KR102529649B1 - Inspection apparatus and inspection method - Google Patents

Inspection apparatus and inspection method Download PDF

Info

Publication number
KR102529649B1
KR102529649B1 KR1020190175383A KR20190175383A KR102529649B1 KR 102529649 B1 KR102529649 B1 KR 102529649B1 KR 1020190175383 A KR1020190175383 A KR 1020190175383A KR 20190175383 A KR20190175383 A KR 20190175383A KR 102529649 B1 KR102529649 B1 KR 102529649B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
electrode
emitting elements
plate
Prior art date
Application number
KR1020190175383A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200083298A (en
Inventor
미치야 요코타
료우이치 이나바
Original Assignee
신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 filed Critical 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤
Publication of KR20200083298A publication Critical patent/KR20200083298A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102529649B1 publication Critical patent/KR102529649B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes

Abstract

분리된 복수의 반도체 발광 소자를 실장 직전에 일괄 검사하여 발광 불량인 반도체 발광 소자를 선별하고, 또한 선별된 복수의 반도체 발광 소자를 가고정부에 의하여 분리 배열 상태로 반송하여 실장한다.
제1 전극을 갖는 제1 플레이트와, 제1 전극과 대향하도록 마련된 제2 전극을 갖는 제2 플레이트와, 복수의 반도체 발광 소자를 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 절연성의 가고정부와, 검사 공간을 사이에 두고 배치되는 제1 전극 및 제2 전극에 대하여 전기적으로 접속되는 구동 전원과, 제1 플레이트 또는 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 측에서 복수의 반도체 발광 소자의 발광을 관찰하는 광학 기계를 구비하고, 가고정부는, 제1 전극 또는 제2 전극 중 어느 한쪽에 대하여 착탈 가능하게 장착되어, 복수의 반도체 발광 소자와 대향하는 가고정 부위를 가지며, 가고정 부위에 의하여 복수의 반도체 발광 소자가 분리 배열된 상태로 검사 공간으로부터 실장 위치로 반송 가능하게 유지되고, 제1 전극과 제2 전극의 사이의 검사 공간에는, 복수의 반도체 발광 소자와 가고정부로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부가 배치되며, 복수의 발광 회로부는, 구동 전원으로부터 복수의 반도체 발광 소자로 순방향의 전류가 흐를 때에 복수의 반도체 발광 소자가 발광하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.A plurality of separated semiconductor light emitting elements are collectively inspected immediately before mounting to select semiconductor light emitting elements having poor light emission, and further, the plurality of sorted semiconductor light emitting elements are transported in a separated arrangement state by a provisional unit and mounted.
A first plate having a first electrode, a second plate having a second electrode provided to face the first electrode, an insulating temporary portion for temporarily fixing a plurality of semiconductor light emitting elements in a separated and detachable state, and inspection A drive power source electrically connected to a first electrode and a second electrode disposed with a space therebetween, and an optical machine for observing light emission of a plurality of semiconductor light emitting elements from either side of a first plate or a second plate. The temporary fixing part is detachably attached to either the first electrode or the second electrode, and has a temporarily fixing portion facing the plurality of semiconductor light emitting elements, and the plurality of semiconductor light emitting elements are connected by the temporarily fixing portion. It is held so as to be transportable from the inspection space to the mounting position in a separated arrangement, and in the inspection space between the first electrode and the second electrode, a capacitor consisting of a plurality of semiconductor light emitting elements and a temporary part is connected in series. An inspection device characterized in that a plurality of light emitting circuit units are disposed, and the plurality of light emitting circuit units emit light when forward current flows from a driving power supply to the plurality of semiconductor light emitting elements.

Description

검사 장치 및 검사 방법{INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD}Inspection device and inspection method {INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD}

본 발명은, 발광 다이오드(LED) 등으로 이루어지는 복수의 반도체 발광 소자를 기능적(광학적)으로 검사하기 위하여 이용되는 검사 장치, 및 검사 장치를 이용한 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inspection device used to functionally (optically) inspect a plurality of semiconductor light emitting devices composed of light emitting diodes (LEDs) and the like, and an inspection method using the inspection device.

상세하게는, 복수의 반도체 발광 소자가 실장되기 전의 시점에서, 배열 형성된 복수의 발광 소자를 분리 상태에서 발광 검사하기 위한 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.In detail, it relates to an inspection device and an inspection method for performing a light emission inspection of a plurality of arrayed light emitting elements in a separated state at a time point before the plurality of semiconductor light emitting elements are mounted.

종래, 이 종류의 검사 장치 및 검사 방법으로서, 지지 기판(support substrate)에 형성된 복수의 LED 디바이스(LED devices)의 p-n 접합한 발광부와 대향하도록, 상측의 전극(electrode)을 갖는 필드 플레이트(field plate)가 배치되고, 복수의 LED 디바이스의 하측의 전극으로서 공통 전극(common electrode)이 전기적으로 어스 접지되며, 외부의 전압원(voltage source)으로부터 상측 전극에 인가함으로써, 복수의 LED 디바이스가 발광하고, 그 발광 휘도를 관찰로 측정하는 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조).Conventionally, as an inspection apparatus and inspection method of this kind, a field plate having an electrode on the upper side is opposed to a light emitting portion p-n bonded of a plurality of LED devices formed on a support substrate. plate) is disposed, a common electrode as the lower electrode of the plurality of LED devices is electrically grounded, and by applying an external voltage source to the upper electrode, the plurality of LED devices emit light, There is a case where the light emission luminance is measured by observation (see, for example, Patent Literature 1 and Patent Literature 2).

복수의 LED 디바이스는, 트렌치(trench)로 하프 컷되지만, 트렌치가 하측 전극이 되는 공통 콘택트층(common contact layer)을 관통하고 있지 않고, 지지 기판 상에 미분리 상태로 되어 있다([0048], Figure 3A, 3B 등).A plurality of LED devices are half-cut with a trench, but the trench does not pass through a common contact layer serving as a lower electrode, and is in a non-separated state on a support substrate ([0048], Figure 3A, 3B, etc.).

즉, 복수의 LED 디바이스는, 지지 기판과 미분리 상태에서 발광 테스트되고, 발광의 측정에 의하여 그 기능을 평가하고 있다.That is, a plurality of LED devices are subjected to a light emission test in a non-separated state from the supporting substrate, and their functions are evaluated by measuring light emission.

국제 공개공보 제2018/112267호International Publication No. 2018/112267 미국 특허출원공개공보 제2018/0259570호US Patent Application Publication No. 2018/0259570

그런데, 반도체 발광 소자 중에서도 LED칩은, 비용 저감을 위하여 소형화되고, 소형화한 LED칩을 고속·고정밀도로 실장하기 위한 방법이 행해지고 있다. 특히 LED 디스플레이에 이용되는 LED는, 마이크로 LED라고 불리는 사이즈가 50μmХ50μm 이하인 LED칩이며, 확실하게 발광하는 분단 상태의 LED칩을 수 μm의 정밀도로 고속으로 전사하여 실장할 것이 요구되고 있다.By the way, among semiconductor light emitting elements, LED chips are miniaturized for cost reduction, and a method for mounting the miniaturized LED chips with high speed and high precision is being performed. In particular, the LED used in the LED display is an LED chip with a size of 50 μmХ50 μm or less called a micro LED, and it is required to transfer and mount the LED chip in a segmented state that reliably emits light at high speed with a precision of several μm.

그러나, 특허문헌 1에서는, 복수의 LED 디바이스가 미분리 상태에서 발광 테스트되기 때문에, 각 LED 디바이스를 실장하는 다이본딩 공정에 있어서는, 미분리 상태로는 취급할 수 없고, 실장 전에는 다이싱 등에 의하여 복수의 LED 디바이스를 개개로 분리할 필요가 있었다.However, in Patent Literature 1, since a plurality of LED devices are tested for light emission in a non-separated state, in the die bonding process for mounting each LED device, it cannot be handled in a non-separated state, and a plurality of LED devices are diced or the like before mounting. of LED devices needed to be separated individually.

이와 같은 경우에는, 만일 복수의 LED 디바이스가 지지 기판과 미분리 상태에서 발광 테스트에 의하여 "기능에 문제 없음"이라고 평가되어도, 그 후의 분리 공정 등에 의하여 새로운 불량이 발생할 가능성은 부정할 수 없고, 실장 직전에 발광을 확인할 수 없기 때문에 신뢰성이 뒤떨어지는 문제가 있었다.In such a case, even if a plurality of LED devices are evaluated as "no problem in function" by the light emission test in a non-separated state from the support substrate, the possibility of new defects occurring due to the subsequent separation process cannot be denied, and the mounting There was a problem that reliability was inferior because light emission could not be confirmed immediately before.

이와 같은 상황 하에서, 분리된 복수의 LED 디바이스를 실장 전에 검사하여 발광 불량인 LED 디바이스가 선별 가능하고, 또한 선별된 복수의 LED 디바이스를 분리 배열된 상태로 실장을 위하여 반송 가능한 검사 장치나 검사 방법이 요망되고 있다.Under such circumstances, an inspection device or inspection method capable of inspecting a plurality of separated LED devices prior to mounting to select LED devices with poor light emission and transporting the selected plurality of LED devices for mounting in a separated and arranged state is provided. It is being desired.

또, 발광 테스트에 의한 LED 디바이스의 대미지를 방지하기 위해서는, 전기적 접촉을 피한 저전압 환경에서의 검사가 요구되고 있다.In addition, in order to prevent damage to the LED device by the light emission test, inspection in a low voltage environment in which electrical contact is avoided is required.

이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 검사 장치는, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자를 실장 전에 분리 상태에서 광학적으로 검사하는 검사 장치로서, 제1 전극을 갖는 제1 플레이트와, 상기 제1 전극과 대향하도록 마련된 제2 전극을 갖는 제2 플레이트와, 상기 복수의 반도체 발광 소자를 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 절연성의 가고정부와, 검사 공간을 사이에 두고 배치되는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대하여 전기적으로 접속되는 구동 전원과, 상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 측에서 상기 복수의 반도체 발광 소자의 발광을 관찰하는 광학 기계를 구비하고, 상기 가고정부는, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 한쪽에 대하여 착탈 가능하게 장착되어, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 대향하는 가고정 부위를 가지며, 상기 가고정 부위에 의하여 상기 복수의 반도체 발광 소자가 분리 배열된 상태로 상기 검사 공간으로부터 실장 위치로 반송 가능하게 유지되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이의 상기 검사 공간에는, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 상기 가고정부로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부가 배치되며, 상기 복수의 발광 회로부는, 상기 구동 전원으로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자로 순방향의 전류가 흐를 때에 상기 복수의 반도체 발광 소자가 발광하는 것을 특징으로 한다.In order to solve such a problem, an inspection apparatus according to the present invention optically inspects a plurality of separated and arranged semiconductor light emitting elements in a separated state before mounting, comprising: a first plate having a first electrode; A second plate having a second electrode provided to face the electrode, an insulating temporary portion for temporarily fixing the plurality of semiconductor light emitting elements in a separated and arranged state in a detachable manner, and the first electrode disposed with an inspection space interposed therebetween. and a driving power supply electrically connected to the second electrode, and an optical machine for observing light emission of the plurality of semiconductor light emitting elements from either the first plate or the second plate, is detachably mounted on either one of the first electrode or the second electrode and has a temporarily fixed portion facing the plurality of semiconductor light emitting elements, and the plurality of semiconductor light emitting elements are fixed by the temporarily fixed portion. Capacitors composed of the plurality of semiconductor light emitting elements and the temporary part are held in a separated and arranged state so as to be transportable from the inspection space to a mounting position, and in the inspection space between the first electrode and the second electrode, a capacitor composed of the plurality of semiconductor light emitting elements and the temporary part is connected in series. A plurality of individually connected and separated light emitting circuit units are disposed, and the plurality of light emitting circuit units emit light when a forward current flows from the drive power supply to the plurality of semiconductor light emitting elements. do.

또, 이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 검사 방법은, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자를 실장 전에 분리 상태에서 광학적으로 검사하는 검사 방법으로서, 절연성의 가고정부에 대하여 상기 복수의 반도체 발광 소자를 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 가고정 공정과, 제1 플레이트의 제1 전극 또는 제2 플레이트의 제2 전극 중 어느 한쪽에 상기 가고정부를 착탈 가능하게 장착하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 형성되는 검사 공간에, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 상기 가고정부로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부를 형성하는 세팅 공정과, 구동 전원의 전압을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 상기 복수의 발광 회로부로 부여하는 공급 공정과, 상기 복수의 발광 회로부에 대한 전압의 공급에 의하여 발광하는 상기 복수의 반도체 발광 소자를 상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 측에서 광학 기계로 관찰하는 관찰 공정과, 상기 가고정부로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자를 제거하여 기판 실장하는 실장 공정을 포함하며, 상기 세팅 공정에서는, 상기 가고정부가 상기 복수의 반도체 발광 소자에 대한 가고정 부위를 갖고, 상기 가고정 부위에 의하여 상기 복수의 반도체 발광 소자가 분리 배열된 상태로 상기 검사 공간으로부터 실장 위치로 반송 가능하게 유지되며, 상기 관찰 공정에서는, 상기 검사 공간에 있어서 상기 구동 전원으로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자로 순방향의 전류가 흐를 때에 상기 복수의 반도체 발광 소자가 발광하고, 상기 실장 공정에서는, 상기 검사 공간으로부터 상기 실장 위치로 반송된 상기 가고정부로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자를 제거하여 기판 실장하는 것을 특징으로 한다.In order to solve such a problem, an inspection method according to the present invention is an inspection method for optically inspecting a plurality of semiconductor light emitting elements arranged separately in a separated state before mounting, wherein the plurality of semiconductor light emitting elements are separated from each other with respect to an insulating temporary portion. A temporary fixing step of detachably temporarily fixing the elements in a separated and arranged state, and detachably attaching the temporary part to either the first electrode of the first plate or the second electrode of the second plate, and the first electrode A setting step of forming a plurality of individually separated light emitting circuit parts in which capacitors composed of the plurality of semiconductor light emitting elements and the temporary part are connected in series in an inspection space formed between the first electrode and the second electrode, and a driving power supply voltage from the first electrode and the second electrode to the plurality of light emitting circuit parts, and supplying a voltage to the plurality of light emitting circuit parts, so that the plurality of semiconductor light emitting elements that emit light are connected to the first plate or the plurality of light emitting circuit parts. An observation process of observing from either side of the second plate with an optical machine, and a mounting process of removing the plurality of semiconductor light emitting elements from the temporary part and mounting them on a substrate, wherein in the setting process, the temporary part is It has a temporarily fixing part for a plurality of semiconductor light emitting elements, and the plurality of semiconductor light emitting elements are held in a separated and arranged state by the temporarily fixing part and can be transported from the inspection space to a mounting position, and in the observation step, the When forward current flows from the drive power source to the plurality of semiconductor light emitting elements in the inspection space, the plurality of semiconductor light emitting elements emit light, and in the mounting step, from the temporary part transported from the inspection space to the mounting position. It is characterized in that the plurality of semiconductor light emitting elements are removed and mounted on a substrate.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법의 전체 구성을 나타내는 설명도이며, 도 1의 (a)가 인가 공정 및 검사 공정의 일부 절결 정면도, 도 1의 (b)가 동일 횡단 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법의 변형예를 나타내는 설명도이며, 도 2의 (a)~(c)가 인가 공정 및 검사 공정의 일부 절결 정면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법의 변형예를 나타내는 설명도이며, 도 3의 (a), (b)가 인가 공정 및 검사 공정의 일부 절결 정면도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법의 변형예를 나타내는 설명도이며, 도 4의 (a)가 가고정부에서 복수의 반도체 발광 소자를 반송한 상태의 부분적인 일부 절결 정면도, 도 4의 (b)가 가고정부에 대하여 복수의 반도체 발광 소자를 착탈한 상태의 부분적인 일부 절결 정면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법의 변형예를 나타내는 설명도이며, 도 5의 (a)가 광학 기계 및 구동부의 구체예를 나타내는 일부 절결 축소 정면도, 도 5의 (b)가 동일 축소 횡단 평면도이다.
도 6은 동일 회로도이며, 도 6의 (a)가 도 1~도 5에 대응하는 등가 회로, 도 6의 (b)가 변형예의 등가 회로이다.1 is an explanatory view showing the overall configuration of an inspection device and an inspection method according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a partially cut-away front view of an application process and an inspection process, and FIG. It is a cross-sectional view.
Fig. 2 is an explanatory view showing modified examples of an inspection device and an inspection method according to an embodiment of the present invention, and Figs. 2 (a) to (c) are partial cutaway front views of an application process and an inspection process.
Fig. 3 is an explanatory view showing a modified example of an inspection device and an inspection method according to an embodiment of the present invention, and Figs. 3 (a) and (b) are partially cut-away front views of an application process and an inspection process.
Fig. 4 is an explanatory view showing a modified example of an inspection apparatus and an inspection method according to an embodiment of the present invention, and Fig. 4 (a) is a partially cut-away front view of a state in which a plurality of semiconductor light emitting elements are transported from a temporary part. 4(b) is a partially cut-away front view of a state in which a plurality of semiconductor light emitting elements are attached to and detached from the temporary portion.
5 is an explanatory view showing a modified example of an inspection device and an inspection method according to an embodiment of the present invention, and FIG. b) is the same reduced cross-sectional plan view.
Fig. 6 is the same circuit diagram, Fig. 6(a) is an equivalent circuit corresponding to Figs. 1 to 5, and Fig. 6(b) is an equivalent circuit of a modified example.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 근거하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail based on drawing.

본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치(A)는, 도 1~도 6에 나타내는 바와 같이, 배열 형성된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 실장하기 전에, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 개개로 분리된 배열 상태에서 기능적(광학적)으로 검사(발광 테스트)하고, 광학적으로 불량인 반도체 발광 소자(E)의 실장을 미연에 방지하기 위하여 이용되는 광학 특성 측정 장치이다.As shown in FIGS. 1 to 6 , an inspection device A according to an embodiment of the present invention individually arranges a plurality of semiconductor light emitting elements E before mounting the plurality of semiconductor light emitting elements E arranged in an array. It is an optical characteristic measurement device used to functionally (optically) inspect (emission test) in a separated arrangement state and to prevent mounting of an optically defective semiconductor light emitting element (E) in advance.

상세하게 설명하면, 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치(A)는, 제1 전극(1a)을 갖는 제1 플레이트(1)와, 제2 전극(2a)을 갖는 제2 플레이트(2)와, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 가고정하기 위하여 마련되는 가고정부(3)와, 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에 전기적으로 접속하기 위하여 마련되는 구동 전원(4)과, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 일방 측에서 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광을 관찰하기 위하여 마련되는 광학 기계(5)를 주요한 구성요소로서 구비하고 있다.More specifically, an inspection device A according to an embodiment of the present invention includes a first plate 1 having a first electrode 1a and a second plate 2 having a second electrode 2a; , a temporary portion 3 provided to temporarily fix the plurality of semiconductor light emitting elements E in a detachable manner, and a driving power source 4 provided to electrically connect to the first electrode 1a and the second electrode 2a. ), and an optical machine 5 provided for observing light emission of a plurality of semiconductor light emitting elements E from one side of the first plate 1 or the second plate 2 as a main component.

또한, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽의 표면 혹은 양쪽 모두의 표면에 마련되는 유전층(6)과, 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)를 상대적으로 이동시키기 위하여 마련되는 구동부(7)와, 구동 전원(4) 및 구동부(7)를 작동 제어하기 위하여 마련되는 제어부(8)를 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the dielectric layer 6 provided on the surface of either or both of the first electrode 1a or the second electrode 2a and the first plate 1 or the second plate 2 are relatively It is preferable to have a driving unit 7 provided to move and a control unit 8 provided to operate and control the driving power source 4 and the driving unit 7 .

또한, 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)는, 통상 상하 방향으로 대향하도록 마련된다. 도시예에서는, 하방에 제1 플레이트(1)가 배치되고, 제2 플레이트(2)가 상방에 배치되어 있다. 여기에서, 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)가 대향하는 방향을 이하 "Z 방향"이라고 한다. Z 방향과 교차하는 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)를 따른 방향을 이하 "XY 방향"이라고 한다.Moreover, the 1st plate 1 and the 2nd plate 2 are normally provided so that it may oppose in the vertical direction. In the example of illustration, the 1st plate 1 is arrange|positioned below, and the 2nd plate 2 is arrange|positioned above. Here, the direction in which the first plate 1 and the second plate 2 oppose each other is hereinafter referred to as "Z direction". A direction along the first plate 1 or the second plate 2 intersecting the Z direction is hereinafter referred to as "XY direction".

복수의 반도체 발광 소자(E)는, 도 1의 (a), (b) 등에 나타나는 바와 같이, 각각이 평활한 대략 직사각형(장방형 및 정방형을 포함하는 각이 직각인 사변형)의 박판상으로 형성된 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD) 등의 반도체 다이오드이다. 이 반도체 다이오드로서는, 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)의 칩 LED도 포함된다.The plurality of semiconductor light emitting elements E are light emitting diodes each formed in a flat, substantially rectangular (quadrilateral quadrilateral including rectangle and square) thin plate shape, as shown in FIG. 1 (a), (b) and the like. (LED) or a semiconductor diode such as a laser diode (LD). As this semiconductor diode, red, green, and blue chip LEDs are also included.

복수의 반도체 발광 소자(E)의 구체예로서는, 주로 마이크로 LED라고 불리는 50μmХ50μm 이하, 상세하게는 30μmХ30μm 이하, 더 상세하게는 평방 수십 μm의 LED칩이나 LD칩 등을 들 수 있다.Specific examples of the plurality of semiconductor light emitting elements E include LED chips or LD chips with a size of 50 μm × 50 μm or less, specifically 30 μm × 30 μm or less, more specifically, several tens of μm square, which are called micro LEDs.

또 복수의 반도체 발광 소자(E)의 다른 예로서는, 예를 들면 미니 LED라고 불리는 평방 100μm 전후의 LED칩이나 평방 200~300μm 등의 일반적인 LED칩이나, LD칩 등의 일반적인 사이즈의 반도체 다이오드를 포함하는 것도 가능하다.In addition, other examples of the plurality of semiconductor light emitting elements E include, for example, LED chips of around 100 μm square called mini LEDs, general LED chips such as 200 to 300 μm square, and semiconductor diodes of general sizes such as LD chips. It is also possible.

일반적인 칩 취급에 있어서 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 실리콘 등의 재료로 이루어지는 소자 형성용 기판이나 웨이퍼에, XY 방향으로 소정의 주기로 배열 형성되고, 그 표면 측 또는 이면 측에 발광부(E1)를 각각 갖고 있다. 배열 형성된 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 배열 상태를 유지하도록 각각 분리되는 다이싱 등의 분단 과정, 검사 장치(A)에 의한 발광 검사 과정을 거쳐 프린트 기판 등에 대하여 기판 실장을 행하는 실장 공정으로 이행한다.In general chip handling, a plurality of semiconductor light emitting elements E are arranged and formed at a predetermined cycle in the XY direction on a substrate or wafer for element formation made of a material such as silicon, and a light emitting portion E1 is provided on the front or rear side of the device. ) have each. A plurality of arrayed semiconductor light emitting elements E are separated from each other so as to maintain the arrangement state, a dicing process, etc., a light emitting inspection process by the inspection device A, and a mounting process in which substrate mounting is performed on a printed circuit board or the like. fulfill

본 발명의 특징으로서 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 분단 과정 후에 분리 배열 상태를 유지한 채로 전사 위치(P1)에서 후술하는 가고정부(3)로 전사되고, 검사 공간(S)에서 가고정부(3)와 함께 발광 검사를 한 후에, 가고정부(3)와 함께 실장 위치(P2)로 반송하여 실장 공정이 실시된다. 즉 복수의 반도체 발광 소자(E)로서는, 개개로 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)가, 후술하는 가고정부(3)에 가고정된 가고정 칩군(F)을 이용하고 있다.As a feature of the present invention, the plurality of semiconductor light emitting elements E are transferred to the temporary portion 3 described later at the transfer position P1 while maintaining the separated and arranged state after the division process, and the temporary portion in the inspection space S After carrying out the light emission test|inspection together with (3), it conveys to the mounting position P2 together with the temporary part 3, and a mounting process is implemented. That is, as the plurality of semiconductor light emitting elements E, a temporarily fixed chip group F in which a plurality of semiconductor light emitting elements E individually separated and arranged is temporarily fixed to a temporary part 3 described later is used.

또한, 도시예에서는 설명을 위하여, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열로서, 직사각형의 반도체 발광 소자(E)를 모두 동일한 사이즈로 설정하고 있다. 또 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열을 도시예 이외로 변경하는 것도 가능하다.In the illustrated example, all of the rectangular semiconductor light emitting elements E are set to have the same size as an arrangement of a plurality of semiconductor light emitting elements E for explanation. In addition, although not shown as another example, it is also possible to change the arrangement of the plurality of semiconductor light emitting elements E other than the illustrated example.

제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)는, 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), (c), 도 3의 (a), (b) 및 도 4의 (a), (b) 등에 나타나는 바와 같이, 석영이나 경질 합성 수지 등의 투명 또는 불투명의 강성 재료로 판형으로 형성된 정반(定盤)으로 이루어진다.The 1st plate 1 and the 2nd plate 2 are FIG. 1 (a), (b), FIG. 2 (a), (b), (c), FIG. 3 (a), (b) ) and FIG. 4 (a), (b), etc., it consists of a surface plate formed in a plate shape of a transparent or opaque rigid material such as quartz or hard synthetic resin.

제1 플레이트(1)에 있어서 제2 플레이트(2)와 Z 방향으로 대향하는 면에는, 제1 전극(1a)이 형성된다. 제2 플레이트(2)에 있어서 제1 플레이트(1)와 Z 방향으로 대향하는 면에는, 검사 공간(S)을 사이에 두고 제2 전극(2a)이 형성된다.A first electrode 1a is formed on a surface of the first plate 1 that faces the second plate 2 in the Z direction. On the surface of the second plate 2 that faces the first plate 1 in the Z direction, the second electrode 2a is formed with the inspection space S interposed therebetween.

제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에 대해서도 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)와 동일하게 투명 또는 불투명의 재료로 적층 형성되어 있다.Similarly to the first plate 1 and the second plate 2, the first electrode 1a and the second electrode 2a are laminated with transparent or opaque materials.

제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2) 중 어느 한쪽 혹은 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두는, Z 방향으로 왕복이동 가능하게 지지되고, 후술하는 구동부(7)에서 Z 방향으로 상대적으로 이동하도록 구성해도 된다.Either one of the first plate 1 or the second plate 2 or both of the first plate 1 and the second plate 2 is supported so as to be reciprocally movable in the Z direction, and a drive unit 7 described later ) may be configured to relatively move in the Z direction.

제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽에는, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 가고정하기 위하여 가고정부(3)가, 검사 스테이지로서 착탈 가능하게 장착된다.To either one of the first electrode 1a or the second electrode 2a, a temporary part 3 is detachably attached as an inspection stage in order to detachably temporarily fix the plurality of semiconductor light emitting elements E.

가고정부(3)의 장착 수단으로서는, 제1 전극(1a)이나 제2 전극(2a)에 대한 가고정부(3)의 접촉에 따라 가고정부(3)가 착탈 가능하고 또한 이동 불능으로 장착되는 유지 척(H)을, 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)에 마련하는 것이 바람직하다. 유지 척(H)의 구체예로서는, 진공 흡착 척이나 점착 척이나 클로 등의 기계적인 파지 기구를 구비한 척 또는, 이들의 병용 등을 들 수 있다.As a means for attaching the temporary part 3, the temporary part 3 is detachably and non-movably attached according to the contact of the temporary part 3 with the first electrode 1a or the second electrode 2a. It is preferable to provide the chuck H on the first plate 1 or the second plate 2 . As a specific example of the holding chuck H, a chuck provided with a mechanical gripping mechanism such as a vacuum adsorption chuck, an adhesive chuck, or a claw, or a combination thereof, and the like are exemplified.

가고정부(3)는, 예를 들면 합성 석영, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌(PP), 폴리 염화 바이닐(PVC) 등의 경질 합성 수지, 또는 이와 유사한 변형 불능인 강성을 갖고, 또한 광학적으로 투명한 절연성(비유전율이 3 정도)의 재료이며, 그 두께가 얇고 표리 양면이 평활한 평판상으로 형성된다. 특히 가고정부(3)의 구성 재료로서는, 고비유전율의 유전 재료, 상세히는 비유전율이 80 정도인 산화 타이타늄 등을 포함하는 투명한 고유전 재료를 이용하는 것이 바람직하다.The temporary portion 3 is, for example, a hard synthetic resin such as synthetic quartz, polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP), polyvinyl chloride (PVC), or similar rigidity that cannot be deformed, and has optical properties. It is a transparent insulating material (relative permittivity is about 3), and its thickness is thin and it is formed in the shape of a flat plate with both sides smooth. In particular, it is preferable to use a dielectric material having a high relative permittivity, in detail, a transparent high permittivity material including titanium oxide having a relative permittivity of about 80 as a constituent material of the temporary portion 3.

가고정부(3)에 있어서 적어도 복수의 반도체 발광 소자(E)와 대향하는 표면은, 평면 연마 등으로 평면도가 높게 형성되고, 복수의 반도체 발광 소자(E)와 대향하는 가고정 부위(3a)를 갖는다.In the temporary fixing portion 3, at least a surface facing the plurality of semiconductor light emitting elements E is formed to have a high flatness by plane polishing or the like, and the temporarily fixing portion 3a facing the plurality of semiconductor light emitting elements E is formed. have

가고정 부위(3a)는, 점착재, 저융점 왁스(핫 멜트재), 용해 제거 가능한 접착제 등의 가고정 수단이 층상이나 막상으로 형성되고, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 각각이 분리 배열한 상태로 착탈 가능하게 가고정하도록 구성된다. 가고정 부위(3a)의 두께는, 복수의 반도체 발광 소자(E)로서 두께가 10μm 미만인 마이크로 LED를 가고정해도, 마이크로 LED의 표면끼리에 부침이 없는 균일한 높이가 되도록 형성되어 있다.In the temporarily fixing site 3a, a temporary fixing means such as an adhesive material, a low-melting wax (hot melt material), or a dissolvable adhesive is formed in a layer or film form, and a plurality of semiconductor light emitting elements E are separately arranged. It is configured to be detachably temporarily fixed in one state. The thickness of the temporarily fixing site 3a is formed such that even if a plurality of semiconductor light emitting elements E are microLEDs having a thickness of less than 10 μm temporarily fixed, the surfaces of the microLEDs have no undulations and have a uniform height.

이 때문에, 가고정 부위(3a)에 의한 가고정으로 복수의 반도체 발광 소자(E)가 가고정부(3)에 대하여 이동 불능으로 유지된다. 이로써, 가고정부(3)와 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 일체화되어 반송 가능한 가고정 칩군(F)이 된다. 즉, 가고정부(3)는, 가고정 부위(3a)에 의하여 복수의 반도체 발광 소자(E)를 분리 배열 상태로 유지한 채로, 전사 위치(P1)로부터 검사 공간(S)을 거쳐 실장 위치(P2)로 반송 가능한 소자 반송용 지그이기도 하다.For this reason, the plurality of semiconductor light emitting elements E are held immovably with respect to the temporary fixing part 3 by the temporary fixing by the temporarily fixing part 3a. In this way, the temporary fixed unit 3 and the plurality of semiconductor light emitting elements E become a group F of temporarily fixed chips that can be integrated and transported. That is, the temporary fixing part 3 maintains the plurality of semiconductor light emitting elements E in a separated and arranged state by the temporarily fixing part 3a, from the transfer position P1 through the inspection space S to the mounting position ( It is also a jig for conveying elements that can be conveyed in P2).

가고정부(3)에 있어서 가고정 부위(3a)를 갖는 표면 형상은, 도 1의 (a) 등에 나타나는 바와 같이, 가고정 부위(3a)를 포함하는 표면 전체가 평활면에 형성되는 예와, 도 2의 (a)에 나타나는 바와 같이, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 가고정하는 가고정 부위(3a)만이 다른 부위에 비하여 부분적으로 돌출하는 요철상으로 형성되는 다른 예가 있다.The surface shape having the temporarily fixed portion 3a in the temporarily fixed portion 3 is an example in which the entire surface including the temporarily fixed portion 3a is formed on a smooth surface, as shown in FIG. As shown in (a) of FIG. 2 , there is another example in which only the temporarily fixing portion 3a for temporarily fixing the plurality of semiconductor light emitting elements E is formed in a concave-convex shape that partially protrudes compared to other portions.

가고정부(3)의 표면 형상이 요철상이 되는 다른 예는, 인접하는 볼록상의 가고정 부위(3a)끼리의 사이에 오목상 부위(3b)가 각각 형성된다. 오목상 부위(3b)의 간격은, 소자 형성용 기판이나 웨이퍼에 소정의 주기로 배열 형성된 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격과 대응하는 배치가 되도록 설정하는 것이 바람직하다.In another example in which the surface shape of the temporary fixing portion 3 is uneven, concave portions 3b are formed between adjacent convex temporarily fixing portions 3a. It is preferable to set the spacing of the concave portions 3b so as to correspond to the arrangement spacing of a plurality of semiconductor light emitting elements E arranged in a predetermined cycle on a substrate or wafer for element formation.

즉, 복수의 가고정 부위(3a)의 간격은, XY 방향으로 소정의 주기로 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)와 Z 방향으로 대향하도록, X 방향 또는 Y 방향 중 어느 한쪽 혹은 양쪽 모두에 각각 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격과 동일한 간격, 또는 정수 배로 설정된다. 상세히는 복수의 가고정 부위(3a)의 간격을, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격의 복수 배로 설정하는 것이 바람직하다. 이로써, XY 방향으로 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E) 중에서, 소정의 열이나 소정의 위치 등에 배치한 반도체 발광 소자(E)에 대해서만, 복수의 가고정 부위(3a)를 맞닿게 하고, 점착이나 접착 등의 가고정 수단으로 착탈 가능하게 가고정 유지하는 것이 가능해진다.That is, the distance between the plurality of temporarily fixing sites 3a is in either or both of the X direction or the Y direction so as to face the plurality of semiconductor light emitting elements E arranged separately at a predetermined period in the XY direction in the Z direction. Each is set to the same interval as the arrangement interval of the plurality of semiconductor light emitting elements E or an integer multiple. In detail, it is preferable to set the interval between the plurality of temporarily fixing sites 3a to a plurality of times the arrangement interval of the plurality of semiconductor light emitting elements E. As a result, among the plurality of semiconductor light emitting elements E arranged separately in the XY direction, only the semiconductor light emitting elements E disposed in a predetermined row or a predetermined position, etc., are brought into contact with a plurality of temporarily fixed sites 3a, It becomes possible to temporarily fix and hold detachably by means of temporary fixation, such as adhesion or adhesion.

또한 가고정부(3)는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)가 배치되는 표면 측 또는 이면 측 중 어느 한쪽을 가고정 부위(3a)에서 착탈 가능하게 가고정 유지하는 것이 바람직하다.In addition, the temporary fixing portion 3 temporarily fixes and holds either the surface side or the back side where the light emitting portion E1 is disposed in the plurality of semiconductor light emitting elements E in a detachable manner from the temporarily fixing portion 3a. desirable.

이와 같은 가고정부(3)의 구체예로서는, 도 1의 (a) 등에 나타나는 바와 같이, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)가 배치된 표면 측에 가고정되는 투명한 발광 측 가고정부(31)가 있다.As a specific example of such a temporary portion 3, as shown in FIG. There is a government (31).

그 외의 예로서는, 도 2의 (c)에 나타나는 바와 같이, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)의 반대 측이 되는 이면 측에 가고정되는 투명이나 불투명의 이측 가고정부(32)가 있다.As another example, as shown in FIG. 2(c) , in the plurality of semiconductor light emitting elements E, the transparent or opaque back side temporary portion 32 temporarily fixed to the back side opposite to the light emitting portion E1. ) is there.

개개로 분리된 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 가고정부(3)(발광 측 가고정부(31)나 이측 가고정부(32))에 의하여 이산하지 않고 유지된다. 이 유지 상태로 가고정부(3)(발광 측 가고정부(31)나 이측 가고정부(32))로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)를 박리 등의 취출에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광부(E1)나 이면이 노출 가능하게 됨과 동시에 실장도 가능하게 된다. 이 때문에, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서의 분리시의 칩의 정렬 정보를 후술하는 실장 공정에 이용하는 것이 가능하게 된다.The plurality of semiconductor light emitting elements E, which are individually separated, are held without being separated by the temporary portion 3 (emission-side temporary portion 31 or rear-side temporary portion 32). In this holding state, the plurality of semiconductor light emitting elements E are removed from the temporary temporary portion 3 (the light emitting side temporary portion 31 or the back side temporary portion 32) by removing the plurality of semiconductor light emitting elements E. The light emitting portion E1 and the back surface of the light emitting unit E1 can be exposed, and mounting is also possible. For this reason, it becomes possible to use chip alignment information at the time of separation in the plurality of semiconductor light emitting elements E in a mounting step described later.

또 가고정부(3)는, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 형성되는 검사 공간(S)에 대하여, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 가고정부(3)를 협지함으로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)가 통전 가능해지도록 구성된다.In addition, the temporary portion 3 is formed between the first electrode 1a and the second electrode 2a with respect to the inspection space S formed between the first electrode 1a and the second electrode 2a. By holding the temporary portion 3, the plurality of semiconductor light emitting elements E are configured to be energized.

제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a)과 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a)은, Z 방향으로 검사 공간(S)을 사이에 두고 대향하도록 배치된다. 발광 테스트 시에 있어서의 검사 공간(S)의 Z 방향의 간격은, 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))의 Z 방향의 간격과 동일하거나 또는 그보다 약간 길게 설정되어 있다.The first electrode 1a of the first plate 1 and the second electrode 2a of the second plate 2 are arranged to face each other with the inspection space S interposed therebetween in the Z direction. The distance in the Z direction of the inspection space S during the light emission test is equal to or greater than the distance in the Z direction of the temporary fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and the temporary portion 3). It is set slightly longer.

제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에는, 후술하는 구동 전원(4)이 각각 전기적으로 접속된다. 또한 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽에는, 가고정부(3)가 장착 수단(유지 척(H))으로 착탈 가능하게 장착된다.A driving power supply 4 described later is electrically connected to the first electrode 1a and the second electrode 2a, respectively. Further, on either of the first electrode 1a or the second electrode 2a, the temporary portion 3 is detachably attached by means of a mounting means (holding chuck H).

이 때문에, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 검사 공간(S)에는, 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))가 협지되고, 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)에 통전된다. 특히 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에 대하여 가고정부(3)를, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 Z 방향으로 협지된 가고정부(3)가 절연성의 유전체가 되도록 전기적으로 접촉시키는 것이 바람직하다.For this reason, in the inspection space S between the first electrode 1a and the second electrode 2a, a temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and temporary portion 3) is sandwiched. and the plurality of semiconductor light emitting elements E are energized from the first electrode 1a and the second electrode 2a. In particular, the temporary portion 3 held between the first electrode 1a and the second electrode 2a in the Z direction between the first electrode 1a and the second electrode 2a is It is preferable to make electrical contact so that it becomes an insulating dielectric.

이로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)가 각각 절연성의 가고정부(3)와 커패시터를 구성하여 직렬 접속된다. 즉, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에는, 복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)로 이루어지는 커패시터를 직렬 접속한 개개로 분리된 복수의 발광 회로부(L)가 배치 형성된다.In this way, the plurality of semiconductor light emitting elements E are connected in series with the insulating temporary portion 3 as a capacitor. That is, between the first electrode 1a and the second electrode 2a, a plurality of individually separated light emitting circuit parts L obtained by serially connecting capacitors composed of a plurality of semiconductor light emitting elements E and temporary parts 3 ) is formed in batches.

또, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽에 대하여 가고정부(3)가 유지 척(H)으로 착탈 가능하게 장착되기 때문에, 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 가고정부(3)를 통하여 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a)의 한쪽에 대하여 전기적으로 접촉하고 있다. 그러나, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a)의 다른 쪽에 대해서는, 복수의 반도체 발광 소자(E)가 비접촉으로 복수의 반도체 발광 소자(E)의 사이에 약간의 간극이 있어도, 이 간극이 적당한 절연체가 되기 때문에 발광 테스트가 가능하다.In addition, since the temporary portion 3 is detachably attached to either the first electrode 1a or the second electrode 2a by the holding chuck H, the plurality of semiconductor light emitting elements E are It electrically contacts either the first electrode 1a or the second electrode 2a via the top 3. However, with respect to the other side of the first electrode 1a or the second electrode 2a, even if there is a slight gap between the plurality of semiconductor light emitting elements E in a non-contact manner, this gap Since this becomes an appropriate insulator, light emitting tests are possible.

또한, 이와 같은 발광 테스트 시에, 가고정부(3)에 대한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 가고정 상태에서 복수의 반도체 발광 소자(E)의 표면끼리에 약간의 부침이 생겨 불균일한 높이가 된 경우에는, 각 반도체 발광 소자(E)에 대응하는 정전 용량에 편차가 발생하기 때문에 바람직하지 않다.In addition, at the time of such a light emitting test, in a state where the plurality of semiconductor light emitting elements E are temporarily fixed to the temporary portion 3, the surfaces of the plurality of semiconductor light emitting elements E are slightly indented, resulting in uneven height. In this case, it is not preferable because variation occurs in the capacitance corresponding to each semiconductor light emitting element E.

이에 더하여 검사 후는, 유지 척(H)에 의한 가고정부(3)의 유지를 해제함으로써, 검사 공간(S)으로부터의 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))의 제거가 가능하게 된다.In addition, after the inspection, by canceling the holding of the temporary portion 3 by the holding chuck H, the temporarily fixed chip group F from the inspection space S (a plurality of semiconductor light emitting elements E and the temporary portion ( 3)) can be removed.

또 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)는, 도 3의 (a), (b)~도 5의 (a), (b)에 나타나는 바와 같이, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2) 중 어느 한쪽의 면적을 다른 쪽보다 작은 면적으로 형성하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 한쪽에 대하여 다른 쪽, 혹은 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두를, 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 대향 방향(Z 방향)과 교차하는 방향(XY 방향)으로 상대적으로 이동 가능하게 지지하는 것이 바람직하다. 또한, 이동 측이 되는 제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a) 또는 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a)과 복수의 반도체 발광 소자(E)의 사이에, 활동용 간극(도시하지 않음)을 확보함으로써, 매끄러운 상대 이동이 가능하게 된다. 즉, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 한쪽에 대하여 다른 쪽, 혹은 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두는, 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)의 간격(활동용 간극)을 대향 방향(Z 방향)으로 유지하면서 교차 방향(XY 방향)으로 이동 가능하게 지지된다.Moreover, the 1st plate 1 and the 2nd plate 2 are the 1st plate 1 or the 1st plate 2, as shown in FIG. 3 (a), (b) - FIG. 5 (a), (b) It is also possible to form the area of either one of the two plates 2 smaller than the area of the other. In this case, one of the first plate 1 or the second plate 2 is connected to the other side, or both of the first plate 1 and the second plate 2, the first plate 1 and It is preferable to support the second plate 2 so as to be relatively movable in the opposite direction (Z direction) and intersecting direction (XY direction). Further, between the first electrode 1a of the first plate 1 or the second electrode 2a of the second plate 2 serving as the moving side and the plurality of semiconductor light emitting elements E, there is a gap for activation ( (not shown), smooth relative movement becomes possible. That is, one of the first plate 1 or the second plate 2 on the other side, or both of the first plate 1 and the second plate 2, the first plate 1 and the second plate 2 It is supported so as to be movable in the cross direction (XY direction) while maintaining the interval (gap for movement) of the plate 2 in the opposite direction (Z direction).

구동 전원(4)는, 교류 전압원이나 직류 전압원으로 이루어지고, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 검사 시에는 구동 전원(4)으로부터 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)을 통하여 복수의 발광 회로부(L)에 대하여, 소정량의 교류(AC) 전압이나 직류(DC) 전압이 부여된다.The driving power source 4 is composed of an AC voltage source or a DC voltage source, and when inspecting a plurality of semiconductor light emitting elements E, the driving power source 4 passes through the first electrode 1a and the second electrode 2a to a plurality of A predetermined amount of alternating current (AC) voltage or direct current (DC) voltage is applied to the light emitting circuit part (L).

구동 전원(4)이 되는 교류 전압원으로부터 복수의 발광 회로부(L)에 교류 전압을 인가한 경우에는, 복수의 반도체 발광 소자(E)가 되는 반도체 다이오드가 갖는 정류 작용에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 대하여 전류가 순방향으로 흘러 발광부(E1)를 발광시킨다.When an AC voltage is applied from an AC voltage source serving as the driving power source 4 to the plurality of light emitting circuit parts L, the plurality of semiconductor light emitting elements are rectified by the rectifying action of the semiconductor diodes serving as the plurality of semiconductor light emitting elements E. The current flows in the forward direction with respect to (E), causing the light emitting portion E1 to emit light.

복수의 반도체 발광 소자(E)의 검사 종료 후는, 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에 대한 인가 전원을 OFF로 하고, 제전기(도시하지 않음)를 작동시키는 것이 바람직하다. 이로써, 검사 종료 후에 제1 전극(1a)이나 제2 전극(2a)으로부터 가고정 칩군(F)을 취출할 때에 발생한 박리 대전에 의한 정전 파괴가 방지된다.After completion of the inspection of the plurality of semiconductor light emitting elements E, it is preferable to turn OFF the power supply applied to the first electrode 1a and the second electrode 2a, and operate an eliminator (not shown). In this way, electrostatic damage due to peeling electrification generated when the temporarily fixed chip group F is taken out from the first electrode 1a or the second electrode 2a after completion of the inspection is prevented.

광학 기계(5)는, 제1 플레이트(1)(제1 전극(1a)) 또는 제2 플레이트(2)(제2 전극(2a)) 중 어느 일방 측에서 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광의 휘도를 관찰하는 검사 카메라 등으로 이루어진다.The optical machine 5 is a plurality of semiconductor light emitting elements E on either side of the first plate 1 (first electrode 1a) or the second plate 2 (second electrode 2a). It consists of an inspection camera that observes the luminance of light emission.

즉, 복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)로 이루어지는 커패시터를 직렬 접속한 개개로 분리되는 복수의 발광 회로부(L)와, 광학 기계(5)의 사이에 배치된 제1 플레이트(1)(제1 전극(1a)) 또는 제2 플레이트(2)(제2 전극(2a)) 중 일방 측은 투명 재료로 형성되고, 타방 측은 불투명 재료로 형성해도 된다.That is, a plurality of individually separated light emitting circuit parts L obtained by connecting capacitors composed of a plurality of semiconductor light emitting elements E and temporary parts 3 in series, and a first plate disposed between the optical machine 5 ( 1) One side of the (first electrode 1a) or the second plate 2 (second electrode 2a) may be formed of a transparent material, and the other side may be formed of an opaque material.

광학 기계(5)의 검사 카메라로서 복수의 반도체 발광 소자(E)가 가시광을 발광하는 경우는, 가시광의 CCD 카메라 등을 이용하는 것이 바람직하다. 복수의 반도체 발광 소자(E)가 적외광을 발광하는 경우는, 적외선 카메라를 이용하여, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 대한 검사 에어리어의 시야에 맞추어 소정의 해상도에 알맞도록 배치하는 것이 바람직하다.As an inspection camera of the optical machine 5, when a plurality of semiconductor light emitting elements E emit visible light, it is preferable to use a visible light CCD camera or the like. In the case where the plurality of semiconductor light emitting elements E emit infrared light, it is preferable to use an infrared camera to arrange the plurality of semiconductor light emitting elements E in accordance with the field of view of the inspection area to meet a predetermined resolution. .

검사 카메라의 배치는, 고해상도의 고정 카메라(51)를 이용하거나, 또는 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 이동에 맞추어 이동 가능한 이동 카메라(52)를 이용하거나, 혹은 고정 카메라(51) 및 이동 카메라(52)를 병용한다. 특히 복수의 반도체 발광 소자(E)가 마이크로 LED와 같은 미소 사이즈로 다수 배열 형성되는 경우에는, 이동 카메라(52)를 이용하는 것이 바람직하다. 이로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 대한 검사 에어리어가 제한되기 때문에, 저해상도의 카메라여도 관찰 해상도를 충분히 확보하는 것이 가능해진다.Arrangement of the inspection camera is to use a high-resolution fixed camera 51, or a movable camera 52 movable according to the movement of the first plate 1 or the second plate 2, or a fixed camera ( 51) and a mobile camera 52 are used together. In particular, in the case where a plurality of semiconductor light emitting elements E are arrayed in a microscopic size such as a micro LED, it is preferable to use a mobile camera 52 . In this way, since the inspection area for the plurality of semiconductor light emitting elements E is limited, it becomes possible to sufficiently secure the observation resolution even with a low-resolution camera.

고정 카메라(51)나 이동 카메라(52) 등에 의하여 얻어진 복수의 반도체 발광 소자(E)의 평균 휘도 데이터는, 검사 배치(batch)마다의 평균 휘도 데이터를 각 반도체 발광 소자(E)의 위치와 관련지음으로써, 후 공정에 있어서 참조 가능한 데이터베이스로서 작성할 수 있다.The average luminance data of a plurality of semiconductor light emitting elements E obtained by the fixed camera 51 or the moving camera 52 relates the average luminance data for each inspection batch to the position of each semiconductor light emitting element E. By creating it, it can be created as a database that can be referred to in a later step.

상세하게 설명하면, 고정 카메라(51)나 이동 카메라(52) 등에 의한 검사 데이터로서는, 발광 상태에 있는 복수의 반도체 발광 소자(E)를 1매의 화상 데이터로서 계측해 두고, 각 반도체 발광 소자(E)의 면적에 상당하는 복수 개의 화소 데이터로부터 각 반도체 발광 소자(E)의 휘도 평균값을 구하거나 하여, 각 반도체 발광 소자(E)의 발광의 유무와, 대표 발광 휘도를 정량 데이터로서, 검사 배치(batch)마다의 휘도 데이터베이스를 작성한다. 또 구동 전원(4)으로부터의 인가 전압을 변동시켰을 때의 발광에 의하여, 각 반도체 발광 소자(E)의 발광 최저 전압과 휘도 편차를 맞추어 계측 가능하게 된다.More specifically, as inspection data by the fixed camera 51, the mobile camera 52, etc., a plurality of semiconductor light emitting elements E in a light emitting state are measured as one image data, and each semiconductor light emitting element ( E) The average value of the luminance of each semiconductor light emitting element E is obtained from a plurality of pixel data corresponding to the area of E), and the presence or absence of light emission of each semiconductor light emitting element E and the representative light emission luminance are used as quantitative data for inspection arrangement Create a luminance database for each (batch). In addition, by varying the applied voltage from the drive power source 4, the light emission can be measured by matching the minimum light emission voltage of each semiconductor light emitting element E with the luminance deviation.

특히 복수의 반도체 발광 소자(E)가 RGB칩 LED인 경우에는, 검사 카메라로서 RGB칩 LED에 대한 해상도를 충분히 확보한 컬러 카메라가 이용되고, RGB 삼색의 휘도 성분을 각각의 색조로서 데이터베이스화하는 것이 바람직하다.In particular, when the plurality of semiconductor light emitting elements E are RGB chip LEDs, a color camera that sufficiently secures the resolution of the RGB chip LEDs is used as an inspection camera, and the luminance components of the three RGB colors are compiled into a database as respective color tones. desirable.

또, 이들 칩 발광 휘도의 데이터베이스는, 검사 배치(batch)에 있어서의 복수의 반도체 발광 소자(E)의 위치와 데이터와의 링크를 행할 수 있다. 이 경우에는, 그 후공정이 되는 다이 본더 등에 의한 각 반도체 발광 소자(E)의 실장 공정에 있어서, 각 반도체 발광 소자(E)의 취출 직전에 대상 칩의 선별 기준으로 이용 가능해진다.Also, these chip emission luminance databases can be linked with data and positions of a plurality of semiconductor light emitting elements E in an inspection batch. In this case, in the subsequent step of mounting each semiconductor light emitting element E by a die bonder or the like, it can be used as a selection standard for target chips just before taking out each semiconductor light emitting element E.

발광 테스트에 따른 더 정확한 검사를 행하려면, 도 5의 (a), (b)에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치(A)를, 검사 시에 암실(D)이 구성되는 검사기(B)에 구비하고, 외광이 들어가지 않는 상태에서 발광 테스트를 행하는 것이 바람직하다.In order to perform a more accurate inspection according to the light emission test, as shown in FIGS. It is preferable to equip the inspection machine B and perform a light emission test in a state in which external light does not enter.

암실(D)에서 발광 테스트를 행하는 이유는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 대하여 각 반도체 발광 소자(E)의 발광 주파수 미만의 외광이 입광하면, 각 반도체 발광 소자(E)의 내부 전하에 여기 현상이 일어남으로써, 정확한 발광 상태를 관찰하는 것이 곤란하게 되기 때문이다.The reason why the light emission test is performed in the darkroom D is that when external light with a frequency lower than the emission frequency of each semiconductor light emitting element E is received in a plurality of semiconductor light emitting elements E, the internal charge of each semiconductor light emitting element E This is because the occurrence of the excitation phenomenon makes it difficult to accurately observe the light emission state.

이와 같은 외광에 의한 여기 현상은, 반대로 각 반도체 발광 소자(E)에 있어서의 발광의 광여기 보조에 의한 관찰 방법으로서 이용할 수 있다. 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 주파수 미만의 단파장 광선을 발광하는 광원(도시하지 않음)을 암실(D)에 구비하고, 광원으로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광부(E1)를 향하여 단파장 광선을 미약하게 정량씩 균등하게 조사하는 것이 바람직하다. 이로써, 발광에 필요하게 되는 최저 전압을 낮추는 것이 가능하게 된다. 이 때문에, 구동 전원(4)을 저전압으로 해도 각 반도체 발광 소자(E)의 발광을 관찰할 수 있다. 예를 들면 적색 LED에 대해서는, 단파장이 되는 청색이나 자외광을 미약하게 조사함으로써 실시할 수 있다.Conversely, such an excitation phenomenon by external light can be used as a method of observing light emission from each semiconductor light emitting element E by photoexcitation assistance. A light source (not shown) emitting light with a short wavelength lower than the emission frequency of the plurality of semiconductor light emitting elements E is provided in the dark room D, and the light emitting parts E1 of the plurality of semiconductor light emitting elements E are provided from the light source. It is preferable to uniformly irradiate short-wavelength rays toward each other in small amounts. This makes it possible to lower the minimum voltage required for light emission. For this reason, light emission of each semiconductor light emitting element E can be observed even if the driving power source 4 is set to a low voltage. For example, about a red LED, it can implement by weakly irradiating blue or ultraviolet light used as a short wavelength.

상세히 설명하면, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광을 관찰하는 검사 카메라의 관찰 시야에 대하여, 각 반도체 발광 소자(E)의 발광 주파수 미만의 단파장광으로 이루어지는 조명 장치(도시하지 않음)의 조사 영역을 일치시키는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 단파장 조명 장치를 고정 카메라(51)에 병설시키거나, 이동 카메라(52)에 병설시킨다.More specifically, with respect to the observation field of an inspection camera that observes light emission in a plurality of semiconductor light emitting elements E, a lighting device (not shown) composed of short-wavelength light less than the emission frequency of each semiconductor light emitting element E is provided. It is desirable to match the irradiation area. Specifically, a short-wavelength illumination device is attached to the fixed camera 51 or attached to the moving camera 52.

이와 같은 구성으로, 사전에 단파장 조명 장치의 조사에만 의한 카메라 시야 내의 관찰값의 암시 레벨을 계측해 두고, 검사 시에는, 카메라 관찰값으로부터 암시 레벨을 빼 데이터를 보정한다. 또한, 각 반도체 발광 소자(E)에 대한 외광 조도가 너무 강하면, 포토 루미네선스 효과에 의한 광여기 발광이 발생하게 되므로, 구동 전류에는 의존하지 않는 발광을 발생시키지 않도록 단파장 조명 장치의 조도 레벨을 사전에 조정해 두는 것이 바람직하다.With this configuration, the dark level of observation values within the camera's field of view by only irradiation of the short-wavelength illumination device is measured in advance, and the data is corrected by subtracting the dark night level from the camera observation values at the time of inspection. In addition, if the external light intensity for each semiconductor light emitting element E is too strong, photo-excited light emission occurs due to the photoluminescence effect. Therefore, the illumination level of the short-wavelength lighting device is adjusted so as not to generate light emission that is not dependent on the driving current. It is desirable to adjust in advance.

또, 복수의 반도체 발광 소자(E)로서 RGB칩 LED의 발광 상태의 색조를 판별하는 경우에는, 컬러 카메라에 의하여 발광 상태를 관찰하여, RGB 성분마다의 관찰값으로 하면 된다. 관찰 시에 단파장 조명 장치를 병용하는 경우는, 사전에 단파장 조명 장치의 조사에만 의한 카메라 시야 내의 관찰값에 있어서의 RGB 성분의 색조의 암시 레벨을 계측해 두고, 검사 시에는, 카메라 관찰값으로부터 색조의 암시 레벨을 빼 데이터를 보정하는 것이 바람직하다.In the case of discriminating the color tone of the light emission state of the RGB chip LEDs as the plurality of semiconductor light emitting elements E, the light emission state may be observed with a color camera and observed values for each RGB component may be obtained. When a short wavelength illumination device is used together during observation, the dark level of the color tone of the RGB components in the observation value within the camera field of view by only irradiation of the short wavelength illumination device is measured in advance, and at the time of inspection, the color tone is measured from the camera observation value. It is desirable to correct the data by subtracting the suggestive level of .

제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a) 또는 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽, 혹은 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)의 양쪽 모두에는, 유전층(6)을 제1 전극(1a)의 표면이나 제2 전극(2a)의 표면에 따라 마련하는 것이 바람직하다.On either of the first electrode 1a of the first plate 1 or the second electrode 2a of the second plate 2, or both of the first electrode 1a and the second electrode 2a, It is preferable to provide the dielectric layer 6 along the surface of the first electrode 1a or the surface of the second electrode 2a.

유전층(6)은, 가고정부(3)와 동일하게 고비유전율의 유전 재료로 구성할 수 있다. 유전층(6)의 구체예로서는, 비유전율이 80 정도인 산화 타이타늄 등을 포함하는 투명한 고유전 재료를 이용하는 것이 바람직하다.The dielectric layer 6 can be made of a dielectric material having a high relative permittivity in the same way as the temporary portion 3 . As a specific example of the dielectric layer 6, it is preferable to use a transparent high dielectric material containing titanium oxide having a dielectric constant of about 80 or the like.

제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a)이나 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a)에 대한 유전층(6)의 형성 방법으로서는, 스퍼터 등에 의한 경질인 박막 형성 이외에, 자외선 조사나 가열에 의한 경화성을 갖는 액상의 연질 수지를 기재에 이용함으로써, 미리 미분말 상태의 고비유전 재료가 액 중 분산 배합된 연질 수지를 얇게 도포하여 경화시킨 연질막의 형성 방법이 있다.As a method of forming the dielectric layer 6 for the first electrode 1a of the first plate 1 or the second electrode 2a of the second plate 2, in addition to forming a hard thin film by sputtering or the like, ultraviolet irradiation or There is a method for forming a soft film in which a soft resin in which a high dielectric material in a fine powder state is dispersed and blended in a liquid is thinly coated and cured by using a liquid soft resin curable by heating as a base material.

특히 유전층(6)이 되는 연질막을 경화 후에도 유연성을 갖는 실리콘 수지 등으로 형성했을 경우에는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서의 표면 형상 또는 이면 형상이나 가고정부(3)의 요철이나 왜곡에 대한 변위 흡수성을 기대할 수 있다. 이로써, 유연성이 부족한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 표면 또는 이면이나 가고정부(3)에 대해서도 면접촉성이 향상되고, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 발생하는 정전 용량을 보다 안정화시킬 수 있다.In particular, when the soft film to be the dielectric layer 6 is formed of a silicone resin or the like that has flexibility even after curing, the shape of the surface or the back surface of the plurality of semiconductor light emitting elements E, or the unevenness or distortion of the temporary portion 3 displacement absorption can be expected. As a result, the surface contact property is improved also for the surface or back surface or the temporary portion 3 of the plurality of semiconductor light emitting elements E lacking flexibility, and the static electricity generated between the first electrode 1a and the second electrode 2a capacity can be further stabilized.

제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)에는, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2) 중 어느 한쪽, 혹은 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두를 상대적으로 이동시키는 구동부(7)를 마련하는 것이 바람직하다. 구동부(7)의 작동에 의하여, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이(검사 공간(S))에 대하여, 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을 취출 가능하게 협지하는 것이 가능하게 된다.Either the first plate 1 or the second plate 2, or both the first plate 1 and the second plate 2 is applied to the first plate 1 or the second plate 2. It is preferable to provide a driving unit 7 for relatively moving. By the operation of the drive unit 7, a temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and It becomes possible to clamp the temporary part 3 so that it can be taken out.

구동부(7)는, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2) 중 어느 한쪽 혹은 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두와 연계하고, 승강이나 슬라이드 또는 반전 등에 의하여 왕복이동시키는 액추에이터 등으로 구성되며, 후술하는 제어부(8)에 의하여 작동 제어되고 있다.The driving unit 7 is linked with either one of the first plate 1 or the second plate 2 or both of the first plate 1 and the second plate 2, and moves up and down, slides, or inverts. It is composed of an actuator that reciprocates, and is operated and controlled by a controller 8 to be described later.

구동부(7)에 의한 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)의 상대적인 이동 방향으로서는, 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 대향 방향(Z 방향)뿐만 아니라, 필요에 따라서 대향 방향(Z 방향)과 교차하는 방향(XY 방향)도 포함된다.As the relative moving direction of the first plate 1 and the second plate 2 by the drive unit 7, not only the opposite direction (Z direction) of the first plate 1 and the second plate 2, but also Therefore, the opposite direction (Z direction) and the intersecting direction (XY direction) are also included.

즉, 구동부(7)로서는, 적어도 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)를 Z 방향으로 상대적으로 이동시키는 승강용 구동부(71)나, 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2)를 XY 방향으로 상대적으로 이동시키는 수평 이동용 구동부(72)가 있다.That is, as the driving part 7, at least the lifting driving part 71 which relatively moves the 1st plate 1 and the 2nd plate 2 in the Z direction, the 1st plate 1, and the 2nd plate 2 ) has a horizontal movement driving unit 72 that relatively moves in the XY direction.

후술하는 제어부(8)에 의한 승강용 구동부(71)의 제어예로서는, 도 1의 (a) 등에 2점 쇄선으로 나타나는 가고정 칩군(F)의 반입 시와 반출 시에는, 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)를 Z 방향으로 상대적으로 이격 이동시킨다.As an example of the control of the lifting drive unit 71 by the control unit 8 described below, the first plate 1 and the second plate 2 are moved relatively apart in the Z direction.

그 이외의 도 1의 (a) 등에 실선으로 나타나는 세트 시에는, 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)를 Z 방향으로 상대적으로 접근 이동시킨다. 이 접근 이동에 의하여, 제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a)과 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a)의 사이(검사 공간(S))에, 가고정 칩군(F)이 Z 방향으로 협지되어 통전 가능해진다. 도시예에서는, 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)이 유전층(6)을 통하여, 직접적으로 접촉하여 통전 가능해지도록 가압하고 있다. 또 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 유전층(6)을 통하지 않고 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)이 가고정 칩군(F)에 대하여 직접적으로 접촉하여 통전 가능하게 하는 것이나, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽을 가고정 칩군(F)과의 사이에 소정 간격이 생기도록 접근시켜 통전 가능하게 변경하는 것도 가능하다.In the case of setting other than that indicated by a solid line in FIG. 1(a) or the like, the first plate 1 and the second plate 2 are relatively moved in the Z direction. By this approach movement, between the first electrode 1a of the first plate 1 and the second electrode 2a of the second plate 2 (inspection space S), a group of temporarily fixed chips F is formed. It is clamped in this Z direction and becomes energized. In the illustrated example, the first electrode 1a and the second electrode 2a are pressurized so as to be directly contacted via the dielectric layer 6 so as to be energized. As another example, although not shown, the first electrode 1a and the second electrode 2a directly contact the temporarily fixed chip group F without passing through the dielectric layer 6 to enable conduction, and the first It is also possible to change so that either one of the electrode 1a or the second electrode 2a can be energized by approaching it so that a predetermined gap is formed between it and the temporarily fixed chip group F.

가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)), 광학 기계(5), 유전층(6) 및 구동부(7)의 구체예를 도 1~도 5에 나타내고, 이들의 등가 회로를 도 6에 나타낸다.Specific examples of the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and the temporary part 3), the optical machine 5, the dielectric layer 6 and the driving part 7 are shown in FIGS. 1 to 5, These equivalent circuits are shown in FIG. 6 .

도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), (c), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 예는, 제1 전극(1a)의 측에 가고정부(3)가 형성되고, 제1 전극(1a)에 대하여 가고정부(3)에 의하여 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 재치하여 가고정하고 있다.1 (a), (b), 2 (a), (b), (c), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and 5 In the example shown in (a) and (b), the temporary portion 3 is formed on the side of the first electrode 1a, and a plurality of semiconductor light is emitted by the temporary portion 3 with respect to the first electrode 1a. The element E is detachably mounted and temporarily fixed.

도 1의 (a), (b), 도 2의 (b), (c), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우는, 가고정부(3)에 있어서 가고정 부위(3a)를 포함하는 표면 전체가 평활면으로 형성된다.1 (a), (b), 2 (b), (c), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and 5 (a) , In the case of (b), the entire surface including the temporarily fixed part 3a in the temporarily fixed part 3 is formed as a smooth surface.

이에 대하여 도 2의 (a)의 경우는, 가고정부(3)에 있어서 가고정 부위(3a)를 갖는 표면 형상이, 가고정 부위(3a)만을 부분적으로 돌출시킨 요철상으로 형성되는 점에서 상이하다. 도시예의 경우에는, 복수의 가고정 부위(3a)의 간격(X 방향의 피치)이, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격(X 방향의 피치)의 2배로 설정되고, 복수의 반도체 발광 소자(E) 중에서, 소정의 열(X 방향으로 1열씩 건너뜀)로 배치된 반도체 발광 소자(E)에 대해서만, 복수의 가고정 부위(3a)를 당접하여 착탈 가능하게 유지한다.On the other hand, in the case of FIG. 2 (a), the surface shape having the temporarily fixing part 3a in the temporarily fixing part 3 is different in that only the temporarily fixing part 3a is formed in a concave-convex shape that partially protrudes. do. In the case of the illustrated example, the spacing (pitch in the X direction) of the plurality of temporarily fixing sites 3a is set to twice the spacing (pitch in the X direction) of the plurality of separately arranged semiconductor light emitting elements E, and Among the semiconductor light emitting elements E of , only for the semiconductor light emitting elements E arranged in a predetermined row (skip one row in the X direction), a plurality of temporarily fixing sites 3a are brought into contact with each other and held detachably.

또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 제2 전극(2a)의 측에 가고정부(3)가 형성되고, 제2 전극(2a)에 대하여 가고정부(3)에 의하여 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 매달아 지지하여 가고정하는 것이나, 복수의 가고정 부위(3a)의 간격을 도시예 이외로 설정 변경하는 것도 가능하다.In addition, although not shown as another example, the temporary portion 3 is formed on the side of the second electrode 2a, and a plurality of semiconductor light emitting elements E are provided by the temporary portion 3 with respect to the second electrode 2a. ) can be detachably suspended and temporarily fixed, and it is also possible to change the settings of the intervals of the plurality of temporarily fixed sites 3a other than the illustrated examples.

도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 예에서는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)가 하향이 되도록 배치되고, 투명하게 형성된 제1 전극(1a)이나 제1 플레이트(1) 등을 투과하여, 발광부(E1)의 발광 상태가 광학 기계(5)에 의하여 제1 플레이트(1) 측에서 관찰되도록 구성하고 있다.1 (a), (b), 2 (a), (b), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and 5 (a) , In the example shown in (b), in the plurality of semiconductor light emitting elements E, the light emitting portions E1 are arranged so as to face downward and transmit through the first electrode 1a, the first plate 1, etc. formed transparently. Thus, the light emitting state of the light emitting part E1 is configured to be observed from the first plate 1 side by the optical machine 5 .

특히 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), (c), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 예는, 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)가 배치되는 표면 측에 대하여, 가고정부(3)(발광 측 가고정부(31))의 가고정 부위(3a)를 직접적으로 접촉시키는 점에서 상이하다.1 (a), (b), 2 (a), (b), (c), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and FIG. Examples shown in 5 (a) and (b) are Fig. 1 (a) and (b), Fig. 2 (a) and (b), Fig. 3 (a) and (b), Fig. 4 In the case of (a), (b) and FIG. 5 (a), (b), in the plurality of semiconductor light emitting elements E, with respect to the surface side where the light emitting part E1 is arranged, the temporary part 3 It is different in that the temporary fixing part 3a of (the light emitting side temporary fixing part 31) is brought into direct contact.

도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), (c), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 예에서는, 제2 전극(2a)의 표면을 따라 유전층(6)이 형성되도록 구성하고 있다.1 (a), (b), 2 (a), (b), (c), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and 5 In the examples shown in (a) and (b), the dielectric layer 6 is formed along the surface of the second electrode 2a.

도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우는, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 이면 측에 대하여 유전층(6)을 통전 가능하게 접촉 또는 접근시키는 점에서 상이하다.1 (a), (b), 2 (a), 3 (a), (b), 4 (a), (b) and 5 (a), (b) The case of is different in that the dielectric layer 6 is brought into contact with or brought close to the rear side of the plurality of semiconductor light emitting elements E in a energized manner.

도 2의 (b)의 경우는, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 이면 측에 대하여, 가고정부(3)와 동일한 절연 재료로 이루어지는 필름상 또는 시트상의 절연막체(3´)가 맞닿고, 점착이나 접착 등에 의하여 착탈 가능하게 가고정되는 점에서 상이하다. 즉, 도 2의 (b)에 나타나는 복수의 반도체 발광 소자(E)는, 표면 측 및 이면 측의 양쪽 모두가 가고정부(3)와 절연막체(3´)로 협지되어 착탈 가능하게 유지되고 있다.In the case of FIG. 2(b), a film or sheet-shaped insulating film body 3' made of the same insulating material as the temporary portion 3 is in contact with the rear surface of the plurality of semiconductor light emitting elements E, It is different in that it is detachably temporarily fixed by adhesion or adhesion. That is, in the plurality of semiconductor light emitting elements E shown in FIG. 2(b), both the front side and the back side are held by the temporary portion 3 and the insulating film body 3' so as to be detachable. .

또한 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b) 및 도 3의 (a), (b)에 나타나는 예에서는, 구동부(7)의 승강용 구동부(71)에 의하여 제2 플레이트(2)가 제1 플레이트(1)를 향하여 Z 방향으로 이동 제어되도록 구성하고 있다.In addition, in the example shown in (a), (b) of FIG. 2, (a), (b) of FIG. 3, and (a), (b) of FIG. The movement of the second plate 2 in the Z direction toward the first plate 1 is controlled by the second plate 2 .

이와 반대로 도 2의 (c), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 예는, 구동부(7)의 승강용 구동부(71)에 의하여 제1 플레이트(1)가 제2 플레이트(2)를 향하여 Z 방향으로 이동 제어되는 점에서 상이하다.Contrary to this, the example shown in FIGS. 2(c), 4(a), (b) and FIG. 5(a), (b) is driven by the lifting drive unit 71 of the drive unit 7. It differs in that the movement of the plate 1 in the Z direction toward the second plate 2 is controlled.

도 2의 (c)의 경우는, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서 발광부(E1)가 상향이 되도록 배치되고, 투명한 유전층(6)이나 제2 전극(2a)이나 제2 플레이트(2)를 투과하여, 발광부(E1)의 발광 상태가 광학 기계(5)에 의하여 제2 플레이트(2) 측에서 관찰되는 점에 있어서, 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우와 상이하다.In the case of FIG. 2(c) , in the plurality of semiconductor light emitting elements E, the light emitting portions E1 are arranged so as to face upward, and the transparent dielectric layer 6, the second electrode 2a, or the second plate 2 ), and the light emitting state of the light emitting part E1 is observed from the second plate 2 side by the optical machine 5, (a), (b) of FIG. It is different from the case of a), (b), FIG. 3 (a), (b), FIG. 4 (a), (b), and FIG. 5 (a), (b).

또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b) 및 도 3의 (a), (b)에 나타난 예에 있어서, 구동부(7)의 승강용 구동부(71)에서 제1 플레이트(1)를 제2 플레이트(2)를 향하여 Z 방향으로 이동 제어시키는 것이나, 도 1의 (a), (b), 도 2의 (a), (b), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타난 예에 있어서, 발광부(E1)의 발광 상태를 광학 기계(5)로 제2 플레이트(2) 측에서 관찰시키는 등의 변경이 가능하다.Although not shown as other examples, in the examples shown in FIGS. 1 (a) and (b), 2 (a) and (b) and FIG. 3 (a) and (b), the drive unit ( Controlling the movement of the first plate 1 in the Z direction toward the second plate 2 in the lifting drive unit 71 of 7), FIG. 1 (a), (b), FIG. 2 (a) , (b), in the examples shown in (a) and (b) of FIG. 3, (a) and (b) of FIG. 4 and (a) and (b) of FIG. 5, the light emitting unit E1 emits light. A change such as observing the state from the side of the second plate 2 with the optical machine 5 is possible.

이에 더하여 도 3의 (a), (b)~도 5의 (a), (b)에 나타나는 예에서는, 제1 플레이트(1)에 대하여 제2 플레이트(2)를 구동부(7)의 수평 이동용 구동부(72)에서 XY 방향으로 이동시키도록 구성하고 있다.In addition to this, in the examples shown in FIGS. 3 (a) and (b) to FIG. 5 (a) and (b), the second plate 2 is used for horizontal movement of the drive unit 7 relative to the first plate 1. It is comprised so that it may move in XY direction by the drive part 72.

도 3의 (a), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우는, 제1 플레이트(1)의 면적보다 제2 플레이트(2)의 면적이 작게 형성되는 점에서 상이하고, 도 3의 (b)의 경우는, XY 방향으로 병설된 복수의 제1 플레이트(1)에 대하여, 하나의 제2 플레이트(2)를 XY 방향으로 차례차례 이동시키는 점에서 상이하다.3 (a), 4 (a), (b) and 5 (a), (b), the area of the second plate 2 is greater than the area of the first plate 1 It is different in that it is formed small, and in the case of FIG. 3 (b), one second plate 2 is sequentially moved in the XY direction with respect to a plurality of first plates 1 juxtaposed in the XY direction differ in that

특히 도 3의 (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)의 경우는, 제1 플레이트(1)의 주위에 팔레트 등으로 이루어지는 지지 부재(11)가 마련되고, 지지 부재(11)에 대하여 제1 플레이트(1)를 착탈 가능하게 지지하고 있다. 도시예에서는, 제1 플레이트(1)의 지지 부재(11)에 마련된 지지 척(11a)에 의하여, 제1 플레이트(1) 및 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을, 지지 부재(11)에 대하여 이동 불능이고 또한 착탈 가능하게 지지하고 있다.In particular, in the case of FIGS. 3(b), 4(a), (b) and 5(a), (b), a support member 11 made of a pallet or the like around the first plate 1 ) is provided, and supports the first plate 1 with respect to the support member 11 so as to be attachable or detachable. In the illustrated example, the first plate 1 and the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E) are connected by the supporting chuck 11a provided on the supporting member 11 of the first plate 1. The top part 3 is immovably and detachably supported with respect to the supporting member 11 .

지지 척(11a)에 의한 지지에서 도 4의 (a)에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 형성되는 검사 공간(S)에 대하여, 제1 플레이트(1)와, 함께 가고정 칩군(F)이 전사 위치(P1)로부터 검사 공간(S)으로 반송(반입) 가능해진다. 또한 지지 척(11a)에 의한 지지 해제로, 제1 플레이트(1)와, 함께 가고정 칩군(F)이 검사 공간(S)으로부터 실장 위치(P2)로 반송(반출) 가능해진다. 이로써, 도 4의 (b)에 나타나는 바와 같이, 전사 위치(P1)에서는 가고정부(3)에 대한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 가고정 작업이 용이하게 실시 가능하게 됨과 동시에, 실장 위치(P2)에서는, 가고정부(3)로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)의 취출 작업이 용이하게 실시 가능하게 된다.As shown in (a) of FIG. 4 in the support by the support chuck 11a, with respect to the inspection space S formed between the first electrode 1a and the second electrode 2a, the first plate ( Together with 1), the temporarily fixed chip group F can be conveyed (carried in) from the transfer position P1 to the inspection space S. Further, by release of the support by the holding chuck 11a, the temporarily fixed chip group F together with the first plate 1 can be conveyed (carried out) from the inspection space S to the mounting position P2. As a result, as shown in (b) of FIG. 4, at the transfer position P1, the temporary fixing operation of the plurality of semiconductor light emitting elements E to the temporary portion 3 can be easily performed, and at the same time, the mounting position ( In P2), the extraction operation of the plurality of semiconductor light emitting elements E from the temporary portion 3 can be easily performed.

즉, 가고정부(3)는, 검사 장치(A) 내의 검사 공간(S)에 있어서의 검사 스테이지로서 기능하는 것 이외에, 검사 전(후술하는 가고정 공정이나 반입 공정이나 세팅 공정)에서는, 전사 위치(P1)로부터 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을 검사 공간(S)으로 이동하기 위한 소자 반송용 지그로서 기능한다. 검사 후(후술하는 반출 공정이나 실장 공정)에서는, 검사 공간(S)으로부터 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을 실장 위치(P2)로 이동하기 위한 소자 반송용 지그로서 기능한다.That is, in addition to functioning as an inspection stage in the inspection space S in the inspection device A, the temporary fixing unit 3 performs a transfer position before the inspection (temporary fixing process, carrying process, or setting process described later). It functions as an element carrying jig for moving the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and the temporary part 3) from P1 to the inspection space S. After inspection (carrying out process or mounting process described later), moving the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and temporary part 3) from the inspection space S to the mounting position P2 It functions as a jig for conveying elements for

또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 도 1의 (a), 도 2의 (a), (b), (c) 및 도 3의 (a)에 나타난 예에 있어서, 제1 플레이트(1)에 대하여 유지 척(H)의 해제 조작으로 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을 제거하고, 복수의 반도체 발광 소자(E) 및 가고정부(3)만을 반송(반입 및 반출) 가능하게 변경하는 것도 가능하다. 또한 도 1의 (a), 도 2의 (a), (b), (c) 및 도 3의 (a)에 나타난 예에 있어서, 가고정 칩군(F)이 재치된 제1 플레이트(1)를 반송 가능한 구조로 변경하는 것이나, 가고정 칩군(F)이 매달아 지지된 제2 플레이트(2)를 반송 가능한 구조로 변경하는 것도 가능하다.In addition, although not shown as other examples, in the examples shown in Fig. 1 (a), Fig. 2 (a), (b), (c) and Fig. 3 (a), the first plate 1 , the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and a temporary part 3) is removed by the release operation of the holding chuck H, and the plurality of semiconductor light emitting elements E and the temporary part 3 ) is also possible. In addition, in the example shown in FIG. 1 (a), FIG. 2 (a), (b), (c) and FIG. 3 (a), the first plate 1 on which the temporarily fixed chip group F is placed It is also possible to change to a structure capable of transporting, or to a structure capable of transporting the second plate 2 on which the group of temporarily fixed chips F is suspended and supported.

도 5의 (a), (b)에 나타나는 예는, 검사기(B)가 검사 시에 구성하는 암실(D)에 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)나 광학 기계(5)가 수납 배치되고, 암실(D)에 있어서 제1 플레이트(1)의 지지 부재(11)를 제2 플레이트(2)를 향하여 Z 방향으로 승강시키는 승강용 구동부(71)와, 암실(D)에 있어서 제1 플레이트(1)의 지지 부재(11)에 대하여 제2 플레이트(2)를 XY 방향으로 이동시키는 수평 이동용 구동부(72)를 구비하고 있다.In the examples shown in FIG. 5 (a) and (b), the first plate 1 and the second plate 2 and the optical machine 5 are installed in the dark room D configured by the inspection machine B during inspection. An elevation driving unit 71 which is housed and arranged and lifts the support member 11 of the first plate 1 in the Z direction toward the second plate 2 in the dark room D, and in the dark room D With respect to the support member 11 of the 1st plate 1, the 2nd plate 2 is provided with the drive part 72 for horizontal movement which moves in XY direction.

암실(D)은, 검사기(B)의 내부에 외광으로부터 차광하여 검사 시에 형성되고, 암실(D)에 마련되는 승강용 구동부(71)로서는, 슬라이더나 직동 가이드 등의 액추에이터가 이용된다.The darkroom D is formed inside the inspection machine B to block light from outside during inspection, and as the lifting drive unit 71 provided in the darkroom D, an actuator such as a slider or a linear guide is used.

암실(D)에 마련되는 수평 이동용 구동부(72)로서는, XY 스테이지 등의 액추에이터가 이용된다.As the driving part 72 for horizontal movement provided in the darkroom D, actuators, such as an XY stage, are used.

암실(D)에 배치되는 광학 기계(5)가 고정 카메라(51)인 경우에는, 제1 플레이트(1)의 중심축의 연장선 상이고 또한 광학 초점 위치에 고정 배치된다. 이동 카메라(52)의 경우에는, 제2 플레이트(2)의 중심축의 연장선 상이고 또한 광학 초점 위치에 배치되며, 수평 이동용 구동부(72)에 의한 제2 플레이트(2)의 XY 방향에 대한 이동과 동기하여 이동시키도록 지지된다.In the case where the optical machine 5 disposed in the darkroom D is a fixed camera 51, it is disposed on an extension line of the central axis of the first plate 1 and is fixedly arranged at an optical focus position. In the case of the moving camera 52, it is on the extension of the central axis of the second plate 2 and is disposed at the optical focus position, and is synchronized with the movement of the second plate 2 in the XY direction by the drive unit 72 for horizontal movement supported to move it.

또, 그 외의 예로서 도시하지 않지만, 검사 대상이 되는 복수의 반도체 발광 소자(E)가 LED인 경우는, LED의 발광 주파수로부터 단파장의 발광을 행하는 광원을 구비하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 암실(D)에 있어서의 이동 카메라(52)의 움직임에 추종하여 광원을 이동시키거나 하여, 검사 공간(S)의 검사 대상 에어리어를 저조도로 균일하게 조사하면서 검사를 행하는 것이 바람직하다.In addition, although not shown as another example, when a plurality of semiconductor light emitting elements E to be inspected are LEDs, it is also possible to provide a light source that emits light of a short wavelength from the emission frequency of the LEDs. In this case, it is preferable to perform the inspection while uniformly irradiating the area to be inspected in the inspection space S with low illumination by, for example, moving the light source following the motion of the mobile camera 52 in the darkroom D. .

도 6의 (a)에 나타나는 등가 회로는, 도 1, 도 2의 (a), (c), 도 3의 (a), (b), 도 4의 (a), (b) 및 도 5의 (a), (b)에 나타난 예에 해당하고, 복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)로 이루어지는 커패시터를 직렬 접속한 개개로 분리되는 복수의 발광 회로부(L)에 대하여, 구동 전원(교류 전압원)(4)의 교류 전압이 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터 유전층(6)을 통하여 부여된다. 교류 전압의 인가에 의하여 복수의 발광 회로부(L)에 변위 전류가 흐른다. 또 도 2의 (b)에 나타난 예에 해당하는 등가 회로는, 도 6의 (a)와 유사한 등가 회로가 되기 때문에 생략한다.The equivalent circuit shown in Fig. 6 (a) is shown in Figs. 1, 2 (a) and (c), Fig. 3 (a) and (b), Fig. 4 (a) and (b) and Fig. 5 Corresponding to the examples shown in (a) and (b) of, a plurality of individually separated light emitting circuit parts L obtained by serially connecting a plurality of semiconductor light emitting elements E and capacitors composed of the temporary part 3, An AC voltage of a drive power source (AC voltage source) 4 is applied from the first electrode 1a and the second electrode 2a through the dielectric layer 6 . Displacement current flows through the plurality of light emitting circuit units (L) by the application of the AC voltage. Note that the equivalent circuit corresponding to the example shown in Fig. 2(b) is omitted because it becomes an equivalent circuit similar to Fig. 6(a).

복수의 발광 회로부(L) 내를 흐르는 변위 전류는, 복수의 반도체 발광 소자(반도체 다이오드)(E)가 갖는 정류 작용에 의하여 순방향으로 흐른다. 상세하게 설명하면, 구동 전원(4)으로부터 복수의 발광 회로부(L)에 인가한 교류 전압이, 복수의 반도체 발광 소자(E)에서 반파 정류된다.The displacement current flowing through the plurality of light emitting circuit sections L flows in the forward direction due to the rectifying action of the plurality of semiconductor light emitting elements (semiconductor diodes) E. More specifically, the alternating voltage applied from the driving power source 4 to the plurality of light emitting circuit parts L is half-wave rectified in the plurality of semiconductor light emitting elements E.

이 때문에, 복수의 반도체 발광 소자(E)에 순방향의 전류가 흐를 때에만, 복수의 반도체 발광 소자(E)가 발광한다. 이 발광 상태를 광학 기계(5)로 관찰함으로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태에 근거하여 불량 여부의 선별이 가능해진다.For this reason, the plurality of semiconductor light emitting elements E emit light only when forward current flows through the plurality of semiconductor light emitting elements E. By observing this light emitting state with the optical machine 5, it is possible to determine whether or not a defect is present based on the light emitting states of the plurality of semiconductor light emitting elements E.

도 6의 (a)의 경우는, 회로 중에 반도체 다이오드 보호용의 전류 제한 저항기(RL)가 직렬 접속되어 직렬 RC 회로를 구성하고 있다. 즉 역방향 내전압 범위 내의 교류 전압만이 복수의 반도체 발광 소자(E)에 부여된다. 이로써, 전류 제한 저항기(RL)에서 복수의 반도체 발광 소자(E)로 과대 전류가 흐르는 것을 제한하여 파괴가 방지된다.In the case of Fig. 6(a), a current limiting resistor (R L ) for semiconductor diode protection is connected in series in the circuit to form a series RC circuit. That is, only the AC voltage within the reverse withstand voltage range is applied to the plurality of semiconductor light emitting devices E. Accordingly, the flow of excessive current from the current limiting resistor R L to the plurality of semiconductor light emitting elements E is restricted, and destruction is prevented.

이때, 반도체 발광 소자(E)의 발광에서 필요한 전류의 확보에는, 직렬 RC 회로의 임피던스의 대소가 중요하게 된다. 복수의 발광 회로부(L)의 임피던스는, 정전 용량이나 주파수에 의하여 변화한다. 이상적인 커패시터의 임피던스(Z)는, 주파수를 ω, 정전 용량을 C로 하면, 하기의 식으로 표현된다.At this time, the magnitude of the impedance of the series RC circuit becomes important to secure the current required for light emission of the semiconductor light emitting element E. Impedance of the plurality of light emitting circuit parts L changes depending on capacitance or frequency. The impedance (Z) of an ideal capacitor is expressed by the following equation when the frequency is ω and the capacitance is C.

Z=1/jωCZ=1/jωC

즉, 임피던스(Z)와 주파수(ω)나 정전 용량(C)은, 반비례의 관계에 있기 때문에, 정전 용량(C)이 커지면 임피던스(Z)가 낮아지고, 주파수(ω)가 높아지면 임피던스(Z)가 낮아진다. 그러나, 반도체 발광 소자(E)의 발광에 있어서의 주파수(ω)의 응답 범위는, 한계가 있으므로 그다지 높게 할 수 없다. 임피던스(Z)가 높으면 구동에 고전압을 필요로 하지만, 고전압에 의한 발광 테스트는, 반도체 발광 소자(E)에 대미지의 리스크가 있기 때문에, 저전압이 유지 가능한 정전 용량(C)을 크게 취하는 것이 바람직하다.That is, since the impedance Z and the frequency ω and capacitance C have an inversely proportional relationship, when the capacitance C increases, the impedance Z decreases, and when the frequency ω increases, the impedance ( Z) is lowered. However, since the response range of the frequency ω in light emission of the semiconductor light emitting element E is limited, it cannot be made very high. If the impedance Z is high, a high voltage is required for driving. However, since there is a risk of damage to the semiconductor light emitting element E in the light emission test using the high voltage, it is preferable to set a large capacitance C capable of maintaining a low voltage. .

정전 용량(C)을 높이려면, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 투영 면적(전극 면적)을 크게 취하는 것도 유효하지만, 전극 면적은 발광 테스트하는 반도체 발광 소자(E)의 수에 의존하기 때문에 한정적이다.In order to increase the capacitance (C), it is effective to make the projected area (electrode area) between the first electrode 1a and the second electrode 2a large (electrode area). is finite because it depends on the number of

따라서, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 유전율을 높이기 위하여, 고비유전율의 유전 재료로 이루어지는 유전층(6)을 추가하고 있다.Therefore, in order to increase the dielectric constant between the first electrode 1a and the second electrode 2a, a dielectric layer 6 made of a dielectric material having a high relative dielectric constant is added.

도 6의 (b)에 나타나는 등가 회로는, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 테스트에 있어서 파괴를 피하기 위하여 가능한 한 저전압으로 발광시키는 것을 목적으로 한 회로이다.The equivalent circuit shown in FIG. 6(b) is a circuit aimed at emitting light at as low a voltage as possible in order to avoid destruction in a light emitting test of a plurality of semiconductor light emitting elements E.

구동 전원(교류 전압원)(4)으로부터 복수의 발광 회로부(L)에 부여할 수 있는 순방향의 반파 전류는, 도 6의 (a)의 경우와 동일하지만, 구동 전원(4)에 있어서 역방향의 전압(-E2)을 제한한다. 구동 전원(4)으로부터의 역내전압(逆耐電壓)(-E2)으로서 하한이 제한된 전압 파형을 복수의 반도체 발광 소자(E)에 부여함으로써, 저전압의 발광 테스트가 가능하게 된다.The forward half-wave current that can be applied from the driving power supply (AC voltage source) 4 to the plurality of light emitting circuit parts L is the same as in the case of FIG. (-E 2 ). By applying a voltage waveform with a limited lower limit as a reverse withstand voltage (-E 2 ) from the driving power source 4 to the plurality of semiconductor light emitting elements E, a low-voltage light emission test is possible.

도 6의 (a), (b)에 나타나는 등가 회로에 있어서, 부호 C1은 절연성의 가고정부(3)에 의한 정전 용량, 부호 C2는 각 반도체 발광 소자(E)에 의한 정전 용량, 부호 C3은 유전층(6)에 의한 정전 용량, 부호 C4는 분리한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 사이에 배치된 간극(공기 층)에 의한 정전 용량이다.In the equivalent circuits shown in (a) and (b) of FIG. 6 , symbol C 1 is the capacitance of the insulating temporary portion 3, symbol C 2 is the capacitance of each semiconductor light emitting element E, and C 3 is the capacitance due to the dielectric layer 6, and symbol C 4 is the capacitance due to the gap (air layer) disposed between the separated plurality of semiconductor light emitting elements E.

또한, 도 6의 (a), (b)의 경우에는, 구동 전원(교류 전압원)(4)으로서 정현 파형만을 기재하고 있다. 교류 파형이면 도시하지 않지만 정현 파형 대신에 직사각형파나 삼각파나 사다리꼴파 등이어도 된다.In addition, in the case of FIG. 6 (a) and (b), only a sinusoidal waveform is described as the drive power supply (AC voltage source) 4. As long as it is an AC waveform, it is not shown, but instead of a sine wave, a rectangular wave, a triangular wave, a trapezoidal wave, or the like may be used.

또, 반도체 발광 소자(E)의 제전(除電)의 용이함과 제전 관리를 위해서는, 구동 전원(4)의 전압(-E2)을 제로 전위로 설정하면, 교류 전압원 대신에 직류 전압원을 이용하는 것도 가능하다.In addition, for ease of static elimination and static elimination management of the semiconductor light emitting element E, if the voltage (-E 2 ) of the drive power source 4 is set to zero potential, a DC voltage source can be used instead of an AC voltage source. do.

제어부(8)는, 구동 전원(4)이나 구동부(7)뿐만 아니라, 가고정 칩군(F)의 반입 기구(도시하지 않음)나 반출 기구(도시하지 않음) 등에도 전기적으로 접속하는 컨트롤러이다.The control unit 8 is a controller that is electrically connected not only to the drive power supply 4 and the drive unit 7, but also to a loading mechanism (not shown) and an unloading mechanism (not shown) of the temporarily fixed chip group F.

제어부(8)가 되는 컨트롤러는, 그 제어 회로(도시하지 않음)에 미리 설정된 프로그램에 따라, 미리 설정된 타이밍에 차례차례 각각 작동 제어하고 있다.The controller serving as the control unit 8 sequentially performs operation control at preset timings according to a program preset in the control circuit (not shown).

그리고, 제어부(8)의 제어 회로에 설정된 프로그램을, 검사 장치(A)에 의한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 광학적인 검사 방법으로서 설명한다.A program set in the control circuit of the controller 8 will be described as an optical inspection method for a plurality of semiconductor light emitting elements E by the inspection device A.

본 발명의 실시형태에 관한 검사 방법은, 가고정부(3)에 대하여 복수의 반도체 발광 소자(E)를 각각이 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 가고정 공정과, 제1 플레이트(1)의 제1 전극(1a)과 제2 플레이트(2)의 제2 전극(2a)의 사이에 복수의 반도체 발광 소자(E) 및 가고정부(3)를 협지하도록 배치하는 세팅 공정과, 구동 전원(4)으로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)에 전압을 부여하는 공급 공정과, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태를 제1 플레이트(1)나 제2 플레이트(2) 중 어느 한쪽의 측에서 광학 기계(5)로 관찰하는 관찰 공정을 주요한 공정으로서 포함하고 있다.An inspection method according to an embodiment of the present invention includes a temporarily fixing step of temporarily fixing a plurality of semiconductor light emitting elements E to a temporary portion 3 in a state in which each is separated and arranged in a detachable state, and a first plate 1 A setting step of arranging a plurality of semiconductor light emitting elements E and a temporary portion 3 so as to be sandwiched between the first electrode 1a of the second plate 2 and the second electrode 2a of the second plate 2; and a drive power supply ( A supply step of applying a voltage to the plurality of semiconductor light emitting elements E from 4), and the light emitting state of the plurality of semiconductor light emitting elements E is measured on either side of the first plate 1 or the second plate 2 The observation process observed by the optical machine 5 is included as a main process.

또한, 세팅 공정 전에 전사 위치(P1)로부터 가고정 칩군(F)(복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3))을 검사 공간(S)에 반입하는 반입 공정과, 관찰 공정 후에 검사 종료가 완료된 가고정 칩군(F)을 실장 위치(P2)를 향하여 반출하는 반출 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 또 관찰 공정 후 또는 반출 공정 후에는, 검사 종료가 완료된 가고정 칩군(F)으로부터 대상이 되는 복수의 반도체 발광 소자(E)를 가고정부(3)로부터 제거하고 프린트 기판 등에 대하여 기판 실장하는 실장 공정이 포함된다.In addition, a carrying-in step of carrying the temporarily fixed chip group F (a plurality of semiconductor light emitting elements E and temporary part 3) into the inspection space S from the transfer position P1 before the setting step, and an inspection after the observation step. It is preferable to include a carrying out step of carrying out the temporarily fixed chip group F, which has been completed, toward the mounting position P2. In addition, after the observation process or the carrying out process, a mounting process of removing a plurality of target semiconductor light emitting elements E from the temporary fixed chip group F for which the inspection has been completed from the temporary portion 3 and mounting them on a printed circuit board or the like. This is included.

가고정 공정에서는, 전사 위치(P1)에 있어서 개개로 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)를, 가고정부(3)의 표면이 되는 가고정 부위(3a)에 맞닿게 하고, 가고정 부위(3a)에 의한 점착이나 접착 등으로 가고정함으로써, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)가 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 유지된다.In the temporary fixation step, a plurality of semiconductor light emitting elements E individually separated and arranged at the transfer position P1 are brought into contact with the temporarily fixed portion 3a serving as the surface of the temporary portion 3, and the temporarily fixed portion By temporarily fixing by adhesion or adhesion by means of (3a), the separated and arranged plurality of semiconductor light emitting elements E are detachably maintained in a separated and arranged state.

세팅 공정에서는, 가고정부(3)에 의하여 전사 위치(P1)로부터 반입된 가고정 칩군(F)을 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 검사 공간(S)에 협지하여 전기적으로 접속시킨다. 이로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부(L)가 형성된다.In the setting process, the temporarily fixed chip group F carried in from the transfer position P1 by the temporary fixing unit 3 is sandwiched in the inspection space S between the first electrode 1a and the second electrode 2a. electrically connected. As a result, a plurality of individually separated light emitting circuit parts (L) in which capacitors composed of a plurality of semiconductor light emitting elements (E) and the temporary portion (3) are connected in series are formed.

공급 공정에서는, 구동 전원(4)의 전압을 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)에 공급함으로써, 복수의 발광 회로부(L)에 교류 전압이 인가된다.In the supply step, an alternating voltage is applied to the plurality of light emitting circuit parts L by supplying the voltage of the drive power supply 4 to the plurality of semiconductor light emitting elements E from the first electrode 1a and the second electrode 2a. do.

관찰 공정에서는, 복수의 발광 회로부(L)에 교류 전압의 인가에 따라 발광한 복수의 반도체 발광 소자(E)를, 제1 플레이트(1) 및 제1 전극(1a)이나 제2 플레이트(2) 및 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽의 측에서 광학 기계(5)의 관찰에 의하여, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태에 근거하여, 발광 양호한 반도체 발광 소자(E)와 발광 불량인 반도체 발광 소자(E)로 선별하고 있다.In the observation step, the plurality of semiconductor light emitting elements E, which emit light according to the application of AC voltage to the plurality of light emitting circuit parts L, are placed on the first plate 1 and the first electrode 1a or the second plate 2. and based on the light emitting states of the plurality of semiconductor light emitting elements E by observation of the optical machine 5 from either side of the second electrode 2a, semiconductor light emitting elements E with good light emission and those with poor light emission. It is sorted out as a semiconductor light emitting element (E).

복수의 반도체 발광 소자(E)에 있어서의 발광 상태에 근거한 선별 방법으로서는, 발광의 유무에 의한 불량 여부의 판별이나, 휘도 편차에 의한 선별이나, 색조의 선별 등의 미리 설정된 기준에 의하여 행하는 것이 바람직하다.As a method of sorting based on the light emission state in the plurality of semiconductor light emitting elements E, it is preferable to perform based on predetermined criteria such as determination of defects by the presence or absence of light emission, selection based on luminance deviation, selection of color tones, and the like. do.

실장 공정에서는, 가고정부(3)에 의하여 검사 공간(S)으로부터 실장 위치(P2)로 반출된 가고정 칩군(F) 중, 광학 기계(5)의 관찰로 발광 양호라고 선별된 복수의 반도체 발광 소자(E)만을 가고정부(3)의 가고정 부위(3a)로부터 박리 등으로 취출한다. 이로써, 프린트 기판 등에 대하여 가고정 칩군(F)의 정렬 정보를 이용한 기판 실장이 가능하게 된다.In the mounting process, among the group of temporarily fixed chips F transported from the inspection space S to the mounting position P2 by the temporary unit 3, a plurality of semiconductor light emission selected as good light emission by observation of the optical machine 5 Only the element E is taken out from the temporarily fixed portion 3a of the temporary portion 3 by peeling or the like. As a result, board mounting using the alignment information of the temporarily fixed chip group F with respect to the printed circuit board or the like becomes possible.

이와 같은 본 발명의 실시형태에 관한 검사 장치(A) 및 검사 방법에 의하면, 검사 공간(S)에 있어서 분리 배열한 복수의 반도체 발광 소자(E)와 가고정부(3)가, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽에 대하여 착탈 가능하게 가고정된다. 이 가고정 상태로 구동 전원(4)의 교류 전압을 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 각각에 절연성의 가고정부(3)로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부(L)로 부여함으로써, 복수의 반도체 발광 소자(반도체 다이오드)(E)의 정류 작용으로 전류가 순방향으로 흐른다.According to the inspection device (A) and the inspection method according to the embodiment of the present invention, a plurality of semiconductor light emitting elements (E) and the temporary portion (3) arranged separately in the inspection space (S) include a first electrode ( 1a) or the second electrode 2a, it is temporarily fixed to be detachable. In this temporarily fixed state, the alternating current voltage of the drive power source 4 is supplied from the first electrode 1a and the second electrode 2a to each of the plurality of semiconductor light emitting elements E, a capacitor comprising the insulating temporary portion 3. is given to a plurality of individually separated light emitting circuit portions L connected in series, current flows in the forward direction due to the rectifying action of the plurality of semiconductor light emitting elements (semiconductor diodes) E.

이 때문에, 복수의 반도체 발광 소자(E)로 순방향의 전류가 흐를 때에 양호한 반도체 발광 소자(E)가 발광한다. 이와 같은 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태를 광학 기계(5)로 관찰함으로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태가 각각 광학적으로 검사되고, 발광 상태에 근거한 불량 여부의 선별이 가능해진다.For this reason, when a forward current flows through the plurality of semiconductor light emitting elements E, the good semiconductor light emitting elements E emit light. By observing the light emitting states of the plurality of semiconductor light emitting elements E with the optical machine 5, the light emitting states of the plurality of semiconductor light emitting elements E are each optically inspected, and the selection of defects based on the light emitting states is possible. it becomes possible

불량 여부의 선별 후는, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽으로부터 가고정부(3)를 제거함으로써, 가고정부(3)와 함께 복수의 반도체 발광 소자(E)가 분리 배열 상태인 채 검사 공간(S)으로부터 실장 위치(P2)로 반송되어 실장 가능해진다.After screening for defects, the plurality of semiconductor light emitting elements E are separated together with the temporary portions 3 by removing the temporary portions 3 from either the first electrode 1a or the second electrode 2a. It is transported from the inspection space S to the mounting position P2 while being arranged so that it can be mounted.

따라서, 분리된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 실장 직전에 일괄 검사하여 발광 불량인 반도체 발광 소자(E)를 선별하고, 또한 선별된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 가고정부(3)에 의하여 분리 배열 상태로 반송하여 실장할 수 있다.Therefore, a plurality of separated semiconductor light emitting elements E are collectively inspected immediately before mounting to select semiconductor light emitting elements E having poor light emission, and further, the plurality of selected semiconductor light emitting elements E are placed in the temporary unit 3. By this, it can be transported and mounted in a separated arrangement state.

그 결과, 복수의 LED 디바이스가 하프 컷된 미분리 상태에서 발광 테스트하는 종래의 것에 비하여, 가고정부(3)가 복수의 반도체 발광 소자(E)의 검사 스테이지로서 기능하는 것 이외에 소자 반송용 지그로서도 기능하기 때문에, 검사된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 실장 위치(P2)로 반송하고 나서, 가고정부(3)로부터의 취출로 복수의 반도체 발광 소자(E)가 실장 직전에 분리 가능해진다.As a result, compared to the conventional method in which a plurality of LED devices are half-cut and unseparated for light emission testing, the temporary part 3 functions not only as an inspection stage for a plurality of semiconductor light emitting elements E, but also as a jig for conveying elements. Therefore, after conveying the inspected plurality of semiconductor light emitting elements E to the mounting position P2, the plurality of semiconductor light emitting elements E can be separated immediately before mounting by taking out from the temporary portion 3.

이로써, 검사된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 실장 전에 분리할 필요가 없고, 이 분리 공정에서 분단된 반도체 발광 소자(E)의 산일(散逸)을 막으며, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 원하는 개수 단위로 관리와 공정 간의 반송을 행할 수 있고, 소자 반송 전후의 가고정부(3)에 대한 가고정(가고정 공정)과 가고정부(3)로부터의 취출(실장 공정)에 있어서의 소자 액세스 높이를 균일하게 하여 관리할 수 있어, 신뢰성이 우수하며 취급이 용이하다.This eliminates the need to separate the plurality of semiconductor light emitting elements E inspected prior to mounting, prevents scattering of the semiconductor light emitting elements E separated in this separation step, and separates the plurality of semiconductor light emitting elements E. It is possible to carry out management and transfer between processes in units of a desired number, and elements in the temporary fixing to the temporary part 3 before and after element conveyance (temporary fixing process) and taking out from the temporary part 3 (mounting process) Since the access height can be managed with a uniform level, reliability is excellent and handling is easy.

특히 복수의 반도체 발광 소자(E)가 마이크로 LED여도 실장을 용이하게 행할 수 있는 작업성이 우수하고 편리성의 향상이 도모된다. 이로써, 기능적(광학적)으로 불량인 반도체 발광 소자(E)의 실장을 미연에 방지할 수 있어, 수율의 향상이 도모된다.In particular, even if the plurality of semiconductor light emitting elements E are micro LEDs, the workability that can be easily mounted is excellent and convenience is improved. In this way, mounting of the functionally (optically) defective semiconductor light emitting element E can be prevented beforehand, and the yield is improved.

특히, 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)에 대하여 가고정부(3)를, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 협지된 가고정부(3)가 유전체가 되도록 전기적으로 접촉시키는 것이 바람직하다.In particular, the temporary portion 3 sandwiched between the first electrode 1a and the second electrode 2a, and the temporary portion 3 sandwiched between the first electrode 1a and the second electrode 2a has a dielectric It is desirable to make electrical contact as much as possible.

이 경우에는, 구동 전원(4)의 교류 전압이 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터 가고정부(3)를 통하여 복수의 발광 회로부(L)에 부여됨으로써, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 가고정부(3)가 유전체가 되어 커패시터를 형성한다.In this case, the AC voltage of the drive power supply 4 is applied to the plurality of light emitting circuit parts L from the first electrode 1a and the second electrode 2a through the temporary part 3, so that the first electrode 1a ) and the second electrode 2a, the temporary portion 3 becomes a dielectric to form a capacitor.

이 때문에, 복수의 반도체 발광 소자(E)로 순방향의 전류가 흐를 때에 양호한 반도체 발광 소자(E)가 발광한다.For this reason, when a forward current flows through the plurality of semiconductor light emitting elements E, the good semiconductor light emitting elements E emit light.

따라서, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 가고정부(3)를 통전 가능하게 협지하는 것만으로 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 검사를 실시할 수 있다.Therefore, light emission inspection of a plurality of semiconductor light emitting elements E can be performed only by holding the temporary portion 3 between the first electrode 1a and the second electrode 2a so as to be energized.

그 결과, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽에 대하여 가고정부(3)를 상시 접촉하도록 마련할 필요가 없고, 전체적인 구조의 간소화가 도모됨과 함께, 가고정부(3)에 대한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 가고정 작업 및 취출 작업을 용이하게 실시할 수 있다.As a result, there is no need to provide the temporary portion 3 to be in constant contact with either the first electrode 1a or the second electrode 2a, and the overall structure is simplified, while the temporary portion 3 It is possible to easily perform the temporary fixing operation and the extraction operation of the plurality of semiconductor light emitting elements E to the .

또 가고정부(3)가 고비유전율의 재료로 이루어지는 경우에는, 고비유전율의 가고정부(3)와 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 정전 용량이 커진다. 정전 용량과 임피던스는 반비례의 관계에 있기 때문에, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 임피던스가 작아져 전류가 흐르기 쉬워진다.In addition, when the temporary portion 3 is made of a material with a high relative permittivity, the capacitance between the temporary portion 3 of the high relative permittivity and the first electrode 1a and the second electrode 2a increases. Since the capacitance and the impedance are in inverse proportion, the impedance between the first electrode 1a and the second electrode 2a becomes small and current flows easily.

따라서, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 저전압으로 발광시킬 수 있다.Accordingly, the plurality of semiconductor light emitting devices E can emit light at a low voltage.

그 결과, 고전압에 의한 본의 아닌 반도체 발광 소자(E)의 파괴를 방지할 수 있음과 동시에 단락(쇼트)의 위험성을 경감시킬 수 있다. 이로써 장치 측의 내전압과 누설 대책도 할 수 있다.As a result, unintentional destruction of the semiconductor light emitting element E by high voltage can be prevented and the risk of short circuit can be reduced. This also enables countermeasures against withstand voltage and leakage on the device side.

또한, 도 2의 (a)에 나타나는 바와 같이, 가고정부(3)의 표면이, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격의 정수 배로 배치되는 복수의 가고정 부위(3a)를 갖는 것이 바람직하다.Further, as shown in Fig. 2(a), it is preferable that the surface of the temporary fixing portion 3 has a plurality of temporarily fixing portions 3a arranged at an integer multiple of the arrangement interval of the plurality of semiconductor light emitting elements E. do.

이 경우에는, 소정의 주기에 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)에 대하여, Z 방향으로 대향하는 가고정부(3)의 복수의 가고정 부위(3a)의 간격을, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 배열 간격의 복수 배로 설정하는 것이 가능하게 된다.In this case, with respect to the plurality of semiconductor light emitting elements E arranged separately at a predetermined period, the interval between the plurality of temporarily fixing parts 3a of the temporary fixing parts 3 facing in the Z direction is set to the plurality of semiconductor light emitting elements. It becomes possible to set to multiple times the array interval of (E).

이로써, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E) 중에서, 소정의 열이나 소정의 위치 등에 배치한 반도체 발광 소자(E)에만 복수의 가고정 부위(3a)가 맞닿아 착탈 가능하게 가고정된다.As a result, among the plurality of semiconductor light emitting elements E arranged separately, the plurality of temporarily fixing sites 3a come into contact with only the semiconductor light emitting elements E arranged in a predetermined row or at a predetermined position, and are temporarily fixed in a detachable manner.

따라서, 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E) 중에서 특정의 반도체 발광 소자(E)만을 선택하여 가고정부(3)에 착탈(가고정 및 취출)할 수 있다.Therefore, it is possible to select only a specific semiconductor light emitting element E from among a plurality of separated and arranged semiconductor light emitting elements E and attach or detach it to the temporary part 3 (temporarily fix and take out).

그 결과, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 실장 전에 있어서, 실장 대상이 되는 반도체 발광 소자(E)만을 선택하여 검사할 수 있어, 작업성이 우수하다.As a result, prior to mounting of the plurality of semiconductor light emitting devices E, only the semiconductor light emitting devices E to be mounted can be selected and inspected, resulting in excellent workability.

또, 제1 전극(1a) 또는 제2 전극(2a) 중 어느 한쪽의 표면 혹은 양쪽 모두의 표면에 마련되는 유전층(6)을 구비하고, 유전층(6)이 고비유전율의 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to provide a dielectric layer 6 provided on the surface of either or both of the first electrode 1a or the second electrode 2a, and the dielectric layer 6 is made of a material with a high dielectric constant. .

이 경우에는, 구동 전원(4)의 교류 전압이 제1 전극(1a) 및 제2 전극(2a)으로부터 유전층(6)을 통하여 복수의 발광 회로부(L)에 부여할 수 있으므로, 고비유전율의 유전층(6)에서 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 정전 용량이 커진다.In this case, since the alternating voltage of the drive power source 4 can be applied to the plurality of light emitting circuit parts L from the first electrode 1a and the second electrode 2a via the dielectric layer 6, the dielectric layer with a high dielectric constant In (6), the capacitance between the first electrode 1a and the second electrode 2a increases.

정전 용량과 임피던스는 반비례의 관계에 있기 때문에, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이의 임피던스가 작아져 전류가 흐르기 쉬워진다.Since the capacitance and the impedance are in inverse proportion, the impedance between the first electrode 1a and the second electrode 2a becomes small and current flows easily.

따라서, 복수의 반도체 발광 소자(E)를 저전압으로 발광시킬 수 있다.Accordingly, the plurality of semiconductor light emitting devices E can emit light at a low voltage.

그 결과, 고전압에 의한 본의 아닌 반도체 발광 소자(E)의 파괴를 방지할 수 있음과 동시에 단락(쇼트)의 위험성을 경감시킬 수 있다. 이로써 장치 측의 내전압과 누설 대책도 할 수 있다.As a result, unintentional destruction of the semiconductor light emitting element E by high voltage can be prevented, and the risk of short circuit can be reduced. This also enables countermeasures against withstand voltage and leakage on the device side.

또한, 도 3의 (a), 도 4의 (a) 및 도 5의 (a), (b)에 나타나는 바와 같이, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 한쪽이 다른 쪽보다 작은 면적으로 형성되고, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2)의 한쪽에 대하여 다른 쪽을 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 대향 방향(Z 방향)과 교차하는 방향(XY 방향)으로 이동 가능하게 지지하는 것이 바람직하다.In addition, as shown in Fig. 3 (a), Fig. 4 (a) and Fig. 5 (a), (b), one of the first plate 1 or the second plate 2 is higher than the other. It is formed in a small area and crosses the opposing direction (Z direction) of the first plate 1 and the second plate 2 with respect to one side of the first plate 1 or the second plate 2 and the other side. It is preferable to support so that it can move in (XY direction).

이 경우에는, 제1 전극(1a)과 제2 전극(2a)의 사이에 복수의 발광 회로부(L)가, 제1 플레이트(1) 또는 제2 플레이트(2) 중 큰쪽(제1 플레이트(1))에 대한 작은 쪽(제2 플레이트(2))의 접촉 면적과 동일 사이즈로 형성된다.In this case, a plurality of light emitting circuit parts L are provided between the first electrode 1a and the second electrode 2a, whichever is larger (first plate 1) or second plate 2 )) is formed in the same size as the contact area of the small side (the second plate 2) for the plate.

큰 쪽(제1 플레이트(1))에 대하여 작은 쪽(제2 플레이트(2))을, 양자의 대향 방향(Z 방향)과 교차하는 방향(XY 방향)으로 제1 플레이트(1)와 제2 플레이트(2)의 간격이 유지되도록 이동시키고, 또한 구동 전원(4)으로부터 복수의 발광 회로부(L)에 교류 전압을 부여한다. 이로써, 큰 쪽(제1 플레이트(1))의 전체 영역이 복수로 분할되고, 분할 영역 단위로 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 상태가 검사 가능해진다.The larger side (first plate 1) and the smaller side (second plate 2) are connected to the first plate 1 and the second plate 1 in a direction (XY direction) crossing the opposite direction (Z direction) of both. The plates 2 are moved so as to maintain the distance between them, and AC voltage is applied from the driving power source 4 to the plurality of light emitting circuit parts L. In this way, the entire region on the larger side (first plate 1) is divided into a plurality of parts, and the light emission state of the plurality of semiconductor light emitting elements E can be inspected in units of divided regions.

따라서, 가고정부(3)로 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자(E)를 적절한 수의 분할 영역마다 검사할 수 있다.Accordingly, the plurality of semiconductor light emitting devices E arranged separately by the temporary portion 3 can be inspected for each of an appropriate number of divided areas.

그 결과, 다수의 반도체 발광 소자(E)가 배열된 대형의 가고정 칩군(F)을 검사할 때에 유효하다.As a result, it is effective when inspecting a large temporarily fixed chip group F in which a large number of semiconductor light emitting elements E are arranged.

또, 검사기(B)가 외광으로부터 차광된 암실(D)을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to form a dark room D in which the inspection machine B is shielded from external light.

이 경우에는, 암실(D)에서 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 테스트를 행함으로써, 각 반도체 발광 소자(E)의 발광 주파수 미만의 외광이 차광되고, 각 반도체 발광 소자(E)의 내부 전하에 여기 현상이 일어나지 않는 상태에서 발광 테스트가 행해진다.In this case, by performing a light emission test of a plurality of semiconductor light emitting elements E in a dark room D, external light having a light emission frequency lower than that of each semiconductor light emitting element E is blocked, and the inside of each semiconductor light emitting element E is blocked. A light emission test is performed in a state in which no excitation phenomenon occurs in the charge.

따라서, 구동 전원(4)에 대한 복수의 반도체 발광 소자(E)의 정확한 발광을 관찰할 수 있다.Accordingly, accurate light emission of the plurality of semiconductor light emitting elements E with respect to the driving power source 4 can be observed.

그 결과, 발광 불량인 반도체 발광 소자(E)를 보다 정확하게 선별할 수 있어, 신뢰성의 추가적인 향상이 도모된다.As a result, it is possible to more accurately select the semiconductor light emitting element E having poor light emission, and further improvement in reliability is achieved.

특히, 암실(D)에는, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광 주파수 미만의 단파장 광선을 발광하는 광원이 구비되고, 광원으로부터 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광부(E1)를 향하여 단파장 광선을 균등하게 조사하는 것이 바람직하다.In particular, the dark room D is equipped with a light source that emits short-wavelength light rays lower than the emission frequency of the plurality of semiconductor light-emitting elements E, and directs the short-wavelength light ray from the light source toward the light emitting portion E1 of the plurality of semiconductor light-emitting elements E. It is desirable to irradiate the light beam evenly.

이 경우에는, 암실(D)의 형성 시에 있어서 미리 구비할 수 있는 광원으로부터 단파장 광선을 균등하게 조사하면서 검사함으로써, 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광부(E1)의 발광에 필요하게 되는 최저 전압을 낮추는 것이 가능하게 된다.In this case, when the dark room D is formed, inspection is performed while uniformly irradiating short-wavelength light rays from a light source that can be provided in advance, which is necessary for light emission of the light emitting parts E1 of the plurality of semiconductor light emitting elements E. It becomes possible to lower the lowest voltage.

따라서, 구동 전원(4)을 저전압으로 해도 복수의 반도체 발광 소자(E)의 발광을 관찰할 수 있다.Therefore, light emission from the plurality of semiconductor light emitting elements E can be observed even when the driving power source 4 is set to a low voltage.

그 결과, 저전압화에 의하여 복수의 반도체 발광 소자(E)의 파괴를 더 방지할 수 있다.As a result, destruction of the plurality of semiconductor light emitting elements E can be further prevented by lowering the voltage.

또한, 전시의 실시형태에서는, 제1 전극(1a)에 형성되는 가고정부(3)에 의하여, 제1 전극(1a)에 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 재치하여 가고정하는 경우만을 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 제2 전극(2a)에 가고정부(3)를 형성하고, 제2 전극(2a)에 대하여 복수의 반도체 발광 소자(E)를 착탈 가능하게 매달아 지지하여 가고정해도 된다.In the embodiment of the display, only when a plurality of semiconductor light emitting elements E are detachably placed on the first electrode 1a by the temporary portion 3 formed on the first electrode 1a and temporarily fixed. Although it has been explained, it is not limited to this, and the temporary portion 3 is formed on the second electrode 2a, and a plurality of semiconductor light emitting elements E are detachably suspended and supported with respect to the second electrode 2a to be temporarily fixed. do.

또한 제1 전극(1a)이나 제2 전극(2a)에 유전층(6)을 마련했을 경우만을 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 유전층(6)이 없어도 된다. 유전층(6) 대신에 절연성의 확보를 위하여, 가고정 칩군(F)과 제1 전극(1a)이나 제2 전극(2a)의 사이에 공기층을 개재시켜 비접촉으로 하는 것도 가능하다.In addition, although only the case where the dielectric layer 6 was provided in the 1st electrode 1a or the 2nd electrode 2a was demonstrated, it is not limited to this, and the dielectric layer 6 may be omitted. Instead of the dielectric layer 6, it is also possible to make non-contact by interposing an air layer between the temporarily fixed chip group F and the first electrode 1a or the second electrode 2a to ensure insulation.

또 도 3의 (a), 도 4의 (a) 및 도 5의 (a), (b)에 나타난 예에서는, 제1 플레이트(1)의 면적보다 제2 플레이트(2)의 면적을 작게 형성하고, 제1 플레이트(1)에 대하여 제2 플레이트(2)를 수평 이동용 구동부(72)로 XY 방향으로 이동시켰지만, 이에 한정되지 않으며, 제2 플레이트(2)의 면적보다 제1 플레이트(1)의 면적을 작게 형성하고, 제2 플레이트(2)에 대하여 제1 플레이트(1)를 수평 이동용 구동부(72)로 XY 방향으로 이동시키는 것이나, 제1 플레이트(1) 및 제2 플레이트(2)의 양쪽 모두를 수평 이동용 구동부(72)로 XY 방향으로 상대적으로 이동시켜도 된다.In addition, in the examples shown in FIGS. 3(a), 4(a) and 5(a), (b), the area of the second plate 2 is smaller than the area of the first plate 1. And, although the second plate 2 was moved in the XY direction with the driving unit 72 for horizontal movement with respect to the first plate 1, it is not limited thereto, and the area of the second plate 2 is greater than the first plate 1 Forming a small area of , and moving the first plate 1 in the XY direction with the driving unit 72 for horizontal movement with respect to the second plate 2, or the first plate 1 and the second plate 2 Both of them may be relatively moved in the XY direction by the driving unit 72 for horizontal movement.

A 검사 장치
1 제1 플레이트
1a 제1 전극
2 제2 플레이트
2a 제2 전극
3 가고정부
3a 가고정 부위
4 구동 전원
5 광학 기계
6 유전층
L 발광 회로부
E 반도체 발광 소자
E1 발광부
B 검사기
D 암실
P2 실장 위치
S 검사 공간A inspection device
1 first plate
1a first electrode
2 second plate
2a second electrode
3 Gago Government
3a temporary fixation site
4 driving power
5 optical mechanics
6 dielectric layers
L light emitting circuit
E Semiconductor light emitting device
E1 emitter
B checker
D Darkroom
P2 mounting location
S check space

Claims (8)

분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자를 실장 전에 분리 상태에서 광학적으로 검사하는 검사 장치로서,
제1 전극을 갖는 제1 플레이트와,
상기 제1 전극과 대향하도록 마련된 제2 전극을 갖는 제2 플레이트와,
상기 복수의 반도체 발광 소자를 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 절연성의 가고정부와,
검사 공간을 사이에 두고 배치되는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대하여 전기적으로 접속되는 구동 전원과,
상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 측에서 상기 복수의 반도체 발광 소자의 발광을 관찰하는 광학 기계를 구비하고,
상기 가고정부는, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 한쪽에 대하여 착탈 가능하게 장착되어, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 대향하는 가고정 부위를 가지며, 상기 가고정 부위에 의하여 상기 복수의 반도체 발광 소자가 분리 배열된 상태로 상기 검사 공간으로부터 실장 위치로 반송 가능하게 유지되고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이의 상기 검사 공간에는, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 상기 가고정부로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부가 배치되며,
상기 복수의 발광 회로부는, 상기 구동 전원으로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자로 순방향의 전류가 흐를 때에 상기 복수의 반도체 발광 소자가 발광하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.An inspection device for optically inspecting a plurality of separated and arranged semiconductor light emitting devices in a separated state before mounting, comprising:
a first plate having a first electrode;
A second plate having a second electrode provided to face the first electrode;
An insulating temporary part for temporarily fixing the plurality of semiconductor light emitting elements in a separated and arranged state so as to be detachable;
a driving power source electrically connected to the first electrode and the second electrode disposed across an inspection space;
An optical machine for observing light emission of the plurality of semiconductor light emitting elements from either side of the first plate or the second plate,
The temporary portion is detachably attached to either the first electrode or the second electrode and has a temporarily fixed portion facing the plurality of semiconductor light emitting elements, and the plurality of semiconductor light emitting elements are provided by the temporarily fixed portion. The light emitting elements are maintained in a state in which they are separated and arranged so as to be transportable from the inspection space to a mounting position,
In the inspection space between the first electrode and the second electrode, a plurality of individually separated light emitting circuit units in which capacitors composed of the plurality of semiconductor light emitting elements and the temporary unit are connected in series are disposed,
In the plurality of light emitting circuit parts, the plurality of semiconductor light emitting elements emit light when a forward direction current flows from the driving power source to the plurality of semiconductor light emitting elements. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 대하여 상기 가고정부가 유전체가 되도록 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.The method of claim 1,
An inspection apparatus characterized in that the temporary portion electrically contacts the first electrode and the second electrode so as to be a dielectric. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 가고정부의 표면은, 복수의 상기 가고정 부위를 갖고, 복수의 상기 가고정 부위의 간격은 상기 복수의 반도체 발광 소자의 배열 간격의 정수 배로 배치되는 것을 특징으로 하는 검사 장치.According to claim 1 or claim 2,
A surface of the temporary portion has a plurality of the temporarily fixed portions, and an interval between the plurality of temporarily fixed portions is arranged as an integer multiple of an arrangement interval of the plurality of semiconductor light emitting elements. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 어느 한쪽의 표면 혹은 양쪽 모두의 표면에 마련되는 유전층을 구비하고, 상기 유전층은 비유전율이 80 이상인 고비유전율의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 검사 장치.According to claim 1 or claim 2,
An inspection device comprising a dielectric layer provided on a surface of either or both of the first electrode or the second electrode, wherein the dielectric layer is made of a material having a high relative dielectric constant of 80 or more. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 면적이 다른 쪽보다 작은 면적으로 형성되고, 상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 한쪽에 대하여 다른 쪽 혹은 양쪽 모두를, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트의 대향 방향과 교차하는 방향으로 상대적으로 이동 가능하게 지지하는 것을 특징으로 하는 검사 장치.According to claim 1 or claim 2,
The area of either one of the first plate or the second plate is formed to be smaller than the other, and the other or both of the first plate or the second plate are formed with respect to the first plate and the second plate. An inspection device characterized in that it is supported so as to be relatively movable in a direction crossing the opposite direction of the second plate. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 검사 장치를 구비한 검사기로서,
상기 검사기가 외광으로부터 차광된 암실을 형성하는 것을 특징으로 하는 검사기.An inspection machine provided with the inspection device according to claim 1 or claim 2,
The inspection device, characterized in that the inspection device forms a dark room shielded from external light. 청구항 6에 있어서,
상기 암실에는, 상기 복수의 반도체 발광 소자의 발광 주파수 미만의 단파장 광선을 발광하는 광원이 구비되고, 상기 광원으로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자의 발광부를 향하여, 포토 루미네선스에 의한 광여기가 발생하지 않는 강도의 상기 단파장 광선이 균등하게 조사되는 것을 특징으로 하는 검사기.The method of claim 6,
The darkroom is provided with a light source that emits short-wavelength light rays lower than the emission frequency of the plurality of semiconductor light emitting elements, and photoexcitation by photoluminescence does not occur from the light source toward the light emitting portions of the plurality of semiconductor light emitting elements. Inspection device, characterized in that the short-wavelength light rays of a different intensity are equally irradiated. 분리 배열된 복수의 반도체 발광 소자를 실장 전에 분리 상태에서 광학적으로 검사하는 검사 방법으로서,
절연성의 가고정부에 대하여 상기 복수의 반도체 발광 소자를 분리 배열된 상태로 착탈 가능하게 가고정하는 가고정 공정과,
제1 플레이트의 제1 전극 또는 제2 플레이트의 제2 전극 중 어느 한쪽에 상기 가고정부를 착탈 가능하게 장착하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 형성되는 검사 공간에, 상기 복수의 반도체 발광 소자와 상기 가고정부로 이루어지는 커패시터가 직렬 접속되는 개개로 분리된 복수의 발광 회로부를 형성하는 세팅 공정과,
구동 전원의 전압을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 상기 복수의 발광 회로부로 부여하는 공급 공정과,
상기 복수의 발광 회로부에 대한 전압의 공급에 의하여 발광하는 상기 복수의 반도체 발광 소자를 상기 제1 플레이트 또는 상기 제2 플레이트 중 어느 한쪽의 측에서 광학 기계로 관찰하는 관찰 공정과,
상기 가고정부로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자를 제거하여 기판 실장하는 실장 공정을 포함하며,
상기 세팅 공정에서는, 상기 가고정부가 상기 복수의 반도체 발광 소자에 대한 가고정 부위를 갖고, 상기 가고정 부위에 의하여 상기 복수의 반도체 발광 소자가 분리 배열된 상태로 상기 검사 공간으로부터 실장 위치로 반송 가능하게 유지되며,
상기 관찰 공정에서는, 상기 검사 공간에 있어서 상기 구동 전원으로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자로 순방향의 전류가 흐를 때에 상기 복수의 반도체 발광 소자가 발광하고,
상기 실장 공정에서는, 상기 검사 공간으로부터 상기 실장 위치로 반송된 상기 가고정부로부터 상기 복수의 반도체 발광 소자를 제거하여 기판 실장하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.An inspection method for optically inspecting a plurality of separated and arranged semiconductor light emitting devices in a separated state before mounting,
A temporary fixing step of detachably temporarily fixing the plurality of semiconductor light emitting elements to an insulating temporary part in a separated and arranged state;
The temporary part is detachably attached to either the first electrode of the first plate or the second electrode of the second plate, and in an inspection space formed between the first electrode and the second electrode, the plurality of A setting step of forming a plurality of individually separated light emitting circuit parts in which a semiconductor light emitting element and a capacitor composed of the temporary part are connected in series;
a supply step of applying a voltage of a driving power source from the first electrode and the second electrode to the plurality of light emitting circuit units;
an observation step of observing the plurality of semiconductor light emitting elements that emit light by supplying a voltage to the plurality of light emitting circuit portions from either side of the first plate or the second plate with an optical machine;
A mounting step of removing the plurality of semiconductor light emitting devices from the temporary portion and mounting them on a substrate;
In the setting step, the temporary portion has a temporarily fixed portion for the plurality of semiconductor light emitting devices, and the plurality of semiconductor light emitting devices can be transported from the inspection space to a mounting position in a state in which the plurality of semiconductor light emitting devices are separated and arranged by the temporary fixing portion. is maintained,
In the observation step, the plurality of semiconductor light emitting elements emit light when forward current flows from the driving power supply to the plurality of semiconductor light emitting elements in the inspection space;
In the mounting step, the plurality of semiconductor light emitting elements are removed from the temporary portion transported from the inspection space to the mounting position and mounted on a substrate.
KR1020190175383A 2018-12-28 2019-12-26 Inspection apparatus and inspection method KR102529649B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-248085 2018-12-28
JP2018248085 2018-12-28
JPJP-P-2019-176953 2019-09-27
JP2019176953A JP6650547B1 (en) 2018-12-28 2019-09-27 Inspection device and inspection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200083298A KR20200083298A (en) 2020-07-08
KR102529649B1 true KR102529649B1 (en) 2023-05-04

Family

ID=69568287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190175383A KR102529649B1 (en) 2018-12-28 2019-12-26 Inspection apparatus and inspection method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6650547B1 (en)
KR (1) KR102529649B1 (en)
TW (1) TWI795618B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024053198A1 (en) * 2022-09-06 2024-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ Method for inspecting luminescent elements

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017504956A (en) 2013-11-21 2017-02-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Method for detecting optical properties of optoelectronic semiconductor materials and apparatus for carrying out the method
US20180374829A1 (en) 2017-06-26 2018-12-27 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) mass-transfer apparatus and method of manufacture

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101067142B1 (en) * 2009-08-31 2011-09-22 삼성전기주식회사 Module for Controlling The Light Emitting Device Current for Selective Feedback, Apparatus and Method for Driving The Light Emitting Device Using it
JP2011095116A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Nec Saitama Ltd Lighting inspection apparatus, method and program
JP2018506166A (en) * 2015-08-18 2018-03-01 ゴルテック．インク Pre-exclusion method, manufacturing method, apparatus and electronic apparatus for micro light-emitting diode
JP2018515942A (en) * 2015-10-20 2018-06-14 ゴルテック インコーポレイテッド Micro light-emitting diode transport method, manufacturing method, apparatus, and electronic apparatus
TWI744221B (en) * 2015-12-04 2021-11-01 晶元光電股份有限公司 Light-emitting device
WO2018112267A1 (en) 2016-12-16 2018-06-21 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture
US10962586B2 (en) * 2017-01-23 2021-03-30 Apple Inc. Light emitting diode (LED) test apparatus and method of manufacture
TWI759289B (en) * 2017-03-21 2022-04-01 晶元光電股份有限公司 Light-emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017504956A (en) 2013-11-21 2017-02-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Method for detecting optical properties of optoelectronic semiconductor materials and apparatus for carrying out the method
US20180374829A1 (en) 2017-06-26 2018-12-27 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) mass-transfer apparatus and method of manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
TWI795618B (en) 2023-03-11
JP6650547B1 (en) 2020-02-19
KR20200083298A (en) 2020-07-08
JP2020109392A (en) 2020-07-16
TW202043753A (en) 2020-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10714369B2 (en) Micro device transferring method and micro device transferring apparatus
CN107833526B (en) Pick-up-removal system and repair method of light emitting display
KR102160225B1 (en) Parallel assembly of individual components onto a board
EP3223305B1 (en) Intermediate structure for transfer of semiconductor micro-devices, method for preparing semiconductor micro-devices for transfer and processing array of semiconductor micro-devices
JP2020506541A (en) Light emitting diode (LED) inspection apparatus and manufacturing method
CN112098049B (en) Test device, test method, and computer-readable medium
JP5895332B2 (en) Position detection apparatus, overlay apparatus, position detection method, and device manufacturing method
KR101146722B1 (en) Inspecting apparatus of pannel for display
KR102463163B1 (en) Inspection apparatus and inspection method
TW201315973A (en) Light emitting elements inspection apparatus and inspection method
KR102529649B1 (en) Inspection apparatus and inspection method
WO2020085203A1 (en) Inspection device and inspection method
WO2021117753A1 (en) Collection lens height adjusting method, chip transfer method, collection lens height adjusting device, and chip transfer device
KR102416296B1 (en) Pickup method, pickup device, and mounting device
WO2022221628A1 (en) System and method for probing and sorting led chips
KR102326855B1 (en) Laser welding device and method for semicnductor components
TW202132780A (en) Stage and inspection apparatus
KR101215306B1 (en) Electonic parts inspecting apparatus and method
US7984546B2 (en) Tool for filling vias in a greensheet
KR101528887B1 (en) apparatus and method screening light emitting diode
KR20230068578A (en) Micro LED Inspection Device for Performing Photoluminescence Inspection and Automatic Optical Inspection Simultaneously
KR20200085042A (en) Led transport method
WO2023032036A1 (en) Energization testing device and energization testing method
JP6118801B2 (en) Light quantity measuring device and light quantity measuring method
KR102286348B1 (en) Micro LED Package Structure and Method for Assembling Thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant