KR102531370B1 - Lighting device - Google Patents

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KR102531370B1
KR102531370B1 KR1020200187329A KR20200187329A KR102531370B1 KR 102531370 B1 KR102531370 B1 KR 102531370B1 KR 1020200187329 A KR1020200187329 A KR 1020200187329A KR 20200187329 A KR20200187329 A KR 20200187329A KR 102531370 B1 KR102531370 B1 KR 102531370B1
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lighting device
reflective film
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고영욱
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주식회사 지엘비젼
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/20Dichroic filters, i.e. devices operating on the principle of wave interference to pass specific ranges of wavelengths while cancelling others
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00Reflectors for light sources
    • F21V7/22Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
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Abstract

본 발명은 기판 및 적어도 하나 이상의 광원을 포함하는 발광부; 상기 광원으로부터 출력되는 광의 파장을 변경시키는 적어도 하나 이상의 제1 파장변환층; 및 조사되는 광을 반사시키는 반사필름을 포함하고, 상기 반사필름은 상기 광원과 대응되는 영역에 위치하는 적어도 하나 이상의 개구영역을 포함하고, 상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역에 대응되는 위치에 형성되며, 상기 개구영역의 넓이는 상기 광원의 넓이보다 크며, 상기 광원으로부터 출력되는 광은 상기 제1 파장변환층에 의해 파장이 변경되어 출광부로 출력되는, 조명 장치에 관한 것이다.The present invention includes a light emitting unit including a substrate and at least one or more light sources; At least one first wavelength conversion layer for changing the wavelength of light output from the light source; and a reflective film that reflects irradiated light, wherein the reflective film includes at least one opening area positioned in an area corresponding to the light source, and the first wavelength conversion layer is positioned in a location corresponding to the opening area. A width of the opening area is greater than that of the light source, and a wavelength of light output from the light source is changed by the first wavelength conversion layer and output to a light exit unit.

Description

조명 장치{Lighting device} Lighting device {Lighting device}

아래의 실시 예들은 조명 장치에 관한 것이다. The following embodiments relate to lighting devices.

양자점(Quantum dot)은 지름이 수 나노 미터(nm) 이하의 크기의 초미세 반도체 입자를 말하며, 양자점은 입자의 크기에 따라 다양한 파장의 빛을 발광한다는 점에서 디스플레이, 태양 전지, 컴퓨터 등의 다양한 분야에 이용되고 있다. 상기 양자점은 필름 형태의 수지에 담지되어 양자점 필름으로 구현되어 이용되고 있다. Quantum dot refers to ultra-fine semiconductor particles with a diameter of several nanometers or less. Quantum dots emit light of various wavelengths depending on the size of the particle, so they can be used in various applications such as displays, solar cells, and computers. being used in the field. The quantum dots are supported on a resin in the form of a film and implemented as a quantum dot film.

파장변환물질을 포함하는 필름 등은 조명 장치 내에서 광 변조를 위해 이용될 수 있다. 조명 장치의 광효율성 및 연색성 향상을 위해, 조명 장치 내에서 구비되는 구성에 파장변환물질을 포함하는 필름 등을 배치하고자 하는 수요가 증대하고 있다.A film or the like including a wavelength conversion material may be used for light modulation in a lighting device. In order to improve the light efficiency and color rendering of the lighting device, there is an increasing demand for disposing a film or the like including a wavelength conversion material in a configuration provided in the lighting device.

본 발명의 일 과제는, 양자점 및 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 파장변환층에 의해 광의 파장이 변경되어 연색성이 향상된 광을 출광하는 조명 장치를 제공하는 것이다. One object of the present invention is to provide a lighting device that emits light with improved color rendering properties by changing the wavelength of light by a wavelength conversion layer including at least one of quantum dots and phosphors.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 조명 장치는 기판 및 적어도 하나 이상의 광원을 포함하는 발광부; 상기 광원으로부터 출력되는 광의 파장을 변경시키는 적어도 하나 이상의 제1 파장변환층; 및 조사되는 광을 반사시키는 반사필름을 포함하고, 상기 반사필름은 상기 광원과 대응되는 영역에 위치하는 적어도 하나 이상의 개구영역을 포함하고, 상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역에 대응되는 위치에 형성되며, 상기 제1 파장변환층은 상기 광원과 이격되어 위치하며, 상기 개구영역의 넓이는 상기 광원의 넓이보다 크며, 상기 광원으로부터 출력되는 광은 상기 제1 파장변환층에 의해 파장이 변경되어 출광부로 출력되는, 조명 장치일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the lighting device includes a light emitting unit including a substrate and at least one or more light sources; At least one first wavelength conversion layer for changing the wavelength of light output from the light source; and a reflective film that reflects irradiated light, wherein the reflective film includes at least one opening area positioned in an area corresponding to the light source, and the first wavelength conversion layer is positioned in a location corresponding to the opening area. formed, the first wavelength conversion layer is located spaced apart from the light source, the width of the opening area is larger than the width of the light source, and the wavelength of light output from the light source is changed by the first wavelength conversion layer It may be a lighting device that is output to the light exit unit.

본 발명의 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The solutions to the problems of the present invention are not limited to the above-described solutions, and solutions not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. You will be able to.

본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 발광부에서 출력된 광을 간접적으로 외부에 조사 시킬 수 있어, 사용자의 눈부심을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 파장이 변경된 광을 외부로 조사 시킬 수 있어, 상기 조명 장치의 연색성이 향상될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 내부에 위치하는 반사필름으로 인해, 상기 조명 장치의 광 효율이 향상될 수 있다. The lighting device according to an embodiment of the present invention can indirectly radiate the light output from the light emitting unit to the outside, thereby preventing a user from being dazzled. The lighting device according to an embodiment of the present invention may externally radiate light having a changed wavelength, and thus, color rendering of the lighting device may be improved. The light efficiency of the lighting device according to an embodiment of the present invention may be improved due to the reflective film positioned therein.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. The effect of the present invention is not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 전체적인 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 분해도를 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4는 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 6은 제2 실시 예에 따른 조명 장치의 광 경로를 나타내는 도면이다.
도 7은 제3 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 8은 제4 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 9는 제5 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 10은 제6 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 11은 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다.
도 14는 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다.
도 16은 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다.
1 is a view showing the overall structure of a lighting device according to a first embodiment.
2 is an exploded view of the lighting device according to the first embodiment.
3 and 4 are cross-sectional views of the lighting device according to the first embodiment.
5 is a cross-sectional view of a lighting device according to a second embodiment.
6 is a diagram illustrating a light path of a lighting device according to a second embodiment.
7 is a cross-sectional view of a lighting device according to a third embodiment.
8 is a cross-sectional view of a lighting device according to a fourth embodiment.
9 is a cross-sectional view of a lighting device according to a fifth embodiment.
10 is a cross-sectional view of a lighting device according to a sixth embodiment.
11 is a view showing a conventional lighting device.
12 and 13 are diagrams illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.
14 is a diagram showing a conventional lighting device.
15 is a diagram illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.
16 is a view showing a conventional lighting device.
17 is a diagram illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the spirit of the present invention is not limited to the presented embodiments, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention may add, change, delete, etc. other elements within the scope of the same spirit, through other degenerative inventions or the present invention. Other embodiments included in the scope of the inventive idea can be easily suggested, but it will also be said to be included in the scope of the inventive concept.

또한, 각 실시 예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다. In addition, components having the same function within the scope of the same idea appearing in the drawings of each embodiment are described using the same reference numerals.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 및 적어도 하나 이상의 광원을 포함하는 발광부; 상기 광원으로부터 출력되는 광의 파장을 변경시키는 적어도 하나 이상의 제1 파장변환층; 및 조사되는 광을 반사시키는 반사필름을 포함하고, 상기 반사필름은 상기 광원과 대응되는 영역에 위치하는 적어도 하나 이상의 개구영역을 포함하고, 상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역과 대응되는 위치에 형성되며, 상기 개구영역의 넓이는 상기 광원의 넓이보다 크며, 상기 광원으로부터 출력되는 광은 상기 제1 파장변환층에 의해 파장이 변경되어 출광부로 출력되는, 조명 장치가 제공될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a light emitting unit including a substrate and at least one or more light sources; At least one first wavelength conversion layer for changing the wavelength of light output from the light source; and a reflective film that reflects irradiated light, wherein the reflective film includes at least one opening area positioned in an area corresponding to the light source, and the first wavelength conversion layer is positioned in a location corresponding to the opening area. The opening area may be wider than the light source, and the wavelength of the light emitted from the light source may be changed by the first wavelength conversion layer and output to the light exit unit.

또, 상기 반사필름은 제1 면 및 제2 면을 포함하고, 상기 반사필름의 제1 면은 상기 발광부와 마주보며 위치하는 면이고, 상기 반사필름의 제2 면은 상기 출광부와 마주보며 위치하는 면이며,In addition, the reflective film includes a first surface and a second surface, the first surface of the reflective film is a surface facing the light emitting unit, and the second surface of the reflective film faces the light emitting unit, is the side on which it is located,

상기 제1 파장변환층은 상면 및 하면을 포함하고, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 출광부와 마주보며 위치하는 면이고, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 발광부와 마주보며 위치하는 면이며, 상기 개구영역은 상기 반사필름의 제1 면과 제2 면 사이를 관통하며 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.The first wavelength conversion layer includes an upper surface and a lower surface, the upper surface of the first wavelength conversion layer is positioned facing the light emitting part, and the lower surface of the first wavelength conversion layer is positioned facing the light emitting part. and the opening area is formed penetrating between the first and second surfaces of the reflective film, a lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역의 적어도 일부를 채우며 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the first wavelength conversion layer is formed to fill at least a portion of the opening area, the lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제2 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the second surface of the reflective film, and the lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film. A device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층은 적어도 하나 이상의 제2 파장변환층을 포함하고, 상기 제2 파장변환층은 상면 및 하면을 포함하고, 상기 제2 파장변환층의 상면은 상기 출광부와 마주보며 위치하는 면이고, 상기 제2 파장변환층의 하면은 상기 발광부와 마주보며 위치하는 면이며, 상기 제2 파장변환층은 상기 반사필름과 대응되는 위치에 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the first wavelength conversion layer includes at least one second wavelength conversion layer, the second wavelength conversion layer includes an upper surface and a lower surface, and the upper surface of the second wavelength conversion layer faces the light emitting unit, A surface positioned, a lower surface of the second wavelength conversion layer is a surface positioned facing the light emitting unit, and the second wavelength conversion layer is formed at a position corresponding to the reflective film, a lighting device may be provided. .

또, 상기 제1 파장변환층은 상기 제2 파장변환층과 접하면서 형성되고, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 제2 파장변환층의 하면과 동일한 평면 상에 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the first wavelength conversion layer is formed while being in contact with the second wavelength conversion layer, the upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film, the first wavelength conversion layer The lower surface of the second wavelength conversion layer and the lower surface of the second wavelength conversion layer and located on the same plane, the lighting device may be provided.

또, 상기 제2 파장변환층은 상기 반사필름의 제1 면과 접하면서 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the second wavelength conversion layer is formed while contacting the first surface of the reflective film, the lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층은 상기 제2 파장변환층과 일체로 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the first wavelength conversion layer is integrally formed with the second wavelength conversion layer, the lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역의 적어도 일부를 채우며 형성되고, 상기 제2 파장변환층은 상기 반사필름과 접하면서 형성되고, 상기 제1 파장변환층과 상기 제2 파장변환층은 접하면서 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the first wavelength conversion layer is formed to fill at least a part of the opening area, the second wavelength conversion layer is formed while contacting the reflective film, and the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are A lighting device formed while contacting may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제2 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제2 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제1 면과 접하면서 형성되고, 상기 제1 파장변환층의 하면과 상기 제2 파장변환층의 하면은 동일한 평면 상에 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the second surface of the reflective film, the upper surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the first surface of the reflective film, and the first A lower surface of the wavelength conversion layer and a lower surface of the second wavelength conversion layer are positioned on the same plane, and the lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 제2 파장변환층의 상면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제2 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제2 면과 접하면서 형성되는, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, the upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the upper surface of the second wavelength conversion layer, the lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film, A lower surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the second surface of the reflective film, and a lighting device may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층과 상기 제2 파장변환층은 서로 접하여 형성되고, 상기 제2 파장변환층은 상기 반사필름의 일부 영역에 위치하고, 상기 제2 파장변환층은 인접하는 상기 개구영역에 형성된 제2 파장변환층과 이격되어 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are formed in contact with each other, the second wavelength conversion layer is located in a partial region of the reflective film, and the second wavelength conversion layer is adjacent to the opening region. A lighting device positioned to be spaced apart from the formed second wavelength conversion layer may be provided.

또, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제2 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제2 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제1 면과 접하면서 형성되고, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 제2 파장변환층의 하면과 동일한 평면 상에 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the second surface of the reflective film, the upper surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the first surface of the reflective film, and the first A lower surface of the wavelength conversion layer may be provided with a lighting device positioned on the same plane as the lower surface of the second wavelength conversion layer.

또, 상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하고, 상기 제2 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제2 면과 접하면서 형성되고, 상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 제2 파장변환층의 상면과 동일한 평면 상에 위치하는, 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film, and the lower surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the second surface of the reflective film, and the first An upper surface of the wavelength conversion layer may be provided with a lighting device positioned on the same plane as an upper surface of the second wavelength conversion layer.

또, 상기 광원과 상기 파장변환층 사이의 거리는 상기 광원의 높이보다 짧고, 상기 광원과 상기 파장변환층 사이의 거리는 상기 반사필름의 두께보다 짧은, 조명 장치가 제공될 수 있다.In addition, a distance between the light source and the wavelength conversion layer may be shorter than a height of the light source, and a distance between the light source and the wavelength conversion layer may be shorter than a thickness of the reflective film.

또, 상기 제1 파장변환층은 양자점, 형광체 및 나노 형광체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 조명 장치가 제공될 수 있다. In addition, the first wavelength conversion layer may be provided with a lighting device including at least one or more of quantum dots, phosphors, and nano phosphors.

또, 상기 광원에서 출력된 광 중 적어도 일부는 상기 제1 파장변환층을 거쳐 상기 개구영역을 통해 상기 출광부로 출광되는 제1 광이고, 상기 광원에서 출력된 광 중 적어도 일부는 상기 반사필름의 제1 면 상에 위치한 상기 제2 파장변환층 및 상기 기판에서 반사되어 상기 제1 파장변환층을 거쳐 상기 개구영역을 통해 상기 출광부로 출광되는 제2 광이고, 상기 제1 광의 파장대별 세기와 상기 제2 광의 파장대별 세기는 상이한, 조명장치가 제공될 수 있다.In addition, at least a portion of the light output from the light source is first light emitted to the light emitting unit through the first wavelength conversion layer and through the aperture, and at least a portion of the light output from the light source is the first light emitted from the reflective film. Second light that is reflected from the second wavelength conversion layer and the substrate located on the first surface and exits to the light emitting unit through the first wavelength conversion layer and through the aperture, and the intensity of each wavelength of the first light An illumination device having different intensities for each wavelength of the second light may be provided.

도 1은 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 전체적인 구조를 나타내는 도면이다. 도 2는 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 분해도를 나타내는 도면이다. 도 3 및 도 4는 제1 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다. 1 is a view showing the overall structure of a lighting device according to a first embodiment. 2 is an exploded view of the lighting device according to the first embodiment. 3 and 4 are cross-sectional views of the lighting device according to the first embodiment.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 출원의 제1 실시 예에 따른 조명장치(1)는 광을 외부로 조사 시킬 수 있다. 상기 조명 장치(1)는 광을 간접적으로 외부에 조사 시킬 수 있다. 또한, 상기 조명 장치(1)는 백색광에 인접한 광을 외부로 조사 시킬 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 4 , the lighting device 1 according to the first embodiment of the present application may radiate light to the outside. The lighting device 1 may indirectly radiate light to the outside. In addition, the lighting device 1 may radiate light adjacent to white light to the outside.

상기 조명 장치(1)는 발광부(100), 출광부(200), 반사필름(300), 제1 파장변환층(410) 및 측면부(500)을 포함할 수 있다. The lighting device 1 may include a light emitting part 100 , a light emitting part 200 , a reflective film 300 , a first wavelength conversion layer 410 and a side part 500 .

상기 발광부(100)는 광을 출력할 수 있다. The light emitting unit 100 may output light.

상기 발광부(100)는 기판(110) 및 광원(120)을 포함할 수 있다. 상기 광원(120)은 상기 기판(110) 상에 형성되어, 광을 출력할 수 있다. The light emitting part 100 may include a substrate 110 and a light source 120 . The light source 120 may be formed on the substrate 110 and output light.

상기 기판(110)은 상기 발광부(100)의 전체적인 구조를 구성하는 평면으로, 단단한 물질로 구성될 수 있다. 상기 기판(110)은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 상기 기판은 원형이나 사각형, 또는 이 외의 다른 형태일 수 있다. 상기 기판(110)은 전체적인 상기 조명 장치(1)의 구조에 따라 형태가 달라질 수 있다. The substrate 110 is a plane constituting the overall structure of the light emitting part 100 and may be made of a hard material. The substrate 110 may be provided in various forms. The substrate may be circular, rectangular, or any other shape. The shape of the substrate 110 may vary according to the overall structure of the lighting device 1 .

상기 기판(110)에는 상기 광원(120)이 위치할 수 있다. 상기 기판(110)은 상기 광원(120)을 포함하는 형태로 제공될 수 있다. 상기 기판(110)은 상기 광원(120)을 포함하는 PCB 기판(인쇄 회로 기판) 형태로 제공될 수 있다. The light source 120 may be positioned on the substrate 110 . The substrate 110 may be provided in a form including the light source 120 . The board 110 may be provided in the form of a PCB board (printed circuit board) including the light source 120 .

상기 광원(120)은 상기 기판(110) 상에 위치할 수 있다. The light source 120 may be positioned on the substrate 110 .

상기 광원(120)은 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(120)에 전압이 공급되면, 상기 광원(120)은 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(120)은 다양한 대역의 파장의 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(120)은 다양한 대역의 파장의 광을 출력하되, 특정 대역의 파장이 가장 센 피크를 가지는 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(120)은 청색 대역의 파장의 광을 출력할 수 있다. 상기 광원(120)은 청색 대역의 파장의 광을 출력할 수 있고, 상기 청색 대역의 파장의 광은 가시광 대역에서 가장 높은 에너지를 가져 다양한 종류의 광으로 변조될 수 있어 상기 조명 장치(1)의 색 재현성이 향상될 수 있다. 상기 광원(120)은 LED 광원일 수 있다. 상기 광원(120)의 높이는 약 450μm 일 수 있다. The light source 120 may output light. When voltage is supplied to the light source 120, the light source 120 may output light. The light source 120 may output light of various bands of wavelengths. The light source 120 may output light of a wavelength of various bands, but may output light having the strongest peak of a wavelength of a specific band. The light source 120 may output light having a wavelength of a blue band. The light source 120 can output light of a wavelength of a blue band, and the light of a wavelength of the blue band has the highest energy in the visible light band and can be modulated into various types of light, so that the light of the lighting device 1 Color reproducibility can be improved. The light source 120 may be an LED light source. The height of the light source 120 may be about 450 μm.

상기 광원(120)은 상기 기판(110)의 평면을 기준으로 평행하게 배치될 수 있고, 또는 소정의 각도만큼 기울어져서 배치될 수도 있다. The light source 120 may be disposed parallel to the plane of the substrate 110 or inclined at a predetermined angle.

상기 광원(120)은 복수일 수 있다. 상기 복수의 광원(120)은 상기 기판(110) 상에서 소정의 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 광원(120)은 상기 기판(110)을 관통하면서 소정의 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. The light source 120 may be plural. The plurality of light sources 120 may be spaced apart from each other by a predetermined distance on the substrate 110 . The plurality of light sources 120 may be spaced apart from each other by a predetermined distance while penetrating the substrate 110 .

상기 출광부(200)는 상기 발광부(100)에서 출력된 광을 외부로 조사하는 구성으로, 상기 발광부(100)와 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 발광부(100)의 중심과 상기 출광부(200)의 중심이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 발광부(100)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 발광부(100)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면은 서로 평행하되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)는 서로 대향되도록 배치되되 상기 발광부(100)의 중심과 상기 출광부(200)의 중심이 대응되고, 상기 발광부(100)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면은 서로 평행하되 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. The light emitting unit 200 is configured to radiate the light output from the light emitting unit 100 to the outside, and may be disposed to face each other with the light emitting unit 100 . The light emitting part 100 and the light emitting part 200 are arranged to face each other, but may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The light emitting part 100 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and the center of the light emitting part 100 and the center of the light emitting part 200 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The light emitting part 100 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and a plane of the light emitting part 100 and a plane of the light emitting part 200 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. A plane of the light emitting unit 100 and a plane of the light emitting unit 200 may be parallel to each other, but spaced apart from each other at a predetermined interval. The light emitting part 100 and the light emitting part 200 are arranged to face each other, and the center of the light emitting part 100 corresponds to the center of the light emitting part 200, and the plane of the light emitting part 100 and the center of the light emitting part 100 correspond to each other. Planes of the light emitting units 200 may be arranged parallel to each other but spaced apart from each other at a predetermined interval.

상기 출광부(200)는 반투명한 소재로 형성될 수 있다. 따라서 광은 외부로 조사되지만, 상기 조명 장치(1)의 내부 형태는 사용자에게 시인되지 않도록 할 수 있다.The light exit unit 200 may be formed of a translucent material. Accordingly, the light is radiated to the outside, but the internal shape of the lighting device 1 may not be visually recognized by the user.

상기 출광부(200)는 상기 발광부(100)에서 출력되는 광을 투과 또는 확산 시킬 수 있는 소재를 포함할 수 있다. The light emitting part 200 may include a material capable of transmitting or diffusing the light output from the light emitting part 100 .

상기 출광부(200)는 다양한 형태로 제공될 수 있다. 상기 출광부(200)는 원형이나 사각형, 또는 이 외의 다른 형태일 수 있다. 상기 출광부(200)는 전체적인 상기 조명 장치(1)의 구조에 따라 형태가 달라질 수 있다. 상기 출광부(200)는 상기 발광부(100)의 형태와 대응되는 형태일 수 있다. The light exit unit 200 may be provided in various forms. The light output unit 200 may have a circular shape, a rectangular shape, or other shapes. The shape of the light emitting unit 200 may vary according to the overall structure of the lighting device 1 . The light emitting part 200 may have a shape corresponding to the shape of the light emitting part 100 .

상기 반사필름(300)은 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)의 사이에 위치할 수 있다. 상기 반사필름(300)은 상기 발광부(100)와 인접하게 위치할 수 있다. The reflective film 300 may be positioned between the light emitting part 100 and the light emitting part 200 . The reflective film 300 may be positioned adjacent to the light emitting part 100 .

상기 반사필름(300)은 상기 발광부(100)와 서로 대향되도록 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 발광부(100)는 서로 대향하도록 배치되되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 발광부(100)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 반사필름(300)의 중심과 상기 발광부(100)의 중심이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 발광부(100)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 발광부(100)의 평면이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 발광부(100)의 평면은 서로 평행하되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 발광부(100)는 서로 대향되도록 배치되되 상기 반사필름(300)의 중심과 상기 발광부(100)의 중심이 대응되고, 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 발광부(100)의 평면은 서로 평행하되 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.The reflective film 300 may be disposed to face the light emitting part 100 . The reflective film 300 and the light emitting part 100 are arranged to face each other, but may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 100 are disposed to face each other, and the center of the reflective film 300 and the center of the light emitting part 100 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 100 are disposed to face each other, and a plane of the reflective film 300 and a plane of the light emitting part 100 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The plane of the reflective film 300 and the plane of the light emitting unit 100 may be parallel to each other, but spaced apart from each other by a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 100 are disposed to face each other, and the center of the reflective film 300 and the center of the light emitting part 100 correspond to each other, and the plane of the reflective film 300 and the light emitting part 100 correspond to each other. Planes of the light emitting units 100 may be arranged parallel to each other but spaced apart at predetermined intervals.

상기 반사필름(300)은 상기 출광부(200)와 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 반사필름(300)의 중심과 상기 출광부(200)의 중심이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면은 서로 평행하되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 반사필름(300)과 상기 출광부(200)는 서로 대향되도록 배치되되 상기 반사필름(300)의 중심과 상기 출광부(200)의 중심이 대응되고, 상기 반사필름(300)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면은 서로 평행하되 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.The reflective film 300 may be disposed to face the light emitting part 200 . The reflective film 300 and the light emitting part 200 are arranged to face each other, but may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and the center of the reflective film 300 and the center of the light emitting part 200 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and a plane of the reflective film 300 and a plane of the light emitting part 200 may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The plane of the reflective film 300 and the plane of the light emitting unit 200 may be parallel to each other, but spaced apart from each other by a predetermined interval. The reflective film 300 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and the center of the reflective film 300 and the center of the light emitting part 200 correspond to each other, and the plane of the reflective film 300 and the light emitting part 200 correspond to each other. Planes of the light emitting units 200 may be arranged parallel to each other but spaced apart from each other at a predetermined interval.

상기 반사필름(300)은 상기 발광부(100)의 전체 영역과 대응되는 영역에 위치하거나, 상기 발광부(100)의 일부 영역에 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 반사필름(300)은 상기 출광부(200)의 전체 영역과 대응되는 영역에 위치하거나, 상기 출광부(200)의 일부 영역에 대응되는 영역에 위치할 수 있다.The reflective film 300 may be positioned in an area corresponding to the entire area of the light emitting unit 100 or in an area corresponding to a partial area of the light emitting unit 100 . The reflective film 300 may be located in an area corresponding to the entire area of the light emitting part 200 or in an area corresponding to a partial area of the light emitting part 200 .

상기 반사필름(300)은 제1 면(310) 및 제2 면(320)을 포함할 수 있다. 상기 반사필름의 제1 면(310)은 상기 발광부(100)와 마주보며 위치하는 면일 수 있다. 상기 반사필름의 제2 면(320)은 상기 출광부(200)와 마주보며 위치하는 면일 수 있다. 상기 반사필름의 제1 면(310) 및 상기 반사필름의 제2 면(320)은 서로 평행할 수 있다. The reflective film 300 may include a first surface 310 and a second surface 320 . The first surface 310 of the reflective film may be a surface positioned facing the light emitting part 100 . The second surface 320 of the reflective film may be a surface positioned facing the light exit part 200 . The first surface 310 of the reflective film and the second surface 320 of the reflective film may be parallel to each other.

상기 반사필름(300)은 상기 발광부(100)에서 출력되는 광을 반사 시킬 수 있다. 상기 반사필름(300)은 광을 반사 시킬 수 있는 소재로 구성될 수 있다. 상기 반사필름(300)은 불투명한 소재로 구성될 수 있다. The reflective film 300 may reflect light output from the light emitting unit 100 . The reflective film 300 may be made of a material capable of reflecting light. The reflective film 300 may be made of an opaque material.

상기 반사필름(300)은 반사물질로 구성된 하나의 부재로 형성될 수 있다.The reflective film 300 may be formed of a single member made of a reflective material.

또는, 본 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반사필름(300)은 2 이상의 부재로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 반사필름(300)은 상기 반사필름(300)의 구조를 정의하는 필름부재와 상기 필름부재 상에 도포되는 반사층을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 반사층은 접착성이 있는 물질로 형성되어, 상기 필름부재 상에 상기 반사층이 접착되어, 상기 반사필름(300)을 구성할 수도 있다.Alternatively, although not shown in this drawing, the reflective film 300 may be formed of two or more members. In this case, the reflective film 300 may include a film member defining the structure of the reflective film 300 and a reflective layer applied on the film member. The reflective layer may be formed of an adhesive material, and the reflective layer may be adhered to the film member to form the reflective film 300 .

상기 반사필름(300)의 두께는 약 180μm일 수 있다. The thickness of the reflective film 300 may be about 180 μm.

상기 반사필름(300)은 개구영역(330)을 포함할 수 있다. 상기 개구영역(330)은 상기 반사필름(300)을 관통하며 형성될 수 있다. 상기 개구영역(330)은 상기 반사필름의 제1 면(310) 및 상기 반사필름의 제2 면(320)을 관통하며 형성될 수 있다. 상기 개구영역(330)은 상기 반사필름(300)에 형성된 비어 있는 공간일 수 있다. 상기 개구영역(330)은 원형이나 사각형, 또는 이 외의 다른 형태일 수 있다. The reflective film 300 may include an opening area 330 . The opening area 330 may be formed penetrating the reflective film 300 . The opening area 330 may be formed to pass through the first surface 310 of the reflective film and the second surface 320 of the reflective film. The opening area 330 may be an empty space formed in the reflective film 300 . The opening area 330 may have a circular shape, a rectangular shape, or other shapes.

상기 개구영역(330)은 상기 광원(120)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 개구영역(330)의 넓이는 상기 광원(120)의 넓이보다 클 수 있다. 상기 개구영역(330)은 복수일 수 있다. 상기 개구영역(330)의 수는 상기 광원(120)의 수와 대응될 수 있다.The opening area 330 may be formed at a position corresponding to the light source 120 . An area of the opening area 330 may be larger than that of the light source 120 . The number of opening areas 330 may be plural. The number of the opening areas 330 may correspond to the number of the light sources 120 .

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)의 사이에 위치할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be positioned between the light emitting part 100 and the light emitting part 200 .

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 발광부(100)와 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 발광부(100)는 서로 대향하도록 배치되되 상기 발광부(100)와 접하면서 배치될 수 있고, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 발광부(100)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 제1 파장변환층(410)의 평면과 상기 발광부(100)의 평면이 접하면서 배치될 수 있고, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수도 있다. 상기 제1 파장변환층(410)의 평면과 상기 발광부(100)의 평면은 서로 평행하되 서로 접하면서 배치될 수 있고, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수도 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be disposed to face the light emitting part 100 . The first wavelength conversion layer 410 and the light emitting part 100 are disposed to face each other, but may be disposed while contacting the light emitting part 100 or may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The first wavelength conversion layer 410 and the light emitting part 100 are disposed to face each other, and a plane of the first wavelength conversion layer 410 and a plane of the light emitting part 100 may be disposed while being in contact with each other, , and may be arranged spaced apart at predetermined intervals. The plane of the first wavelength conversion layer 410 and the plane of the light emitting part 100 may be disposed parallel to each other while contacting each other, or may be spaced apart from each other at a predetermined interval.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 출광부(200)와 서로 대향하도록 배치될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 출광부(200)는 서로 대향하도록 배치되되, 상기 제1 파장변환층(410)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면은 서로 평행하되, 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be disposed to face the light emitting part 200 . The first wavelength conversion layer 410 and the light emitting part 200 are arranged to face each other, but may be spaced apart from each other at a predetermined interval. The first wavelength conversion layer 410 and the light emitting part 200 are disposed to face each other, and a plane of the first wavelength conversion layer 410 and a plane of the light emitting part 200 are spaced apart at a predetermined interval. can be placed. A plane of the first wavelength conversion layer 410 and a plane of the light emitting part 200 may be parallel to each other, but spaced apart from each other by a predetermined interval.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 발광부(100)와 대응되도록 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)과 대응되도록 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)의 넓이는 상기 광원(120)의 넓이보다 클 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be positioned to correspond to the light emitting part 100 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned to correspond to the light source 120 . An area of the first wavelength conversion layer 410 may be larger than that of the light source 120 .

상기 제1 파장변환층(410)의 넓이가 상기 광원(120)의 넓이보다 큼으로 인해, 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)에서 출력되는 광을 최대한 많이 입력 받을 수 있고, 상기 제1 파장변환층(410)은 입력 받은 광의 파장을 변경 시켜 상기 출광부(200)로 출력시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 파장변환층(410)의 넓이가 상기 광원(120)의 넓이보다 크게 형성되는 구조로 인해, 상기 광원(120)에서 출력되는 광의 손실을 최소화하면서, 상기 조명 장치(1)의 효율성을 도모할 수 있다. Since the width of the first wavelength conversion layer 410 is larger than the width of the light source 120, the first wavelength conversion layer 410 can receive as much light output from the light source 120 as possible, , The first wavelength conversion layer 410 can change the wavelength of the input light and output it to the light emitting unit 200 . That is, due to the structure in which the width of the first wavelength conversion layer 410 is larger than the width of the light source 120, while minimizing the loss of light output from the light source 120, efficiency can be achieved.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 반사필름(300)과 인접하게 위치할 수 있다. 상기 제1파장변환층(410)은 상기 반사필름(300)과 접하면서 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 반사필름(300)의 일부와 접하면서 위치할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be positioned adjacent to the reflective film 300 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned while being in contact with the reflective film 300 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned while contacting a portion of the reflective film 300 .

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)의 적어도 일부를 채우면서 형성될 수 있다. 상기 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)의 전체를 채우면서 형성될 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be formed at a position corresponding to the opening area 330 . The first wavelength conversion layer 410 may be formed while filling at least a portion of the opening area 330 . The wavelength conversion layer 410 may be formed while filling the entire opening area 330 .

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 형성되고 상기 개구영역(330)의 넓이는 상기 광원(120)의 넓이보다 크므로, 출광부와 대응되는 상기 반사필름의 전체 영역에 유색의 파장변환층이 위치하는 종래의 조명 장치에 비해, 사용자에게 상기 제1 파장변환층(410)이 최소한으로 시인되게 함과 동시에 상기 광원(120)에서 출력되는 광의 손실을 최소화하여 상기 조명 장치(1)의 효율성을 도모할 수 있다. Since the first wavelength conversion layer 410 is formed in an area corresponding to the opening area 330 and the area of the opening area 330 is greater than the area of the light source 120, the reflection corresponding to the light exit portion Compared to a conventional lighting device in which a colored wavelength conversion layer is located over the entire area of a film, the first wavelength conversion layer 410 is minimally visible to the user and at the same time loss of light output from the light source 120 is reduced. It is possible to promote the efficiency of the lighting device 1 by minimizing it.

상기 제1 파장변환층(410)은 입사되는 광의 파장을 변경시켜 출력할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 발광부(100)로부터 출력되는 광을 입력 받아, 입력되는 광의 파장을 변경시켜 출력할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)이 상기 발광부(100)로부터 특정 파장의 세기가 큰 광을 전달받는 경우, 상기 제1 파장변환층(410)은 입력되는 광의 적어도 일부의 파장을 변경시켜 출력함으로써, 상기 출광부(200)로 출력되는 광의 연색성을 향상시킬 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)을 통과한 광은 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하지 않은 광에 비해 연색 지수가 높을 수 있다. 따라서, 사용자는 상기 제1 파장변환층(410)을 통과한 광을 출광하는 상기 조명 장치(1)를 사용함으로써, 종래의 조명 장치를 사용하던 경우에 비해 물체의 색을 똑바로 인지할 수 있고, 눈의 피로가 덜할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may output by changing the wavelength of incident light. The first wavelength conversion layer 410 may receive light output from the light emitting unit 100, change the wavelength of the input light, and output the light. When the first wavelength conversion layer 410 receives light having a specific wavelength and high intensity from the light emitting unit 100, the first wavelength conversion layer 410 changes the wavelength of at least a part of the input light and outputs the light. By doing so, the color rendering of the light output to the light emitting unit 200 can be improved. Light passing through the first wavelength conversion layer 410 may have a higher color rendering index than light that does not pass through the first wavelength conversion layer 410 . Therefore, by using the lighting device 1 that emits light passing through the first wavelength conversion layer 410, the user can directly recognize the color of the object compared to the case of using a conventional lighting device, Eye strain can be reduced.

상기 제1 파장변환층(410)은 파장변환물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 양자점(quantum dot) 및 형광체 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 유색일 수 있고, 무색일 수도 있다. The first wavelength conversion layer 410 may include a wavelength conversion material. The first wavelength conversion layer 410 may include at least one of quantum dots and phosphors. The first wavelength conversion layer 410 may be colored or colorless.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 다수일 수 있다. 상기 양자점 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있도록 구성된 물질일 수 있다. 상기 양자점 및 상기 형광체는 소정의 에너지를 인가 받아, 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may include the quantum dots. The number of quantum dots may be multiple. The quantum dots may be a material configured to emit light of a specific wavelength band. The quantum dot and the phosphor may emit light of a specific wavelength band by receiving predetermined energy.

상기 양자점은 나노 크기의 반도체 물질로서, 양자 제한 효과(Quantum confinement effect)를 가지는 물질이다. 상기 양자 제한 효과에 기초하여, 상기 양자점은 빛을 방출할 수 있다. 상기 양자점은 여기원(excitation source)으로부터 빛을 흡수하여, 에너지 여기상태에 이르면 자체적으로 양자점의 에너지 밴드 갭(energy band gap)에 해당하는 에너지를 방출하게 된다. 상기 양자점은 소정의 빛을 인가 받아 활성 전자(excitation electron)을 가지게 되고, 상기 활성 전자가 안정화됨으로써 에너지를 방출하게 된다. The quantum dot is a nano-sized semiconductor material and has a quantum confinement effect. Based on the quantum confinement effect, the quantum dots can emit light. The quantum dot absorbs light from an excitation source, and when it reaches an energy excited state, it self-radiates energy corresponding to an energy band gap of the quantum dot. The quantum dots receive a predetermined light to have active electrons (excitation electrons), and when the active electrons are stabilized, energy is released.

상기 양자점은 상기 양자점의 크기 또는 상기 양자점의 물질 조성에 따라 다양한 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. 상기 양자점은 상기 에너지 밴드 갭에 대응하는 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있다. 상기 양자점은 상기 특정 파장 대역의 빛을 방출할 수 있도록, 상기 양자점의 크기 또는 물질 조성이 변경될 수 있다. The quantum dots may have various energy band gaps depending on the size of the quantum dots or material composition of the quantum dots. The quantum dots may emit light of a specific wavelength band corresponding to the energy band gap. The size or material composition of the quantum dots may be changed so that the quantum dots can emit light of the specific wavelength band.

상기 양자점은 소정의 화합물로 구현될 수 있다. 상기 소정의 화합물은 Ⅱ-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물 중 적어도 어느 하나의 화합물일 수 있다.The quantum dot may be implemented with a predetermined compound. The predetermined compound may be at least one of a group II-VI compound, a group III-V compound, and a group IV-VI compound.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 등의 이원소 화합물 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe 등의 삼원소 화합물 또는 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The II-VI compound is a binary element compound such as CdSe, CdTe, ZnS, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, etc. or CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, Ternary compounds such as CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe or quaternary compounds such as HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe It can be selected from the group consisting of.

상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 등의 이원소 화합물 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 등의 삼원소 화합물 또는 GaAlNAs, GaAlNsb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 등의 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. The group III-V compound is a binary element compound such as GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, or GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, Ternary compounds such as AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP or GaAlNAs, GaAlNsb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb It may be selected from the group consisting of quaternary compounds such as

상기 IV족 화합물은 Si, Ge 등의 단일 원소 화합물 또는 SiC, SiGe 등의 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The group IV compound may be selected from the group consisting of single-element compounds such as Si and Ge or two-element compounds such as SiC and SiGe.

상기 양자점은 코어-쉘(Core-Shell) 구조를 가질 수 있다. 상기 코어-쉘 구조의 양자점은 양자코어(Quantum-core) 및 양자쉘(Quantum-shell)을 포함할 수 있다.The quantum dots may have a core-shell structure. The quantum dots of the core-shell structure may include a quantum core and a quantum shell.

상기 양자 코어는 양자 제한 효과에 기초하여 빛을 방출할 수 있다. 상기 양자쉘은 상기 양자 코어를 덮을 수 있다. 상기 양자쉘은 상기 양자코어를 보호할 수 있다. 상기 양자쉘은 상기 양자 코어의 에너지 밴드가 변경되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 양자코어 및 상기 양자쉘은 전술한 화합물들로 구현될 수 있다.The quantum core may emit light based on quantum confinement effects. The quantum shell may cover the quantum core. The quantum shell may protect the quantum core. The quantum shell can prevent the energy band of the quantum core from being changed. Meanwhile, the quantum core and the quantum shell may be implemented with the above compounds.

상기 양자점은 리간드를 더 포함할 수 있다. 상기 리간드는 상기 양자점의 표면에 형성될 수 있다. 상기 리간드는 상기 양자쉘의 표면에 부착될 수 있다. 상기 리간드는 상기 양자점에 공유 전자쌍을 제공하여 배위 결합하는 화합물일 수 있다.The quantum dots may further include a ligand. The ligand may be formed on the surface of the quantum dot. The ligand may be attached to the surface of the quantum shell. The ligand may be a compound that coordinates bonding by providing a shared electron pair to the quantum dot.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 형광성을 가지는 물질일 수 있고, 이에 특별한 제한은 없다. 상기 형광체는 나노 사이즈를 가지는 물질일 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)에 포함되는 형광체는 바람직하게는 무기 형광체일 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may include the phosphor. The phosphor may be a material having fluorescence, and there is no particular limitation thereto. The phosphor may be a material having a nano size. The phosphor included in the first wavelength conversion layer 410 may preferably be an inorganic phosphor.

상기 무기 형광체는 소정의 크기를 가질 수 있다. 상기 무기 형광체는 1μm 내지 20μm의 크기를 가질 수 있다. 상기 무기 형광체의 직경은 1um 내지 20um의 크기를 가질 수 있다. The inorganic phosphor may have a predetermined size. The inorganic phosphor may have a size of 1 μm to 20 μm. The diameter of the inorganic phosphor may have a size of 1 um to 20 um.

상기 무기 형광체는 (Y,Tb)3Al5O12:Ce3+, (Sr,Ba,Ca)2Si5N8:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2+, BaMgAl10O17:Eu2+, BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+, Ca-α-SiAlON:Eu2+, -SiAlON:Eu2+, (Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2+,Mn2+, (Ca,Sr,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, Lu2SiO5:Ce3+, (Ca,Sr,Ba)3SiO5:Eu2+, (Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu2+, Zn2SiO4:Mn2+, BaAl2O19:Mn2+, BaMgAl14O23:Mn2+, SrAl12O19:Mn2+, CaAl12O19 Mn2+, YBO3:Tb3+, LuBO3:Tb3+, Y2O3:Eu3+, Y2SiO5:Eu3+, Y3Al5O12:Eu3+, YBO3: Eu 3+, Y0.65Gd0.35BO3:Eu3+, GdBO3:Eu3+, YVO4:Eu3+, 및 (Y,Gd)3(Al,Ga)5 O12:Ce3+ 등의 형광체 중 적어도 어느 하나일 수 있다.The inorganic phosphor is (Y,Tb)3Al5O12:Ce3+, (Sr,Ba,Ca)2Si5N8:Eu2+, CaAlSiN3:Eu2+, BaMgAl10O17:Eu2+, BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+, Ca-α-SiAlON:Eu2+, -SiAlON:Eu2+ , (Ca,Sr,Ba)2P2O7:Eu2+,Mn2+, (Ca,Sr,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+, Lu2SiO5:Ce3+, (Ca,Sr,Ba)3SiO5:Eu2+, (Ca,Sr,Ba) )2SiO4:Eu2+, Zn2SiO4:Mn2+, BaAl2O19:Mn2+, BaMgAl14O23:Mn2+, SrAl12O19:Mn2+, CaAl12O19 Mn2+, YBO3:Tb3+, LuBO3:Tb3+, Y2O3:Eu3+, Y2SiO5:Eu3+, Y3Al5O1 2: Eu3+, YBO3: Eu 3+, Y0.65Gd0.35BO3:Eu3+, GdBO3:Eu3+, YVO4:Eu3+, and (Y,Gd)3(Al,Ga)5 O12:Ce3+ may be at least one of phosphors.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)과 접하면서 형성될 수 있고, 또는 상기 광원(120)으로부터 일정한 거리를 가지도록 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 반사필름(300)의 두께보다 작은 거리만큼 상기 광원(120)으로부터 이격되어 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)의 두께보다 작은 거리만큼 상기 광원(120)으로부터 이격되어 위치할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be formed in contact with the light source 120 or may be spaced apart from the light source 120 at a predetermined distance. The first wavelength conversion layer 410 may be spaced apart from the light source 120 by a distance smaller than the thickness of the reflective film 300 . The first wavelength conversion layer 410 may be spaced apart from the light source 120 by a distance smaller than the thickness of the light source 120 .

상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리는 상기 광원(120)의 두께보다 작을 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리가 상기 광원(120)의 두께보다 작도록 배치함으로써, 상기 출광부(200)로 출력되는 광의 손실을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상기 조명 장치(1)의 효율을 높일 수 있다.A distance between the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 may be smaller than a thickness of the light source 120 . By arranging the distance between the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 to be smaller than the thickness of the light source 120 , loss of light output to the light emitting unit 200 can be prevented. Accordingly, the efficiency of the lighting device 1 can be increased.

상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리가 상기 광원(120)의 두께보다 크도록 배치하면, 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리가 상기 광원(120)의 두께보다 작도록 배치하는 것에 비해, 상기 반사필름의 제1 면(310)으로 입사되어, 다수 회 반사를 거쳐 상기 출광부(200)로 출력되는 광의 비중이 높아져, 상기 반사필름(300)에 의한 반사에 따른 광 손실이 생기며, 이에 따라 상기 조명 장치(1)의 효율이 낮아질 수 있다. When the distance between the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 is greater than the thickness of the light source 120, the distance between the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 Compared to arranging the light source 120 to be smaller than the thickness of the light source 120, the specific gravity of the light incident on the first surface 310 of the reflective film and output to the light exit unit 200 after being reflected multiple times is increased. Light loss occurs due to reflection by the reflective film 300, and thus the efficiency of the lighting device 1 may be lowered.

상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)과 18μm 내지 20μm의 거리를 가지면서 이격되어 위치할 수 있다. The first wavelength conversion layer 410 may be positioned apart from the light source 120 while having a distance of 18 μm to 20 μm.

상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리가 18μm 내지 20μm의 거리를 가지도록 배치함으로써, 상기 광원(120)으로부터 발생되는 열 에너지에 의해 상기 제1 파장변환층(410)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. By disposing the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 to have a distance of 18 μm to 20 μm, the first wavelength conversion layer 410 is heated by the thermal energy generated from the light source 120. ) can be prevented from being damaged.

상기 제1 파장변환층(410)과 상기 광원(120)과의 거리가 18μm 내지 20μm의 거리보다 작도록 배치하거나, 상기 제1 파장변환층(410)이 상기 광원(120)과 접하면서 위치하면, 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 광원(120)으로부터 발생하는 열 에너지를 직접적으로 받게 된다. 이는 상기 제1 파장변환층(410)을 손상시켜 상기 광원(120)으로부터 출력된 광의 파장이 변경되지 않은 채로 상기 출광부(200)로 출력되는 결과를 초래하므로, 연색성이 향상된 상기 조명 장치(1)를 제공하고자 하는 본 발명의 목적을 달성할 수 없게 된다. When the distance between the first wavelength conversion layer 410 and the light source 120 is less than 18 μm to 20 μm, or when the first wavelength conversion layer 410 is placed in contact with the light source 120 , The first wavelength conversion layer 410 directly receives thermal energy generated from the light source 120 . This damages the first wavelength conversion layer 410 and causes the wavelength of the light output from the light source 120 to be output to the light emitting unit 200 without being changed, so that the color rendering property is improved. ) It becomes impossible to achieve the object of the present invention to provide.

즉, 상기 18μm 내지 20μm의 거리는, 상기 제1 파장변환층(410)이 상기 광원(120)으로부터 발생되는 열 에너지에 의해 손상되는 것을 최소화하면서, 상기 광원(120)으로부터 출력되는 광의 손실을 최대한 적게 하여, 상기 제1 파장변환층(410)에 의해 파장이 변경된 광이 상기 개구영역(330)을 통해 출광될 수 있도록 하는 최소 거리일 수 있다. That is, the distance of 18 μm to 20 μm minimizes the loss of light output from the light source 120 while minimizing damage to the first wavelength conversion layer 410 by thermal energy generated from the light source 120. Thus, it may be a minimum distance that allows light whose wavelength is changed by the first wavelength conversion layer 410 to be emitted through the opening area 330 .

상기 제1 파장변환층(410)은 상면(411) 및 하면(412)을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장변환층의 상면(411)은 상기 출광부(200)와 마주보며 위치하는 면일 수 있고, 상기 제1 파장변환층의 하면(412)은 상기 발광부(100)와 마주보며 위치하는 면일 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)의 상면(411) 및 하면(412)은 서로 평행할 수 있다.The first wavelength conversion layer 410 may include an upper surface 411 and a lower surface 412 . The upper surface 411 of the first wavelength conversion layer may be a surface positioned facing the light emitting part 200, and the lower surface 412 of the first wavelength conversion layer may be positioned facing the light emitting part 100. It can be cotton. An upper surface 411 and a lower surface 412 of the first wavelength conversion layer 410 may be parallel to each other.

상기 제1 파장변환층의 상면(411)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있고, 상기 제1 파장변환층의 하면(412)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The upper surface 411 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the same plane as the second surface 320 of the reflective film, and the lower surface 412 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the first surface of the reflective film. It may be located on the same plane as face 310 .

이와 같이 위치하는 경우, 사용자는 상기 개구영역(330)에 위치한 상기 제1 파장변환층(410)만을 시인할 수 있다. 사용자가 상기 출광부(200)에 의해 상기 조명 장치(1)의 내부 구조를 정확히 볼 수 없다고 하여도, 상기 개구영역(330)이 위치한 일부 영역에서만 사용자에게 상기 제1 파장변환층(410)의 색이 시인될 수 있다. 이는 실질적으로 광이 방출되는 일부 영역에만 유색의 상기 제1 파장변환층(410)이 위치하므로, 출광부와 대응되는 상기 반사필름의 전체 영역에 유색의 파장변환층이 위치하는 종래의 조명 장치에 비해, 사용자는 상기 제1 파장변환층(410)의 색을 덜 시인할 수 있다. In this case, the user can view only the first wavelength conversion layer 410 located in the opening area 330 . Even if the user cannot accurately see the internal structure of the lighting device 1 through the light emitting unit 200, the user can see the first wavelength conversion layer 410 only in a partial area where the opening area 330 is located. Color can be seen. Since the colored first wavelength conversion layer 410 is located only in a portion of the region from which light is substantially emitted, this is compared to a conventional lighting device in which the colored wavelength conversion layer is located in the entire region of the reflective film corresponding to the light exit portion. Compared to this, the user may perceive less color of the first wavelength conversion layer 410 .

상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200) 사이에 배치될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200) 사이에 배치되되, 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200) 사이에 연결될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200) 사이에 배치되되, 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면이 평행하도록 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 측면부(500)는 직사각형이나 원기둥의 형상 또는 부채꼴 형상을 가질 수 있어, 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)의 평면과 상기 출광부(200)의 평면이 평행하도록 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.The side part 500 may be disposed between the light emitting part 100 and the light emitting part 200 . The side part 500 is disposed between the light emitting part 100 and the light emitting part 200, and may be connected between the light emitting part 100 and the light emitting part 200. The side part 500 may be disposed between the light emitting part 100 and the light emitting part 200 and may be disposed to surround the light emitting part 100 and the light emitting part 200 . The side part 500 may be disposed to surround the light emitting part 100 and the light emitting part 200 such that a plane of the light emitting part 100 and a plane of the light emitting part 200 are parallel. The side part 500 may have a rectangular or cylindrical shape or a fan shape, so that the plane of the light emitting part 100 and the plane of the light emitting part 200 are parallel to each other. ) and the light output unit 200 may be disposed.

상기 측면부(500)는 상기 조명 장치(1)의 측면을 보호할 수 있는 소재로 구성될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 조명 장치(1)의 측면을 보호하는 하우징 역할을 할 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)를 둘러싸도록 배치될 수 있되, 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)를 포함하는 하우징의 일 영역일 수 있다.The side part 500 may be made of a material capable of protecting the side surface of the lighting device 1 . The side part 500 may serve as a housing protecting the side surface of the lighting device 1 . The side part 500 may be disposed to surround the light emitting part 100 and the light emitting part 200, and the side part 500 is a housing including the light emitting part 100 and the light emitting part 200. It may be one area of .

상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)가 대향하는 방향과 대응되도록 연장될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)와 상기 출광부(200)가 대향하는 방향을 기준으로 예각 또는 둔각을 형성하도록 연장될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)의 평면 및 상기 출광부(200)의 평면을 기준으로 수직이 형성되도록 연장될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)의 평면을 기준으로 예각이 형성되되, 상기 출광부(200)의 평면을 기준으로 둔각이 형성되도록 연장될 수 있다. 상기 측면부(500)는 상기 발광부(100)의 평면을 기준으로 둔각이 형성되되, 상기 출광부(200)의 평면을 기준으로 예각이 형성되도록 연장될 수 있다.The side part 500 may extend to correspond to a direction in which the light emitting part 100 and the light emitting part 200 face each other. The side part 500 may extend to form an acute angle or an obtuse angle based on a direction in which the light emitting part 100 and the light emitting part 200 face each other. The side part 500 may extend perpendicular to the plane of the light emitting part 100 and the plane of the light emitting part 200 . The side part 500 may extend to form an acute angle with respect to the plane of the light emitting part 100 and form an obtuse angle with respect to the plane of the light emitting part 200 . The side part 500 may extend so that an obtuse angle is formed with respect to the plane of the light emitting part 100 and an acute angle is formed with respect to the plane of the light emitting part 200 .

상기 측면부(500)가 상기 발광부(100)의 평면 및 상기 출광부(200)의 평면과 수직이도록 형성되는 경우, 상기 조명 장치(1)의 제조 공정은 간이해지고 제조 시간은 경감될 수 있는 효과가 있다.When the side part 500 is formed to be perpendicular to the plane of the light emitting part 100 and the plane of the light emitting part 200, the manufacturing process of the lighting device 1 is simplified and the manufacturing time can be reduced. there is

상기 측면부(500)의 구성은 상술한 내용에 제한되지 아니하며, 상기 조명 장치(1)의 용도 등에 따라 다양한 형태로 변형되어 제공될 수 있다.The configuration of the side part 500 is not limited to the above, and may be modified and provided in various forms according to the purpose of the lighting device 1 .

위에서 설명한 구성에 의하여, 상기 조명 장치(1)는 광을 간접적으로 외부에 조사 시킬 수 있어, 사용자의 눈부심을 방지할 수 있다. 상기 조명 장치(1)는 백색광에 인접한 광을 외부로 조사 시킬 수 있어, 상기 조명 장치(1)의 연색성이 향상될 수 있다. 또한, 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 일부가 상기 개구영역(330)으로 출광되지 못했더라도, 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 일부는 상기 발광부(100)와 대향하여 위치하는 상기 반사필름(300)에 의해 반사되어 상기 개구영역(330)으로 출광될 수 있으므로, 상기 조명 장치(1)의 광 효율이 증가할 수 있다. According to the configuration described above, the lighting device 1 can indirectly radiate light to the outside, thereby preventing glare of the user. The lighting device 1 can radiate light adjacent to white light to the outside, so that color rendering of the lighting device 1 can be improved. In addition, even if some of the light output from the light source 120 is not emitted to the opening area 330, some of the light output from the light source 120 faces the light emitting unit 100. Since light can be reflected by the reflective film 300 and emitted to the opening area 330 , light efficiency of the lighting device 1 can be increased.

상기 조명 장치(1)의 구성은 상술한 구성 요소에 제한되지 아니하며, 상기 조명 장치(1)의 용도, 위치 등에 따라 더 적거나 많은 구성 요소를 포함할 수 있다. The configuration of the lighting device 1 is not limited to the above-described components, and may include fewer or more components depending on the purpose, location, and the like of the lighting device 1 .

도 5는 제2 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다. 도 6은 제2 실시 예에 따른 조명 장치의 광 경로를 나타내는 도면이다. 5 is a cross-sectional view of a lighting device according to a second embodiment. 6 is a diagram illustrating a light path of a lighting device according to a second embodiment.

도 5 및 도 6에 도시된 도면을 기초로 상, 하, 좌, 우의 방향 기준을 삼을 수 있으며, 이러한 방향 기준은 본 도면에 종속되는 것은 아니다.Based on the drawings shown in FIGS. 5 and 6, directions of up, down, left, and right may be taken as references, and these direction references are not dependent on the drawings.

상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 제1 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)와 비교하여 상기 제1 파장변환층(410)의 형태가 상이하고 나머지 구성은 동일하다. 따라서 상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)를 설명함에 있어서, 상기 제1 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다. The lighting device 1 according to the second embodiment has a different shape of the first wavelength conversion layer 410 compared to the lighting device 1 according to the first embodiment, and the rest of the configuration is the same. Therefore, in describing the lighting device 1 according to the second embodiment, the same reference numerals are assigned to components common to those of the first embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 발광부(100), 상기 출광부(200), 상기 반사필름(300), 상기 제1 파장변환층(410), 제2 파장변환층(420) 및 상기 측면부(500)를 포함할 수 있다. The lighting device 1 according to the second embodiment includes the light emitting part 100, the light emitting part 200, the reflective film 300, the first wavelength conversion layer 410, and the second wavelength conversion layer. 420 and the side part 500 may be included.

도 5를 참조하면, 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 제2 파장변환층(420)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the first wavelength conversion layer 410 may include the second wavelength conversion layer 420 .

상기 제2 실시 예의 상기 제1 파장변환층의 상면(411)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The top surface 411 of the first wavelength conversion layer of the second embodiment may be positioned on the same plane as the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)과 접하면서 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 may be formed at a position corresponding to the reflective film 300 . The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting the reflective film 300 .

상기 제2 파장변환층(420)은 상면(421) 및 하면(422)을 포함할 수 있다. 상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 출광부(200)와 마주보며 위치하는 면일 수 있고, 상기 제2 파장변환층의 하면(422)은 상기 발광부(100)와 마주보며 위치하는 면일 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)의 상면(421) 및 하면(422)은 서로 평행할 수 있다.The second wavelength conversion layer 420 may include an upper surface 421 and a lower surface 422 . The upper surface 421 of the second wavelength conversion layer may be a surface positioned facing the light emitting part 200, and the lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be positioned facing the light emitting part 100. It can be cotton. An upper surface 421 and a lower surface 422 of the second wavelength conversion layer 420 may be parallel to each other.

상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환층의 하면(422)은 상기 제1 파장변환층의 하면(412)과 동일한 평면 상에 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting the first surface 310 of the reflective film. The upper surface 421 of the second wavelength conversion layer may be formed while contacting the first surface 310 of the reflective film. The lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be formed on the same plane as the lower surface 412 of the first wavelength conversion layer.

상기 제1 파장변환층(410)과 상기 제2 파장변환층(420)은 서로 접하면서 형성될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 제2 파장변환층(420)은 일체로 형성될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 제2 파장변환층(420)은 하나의 부재일 수 있다.The first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting each other. The first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 may be integrally formed. The first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 may be a single member.

즉, 상기 제2 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 개구영역(330)에 대응되는 영역 및 상기 반사필름의 제1 면(310)의 전체 영역과 대응되게 형성될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)과 상기 제2 파장변환층(420)은 일체로 형성됨으로써, 제조 공정이 쉬워지고, 제조 비용을 절감할 수 있다. That is, in the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 of the second embodiment, the entire area corresponding to the opening area 330 and the first surface 310 of the reflective film It may be formed to correspond to the region. Since the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 are integrally formed, a manufacturing process becomes easy and manufacturing costs can be reduced.

도 6을 참조하면, 상기 광원(120)에서 출력되는 광은 상기 제1 파장변환층(410)을 거쳐 상기 개구영역(330)으로 출광될 수 있다.Referring to FIG. 6 , light output from the light source 120 may pass through the first wavelength conversion layer 410 and be emitted to the opening area 330 .

상기 광원(120)은 광을 출력 시킬 수 있다. 상기 광원(120)으로부터 출력된 광은 제1 광(L1) 및 제2 광(L2)을 포함할 수 있다. The light source 120 may output light. The light output from the light source 120 may include a first light L1 and a second light L2.

상기 제1 광(L1)은 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 적어도 일부일 수 있다. 상기 제1 광(L1)은 상기 광원(120)으로부터 출력되어, 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 상기 개구영역(330)을 지나 상기 출광부(200)로 출광되는 광일 수 있다. 상기 제1 광(L1)은 상기 광원(120)으로부터 출력되어, 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 위치한 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 상기 개구영역(330)을 지나 상기 출광부(200)로 출광되는 광일 수 있다. The first light L1 may be at least a portion of light output from the light source 120 . The first light L1 may be light emitted from the light source 120 and emitted to the light emitting unit 200 through the opening area 330 while passing through the first wavelength conversion layer 410 . The first light L1 is output from the light source 120 and passes through the opening area 330 while passing through the first wavelength conversion layer 410 located in an area corresponding to the opening area 330. It may be light emitted to the light emitting unit 200 .

상기 제1 광(L1)은 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 파장이 변경될 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 파장이 변경된 상기 제1 광(L1)은 상기 개구영역(330)을 통해 상기 출광부(200)로 출광될 수 있다. 즉, 상기 제1 광(L1)의 파장은 한 번 변경될 수 있다. The wavelength of the first light L1 may be changed while passing through the first wavelength conversion layer 410 . The first light L1 whose wavelength is changed while passing through the first wavelength conversion layer 410 may be emitted to the light emitting unit 200 through the opening area 330 . That is, the wavelength of the first light L1 may be changed once.

상기 제2 광(L2)은 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 적어도 일부일 수 있다. 상기 제2광(L2)은 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 상기 제1 광(L1)으로 출광되지 못한 나머지 광일 수 있다. 상기 제2 광(L2)은 상기 광원(120)으로부터 출력되어, 상기 제2 파장변환층(420) 및 상기 기판(110)으로부터 반사된 후, 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 상기 개구영역(330)을 지나 상기 출광부(200)로 출광되는 광일 수 있다. 상기 제2 광(L1)은 상기 광원(120)으로부터 출력되어, 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하는 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 상기 기판(110)으로 반사되고, 상기 기판(110)에서 반사된 후 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 상기 개구영역(330)을 지나 상기 출광부(200)로 출광되는 광일 수 있다. The second light L2 may be at least a part of light output from the light source 120 . The second light L2 may be remaining light that is not emitted as the first light L1 among the light output from the light source 120 . The second light L2 is output from the light source 120, is reflected from the second wavelength conversion layer 420 and the substrate 110, and then passes through the first wavelength conversion layer 410. Light passing through the opening area 330 and exiting to the light exiting unit 200 may be present. The second light L1 is output from the light source 120 and is reflected to the substrate 110 while passing through the second wavelength conversion layer 420 contacting the first surface 310 of the reflective film, After being reflected by the substrate 110 , the light may pass through the first wavelength conversion layer 410 and pass through the opening 330 to be emitted to the light emitting part 200 .

상기 제2 광(L2)은 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 반사될 때, 파장이 변경될 수 있다. 반사된 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 파장변환층(410)을 통과하면서 파장이 변경된 상태로 출광될 수 있다. 즉, 상기 제2 광(L2)의 파장은 두 번 이상 변경될 수 있다. When the second light L2 is reflected while passing through the second wavelength conversion layer 420, the wavelength may be changed. The reflected second light L2 may be emitted with a changed wavelength while passing through the first wavelength conversion layer 410 . That is, the wavelength of the second light L2 may be changed two or more times.

상기 제1 광(L1)과 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 통과하는 횟수가 다르므로, 상기 제1 광(L1)의 파장대별 세기와 상기 제2 광(L2)의 파장대별 세기는 상이할 수 있다. 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 광(L1)에 비해 파장이 변경되는 횟수가 많으므로, 색 재현성 또는 연색성이 향상될 수 있다. 상기 조명 장치(1)에서 상기 출광부(200)를 통해 출력되는 광은 상기 제1 광(L1) 및 상기 제2 광(L2)에 해당하는바, 상기 조명 장치(1)는 연색 지수가 높고 연색성이 향상된 광을 출광할 수 있고, 광 효율이 향상될 수 있다. Since the number of times the first light L1 and the second light L2 pass through the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 are different, the first light L1 The intensity of each wavelength band may be different from the intensity of the second light L2 according to each wavelength band. Since the wavelength of the second light L2 is changed more frequently than that of the first light L1, color reproducibility or color rendering may be improved. The light output from the lighting device 1 through the light exit unit 200 corresponds to the first light L1 and the second light L2, and the lighting device 1 has a high color rendering index. Light with improved color rendering properties can be emitted, and light efficiency can be improved.

도 7은 제3 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다. 7 is a cross-sectional view of a lighting device according to a third embodiment.

도 7에 도시된 도면을 기초로 상, 하, 좌, 우의 방향 기준을 삼을 수 있으며, 이러한 방향 기준은 본 도면에 종속되는 것은 아니다.Based on the drawing shown in FIG. 7, directions of up, down, left, and right may be taken as references, and such direction references are not dependent on this drawing.

상기 제3 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)와 비교하여 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)의 형태가 상이하고 나머지 구성은 동일하다. 따라서 상기 제3 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)를 설명함에 있어서, 상기 제2 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.Compared to the lighting device 1 according to the second embodiment, the lighting device 1 according to the third embodiment has the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. The shape is different, but the rest of the configuration is the same. Therefore, in describing the lighting device 1 according to the third embodiment, the same reference numerals are assigned to components common to those of the second embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

상기 제3 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 발광부(100), 상기 출광부(200), 상기 반사필름(300), 상기 제1 파장변환층(410), 제2 파장변환층(420) 및 상기 측면부(500)를 포함할 수 있다. The lighting device 1 according to the third embodiment includes the light emitting part 100, the light emitting part 200, the reflective film 300, the first wavelength conversion layer 410, and the second wavelength conversion layer. 420 and the side part 500 may be included.

도 7을 참조하면, 상기 제3 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)을 채우면서 위치할 수 있다. Referring to FIG. 7 , the first wavelength conversion layer 410 of the third embodiment may be located in an area corresponding to the opening area 330 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned while filling the opening area 330 .

상기 제1 파장변환층의 하면(412)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다.The lower surface 412 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the same plane as the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 접하면서 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환층의 하면(422)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 접하면서 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 may be located in an area corresponding to the reflective film 300 . The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting the second surface 320 of the reflective film. The lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be formed while contacting the second surface 320 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 제1 파장변환층의 상면(411)과 동일한 평면 상에 형성될 수 있다. The top surface 421 of the second wavelength conversion layer may be formed on the same plane as the top surface 411 of the first wavelength conversion layer.

상기 제3 실시 예에 있어서, 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 제2 파장변환층(420)이 형성될 때, 상기 개구영역(330)에 상기 제1 파장변환층(410)이 채워지면서 형성될 수 있다. 따라서, 상기 개구영역(330)에 상기 제1 파장변환층(410)을 따로 채워 넣는 공정 없이 상기 제2 파장변환층(420) 형성 시 상기 제1 파장변환층(410)을 동시에 형성할 수 있으므로, 상기 제1 파장변환층(410)을 형성하는 공정이 단순화될 수 있다. 이는 공정 시 소모되는 시간이 줄어드므로, 공정 상 효율성이 증대될 수 있다. In the third embodiment, the first wavelength conversion layer 410 fills the opening area 330 when the second wavelength conversion layer 420 is formed. can be formed over time. Therefore, the first wavelength conversion layer 410 can be formed simultaneously when the second wavelength conversion layer 420 is formed without a process of separately filling the opening region 330 with the first wavelength conversion layer 410. , the process of forming the first wavelength conversion layer 410 can be simplified. Since the time consumed in the process is reduced, efficiency in the process may be increased.

도 8은 제4 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.8 is a cross-sectional view of a lighting device according to a fourth embodiment.

도 8에 도시된 도면을 기초로 상, 하, 좌, 우의 방향 기준을 삼을 수 있으며, 이러한 방향 기준은 본 도면에 종속되는 것은 아니다.Based on the drawing shown in FIG. 8, directions of up, down, left, and right may be taken as references, and such direction references are not dependent on this drawing.

상기 제4 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)와 비교하여 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)의 형태가 상이하고 나머지 구성은 동일하다. 따라서 상기 제4 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)를 설명함에 있어서, 상기 제2 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.Compared to the lighting device 1 according to the second embodiment, the lighting device 1 according to the fourth embodiment has the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. The shape is different, but the rest of the configuration is the same. Therefore, in describing the lighting device 1 according to the fourth embodiment, the same reference numerals are assigned to components common to those of the second embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

상기 제4 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 발광부(100), 상기 출광부(200), 상기 반사필름(300), 상기 제1 파장변환층(410), 제2 파장변환층(420) 및 상기 측면부(500)를 포함할 수 있다. The lighting device 1 according to the fourth embodiment includes the light emitting part 100, the light emitting part 200, the reflective film 300, the first wavelength conversion layer 410, and the second wavelength conversion layer. 420 and the side part 500 may be included.

도 8을 참조하면, 상기 제4 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제4 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)을 채우면서 위치할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the first wavelength conversion layer 410 of the fourth embodiment may be located in an area corresponding to the opening area 330 . The first wavelength conversion layer 410 of the fourth embodiment may be positioned while filling the opening area 330 .

상기 제1 파장변환층의 상면(411)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The upper surface 411 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the same plane as the second surface 320 of the reflective film.

상기 제4 실시 예의 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 of the fourth embodiment may be positioned in an area corresponding to the reflective film 300 . The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting the first surface 310 of the reflective film. The upper surface 421 of the second wavelength conversion layer may be formed while contacting the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층의 하면(422)은 상기 제1 파장변환층의 하면(412)과 동일한 평면상에 형성될 수 있다. The lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be formed on the same plane as the lower surface 412 of the first wavelength conversion layer.

상기 제4 실시 예에 있어서, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성되므로, 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 상기 제1 광(L1)으로 출광되지 못한 나머지 광이 상기 제2 파장변환층(420)을 거쳐 반사된 후 상기 출광부(200)를 통해 상기 제2 광(L2)으로 출광되게 할 수 있다. 따라서, 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 광(L1)으로 출광되지 못한 광이 상기 출광부(200)로 출광되는 것이므로, 광 손실을 줄여 상기 조명 장치(1)의 효율성을 도모할 수 있다. 또한, 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거쳐 출광되는 것으로, 상기 제2 광(L2)의 파장은 두 번 이상 변경될 수 있으므로, 상기 조명 장치(1)의 연색성이 향상 될 수 있고, 광 효율이 증대될 수 있다. In the fourth embodiment, since the second wavelength conversion layer 420 is formed while contacting the first surface 310 of the reflective film, among the light output from the light source 120, the first light L1 ) may be emitted as the second light L2 through the light emitting unit 200 after being reflected through the second wavelength conversion layer 420 . Therefore, since the second light L2 is the light that is not emitted as the first light L1 and is emitted to the light emitting unit 200, the efficiency of the lighting device 1 can be promoted by reducing light loss. there is. In addition, the second light L2 is emitted through the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420, and the wavelength of the second light L2 is changed two or more times. Therefore, color rendering of the lighting device 1 can be improved and light efficiency can be increased.

도 9는 제5 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다. 9 is a cross-sectional view of a lighting device according to a fifth embodiment.

도 9에 도시된 도면을 기초로 상, 하, 좌, 우의 방향 기준을 삼을 수 있으며, 이러한 방향 기준은 본 도면에 종속되는 것은 아니다.Based on the drawing shown in FIG. 9, directions of up, down, left, and right may be taken as references, and such direction references are not dependent on this drawing.

상기 제5 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 제2 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)와 비교하여 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)의 형태가 상이하고 나머지 구성은 동일하다. 따라서 상기 제5 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)를 설명함에 있어서, 상기 제2 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.The lighting device 1 according to the fifth embodiment has the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 compared to the lighting device 1 according to the second embodiment. The shape is different, but the rest of the configuration is the same. Therefore, in describing the lighting device 1 according to the fifth embodiment, the same reference numerals are assigned to components common to those of the second embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

상기 제5 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 발광부(100), 상기 출광부(200), 상기 반사필름(300), 상기 제1 파장변환층(410), 제2 파장변환층(420) 및 상기 측면부(500)를 포함할 수 있다. The lighting device 1 according to the fifth embodiment includes the light emitting part 100, the light emitting part 200, the reflective film 300, the first wavelength conversion layer 410, and the second wavelength conversion layer. 420 and the side part 500 may be included.

도 9를 참조하면, 상기 제5 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)을 채우면서 위치할 수 있다. Referring to FIG. 9 , the first wavelength conversion layer 410 of the fifth embodiment may be positioned in an area corresponding to the opening area 330 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned while filling the opening area 330 .

상기 제1 파장변환층의 하면(411)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The lower surface 411 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the same plane as the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)의 일부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제2 면(320)의 적어도 일부와 접하면서 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 may be located in an area corresponding to a part of the reflective film 300 . The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting at least a portion of the second surface 320 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 제1 파장변환층의 상면(411)과 동일한 평면상에 형성될 수 있다. The top surface 421 of the second wavelength conversion layer may be formed on the same plane as the top surface 411 of the first wavelength conversion layer.

상기 제2 파장변환층의 하면(422)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 접하면서 형성될 수 있다. The lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be formed while contacting the second surface 320 of the reflective film.

상기 출광부(200)가 위치한 방향에서 상기 제2 파장변환층(420)을 바라봤을 때, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(410)을 둘러싸고 있는 형태로 형성될 수 있다. 상기 출광부(200)가 위치한 방향에서 상기 제2 파장변환층(420)을 바라봤을 때, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(410)의 형태에 기초하여 다양한 형태로 제공될 수 있다. When the second wavelength conversion layer 420 is viewed from the direction in which the light emitting unit 200 is located, the second wavelength conversion layer 420 is formed to surround the first wavelength conversion layer 410. can When the second wavelength conversion layer 420 is viewed from the direction in which the light emitting unit 200 is located, the second wavelength conversion layer 420 has various shapes based on the shape of the first wavelength conversion layer 410. can be provided as

제5 실시 예에 있어서, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(410)이 형성될 때, 상기 개구영역(330)과 인접한 상기 반사필름(300)의 일부 영역에 상기 제2 파장변환층(420)이 상기 제1 파장변환층(410)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(420)이 형성된 후 상기 반사필름(300)의 일부 영역에 따로 형성되는 것이 아니라, 상기 제1 파장변환층(420) 형성 시 동시에 형성되는 것일 수 있다. 따라서 상기 제2 파장변환층(420)을 형성하는 공정은 단순화될 수 있고, 공정 시 소모되는 시간이 줄어드므로, 공정 상 효율성이 증대될 수 있다. 또한, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)의 전면이 아닌 일부 영역에만 위치하여 상대적으로 적은 양의 재료만 필요하므로, 비용 절감의 효과가 있을 수 있다. In the fifth embodiment, the second wavelength conversion layer 420 is formed on a partial region of the reflective film 300 adjacent to the opening region 330 when the first wavelength conversion layer 410 is formed. A second wavelength conversion layer 420 may be formed together with the first wavelength conversion layer 410 . That is, the second wavelength conversion layer 420 is not separately formed in a partial region of the reflective film 300 after the first wavelength conversion layer 420 is formed, but the first wavelength conversion layer 420 is formed. may be formed at the same time. Therefore, the process of forming the second wavelength conversion layer 420 can be simplified, and since the time consumed in the process is reduced, efficiency in the process can be increased. In addition, since the second wavelength conversion layer 420 is located only on a portion of the reflective film 300 and not on the entire surface, a relatively small amount of material is required, thereby reducing costs.

도 10은 제6 실시 예에 따른 조명 장치의 단면도를 나타내는 도면이다.10 is a cross-sectional view of a lighting device according to a sixth embodiment.

도 10에 도시된 도면을 기초로 상, 하, 좌, 우의 방향 기준을 삼을 수 있으며, 이러한 방향 기준은 본 도면에 종속되는 것은 아니다.Based on the drawing shown in FIG. 10, directions of up, down, left, and right may be taken as references, and these direction references are not dependent on this drawing.

상기 제6 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 제5 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)와 비교하여 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)의 형태가 상이하고 나머지 구성은 동일하다. 따라서 상기 제6 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)를 설명함에 있어서, 상기 제5 실시 예와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하고 상세한 설명을 생략한다.Compared to the lighting device 1 according to the fifth embodiment, the lighting device 1 according to the sixth embodiment has the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. The shape is different, but the rest of the configuration is the same. Therefore, in describing the lighting device 1 according to the sixth embodiment, the same reference numerals are assigned to components common to those of the fifth embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

상기 제6 실시 예에 따른 상기 조명 장치(1)는 상기 발광부(100), 상기 출광부(200), 상기 반사필름(300), 상기 제1 파장변환층(410), 제2 파장변환층(420) 및 상기 측면부(500)를 포함할 수 있다. The lighting device 1 according to the sixth embodiment includes the light emitting part 100, the light emitting part 200, the reflective film 300, the first wavelength conversion layer 410, and the second wavelength conversion layer. 420 and the side part 500 may be included.

도 10을 참조하면, 상기 제6 실시 예의 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)과 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제1 파장변환층(410)은 상기 개구영역(330)을 채우면서 위치할 수 있다. Referring to FIG. 10 , the first wavelength conversion layer 410 of the sixth embodiment may be positioned in an area corresponding to the opening area 330 . The first wavelength conversion layer 410 may be positioned while filling the opening area 330 .

상기 제1 파장변환층의 상면(411)은 상기 반사필름의 제2 면(320)과 동일한 평면 상에 위치할 수 있다. The upper surface 411 of the first wavelength conversion layer may be positioned on the same plane as the second surface 320 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름(300)의 일부와 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제1 면(310)의 적어도 일부와 접하면서 형성될 수 있다. The second wavelength conversion layer 420 may be located in an area corresponding to a part of the reflective film 300 . The second wavelength conversion layer 420 may be formed while contacting at least a portion of the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층의 상면(421)은 상기 반사필름의 제1 면(310)과 접하면서 형성될 수 있다. The upper surface 421 of the second wavelength conversion layer may be formed while contacting the first surface 310 of the reflective film.

상기 제2 파장변환층의 하면(422)는 상기 제1 파장변환층의 하면(412)와 동일한 평면상에 형성될 수 있다. The lower surface 422 of the second wavelength conversion layer may be formed on the same plane as the lower surface 412 of the first wavelength conversion layer.

상기 발광부(100)가 위치한 방향에서 상기 제2 파장변환층(420)을 바라봤을 때, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(410)을 둘러싸고 있는 형태로 형성될 수 있다. 상기 발광부(100)가 위치한 방향에서 상기 제2 파장변환층(420)을 바라봤을 때, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 제1 파장변환층(410)의 형태에 기초하여 다양한 형태로 제공될 수 있다. When looking at the second wavelength conversion layer 420 from the direction in which the light emitting unit 100 is located, the second wavelength conversion layer 420 will be formed in a form surrounding the first wavelength conversion layer 410. can When the second wavelength conversion layer 420 is viewed from the direction in which the light emitting unit 100 is located, the second wavelength conversion layer 420 has various shapes based on the shape of the first wavelength conversion layer 410. can be provided as

제6 실시 예에 있어서, 상기 제2 파장변환층(420)은 상기 반사필름의 제1 면(310)의 적어도 일부와 접하면서 형성되므로, 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 상기 제1 광(L1)으로 출광되지 못한 나머지 광의 일부가 상기 제2 파장변환층(420)을 거쳐 반사된 후, 상기 출광부(200)를 통해 상기 제2 광(L2)으로 출광되게 할 수 있다. 따라서, 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 광(L1)으로 출광되지 못한 광의 일부가 상기 출광부(200)로 출광되므로, 광 손실을 줄여 상기 조명 장치(1)의 효율성을 도모할 수 있다. 또한, 상기 제2 광(L2)은 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거쳐 출광되는 것으로, 상기 제2 광(L2)의 파장은 두 번 이상 변경될 수 있으므로, 상기 조명 장치(1)의 연색성이 향상 될 수 있고, 광 효율이 증대될 수 있다.In the sixth embodiment, since the second wavelength conversion layer 420 is formed in contact with at least a portion of the first surface 310 of the reflective film, the first light among the light output from the light source 120 After some of the remaining light that has not been emitted to L1 is reflected through the second wavelength conversion layer 420 , it may be emitted as the second light L2 through the light emitting unit 200 . Therefore, since a part of the light that is not emitted as the first light L1 of the second light L2 is emitted to the light emitting unit 200, light loss can be reduced and the efficiency of the lighting device 1 can be promoted. there is. In addition, the second light L2 is emitted through the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420, and the wavelength of the second light L2 is changed two or more times. Therefore, color rendering of the lighting device 1 can be improved and light efficiency can be increased.

도 11은 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다. 도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다. 11 is a view showing a conventional lighting device. 12 and 13 are diagrams illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 12 및 도 13은 도 11의 종래의 조명 장치와 크기는 동일하나, 상기 반사필름(300) 및 상기 제1 파장변환층(410)을 포함하는 본 발명의 일 실시 예이다. 도 12는 상기 반사필름(300) 및 상기 제1 파장변환층(410)을 포함하는 상기 조명 장치(1)를 나타내고, 도 13은 도 12의 상기 조명 장치(1)에 상기 출광부(200)까지 포함하는 상기 조명 장치(1)를 나타낸다. 도 11 내지 도 13은 300X1200의 크기로 제작한 종래의 조명 장치와 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다.Specifically, FIGS. 12 and 13 have the same size as the conventional lighting device of FIG. 11 , but are an embodiment of the present invention including the reflective film 300 and the first wavelength conversion layer 410 . 12 shows the lighting device 1 including the reflective film 300 and the first wavelength conversion layer 410, and FIG. 13 shows the light emitting unit 200 in the lighting device 1 of FIG. It shows the lighting device 1 including up to. 11 to 13 show a conventional lighting device manufactured in a size of 300X1200 and a lighting device according to an embodiment of the present invention.

표 1은 종래기술과 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 특성을 나타낸 것이다. Table 1 shows the characteristics of the lighting device according to the prior art and an embodiment of the present invention.

ModelModel lmlm lm/Wlm/W PowerPower CIE [X]CIE [X] CIE [Y]CIE [Y] CCTCCT CRICRI 1One 종래기술prior art 4905.44905.4 99.499.4 49.349.3 0.32280.3228 0.3380.338 5946K5946K 81.381.3 22 본 발명 일 실시 예An embodiment of the present invention 4929.54929.5 99.999.9 49.349.3 0.37350.3735 0.35930.3593 4068K4068K 87.687.6

도 11의 종래의 조명 장치는 직사각형의 외형을 가지며 상기 반사필름(300)을 포함하지 않고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 포함하지 않는 조명 장치이다. 도 12 및 도 13의 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 도 11의 종래의 조명 장치와 외형이 동일하나 상기 반사필름(300)을 포함하고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 조명 장치이다. The conventional lighting device of FIG. 11 has a rectangular shape, does not include the reflective film 300, and does not include the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. . The lighting device according to an embodiment of the present invention of FIGS. 12 and 13 has the same appearance as the conventional lighting device of FIG. 11, but includes the reflective film 300, and the first wavelength conversion layer 410 and the A lighting device including at least one of the second wavelength conversion layer 420 .

표 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에 있어서, 상기 광원(120)에서 출력된 후 상기 개구영역(330)으로 출광되지 못한 광의 일부가 상기 반사필름(300)에 의해 반사된 후 상기 개구영역(330)으로 출광되므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 광 효율이 더 향상된 것을 확인할 수 있다. 구체적으로, 종래의 조명 장치는 전광속이 4905.4lm으로 99.4lm/W의 광 효율을 가지는 데 비해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 전광속이 4929.5lm으로 증가하고, 99.9lm/W의 향상된 광 효율을 가지는 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 1, in the lighting device according to an embodiment of the present invention, a portion of the light emitted from the light source 120 and not emitted to the opening area 330 is reflected by the reflective film 300. Since the light exits through the opening area 330 after being formed, it can be confirmed that the lighting device according to an embodiment of the present invention has more improved light efficiency than the conventional lighting device. Specifically, the conventional lighting device has a total luminous flux of 4905.4lm and a light efficiency of 99.4lm/W, whereas the lighting device according to an embodiment of the present invention has a total luminous flux of 4929.5lm and an improved efficiency of 99.9lm/W. It can be confirmed that it has light efficiency.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에 있어서, 상기 광원(120)에서 출력된 광이 상기 조명 장치에 형성되는 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 출광되고, 이 과정에 있어서 상기 광원(120)에서 출력된 광의 파장이 변경되어 출광될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표(CIE [X], CIE [Y])가 증가하고 상관색온도(CCT)가 감소하여, 조명 장치에서 출광되는 빛이 주백색에 해당할 수 있다. 이로 인해, 연색 지수(CIE)도 향상될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표, 상관색온도가 변경되고 연색 지수가 향상됨으로 인해 자연광과 더욱 유사한 빛을 출광할 수 있으며, 사용자의 눈의 피로감을 덜어줄 수 있다. In addition, in the lighting device according to an embodiment of the present invention, the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 formed in the lighting device, the light output from the light source 120 Light is emitted while passing through, and in this process, the wavelength of light output from the light source 120 may be changed and emitted. Therefore, the lighting device according to an embodiment of the present invention has increased color coordinates (CIE [X], CIE [Y]) and decreased correlated color temperature (CCT) compared to the conventional lighting device, so that the light emitted from the lighting device This may correspond to the main white color. Due to this, the color rendering index (CIE) may also be improved. That is, the lighting device according to an embodiment of the present invention can emit light more similar to natural light because color coordinates and correlated color temperature are changed and the color rendering index is improved compared to the conventional lighting device, and the user's eyes are not tired. can alleviate

구체적으로, 종래의 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.3228, CIE [Y] 0.338에 해당함에 비해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.3735, CIE [Y] 0.3593에 해당하는 바, 각각의 색 좌표 값이 증가하였음을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 상관색온도(4068K)는 종래의 조명 장치의 상관색온도(5946K)에 비해 감소하였는 바, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에서 출광되는 광은 주백색에 해당함을 확인할 수 있다. 색 좌표 값과 상관색온도의 변화로 인해, 연색 지수는 종래의 조명 장치(81.3)에 비해 본 발명의 일 실시 예의 조명 장치(87.6)의 경우에 향상하였다는 결과를 확인할 수 있다. Specifically, the color coordinate values of the conventional lighting device correspond to CIE [X] 0.3228 and CIE [Y] 0.338, whereas the color coordinate values of the lighting device according to an embodiment of the present invention correspond to CIE [X] 0.3735 and CIE [Y]. Since [Y] corresponds to 0.3593, it can be confirmed that each color coordinate value increased. In addition, since the correlated color temperature (4068K) of the lighting device according to an embodiment of the present invention is reduced compared to the correlated color temperature (5946K) of the conventional lighting device, light emitted from the lighting device according to an embodiment of the present invention is It can be confirmed that it corresponds to the main white color. Due to changes in color coordinate values and correlated color temperature, it can be confirmed that the color rendering index is improved in the case of the lighting device 87.6 according to an embodiment of the present invention compared to the conventional lighting device 81.3.

도 14는 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다. 도 15는 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다. 14 is a diagram showing a conventional lighting device. 15 is a diagram illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 15는 도 14의 종래의 조명 장치와 크기는 동일하나, 상기 반사필름(300) 및 상기 제1 파장변환층(410)을 포함하는 본 발명의 일 실시 예이다. 도 14 내지 도 15는 직하형 다운라이트 형상을 가지는 종래의 조명 장치와 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다.Specifically, FIG. 15 has the same size as the conventional lighting device of FIG. 14 , but is an embodiment of the present invention including the reflective film 300 and the first wavelength conversion layer 410 . 14 to 15 show a conventional lighting device having a direct downlight shape and a lighting device according to an embodiment of the present invention.

표 2는 종래기술과 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 특성을 나타낸 것이다. Table 2 shows the characteristics of the lighting device according to the prior art and an embodiment of the present invention.

## ModelModel lmlm lm/Wlm/W PowerPower CIE [X]CIE [X] CIE [Y]CIE [Y] CCTCCT CRICRI 1One 종래기술prior art 1802.11802.1 122.3122.3 14.714.7 0.33290.3329 0.34430.3443 5483.2K5483.2K 82.682.6 22 본 발명 일 실시 예An embodiment of the present invention 1854.51854.5 125.6125.6 14.7714.77 0.34950.3495 0.34650.3465 4810K4810K 85.985.9

도 14의 종래의 조명 장치는 직하형 다운라이트 형상으로, 상기 반사필름(300)을 포함하지 않고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 포함하지 않는 조명 장치이다. 도 15의 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 도 14의 종래의 조명 장치와 형상이 동일하나 상기 반사필름(300)을 포함하고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 조명 장치이다. The conventional lighting device of FIG. 14 has a direct downlight shape, does not include the reflective film 300, and does not include the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. It is a device. The lighting device according to an embodiment of the present invention of FIG. 15 has the same shape as the conventional lighting device of FIG. 14, but includes the reflective film 300, and includes the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength. A lighting device including at least one of the conversion layer 420 .

표 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에 있어서, 상기 광원(120)에서 출력된 후 상기 개구영역(330)으로 출광되지 못한 광의 일부가 상기 반사필름(300)에 의해 반사된 후 상기 개구영역(330)으로 출광되므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 광 효율이 더 향상된 것을 확인할 수 있다. 구체적으로, 종래의 조명 장치는 전광속이 1802.1lm으로 122.3lm/W의 광 효율을 가지는 데 비해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 전광속이 1854.5lm으로 증가하고, 125.6lm/W의 향상된 광 효율을 가지는 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 2, in the lighting device according to an embodiment of the present invention, a portion of the light that is not emitted to the opening area 330 after being output from the light source 120 is reflected by the reflective film 300. Since the light exits through the opening area 330 after being formed, it can be confirmed that the lighting device according to an embodiment of the present invention has more improved light efficiency than the conventional lighting device. Specifically, the conventional lighting device has a total luminous flux of 1802.1 lm and has a light efficiency of 122.3 lm/W, whereas the lighting device according to an embodiment of the present invention has a total luminous flux of 1854.5 lm and an improved 125.6 lm/W. It can be confirmed that it has light efficiency.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에 있어서, 상기 광원(120)에서 출력된 광이 상기 조명 장치에 형성되는 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 출광되고, 이 과정에 있어서 상기 광원(120)에서 출력된 광의 파장이 변경되어 출광될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표(CIE [X], CIE [Y])가 증가하고 상관색온도(CCT)가 감소하여, 조명 장치에서 출광되는 빛이 주백색에 해당할 수 있다. 이로 인해, 연색 지수(CIE)도 향상될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표, 상관색온도가 변경되고, 연색 지수가 향상됨으로 인해 자연광과 더욱 유사한 빛을 출광할 수 있으며, 사용자의 눈의 피로감을 덜어줄 수 있다. In addition, in the lighting device according to an embodiment of the present invention, the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 formed in the lighting device, the light output from the light source 120 Light is emitted while passing through, and in this process, the wavelength of light output from the light source 120 may be changed and emitted. Therefore, the lighting device according to an embodiment of the present invention has increased color coordinates (CIE [X], CIE [Y]) and decreased correlated color temperature (CCT) compared to the conventional lighting device, so that the light emitted from the lighting device This may correspond to the main white color. Due to this, the color rendering index (CIE) may also be improved. That is, the lighting device according to an embodiment of the present invention can emit light more similar to natural light because the color coordinates and correlated color temperature are changed and the color rendering index is improved compared to the conventional lighting device, and the user's eyes are tired. can alleviate

구체적으로, 종래의 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.3329, CIE [Y] 0.3443에 해당함에 비해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.3495, CIE [Y] 0.3465에 해당하는 바, 각각의 색 좌표 값이 증가하였음을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 상관색온도(4810K)는 종래의 조명 장치의 상관색온도(5483.2K)에 비해 감소하였는 바, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에서 출광되는 광은 주백색에 해당함을 확인할 수 있다. 색 좌표 값과 상관색온도의 변화로 인해, 연색 지수는 종래의 조명 장치(82.6)에 비해 본 발명의 일 실시 예의 조명 장치(85.9)의 경우에 향상하였다는 결과를 확인할 수 있다. Specifically, the color coordinate values of the conventional lighting device correspond to CIE [X] 0.3329 and CIE [Y] 0.3443, whereas the color coordinate values of the lighting device according to an embodiment of the present invention correspond to CIE [X] 0.3495 and CIE [Y]. Since [Y] corresponds to 0.3465, it can be confirmed that each color coordinate value has increased. In addition, since the correlated color temperature (4810K) of the lighting device according to an embodiment of the present invention is reduced compared to the correlated color temperature (5483.2K) of the conventional lighting device, light emitted from the lighting device according to an embodiment of the present invention It can be confirmed that corresponds to the main white color. Due to changes in color coordinate values and correlated color temperature, it can be confirmed that the color rendering index is improved in the case of the lighting device 85.9 according to an embodiment of the present invention compared to the conventional lighting device 82.6.

도 16은 종래의 조명 장치를 나타내는 도면이다. 도 17은 본 발명의 일 실시 예에 해당하는 조명 장치를 나타내는 도면이다. 16 is a view showing a conventional lighting device. 17 is a diagram illustrating a lighting device according to an embodiment of the present invention.

구체적으로, 도 17은 도 16의 종래의 조명 장치와 크기는 동일하나, 상기 반사필름(300) 및 상기 제1 파장변환층(410)을 포함하는 본 발명의 일 실시 예이다. 도 16 내지 도 17은 30mm 폭을 가지는 직사각형 형상으로 제작된 종래의 조명 장치와 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸다. Specifically, FIG. 17 has the same size as the conventional lighting device of FIG. 16 , but is an embodiment of the present invention including the reflective film 300 and the first wavelength conversion layer 410 . 16 and 17 show a conventional lighting device manufactured in a rectangular shape having a width of 30 mm and a lighting device according to an embodiment of the present invention.

표 3은 종래기술과 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 특성을 나타낸 것이다. Table 3 shows the characteristics of the lighting device according to the prior art and an embodiment of the present invention.

## ModelModel lmlm lm/Wlm/W PowerPower CIE [X]CIE [X] CIE [Y]CIE [Y] CCTCCT CRICRI 1One 종래기술prior art 2205.72205.7 109.5109.5 20.120.1 0.31570.3157 0.33910.3391 6283.86283.8 83.983.9 22 본 발명의 일 실시 예One embodiment of the present invention 2023.82023.8 98.598.5 20.520.5 0.3650.365 0.36120.3612 4350.54350.5 90.590.5

도 16의 종래의 조명 장치는 30mm 폭을 가지는 직사각형의 형상을 가지며, 상기 반사필름(300)을 포함하지 않고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 포함하지 않는 조명 장치이다. 도 17의 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 도 16의 종래의 조명 장치와 형상이 동일하나 상기 반사필름(300)을 포함하고, 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 조명 장치이다.The conventional lighting device of FIG. 16 has a rectangular shape with a width of 30 mm, does not include the reflective film 300, and includes the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420. It is a lighting device that does not. The lighting device according to an embodiment of the present invention of FIG. 17 has the same shape as the conventional lighting device of FIG. 16, but includes the reflective film 300, and includes the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength. A lighting device including at least one of the conversion layer 420 .

표 3을 참조하면, 위의 표 1 및 표 2와는 달리, 종래의 조명 장치가 본 발명의 일 실시 예에 비해 전광속 및 광 효율이 더 높다는 결과를 확인할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시 예의 전광속은 2023.8lm이고, 광 효율은 98.5lm/W임에 비해, 종래의 조명 장치의 전광속은 2205.7lm이고, 광 효율은 109.5lm/W임을 확인할 수 있다. 이는 도 11 내지 도 13의 상기 조명 장치 및 도 14 내지 도 15의 상기 조명 장치에 비해, 도 16 내지 도 17의 상기 조명 장치에서의 하나의 상기 개구영역(330)과 이격된 상기 개구영역(330) 간의 거리가 멀기 때문일 수 있다. 즉, 상기 광원(120)에서 출력된 광 중 상기 광원(120)과 대응되게 위치한 상기 개구영역(330)으로 출광되지 못한 광의 일부가, 상기 반사필름(300)에 의해 반사되면서 상기 광원(120)과 인접하게 위치한 다른 상기 개구영역(330)으로 출광되기 전에, 손실되기 때문일 수 있다. Referring to Table 3, unlike Tables 1 and 2 above, it can be confirmed that the total luminous flux and light efficiency of the conventional lighting device are higher than those of the exemplary embodiment of the present invention. Specifically, it can be confirmed that the total luminous flux of an embodiment of the present invention is 2023.8lm and the light efficiency is 98.5lm/W, whereas the total luminous flux of the conventional lighting device is 2205.7lm and the light efficiency is 109.5lm/W. . Compared to the lighting device of FIGS. 11 to 13 and the lighting device of FIGS. 14 to 15, this is the opening area 330 spaced apart from the one opening area 330 in the lighting device of FIGS. 16 to 17. ) may be due to the large distance between them. That is, among the light output from the light source 120, a part of the light that is not emitted to the opening area 330 positioned to correspond to the light source 120 is reflected by the reflective film 300 and the light source 120 This may be because light is lost before being emitted to the other opening area 330 located adjacent to .

다만, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에 있어서, 상기 광원(120)에서 출력된 광이 상기 조명 장치에 형성되는 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 출광되고, 이 과정에 있어서 상기 광원(120)에서 출력된 광의 파장이 변경어 출광될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표(CIE [X], CIE [Y])가 증가하고 상관색온도(CCT)가 감소하여, 조명 장치에서 출광되는 빛이 주백색에 해당할 수 있다. 이로 인해, 연색 지수(CIE)도 향상될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치는 종래의 조명 장치에 비해 색 좌표, 상관색온도가 변경되고, 연색 지수가 향상됨으로 인해 자연광과 더욱 유사한 빛을 출광할 수 있으며, 사용자의 눈의 피로감을 덜어줄 수 있다. However, in the lighting device according to an embodiment of the present invention, the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 formed in the lighting device, the light output from the light source 120 Light is emitted while passing through, and in this process, the wavelength of light output from the light source 120 may be changed and emitted. Therefore, the lighting device according to an embodiment of the present invention has increased color coordinates (CIE [X], CIE [Y]) and decreased correlated color temperature (CCT) compared to the conventional lighting device, so that light emitted from the lighting device This may correspond to the main white color. Due to this, the color rendering index (CIE) may also be improved. That is, the lighting device according to an embodiment of the present invention can emit light more similar to natural light because the color coordinates and correlated color temperature are changed and the color rendering index is improved compared to the conventional lighting device, and the user's eyes are tired. can alleviate

구체적으로, 종래의 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.3157, CIE [Y] 0.3391에 해당함에 비해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 색 좌표 값은 CIE [X] 0.365, CIE [Y] 0.3612에 해당하는 바, 각각의 색 좌표 값이 증가하였음을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치의 상관색온도(4350.5K)는 종래의 조명 장치의 상관색온도(6283.8K)에 비해 감소하였는 바, 본 발명의 일 실시 예에 따른 조명 장치에서 출광되는 광은 주백색에 해당함을 확인할 수 있다. 색 좌표 값과 상관색온도의 변화로 인해, 연색 지수는 종래의 조명 장치(83.9)에 비해 본 발명의 일 실시 예의 조명 장치(90.5)의 경우에 향상하였다는 결과를 확인할 수 있다. Specifically, the color coordinate values of the conventional lighting device correspond to CIE [X] 0.3157 and CIE [Y] 0.3391, whereas the color coordinate values of the lighting device according to an embodiment of the present invention correspond to CIE [X] 0.365 and CIE [Y]. Since [Y] corresponds to 0.3612, it can be confirmed that each color coordinate value increased. In addition, the correlated color temperature (4350.5K) of the lighting device according to an embodiment of the present invention is reduced compared to the correlated color temperature (6283.8K) of the conventional lighting device. It can be confirmed that the light corresponds to daylight white. Due to changes in color coordinate values and correlated color temperature, it can be confirmed that the color rendering index is improved in the case of the lighting device 90.5 according to an embodiment of the present invention compared to the conventional lighting device 83.9.

따라서, 표 1 내지 표 3의 결과를 종합해보면, 상기 조명 장치(1)에 상기 광원(120)에서 출력되는 광 중 상기 광원(120)과 대응되는 영역에 위치한 상기 개구영역(330)으로 출광되지 못하는 광의 일부가 상기 반사필름(300)에 의해 반사된 후, 상기 광원(120)과 인접한 영역에 위치한 다른 상기 개구영역(330)으로 출광됨으로 인해 상기 조명 장치(1)의 광 효율이 증가함을 확인할 수 있다. 또한, 상기 광원(120)에서 출력된 광이 상기 제1 파장변환층(410) 및 상기 제2 파장변환층(420)을 거치면서 광의 파장이 변경된 상태로 출광되므로, 상기 조명 장치(1)의 연색성이 향상됨을 확인할 수 있다.Therefore, in summarizing the results of Tables 1 to 3, among the light output from the light source 120 in the lighting device 1, no light is emitted to the aperture area 330 located in the area corresponding to the light source 120. Light efficiency of the lighting device 1 is increased because some of the light that cannot be reflected is reflected by the reflective film 300 and then emitted to the other opening area 330 located in an area adjacent to the light source 120. You can check. In addition, since the light output from the light source 120 passes through the first wavelength conversion layer 410 and the second wavelength conversion layer 420 and is emitted in a state in which the wavelength of light is changed, It can be confirmed that the color rendering is improved.

1: 조명 장치
100: 발광부
110: 기판
120: 광원
200: 출광부
300: 반사필름
310: 반사필름의 제1 면
320: 반사필름의 제2 면
330: 개구영역
410: 제1 파장변환층
411: 제1 파장변환층의 상면
412: 제1 파장변환층의 하면
420: 제2 파장변환층
421: 제2 파장변환층의 상면
422: 제2 파장변환층의 하면
500: 측면부
1: lighting device
100: light emitting part
110: substrate
120: light source
200: miner
300: reflective film
310: first surface of the reflective film
320: the second side of the reflective film
330: opening area
410: first wavelength conversion layer
411: top surface of the first wavelength conversion layer
412: the lower surface of the first wavelength conversion layer
420: second wavelength conversion layer
421: top surface of the second wavelength conversion layer
422: the lower surface of the second wavelength conversion layer
500: side part

Claims (17)

기판 및 적어도 하나 이상의 광원을 포함하는 발광부;
상기 광원으로부터 출력되는 광의 파장을 변경시키는 적어도 하나 이상의 제1 파장변환층;
조사되는 광을 반사시키는 반사필름; 및
상기 광원과 상기 반사필름 사이에 형성되는 제2 파장변환층을 포함하고,
상기 반사필름은 상기 광원과 대응되는 영역에 위치하는 적어도 하나 이상의 개구영역을 포함하고,
상기 제1 파장변환층은 상기 개구영역과 대응되는 위치에 상기 개구영역을 채우며 형성되며,
상기 개구영역의 넓이는 상기 광원의 넓이보다 크며,
상기 광원으로부터 출력되는 광은 상기 제1 파장변환층에 의해 파장이 변경되어 출광부로 출력되며,
상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장변환층은 일체로 형성되며,
상기 광원에서 출력된 광 중 적어도 일부는 상기 제1 파장변환층을 거쳐 상기 개구영역을 통해 상기 출광부로 출광되는 제1 광이고,
상기 광원에서 출력된 광 중 나머지는 상기 반사필름의 제1 면 상에 위치한 상기 제2 파장변환층 및 상기 기판에서 반사되어 상기 제1 파장변환층을 거쳐 상기 개구영역을 통해 상기 출광부로 출광되는 제2 광이고,
상기 제1 광의 파장대별 세기와 상기 제2 광의 파장대별 세기는 상이한,
조명 장치.
A light emitting unit including a substrate and at least one light source;
At least one first wavelength conversion layer for changing the wavelength of light output from the light source;
A reflective film that reflects the irradiated light; and
A second wavelength conversion layer formed between the light source and the reflective film;
The reflective film includes at least one opening area located in an area corresponding to the light source,
The first wavelength conversion layer is formed to fill the opening area at a position corresponding to the opening area,
The width of the opening area is greater than the width of the light source,
The wavelength of the light output from the light source is changed by the first wavelength conversion layer and output to the light exit unit;
The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are integrally formed,
At least a portion of the light output from the light source is first light emitted to the light exiting unit through the opening area through the first wavelength conversion layer;
The remainder of the light output from the light source is reflected from the second wavelength conversion layer positioned on the first surface of the reflective film and the substrate, passes through the first wavelength conversion layer, and is emitted to the light exit unit through the opening area. a second light;
The intensity by wavelength of the first light and the intensity by wavelength of the second light are different,
lighting device.
제1항에 있어서,
상기 반사필름은 제1 면 및 제2 면을 포함하고,
상기 반사필름의 제1 면은 상기 발광부와 마주보며 위치하는 면이고,
상기 반사필름의 제2 면은 상기 출광부와 마주보며 위치하는 면이며,
상기 제1 파장변환층은 상면 및 하면을 포함하고,
상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 출광부와 마주보며 위치하는 면이고,
상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 발광부와 마주보며 위치하는 면이며,
상기 개구영역은 상기 반사필름의 제1 면과 제2 면 사이를 관통하며 형성되는,
조명 장치.
According to claim 1,
The reflective film includes a first surface and a second surface,
The first surface of the reflective film is a surface positioned facing the light emitting unit,
The second surface of the reflective film is a surface positioned facing the light exit part,
The first wavelength conversion layer includes an upper surface and a lower surface,
The upper surface of the first wavelength conversion layer is a surface positioned facing the light exit portion,
The lower surface of the first wavelength conversion layer is a surface positioned facing the light emitting part,
The opening area is formed to penetrate between the first and second surfaces of the reflective film,
lighting device.
삭제delete 제2항에 있어서,
상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제2 면과 동일한 평면 상에 위치하고,
상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하는,
조명 장치.
According to claim 2,
The upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the second surface of the reflective film,
The lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film,
lighting device.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환층과 상기 제2 파장변환층은 서로 접하여 형성되고,
상기 제2 파장변환층은 상기 반사필름의 일부 영역에 위치하고,
상기 제2 파장변환층은 인접하는 상기 개구영역에 형성된 제2 파장변환층과 이격되어 위치하는,
조명 장치.
According to claim 1,
The first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer are formed in contact with each other,
The second wavelength conversion layer is located in a partial region of the reflective film,
The second wavelength conversion layer is located spaced apart from the second wavelength conversion layer formed in the adjacent opening area,
lighting device.
제12항에 있어서,
상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제2 면과 동일한 평면 상에 위치하고,
상기 제2 파장변환층의 상면은 상기 반사필름의 제1 면과 접하면서 형성되고,
상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 제2 파장변환층의 하면과 동일한 평면 상에 위치하는,
조명 장치.
According to claim 12,
The upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the second surface of the reflective film,
The upper surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the first surface of the reflective film,
The lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the lower surface of the second wavelength conversion layer,
lighting device.
제12항에 있어서,
상기 제1 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제1 면과 동일한 평면 상에 위치하고,
상기 제2 파장변환층의 하면은 상기 반사필름의 제2 면과 접하면서 형성되고,
상기 제1 파장변환층의 상면은 상기 제2 파장변환층의 상면과 동일한 평면 상에 위치하는,
조명 장치.
According to claim 12,
The lower surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the first surface of the reflective film,
The lower surface of the second wavelength conversion layer is formed while contacting the second surface of the reflective film,
The upper surface of the first wavelength conversion layer is located on the same plane as the upper surface of the second wavelength conversion layer,
lighting device.
제1항에 있어서,
상기 광원과 상기 제1 파장변환층 사이의 거리는 상기 광원의 높이보다 짧고,
상기 광원과 상기 제1 파장변환층 사이의 거리는 상기 반사필름의 두께보다 짧은,
조명 장치.
According to claim 1,
The distance between the light source and the first wavelength conversion layer is shorter than the height of the light source,
The distance between the light source and the first wavelength conversion layer is shorter than the thickness of the reflective film,
lighting device.
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환층은 양자점, 형광체 및 나노 형광체 중 적어도 하나 이상을 포함하는,
조명 장치.
According to claim 1,
The first wavelength conversion layer includes at least one or more of quantum dots, phosphors, and nano phosphors.
lighting device.
삭제delete
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