KR102502656B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 기판과 상기 제1 기판 상에 배치되며, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 배치되며, 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전원 배선들 및 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 전원 배선들과 전기적으로 연결되는 제1 보조 전극을 포함한다.A first substrate and a thin film transistor disposed on the first substrate and including a gate electrode and source and drain electrodes, disposed on the same layer as the source and drain electrodes, and supplied with a first power supply voltage. and a first auxiliary electrode disposed on the same layer as the power lines and the gate electrode and electrically connected to the first power lines.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 애노드(Anode) 전극과 캐소드(Cathode) 전극 사이의 유기 발광층에 의해서 자체적으로 발광하는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다. An organic light emitting display device (OLED) is a self-emitting device that emits light by itself through an organic light emitting layer between an anode electrode and a cathode electrode, and has low power consumption, high speed response speed, high luminous efficiency, and high luminance. and has a wide viewing angle.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 통해 발광된 광의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하기 때문에 상기 회로 소자로 인해서 개구율이 저하되는 단점이 있는 반면에, 상기 상부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하지 않기 때문에 개구율이 향상되는 장점이 있다.The organic light emitting display device is divided into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through the organic light emitting element. The bottom emission method has a disadvantage in that the aperture ratio is lowered due to the circuit element because the circuit element is located between the light emitting layer and the image display surface, whereas the top emission method has no circuit element located between the light emitting layer and the image display surface. Therefore, there is an advantage in that the aperture ratio is improved.

이러한 종래의 유기 발광 표시 장치는 제1 기판, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 애노드 전극, 유기 발광층, 및 캐소드 전극을 포함한다.Such a conventional organic light emitting display device includes a first substrate, a thin film transistor (TFT), an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode.

상기 제1 기판 상에는 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하도록 배치되어 화소 영역을 정의하고, 각 화소 영역에는 박막 트랜지스터가 마련된다.A gate line and a data line are arranged to cross each other on the first substrate to define a pixel area, and a thin film transistor is provided in each pixel area.

상기 애노드 전극은 박막 트랜지스터와 연결되고, 유기 발광층은 애노드 전극 상에 배치된다. The anode electrode is connected to the thin film transistor, and the organic light emitting layer is disposed on the anode electrode.

상기 캐소드 전극은 유기 발광층 상의 제1 기판 전면에 배치된다.The cathode electrode is disposed on the entire surface of the first substrate on the organic light emitting layer.

제1 전원배선들은 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 마련되어, 외부의 전압 공급부로부터 공급되는 제1 전원 전압(EVDD)을 각 화소로 인가한다. 제2 전원배선들은 캐소드 전극과 연결되어 캐소드 전극으로 제2 전원 전압(EVSS)을 인가한다. 이때, 캐소드 전극의 저항을 낮추기 위해서 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극을 형성하는데, 상기 보조 전극과 제1 전원 배선의 간격이 가깝게 배치된다. 따라서, 제1 전원 배선들의 일부에 전류가 쏠리는 경우, 보조 전극과 제1 전원 배선 사이에서 번트(burnt)가 발생하여 보조 전극과 제1 전원 배선 사이의 절연층들이 파괴될 수 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치의 불량의 원인이 되고 신뢰성이 감소할 수 있다.The first power lines are provided on the same layer as the source and drain electrodes of the thin film transistors, and apply the first power voltage EVDD supplied from an external voltage supply to each pixel. The second power lines are connected to the cathode electrode to apply the second power voltage EVSS to the cathode electrode. At this time, in order to lower the resistance of the cathode electrode, an auxiliary electrode electrically connected to the cathode electrode is formed, and the distance between the auxiliary electrode and the first power wire is close. Accordingly, when a current is applied to some of the first power supply wires, a burnt may occur between the auxiliary electrode and the first power supply wires, and thus the insulating layers between the auxiliary electrode and the first power supply wires may be destroyed. In this case, defects of the organic light emitting display device may be caused and reliability may be reduced.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 신뢰성이 향상된 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and a technical problem is to provide an organic light emitting display device having improved reliability.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 제1 기판과 상기 제1 기판 상에 배치되며, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 배치되며, 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전원 배선들 및 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 전원 배선들과 전기적으로 연결되는 제1 보조 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above technical problem is disposed on the first substrate and the first substrate, the thin film transistor including a gate electrode and source and drain electrodes and disposed on the same layer as the source and drain electrodes, An organic light emitting display device including first power lines to which one power supply voltage is supplied and a first auxiliary electrode disposed on the same layer as the gate electrode and electrically connected to the first power lines.

본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전원 전압이 인가되는 제1 보조 전극과 제2 전원 전압이 인가되는 제2 보조 전극이 멀리 이격되도록 배치함으로써, 번트가 발생하는 것을 방지하고 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.An organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention prevents burnt from occurring by arranging a first auxiliary electrode to which a first power voltage is applied and a second auxiliary electrode to which a second power voltage is applied to be far apart from each other. Reliability of the light emitting display device may be prevented from being reduced.

또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 보조 전극을 충분한 면적을 갖도록 형성하여, 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전원 배선의 저항을 낮출 수 있으며 따라서, 제1 전원 전압이 안정적으로 공급될 수 있다.Also, in the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, the first auxiliary electrode may be formed to have a sufficient area to lower the resistance of the first power line to which the first power voltage is supplied. Accordingly, the first power voltage can be supplied stably.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below. .

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판의 표시영역과 비 표시영역, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성 필름, 회로 보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도로서, 도 2의 A영역을 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 I-I’선에 따른 단면도이다.
1 is a perspective view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating a display area and a non-display area of the first substrate of FIG. 1 , a gate driver, a source drive IC, a flexible film, a circuit board, and a timing controller.
3 is a cross-sectional view of a pixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, which is an enlarged view of area A of FIG. 2 .
FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an example of the present invention, taken along the line II′ of FIG. 4 .

본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. The meaning of terms described in this specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.Singular expressions should be understood to include plural expressions unless the context clearly defines otherwise, and terms such as “first” and “second” are used to distinguish one component from another, The scope of rights should not be limited by these terms. It should be understood that terms such as "comprise" or "having" do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, "at least one of the first item, the second item, and the third item" means not only the first item, the second item, or the third item, respectively, but also two of the first item, the second item, and the third item. It means a combination of all items that can be presented from one or more. The term "on" means not only the case where a certain component is formed directly on top of another component, but also the case where a third component is interposed between these components.

이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, a preferred example of an organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 제1 기판의 표시영역과 비 표시영역, 게이트 구동부, 소스 드라이브 IC, 연성 필름, 회로 보드, 및 타이밍 제어부를 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view showing an organic light emitting display device according to an example of the present invention, and FIG. 2 is a display area and a non-display area of a first substrate of FIG. 1 , a gate driver, a source driver IC, a flexible film, a circuit board, and It is a plan view showing the timing control unit.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(11), 게이트 구동부(12), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(13), 연성 필름(14), 회로 보드(15), 및 타이밍 제어부(16)를 포함한다. 도 1의 사시도와 도 2의 평면도에서 보이지 않는 구성은 점선으로 도시하였다.Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 11, a gate driver 12, a source drive integrated circuit (hereinafter referred to as “IC”) 13, and a flexible It includes a film 14, a circuit board 15, and a timing controller 16. Components not visible in the perspective view of FIG. 1 and the plan view of FIG. 2 are shown by dotted lines.

상기 표시 패널(11)의 표시영역(DA)에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 영역들에 배치되는 화소(P)들이 형성된다. 표시영역(DA)의 화소(P)들은 화상을 표시할 수 있다.In the display area DA of the display panel 11 , gate lines, data lines, and pixels P disposed at crossing areas of the gate lines and data lines are formed. The pixels P of the display area DA may display an image.

상기 게이트 구동부(12)는 타이밍 제어부(16)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 이러한, 게이트 구동부(12)는 표시 패널(11)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(DA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되거나, 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시 패널(11)의 표시영역(DA)의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비 표시영역(DA)에 부착될 수도 있다.The gate driver 12 supplies gate signals to gate lines according to a gate control signal input from the timing controller 16 . The gate driver 12 is formed in the non-display area DA outside one or both sides of the display area DA of the display panel 11 by a gate driver in panel (GIP) method or manufactured as a driving chip. It may be mounted on a flexible film and attached to the non-display area DA outside one side or both sides of the display area DA of the display panel 11 by a tape automated bonding (TAB) method.

상기 소스 드라이브 IC(13)는 타이밍 제어부(16)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 이러한, 소스 드라이브 IC(13)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(13)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성 필름(14)에 실장될 수 있다.The source drive IC 13 receives digital video data and a source control signal from the timing controller 16. The source driver IC 13 converts digital video data into analog data voltages according to a source control signal and supplies them to data lines. When the source drive IC 13 is manufactured as a driving chip, it may be mounted on the flexible film 14 in a chip on film (COF) or chip on plastic (COP) method.

상기 제1 기판(100)의 크기는 제2 기판(300)의 크기보다 크기 때문에, 제1 기판(100)의 일부는 제2 기판(300)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 이와 같이 제2 기판(300)에 의해 덮이지 않고 노출된 제1 기판(100)의 일부에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 마련된다. Since the size of the first substrate 100 is greater than that of the second substrate 300 , a portion of the first substrate 100 may be exposed without being covered by the second substrate 300 . In this way, pads such as data pads are provided on a portion of the first substrate 100 that is exposed and not covered by the second substrate 300 .

상기 연성 필름(14)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(13)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로 보드(15)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성 필름(14)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성 필름(14)의 배선들이 연결될 수 있다.Wires connecting pads and the source drive IC 13 and wires connecting pads and wires of the circuit board 15 may be formed on the flexible film 14 . The flexible film 14 is attached on the pads by using an anisotropic conducting film, so that the pads and wires of the flexible film 14 can be connected.

상기 회로 보드(15)는 연성 필름(14)들에 부착될 수 있다. 이러한, 회로 보드(15)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로 보드(15)에는 타이밍 제어부(16)가 실장될 수 있다. 이때, 회로 보드(15)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.The circuit board 15 may be attached to flexible films 14 . Such a circuit board 15 may be mounted with a plurality of circuits implemented as driving chips. For example, the timing controller 16 may be mounted on the circuit board 15 . In this case, the circuit board 15 may be a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

상기 타이밍 제어부(16)는 외부의 시스템 보드(미도시)로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 이때, 타이밍 제어부(60)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(13)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 이러한, 타이밍 제어부(60)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(12)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(30)들에 공급한다.The timing controller 16 receives digital video data and timing signals from an external system board (not shown). At this time, the timing controller 60 generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driver 12 and a source control signal for controlling the source drive ICs 13 based on the timing signal. The timing controller 60 supplies gate control signals to the gate driver 12 and source control signals to the source drive ICs 30 .

도 3은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a pixel of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 제1 기판(100), 버퍼층(110), 박막 트랜지스터(T), 보호층(170), 제1 평탄화층(180), 제2 평탄화층(200), 제1 애노드 전극(210), 뱅크(220), 유기 발광층(230), 캐소드 전극(240), 봉지층(250), 차광층(270), 컬러 필터(280), 및 제2 기판(300)을 포함한다.Referring to FIG. 3 , the pixel of the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a buffer layer 110, a thin film transistor T, a protective layer 170, and a first planarization layer 180. ), second planarization layer 200, first anode electrode 210, bank 220, organic light emitting layer 230, cathode electrode 240, encapsulation layer 250, light blocking layer 270, color filter ( 280), and a second substrate 300.

상기 제1 기판(100)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 상기 폴리이미드를 제1 기판(100)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 제1 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.Glass is mainly used for the first substrate 100, but transparent plastic that can be bent or bent, such as polyimide, may be used. When using the polyimide as a material of the first substrate 100, considering that a high-temperature deposition process is performed on the first substrate 100, polyimide having excellent heat resistance that can withstand high temperatures can be used. .

상기 버퍼층(110)은 제1 기판(100) 상에 배치된다. 이러한, 버퍼층(110)은 외부의 수분이나 습기가 유기 발광 표시 장치의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이때, 버퍼층(110)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다.The buffer layer 110 is disposed on the first substrate 100 . The buffer layer 110 prevents external moisture or moisture from penetrating into the organic light emitting display device. In this case, the buffer layer 110 may be made of silicon oxide or silicon nitride.

상기 박막 트랜지스터(T)는 버퍼층(110) 상에 배치된다. 이러한, 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(120), 게이트 절연층(130), 게이트 전극(140), 층간 절연층(150), 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)을 포함한다. The thin film transistor T is disposed on the buffer layer 110 . The thin film transistor T includes an active layer 120, a gate insulating layer 130, a gate electrode 140, an interlayer insulating layer 150, a source electrode 160a, and a drain electrode 160b.

상기 액티브층(120)은 게이트 전극(140)과 중첩되도록, 버퍼층(110) 상에 배치된다.The active layer 120 is disposed on the buffer layer 110 to overlap the gate electrode 140 .

상기 게이트 절연층(130)은 액티브층(120) 상에 배치된다. 이러한, 게이트 절연층(130)은 액티브층(120)과 게이트 전극(140)을 절연시킨다. 이때, 게이트 절연층(130)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate insulating layer 130 is disposed on the active layer 120 . The gate insulating layer 130 insulates the active layer 120 and the gate electrode 140 . In this case, the gate insulating layer 130 may be formed of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or multiple layers thereof, but is not limited thereto.

상기 게이트 전극(140)은 게이트 절연층(130) 상에 배치된다. 이때, 게이트 전극(140)은 게이트 절연층(130)을 사이에 두고, 액티브층(120)과 중첩되도록 배치된다. 이러한, 게이트 전극(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate electrode 140 is disposed on the gate insulating layer 130 . At this time, the gate electrode 140 is disposed to overlap the active layer 120 with the gate insulating layer 130 interposed therebetween. The gate electrode 140 may be any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). Or it may be a single layer or multi-layer made of an alloy thereof, but is not limited thereto.

상기 층간 절연층(150)은 게이트 전극(140) 상에 배치된다. 이러한, 층간 절연층(150)은 게이트 절연층(130)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.The interlayer insulating layer 150 is disposed on the gate electrode 140 . The interlayer insulating layer 150 may be formed of the same inorganic insulating material as the gate insulating layer 130, for example, silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or a multilayer thereof, but is necessarily limited thereto. it is not going to be

상기 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)은 층간 절연층(150) 상에서 서로 마주하면서 이격되어 배치된다. 이때, 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b) 각각은 층간 절연층(150)에 형성된 컨택홀을 통해 액티브층(120)과 연결된다. 이러한 소스 전극(160a) 및 드레인 전극(160b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. The source electrode 160a and the drain electrode 160b are spaced apart from each other while facing each other on the interlayer insulating layer 150 . At this time, each of the source electrode 160a and the drain electrode 160b is connected to the active layer 120 through a contact hole formed in the interlayer insulating layer 150 . The source electrode 160a and the drain electrode 160b are made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper It may be made of (Cu), or an alloy thereof, and may be made of a single layer or a multi-layer of two or more layers of the metal or alloy, but is not limited thereto.

상기한 바와 같이 구성되는 박막 트랜지스터(T)는 제1 기판(100) 상에서 각각의 화소 영역 마다 형성될 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.The thin film transistor T configured as described above may be formed in each pixel area on the first substrate 100 . In addition, the configuration of the thin film transistor T is not limited to the above-described example, and can be variously modified into a known configuration that can be easily implemented by those skilled in the art.

상기 보호층(170)은 층간 절연층(150), 소스 전극(160a), 및 드레인 전극(160b) 상에 전체적으로 배치된다. 이러한, 보호층(170)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다.The protective layer 170 is entirely disposed on the interlayer insulating layer 150, the source electrode 160a, and the drain electrode 160b. The protective layer 170 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not necessarily limited thereto, and may be made of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB). may be

상기 제1 평탄화층(180)은 보호층(170) 상에 배치되고, 제2 평탄화층(200)은 제1 평탄화층(180) 상에 배치된다. 이러한 제1 평탄화층(180)은 보호층(170)의 상부를 평탄화하고, 제2 평탄화층(200)은 상기 제1 평탄화층(180) 상부를 평탄화한다. 이때, 제1 및 제2 평탄화층(180, 200)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있다.The first planarization layer 180 is disposed on the protective layer 170 , and the second planarization layer 200 is disposed on the first planarization layer 180 . The first planarization layer 180 planarizes the upper portion of the protective layer 170 , and the second planarization layer 200 planarizes the upper portion of the first planarization layer 180 . At this time, the first and second planarization layers 180 and 200 may be, for example, acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, or polyimide resin. It may be made of a mid-based resin (polyimides resin) or the like.

상기 제1 애노드 전극(210)은 제2 평탄화층(200) 상에 배치된다. 이러한, 제1 애노드 전극(210)은 컨택홀을 통해서 노출된 드레인 전극(160b)과 연결된다.The first anode electrode 210 is disposed on the second planarization layer 200 . The first anode electrode 210 is connected to the exposed drain electrode 160b through the contact hole.

상기 뱅크(220)는 제2 평탄화층(200) 상에 배치된다. 이때, 뱅크(220)는 제1 애노드 전극(210)의 일측 및 타측과 중첩될 수 있다. 이러한, 뱅크(220)는 화소(P)의 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 이와 같은 뱅크(220)는 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기막으로 이루어질 수 있다.The bank 220 is disposed on the second planarization layer 200 . In this case, the bank 220 may overlap one side and the other side of the first anode electrode 210 . Such a bank 220 may serve to define an area of the pixel P. Such a bank 220 may be formed of an organic layer such as polyimide resin, acryl resin, or benzocyclobutene (BCB).

상기 유기 발광층(230)은 제1 애노드 전극(210) 상에 배치된다. 이러한, 유기 발광층(230)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)의 조합으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 다양한 구조로 변경될 수 있다.The organic emission layer 230 is disposed on the first anode electrode 210 . The organic light emitting layer 230 is a combination of a hole injecting layer, a hole transporting layer, an emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. It may consist of, but is not necessarily limited thereto, and may be changed to various structures known in the art.

상기 캐소드 전극(240)은 유기 발광층(230) 상에 배치된다. 이때, 캐소드 전극(240)은 유기 발광층(230)에서부터 연장되어 뱅크(200) 상에도 배치될 수 있다. 이러한, 캐소드 전극(240)은 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치에서 투명 전도성 금속으로 형성된다. 이와 같은 투명 전도성 금속은 저항이 크기 때문에 후술되는 제2 애노드 전극(215)을 통해 제2 보조 전극(190)과 전기적으로 연결하여 저항을 낮춘다.The cathode electrode 240 is disposed on the organic light emitting layer 230 . In this case, the cathode electrode 240 extends from the organic light emitting layer 230 and may also be disposed on the bank 200 . The cathode electrode 240 is formed of a transparent conductive metal in a top emission organic light emitting display device. Since such a transparent conductive metal has high resistance, it is electrically connected to the second auxiliary electrode 190 through the second anode electrode 215 to be described later to lower the resistance.

상기 봉지층(encapsulation layer; 250)은 캐소드 전극(240) 상에 전체적으로 배치된다. 이러한 봉지층(250)은 외부에서 유입될 수 있는 수분 등의 침투를 막아 유기 발광층(230)의 열화를 방지한다. 이때, 봉지층(250)은 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 등의 금속 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그러한 것은 아니고 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다.The encapsulation layer 250 is entirely disposed on the cathode electrode 240 . The encapsulation layer 250 prevents deterioration of the organic light emitting layer 230 by preventing penetration of moisture that may be introduced from the outside. At this time, the encapsulation layer 250 may be made of metals such as copper (Cu) and aluminum (Al) or alloys thereof, but not necessarily, various materials known in the art may be used.

상기 차광층(270)은 봉지층(250)과 제2 기판(300) 사이에 배치된다. 이러한 차광층(270)은 유기 발광층(230)과 중첩되지 않도록 컬러 필터(280) 측면에 배치되어, 광이 비 표시영역으로 새어나가는 것을 방지한다.The light blocking layer 270 is disposed between the encapsulation layer 250 and the second substrate 300 . The light blocking layer 270 is disposed on the side of the color filter 280 so as not to overlap with the organic light emitting layer 230, and prevents light from leaking into the non-display area.

상기 컬러 필터(280)는 봉지층(250)과 제2 기판(300) 사이에 배치된다. 이러한, 컬러 필터(280)는 유기 발광층(230) 상에 배치되어, 상기 유기 발광층(230)에서 발광하는 광의 색을 변환시킨다. 이때, 컬러 필터(280)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터로 이루어질 수 있다.The color filter 280 is disposed between the encapsulation layer 250 and the second substrate 300 . The color filter 280 is disposed on the organic light emitting layer 230 to change the color of light emitted from the organic light emitting layer 230 . In this case, the color filter 280 may include a red color filter, a green color filter, and a blue color filter.

도 4는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도로서, 도 2의 A영역을 확대한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 I-I’선에 따른 단면도이다.FIG. 4 is a plan view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, which is an enlarged view of area A of FIG. 2 , and FIG. It is a cross-sectional view along the line II'.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(100), 버퍼층(110), 제1 보조 전극(145), 보호층(170), 제1 전원 배선(165), 제1 평탄화층(180), 제2 보조 전극(190), 제2 전원 배선(195), 제2 평탄화층(200), 제2 애노드 전극(215), 하부 댐(225a, 225b), 캐소드 전극(240), 봉지층(250), 실런트(260), 차광층(270), 상부 댐(290a, 290b), 및 제2 기판(300)을 포함한다. 이때, 전술한 도 3과 같은 구성에 대해서는 중복 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIGS. 4 and 5 , an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a buffer layer 110, a first auxiliary electrode 145, a protective layer 170, and a first power source. wiring 165, first planarization layer 180, second auxiliary electrode 190, second power supply wiring 195, second planarization layer 200, second anode electrode 215, lower dam 225a, 225b), a cathode electrode 240, an encapsulation layer 250, a sealant 260, a light blocking layer 270, upper dams 290a and 290b, and a second substrate 300. At this time, redundant description of the same configuration as that of FIG. 3 will be omitted.

상기 제1 기판(100)상에 버퍼층(110)이 배치되고, 제1 보조 전극(145)은 버퍼층(110) 상에 배치된다. 이러한, 제1 보조 전극(145)은 게이트 전극(140)과 동일한 공정을 통하여 동시에 마련되며, 제1 보조 전극(145)은 게이트 전극(140)과 동일한 물질로 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(140)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 공정으로 제1 보조 전극(145)과 게이트 전극(140)을 형성할 수 있다.A buffer layer 110 is disposed on the first substrate 100 , and a first auxiliary electrode 145 is disposed on the buffer layer 110 . The first auxiliary electrode 145 is simultaneously prepared through the same process as the gate electrode 140 , and the first auxiliary electrode 145 may be made of the same material as the gate electrode 140 . For example, the gate electrode 140 is selected from molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a single layer or a multi-layer made of any one or an alloy thereof, but is not limited thereto. Therefore, in the organic light emitting diode display according to an example of the present invention, the first auxiliary electrode 145 and the gate electrode 140 may be formed in one process.

이와 같은 제1 보조 전극(145)의 일측은 후술되는 제1 전원 배선(165)과 전기적으로 연결되며, 타측은 후술되는 실런트(260) 및 하부 댐(215b)의 하부까지 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 제1 보조 전극(145)은 넓은 면적으로 형성되어, 제1 전원 배선(165)의 저항을 낮출 수 있다. 또한, 제1 보조 전극(145)은 후술되는 제2 보조 전극(190)과 멀리 이격되어 배치되기 때문에, 상기 제2 보조 전극(190) 또는 제1 보조 전극(145)의 한쪽으로 전류가 쏠리는 경우에도 번트(burnt)가 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 보조 전극(190)과 멀리 이격되도록 제1 보조 전극(145)을 배치함으로써, 번트가 발생하는 것을 방지하고 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 감소되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 보조 전극(145)을 충분한 면적을 갖도록 형성하여, 제1 전원 전압(EVDD)이 저항의 영향을 받지 않고 안정적으로 공급될 수 있다.One side of the first auxiliary electrode 145 may be electrically connected to a first power supply wire 165 to be described later, and the other side may extend to the lower portion of the sealant 260 and the lower dam 215b to be described later. . Accordingly, the first auxiliary electrode 145 may be formed with a large area to lower the resistance of the first power supply wire 165 . In addition, since the first auxiliary electrode 145 is disposed far from the second auxiliary electrode 190 described later, when the current is directed to one side of the second auxiliary electrode 190 or the first auxiliary electrode 145 Even burnt does not occur. Therefore, in the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, the first auxiliary electrode 145 is disposed far apart from the second auxiliary electrode 190 to prevent burnt and improve the reliability of the organic light emitting display. decline can be prevented. Also, in the organic light emitting diode display according to an example of the present invention, the first auxiliary electrode 145 is formed to have a sufficient area so that the first power voltage EVDD can be stably supplied without being affected by resistance.

상기 층간 절연층(150)은 제1 보조 전극(145) 상에 배치되어, 제1 보조 전극(145)과 제2 보조 전극(190) 사이를 이격시킨다.The interlayer insulating layer 150 is disposed on the first auxiliary electrode 145 to space the first auxiliary electrode 145 and the second auxiliary electrode 190 apart.

상기 제1 전원 배선(165)은 층간 절연층(150) 상에 배치된다. 이러한, 제1 전원 배선(165)은 외부의 전압 공급부로 공급되는 제1 전원 전압(EVDD)을 각 화소(P)로 인가한다. 이때, 제1 전원 배선(165)은 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)과 동일한 층에 이격되어 배치된다. 이와 같은 제1 전원 배선(165)은 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)과 동일한 공정을 통하여 동시에 마련되며, 제1 전원 배선(165)은 소스 및 드레인 전극(160a, 160b)과 동일한 물질로 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 배선(165)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 이때, 제1 전원 배선(165)은 제2 전원 전압(EVSS)이 인가되는 제2 보조 전극(190) 및 제2 전원 배선(195)과 중첩되지 않도록 배치할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전원 배선(165) 또는 제2 전원 배선(195)의 한쪽으로 전류가 쏠리는 경우에도 번트가 발생하지 않는다. 또한, 제1 전원 배선(165)의 일측은 제1 보조 전극(145)을 덮는 층간 절연층(150)을 관통하여 상기 제1 보조 전극(145)과 컨택홀을 통해서 연결된다. 따라서, 제1 전원 배선(165)의 한쪽으로 전류가 쏠리는 경우에도, 제1 보조 전극(145)을 통해서 저항을 낮출 수 있다.The first power wiring 165 is disposed on the interlayer insulating layer 150 . The first power wiring 165 applies the first power voltage EVDD supplied from an external voltage supply to each pixel P. In this case, the first power wiring 165 is spaced apart from each other on the same layer as the source and drain electrodes 160a and 160b. The first power supply wire 165 is provided through the same process as the source and drain electrodes 160a and 160b, and the first power supply wire 165 is made of the same material as the source and drain electrodes 160a and 160b. It can be. For example, the first power wire 165 may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). ) It may be a single layer or a multi-layer made of any one or an alloy thereof, but is not limited thereto. In this case, the first power wire 165 may be arranged so as not to overlap the second auxiliary electrode 190 and the second power wire 195 to which the second power voltage EVSS is applied. Therefore, in the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, burnt does not occur even when current flows to one side of the first power supply wire 165 or the second power supply wire 195 . In addition, one side of the first power wire 165 passes through the interlayer insulating layer 150 covering the first auxiliary electrode 145 and is connected to the first auxiliary electrode 145 through a contact hole. Therefore, even when current flows to one side of the first power wire 165 , resistance can be reduced through the first auxiliary electrode 145 .

상기 제1 평탄화층(180)은 층간 절연층(150)과 제1 전원 배선(165) 상에 배치되어, 상기 제1 전원 배선(165) 상부를 평탄화하고, 제1 보조 전극(145)과 제2 보조 전극(190) 사이를 이격시킨다.The first planarization layer 180 is disposed on the interlayer insulating layer 150 and the first power supply wire 165 to planarize the upper part of the first power supply wire 165, and the first auxiliary electrode 145 and the 2 Space the auxiliary electrodes 190 apart.

상기 제2 보조 전극(190)은 제1 평탄화층(180) 상에 배치된다. 이러한, 제2 보조 전극(190)은 제2 전원 전압(EVSS)이 인가되는 캐소드 전극(240)과 전기적으로 연결되며, 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮춘다. 이때, 제2 보조 전극(190)은 제1 전원 전압(EVDD)이 흐르는 제1 전원 배선(165)과 중첩되지 않도록 배치할 수 있다. 또한, 제2 보조 전극(190)은 층간 절연층(150), 보호층(170), 및 제1 평탄화층(180)을 사이에 두고 제1 보조 전극(145)과 중첩된다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 보조 전극(190)과 제1 보조 전극(145)이 층간 절연층(150), 보호층(170), 및 제1 평탄화층(180)을 사이에 두고 충분히 이격되어 배치되기 때문에, 제1 전원 배선(165) 또는 제2 보조 전극(190)의 한쪽으로 전류가 쏠리는 경우에도 번트가 발생하지 않으며 따라서, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.The second auxiliary electrode 190 is disposed on the first planarization layer 180 . The second auxiliary electrode 190 is electrically connected to the cathode electrode 240 to which the second power supply voltage EVSS is applied, and lowers the resistance of the cathode electrode 240 . In this case, the second auxiliary electrode 190 may be disposed so as not to overlap the first power line 165 through which the first power voltage EVDD flows. In addition, the second auxiliary electrode 190 overlaps the first auxiliary electrode 145 with the interlayer insulating layer 150 , the protective layer 170 , and the first planarization layer 180 interposed therebetween. Accordingly, in the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, the second auxiliary electrode 190 and the first auxiliary electrode 145 form an interlayer insulating layer 150, a protective layer 170, and a first planarization layer 180. ) in between, burnt does not occur even when current flows to one side of the first power supply line 165 or the second auxiliary electrode 190, and thus the reliability of the organic light emitting display device is reduced. can prevent doing so.

상기 제2 전원 배선(195)은 제2 보조 전극(190)으로부터 연장되며, 제1 전원 배선(165)과 나란하게 배치된다. 이때, 제2 전원 배선(195)은 제1 전원 배선(165)과 중첩되지 않는다. 따라서, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전원 배선(165) 또는 제2 전원 배선(195)의 한쪽으로 전류가 쏠리는 경우에도 번트가 발생하지 않으며, 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 감소하는 것을 방지할 수 있다. 이러한, 제2 전원 배선(195)은 제1 전원 전압(EVDD) 보다 낮은 제2 전원 전압(EVSS)이 공급된다. 이때, 제2 전원 배선(195)은 제2 보조 전극(190) 및 캐소드 전극(240)과 전기적으로 연결되며, 상기 캐소드 전극(240)으로 제2 전원 전압(EVSS)을 공급한다. 이와 같은 제2 전원 배선(195)은 제2 보조 전극(190)과 연결되어 저항을 낮출 수 있다. 따라서 제2 전원 배선(195)은 저항의 영향을 받지 않고 안정적으로 캐소드 전극(240)에 제2 전원 전압(EVSS)을 공급할 수 있다.The second power wire 195 extends from the second auxiliary electrode 190 and is disposed parallel to the first power wire 165 . In this case, the second power wiring 195 does not overlap the first power wiring 165 . Therefore, the organic light emitting diode display according to an example of the present invention does not generate a burnt even when current is directed to one side of the first power supply wire 165 or the second power wire 195, and the reliability of the organic light emitting display device is improved. decline can be prevented. The second power supply line 195 is supplied with a second power supply voltage EVSS lower than the first power supply voltage EVDD. At this time, the second power wire 195 is electrically connected to the second auxiliary electrode 190 and the cathode electrode 240 and supplies the second power voltage EVSS to the cathode electrode 240 . The second power wire 195 may be connected to the second auxiliary electrode 190 to lower resistance. Therefore, the second power supply wire 195 can stably supply the second power supply voltage EVSS to the cathode electrode 240 without being affected by resistance.

상기 제2 평탄화층(200)은 제1 평탄화층(180) 상에 배치되며, 제2 보조 전극(190)과 일부 중첩될 수 있다. 이러한, 제2 평탄화층(200)은 제1 평탄화층(160)의 상부를 평탄화한다. The second planarization layer 200 is disposed on the first planarization layer 180 and may partially overlap the second auxiliary electrode 190 . The second planarization layer 200 planarizes the top of the first planarization layer 160 .

상기 제2 애노드 전극(215)은 제1 애노드 전극(210)과 이격되어 제2 보조 전극(190) 상에 배치된다. 이때, 제2 애노드 전극(215)은 제2 보조 전극(190) 상에서부터 연장되어 제2 평탄화층(200) 상에도 배치될 수 있다.The second anode electrode 215 is spaced apart from the first anode electrode 210 and disposed on the second auxiliary electrode 190 . In this case, the second anode electrode 215 may extend from the second auxiliary electrode 190 and may also be disposed on the second planarization layer 200 .

상기 하부 댐(225a, 225b)은 제1 기판(100)의 외곽을 둘러싸는 프레임 형태로 배치된다. 이때, 하부 댐(225a, 225b)은 제1 하부 댐(225a) 및 제2 하부 댐(225b)을 포함한다. 상기 제1 하부 댐(225a)은 제2 애노드 전극(215) 상에 배치되며, 후술되는 실런트(260)의 일측에 배치된다.The lower dams 225a and 225b are disposed in a frame shape surrounding the periphery of the first substrate 100 . At this time, the lower dams 225a and 225b include a first lower dam 225a and a second lower dam 225b. The first lower dam 225a is disposed on the second anode electrode 215 and is disposed on one side of a sealant 260 to be described later.

상기 제2 하부 댐(225b)은 보호층(170) 상에 배치되며, 실런트(260)의 타측에 배치된다.The second lower dam 225b is disposed on the protective layer 170 and is disposed on the other side of the sealant 260 .

이러한, 하부 댐(225a, 225b)은 실런트(260)가 유기 발광 표시 장치의 내부로 퍼지는 것을 방지한다.The lower dams 225a and 225b prevent the sealant 260 from spreading into the organic light emitting diode display.

상기 캐소드 전극(240)은 제2 애노드 전극(215) 상에 배치된다. 이러한 캐소드 전극(240)은 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치에서 투명 도전성 금속으로 이루어진다. 따라서, 캐소드 전극(240)은 저항이 높아질 수 있으므로, 제2 보조 전극(190)과 전기적으로 연결하여 저항을 낮출 수 있다.The cathode electrode 240 is disposed on the second anode electrode 215 . The cathode electrode 240 is made of a transparent conductive metal in a top emission organic light emitting display device. Accordingly, since resistance of the cathode electrode 240 may be increased, resistance may be reduced by electrically connecting to the second auxiliary electrode 190 .

상기 봉지층(250)은 캐소드 전극(240) 상에 배치되며, 실런트(260)는 1 및 제2 기판(100, 300) 사이에 배치되어, 상기 제1 및 제2 기판(100, 300)을 합착시킨다. 이때, 실런트(260)는 프레임 형태로 배치될 수 있다. 이러한 실런트(260)는 양측에 하부 댐(225a, 225b)과 후술되는 상부 댐(290a, 290b)이 배치되어, 유기 발광 표시 장치의 내부로 퍼지지 않는다.The encapsulation layer 250 is disposed on the cathode electrode 240, and the sealant 260 is disposed between the first and second substrates 100 and 300 to cover the first and second substrates 100 and 300. coalesce In this case, the sealant 260 may be disposed in a frame shape. Since lower dams 225a and 225b and upper dams 290a and 290b to be described below are disposed on both sides of the sealant 260, the sealant 260 does not spread inside the organic light emitting display device.

상기 차광층(270)은 봉지층(250)과 제2 기판(300) 사이에 배치되어, 광이 새어나가는 것을 방지한다.The light blocking layer 270 is disposed between the encapsulation layer 250 and the second substrate 300 to prevent light leakage.

상기 상부 댐(290a, 290b)은 봉지층(250)과 제2 기판(300) 사이에 배치되며, 제1 기판(100)의 외곽을 둘러싸는 프레임 형태로 배치된다. 이때, 상부 댐(290a, 290b)은 제1 상부 댐(290a) 및 제2 상부 댐(290b)을 포함한다. 상기 제1 상부 댐(290a)은 실런트(260)의 일측에 배치되고, 제2 상부 댐(290b)은 실런트(260)의 타측에 배치된다. 이러한, 상부 댐(290a, 290b)은 실런트(260)가 유기 발광 표시 장치의 내부로 퍼지는 것을 방지한다.The upper dams 290a and 290b are disposed between the encapsulation layer 250 and the second substrate 300 and are disposed in a frame shape surrounding the periphery of the first substrate 100 . At this time, the upper dams 290a and 290b include a first upper dam 290a and a second upper dam 290b. The first upper dam 290a is disposed on one side of the sealant 260, and the second upper dam 290b is disposed on the other side of the sealant 260. The upper dams 290a and 290b prevent the sealant 260 from spreading into the organic light emitting diode display.

이와 같은, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 보조 전극(145)을 충분한 면적을 갖도록 형성하여 제1 전원 전압(EVDD)이 공급되는 제1 전원 배선(165)의 저항을 낮출 수 있으며, 따라서, 제1 전원 전압(EVDD)이 안정적으로 공급될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전원 전압(EVDD)이 인가되는 제1 보조 전극(145)과 제2 전원 전압(EVSS)이 인가되는 제2 보조 전극(190)이 멀리 이격되도록 배치함으로써, 번트가 발생하는 것을 방지하고 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.In the organic light emitting diode display according to an example of the present invention, the first auxiliary electrode 145 is formed to have a sufficient area to lower the resistance of the first power line 165 to which the first power voltage EVDD is supplied. Therefore, the first power voltage EVDD can be stably supplied. In addition, the organic light emitting diode display according to an example of the present invention includes a first auxiliary electrode 145 to which a first power voltage EVDD is applied and a second auxiliary electrode 190 to which a second power voltage EVSS is applied. By disposing them far apart from each other, it is possible to prevent burnt occurrence and decrease in reliability of the organic light emitting diode display.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified and implemented without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed according to the scope of the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 300: 제1 및 제2 기판 T: 박막 트랜지스터
145: 제1 보조 전극 165: 제1 전원 배선
180, 200: 제1 및 제2 평탄화층 190: 제2 보조 전극
210, 215: 제1 및 제2 애노드 전극 220: 뱅크
230: 유기 발광층 240: 캐소드 전극
250: 봉지층
100, 300: first and second substrates T: thin film transistors
145: first auxiliary electrode 165: first power wiring
180, 200: first and second planarization layers 190: second auxiliary electrode
210, 215: first and second anode electrodes 220: bank
230: organic light emitting layer 240: cathode electrode
250: encapsulation layer

Claims (9)

제1 기판;
상기 제1 기판 상에 배치되며, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 층에 배치되며, 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전원 배선들; 및
상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 전원 배선들과 전기적으로 연결되는 제1 보조 전극;
상기 소스 및 드레인 전극 상에 배치되며, 상기 제1 보조 전극과 중첩되는 제2 보조 전극을 포함하고,
상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 사이에는 복수의 절연층이 배치되며, 상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극은 이격된, 유기 발광 표시 장치.
a first substrate;
a thin film transistor disposed on the first substrate and including a gate electrode and source and drain electrodes;
first power lines disposed on the same layer as the source and drain electrodes and to which a first power voltage is supplied; and
a first auxiliary electrode disposed on the same layer as the gate electrode and electrically connected to the first power lines;
a second auxiliary electrode disposed on the source and drain electrodes and overlapping the first auxiliary electrode;
A plurality of insulating layers are disposed between the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode, and the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode are spaced apart from each other.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 제1 보조 전극을 덮는 층간 절연층;
상기 소스 및 드레인 전극을 덮는 보호층; 및
상기 보호층 상에 제1 평탄화층을 더 포함하고,
상기 제1 보조 전극과 상기 제2 보조 전극 사이에는 상기 층간 절연층, 상기 보호층, 및 상기 제1 평탄화층이 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
an interlayer insulating layer covering the gate electrode and the first auxiliary electrode;
a protective layer covering the source and drain electrodes; and
Further comprising a first planarization layer on the protective layer,
The interlayer insulating layer, the passivation layer, and the first planarization layer are disposed between the first auxiliary electrode and the second auxiliary electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극으로부터 연장되며, 상기 제1 전원 배선과 나란하게 배치되고, 제1 전원 전압보다 낮은 제2 전원 전압이 공급되는 제2 전원 배선을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
and a second power supply wire extending from the second auxiliary electrode, disposed in parallel with the first power supply wire, and supplied with a second power supply voltage lower than the first power supply voltage.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선들은 상기 제2 전원 배선 및 상기 제2 보조 전극과 중첩되지 않는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 4,
wherein the first power lines do not overlap the second power line and the second auxiliary electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 기판의 외곽을 둘러싸는 프레임 형태의 댐이 배치되고,
상기 제1 보조 전극은 상기 댐과 중첩되도록 배치되는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
A dam in the form of a frame surrounding the periphery of the first substrate is disposed,
The first auxiliary electrode is disposed to overlap the dam.
제 3 항에 있어서,
상기 제2 보조 전극을 덮는 제2 평탄화층 상에 배치되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 배치되는 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층을 덮는 캐소드 전극을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 3,
an anode electrode disposed on a second planarization layer covering the second auxiliary electrode;
an organic light emitting layer disposed on the anode electrode; and
The organic light emitting display device further comprises a cathode electrode covering the organic light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 전극과 상기 제1 보조 전극은 동일한 물질로 이루어진, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
The organic light emitting display device of claim 1 , wherein the gate electrode and the first auxiliary electrode are made of the same material.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선들 각각은 상기 제1 보조 전극을 덮는 적어도 하나의 절연층을 관통하여 상기 제1 보조 전극을 노출시키는 컨택홀을 통해 상기 제1 보조 전극과 접속되는, 유기 발광 표시 장치.
According to claim 1,
Each of the first power lines is connected to the first auxiliary electrode through a contact hole exposing the first auxiliary electrode through at least one insulating layer covering the first auxiliary electrode.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102482534B1 (en) * 2017-12-19 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN112531002B (en) * 2020-12-04 2024-03-12 京东方科技集团股份有限公司 Electroluminescent display substrate, display device and manufacturing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003060858A1 (en) 2002-01-16 2003-07-24 Seiko Epson Corporation Display device
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101980760B1 (en) * 2012-12-20 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic light-emitting diode display device and fabrication method of the same
KR101661015B1 (en) * 2013-11-28 2016-09-28 엘지디스플레이 주식회사 Large Area Organic Light Emitting Diode Display
KR102279921B1 (en) * 2014-02-12 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003060858A1 (en) 2002-01-16 2003-07-24 Seiko Epson Corporation Display device
JP2013143264A (en) 2012-01-11 2013-07-22 Rohm Co Ltd Organic el device and manufacturing method of the same

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