KR102489201B1 - 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 - Google Patents
온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102489201B1 KR102489201B1 KR1020150182122A KR20150182122A KR102489201B1 KR 102489201 B1 KR102489201 B1 KR 102489201B1 KR 1020150182122 A KR1020150182122 A KR 1020150182122A KR 20150182122 A KR20150182122 A KR 20150182122A KR 102489201 B1 KR102489201 B1 KR 102489201B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- temperature control
- lower plate
- flow path
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Abstract
온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템이 소개된다.
본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛은, 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로가 형성되고, 상기 제2열전달 가스유로와 별도로 온도조절부가 형성되며, 상기 제2열전달 가스유로 상에는 기판이 안착되는 하판; 및 상기 하판을 커버할 수 있도록 상기 하판 상에 설치되며, 상기 기판 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 상판;을 포함한다.
본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛은, 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로가 형성되고, 상기 제2열전달 가스유로와 별도로 온도조절부가 형성되며, 상기 제2열전달 가스유로 상에는 기판이 안착되는 하판; 및 상기 하판을 커버할 수 있도록 상기 하판 상에 설치되며, 상기 기판 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 상판;을 포함한다.
Description
본 발명은 플라즈마 처리 시 기판을 안착시키는 트레이 유닛 및 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 기판 식각을 위해 플라즈마가 사용된다.
플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리장치는 챔버와 이러한 챔버의 외측 상부에 설치되는 안테나 및 챔버 내부에 기판을 거치시키는 척으로 구성되며, 안테나에서 공급된 고주파에 의해 챔버 내부에 플라즈마가 형성되어, 척에 거치된 기판을 가공하게 된다.
그러나, 이러한 플라즈마 가공장치는 척에 하나의 기판을 거치하여 가공하기 때문에, 다수 개의 기판을 가공하는 경우 작업에 장시간이 소요되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
최근에는 다수 개의 기판을 동시에 가공할 수 있도록, 척 상부에 복수의 기판을 안착할 수 있는 원반 형상의 트레이를 클램프로 고정, 복수 개의 기판을 동시에 가공함으로써, 상술한 문제점을 개선한 기술이 개발되고 있다.
한편, 플라즈마 가공장치는 소스의 구조에 따라, 원자, 이온의 양, 이온이 가진 에너지가 중앙부 또는 가장자리부에 집중되는 경향이 있다.
따라서, 식각 공정 시 트레이의 중앙부와 가장자리부 온도가 상이해지는 것은 물론, 중앙부 및 가장자리부의 식각 속도 역시 달라지게 되는바, 기판의 균일도(uniformity)가 저하되는 문제점이 존재한다.
예를 들어, 식각 공정 시 중앙부의 온도가 가장자리부의 온도보다 높으면, 중앙부에 위치한 기판과 가장자리부에 위치한 기판의 균일도 차이가 발생하게 되고, 종래에는 이를 해결하기 위해 척의 중앙부와 가장자리부의 온도를 달리 제어하여 온도를 균일하게 하는 방법을 사용하였었다.
그러나, 종래기술은 기판의 크기, 종류에 따라 중앙부 및 가장자리부 영역이 상이하여, 기판 변경 시 식각 장비의 주요 부품이 척을 매번 교환해야 하는 문제점이 존재한다.
또한, 척을 교환하면, 공정을 세팅하는데 장시간이 소요되고, 비용이 과다하게 소요되며, 이 과정에서 식각 공정을 진행할 수 없는바, 생산성이 저하되는 문제점이 존재한다.
상기한 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
본 발명은 척 교환 없이 중앙부 및 가장자리부에 위치한 기판의 온도를 조절할 수 있는 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛은, 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로가 형성되고, 상기 제2열전달 가스유로와 별도로 온도조절부가 형성되며, 상기 제2열전달 가스유로 상에는 기판이 안착되는 하판; 및 상기 하판을 커버할 수 있도록 상기 하판 상에 설치되며, 상기 기판 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 상판;을 포함한다.
상기 온도조절부는, 상기 하판에 형성된 별도의 공간인 것을 특징으로 한다.
상기 온도조절부는 상기 하판의 중앙부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 온도조절부는 상기 하판의 가장자리부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 하판은, 중앙부와 상기 중앙부 상단에서 양 측으로 연장 형성된 가장자리부를 포함하여, “T”자형 단면을 갖고, 상기 상판은 상기 홀이 형성된 수평부와, 상기 수평부의 양 단에서 수직 방향으로 연장 형성된 수직부를 포함하고, 상기 온도조절부는, 상기 가장자리부에 상기 수직부와 상기 하판에 의해 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 하판은 그 저면으로부터 수직하게 하방으로 연장 형성된 하나 이상의 보조벽을 더 포함하고, 상기 보조벽은 상기 온도조절부를 분할하는 것을 특징으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기판 안착 시스템은, 제1열전달 가스유로 및 상기 제1열전달 가스유로와 별도로 온도조절 유체유로가 형성된 척; 상기 제1열전달 가스유로에서 공급된 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로가 형성되고, 상기 제2열전달 가스유로와 별도로 온도조절부가 형성되며, 상기 척에 설치되되, 상기 제2열전달 가스유로 상에는 기판이 안착되는 하판; 및 상기 기판 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 상판;을 포함한다.
상기 온도조절 유체유로는 상기 기판의 폭 방향으로 일정 간격 이격되어 복수 개가 형성되고, 상기 기판의 온도에 따라 상기 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도 또는 유체의 유량을 조절하여 상기 척의 온도를 조절하는 제어부를 더 포함하며, 상기 제어부는, 상기 복수 개의 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도 및 유체의 유량을 동시에 조절하는 것을 특징으로 한다.
상기 온도조절부는, 상기 하판에 형성된 별도의 공간인 것을 특징으로 한다.
상기 제1열전달 가스유로는 수직 방향으로 형성되고, 상기 온도조절부는 상기 하판의 중앙부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제1열전달 가스유로는 수직 방향으로 형성되고, 상기 온도조절부는 상기 하판의 가장자리부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 하판은, 중앙부와 상기 중앙부 상단에서 양 측으로 연장 형성된 가장자리부를 포함하여, “T”자형 단면을 갖고, 상기 상판은 상기 홀이 형성된 수평부와, 상기 수평부의 양 단에서 수직 방향으로 연장 형성된 수직부를 포함하고, 상기 온도조절부는, 상기 가장자리부에 상기 수직부와 상기 하판에 의해 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 하판은 그 저면으로부터 수직하게 하방으로 연장 형성된 하나 이상의 보조벽을 더 포함하고, 상기 보조벽은 상기 온도조절부를 분할하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 아래와 같은 다양한 효과를 구현할 수 있게 된다.
첫째, 기판의 크기 및 종류에 따라 척을 교환할 필요가 없다.
둘째, 척 교환 및 세팅 시간을 절약할 수 있는 이점이 있다.
셋째, 생산성이 개선된다.
넷째, 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제1실시예를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제2실시예를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제3실시예를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제4실시예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제5실시예를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제6실시예를 나타낸 도면,
도 7은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제7실시예를 나타낸 도면,
도 8은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제8실시예를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제2실시예를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제3실시예를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제4실시예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제5실시예를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제6실시예를 나타낸 도면,
도 7은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제7실시예를 나타낸 도면,
도 8은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제8실시예를 나타낸 도면이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제1실시예를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛은, 하판(20) 및 상판(40)을 포함하고, 이를 이용한 기판 안착 시스템은, 척(10), 하판(20) 및 상판(40)을 포함한다.
척(10)에는 상하 방향으로 제1열전달 가스유로(12)가 형성되고, 그 내부에는 제1열전달 가스유로(12)의 형성 방향과 직교하는 온도조절 유체유로(14)가 복수 개 형성된다.
복수 개의 온도조절 유체유로(14)로 일정 간격 이격되어 설치될 수 있고, 설계자의 의도에 따라 그 간격을 달리하여 설치될 수도 있다.
온도조절 유체유로(14)는 복수 개가 서로 연결되어 있을 수도 있다.
온도조절 유체유로(14)가 연결되어 있는 경우에는, 일측에서 온도조절 유체가 공급되고, 온도조절 유체유로(14)를 순환한 온도조절 유체가 타측으로 배출된다.
제1열전달 가스유로(12)를 통해 공급되는 열전달 가스는 헬륨(He) 가스를 주로 사용하나, 설계자의 의도에 따라 다양한 비활성 가스가 사용될 수도 있다.
하판(20)은 척(10)에 안착되어 고정되고, 그 평면에는 다수 개의 기판(W)이 안착될 수 있다.
또한, 하판(20)에는, 제1열전달 가스유로(12)에서 공급된 열전달 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로(22)가 형성되는바, 이러한 제2열전달 가스유로(22)는 상술한 제1열전달 가스유로(12)와 가상의 동일 수직선 상에 위치할 수도 있고, 서로 다른 가상의 수직선 상에 위치할 수도 있다.
제2열전달 가스유로(22)가 제1열전달 가스유로(12)와 서로 다른 가상의 수직선 상에 위치하더라도, 하판(20)의 저면과 척(10)의 평면 사이에 형성된 미세한 틈을 따라 열전달 가스는 유동할 수 있다.
제2열전달 가스유로(22) 상에는 상술한 기판(W)이 안착된다.
하판(20)에는 제2열전달 가스유로(22)와 별도로, 온도조절부(30)가 형성되고, 상판(40)에는 기판(W) 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된다.
한편, 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 기판 안착 시스템은 제어부(50)를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 온도조절 유체유로(14)는 기판(W)의 폭 방향으로 일정 간격 이격되어 복수 개가 설치될 수 있는데, 제어부(50)는 기판(W)의 온도에 따라 온도조절 유체유로(14)를 통과하는 유체의 온도 또는 유체의 양을 조절함으로써, 척(10)의 온도를 조절한다.
제어부(50)에서는 유체의 온도 및 유체의 양을 동시에 조절할 수도 있다.
온도조절부(30)는, 상술한 하판(20)에 형성된 별도의 공간일 수 있는바, 이는 하판(20)의 중앙부(C) 저면에 오목한 홈 형상으로 형성될 수 있다.
중앙부(C)에 위치하는 기판(W)의 온도가 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 온도보다 높은 경우, 제어부(50)에서는 온도조절 유체유로(14)를 통과하는 유체의 온도를 상판(40) 또는 기판(W)의 온도보다 낮게 조절하게 되는바, 하판(20)의 중앙부(C)는 가장자리부(E)에 비하여 두께가 얇아 열저항이 작으므로, 온도가 빠르게 낮아지는 반면, 가장자리부(E)는 중앙부(C)에 비하여 두께가 두꺼워 열저항이 크므로, 온도가 천천히 낮아지게 된다.
결과적으로, 중앙부(C)와 가장자리부(E)의 온도는 균형을 이루게 되어, 중앙부(C)에 위치하는 기판(W)과 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 식각 속도는 동일해지고, 기판(W)의 균일도가 개선된다.
만약, 중앙부(C)에 위치하는 기판(W)의 온도가 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 온도보다 낮은 경우에는, 제어부(50)에서는 온도조절 유체유로(14)를 통과하는 유체의 온도를 상판(40) 또는 기판(W)의 온도보다 높게 조절하게 되는바, 상술한 중앙부(C) 및 가장자리부(E)의 열저항으로 차이로 인해, 중앙부(C)는 온도가 빠르게 상승하고, 가장자리부(E)는 온도가 천천히 상승하게 되어 온도 균형이 이루어지게 된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제2실시예에 따르면, 온도조절부(30)는, 하판(20)의 가장자리부(E) 저면에 오목한 홈 형상으로 형성될 수도 있다.
한편, 도 3은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제3실시예를 나타낸 도면이고, 도 4는 제4실시예를 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 상판(40)은 기판(W)이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 수평부(42)와, 수평부(42)의 양 단에서 수직 방향으로 연장 형성되어 그 끝단이 척(10)의 평면에 접하고, 그 내측면은 수평부(42)의 측면에 접하는 수직부(44)를 포함할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제5실시예이다.
본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 기판 안착 시스템은, 상판(40), 하판(20), 온도조절부(30), 제어부(50)를 포함하는바, 상술한 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예와 동일한 구성은 상술한 설명으로 갈음하고, 차이점을 중심으로 설명한다.
본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 기판 안착 시스템의 또 다른 실시예에 따르면, 하판(20)은 중앙부(C)와 이러한 중앙부(C) 상단에서 양측으로 연장 형성된 가장자리부(E)를 포함하여, 전체적으로 "T”자형 단면을 갖도록 형성된다.
상판(40)은 기판(W)이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 수평부(42)와, 수평부(42)의 양 단에서 수직 방향으로 연장 형성되어 그 끝단이 척(10)의 평면에 접하고, 그 내측면은 수평부(42)의 측면에 접하는 수직부(44)를 포함한다.
온도조절부(30)는, 가장자리부(E)에 수직부(44)와 하판(20)에 의해 홈 형상으로 형성된다.
중앙부(C)에 위치하는 기판(W)의 온도가 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 온도보다 높은 경우, 제어부(50)에서는 온도조절 유체유로(14)를 통과하는 유체의 온도를 상판(40) 또는 기판(W)의 온도보다 높게 조절하게 되는바, 하판(20)의 가장자리부(E)는 중앙부(C)에 비하여 두께가 얇아 열저항이 작으므로, 온도가 빠르게 상승하는 반면, 중앙부(C)는 가장자리부(E)에 비하여 두께가 두꺼워, 열저항이 크므로, 온도가 천천히 상승하게 된다.
결과적으로, 중앙부(C)와 가장자리부(E)의 온도는 균형을 이루게 되어, 중앙부(C)에 위치하는 기판(W)과 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 식각 속도는 동일해지고, 기판(W)의 균일도가 개선된다.
만약, 중앙부(C)에 위치하는 기판(W)의 온도가 가장자리부(E)에 위치하는 기판(W)의 온도보다 낮은 경우에는, 제어부(50)에서는 온도조절 유체유로(14)를 통과하는 유체의 온도를 상판(40) 또는 기판(W)의 온도보다 낮게 조절하게 되는바, 상술한 중앙부(C) 및 가장자리부(E)의 열저항으로 차이로 인해, 중앙부(C)는 온도가 천천히 낮아지고, 가장자리부(E)는 온도가 빠르게 낮아져 온도 균형이 이루어지게 된다.
한편, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 하판(20) 가장자리부(E)의 하단과 척(10) 또는 상판(40) 가장자리부(E)의 하단과 척(10)은 밀봉부재(P)로 밀폐되어 있는바, 밀봉부재(P)는 오링 등 다양한 부재가 사용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제6실시예를 나타낸 도면이고, 도 7은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제7실시예를 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템의 제8실시예를 나타낸 도면이다.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 온도 조절 기능을 갖는 트레이의 하판(20)은, 온도조절부(30)에 해당하는 공간이 하나 이상으로 분할될 수 있도록 하판(20)의 저면으로부터 수직하게 하방으로 연장되어 형성되는 하나 이상의 보조벽(24)을 더 포함할 수 있다.
보조벽(24)에 의해 하판(20)의 온도조절부(30)는 하나 이상으로 분할되는바, 단면상으로 보았을 때, 복수 개의 오목한 홈이 일정 간격 이격되어 형성될 수 있는 것이다. 즉, 온도조절부(30)는 하판(20)의 중앙부(C)에 원 형상의 홈으로 형성되거나, 하판(20)의 가장자리부(E)에 링 형상의 홈으로 형성되는 것이고, 이를 분할하는 보조벽(24)에 의해 링 형상의 홈을 하나 이상 형성함으로써, 상술한 온도조절부(30)를 복수 개 형성할 수도 있는 것이다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 온도 조절 기능을 갖는 기판 안착 시스템에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
10 : 척 12 : 제1열전달 가스유로
14 : 온도조절 유체유로 20 : 하판
22 : 제2열전달 가스유로 24 : 보조벽
30 : 온도조절부 40 : 상판
42 : 수평부 44 : 수직부
50 : 제어부 C : 중앙부
E : 가장자리부 W : 기판
P : 밀봉부재
14 : 온도조절 유체유로 20 : 하판
22 : 제2열전달 가스유로 24 : 보조벽
30 : 온도조절부 40 : 상판
42 : 수평부 44 : 수직부
50 : 제어부 C : 중앙부
E : 가장자리부 W : 기판
P : 밀봉부재
Claims (13)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1열전달 가스유로 및 상기 제1열전달 가스유로와 별도로 온도조절 유체유로가 형성된 척;
상기 제1열전달 가스유로에서 공급된 가스가 유동할 수 있도록 수직 방향으로 제2열전달 가스유로가 형성되고, 상기 제2열전달 가스유로와 별도로 온도조절부가 형성되며, 상기 척에 설치되되, 상기 제2열전달 가스유로 상에는 기판이 안착되는 하판; 및
상기 기판 평면이 플라즈마에 노출될 수 있도록 홀이 형성된 상판;을 포함하고,
상기 온도조절부가 형성된 부분의 상기 하판의 두께는 상기 온도조절부가 형성되지 않은 부분의 상기 하판의 두께보다 얇게 형성되며,
상기 온도조절부는 상기 하판의 중앙부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성되고, 상기 중앙부에 위치한 상기 기판의 온도가 가장자리부에 위치한 상기 기판의 온도보다 높은 경우, 상기 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도를 상기 상판 또는 상기 기판의 온도보다 낮게 조절하며, 상기 중앙부에 위치한 상기 기판의 온도가 상기 가장자리부에 위치한 상기 기판의 온도보다 낮은 경우, 상기 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도를 상기 상판 또는 상기 기판의 온도보다 높게 조절하는, 기판 안착 시스템, - 청구항 7에 있어서,
상기 온도조절 유체유로는 상기 기판의 폭 방향으로 일정 간격 이격되어 복수 개가 형성되고,
상기 기판의 온도에 따라 상기 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도 또는 유체의 유량을 조절하여 상기 척의 온도를 조절하는 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는, 상기 복수 개의 온도조절 유체유로를 통과하는 유체의 온도 및 유체의 유량을 동시에 조절하는 것을 특징으로 하는, 기판 안착 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 온도조절부는,
상기 하판에 형성된 별도의 공간인 것을 특징으로 하는, 기판 안착 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 제1열전달 가스유로는 수직 방향으로 형성되는, 기판 안착 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 제1열전달 가스유로는 수직 방향으로 형성되고,
상기 온도조절부는 상기 하판의 가장자리부 저면에 오목한 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는, 기판 안착 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 하판은, 중앙부와 상기 중앙부 상단에서 양 측으로 연장 형성된 가장자리부를 포함하여, “T”자형 단면을 갖고,
상기 상판은 상기 홀이 형성된 수평부와, 상기 수평부의 양 단에서 수직 방향으로 연장 형성된 수직부를 포함하고,
상기 온도조절부는, 상기 가장자리부에 상기 수직부와 상기 하판에 의해 홈 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는, 기판 안착 시스템.
- 청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하판은 그 저면으로부터 수직하게 하방으로 연장 형성된 하나 이상의 보조벽을 더 포함하고,
상기 보조벽은 상기 온도조절부를 분할하는 것을 특징으로 하는, 온도 조절 기능을 갖는 기판 안착 시스템.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150182122A KR102489201B1 (ko) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 |
TW105203958U TWM526754U (zh) | 2015-12-18 | 2016-03-22 | 具有溫度調節功能的托盤單元及利用其的基板放置系統 |
CN201620284708.9U CN205452233U (zh) | 2015-12-18 | 2016-04-07 | 具有温度调节功能的托盘单元及利用其的基板放置系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150182122A KR102489201B1 (ko) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170073333A KR20170073333A (ko) | 2017-06-28 |
KR102489201B1 true KR102489201B1 (ko) | 2023-01-18 |
Family
ID=56606749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150182122A KR102489201B1 (ko) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102489201B1 (ko) |
CN (1) | CN205452233U (ko) |
TW (1) | TWM526754U (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102227072B1 (ko) * | 2016-11-23 | 2021-03-12 | 주식회사 기가레인 | 프로브 카드용 나사 체결 장치 및 이를 구비한 프로브 카드 조립장치 |
US11610792B2 (en) | 2019-08-16 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support with thermal baffles |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734016B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2007-06-29 | 주식회사 래디언테크 | 기판 재치대 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 |
KR101504880B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2015-03-20 | 주식회사 기가레인 | 기판 안착유닛 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6001183A (en) * | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
KR100954754B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-04-27 | (주)타이닉스 | 플라즈마 처리장치용 기판 트레이 |
KR20120097667A (ko) | 2011-02-25 | 2012-09-05 | 서현모 | 냉각효과가 우수한 플라즈마 처리장치용 기판 트레이 및 플라즈마 처리장치 |
-
2015
- 2015-12-18 KR KR1020150182122A patent/KR102489201B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-03-22 TW TW105203958U patent/TWM526754U/zh unknown
- 2016-04-07 CN CN201620284708.9U patent/CN205452233U/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734016B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2007-06-29 | 주식회사 래디언테크 | 기판 재치대 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 |
KR101504880B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2015-03-20 | 주식회사 기가레인 | 기판 안착유닛 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170073333A (ko) | 2017-06-28 |
CN205452233U (zh) | 2016-08-10 |
TWM526754U (zh) | 2016-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108603289B (zh) | 具有带槽的空心阴极的气体扩散器 | |
KR102370610B1 (ko) | 더 균일한 에지 퍼지를 갖는 기판 지지부 | |
JP3437883B2 (ja) | 静電チャック、静電チャック・システム及び半導体ウエハを加工する方法 | |
US9909213B2 (en) | Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors | |
KR20220087415A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링 | |
EP2088616A2 (en) | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method | |
KR102109226B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US10840118B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for assembling tube assembly | |
KR102245720B1 (ko) | 균일성 제어를 이용하는 플라즈마 스트립 도구 | |
US9847240B2 (en) | Constant mass flow multi-level coolant path electrostatic chuck | |
KR102346038B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 가스 공급 부재 | |
KR102489201B1 (ko) | 온도 조절 기능을 갖는 트레이 유닛 및 이를 이용한 기판 안착 시스템 | |
US9870934B2 (en) | Electrostatic chuck and temperature-control method for the same | |
JP7441900B2 (ja) | 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド | |
KR101504880B1 (ko) | 기판 안착유닛 | |
KR20220119112A (ko) | 에지/중심 불균일성 완화를 위한 웨이퍼의 외측 주변부 근방 리세스된 영역들을 특징으로 하는 반도체 프로세싱 척들 | |
US20160233117A1 (en) | Vertical wafer boat | |
JP2016186998A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
WO2020154162A1 (en) | Post plasma gas injection in a separation grid | |
KR20230043056A (ko) | 가스 분배용 시스템 및 장치 | |
KR100877740B1 (ko) | 반도체용 플라즈마 가공장치 | |
KR20180065927A (ko) | 급배기 구조체 | |
KR20210122988A (ko) | 에피 웨이퍼 제조장치 | |
JP2015163736A (ja) | 基板の処理方法 | |
KR20230109799A (ko) | 스퍼터링장치용 백킹플레이트 및 스퍼터링장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) |