KR102505269B1 - Apparatus and method for cleaning the thermoelectric material by using ipa - Google Patents

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Abstract

본 발명은, IPA를 이용한 열전소재 세척 장치 및 방법을 개시한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 밀폐 가능한 개폐장치를 포함하는 용기; IPA 용액을 기 설정된 온도로 가열하는 히터; 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기를 냉각시키는 냉각기; 및 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 승강하는 승강기를 포함하고, 상기 IPA 용액 및 IPA 증기가 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 1차 세척하고, 상기 IPA 증기가 냉각됨에 따라 발생한 IPA 액체가 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 2차 세척하며 상기 IPA 용액으로 회수되는 것을 특징으로 하는, IPA를 이용한 열전소재 세척 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 일 측면에 의하면, IPA 용액이 기 설정된 온도로 가열되는 단계; 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 용액 내에 위치하여 기 설정된 시간동안 1차 세척된 후 승강기에 의해 상부로 이동되는 단계; 상부로 이동된 상기 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기에 의해 2차 세척되는 단계; 상승한 상기 IPA 증기가 냉각기에 의해 IPA 액체로 냉각되는 단계; 및 상기 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 액체에 의해 3차 세척되고, 상기 IPA 액체는 상기 IPA 용액으로 회수되는 단계를 포함하는, IPA를 이용한 열전소재 세척 방법을 제공한다.
The present invention discloses a thermoelectric material cleaning apparatus and method using IPA.
According to one aspect of the present invention, a container including a sealable opening and closing device; A heater for heating the IPA solution to a preset temperature; a cooler for cooling the IPA vapor generated as the IPA solution is heated; and an elevator that lifts the plate on which the at least one thermoelectric material is mounted, wherein the IPA solution and IPA vapor primarily wash the surface of the at least one thermoelectric material, and as the IPA vapor is cooled, the IPA liquid generated It provides a thermoelectric material cleaning device using IPA, characterized in that the surface of the at least one thermoelectric material is washed secondarily and recovered as the IPA solution.
In addition, according to another aspect of the present invention, the IPA solution is heated to a predetermined temperature; at least one thermoelectric material being placed in the IPA solution, washed first for a predetermined time, and then moved upward by an elevator; secondarily washing the at least one thermoelectric material moved upward with IPA vapor generated as the IPA solution is heated; cooling the rising IPA vapor to IPA liquid by a cooler; and thirdly washing the at least one thermoelectric material with the IPA liquid and recovering the IPA liquid as the IPA solution.

Description

IPA를 이용한 열전소재 세척 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING THE THERMOELECTRIC MATERIAL BY USING IPA}Thermoelectric material cleaning device and method using IPA {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING THE THERMOELECTRIC MATERIAL BY USING IPA}

본 발명은 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric material cleaning apparatus and method using IPA.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다. The contents described in this part merely provide background information on the present embodiment and do not constitute prior art.

열전소재란 열과 전기의 상호작용으로 나타나는 각종 효과를 이용한 열전소자(Thermoelectric module)에 사용되는 소재로, 열전소재는 경도가 모스 경도(Mohs Hardness)가 3경도에 해당할 정도로 낮고 잘 깨지는 특성을 가지고 있다. A thermoelectric material is a material used in a thermoelectric module using various effects resulting from the interaction of heat and electricity. there is.

일반적으로, 열전소재를 상품화하기 위하여는 다양한 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질, 작은 입자(Particles), 오염물질(Contaminants) 등을 제거하기 위하여 열전소재를 세척하는 공정이 필요하다. In general, in order to commercialize a thermoelectric material, a process of washing the thermoelectric material is required to remove residual materials, small particles, and contaminants generated during various manufacturing processes.

기존에는 열전소재를 초음파 물 세척 후 온수에 중탕한 뒤 건조 오븐(Oven)에서 건조하는 방식으로 열전소재를 세척하였으나 이러한 세척 과정에서는 물 얼룩(Water Mark) 및 작은 입자의 잔류가 불가피하였다. Conventionally, the thermoelectric material was cleaned by washing the thermoelectric material with ultrasonic water, soaking it in hot water, and then drying it in a drying oven, but water marks and small particle residues were unavoidable in this cleaning process.

이러한 기존 열전소재의 세척 공정의 문제를 해결하기 위하여 기존의 초음파 및 온수로 세척하고, 오븐으로 건조하는 방식을 IPA를 이용하여 세척 후 건조하는 방식으로 변경하여 세정 공정을 개선하고자 한다.In order to solve the problem of the cleaning process of the existing thermoelectric materials, the cleaning process is improved by changing the existing method of washing with ultrasonic waves and hot water and drying in an oven to a method of washing and drying using IPA.

본 발명의 일 실시예는 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치 및 방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.An object of one embodiment of the present invention is to provide a thermoelectric material cleaning device and method using IPA.

본 발명의 일 측면에 의하면, 밀폐 가능한 개폐장치를 포함하는 용기; IPA 용액을 기 설정된 온도로 가열하는 히터; 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기를 냉각시키는 냉각기; 및 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 승강하는 승강기를 포함하고, 상기 IPA 용액 및 IPA 증기가 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 1차 세척하고, 상기 IPA 증기가 냉각됨에 따라 발생한 IPA 액체가 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 2차 세척하며 상기 IPA 용액으로 회수되는 것을 특징으로 하는, IPA를 이용한 열전소재 세척 장치를 제공한다. According to one aspect of the present invention, a container including a sealable opening and closing device; A heater for heating the IPA solution to a preset temperature; a cooler for cooling the IPA vapor generated as the IPA solution is heated; and an elevator that lifts the plate on which the at least one thermoelectric material is mounted, wherein the IPA solution and IPA vapor primarily wash the surface of the at least one thermoelectric material, and as the IPA vapor is cooled, the IPA liquid generated It provides a thermoelectric material cleaning device using IPA, characterized in that the surface of the at least one thermoelectric material is washed secondarily and recovered as the IPA solution.

본 발명의 일 측면에 의하면, IPA 용액이 기 설정된 온도로 가열되는 단계; 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 용액 내에 위치하여 기 설정된 시간동안 1차 세척된 후 승강기에 의해 상부로 이동되는 단계; 상부로 이동된 상기 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기에 의해 2차 세척되는 단계; 상승한 상기 IPA 증기가 냉각기에 의해 IPA 액체로 냉각되는 단계; 및 상기 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 액체에 의해 3차 세척되고, 상기 IPA 액체는 상기 IPA 용액으로 회수되는 단계를 포함하는, IPA를 이용한 열전소재 세척 방법을 제공한다. According to one aspect of the present invention, the IPA solution is heated to a predetermined temperature; at least one thermoelectric material being placed in the IPA solution, washed first for a predetermined time, and then moved upward by an elevator; secondarily washing the at least one thermoelectric material moved upward with IPA vapor generated as the IPA solution is heated; cooling the rising IPA vapor to IPA liquid by a cooler; and thirdly washing the at least one thermoelectric material with the IPA liquid and recovering the IPA liquid as the IPA solution.

이상에서 설명한 바와 같이, 열전소재는 경도가 낮고 잘 깨지는 특성이 있기 때문에 기존의 세정 방식에 의해서는 스크래치나 얼룩이 완벽하게 제거되지 않으나, 본 발명의 일 측면에 따르면, 열전소재에 남아 있는 물 얼룩 및 미세입자(Micro-Particle)까지 완벽하게 제거할 수 있다. 이에 따라, 이물질의 잔류로 인한 불량율을 낮춰 생산수율을 향상시키는 장점이 있다. As described above, since the thermoelectric material has low hardness and brittle characteristics, scratches or stains are not completely removed by conventional cleaning methods. However, according to an aspect of the present invention, water stains and stains remaining on the thermoelectric material It can completely remove even micro-particles. Accordingly, there is an advantage of improving the production yield by lowering the defect rate due to the residual of foreign matter.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 열전소재를 IPA 용액에 기 설정된 시간 동안 노출시킴으로써 1차적으로 세척한 뒤, IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기로 2차 세척하고, IPA 증기가 냉각됨에 따라 발생한 IPA 액체로 열전소재를 3차 세척하여 보다 완벽하게 열전소재를 세척하는 장점이 있다. In addition, according to one aspect of the present invention, the thermoelectric material is firstly washed by exposing the thermoelectric material to the IPA solution for a predetermined time, then secondarily washed with IPA vapor generated as the IPA solution is heated, and as the IPA vapor is cooled It has the advantage of cleaning the thermoelectric material more completely by washing the thermoelectric material 3rd time with the generated IPA liquid.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 열전소재를 세척한 IPA 증기를 냉각시켜 다시 회수하여 사용하기 때문에 폐수를 절감하여 환경을 보호하는 장점이 있다. In addition, according to one aspect of the present invention, there is an advantage in protecting the environment by reducing wastewater because the IPA vapor washed with the thermoelectric material is cooled and recovered and used again.

또한, 온수와 초음파를 이용하여 열전소재를 세척한 뒤 젖은 열전소재를 오븐에 넣어 말리는 기존의 열전소재의 세척방법과 달리, 본 발명의 일 측면에 따르면, IPA를 이용하여 세척하고 건조하는 과정이 한 장치 내에서 이루어지기 때문에 공정 비용 및 공정 시간이 절감되는 장점이 있다.In addition, unlike the conventional method of cleaning a thermoelectric material in which the thermoelectric material is washed using hot water and ultrasonic waves and then placed in an oven to dry, according to one aspect of the present invention, the washing and drying process using IPA is performed. Since it is performed within one device, there is an advantage in that process cost and process time are reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 IPA 용액이 열전소재를 세척하는 과정을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 열전소재가 탑재된 플레이트를 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 방법을 설명하는 순서도이다.
1 is a diagram illustrating a thermoelectric material cleaning apparatus using IPA according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a process of washing a thermoelectric material with an IPA solution according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a plate on which a thermoelectric material is mounted according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of cleaning a thermoelectric material using IPA according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention. Like reference numerals have been used for like elements throughout the description of each figure.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. The terms and/or include any combination of a plurality of related recited items or any of a plurality of related recited items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no intervening element exists.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. It should be understood that terms such as "include" or "having" in this application do not exclude in advance the possibility of existence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification. .

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호 간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다. In addition, each configuration, process, process or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range that does not contradict each other technically.

연마 공정이 완료된 열전소재를 사용하기 위해서 기존에는 초음파 물 세척 후 온수에 중탕하고 건조 오븐에서 건조하던 방식으로 열전소재를 세척하였으나 이러한 세척과정 이후에는 물 얼룩이 남게 되고, 물 얼룩을 제거하는 과정에서 스크래치가 발생하여 공정 시간 및 비용이 증가하는 문제가 있었다. Conventionally, in order to use a thermoelectric material after the polishing process, the thermoelectric material was washed in a hot water bath and then dried in a drying oven after ultrasonic water cleaning, but water stains remain after this cleaning process, and scratches in the process of removing the water stain occurred, resulting in increased process time and cost.

따라서, 이를 개선하기 위하여 IPA를 가열하여 그 증기(Vapor)를 이용한 열전소재의 세척 장치 및 방법을 소개하고자 한다. 여기에서, IPA는 이소프로필 알코올(Iso-Propyl Alcohol)의 약자로 공업용 용제(잉크 및 도료) 및 전자용 반도체, LCD의 세정제로 사용되는 물질로 이하, IPA라 한다. Therefore, in order to improve this, an apparatus and method for cleaning a thermoelectric material using vapor by heating IPA will be introduced. Here, IPA is an abbreviation of Iso-Propyl Alcohol, and is a substance used as an industrial solvent (ink and paint) and a cleaner for electronic semiconductors and LCDs, and is hereinafter referred to as IPA.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치를 설명하는 도면이다. 1 is a diagram illustrating a thermoelectric material cleaning apparatus using IPA according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치(100)는 용기(110), 개폐장치(120), 히터(130), 냉각기(140), 승강기(150), 플레이트(160) 및 열전소재(170)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, a thermoelectric material cleaning apparatus 100 using IPA according to an embodiment of the present invention includes a container 110, an opening/closing device 120, a heater 130, a cooler 140, and an elevator 150. , The plate 160 and the thermoelectric material 170 may be included.

여기에서, 용기(110)는 밀폐 가능한 개폐장치(120)를 포함할 수 있다. 용기(110)는 개폐장치(120)를 통해 쉽게 제품을 로딩(loading), 언로딩(unloading)할 수 있다. 또한, 용기(110)는 개폐장치(120)를 통해 용기(110) 내를 밀폐할 수 있다. 이에 따라, 열전소재는 대기에 접촉하지 않은 상태로 IPA만을 이용하여 세척 후 건조되기 때문에 물 얼룩이 없고 입자가 없는 깨끗한 상태로 생산될 수 있다. Here, the container 110 may include a sealable opening/closing device 120 . The container 110 can easily load and unload products through the opening and closing device 120 . In addition, the container 110 may seal the inside of the container 110 through the opening and closing device 120 . Accordingly, since the thermoelectric material is washed and dried using only IPA without contacting the air, it can be produced in a clean state without water stains and particles.

또한, 용기(110)의 크기는 예를 들어 가로 600mm, 세로 600mm로 제작될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치(100)는 그 크기를 용기(110)보다 조금 큰 가로 700mm, 세로 700mm 정도로 제작할 수 있어 중소기업에서 쉽게 범용으로 이용할 수 있다. In addition, the container 110 may have a size of, for example, 600 mm in width and 600 mm in length. That is, the thermoelectric material washing device 100 using IPA according to an embodiment of the present invention can be manufactured to a size of about 700 mm in width and 700 mm in length, which is slightly larger than the container 110, so that it can be easily used universally by small and medium-sized businesses.

히터(130)는 IPA 용액을 기 설정된 온도로 가열할 수 있다. 이때, 히터(130)는 용기(110) 내 하부에 설치되어 IPA 용액의 온도를 섭씨 0도에서 200도까지 가열할 수 있다. 또한, 히터(130)의 크기는 용기(110) 내 설치될 수 있는 크기로 예를 들어 가로 400mm, 세로 400mm로 제작될 수 있다. The heater 130 may heat the IPA solution to a preset temperature. At this time, the heater 130 is installed in the lower portion of the vessel 110 to heat the temperature of the IPA solution from 0 degrees Celsius to 200 degrees Celsius. In addition, the size of the heater 130 is a size that can be installed in the container 110, for example, 400mm in width and 400mm in height.

본 발명의 일 실시예에서, 히터(130)는 IPA 용액을 섭씨 80도에서 90도 사이로 가열할 수 있다. 이때, 기 설정된 온도는 실험 데이터에 의하여 생산수율을 최대로 하기 위한 온도에 해당할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the heater 130 may heat the IPA solution to between 80 and 90 degrees Celsius. In this case, the preset temperature may correspond to a temperature for maximizing production yield according to experimental data.

보다 상세하게는, 순수 IPA의 초기 끓는점은 섭씨 82.3도이나 순수 IPA만을 사용하는 것은 공정비용에 효율적이지 않기 때문에 물을 섞어 IPA 용액을 만들어 세척과정에 사용할 수 있다. 이때, IPA 용액에 있어서 IPA의 비율은 10%에서 50% 사이로 설정할 수 있으며, 이 역시 실험 데이터에 의하여 생산수율을 최대로 하기 위한 비율에 해당할 수 있다. More specifically, the initial boiling point of pure IPA is 82.3 degrees Celsius, but since using only pure IPA is not efficient in terms of process cost, it can be mixed with water to make an IPA solution and used in the washing process. At this time, the ratio of IPA in the IPA solution can be set between 10% and 50%, which may also correspond to the ratio to maximize the production yield according to the experimental data.

냉각기(140)은 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기를 냉각시킬 수 있다. 이때, 냉각기(140)은 용기(110) 측면에 설치되어 IPA 증기를 IPA 액체로 냉각시킬 수 있다. 또한, 냉각기(140)의 크기는 용기(110) 내 설치될 수 있는 크기로 예를 들어 가로 500mm, 세로 500mm로 제작될 수 있다. The cooler 140 may cool the IPA vapor generated as the IPA solution is heated. At this time, the cooler 140 may be installed on the side of the container 110 to cool the IPA vapor into the IPA liquid. In addition, the size of the cooler 140 may be manufactured to a size that can be installed in the container 110, for example, 500 mm in width and 500 mm in length.

본 발명의 일 실시예에서, 냉각기(140)은 섭씨 5도 이하를 유지하여 IPA 증기를 IPA 액체로 빠르게 냉각시킬 수 있다. 이때, 냉각기(140)의 유지 온도는 역시 실험 데이터에 의하여 생산수율을 최대로 하기 위한 온도에 해당할 수 있다. In one embodiment of the present invention, chiller 140 can rapidly cool IPA vapor to IPA liquid by maintaining below 5 degrees Celsius. At this time, the maintenance temperature of the cooler 140 may also correspond to a temperature for maximizing the production yield according to experimental data.

또한, 냉각기(140)는 IPA 용액이 히터(130)에 의해 가열되어 IPA 증기로 증발되어 상승하면, 이를 냉각시켜 IPA 액체로 변화시킬 수 있다. 즉, 냉각기(140)은 IPA 용액으로부터 가열된 IPA 증기를 액체로 냉각시켜 IPA 용액으로 다시 시킬 수 있다. 이를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치를 사용하는 기업은 IPA의 소모량을 극소화할 수 있다. In addition, when the IPA solution is heated by the heater 130 and evaporated into IPA vapor, the cooler 140 may cool it and change it to IPA liquid. That is, the cooler 140 may cool the IPA vapor heated from the IPA solution into a liquid and turn it into an IPA solution again. Through this, a company using the thermoelectric material cleaning device using IPA according to an embodiment of the present invention can minimize IPA consumption.

또한, 냉각기(140)은 내부에 전기나 물 등의 냉각재를 보내 용기의 내용물을 냉각시키는 것으로 도면에는 코일 모양으로 도시되어 있으나 다른 형태로 구현 가능함은 물론이다. In addition, the cooler 140 cools the contents of the container by sending a coolant such as electricity or water therein, and is shown in a coil shape in the drawing, but can be implemented in other forms, of course.

승강기(150)는 적어도 하나의 열전소재(170)가 탑재된 플레이트(160)를 승강시킬 수 있다. 이때, 승강기(150)는 용기(110) 내에 위치하여 적어도 하나의 열전소재(170) 상하부로 이동시키는 기능을 수행할 수 있다. The elevator 150 may lift the plate 160 on which at least one thermoelectric material 170 is mounted. At this time, the elevator 150 may perform a function of moving the at least one thermoelectric material 170 up and down by being located in the container 110 .

본 발명의 일 실시예에서, 승강기(150)는 적어도 하나의 열전소재(170)가 탑재된 플레이트(160)를 IPA 용액 내 하부에 위치시켜 기 설정된 시간동안 적어도 하나의 열전소재(170)를 IPA 용액에 세척시킨 후 상부로 이동시켜 열전소재(170)가 건조되도록 할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the elevator 150 places the plate 160 on which at least one thermoelectric material 170 is mounted in the lower part of the IPA solution to inject the at least one thermoelectric material 170 into the IPA solution for a predetermined time. After being washed in the solution, the thermoelectric material 170 may be dried by moving it upward.

또한, 승강기(150)는 볼 스크루(ball screw) 형식을 채택하여 자동화 제어가 가능하도록 제작될 수 있다. 이때, 볼 스크루의 스트로크(stroke)는 400mm가 넘도록 제작될 수 있다. In addition, the elevator 150 may be manufactured to enable automation control by adopting a ball screw type. At this time, the stroke of the ball screw may be manufactured to exceed 400 mm.

또한, 승강기(150)는 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치(100)가 장입된 후 세척시와 건조시의 유지시간, 유지온도 및 분리 등 최적화된 공정 스케쥴에 따라 자동으로 움직일 수 있다. In addition, the elevator 150 may automatically move according to an optimized process schedule such as holding time, holding temperature, and separation during washing and drying after the thermoelectric material cleaning device 100 using IPA is loaded.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치(100)는 이탈착이 용이한 제품 장입용으로 제작할 수 있다. In addition, the thermoelectric material washing device 100 using IPA according to an embodiment of the present invention can be manufactured for easy detachable product loading.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 IPA 용액이 열전소재를 세척하는 과정을 설명하는 도면이다. 2 is a diagram illustrating a process of washing a thermoelectric material with an IPA solution according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 승강기는 시간(t1 내지 t3)에 따라 열전소재를 상하부로 이동시킬 수 있다. 여기에서, 승강기는 데이터베이스에 의해 최적화된 공정 스케쥴에 따라 결정된 세척시와 건조시의 유지 시간에 기초하여 플레이트를 상하부로 이동시킬 수 있다. 즉, 후술하는 제 1 시점(t1) 내지 제 3 시점(t3)는 공정 스케쥴에 의해 결정될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the elevator may move the thermoelectric material up and down according to time (t1 to t3). Here, the elevator may move the plate up and down based on holding times for washing and drying determined according to a process schedule optimized by the database. That is, the first time point t1 to the third time point t3 to be described later may be determined by a process schedule.

보다 상세하게는, 제 1 시점(t1)에서 승강기는 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 IPA 용액 내 하부에 위치시켜 열전소재가 IPA 용액에 충분히 노출될 수 있도록 제어할 수 있다. More specifically, at the first point in time t1, the elevator may position the plate on which at least one thermoelectric material is mounted below the IPA solution so that the thermoelectric material is sufficiently exposed to the IPA solution.

열전소재가 IPA 용액에 충분히 노출되어 열전소재의 표면이 1차적으로 세척되면, 제 2 시점(t2)에서 승강기는 플레이트를 IPA 용액 밖으로 들어올릴 수 있다. 이때, 승강기가 플레이트를 IPA 용액 밖으로 들어올리는 과정에서 열전소재의 표면에 붙은 큰 입자들은 떨어지는 IPA 용액과 함께 제거될 수 있다. When the thermoelectric material is sufficiently exposed to the IPA solution and the surface of the thermoelectric material is primarily cleaned, the elevator can lift the plate out of the IPA solution at a second time point t2. At this time, in the process of the elevator lifting the plate out of the IPA solution, large particles attached to the surface of the thermoelectric material may be removed together with the falling IPA solution.

본 발명의 일 실시예에서, IPA 용액은 히터에 의해 가열되어 IPA 증기로 증발될 수 있는데, 이때 IPA 증기는 IPA 용액으로부터 상부로 상승하는 과정에서 열전소재의 표면에 부딪혀 열전소재의 표면을 2차적으로 세척할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the IPA solution may be heated by a heater and evaporated into IPA vapor. At this time, the IPA vapor hits the surface of the thermoelectric material in the process of rising from the IPA solution to the surface of the thermoelectric material as a second layer. can be washed with

보다 상세하게는, IPA 증기가 보다 차가운 열전소재의 표면에서 닿는 경우, IPA 증기가 응결되고 응결된 IPA 액체가 밑으로 떨어지면서 열전소재의 표면에 붙어 있는 이물질을 함께 떨어뜨릴 수 있다. More specifically, when IPA vapor touches the surface of a cooler thermoelectric material, the IPA vapor is condensed and the condensed IPA liquid falls down to drop foreign substances attached to the surface of the thermoelectric material together.

뿐만 아니라, IPA 증기는 냉각기에 의해 냉각되어 응결된 IPA 액체가 열전소재의 표면에 닿아 입자를 함께 제거할 수 있다. 이에 따라, 기존 방식에 비해 이물질의 이탈율이 좋아지고 더욱 완벽하게 입자를 제거할 수 있다. In addition, the IPA vapor is cooled by the cooler, and the condensed IPA liquid touches the surface of the thermoelectric material to remove particles together. Accordingly, the release rate of foreign substances is improved and the particles can be more completely removed compared to the conventional method.

기 설정된 시간이 경과하면, 제 3 시점(t3)에서 승강기는 플레이트를 상부로 이동시키면서 열전소재를 최종적으로 건조시킬 수 있다. 이때, IPA 증기는 냉각기에 의해 모두 응결되어 IPA 액체로 냉각되어 아래에 있는 IPA 용액으로 회수될 수 있다. 이때, 응결된 IPA 액체 역시 아래로 떨어지는 과정에서 열전소재의 표면을 다시 한번 세척할 수 있다. When the predetermined time elapses, at the third time point t3, the elevator may finally dry the thermoelectric material while moving the plate upward. At this time, the IPA vapor is all condensed by the cooler, cooled to IPA liquid, and can be recovered as the IPA solution below. At this time, the condensed IPA liquid can also wash the surface of the thermoelectric material once again in the process of falling down.

즉, 세척에 사용된 IPA 증기를 다시 냉각시켜 2차 세척에 사용할 뿐만 아니라 이를 다시 IPA 용액으로 회수하여 반복적으로 사용할 수 있어 IPA의 소모량을 극소화할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 온수를 이용하는 세척공정과 달리 에너지를 절감할 수 있고 폐수를 절감시켜 환경을 보호할 수 있다. In other words, not only is the IPA vapor used for washing cooled and used for secondary washing, but it can also be recovered as an IPA solution and used repeatedly, minimizing the amount of IPA consumed, as well as minimizing the amount of IPA used in the washing process using hot water. Otherwise, energy can be saved and wastewater can be reduced to protect the environment.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 세척과 건조의 공정과정이 하나의 장치 안에서 수행될 수 있기 때문에, 기존의 세척공정과 건조공정이 별도로 진행되어 작업자가 수동으로 열전소재를 이동해야 해 작업시간이 길고 작업효율이 낮아 재작업율이 높은 문제를 보완할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the process of washing and drying can be performed in one device, the existing washing process and drying process are separately performed, so that the operator has to manually move the thermoelectric material. It can compensate for the high rework rate due to long time and low work efficiency.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 열전소재가 탑재된 플레이트를 설명하는 도면이다. 3 is a view illustrating a plate on which a thermoelectric material is mounted according to an embodiment of the present invention.

IPA를 이용한 열전소재 세척 장치는 도 3에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 승강기가 상하부로 이동시켜 열전소재를 IPA를 이용해 세척할 수 있다. As shown in FIG. 3 , the thermoelectric material cleaning apparatus using IPA may clean the thermoelectric material using IPA by moving the plate on which at least one thermoelectric material is mounted up and down using an elevator.

보다 상세하게는, 적어도 하나의 열전소재는 플레이트 상에 세로로 꽂는 방식으로 거치될 수 있다. 이에 따라, 플레이트에 탑재된 열전소재가 IPA 용액 내에 노출된 후 승강기에 의해 상부로 이동될 때, IPA 용액이 세로로 거치된 열전소재의 표면으로부터 아래로 떨어지게 되면서 1차적으로 열전소재의 표면을 세척할 수 있다. More specifically, at least one thermoelectric material may be mounted on the plate in a vertically inserted manner. Accordingly, when the thermoelectric material mounted on the plate is exposed to the IPA solution and then moved upward by the elevator, the IPA solution falls down from the surface of the vertically mounted thermoelectric material, primarily washing the surface of the thermoelectric material can do.

이후, 플레이트에 탑재된 열전소재가 IPA 용액 밖에 위치할 때, IPA 용액으로부터 증발된 IPA 증기가 세로로 거치된 적어도 하나의 열전소재의 사이를 통과하다 열전소재의 표면에 부딪혀 응결되어 열전 소재의 표면에 붙어 있는 이물질과 함께 떨어지게 되면서 2차적으로 열전소재의 표면을 세척할 수 있다. Subsequently, when the thermoelectric material mounted on the plate is located outside the IPA solution, the IPA vapor evaporated from the IPA solution passes between at least one thermoelectric material vertically mounted and collides with the surface of the thermoelectric material to condense on the surface of the thermoelectric material. The surface of the thermoelectric material can be washed secondarily as it falls off together with the foreign matter attached to the thermoelectric material.

마지막으로, 플레이트가 건조를 위해 최상단에 위치할 때, IPA 증기는 냉각기에 의해 응결되어 IPA 액체가 되어 적어도 하나의 열전소재의 사이를 통해 하부로 떨어지게 되며, 이 과정에서 열전소재의 표면에 부딪히며 이물질을 함께 떨어뜨리기 때문에 3차적으로 열전소재의 표면을 세척할 수 있다. Finally, when the plate is placed on the top for drying, the IPA vapor is condensed by the cooler to become IPA liquid and falls down through at least one thermoelectric material. In the process, foreign matter hits the surface of the thermoelectric material. is dropped together, so the surface of the thermoelectric material can be washed three times.

즉, 적어도 하나의 열전소재를 도 3과 같은 방식으로 거치하는 경우 열전소재의 표면에 IPA가 최대한 많이 노출될 수 있으며, IPA 용액 및 IPA 액체가 중력으로 인하여 아래로 떨어지며 이물질을 함께 떨어뜨리기 때문에 세척에 보다 용이할 수 있다. That is, when at least one thermoelectric material is mounted in the same manner as shown in FIG. 3, IPA can be exposed as much as possible on the surface of the thermoelectric material, and the IPA solution and the IPA liquid fall down due to gravity and foreign substances are dropped together. may be easier to

또한, 플레이트는 예를 들어 폭이 300mm, 높이 350mm의 망 형태로 제작될 수 있다. 예를 들어, 폭 30mm, 높이 2mm의 크기를 갖는 열전소재는 플레이트 내부에 가장 효율적인 간격으로 수십 내지는 수백개가 거치될 수 있다. In addition, the plate may be manufactured in the form of a mesh having, for example, a width of 300 mm and a height of 350 mm. For example, tens or hundreds of thermoelectric materials having a width of 30 mm and a height of 2 mm may be placed inside the plate at the most efficient interval.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 IPA를 이용한 열전소재 세척 방법을 설명하는 순서도이다. 4 is a flowchart illustrating a method of cleaning a thermoelectric material using IPA according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 단계(S410)에서, IPA 용액이 기 설정된 온도로 가열될 수 있다. 보다 상세하게는, 히터는 IPA 용액 내에서 열전소재가 1차적으로 세척될 수 있도록 IPA 용액을 기 설정된 온도로 유지할 수 있다. Referring to Figure 4, in step (S410), the IPA solution may be heated to a preset temperature. More specifically, the heater may maintain the IPA solution at a preset temperature so that the thermoelectric material is primarily washed in the IPA solution.

단계(S420)에서, 적어도 하나의 열전소재가 IPA 용액 내에 위치하여 기 설정된 시간동안 1차 세척된 후 승강기에 의해 상부로 이동될 수 있다. 이때, 열전소재가 상부로 이동되는 과정에서 IPA 용액이 밑으로 떨어지면서 열전소재의 표면에 존재하는 이물질을 제거할 수 있다. In step S420, at least one thermoelectric material may be placed in the IPA solution, washed first for a predetermined time, and then moved upward by an elevator. At this time, while the thermoelectric material is moved upward, the IPA solution may fall down to remove foreign substances present on the surface of the thermoelectric material.

단계(S430)에서, 상부로 이동된 적어도 하나의 열전소재가 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생하는 IPA 증기에 의해 2차적으로 세척될 수 있다. 보다 상세하게는, 가열된 IPA 증기는 상승 중 열전소재의 표면에 부딪혀 냉각되어 IPA 액체가 되며, 표면에 존재하는 이물질과 함께 밑으로 떨어질 수 있다. 또한, 히터는 열전소재가 IPA 용액 밖에 위치하는 경우, IPA 용액이 증발하도록 온도를 설정할 수 있다. In step S430, at least one thermoelectric material moved upward may be secondarily washed by IPA vapor generated as the IPA solution is heated. More specifically, the heated IPA vapor hits the surface of the thermoelectric material during the rise and is cooled to become IPA liquid, and may fall down together with foreign substances present on the surface. In addition, when the thermoelectric material is located outside the IPA solution, the temperature of the heater may be set so that the IPA solution evaporates.

단계(S440)에서, 상승한 IPA 증기가 냉각기에 의해 IPA 액체로 냉각될 수 있다. 이에 따라, 단계(S450)에서, 적어도 하나의 열전소재가 IPA 액체에 의해 3차적으로 세척될 수 있다. 보다 상세하게는, 상승한 IPA 증기는 냉각기에 의해 IPA 액체로 냉각되며, 냉각된 IPA 액체는 밑으로 떨어지는 도중 열전소재의 표면에 부딪혀 표면에 존재하는 이물질을 닦아낼 수 있다. In step S440, the rising IPA vapor may be cooled to IPA liquid by a cooler. Accordingly, in step S450, at least one thermoelectric material may be washed thirdly with the IPA liquid. More specifically, the elevated IPA vapor is cooled to IPA liquid by a cooler, and the cooled IPA liquid may collide with the surface of the thermoelectric material while falling down to wipe away foreign substances present on the surface.

이후, 단계(S460)에서 냉각된 IPA 액체는 열전소재의 표면에 존재하는 이물질과 함께 IPA 용액으로 회수될 수 있다. 뿐만 아니라, 냉각된 IPA 액체는 열전소재의 표면에 존재하는 이물질과 함께 별도로 구비된 회수조로 회수될 수 있다. Thereafter, the IPA liquid cooled in step S460 may be recovered as an IPA solution together with foreign substances present on the surface of the thermoelectric material. In addition, the cooled IPA liquid may be recovered together with foreign substances present on the surface of the thermoelectric material in a separately provided recovery tank.

도 4에서는 각 과정을 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 이는 본 발명의 일 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것이다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 일 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 도 4에 기재된 순서를 변경하여 실행하거나 각 과정 중 하나 이상의 과정을 병렬적으로 실행하는 것으로 다양하게 수정 및 변형하여 적용 가능할 것이므로, 도 4는 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.Although each process is described as sequentially executed in FIG. 4 , this is merely an example of the technical idea of one embodiment of the present invention. In other words, those skilled in the art to which an embodiment of the present invention pertains may change and execute the order described in FIG. 4 or perform one or more of each process without departing from the essential characteristics of the embodiment of the present invention. Since it will be possible to apply various modifications and variations by executing in parallel, FIG. 4 is not limited to a time-series order.

한편, 도 4에 도시된 과정들은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 즉, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드디스크 등) 및 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등)와 같은 저장매체를 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Meanwhile, the processes shown in FIG. 4 can be implemented as computer readable codes on a computer readable recording medium. A computer-readable recording medium includes all types of recording devices in which data that can be read by a computer system is stored. That is, computer-readable recording media include storage media such as magnetic storage media (eg, ROM, floppy disk, hard disk, etc.) and optical reading media (eg, CD-ROM, DVD, etc.). In addition, the computer-readable recording medium may be distributed to computer systems connected through a network to store and execute computer-readable codes in a distributed manner.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present embodiment, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Therefore, the present embodiments are not intended to limit the technical idea of the present embodiment, but to explain, and the scope of the technical idea of the present embodiment is not limited by these embodiments. The scope of protection of this embodiment should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of rights of this embodiment.

100: IPA를 이용한 열전소재 세척 장치
110: 용기
120: 개폐장치
130: 히터
140: 냉각기
150: 승강기
160: 플레이트
170: 열전소재
100: Thermoelectric material cleaning device using IPA
110: courage
120: switchgear
130: heater
140: cooler
150: elevator
160: plate
170: thermoelectric material

Claims (2)

밀폐 가능한 개폐장치를 포함하는 용기;
IPA 용액을 기 설정된 온도로 가열하는 히터;
상기 용기의 측면에 설치되고, 기 설정된 냉각 온도 이하가 되도록 유지하여 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기를 냉각시키는 냉각기; 및
기 설정된 공정 스케줄에 따라 결정된 세척시와 건조시의 유지 시간(t1 내지 t3)에 기초하여 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 상하부로 승강하는 승강기를 포함하고,
상기 승강기가 제1 시점(t1)에 상기 플레이트를 IPA 용액 내 하부로 위치시켜 상기 IPA 용액에 의해 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 1차 세척되고,
제2 시점(t2)에 상기 플레이트를 IPA 용액 밖으로 들어올려 IPA 증기가 냉각됨에 따라 발생한 IPA 액체가 상기 적어도 하나의 열전소재의 표면을 2차 세척되도록 하고,
제3 시점(t3)에 상기 플레이트를 상부로 이동시켜 상기 적어도 하나의 열전 소재가 건조되도록 하며, IPA 증기가 상기 냉각기에 의해 응결되어 IPA 액체로 냉각되어 상기 용기 내 하부 방향으로 떨어지며 상기 IPA 액체에 의해 3차 세척되고, 상기 IPA 액체는 상기 IPA 용액으로 회수되는 것을 특징으로 하는 IPA를 이용한 열전소재 세척 장치.
A container including a sealable opening and closing device;
A heater for heating the IPA solution to a preset temperature;
A cooler installed on the side of the container and maintaining a predetermined cooling temperature or less to cool the IPA vapor generated as the IPA solution is heated; and
An elevator that lifts the plate on which at least one thermoelectric material is mounted up and down based on holding times (t1 to t3) during washing and drying determined according to a preset process schedule,
The elevator places the plate lower in the IPA solution at a first time point t1 to first wash the surface of the at least one thermoelectric material with the IPA solution,
At a second time point (t2), the plate is lifted out of the IPA solution so that the IPA liquid generated as the IPA vapor is cooled secondarily cleans the surface of the at least one thermoelectric material,
At a third time point t3, the plate is moved upward so that the at least one thermoelectric material is dried, and the IPA vapor is condensed by the cooler and cooled to IPA liquid, which falls downward in the container to the IPA liquid. Thirdly washed by, and the IPA liquid is recovered as the IPA solution.
IPA 용액이 기 설정된 온도로 가열되는 단계;
승강기에 의해 제1 시점(t1)에 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 상기 IPA 용액 내에 하부에 위치시킨 후 기 설정된 시간동안 1차 세척된 후 상기 적어도 하나의 열전 소재가 IPA 용액 밖에 위치하도록 상기 플레이트를 상부로 이동시키는 단계;
제2 시점(t2)에 상부로 이동된 상기 적어도 하나의 열전소재가 상기 IPA 용액이 가열됨에 따라 발생한 IPA 증기에 의해 2차 세척되는 단계;
밀폐 가능한 개폐장치를 포함하는 용기의 측면에 설치된 냉각기에 의해, 상승한 상기 IPA 증기가 IPA 액체로 냉각되는 단계; 및
승강기에 의해 제3 시점(t3)에 상기 플레이트가 상부로 이동되어 상기 적어도 하나의 열전소재가 건조되도록 하며, IPA 증기가 상기 냉각기에 의해 응결되어 IPA 액체로 냉각되어 상기 용기 내 하부 방향으로 떨어지며 상기 IPA 액체에 의해 3차 세척되고, 상기 IPA 액체는 상기 IPA 용액으로 회수되는 단계를 포함하되,
상기 승강기는 기 설정된 공정 스케줄에 따라 결정된 세척시와 건조시의 유지 시간(t1 내지 t3)에 기초하여 적어도 하나의 열전소재가 탑재된 플레이트를 상하부로 승강시키는 것인, IPA를 이용한 열전소재 세척 방법.
heating the IPA solution to a preset temperature;
At a first time point (t1) by an elevator, the plate on which at least one thermoelectric material is loaded is placed in the lower portion of the IPA solution, and after washing for a predetermined time, the at least one thermoelectric material is placed outside the IPA solution. moving the plate upward;
washing the at least one thermoelectric material moved upward at a second time point (t2) by IPA vapor generated as the IPA solution is heated;
cooling the rising IPA vapor into IPA liquid by a cooler installed on a side of a container including a sealable opening and closing device; and
At a third time point t3 by the elevator, the plate is moved upward so that the at least one thermoelectric material is dried, and the IPA vapor is condensed by the cooler to be cooled to IPA liquid and falls downward in the container. Washing thirdly with IPA liquid, and recovering the IPA liquid as the IPA solution,
The elevator moves the plate on which at least one thermoelectric material is mounted up and down based on the holding time (t1 to t3) during washing and drying determined according to a predetermined process schedule, a thermoelectric material cleaning method using IPA .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100236411B1 (en) * 1992-08-24 1999-12-15 다카시마 히로시 Dryer for semiconductor substrate

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