KR102524536B1 - 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 필름, 상기 필름을 포함한 색변환 부재, 및 상기 색변환 부재를 포함하는 전자장치 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 필름, 상기 필름을 포함한 색변환 부재, 및 상기 색변환 부재를 포함하는 전자장치 Download PDF

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Abstract

복수개의 양자점; 광중합성 단량체; 광중합 개시제; 산란체; 바인더 수지; 및 용매를 포함하고, 상기 산란체의 함량은 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 20중량부인 감광성 수지 조성물이 제공된다.

Description

감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 필름, 상기 필름을 포함한 색변환 부재, 및 상기 색변환 부재를 포함하는 전자장치{Photoresist resin composition, a film made therefrom, color conversion element comprising the film, and electric device comprising the color conversion element}
감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 필름, 상기 필름을 포함한 색변환 부재, 및 상기 색변환 부재를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다. 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 컬러 형성을 위해, 색변환 부재를 사용하는데, 백라이트 광원으로부터 출사된 광이 적색, 녹색, 청색 색변환 부재를 통과할 때, 각각의 색변환 부재에 의해 광량이 약 1/3로 감소되어 광효율이 낮다.
이러한 광효율 저하를 보완하고 높은 색재현성을 위해 제안되는 포토루미네선트 액정 표시 장치(Photo-Luminescent Liquid Crystal Display Apparatus; PL-LCD)는 기존의 액정 표시 장치에 사용되는 색변환 부재를 QD-CCL(quantum dot color conversion layer)로 대체한 액정 표시 장치이다. PL-LCD는 광원으로부터 발생되어 액정층에 의해 제어된 자외선 또는 청색광 등 저파장대역의 광이 색변환층(Color Conversion Layer; CCL)에 조사될 때 발생하는 가시광을 이용하여 컬러 영상을 표시한다.
색재현성, 광효율이 개선된 색변환 부재 및 이를 포함한 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 복수개의 양자점; 광중합성 단량체; 광중합 개시제; 산란체; 바인더 수지; 및 용매를 포함하고, 상기 산란체의 함량은 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 20중량부인 감광성 수지 조성물이 제공된다.
다른 측면에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 필름이 제공된다.
또 다른 측면에 따르면, 상기 필름을 포함하는 색변환 부재가 제공된다.
또 다른 측면에 따르면, 상기 색변환 부재 및 표시장치를 포함하는 전자 장치가 제공된다.
상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 필름을 포함한 색변환 부재는 우수한 광효율 및 색재현성을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 색변환 부재의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 구현예에 따른 색변환 부재의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 일 구현예에 따른 전자 장치의 개략도이다.
도 4는 일 구현예에 따른 전자 장치의 개략도이다.
도 5는 일 구현예에 따른 전자 장치의 개략도이다.
도 6은 실시예 1 내지 9에 따른 양자점 광 흡수율 평가 그래프이다.
도 7은 감광성 수지 조성물로부터 형성된 양자점 포토레지스트 필름의 굴절률에 따른 광 전환율 그래프이다.
도 8은 감광성 수지 조성물 중 고굴절률 재료(굴절률=2.8)의 함량에 따른 굴절률의 변화를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
본 명세서 중 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
본 명세서 중 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서 중 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하에서는, 일 측면에 따른 감광성 수지 조성물에 대해 설명한다.
[감광성 수지 조성물]
일 측면에 따른 감광성 수지 조성물은,
복수개의 양자점; 광중합성 단량체; 광중합 개시제; 산란체; 바인더 수지; 및 용매를 포함하고, 상기 산란체의 함량은 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 20중량부이다.
상기 산란체의 함량이 상기 범위 내에 포함되는 경우, 청색광 흡수율 증대에 따른 정면 광변환율 상승에 의하여, 광변환율 및/또는 휘도의 상승 효과를 기대할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 산란체는 광을 반사시킬 수 있는 광산란입자이다. 상기 광산란입자는 무기 입자, 유기 수지 입자, 유기 입자와 무기 입자의 복합체 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 산란체는 입경이 서로 상이한 복수의 무기 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체는 입경이 서로 상이한 2종 이상의 무기 입자를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 복수의 무기 입자 중 제1 무기입자의 입경은 제2 무기입자의 입경보다 클 수 있다. 이때, 상기 제1 무기입자는 대입경 입자, 상기 제2 무기입자는 소입경 입자로 언급될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 대입경의 산란체를 포함함에 의하여, 산란효과 및 굴절율 증대 효과를 얻을 수 있고, 소입경의 산란체를 추가로 포함함에 의하여, 추가적인 굴절율 증대 효과를 얻을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 2 ㎛ 미만일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 1.5 ㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 1 ㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 900 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 800 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 700 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 600 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 500 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 400 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 20 nm 초과 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 30 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 40 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 50 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 60 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 70 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 80 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 90 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 300 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 400 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 500 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 600 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 700 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 800 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 900 nm 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 입자의 입경은 100 nm 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 산란체의 입경이 지나치게 작으면, 산란 효과가 작기 때문에 양자점에 의해 흡수되는 산란된 입사광의 양이 줄어들어, 충분한 광변환효율 개선이 이루어지지 않고, 산란체의 입경이 지나치게 크면, 산란 효과가 커져서 입사광이 외부로 출사되기 어렵고, 그 결과 휘도의 저하가 발생한다. 따라서, 상기 산란체의 입경이 상기 범위 내에 속하는 경우, 충분한 광변환효율 및 휘도의 개선을 달성할 수 있다.
한편, 상기 산란체의 입경 범위내에 속하며, 입경 크기가 서로 상이한 대입경 산란체 및 소입경 산란체를 함께 사용하는 경우, 소입경 산란체에 기인한 굴절율 증대 효과에 의하여, 수지 상부 막 또는 하부 막 과의 굴절율 차이가 발생하게 되고, 그 결과, 청색광이 수지 내부로 전반사되어 청색광의 재활용이 가능해진다. 따라서, 청색광 흡수율이 증가하고, 광변환율도 증가하게 된다.
일 구현예에 따르면, 상기 산란체는 굴절률이 1.5를 초과하는 무기 입자를 포함할 수 있다. 상기 산란체의 굴절률이 1.5를 초과하는 경우 충분한 산란도를 얻을 수 있다.
예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 1.8 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.0 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.1 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.2 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.3 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.4 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.5 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.6 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체의 굴절률은 2.7 이상일 수 있다.
산란체의 굴절률이 1.5를 초과하는 경우, 수지 굴절율 1.5와의 차이 때문에, 우수한 산란 효과를 얻을 수 있다.
상기 산란체는 상술한 입경 및 굴절률을 갖는 무기 입자일 수 있다. 예를 들어, 상기 산란체는 굴절률이 1.5를 초과하고, 100 nm 내지 300 nm의 입경을 갖는 무기 입자일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 산란체는 무기 산화물 입자, 유기 입자, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 산란체는 BiFeO3, Fe2O3, WO3, TiO2, SiC, BaTiO3, ZnO, ZrO2, ZrO, Ta2O5, MoO3, TeO2, Nb2O5, Fe3O4, V2O5, Cu2O, BP, Al2O3, In2O3, SnO2, Sb2O3, ITO 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 산란체는 TiO2를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 복수개의 양자점을 포함할 수 있다.
상기 양자점은 수 내지 수십 나노 미터 크기의 결정 구조를 갖는 입자로서, 수백 내지 수천 개의 원자로 구성된다.
상기 양자점은 크기가 매우 작기 때문에 양자 구속(quantum confinement) 효과가 나타나는 데, 상기 양자 구속 효과는 물체가 나노 미터 크기 이하로 작아지는 경우 그 물체의 밴드 갭(band gap)이 커지는 현상을 말한다. 이에 따라, 상기 양자점의 밴드 갭보다 큰 에너지를 갖는 파장의 광이 상기 양자점에 조사되는 경우, 상기 양자점은 그 광을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 이때, 방출된 광의 파장은 상기 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다.
일 구현예에 따르면, 상기 양자점은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, 및 IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합, 및 이들의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 합금은, 전술한 화합물 및 전이금속과의 합금을 포함할 수 있다.,
상기 양자점이 코어 및 상기 코어를 덮는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조일 수 있다.
예를 들어, 상기 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdO, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있거나, 또는 이들의 합금일 수 잇다.
예를 들어, 상기 III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이우러진 군에서 선택되거나, 또는 이들의 합금일 수 있다.
예를 들어, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되거나, 이들의 합금일 수 있다.
예를 들어, IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
예를 들어, IV족계 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, 또는 이들의 합금일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
상기 코어는 CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdTe, CdSeS, CdSeTe, CdZnS, CdZnSe, GaN, GaP, GaAs, GaInP, GaInN, InP, InAs, InZnP 및 ZnO 중 선택된 1종 이상의 화합물 또는 이들의 합금을 포함하고,
상기 쉘은 CdS, CdSe, ZnSe, ZnSeS, ZnS, ZnTe, CdTe, CdO, ZnO, InP, GaN, GaP, GaInP, GaInN, HgS 및 HgSe 중 선택된 1종 이상의 화합물 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
코어-쉘 구조의 양자점 중 코어의 평균 입경은 2 nm 내지 10 nm이고, 쉘의 평균 두께는 1 nm 내지 10 nm일 수 있다. 또한, 양자점의 평균 입경은 3 nm 내지 20 nm일 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
양자점은 동일한 물질로 이루어지더라도, 양자점의 크기에 따라 발광 파장이 달라진다. 양자점의 크기가 작아질수록 단파장의 광을 방출한다. 따라서, 감광성 수지 조성물에 포함된 양자점의 크기를 조절함으로써 양자점의 방출 컬러를 다양하게 변화시킬 수 있다.
또한, 양자점의 형태는 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 나노 와이어, 또는 입방체의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 당해 분야에서 일반적으로 사용하는 형태라면 모두 사용될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 양자점의 함량은 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 20 중량부 내지 60 중량부이다.
예를 들어, 상기 양자점의 함량은 감광성 수지 조성물 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 20 중량부 내지 50 중량부이다. 예를 들어, 상기 양자점의 함량은 감광성 수지 조성물 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 50 중량부이다. 예를 들어, 상기 양자점의 함량은 감광성 수지 조성물 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 60 중량부이다.
상기 양자점의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 충분한 양의 광 방출을 통해 휘도의 향상을 가져올 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 양자점 및 산란체의 함량비는 중량기준으로 1:1 내지 10:1일 수 있다.
예를 들어, 상기 양자점 및 산란체의 함량비는 중량기준으로 2:1 내지 10:1일 수 있다. 예를 들어, 상기 함량비는 2:1 내지 9:1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 산란체에 의한 광 산란도를 고려하여 양자점 및 산란체의 함량비를 상기 범위 내에서 적절히 선택할 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 광중합성 단량체를 포함한다.
상기 광중합성 단량체는 패턴 형성 공정에서 노광 시 중합을 일으킴으로써 패턴을 형성하는 역할을 한다.
예를 들어, 상기 광중합성 단량체는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 (메타)아크릴산의 일관능 에스테르, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 (메타)아크릴산의 다관능 에스테르 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 광중합성 화합물이 상기 에틸렌성 불포화 이중결합을 갖는 경우 패턴 형성 공정에서 노광시 충분한 중합을 일으킴으로써 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 광중합성 단량체는, 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트,　비스페놀A 에폭시(메타)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 광중합성 단량체의 함량은　상기 포토레지스트 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 광중합성 단량체의 함량은　상기 포토레지스트 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 5 내지 20 중량부 일 수 있다.　 상기 광중합성 단량체의 함량이 상기 범위 이내일 경우 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 색변환 부재는 패턴 특성 및 현상성이 우수할 수 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 광중합 개시제를 포함한다.
상기 광중합 개시제는 가시광선, 자외선, 원자외선 등의 파장에 의해 광중합성 단량체의 중합을 개시하는 역할을 한다.
상기 감광성 수지 조성물은 상기 광중합 개시제를 포함하므로, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 경우 높은 광경화도에 의해 패턴 상의 언더컷(undercut)의 발생을 방지할 수 있어 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 필름을 포함한 색변환 부재는 우수한 패턴성을 가질 수 있다.
상기 광중합 개시제는 옥심계 화합물, 아세토페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조페논계 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 옥심계 화합물은 1,2-옥탄디온， 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트， 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온-2-옥심-O-아세테이트, 2-(0-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 아세토페논계 화합물은 4-페녹시 디클로로아세토페논, 4-t-부틸 디클로로아세토페논, 4-t-부틸 트리클로로아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸-프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)-페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시 시클로헥실 페닐 케톤 및 2-메틸-1- [4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물은 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2- 메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤 및 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물은 벤조페논, 벤조일 벤조산, 벤조일 벤조산 메틸 에스테르, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸 디페닐 설파이드 및 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물은 1종 이상의 광중합 개시제를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 감광성 수지 조성물은 제1광중합 개시제 및 제2광중합 개시제를 포함할 수 있다. 상기 제1광중합 개시제 및 제2광중합 개시제는 서로 독립적으로 전술한 옥심계 화합물, 아세토페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 및 벤조페논계 화합물 중에서 선택될 수 있다. 이때, 상기 감광성 수지 조성물은 제1광중합 개시제 및 제2광중합 개시제를 중량기준으로 1:1 내지 50:1로 포함할 수 있다. 상기 제1광중합 개시제 대 제2광중합 개시제의 중량비가 상기 범위 이내일 경우, 광개시 효율 증대에 의해 패턴성이 개선될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물에 포함된 광중합 개시제의 함량은 상기 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 15 중량부일 수 있다. 상기 광중합 개시제의 함량이 상기 범위 이내일 경우, 패턴 형성 공정에서 노광시 상기 광중합성 단량체의 광중합이 충분히 일어나고, 미반응 개시제로 인한 투과율의 저하를 막을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물은 바인더 수지를 포함할 수 있다.
상기 바인더 수지는 상기 감광성 수지 조성물의 점도를 조절하여 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 색변환 부재와 기판의 밀착성을 향상시키고, 현상 공정에서 우수한 표면 평활도를 갖는 패턴이 형성될 수 있도록 한다.
일 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지는 알칼리 가용성일 수 있다. 　
일 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 에폭시계 수지는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 패턴의 내열성을 향상시키고, 상술한 양자점의 분산 안정성을 확보함과 동시에, 현상 과정에서 원하는 해상도의 픽셀이 형성되도록 할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 에폭시계 수지는 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 에폭시계 수지의 에폭시 당량(epoxy equivalent weight)은 150 g/eq 내지 200 g/eq일 수 있다. 상기 에폭시계 수지의 에폭시 당량이 상기 범위 이내일 경우, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 패턴의 경화도를 향상시킬 수 있고 패턴이 형성된 구조 내에서의 상술한 양자점의 고착에 유리한 효과가 있다.
상기 아크릴계 수지는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 패턴에 돌기가 발생하는 것을 방지하여 패턴의 내열성 및 투과성을 최대화하여 고휘도 및 고명암비 등의 색 특성과 내화학성을 향상시킬 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 제1에틸렌성 불포화 단량체　및 이와 공중합 가능한 제2에틸렌성 불포화 단량체의 공중합체로서, 하나 이상의 아크릴계 반복 단위를 포함하는 수지이다. 　
상기 제1에틸렌성 불포화 단량체는 하나 이상의 카르복시기를 함유하는 에틸렌성 불포화 단량체이다. 예를 들어, 상기 제1에틸렌성 불포화 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 이타콘산, 푸마르산　또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1에틸렌성 불포화 단량체의 함량은 상기 아크릴계 수지의 총 함량 100 중량부에 대하여 약 5 내지　50 중량부일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 제1에틸렌성 불포화 단량체의 함량은 상기 아크릴계 수지의 총 함량 100 중량부에 대하여 약 10 내지 40 중량부일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2에틸렌성 불포화 단량체는 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시 부틸(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 에스테르 화합물; 2-아미노에틸(메타)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 아미노 알킬 에스테르 화합물; 초산비닐, 안식향산 비닐 등의 카르복시산 비닐 에스테르 화합물; 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 글리시딜 에스테르 화합물; (메타)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메타)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 아크릴계 수지는 (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지의 중량평균 분자량은 6,000 g/mol 내지 50,000 g/mol일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지의 중량평균 분자량은 6,000 g/mol 내지 16,000 g/mol 일 수 있다.　　상기 바인더 수지의 중량평균 분자량이 상기 범위 이내일 경우, 상기 감광성 수지 조성물의 물리적 및 화학적 물성이 우수하고 점도가 적절하며, 색변환 부재 제조 시 기판과의 밀착성이 우수할 수 있다. 　
일 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지의 함량은 상기 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 약 1 내지 약 30 중량부일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 바인더 수지의 함량은 상기 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 약 5 내지 약 20 중량부일 수 있다. 상기 바인더 수지의 함량이 상기 범위 이내일 경우, 색변환 부재 제조 시 현상성이 우수하며 가교성이 개선되어 우수한 표면 평활도를 얻을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물은 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매는 상기 양자점, 상기 광중합성 단량체, 상기 광중합 개시제 및 바인더 수지와 상용성을 갖되, 이들과 반응하지 않는 물질일 수 있다.
예를 들어, 상기 용매는 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 메틸에테르, 에틸렌 글리콜 에틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케논, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 메틸 락테이트, 에틸 락테이트 등의 락트산 알킬에스테르류; 메틸 히드록시아세테이트, 에틸 히드록시아세테이트, 부틸 히드록시아세테이트 등의 히드록시아세트산 알킬 에스테르류; 메톡시메틸 아세테이트, 메톡시에틸 아세테이트, 메톡시부틸 아세테이트, 에톡시메틸 아세테이트, 에톡시에틸 아세테이트 등의 아세트산 알콕시알킬 에스테르류; 메틸 3-히드록시프로피오네이트, 에틸3-히드록시프로피오네이트 등의 3-히드록시프로피온산 알킬 에스테르류; 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-에톡시프로피오네이트 등의 3-알콕시프로피온산 알킬 에스테르류; 메틸 2-히드록시프로피오네이트, 에틸 2-히드록시프로피오네이트, 프로필 2-히드록시프로피오네이트 등의 2-히드록시프로피온산 알킬 에스테르류; 메틸 2-메톡시프로피오네이트, 에틸 2-메톡시프로피오네이트, 에틸 2-에톡시프로피오네이트, 메틸 2-에톡시프로피오네이트 등의 2-알콕시프로피온산 알킬 에스테르류; 메틸 2-히드록시-2-메틸프로피오네이트, 에틸 2-히드록시-2-메틸프로피오네이트 등의 2-히드록시-2-메틸프로피온산 알킬 에스테르류; 메틸 2-메톡시-2-메틸프로피오네이트, 에틸 2-에톡시-2-메틸프로피오네이트 등의 2-알콕시-2-메틸프로피온산 알킬 에스테르류; 2-히드록시에틸 프로피오네이트, 2-히드록시-2-메틸에틸 프로피오네이트, 히드록시에틸 아세테이트, 메틸 2-히드록시-3-메틸부타노에이트 등의 에스테르류; 또는 피루빈산 에틸 등의 케톤산 에스테르류의 화합물이 있으며, 또한 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 페닐 셀로솔브 아세테이트, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 용매는 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등의 글리콜 에테르류; 에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 2-히드록시에틸 프로피오네이트 등의 에스테르류; 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 등의 디에틸렌 글리콜류; 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 용매의 함량은　상기 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 70 중량부 내지 98 중량부 일 수 있다.　 상기 용매의 함량이 상기 범위 이내일 경우, 상기 감광성 수지 조성물이 적절한 점도를 가짐에 따라 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 색변환 부재를 제조하는 경우 공정성이 우수하다.　
일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물은 선택적으로(optionally) 첨가제를 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있고, 상기 첨가제는 열경화제, 분산제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 또는 이의 임의의 조합을 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 상기 조성물의 경화 효율 및 경화 속도를 향상시키기 위해 열경화제를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 열경화제는 2-머캡토벤조이미다졸, 2-머캡토벤조티아졸, 2-머캡토벤조옥사졸, 2,5-디머캡토-1,3,4-티아디아졸, 2-머캡토-4,6-디메틸아미노피리딘, 펜타에리스리톨 테트라키스(3-머캡토프로피오네이트), 펜타에리스리톨 트리스(3-머캡토프로피오네이트), 펜타에리스리톨 테트라키스(2-머캡토아세테이트), 펜타에리스리톨 트리스(2-머캡토아세테이트), 트리메틸올프로판 트리스(2-머캡토아세테이트), 트리메틸올프로판 트리스(3-머캡토프로피오네이트), 트리메틸올에탄 트리스(2-머캡토아세테이트), 및 트리메틸올에탄 트리스(3-머캡토프로피오네이트) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 상기 양자점의 분산성을 향상시키기 위해 분산제를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 분산제는 분산제로서는 시판되는 계면 활성제를 이용할 수 있는 데, 상기 분산제는 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제, 에스테르계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양성 계면활성제, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 분산제는 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르류, 폴리에틸렌글리콜디에스테르류, 소르비탄 지방상 에스테르류, 지방산 변성 폴리에스테르류, 3급 아민 변성 폴리우레탄류, 폴리에틸렌이민류, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 상기 분산제는 시판되는 것으로서, KP(신에쯔 가가꾸 고교㈜ 제조), 폴리플로우(POLYFLOW)(교에이샤 가가꾸㈜ 제조), 에프톱(EFTOP)(토켐 프로덕츠사 제조), 메가팩(MEGAFAC)(다이닛본 잉크 가가꾸 고교㈜ 제조), 플로라드(Flourad)(스미또모 쓰리엠㈜ 제조), 아사히가드(Asahi guard), 서플론(Surflon)(이상, 아사히 글라스㈜ 제조), 솔스퍼스(SOLSPERSE)(제네까㈜ 제조), EFKA(EFKA 케미칼스사 제조), PB 821(아지노모또㈜ 제조), 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 산화 방지제는 예를 들어, 2,2'-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있고, 상기 자외선 흡수제는 예를 들어, 2-(3-tert-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조티리아졸, 알콕시벤조페논, 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 첨가제의 함량은 상기 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여, 0.01 중량부 내지 10 중량부일 수 있다.
다른 측면에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물은 상기 양자점, 광중합성 단량체, 광중합 개시제, 바인더 수지, 및 용매를 공지의 교반기에 투입한 후, 실온에서 30분 내지 1 시간 동안 교반함으로써 제조될 수 있다. 이때, 감광성 수지 조성물의 원하는 물성을 얻기 위하여 선택적으로 첨가제가 더 포함될 수 있다.
상기 양자점, 광중합성 단량체, 광중합 개시제, 바인더 수지, 용매 및 첨가제에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 측면에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물을 열처리하여 필름이 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 필름은 용매를 포함하지 않을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 필름은 종래에 잘 알려진 방법을 통해 감광성 수지 조성물로부터 기판 상에서 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 필름은 (i) 상기 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 도포 공정; (ii) 도포된 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정; (iii) 용제가 제거된 수지 조성물을 활성 광선에 의해 패턴 형상으로 노광하는 노광 공정; (iv) 노광된 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정; 및 (v) 현상된 수지 조성물을 열처리하는 공정을 거쳐서 제작된다.
또 다른 측면에 따르면, 상기 필름을 포함하는 색변환 부재가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 색변환 부재(100)의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 색변환 부재(100)는 서로 다른 컬러 형성을 위한 제1 영역(C1), 제2 영역(C2) 및 제3 영역(C3)을 포함한다. 예를 들어, 외부로부터의 광(예를 들어, 청색광)이 색변환 부재(100)에 입사되면, 제1 영역(C1), 제2 영역(C2) 및 제3 영역(C3)에서 각각 적색광, 녹색광 및 청색광이 출사될 수 있다.
제1 영역(C1)은 입사광을 입사광의 파장보다 장파장 대역의 제1컬러의 광으로 변환하여 출사한다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1 영역은 복수개의 양자점을 포함하는 감광성 수지 조성물로부터 제조된 제1 필름(140)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 양자점에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 양자점은 상술한 바와 같이 외부로부터 광(예를 들어, 청색광)이 조사되는 경우 약 620 nm 내지 670 nm의 파장을 갖는 광(즉, 적색광)을 방출할 수 있으므로, 청색광이 제1 영역(C1)에 입사되면, 제1 필름(140)에 포함된 상기 양자점에 의해 청색광은 적색광으로 변환될 수 있다.
상기 제1 필름은 산란체를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 산란체에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 산란체는 제1 필름으로 입사되는 광을 산란시켜서, 제1 필름으로부터 방출되는 광의 정면 휘도 및 측면 휘도를 균일하게 할 수 있고, 이를 통해 색재현성을 높일 수 있다. 또한, 상기 산란체는 입사광을 산란시킴으로써, 입사광과 양자점의 접촉 효율을 높일 수 있고, 그 결과 광전환 효율이 향상된다.
다른 구현예에 다르면, 제1 영역(C1)에는 제1 필름(140)에서 색변환되지 않은 청색광이 제1 영역(C1)에서 출사되지 않도록 차단하는 제1 밴드 컷 필터(120)가 더 포함될 수 있다.
상기 제1 밴드 컷 필터(120)는 특정 대역을 갖는 광을 선택적으로 투과시키는 필터를 의미한다. 예를 들어, 상기 제1 밴드 컷 필터(120)는 특정 대역을 갖는 광을 투과시키고, 특정 대역을 벗어나는 광을 흡수 또는 반사시키기 위한 단일 층 또는 복수의 층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 밴드 컷 필터가 복수의 층을 포함하는 경우, 복수의 층들 각각은 서로 상이한 재료를 포함하고, 굴절률이 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 밴드 컷 필터(120)는 청색광을 흡수하고, 그 밖에 광을 투과시키는 옐로우 컬러 필터(Yellow color filter)일 수 있다.
제2 영역(C2)은 입사광을 입사광의 파장보다 장파장 대역의 제2컬러의 광으로 변환하여 출사한다.
일 구현예에 다르면, 상기 제2 영역(C2)는 복수개의 양자점을 포함하는 감광성 수지 조성물로부터 제조된 제2 필름(150)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 양자점에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 양자점은 외부로부터 광(예를 들어, 청색광)이 조사되는 경우 약 520 nm 내지 570 nm의 파장을 갖는 광(즉, 녹색광)을 방출할 수 있으므로, 청색광이 제2 영역(C2)에 입사되면, 제2 필름(150)에 포함된 상기 양자점에 의해 청색광은 녹색광으로 변환될 수 있다.
상기 제2 필름은 산란체를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 산란체에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. 상기 산란체는 제2 필름으로 입사되는 광을 산란시켜서, 제2 필름으로부터 방출되는 광의 정면 휘도 및 측면 휘도를 균일하게 할 수 있다. 또한, 상기 산란체는 입사광을 산란시킴으로써, 입사광과 양자점의 접촉 효율을 높일 수 있고, 그 결과 광전환 효율이 향상된다.
다른 구현예에 다르면, 제2 영역(C2)에는 제2 필름(150)에서 색변환되지 않은 청색광이 제2 영역(C2)에서 출사되지 않도록 차단하는 제1 밴드 컷 필터(120)가 더 포함될 수 있다.
제3 영역(C3)은 입사광을 산란시키는 산란체를 포함하는 제3 필름(160)을 포함한다. 제3 필름(160)은 입사된 청색광을 그대로 통과시키므로, 제3 영역(C3)에서는 청색광이 출사된다.
상기 산란체는 제3 필름으로 입사되는 광을 산란시켜서, 제3 필름으로부터 방출되는 광의 정면 휘도 및 측면 휘도를 균일하게 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 다른 측면에 따른 색변환 부재가 제공된다.
도 2를 참조하면, 입사광을 투과시키되 색변환된 광이 입사 방향으로 방출되는 것을 방지하기 위하여, 제1 필름(140), 제2 필름(150), 및 제3 필름(160)의 입사 방향 측 표면에 제2 밴드 컷 필터(170)를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 특정 대역을 갖는 광은 투과하고, 그 밖의 광은 반사하는 필터를 의미한다. 예를 들어, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 청색광은 투과하고, 녹색, 적색 광은 반사시킬 수 있는 필터일 수 있다. 상기 제2 밴드컷 필터를 제1 필름(140), 제2 필름(150), 및 제3 필름(160)의 입사 방향 측 표면에 구비함으로써, 양자점으로부터 입사 방향측으로 출사되는 색변환된 광을 반사시켜서 외부로 출광시킬 수 있다. 따라서, 상기 제2 밴드컷 필터(170)를 통해 광전환효율을 높일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 단일 층 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 제1층 및 제2층이 교번 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1층 저굴절률을 갖고, 상기 제2층은 고굴절률을 가질 수 있고, 그 반대의 경우도 가능하다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 Si 산화물, Si 탄산화물, Si 질화물 및 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1층은 Si 산화물, Si 탄산화물, Si 질화물을 포함할 수 있고, 상기 제2층은 Ti, Ta, Hf, 및 Zr의 산화물을 포함할 수 있다. 반대로, 상기 제1층은 Ti, Ta, Hf, 및 Zr의 산화물을 포함할 수 있고, 상기 제2층은 Si 산화물, Si 탄산화물, Si 질화물을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 Si 질화물 층 및 Si 산화물 층을 포함한다. 예를 들어, 상기 제2 밴드컷 필터(170)는 Si 질화물 층 및 Si 산화물 층이 교번 적층된 복수의 층을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 제1 영역(C1), 제2 영역(C2) 및 제3 영역 (C3)은 투명 기판(110) 상에 형성될 수 있고, 투명 기판(110) 상에는 각 화소 영역을 구획하기 위한 격벽(130)이 형성될 수 있다.
도 3 내지 5에 따르면, 상기 색변환 부재(1300, 1400, 1500) 및 표시장치(2300, 2400, 2500)를 포함하는 전자 장치가 제공된다.
일 구현예에 따르면, 상기 색변환 부재(1300, 1400, 1500)는, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 내용을 참조하고, 상기 표시장치로부터 출사된 입사광을 제1컬러의 광으로 변환하여 출사하는 제1 필름(1340); 상기 표시장치로부터 방출된 입사광을 제2컬러의 광으로 변환하여 출사하는 제2 필름(1350); 및 상기 표시장치로부터 방출된 입사광을 투과시키는 제3 필름(1360);을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 전자 장치는, 구체적으로 도시되지 않지만, 색변환 부재 상에 배치되며 상기 입사광과 동일 파장 영역의 광의 출사를 차단하는 제1 밴드 컷 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 밴드 컷 필터에 관한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1컬러는 적색광이고, 상기 제2컬러는 녹색광일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 전자 장치는, 구체적으로 도시되지 않지만, 상기 표시장치 및 상기 색변환 부재 사이에 배치되며 상기 색변환 부재로부터 표시장치 측으로 출사되는 광을 차단하는 제2 밴드 컷 필터를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 밴드 컷 필터에 관한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
일 구현예에 따르면, 상기 표시장치는 액정표시장치, 유기발광표시장치 또는 무기발광표시장치를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 표시장치는 액정표시장치를 포함하고, 상기 액정표시장치는 청색광을 방출하는 광원을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 액정표시장치(2300)는 액정층(2340), 박막트랜지스터(TFT) 어레이층(2330), 기판(2320), 및 청색광을 방출하는 광원 (2310)을 더 포함할 수 있다.
도시되지는 않지만, 액정층(2340) 및 색변환 부재(1300) 사이에는 공통전극이 제공될 수 있고, 액정층(2340) 및 박막트랜지스터 어레이층(2330) 사이에는 화소전극이 제공될 수 있다. 상기 액정층(2340)이 화소전극 및 공통전극 사이에 제공됨으로써, 화소전극 및 공통전극에 의해 형성되는 전기장에 의하여 액정분자가 일정 방향으로 정렬되어 빛을 차단하거나 통과시킴으로써, 광량을 조절하는 역할을 수행한다.
또한, 도시되지는 않지만, 액정층(2340) 및 공통전극 사이에는 제1배향막이 제공될 수 있고, 상기 액정층 및 상기 화소전극 사이에는 제2배향막이 제공될 수 있다.
상기 제1 및 제2 배향막은 액정분자를 균일하게 배향시키는 역할을 담당하고 있다. 상기 배향막은 당해 분야에서 널리 알려진 물질로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배향막은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
또한, 박막트랜지스터 어레이층은, 도시되지는 않지만, 다수의 트랜지스터, 다수의 트랜지스터 각각에 게이트 신호, 데이터 신호를 각각 인가하기 위한 게이트 배선, 데이터 배선을 포함할 수 있으며, 상기 박막트랜지스터 상에는 패터닝된 화소전극이 제공될 수 있다. 화소 전극은 박막트랜지스터 어레이층에 형성된 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 데이터 전압을 인가 받는다.
또한, 도시되지는 않지만, 공통전극과 색변환 부재(1300) 사이에 제1편광판이 제공될 수 있다.
상기 제1편광판은 와이어 그리드 편광판(WGP; wire-grid polarizer)일 수 있다. 상기 와이어 그리드 편광판은 평행하게 배치되어 있는 미세 금속 와이어들의 규칙적인 어레이로 구성될 수 있다. 상기 와이어 그리드 편광판은 금속 격자와 평행한 편광 성분은 반사하고 수직한 편광 성분은 투과시키되 반사된 광을 재사용함으로써, 고효율 및 고휘도를 제공할 수 있다. 또한, 상기 제1편광판은 폴리머 재료로 형성된 박막일 수 있다.
또한, 도시되지는 않지만, 상기 광원(2310) 및 기판(2320) 사이에 제2편광판이 더 제공될 수 있다.
상기 기판(2320)은 글래스 또는 투명 플라스틱 등 다양한 소재로 형성될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 기판(2320)은 플렉서블 소재의 기판을 포함할 수 있다.
상기 광원(2310)은 청색광을 방출하는 백라이트 유닛일 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 표시장치는 청색광을 방출하는 유기발광표시장치(2400)일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 표시장치는 유기발광표시장치를 포함하고, 상기 유기발광표시장치는 유기발광소자를 포함하고, 상기 유기발광소자는 유기 화합물을 포함하고, 청색광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다.
상기 유기발광표시장치(2400)는 청색광을 방출하는 발광층(2410), 박막트랜지스터(TFT) 어레이층(2430), 및 기판(2420)을 포함할 수 있다.
상기 박막트랜지스터 어레이층(2430) 및 기판(2420)에 관한 설명은 전술한 바를 참조한다.
상기 박막트랜지스터 어레이층(2430) 및 색변환 부재(1400) 사이에는 청색광을 방출하는 발광층(2410)을 포함하는 유기발광소자가 포함될 수 있다. 상기 유기발광소자는, 구체적으로 도시되지는 않지만, 제1전극; 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 제1전극 및 제2전극 사이에 배치되고, 발광층(2410)을 포함하는 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치되고 정공 주입층, 정공 수송층, 버퍼층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함한 정공 수송 영역 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 배치되고 정공 저지층, 버퍼층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함한 전자 수송 영역을 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 유기발광소자는 2개 이상의 발광층을 포함하는 유기층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기발광소자는 제1전극 및 제2전극 사이에, 정공수송층, 발광층, 및 전자수송층을 포함하는 발광 유닛을 2개 이상 포함하는 유기층을 포함할 수 있다. 상기 2개 이상의 발광 유닛들 사이에 전하 생성층(Charge generation layere; CGL)이 더 포함될 수 있다.
도 4에 따른 전자 장치는 기판으로부터 색변환 부재에 이르기까지 순차적 적층 공정에 의하여 제작될 수 있다. 이를 통해, 기판 상에 색변환 부재를 제작하는 공정을 생략할 수 있으므로, 공정이 단순해지는 이점이 있다.
다른 구현예에 따르면, 도 5를 참조하면, 기판(1510) 상에 색변환 부재를 별도로 제작한 후, 유기발광표시장치 상에 색변환 부재를 접합시키는 공정에 의해 전자 장치가 제작될 수 있다. 도 5에 도시된 색변환 부재 및 표시 장치에 관한 내용은 도 4에서의 설명을 참조한다.
다른 구현예에 따르면, 상기 표시장치는 무기발광표시장치를 포함하고, 상기 무기발광표시장치는 무기발광소자를 포함하고, 상기 무기발광소자는 무기 화합물을 포함하고, 청색광을 방출하는 무기 발광층을 포함할 수 있다.
상기 도 4 및 도 5에서는 표시장치의 일 구현예로서 유기발광표시장치를 설명하였으나, 무기 화합물, 예를 들어 무기 형광체 또는 양자점 등을 포함하는 무기 발광층(2410, 2510)을 포함하는 무기발광소자가 유기발광소자 대신에 사용될 수 있다. 이 때, 도 4 및 도 5에 대한 설명은 유기발광소자 대신에 무기발광소자가 사용된 점을 제외하고는 동일하게 적용된다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 감광성 수지 조성물 및 색변환 부재에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
[실시예]
<감광성 수지 조성물의 제조>
제조예 1 (QD 33 wt%, TiO2 11.5 wt%)
양자점 무기입자 InZnP/ZnSeS 33 wt%, 광중합성 단량체(Kayarad DPHA) 0.9 wt%, 광중합 개시제(Irgacure 369) 0.2 wt%, 산란체(TiO2) 11.5 wt%, 바인더 수지(알칼리 가용성 수지) 1.39 wt%, 및 용매(PGME) 6.67 wt%를 교반기에 첨가하고, 교반하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 2
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 35 wt% 및 TiO2의 함량을 8 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 3
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 35 wt% 및 TiO2의 함량을 15 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 4
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 40 wt% 및 TiO2의 함량을 6.5 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 5
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 40 wt% 및 TiO2의 함량을 11.5 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 6
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 40 wt% 및 TiO2의 함량을 16.5 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 7
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 45 wt% 및 TiO2의 함량을 8 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 8
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 45 wt% 및 TiO2의 함량을 15 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 9
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 47 wt% 및 TiO2의 함량을 11.5 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 10
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 40 wt% 및 TiO2의 함량 25 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조예 11
감광성 수지 조성물의 제조시에, 양자점의 함량을 40 wt% 및 TiO2의 함량 1 wt%로 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
평가예 1: 양자점의 광 흡수율 평가
레퍼런스 광 스펙트럼의 제조
양자점의 광 흡수율 평가에 앞서, 레퍼런스 데이터를 얻기 위하여, 양자점 무기입자를 포함하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 제조한 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 유리 기판 위에 도포한 다음, 100℃에서 3분간 건조하여 박막을 형성하였다
상기 박막을 QE-2100(오츠카전자社)에 위치시킨 뒤, 여기 광원을 조사하여, 레퍼런스 여기 광 스펙트럼을 얻었다.
실시예 1
상기 제조예 1에서 얻은 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 유리 기판 위에 도포한 다음, 100℃에서 3분간 건조하여 박막을 형성하였다
상기 박막을 QE-2100(오츠카전자社)에 위치시킨 뒤, 여기 광원을 조사한 후, 광 스펙트럼을 얻었다.
실시예 2 내지 9
제조예 1의 감광성 수지 조성물 대신에, 제조예 2 내지 9에서 얻은 감광성 수지 조성물을 사용하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.
비교예 1 내지 2
제조예 1의 감광성 수지 조성물 대신에, 제조예 10 내지 11에서 얻은 감광성 수지 조성물을 사용하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.
광 흡수율의 평가
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 2에서 얻은 광 스펙트럼에서, 레퍼런스 여기 광 스펙트럼과 동일 파장대역에서의 피크는 흡수된 광자에 의한 것이며, 레퍼런스 여기 광 스펙트럼에 존재하지 않는 피크는 광 변환된 광자에 의한 피크이다. 따라서, 레퍼런스 광 스펙트럼 및 실시예 1 내지 9에서 얻은 광 스펙트럼에서, 흡수된 광자에 의한 피크의 면적을 비교하여 광 흡수율을 계산할 수 있다. 결과는 하기 표 1에서 보여진다.
No 재료
(A+B)		 A (wt%) B (wt%) 흡수율
실시예 1 양자점 + TiO2 33 11.5 83.1
실시예 2 양자점 + TiO2 35 8 79
실시예 3 양자점 + TiO2 35 15 86.9
실시예 4 양자점 + TiO2 40 6.5 82.3
실시예 5 양자점 + TiO2 40 11.5 87.1
실시예 6 양자점 + TiO2 40 16.5 92.0
실시예 7 양자점 + TiO2 45 8 86.0
실시예 8 양자점 + TiO2 45 15 91.3
실시예 9 양자점 + TiO2 47 11.5 89.9
비교예 1 양자점 + TiO2 40 25 63.5
비교예 2 양자점 + TiO2 40 1 15
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 감광성 수지 조성물 내에 양자점 및 산란체의 함량을 조절함에 따라 양자점에 의한 광 흡수율이 변화하였으며, 전반적으로 흡수율은 산란체의 함량의 증가에 따라 함께 상승하는 것을 알 수 있다.
평가예 2: 색변환 부재의 발광 전환율 시뮬레이션 평가
실시예 10
Custom code with Python 2.7을 이용하는, Ray tracing 기반의 Monte Carlo 기법에 TiO2 Mie 산란 및 저굴절 재료(박막 투과율)를 결합한 후, 백라이트 유닛을 실제 스펙트럼으로 근사 한 후 임의 분포(random distribution)로 정의하였으며, TiO2 산란을 Mie 산란 과정 후 광자 산란각을 임의 분포로 정의하였다.
양자점, 양자수율 및 흡수 스펙트럼, 양자점과 TiO2의 농도, 양자점 감광 수지 조성물을 포함한 박막의 두께, 밴드컷필터의 투과 스펙트럼, 각 층의 굴절율을 변수로 설정하였다.
상기 색변환 부재의 발광 전환율 시뮬레이션의 결과는 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막을 채용한 컬러필터의 굴절률 대비 광 전환율로서, 도 7에서 보여진다. 상기 굴절률은 도 8에서 보는 바와 같이, Vegard 법칙에 따라 굴절률 2.8의 산란체의 추가에 따른 굴절률의 변화를 나타낸 그래프로부터 계산되었다.
도 7에서 보는 바와 같이, 감광성 수지 조성물을 포함하는 박막의 굴절률(RI)의 증가에 따라, 정면 광자 전환율은 증가하고, 후면 광자 전화율은 감소하는 경향을 보인다. 즉, 감광성 수지 조성물의 굴절률 상승으로부터 정면 발광 효율의 증가 및 정면 발광 휘도의 향상을 기대할 수 있다.
이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 구현예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 구현예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100, 1300, 1400, 1500: 색변환 부재
110, 1310, 1510: 상부기판 2320, 2420, 2520: 하부기판
120: 제1 밴드 컷 필터 170: 제2 밴드 컷 필터
130: 격벽
140, 1340, 1440, 1540: 제1 필름 C1: 제1 영역
150, 1350, 1450, 1550: 제2 필름 C2: 제2 영역
160, 1360, 1460, 1560: 제3 필름 C3: 제3 영역
2300: 액정표시장치 2400, 2500: 발광표시장치
2310: 광원 2410, 2510: 발광층
2330, 2430, 2530: TFT 어레이층
2340: 액정층

Claims (20)

  1. 복수개의 양자점;
    광중합성 단량체;
    광중합 개시제;
    100 내지 300 nm 입경을 갖는 산란체;
    바인더 수지; 및
    용매를 포함하고,
    상기 산란체의 함량은 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 20중량부이고,
    상기 양자점 및 산란체의 함량비는 중량기준으로 2:1 내지 6.15:1인, 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산란체가 입경이 서로 상이한 복수의 무기 입자를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산란체가 입경이 서로 상이한 복수의 무기 입자를 포함하고,
    상기 복수의 무기 입자가 굴절률이 1.5를 초과하는, 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 산란체가 BiFeO3, Fe2O3, WO3, TiO2, SiC, BaTiO3, ZnO, ZrO2, ZrO, Ta2O5, MoO3, TeO2, Nb2O5, Fe3O4, V2O5, Cu2O, BP, Al2O3, In2O3, SnO2, Sb2O3, 및 ITO 에서 선택된 임의의 하나 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양자점이 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합, 및 이들의 합금 중에서 1 종 이상을 포함하고,
    상기 양자점이 코어 및 상기 코어를 덮는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조인, 감광성 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 코어는 CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdTe, CdSeS, CdSeTe, CdZnS, CdZnSe, GaN, GaP, GaAs, GaInP, GaInN, InP, InAs 및 ZnO 중 선택된 1종 이상의 화합물 또는 이들의 합금을 포함하고,
    상기 쉘은 CdS, CdSe, ZnSe, ZnS, ZnSeS, ZnTe, CdTe, CdO, ZnO, InP, GaN, GaP, GaInP, GaInN, HgS 및 HgSe 중 선택된 1종 이상의 화합물 또는 이들의 합금을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 양자점의 입경은 3 nm 내지 20 nm인, 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 양자점의 함량이 감광성 수지 조성물의 총 함량 100 중량부에 대하여 20 중량부 내지 60 중량부인, 감광성 수지 조성물.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광중합성 단량체는 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트,　비스페놀A 에폭시(메타)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 감광성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광중합 개시제가 옥심계 화합물, 아세토페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조페논계 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 감광성 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 용매는 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 2-히드록시에틸 프로피오네이트, 디에틸렌 글리콜 모노메틸, 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 감광성 수지 조성물.
  14. 제1항 내지 제8항 및 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물을 열처리하여 제조된 필름.
  15. 제14항에 따른 필름을 포함하는, 색변환 부재.
  16. 제15항에 따른 색변환 부재 및 표시장치를 포함하는, 전자 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 표시장치는 액정표시장치, 유기발광표시장치 또는 무기발광표시장치를 포함하는, 전자 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 표시장치는 액정표시장치를 포함하고,
    상기 액정표시장치는 청색광을 방출하는 광원을 포함하는, 전자 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 표시장치는 유기발광표시장치를 포함하고,
    상기 유기발광표시장치는 유기발광소자를 포함하고,
    상기 유기발광소자는 유기 화합물을 포함하고, 청색광을 방출하는 유기 발광층을 포함하는, 전자 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 표시장치는 무기발광표시장치를 포함하고,
    상기 무기발광표시장치는 무기발광소자를 포함하고,
    상기 무기발광소자는 무기 화합물을 포함하고, 청색광을 방출하는 무기 발광층을 포함하는, 전자 장치.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114365583A (zh) * 2019-09-20 2022-04-15 夏普株式会社 显示装置以及显示装置的制造方法
WO2021066455A1 (ko) * 2019-10-04 2021-04-08 동우 화인켐 주식회사 색변환 패널
TW202117419A (zh) * 2019-10-24 2021-05-01 友輝光電股份有限公司 量子點複合膜及其製造方法
EP3819354B1 (en) 2019-11-08 2023-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Inznp/znse/zns quantum dots and composite and display device including the same
CN110989296A (zh) * 2019-12-19 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 量子点光刻胶及其制备方法、显示基板和显示装置
JP2021105710A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 住友化学株式会社 感光性組成物
KR20210131504A (ko) 2020-04-23 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111554523B (zh) * 2020-05-18 2021-11-30 江苏理工学院 一种BiFeO3-MoO2复合材料及其制备方法和应用
KR20210153170A (ko) * 2020-06-09 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102414880B1 (ko) * 2020-06-12 2022-06-30 전북대학교산학협력단 양자점 분산 반응성 콜레스테릭 액정 조성물 및 이의 광학필름
CN111995997B (zh) * 2020-08-05 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光学薄膜的制备方法及光学薄膜
KR20220083909A (ko) * 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112666751B (zh) 2020-12-25 2023-07-18 厦门扑浪半导体有限公司 一种量子点显示面板及其制备方法、显示装置
KR102598243B1 (ko) 2021-02-25 2023-11-03 동우 화인켐 주식회사 화상표시장치용 격벽, 이를 제조하는 방법 및 상기 격벽을 포함하는 화상표시장치
US20230197749A1 (en) * 2021-12-22 2023-06-22 Visera Technologies Company Ltd. Light diffuser, image sensor package having the same, and manufacturing method thereof
US20230229087A1 (en) * 2022-01-19 2023-07-20 Nanosys, Inc. Uv-curable quantum dot formulations

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130242241A1 (en) 2010-09-17 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Light diffusing film, polarizing plate with light diffusing film, liquid crystal display device, and lighting equipment
US20140357809A1 (en) 2012-03-21 2014-12-04 Teijin Limited Light-diffusing resin compostion
US20170329057A1 (en) 2014-10-24 2017-11-16 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Light diffusion film

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101811103B1 (ko) * 2015-08-11 2018-01-25 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 컬러필터 및 상기 컬러필터를 구비한 화상표시장치
EP3147708B1 (en) * 2015-08-21 2018-11-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive compositions, preparation methods thereof and quantum dot polymer composite prepared therefrom
KR102618409B1 (ko) * 2015-12-23 2023-12-27 삼성전자주식회사 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130242241A1 (en) 2010-09-17 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Light diffusing film, polarizing plate with light diffusing film, liquid crystal display device, and lighting equipment
US20140357809A1 (en) 2012-03-21 2014-12-04 Teijin Limited Light-diffusing resin compostion
US20170329057A1 (en) 2014-10-24 2017-11-16 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Light diffusion film

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