KR100497477B1 - A Fume Collector - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼를 처리할 때에 챔버(Chamber)의 내부에서 발생되는 오염물과 오염가스 등을 집진시켜 주도록 하고, 특히 챔버를 병렬로 설치하여 운용할 때에 각 챔버에서 압력강하가 발생되지 않고 균일한 상태를 유지할 수 있도록 된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치에 관한 것으로써, 웨이퍼제조용 챔버의 외면에 설치된 루버히터블록에 의해 챔버의 벽체를 가온시켜 내부에 존재하는 잔류가스 및 수분(Fume)등을 가온시키고 배출라인에 설치되는 히터블록에 의해서는 벤트 및 퍼지용으로 사용되는 질소(N2)가스를 가온시켜 웨이퍼제조용 챔버의 내부로 공급시켜 주므로 잔류가스 등의 운동성을 활발하게 하여 잔류가스의 발생을 최소화시키고 챔버의 내벽 및 부속품이 부식되는 것을 방지할 수 있고, 분배공급라인과 배출라인과의 사이에는 벤트라인부와 퍼지라인부를 병렬로 설치하므로 외관을 심플하게 유지시킬 수 있으며, 배출라인에 설치되는 필터에 의해서는 질소(N2)가스에 함유되어 있는 이물질(Particle)을 필터링하여 챔버의 내부로 유입되는 것을 원천적으로 차단시킬 수 있다.The present invention collects contaminants and pollutants generated inside the chamber when processing a wafer, and in particular, the pressure drop does not occur in each chamber even when the chambers are installed in parallel and in a uniform state. The present invention relates to a residual gas dust collecting apparatus of a wafer manufacturing chamber capable of maintaining a temperature of a wafer, and to a wall of the chamber heated by a louver heater block provided on an outer surface of the wafer manufacturing chamber to heat residual gas and moisture present therein. The heater block installed in the discharge line heats the nitrogen (N 2 ) gas used for venting and purging and supplies it to the inside of the wafer manufacturing chamber. Minimize corrosion and prevent corrosion of the inner wall of the chamber and accessories, and between the dispensing supply line and the discharge line Trad workers and the purge line so installed as a unit in parallel, and can simply keep the appearance, is introduced into the chamber to filter the foreign objects (Particle) contained in a nitrogen (N 2) gas by the filter provided in the exhaust line It can be blocked at the source.
Description
본 발명은 웨이퍼를 처리할 때에 챔버(Chamber)의 내부에서 발생되는 오염물과 오염가스 등을 집진시켜 주도록 하고, 특히 챔버를 병렬로 설치하여 운용할 때에 각 챔버에서 압력강하가 발생되지 않고 균일한 상태를 유지할 수 있도록 된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치에 관한 것이다. The present invention collects contaminants and pollutants generated inside the chamber when processing a wafer, and in particular, the pressure drop does not occur in each chamber even when the chambers are installed in parallel and in a uniform state. The present invention relates to a residual gas dust collecting apparatus of a chamber for manufacturing a wafer.
이를 좀더 상세히 설명하면, 챔버의 외면에 루버히터를 설치하여 가스가 챔버의 내면에 증착되는 것을 방지하면서 가스의 활동력을 강화시켜 줄 수 있도록 하고, 메인공급라인을 통하여 질소(N2)가스를 챔버(Chamber)에 공급시킬 수 있도록 하되 메인공급라인에 레규레이터를 설치하여 정압의 질소가스를 균일하게 공급시켜 줄 수 있도록 하며, 메인공급라인과 배출라인과의 사이에 3개의 분배가지라인을 서로 연통되도록 병렬로 설치하여 두개의 분배가지라인은 벤트라인부로 사용하고 다른 하나는 퍼지라인부로 사용할 수 있도록 하여 설비구성을 심플하게 할 수 있도록 하며, 배출라인에는 필터장치와 히터블록를 구비하여 질소가스에 함유되어 있는 이물질을 필터링시킨 후에 가열에 의해 활동성을 강화시켜 챔버에 공급시킬 수 있도록 하며, 특히 복수개의 챔버를 병렬 운용할 때에 질소가스가 공급되는 메인공급라인에 분배공급라인을 연결하여 질소가스를 분배하여 각 챔버에 공급시킬 수 있도록 하되 각 분배공급라인에 레규레이터를 설치하여 정압의 질소가스를 공급시켜 상대적으로 압력강하가 발생되지 않도록 된 것이다.In more detail, by installing a louver heater on the outer surface of the chamber to prevent the gas is deposited on the inner surface of the chamber to enhance the active force of the gas, the nitrogen (N 2 ) gas through the main supply line chamber (Chamber) can be supplied, but regulator is installed in the main supply line to supply the nitrogen gas of constant pressure uniformly, and three distribution branch lines communicate with each other between the main supply line and the discharge line. It can be installed in parallel so that two distribution branch lines can be used as vent line part and the other can be used as purge line part to simplify the system configuration. The discharge line is equipped with filter device and heater block to be contained in nitrogen gas. After filtering foreign matters, it is possible to supply them to the chamber by enhancing the activity by heating. When several chambers are operated in parallel, the distribution supply line can be connected to the main supply line where nitrogen gas is supplied so that the nitrogen gas can be distributed and supplied to each chamber. By supplying the relative pressure drop does not occur.
일반적으로 웨이퍼 반도체는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착, 금속증착 등의 공정을 반복적으로 수행하여 반도체 칩으로 제조되어지는데, 이들 반도체 칩의 제조공정 중에서 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐공간으로 된 챔버(Chamber)의 내부에 필요한 가스를 공급하고 이와 같이 공급되는 공정가스가 웨이퍼 상에서 반응토록 하여 회로를 형성시키게 된다.Generally, wafer semiconductors are fabricated as semiconductor chips by repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition. Among the semiconductor chip manufacturing processes, processes such as diffusion, etching, and chemical vapor deposition are performed. The required gas is supplied to the inside of the chamber, which is a closed space, and the process gas thus supplied is allowed to react on the wafer to form a circuit.
상기와 같이 사용되는 각 공정가스는 대부분 독성이 매우 강할 뿐만 아니라 부식성이 강하여 챔버를 부식시키는 특성이 있으므로, 이러한 공정가스를 챔버의 내부에 방치하게 되면 챔버를 부식시켜 노화현상에 의해 수명을 현저하게 단축시키게 되고, 챔버의 내부에서 웨이퍼를 에칭 할 때에 발생되는 에칭가스의 부산물 및 미 반응 가스가 웨이퍼와 함께 배출되면서 챔버의 내부가 손상되며, 이를 다소나마 방지하기 위해서는 챔버의 내부를 주기적으로 클리닝(Cleaning)해주어야 하므로 생산성이 저하 될 뿐만 아니라 웨이퍼의 수율이 현저하게 떨어지면서도 오히려 설비의 운용비는 증가하게 되는 문제가 있었다.Each process gas used as described above is not only highly toxic but also highly corrosive to corrode the chamber. Therefore, when such a process gas is left inside the chamber, the chamber is corroded to prolong its life due to aging. As the by-product and unreacted gas of the etching gas generated when etching the wafer inside the chamber are discharged together with the wafer, the inside of the chamber is damaged, and the inside of the chamber is periodically cleaned to prevent this. Since the cleaning is required, not only the productivity is lowered, but the yield of the wafer is significantly lowered, but the operating cost of the equipment is increased.
더군다나, 웨이퍼를 에칭 할 때에 발생되는 에칭가스의 부산물 및 미 반응 가스가 별도의 정화과정 없이 외부로 배출될 경우에는 자연환경을 심각하게 오염시키고, 심지어 안전사고도 발생하게 되는 문제도 있었다.In addition, when the by-product and unreacted gas of the etching gas generated when etching the wafer is discharged to the outside without a separate purification process, there was a problem that serious pollution of the natural environment, even safety accidents occur.
도 4는 쳄버를 병렬로 설치하여 운용할 때에 종래의 잔류가스 집진장치의 벤트 및 퍼지장치부(40)를 보인 것이다.Figure 4 shows the vent and purge device portion 40 of the conventional residual gas dust collector when the chamber is installed and operated in parallel.
종래의 벤트 및 퍼지장치부(40)는, 질소가스메인공급라인(41)에 복수개의 분배고급라인(42)과 하나의 공급공유라인(44)이 병렬로 연결되어 공급되는 질소가스가 분배되어 공급되어지도록 되어 있고, 각 분배공급라인(42)에는 한 쌍의 분배가지라인(43-1)(43-2)이 연결되어 반도체제조용 챔버(1-1)와 연결된 배출라인(45)과 연결되어 있으며, 상기 분배가지라인(43-1)에는 스톱밸브(20)가 단독으로 설치되어 있고 다른 분배가지라인(43-2)에는 밸브(21)와 유량조절밸브(22)가 직렬로 연결되어 벤트부(47)를 형성하고 있으며, 상기 공유공급라인(44)은 배출분배라인(46)을 통하여 배출라인(45)과 각각 연결되어 있는데, 배출분배라인(46)에는 스톱밸브(49)가 설치되어 있고, 각 배출분배라인(46)에는 스톱밸브(24)와 유량조절밸브(23)가 공급 측에서 배출 측으로 직렬로 연결되어 퍼지부(48)를 형성하고 있다.In the conventional vent and purge device unit 40, a plurality of distribution advanced lines 42 and one supply sharing line 44 are connected in parallel to the nitrogen gas main supply line 41, and nitrogen gas is supplied and distributed. A pair of distribution branch lines 43-1 and 43-2 are connected to each distribution supply line 42 and connected to a discharge line 45 connected to the semiconductor manufacturing chamber 1-1. In the distribution branch line 43-1, a stop valve 20 is installed alone, and in another distribution branch line 43-2, a valve 21 and a flow control valve 22 are connected in series. The vent portion 47 is formed, and the shared supply line 44 is connected to the discharge line 45 through the discharge distribution line 46, respectively, and the stop valve 49 is provided at the discharge distribution line 46. Each discharge distribution line 46 has a stop valve 24 and a flow control valve 23 connected in series from the supply side to the discharge side. And forming a portion (48).
이와 같이 된 종래의 벤트 및 퍼지장치부(40)는 다음과 같은 문제가 단점으로 지적된다.As described above, the conventional vent and purge device 40 has the following problems as a disadvantage.
우선, 질소가스메인공급라인(41)에 복수개의 분배공급라인(42)과 하나의 공유공급라인(44)이 병렬로 연결되어 있고 상기 공유공급라인(44)에는 복수개의 배출분배라인(46)을 통하여 각 배출라인(45)과 연결되어 있으므로, 구조가 매우 복잡하였고, 제작도 용이하게 실시할 수 없는 문제가 있었다. First, a plurality of distribution supply lines 42 and one shared supply line 44 are connected to the nitrogen gas main supply line 41 in parallel, and the plurality of discharge distribution lines 46 are connected to the shared supply line 44. Since it is connected to each discharge line 45 through, the structure is very complicated, there was a problem that can not be easily performed.
또, 질소가스메인공급라인(41)에 병렬로 연결된 복수개의 분배공급라인(42)과 하나의 공유공급라인(44)에는 질소가스를 정압으로 공급시키도록 하는 장치가 설치되어 있지 않으므로 각 분배공급라인(42)과 공유공급라인(44)에 질소가스를 정압으로 공급시킬 수 없는 문제가 있었고, 어느 일 측의 분배공급라인(42)을 통하여 다량의 질소가스가 벤트부(47)에 공급되어지면 타 측의 분배공급라인(42)과 연결된 벤트부(47)에서는 압력강하가 심하게 발생하게 되는 문제가 있었으며, 이와 같이 압력강하가 발생된 벤트부(47)에서는 질소가스를 반도체제조용 챔버(1-1)에 순조롭게 공급시킬 수 없게 되므로 반도체제조용 챔버(1-1)의 기능이 약화되어 웨이퍼의 제조에 차질을 주게 되는 문제가 있었다. In addition, since a plurality of distribution supply lines 42 and one shared supply line 44 connected in parallel to the nitrogen gas main supply line 41 are not provided with a device for supplying nitrogen gas at a constant pressure, each distribution supply There was a problem that the nitrogen gas cannot be supplied to the line 42 and the common supply line 44 at a constant pressure, and a large amount of nitrogen gas is supplied to the vent part 47 through the distribution supply line 42 on one side. In the vent part 47 connected to the distribution supply line 42 on the other side of the ground, there was a problem in that the pressure drop was severely generated. In the vent part 47 in which the pressure drop occurred, nitrogen gas was introduced into the semiconductor manufacturing chamber 1. Since it is impossible to smoothly supply -1), there is a problem that the function of the semiconductor manufacturing chamber 1-1 is weakened, which hinders the manufacture of the wafer.
뿐만 아니라 각 배출라인(45)과 반도체제조용 챔버(1-1)에는 질소가스를 가열시켜 주는 장치가 구비되어 있지 않으므로 질소가스메인공급라인(41)을 통하여 유입되는 질소가스의 온도보다 배출라인(45)을 통하여 반도체제조용 챔버(1-1)로 공급되는 질소가스의 온도가 낮은 상태를 유지하게 되고, 반도체제조용 챔버(1-1)의 내부에서도 활동성이 저하되어 활발하게 운동을 할 수 없게 되므로 가스의 잔류시간이 감소하면서 기능이 약화될 뿐만 아니라 반도체제조용 챔버(1-1)의 내면과 부속품의 표면에 냉각된 질소가스가 증착되면서 부식성을 배가시켜 수명을 현저하게 단축시키게 되는 문제가 있었다.In addition, each discharge line 45 and the semiconductor manufacturing chamber (1-1) is not equipped with a device for heating the nitrogen gas, so the discharge line (temperature of the nitrogen gas flowing through the nitrogen gas main supply line 41) The temperature of the nitrogen gas supplied to the semiconductor manufacturing chamber 1-1 through the 45 is maintained at a low state, and the activity of the nitrogen gas supplied to the semiconductor manufacturing chamber 1-1 is also lowered, thereby preventing active exercise. As the remaining time of the gas decreases, not only the function is impaired, but also cooling nitrogen gas is deposited on the inner surface of the semiconductor manufacturing chamber 1-1 and the surface of the accessory, thereby increasing the corrosiveness and shortening the service life significantly.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해소할 수 있도록 더욱 개선된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 제공하려는 것이다.The present invention is to provide a residual gas dust collector of the wafer manufacturing chamber further improved to solve the above problems.
본 발명은 챔버의 외면에 루버히터를 설치하고, 질소(N2)가스가 공급되는 메인공급라인에 레규레이터를 설치하며, 메인공급라인과 배출라인과의 사이에 3개의 분배가지라인을 서로 연통되도록 병렬로 설치하여 두개의 분배가지라인은 벤트라인부로 사용하고 다른 하나는 퍼지라인부로 사용하며, 배출라인에는 필터장치와 히터블록를 구비하며, 특히 복수개의 챔버를 병렬 운용할 때에 질소가스가 공급되는 메인공급라인에 분배공급라인을 연결하여 질소가스를 분배하여 각 챔버에 공급시되 각 분배공급라인에 레규레이터를 설치하여서 된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.In the present invention, a louver heater is installed on the outer surface of the chamber, a regulator is installed on the main supply line to which nitrogen (N 2 ) gas is supplied, and three distribution branch lines communicate with each other between the main supply line and the discharge line. Two distribution branch lines are used as vent lines and the other one is used as purge lines, and the discharge line is equipped with a filter device and a heater block. In particular, when a plurality of chambers are operated in parallel, nitrogen gas is supplied. The purpose of the present invention is to provide a residual gas dust collector of a wafer manufacturing chamber by connecting a distribution supply line to a main supply line, distributing nitrogen gas to supply each chamber, and installing a regulator in each distribution supply line.
본 발명의 다른 목적은, 챔버의 외면에 루버히터를 설치하여 가스가 챔버의 내면에 증착되는 것을 방지하면서 가스의 활동력을 강화시켜 줄 수 있도록 하고, 메인공급라인에 레규레이터를 설치하여 정압의 질소가스를 챔버(Chamber)에 균일하게 공급시켜 줄 수 있도록 하며, 메인공급라인과 배출라인과의 사이에 병렬로 설치되는 3개의 분배가지라인 중에서 두개의 분배가지라인은 벤트라인부로 사용하고 다른 하나는 퍼지라인부로 사용하여 설비구성을 심플하게 할 수 있도록 하며, 배출라인에는 필터장치와 히터블록를 설치하여 질소가스에 함유되어 있는 이물질을 제거하고 가열하여 활동성을 강화시켜 챔버에 공급시켜 주도록 된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 제공하는데 있다. Another object of the present invention, by installing a louver heater on the outer surface of the chamber to prevent the gas from being deposited on the inner surface of the chamber to enhance the active force of the gas, by installing a regulator in the main supply line of the nitrogen under a constant pressure The gas can be supplied uniformly to the chamber. Of the three distribution branch lines installed in parallel between the main supply line and the discharge line, two distribution branch lines are used as vent lines and the other It is used as a purge line to simplify the configuration of the equipment. The discharge line is equipped with a filter device and a heater block to remove foreign substances contained in nitrogen gas and heat them to enhance activity and supply them to the chamber. To provide a residual gas dust collector of.
본 발명의 또 다른 목적은 복수개의 챔버를 병렬 설치하여 운용할 때에 질소가스가 공급되는 메인공급라인에 분배고급라인을 연결하고 각 분배공급라인에 레규레이터를 설치하여 정압의 질소가스를 각 챔버에 공급시켜 줄 수 있도록 하고, 상대적으로 압력강하가 발생되지 않도록 된 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 제공하는데 있다. Still another object of the present invention is to connect a distribution advanced line to the main supply line supplied with nitrogen gas when operating a plurality of chambers in parallel and to install a regulator in each distribution supply line to supply nitrogen gas at a constant pressure to each chamber. The present invention provides a residual gas dust collecting apparatus of a wafer manufacturing chamber in which a supply can be supplied and relatively no pressure drop occurs.
본 발명의 상기 및 기타 목적은,The above and other objects of the present invention,
웨이퍼제조용 챔버(1)의 외면에 설치되는 벤트 및 퍼지장치부를, 질소가스메인공급라인(11)에 복수개의 분배공급라인(12)을 연결하고, 각 분배공급라인(12)과 배출라인(14)과의 사이에는 통상의 유량조절밸브(23)와 스톱밸브(24)가 직렬로 연결된 퍼지라인부(16)를 벤트라인부(15)와 병렬로 설치하며, 배출라인(14)에는 이물질을 필터링시켜 주는 통상의 필터(25)를 설치하여서 된 것에 있어서,The vent and purge unit installed on the outer surface of the wafer manufacturing chamber 1 connect a plurality of distribution supply lines 12 to the nitrogen gas main supply line 11, and each distribution supply line 12 and the discharge line 14. And a purge line portion 16 in which a conventional flow control valve 23 and a stop valve 24 are connected in series with the vent line portion 15 in parallel with each other, and filter the foreign substances into the discharge line 14. In installing the usual filter 25 to let
웨이퍼제조용 챔버(1)의 외면에 챔버를 히팅시켜 주는 루버히터(4)를 설치한 것과,The louver heater 4 which heats a chamber in the outer surface of the wafer manufacturing chamber 1,
통상의 필터(25)가 설치된 분배공급라인(12)에는 반도체제조용 챔버(1)에 공급되는 질소가스를 히팅시켜 주는 히터블록(30)를 설치한 것이 포함되는 것을 특징으로 하는 벤트 및 퍼지장치부(10)에 의해 달성된다.The distribution and supply line 12 in which the conventional filter 25 is installed is provided with a heater block 30 for heating nitrogen gas supplied to the semiconductor manufacturing chamber 1. Is achieved by (10).
본 발명의 상기 및 기타 목적과 특징은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해 할 수 있을 것이다.The above and other objects and features of the present invention will be more clearly understood by the following detailed description based on the accompanying drawings.
첨부도면 도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치의 구체적인 실현 예를 보인 것으로서, 도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 챔버에 설치한 상태를 보인 사시도 및 벤트 및 퍼지장치부(10)의 계통도이고, 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치에 설치되는 히터블록를 보인 부분 단면사시도이다.1 to 3 show a specific implementation of the residual gas dust collecting apparatus of the wafer manufacturing chamber according to the present invention, Figures 1 and 2 are installed in the chamber the residual gas dust collecting apparatus of the wafer manufacturing chamber according to the present invention. 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a heater block installed in a residual gas dust collecting apparatus of a wafer manufacturing chamber according to the present invention.
본 발명은 도 1에 예시된바와 같이 웨이퍼제조용 챔버(1)의 외면에 루버히터블록(4)를 설치하여 챔버 자체를 히팅시켜 줄 수 있도록 하였고, 외면에 도 1 및 도 2에 예시된바와 같은 벤트 및 퍼지장치부(10)를 설치하였다.The present invention is to install a louver heater block (4) on the outer surface of the wafer manufacturing chamber (1) as shown in Figure 1 to heat the chamber itself, as shown in Figures 1 and 2 on the outer surface The vent and purge unit 10 was installed.
상기 웨이퍼제조용 챔버(1)의 외면에 설치되는 루버히터블록(4)는 통상의 110V 또는 220V의 전원을 사용하여 40 ~ 60℃의 설정온도로 챔버의 벽체를 가열시켜 내부의 잔류가스 및 수분(Fume)등의 물질을 가온시켜 주도록 하였다.The louver heater block 4 installed on the outer surface of the wafer manufacturing chamber 1 heats the walls of the chamber at a set temperature of 40 to 60 ° C. using a normal 110V or 220V power supply, thereby remaining residual gas and moisture ( Fume) and other materials to warm up.
상기와 같이 루버히터블록(4)에 이해 챔버의 벽체가 가온되어지면 챔버의 내부에 존재하는 잔류가스 및 수분(Fume)등의 물질도 가온되면서 운동성이 활발해지게 되고, 활발하게 운동하는 수분(Fume)등의 물질은 운동을 활발하게 하면서 잔류가스의 발생을 최소화시켜 주게 되며, 이들 물질들이 챔버의 내벽에 접착되지 않게 되므로 챔버를 부식시키고 수명을 단축시키거나 하는 현상을 방지할 수 있게 된다. As described above, when the wall of the chamber is heated in the louver heater block 4, substances such as residual gas and moisture present in the chamber are also heated, and the mobility becomes active, and the water moves actively. The materials such as) minimize the generation of residual gas while activating the movement, and since these materials do not adhere to the inner wall of the chamber, it is possible to prevent the phenomenon of corroding the chamber and shortening the life.
복수(대체로 2대)개의 웨이퍼제조용 챔버(1)를 병렬로 설치할 때에는 각 웨이퍼제조용 챔버(1)의 외면에는 각 벤트 및 퍼지장치부(10)를 도 1 및 도 2에 예시된바와 같이 설치하였다.When a plurality of (usually two) wafer manufacturing chambers 1 are installed in parallel, each vent and purge device portion 10 is provided on the outer surface of each wafer manufacturing chamber 1 as illustrated in FIGS. 1 and 2. .
질소(N2)가스메인공급라인(11)에 복수개의 분배공급라인(12)을 연결하여 공급되는 질소가스를 분배시켜 공급시킬 수 있도록 하되 각 분배공급라인(12)에는 압력계(18)와 레규레이터(17)를 각각 직렬로 장착하여, 공급되는 질소(N2)가스를 압력을 압력계(18)에 의해 확인하면서 정압으로 공급시킬 수 있도록 하였고 복수개의 웨이퍼제조용 챔버(1)를 동시에 작동(Vent)시킬 때에 어느 일 측의 웨이퍼제조용 챔버(1)에서 압력강하가 발생하는 것을 방지할 수 있도록 하였다.A plurality of distribution supply lines 12 are connected to the nitrogen (N 2 ) gas main supply line 11 to distribute and supply the supplied nitrogen gas, but each distribution supply line 12 includes a pressure gauge 18 and a regulator The injectors 17 were mounted in series so that the supplied nitrogen (N 2 ) gas could be supplied at a constant pressure while checking the pressure by the pressure gauge 18, and the plurality of wafer manufacturing chambers 1 were operated simultaneously (Vent ), It is possible to prevent the pressure drop from occurring in the wafer manufacturing chamber 1 on either side.
분배공급라인(12)의 배출 측에는 3개의 분배가지라인(13-1)(13-2)(13-3)을 병렬로 연결하여, 분배가지라인(13-1)에는 스톱밸브(20)를 단독으로 설치하고 다른 분배가지라인(13-2)에는 스톱밸브(21)와 유량조절밸브(22)를 직렬로 설치하여 통상의 벤트라인부(15)를 형성하도록 하였고, 또 다른 분배가지라인(13-3)에는 통상의 스톱밸브(24)와 유량조절밸브(23)를 직렬로 설치하여 퍼지라인부(16)를 형성하도록 하여, 상기 벤트라인부(15)와 퍼지라인부(16)가 병렬상태를 유지하도록 하였다.Three dispensing branch lines 13-1, 13-2 and 13-3 are connected in parallel to the discharge side of the dispensing supply line 12, and a stop valve 20 is connected to the dispensing branch line 13-1. It is installed alone and the other branch line (13-2) in order to form a stop valve 21 and the flow control valve 22 in series to form a normal vent line 15, and another branch line (13) -3), the normal stop valve 24 and the flow control valve 23 are installed in series to form the purge line portion 16, so that the vent line portion 15 and the purge line portion 16 are in parallel with each other. To maintain.
이와 같이 벤트라인부(15)와 퍼지라인부(16)를 병렬상태로 연결시켜 주게 되면 각 분배가지라인(13-1)(13-2)(13-3)이 가지런하게 정렬된 상태를 유지하게 되고 따라서 외관을 심플하게 유지시킬 수 있게 된다.As such, when the vent line 15 and the purge line 16 are connected in parallel, the distribution branch lines 13-1, 13-2, and 13-3 are maintained in a neatly aligned state. Therefore, the appearance can be kept simple.
각 분배가지라인(13-1)(13-2)(13-3)의 배출 측을 단독으로 설치되는 배출라인(14)에 연결하여 배출라인(14)을 통하여 질소(N2)가스를 배출시켜 줄 수 있도록 하였고, 상기 배출라인(14)에는 필터(25)와 히터블록(30)를 직렬로 설치하였다.Discharge nitrogen (N 2 ) gas through the discharge line 14 by connecting the discharge side of each branch line 13-1, 13-2, 13-3 to the discharge line 14 installed alone. The filter 25 and the heater block 30 were installed in series in the discharge line 14.
필터(25)에 의해서는 질소(N2)가스에 함유되어 있는 이물질(Particle)을 필터링에 의해 제거하여 이물질(Particle)이 웨이퍼제조용 챔버(1)의 내부로 유입되는 것을 원천적으로 차단할 수 있도록 하였고, 히터블록(30)에 의해서는 벤트 및 퍼지용으로 사용되는 질소(N2)가스를 가온시켜 웨이퍼제조용 챔버(1)의 내부로 공급시켜 줄 수 있도록 하였다.The filter 25 removes the particles contained in the nitrogen (N 2 ) gas by filtering to block foreign matter from entering the inside of the wafer manufacturing chamber 1. In addition, the heater block 30 allows the nitrogen (N 2 ) gas used for the vent and purge to be heated to be supplied into the wafer manufacturing chamber 1.
상기 히터블록(30)는 도 3에 예시된바와 같이, 내부가 공간으로 된 보디(31)의 내면에 세라믹부(32)와 보온몰딩부(33)를 증착시켜, 상기 세라믹부(32)에는 전기콘넥터(37)를 연결하였고, 알루미늄(Al)과 구리(Cu)로 형성되는 보온몰딩부(33)의 내부에는 유입구(35)과 유출구(36)가 외부로 노출되는 코일형의 튜브(34)를 매설시켰으며, 보온몰딩부(33)의 내측 공간에는 온도센서(38)를 설치하였다.As illustrated in FIG. 3, the heater block 30 deposits a ceramic part 32 and a thermal insulation molding part 33 on an inner surface of the body 31 having a space therein. An electrical connector 37 is connected, and a coil-shaped tube 34 in which the inlet 35 and the outlet 36 are exposed to the inside of the thermal molding part 33 formed of aluminum (Al) and copper (Cu). ) And a temperature sensor 38 is installed in the inner space of the thermal insulation molding part 33.
이와 같이 구성된 히터블록(30)는 전기콘넥터(37)를 통해 전기를 세라믹부(32)에 공급하여 세라믹부(32)를 가열시켜 주게 되고, 세라믹부(32)가 가열되면서 발생되는 열이 보온몰딩부(33)로 전열되어 보온몰딩부(33)는 고온상태를 유지하게 되는데 이때에 유지되는 온도는 대체로 20 ~ 180℃를 유지하도록 하였으며, 유입구(35)를 통하여 유입되는 질소(N2)가스가 코일형의 튜브(34)를 순환하여 통과할 때에 세라믹부(32)의 열을 받아 가온되어진 후에 배출구(36)를 통하여 배출되어 웨이퍼제조용 챔버(1)의 내부로 공급되어진다.The heater block 30 configured as described above heats the ceramic part 32 by supplying electricity to the ceramic part 32 through the electrical connector 37, and heat generated while the ceramic part 32 is heated is kept warm. Heated to the molding portion 33 to maintain the insulating molding 33 is maintained at a high temperature, the temperature maintained at this time to maintain a generally 20 ~ 180 ℃, nitrogen flowing through the inlet (35) (N 2 ) When the gas circulates through the coiled tube 34 and is heated by receiving the heat of the ceramic part 32, it is discharged through the discharge port 36 and supplied into the wafer manufacturing chamber 1.
이와 같이 상기 히터블록(30)에 이해 질소(N2)가스를 가온시켜 웨이퍼제조용 챔버(1)의 내부로 공급시켜 주게 되면 웨이퍼제조용 챔버(1)의 내부에 잔류하는 부식성의 잔류가스가 가온된 질소(N2)가스와 혼합되면서 가온되어지고, 가온된 잔류가스는 활발하게 활동하면서 잔류시간이 감축되어 신속하게 배출되어질 뿐만 아니라 챔버의 내면과 각 부속품의 표면에 접촉되거나 접착되는 것이 현저하게 감소되며, 따라서 챔버와 부속품의 부식성을 현저하게 감소시킬 수 있게 된다.Thus, when the nitrogen (N 2 ) gas is heated to the heater block 30 and supplied into the wafer manufacturing chamber 1, the corrosive residual gas remaining in the wafer manufacturing chamber 1 is heated. It is heated while being mixed with nitrogen (N 2 ) gas, and the heated residual gas is actively discharged due to the reduction of the residence time, and the contact or adhesion to the inner surface of the chamber and the surface of each accessory is significantly reduced. Thus, it is possible to significantly reduce the corrosiveness of the chamber and the accessories.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치는, 웨이퍼제조용 챔버의 외면에 설치된 루버히터블록에 의해 챔버의 벽체를 가온시켜 내부에 존재하는 잔류가스 및 수분(Fume)등을 가온시키고 배출라인에 설치되는 히터블록에 의해서는 벤트 및 퍼지용으로 사용되는 질소(N2)가스를 가온시켜 웨이퍼제조용 챔버의 내부로 공급시켜 주므로 잔류가스 등의 운동성을 활발하게 하여 잔류가스의 발생을 최소화시키고 챔버의 내벽 및 부속품이 부식되는 것을 방지할 수 있고, 분배공급라인과 배출라인과의 사이에는 벤트라인부와 퍼지라인부를 병렬로 설치하므로 외관을 심플하게 유지시킬 수 있으며, 배출라인에 설치되는 필터에 의해서는 질소(N2)가스에 함유되어 있는 이물질(Particle)을 필터링하여 챔버의 내부로 유입되는 것을 원천적으로 차단시킬 수 있게 된다.As described above, the residual gas dust collecting apparatus of the wafer manufacturing chamber according to the present invention warms the walls of the chamber by a louver heater block provided on the outer surface of the wafer manufacturing chamber to heat the residual gas, water, and the like present therein. The heater block installed in the discharge line heats the nitrogen (N 2 ) gas used for venting and purging and supplies it to the inside of the wafer manufacturing chamber. Minimize and prevent corrosion of the inner wall of the chamber and accessories, and install the vent line and purge line in parallel between the dispensing supply line and the discharge line to keep the appearance simple and installed on the discharge line The filter filters the particles contained in the nitrogen (N 2 ) gas and flows into the chamber. It can be blocked at source.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 챔버에 설 치한 상태를 보인 사시도.1 is a perspective view showing a state in which a residual gas dust collector of a chamber for manufacturing a wafer according to the present invention is installed in a chamber;
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 보인 계통 도.Figure 2 is a system diagram showing a residual gas dust collecting apparatus of the wafer manufacturing chamber according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치에 설치되는 히터블록를 보인 부분 단면사시도.Figure 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a heater block installed in the residual gas dust collector of the wafer manufacturing chamber according to the present invention.
도 4는 종래의 웨이퍼제조용 챔버의 잔류가스 집진장치를 보인 계통도.Figure 4 is a system diagram showing a residual gas dust collector of the conventional wafer manufacturing chamber.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on main parts of drawing
1. 반도체제조용 챔버 2. 카세트가이드블록 1. Semiconductor manufacturing chamber 2. Cassette guide block
4. 루버히터 10. 40. 벤트 및 퍼지장치부4. Louver heater 10. 40. Vent and purge unit
11.41. 질소가스메인공급라인 12. 42 분배공급라인11.41. Nitrogen Gas Main Supply Line 12. 42 Distribution Supply Line
13-1~13-3.43-1.43-2. 분배공급라인 14. 45. 배출라인13-1 ~ 13-3.43-1.43-2. Distribution Supply Line 14. 45. Discharge Line
15. 47. 벤트부 16. 48. 퍼지부 15. 47. Vent section 16. 48. Purge section
25. 필터 40. 히터블록25. Filter 40. Heater block
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0081540A KR100497477B1 (en) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | A Fume Collector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0081540A KR100497477B1 (en) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | A Fume Collector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040054983A KR20040054983A (en) | 2004-06-26 |
| KR100497477B1 true KR100497477B1 (en) | 2005-07-01 |
Family
ID=37347723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0081540A KR100497477B1 (en) | 2002-12-20 | 2002-12-20 | A Fume Collector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100497477B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101691608B1 (en) | 2015-08-04 | 2016-12-30 | (주)젠스엠 | Apparatus for collecting pollutant of chamber and chamber comprising the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102606707B1 (en) * | 2021-10-14 | 2023-11-29 | 주식회사 저스템 | Chamber apparatus for buffering wafer |
| CN118173472B (en) * | 2024-03-14 | 2024-08-16 | 迈睿捷(南京)半导体科技有限公司 | Wafer sealing and heating device capable of preventing tiny particles from floating |
-
2002
- 2002-12-20 KR KR10-2002-0081540A patent/KR100497477B1/en active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101691608B1 (en) | 2015-08-04 | 2016-12-30 | (주)젠스엠 | Apparatus for collecting pollutant of chamber and chamber comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040054983A (en) | 2004-06-26 |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| FPAY | Annual fee payment |
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