KR102536110B1 - Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method - Google Patents
Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method Download PDFInfo
- Publication number
- KR102536110B1 KR102536110B1 KR1020210097918A KR20210097918A KR102536110B1 KR 102536110 B1 KR102536110 B1 KR 102536110B1 KR 1020210097918 A KR1020210097918 A KR 1020210097918A KR 20210097918 A KR20210097918 A KR 20210097918A KR 102536110 B1 KR102536110 B1 KR 102536110B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nanostructure
- layer
- forming
- lift
- angle deposition
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 216
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 180
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 104
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 54
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 21
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 16
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- -1 pentafluorosulfanyl Chemical group 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001786 chalcogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/34—Irradiation by, or application of, electric, magnetic or wave energy, e.g. ultrasonic waves ; Ionic sputtering; Flame or plasma spraying; Particle radiation
- B01J37/348—Electrochemical processes, e.g. electrochemical deposition or anodisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/002—Catalysts characterised by their physical properties
- B01J35/004—Photocatalysts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/02—Solids
- B01J35/04—Foraminous structures, sieves, grids, honeycombs
-
- B01J35/39—
-
- B01J35/56—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/12—Oxidising
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/16—Reducing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
Abstract
본 발명은 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조물을 형성한 후, 형성된 구조물에 경사각 증착법으로 나노 구조체의 형성 물질을 경사각 증착하여 다양한 모양 및 구조의 나노 구조체를 형성하고, 동일한 형성 방법을 이용하여 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성하는 기술에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따르면 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층을 형성하는 단계, 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성하는 단계, 상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계, 상기 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계 및 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 상기 형성된 패턴층을 제거하고, 상기 형성된 나노 구조체 물질층을 나노 구조체로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the present invention, after forming a structure having a shadow effect on its own, depositing a material for forming a nanostructure by an oblique angle deposition method on the formed structure to form nanostructures of various shapes and structures, and using the same formation method. According to an embodiment of the present invention, a method for forming a nanostructure using an inclined angle deposition method includes forming a lift-off layer on a substrate, the formed Forming a pattern layer having a specific pattern on a lift-off layer, etching the formed lift-off layer based on the formed pattern layer, Forming an undercut of a lift-off layer, on the etched lift-off layer providing a shadow effect based on the undercut Forming a nanostructure material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted by oblique angle deposition (OAD) of a nanostructure forming material and the lift-off process ) removing the etched lift-off layer and the formed pattern layer using a process solution, and forming the formed nanostructure material layer into a nanostructure.
Description
본 발명은 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 및 광촉매 소자를 형성하는 기술적 사상에 관한 것으로, 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조물을 형성한 후, 형성된 구조물에 경사각 증착법으로 나노 구조체의 형성 물질을 경사각 증착하여 다양한 모양 및 구조의 나노 구조체를 형성하고, 동일한 형성 방법을 이용하여 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technical idea of forming a nanostructure and a photocatalytic device using an inclination angle deposition method. After forming a structure having a shadow effect on its own, a material for forming a nanostructure is deposited on the formed structure by an inclination angle deposition method. It relates to a technique for forming nanostructures of various shapes and structures by vapor deposition and forming a double-layered nanostructured photocatalytic device using the same formation method.
나노 구조체 중 나노 튜브(nanotube)는 공진(resonance)에 의한 빛 흡수 증가 및 구조체에 의한 표면적 증가 효과로 광학 소자, 에너지 소자 등 다양한 분야에서 효율을 높이는데 사용되는 구조체이다.Among nanostructures, nanotubes are structures used to increase efficiency in various fields such as optical devices and energy devices by increasing light absorption by resonance and increasing surface area by the structure.
경사각 증착법(oblique angle deposition)은 나노 구조체를 형성하는데 효율적인 공정법 중 하나이다.Oblique angle deposition is one of the efficient process methods for forming nanostructures.
진공 증착 장비(e-beam evaporation, sputter 등)에 증착하려는 물질과 기판 사이에 각도를 줘서 그림자 효과를 형성하고 이를 이용하여 다양한 나노 구조체를 제작할 수 있다.By giving an angle between the material to be deposited and the substrate in vacuum deposition equipment (e-beam evaporation, sputter, etc.), a shadow effect is formed, and various nanostructures can be manufactured using this.
그림자 효과(shadow effect)는 증착하려는 물질과 기판 사이에 각도를 주게 되면 증착된 물질 뒤에는 그림자처럼 증착 물질이 도달하지 않게 되고, 이 효과를 이용하여 각도와 기판 회전 속도를 조절하면 나노로드(nano-rod), 나노헬릭스(nano-helix) 등 다양한 나노 구조체를 제작할 수 있다.The shadow effect is that when an angle is given between the material to be deposited and the substrate, the deposited material does not reach behind the deposited material like a shadow. rod), nano-helix, etc. can be fabricated.
이러한 그림자 효과를 증착되는 물질이 아닌 템플레이트(template) 형태로 미리 형성하고 경사각 증착으로 진행하면 나노 튜브 등의 다양한 나노 구조체 형성이 가능하다.If such a shadow effect is formed in advance in the form of a template rather than a material to be deposited and proceeds with tilt angle deposition, it is possible to form various nanostructures such as nanotubes.
광촉매(photocatalyst) 소자는 태양빛을 이용하여 유기물 오염물들을 분해하는 기술과 관련된다.A photocatalyst device is related to a technology for decomposing organic contaminants using sunlight.
광촉매 소자는 광촉매 물질이 태양에너지를 흡수하여 전자 정공 쌍(electron-hole pair)을 생성하고 이를 이용한 산화 반응 및 환원 반응을 통해 OH-라디칼(OH-radical)을 생성해 오염물들을 분해한다.The photocatalytic device decomposes contaminants by generating OH-radicals through oxidation and reduction reactions using photocatalytic materials that absorb solar energy to generate electron-hole pairs.
이러한 작동원리 때문에 효율은 빛을 얼마나 흡수하는지, 전자 정공 쌍의 재결합 없이 표면에 얼마나 잘 분리하는지, 산화 및 환원 두 반응이 동시에 얼마나 잘 일어나는지가 중요하다.Because of this operating principle, efficiency depends on how much light is absorbed, how well electron-hole pairs separate on a surface without recombination, and how well both oxidation and reduction reactions occur simultaneously.
기존의 연구에서는 빛의 흡수와 전하들의 분리를 위해 두 물질의 이종 접합(heterojunction)을 도입하여 코어쉘(core-shell)과 이중층(bilayer) 등이 많이 적용되고 있다.In previous studies, a heterojunction of two materials has been introduced for light absorption and charge separation, and a core-shell and a bilayer have been widely applied.
두 물질을 이용하여 파장대를 더 넓게 흡수하고 이종 접합을 통해 전하의 분리를 더 원활하게 하는 전략이다.It is a strategy that uses two materials to absorb a wider wavelength range and facilitates charge separation through heterojunction.
하지만, 이와 같은 코어쉘과 이중층 같은 구조에서는 산화 혹은 환원 반응에 대해 한 반응을 일으키는 물질만 외부(예: 물)에 노출이 되고, 이로 인해 한쪽 반응만 편중되어 일어나게 된다.However, in such a structure such as a core-shell and a double layer, only a material that causes one reaction for an oxidation or reduction reaction is exposed to the outside (eg, water), and as a result, only one reaction occurs in a biased manner.
산화 및 환원 두 반응이 동시에 일어나지 않으면 전자(electron) 혹은 정공(hole)이 축적되어 재결합을 일으킬 확률이 높아지게 되고 이에 따라 효율이 감소한다는 문제가 있다.If both oxidation and reduction reactions do not occur simultaneously, there is a problem in that electrons or holes are accumulated to increase the probability of causing recombination, thereby reducing efficiency.
종래 기술에 따르면 AAO(anodic aluminum oxide) 공정을 통해서 나노 구조체를 형성하는 기술이 존재하는데, AAO 공정을 통한 나노 구조체 형성 기술은 패턴의 정렬도가 떨어지고, 기둥 모양 이외의 다양한 모양의 구조체를 형성하기 어렵다는 단점이 존재한다.According to the prior art, there is a technology for forming nanostructures through an anodic aluminum oxide (AAO) process, but the nanostructure formation technology through the AAO process has poor pattern alignment and is difficult to form structures of various shapes other than columnar shapes. There are downsides to being difficult.
AAO 혹은 TiO2 나노 튜브 템플레이트(nano tube template) 코팅에 사용하는 AAO와 TiO2 나노 튜브를 각각 전기화학적 산화(electrochemical oxidation)와 수열합성을 통해 제작할 수 있다.AAO or TiO 2 nanotubes used for AAO or TiO 2 nanotube template coating can be manufactured through electrochemical oxidation and hydrothermal synthesis, respectively.
그렇기 때문에 주기적인 구조물 형성이 어렵고 또한, 다양한 모양(예: 벌집(honey comb), 사각 구멍(square hole) 등)의 구조물을 형성하기 어렵다는 한계가 존재하고, 이에 따라 높이와 구멍(hole)의 크기 조절에 대한 조건 확립도 어렵다는 단점이 존재한다.Therefore, there are limitations in that it is difficult to form periodic structures and it is difficult to form structures of various shapes (e.g., honeycomb, square hole, etc.), and accordingly, the height and size of the hole exist. There is also a disadvantage that it is difficult to establish conditions for control.
또한, 이차 스퍼터링(secondary sputtering) 공정 방법은 금속류를 증착을 한 다음에 이온밀링(ion milling)을 통해 식각(etching) 공정을 진행하여 구조물 옆면에 식각과정 중 분리된 입자들이 부착되어 구조물을 형성하는 방법이다.In addition, the secondary sputtering process method deposits metals and then proceeds with an etching process through ion milling to form a structure by attaching particles separated during the etching process to the side of the structure. way.
이러한 공정 때문에 이온밀링(ion milling)이 되는 물질(예: 금속)로만 제한적이고, 산화물(oxide) 등 다양한 물질의 구조물 형성은 불가능 하다는 한계가 존재한다.Because of this process, ion milling is limited only to materials (eg, metal), and there is a limit that it is impossible to form structures of various materials such as oxides.
본 발명은 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조물을 형성한 후, 형성된 구조물에 경사각 증착법으로 나노 구조체의 형성 물질을 증착하여 다양한 모양 및 구조의 나노 구조체 및 그 나노 구조체에 기반한 광촉매 소자를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, after forming a structure having a shadow effect on its own, a material for forming a nanostructure is deposited on the formed structure by an oblique angle deposition method to form a nanostructure having various shapes and structures and a photocatalytic device based on the nanostructure. It is an object of the present invention to provide a method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method.
본 발명은 경사각 증착법을 통해 구조체 형성 물질의 다양화와 종횡비 및 모양의 조절이 가능하게 하여 다양한 형태의 나노 구조체를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for forming nanostructures using an inclination angle deposition method that forms various types of nanostructures by enabling diversification of structure-forming materials and control of aspect ratio and shape through the inclination angle deposition method.
본 발명은 이중층 나노구조체의 광전극을 경사각 증착법으로 제작하여 나노 구조체 광촉매 구조에서는 제1 물질층과 제2 물질층이 둘 다 표면에 노출되어 산화 및 환원 반응 모두 원활하게 일어나는 광촉매 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a photocatalytic device in which a photoelectrode of a double-layered nanostructure is manufactured by an inclined angle deposition method, and in the nanostructured photocatalyst structure, both the first material layer and the second material layer are exposed on the surface, and both oxidation and reduction reactions occur smoothly. The purpose.
본 발명은 두 물질의 결합 면적이 넓기에 이종접합(heterojunction)도 넓은 곳에서 형성되고, 나노 구조체에 의한 물과의 표면 면적이 넓어지며, 주기적인 구조체에 의한 빛 산란 효과로 빛 흡수 효율이 증가되는 광촉매 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, since the bonding area of the two materials is wide, the heterojunction is also formed in a wide place, the surface area with water is widened by the nanostructure, and the light absorption efficiency is increased by the light scattering effect by the periodic structure. It is an object of the present invention to provide a photocatalytic device that becomes.
본 발명의 일실시예에 따르면 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층을 형성하는 단계, 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성하는 단계, 상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계, 상기 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계 및 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 상기 형성된 패턴층을 제거하고, 상기 형성된 나노 구조체 물질층을 나노 구조체로 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method includes forming a lift-off layer on a substrate, and a pattern having a specific pattern on the formed lift-off layer. Forming a layer, etching the formed lift-off layer based on the formed pattern layer to form an undercut of the etched lift-off layer a step of oblique angle deposition (OAD) of a nanostructure forming material on the etched lift-off layer that provides a shadow effect based on the undercut; forming a nanostructured material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted and the etched lift-off using the lift-off process solution ( The method may include removing the lift-off layer and the formed pattern layer, and forming the formed nanostructure material layer into a nanostructure.
상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계는 RIE(reactive ion etching) 공정 시간을 조절하여 상기 언더컷(undercut)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Forming an undercut of the etched lift-off layer may include forming the undercut by adjusting a reactive ion etching (RIE) process time.
상기 언더컷(undercut)은 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD) 시 상기 그림자 효과(shadow effect)를 제공하면서, 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 생성되는 것을 지원할 수 있다.The undercut may support creation of a space into which the lift-off process solution can be inserted while providing the shadow effect during the oblique angle deposition (OAD). there is.
상기 형성된 나노 구조체의 높이는 상기 리프트 오프(lift-off)층의 형성 시, 상기 리프트 오프(lift-off)층의 코팅 두께를 조절함에 따라 상기 조절된 코팅 두께에 기반하여 결정될 수 있다.The height of the formed nanostructure may be determined based on the controlled coating thickness by adjusting the coating thickness of the lift-off layer when forming the lift-off layer.
상기 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계는 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 상기 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the nanostructure material layer may include adjusting the shape of the nanostructure material layer by adjusting an oblique angle deposition (OAD) inclination angle of 0 to 90 degrees.
상기 나노 구조체 형성 물질은 전자빔 증착(e-beam evaporation) 또는 스퍼터(sputter)로 증착되는 형성 물질로서, 금속(metal), 산화물(oxide), 질화물(nitride), 황화물(sulfide) 및 칼코젠 화합물(chalcogenide) 중 적어도 하나의 형성 물질을 포함할 수 있다.The nanostructure forming material is a forming material deposited by e-beam evaporation or sputter, and includes metal, oxide, nitride, sulfide, and chalcogen compounds ( chalcogenide).
본 발명의 일실시예에 따르면 경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법은 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층을 형성하는 단계, 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성하는 단계, 상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계, 상기 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제1 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계, 상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제2 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계, 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 상기 형성된 패턴층을 제거하고, 상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층과 상기 형성된 제2 나노 구조체 물질층을 포함하는 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method includes forming a lift-off layer on a substrate, and a pattern having a specific pattern on the formed lift-off layer. Forming a layer, etching the formed lift-off layer based on the formed pattern layer to form an undercut of the etched lift-off layer a step of oblique angle deposition of a first nanostructure forming material on the etched lift-off layer that provides a shadow effect based on the undercut; OAD) to form a first nanostructure material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted, and applying a second nanostructure forming material on the formed first nanostructure material layer at an inclination angle. Deposition (oblique angle deposition, OAD) to form a second nanostructure material layer including a space into which the lift-off process solution can be inserted, the lift-off process solution The etched lift-off layer and the formed pattern layer are removed using a double-layered nanostructured photocatalyst including the first nanostructure material layer and the second nanostructure material layer. It may include forming an element.
상기 형성된 광촉매 소자는 상기 제1 나노 구조체 물질층과 상기 제2 나노 구조체 물질층이 외부에 함께 노출되어 산화 반응과 환원 반응이 함께 발생될 수 있다.In the formed photocatalytic device, both the first nanostructure material layer and the second nanostructure material layer are exposed to the outside, so that an oxidation reaction and a reduction reaction may occur together.
상기 제1 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 제2 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 선택되지 않은 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The first nanostructure-forming material includes any one selected from TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 , and the second nanostructure-forming material includes TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g- Among C3N 4 , any one material not selected as the first nanostructure-forming material may be included.
상기 형성된 광촉매 소자의 높이는 상기 리프트 오프(lift-off)층의 형성 시, 상기 리프트 오프(lift-off)층의 코팅 두께를 조절함에 따라 상기 조절된 코팅 두께에 기반하여 결정될 수 있다.The height of the formed photocatalytic element may be determined based on the adjusted coating thickness by adjusting the coating thickness of the lift-off layer when forming the lift-off layer.
상기 제1 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계는 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 상기 제1 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계를 포함하고, 상기 제2 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계는 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 상기 제2 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the first nanostructure material layer includes adjusting the shape of the first nanostructure material layer by adjusting an oblique angle deposition (OAD) inclination angle of 0 to 90 degrees, Forming the second nanostructure material layer may include adjusting the shape of the second nanostructure material layer by adjusting an oblique angle deposition (OAD) inclination angle of 0 to 90 degrees.
상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계는 RIE(reactive ion etching) 공정 시간을 조절하여 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD) 시 상기 그림자 효과(shadow effect)를 제공하면서, 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 생성되는 것을 지원하는 상기 언더컷(undercut)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the step of forming an undercut of the etched lift-off layer, the shadow effect ( The method may include forming the undercut to support creation of a space into which the lift-off process solution can be inserted while providing a shadow effect.
본 발명의 일실시예에 따르면 이중층 나노 구조의 광촉매 소자는 나노 구조체를 형성하기 위한 특정 패턴을 포함하여 적어도 일측면이 기판상에 접하는 형태로 제1 나노 구조체 형성 물질로써 형성되며, 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 기반하여 외부에 노출 시 산화 반응 및 환원 반응 중 어느 하나의 반응이 발생되는 제1 나노 구조체 물질층 및 상기 특정 패턴에 내접하는 형태로 제2 나노 구조체 형성 물질로써 형성되며, 상기 제2 나노 구조체 형성 물질에 기반하여 상기 외부에 노출 시 상기 산화 반응 및 상기 환원 반응 중 상기 제1 나노 구조체 물질층의 어느 하나의 반응과는 다른 반응이 발생되는 제2 나노 구조체 물질층을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the photocatalytic device having a double-layered nanostructure is formed of a first nanostructure-forming material in a form in which at least one side thereof is in contact with a substrate, including a specific pattern for forming the nanostructure, and the first nanostructure is formed. Based on the structure-forming material, it is formed as a second nanostructure-forming material in a form inscribed with the first nanostructure material layer and the specific pattern in which either oxidation or reduction reaction occurs when exposed to the outside, 2 may include a second nanostructure material layer in which a reaction different from any one of the first nanostructure material layer occurs during the oxidation reaction and the reduction reaction when exposed to the outside based on the nanostructure forming material. there is.
상기 제1 나노 구조체 물질층은 상기 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층이 형성되고, 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 상기 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성되며, 상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 형성된 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 상기 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성될 수 있다.In the first nanostructure material layer, a lift-off layer is formed on the substrate, a pattern layer having the specific pattern is formed on the formed lift-off layer, and the formed pattern The etched lift-off providing a shadow effect based on an undercut formed by etching the formed lift-off layer based on the layer It may be formed to include a space into which a lift-off process solution can be inserted by oblique angle deposition (OAD) of the first nanostructure-forming material on the layer.
상기 제2 나노 구조체 물질층은 상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 상기 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성될 수 있다.In the second nanostructure material layer, the lift-off process solution may be inserted by oblique angle deposition (OAD) of the second nanostructure material on the formed first nanostructure material layer. It can be formed to include a space in which there is.
상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 및 상기 형성된 패턴층은 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 제거될 수 있다.The etched lift-off layer and the formed pattern layer may be removed using the lift-off process solution.
상기 제1 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 상기 제2 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 선택되지 않은 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.The first nanostructure-forming material includes any one selected from TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 , and the second nanostructure-forming material includes TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g- Among C3N 4 , any one material not selected as the first nanostructure-forming material may be included.
본 발명은 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조물을 형성한 후, 형성된 구조물에 경사각 증착법으로 나노 구조체의 형성 물질을 증착하여 다양한 모양 및 구조의 나노 구조체 및 그 나노 구조체에 기반한 광촉매 소자를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공할 수 있다.In the present invention, after forming a structure having a shadow effect on its own, a material for forming a nanostructure is deposited on the formed structure by an oblique angle deposition method to form a nanostructure having various shapes and structures and a photocatalytic device based on the nanostructure. It is possible to provide a method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method.
본 발명은 경사각 증착법을 통해 구조체 형성 물질의 다양화와 종횡비 및 모양의 조절이 가능하게 하여 다양한 형태의 나노 구조체를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide a method for forming nanostructures using an inclination angle deposition method that forms various types of nanostructures by enabling diversification of structure-forming materials and control of aspect ratio and shape through the inclination angle deposition method.
본 발명은 이중층 나노구조체의 광전극을 경사각 증착법으로 제작하여 나노 구조체 광촉매 구조에서는 제1 물질층과 제2 물질층이 둘 다 표면에 노출되어 산화 및 환원 반응 모두 원활하게 일어나는 광촉매 소자를 제공할 수 있다.The present invention manufactures a photoelectrode of a double-layered nanostructure by an inclined angle deposition method, and in the nanostructured photocatalyst structure, both the first material layer and the second material layer are exposed on the surface to provide a photocatalytic device in which both oxidation and reduction reactions occur smoothly. there is.
본 발명은 두 물질의 결합 면적이 넓기에 이종접합(heterojunction)도 넓은 곳에서 형성되고, 나노 구조체에 의한 물과의 표면 면적이 넓어지며, 주기적인 구조체에 의한 빛 산란 효과로 빛 흡수 효율이 증가되는 광촉매 소자를 제공할 수 있다.In the present invention, since the bonding area of the two materials is wide, the heterojunction is also formed in a wide place, the surface area with water is widened by the nanostructure, and the light absorption efficiency is increased by the light scattering effect by the periodic structure. A photocatalytic device can be provided.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 RIE(reactive ion etching) 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 경사각 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 리프트 오프(lift-off) 공정 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법 중 경사각 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 이중층 나노 구조체 기반의 광촉매 소자를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are diagrams for explaining a reactive ion etching (RIE) process in a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are diagrams for explaining an inclination angle deposition process in a method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram for explaining a result of a lift-off process in a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a method of forming a double-layered nanostructured photocatalytic device using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view for explaining an inclination angle deposition process in a method of forming a double layer nanostructured photocatalytic device using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram for explaining a photocatalytic device based on a double layer nanostructure according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 문서의 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다.Hereinafter, various embodiments of this document will be described with reference to the accompanying drawings.
실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Examples and terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or substitutes of the embodiments.
하기에서 다양한 실시 예들을 설명에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.In the following description of various embodiments, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the invention, the detailed description will be omitted.
그리고 후술되는 용어들은 다양한 실시 예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in various embodiments, and may vary according to intentions or customs of users or operators. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout this specification.
도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like elements.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.Singular expressions may include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 문서에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다.In this document, expressions such as "A or B" or "at least one of A and/or B" may include all possible combinations of the items listed together.
"제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째," 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다.Expressions such as "first," "second," "first," or "second," may modify the corresponding components regardless of order or importance, and are used to distinguish one component from another. It is used only and does not limit the corresponding components.
어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.When a (e.g., first) element is referred to as being "(functionally or communicatively) coupled to" or "connected to" another (e.g., second) element, that element refers to the other (e.g., second) element. It may be directly connected to the component or connected through another component (eg, a third component).
본 명세서에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다.In this specification, "configured to (or configured to)" means "suitable for," "having the ability to," "changed to" depending on the situation, for example, hardware or software ," can be used interchangeably with "made to," "capable of," or "designed to."
어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다.In some contexts, the expression "device configured to" can mean that the device is "capable of" in conjunction with other devices or components.
예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.For example, the phrase "a processor configured (or configured) to perform A, B, and C" may include a dedicated processor (eg, embedded processor) to perform the operation, or by executing one or more software programs stored in a memory device. , may mean a general-purpose processor (eg, CPU or application processor) capable of performing corresponding operations.
또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or' 이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or' 를 의미한다.Also, the term 'or' means 'inclusive or' rather than 'exclusive or'.
즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다' 라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.That is, unless otherwise stated or clear from the context, the expression 'x employs a or b' means any one of the natural inclusive permutations.
이하 사용되는 '..부', '..기' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는, 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.Terms such as '..unit' and '..group' used below refer to a unit that processes at least one function or operation, and may be implemented by hardware or software, or a combination of hardware and software.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조체를 형성하는 방법을 예시한다.1 illustrates a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따라 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조체를 형성하는 방법은 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조체를 형성 후, 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)을 수행하여 대면적으로 균일하게 나노 구조체들을 형성하는 기술과 관련될 수 있다.Specifically, in the method of forming a nanostructure using an oblique angle deposition method according to an embodiment of the present invention, after forming a structure having a shadow effect on its own, oblique angle deposition (OAD) is performed to It may be related to a technique of uniformly forming nanostructures over a large area.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S101)에서 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층을 형성한다.Referring to FIG. 1 , in the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, in step S101, a lift-off layer is formed on a substrate.
일례로, 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 LOR(lift-off resists) 5B, LOR 10B, LOR 30B, SF6(sulphur hexafluoride), SF5(pentafluorosulfanyl) 등을 코팅하여 리프트 오프(lift-off)층을 형성한다.For example, in the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method, a lift-off layer is formed by coating lift-off resists (LOR) 5B, LOR 10B, LOR 30B, sulfur hexafluoride (SF6), pentafluorosulfanyl (SF5), and the like. form
구체적으로, 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 LOR(lift-off resists) 5B, LOR 10B, LOR 30B, SF6(sulphur hexafluoride), SF5(pentafluorosulfanyl) 등을 스핀 코팅 또는 바코팅으로 진행한 후, 소프트 베이킹(soft baking)을 170도에서 7분 가량 진행한다.Specifically, the nanostructure formation method using the inclined angle deposition method is performed by spin coating or bar coating LOR (lift-off resists) 5B, LOR 10B, LOR 30B, SF6 (sulfur hexafluoride), SF5 (pentafluorosulfanyl), etc., followed by soft Bake for 7 minutes at 170 degrees.
예를 들어, 나노 구조체의 높이는 리프트 오프층의 높이에 따라 결정될 수 있는데, 높이는 200 nm 내지 수 um로 조절될 수 있다.For example, the height of the nanostructure may be determined according to the height of the lift-off layer, and the height may be adjusted from 200 nm to several um.
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S102)에서 단계(S101)에서 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성한다.In the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, in step S102, a pattern layer having a specific pattern is formed on the lift-off layer formed in step S101.
다시 말해, 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 패터닝 기술을 이용하여 마스크 역할을 하는 물질의 특정 패턴을 형성한다.In other words, the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method forms a specific pattern of a material serving as a mask using a patterning technique.
예를 들어, 특정 패턴은 홀 패턴(hole pattern)을 포함할 수 있다.For example, a specific pattern may include a hole pattern.
여기서, 패터닝 기술은 나노임프린트(nanoimprint), 다이렉트 프린팅(direct printing), 포토리소그래피(photolithography),전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 등 다양한 방법이 이용될 수 있다.Here, as the patterning technology, various methods such as nanoimprint, direct printing, photolithography, and e-beam lithography may be used.
일례로, 마스크 역할을 하는 패턴층은 리프트 오프층과의 식각 선택성(selectivity)이 존재하는 물질이 이용 가능하다.For example, a material having etching selectivity with the lift-off layer may be used for the pattern layer serving as a mask.
예를 들어, 패턴층의 형성 물질은 HSQ, TiO2, SiO2 등이 이용될 수 있다.For example, HSQ, TiO 2 , SiO 2 and the like may be used as a material for forming the pattern layer.
또한, 패턴층은 특정 패턴에 따라 원형, 사각, 육각 등의 다양한 모양의 나노 구조체의 형성을 지원할 수 있다.In addition, the pattern layer may support the formation of various shapes of nanostructures such as circular, square, hexagonal, etc. according to a specific pattern.
일례로, 패턴층은 단계(S103)의 RIE(reactive ion etching) 공정 시 마스크 역할을 하는 스핀 온 글라스(spin on glass) 물질을 다이렉트 프린팅 공정으로 패턴을 형성하는데 이용되고, 패턴 모양에 따라서 나노 구조체의 모양이 결정될 수 있다.As an example, the pattern layer is used to form a pattern by a direct printing process of a spin on glass material serving as a mask during the reactive ion etching (RIE) process of step S103, and nanostructures are formed according to the pattern shape. shape can be determined.
다이렉트 프린팅 공정은 먼저 스핀 온 글라스 물질을 패턴된 PDMS(Polydimethylsiloxane) 몰드(mold)에 3000 rpm으로 30 초간 스핀 코팅 해준 후 기판을 위에 올리고 압력을 가해주는 공정이다.The direct printing process is a process in which a spin-on glass material is first spin-coated on a patterned polydimethylsiloxane (PDMS) mold at 3000 rpm for 30 seconds, and then a substrate is placed thereon and pressure is applied.
또한, 스핀 온 글라스 물질의 종류에 따라 UV(ultra violet), 열 등을 통해 경화가 진행될 수 있다.Also, depending on the type of spin-on glass material, curing may be performed through UV (ultra violet), heat, or the like.
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S103)에서 단계(S102)에서 형성된 패턴층에 기반하여 단계(S101)에서 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성한다.In the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, in step S103, the lift-off layer formed in step S101 is etched based on the pattern layer formed in step S102 ( Etching is performed to form an undercut of the etched lift-off layer.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S103)에서 RIE(reactive ion etching) 공정을 진행한다.That is, in the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, a reactive ion etching (RIE) process is performed in step S103.
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 패턴층의 형성물질을 이용하여 RIE 공정을 진행하는데 RIE의 시간, 기체 유량(sccm), 분위기 등에 따라 언더컷이 식각된 리프트 오프(lift-off)층에 형성되도록 할 수 있다.In the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, a RIE process is performed using a material for forming a pattern layer, and the undercut is etched off according to the RIE time, gas flow rate (sccm), atmosphere, etc. lift-off) layer.
다시 말해, 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 RIE 공정으로 오버 식각(over-etching)을 진행하게 되면 마스크 역할을 하는 패턴층 아래에 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷을 형성한다.In other words, in the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, when over-etching is performed in the RIE process, a lift-off layer is formed under the pattern layer serving as a mask. form the undercut of
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S104)에서 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 리프트 오프(lift-off)층 상에 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 나노 구조체 물질층을 형성한다.In the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, in step S104, a lift-off (lift-off) providing a shadow effect based on an undercut of a lift-off layer ( A nanostructure material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted is formed by oblique angle deposition (OAD) of a nanostructure forming material on the lift-off layer.
즉, 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 그림자 효과를 가지는 구조물인 리프트 오프(lift-off)층 상에 나노 구조체 형성 물질을 특정 경사각에서 증착함에 따라 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 들어갈 수 있는 틈을 갖는 나노 구조체 물질층을 형성할 수 있다.That is, in the method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method, a lift-off process solution may enter as a nanostructure forming material is deposited at a specific inclination angle on a lift-off layer, which is a structure having a shadow effect. A nanostructured material layer having gaps may be formed.
여기서, 나노 구조체 형성 물질은 전자빔 증착(e-beam evaporation) 또는 스퍼터(sputter)로 증착되는 형성 물질로서, 금속(metal), 산화물(oxide), 질화물(nitride), 황화물(sulfide) 및 칼코젠 화합물(chalcogenide) 중 적어도 하나의 형성 물질을 포함할 수 있다.Here, the nanostructure forming material is a forming material deposited by e-beam evaporation or sputter, and is a metal, oxide, nitride, sulfide, and chalcogen compound (chalcogenide) may include at least one forming material.
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 단계(S105)에서 리프트 오프 공정을 수행하는데, 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 패턴층을 제거하고, 나노 구조체 물질층만을 남기는데, 남은 나노 구조체 물질층이 나노 구조체로 형성될 수 있다.In the method for forming a nanostructure using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention, a lift-off process is performed in step S105. The lift-off process is performed using a lift-off process solution. -off) layer and the pattern layer are removed, leaving only the nanostructure material layer, and the remaining nanostructure material layer may be formed as a nanostructure.
예를 들어, 리프트 오프(lift-off) 공정 용액은 용매(solvent)로서, 아세톤(acetone), DMF(dimethylformamide) 등을 포함할 수 있다.For example, the lift-off process solution may include acetone, dimethylformamide (DMF), and the like as a solvent.
일례로, 본 발명의 일실시예에 따르면 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 자체 그림자 효과를 가지는 구조물에 해당하는 언더컷이 형성된 리프트 오프층 상에 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조체 형성 물질을 증착하여 나노 구조체를 형성한다.For example, according to one embodiment of the present invention, the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method deposits a nanostructure forming material on a lift-off layer having an undercut corresponding to a structure having its own shadow effect, using an inclined angle deposition method. form a structure
나노 구조체는 경사각 증착법의 경사각에 따라 나노 튜브(nano tube), 나노 컵(nano cup) 등의 다양한 모양으로 모양 조절이 가능하다.The shape of the nanostructure can be adjusted into various shapes such as nanotubes and nanocups according to the inclination angle of the inclination angle deposition method.
예를 들어, 다양한 모양은 벌집(honey comb), 사각 구멍(square hole) 등을 포함한다.For example, various shapes include honeycomb, square hole, and the like.
따라서, 본 발명은 자체적으로 그림자 효과(shadow effect)를 가지는 구조물을 형성한 후, 형성된 구조물에 경사각 증착법으로 나노 구조체의 형성 물질을 증착하여 다양한 모양 및 구조의 나노 구조체 및 그 나노 구조체에 기반한 광촉매 소자를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공할 수 있다.Therefore, in the present invention, after forming a structure having a shadow effect on its own, depositing a material for forming a nanostructure on the formed structure by an inclined angle deposition method, a nanostructure having various shapes and structures, and a photocatalytic device based on the nanostructure It is possible to provide a nanostructure formation method using an inclination angle deposition method to form.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 RIE(reactive ion etching) 공정을 설명하기 위한 도면이다.2A and 2B are diagrams for explaining a reactive ion etching (RIE) process in a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 2a 및 도 2b는 RIE(reactive ion etching) 공정 시간 차이에 따른 SEM(Scanning electron microscope) 이미지를 예시한다.2A and 2B illustrate scanning electron microscope (SEM) images according to a reactive ion etching (RIE) process time difference.
도 2a를 참고하면, SEM 이미지(200)는 RIE 공정 시간이 약 280초 경과 후에 식각된 리프트 오프층과 패턴층의 상면 뷰(top view)를 예시하고, SEM 이미지(201)는 RIE 공정 시간이 약 280초 경과 후에 식각된 리프트 오프층과 패턴층의 측면 뷰(side view)를 예시한다.Referring to FIG. 2A , an
도 2b를 참고하면, SEM 이미지(210)는 RIE 공정 시간이 약 350초 경과 후에 식각된 리프트 오프층과 패턴층의 상면 뷰(top view)를 예시하고, SEM 이미지(211)는 RIE 공정 시간이 약 350초 경과 후에 식각된 리프트 오프층과 패턴층의 측면 뷰(side view)를 예시한다.Referring to FIG. 2B , an
SEM 이미지(211)는 식각된 리프트 오프층의 언더컷(212)을 나타내고 있다.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 RIE 공정 시간을 조절하여 언더컷을 형성할 수 있다.That is, in the method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, an undercut may be formed by adjusting the RIE process time.
구체적으로, RIE 공정 시간이 280초에서 350초로 경과되도록 조절되면서, 식각된 리프트 오프층의 언더컷(212)이 형성되는 것을 확인할 수 있다.Specifically, it can be confirmed that the undercut 212 of the etched lift-off layer is formed while the RIE process time is adjusted to elapse from 280 seconds to 350 seconds.
언더컷(212)은 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD) 시 그림자 효과(shadow effect)를 제공하면서, 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 나노 구조체 물질층에 생성되는 것을 지원할 수 있다.The undercut 212 provides a shadow effect during oblique angle deposition (OAD) and supports the creation of a space into the nanostructured material layer into which a lift-off process solution can be inserted. can
다시 말해, 언더컷(212)은 경사각 증착 시에 그림자 효과를 가지면서 리프트 오프 공정시에 용매(solvent)와 같은 리프트 오프 공정 용액이 삽입될 수 있는 나노 구조체 물질층이 형성되도록 할 수 있다.In other words, the undercut 212 may form a nanostructured material layer into which a lift-off process solution such as a solvent may be inserted during a lift-off process while having a shadow effect during deposition at an inclination angle.
또한, 언더컷(212)은 리프트 오프 공정 시에 리프트 오프층이 용매에 닿아 잘 녹도록 공간이 형성되는 것을 지원할 수 있다.In addition, the undercut 212 may support the formation of a space so that the lift-off layer can easily melt in contact with the solvent during the lift-off process.
따라서, 본 발명은 경사각 증착법을 통해 구조체 형성 물질의 다양화와 종횡비 및 모양의 조절이 가능하게 하여 다양한 형태의 나노 구조체를 형성하는 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법을 제공할 수 있다.Accordingly, the present invention can provide a method for forming nanostructures using an inclination angle deposition method that forms various types of nanostructures by enabling diversification of structure-forming materials and control of aspect ratio and shape through the inclination angle deposition method.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 경사각 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.3A and 3B are diagrams for explaining an inclination angle deposition process in a method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법에서 경사각 증착 공정의 결과에 기반하여 언더컷의 그림자 효과와 용매가 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간을 확대하여 예시한다.FIG. 3A is an enlarged illustration of a space corresponding to a gap in which a shadow effect of an undercut and a solvent can be well inserted based on a result of an inclination angle deposition process in a nanostructure formation method using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention. .
도 3a를 참고하면, 경사각 증착 공정의 결과의 확대 대상 영역(300)은 그림자 효과 영역(301)과 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간 영역(302)을 포함한다.Referring to FIG. 3A, the
일례로, 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법은 자체적으로 그림자 효과를 제공하는 그림자 효과 영역(301)이 포함된 리프트 오프층에 경사각 증착을 통해 나노 구조체 형성 물질을 증착함에 따라 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간 영역(302)이 확보된 나노 구조체 물질층을 형성할 수 있다.For example, in the method of forming a nanostructure using an inclination angle deposition method, a nanostructure formation material is deposited through an inclination angle deposition on a lift-off layer including a
도 3b는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법에서 경사각 증착 공정의 결과에 대한 SEM 이미지를 예시한다.Figure 3b illustrates a SEM image of the result of the tilt angle deposition process in the nanostructure formation method using the tilt angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 3b의 SEM 이미지(310)는 경사각 증착 공정 이후의 상면 뷰(top view)를 예시하고, SEM 이미지(311)는 경사각 증착 공정 이후의 측면 뷰(side view)를 예시한다.
SEM 이미지(311)는 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간 영역(312)을 보여준다.The
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 나노 구조체 형성 방법 중 리프트 오프(lift-off) 공정 결과를 설명하기 위한 도면이다.4 is a diagram for explaining a result of a lift-off process in a method of forming a nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참고하면, SEM 이미지(400)는 리프트 오프(lift-off) 공정 결과로 형성된 나노 구조체들의 상면 뷰(top view)를 예시하고, SEM 이미지(401)는 리프트 오프(lift-off) 공정 결과로 형성된 나노 구조체들의 측면 뷰(side view)를 예시하며, SEM 이미지(402)는 리프트 오프(lift-off) 공정 결과로 형성된 나노 구조체들의 상면 뷰(top view)의 다른 배율을 예시한다.Referring to FIG. 4 , an
여기서, 다른 배율은 본 발명의 일실시예에 따른 나노 구조체들이 대면적으로 형성될 수 있음을 나타낸다.Here, different magnifications indicate that the nanostructures according to one embodiment of the present invention can be formed in a large area.
SEM 이미지(400), SEM 이미지(401) 및 SEM 이미지(402)는 리프트 오프 공정 결과로 리프트 오프층과 패턴층이 용매에 닿아 녹아버리고 남은 나노 구조체들을 예시한다.The
여기서, SEM 이미지(401)는 나노 구조체의 높이가 리프트 오프층의 코팅 두께와 관련됨을 보여준다.Here, the
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of forming a double-layered nanostructured photocatalytic device using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법을 예시한다.5 illustrates a method of forming a photocatalytic device having a double layer nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 5를 참고하면, 단계(S501)은 도 1에서 설명된 단계(S101)과 동일하고, 단계(S502)는 도 1에서 설명된 단계(S102)와 동일하며, 단계(S503)은 도 1에서 설명된 단계(S103)과 동일하고, 단계(S504)는 도 1에서 설명된 단계(S104)와 동일할 수 있다.Referring to FIG. 5 , step S501 is the same as step S101 described in FIG. 1 , step S502 is the same as step S102 described in FIG. 1 , and step S503 is the same as step S102 described in FIG. It is the same as the described step S103, and the step S504 may be the same as the step S104 described in FIG.
다만, 단계(S505)는 도 1에서 설명되지 않은 추가적인 단계로서, 단계(S504)에서 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 추가적으로 제1 나노 구조체 물질층을 형성하는 물질이 아닌 다른 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착하여 제2 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계이다.However, step S505 is an additional step not described in FIG. 1, and a nanostructure forming material other than the material for additionally forming the first nanostructure material layer is added on the first nanostructure material layer formed in step S504. This is a step of forming a second nanostructure material layer by depositing at an inclined angle.
본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법은 단계(S501)에서 기판 상에 리프트 오프층을 형성한다.In the method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, in step S501, a lift-off layer is formed on a substrate.
다음으로, 단계(S502)에서 리프트 오프층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성한다.Next, in step S502, a pattern layer having a specific pattern is formed on the lift-off layer.
다음으로, 단계(S503)에서 패턴층에 기반하여 리프트 오프층을 식각하는 RIE 공정을 통해 리프트 오프층에 언더컷을 형성한다.Next, in step S503, an undercut is formed in the lift-off layer through a RIE process in which the lift-off layer is etched based on the pattern layer.
다음으로, 단계(S504)에서 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제1 나노 구조체 물질층을 형성한다.Next, in step S504, a first nanostructure forming material is obliquely deposited on the etched lift-off layer that provides a shadow effect based on the undercut. angle deposition (OAD) to form a first nanostructured material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted.
단계(S504)는 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 제1 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계가 포함될 수 있다.Step S504 may include adjusting the shape of the first nanostructure material layer by adjusting the oblique angle deposition (OAD) inclination angle from 0 to 90 degrees.
다음으로, 단계(S505)에서 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제2 나노 구조체 물질층을 형성한다.Next, a space into which a lift-off process solution can be inserted is formed by oblique angle deposition (OAD) of a second nanostructure forming material on the first nanostructure material layer formed in step S505. A second nanostructure material layer is formed.
단계(S505)는 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 제2 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계가 포함될 수 있다.Step S505 may include adjusting the shape of the second nanostructure material layer by adjusting the oblique angle deposition (OAD) oblique angle from 0 to 90 degrees.
마지막으로, 단계(S506)에서 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 형성된 패턴층을 제거하고, 형성된 제1 나노 구조체 물질층과 형성된 제2 나노 구조체 물질층을 포함하는 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성한다.Finally, in step S506, the etched lift-off layer and the formed pattern layer are removed using a lift-off process solution, and the formed first nanostructure material layer and the formed pattern layer are removed. A photocatalytic device having a double layer nanostructure including a second nanostructure material layer is formed.
즉, 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법은 산화 또는 환원 반응을 일으킬 수 있는 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착한 후, 추가적으로, 산화 또는 환원 반응을 일으킬 수 있는 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착함에 따라 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성할 수 있다.That is, in the method of forming a photocatalytic element of a double layer nanostructure using an inclined angle deposition method according to an embodiment of the present invention, after depositing a first nanostructure forming material capable of causing an oxidation or reduction reaction at an inclined angle, an additional oxidation or reduction reaction occurs. A photocatalytic device having a double-layered nanostructure may be formed by depositing a second nanostructure-forming material capable of generating a second nanostructure at an inclined angle.
예를 들어, 제1 나노 구조체 형성 물질이 산화 반응을 일으키는 물질인 경우에 제2 나노 구조체 형성 물질은 환원 반응을 일으키는 물질일 수 있다.For example, when the first nanostructure-forming material is a material that causes an oxidation reaction, the second nanostructure-forming material may be a material that causes a reduction reaction.
일례로, 이중층 나노 구조의 광촉매 소자는 제1 나노 구조체 물질층과 상기 제2 나노 구조체 물질층이 외부에 함께 노출되어 산화 반응과 환원 반응이 함께 발생시킬 수 있다.For example, in the photocatalytic device having a double-layered nanostructure, both the first nanostructure material layer and the second nanostructure material layer may be exposed to the outside to cause both an oxidation reaction and a reduction reaction.
따라서, 본 발명은 이중층 나노구조체의 광전극을 경사각 증착법으로 제작하여 나노 구조체 광촉매 구조에서는 제1 물질층과 제2 물질층이 둘 다 표면에 노출되어 산화 및 환원 반응 모두 원활하게 일어나는 광촉매 소자를 제공할 수 있다.Therefore, the present invention provides a photocatalytic device in which both oxidation and reduction reactions occur smoothly by manufacturing a photoelectrode of a double-layered nanostructure by an inclined angle deposition method, in which both the first material layer and the second material layer are exposed on the surface in the nanostructured photocatalyst structure. can do.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법 중 경사각 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining an inclination angle deposition process in a method of forming a double layer nanostructured photocatalytic device using an inclination angle deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법에서 경사각 증착 공정의 결과에 기반하여 언더컷의 그림자 효과와 용매가 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간을 확대하여 예시한다.6 is a space corresponding to a gap in which the shadow effect of undercut and the solvent can be well inserted based on the result of the tilt angle deposition process in the method of forming a double-layered nanostructured photocatalytic device using the tilt angle deposition method according to an embodiment of the present invention. Illustrate by enlarging
도 6을 참고하면, 경사각 증착 공정의 결과의 확대 대상 영역(600)은 그림자 효과 영역(601)과 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간 영역(602)과 함께 이중층 구조(603)를 예시한다.Referring to FIG. 6, the
일례로, 경사각 증착법을 이용한 이중층 나노 구조의 광촉매 소자의 형성 방법은 자체적으로 그림자 효과를 제공하는 그림자 효과 영역(601)이 포함된 리프트 오프층에 경사각 증착을 통해 제1 나노 구조체 형성 물질 및 제2 나노 구조체 형성 물질을 순차적으로 증착함에 따라 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 잘 삽입될 수 있는 틈에 해당하는 공간 영역(602)이 확보된 제1 나노 구조체 물질층 및 제2 나노 구조체 물질층을 형성할 수 있다.As an example, a method of forming a photocatalytic device having a double-layered nanostructure using an inclined angle deposition method includes a first nanostructure forming material and a second nanostructure forming material through an inclined angle deposition on a lift-off layer including a
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 이중층 나노 구조체 기반의 광촉매 소자를 설명하기 위한 도면이다.7 is a diagram for explaining a photocatalytic device based on a double layer nanostructure according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 이중층 나노 구조체 기반의 광촉매 소자를 예시한다.7 illustrates a photocatalytic device based on a double layer nanostructure according to an embodiment of the present invention.
도 7을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 이중층 나노 구조체 기반의 광촉매 소자(700)는 이중층 나노 구조의 광촉매 소자(720)를 다수 포함하고 있다.Referring to FIG. 7 , a
구체적으로, 이중층 나노 구조체 기반의 광촉매 소자(700)는 기판(710) 상에 이중층 나노 구조의 광촉매 소자(720)가 다수 배치된다.Specifically, in the
일례로, 이중층 나노 구조의 광촉매 소자(720)는 제1 나노 구조체 물질층(721) 및 제2 나노 구조체 물질층(722)을 포함한다.For example, the
본 발명의 일실시예에 따르면 제1 나노 구조체 물질층(721)은 나노 구조체를 형성하기 위한 특정 패턴을 포함하여 적어도 일측면이 기판(710)상에 접하는 형태로 제1 나노 구조체 형성 물질로써 형성되며, 제1 나노 구조체 형성 물질에 기반하여 외부에 노출 시 산화 반응 및 환원 반응 중 어느 하나의 반응이 발생될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the first
일례로, 제2 나노 구조체 물질층(722)은 특정 패턴에 내접하는 형태로 제2 나노 구조체 형성 물질로써 형성되며, 제2 나노 구조체 형성 물질에 기반하여 외부에 노출 시 산화 반응 및 환원 반응 중 제1 나노 구조체 물질층의 어느 하나의 반응과는 다른 반응이 발생될 수 있다.For example, the second
본 발명의 일실시예에 따르면 이중층 나노 구조의 광촉매 소자(720)의 높이는 리프트 오프(lift-off)층의 형성 시, 리프트 오프(lift-off)층의 코팅 두께를 조절함에 따라 조절된 코팅 두께에 기반하여 결정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the height of the
제1 나노 구조체 물질층(721)은 제1 나노 구조체 형성 물질을 이용하여 형성되고, 제2 나노 구조체 물질층(722)은 제2 나노 구조체 형성 물질을 이용하여 형성될 수 있다.The first
제1 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 선택된 어느 하나의 물질을 포함하고, 제2 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 선택되지 않은 어느 하나의 물질을 포함한다.The first nanostructure-forming material includes any one selected from TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 , and the second nanostructure-forming material includes TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 Among them, any one material not selected as the first nanostructure-forming material is included.
즉, 제1 나노 구조체 물질층(721)은 산화 반응을 일으키는 물질로 형성된 경우, 제2 나노 구조체 물질층(722)은 환원 반응을 일으키는 물질로 형성되어, 제1 나노 구조체 물질층과 제2 나노 구조체 물질층이 외부에 함께 노출되어 산화 반응과 환원 반응이 함께 발생될 수 있다.That is, when the first
일례로, 제1 나노 구조체 물질층(721)은 기판(710) 상에 리프트 오프(lift-off)층이 형성되고, 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성되며, 형성된 패턴층에 기반하여 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 형성된 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성될 수 있다.For example, in the first
본 발명의 일실시예에 따르면 제2 나노 구조체 물질층(722)은 형성된 제1 나노 구조체 물질층(721) 상에 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second
일례로, 이중층 나노 구조의 광촉매 소자(720)는 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 및 형성된 패턴층은 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 제거됨에 따라 제1 나노 구조체 물질층(721) 및 제2 나노 구조체 물질층(722)을 포함하는 이중층 나노 구조로 형성될 수 있다.For example, in the
따라서, 본 발명은 두 물질의 결합 면적이 넓기에 이종접합(heterojunction)도 넓은 곳에서 형성되고, 나노 구조체에 의한 물과의 표면 면적이 넓어지며, 주기적인 구조체에 의한 빛 산란 효과로 빛 흡수 효율이 증가되는 광촉매 소자를 제공할 수 있다.Therefore, in the present invention, since the bonding area of the two materials is wide, the heterojunction is also formed in a wide place, the surface area with water is widened by the nanostructure, and the light absorption efficiency is due to the light scattering effect by the periodic structure. This increased photocatalytic device can be provided.
상술한 구체적인 실시 예들에서, 발명에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다.In the above-described specific embodiments, components included in the invention are expressed in singular or plural numbers according to the specific embodiments presented.
그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 상술한 실시 예들이 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.However, singular or plural expressions are selected appropriately for the presented situation for convenience of explanation, and the above-described embodiments are not limited to singular or plural components, and even components expressed in plural are composed of a singular number or , Even components expressed in the singular can be composed of plural.
한편 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 다양한 실시 예들이 내포하는 기술적 사상의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.Meanwhile, in the description of the invention, specific embodiments have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the technical idea contained in the various embodiments.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments and should not be defined, but should be defined by not only the claims to be described later, but also those equivalent to these claims.
Claims (17)
상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성하는 단계;
상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계;
상기 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제1 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계;
상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함된 제2 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계;
상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층과 상기 형성된 패턴층을 제거하고, 상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층과 상기 형성된 제2 나노 구조체 물질층을 포함하는 이중층 나노 구조의 광촉매 소자를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 선택된 어느 하나의 물질을 포함하며,
상기 제2 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 선택되지 않은 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는
경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법.forming a lift-off layer on the substrate;
forming a pattern layer having a specific pattern on the formed lift-off layer;
etching the formed lift-off layer based on the formed pattern layer to form an undercut of the etched lift-off layer;
A first nanostructure forming material is deposited on the etched lift-off layer providing a shadow effect based on the undercut by oblique angle deposition (OAD). forming a first nanostructured material layer including a space into which a lift-off process solution can be inserted;
A second nanostructure including a space into which the lift-off process solution can be inserted by oblique angle deposition (OAD) of a second nanostructure forming material on the formed first nanostructure material layer. forming a material layer;
The etched lift-off layer and the formed pattern layer are removed using the lift-off process solution, and the formed first nanostructure material layer and the formed second nanostructure layer are removed. Forming a double-layered nanostructured photocatalytic device including a structure material layer,
The first nanostructure forming material includes any one material selected from TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 ,
The second nanostructure-forming material comprises any one material not selected from the first nanostructure-forming material among TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4
A method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method.
상기 형성된 광촉매 소자는 상기 제1 나노 구조체 물질층과 상기 제2 나노 구조체 물질층이 외부에 함께 노출되어 산화 반응과 환원 반응이 함께 발생되는 것을 특징으로 하는
경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법.According to claim 7,
The formed photocatalytic element is characterized in that the first nanostructure material layer and the second nanostructure material layer are exposed to the outside so that an oxidation reaction and a reduction reaction occur together.
A method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method.
상기 형성된 광촉매 소자의 높이는 상기 리프트 오프(lift-off)층의 형성 시, 상기 리프트 오프(lift-off)층의 코팅 두께를 조절함에 따라 상기 조절된 코팅 두께에 기반하여 결정되는 것을 특징으로 하는
경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법.According to claim 7,
Characterized in that the height of the formed photocatalytic element is determined based on the adjusted coating thickness by adjusting the coating thickness of the lift-off layer when forming the lift-off layer.
A method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method.
상기 제1 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계는
상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 상기 제1 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계를 포함하고,
상기 제2 나노 구조체 물질층을 형성하는 단계는
상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)의 경사각을 0도 내지 90도로 조절하여 상기 제2 나노 구조체 물질층의 모양을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법.According to claim 7,
Forming the first nanostructure material layer
Controlling the shape of the first nanostructure material layer by adjusting the oblique angle deposition (OAD) angle from 0 to 90 degrees,
Forming the second nanostructure material layer
Controlling the shape of the second nanostructure material layer by adjusting the oblique angle deposition (OAD) angle from 0 to 90 degrees
A method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method.
상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층의 언더컷(undercut)을 형성하는 단계는
RIE(reactive ion etching) 공정 시간을 조절하여 상기 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD) 시 상기 그림자 효과(shadow effect)를 제공하면서, 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 생성되는 것을 지원하는 상기 언더컷(undercut)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는
경사각 증착법을 이용한 광촉매 소자 형성 방법.According to claim 7,
Forming an undercut of the etched lift-off layer
A space into which the lift-off process solution can be inserted while providing the shadow effect during the oblique angle deposition (OAD) by adjusting the RIE (reactive ion etching) process time characterized in that it comprises the step of forming the undercut (undercut) to support the creation
A method of forming a photocatalytic device using an inclined angle deposition method.
상기 특정 패턴에 내접하는 형태로 제2 나노 구조체 형성 물질로써 형성되며, 상기 제2 나노 구조체 형성 물질에 기반하여 상기 외부에 노출 시 상기 산화 반응 및 상기 환원 반응 중 상기 제1 나노 구조체 물질층의 어느 하나의 반응과는 다른 반응이 발생되는 제2 나노 구조체 물질층을 포함하고,
상기 제1 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 선택된 어느 하나의 물질을 포함하며,
상기 제2 나노 구조체 형성 물질은 TiO2, BiVO4, WO3 및 g-C3N4 중 상기 제1 나노 구조체 형성 물질에 선택되지 않은 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는
이중층 나노 구조의 광촉매 소자.It is formed as a first nanostructure forming material in a form in which at least one side is in contact with a substrate, including a specific pattern for forming a nanostructure, and an oxidation reaction and a reduction reaction when exposed to the outside based on the first nanostructure forming material a first nanostructure material layer in which any one of reactions occurs; and
It is formed as a second nanostructure forming material in a form inscribed with the specific pattern, and based on the second nanostructure forming material, when exposed to the outside, any of the oxidation reaction and the reduction reaction of the first nanostructure material layer A second nanostructure material layer in which a reaction different from one reaction occurs,
The first nanostructure forming material includes any one material selected from TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4 ,
The second nanostructure-forming material comprises any one material not selected from the first nanostructure-forming material among TiO 2 , BiVO 4 , WO 3 and g-C3N 4
A photocatalytic device with a double layer nanostructure.
상기 제1 나노 구조체 물질층은 상기 기판 상에 리프트 오프(lift-off)층이 형성되고, 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층 상에 상기 특정 패턴을 갖는 패턴층을 형성되며, 상기 형성된 패턴층에 기반하여 상기 형성된 리프트 오프(lift-off)층을 식각(etching)하여 형성된 언더컷(undercut)에 기반하여 그림자 효과(shadow effect)를 제공하는 상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 상에 상기 제1 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는
이중층 나노 구조의 광촉매 소자.According to claim 13,
In the first nanostructure material layer, a lift-off layer is formed on the substrate, and a pattern layer having the specific pattern is formed on the formed lift-off layer. The etched lift-off providing a shadow effect based on an undercut formed by etching the formed lift-off layer based on the layer Characterized in that the first nanostructure forming material is deposited on the layer by oblique angle deposition (OAD) to include a space into which a lift-off process solution can be inserted.
A photocatalytic device with a double layer nanostructure.
상기 제2 나노 구조체 물질층은 상기 형성된 제1 나노 구조체 물질층 상에 상기 제2 나노 구조체 형성 물질을 경사각 증착(oblique angle deposition, OAD)하여 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액이 삽입될 수 있는 공간이 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는
이중층 나노 구조의 광촉매 소자.According to claim 14,
In the second nanostructure material layer, the lift-off process solution may be inserted by oblique angle deposition (OAD) of the second nanostructure material on the formed first nanostructure material layer. Characterized in that it is formed to include a space in
A photocatalytic device with a double layer nanostructure.
상기 식각(etching)된 리프트 오프(lift-off)층 및 상기 형성된 패턴층은 상기 리프트 오프(lift-off) 공정 용액을 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는
이중층 나노 구조의 광촉매 소자.According to claim 15,
Characterized in that the etched lift-off layer and the formed pattern layer are removed using the lift-off process solution
A photocatalytic device with a double layer nanostructure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210097918A KR102536110B1 (en) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210097918A KR102536110B1 (en) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230016434A KR20230016434A (en) | 2023-02-02 |
| KR102536110B1 true KR102536110B1 (en) | 2023-05-26 |
Family
ID=85225647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210097918A KR102536110B1 (en) | 2021-07-26 | 2021-07-26 | Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102536110B1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101537477B1 (en) | 2014-05-19 | 2015-07-17 | 고려대학교 산학협력단 | Method of manufacturing a metal nano structure and metal nano structure manufactured by the same |
| KR101826413B1 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | Three dimensional hybrid nanostructures based materials for efficient photochemical or photoelectrochemical reaction and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3685495D1 (en) * | 1986-07-11 | 1992-07-02 | Ibm | METHOD FOR PRODUCING A UNDERLYED MASK CONTOUR. |
| KR100714924B1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-07 | 한국전자통신연구원 | Method of manufacturing nano-gap electrode device |
| KR101467281B1 (en) | 2008-03-19 | 2014-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Apparatus for nano metal wire grid by oblique deposition and method for protection coating thereof |
| KR101022506B1 (en) | 2008-12-24 | 2011-03-16 | 한국기계연구원 | Pattern transfer method of nanoimprint lithography using shadow evaportation and nanotransfer printing |
| KR20100092091A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-20 | 연세대학교 산학협력단 | Method of fabricting a nano-structure |
| KR101219769B1 (en) * | 2009-08-18 | 2013-01-18 | 세종대학교산학협력단 | Carbon nanostructured material pattern and manufacturing method of the same, and carbon nanostructured material thin film transistor and manufacturing method of the same |
| KR101309308B1 (en) * | 2010-04-14 | 2013-09-17 | 서울대학교산학협력단 | Electronic device and manufacturing method thereof |
| KR101357065B1 (en) * | 2011-11-11 | 2014-02-12 | (재)한국나노기술원 | Method for adjust refractive index of Multilayer Nanostructure Using Imprint Lithography and Lift-Off Processes |
| KR101339967B1 (en) * | 2011-11-23 | 2013-12-10 | 한국과학기술원 | Capillary Force Driven Nano-gap metal patterning |
| KR20170092452A (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting apparatus and the method for manufacturing of the organic light-emitting display apparatus |
| KR102115336B1 (en) | 2018-08-08 | 2020-06-05 | 국방과학연구소 | Preparation method of wire grid polarizer using oblique angle deposition and wire grid polarizer prepared thereby |
-
2021
- 2021-07-26 KR KR1020210097918A patent/KR102536110B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101537477B1 (en) | 2014-05-19 | 2015-07-17 | 고려대학교 산학협력단 | Method of manufacturing a metal nano structure and metal nano structure manufactured by the same |
| KR101826413B1 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | Three dimensional hybrid nanostructures based materials for efficient photochemical or photoelectrochemical reaction and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230016434A (en) | 2023-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liang et al. | Self‐assembly of colloidal spheres toward fabrication of hierarchical and periodic nanostructures for technological applications | |
| US11090903B2 (en) | Superhydrophobic and superoleophobic nanosurfaces | |
| Li et al. | Periodic one-dimensional nanostructured arrays based on colloidal templates, applications, and devices | |
| Li et al. | Physical processes-aided periodic micro/nanostructured arrays by colloidal template technique: fabrication and applications | |
| JP4673266B2 (en) | Pattern forming method and mold | |
| US8951428B2 (en) | Method for the fabrication of periodic structures on polymers using plasma processes | |
| KR101199254B1 (en) | Nanostructures and method of making the same | |
| Telecka et al. | Nanotextured Si surfaces derived from block-copolymer self-assembly with superhydrophobic, superhydrophilic, or superamphiphobic properties | |
| WO2008045114A2 (en) | Method for fabricating nanostructures | |
| WO2012054042A1 (en) | Method of forming a nano-structure | |
| KR102536110B1 (en) | Method for fabricating nano structure and photocatalyst device using oblique angle deposition and photocatalyst device using the same method | |
| US9156004B2 (en) | Fabrication of enclosed nanochannels using silica nanoparticles | |
| He et al. | A top-down fabrication process for vertical hollow silicon nanopillars | |
| KR101168250B1 (en) | Patterning Method for Nano-Structure | |
| Qu et al. | Fabrication of Nanochannels Using Glancing Angle Deposition With Line Seeds | |
| KR101878600B1 (en) | Method of fabricating periodic metal nanopatterns for optical biosensors | |
| US20170110330A1 (en) | System and method for lithographic surface texturing | |
| KR20120093470A (en) | Method of forming nano dimple pattern and nanostructure | |
| KR101080612B1 (en) | Method for fabricating etch pits of electrochemical etching | |
| JP2006128438A (en) | Method of forming nano-gap electrode and nano-gap electrode obtained thereby, and element equipped with the electrode | |
| US10315177B2 (en) | Oxide shell structures and methods of making oxide shell structures | |
| CN115877653A (en) | Pellicle for EUV lithography mask and method for manufacturing the same | |
| TW202031358A (en) | A photocatalytic structure and method for making the same | |
| CN111489897B (en) | Photocatalytic structure and preparation method thereof | |
| KR100590442B1 (en) | Fabrication method of x-ray mask for manufacturing nano structure and fabrication method of nano structure using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |