KR102489165B1 - Heating Apparatus For Cutter Scrubber Unit - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유해가스 처리용 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열에 의한 부품의 열변형과 파손을 방지하여 내구성과 신뢰성을 향상할 수 있음은 물론, 가스처리 발열유닛의 안전성을 높이면서 구조를 단순화하여 가스 처리를 위한 가스 챔버에 간편하게 설치할 수 있도록 하는 유해가스 처리용 가열장치 에 관한 것이다.The present invention relates to a heating device for treating harmful gases, and more particularly, to improve durability and reliability by preventing thermal deformation and breakage of components caused by heat, as well as to improve the safety of a gas treatment heat generating unit while improving its structure. It relates to a heating device for processing harmful gases that can be simplified and easily installed in a gas chamber for processing gases.
일반적으로 반도체 제조공정은 크게 전저리 공정(Fabrication 공정)과 후처리 공정(Assembly 공정)으로 이루어진다. 여기서, 전처리 공정은 각종 프로세스 챔버(Chamber) 내에서 웨이퍼(Wafer)에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴의 반도체 칩(Chip)을 제조한다. 그리고 후처리 공정은 전처리 공정에서 제조된 반도체 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정이다.In general, a semiconductor manufacturing process largely consists of a pretreatment process (Fabrication process) and a post-processing process (Assembly process). Here, in the pretreatment process, a semiconductor chip having a specific pattern is manufactured by repeatedly performing a process of depositing a thin film on a wafer in various process chambers and selectively etching the deposited thin film. The post-processing process is a process of individually separating the semiconductor chips manufactured in the pre-processing process and assembling them into a finished product by combining them with a lead frame.
또한, 전처리 공정은 웨이퍼에 박막을 증착하거나, 증착된 박막을 식각하는 과정에서 실란(Silane), 플르오린(F), 염소(Cl), 아르신(Arsine), 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되는데, 이 공정을 진행하는 동안 프로세스 챔버 내부에서 각종 배기가스를 발생한다.In addition, the pretreatment process removes harmful gases such as silane, fluorine (F), chlorine (Cl), arsine, and boron chloride and hydrogen in the process of depositing a thin film on a wafer or etching the deposited thin film. It is performed at a high temperature using process gases such as, etc., and various exhaust gases are generated inside the process chamber during this process.
예컨대, 프로세서 가스는 통상 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 특성이 강한 것을 사용하게 되며, 제조 설비의 공정 과정에서 약 10%만이 각종 반응에 사용되고, 나머지 약 90% 정도는 미반응 상태에서 제조 설비로부터 배출된다. 그리고 배출가스의 특성상 별도의 정화 과정 없이 외부로 유출될 경우 주변의 제조설비에 심각한 손상을 초래하고, 환경오염은 물론, 작업자가 있을 경우 심각한 안전사고를 초래할 수 있는 위험성이 있다.For example, process gas is usually used with strong characteristics such as toxicity, flammability, and corrosiveness, and only about 10% is used for various reactions in the process of manufacturing facilities, and about 90% is discharged from manufacturing facilities in an unreacted state. do. In addition, due to the nature of the exhaust gas, if it leaks outside without a separate purification process, there is a risk of causing serious damage to nearby manufacturing facilities, environmental pollution, and causing serious safety accidents in the presence of workers.
이에 따라, 제조 설비에서 배기 덕트로 연결되는 가스 배출라인 상에는 배출가스를 안전한 상태로 분해 또는 정화시키기 위한 스크러버(Scrubber) 시스템이 설치된다. 스크러바(Scrubber)는 공정가스의 성질 즉 일반공기와 접촉 시 부식 및 파우더(Powder)의 발생, 그리고 폭발적으로 반응하는 성질, 연소하는 성질, 가스 처리제와 반응하는 성질 및 물에 용해되는 성질을 이용하는 것으로 크게 건식과 습식으로 구별할 수 있다.Accordingly, a scrubber system for decomposing or purifying the exhaust gas in a safe state is installed on the gas discharge line connected to the exhaust duct from the manufacturing facility. Scrubber uses the properties of process gas, that is, the generation of corrosion and powder when in contact with general air, the property of reacting explosively, the property of burning, the property of reacting with gas treatment agents, and the property of dissolving in water. It can be broadly classified into dry and wet.
또한, 과불화합물(PFCs)을 제거하는 스크러버에는 연소식(Burn-wet), 플라즈마 방식(Plasma), 및 가열식(Heat-wet)이 있다. 이중 가열식 스크러버는, 유해가스를 고온으로 가열할 수 있도록 가열장치를 구비하며, 가열장치를 통상 500℃ 이상으로 가열한다.In addition, scrubbers that remove perfluorinated compounds (PFCs) include a burn-wet type, a plasma type, and a heat-wet type. The double heated scrubber has a heating device to heat the harmful gas to a high temperature, and the heating device is usually heated to 500 ° C. or higher.
그러나 상기와 같은 종래기술의 스크러버용 가열장치는, 고열(600~1200℃)에서 사용함으로 인하여, 변형이 발생하는 문제점이 발생함은 물론 열전도 구조가 매우 취약한 문제점이 내포하고 있다.However, the heating device for a scrubber of the prior art as described above has a problem that deformation occurs due to use at high heat (600 ~ 1200 ° C.), as well as a very weak heat conduction structure.
따라서, 이를 개선할 필요성이 요청된다.Therefore, there is a need to improve this.
한편, 국내 공개실용신안 제 20-2017-0001594호(공개일:2017.05.10)에는 "반도체 공정 폐가스의 가열장치"가 개시되어 있고, 등록특허 제10-1934561호(등록일:2018.12.26)에는 "이중배관 구조를 갖는 플라즈마 스크러버 시스템"가 개시되어 있다.On the other hand, Korean Utility Model Publication No. 20-2017-0001594 (published date: 2017.05.10) discloses a “heating device for waste gas from semiconductor processing”, and Patent Registration No. 10-1934561 (registration date: 2018.12.26) A "plasma scrubber system having a double pipe structure" is disclosed.
본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 창출된 것으로서, 열에 의한 부품의 열변형과 파손을 방지하여 내구성과 신뢰성을 향상할 수 있으며, 구조를 단순화하면서 열전도율과 절연성을 높여 가스의 처리효과를 향상하면서 가스 챔버에 용이하게 설치할 수 있는 유해가스 처리용 가열장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was created by the above needs, and it is possible to improve durability and reliability by preventing thermal deformation and damage of parts due to heat, while simplifying the structure and increasing thermal conductivity and insulation, while improving gas treatment effect. Its purpose is to provide a heating device for processing harmful gases that can be easily installed in a chamber.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 유해가스 처리용 가열장치는, 유해가스가 내부로 유입되고, 처리된 가스의 배출을 위한 가스 배출구를 구비하는 가스 챔버와, 발열을 통해 상기 가스 챔버로 유입되는 상기 유해가스를 가열하여 처리할 수 있도록 상기 가스 챔버에 설치되며, 발열을 통해 온도가 상승하는 가스처리 발열유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a heating device for treating harmful gases according to an aspect of the present invention includes a gas chamber through which harmful gases are introduced and a gas outlet for discharging the treated gas, and heat is generated. It is characterized in that it includes a gas treatment heating unit installed in the gas chamber to heat and treat the noxious gas flowing into the gas chamber, and to increase the temperature through heat generation.
또한, 본 발명에서 상기 가스 챔버는, 상기 가스처리 발열유닛을 삽입하여 고정할 수 있으며, 내부로 상기 유해가스가 유입되는 발열유닛 장착부를 구비하는 것을 특징으로 한다.Further, in the present invention, the gas chamber is characterized by having a heating unit mounting portion into which the gas treatment heat generating unit can be inserted and fixed, and the noxious gas is introduced into the gas chamber.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 상단부가 상기 발열유닛 장착부에 고정되어 설치 요구되는 방향으로 수직 또는 수평으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas treatment heating unit is characterized in that the upper end is fixed to the heating unit mounting portion and disposed vertically or horizontally in a direction in which installation is required.
또한, 본 발명에서 상기 발열유닛 장착부는, 상기 가스처리 발열유닛이 삽입되는 가스처리 공간부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the heating unit mounting portion is characterized in that the gas processing space is formed into which the gas processing heating unit is inserted.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 상기 가스처리 발열유닛의 상단부에 결합되는 고정플랜지부와, 상기 고정플랜지부에 적어도 2개 이상 결합되어 상기 가스처리 공간부의 내부로 삽입되며, 발열을 통해 상기 가스처리 공간부의 내부를 가열하는 발열모듈과, 상기 발열모듈의 상단부 외면에 결합되어 상기 발열모듈과 상기 발열유닛 장착부 사이에 배치되며, 상기 고정플랜지부로 전달되는 열을 감소시키는 단열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas processing heat generating unit, a fixed flange portion coupled to the upper end of the gas processing heat generating unit, and at least two or more coupled to the fixed flange portion are inserted into the gas processing space portion, and generate heat. A heating module that heats the inside of the gas processing space through a heating module, and a heat insulating part that is coupled to the outer surface of the upper end of the heating module and disposed between the heating module and the heating unit mounting part and reduces heat transferred to the fixed flange part. It is characterized by doing.
또한, 본 발명에서 상기 고정플랜지부는, 원형 또는 다각형으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the fixed flange portion is characterized in that formed in a circular or polygonal shape.
또한, 본 발명에서 상기 발열모듈은, 상기 고정플랜지부의 중앙을 중심으로 원형 또는 다각형으로 배열되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the heating module is characterized in that it is arranged in a circular or polygonal shape around the center of the fixed flange portion.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 복수의 상기 발열모듈이 상기 고정플랜지부에 원형 또는 다각형으로 배열되고, 원형 또는 다각형으로 배열된 상기 발열모듈들의 중앙부 또는 외곽으로 상기 유해가스의 흡입을 위한 가스 유입유로부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas treatment heating unit has a plurality of heating modules arranged in a circular or polygonal shape on the fixed flange, and sucks the noxious gas to the center or outer portion of the heating modules arranged in a circular or polygonal shape. It is characterized in that the gas inlet passage portion is formed for.
또한, 본 발명에서 가스처리 발열유닛은, 상기 유해가스를 상기 발열모듈들의 중앙부로 유입하여 상기 발열모듈들의 외곽부를 순환하여 배출하거나, 또는 상기 유해가스를 상기 발열모듈들의 외곽부에서 유입하여 중앙부로 순환하여 배출하도록 상기 가스 유입유로부를 형성하는 것을 특징을 한다.In addition, in the present invention, the gas processing heating unit introduces the noxious gas into the central part of the heating modules and circulates and discharges the harmful gas from the outer part of the heating modules, or flows the harmful gas from the outer part of the heating modules to the central part. It is characterized in that the gas inlet passage portion is formed to circulate and discharge.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 상기 발열모듈의 하단부에 결합되어 상기 발열모듈이 상기 발열유닛 장착부에 접촉되는 것을 방지하는 모듈고정판과, 상기 발열모듈의 상단부에 결합되어 상기 단열부를 지지하는 단열재 지지판을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas treatment heating unit includes a module fixing plate coupled to the lower end of the heating module to prevent the heating module from contacting the heating unit mounting portion, and coupled to the upper end of the heating module to support the heat insulation unit. It is characterized in that it further comprises a heat insulating support plate to.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 상기 유해가스의 유입을 위하여 상기 고정플랜지의 중앙부에 설치되는 가스주입노즐과, 상기 발열모듈의 온도를 감지하는 온도센서를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas treatment heating unit is characterized in that it further comprises a gas injection nozzle installed in the central portion of the fixed flange for the inflow of the harmful gas, and a temperature sensor for detecting the temperature of the heating module .
또한, 본 발명에서 상기 발열모듈은, 상단이 상기 고정플랜지에 접합되는 보호 하우징과, 발열선의 고정을 위하여 상기 보호 하우징의 내부에 구비되며, 절연물질에 의해 형성되는 열선 지지부와, 상기 발열선과 상기 열선 지지부를 보호하고, 상기 발열선과 상기 보호 하우징 사이를 절연하도록 상기 보호 하우징에 충진되는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the heating module includes a protective housing having an upper end bonded to the fixing flange, a heating wire support part provided inside the protective housing for fixing the heating wire and formed of an insulating material, and the heating wire and the heating wire. and an insulator filled in the protective housing to protect the heating wire support and insulate between the heating wire and the protective housing.
또한, 본 발명에서 상기 열선 지지부는, 상기 발열선의 삽입을 위한 열선삽입공이 길이방향으로 형성되고, 외면에 상기 발열선을 권선하기 위한 권선홈부가 형성되도록 상기 절연물질의 소결 성형을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the hot wire support part is formed through sintering molding of the insulating material so that a hot wire insertion hole for inserting the heating wire is formed in the longitudinal direction and a winding groove for winding the heating wire is formed on the outer surface. to be
또한, 본 발명에서 상기 절연체는, 가루 형태의 절연물질이 특정압력으로 가압되어 상기 보호 하우징에 충진되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the insulator is characterized in that the insulating material in the form of powder is pressed to a specific pressure and filled in the protective housing.
또한, 본 발명에서 상기 가스처리 발열유닛은, 복수의 상기 발열모듈이 중앙부에 원형으로 배치되는 제1가스 가열부와, 복수의 상기 발열모듈이 상기 제1가스 가열부와 이격되도록 테두리부를 따라 원형으로 배치되는 제2가스 가열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the gas treatment heating unit includes a first gas heating unit in which a plurality of the heating modules are circularly disposed in a central portion, and a plurality of the heating modules are circular along an edge portion so as to be spaced apart from the first gas heating unit. Characterized in that it comprises a second gas heating unit disposed in.
또한, 본 발명에서 상기 제1가스 가열부의 중앙부 또는 외측으로 상기 유해가스가 유입되도록 가스 유입유로부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, it is characterized in that a gas inlet passage portion is provided to allow the harmful gas to flow into the central portion or the outside of the first gas heating portion.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따른 유해가스 처리용 가열장치는 종래기술과는 달리 가스처리 발열유닛이 열에 의한 열변형으로 인하여 파손되는 것을 방지하여 내구성과 신뢰성을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 가스처리 발열유닛의 구조를 단순화하면서 유해가스에 의한 부식을 방지하고, 열전도율과 절연성을 높여 유해가스의 처리효과를 향상할 수 있는 효과를 가진다.As described above, the heating device for treating harmful gases according to one aspect of the present invention can improve durability and reliability by preventing the gas treatment heating unit from being damaged due to thermal deformation caused by heat, unlike the prior art. In addition, while simplifying the structure of the gas treatment heating unit, it has the effect of preventing corrosion due to harmful gases and improving the treatment effect of harmful gases by increasing thermal conductivity and insulation.
또한, 본 발명에 따른 유해가스 처리용 가열장치에 의하면, 가스 챔버의 발열유닛 장착부에 가스처리 발열유닛을 용이하게 탈착할 수 있으므로, 유지보수시에 편의성을 향상할 수 있는 효과를 가진다.In addition, according to the heating device for treating harmful gases according to the present invention, since the gas treatment heat generating unit can be easily attached to and detached from the heat generating unit mounting portion of the gas chamber, convenience can be improved during maintenance.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 가스처리 흐름을 보인 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈을 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열선 지지부를 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈의 배치와 가스 유입유로부를 설명하기 위한 모식도이다.
도 10는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고정플랜지부와 발열모듈의 다른 배열상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 유해가스 흡입의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 유해가스 흡입의 또 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 13은 도 11의 따른 유해가스 처리용 가열장치의 발열모듈 배치와 가스 유입유로부를 설명하기 위한 모식도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈의 다른 배열 상태를 보인 도면이다.1 is a schematic diagram for explaining a heating device for treating harmful gases according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram showing a gas treatment flow of a heating device for treating harmful gases according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view for explaining a gas treatment heating unit according to an embodiment of the present invention.
4 is an exploded perspective view for explaining a gas treatment heating unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view for explaining a gas treatment heating unit according to an embodiment of the present invention.
6 is an exploded perspective view for explaining a heating module according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view for explaining a heating module according to an embodiment of the present invention.
8 is an enlarged view of a main part for explaining a hot wire support unit according to an embodiment of the present invention.
9 is a schematic diagram for explaining the arrangement of a heating module and a gas inlet passage part according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic diagram for explaining another arrangement state of a fixed flange unit and a heating module according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram for explaining another example of inhalation of harmful gases by a heating device for treating harmful gases according to an embodiment of the present invention.
12 is a schematic diagram for explaining another example of harmful gas intake of the heating device for processing harmful gases according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a schematic diagram for explaining the disposition of the heating module and the gas inlet passage of the heating device for treating harmful gases according to FIG. 11 .
14 is a view showing another arrangement of heating modules according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 바람직한 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, a preferred embodiment of a heating device for treating harmful gases according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of lines or the size of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or custom of a user or operator. Therefore, definitions of these terms will have to be made based on the content throughout this specification.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치를 설명하기 위한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 가스처리 흐름을 보인 모식도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a schematic diagram for explaining a heating device for processing harmful gases according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a gas treatment flow of a heating device for processing harmful gases according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view for explaining a gas treatment heating unit according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view for explaining a gas treatment heating unit according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a perspective view of the present invention It is a cross-sectional view for explaining the gas treatment heating unit according to an embodiment of the.
또한, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈을 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈을 설명하기 위한 단면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열선 지지부를 설명하기 위한 요부 확대도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈의 배치와 가스 유입유로부를 설명하기 위한 모식도이고, 도 10는 본 발명의 일 실시 예에 따른 고정플랜지부와 발열모듈의 다른 배열상태를 설명하기 위한 모식도이다.6 is an exploded perspective view for explaining a heating module according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a heating module according to an embodiment of the present invention, and FIG. An enlarged view of a main part for explaining a hot wire support unit according to an embodiment, FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the arrangement of a heating module and a gas inlet passage part according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is an embodiment of the present invention. It is a schematic diagram for explaining the different arrangement state of the fixed flange part and the heating module according to.
또한, 도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 유해가스 흡입의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치의 유해가스 흡입의 또 다른 예를 설명하기 위한 모식도이고, 도 13은 도 11의 따른 유해가스 처리용 가열장치의 발열모듈 배치와 가스 유입유로부를 설명하기 위한 모식도이고, 도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발열모듈의 다른 배열 상태를 보인 도면이다.In addition, Figure 11 is a schematic diagram for explaining another example of harmful gas intake of the heating apparatus for processing harmful gases according to an embodiment of the present invention, Figure 12 is a heating apparatus for processing harmful gases according to an embodiment of the present invention 13 is a schematic diagram for explaining another example of inhalation of harmful gases, and FIG. 13 is a schematic diagram for explaining the heating module arrangement and gas inlet passage of the heating device for processing harmful gases according to FIG. 11, and FIG. 14 is one of the present invention. It is a view showing another arrangement state of the heating module according to the embodiment.
도 1 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 반도체의 제조과정에서 배출되는 유해가스에 포함되어 있는 유해물질과 성분을 제거할 수 있도록 유해가스를 가열한다.1 to 14, the
이를 위하여, 본 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 유해가스의 유입과 배출을 위한 가스 챔버(110)와, 가스 챔버(110)에 장착되어 가스 챔버(110)로 유입되는 유해가스를 가열하여 처리하기 위한 가스처리 발열유닛(120)을 포함한다. 이러한, 유해가스 처리용 가열장치(100)는 유해가스가 가스 챔버(110)로 직접 유입될 수도 있고, 또는 가스처리 발열유닛(120)을 통해 유입될 수도 있다.To this end, the
예를 들어 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 유해가스가 가스처리 발열유닛(120)의 중앙부로 유입되어 가스 챔버(110)로 배출되거나, 또는 이와 반대로 가스 챔버(110)의 가스 배출구(111)를 통해 유입되어 가스처리 발열유닛(120)의 중앙부로 배출될 수도 있다.For example, in the
본 실시 예에 따른 가스 챔버(110)는 유해가스가 내부로 유입되며, 가스처리 발열유닛(120)에 의해 가열되어 유해성분이 처리된 후, 가스 배출구(111)를 통해 배출되다. 이러한 가스 챔버(110)는 가스처리 발열유닛(120)을 간편하고 안정되게 장착할 수 있도록 발열유닛 장착부(113)를 구비하며, 가스처리 발열유닛(120)이 발열유닛 장착부(113)에 수직으로 설치된다.In the
또한, 가스 챔버(110)는 발열유닛 장착부(113)에 가스처리 발열유닛(120)이 삽입되는 가스처리 공간부(115)가 형성되고, 가스처리 공간부(115)로 유입되는 유해가스가 가열을 통해 정화처리된다. 이때, 발열유닛 장착부(113)는 원통형으로 형성되는 것이 바람직하며, 가스 챔버(110)의 설치 위치, 처리 용량 등에 따라 다각형으로 형성될 수도 있다.In addition, in the
본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은, 발열유닛 장착부(113)에 삽입되며, 특정온도로 발열하여 가스처리 공간부(115)의 온도를 상승시켜 유해가스를 처리한다. 예를 들어 본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은 가스처리 공간부(115)에 수직으로 배치되어 상단부가 발열유닛 장착부(113)에 고정되며, 500~1200℃로 발열될 수 있다.The gas
이러한, 본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은 발열유닛 장착부(113)에 결합되는 고정플랜지부(130)와, 고정플랜지부(130)에 결합되는 복수의 발열모듈(140)과, 외부로의 열 확산을 감소시키기 위한 단열부(150)를 포함한다.The gas
또한, 가스처리 발열유닛(120)은 구조적 안전성을 높일 수 있도록 발열모듈(140)의 하단을 지지하는 모듈고정판(160)과, 단열부(150)를 지지하기 위한 단열재 지지판(170)과, 유해가스 공급을 위한 가스주입노즐(180)과, 발열모듈(140)의 온도 감지를 위한 온도센서(190)를 더 포함한다.In addition, the gas
이러한, 가스처리 발열유닛(120)은 발열모듈(140)이 발열함에 따라 열을 확산하여 가스처리 공간부(115)의 내부 온도를 상승시켜 유해가스의 유해성분을 처리하게 된다.As the
고정플랜지부(130)는 원판형으로 형성되며, 볼트 등을 통해 발열유닛 장착부(113)에 결합되도록 테두리부에 볼트 체결홀부(131)가 형성되고, 중앙부에 발열모듈(140)의 상단이 삽입되어 접합되는 모듈 접합홀부(133)가 형성된다. 또한, 고정플랜지부(130)는 중앙에 가스주입노즐(180)을 결합되고, 하측에 단열부(150)가 위치한다.The fixed
발열모듈(140)은 상단이 모듈 접합홀부(133)에 삽입되어 고정되고, 하단부가 모듈고정판(160)에 지지된다. 이러한 발열모듈(140)은 유해가스의 가열효율을 높일 수 있도록 고정플랜지부(130)에 적어도 2개 이상 결합되며, 가스처리 공간부(115)의 내부로 삽입되어 발열을 통해 가스처리 공간부(115)의 내부를 가열한다. 이때, 발열모듈(140)은 500~1200℃로 발열될 수 있으며, 온도센서(190)에 의해 발열온도가 감지된다.The
또한, 발열모듈(140)은 안전성과 내구성이 향상되도록 보호 하우징(141)과, 발열선(143)과, 열선 지지부(145)와, 절연체(147)로 구성되며, 열선 지지부(145)에 발열선(143)이 고정된 상태에서 열선 지지부(145)가 보호 하우징(141)으로 삽입되고, 보호 하우징(141)과 열선 지지부(145) 사이에 절연체(147)가 충진된다.In addition, the
보호 하우징(141)의 유해가스에 의해 부식 등이 발생하지 않도록 내부식성이 우수한 금속에 의해 파이프 형태로 제작되며, 상단부 외면이 모듈 접합홀부(133)에 삽입되어 결합되고, 하단부가 모듈고정판(160)에 결합된다. 또한 보호 하우징(141)은 내부로 열선 지지부(145)가 삽입된다.It is made in the form of a pipe made of a metal with excellent corrosion resistance so that corrosion does not occur due to harmful gases of the protective housing 141. ) is bound to In addition, the
열선 지지부(145)는 발열선(143)의 보호와 절연을 위하여 절연물질에 의해 형성되며, 발열선(143)이 보호 하우징(141)에 접촉하는 것을 방지한다. 이러한 열선 지지부(145)ㄴ는, 발열선(143)의 설치 형태를 안정되게 유지시키며, 온도 감지를 위한 온도센서(190)가 설치된다.The
또한, 열선 지지부(145)는 발열선(143)과 온도센서(190)의 설치를 간편하게 할 수 있도록 이루어진다. 예를 들어 열선 지지부(145)는 발열선(143)과 온도센서(190)의 설치를 위하여 4개의 열선삽입공(145a)이 길이방향을 따라 관형 형성되며, 2개이 열선삽입공(145a)에 발열선(143)이 배선되고, 다른 2개의 열선삽입공(145a)에 온도센서(190)의 접속선이 배선된다.In addition, the heating
더하여, 열선 지지부(145)는 발열선(143)의 안정된 지지와 용이한 권선을 위하여 외면에 발열선(143)을 권선하기 위한 권선홈부(145b)가 나선 형태로 형성된다. 이를 통해 발열선(143)을 간편하고 정확한 간격으로 열선 지지부(145)에 고정할 수 있다. 이때, 발열선(143)과 온도센서(190)의 접속선 양 끝단은 열선삽입공(145a)을 통해 열선 지지부(145)의 외측으로 노출되어 각각의 접속단자와 접합된다.In addition, a winding
본 실시 예에 따른 열선 지지부(145)는 절연물질 예를 들어 산화마그네슘에 의해 소결 성형될 수 있다.The
절연체(147)는 유해가스에 취약한 발열선(143)을 더욱 긴밀하고 안정되게 보호할 수 있도록 보호 하우징(141)의 내부에 충진되어 발열선(143)과 보호 하우징(141) 사이를 절연한다. 이러한 절연체(147)는 발열선(143)에서 발열하는 열이 보호 하우징(141)의 모든 부위로 균일하게 전달되어 확산되도록 절연물질인 산화마그네슘(MgO) 분말에 의해 형성된다.The
예를 들어 절연체(147)는 산화마그네슘(MgO) 분말이 보호 하우징(141)에 충진될 때 균일하게 충질될 수 있도록 특정 압력으로 가압된다.For example, when magnesium oxide (MgO) powder is filled in the
한편, 발열모듈(140)의 상단부에는 단열부(150)가 설치되어 고정플랜지부(130) 상측에 구비되는 부품을 보호한다.On the other hand, the
구체적으로, 단열부(150)는 가스처리 공간부(115)의 열이 고정플랜지부(130)의 외측으로 확산되어 접속단자와 같이 가스처리 발열유닛(120)의 상측에 설치되는 부품들이 열에 의해 파손되는 것을 방지한다. 예를 들어 단열부(150)는 산화마그네슘(MgO)에 의해 소결 성형되며, 보호 하우징(141)이 관통하도록 관통홀부(151)가 형성된다.Specifically, in the
이러한 단열부(150)는 고정플랜지부(130)의 하측에 위치하며, 발열모듈(140)의 상단부 외면에 결합되어 발열모듈(140)과 발열유닛 장착부(113) 사이에 배치되며, 발열모듈(140)과 발열유닛 장착부(113)의 접촉을 방지함은 물론, 발열모듈(140)의 열이 고정플랜지부(130)로 전달되어 외부로 확산되는 것을 감소시킨다.The
또한, 단열부(150)는 단열재 지지판(170)에 의해 하면이 지지되어 발열모듈(140)에서 움직이거나 이탈되는 것이 방지된다.In addition, the lower surface of the
단열재 지지판(170)은 단열부(150)의 하면을 지지하도록 보호 하우징(141)의 상단부에 결합된다. 이러한 단열재 지지판(170)은 원판 형상으로 형성되며, 보호 하우징(141)이 관통되 상태에서 용접 등을 통해 보호 하우징(141)과 접합된다.The insulating
모듈고정판(160)은 각각의 발열모듈(140)이 열변형 등에 의해 서로 접촉되는 것을 방지하도록 보호 하우징(141)의 하단부에 결합되어 발열모듈(140)의 접촉과, 발열모듈(140)이 발열유닛 장착부(113)에 접촉되는 것을 방지한다. 이러한 모듈고정판(160)은 보호 하우징(141)이 삽입되어 접합되는 고정홀부(161)가 형성된다.The
가스주입노즐(180)은 유해가스를 가스처리 공간부(115)로 이송할 수 있도록 고정플랜지부(130)의 중앙부에 결합된다.The
온도센서(190)는 열선 지지부(145)에 고정되며, 접속선이 열선삽입공(145a)에 배선되어 발열모듈(140)의 외부로 노출된다. 이러한 온도센서(190)는 발열모듈(140)의 온도를 감지한다.The
이와 같이 구성되는 본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은 도 8에 도시된 바와 같이, 원형의 고정플랜지부(130)에 3개 이상의 발열모듈(140)이 원형으로 배열될 수 있으며, 발열모듈(140)의 중앙부에 유해가스의 흡입을 위한 가스 유입유로부(120c)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, in the gas
또한, 본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은 도 9에 도시된 바와 같이, 고정플랜지부(130)를 원형 또는 다각형(4각형, 5각형, 6각형)으로 형성할 수도 있며, 발열모듈(140)을 고정플랜지부(140)에 원형 또는 다각형으로 배치할 수도 있다. 이때, 발열모듈(140)을 고정플랜지부(140)의 모양과 대응하는 다각형으로 고정플랜부(140)에 배치하여 결합할 수도 있다. 이를 통해 가스처리 발열유닛(120)의 크기를 작게 제작할 수 있다.In addition, in the gas treatment
한편, 본 실시 예에 따른 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 도 11 내지 도 14에 도시된 바와 같이 발열모듈(140)의 외곽부에 가스 유입유로부(120c)가 원형으로 형성될 수도 있다.On the other hand, in the
예를 들어 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 가스 챔버(110)의 가스 유입구(101)를 통해 흡입되는 유해가스가 가스 유입유로부(120c)로 유입되어 처리된 후, 가스 챔버(110)의 가스 배출구(103)를 통해 배출될 수 있다. 이를 통해 처리를 위한 유해가스의 접촉면적을 더욱 넓게 형성할 수 있어 처리 효과를 향상시킬 수 있다.For example, in the
더하여 유해가스 처리용 가열장치(100)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 가스 유입구(101)를 통해 흡입되어 가스 배출구(103)를 통해 배출되는 유해가스의 이송방향을 가스 배출구(103)에서 흡입하여 가스 유입구(101)를 통해 배출하도록 반대로 구현할 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 12, the
한편, 도 13을 참조하면, 본 실시 예에 따른 가스처리 발열유닛(120)은, 유해가스의 가열과 처리를 보다 효과적으로 진행할 수 있도록 발열모듈(140)이 다양한 형태로 배열될 수 있다. 예를 들어 가스처리 발열유닛(120)은 복수의 발열모듈(140)에 의해 이루어지는 제1가스 가열부(120a)와, 복수의 발열모듈(140)에 의해 이루어져 제1가스 가열부(120a)의 외측에 원형으로 배치되는 제2가스 가열부(120b)로 구성될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 13 , in the gas treatment
이때, 제1가스 가열부(120a)는 발열모듈(140)이 가스처리 발열유닛(120)의 중앙부에 원형으로 배치되어 형성되고, 제2가스 가열부(120b)는 발열모듈(140)이 가스처리 발열유닛(120)의 테두리부를 따라 원형으로 배치되어 형성된다.At this time, the first
또한, 가스처리 발열유닛(120)은, 제1가스 가열부(120a)의 중앙부 또는 외측으로 유해가스가 유입을 위한 가스 유입유로부(120c)가 형성될 수 있다.In addition, the gas
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 유해가스 처리용 가열장치(100)는 발열모듈(140)의 열선 지지부(145)와 보호 하우징(141) 사이에 절연체(147)가 충진되어 있으므로, 발열선(143)의 열전도 효율을 높일 수 있어 유해가스 처리효과를 향상할 수 있음은 물론 절연성이 우수하여 발열선(143)의 내구성을 향상할 수 있다.In the
또한, 본 발명에 따른 유해가스 처리용 가열장치(100)는 발열모듈(140)이 열에 의해 변형되면서 파손되는 것을 방지할 수 있어 내구성과 신뢰성을 향상할 수 있을 뿐만 아니라, 가스처리 발열유닛(120)을 간단한 구조로 가스 챔버(110)에 탈착할 수 있어 유지보수 성능을 개선할 수 있다.In addition, the
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other embodiments. will understand
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the claims.
100 : 유해가스 처리용 가열장치 110 : 가스 챔버
111 : 가스 배출구 113 : 발열유닛 장착부
115 : 가스처리 공간부 120 : 가스처리 발열유닛
120a : 제1가스 가열부 120b : 제2가스 가열부
120c : 가스 유입유로부 130 : 고정플랜지부
131 : 볼트 체결홀부 133 : 모듈 접합홀부
140 : 발열모듈 141 : 보호 하우징
143 : 발열선 145 : 열선지지부
145a : 열선삽입공 145b : 권선홈부
147 : 절연체 150 : 단열부
151 : 관통홀부 160 : 모듈고정판
161 : 고정홀부 170 : 단열재 지지판
180 : 가스주입 노즐 190 : 온도센서100: heating device for processing harmful gases 110: gas chamber
111: gas outlet 113: heating unit mounting part
115: gas treatment space unit 120: gas treatment heating unit
120a: first
120c: gas inflow passage part 130: fixed flange part
131: bolt fastening hole 133: module joint hole
140: heating module 141: protective housing
143: heating wire 145: heating wire support
145a: hot
147: insulator 150: insulator
151: through hole 160: module fixing plate
161: fixing hole 170: insulator support plate
180: gas injection nozzle 190: temperature sensor
Claims (9)
상기 가스 챔버는, 상기 가스처리 발열유닛을 삽입하여 고정할 수 있으며, 내부로 상기 유해가스가 유입되는 발열유닛 장착부를 구비하며,
상기 가스처리 발열유닛은, 상단부가 상기 발열유닛 장착부에 고정되어 수직 또는 수평으로 배치되며,
상기 발열유닛 장착부는, 상기 가스처리 발열유닛이 삽입되는 가스처리 공간부를 형성하며,
상기 가스처리 발열유닛은, 상기 가스처리 발열유닛의 상단부에 결합되는 고정플랜지부; 상기 고정플랜지부에 적어도 2개 이상 결합되어 상기 가스처리 공간부의 내부로 삽입되며, 발열을 통해 상기 가스처리 공간부의 내부를 가열하는 발열모듈; 및 상기 발열모듈의 상단부 외면에 결합되어 상기 발열모듈과 상기 발열유닛 장착부 사이에 배치되며, 상기 고정플랜지부로 전달되는 열을 감소시키는 단열부;를 포함하며,
상기 고정플랜지부는, 원형 또는 다각형으로 형성되고,
상기 발열모듈은, 상기 고정플랜지부의 중앙을 중심으로 원형 또는 다각형으로 배열되며,
상기 발열모듈은, 상단이 상기 고정플랜지에 접합되는 보호 하우징; 발열선의 고정을 위하여 상기 보호 하우징의 내부에 구비되며, 절연물질의 소결 성형을 통해 형성되는 열선 지지부; 및 상기 발열선과 상기 열선 지지부를 보호하고, 상기 발열선과 상기 보호 하우징 사이를 절연하도록 가루 형태의 절연물질이 상기 보호 하우징에 충진되는 절연체;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
A gas chamber having a gas outlet through which noxious gas flows into the inside and discharges the processed gas; and a gas treatment heating unit installed in the gas chamber to heat and treat the noxious gas flowing into the gas chamber through heat generation and increasing the temperature through heat generation.
The gas chamber has a heating unit mounting portion into which the gas treatment heating unit can be inserted and fixed, and the noxious gas is introduced thereinto,
The gas treatment heating unit is arranged vertically or horizontally with an upper end fixed to the heating unit mounting part,
The heating unit mounting portion forms a gas processing space into which the gas processing heating unit is inserted,
The gas treatment heating unit may include a fixed flange portion coupled to an upper end of the gas treatment heating unit; at least two heating modules coupled to the fixing flange unit, inserted into the gas processing space unit, and heating the inside of the gas processing space unit through heat generation; And a thermal insulation unit coupled to the outer surface of the upper end of the heating module, disposed between the heating module and the heating unit mounting portion, and reducing heat transferred to the fixed flange unit,
The fixed flange portion is formed in a circular or polygonal shape,
The heat generating module is arranged in a circular or polygonal shape around the center of the fixed flange unit,
The heating module may include a protective housing having an upper end bonded to the fixing flange; a heating wire support part provided inside the protective housing to fix the heating wire and formed through sintering and molding of an insulating material; and an insulator filling the protective housing with an insulating material in the form of a powder to protect the heating wire and the heating wire supporter and to insulate between the heating wire and the protective housing.
Heating device for treating harmful gases, characterized in that it comprises a.
상기 가스처리 발열유닛은, 상기 발열모듈의 하단부에 결합되어 상기 발열모듈이 상기 발열유닛 장착부에 접촉되는 것을 방지하는 모듈고정판; 및
상기 발열모듈의 상단부에 결합되어 상기 단열부를 지지하는 단열재 지지판;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
According to claim 1,
The gas treatment heat generating unit includes a module fixing plate coupled to a lower end of the heat generating module to prevent the heat generating module from contacting the heat generating unit mounting part; and
an insulator support plate coupled to an upper end of the heating module to support the insulator;
Harmful gas treatment heating device characterized in that it further comprises.
상기 가스처리 발열유닛은, 상기 유해가스의 유입을 위하여 상기 고정플랜지의 중앙부에 설치되는 가스주입노즐; 및
상기 발열모듈의 온도를 감지하는 온도센서;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
According to claim 3,
The gas treatment heating unit may include a gas injection nozzle installed in the central portion of the fixed flange to introduce the harmful gas; and
a temperature sensor for sensing the temperature of the heating module;
Harmful gas treatment heating device characterized in that it further comprises.
상기 열선 지지부는, 상기 발열선의 삽입을 위한 열선삽입공이 길이방향으로 형성되고, 외면에 상기 발열선을 권선하기 위한 권선홈부가 형성되며,
상기 절연체는, 특정압력으로 가압되어 상기 보호 하우징에 충진되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
According to claim 1,
In the hot wire support part, a hot wire insertion hole for inserting the heating wire is formed in a longitudinal direction, and a winding groove for winding the heating wire is formed on an outer surface thereof,
The insulator is pressurized to a specific pressure and is filled in the protective housing.
상기 가스처리 발열유닛은, 복수의 상기 발열모듈이 중앙부에 원형 또는 다각형으로 배치되는 제1가스 가열부; 및
복수의 상기 발열모듈이 상기 제1가스 가열부와 이격되도록 테두리부를 따라 원형 또는 다각형으로 배치되는 제2가스 가열부;를 포함하며,
상기 제1가스 가열부의 중앙부 또는 외곽으로 상기 유해가스가 유입되도록 가스 유입유로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
According to claim 1,
The gas treatment heating unit may include a first gas heating unit in which a plurality of the heating modules are disposed in a circular or polygonal shape in a central portion; and
A second gas heating unit disposed in a circular or polygonal shape along an edge portion such that the plurality of heating modules are spaced apart from the first gas heating unit;
Heating device for processing harmful gas, characterized in that it has a gas inlet passage portion to allow the harmful gas to flow into the central portion or the outer portion of the first gas heating unit.
상기 가스처리 발열유닛은, 복수의 상기 발열모듈이 상기 고정플랜지부에 원형 또는 다각형으로 배열되고, 원형 또는 다각형으로 배열된 상기 발열모듈들의 중앙부 또는 외곽으로 상기 유해가스의 흡입을 위한 가스 유입유로부가 형성되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.
According to claim 1 or 3,
In the gas treatment heating unit, a plurality of the heating modules are arranged in a circular or polygonal shape on the fixed flange portion, and a gas inlet passage for inhaling the harmful gas is provided at the center or outside of the heating modules arranged in a circular or polygonal shape. A heating device for treating harmful gases, characterized in that formed.
상기 가스처리 발열유닛은, 상기 유해가스를 상기 발열모듈들의 중앙부로 유입하여 상기 발열모듈들의 외곽부를 순환하여 배출하거나, 또는 상기 유해가스를 상기 발열모듈들의 외곽부에서 유입하여 중앙부로 순환하여 배출하도록 상기 가스 유입유로부를 형성하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리용 가열장치.According to claim 8,
The gas treatment heating unit is configured to flow the noxious gas into the central portion of the heating modules and circulate and discharge the harmful gas through the outer portions of the heating modules, or to circulate and discharge the harmful gas from the outer portions of the heating modules to the central portion. Heating device for treating harmful gases, characterized in that for forming the gas inlet passage portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220077665A KR102489165B1 (en) | 2022-06-24 | 2022-06-24 | Heating Apparatus For Cutter Scrubber Unit |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102489165B1 true KR102489165B1 (en) | 2023-01-18 |
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ID=85106734
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| KR (1) | KR102489165B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010090115A (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-18 | 김정태 | Method and Apparatus for Scrubbing Toxic Gas |
| JP2001314755A (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-13 | Canon Inc | Vacuum treating method and vacuum treating device |
| KR20150072559A (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-30 | 주식회사 에스엔디테크놀로지 | A corrosion resistance heater for manufacturing semiconductor |
| KR20190127244A (en) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | 엠에이티플러스 주식회사 | Apparatus for treating waste gas |
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2022
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010090115A (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-18 | 김정태 | Method and Apparatus for Scrubbing Toxic Gas |
| JP2001314755A (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-13 | Canon Inc | Vacuum treating method and vacuum treating device |
| KR20150072559A (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-30 | 주식회사 에스엔디테크놀로지 | A corrosion resistance heater for manufacturing semiconductor |
| KR20190127244A (en) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | 엠에이티플러스 주식회사 | Apparatus for treating waste gas |
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