KR102504127B1 - 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1기판의 제1면 상에 디스플레이부를 형성하는 단계, 제2기판을 냉각한 상태에서, 제2기판의 제2면 상의 가장자리에 고온부재를 접촉시켜, 제2기판의 제2면 상의 가장자리에 그루브(groove)를 형성하는 단계 및 제2기판의 그루브가 형성된 제2면이 제1기판 상의 디스플레이부를 향하도록 제2기판을 배치시켜, 제1기판과 제2기판 사이에 개재되는 씰링부재가 그루브에 접촉하도록 하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.

Description

디스플레이 장치의 제조방법{Method for manufacturing display apparatus}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 밀봉특성 및 기구강도를 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 디스플레이 장치의 시장이 커지고 있다. 이러한 디스플레이 장치는 다양한 형태로 개발되고 있는데, 그 중에서도 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 디스플레이 장치로서 유기발광 디스플레이 장치가 주목 받고 있다.
유기발광 디스플레이 장치는 디스플레이 영역에 유기발광소자를 구비하는데, 이러한 유기발광소자는 수분 및 산소에 매우 취약하므로 투습 및/또는 투산소로 인한 유기발광소자의 열화를 방지할 필요가 있다. 이러한 방법의 하나로 씰링부재를 이용하여 상부기판 및 하부기판을 합착시키게 되는데, 최근 유기발광 디스플레이 장치의 데드 스페이스(dead space)를 축소하기 위해 씰링부재의 폭을 줄이는 다양한 시도들이 이루어지고 있다.
그러나 종래의 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법의 경우, 씰링부재의 폭을 줄이는 과정에서 씰링부재와 상·하기판 사이의 접착력이 줄어들 수 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 밀봉특성 및 기구강도를 향상시킬 수 있는 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1기판의 제1면 상에 디스플레이부를 형성하는 단계, 제2기판을 냉각한 상태에서, 제2기판의 제2면 상의 가장자리에 고온부재를 접촉시켜, 제2기판의 제2면 상의 가장자리에 그루브(groove)를 형성하는 단계 및 제2기판의 그루브가 형성된 제2면이 제1기판 상의 디스플레이부를 향하도록 제2기판을 배치시켜, 제1기판과 제2기판 사이에 개재되는 씰링부재가 그루브에 접촉하도록 하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
그루브가 제2기판의 중앙부를 일주(一周)할 수 있다.
상기 그루브를 형성하는 단계는, 제2기판의 제2면이 제1기판 상의 디스플레이부를 향하도록 배치될 시 그루브가 디스플레이부 외측에 위치하도록, 그루브를 형성하는 단계일 수 있다.
상기 그루브를 형성하는 단계는, 제2기판의 제2면에 있어서 고온부재가 접촉한 부분의 적어도 일부를 박리하는 단계, 또는 제2기판의 제2면에 있어서 고온부재가 접촉한 부분의 적어도 일부를 소성변형시키는 단계일 수 있다.
고온부재를 접촉시킬 시, 고온부재를 제2기판에 접촉하면서 고온부재로 제2기판을 가압할 수 있다.
제2기판은 글래스재를 포함할 수 있다.
제2기판은 무(無)알칼리 글래스재를 포함하고,
상기 그루브를 형성하는 단계는, 제2기판의 제2면에 있어서 고온부재가 접촉한 부분의 적어도 일부를 소성변형시키는 단계일 수 있다.
고온부재의 온도는 제2기판의 유리전이온도(Tg) 이상일 수 있다.
제2기판을 냉각할 시, 제2기판을 50℃ 이하로 냉각하는 단계를 포함할 수 있다.
제2기판을 냉각할 시, 제2기판을 저온부재에 접촉시킬 수 있다.
그루브는 스트립(strip) 형상을 가질 수 있다.
그루브의 폭은 1000㎛ 이하이고, 그루브의 깊이는 100㎛ 이하일 수 있다.
그루브는 복수개의 서브 그루브들을 포함할 수 있다.
씰링부재는 유기물을 포함할 수 있다.
제1기판을 냉각한 상태에서, 제1기판의 제1면 상의 가장자리에 고온부재를 접촉시켜, 제1기판의 제1면 상의 가장자리에 추가그루브를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 추가그루브를 형성하는 단계는, 제1기판의 제1면 상에 추가그루브가 디스플레이부 외측에 위치하도록, 추가그루브를 형성하는 단계일 수 있다.
상술한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 밀봉특성 및 기구강도를 용이하게 향상시킬 수 있는 한편, 데드 스페이스를 축소할 수 있는 디스플레이 장치의 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 이용하여 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II' 선을 따라 취한 단면도이다.
도 3 내지 도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 제조공정들을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 8a 및 도 8b는 도 4의 제조공정의 예들을 도시한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 도 1의 디스플레이부의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예들을 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분"위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 이용하여 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II' 선을 따라 취한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1000)는 제1기판(100), 제2기판(110), 디스플레이부(200) 및 씰링부재(300)를 구비한다. 제2기판(110)은 씰링부재(300)에 접촉하도록 배치된 그루브(G)(groove)를 갖는다.
제1기판(100)은 글래스재, 플라스틱재 및 금속재 등으로 형성될 수 있다.
제1기판(100)의 제1면(P1) 상에는 디스플레이부(200)가 배치된다. 이에 대한 구체적인 내용은 도 11을 참조하여 후술한다.
제1기판(100)의 디스플레이부(200)가 형성된 제1면(P1) 상부에는 제2기판(110)이 배치된다. 이로써 제1기판(100)의 제1면(P1)과 제2기판(110)의 제2면(P2)이 대향하게 된다. 제2기판(110)은 제1기판(100)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 이하 제1기판(100) 및 제2기판(110)은 글래스재를 포함하는 것을 중심으로 설명한다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
제2기판(110)은 제2면(P2)의 가장자리에 그루브(G)를 갖는다. 제2기판(110)의 제2면(P2) 상에 그루브(G)를 형성하기 위해 레이저 가공, 식각 등과 같은 다양한 방법들이 이용될 수 있는데, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1000)의 제조방법의 경우 상온 이하로 냉각된 제2기판(110)의 제2면(P2)을 국부적으로 가열함으로써 제2기판(110)의 일부를 제거하는 방법을 이용하여 그루브(G)를 형성한다. 이에 대한 구체적인 설명은 도 4를 참조하여 후술한다.
씰링부재(300)는 제1기판(100)과 제2기판(110) 사이에 개재되어 제1기판(100)과 제2기판(110)을 합착한다. 이때 씰링부재(300)는 제1기판(100)의 디스플레이부(200)를 둘러싸도록 배치된다. 이로써 씰링부재(300), 제1기판(100) 및 제2기판(110)에 의해 디스플레이부(200)가 밀봉되어 디스플레이부(200)로의 투습, 투산소 등을 방지할 수 있다.
씰링부재(300)는 제1기판(100)의 가장자리에 배치되는 배선들(미도시)과 일부 중첩되도록 위치할 수 있다. 상기 배선들은 디스플레이부(200)에 구비된 박막 트랜지스터들(미도시) 및 유기발광소자(OLED)에 전기적 신호 및 전압을 인가하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 배선들 및 이들을 구동하는 구동부들(미도시)은 제1기판(100) 상에 배치된 패드부(PAD)에 연결될 수 있다. 이와 같이 씰링부재(300)가 상기 배선들과 중첩되도록 위치함으로써, 디스플레이 장치(1000)의 데드 스페이스(dead space)를 축소시킬 수 있다.
씰링부재(300)는 일 예로 프릿 등의 무기물을 이용하여 형성할 수 있다. 다른 예로, 씰링부재(300)는 열경화수지 등과 같은 유기물을 이용하여 형성하거나, 유?무기 복합재를 이용하여 형성할 수도 있다.
씰링부재(300)는 제1기판(100) 또는 제2기판(110)의 일면 상에 기판의 가장자리를 따라 씰링부재용 패턴을 형성한 후, 상기 패턴에 레이저빔를 조사하여 용융시켰다가 이를 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 그러나 상기 씰링부재용 패턴을 제1기판(100) 상의 가장자리에 형성하는 경우, 상기 씰링부재용 패턴에 레이저빔을 조사할 시 디스플레이부(200)의 열화를 유발할 수 있으므로 주의를 요한다. 이하 설명의 편의를 위해, 상기 씰링부재용 패턴을 제2기판(110) 상의 가장자리에 형성하는 경우를 중심으로 설명한다. 이는 후술하는 실시예들 및 그 변형예들에 있어서도 마찬가지이다.
씰링부재(300)는 제2기판(110)의 제2면(P2)에 형성된 그루브(G)를 채운 상태로 제2기판(110)과 접착된다. 이로써 씰링부재(300)가 제2기판(110)에 접촉하는 면적이 넓어지게 된다. 이와 같이 씰링부재(300)와 제2기판(110) 간의 접촉 면적이 넓어짐으로써, 씰링부재(300)와 제2기판(110)의 접착력이 향상될 수 있다. 나아가, 디스플레이 장치(1000)의 밀봉특성 및 기구강도가 향상될 수 있다.
상기와 같이 씰링부재(300)와 제2기판(110)의 접촉 면적이 넓어짐에 따라, 씰링부재(300)는 제2기판(110)의 재질과 유사한 물질뿐만 아니라, 제2기판(110)의 재질과 상이한 물질을 이용하여 형성할 수도 있다. 예를 들어 제2기판(110)이 글래스재를 포함하는 경우, 씰링부재(300)는 제2기판(110)의 재질과 유사한 프릿뿐만 아니라, 제2기판(110)의 재질과 상이한 유기물을 이용하여 형성할 수도 있다. 또한, 씰링부재(300)의 접착력이 향상된 만큼 씰링부재(300)의 폭을 줄일 수 있어 디스플레이 장치(1000)의 데드 스페이스를 축소시킬 수 있다.
씰링부재(300)가 제2기판(110)의 그루브(G)에 접촉함에 따라, 그루브(G)는 씰링부재(300)와 마찬가지로 제1기판(100)의 중앙부에 형성된 디스플레이부(200)를 둘러싸며, 디스플레이부(200)의 외측에 위치하게 된다. 따라서 그루브(G)는 제1기판(100)과 대향하는 제2기판(110)의 중앙부를 일주(一周)하도록 제2기판(110)의 제2면(P2)에 배치된다.
도 3 내지 도 7은 도 1의 디스플레이 장치의 제조공정들을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
먼저 도 3에 도시된 바와 같이, 제1기판(100)을 준비하고, 제1기판(100)의 제1면(P1) 상에 디스플레이부(200)를 형성한다. 이때 디스플레이부(200)는 제1기판(100)의 제1면(P1) 상의 중앙부에 위치하도록 형성한다.
이후 도 4에 도시된 바와 같이, 제2기판(110)을 준비하고, 제2기판(110)을 냉각한다. 제2기판(110)을 냉각한 상태에서, 제2기판(110)의 제2면(P2) 상의 가장자리에 고온부재(15)를 접촉시켜 제2기판(110)을 가열한다. 이로써 제2기판(110)의 고온부재(15)에 접촉한 부분에 그루브(G)가 형성된다. 이때, 제2기판(110)은 글래스재를 포함할 수 있다.
제2기판(110)을 냉각하기 위해 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 즉, 저온으로 유지되는 장소에 제2기판(110)을 일정 시간 적치하거나, 저온으로 유지되는 부재에 제2기판(110)을 접촉시킬 수 있다. 이때 공정 중에 제2기판(110)의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해서는, 후자와 같이 제2기판(110)을 저온부재(11)에 접촉시켜 제2기판(110)을 지속적으로 냉각하는 것이 바람직하다.
이와 같이 제2기판(110)은 저온부재(11)에 접촉한 상태로 냉각될 수 있는데, 제2기판(110)이 냉각된다는 것은, 제2기판(110)의 온도가 주변부보다 낮아지는 것을 의미한다. 이때 제2기판(110)에 있어서 그루브(G)가 형성되는 영역만을 선별적으로 냉각하는 것도 가능하나, 제2기판(110) 전체를 냉각하는 것이 온도 제어의 측면에서 더욱 안정적일 수 있다.
저온부재(11)는 상온보다 낮은 온도로 유지될 수 있는데, 작업장의 온도를 감안할 때 저온부재(11)는 50℃ 이하로 유지될 수 있다. 그러나 저온부재(11)의 온도가 0℃ 이하로 내려가는 경우, 제2기판(110)에 결로(結露) 현상이 발생하거나, 냉각을 위해 과다한 에너지가 소요될 수 있으므로 주의를 요한다.
고온부재(15)는 제2기판(110)의 국소영역(C)에 접촉하여 이 국소영역(C)을 짧은 시간 내에 가열할 수 있다. 이러한 고온부재(15)로는 다양한 것들이 있을 수 있으나, 일 예로 고주파 유도 가열 방식에 의한 고온부재가 이용될 수 있다. 이하, 고주파 유도 가열 방식에 의한 고온부재(15)에 대해 좀 더 구체적으로 설명한다.
고온부재(15)는 봉 형태의 몸체부(16)와, 몸체부(16)의 일단에 형성된 원뿔 형상의 접촉부(17)를 포함할 수 있다. 몸체부(16)의 타단은 베이스(14)에 고정되어, 제2기판(110)과 접촉 시 몸체부(16)를 지지하도록 할 수 있다. 또한 몸체부(16)는 고주파 유도 가열기(18)에 연결된 유도 코일(19)에 의해서 가열된다. 이러한 고주파 유도 가열 방식은 고주파 전류가 흐르는 코일의 중간에 위치한 유도체가 전자 유도 작용으로 일어나는 와전류(渦電流) 및 일부의 히스테리스시(hysteresis) 열손실에 의해 급속히 가열되는 현상을 이용한 것으로, 고온부재(15)의 몸체부(16)가 상기 코일 중간에 위치한 유도체에 해당한다. 고주파 유도 가열기(18)는 유도 코일(19)을 관통하는 고온부재(15)에 에너지를 효과적으로 집중시킬 수 있어, 단시간 내에 고온부재(15)의 온도를 상승시키고, 제2기판(110)과의 접촉에 의한 고온부재(15)의 온도 저하를 방지할 수 있다.
고온부재(15)가 제2기판(110)의 제2면(P2)에 접촉된다는 것은, 고온부재(15)의 접촉부(17)가 제2기판(110)의 제2면(P2)에 물리적으로 접촉된다는 것을 의미한다. 또한 접촉부(17)는 제2기판(110)에 그루브(G)가 형성되는 폭을 조절할 수 있도록 제2기판(110)의 제2면(P2)을 소정의 압력으로 가압하게 된다. 이때 접촉부(17)가 제2기판(110)에 가하는 압력이 지나치게 높을 경우, 제2기판(110)의 강도를 저하시키거나, 심각하게는 제2기판(110)에 손상을 유발할 수 있다. 이와 반대로 접촉부(17)가 제2기판(110)에 가하는 압력이 지나치게 낮을 경우, 제2기판(110)의 가공 생산성이 떨어질 수 있다. 일 예로, 고온부재(15)는 0.1 내지 3.0 kgf/㎠ 정도의 압력으로 가압될 수 있다.
고온부재(15)의 온도는 제2기판(110)에 포함된 글래스재의 유리전이온도(Tg, glass transition temperature) 이상의 값을 갖는다. 제2기판(110)의 가공을 용이하게 하기 위해, 고온부재(15)는 제2기판(110)에 포함된 글래스재의 유리전이온도(Tg)보다 50℃ 내지 500℃ 정도 높은 온도로 유지될 수 있다. 일 예로, 고온부재(15)의 온도는 1200℃ 이상일 수 있다. 이로써 제2기판(110)의 고온부재(15)에 접촉하는 부분인 국소영역(C)은 1200℃ 이상의 고온에 노출되어 단시간 내에 가열될 수 있다.
상기와 같이 제2기판(110)의 국소영역(C)이 유리전이온도 이상으로 가열되면, 제2기판(110)에 있어서 국소영역(C)과 국소영역(C) 주변의 저온영역 사이에 온도차가 발생하게 된다. 이로써 제2기판(110)의 국소영역(C)을 중심으로 제2기판(110)의 적어도 일부가 박리되거나 소성변형될 수 있다. 이에 대한 구체적인 내용은 도 8a 및 도 8b를 참조하여 후술한다.
이후 도 5에 도시된 바와 같이, 제2기판(110)의 국소영역(C)을 중심으로 제2기판(110)의 적어도 일부가 박리되거나 소성변형되어, 제2기판(110)의 제2면(P2) 상에는 그루브(G)가 형성된다. 이때 그루브(G)를 과도하게 형성하는 경우, 제2기판(110)의 강도를 저하시킬 수 있고, 이와 반대로 그루브(G)를 과소하게 형성하는 경우, 씰링부재(300)와의 접촉면적 또는 접착력을 원하는 수준으로 얻을 수 없게 된다. 따라서, 제2기판(110)의 강도, 씰링부재(300)와의 접착력, 씰링부재(300)의 폭 등을 감안하여, 그루브(G)의 폭은 1000㎛ 이하로 형성하고, 그루브(G)의 깊이는 100㎛ 이하로 형성할 수 있다.
한편 제2기판(110)은 고온부재(15)와 상대적으로 운동하여, 스트립(strip) 형상의 그루브(G)가 형성될 수 있다. 다시 도 4를 참조하면, 제2기판(110)은 고온부재(15)가 고정된 상태에서 X축 방향 및 그 역방향으로 운동할 수 있다. 또한 제2기판(110)은 고온부재(15)가 고정된 상태에서 제2기판(110)의 폭방향, 즉 XY평면에 수직한 방향(도 1의 Z축 방향 및 그 역방향)으로 운동할 수도 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것이 아니라, 제2기판(110)이 고정된 상태에서 고온부재(15)가 X축 방향 및 그 역방향으로 운동하거나, Z축 방향 및 그 역방향으로 운동할 수도 있다. 또는 제2기판(110)과 고온부재(15)가 동시에 X축 방향 및 그 역방향이나, Z축 방향 및 그 역방향으로 운동하는 것도 가능하다. 이러한 제2기판(110) 및 고온부재(15)의 이동 속도는 그루브 형상, 글래스재의 종류, 온도차, 압력차, 생산성 등을 고려하여 적절한 값으로 조절될 수 있다. 상기와 같이 제2기판(110) 및/또는 고온부재(15)가 운동함에 따라, 그루브(G)는 스트립(strip) 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 일 예로 고온부재(15)가 베이스(14)에 고정된 상태에서 제2기판(110)이 X축 방향으로 운동함에 따라, 제2기판(110)의 가장자리에 그루브(G)가 형성되고, 이러한 그루브(G)는 X축 방향을 따라 연장되는 스트립(strip) 형상을 갖게 된다.
이후 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제2기판(110)의 제2면(P2) 상의 가장자리에 형성된 그루브(G)를 채우도록 씰링부재용 패턴(301)을 형성한다. 다음으로, 제2기판(110)의 씰링부재용 패턴(301)이 형성된 제2면(P2)과 제1기판(100)의 디스플레이부(200)가 형성된 제1면(P1)을 대향시킨 후, 씰링부재용 패턴(301)에 의해 제1기판(100) 및 제2기판(110)이 합착되도록 한다.
도 8a 및 도 8b는 도 4의 제조공정의 예들을 도시한 단면도들이다.
일 예로 도 8a의 (i)에 도시된 바와 같이, 제2기판(110)의 제2면(P2) 상에 고온부재(15)의 접촉부(17)를 접촉시키면, 접촉부(17)가 제2기판(110)의 제2면(P2)을 가압하면서 제2기판(110)의 국소영역(C)을 급속도로 가열시키게 된다. 이로써 제2기판(110)에 있어서, 국소영역(C)과 국소영역(C)의 주변영역 사이에 온도차가 발생한다. 이러한 온도차로 인해, 국소영역(C)을 중심으로 한 고온영역(HA)은 팽창하려는 경향을 보이고, 고온영역(HA)의 주변에 위치하는 저온영역(LA)은 상대적으로 수축하려는 경향을 보이게 된다.
이로써 도 8a의 (ii)에 도시된 바와 같이, 국소영역(C)을 중심으로 한 제2기판(110)의 적어도 일부가 높은 변형 스트레스를 받아 순간적으로 박리되어, 제2기판(110) 상에는 그루브(G)가 형성될 수 있다. 이때 제2기판(110)은 비교적 열팽창계수가 높은 소다라임(soda-lime) 글래스재를 포함할 수 있다.
다른 예로 도 8b의 (i)에 도시된 바와 같이, 제2기판(110')의 제2면(P2') 상의 국소영역(C')이 고온부재(15)의 접촉부(17)에 접촉되면, 접촉부(17)의 가압력에 의해 제2기판(110')의 국소영역(C')은 소성변형된다. 이때 제2기판(110')은 도 8a의 제2기판(110)에 비해 상대적으로 열팽창계수가 낮은 글래스재를 포함할 수 있다. 가령 제2기판(110')은 무(無)알칼리 글래스재를 포함할 수 있다. 따라서, 제2기판(110')은 도 8a에 도시된 것과 다른 양상의 변형을 겪게 된다. 즉, 국소영역(C')을 중심으로 한 제2기판(110')의 적어도 일부는, 온도상승에 의해 팽창되기 보다는, 고온부재(15)의 가압력에 의해 고온부재(15)의 접촉부(17)에 대응하는 형상으로 함몰된다.
이로써 도 8b의 (ii)에 도시된 바와 같이, 국소영역(C')을 중심으로 한 제2기판(110')의 적어도 일부가 함몰되어, 제2기판(110') 상에는 그루브(G')가 형성될 수 있다. 이때 고온부재(15)의 가압으로 인해 그루브(G')에 인접하게 융기부(PR')가 형성될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저 도 9를 참조하면, 제2기판(110a)의 제2면(P21) 상에는 복수개의 서브 그루브들(G1, G2)이 형성될 수 있다. 이로써 제2기판(110a)과 씰링부재(300a) 사이의 접촉 면적을 더욱 확장시킴으로써, 제2기판(110a)과 씰링부재(300a) 사이의 접착력 또한 더욱 증가할 수 있다. 따라서 제1기판(100a)의 제1면(P11) 상에 형성된 디스플레이부(200a)를 더욱 견고하게 밀봉할 수 있다.
제2기판(110a) 상에 복수개의 서브 그루브들(G1, G2)을 형성하기 위해, 제2기판(110a)을 가열하는 고온부재(미도시)는 제2기판(110a)의 제2면(P21) 상에 위치하는 복수개의 서브 국소영역들(C1, C2)에 접촉하게 된다. 이때, 고온부재는 복수개의 접촉부를 구비할 수도 있고, 하나의 접촉부를 갖는 고온부재가 복수회의 공정을 통해 서브 그루브들(G1, G2)을 형성할 수도 있다.
도 10을 참조하면, 제2기판(110b)의 제2면(P22)에 있어서 고온부재(미도시)가 접촉되는 상부국소영역(C1)을 중심으로 상부그루브(G3)가 형성되는 한편, 제1기판(100b)의 제1면(P12)에 있어서 상기 고온부재가 접촉되는 하부국소영역(C2)을 중심으로 하부그루브(G4)가 형성될 수 있다. 이때 하부그루브(G4)는 상부그루브(G3)와 대향하도록 배치된다. 이로써 제2기판(110b)과 씰링부재(300b) 사이의 접착력뿐만 아니라, 제1기판(100b)과 씰링부재(300b) 사이의 접착력도 증가하여, 제1기판(100b)의 제1면(P12) 상에 형성된 디스플레이부(200b)를 더욱 견고하게 밀봉할 수 있다.
제1기판(100b) 상에 하부그루브(G4)를 형성하기 위해, 도 4를 참조하여 전술한 바와 같이 제1기판(100b)을 냉각한 상태에서, 제1기판(100b)의 하부국소영역(C4)에 상기 고온부재를 접촉시켜 제1기판(100b)을 가열한다. 이후 하부국소영역(C4)을 중심으로 한 제1기판(100b)의 적어도 일부가 박리되거나 소성변형되어 하부그루브(G4)를 형성하게 된다. 이러한 과정에서 제1기판(100b) 상에 배치되는 디스플레이부(200)가 열화되는 것을 방지하려면, 디스플레이부(200)를 형성하기 이전 단계에서 제1기판(100b) 상에 하부그루브(G4)를 형성하는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 이용하면, 디스플레이 장치의 밀봉특성 및 기구강도를 향상시킬 수 있는 한편, 디스플레이 장치의 데드 스페이스를 축소할 수 있다.
도 11은 본 발명의 도 1의 디스플레이부의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
디스플레이부(200)에 구비된 디스플레이 소자들은 디스플레이 장치의 종류에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해, 디스플레이 소자로 유기발광소자(OLED)가 구비된 경우를 중심으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 제1기판(100) 상에는 버퍼층(51), 게이트절연막(53), 층간절연막(55) 등과 같은 공통층이 제1기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있고, 채널영역(52a), 소스컨택영역(52b) 및 드레인컨택영역(52c)을 포함하는 패터닝된 반도체층(52)이 형성될 수도 있으며, 이러한 패터닝된 반도체층과 함께 박막트랜지스터(TFT)의 구성요소가 되는 게이트전극(54), 소스전극(56) 및 드레인전극(57)이 형성될 수 있다.
또한, 이러한 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(58)과, 보호막(58) 상에 위치하며 그 상면이 대략 평탄한 평탄화막(59)이 제1기판(100)의 전면에 형성될 수 있다. 이러한 평탄화막(59) 상에는 패터닝된 화소전극(61), 제1기판(100)의 전면에 대략 대응하는 대향전극(63), 그리고 화소전극(61)과 대향전극(63) 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 다층 구조의 중간층(62)을 포함하는, 유기발광소자(OLED)가 위치하도록 형성될 수 있다.
물론 중간층(62)은 도시된 것과 달리 일부 층은 제1기판(100)의 전면(全面)에 대략 대응하는 공통층일 수 있고, 다른 일부 층은 화소전극(61)에 대응하도록 패터닝된 패턴층일 수 있다. 화소전극(61)은 비아홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결될 수 있다. 물론 화소전극(61)의 가장자리를 덮으며 각 화소영역을 정의하는 개구를 갖는 화소정의막(60)이 제1기판(100)의 전면에 대략 대응하도록 평탄화막(59) 상에 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1000: 디스플레이 장치 100: 제1기판
110: 제2기판 200: 디스플레이부
300: 씰링부재 G: 그루브
11: 저온부재 15: 고온부재
16: 몸체부 17: 접촉부
18: 고주파 유도 가열기 19: 유도 코일

Claims (16)

  1. 제1기판의 제1면 상에 디스플레이부를 형성하는 단계;
    제2기판의 제1면에 저온부재를 접촉시켜 상기 제2기판을 0℃ 이상 50℃ 이하로 냉각하는 단계;
    상기 제2기판의 제1면에 상기 저온부재를 접촉한 상태에서, 상기 제2기판의 제1면의 반대면인 제2면 상의 가장자리에 고온부재를 접촉시켜, 상기 제2기판의 제2면 상의 가장자리에 그루브(groove)를 형성하는 단계; 및
    상기 그루브가 형성된 상기 제2기판의 제2면이 상기 제1기판 상의 디스플레이부를 향하도록 제2기판을 배치시켜, 상기 제1기판의 제1면과 상기 제2기판의 제1면 사이에 개재되는 씰링부재가 상기 그루브에 접촉하도록 하는 단계;를 포함하며,
    상기 그루브를 형성하는 단계는 상기 고온부재가 접촉한 상기 제2기판의 제2면의 일부를 박리하거나 소정변형시키는 단계이고,
    상기 고온부재를 접촉시킬 시 상기 제2기판의 제2면을 가압하여 상기 그루브의 폭을 조절하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브가 상기 제2기판의 중앙부를 일주(一周)하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브를 형성하는 단계는,
    상기 제2기판의 제2면이 상기 제1기판 상의 상기 디스플레이부를 향하도록 배치될 시, 상기 그루브를 상기 디스플레이부 외측에 위치하도록 형성하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2기판은 글래스재를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2기판은 무(無)알칼리 글래스재를 포함하고,
    상기 그루브를 형성하는 단계는, 상기 제2기판의 제2면에 있어서 상기 고온부재가 접촉한 부분의 적어도 일부를 소성변형시키는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 고온부재의 온도는 상기 제2기판의 유리전이온도(Tg) 이상인 디스플레이 장치의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브는 스트립(strip) 형상을 갖는 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브의 폭은 1000㎛ 이하이고, 상기 그루브의 깊이는 100㎛ 이하인, 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 그루브는 복수개의 서브 그루브들을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 씰링부재는 유기물을 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1기판을 냉각한 상태에서, 상기 제1기판의 제1면 상의 가장자리에 상기 고온부재를 접촉시켜, 상기 제1기판의 제1면 상의 가장자리에 추가그루브를 형성하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 추가그루브를 형성하는 단계는,
    상기 제1기판의 제1면 상에 상기 추가그루브가 디스플레이부 외측에 위치하도록, 추가그루브를 형성하는 단계인, 디스플레이 장치의 제조방법
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CN108281566B (zh) * 2018-01-03 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN114446176B (zh) * 2022-02-09 2023-06-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635049B1 (ko) * 2003-11-29 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2007035536A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Rohm Co Ltd フラットパネルディスプレイ
CN201752015U (zh) * 2010-03-23 2011-02-23 彩虹显示器件股份有限公司 一种改善密封性的有机电致发光显示器件
CN102255056A (zh) * 2011-07-12 2011-11-23 上海大学 一种增强玻璃料密封oled器件密封性能的方法
KR101405442B1 (ko) * 2012-08-01 2014-06-13 주식회사 라미넥스 고주파 유도 가열기를 이용한 유리 모서리 가공 방법 및 장치
CN203300706U (zh) * 2013-06-19 2013-11-20 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件封装盖板、有机电致发光器件及显示器
CN103337511B (zh) * 2013-07-05 2016-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 Oled面板及其封装方法
CN203481280U (zh) * 2013-09-24 2014-03-12 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件的封装结构

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