RU2510098C1 - Method and device to wash and dry substrates - Google Patents
Method and device to wash and dry substrates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2510098C1 RU2510098C1 RU2012132507/28A RU2012132507A RU2510098C1 RU 2510098 C1 RU2510098 C1 RU 2510098C1 RU 2012132507/28 A RU2012132507/28 A RU 2012132507/28A RU 2012132507 A RU2012132507 A RU 2012132507A RU 2510098 C1 RU2510098 C1 RU 2510098C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- carrier
- washing
- bath
- water
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности, при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов (ЖКЭ), полупроводниковых пластин и фотошаблонов с использованием «Эффекта Марангони».The invention relates to techniques for individual processing of substrates and can be used in the manufacture of electronic products, in particular, when washing and drying glass substrates for liquid crystal screens (LCDs), semiconductor wafers and photo masks using the “Marangoni effect”.
Известные традиционные способы обработки пластин [1-3], включающие операции: центрифугирование, промывку и сушку, не обеспечивают необходимое качество отмывки периферийных участков пластины, а также эффективную отмывку поверхности, из-за наличия водных знаков, которые являются причиной последующих дефектов, недопустимых при изготовлении изделий микроэлектроники. По мере уменьшения размеров элементов эти дефекты могут стать разрушающими, что ограничивает эксплуатационные возможности известных технических решений.Known traditional methods of processing plates [1-3], including operations: centrifugation, washing and drying, do not provide the necessary quality of washing the peripheral parts of the plate, as well as effective washing of the surface, due to the presence of watermarks that cause subsequent defects that are unacceptable when the manufacture of microelectronics products. As the size of the elements decreases, these defects can become destructive, which limits the operational capabilities of the known technical solutions.
Наиболее перспективным является способ отмывки и сушки пластин, основанный на использовании «Эффекта Марангони», и устройство для его реализации [4, 5, 6].The most promising is the method of washing and drying the plates, based on the use of the "Marangoni Effect", and a device for its implementation [4, 5, 6].
Согласно способу и устройству для промывки и сушки полупроводниковых пластин [4], установленные в кассете пластины загружают в ванну отмывки, связанную с магистралью подачи и слива деионизованной воды. Подают воду в ванну снизу таким образом, что она, переливаясь из верхней части ванны отмывки, образует поток сверху.According to the method and device for washing and drying the semiconductor wafers [4], the wafers installed in the cassette are loaded into the washing bath associated with the deionized water supply and discharge line. Water is supplied to the bath from below in such a way that it, overflowing from the upper part of the washing bath, forms a flow from above.
Пластины отмываются погружением их в поток сверху с помощью механизма для поддержания кассеты. После отмывки кассета с подложками удаляется из воды. В месте выхода пластины из воды пластины отмываются раствором, состоящим из воды и паров органического растворителя, который уменьшает поверхностное натяжение раствора. За счет этого с поверхности убирается вода и загрязнения. Кассета с пластинами выгружается через крышку в камере сушки.The plates are washed by immersing them in a stream from above using a mechanism to support the cartridge. After washing, the cassette with the substrates is removed from the water. At the place where the plate exits the water, the plates are washed with a solution consisting of water and vapors of an organic solvent, which reduces the surface tension of the solution. Due to this, water and pollution are removed from the surface. The cassette with the plates is unloaded through the lid in the drying chamber.
Однако, поскольку пластины отмываются и сушатся вместе с кассетой, то в местах контакта носителя (кассеты) с обрабатываемой пластиной скапливаются капли воды, которые в процессе сушки не удаляются, что является причиной дефектов, образуемых на последующих операциях.However, since the plates are washed and dried together with the cassette, water drops accumulate in the places where the carrier (cassette) contacts the processed plate, which are not removed during the drying process, which is the reason for the defects formed in subsequent operations.
А использование одного и того же механизма загрузки кассеты в камеру обработки и удаления ее снижает качество обработки из-за возможных вносимых загрязнений механизмом загрузки.And the use of the same mechanism for loading the cartridge into the processing chamber and removing it reduces the quality of processing due to possible introduced contamination by the loading mechanism.
Предложенный способ и устройство отмывки и сушки стеклянных пластин [5] исключает скапливание воды в местах контакта подложек и носителя.The proposed method and device for washing and drying glass plates [5] eliminates the accumulation of water at the contact points of the substrates and the carrier.
Способ заключается в том, что подложки, установленные в кассете, загружают в ванну отмывки деионизованной водой, отмывают их, после чего медленно перемещают их из кассеты с помощью толкателя в камеру сушки. В процессе выхода подложек из воды отмывают и сушат их в парах органического растворителя. Затем фиксируют обработанные подложки в крайнем верхнем положении.The method consists in the fact that the substrates installed in the cassette are loaded into the wash bath with deionized water, washed, and then they are slowly moved from the cassette using a pusher into the drying chamber. In the process of exit of the substrates from the water, they are washed and dried in pairs of an organic solvent. Then, the treated substrates are fixed in their highest position.
После чего аналогичным способом отмывают и сушат кассету, загружают обработанные подложки в кассету, которую затем выгружают.Then, in the same way, the cartridge is washed and dried, the processed substrates are loaded into the cartridge, which is then unloaded.
Недостатки указанного способа и устройства заключаются в низкой эффективности отмывки и сушки подложек, а также в низкой производительности, поскольку пары органического растворителя направляют в камеру сушки очень большого объема. Применение групповой обработки подложек снижает качество отмывки и сушки. А наличие механизмов вертикального перемещения платформы и подложек, а также средств крепления их в верхнем положении, уплотнительных устройств усложняет конструкцию устройства, а также аппаратурную реализацию техпроцесса.The disadvantages of this method and device are the low efficiency of washing and drying the substrates, as well as low productivity, since the vapor of the organic solvent is sent to the drying chamber of a very large volume. The use of group processing of substrates reduces the quality of washing and drying. And the presence of mechanisms for the vertical movement of the platform and the substrates, as well as their fastening means in the upper position, sealing devices complicates the design of the device, as well as the hardware implementation of the process technology.
Из известных наиболее близким по технической сущности является способ и устройство отмывки и сушки подложек [7].Of the known closest in technical essence is the method and device for washing and drying substrates [7].
Способ отмывки и сушки подложек заключается в том, что каждую подложку опускают в ванну отмывки деионизованной водой ступенчато и в процессе периодического останова подложки сканируют по всей ее ширине мегазвуковым излучателем. Затем медленно и непрерывно подложку поднимают и повторно сканируют всю поверхность мегазвуковым излучателем. При этом в процессе выхода подложки из деионизованной воды на обе стороны ее подают пары органического растворителя непосредственно в зону выхода подложки с помощью двух трубок, имеющих ряд отверстий.The method of washing and drying the substrates is that each substrate is lowered into the washing bath with deionized water stepwise and during the periodic shutdown of the substrate, it is scanned across its entire width by a megasonic emitter. Then, slowly and continuously, the substrate is lifted and re-scanned the entire surface of the megasonic emitter. In this case, in the process of exit of the substrate from deionized water, organic solvent vapors are fed to both sides of it directly into the exit zone of the substrate using two tubes having a number of holes.
Устройство для реализации способа содержит ванну отмывки, снабженную мегазвуковым излучателем, установленным с возможностью возвратно-поступательного перемещения вдоль всей ширины подложки, а также двумя направляющими с продольными вертикальными пазами. Камера сушки снабжена механизмом загрузки подложек, выполненным в виде двух направляющих планок, снабженных двумя продольными пазами и установленных на одной плите с возможностью горизонтального перемещения. Механизм вертикального перемещения подложек снабжен также толкателем, установленным с возможностью взаимодействия с нижним торцом подложки.A device for implementing the method comprises a washing bath equipped with a megasonic emitter installed with the possibility of reciprocating movement along the entire width of the substrate, as well as two guides with longitudinal vertical grooves. The drying chamber is equipped with a mechanism for loading substrates, made in the form of two guide strips, equipped with two longitudinal grooves and mounted on one plate with the possibility of horizontal movement. The mechanism of vertical movement of the substrates is also equipped with a pusher installed with the possibility of interaction with the lower end of the substrate.
Известному техническому решению также присущи существенные недостатки. Так наличие двух планок с продольными и вертикальными пазами ограничивает размеры обрабатываемых подложек. Для обработки подложек другого типоразмера необходима перестройка всего оборудования. Выполнение сканирующего механизма для мегазвукового излучателя значительно усложняет аппаратурную реализацию техпроцесса. Кроме того, контакт нижнего торца подложки осуществляется по линии, а не в точке, и это способствует появлению большого количества воды в месте контакта, что влияет на качество очистки подложек и в последствии на качество изготавливаемых приборов, например ЖКЭ.The known technical solution also has significant disadvantages. So the presence of two strips with longitudinal and vertical grooves limits the size of the processed substrates. For processing substrates of a different size, restructuring of all equipment is necessary. The implementation of the scanning mechanism for a megasonic radiator significantly complicates the hardware implementation of the process technology. In addition, the contact of the lower end of the substrate is carried out along the line, and not at the point, and this contributes to the appearance of a large amount of water at the contact point, which affects the quality of cleaning the substrates and, subsequently, the quality of the manufactured devices, for example, LCDs.
Техническим результатом предложенного изобретения является повышение качества отмывки и сушки подложек, расширение технологических возможностей устройства, упрощение аппаратурной реализации процесса обработки, а также повышение надежности и производительности обработки за счет устранения необходимости сканирования мегазвукового излучателя.The technical result of the proposed invention is to improve the quality of washing and drying the substrates, expanding the technological capabilities of the device, simplifying the hardware implementation of the processing process, as well as increasing the reliability and productivity of processing by eliminating the need to scan a megasonic emitter.
Указанный технический результат достигается тем что, в способе отмывки и сушки подложек, заключающемся в том, что каждую подложку устанавливают на носитель, отпускают в ванну отмывки деионизованной водой до полного погружения подложки, затем медленно поднимают подложку из воды в камеру сушки, отмывая ее с помощью мегазвукового излучения, а в момент выхода подложки из воды подают пары органического растворителя на границу раздела уровня деионизованной воды ванны и воздушной среды камеры, и сушат, на носителе подложек создают зоны точечных контактов двух торцов подложки с носителем, устанавливают подложку на носитель таким образом, что нижний торец подложки расположен под углом 5°÷10° к горизонтали, отпускают подложку в ванну отмывки непрерывно, а мегазвуковое излучение при подъеме направляют на всю ее ширину, при этом в процессе выхода подложки из воды за счет создания разряжения в каждой точке контакта подложки с носителем удаляют остатки воды из зон контактов.The specified technical result is achieved by the fact that, in the method of washing and drying the substrates, which consists in the fact that each substrate is mounted on a carrier, it is released into the washing bath with deionized water until the substrate is completely immersed, then the substrate is slowly lifted from the water into the drying chamber, washing it with megasonic radiation, and at the moment the substrate leaves the water, organic solvent vapors are fed to the interface between the level of the deionized bath water and the air of the chamber, and dried, point zones are created on the substrate carrier x the contacts of the two ends of the substrate with the carrier, install the substrate on the carrier so that the bottom end of the substrate is at an angle of 5 ° ÷ 10 ° to the horizontal, release the substrate into the wash bath continuously, and the megasonic radiation is directed along its entire width when rising, while in the process of the substrate leaving the water by creating a vacuum at each contact point between the substrate and the carrier, residual water is removed from the contact zones.
В устройстве отмывки и сушки подложек, содержащем ванну отмывки подложек, связанную с магистралью подачи и слива деионизованной воды, камеру сушки, связанную с магистралью подачи паров органического растворителя, мегазвуковой излучатель, механизм вертикального перемещения подложек с носителем подложек, две трубки, установленные по обе стороны обрабатываемой подложки в зоне выхода ее из деионизованной воды в камеру сушки, каждая из которых содержит ряд отверстий для подачи органического растворителя на границу раздела уровня деионизованной воды ванны отмывки и воздушной среды камеры сушки, мегазвуковой излучатель установлен неподвижно на стенке ванны отмывки таким образом, что излучающая поверхность его расположена параллельно обрабатываемой поверхности подложки и охватывает всю ширину ее, а носитель подложек выполнен в виде двух планок, закрепленных на держателе и образующих угольник, повернутый на 5°÷10° относительно горизонтали с направлением угла в сторону дна ванны, при этом одна из поверхностей каждой планки содержит остроугольные выступы, в вершинах каждого из которых выполнены цилиндрические отверстия, образующие при пересечении наклонных поверхностей выступов выемки, профиль которых обеспечивает контакт торцов подложки и планок носителя, при этом диаметр отверстий выбирают больше толщины обрабатываемой подложки, но меньше основания выступов, причем каждое отверстие выступов соединено с соответствующей полостью планок, выходящей в сторону дна ванны.In a device for washing and drying substrates containing a substrate washing bath associated with a deionized water supply and discharge line, a drying chamber associated with an organic solvent vapor supply line, a megasonic emitter, a mechanism for vertical movement of substrates with a substrate carrier, two tubes mounted on both sides the processed substrate in the zone of its exit from deionized water into the drying chamber, each of which contains a number of holes for supplying an organic solvent to the interface of the deionization level of the washing bath water and the air of the drying chamber, the megasonic emitter is mounted motionless on the wall of the washing bath in such a way that its radiating surface is parallel to the surface of the substrate and covers its entire width, and the substrate carrier is made in the form of two strips fixed to the holder and forming gon rotated by 5 ° ÷ 10 ° with respect to the horizontal direction toward the bottom corner bath, wherein one of the surfaces of each slat comprises a sharp-edged projections at the top of each about which cylindrical openings are made, forming at the intersection of the inclined surfaces of the protrusions of the recess, the profile of which provides contact between the ends of the substrate and the carrier strips, the diameter of the holes being chosen more than the thickness of the processed substrate, but less than the base of the protrusions, each opening of the protrusions connected to a corresponding cavity facing the bottom of the bath.
Поскольку «…подложку опускают в ванну отмывки непрерывно, а мегазвуковое излучение при подъеме направляют на всю ее ширину…», то это обеспечивает эффективную отмывку всей поверхности подложки. При этом нет необходимости в сканировании ее мегазвуковым излучателем, что упрощает процесс обработки и увеличивает производительность.Since “... the substrate is lowered continuously into the washing bath, and the megasonic radiation is directed over its entire width when rising ...”, this ensures effective washing of the entire surface of the substrate. At the same time, it is not necessary to scan it with a megasonic emitter, which simplifies the processing process and increases productivity.
Выполнение носителя подложек «…в виде двух планок, закрепленных на держателе в форме угольника…» позволяет обрабатывать подложки разных размеров. При этом «угольник повернут на 5°÷10° относительно горизонтали с направлением угла в сторону дна ванны». Это позволяет, с одной стороны, надежно фиксировать подложки во время обработки, а с другой стороны, удалять воду с торцов подложки за счет скатывания частиц жидкости на краю нижнего торца во время выхода подложки из воды.The implementation of the substrate carrier "... in the form of two strips mounted on a holder in the form of a square ..." allows you to process substrates of different sizes. In this case, "the square is rotated 5 ° ÷ 10 ° relative to the horizontal with the direction of the angle towards the bottom of the bath." This allows, on the one hand, to securely fix the substrates during processing, and on the other hand, to remove water from the ends of the substrate by rolling particles of liquid at the edge of the lower end during the release of the substrate from the water.
А выполнение «на одной из поверхностей каждой планки остроугольных выступов, в вершинах каждого из которых выполнены цилиндрические отверстия, образующие при пересечении наклонных поверхностей выемки…» обеспечивает точечный контакт торцов подложки и носителя (планок) за счет полученного профиля выемки.And the implementation of "on one of the surfaces of each plank of acute-angled protrusions, at the vertices of each of which there are cylindrical holes that form a recess at the intersection of the inclined surfaces ..." provides point contact between the ends of the substrate and the carrier (planks) due to the obtained profile of the recess.
Это улучшает качество отмывки торцов подложки по сравнению с известными техническими решениями.This improves the quality of washing the ends of the substrate in comparison with the known technical solutions.
Кроме того, цилиндрические отверстия выступов, соединенные соответственно с полостями планок, создают разряжение в зоне контактов подложки и носителя за счет перепада давления в них при подъеме подложки (носителя), способствующее удалению оставшейся воды из зон контактов, повышая эффективность и качество отмывки.In addition, the cylindrical openings of the protrusions, respectively connected with the cavities of the strips, create a vacuum in the contact zone of the substrate and the carrier due to the pressure drop in them when lifting the substrate (carrier), which helps to remove the remaining water from the contact zones, increasing the washing efficiency and quality.
Таким образом, указанные в формуле изобретения существенные признаки являются новыми, не вытекающими очевидным образом из поставленной задачи, и в совокупности направлены на достижение нового технического результата.Thus, the essential features indicated in the claims are new, not obvious in the obvious way from the task, and together they are aimed at achieving a new technical result.
Следовательно, предложенная новая совокупность признаков соответствует критериям патентоспособности изобретения: «новизна», «изобретательский уровень», «промышленная применимость».Therefore, the proposed new set of features meets the criteria of patentability of the invention: "novelty", "inventive step", "industrial applicability".
Сущность предложенного технического решения поясняется чертежами, где изображены:The essence of the proposed technical solution is illustrated by drawings, which depict:
На фиг.1 - общий вид устройства отмывки и сушки подложек;Figure 1 - General view of the device for washing and drying the substrates;
На фиг.2 - разрез устройства по А-А;Figure 2 - section of the device along aa;
На фиг.3 - разрез устройства по Б-Б;Figure 3 is a sectional view of the device according to BB;
На фиг.4 - остроугольный выступ в разрезе, I;Figure 4 is an acute-angled protrusion in section, I;
На фиг.5 - вид В на планки с остроугольными выступами, в выемки которых установлена подложка;Figure 5 is a view In on the strips with acute-angled protrusions, in the recesses of which a substrate is installed;
На фиг.6 - вид Г сбоку на планки с остроугольными выступами, на которые установлена подложка;Figure 6 is a side view of G on the strips with acute-angled protrusions on which the substrate is mounted;
На фиг.7 - вид Д на профиль выемки на остроугольном выступе, на котором лежит нижний торец подложки;7 is a view of D on the profile of the recess on an acute-angled protrusion, on which lies the lower end of the substrate;
На фиг. 8 - вид Е на профиль выемки на остроконечном выступе, на котором лежит боковой торец подложки, и вид на планку, на которую опирается нижний торец подложки;In FIG. 8 is a view E of a profile of a recess on a pointed protrusion on which a lateral end face of a substrate lies, and a view of a bar on which a lower end face of a substrate rests;
На фиг.9а-9г - стадии удаления воды из отверстий выступа и полости планки при выходе ее из ванны отмывки.On figa-9g - stage removal of water from the holes of the protrusion and the cavity of the strip when it leaves the washing bath.
Предложенное устройство отмывки и сушки подложек (фиг.1-3) состоит из ванны отмывки 1, связанной с магистралью подачи и слива деионизованной воды, камеры сушки 2, связанной с магистралью подачи паров органического растворителя, и механизма вертикального перемещения 3 подложки 4. Подачу деионизованной воды в ванну отмывки 1 осуществляют через штуцер 5. В зоне выхода подложки из деионизованной воды в камеру сушки 2 с двух сторон подложки установлены две трубки 6, 7 (фиг.2, 3), содержащие ряд отверстий 8, 9 (фиг.2) для подачи паров органического растворителя непосредственно на границу раздела уровня деионизованной воды ванны 1 и воздушной среды камеры сушки 2. На одной из стенок ванны отмывки 1 установлен неподвижный мегазвуковой излучатель 10, зона действия которого по длине охватывает всю ширину подложки 4.The proposed device for washing and drying the substrates (Figs. 1-3) consists of a
Обрабатываемую подложку 4 устанавливают нижним торцом 11 на выемки 12 в каждом остроугольном выступе 13 планки 14 (фиг.5, 6) и одним боковым торцом 15 на выемки 16 в каждом остроугольном выступе 17 планки 18. Планки 14 и 18 установлены на держателе 19 в форме угольника, повернутого на угол X=5°-10° относительно горизонтали. Профиль выемки 12 (фиг.4, 6, 7, 8) образован за счет пересечения отверстия 20, выполненного в вершине каждого выступа 13 и 17, с наклонными поверхностями 21 этих выступов. Диаметр отверстия 20 выбирают в зависимости от толщины обрабатываемой подложки 4 и размера основания каждого выступа 13, 17, т.е. L>D>dподл., где L - размер основания каждого выступа, d подл. - толщина подложки, Д - диаметр отверстия. Это обеспечивает свободную установку подложки в выемке 12 и обеспечивает необходимый профиль выемки 12 (фиг.2, 4, 6, 8), при котором торцы подложки 11, 15 контактируют с выемками 12 только в соответствующих точках 22, 23 (фиг.4). Оси симметрии выемок 12 на выступах 13, 17, на планках 14, 18 расположены в одной плоскости.The processed
Благодаря наличию выемок 12 и наклону носителя подложек, выполненного в виде двух планок, закрепленных на держателе в форме угольника, на угол X, подложки 4 не только надежно фиксируются во время обработки, но при этом создается минимальный контакт подложки с опорной частью. Кроме того, конструкция носителя позволяет загружать подложки на обработку независимо от их геометрических размеров, так как два торца подложки ничем не ограничены. Глубину всех отверстий 20 выбирают не более высоты Н выступов 13, 17 (фиг.7). Продолжением отверстия 20 является соответствующее отверстие 24 меньшего диаметра, соединяющее полости каждого отверстия 20 выступов 13, 17 с соответствующими полостями 25, 26, 27, 28, 29, 30 (фиг.1), расположенных на планках, выходящими в сторону дна ванны.Due to the presence of
Камера сушки 2 снабжена крышкой 31 (фиг.1) для создания над ванной замкнутого пространства, заполняемого в процессе обработки парами органического вещества, поступающими из трубок 6, 7 через штуцера 32, 33 (фиг.3).The drying
Механизм вертикального перемещения 3 подложки 4 содержит направляющую 34, привод 35, каретку 36, стойку 37, зажим 38, на котором установлена штанга 39 с держателем 19 (фиг.1, 2).The
Камера сушки снабжена вытяжным устройством 40. Вытяжка осуществляется через отверстие 41. Работа устройства, реализующего предложенный способ, происходит следующим образом.The drying chamber is equipped with an
Включают подачу деионизованной воды в ванну 1 через штуцер 5. Деионизованная вода 42 поступает в ванну равномерно по всему объему и достигает уровня 43 (фиг.1, 3) карманов 44, сливается в них. После заполнения карманов 44 вода попадает в отстойник 45 и удаляется затем через отверстия 46.Turn on the supply of deionized water to the
Механизм вертикального перемещения 3 подложек 4 от привода 35 с помощью каретки 36, перемещающейся по направляющим 34, стойки 37, зажима 38 (фиг.2) опускает медленно и непрерывно подложку вниз в ванну 1. Во время движения держателя 19 с планками 14, 18 вниз происходит заполнение деионизованной водой полостей 25, 26, 27, 28, 29, 30 планок 14, 18 (фиг.1, 9а), а также отверстий 20, 24, на каждом из выступов 13, 17 (фиг.4, 7, 9а). Вначале перемещения подложки 4 вверх, включают смеси паров органического растворителя по трубкам 6 и 7 непосредственно в зону выхода обрабатываемой подложки 4 из деионизованной воды.The mechanism for the vertical movement of 3
Наличие ряда отверстий 8, 9 на каждой трубке 6, 7 обеспечивает равномерную подачу органического растворителя на границу раздела уровня деионизованной воды и воздушной среды. В этой области происходит значительное снижение коэффициента поверхностного натяжения жидкости по сравнению с жидкостью, находящейся в ванне, поэтому подложка 4 выходит из воды сухой.The presence of a number of
Во время движения подложки вверх включают мегазвуковой излучатель 10 (фиг.2), который усиливает эффект очистки и сушки подложки 4. Кроме того, за счет наличия наклона держателя 19 планок 14, 18, а значит подложки 4 во время вертикального перемещения ее, подложка надежно удерживается между рядами выемок в процессе обработки, а также появляется эффект скатывания частиц жидкости на краю нижнего торца подложки во время выхода подложки из воды.During the upward movement of the substrate, a
При выходе из деионизованной воды планок 14 и 18 происходит удаление воды из полостей 25, 26, 27, 28, 29, 30 (фиг.1, 4, 7, 9б, 9в, 9г) и отверстий 20, 24 на каждом из выступов 13, 17 за счет гравитационных сил.When the
За счет наличия в каждом выступе 13, 17 малых отверстий 24 вода, удаляясь из полостей 25, 26, 27, 28, 29, 30 (фиг.9б, 9в, 9г), создает в каждой полости разряжение. Это способствует удалению остатков деионизованной воды из зоны контакта торцов подложки с выемками 12. Наличие точечного контакта и наличие разряжения в зоне контакта способствует полному удалению остатков жидкости с торцов пластины и подложка выходит из ванны полностью сухой, даже в месте контакта (9г).Due to the presence of
После полного выхода обработанной подложки 4 из воды механизм вертикального перемещения 3 останавливается. Подачу смеси паров органического растворителя прекращают, мегазвуковое излучение отключают. Крышку 30 камеры сушки 2 открывают и пары органического растворителя удаляются через отверстия 41 вытяжной системы 40. Подложку 4 снимают и на ее место устанавливают следующую.After the complete exit of the treated
На предприятии разработан опытный образец устройства отмывки и сушки подложек.The enterprise has developed a prototype device for washing and drying substrates.
Устройство передано в промышленную эксплуатацию.The device has been put into commercial operation.
Источники информации, принятые во вниманиеSources of information taken into account
1. Авторское свидетельство №1763055, кл. В08В 3/02, публ. 1992 г.1. Copyright certificate No. 1763055, cl.
2. Патент США 451984, кл. В08В 3/02, публ. 1986 г.2. US patent 451984, cl.
3. Патент США 3727620, кл. В08В 3/02, публ. 1973 г.3. US patent 3727620, cl.
4. Патент США 5520744, кл. H01L 21/00, публ. 1996 г.4. US patent 5520744, cl.
5. Патент РФ 2309461, кл. H01L 21/306, публ. 2006 г.5. RF patent 2309461, cl.
6. А.Тесс и В.Бус. Модель сушки по типу Марангони, phys Fluids 11 (1999), 3852-3855.6. A. Tess and V. Bus. Marangoni type drying model, phys Fluids 11 (1999), 3852-3855.
7. Патент РФ 2386187, кл. H01L 21/306, публ. 2008 г.(прототип).7. RF patent 2386187, cl.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012132507/28A RU2510098C1 (en) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | Method and device to wash and dry substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012132507/28A RU2510098C1 (en) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | Method and device to wash and dry substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012132507A RU2012132507A (en) | 2014-02-10 |
| RU2510098C1 true RU2510098C1 (en) | 2014-03-20 |
Family
ID=50031782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012132507/28A RU2510098C1 (en) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | Method and device to wash and dry substrates |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2510098C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2618492C2 (en) * | 2015-07-22 | 2017-05-03 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Plant for washing wafers |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1834719C (en) * | 1991-11-22 | 1993-08-15 | Воронежский опытный завод микроэлектроники "РИФ" | Device for hydromechanic washing and spin drying wafers |
| US5520744A (en) * | 1993-05-17 | 1996-05-28 | Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. | Device for rinsing and drying substrate |
| JPH0938605A (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-10 | Toshiba Eng & Constr Co Ltd | Method for rinsing and drying substrate and device therefor |
| US6001191A (en) * | 1995-12-07 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus |
| US6620260B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate rinsing and drying method |
| RU2309481C2 (en) * | 2005-07-27 | 2007-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") | Method and device for washing and drying flat glass substrates |
| US20080053485A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Takayuki Yanase | Method for cleaning and drying substrate |
| RU2386187C1 (en) * | 2008-09-15 | 2010-04-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" ОАО "НИИПМ" | Method and device for washing and drying of substrates |
-
2012
- 2012-07-27 RU RU2012132507/28A patent/RU2510098C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1834719C (en) * | 1991-11-22 | 1993-08-15 | Воронежский опытный завод микроэлектроники "РИФ" | Device for hydromechanic washing and spin drying wafers |
| US5520744A (en) * | 1993-05-17 | 1996-05-28 | Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. | Device for rinsing and drying substrate |
| JPH0938605A (en) * | 1995-07-27 | 1997-02-10 | Toshiba Eng & Constr Co Ltd | Method for rinsing and drying substrate and device therefor |
| US6001191A (en) * | 1995-12-07 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus |
| US6620260B2 (en) * | 2000-05-15 | 2003-09-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate rinsing and drying method |
| RU2309481C2 (en) * | 2005-07-27 | 2007-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") | Method and device for washing and drying flat glass substrates |
| US20080053485A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Takayuki Yanase | Method for cleaning and drying substrate |
| RU2386187C1 (en) * | 2008-09-15 | 2010-04-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" ОАО "НИИПМ" | Method and device for washing and drying of substrates |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2618492C2 (en) * | 2015-07-22 | 2017-05-03 | Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" | Plant for washing wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012132507A (en) | 2014-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1039506B1 (en) | Apparatus for cleaning and drying substrates | |
| KR100907125B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR20150088792A (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer | |
| JP3699485B2 (en) | Apparatus for processing a substrate in a fluid container | |
| KR102213735B1 (en) | Single use rinse in a linear marangoni drier | |
| US7730898B2 (en) | Semiconductor wafer lifter | |
| US6681499B2 (en) | Substrate drying method for use with a surface tension effect dryer with porous vessel walls | |
| JP2007180426A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| RU2510098C1 (en) | Method and device to wash and dry substrates | |
| US20080000495A1 (en) | Apparatus and method for single substrate processing | |
| JP2003031538A (en) | Wafer processing apparatus and method | |
| KR100645042B1 (en) | Apparatus for cleaning semiconductor substrates | |
| KR100695233B1 (en) | Apparatus and method for cleaning a substrate | |
| RU2386187C1 (en) | Method and device for washing and drying of substrates | |
| KR102301370B1 (en) | Batch type apparatus for treating substrate | |
| KR101425813B1 (en) | Apparatus of cleaning and drying wafer | |
| RU2309481C2 (en) | Method and device for washing and drying flat glass substrates | |
| JP2003031537A (en) | Wafer processing apparatus | |
| KR100936191B1 (en) | Ingot cleaning apparatus and ingot cleaning method | |
| JP2000031108A (en) | Device and method for cleaning and drying wafer | |
| JP2001291698A (en) | Apparatus for treatment and method therefor | |
| KR101484162B1 (en) | Apparatus for drying substrate | |
| KR100635379B1 (en) | Wafer guide, and method for loading wafers on the guide | |
| GB2476315A (en) | Cleaning a stack of thin wafers | |
| KR20070019449A (en) | Apparatus for drying wafer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160728 |