KR102492492B1 - 하전 입자선 장치, 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법 - Google Patents

Abstract

(과제) 스테이지 상의 시료에 대한 얼라이먼트에 광학 현미경만을 이용할 경우여도, 고(高)정밀도의 얼라이먼트가 가능한 하전 입자선 장치 및 시료 얼라이먼트 방법을 제공한다.
(해결 수단) 시료를 재치(載置)하는 시료 스테이지와, 상기 시료 스테이지를 구동 제어하는 제어 장치와, 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 리니어 스케일과, 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 레이저 위치 검출 수단과, 상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료를 관찰하는 광학 현미경과, 상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료에 전자선을 조사하고, 이차 전자를 생성하는 경통(鏡筒)을 구비하고, 상기 광학 현미경에 의해 상기 시료 스테이지 상에 재치된 제1 보정 샘플의 화상 데이터를 취득함과 함께, 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하고, 상기 광학 현미경에 의해 취득한 화상 데이터 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 상기 경통에 대한 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 것을 특징으로 한다.

Description

하전 입자선 장치, 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법{CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS AND SAMPLE ALIGNMENT METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS}

본 발명은, 하전 입자선 장치의 구성과 그 제어 방법에 관한 것으로, 특히, 관찰 시료의 얼라이먼트를 행하는 광학 현미경을 구비한 하전 입자선 장치에 적용하여 유효한 기술에 관한 것이다.

반도체 소자의 미세화에 수반하여, 제조 장치뿐만 아니라, 검사 장치나 평가 장치에도 각각에 대응한 고(高)정밀도화가 요구되고 있다. 통상, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 평가하거나, 패턴의 결함을 검사하기 위해, 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope: 이하, SEM이라고 칭함)이 이용되고 있으며, 특히 패턴의 형상 치수를 평가하기 위해서는 측장(測長) SEM이 이용된다.

결함 리뷰 SEM은, 웨이퍼 상에 전자선을 조사하고, 얻어진 이차 전자 신호를 화상 처리하고, 그 명암의 변화로부터 패턴의 에지를 판별하여 웨이퍼 상의 결함 등을 검사하는 장치이다. 결함 리뷰 SEM에는, 웨이퍼 전역(全域)을 관찰하여 검사하기 위해, 웨이퍼 상의 원하는 개소(個所)를 빔의 조사 위치에 위치 결정하는 것이 가능한 XY 스테이지가 마련되어 있다.

이 XY 스테이지에는, 예를 들면 회전 모터와 볼 나사에 의해 구동되는 방법이나 리니어 모터를 이용하여 구동하는 방법이 있다. 또한, XY 평면뿐만 아니라, Z축이나 Z축 둘레의 회전 운동 등을 행하는 스테이지가 이용될 경우도 있다.

또한, XY 스테이지는, 웨이퍼의 위치 결정을 정확하게 행하기 위해, 고정밀도로 스테이지 위치의 검출을 행하는 것이 필요하며, 이것에는 레이저 간섭계와 반사 미러를 이용하는 방법이 알려져 있다.

레이저 간섭계는, 반사 미러에 대하여 레이저광을 조사하고, 반사파와의 간섭에 의해 수십 피코미터 오더의 분해능으로 스테이지 위치를 검출할 수 있다. 또한, 웨이퍼와 같은 높이에 있어서 계측을 행할 수 있기 때문에, 아베 오차가 최소가 되고, 측장 SEM을 비롯해 많은 정밀 스테이지의 위치 계측에 널리 이용되고 있다.

결함 리뷰 SEM을 비롯한 반도체 검사 장치에 있어서는, 웨이퍼의 대구경화(大口徑化)나 웨이퍼 검사 수단의 다양화에 대응하여, XY 스테이지의 스트로크는 증대하는 것이 요구되고 있다. 또한, SEM 이외의 웨이퍼 검사 수단(예를 들면 광학식 현미경 등)을 이용하여 웨이퍼를 관찰할 경우에는, XY 스테이지의 스트로크는 더 증대시킬 필요가 있다.

XY 스테이지의 스트로크가 증대했을 경우, 스트로크 전역에 있어서 레이저광을 반사시키기 위해 스트로크와 함께 반사 미러의 장척화(長尺化)가 필요해진다. 이 경우, 반사 미러면의 평면도의 확보가 곤란해짐과 함께, 장척화에 의한 진동의 증대가 계측 정밀도 열화(劣化)의 요인이 된다. 더욱이는, 장척화한 반사 미러의 가동 영역을 확보하기 위해 시료실 자체를 대형화할 필요가 있으며, 제조·운반 비용의 증대나, 설치 면적의 확대의 원인이 된다는 과제가 있다.

이러한 과제에 대해, 특허문헌 1에는, 미러의 크기를 필요 최소 한도로 억제하고, 레이저에 의한 위치 결정 범위 이외에서는 미러를 이용하지 않는 측장 방식(예를 들면 리니어 스케일)에 의한 스테이지 위치 결정 시스템으로 전환하는 기술이 개시되어 있다.

한편, 통상의 웨이퍼 검사 시에는, 반송 로봇 등에 의해 웨이퍼가 시료 스테이지 상에 재치(載置)된 후, 스테이지 상에서의 웨이퍼 탑재 위치 및 각도를 검출하는 얼라이먼트라고 불리는 처리가 행해진다. 이 얼라이먼트 처리에서는, 미리 측정 레시피에 설정된 웨이퍼 상의 복수점을 촬상하고, 웨이퍼 위치 및 각도를 특정한다. 여기에서, 반송 로봇 등의 정밀도(대략 수백 ㎛ 정도)로부터 요구되는 SEM에서의 위치 결정 정밀도(예를 들면 100㎚ 이하)까지 위치 맞춤을 행할 필요가 있기 때문에, 통상, 저배율의 광학 현미경(Optical Microscope: 이하, OM이라고도 칭함)과 고배율의 SEM상을 순차 사용하여, 요구되는 위치 정밀도의 얼라이먼트 처리를 실시한다.

그러나, 최근 이 SEM을 이용한 얼라이먼트 처리를 할 수 없는 웨이퍼가 나오고 있다. 이 경우, 광학 현미경만으로 웨이퍼의 얼라이먼트 처리를 행할 필요가 있다. 이때, 상술한 바와 같이 미러 길이를 최소한으로 억제하도록 설계했을 경우, OM 얼라이먼트 중에 레이저광의 유효 범위 외로 나가게 되기 때문에, 리니어 스케일만의 정보로 SEM 촬상 위치를 결정할 필요가 있으며, 아베 오차 등의 요인으로 위치 정밀도의 저하를 피할 수 없다.

그래서, 특허문헌 1에서는, 리니어 스케일과 레이저의 오프셋량을 보정하는 수단으로서, 제3 절대 위치 센서를 이용함으로써, 재현성 높게 레이저값의 위치 정보를 보정하는 기술이 개시되어 있다.

또한, 특허문헌 2에는 「전자 빔원과, 전자 빔원이 출력하는 전자 빔을 수속(收束)하기 위한 수속 수단과, 전자 빔을 편향하기 위한 편향 수단을 갖는 전자 광학 칼럼과, 수속 수단 및 편향 수단을 제어하는 제어 장치와, 전자 빔이 조사되는 시료를 유지하는 스테이지를 이동하는 스테이지 이동 기구와, 시료 상 또는 스테이지 상의 위치 검출용 마크를 전자 빔으로 주사했을 때의 반사 전자를 검출하고, 검출한 반사 전자의 신호로부터 위치 검출용 마크의 위치를 검출하는 마크 검출기와, 광학적으로 상기 위치 검출용 마크의 위치를 검출하는 광학식 마크 검출기를 구비하는 전자 빔 노광 장치에 있어서, 광학식 마크 검출기를, 적어도 2개 구비하는 전자 빔 노광 장치」가 개시되어 있다.

일본국 특개2015-162396호 공보 일본국 특개2000-114137호 공보

그러나, 상기 특허문헌 1에 개시된 기술에 따르면, 제3 위치 센서를 이용함으로써 레이저값의 오프셋량을 정확하게 보정할 수 있지만, OM 얼라이먼트 정보를 이용하여 SEM 관찰을 행하고자 했을 경우에는, 스케일값의 정보를 통해 OM 위치와 레이저값의 관계를 보정할 필요가 있다. 그 때문에, 스케일값과 OM 위치 사이에 내재하는 아베 오차의 영향을 제거할 수 없고, 결과적으로, OM 얼라이먼트 정보를 이용하여 산출한 SEM 촬상 위치에 오차를 보이게 된다.

마찬가지로, 상기 특허문헌 2에 개시된 기술에서는, 위치 검출용 마크에 의한 위치 검출과 변위 측정 기구에 의한 위치 변화의 검출 사이에는 아베 오차가 있으며, SEM 촬상 위치에 오차를 보인다.

그래서, 본 발명의 목적은, 스테이지 상의 시료에 대한 얼라이먼트에 광학 현미경만을 이용할 경우여도, 고정밀도의 얼라이먼트가 가능한 하전 입자선 장치 및 시료 얼라이먼트 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 시료를 재치하는 시료 스테이지와, 상기 시료 스테이지를 구동 제어하는 제어 장치와, 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 리니어 스케일과, 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 레이저 위치 검출 수단과, 상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료를 관찰하는 광학 현미경과, 상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료에 전자선을 조사하고, 이차 전자를 생성하는 경통(鏡筒)을 구비하고, 상기 광학 현미경에 의해 상기 시료 스테이지 상에 재치된 제1 보정 샘플의 화상 데이터를 취득함과 함께, 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하고, 상기 광학 현미경에 의해 취득한 화상 데이터 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 상기 경통에 대한 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, (a) 미리 레시피에 등록된 얼라이먼트점에 대하여, 광학 현미경으로 촬상 가능한 위치에 시료 스테이지를 위치 결정하고, 상기 시료 스테이지 상에 재치된 시료의 광학 현미경상을 취득하고, 당해 취득한 광학 현미경상에 의거하여 광학 현미경으로부터 본 상기 얼라이먼트점의 위치를 특정하는 스텝, (b) 상기 (a) 스텝 후, 상기 시료 스테이지 상에 배치된 보정 샘플의 광학 현미경상을 취득함과 함께, 레이저 위치 검출 수단에 의해 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 스텝, (c) 상기 (b) 스텝에서 얻어진 상기 보정 샘플의 광학 현미경상 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 스테이지 상의 시료에 대한 얼라이먼트에 광학 현미경만을 이용할 경우여도, 고정밀도의 얼라이먼트가 가능한 하전 입자선 장치 및 시료 얼라이먼트 방법을 실현할 수 있다.

이에 따라, SEM에 의한 얼라이먼트를 실시할 수 없는 웨이퍼에 대해서도, 관찰 위치의 정밀도 향상을 도모할 수 있어, 보다 정확한 웨이퍼 검사를 행하는 것이 가능해진다.

상기한 것 이외의 과제, 구성 및 효과는, 이하의 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 하전 입자선 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도.
도 2는 도 1의 하전 입자선 장치의 상면도(레이저 가시 상태).
도 3은 도 1의 하전 입자선 장치의 상면도(레이저 불가시 상태).
도 4는 X 테이블 상의 보정 샘플의 배치예를 나타내는 도면.
도 5는 도 1의 하전 입자선 장치의 상면도(보정 샘플 촬상 상태).
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법을 나타내는 플로우 차트.
도 7은 도 1의 하전 입자선 장치의 상면도(1개의 보정 샘플 촬상 상태).

이하, 도면을 이용하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 또, 각 도면에 있어서 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 부분에 대해서는 그 상세한 설명은 생략한다.

(실시예 1)

도 1 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시예 1의 하전 입자선 장치와 그것을 이용한 시료 얼라이먼트 방법에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시예에 있어서의 하전 입자선 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.

본 실시예의 하전 입자선 장치는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 시료실(1) 내에 고정된 베이스(7) 상에, 2개의 Y 리니어 가이드(14y, 15y)를 통해 Y 방향(지면(紙面) 안쪽 방향)으로 자유롭게 이동할 수 있는 Y 테이블(5)이 배치됨과 함께, Y 리니어 모터(16y)가 베이스(7)와 Y 테이블(5) 사이에 Y 방향으로 상대적으로 추력(推力)을 발생시키도록 배치되어 있다.

Y 테이블(5) 상에는, 2개의 X 리니어 가이드(14x, 15x)(도시 생략)를 통해 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있는 X 테이블(4)이 배치됨과 함께, X 리니어 모터(16x)(도시 생략)가 Y 테이블(5)과 X 테이블(4) 사이에 X 방향으로 추력을 발생시키도록 배치되어 있다.

이에 따라, X 테이블(4)은, 베이스(7) 및 시료실(1)에 대하여 XY 방향으로 자유롭게 이동하는 것이 가능해진다.

X 테이블(4) 상에는 웨이퍼(2)가 재치된다. 또, 웨이퍼(2)의 재치에는 기계적 구속력 또는 정전기력 등의 유지력을 구비한 웨이퍼 유지 기구가 이용된다.

시료실(1) 상에는, 천판(天板)(8) 및 칼럼(경통)(3)이 배치되어 있다. 칼럼(경통)(3)에는, 전자선의 조사에 의해 이차 전자상을 생성하기 위한 전자 광학계가 구비되어 있다. 또한, 천판(8)에는, 웨이퍼(2)를 저배율로 관찰하기 위한 광학 현미경(9)이 배치되어 있다.

베이스(7)에는 Y 리니어 스케일(12y)이 Y 방향으로 배치되고, 그것과 대향하도록 Y 리니어 스케일 검출기(13y)가 Y 테이블(5)에 배치되어 있다. 이 Y 리니어 스케일(12y)과 Y 리니어 스케일 검출기(13y)는, Y 테이블(5)과 베이스(7)의 Y 방향의 상대 변위량(이하, Y 스케일값이라고 함)을 계측한다.

마찬가지로, Y 테이블(5)에는, X 리니어 스케일(12x)이 배치되고, 그것과 대향하도록 X 리니어 스케일 검출기(13x)가 X 테이블(4)에 배치되어 있다. 이 X 리니어 스케일(12x)과 X 리니어 스케일 검출기(13x)는, X 테이블(4)과 Y 테이블(5)의 X 방향의 상대 변위량(이하, X 스케일값이라고 함)을 계측한다. 이상의 구성에 의해, X 테이블(4)과 베이스(7)와의 XY 방향 각각의 상대 변위량을 계측하는 것이 가능해진다.

X 테이블(4) 상에는 X 미러(11x)가 배치되고, 시료실(1)의 측면에는, X 레이저 간섭계(10x)가 배치된다. X 레이저 간섭계(10x)는, X 미러(11x)에 대하여 레이저광을 조사하고, 그 반사광을 이용하여 시료실(1)과 X 테이블(4)의 X 방향의 상대 변위량(이하, X 레이저값이라고 함)을 계측한다.

X 미러(11x)는, YZ 평면에 경면(鏡面)을 가지고, Y 방향으로 긴 봉상(棒狀)의 형상을 하고 있으며, Y 테이블(5)이 Y 방향으로 이동했을 때에도 레이저광을 반사할 수 있다. 또한, 레이저광은 웨이퍼(2)의 상면(측정면)과 Z 방향의 높이가 대략 일치하도록 배치된다. Y 방향에 대해서도 마찬가지로, Y 레이저 간섭계(10y)(도시 생략) 및 Y 미러(11y)(도시 생략)에 의해 시료실(1)과 X 테이블(4)의 Y 방향의 상대 변위량(이하, Y 레이저값이라고 함)을 계측할 수 있다.

여기에서, XY 방향 각각의 레이저 간섭계(10x, 10y)는, X 테이블(4)의 가동 범위 중, 대응하는 XY 방향의 바 미러(11x, 11y)에 레이저광이 조사되는 영역에서만 유효한 값을 계측할 수 있다. 또한, 레이저 간섭계(10x, 10y)는, 일단 레이저광이 반사되지 않는 위치로 X 테이블이 이동하면, 그 이후는, 레이저값의 오프셋량이 부정(不定)이 되어, 절대적인 위치를 계측할 수는 없다.

또, X 레이저값 및 X 스케일값은, 모두 시료실(1)에 대한 X 테이블(4)의 X 방향의 상대 변위량을 나타내고 있지만, 아베 오차에 의해 양자는 정확하게는 일치하지 않는다. 즉, X 레이저값과 X 스케일값의 측정 위치는 Z 방향에 오프셋을 가지고 있기 때문에, 테이블의 이동이나 진동에 의해 X 테이블(4)의 자세각이 변화할 때에 아베 오차를 보인다. 마찬가지로, Y 레이저값 및 Y 스케일값에 대해서도 아베 오차가 보인다.

제어 장치(6)에는, 연산 처리부, 모터 구동용 앰프 등이 포함되어 있다. 제어 장치(6)는, XY 방향의 레이저값 및 스케일값을 입력으로 하여, 리니어 모터의 구동 전류를 제어함으로써 스테이지를 XY 방향으로 구동하고, 원하는 위치에 위치 결정을 행한다. 여기에서, 리니어 모터의 제어 방법은, PID 제어 등을 이용하는 것이 가능하다.

이상의 구성에 의해, 웨이퍼(2)를 시료실(1)에 대하여 XY 평면에서 이동하고, 웨이퍼(2) 상의 임의의 좌표에 있어서, 칼럼(경통)(3)에 의한 이차 전자상(SEM상) 및 광학 현미경(9)에 의한 광학 현미경 화상(OM상)을 취득할 수 있다.

X 테이블(4) 상에는, 보정 샘플(17 및 18)이 배치된다. 여기에서, 보정 샘플(17 및 18)은, 그 상면이 웨이퍼(2)의 표면(상면)과 대략 일치하도록 설치된다. 보정 샘플(17 및 18)의 상세한 배치 및 사용 방법은 후술한다.

또, 본 실시예에서는, 안내 기구로서 리니어 가이드를 이용했지만, 그 밖의 안내 기구(예를 들면, 유체 베어링이나 자성 베어링 등)를 이용하는 것도 가능하다. 또한, 구동 기구로서 리니어 모터를 이용했지만, 예를 들면, 볼 나사나 압전(壓電) 액추에이터 등, 진공 중에서 사용 가능한 액추에이터를 이용하는 것도 가능하다.

도 2는, 본 실시예에 있어서의 하전 입자선 장치의 상면 구성도이며, 레이저 가시 상태가 되는 테이블 위치 배치를 나타내고 있다.

레이저 간섭계(10x 및 10y)의 레이저광은, 미러(11x 및 11y)에 조사되고 있으며, 웨이퍼(2)의 XY 좌표는 스케일값 및 레이저값으로 모두 계측 가능하다.

도면 중의 위치(P1)는, 레이저 간섭계(10x 및 10y)로부터 조사되는 레이저광의 교점이며, 칼럼(경통)(3)의 중심(이차 전자 화상을 취득하기 위한 전자선이 조사되는 위치)이 P1과 일치하도록 칼럼(경통)(3)이 배치된다.

이에 따라, 웨이퍼(2)의 Z축 둘레의 자세 변화(요잉)에 대한 아베 오차 없이 측정점(전자선 조사 위치)의 위치 정보를 레이저값에 의해 계측할 수 있다. 웨이퍼(2)의 전면(全面)을 칼럼(경통)(3)에 의해 관찰하기 위해 필요한 XY 방향 각각의 테이블의 스트로크는 도면 중 Rx1, Ry1의 범위이다.

위치(P2)는, 천판(8)(도시 생략)에 광학 현미경(9)이 설치되어 있는 위치이며, 광학 현미경(9)에 의한 관찰이 가능한 위치이다. 통상, 칼럼(경통)(3) 내의 전자 광학계의 크기의 제약에 의해, P2는 P1과 같은 위치에 배치하는 것은 곤란하며, 오프셋을 가진 위치가 된다. 웨이퍼(2)의 전면을 광학 현미경(9)에 의해 관찰하기 위해 필요한 XY 방향 각각의 테이블의 스트로크는 도면 중 Rx2, Ry2의 범위이다.

또, 본 실시예에서는 SEM 이외의 검출 수단으로서 광학 현미경을 이용하고 있지만, 웨이퍼의 관찰이나 센싱을 위해 그 밖의 검출 수단이나 센서를 이용할 경우에 있어서도 본 구성은 유효하다. 또한, 본 실시예에서는, 위치(P2)는 칼럼(경통)(3)의 중심인 위치(P1)에 대하여 Y 방향에만 오프셋한 위치(X 방향의 오프셋량이 0인 위치)로 하고 있지만, XY 방향에 오프셋을 가지는 구성으로 하는 것도 당연 가능하다.

여기에서, SEM 관찰 시에는 웨이퍼(2)의 위치 정보를 정확하게(아베 오차 없이) 검출하는 것이 필요하기 때문에, 레이저값을 이용하여 스테이지의 위치 결정을 행하는 것이 유효하다. 한편, 광학 현미경(9)은 SEM과 비교하여 저배율이기 때문에, 고정밀도의 레이저값을 이용하지 않고 스케일값을 이용하여 스테이지를 위치 결정해도 충분한 화상 정밀도를 보증할 수 있다. 즉, 예를 들면 X 방향에 관해서는, Rx1의 범위는 X 레이저값을 이용하고, Rx2의 Rx1 이외의 범위는 X 스케일값을 이용하는 구성이 좋다.

이상으로부터, 본 실시예에서는, Rx1의 범위를 커버하도록 Y 미러(11y)의 길이를 결정하고, Ry1의 범위를 커버하도록 X 미러(11x)의 길이를 결정하도록 함으로써, 필요 최소한의 미러 길이가 된다.

도 2에서는, 레이저값 및 스케일값을 모두 얻을 수 있기 때문에, 제어 장치(6)에서는, 양자를 이용하여 리니어 모터(16x, 16y)의 구동 전류를 결정하는 것이 바람직하다.

도 3은, 본 실시예에 있어서의 하전 입자선 장치의 상면 구성도이며, 레이저 불가시 상태가 되는 테이블 위치 배치를 나타내고 있다.

레이저 간섭계(10x)의 레이저광은, 미러(11x)에 조사되어 있지 않기 때문에, 웨이퍼(2)의 X 좌표는 스케일값만으로 계측 가능하다. 그 때문에, 제어 장치(6)에서는, 스케일값만을 이용하여 리니어 모터(16x)의 구동 전류를 제어한다. 여기에서, 상술한 바와 같이 광학 현미경(9)의 측정 위치(P2)는, 칼럼 중심 위치(P1)에 대하여 오프셋을 가지고 있기 때문에, 광학 현미경(9)으로 웨이퍼(2)의 전면을 촬상할 경우에는, 도 3과 같이 레이저 간섭계가 무효가 되는 영역이 존재하게 된다. 광학 현미경상을 이용한 얼라이먼트(OM 얼라이먼트) 처리를 행할 경우, 웨이퍼 상의 얼라이먼트점의 설정에 의해, 레이저 간섭계가 무효가 되어, 레이저값을 계측할 수 없을 경우가 많다. 그 결과, 임의의 점의 OM 얼라이먼트 처리만으로는, 레이저값을 이용한 SEM 촬상을 정확하게 행하는 것은 곤란하다.

도 4는, 본 실시예에 있어서의 X 테이블(4) 상의 보정 샘플(17, 18)의 배치 구성도이다. 여기에서, 도 4는, X 테이블(4) 상에서 보정 샘플(17)이 광학 현미경 관찰 위치(P2)와 일치하도록 X 테이블(4)이 위치 결정된 상태를 나타낸다. 이후, 도 4를 이용하여 보정 샘플(17, 18)의 배치를 설명한다.

도 4에 있어서, 칼럼 중심 위치(P1)와 광학 현미경 관찰 위치(P2)와의 오프셋량을 Dy1로 한다. 여기에서, Dy1은 천판 상의 양자의 설치 위치로부터 결정된다. 다음으로, X 테이블(4)에 있어서, X 바 미러(11x)의 레이저 조사 가능 범위 중, 위치(P1)에 가까운 측의 단(端)으로부터 오프셋량(Dy1)만큼 직선보다 하측(P1로부터 먼 측)의 영역을 E1로 정의한다. 이 영역(E1)은, 광학 현미경(9)으로 촬상 중에 레이저광(19x)이 X 바 미러(11x)에 조사하여 레이저값이 유효해지는 범위이다.

이 영역(E1)을, 본 실시예에 있어서의 보정 샘플(17)을 설치 가능한 범위로 하고, 본 실시예에서는, 영역(E1) 내 또는 웨이퍼(2)를 피한 위치에 보정 샘플(17)을 배치한다. 또한, 보정 샘플(17)로부터 거리(Dy1)만큼 오프셋한 위치에 보정 샘플(18)을 배치한다.

이와 같이 배치한 보정 샘플(17, 18)에 의하면, 보정 샘플(17)의 광학 현미경상, XY 방향의 레이저값, 및 보정 샘플(18)의 SEM 화상을 동시에 취득할 수 있다.

도 5는, 본 실시예에 있어서의 하전 입자선 장치의 상면 구성도이며, 보정 샘플의 촬상을 행하는 상태가 되는 테이블 위치 배치를 나타내고 있다.

도 5에 있어서, 도 4의 상태와 마찬가지로, 위치(P2)가 보정 샘플(17) 상에 있음과 동시에, 위치(P1)가 보정 샘플(18) 상에 있으며, 또한 XY의 레이저 간섭계(10x, 10y)가 유효한 상태로 되어 있다. 도 5에 나타내는 상태에 있어서, SEM상과 광학 현미경(9)에 의한 OM상을 이용하여, 후술하는 보정을 행함으로써 보다 정확한 얼라이먼트 처리를 행할 수 있다.

도 6은, 본 실시예에 있어서의 시료 얼라이먼트 방법(웨이퍼 처리의 흐름)을 나타낸 플로우 차트이다.

우선, 처리 S601에서는, 웨이퍼를 시료실 내에 반입하고, X 테이블 상에 재치한다. 웨이퍼의 반입에는, 웨이퍼 반송 로봇 등을 이용한다. 또한, 대기 중에 있는 웨이퍼를 진공 배기된 시료실 내에 반입하기 위해, 예비 배기실과 게이트 밸브 등을 이용하는 방법이 일반적이다.

다음으로, 처리 S602에서는, 광학 현미경을 이용한 OM 얼라이먼트 처리를 실시한다. 구체적으로는, 미리 검사 레시피에 등록된 1점 또는 복수점의 OM 얼라이먼트점에 대하여, 광학 현미경으로 촬상 가능한 위치에 순차 X 테이블을 위치 결정하고, OM 화상을 취득한다. 얻어진 OM 화상과 검사 레시피에 등록된 참조 패턴을 비교하고, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, OM으로부터 본 얼라이먼트점의 위치(XY 좌표)를 특정한다.

얻어진 1개 또는 복수의 OM 얼라이먼트점의 위치를 이용하여 평균화함으로써, 반송 후의 웨이퍼의 X 테이블에 대한 상대 위치 관계를 얻는다. 얻어진 웨이퍼 반송 위치는, OM으로부터 본 XY 방향의 오프셋량(Xom, Yom)과 회전 각도(θom)로 정의된다.

계속해서, 처리 S603에서는, 검사 레시피에 있어서 SEM 얼라이먼트가 유효한지의 여부를 판단한다. 여기에서, 통상의 검사 레시피에서는, SEM 얼라이먼트 있음(YES)으로 운용하는 것이 일반적이지만, 정밀도가 낮아도 문제 없는 검사 레시피나 SEM 얼라이먼트를 할 수 없는 웨이퍼의 경우에는 SEM 얼라이먼트 없음(NO)이 선택된다.

SEM 얼라이먼트 있음(도면 중의 YES)이라고 판단되었을 경우에는 처리 S604로 진행되고, SEM 얼라이먼트 처리 S604가 실행된다. SEM 얼라이먼트 처리 S604는, OM 얼라이먼트 처리 S602와 마찬가지로, 미리 검사 레시피에 등록된 1점 또는 복수점의 SEM 얼라이먼트점에 대하여, X 테이블을 위치 결정하고, SEM 화상을 취득함과 함께, 검사 레시피에 등록된 참조 패턴과 비교하여, 웨이퍼의 위치를 특정한다.

한편, 처리 S603에 있어서, SEM 얼라이먼트 없음(도면 중의 NO)이라고 판단되었을 경우에는 처리 S605로 진행되고, 보정 샘플의 OM 촬상 필요 여부를 판단한다. 여기에서, 상술한 정밀도가 낮아도 문제 없는 검사 레시피의 경우에는 보정 샘플의 OM 촬상 없음(도면 중의 NO)을 선택하고, 고정밀도가 필요하지만 SEM 얼라이먼트를 실시할 수 없는 검사 레시피는 보정 샘플 OM 촬상 있음(도면 중의 YES)을 선택한다.

처리 S605에 있어서, 보정 샘플 OM 촬상 없음(도면 중의 NO)을 선택했을 경우, 얼라이먼트 변환 처리 S606을 실시한다. 여기에서, 얼라이먼트 변환 처리 S606에서는, SEM 검사에 이용하기 위해 필요한 정보인 SEM 칼럼으로부터 본 XY 방향의 오프셋량(Xsem, Ysem)과 회전 각도(θsem)로의 변환이 필요하다.

SEM 칼럼 중심 위치(P1)와 OM 위치(P2)의 상대 위치는, 광학 현미경(9)의 장착 위치에 의해 결정되어 있으므로, XY 방향 및 회전 방향의 오프셋량(Xofs, Yofs, θofs)을 이용함으로써, Xsem＝Xom+Xofs, Ysem＝Yom+Yofs, θom＝θom+θofs로 할 수 있다. 이에 따라, OM 얼라이먼트의 결과를 반영하면서, SEM 얼라이먼트 없음으로 SEM 촬상을 행할 수 있다.

여기에서, OM 얼라이먼트 정보를 변환하기 위한 오프셋량(Xofs, Yofs, θofs)은, 웨이퍼 상에서의 오프셋량이며, 즉 레이저값으로 오프셋량을 관리할 필요가 있다. 한편, OM 얼라이먼트 중은, 상술한 바와 같이 레이저 유효 범위 외로 스테이지가 이동하는 것이 생각된다. 이 때문에, OM 얼라이먼트 중은 스케일값을 이용하여 스테이지를 제어할 필요가 있다.

스케일값의 정보밖에 가지지 않는 OM 얼라이먼트를 행한 후, SEM 촬상을 행할 경우에는, 오프셋량(Xofs 등)을 보정하기 위해 스케일값을 이용하여 이동할 필요가 있기 때문에, 레이저값과 스케일값에 보이는 아베 오차의 영향으로 큰 오차(SEM 관찰 위치의 어긋남)를 보일 가능성이 있다. 또한, SEM 칼럼 중심 위치(P1)와 OM 위치(P2)의 상대 위치는, 온도나 기압 등의 환경 변화에 의해 변동하는 것이 생각된다. 이상과 같은 오차 요인을 저감하기 위해, 본 발명에서는 보정 샘플을 이용한다.

처리 S605에 있어서 보정 샘플 OM 촬상 있음(도면 중의 YES)을 선택했을 경우, 처리 S607로 진행되고, 보정 샘플의 OM 촬상을 행한다. 처리 S607에서는, 우선 도 5에 나타내는 바와 같이, 보정 샘플(17)을 OM으로 관찰 가능한 위치에 X 테이블을 위치 결정하고, OM에 의한 촬상을 행한다. 촬상한 OM 화상은, OM 얼라이먼트 처리 S602와 마찬가지로, 장치(검사 레시피)에 등록된 참조 패턴과 비교하여, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, OM으로부터 본 보정 샘플(17)의 위치(XY 좌표)를 특정한다.

이때, 레이저 간섭계(10x 및 10y)는 모두 레이저값이 유효하기 때문에, 보정 샘플 위치에서의 레이저값을 아울러 취득한다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 보정 샘플(18)이 X 테이블(4) 상의 칼럼 중심 위치(P1)의 아래가 되도록 장착되어 있을 경우에는, 동시에 보정 샘플(18)의 SEM에 의한 촬상을 행한다. 촬상한 SEM 화상도 마찬가지로, 장치(검사 레시피)에 등록된 참조 패턴과 비교하여, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, SEM으로부터 본 보정 샘플(18)의 위치(XY 좌표)를 특정한다.

계속해서, 처리 S608에서는, 보정 샘플(17)의 SEM 촬상을 행할지의 여부를 판단한다. 처리 S608에 있어서, 보정 샘플(17)의 SEM 촬상 없음(도면 중의 NO)이라고 판단했을 경우에는, 처리 S609에 있어서, 얼라이먼트 변환 처리를 행한다. 얼라이먼트 변환 처리는, 처리 S606과 마찬가지로, Xsem＝Xom+Xofs, Ysem＝Yom+Yofs, θom＝θom+θofs로 행한다.

여기에서, 보정 샘플을 OM 촬상했을 때의 레이저값을 이용하여, 이동해야 할 SEM 촬상점의 레이저값을 특정할 수 있다. 얻어진 목표 위치가 되는 레이저값과 현재의 레이저값이 일치하도록 스테이지를 이동함으로써, SEM 측정점으로의 정확한 이동, 즉 SEM 얼라이먼트 없음에서의 고정밀도의 SEM 촬상이 가능해진다.

또한, 보정 샘플(18)이 장착되어 있을 경우에는, 동시에 촬상한 OM상 및 SEM상에서의 패턴 위치로부터, SEM 칼럼 중심 위치(P1)와 OM 위치(P2)의 상대 위치를 산출할 수 있다. 이것을 이용하여 OM 얼라이먼트 정보의 변환에 이용하는 오프셋량(Xofs, Yofs)을 조정함으로써, 온도나 기압 등의 환경 변화에 의한 변동의 영향을 받지 않고, 더 양호한 오프셋 변환을 행하는 것이 가능해진다.

한편, 처리 S608에 있어서, 보정 샘플(17)의 SEM 촬상 있음(도면 중의 YES)이라고 판단했을 경우에는, 처리 S610에 있어서, 보정 샘플(17)의 SEM 촬상을 행한다. 보정 샘플(17)의 SEM 촬상을 행했을 경우, 처리 S607 및 처리 S610에 있어서 동일점을 OM 및 SEM으로 촬상하게 된다. 이때, 어느 쪽이나 레이저값이 유효한 상태로 스테이지가 제어되어 있기 때문에, 레이저값에서의 SEM 칼럼 중심 위치(P1)와 OM 위치(P2)의 상대 위치를 산출할 수 있다.

이에 따라, SEM 칼럼과 OM 위치 사이의 거리가 온도 등의 환경 요인에 의해 변화했을 경우뿐만 아니라, X 테이블 등의 시료실 내부의 구조가 온도 변화 등으로 변화했을 경우에도, 고정밀도로 SEM 위치에서의 검출 정밀도를 확보할 수 있다.

처리 S605 및 처리 S608은, 고정밀도로 SEM 촬상을 행하려는 경우에 촬상 있음이라고 설정하면 되지만, 촬상 시간, 연산 처리 시간 및 스테이지 이동 시간에 의한 스루풋 저하와 트레이드 오프가 된다. 검사(측정) 레시피상의 설정으로서, 필요한 정밀도를 지정 또는 선택하도록 함으로써, 유저가 명시적으로 처리의 정밀도를 설정할 수 있도록 하는 것이 유효하다. 또한, 검사 레시피마다 SEM 촬상 배율 등에 의해 자동 선택하는 것도 가능하다.

이상과 같이 설정한 SEM 얼라이먼트에 의해 측정되었거나, 또는 OM 얼라이먼트 정보를 이용하여 추정한 SEM 칼럼으로부터 본 웨이퍼의 위치 정보(Xsem, Ysem, θsem)를 이용하여, 처리 S612에서는, 스테이지를 레이저값을 이용하여 미리 레시피 설정된 측정점에 대하여 위치 결정을 행하고, SEM에 의한 촬상을 행하여 얻어진 이차 전자상으로부터 패턴의 검사(결함의 검출이나 패턴 형상의 측정 등)를 행한다. 처리 S613에서, 모든 측정점이 완료됐는지의 판별을 행하고, 측정이 완료됐을 경우에는, 처리 S614에서 웨이퍼를 반출하고, 일련의 처리를 종료한다.

또, 본 실시예에 있어서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, X 테이블 상에 배치하는 보정 샘플은 OM으로 맨 처음 관찰하는 보정 샘플(17)과, 동시에 SEM으로 촬상 가능한 보정 샘플(18)을 탑재한 예를 주로 설명했지만, 도 7에 나타내는 바와 같이, 보정 샘플(17)만을 탑재하는 구성도 가능하다.

이 경우, 도 6에 있어서의 처리 S607은, OM 촬상만을 행하게 되고, SEM 칼럼 중심 위치(P1)와 OM 위치(P2)의 상대 위치를 보정할 수는 없게 되지만, 그래도 레이저값을 이용한 SEM 촬상 위치로의 이동을 행할 수 있기 때문에, 충분히 높은 효과를 기대할 수 있다. 또한, 그 경우에는, 도 6에 있어서의 처리 S608에 있어서 보정 샘플의 SEM 촬상 있음을 선택함으로써, P1과 P2의 상대 위치를 레이저값에 의해 보정할 수 있기 때문에 유효하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 하전 입자선 장치는, 시료(웨이퍼(2))를 재치하는 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))와, 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))를 구동 제어하는 제어 장치(6)와, 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))의 위치를 검출하는 레이저 위치 검출 수단(레이저 간섭계(10) 및 미러(11))과, 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5)) 상에 재치되는 시료를 관찰하는 광학 현미경(9)과, 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5)) 상에 재치되는 시료에 전자선을 조사하고, 이차 전자를 생성하는 경통(3)을 구비하고 있으며, 광학 현미경(9)에 의해 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5)) 상에 재치된 제1 보정 샘플(17)의 화상 데이터를 취득함과 함께, 레이저 위치 검출 수단(레이저 간섭계(10) 및 미러(11))에 의해 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))의 위치를 검출하고, 광학 현미경(9)에 의해 취득한 화상 데이터 및 레이저 위치 검출 수단(레이저 간섭계(10) 및 미러(11))에 의해 검출한 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))의 위치 데이터에 의거하여 경통(3)에 대한 시료 스테이지(X 테이블(4) 및 Y 테이블(5))의 위치 결정을 행한다.

또한, 본 실시예의 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법은, (a) 미리 레시피에 등록된 얼라이먼트점에 대하여, 광학 현미경으로 촬상 가능한 위치에 시료 스테이지를 위치 결정하고, 시료 스테이지 상에 재치된 시료의 광학 현미경상을 취득하고, 당해 취득한 광학 현미경상에 의거하여 광학 현미경으로부터 본 얼라이먼트점의 위치를 특정하는 스텝, (b) (a) 스텝 후, 상기 시료 스테이지 상에 배치된 보정 샘플의 광학 현미경상을 취득함과 함께, 레이저 위치 검출 수단에 의해 시료 스테이지의 위치를 검출하는 스텝, (c) (b) 스텝에서 얻어진 보정 샘플의 광학 현미경상 및 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 스텝을 갖는다.

본 실시예의 하전 입자선 장치 및 그 시료 얼라이먼트 방법은, 예를 들면, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 결함 검출 또는 패턴 형상의 측정을 행하는 결함 리뷰 SEM 등에 적용할 수 있다. 이에 따라, SEM 얼라이먼트를 실시할 수 없는 웨이퍼에 대해서도, OM 얼라이먼트를 행한 후에, 보정 샘플을 이용한 OM 및 SEM의 촬상을 행하고, 얻어진 화상 정보와 레이저값을 이용함으로써, SEM에 의한 관찰 위치의 정밀도를 향상하여, 보다 정확한 웨이퍼 검사를 행하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 다양한 변형예가 포함된다. 예를 들면, 상기의 실시예는 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 상세하게 설명한 것이며, 반드시 설명한 모든 구성을 구비하는 것에 한정되는 것이 아니다. 또한, 어떤 실시예의 구성의 일부를 다른 실시예의 구성으로 치환하는 것이 가능하며, 또한, 어떤 실시예의 구성에 다른 실시예의 구성을 더하는 것도 가능하다. 또한, 각 실시예의 구성의 일부에 대해서, 다른 구성의 추가·삭제·치환을 하는 것이 가능하다.

1: 시료실 2: 웨이퍼
3: 칼럼(경통) 4: X 테이블
5: Y 테이블 6: 제어 장치
7: 베이스 8: 천판
9: 광학 현미경 10: 레이저 간섭계
10x: X 레이저 간섭계 10y: Y 레이저 간섭계
11: (바) 미러 11x: X 미러
11y: Y 미러 12: 리니어 스케일
12x: X 리니어 스케일 12y: Y 리니어 스케일
13: 리니어 스케일 검출기 13x: X 리니어 스케일 검출기
13y: Y 리니어 스케일 검출기 14, 15: 리니어 가이드
14x, 15x: X 리니어 가이드 14y, 15y: Y 리니어 가이드
16: 리니어 모터 16x: X 리니어 모터
16y: Y 리니어 모터 17, 18: 보정 샘플
19x: 레이저광 P1: 칼럼(경통)(3)의 중심 위치
P2: 광학 현미경(9)의 관찰 위치

Claims (10)

1. 시료를 재치(載置)하는 시료 스테이지와,
   상기 시료 스테이지를 구동 제어하는 제어 장치와,
   상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 리니어 스케일과,
   상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 레이저 위치 검출 수단과,
   상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료를 관찰하는 광학 현미경과,
   상기 시료 스테이지 상에 재치되는 시료에 전자선을 조사하고, 이차 전자를 생성하는 경통(鏡筒)을 구비하고,
   상기 광학 현미경에 의해 상기 시료 스테이지 상에 재치된 제1 보정 샘플의 화상 데이터를 취득함과 함께, 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하고,
   상기 광학 현미경에 의해 취득한 화상 데이터 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 상기 경통에 대한 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하고,
   상기 시료 스테이지 상에 재치된 제2 보정 샘플의 SEM상을 취득하고,
   상기 광학 현미경에 의해 취득한 화상 데이터 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터, 상기 SEM상에 의거하여 상기 경통에 대한 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 광학 현미경에 의해 취득한 화상 데이터를 미리 등록된 참조 패턴과 비교함으로써, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, 상기 광학 현미경으로부터 본 상기 제1 보정 샘플의 위치를 특정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 취득한 SEM상을 미리 등록된 참조 패턴과 비교함으로써, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, 상기 경통으로부터 본 상기 제2 보정 샘플의 위치를 특정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 하전 입자선 장치는, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 결함 검출 또는 패턴 형상의 측정을 행하는 결함 리뷰 SEM인 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
6. (a) 미리 레시피에 등록된 얼라이먼트점에 대하여, 광학 현미경으로 촬상 가능한 위치에 시료 스테이지를 위치 결정하고, 상기 시료 스테이지 상에 재치된 시료의 광학 현미경상을 취득하고, 당해 취득한 광학 현미경상에 의거하여 광학 현미경으로부터 본 상기 얼라이먼트점의 위치를 특정하는 스텝,
   (b) 상기 (a) 스텝 후, 상기 시료 스테이지 상에 배치된 보정 샘플의 광학 현미경상을 취득함과 함께, 레이저 위치 검출 수단에 의해 상기 시료 스테이지의 위치를 검출하는 스텝, 및
   (c) 상기 (b) 스텝에서 얻어진 상기 보정 샘플의 광학 현미경상 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터에 의거하여 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 스텝을 갖고,
   상기 (b) 스텝과 상기 (c) 스텝 사이에,
   (d) 상기 시료 스테이지 상에 상기 보정 샘플과는 상이한 다른 보정 샘플을 배치하고, 당해 다른 보정 샘플의 SEM상을 취득하고, 상기 취득한 화상 데이터 및 상기 레이저 위치 검출 수단에 의해 검출한 상기 시료 스테이지의 위치 데이터, 상기 SEM상에 의거하여 상기 시료 스테이지의 위치 결정을 행하는 스텝을 더 갖는 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법.
7. 제6항에 있어서,
   상기 (b) 스텝에 있어서, 상기 광학 현미경에 의해 취득한 상기 보정 샘플의 광학 현미경상을 미리 등록된 참조 패턴과 비교함으로써, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, 상기 광학 현미경으로부터 본 상기 보정 샘플의 위치를 특정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법.
8. 삭제
9. 제6항에 있어서,
   상기 (d) 스텝에 있어서, 상기 취득한 SEM상을 미리 등록된 참조 패턴과 비교함으로써, 화상 상에서의 위치 어긋남량을 산출하고, 상기 다른 보정 샘플의 위치를 특정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법.
10. 제6항에 있어서,
    상기 (c) 스텝 후, 웨이퍼 상에 형성된 패턴의 결함 검출 또는 패턴 형상의 측정을 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치의 시료 얼라이먼트 방법.
    
    

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