significantly affect light distribution.

중심축(Y0)을 기준으로, 상기 측면 돌출부(360)의 센터 지점을 지나는 제2축(Z1)과 상기 제1지지 돌기(52) 사이의 각도(R12)는 예각일 수 있으며, 예컨대 45도 초과일 수 있다. An angle R12 between the second axis Z1 passing through the center point of the side protrusion 360 and the first support protrusion 52 based on the central axis Y0 may be an acute angle, for example, 45 degrees. may be excessive.

여기서, 복수의 지지 돌기(350)는 상기 중심축(Y0)을 기준을 상기 측면 돌출부(360)에 인접한 제1 및 제2지지 돌기(51,52) 사이의 각도(R11)는 90도 초과일 수 있다. 이는 복수의 지지 돌기(350)가 상기 제2축(Z1)보다는 제1축(X0)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 제1축(X0)에 더 인접하게 배치되어 광학 렌즈(300)를 안정되게 지지하고, 회로 기판(400)의 제2축(Z1) 방향의 길이(D13)를 줄여줄 수 있다.
Here, in the plurality of support protrusions 350, the angle R11 between the first and second support protrusions 51 and 52 adjacent to the side protrusion 360 with respect to the central axis Y0 is greater than 90 degrees. can In this case, the plurality of support protrusions 350 may be disposed closer to the first axis X0 than to the second axis Z1. The plurality of support protrusions 350 are disposed closer to the first axis X0 to stably support the optical lens 300, and have a length D13 of the circuit board 400 in the second axis Z1 direction. can reduce

도 44를 참조하면, 상기 복수의 지지 돌기(350)는 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에서 중심축(Y0)과 상기 측면 돌출부(360)의 중심을 지나는 제2축(Z1)과 상기 제2축(Z1)에 연직한 제1축(X0)으로부터 분할된 제1 내지 제4사분면(Q1,Q2,Q3,Q4)에 각각 배치될 수 있다. 또한 상기 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54)는 상기 제2축(Z1)보다 제1축(X0) 선상에 더 가깝게 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)의 중심과 상기 중심축(Y0) 사이는 동일한 제1거리(r1)로 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 지지 돌기(350) 중 적어도 하나는 나머지와 중심축(Y0)으로부터 다른 간격을 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54) 간의 거리는 제1축(X0) 방향으로의 간의 거리(D31)가 제2축(Z1) 방향으로의 거리(D32)보다 더 클 수 있다. 이는 회로 기판(400)의 제2길이인 너비에 따라 달라질 수 있다.Referring to FIG. 44, the plurality of support protrusions 350 form a second axis Z1 passing through the central axis Y0 and the center of the side protrusion 360 on the bottom surface 310 of the optical lens 300. and first to fourth quadrants Q1, Q2, Q3, and Q4 divided from the first axis X0 perpendicular to the second axis Z1. Also, the plurality of support protrusions 350 (51, 52, 53, and 54) may be disposed closer to the first axis X0 than the second axis Z1. The center of the plurality of support protrusions 350 and the central axis Y0 may be spaced apart by the same first distance r1, but is not limited thereto. At least one of the plurality of support protrusions 350 may have a different distance from the rest of the central axis Y0, but is not limited thereto. The distance D31 between the plurality of support protrusions 350:51, 52, 53, and 54 in the direction of the first axis X0 may be greater than the distance D32 in the direction of the second axis Z1. there is. This may vary according to the width of the second length of the circuit board 400 .

상기 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54)는 적어도 4개가 다각형 형상 예컨대, 사각형 형상 즉, 직 사각형 형상으로 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54)는 4개 이상 예컨대, 5개 또는 6개 이상이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. At least four of the plurality of support protrusions 350:51, 52, 53, and 54 may be arranged in a polygonal shape, for example, a rectangular shape, that is, a rectangular shape. As another example, the plurality of support protrusions 350: 51, 52, 53, and 54 may be 4 or more, for example, 5 or 6 or more, but are not limited thereto.

실시 예는 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54)가 측면 돌출부(360)의 영역과 제2축(Z1)으로 오버랩되지 않게 이격시키고 제1축(X0) 방향에 더 가깝게 배치해 줌으로써, 광학 렌즈(300)의 사출 성형시 상기 복수의 지지 돌기(350:51,52,53,54)에 의해 제2광 출사면(335)의 표면에 영향을 주는 것을 줄여줄 수 있다.
In the embodiment, the plurality of support protrusions 350: 51, 52, 53, and 54 are spaced apart so as not to overlap the area of the side protrusion 360 along the second axis Z1 and disposed closer to the direction of the first axis X0. By doing so, it is possible to reduce influence on the surface of the second light exit surface 335 by the plurality of support protrusions 350:51, 52, 53, and 54 during injection molding of the optical lens 300.

상기 광학 렌즈(300)는 최 외측으로 돌출된 측면 돌출부(360)를 포함할 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 상기 광학 렌즈(300)의 제2광 출사면(335)의 일부 영역으로부터 상기 제2광 출사면(335)보다 외측 방향으로 돌출된다. 도 45 및 도 46과 같이, 상기 측면 돌출부(360)는 회로 기판(400)의 영역보다 외측으로 돌출될 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)의 측면 돌출부(360)은 회로 기판(400)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 상기 회로 기판(400)의 제1측면(401) 및 제2측면(402) 중 어느 하나보다 외측으로 돌출될 수 있다. The optical lens 300 may include a side protrusion 360 protruding outward. The side protrusion 360 protrudes outward from a portion of the second light exit surface 335 of the optical lens 300 more than the second light exit surface 335 . 45 and 46 , the side protrusion 360 may protrude outward from the area of the circuit board 400 . Accordingly, the side protrusion 360 of the optical lens 300 may be disposed in an area that does not overlap with the circuit board 400 in a vertical direction. The side protrusion 360 may protrude outward more than any one of the first side surface 401 and the second side surface 402 of the circuit board 400 .

실시 예는 상기 복수의 광학 렌즈(300)의 측면 돌출부(360)들은 중심축(Y0)에 직교하는 방향 예컨대, 제2축(Z) 방향으로 위치될 있다. 상기 제2축(Z) 방향은 광학 렌즈(300)들이 배열되는 방향에 수직한 방향일 수 있다. 상기 제2축(Z1) 방향은 동일 평면 상에서 제1축(X0) 방향과 직교하게 배치될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)는 제2광 출사면(335)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)의 외 측면(361)에 수평한 면은 상기 제2축(Z) 방향과 직교할 수 있다. 도 45와 같이, 상기 측면 돌출부(360)의 외 측면(361)에 대해 수평한 직선(K2)은 상기 제1축(X0) 방향과 평행한 방향일 수 있다. 여기서, 제1 및 제2축(X0,Z1)은 동일 수평 면 상에 배치된 경우, 중심축(Y0)을 지나며 서로 직교할 수 있다.In the embodiment, the side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 may be positioned in a direction orthogonal to the central axis Y0, for example, in the second axis Z direction. The direction of the second axis (Z) may be a direction perpendicular to the direction in which the optical lenses 300 are arranged. The direction of the second axis Z1 may be disposed perpendicular to the direction of the first axis X0 on the same plane. The side protrusion 360 may protrude from the second light exit surface 335 . A plane horizontal to the outer side surface 361 of the side protrusion 360 may be orthogonal to the direction of the second axis (Z). As shown in FIG. 45 , a straight line K2 parallel to the outer side surface 361 of the side protrusion 360 may be in a direction parallel to the direction of the first axis X0. Here, when the first and second axes X0 and Z1 are disposed on the same horizontal plane, they may cross the central axis Y0 and be orthogonal to each other.

상기 측면 돌출부(360)는 사출시 게이트를 위한 영역이 커팅된 부분으로서, 게이트부, 절단부, 돌기, 또는 마크(mark)부로 정의될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 측면 돌출부(360)는 광학 렌즈(300)에 하나가 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 상기 측면 돌출부(360) 이외에 외측으로 돌출된 적어도 하나의 돌기를 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The side protrusion 360 is a portion in which a region for a gate is cut during injection, and may be defined as a gate portion, a cut portion, a protrusion, or a mark portion, but is not limited thereto. One side protrusion 360 may be disposed on the optical lens 300 . The optical lens 300 may further include at least one protrusion protruding outward in addition to the side protrusion 360, but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)의 측면 돌출부(360)는 외 측면이 러프한 면으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 러프한 면은 상기 제1광 출사면(330)의 표면 거칠기보다 더 높은 표면 거칠기를 가질 수 있다. 상기 러프한 면은 상기 제1광 출사면(330)의 투과율보다 낮은 투과율을 가질 수 있다. 이러한 러프한 면은 절단 면일 수 있다. The side protrusion 360 of the optical lens 300 may be formed with a rough outer side. Here, the rough surface may have a higher surface roughness than that of the first light exit surface 330 . The rough surface may have transmittance lower than transmittance of the first light exit surface 330 . This rough surface may be a cut surface.

상기 측면 돌출부(360)의 영역은 낮은 투과율 및 거친 표면 거칠기로 인해 광 분포가 불균일하게 나타날 수 있으며, 광의 방출 각도를 제어하기 어렵다. 상기 측면 돌출부(360)의 영역을 통해 방출된 광은 인접한 광학 렌즈로 조사될 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)의 영역이 제1방향(X)으로 배열되거나 또는 상기 회로 기판(400)과 수직 방향으로 오버랩되게 배치된 경우, 상기 측면 돌출부(360)를 통해 방출된 광이 인접한 광학 렌즈(300)에 조사되어 광 간섭 현상을 발생시킬 수 있고, 회로 기판(400)에 의해 반사되어 광 균일도에 영향을 줄 수 있는 문제가 있다.
In the region of the side protrusion 360, light distribution may appear non-uniform due to low transmittance and rough surface roughness, and it is difficult to control the emission angle of light. Light emitted through the area of the side protrusion 360 may be irradiated to an adjacent optical lens. When the area of the side protrusion 360 is arranged in the first direction (X) or is arranged to overlap the circuit board 400 in the vertical direction, the light emitted through the side protrusion 360 is adjacent to the optical lens. There is a problem in that the light is irradiated to 300 to cause light interference and is reflected by the circuit board 400 to affect light uniformity.

도 45 및 도 46을 참조하면, 발광 모듈(301)은, 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 상에 배치된 광학 렌즈(300), 및 상기 발광 소자(100) 아래에 배치된 회로 기판(400)을 포함한다.45 and 46, the light emitting module 301 includes a light emitting element 100, an optical lens 300 disposed on the light emitting element 100, and a circuit disposed under the light emitting element 100. A substrate 400 is included.

상기 발광 소자(100)는 상기 회로 기판(400) 상에 배치되어 상기 광학 렌즈(300)와 상기 회로 기판(400) 사이에 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 회로 기판(400)으로부터 전원을 공급받아 구동하며 광을 방출하게 된다. The light emitting device 100 may be disposed on the circuit board 400 and positioned between the optical lens 300 and the circuit board 400 . The light emitting device 100 is driven by receiving power from the circuit board 400 and emits light.

상기 광학 렌즈(300)의 지지 돌기(350)는 상기 회로 기판(400)의 방향으로 돌출되어 상기 회로 기판(400)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 복수의 지지 돌기(350)는 상기 회로 기판(400)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 지지 돌기(350)는 복수개가 회로 기판(400) 상에 고정되며, 상기 광학 렌즈(300)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 상기 회로 기판(400) 상에는 상기 지지 돌기(350)의 삽입을 위한 삽입 홈이 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(400) 상에는 상기 지지 돌기(350)의 삽입 홈으로 상기 지지 돌기(350)가 삽입되면, 접착 부재(미도시)를 이용하여 상기 지지 돌기(350)를 접착시켜 줄 수 있다. The support protrusion 350 of the optical lens 300 protrudes toward the circuit board 400 and may be disposed lower than the upper surface of the circuit board 400 . The plurality of support protrusions 350 may overlap the circuit board 400 in a vertical direction. A plurality of the support protrusions 350 are fixed on the circuit board 400 and can prevent the optical lens 300 from being tilted. An insertion groove for inserting the support protrusion 350 may be disposed on the circuit board 400 . When the support protrusion 350 is inserted into the insertion groove of the support protrusion 350 on the circuit board 400, the support protrusion 350 may be bonded using an adhesive member (not shown).

상기 회로 기판(400)은 표시 장치, 단말기, 전조등, 지시등과 같은 조명 장치와 같은 라이트 유닛 내에 배열될 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 상에는 보호층(미도시)이 배치되며, 상기 보호층은 광학 렌즈(300)로부터 반사된 광을 흡수하거나 반사하는 재질을 포함할 수 있다.
The circuit board 400 may be arranged in a light unit such as a display device, a terminal, a lighting device such as a headlamp or indicator light. The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100 . A protective layer (not shown) is disposed on the circuit board 400 , and the protective layer may include a material that absorbs or reflects light reflected from the optical lens 300 .

상기 회로 기판(400)은 탑뷰를 보면, X축 방향의 제1길이가 Z축의 제2길이(D13)보다 긴 길이를 갖는다. 상기 제1길이는 가로 길이이며, 상기 제2길이(D13)는 세로 길이 또는 너비일 수 있다. When the circuit board 400 is viewed from a top view, the first length in the X-axis direction is longer than the second length D13 in the Z-axis. The first length may be a horizontal length, and the second length D13 may be a vertical length or a width.

상기 회로 기판(400)의 제2길이(D13)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4) 또는 직경보다 작거나 같을 수 있다. 예를 들면, 상기 제2길이(D13)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4) 또는 직경보다 작게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 회로 기판(400)의 제2길이(D13)는 감소될 수 있고 이에 따른 비용 절감 효과가 있다. The second length D13 of the circuit board 400 may be smaller than or equal to the width D4 or diameter of the optical lens 300 . For example, the second length D13 may be smaller than the width D4 or diameter of the optical lens 300 . Accordingly, the second length D13 of the circuit board 400 can be reduced, thereby reducing costs.

상기 회로 기판(400)의 제1길이는 상기 광학 렌즈(300)의 직경 또는 너비의 2배 이상의 길이로 배치될 수 있으며, 예컨대 4개 이상의 광학 렌즈(300)의 직경 또는 너비의 합보다 긴 길이를 가질 수 있다. 이는 회로 기판(400)의 제1길이는 제2길이(D13)보다 길게 예컨대, 4배 이상 길게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first length of the circuit board 400 may be longer than twice the diameter or width of the optical lenses 300, for example, longer than the sum of the diameters or widths of four or more optical lenses 300. can have In this case, the first length of the circuit board 400 may be longer than the second length D13, for example, 4 times or longer, but is not limited thereto.

상기 제1 및 제2지지 돌기(51,52)는 광학 렌즈(300)의 반경(D4)의 1/3 지점(P21)을 지나는 수평한 직선(K5)과의 거리(D21)보다 더 이격될 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 제1 및 제2측면(401,402)의 위치는 상기 복수의 지지 돌기(350)를 지나는 수평한 직선(K3) 보다는 외측에 배치되고, 상기 광학 렌즈(300)의 외측 둘레 예컨대, 제2광 출사면(335)을 지나는 수평한 직선(K4)보다 안쪽에 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 제1측면(401)은 상기 직선(K4)과 소정 거리(D22)로 이격될 수 있다.
The first and second support protrusions 51 and 52 may be further apart than the distance D21 from the horizontal straight line K5 passing through the 1/3 point P21 of the radius D4 of the optical lens 300. can The positions of the first and second side surfaces 401 and 402 of the circuit board 400 are disposed outside the horizontal straight line K3 passing through the plurality of support protrusions 350, and the outer circumference of the optical lens 300 For example, it may be disposed inside the horizontal straight line K4 passing through the second light exit surface 335 . The first side surface 401 of the circuit board 400 may be spaced apart from the straight line K4 by a predetermined distance D22.

상기 회로 기판(400) 상에는 흡수층(412,414)이 배치될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 반사율보다 흡수율이 높은 물질 예컨대, 흑색 레지스트 물질을 포함한다. 상기 흡수층(412,414)은 서로 이격된 제1 및 제2흡수층(412,414)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2흡수층(412,414)은 회로 기판(400)의 제1축(X0) 방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2흡수층(412,414)은 반원 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2흡수층(412,414)은 중심축(Y0)을 기준으로 서로 동일한 제1거리(r1)로 이격될 수 있다. 상기 흡수층(412,414)은 회로 기판(400)의 보호 재질이거나 별도의 층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Absorption layers 412 and 414 may be disposed on the circuit board 400 . The absorption layers 412 and 414 include a material having higher absorption than reflectance, for example, a black resist material. The absorption layers 412 and 414 may include first and second absorption layers 412 and 414 spaced apart from each other, and the first and second absorption layers 412 and 414 are spaced apart in the direction of the first axis X0 of the circuit board 400. It can be. The first and second absorption layers 412 and 414 may be formed in a semicircular shape, but are not limited thereto. The first and second absorption layers 412 and 414 may be spaced apart from each other by the same first distance r1 based on the central axis Y0. The absorption layers 412 and 414 may be formed of a protective material of the circuit board 400 or as a separate layer, but are not limited thereto.

상기 광학 렌즈(300)의 지지 돌기(350:51,52,53,54)는 상기 제1 및 제2흡수층(412,414)의 영역과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 회로 기판(400)의 상면에는 도 49와 같이, 상기 제1 및 제2흡수층(414,416)의 영역을 따라 상기 지지 돌기(350)가 삽입될 수 있는 복수의 구멍(416)을 포함할 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 지지 돌기(350)는 도 49, 도 51 및 도 52와 같이, 상기 흡수층(412,414)의 영역에 배치된 구멍(416)에 삽입될 수 있다.The support protrusions 350 (51, 52, 53, and 54) of the optical lens 300 may overlap regions of the first and second absorption layers 412 and 414 in a vertical direction. As shown in FIG. 49 , the upper surface of the circuit board 400 may include a plurality of holes 416 into which the support protrusion 350 may be inserted along the regions of the first and second absorption layers 414 and 416. . The support protrusion 350 of the optical lens 300 may be inserted into the hole 416 disposed in the region of the absorption layers 412 and 414 as shown in FIGS. 49 , 51 and 52 .

도 53과 같이, 광학 렌즈(300)의 지지 돌기(350)는 상기 구멍(416)에 삽입되면, 상기 지지 돌기(350)의 둘레에 접착제(405)로 접착시켜 줄 수 있다. 상기 접착제(405)는 흑색 수지 재질의 접착 재질 예컨대, 흑색 에폭시를 포함할 수 있다. 이러한 접착제(405)는 광을 흡수하여, 불필요한 광의 반사를 억제해 줄 수 있다.
As shown in FIG. 53 , when the support protrusion 350 of the optical lens 300 is inserted into the hole 416, it may be attached to the circumference of the support protrusion 350 with an adhesive 405. The adhesive 405 may include an adhesive material made of a black resin material, for example, black epoxy. The adhesive 405 may absorb light and suppress reflection of unnecessary light.

도 47을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)의 지지 돌기(350: 55,56,57)는 3개가 삼각형 형상으로 배치될 수 있다. 상기 지지 돌기(350)들의 중심은 중심축(Y0)과의 제1거리(r1)가 동일하거나 어느 하나는 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 47 , three supporting protrusions 350 (55, 56, and 57) of the optical lens 300 may be arranged in a triangular shape. The center of the support protrusions 350 may have the same first distance r1 from the central axis Y0, or one may be different, but is not limited thereto.

도 48을 참조하면, 광학 렌즈(300)의 복수의 지지 돌기(350:58,59,60) 중 적어도 하나 예컨대, 어느 하나의 지지 돌기(58)는 다른 지지 돌기(59,60)들에 비해 큰 너비 또는 큰 면적을 가질 수 있다. 이는 복수의 지지 돌기(350) 중 중심 축으로부터 거리가 상대적으로 먼 지지 돌기(58)의 크기는 거리가 상대적으로 가까운 지지 돌기(59,60)들의 크기보다는 작을 수 있다. 이는 지지 돌기들(58,59,60)의 바닥면적들의 차이는 중심축(Y0)과의 거리에 비례할 수 있다.
Referring to FIG. 48, at least one of the plurality of support protrusions 350:58, 59, and 60 of the optical lens 300, for example, one of the support protrusions 58 is larger than the other support protrusions 59 and 60. It can have a large width or a large area. This means that among the plurality of support protrusions 350, the size of the support protrusion 58 that is relatively far from the central axis may be smaller than the sizes of the support protrusions 59 and 60 that are relatively close to each other. This means that the difference between the bottom areas of the support protrusions 58, 59, and 60 may be proportional to the distance from the central axis Y0.

도 50은 도 45의 조명 모듈의 B-B측 단면도이다. 50 is a B-B cross-sectional view of the lighting module of FIG. 45;

도 50과 같이, 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 제1광 출사면(330)로 입사된 광의 대부분(L5)은 투과하지만, 일부 광(L6)들은 바닥면(310)의 방향으로 반사될 수 있다. 상기 반사면(310) 방향으로 반사된 광(L6)의 광도를 측정한 결과 도 77과 같이 중심축(Y0)으로부터 제1거리(r1)를 갖는 영역에서 피크 치가 검출되었다. 이는 바닥면(310)으로 진행된 광(L6)은 바닥면(310)을 투과하거나 바닥면(310)에 의해 반사되어 다른 광들에 간섭을 주게 된다. 실시 예는 바닥면(310)으로 진행하는 광(L6)의 광도 중에서 피크 치 또는 피크 치의 80% 이상의 범위에 해당되는 영역에 상기 회로 기판(400)의 흡수층(412,414)을 배치하여, 불필요한 광을 흡수할 수 있다. 이러한 불필요한 광들이 외부로 진행할 때 무라(mura) 불량이 발생될 수 있다. As shown in FIG. 50, most of the light (L5) of the light incident on the first light exit surface 330 among the light emitted from the light emitting device 100 is transmitted, but some light (L6) is reflected in the direction of the bottom surface 310. It can be. As a result of measuring the luminous intensity of the light L6 reflected in the direction of the reflective surface 310, a peak value was detected in a region having a first distance r1 from the central axis Y0 as shown in FIG. 77 . This means that the light L6 traveling to the bottom surface 310 is transmitted through the bottom surface 310 or reflected by the bottom surface 310 to interfere with other lights. In the embodiment, the absorption layers 412 and 414 of the circuit board 400 are disposed in a peak value or an area corresponding to 80% or more of the peak value among the luminous intensity of the light L6 traveling to the bottom surface 310, so that unnecessary light is removed. can absorb When these unnecessary lights propagate to the outside, a mura defect may occur.

실시 예는 광학 렌즈(300)을 지지하기 위한 지지 돌기(350)는 바닥면(310)으로 진행하는 광(L6)의 광도 중에서 피크 치 또는 피크 치의 80% 이상의 범위에 해당되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 지지 돌기(350)를 흡수층(412,414)의 영역 내에 배치되거나, 흡수 재질의 접착제가 도포됨으로써, 입사되는 광(L6)을 흡수하여 무라 불량을 억제할 수 있다. 다른 예로서, 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310) 중 상기 영역에 광 흡수 재질이 도포될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. In the embodiment, the support protrusion 350 for supporting the optical lens 300 may be disposed in a peak value or a region corresponding to a range of 80% or more of the peak value among the luminous intensity of the light L6 traveling to the bottom surface 310. there is. By disposing the support protrusion 350 within the region of the absorption layers 412 and 414 or applying an adhesive of an absorption material, incident light L6 may be absorbed and Mura defects may be suppressed. As another example, a light absorbing material may be applied to the region of the bottom surface 310 of the optical lens 300, but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(30)의 바닥면(310)에서 제1거리(r1)는 6mm 내지 6.5mm 범위를 포함할 수 있으며, 예컨대, 6.2mm 내지 6.4mm의 범위를 포함한다. 중심축(Y0)으로부터 제1거리(r1)에 지지 돌기(350)를 배치해 줌으로써, 제1거리(r1) 및 그 주변 영역(r1±10%)에서 지지 돌기(350)가 배치된 바닥 영역으로 진행하는 광들에 의한 간섭을 줄여줄 수 있다. 상기 제1거리(r1)를 벗어난 영역으로 진행하는 광은 광 분포에 크게 영향을 주지 않게 된다. The first distance r1 from the bottom surface 310 of the optical lens 30 may include a range of 6 mm to 6.5 mm, for example, a range of 6.2 mm to 6.4 mm. By arranging the support protrusion 350 at a first distance r1 from the central axis Y0, the bottom area where the support protrusion 350 is disposed at the first distance r1 and its peripheral area (r1±10%). It is possible to reduce the interference caused by the light propagating to . Light traveling to an area out of the first distance r1 does not significantly affect light distribution.

따라서, 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 출사되는 광을 효과적으로 제어하고, 다른 영역 예컨대, 바닥면(310)으로 진행하는 광(L6)이 다른 광의 분포에 간섭하는 것을 억제하여, 광의 균일한 분포를 개선시켜 줄 수 있다. Therefore, the light emitted through the first and second light exit surfaces 330 and 335 of the optical lens 300 is effectively controlled, and the light L6 traveling to another area, for example, the bottom surface 310, has a different distribution of light. By suppressing interference, uniform distribution of light can be improved.

다른 예로서, 광학 렌즈의 외부에서 제1광 출사면으로 광을 조사할 때, 도 77과 같은 제1거리(r1)에서 피크 치의 광도가 검출될 수 있다. 실시 예는 제1광 출사면(330)의 곡면 특성에 의해 반사 또는 굴절될 수 있는 바닥면(310)의 영역 중 광량이 최대인 영역과 대면하는 영역에 지지 돌기(350)와 흡수층(412,414) 및 접착제(도 51의 405) 중 적어도 하나 또는 모두를 배치하여, 무라 문제를 억제하고 균일한 광 분포에 간섭을 주는 것을 차단할 수 있다.
As another example, when light is radiated from the outside of the optical lens to the first light exit surface, a peak light intensity may be detected at the first distance r1 as shown in FIG. 77 . In the embodiment, the support protrusion 350 and the absorption layers 412 and 414 are provided in the region facing the region with the maximum amount of light among the regions of the bottom surface 310 that can be reflected or refracted by the curved surface characteristics of the first light exit surface 330. and an adhesive (405 in FIG. 51), by disposing at least one or both of them, it is possible to suppress the Mura problem and prevent interference with uniform light distribution.

도 51은 도 45의 발광 모듈의 B-B측 단면도로서, 광학 렌즈의 입사면 및 출사면으로 출사된 광의 경로를 나타낸 도면이며, 도 52는 실시 예에 따른 광학 렌즈의 측 단면도이며, 도 53은 도 45의 발광 모듈의 C-C측 단면도이고, 도 54는 도 53의 광학 렌즈의 부분 확대도이며, 도 55는 도 53의 광학 렌즈의 상세 구성을 나타낸 측 단면도이다.51 is a B-B side cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 45, showing paths of light emitted from the incident surface and the exit surface of an optical lens, FIG. 52 is a side cross-sectional view of an optical lens according to an embodiment, and FIG. 45 is a C-C side cross-sectional view of the light emitting module, FIG. 54 is a partially enlarged view of the optical lens of FIG. 53, and FIG. 55 is a side cross-sectional view showing a detailed configuration of the optical lens of FIG.

도 52 내지 도 55를 참조하면, 광학 렌즈(300)는 바닥면(310), 입사면(320), 리세스(315), 제1광 출사면(330), 제2광 출사면(335)을 포함하며, 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 52 to 55, the optical lens 300 includes a bottom surface 310, an incident surface 320, a recess 315, a first light exit surface 330, and a second light exit surface 335. Including, refer to the description of the embodiment disclosed above.

상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)의 상면 및 측면으로부터 방출된 광을 입사면(320)으로 입사받아 제1 및 제2광 출사면(330,335)로 방출하게 된다. 상기 입사면(320)으로부터 입사된 일부 광은 소정의 경로를 거쳐 상기 바닥면(310)으로 조사될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 소정 각도의 지향각 분포를 갖고 입사면(320)으로 입사되면, 제1 및 제2광 출사면(330,335)을 통해 확산시켜 줄 수 있다. The optical lens 300 receives the light emitted from the top and side surfaces of the light emitting device 100 through the incident surface 320 and emits the light to the first and second light exit surfaces 330 and 335 . Some of the light incident from the incident surface 320 may be irradiated to the bottom surface 310 through a predetermined path. The optical lens 300 diffuses the light emitted from the light emitting device 100 through the first and second light exit surfaces 330 and 335 when the light emitted from the light emitting device 100 has a beam angle distribution of a predetermined angle and is incident to the incident surface 320. can give

상기 광학 렌즈(300)의 입사면(320)은 상기 발광 소자(100)의 상면(S1) 및 다수의 측면(S2)과 서로 대면하게 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 측면(320)으로부터 방출된 광은 상기 입사면(320)으로 조사될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광은 누설 없이 입사면(320)으로 입사될 수 있다.The incident surface 320 of the optical lens 300 may be disposed to face the upper surface S1 and the plurality of side surfaces S2 of the light emitting device 100 . Light emitted from the side surface 320 of the light emitting device 100 may be irradiated to the incident surface 320 . Accordingly, the light emitted to the side surface S2 of the light emitting device 100 may be incident to the incident surface 320 without leakage.

상기 발광 소자(100)는 상면(S1) 및 다수의 측면(S2)을 통해 광을 방출하게 되며, 예컨대 5면 또는 그 이상의 발광 면을 갖는다. 상기 발광 소자(100)의 다수의 측면(S2)은 적어도 4개의 측면을 포함한 구조로서, 발광 면일 수 있다. The light emitting device 100 emits light through an upper surface S1 and a plurality of side surfaces S2, and has, for example, five or more light emitting surfaces. The plurality of side surfaces S2 of the light emitting device 100 is a structure including at least four side surfaces, and may be a light emitting surface.

상기 발광 소자(100)는 5면 이상의 발광 면을 제공하므로, 측면(S2)을 통해 방출된 광에 의해 광의 지향각 분포는 넓어질 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각 분포는 130도 이상 예컨대, 136도 이상이 될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 지향각의 1/2은 65도 이상, 예컨대 68도 이상일 수 있다. 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광이 상기 광학 렌즈(300)를 통해 방출되면, 상기 발광 소자(100)의 지향각에 상응하는 빔의 각도는 140도 이상 예컨대, 142도 이상일 수 있다. 상기 빔의 각도의 1/2은 70도 이상 예컨대, 71도 이상일 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 발광 소자(100)의 지향각보다 넓은 지향 분포로 광을 방출해 줌으로써, 광의 지향각 분포를 개선시켜 줄 수 있고, 균일한 휘도 분포로 제공할 수 있다. 이러한 발광 소자(100)의 지향각 분포를 넓게 제공해 줌으로써, 경사진 바닥 면(310) 및 깊이가 깊은 입사면(320)을 갖는 광학 렌즈(300)를 이용한 광 확산이 보다 용이한 효과가 있다.Since the light emitting device 100 provides 5 or more light emitting surfaces, the beam angle distribution of light can be widened by the light emitted through the side surface S2. The beam angle distribution of the light emitting device 100 may be 130 degrees or more, for example, 136 degrees or more. 1/2 of the beam angle of the light emitting device 100 may be 65 degrees or more, for example, 68 degrees or more. When the light emitted from the light emitting device 100 is emitted through the optical lens 300, the angle of the beam corresponding to the beam angle of the light emitting device 100 may be 140 degrees or more, for example, 142 degrees or more. 1/2 of the angle of the beam may be greater than or equal to 70 degrees, for example, greater than or equal to 71 degrees. The optical lens 300 emits light with a direction distribution wider than the beam angle of the light emitting device 100, thereby improving the beam beam angle distribution and providing a uniform luminance distribution. By providing a wide spread angle distribution of the light emitting device 100, light diffusion using the optical lens 300 having an inclined bottom surface 310 and a deep incident surface 320 has an effect of being easier.

상기 광학 렌즈(300)의 제1 및 제2광 출사면(330,335)은 입사된 광을 굴절시켜 방출하게 된다. 상기 제2광 출사면(335)은 중심축(Y0)을 기준으로, 굴절 후의 추출된 광의 각도가 굴절 전에 입사된 광의 각도보다 작게 굴절시켜 준다. 이에 따라 인접한 광학 렌즈(300)간의 광 간섭 거리를 길게 제공할 수 있고, 제2광 출사면(335)을 통해 출사된 일부 광과 제1광 출사면(330)으로 출사된 광이 광학 렌즈(300)의 주변에서 서로 혼색될 수 있다.The first and second light exit surfaces 330 and 335 of the optical lens 300 refract and emit incident light. The second light exit surface 335 refracts the angle of the extracted light after refraction smaller than the angle of the incident light before refraction with respect to the central axis Y0. Accordingly, it is possible to provide a long optical interference distance between adjacent optical lenses 300, and some of the light emitted through the second light exit surface 335 and the light emitted through the first light exit surface 330 are transferred to the optical lens ( 300) may be mixed with each other in the vicinity.

상기 제1광 출사면(330)은 입사되는 광을 반사하거나 굴절시켜 외부로 출사시켜 줄 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 중심축(Y0)을 기준으로, 제1광 출사면(330)으로 방출된 광의 굴절 후의 방출 각도는 굴절 전에 입사된 입사 각도보다 클 수 있다.
The first light exit surface 330 may reflect or refract incident light and emit it to the outside. With respect to the central axis Y0 of the first light exit surface 330 , an emission angle after refraction of light emitted from the first light exit surface 330 may be greater than an incident angle before refraction.

도 57을 참조하면, 상기 광학 렌즈(300)는 너비(D4) 또는 직경은 상기 두께(D3)의 2.5배 이상 예컨대, 3배 이상이 될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)는 너비(D4) 또는 직경이 15mm 이상으로 배치되므로, 라이트 유닛 예컨대, 백라이트 유닛의 전 영역에 균일한 휘도 분포를 제공할 수 있고, 또한 라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 상기 입사면(320)의 하부 너비(D1)와 같거나 더 깊게 배치될 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 광학 렌즈(300)의 두께(D3)의 75% 이상 예컨대, 80% 이상의 깊이를 가질 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)가 깊게 배치됨으로써, 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 입사면(320)의 제1정점(21)의 인접 영역에서도 측 방향으로 광을 확산시켜 줄 수 있다. 상기 리세스(315)의 깊이(D2)는 입사면(320)의 제1정점(21)의 깊이로서, 상기 입사면(320)의 제1정점(21)의 깊이가 깊게 배치됨으로써, 제1정점(21)의 주변 영역으로 입사된 광에 대해 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다. Referring to FIG. 57 , the width D4 or diameter of the optical lens 300 may be 2.5 times or more, for example, 3 times or more the thickness D3. Since the optical lens 300 has a width D4 or a diameter of 15 mm or more, it is possible to provide a uniform luminance distribution over the entire area of the light unit, for example, the backlight unit, and also reduce the thickness of the light unit. . The depth D2 of the recess 315 may be equal to or deeper than the lower width D1 of the incident surface 320 . The depth D2 of the recess 315 may be 75% or more, for example, 80% or more of the thickness D3 of the optical lens 300 . Since the depth D2 of the recess 315 is deep, even if the center region of the first light exit surface 330 does not have a total reflection surface or negative curvature, the first vertex 21 of the incident surface 320 ), the light can be diffused in the lateral direction even in the adjacent area. The depth D2 of the recess 315 is the depth of the first vertex 21 of the incident surface 320, and since the depth of the first vertex 21 of the incident surface 320 is deep, the first Light incident to the peripheral area of the apex 21 may be refracted in a lateral direction.

상기 리세스(315)와 상기 제1광 출사면(330) 사이의 최소 거리(D5)는 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330)의 제1정점(31) 사이의 간격일 수 있다. 상기 거리(D5)는 예컨대 1.5mm 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.6mm 내지 1.5mm 범위일 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330) 제2정점(31) 사이의 거리(D5)가 1.5mm 초과인 경우 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역으로 진행하는 광량이 많아질 수 있어, 핫 스팟 현상이 발생될 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)과 제1광 출사면(330)의 에지(31) 사이의 거리(D5)가 0.6mm 미만인 경우 광학 렌즈(300)의 센터 측 강성이 약해지는 문제가 있다. 이러한 리세스(315) 및 제1광 출사면(330) 사이의 거리(D5)를 상기 범위로 배치함으로써, 제2광 출사면(335)의 센터 영역이 전 반사면 또는 음의 곡률을 갖지 않더라도, 센터 영역의 주변으로 광의 경로를 수평 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. 이는 리세스(35)의 제1정점(21)이 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 제2정점(31)에 인접할수록 상기 입사면(320)을 통해 제1광 출사면(330)의 측 방향으로 진행하는 광의 광량이 증가될 수 있다. 따라서, 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산하는 광량을 증가시켜 줄 수 있다. 상기 입사면(320)의 제1정점(21)은 상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)로부터 수평하게 연장한 직선보다는 제1광 출사면(330)의 센터인 제2정점(31)에 더 인접하게 배치될 수 있다. The minimum distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 is the first vertex 21 of the incident surface 320 and the first vertex of the first light exit surface 330. (31) may be the interval between. The distance D5 may be, for example, 1.5 mm or less, and may be, for example, in the range of 0.6 mm to 1.5 mm. When the distance D5 between the first vertex 21 of the incident surface 320 and the second vertex 31 of the first light exit surface 330 exceeds 1.5 mm, the first light exit surface 330 Since the amount of light traveling to the center area may be increased, a hot spot phenomenon may occur. When the distance D5 between the first apex 21 of the incident surface 320 and the edge 31 of the first light exit surface 330 is less than 0.6 mm, the center side rigidity of the optical lens 300 is weakened. there is a problem. By arranging the distance D5 between the recess 315 and the first light exit surface 330 within the above range, even if the center area of the second light exit surface 335 does not have a total reflection surface or negative curvature. , the path of light may be diffused in the horizontal direction to the periphery of the center area. This is because the closer the first vertex 21 of the recess 35 is to the convex second vertex 31 of the first light exit surface 330, the first light exit surface 330 through the incident surface 320. A light amount of light traveling in a lateral direction of may be increased. Therefore, the amount of light diffused in the lateral direction of the optical lens 300 can be increased. The first vertex 21 of the incident surface 320 is the center of the second light exit surface 335 rather than a straight line extending horizontally from the third edge 35 of the second light exit surface 335. It may be placed closer to the apex 31 .

상기 광학 렌즈(300)에서 상기 제1광 출사면(330)은 서로 다른 곡률 반경을 가질 수 있다. 상기 입사면(320)은 서로 다른 곡률 반경을 가질 수 있다. 상기 제1광 출사면(330) 및 상기 입사면(320)의 각 곡률 반경을 가지는 원들의 중심은 상기 입사면(320)의 제2정점(21)을 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치될 수 있고, 상기 광학 렌즈(300)와 수직 방향으로 오버랩된 영역에 배치될 수 있다.
In the optical lens 300, the first light exit surface 330 may have different radii of curvature. The incident surface 320 may have different radii of curvature. Centers of the circles having respective curvature radii of the first light exit surface 330 and the incident surface 320 may be disposed below a horizontal straight line passing through the second vertex 21 of the incident surface 320. and may be disposed in a region overlapping the optical lens 300 in a vertical direction.

도 51과 같이 광학 렌즈(300)의 광 경로를 보면, 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 광학 렌즈(300)의 입사면(320)으로 입사된 제1광(L1)은 굴절되어 제1광 출사면(330)으로 방출될 수 있다. 또한 상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 상기 입사면(320)으로 입사된 제2광(L2)은 제2광 출사면(335)으로 방출될 수 있다. Looking at the optical path of the optical lens 300 as shown in FIG. 51, among the light emitted from the light emitting device 100, the first light L1 incident on the incident surface 320 of the optical lens 300 is refracted and 1 light may be emitted to the exit surface 330 . In addition, among the lights emitted from the light emitting device 100 , the second light L2 incident to the incident surface 320 may be emitted to the second light exit surface 335 .

여기서, 입사면(320)으로 입사되는 제1광(L1)의 입사 각도는 제1각도(θ1)이며, 제1광 출사면(330)으로 방출된 제1광(L1)의 방출 각도를 제2각도(θ2)이며, 입사면(320)으로 입사되는 제2광(L2)의 입사 각도는 제3각도(θ3)이며, 제2광 출사면(335)으로 출사된 제2광(L2)의 방출 각도는 제4각도(θ4)일 수 있다. 상기 제2광(L2)은 발광 소자(100)의 측면으로 방출된 광일 수 있다. 상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)보다 크게 된다. 상기 제2각도(θ2)는 상기 제1각도(θ1)가 점차 커질수록 점차 커지게 되며, 상기 제1각도(θ1)가 점차 작아질수록 점차 작아지게 된다. 그리고 제1 및 제2각도(θ1, θ2)는 θ2>θ1 또는 1<(θ2/θ1)의 조건을 만족한다. 상기 제1광 출사면(330)의 제2각도(θ2)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 클 수 있다. 상기 제1광 출사면(330)은 입사면(320)을 통해 입사된 광 중에서 상기 제1광 출사면(330)으로 진행하는 제1광(L1)에 대해 굴절시켜 줌으로써, 제1광(L1)에 대해 광학 렌즈(300)의 측 방향으로 확산시켜 줄 수 있다. Here, the incident angle of the first light L1 incident to the incident surface 320 is the first angle θ1, and the emission angle of the first light L1 emitted from the first light exit surface 330 is 2 angles θ2, the incident angle of the second light L2 incident on the incident surface 320 is a third angle θ3, and the second light L2 emitted through the second light exit surface 335 The emission angle of may be the fourth angle θ4. The second light L2 may be light emitted to the side of the light emitting device 100 . The second angle θ2 is greater than the first angle θ1. The second angle θ2 gradually increases as the first angle θ1 gradually increases, and gradually decreases as the first angle θ1 gradually decreases. The first and second angles θ1 and θ2 satisfy the condition of θ2>θ1 or 1<(θ2/θ1). The second angle θ2 of the first light exit surface 330 is an emission angle after refraction and may be greater than an incidence angle before refraction. The first light exit surface 330 refracts the first light L1 traveling to the first light exit surface 330 from among the light incident through the incident surface 320, so that the first light L1 ) may be diffused in the lateral direction of the optical lens 300.

상기 제4각도(θ4)는 상기 제3각도(θ3)보다 작을 수 있다. 상기 제3각도(θ3)가 증가할수록 상기 제4각도(θ4)는 증가하게 되며, 상기 제3각도(θ3)가 감소할수록 상기 제4각도(θ4)는 감소하게 된다. 그리고 제3 및 제4각도(θ3, θ4)는 θ4<θ3 또는 1>(θ4/θ3)의 조건을 만족한다. 상기 제2광 출사면(335)의 제4각도(θ4)는 굴절 후의 방출 각도로서, 굴절 전의 입사 각도보다 작을 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에는 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광이거나 지향각을 벗어난 광들이 입사될 수 있다. 이에 따라 상기 제2광 출사면(335)는 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광 및 광 지향각 분포를 벗어난 광에 대해, 휘도 분포의 반치각 영역 이내로 진행하도록 굴절시켜 줄 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에 의해 광 손실을 줄일 수 있다. The fourth angle θ4 may be smaller than the third angle θ3. As the third angle θ3 increases, the fourth angle θ4 increases, and as the third angle θ3 decreases, the fourth angle θ4 decreases. The third and fourth angles θ3 and θ4 satisfy the condition of θ4<θ3 or 1> (θ4/θ3). The fourth angle θ4 of the second light exit surface 335 is an emission angle after refraction and may be smaller than an incidence angle before refraction. Light emitted through the side surface S2 of the light emitting device 100 or lights out of a beam angle may be incident to the second light exit surface 335 . Accordingly, the second light exit surface 335 refracts the light emitted through the side surface S2 of the light emitting device 100 and the light out of the light beam angle distribution to proceed within the half-value angle region of the luminance distribution. can Light loss can be reduced by the second light exit surface 335 .

상기 제2광 출사면(335)의 제3에지(35)는 상기 중심축(Y0)에 대해 상기 발광 소자(100)의 지향각을 갖고 조사된 빔 각의 1/2각도 예컨대, 제4각도(θ4)를 지나는 위치 보다 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 중심축(Y0)과 바닥 중심(P0)부터 제3에지(35) 사이를 연결하는 직선 사이의 각도는 상기 발광 소자(100)의 반치각을 갖고 광학 렌즈(300)를 투과한 빔 각보다 작을 수 있다. The third edge 35 of the second light exit surface 335 has a directing angle of the light emitting element 100 with respect to the central axis Y0 and is 1/2 angle of the irradiated beam angle, for example, a fourth angle. It can be placed above the position passing through (θ4). For example, the angle between the central axis Y0 and the straight line connecting the third edge 35 from the bottom center P0 is the angle at half maximum of the light emitting element 100 and the angle of the beam transmitted through the optical lens 300. may be smaller than

발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 발광 소자의 지향각을 갖는 광이 상기 제2광 출사면(335)을 통해 방출되도록 제어할 수 있다. 이 경우 제2광 출사면(335)으로 방출된 제2광(L2)은 제1광 출사면(330)으로 진행하는 광들과 혼색될 수 있다.
Among the lights emitted from the light emitting device 100 , light having a beam angle of the light emitting device may be controlled to be emitted through the second light exit surface 335 . In this case, the second light L2 emitted to the second light exit surface 335 may be mixed with the lights traveling to the first light exit surface 330 .

상기 발광 소자(100)로부터 방출된 광 중에서 입사면(320)으로 입사된 광(L3)은 상기 광학 렌즈(300)의 바닥면(310)에 의해 반사되고 제2광 출사면(335)으로 방출되거나 제2광 출사면(335)으로부터 반사될 수 있다. 상기 제2광 출사면(335)에 의해 반사된 광은 상기 입사면(320) 또는 제1광 출사면(330)으로 재 입사되어 굴절되어, 제1광 출사면(330)으로 방출될 수 있다.Among the lights emitted from the light emitting device 100, the light L3 incident on the incident surface 320 is reflected by the bottom surface 310 of the optical lens 300 and emitted to the second light exit surface 335. or reflected from the second light exit surface 335. The light reflected by the second light exit surface 335 may be re-incident to the incident surface 320 or the first light exit surface 330, refracted, and emitted to the first light exit surface 330. .

발광 소자(100)의 측면(S2)으로 방출된 광 중에서 제2광 출사면(335)을 통해 방출된 광은 입사 각도보다 작은 방출 각도로 방출되므로, 도 59 및 도 60과 같이 서로 다른 회로 기판(400) 상에 배치된 광학 렌즈(100) 간의 간격(G2) 즉, 광 간섭 거리를 늘려줄 수 있다. 또한 광학 렌즈(300)에 의한 휘도 분포가 개선되므로, 회로 기판(400)과 광학 시트(514) 사이의 거리(H1)를 줄여줄 수 있다. 또한 백라이트 유닛 내에 배치된 광학 렌즈(300)의 개수를 줄여줄 수 있다.
Among the lights emitted to the side surface S2 of the light emitting device 100, the light emitted through the second light exit surface 335 is emitted at an emission angle smaller than the incident angle, and thus the circuit boards are different from each other as shown in FIGS. 59 and 60. The distance G2 between the optical lenses 100 disposed on the 400, that is, the optical interference distance may be increased. In addition, since the luminance distribution by the optical lens 300 is improved, the distance H1 between the circuit board 400 and the optical sheet 514 can be reduced. Also, the number of optical lenses 300 disposed in the backlight unit may be reduced.

상기 광학 렌즈(300)에서 바닥면(310)의 제1에지(23)의 위치는 상기 발광 소자(300)의 바닥 중심(P0)보다 낮거나 같은 위치에 위치할 수 있으며, 제2에지(25)의 위치는 상기 발광 소자(100)의 상면(S1)보다 높게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 바닥면(310)은 상기 입사면(320)로부터 입사된 발광 소자(100)의 측면(S2)을 통해 방출된 광을 전 반사하게 된다.
In the optical lens 300, the position of the first edge 23 of the bottom surface 310 may be located at a position lower than or equal to the center of the bottom P0 of the light emitting element 300, and the second edge 25 ) may be positioned higher than the upper surface S1 of the light emitting device 100. Accordingly, the bottom surface 310 totally reflects the light incident from the incident surface 320 and emitted through the side surface S2 of the light emitting device 100 .

상기 리세스(315)와 수직 방향으로 오버랩되는 제1광 출사면(330)의 센터 영역이 평탄한 면이거나 볼록한 면으로 처리됨으로써, 볼록한 입사면(320)으로 방출된 광이 광축을 기준으로 외측 방향으로 굴절됨으로써, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역으로 투과되는 광에 의한 핫 스팟이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 실시 예는 리세스(315)의 깊이(D2)를 상기 제1광 출사면(330)의 볼록한 센터 영역에 인접하게 배치하여, 상기 리세스(315)의 입사면(320)에 의해 광을 측 방향으로 굴절시켜 줄 수 있다. 이에 따라 광학 렌즈(300)의 제1광 출사면(330)에 의해 출사된 광에 의한 핫 스팟은 줄어들 수 있으며, 상기 제1광 출사면(330)의 센터 영역에서 광이 균일한 분포로 방출될 수 있다.
Since the center area of the first light exit surface 330 overlapping the recess 315 in the vertical direction is flat or convex, the light emitted from the convex incident surface 320 moves outward with respect to the optical axis. By being refracted as , it is possible to prevent a hot spot from being generated by light transmitted to the center region of the first light exit surface 330 . According to the embodiment, the depth D2 of the recess 315 is disposed adjacent to the convex center region of the first light exit surface 330, and the light is measured by the incident surface 320 of the recess 315. can be refracted in either direction. Accordingly, hot spots caused by light emitted by the first light exit surface 330 of the optical lens 300 can be reduced, and light is emitted in a uniform distribution in the center area of the first light exit surface 330. It can be.

상기 광학 렌즈(300)의 측면 돌출부(360)는 도 55 및 도 56와 같이, 상기 제2광 출사면(335)으로부터 돌출된다. 상기 측면 돌출부(360)의 영역으로 입사된 광은 측면 돌출부(360)로부터 반사되어 외 측면(361)을 통해 방출된다. 이러한 회로 기판(400)의 광학 렌즈(300)는 측면 돌출부(360)가 서로 다른 회로 기판(400)이 배열되는 제2축(Z1) 방향으로 광을 반사시켜 주게 되므로, 동일한 회로 기판(400) 내의 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭을 방지할 수 있다. 또한 서로 다른 회로 기판(400)의 간격을 상기 동일 회로 기판(400) 내의 광학 렌즈(300) 간의 간격보다 더 이격시켜 줌으로써, 서로 다른 회로 기판(400) 상의 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭을 줄여줄 수 있다.The side protrusion 360 of the optical lens 300 protrudes from the second light exit surface 335 as shown in FIGS. 55 and 56 . Light incident to the area of the side protrusion 360 is reflected from the side protrusion 360 and emitted through the outer side surface 361 . Since the side protrusions 360 of the optical lens 300 of the circuit board 400 reflect light in the direction of the second axis Z1 in which the different circuit boards 400 are arranged, the same circuit board 400 Optical interference between the optical lenses 300 in the interior can be prevented. In addition, by making the distance between the different circuit boards 400 more distant than the distance between the optical lenses 300 within the same circuit board 400, light interference between the optical lenses 300 on the different circuit boards 400 is reduced. can give

상기 측면 돌출부(360)는 제2광 출사면(335)으로부터 최소 두께(T1)로서 300㎛, 예컨대 500㎛ 이상 돌출될 수 있다. 이러한 측면 돌출부(360) 간의 배치 방향은 광학 렌즈(300) 간의 간격이 먼 방향으로 배치되므로, 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭을 줄여줄 수 있다.The side protrusion 360 may protrude from the second light exit surface 335 by a minimum thickness T1 of 300 μm, for example, 500 μm or more. Since the side protrusions 360 are arranged in a direction in which the distance between the optical lenses 300 is farther, light interference between the optical lenses 300 can be reduced.

상기 측면 돌출부(360)의 높이(T2)는 상기 제2광 출사면(335)의 너비(도 43 D7)와 같거나 작을 수 있으며, 예컨대 1mm 이상이 될 수 있다. 이러한 측면 돌출부(360)의 높이(T2)는 광학 렌즈(300)의 사이즈에 따라 달라질 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)의 높이(T2)는 광학 렌즈(300)의 두께(도 43의 D3)에 비해 최소 1/3 이상일 수 있다. The height T2 of the side protrusion 360 may be equal to or smaller than the width of the second light exit surface 335 (FIG. 43D7), and may be, for example, 1 mm or more. The height T2 of the side protrusion 360 may vary depending on the size of the optical lens 300 . The height T2 of the side protrusion 360 may be at least 1/3 of the thickness of the optical lens 300 (D3 in FIG. 43).

상기 측면 돌출부(360)의 너비(도 43의 T3)는 상기 높이(T2) 및 두께(T1) 보다 클 수 있으며, 예컨대 상기 T1 또는 T2의 2배 이상일 수 있다. 상기 측면 돌출부(360)의 너비(T3)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)에 비해 최소 1/3 이상일 수 있다.
The width of the side protrusion 360 (T3 in FIG. 43) may be greater than the height T2 and thickness T1, and may be, for example, twice or more than T1 or T2. The width T3 of the side protrusion 360 may be at least 1/3 of the width or diameter D4 of the optical lens 300 .

도 58을 참조하면, 회로 기판(400) 상에 복수의 광학 렌즈(300,300A)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 광학 렌즈(300,300A)는 제1축(X0) 방향으로 배열되며, 서로 소정 간격(G1)으로 이격될 수 있다.Referring to FIG. 58 , a plurality of optical lenses 300 and 300A may be disposed on a circuit board 400 . The plurality of optical lenses 300 and 300A are arranged in the direction of the first axis X0 and may be spaced apart from each other by a predetermined distance G1.

상기 각 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 제2축(Z1) 방향으로 돌출될 수 있으며, 예컨대 상기 회로 기판(400)의 제1측면(401) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)들은 상기 회로 기판(400)의 제1측면(401)보다 더 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)들은 서로 동일한 방향으로 돌출될 수 있다.The side protrusion 360 of each of the optical lenses 300 and 300A may protrude in the direction of the second axis Z1 , and may protrude in the direction of the first side surface 401 of the circuit board 400 , for example. The side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude more outward than the first side surface 401 of the circuit board 400 . Side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude in the same direction as each other.

다른 예로서, 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 제1축(X0) 방향을 기준으로 또는 중심축(Y0)을 기준으로 서로 반대측 방향(+Z, -Z)으로 돌출될 수 있다. 상기 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 회로 기판(400)의 제1 및 제2측면(401,402) 보다 외측으로 돌출될 수 있다. As another example, the side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A protrude in opposite directions (+Z, -Z) with respect to the first axis X0 or the central axis Y0. It can be. The side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude outward from the first and second side surfaces 401 and 402 of the circuit board 400 .

다른 예로서, 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 제1축(X0)을 기준으로 또는 중심축(Y0)에 대해 서로 동일한 방향으로 돌출될 수 있다. 예컨대, 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 상기 회로 기판(400)의 제1 및 제2측면(401,402) 중 제2측면(402) 방향으로 돌출될 수 있다. 복수의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 상기 회로 기판(400)의 제2측면(402)보다 외측으로 돌출될 수 있다.As another example, the side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude in the same direction with respect to the first axis X0 or the central axis Y0. For example, the side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude toward the second side surface 402 of the first and second side surfaces 401 and 402 of the circuit board 400 . The side protrusions 360 of the plurality of optical lenses 300 and 300A may protrude outward from the second side surface 402 of the circuit board 400 .

실시 예의 각각의 광학 렌즈(300,300A)의 측면 돌출부(360)는 랜덤한 형태로 제1축(X0)에 수직한 제2축(Z1)의 정 또는 방향으로 배치될 수 있으며, 회로 기판(400)의 영역 외측 예컨대 제1 또는 2측면(401,402) 보다 외측으로 돌출될 수 있다.
The side protrusions 360 of each of the optical lenses 300 and 300A of the embodiment may be randomly disposed in the direction or direction of the second axis Z1 perpendicular to the first axis X0, and the circuit board 400 ) may protrude outside the region, for example, outside the first or second side surfaces 401 and 402 .

도 59 및 도 60은 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.59 and 60 are views illustrating a light unit having a lighting module according to an embodiment.

도 59 및 도 60을 참조하면, 라이트 유닛은 바텀 커버(512), 상기 바텀 커버(512) 내에 조명 모듈(301)로서 복수의 회로 기판(400), 발광 소자(100) 및 상기 복수의 회로 기판(400) 상에 배치된 광학 렌즈(300)를 포함한다. 상기 복수의 회로 기판(400)은 바텀 커버(512) 내에 배열될 수 있다. 59 and 60, the light unit includes a bottom cover 512, a plurality of circuit boards 400 as a lighting module 301 within the bottom cover 512, a light emitting device 100, and the plurality of circuit boards. and an optical lens 300 disposed on 400 . The plurality of circuit boards 400 may be arranged within the bottom cover 512 .

상기 바텀 커버(512)는 방열을 위한 금속 또는 열 전도성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 바텀 커버(512)는 수납부를 구비할 수 있으며, 상기 수납부의 둘레에는 측면 커버를 구비할 수 있다.
The bottom cover 512 may include a metal or thermally conductive resin material for heat dissipation. The bottom cover 512 may include an accommodating part, and a side cover may be provided around the accommodating part.

상기 회로 기판(400)은 상기 발광 소자(100)와 전기적으로 연결되는 회로 층을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(400)은 수지 재질의 PCB, 금속 코어를 갖는 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시예에 따른 회로 기판 상에는 반사 시트가 배치될 수 있다. 상기 반사 시트는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The circuit board 400 may include a circuit layer electrically connected to the light emitting device 100 . The circuit board 400 may include at least one of a PCB made of resin, a PCB having a metal core (MCPCB, Metal Core PCB), and a flexible PCB (FPCB), but is not limited thereto. A reflective sheet may be disposed on the circuit board according to the embodiment. The reflective sheet may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin, etc., but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(512) 상에 광학 시트(514)가 배치될 수 있으며, 상기 광학 시트(514)는 분산된 광을 모으는 프리즘 시트들, 휘도강화시트 및 광을 다시 확산시키는 확산 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(514)와 조명 모듈 사이의 영역에는 도광층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
An optical sheet 514 may be disposed on the bottom cover 512, and the optical sheet 514 includes at least one of prism sheets for collecting scattered light, a luminance enhancing sheet, and a diffusion sheet for diffusing light again. can include A light guide layer (not shown) may be disposed in a region between the optical sheet 514 and the lighting module, but is not limited thereto.

상기 각 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G1)은 서로 다른 회로 기판(400) 내에 배치된 광학 렌즈(300) 간의 간격(G2)보다 좁게 배열될 수 있다. 상기 간격(G1)은 상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)의 6배 내지 10배 범위 예컨대, 6배 내지 9배 범위로 배열될 수 있다. 상기 간격(G2)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)의 9배 내지 11배 범위 예컨대, 9배 내지 11배 범위로 배치될 수 있다. 여기서, 상기 광학 렌즈(300)의 너비(D4)는 15mm 이상이 될 수 있다. 이러한 광학 렌즈(300) 간의 광 간섭 거리 즉, 간격(G1, G2)는 상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)의 최소 6배 이상 이격시켜 줄 수 있다. The distance G1 between the optical lenses 300 disposed on each circuit board 400 may be narrower than the distance G2 between the optical lenses 300 disposed on different circuit boards 400 . The interval G1 may be arranged in a range of 6 to 10 times, for example, 6 to 9 times the width or diameter D4 of the optical lens 300 . The interval G2 may be arranged in a range of 9 to 11 times the width or diameter D4 of the optical lens 300, for example, 9 to 11 times. Here, the width D4 of the optical lens 300 may be 15 mm or more. The optical interference distance between the optical lenses 300, that is, the intervals G1 and G2 may be at least 6 times the width or diameter D4 of the optical lenses 300.

상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)가 상기 범위보다 좁은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈(300)의 개수가 증가될 수 있고 상기 광학 렌즈(300)들 사이의 영역에 암부가 발생될 수 있다. 상기 광학 렌즈(300)의 너비 또는 직경(D4)이 상기 범위보다 넓은 경우 라이트 유닛 내의 광학 렌즈(300)의 개수는 감소되지만, 각 광학 렌즈(300)의 휘도가 감소될 수 있다.When the width or diameter D4 of the optical lens 300 is narrower than the above range, the number of optical lenses 300 in the light unit may be increased and a dark part may be generated in an area between the optical lenses 300. there is. When the width or diameter D4 of the optical lens 300 is greater than the range, the number of optical lenses 300 in the light unit is reduced, but the luminance of each optical lens 300 may be reduced.

라이트 유닛 내에서 광학 렌즈(300)의 개수는 측면 돌출부(360)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다.
The number of optical lenses 300 in the light unit may be the same as the number of side protrusions 360 .

광학 렌즈는 입사면 및 제1광 출사면의 단면이 곡선 구간을 포함하는 경우, 곡선 구간은 비선형적 수치해석 기법인 스플라인 곡선(spline curve)을 만족할 수 있다. 스플라인 곡선은 적은 수의 제어점(control point)으로 매끄러운 곡선을 만들기 위한 함수로서, 선정된 제어점들을 통과하는 보간(interpolation) 곡선, 선정된 제어점을 연결하는 선의 모양에 근사(approximation) 곡선으로 정의될 수 있다. 스플라인 곡선으로는 비스플라인(B-Spline) 곡선, 베지어(Bezier) 곡선, 넙스(Non-UniformRational B-Spline, NURBS) 곡선, 큐빅 스플라인(cubic spline) 곡선 등이 사용될 수 있다.When cross sections of the incident surface and the first light exit surface of the optical lens include a curved section, the curved section may satisfy a spline curve, which is a nonlinear numerical analysis technique. A spline curve is a function for creating a smooth curve with a small number of control points, and can be defined as an interpolation curve passing through selected control points and an approximation curve to the shape of a line connecting the selected control points. there is. As the spline curve, a B-Spline curve, a Bezier curve, a NURBS (Non-Uniform Rational B-Spline, NURBS) curve, a cubic spline curve, or the like may be used.

일 예로, 각 면의 단면에 포함되는 곡선 구간은 베지어 곡선 함수(Bezier Curve equation)를 통하여 나타낼 수 있다. 베지어 곡선 함수는 최초의 제어점(control point)인 시작점과, 최후의 제어점인 끝점 그리고 그 사이에 위치하는 내부 제어점의 이동에 의해 다양한 자유 곡선을 얻는 함수로 구현될 수 있다.
For example, the curve section included in the cross section of each face may be expressed through a Bezier curve equation. The Bezier curve function can be implemented as a function that obtains various free curves by moving a start point, which is the first control point, an end point, which is the last control point, and an internal control point located between them.

도 65는 리세스의 입사면의 곡선을 구하는 것으로서, 시작 점(C1)과 끝점(C2), 그리고 적어도 하나의 내부 제어점(C3)의 이동에 의해 구현될 수 있다.65 is to obtain the curve of the incident surface of the recess, which can be implemented by moving the starting point (C1), the ending point (C2), and at least one internal control point (C3).

상기 내부 제어점(C3)과 연결되는 상기 시작 점(C1)과 끝점(C2)에 대한 가중치(weight)를 주어 상기의 입사면(320)의 곡선을 아래의 표 1과 같이 구할 수 있다. 표 1은 입사면의 곡선 구간을 구하기 위한 파라미터들이다.The curve of the incident surface 320 can be obtained as shown in Table 1 below by giving weights to the starting point C1 and the ending point C2 connected to the internal control point C3. Table 1 is parameters for obtaining the curved section of the incident surface.

시작 점starting point 끝점endpoint Y(광축)Y (optical axis) 0.000.00 1.581.58 X(수평 축)X (horizontal axis) 4.50-4.704.50-4.70 0.00990.0099 Tangent AngleTangent Angle 109-113109-113 -3.74-3.74 Tangent LengthTangent Length 1.431.43 0.450.45 WeightWeight 0.48-0.500.48-0.50 0.710.71

상기 시작 점(C1)의 X축 지점과 가중치(Weight)는 광학 렌즈(300)와 광학 시트 사이의 간격에 따라 변경될 수 있다.
The X-axis point and weight of the starting point C1 may be changed according to the distance between the optical lens 300 and the optical sheet.

도 66은 실시 예에 따른 광학 렌즈의 제1광 출사면의 곡선을 구하는 것으로서, 시작 점(C4)과 끝점(C5), 그리고 적어도 두 개의 내부 제어점(C6,C7)의 이동에 의해 구현될 수 있다.66 is to obtain the curve of the first light exit surface of the optical lens according to the embodiment, which can be implemented by moving the starting point C4, the ending point C5, and at least two internal control points C6 and C7. there is.

상기 내부 제어점(C6,C7)과 연결되는 상기 시작 점(C4)과 끝점(C5)에 대한 가중치(weight)를 주어 상기의 제1광 출사면(330)의 곡선을 아래의 표 2와 같이 구할 수 있다. 표 2는 제1광 출사면의 곡선 구간을 구하기 위한 파라미터들이다.The curve of the first light exit surface 330 is obtained as shown in Table 2 below by giving weights to the start point C4 and the end point C5 connected to the internal control points C6 and C7. can Table 2 is parameters for obtaining a curved section of the first light exit surface.

시작 점starting point 끝점endpoint Y(광축)Y (optical axis) 8.518.51 0.000.00 X(수평 축)X (horizontal axis) 2.482.48 5.65-5.765.65-5.76 Tangent AngleTangent Angle -22-22 9090 Tangent LengthTangent Length 1.42.3631.42.363 4.804.80 WeightWeight 0.44-0.480.44-0.48 0.52-0.540.52-0.54

상기 시작 점(C4)의 X축 지점과 가중치(Weight)는 광학 렌즈와 광학 시트 사이의 간격에 따라 변경될 수 있다.
The X-axis point and weight of the starting point C4 may be changed according to the distance between the optical lens and the optical sheet.

실시 예에 따른 발광 소자의 예는 도 61 내지 도 63을 참조하여 설명하기로 한다. 도 61은 실시 예에 따른 발광 소자의 제1예를 나타낸 도면이다. 도 61을 참조하여 발광 소자 및 회로 기판의 일 예를 설명하기로 한다. Examples of light emitting devices according to embodiments will be described with reference to FIGS. 61 to 63 . 61 is a view showing a first example of a light emitting device according to an embodiment. An example of a light emitting element and a circuit board will be described with reference to FIG. 61 .

도 61를 참조하면, 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100A)과 상기 발광 칩(100A) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 61 , the light emitting device 100 includes a light emitting chip 100A. The light emitting device 100 may include a light emitting chip 100A and a phosphor layer 150 disposed on the light emitting chip 100A. The phosphor layer 150 includes at least one or a plurality of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be disposed in a single layer or multiple layers. The phosphor layer 150 is a light-transmitting resin material in which a phosphor is added. The light-transmissive resin material includes a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100A)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100A)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.The phosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 100A, or may be disposed on the upper surface and side surface of the light emitting chip 100A. The phosphor layer 150 is disposed on an area where light is emitted from the surface of the light emitting chip 100A, and can convert a wavelength of light.

상기 형광체층(150)은 단층 또는 서로 다른 형광체층을 포함할 수 있으며, 상기 서로 다른 형광체층은 제1층이 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류의 형광체를 가질 수 있고, 제2층이 상기 제1층 위에 형성되며 적색, 황색, 녹색 형광체 중 상기 제1층과 다른 형광체를 가질 수 있다. 다른 예로서, 상기 서로 다른 형광체층은 3층 이상의 형광체층을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor layer 150 may include a single layer or different phosphor layers, wherein a first layer of the different phosphor layers may have at least one type of phosphor among red, yellow, and green phosphors, and a second layer may include It is formed on the first layer and may have a phosphor different from that of the first layer among red, yellow, and green phosphors. As another example, the different phosphor layers may include three or more phosphor layers, but is not limited thereto.

다른 예로서, 상기 형광체층(150)은 필름 타입을 포함할 수 있다. 상기 필름 타입의 형광체층은 균일한 두께를 제공함으로써, 파장 변환에 따른 색 분포가 균일할 수 있다.As another example, the phosphor layer 150 may include a film type. The film-type phosphor layer may have a uniform color distribution according to wavelength conversion by providing a uniform thickness.

상기 발광 칩(100A)에 대해 설명하면, 상기 발광 칩(100A)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다. Describing the light emitting chip 100A, the light emitting chip 100A includes a substrate 111, a first semiconductor layer 113, a light emitting structure 120, an electrode layer 131, an insulating layer 133, a first An electrode 135 , a second electrode 137 , a first connection electrode 141 , a second connection electrode 143 , and a support layer 140 may be included.

상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 탑 면 및 바닥면 중 적어도 하나 또는 모두에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 각 볼록부의 측 단면 형상은 반구형 형상, 반타원 형상, 또는 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판(111)은 발광 칩(100A) 내에서 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(113) 또는 제1도전형 반도체층(115)이 발광 칩(100A)의 탑 층으로 배치될 수 있다. The substrate 111 may use a light-transmissive, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 At least one can be used. A plurality of convex portions (not shown) may be formed on at least one or both of the top and bottom surfaces of the substrate 111 to improve light extraction efficiency. The side cross-sectional shape of each convex portion may include at least one of a hemispherical shape, a semi-elliptical shape, or a polygonal shape. Here, the substrate 111 may be removed from the light emitting chip 100A. In this case, the first semiconductor layer 113 or the first conductive type semiconductor layer 115 serves as a top layer of the light emitting chip 100A. can be placed.

상기 기판(111) 아래에는 제1반도체층(113)이 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 반도체층 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(113)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖고, 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(113)은 형성하지 않을 수 있다. A first semiconductor layer 113 may be formed under the substrate 111 . The first semiconductor layer 113 may be formed using a compound semiconductor of a group II to V element. The first semiconductor layer 113 may be formed of at least one layer or a plurality of layers using compound semiconductors of Group II to Group V elements. The first semiconductor layer 113 is a semiconductor layer using a compound semiconductor of a group III-V element, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, It may include at least one of GaP. The first semiconductor layer 113 has a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), and a buffer layer and undoped ) may be formed of at least one of the semiconductor layers. The buffer layer may reduce a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, and the undoped semiconductor layer may improve crystal quality of the semiconductor. Here, the first semiconductor layer 113 may not be formed.

상기 제1반도체층(113) 아래에는 발광 구조물(120)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(120)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. A light emitting structure 120 may be formed under the first semiconductor layer 113 . The light emitting structure 120 is selectively formed from compound semiconductors of group II to V elements and group III-V elements, and may emit light with a predetermined peak wavelength within a wavelength range from an ultraviolet band to a visible ray band.

상기 발광 구조물(120)은 제1도전형 반도체층(115), 제2도전형 반도체층(119), 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제2도전형 반도체층(119) 사이에 형성된 활성층(117)을 포함하며, 상기 각 층(115,117,119)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 is formed between a first conductivity type semiconductor layer 115, a second conductivity type semiconductor layer 119, and the first conductivity type semiconductor layer 115 and the second conductivity type semiconductor layer 119. It includes the formed active layer 117, and another semiconductor layer may be further disposed on at least one of above and below each of the layers 115, 117, and 119, but is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(115)은 제1반도체층(113) 아래에 배치되며, 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(115)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductivity type semiconductor layer 115 is disposed under the first semiconductor layer 113 and may be implemented as a semiconductor doped with a first conductivity type dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 115 has a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). The first conductive type semiconductor layer 115 may be selected from compound semiconductors of group III-V elements, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. . The first conductivity-type dopant is an n-type dopant and includes a dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te.

상기 활성층(117)은 제1도전형 반도체층(115) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 117 is disposed below the first conductive type semiconductor layer 115 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. and includes the period of the well layer and the barrier layer. The period of the well layer/barrier layer is, for example, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs includes at least one of the pairs of

상기 제2도전형 반도체층(119)은 활성층(117) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(119)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 119 is disposed below the active layer 117 . The second conductivity type semiconductor layer 119 is a semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤ 1) includes the composition formula. The second conductive semiconductor layer 119 may be formed of at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 119 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

상기 발광 구조물(120)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(115)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(119)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(119) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
As another example of the light emitting structure 120 , the first conductive semiconductor layer 115 may be implemented as a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 119 may be implemented as an n-type semiconductor layer. A third conductivity type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductivity type may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 119 . In addition, the light emitting structure 120 may be implemented with any one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에는 전극층(131)이 형성된다. 상기 전극층(131)은 반사층을 포함할 수 있다. 상기 전극층(131)은 상기 발광 구조물(120)의 제2도전형 반도체층(119)에 접촉된 오믹 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 둘 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 반사층의 금속은 상기 제2도전형 반도체층(119) 아래에 접촉될 수 있다. 상기 오믹 접촉층은 투광성 재질, 금속 또는 비 금속 재질 중에서 선택될 수 있다.An electrode layer 131 is formed under the second conductive semiconductor layer 119 . The electrode layer 131 may include a reflective layer. The electrode layer 131 may include an ohmic contact layer in contact with the second conductivity type semiconductor layer 119 of the light emitting structure 120 . The reflective layer may be selected from materials having a reflectance of 70% or more, for example, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir, and alloys of two or more of the above metals. A metal of the reflective layer may contact a lower portion of the second conductive semiconductor layer 119 . The ohmic contact layer may be selected from a light-transmissive material, a metal material, or a non-metal material.

상기 전극층(131)은 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 상기 투광성 전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 투광성 전극층의 아래에는 금속 재질의 반사층이 배치될 수 있으며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 상기 반사층은 다른 예로서, 서로 다른 굴절률을 갖는 두 층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflection) 구조로 형성될 수 있다. The electrode layer 131 may include a laminated structure of a light-transmitting electrode layer/reflective layer, and the light-transmitting electrode layer may include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum (IAZO). zinc oxide), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd , Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. A reflective layer made of a metallic material may be disposed under the light-transmitting electrode layer. can be formed As another example, the reflective layer may be formed of a distributed bragg reflection (DBR) structure in which two layers having different refractive indices are alternately disposed.

상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 전극층(131) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
A light extraction structure such as roughness may be formed on the surface of at least one of the second conductive semiconductor layer 119 and the electrode layer 131, and this light extraction structure changes the critical angle of the incident light, Light extraction efficiency can be improved.

상기 절연층(133)은 상기 전극층(131) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(119)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(119) 및 상기 활성층(117)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(133)은 상기 발광 구조물(120)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(131), 제1전극(135) 및 제2전극(137)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(120)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다.The insulating layer 133 is disposed below the electrode layer 131, and the lower surface of the second conductive semiconductor layer 119, the side surface of the second conductive semiconductor layer 119 and the active layer 117, the It may be disposed in a partial area of the first conductive type semiconductor layer 115 . The insulating layer 133 is formed in an area other than the electrode layer 131, the first electrode 135, and the second electrode 137 in the lower area of the light emitting structure 120, so that the light emitting structure 120 The lower part is electrically protected.

상기 절연층(133)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(133)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(133)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 발광 구조물(120)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(120)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다.The insulating layer 133 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 133 may be selectively formed from, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . The insulating layer 133 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto. The insulating layer 133 is formed to prevent an interlayer short circuit of the light emitting structure 120 when a metal structure for flip bonding is formed under the light emitting structure 120 .

상기 절연층(133)은 서로 다른 굴절률을 갖는 제1층과 제2층이 교대로 배치된 DBR(distributed bragg reflector) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나이며, 상기 제2층은 상기 제1층 이외의 물질 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 또는 상기 제1층 및 제2층이 동일한 물질로 형성되거나 3층 이상의 층을 갖는 페어(Pair)로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 전극층은 형성하지 않을 수 있다.
The insulating layer 133 may be formed of a DBR (distributed bragg reflector) structure in which first and second layers having different refractive indices are alternately disposed, and the first layer is SiO 2 , Si 3 N 4 , It is any one of Al 2 O 3 and TiO 2 , and the second layer may be formed of any material other than the first layer, but is not limited thereto, or the first layer and the second layer are formed of the same material. Or it may be formed as a pair having three or more layers. In this case, the electrode layer may not be formed.

상기 제1도전형 반도체층(115)의 일부 영역 아래에는 제1전극(135)이 배치되며, 상기 전극층(131)의 일부 아래에는 제2전극(137)이 배치될 수 있다. 상기 제1전극(135) 아래에는 제1연결 전극(141)이 배치되며, 상기 제2전극(137) 아래에는 제2연결 전극(143)이 배치된다. A first electrode 135 may be disposed below a portion of the first conductive semiconductor layer 115 , and a second electrode 137 may be disposed below a portion of the electrode layer 131 . A first connection electrode 141 is disposed below the first electrode 135 , and a second connection electrode 143 is disposed below the second electrode 137 .

상기 제1전극(135)은 상기 제1도전형 반도체층(115)과 상기 제1연결 전극(141)에 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(137)은 상기 전극층(131)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(119)과 제2연결 전극(143)에 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 135 is electrically connected to the first conductivity-type semiconductor layer 115 and the first connection electrode 141, and the second electrode 137 connects the second electrode 137 through the electrode layer 131. It may be electrically connected to the two-conductivity semiconductor layer 119 and the second connection electrode 143 .

상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135)과 상기 제2전극(137)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137) 중 적어도 하나는 암(arm) 또는 핑거(finger) 구조와 같은 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(135) 및 상기 제2전극(137)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143) 중 적어도 하나는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 135 and the second electrode 137 are made of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W or an alloy. It may be formed, and may be formed in a single layer or multiple layers. The first electrode 135 and the second electrode 137 may have the same stacked structure or different stacked structures. At least one of the first electrode 135 and the second electrode 137 may further have a current diffusion pattern such as an arm or a finger structure. In addition, the first electrode 135 and the second electrode 137 may be formed in one or a plurality, but are not limited thereto. At least one of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be disposed in plurality, but is not limited thereto.

상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 전원을 공급하는 리드(lead) 기능과 방열 경로를 제공하게 된다. 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)은 원 형상, 다각 형상, 원 기둥 또는 다각 기둥과 같은 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 금속 파우더의 재질 예컨대, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta, Ti, W 및 이들 금속의 선택적 합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1연결 전극(141) 및 제2연결 전극(143)은 상기 제1전극(135) 및 제2전극(137)과의 접착력 향상을 위하여 In, Sn, Ni, Cu 및 이들의 선택적인 합금 중의 어느 한 금속으로 도금될 수 있다. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 provide a lead function for supplying power and a heat dissipation path. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 may include at least one of a circular shape, a polygonal shape, a circular columnar shape, or a polygonal columnar shape. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 are made of metal powder material, for example, Ag, Al, Au, Cr, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Si, Sn, Ta , Ti, W, and selective alloys of these metals. The first connection electrode 141 and the second connection electrode 143 are In, Sn, Ni, Cu and their optional alloys to improve adhesion with the first electrode 135 and the second electrode 137. It can be plated with any one of the metals.

상기 지지층(140)은 열 전도성 재질을 포함하며, 상기 제1전극(135), 상기 제2전극(137), 상기 제1연결 전극(141) 및 상기 제2연결 전극(143)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 지지층(140)의 하면에는 상기 제1 및 제2연결 전극(141,143)의 하면이 노출될 수 있다. The support layer 140 includes a thermally conductive material and is disposed around the first electrode 135, the second electrode 137, the first connection electrode 141, and the second connection electrode 143. It can be. Bottom surfaces of the first and second connection electrodes 141 and 143 may be exposed on the bottom surface of the support layer 140 .

상기 지지층(140)은 발광 소자(100)를 지지하는 층으로 사용된다. 상기 지지층(140)은 절연성 재질로 형성되며, 상기 절연성 재질은 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지층으로 형성된다. 다른 예로서, 상기 절연성 재질은 페이스트 또는 절연성 잉크를 포함할 수 있다. 상기 절연성 재질의 재질은 그 종류는 polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), 및 Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), 및 PAMAM 내부 구조 및 유기-실리콘 외면을 갖는 PAMAM-OS(organosilicon)를 단독 또는 이들의 조합을 포함한 수지로 구성될 수 있다. 상기 지지층(140)은 상기 절연층(133)과 다른 물질로 형성될 수 있다.The supporting layer 140 is used as a layer supporting the light emitting device 100 . The support layer 140 is formed of an insulating material, and the insulating material is formed of, for example, a resin layer such as silicone or epoxy. As another example, the insulating material may include a paste or insulating ink. The material of the insulating material is polyacrylate resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides rein, unsaturated polyesters resin, polyphenylene ether resin (PPE), polyphenilene oxide resin (PPO), polyphenylenesulfides resin, cyanate ester resin, benzocyclobutene (BCB), Polyamido-amine Dendrimers (PAMAM), and Polypropylene-imine, Dendrimers (PPI), and PAMAM-OS (organosilicon) having a PAMAM inner structure and an organo-silicon outer surface alone or in combination. It can be. The support layer 140 may be formed of a material different from that of the insulating layer 133 .

상기 지지층(140) 내에는 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 황화물과 같은 화합물들 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 여기서, 상기 지지층(140) 내에 첨가된 화합물은 열 확산제일 수 있으며, 상기 열 확산제는 소정 크기의 분말 입자, 알갱이, 필러(filler), 첨가제로 사용될 수 있다. 상기 열 확산제는 세라믹 재질을 포함하며, 상기 세라믹 재질은 동시 소성되는 저온 소성 세라믹(LTCC: low temperature co-fired ceramic), 고온 소성 세라믹(HTCC: high temperature co-fired ceramic), 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 세라믹 재질은 질화물 또는 산화물과 같은 절연성 물질 중에서 열 전도도가 질화물이나 산화물보다 높은 금속 질화물로 형성될 수 있으며, 상기 금속 질화물은 예컨대, 열 전도도가 140 W/mK 이상의 물질을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 재질은 예컨대, SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, BN, Si3N4, SiC(SiC-BeO), BeO, CeO, AlN와 같은 세라믹 (Ceramic) 계열일 수 있다. 상기 열 전도성 물질은 C (다이아몬드, CNT)의 성분을 포함할 수 있다.
At least one of oxides, nitrides, fluorides, and sulfides having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr may be added to the supporting layer 140 . Here, the compound added into the support layer 140 may be a heat spreader, and the heat spreader may be used as powder particles, grains, fillers, and additives of a predetermined size. The heat spreader includes a ceramic material, and the ceramic material includes a co-fired low temperature co-fired ceramic (LTCC), a high temperature co-fired ceramic (HTCC), and alumina. , quartz, calcium zirconate, forsterite, SiC, graphite, fusedsilica, mullite, cordierite, zirconia, beryllia ), and at least one of aluminum nitride. The ceramic material may be formed of a metal nitride having higher thermal conductivity than nitride or oxide among insulating materials such as nitride or oxide, and the metal nitride may include, for example, a material having thermal conductivity of 140 W/mK or more. Examples of the ceramic material include SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , BN, Si 3 N 4 , SiC(SiC-BeO), BeO, It may be a ceramic type such as CeO or AlN. The thermally conductive material may include a component of C (diamond, CNT).

상기 발광 칩(100A)은 상기 회로 기판(400) 상에 플립 방식으로 탑재된다. 상기 회로 기판(400)은 금속층(471), 상기 금속층(471) 위에 절연층(472), 상기 절연층(472) 위에 복수의 리드 전극(473,474)을 갖는 회로 층(미도시) 및 상기 회로 층을 보호하는 보호층(475)을 포함한다. 상기 금속층(471)은 방열 층으로서, 열 전도성이 높은 금속 예컨대, Cu 또는 Cu-합금와 같은 금속을 포함하며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The light emitting chip 100A is mounted on the circuit board 400 in a flip manner. The circuit board 400 includes a metal layer 471, an insulating layer 472 on the metal layer 471, a circuit layer (not shown) having a plurality of lead electrodes 473 and 474 on the insulating layer 472, and the circuit layer It includes a protective layer 475 to protect. The metal layer 471 is a heat dissipation layer, and includes a metal having high thermal conductivity, such as Cu or a Cu-alloy, and may be formed in a single-layer or multi-layer structure.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)과 회로 층 사이를 절연시켜 준다. 상기 절연층은 에폭시, 실리콘, 유리섬유, 프리 프레그(prepreg), 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T)와 같은 수지 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 절연층(472) 내에는 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 첨가제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 다른 예로서, 상기 절연층(472)은 그라핀과 같은 재질을 실리콘 또는 에폭시와 같은 절연 물질 내에 첨가하여 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The insulating layer 472 insulates between the metal layer 471 and the circuit layer. The insulating layer may include at least one of resin materials such as epoxy, silicone, glass fiber, prepreg, polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), and polyamide9T (PA9T). . In addition, an additive such as metal oxide, for example, TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 may be added to the insulating layer 472 , but is not limited thereto. As another example, the insulating layer 472 may be used by adding a material such as graphene to an insulating material such as silicon or epoxy, but is not limited thereto.

상기 절연층(472)은 상기 금속층(471)이 양극 산화(anodizing) 과정에 의해 형성된 아노다이징(anodizing)된 영역일 수 있다. 여기서, 상기 금속층(471)은 알루미늄 재질이고, 상기 아노다이징된 영역은 Al2O3와 같은 재질로 배치될 수 있다.
The insulating layer 472 may be an anodized region formed by an anodizing process of the metal layer 471 . Here, the metal layer 471 may be made of aluminum, and the anodized region may be made of a material such as Al 2 O 3 .

상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)은 발광 칩(100A)의 제1 및 제2연결 전극(141,143)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2리드 전극(473,474)과 상기 발광 칩(100A)의 연결 전극(141,143) 사이에는 전도성 접착제(461,462)가 배치될 수 있다. 상기 전도성 접착제(461,462)는 솔더 재질과 같은 금속 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1리드 전극(473) 및 제2리드 전극(474)은 회로 패턴으로서, 전원을 공급해 주게 된다.The first and second lead electrodes 473 and 474 are electrically connected to the first and second connection electrodes 141 and 143 of the light emitting chip 100A. Conductive adhesives 461 and 462 may be disposed between the first and second lead electrodes 473 and 474 and the connection electrodes 141 and 143 of the light emitting chip 100A. The conductive adhesives 461 and 462 may include a metal material such as a solder material. The first lead electrode 473 and the second lead electrode 474 are circuit patterns and supply power.

상기 보호층(475)은 상기 회로층 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(475)은 반사 재질을 포함하며, 예컨대 레지스트 재질 예컨대, 백색의 레지스트 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(475)은 반사층으로 기능할 수 있으며, 예컨대 흡수율보다 반사율이 더 높은 재질로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 보호층(475)은 광을 흡수하는 재질로 배치될 수 있으며, 상기 광 흡수 재질은 흑색 레지스트 재질을 포함할 수 있다.
The protective layer 475 may be disposed on the circuit layer. The protective layer 475 includes a reflective material and may be formed of, for example, a resist material, for example, a white resist material, but is not limited thereto. The protective layer 475 may function as a reflective layer, and may be formed of, for example, a material having higher reflectance than absorbance. As another example, the protective layer 475 may be formed of a material that absorbs light, and the light absorbing material may include a black resist material.

도 62를 참조하여 발광 소자의 제2예를 설명하기로 한다. A second example of a light emitting element will be described with reference to FIG. 62 .

도 62를 참조하면, 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(100B)과 상기 발광 칩(100B) 상에 배치된 형광체층(150)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(150)은 청색, 녹색, 황색, 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수를 포함하며, 단층 또는 다층으로 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 투광성 수지 재료 내에 형광체가 첨가된다. 상기 투광성 수지 재료는 실리콘 또는 에폭시와 같은 물질을 포함하며, 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 62 , the light emitting device 100 includes a light emitting chip 100B. The light emitting device 100 may include a light emitting chip 100B and a phosphor layer 150 disposed on the light emitting chip 100B. The phosphor layer 150 includes at least one or a plurality of blue, green, yellow, and red phosphors, and may be disposed in a single layer or multiple layers. The phosphor layer 150 is a light-transmitting resin material in which a phosphor is added. The light-transmissive resin material includes a material such as silicon or epoxy, and the phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.

상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 상면에 배치되거나, 상기 발광 칩(100B)의 상면 및 측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층(150)은 상기 발광 칩(100B)의 표면 중에서 광이 방출되는 영역 상에 배치되어, 광의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.The phosphor layer 150 may be disposed on the upper surface of the light emitting chip 100B or may be disposed on the upper surface and side surface of the light emitting chip 100B. The phosphor layer 150 is disposed on an area where light is emitted from the surface of the light emitting chip 100B, and can convert a wavelength of light.

상기 발광 칩(100B)은 기판(111), 제1반도체층(113), 발광 구조물(120), 전극층(131), 절연층(133), 제1전극(135), 제2전극(137), 제1연결 전극(141), 제2연결 전극(143), 및 지지층(140)을 포함할 수 있다. 상기 기판(111) 및 제2반도체층(113)은 제거될 수 있다.The light emitting chip 100B includes a substrate 111, a first semiconductor layer 113, a light emitting structure 120, an electrode layer 131, an insulating layer 133, a first electrode 135, and a second electrode 137. , a first connection electrode 141, a second connection electrode 143, and a support layer 140 may be included. The substrate 111 and the second semiconductor layer 113 may be removed.

발광 소자(100)의 발광 칩(100B)과 회로 기판(400)은 연결 전극(161,162)으로 연결될 수 있으며, 상기 연결 전극(161,162)은 전도성 펌프 즉, 솔더 범프를 포함할 수 있다. 상기 전도성 펌프는 각 전극(135,137) 아래에 하나 또는 복수로 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(133)은 제1 및 제2전극(135,137)을 노출시켜 줄 수 있으며, 상기 제1 및 제2전극(135,137)은 연결 전극(161,162)와 전기적으로 연결될 수 있다.
The light emitting chip 100B of the light emitting device 100 and the circuit board 400 may be connected through connection electrodes 161 and 162, and the connection electrodes 161 and 162 may include a conductive pump, that is, a solder bump. One or a plurality of the conductive pumps may be arranged under each of the electrodes 135 and 137, but is not limited thereto. The insulating layer 133 may expose the first and second electrodes 135 and 137, and the first and second electrodes 135 and 137 may be electrically connected to the connection electrodes 161 and 162.

도 63을 참조하여, 발광 소자의 제3예를 설명하기로 한다.Referring to Fig. 63, a third example of a light emitting element will be described.

도 63을 참조하면, 발광 소자(100)는 회로 기판(400)에 연결된 발광 칩(200A)을 포함한다. 상기 발광 소자(100)는 발광 칩(200A)의 표면에 배치된 형광체층(250)을 포함할 수 있다. 상기 형광체층(250)은 입사되는 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 발광 소자(100) 상에는 도 4와 같이 광학 렌즈(도 4의 300)가 배치되어 상기 발광 칩(200A)으로부터 방출된 광의 지향 특성을 조절하게 된다.Referring to FIG. 63 , the light emitting device 100 includes a light emitting chip 200A connected to a circuit board 400 . The light emitting device 100 may include a phosphor layer 250 disposed on the surface of the light emitting chip 200A. The phosphor layer 250 converts the wavelength of incident light. As shown in FIG. 4 , an optical lens ( 300 in FIG. 4 ) is disposed on the light emitting element 100 to adjust the directing characteristics of the light emitted from the light emitting chip 200A.

상기 발광 칩(200A)은 발광 구조물(225), 및 복수의 패드(245,247)를 포함한다. 상기 발광 구조물(225)은 II족 내지 VI족 원소의 화합물 반도체층 예컨대, III족-V족 원소의 화합물 반도체층 또는 II족-VI족 원소의 화합물 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 복수의 패드(245,247)는 상기 발광 구조물(225)의 반도체층에 선택적으로 연결되며, 전원을 공급하게 된다.The light emitting chip 200A includes a light emitting structure 225 and a plurality of pads 245 and 247 . The light emitting structure 225 may be formed of a compound semiconductor layer of a group II to VI element, for example, a compound semiconductor layer of a group III-V element or a compound semiconductor layer of a group II-VI element. The plurality of pads 245 and 247 are selectively connected to the semiconductor layer of the light emitting structure 225 and supply power.

상기 발광 구조물(225)은 제1도전형 반도체층(222), 활성층(223) 및 제2도전형 반도체층(224)을 포함한다. 상기 발광 칩(200A)은 기판(221)을 포함할 수 있다. 상기 기판(221)은 상기 발광 구조물(225) 위에 배치된다. 상기 기판(221)은 예컨대, 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있다. 이러한 구성은 도 4의 발광 구조물 및 기판에 대한 설명을 참조하기로 한다. The light emitting structure 225 includes a first conductive semiconductor layer 222 , an active layer 223 and a second conductive semiconductor layer 224 . The light emitting chip 200A may include a substrate 221 . The substrate 221 is disposed on the light emitting structure 225 . The substrate 221 may be, for example, a light transmitting or insulating substrate or a conductive substrate. This configuration will refer to the description of the light emitting structure and the substrate of FIG. 4 .

상기 발광 칩(200A)은 하부에 패드(245,247)가 배치되며, 상기 패드(245,247)는 제1 및 제2패드(245,247)를 포함한다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 아래에 서로 이격되어 배치된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제1도전형 반도체층(222)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(247)는 제2도전형 반도체층(224)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)은 바닥 형상이 다각형 또는 원 형상이거나, 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)의 형상과 대응되도록 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(245,247) 각각의 하면 면적은 예컨대, 제1 및 제2리드 전극(415,417) 각각의 상면 크기와 대응되는 크기로 형성될 수 있다.Pads 245 and 247 are disposed below the light emitting chip 200A, and the pads 245 and 247 include first and second pads 245 and 247 . The first and second pads 245 and 247 are disposed to be spaced apart from each other under the light emitting chip 200A. The first pad 245 is electrically connected to the first conductive semiconductor layer 222 , and the second pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224 . The first and second pads 245 and 247 may have polygonal or circular bottom shapes, or may be formed to correspond to the shapes of the first and second lead electrodes 415 and 417 of the circuit board 400 . The area of the lower surface of each of the first and second pads 245 and 247 may be formed to correspond to the size of the upper surface of each of the first and second lead electrodes 415 and 417, for example.

상기 발광 칩(200A)은 상기 기판(221)과 상기 발광 구조물(225) 사이에 버퍼층(미도시) 및 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 기판(221)과 반도체층과의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, II족 내지 VI족 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 아래에는 언도핑된 III족-V족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(221)은 제거될 수 있다. 상기 기판(221)이 제거된 경우 형광체층(250)은 상기 제1도전형 반도체층(222)의 상면이나 다른 반도체층의 상면에 접촉될 수 있다.The light emitting chip 200A may include at least one of a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) between the substrate 221 and the light emitting structure 225 . The buffer layer is a layer for mitigating a difference in lattice constant between the substrate 221 and the semiconductor layer, and may be selectively formed from group II to group VI compound semiconductors. An undoped group III-V compound semiconductor layer may be further formed under the buffer layer, but is not limited thereto. The substrate 221 may be removed. When the substrate 221 is removed, the phosphor layer 250 may contact the top surface of the first conductive type semiconductor layer 222 or another semiconductor layer.

상기 발광 칩(200A)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242) 각각은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 상기 발광 구조물(225)의 아래에 배치된 제1전극층(241); 및 상기 제1전극층(241) 아래에 배치된 제2전극층(242)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 전류를 확산시켜 주게 되며, 상기 제2전극층(241)은 입사되는 광을 반사하게 된다.The light emitting chip 200A includes first and second electrode layers 241 and 242 , a third electrode layer 243 , and insulating layers 231 and 233 . Each of the first and second electrode layers 241 and 242 may be formed as a single layer or multiple layers, and may function as a current diffusion layer. The first and second electrode layers 241 and 242 include a first electrode layer 241 disposed under the light emitting structure 225; and a second electrode layer 242 disposed under the first electrode layer 241 . The first electrode layer 241 diffuses current, and the second electrode layer 241 reflects incident light.

상기 제1 및 제2전극층(241,242)은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(241)은 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층은 예컨대 ITO(indium tin oxide), ITON(ITO nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)의 하면과 접촉되며 반사 전극층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(242)은 금속 예컨대, Ag, Au 또는 Al를 포함한다. 상기 제2전극층(242)은 상기 제1전극층(241)이 일부 영역이 제거된 경우, 상기 발광 구조물(225)의 하면에 부분적으로 접촉될 수 있다. The first and second electrode layers 241 and 242 may be formed of different materials. The first electrode layer 241 may be formed of a light-transmitting material, for example, metal oxide or metal nitride. The first electrode layer may be, for example, ITO (indium tin oxide), ITON (ITO nitride), IZO (indium zinc oxide), IZON (IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO ( It may be selectively formed from indium gallium zinc oxide), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), and gallium zinc oxide (GZO). The second electrode layer 242 may contact the lower surface of the first electrode layer 241 and function as a reflective electrode layer. The second electrode layer 242 includes a metal such as Ag, Au or Al. The second electrode layer 242 may partially contact the lower surface of the light emitting structure 225 when a portion of the first electrode layer 241 is removed.

다른 예로서, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)의 구조는 무지향성 반사(ODR: Omni Directional Reflector layer) 구조로 적층될 수 있다. 상기 무지향성 반사 구조는 낮은 굴절률을 갖는 제1전극층(241)과, 상기 제1전극층(241)과 접촉된 고 반사 재질의 금속 재질인 제2전극층(242)의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 전극층(241,242)은, 예컨대, ITO/Ag의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이러한 상기 제1전극층(241)과 제2전극층(242) 사이의 계면에서 전 방위 반사각을 개선시켜 줄 수 있다. As another example, the structure of the first and second electrode layers 241 and 242 may be stacked in an omni-directional reflector layer (ODR) structure. The non-directional reflective structure may be formed as a laminated structure of a first electrode layer 241 having a low refractive index and a second electrode layer 242 made of a highly reflective metal material contacting the first electrode layer 241 . The electrode layers 241 and 242 may have, for example, a stacked structure of ITO/Ag. An all-directional reflection angle at the interface between the first electrode layer 241 and the second electrode layer 242 may be improved.

다른 예로서, 상기 제2전극층(242)은 제거될 수 있으며, 다른 재질의 반사층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층은 분산형 브래그 반사(distributed bragg reflector: DBR) 구조로 형성될 수 있으며, 상기 분산형 브래그 반사 구조는 서로 다른 굴절률을 갖는 두 유전체층이 교대로 배치된 구조를 포함하며, 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 서로 다른 어느 하나를 각각 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전극층(241,242)은 분산형 브래그 반사 구조와 무지향성 반사 구조를 모두 포함할 수 있으며, 이 경우 98% 이상의 광 반사율을 갖는 발광 칩(200A)을 제공할 수 있다. 상기 플립 방식으로 탑재된 발광 칩(200A)은 상기 제2전극층(242)로부터 반사된 광이 기판(221)을 통해 방출하게 되므로, 수직 상 방향으로 대부분의 광을 방출할 수 있다. 또한 상기 발광 칩(200A)의 측면으로 방출된 광은 반사 시트(600)에 의해 광학 렌즈의 입사면 영역으로 반사될 수 있다. As another example, the second electrode layer 242 may be removed and may be formed of a reflective layer made of a different material. The reflective layer may be formed of a distributed bragg reflector (DBR) structure, and the distributed bragg reflector structure includes a structure in which two dielectric layers having different refractive indices are alternately disposed, for example, a SiO 2 layer. , a Si 3 N 4 layer, a TiO 2 layer, an Al 2 O 3 layer, and a different MgO layer, respectively. As another example, the electrode layers 241 and 242 may include both a distributed Bragg reflection structure and a non-directional reflection structure, and in this case, the light emitting chip 200A having a light reflectance of 98% or more may be provided. Since light reflected from the second electrode layer 242 is emitted through the substrate 221 in the light emitting chip 200A mounted in the flipped manner, most of the light can be emitted in a vertical upward direction. In addition, the light emitted to the side of the light emitting chip 200A may be reflected to the incident surface area of the optical lens by the reflective sheet 600 .

상기 제3전극층(243)은 상기 제2전극층(242)의 아래에 배치되며, 상기 제1 및 제2전극층(241,242)과 전기적으로 절연된다. 상기 제3전극층(243)은 금속 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(243) 아래에는 제1패드(245) 및 제2패드(247)가 배치된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2전극층(241,242), 제3전극층(243), 제1 및 제2패드(245,247), 발광 구조물(225)의 층 간의 불필요한 접촉을 차단하게 된다. 상기 절연층(231,233)은 제1 및 제2절연층(231,233)을 포함한다. 상기 제1절연층(231)은 상기 제3전극층(243)과 제2전극층(242) 사이에 배치된다. 상기 제2절연층(233)은 상기 제3전극층(243)과 제1/2패드(245,247) 사이에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 제1 및 제2리드 전극(415,417)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The third electrode layer 243 is disposed under the second electrode layer 242 and is electrically insulated from the first and second electrode layers 241 and 242 . The third electrode layer 243 is a metal such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn) ), silver (Ag), and phosphorus (P). A first pad 245 and a second pad 247 are disposed below the third electrode layer 243 . The insulating layers 231 and 233 block unnecessary contact between the first and second electrode layers 241 and 242, the third electrode layer 243, the first and second pads 245 and 247, and the layers of the light emitting structure 225. The insulating layers 231 and 233 include first and second insulating layers 231 and 233 . The first insulating layer 231 is disposed between the third electrode layer 243 and the second electrode layer 242 . The second insulating layer 233 is disposed between the third electrode layer 243 and the 1/2 pads 245 and 247 . The first and second pads 245 and 247 may include the same material as the first and second lead electrodes 415 and 417 .

상기 제3전극층(243)은 상기 제1도전형 반도체층(222)과 연결된다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)는 상기 제1, 2전극층(241, 242) 및 발광 구조물(225)의 하부를 통해 비아 구조로 돌출되며 제1도전형 반도체층(222)과 접촉된다. 상기 연결부(244)는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(243)의 연결부(244)의 둘레에는 상기 제1절연층(231)의 일부(232)가 연장되어 제3전극층(243과 상기 제1 및 제2전극층(241,242), 제2도전형 반도체층(224) 및 활성층(223) 간의 전기적인 연결을 차단한다. 상기 발광 구조물(225)의 측면에는 측면 보호를 위해 절연 층이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The third electrode layer 243 is connected to the first conductive type semiconductor layer 222 . The connection part 244 of the third electrode layer 243 protrudes as a via structure through the lower part of the first and second electrode layers 241 and 242 and the light emitting structure 225 and contacts the first conductive type semiconductor layer 222. do. The connection part 244 may be disposed in plurality. A portion 232 of the first insulating layer 231 extends around the connection portion 244 of the third electrode layer 243 to form the third electrode layer 243 and the first and second electrode layers 241 and 242, the second It blocks electrical connection between the conductive semiconductor layer 224 and the active layer 223. An insulating layer may be disposed on the side of the light emitting structure 225 to protect the side, but is not limited thereto.

상기 제2패드(247)는 상기 제2절연층(233) 아래에 배치되고 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제1 및 제2전극층(241, 242) 중 적어도 하나와 접촉되거나 연결된다. 상기 제1패드(245)는 상기 제2절연층(233)의 아래에 배치되며 상기 제2절연층(233)의 오픈 영역을 통해 상기 제3전극층(243)과 연결된다. 이에 따라 상기 제1패드(247)의 돌기(248)는 제1,2전극층(241,242)을 통해 제2도전형 반도체층(224)에 전기적으로 연결되며, 제2패드(245)의 돌기(246)는 제3전극층(243)을 통해 제1도전형 반도체층(222)에 전기적으로 연결된다. The second pad 247 is disposed under the second insulating layer 233 and contacts at least one of the first and second electrode layers 241 and 242 through an open area of the second insulating layer 233. become or connect The first pad 245 is disposed under the second insulating layer 233 and is connected to the third electrode layer 243 through an open area of the second insulating layer 233 . Accordingly, the protrusion 248 of the first pad 247 is electrically connected to the second conductive semiconductor layer 224 through the first and second electrode layers 241 and 242, and the protrusion 246 of the second pad 245 ) is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 222 through the third electrode layer 243 .

상기 제1 및 제2패드(245,247)는 상기 발광 칩(200A)의 하부에 서로 이격되며, 상기 회로 기판(400)의 제1 및 제2리드 전극(415,417)와 대면하게 된다. 상기 제1 및 제2패드(245,247)에는 다각형 형상의 리세스(271,273)를 포함할 수 있으며, 상기 리세스(271,273)는 상기 발광 구조물(225)의 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스(271,273)는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 두께와 같거나 작은 깊이를 갖고 형성될 수 있으며, 이러한 리세스(271,273)의 깊이는 상기 제1 및 제2패드(245,247)의 표면적을 증가시켜 줄 수 있다. The first and second pads 245 and 247 are spaced apart from each other below the light emitting chip 200A and face the first and second lead electrodes 415 and 417 of the circuit board 400 . The first and second pads 245 and 247 may include polygonal recesses 271 and 273 , and the recesses 271 and 273 are convexly formed in the direction of the light emitting structure 225 . The recesses 271 and 273 may have a depth equal to or smaller than the thickness of the first and second pads 245 and 247, and the depth of the recesses 271 and 273 is equal to or less than that of the first and second pads 245 and 247. can increase the surface area of

상기 제1패드(245) 및 제1리드 전극(415) 사이의 영역 및 상기 제2패드(247) 및 제2리드 전극(417) 사이의 영역에는 접합 부재(255,257)가 배치된다. 상기 접합 부재(255,257)는 전기 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 일부는 상기 리세스(271,273)에 배치된다. 상기 제1 및 제2패드(215,217)는 상기 접합 부재(255,257)가 리세스(271,273)에 배치되므로, 상기 접합 부재(255,257)와 제1 및 제2패드(245,247) 간의 접착 면적은 증가될 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2패드(245,247)와 제1 및 제2리드 전극(415,417)가 접합되므로 발광 칩(200A)의 전기적인 신뢰성 및 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Bonding members 255 and 257 are disposed in a region between the first pad 245 and the first lead electrode 415 and in a region between the second pad 247 and the second lead electrode 417 . The bonding members 255 and 257 may include an electrically conductive material, and some of them are disposed in the recesses 271 and 273 . Since the bonding members 255 and 257 of the first and second pads 215 and 217 are disposed in the recesses 271 and 273, the bonding area between the bonding members 255 and 257 and the first and second pads 245 and 247 may be increased. there is. Accordingly, since the first and second pads 245 and 247 and the first and second lead electrodes 415 and 417 are bonded, electrical reliability and heat dissipation efficiency of the light emitting chip 200A can be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 솔더 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 솔더 페이스트 재질은 금(Au), 주석(Sn), 납(Pb), 구리(Cu), 비스무트(Bi), 인듐(In), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 접합 부재(255,257)는 열 전달을 회로 기판(400)에 직접 전도하기 때문에 열 전도 효율이 패키지를 이용한 구조보다는 개선될 수 있다. 또한 상기 접합 부재(255,257)는 발광 칩(200A)의 제1 및 제2패드(245,247)와의 열 팽창계수의 차이가 적은 물질이므로, 열 전도 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The bonding members 255 and 257 may include a solder paste material. The solder paste material includes at least one of gold (Au), tin (Sn), lead (Pb), copper (Cu), bismuth (Bi), indium (In), and silver (Ag). Since the bonding members 255 and 257 directly conduct heat transfer to the circuit board 400 , heat conduction efficiency may be improved compared to a structure using a package. In addition, since the bonding members 255 and 257 are materials having a small difference in coefficient of thermal expansion from the first and second pads 245 and 247 of the light emitting chip 200A, heat conduction efficiency can be improved.

상기 접합 부재(255,257)는 다른 예로서, 전도성 필름을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 필름은 절연성 필름 내에 하나 이상의 도전성 입자를 포함한다. 상기 도전성 입자는 예컨대, 금속이나, 금속 합금, 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전성 입자는 니켈, 은, 금, 알루미늄, 크롬, 구리 및 탄소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 필름은 이방성(Anisotropic) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제를 포함할 수 있다. As another example, the bonding members 255 and 257 may include a conductive film, and the conductive film includes one or more conductive particles in an insulating film. The conductive particles may include, for example, at least one of metal, metal alloy, and carbon. The conductive particle may include at least one of nickel, silver, gold, aluminum, chromium, copper, and carbon. The conductive film may include an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive.

상기 발광 칩(200A)과 상기 회로 기판(400) 사이에는 접착 부재 예컨대, 열전도성 필름을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부티렌테레프탈레이드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부티렌나프탈레이트 등의 폴리에스터 수지; 폴리이미드 수지; 아크릴 수지; 폴리스티렌 및 아크릴로니트릴-스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리카보네이트 수지; 폴리락트산 수지; 폴리우레탄 수지; 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체와 같은 폴리올레핀 수지; 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐리덴클로라이드 등의 비닐 수지; 폴리아미드 수지; 설폰계 수지; 폴리에테르-에테르케톤계 수지; 알릴레이트계 수지; 또는 상기 수지들의 블렌드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. An adhesive member, for example, a thermal conductive film may be included between the light emitting chip 200A and the circuit board 400 . The thermally conductive film may be a polyester resin such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or polybutyrene naphthalate; polyimide resin; acrylic resin; styrenic resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene; polycarbonate resin; polylactic acid resin; polyurethane resin; etc. can be used. Further, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, and ethylene-propylene copolymers; vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride; polyamide resin; sulfone-based resins; polyether-ether ketone resins; allylate-based resins; or at least one of blends of the above resins.

상기 발광 칩(200A)은 회로 기판(400)의 표면 및 발광 구조물(225)의 측면 및 상면을 통해 광을 방출함으로써, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 회로 기판(400) 상에 발광 칩(200A)을 직접 본딩할 수 있어 공정이 간소화될 수 있다. 또한 발광 칩(200A)의 방열이 개선됨으로써, 조명 분야 등에 유용하게 활용될 수 있다.
The light emitting chip 200A may improve light extraction efficiency by emitting light through the surface of the circuit board 400 and the side and top surfaces of the light emitting structure 225 . Since the light emitting chip 200A can be directly bonded on the circuit board 400, the process can be simplified. In addition, since the heat dissipation of the light emitting chip 200A is improved, it can be usefully utilized in the lighting field.

도 64은 실시 예에 따른 광학 렌즈 및 이를 구비한 발광 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 측 단면도이다.64 is a side cross-sectional view illustrating a display device having an optical lens and a light emitting module including the optical lens according to an embodiment.

도 64를 참조하면, 표시 장치(500)는 바텀 커버(510) 상에 발광 모듈(301)이 배치되며, 상기 발광 모듈(301) 상에 광학 시트(514) 및 표시 패널(515)을 포함한다. Referring to FIG. 64 , the display device 500 includes a light emitting module 301 disposed on a bottom cover 510, and an optical sheet 514 and a display panel 515 on the light emitting module 301. .

상기 바텀 커버(510)는 방열을 위한 금속 또는 열 전도성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 바텀 커버(510)는 수납부(560)을 구비하며, 상기 수납부(560)의 둘레에는 측면 커버를 구비할 수 있다. The bottom cover 510 may include a metal or thermally conductive resin material for heat dissipation. The bottom cover 510 includes an accommodating part 560, and a side cover may be provided around the accommodating part 560.

상기 발광 모듈(301)은 상기 바텀 커버(510) 상에 하나 또는 복수의 열로 배치될 수 있다. 상기 발광 모듈(301)은 발광 소자(100)에 의해 백색의 광이 방출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module 301 may be disposed on the bottom cover 510 in one or a plurality of columns. The light emitting module 301 may emit white light by the light emitting device 100, but is not limited thereto.

상기 발광 모듈(301)은 발광 소자(100), 각 발광 소자(100) 상에 광학 렌즈(300), 복수의 발광 소자(100)이 탑재된 회로 기판(400)을 포함한다. 상기 회로 기판(400)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있으며, 예컨대 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting module 301 includes a light emitting device 100, an optical lens 300 on each light emitting device 100, and a circuit board 400 on which the plurality of light emitting devices 100 are mounted. The circuit board 400 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown), for example, a resin PCB, a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB ( FPCB, flexible PCB), etc., but is not limited thereto.

상기 회로기판(400) 상에는 반사 시트(517)가 배치되며, 상기 반사 시트(517)은 오프 영역(518)을 포함하며, 상기 오픈 영역(518)에는 광학 렌즈(300)가 결합된다. 상기 반사 시트(517)의 오픈 영역(518)을 통해 광학 렌즈(300)가 돌출됨으로써, 광학 렌즈(300)의 방출된 광은 광학 시트(514)를 투과하거나 반사되고, 그 반사된 광은 상기 반사 시트(517)에 의해 재 반사될 수 있다. 이에 따라 백라이트유 유닛(510)의 휘도 분포의 균일도는 개선될 수 있다. A reflective sheet 517 is disposed on the circuit board 400 , the reflective sheet 517 includes an off area 518 , and an optical lens 300 is coupled to the open area 518 . As the optical lens 300 protrudes through the open area 518 of the reflective sheet 517, the emitted light of the optical lens 300 is transmitted or reflected through the optical sheet 514, and the reflected light is It can be reflected again by the reflective sheet 517 . Accordingly, the uniformity of the luminance distribution of the backlight unit 510 may be improved.

상기 반사 시트(517)은 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective sheet 517 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 광학 시트는(514)는 분산된 광을 모으는 프리즘 시트들, 휘도강화시트 및 광을 다시 확산시키는 확산 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(514)와 발광 모듈(301) 사이의 영역에는 도광층(미도시)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 514 may include at least one of prism sheets that collect scattered light, a luminance enhancing sheet, and a diffusion sheet that diffuses the light again. A light guide layer (not shown) may be disposed in a region between the optical sheet 514 and the light emitting module 301, but is not limited thereto.

상기 광학 시트(514) 상에는 표시 패널(515)이 배치될 수 있다. 상기 표시 패널(515)은 입사되는 광에 의해 영상을 표시할 수 있다. 상기 표시 패널(515)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(515)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(515)은 광학 시트(514)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(500)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. A display panel 515 may be disposed on the optical sheet 514 . The display panel 515 may display an image by incident light. The display panel 515 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates made of a transparent material facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 515, but the structure for attaching the polarizing plate is not limited thereto. The display panel 515 displays information by light passing through the optical sheet 514 . The display device 500 may be applied to various types of portable terminals, laptop computer monitors, laptop computer monitors, televisions, and the like.

실시예에 따른 발광 모듈 또는 광원 모듈은 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 하나 또는 복수의 발광 모듈을 갖는 구조를 포함하며, 3차원 디스플레이, 각종 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
A light emitting module or light source module according to an embodiment may be applied to a light unit. The light unit includes a structure having one or a plurality of light emitting modules, and may include a 3D display, various lighting lights, traffic lights, vehicle headlights, electronic signboards, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and variations should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
In addition, although the above has been described with a focus on the embodiments, these are only examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs can exemplify the above to the extent that does not deviate from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various variations and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

100: 발광 소자 100A, 110B, 200A: 발광 칩
301: 발광 모듈 150,250: 형광체층
300: 광학 렌즈 315: 리세스
320: 입사면 310: 바닥면
330: 제1광 출사면 335: 제2광 출사면
350: 지지 돌기 360: 측면 돌출부
400: 회로 기판 514: 광학 시트
517: 반사 시트
100: light emitting element 100A, 110B, 200A: light emitting chip
301: light emitting module 150,250: phosphor layer
300: optical lens 315: recess
320: entrance surface 310: bottom surface
330: first light exit surface 335: second light exit surface
350: support protrusion 360: side protrusion
400: circuit board 514: optical sheet
517: reflective sheet

Claims (12)

바닥면;
상기 바닥면의 센터 영역에 상 방향으로 볼록한 리세스;
상기 리세스의 둘레에 입사면;
상기 바닥면 및 입사면의 반대측에 배치되며 상기 리세스에 대응되는 센터 영역이 볼록한 곡면을 갖는 제1광 출사면; 및
상기 제1광 출사면과 상기 바닥면 사이에 수직 방향으로 연결된 제2광 출사면을 포함하며,
상기 바닥면은 상기 리세스의 둘레에 제1에지 및 상기 제2광 출사면의 하부에 제2에지를 포함하며,
상기 바닥면의 제1에지와 제2에지를 연결한 직선은 상기 제1에지를 지나는 수평한 축에 대해 경사지며,
상기 바닥면의 제1에지는 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치되며,
상기 입사면의 하부 영역은 상기 제2에지를 지나는 수평한 직선보다 아래에 배치되고,
상기 입사면으로 입사되는 제1광의 입사 각도는 제1각도이고,
상기 제1광 출사면으로 방출된 상기 제1광의 방출 각도는 제2각도이며,
상기 입사면으로 입사되는 제2광의 입사 각도는 제3각도이고,
상기 제2광 출사면으로 출사된 상기 제2광의 방출 각도는 제4각도이며,
상기 제2각도는 상기 제1각도보다 크고,
상기 제4각도는 상기 제3각도보다 작고,
상기 바닥면과 상기 제2광 출사면은 요철면을 포함하고,
상기 요철면은 헤이즈(Haze)면 또는 산란 입자가 형성된 면인, 광학 렌즈.
bottom side;
a recess convex upward in a center region of the bottom surface;
an incident surface around the recess;
a first light exit surface disposed opposite to the bottom surface and the incident surface and having a curved surface in which a center region corresponding to the recess is convex; and
A second light exit surface connected in a vertical direction between the first light exit surface and the bottom surface;
The bottom surface includes a first edge around the recess and a second edge below the second light exit surface,
A straight line connecting the first edge and the second edge of the bottom surface is inclined with respect to a horizontal axis passing through the first edge,
The first edge of the bottom surface is disposed below a horizontal straight line passing through the second edge,
A lower region of the incident surface is disposed below a horizontal straight line passing through the second edge,
The incident angle of the first light incident to the incident surface is a first angle,
An emission angle of the first light emitted to the first light exit surface is a second angle,
The incident angle of the second light incident on the incident surface is a third angle,
An emission angle of the second light emitted to the second light exit surface is a fourth angle,
The second angle is greater than the first angle,
The fourth angle is smaller than the third angle,
The bottom surface and the second light exit surface include concave-convex surfaces,
The uneven surface is a haze surface or a surface on which scattering particles are formed, an optical lens.
제1항에 있어서,
상기 제1광 출사면의 센터 영역은 상기 리세스의 바닥 중심을 기준으로 중심 축으로부터 20도 이내의 영역에 배치되는 광학 렌즈.
According to claim 1,
The optical lens of claim 1 , wherein a center region of the first light exit surface is disposed within 20 degrees from a center axis of the bottom of the recess.
제1항에 있어서,
상기 바닥면은 곡면을 포함하는 광학 렌즈.
According to claim 1,
The bottom surface of the optical lens comprising a curved surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2광 출사면은 바닥 중심에 수평한 제1축에 대해 수직한 면 또는 경사진 면을 포함하는 광학 렌즈.
According to any one of claims 1 to 3,
The second light exit surface includes a surface perpendicular to the first axis horizontal to the bottom center or an inclined surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바닥면에 바닥 중심으로부터 동일한 간격을 갖는 복수의 지지 돌기를 포함하는 광학 렌즈.
According to any one of claims 1 to 3,
An optical lens comprising a plurality of support protrusions having the same distance from the center of the bottom on the bottom surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2광 출사면의 일부에 상기 제2광 출사면보다 외측으로 돌출된 측면 돌출부를 포함하는 광학 렌즈.
According to any one of claims 1 to 3,
An optical lens comprising a side protrusion protruding outward from the second light exit surface on a part of the second light exit surface.
제6항에 있어서,
상기 제2광 출사면은 상기 제1광 출사면의 하부 에지보다 외부 또는 내부에 배치되는 광학 렌즈.
According to claim 6,
The second light exit surface is disposed outside or inside a lower edge of the first light exit surface.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 리세스의 깊이는 상기 리세스의 바닥 너비보다 크고, 상기 제2광 출사면의 너비의 2배 이상인 광학 렌즈.
According to any one of claims 1 to 3,
The optical lens of claim 1 , wherein a depth of the recess is greater than a width of a bottom of the recess and is twice or more a width of the second light exit surface.
제8항에 있어서,
상기 리세스의 깊이는 상기 광학 렌즈의 두께의 80% 이상으로 배치되며,
상기 입사면의 제1정점과 상기 제1광 출사면의 제2정점 사이의 거리는 상기 제2광 출사면의 너비의 1/2 이하인 광학 렌즈.
According to claim 8,
The depth of the recess is arranged to be 80% or more of the thickness of the optical lens,
The optical lens of claim 1, wherein a distance between a first vertex of the incident surface and a second vertex of the first light exit surface is equal to or less than 1/2 of a width of the second light exit surface.
제9항에 있어서,
상기 바닥면의 제1에지 및 제2에지를 연결한 직선이 이루는 각도는 상기 입사면의 제1정점을 기준으로 중심 축과 제1에지 사이의 각도의 1/5 이하인 광학 렌즈.
According to claim 9,
An angle formed by a straight line connecting the first edge and the second edge of the bottom surface is less than 1/5 of an angle between the central axis and the first edge based on the first vertex of the incident surface.
상면 및 복수의 측면을 통해 광을 방출하는 발광 소자;
상기 발광 소자 상에 배치된 광학 렌즈; 및
상기 광학 렌즈 아래에 배치된 회로 기판을 포함하며,
상기 광학 렌즈는, 제1항 내지 제3항 중 어느 하나를 포함하며,
상기 발광 소자는 상기 광학 렌즈의 리세스 내에 배치되는 발광 모듈.
a light emitting element that emits light through an upper surface and a plurality of side surfaces;
an optical lens disposed on the light emitting element; and
a circuit board disposed under the optical lens;
The optical lens includes any one of claims 1 to 3,
The light emitting module is disposed in a recess of the optical lens.
제11항에 있어서,
상기 발광 소자로부터 방출된 광 중에서 상기 광학 렌즈의 입사면을 통해 상기 제1광 출사면의 센터 영역으로 방출되는 광은 중심축에 대해 10도 이하로 방출된 광을 포함하는 발광 모듈.
According to claim 11,
Among the lights emitted from the light emitting element, the light emitted to the center region of the first light exit surface through the incident surface of the optical lens includes light emitted at 10 degrees or less with respect to a central axis.
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