KR102485172B1 - 핫 스탬핑박 및 적층 광학 장식체 구비 인쇄체 - Google Patents
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Abstract
전사 열압을 가함으로써 전사 대상에 전사되는 핫 스탬핑박은, 베이스 필름 또는 코트된 베이스 필름의 캐리어와, 캐리어 상에 형성된 적층 광학 구조체를 포함하는 적층 광학 장식체와, 연질 수지와 변형 제한제를 함유하고, 적층 광학 구조체 상에 형성된 가라앉음 제어층과, 가라앉음 제어층 상에 형성된 접착층을 구비하고, 접착층은, 상온보다 낮은 유리 전이 온도의 열가소 수지를 함유하고, 접착층의 두께를 규정하는 수지 성분과, 접착층의 두께보다 큰 입경을 갖고, 일부가 수지 성분으로부터 돌출되는 스페이서 입자를 함유하고, 스페이서 입자가 전사 열압 후에 상기 가라앉음 제어층에 가라앉는다.
Description
핫 스탬핑박에 대하여 기재되어 있다. 핫 스탬핑박을 전사 대상에 핫 스탬프하는 방법에 대하여 기재되어 있다. 적층 광학 장식체 구비 전사 대상에 대하여 기재되어 있다. 적층 광학 장식체 구비 전사 대상은, 핫 스탬핑박을 전사 대상에 핫 스탬프함으로써 얻어진다. 또한, 핫 스탬핑박을 인쇄체에 핫 스탬프하는 방법에 대하여 기재되어 있다. 적층 광학 장식체 구비 인쇄체에 대하여 기재되어 있다. 적층 광학 장식체 구비 인쇄체는, 핫 스탬핑박을 인쇄체에 핫 스탬프함으로써 얻어진다. 인쇄체는, 인쇄 가능한 종이, 인쇄 가능한 폴리머 필름, 인쇄된 종이, 인쇄된 폴리머 필름으로 할 수 있다.
본원은 2017년 4월 21일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-084548호에 기초하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
핫 스탬핑박은, 전사 대상에 핫 스탬프된다. 전사 대상은 인쇄체로 할 수 있다. 인쇄체는 시큐리티 인쇄로 할 수 있다. 시큐리티 인쇄는, 위조 방지 기술이 필요로 되는 인쇄이다. 위조 방지 기술은, 위조, 개찬, 비밀로 되어야 할 정보의 훔쳐 읽기 등의 부정 방지나, 부정 유무의 판별을 용이하게 하는 기술이다. 핫 스탬핑박은, 시큐리티 인쇄에 핫 스탬프하는 핫 스탬핑박으로 할 수 있다. 시큐리티 인쇄는, 티켓, 지폐, 인증 카드, 태그, 시일, 인증 페이지, 게임 카드, 상품권, 증명서, 포스터, 인사장, 비즈니스 카드 등이다. 핫 스탬핑박은, 인증이 필요로 되는 시큐리티 인쇄의 표면에 첩부된다.
진정임의 증명으로서, 핫 스탬핑박을 물품 등에 핫 스탬프하여 적용할 수 있음이 알려져 있다. 핫 스탬핑박은, 이들 요구에 효과적으로 따를 수 있다. 또한, 핫 스탬핑박을, 인쇄체에 핫 스탬프함으로써, 인쇄체에 의장성이 우수한 시각 효과를 부여할 수 있다.
근년, 핫 스탬핑박에 있어서 광학 효과를 발현시키는 기술의 하나로서, 광의 회절을 이용하여 입체 화상, 특수한 장식 화상, 특수한 색의 변화 등을 표현할 수 있는 홀로그램이나 회절 격자, 또한 굴절률이 상이한 다층의 무기 퇴적층에 의해 보는 각도에 따라 색의 변화(컬러 시프트)를 발생시키는 다층 박막 등의 기술을 이용하여 첩부 가능하게 한 적층 광학 장식체인, 소위 OVD(Optical(ly) Variable Device)가 이용되고 있다.
OVD는, 고도의 제조 기술을 요하는 것, 독특한 시각 효과를 갖고, 언뜻 보고 진위를 판정할 수 있다는 점에서 유효한 위조 방지 수단으로서 카드, 유가 증권, 증명 서류 등의 일부 혹은 전체면에 형성되어 사용되고 있다. 최근에는, 유가 증권 이외에도 스포츠 용품이나 컴퓨터 부품을 비롯한 전기 제품 소프트웨어 등에 첩부되어, 그 제품이 진정함을 증명하는 인증 시일이나, 그들 상품의 패키지에 첩부되는 봉인 시일로서도 널리 사용되어 왔다.
일반적으로 OVD는, 정교한 위조가 어렵고 확인이 용이한 위조 방지 수단이다. 티켓이나 지폐나 카드나 책자 등의 종이나 플라스틱에 OVD를 첩부하는 경우에는, 재부착을 곤란하게 한다는 관점에서, 대부분의 경우 열전사 방식이 채용되고 있다. 적층 광학 구조체인 OVD의 수요 확대에 따르기 위해, 열전사의 스루풋의 향상이 요구되고 있다. 열전사의 스루풋의 향상에는, 적은 열량으로 전사 대상에 전사할 수 있는 핫 스탬핑박이 필요로 된다. 그 때문에, 태크가 강하고 밀착성이 좋은 점착제나, 적은 열량으로도 접착 가능한 융점이 낮은 열가소 수지의 핫 멜트 접착제가 핫 스탬핑박의 접착층에 사용되고 있다.
그러나, 태크가 강한 점착제나, 융점이 낮은 핫 멜트 접착제를 사용한 경우에는, 보관 중에 블로킹이 생겨, 제품의 일부가, 보관 중에 첩부되어 버림으로써 결함이 발생하여, 전사 전에 핫 스탬핑박이 사용 불능으로 된다고 하는 문제가 있었다. 이 문제에 대하여, 블로킹 방지 효과를 가진 접착제가 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1 및 2 참조). 특허문헌 1이나 2에 기재된 기술에서는, 접착제에 필러를 첨가함으로써 접착층과 기재의 접촉 면적을 작게 함으로써 블로킹을 방지하고 있다.
특허문헌 1에 기재된 기술은, 블로킹 방지에는 효과가 기대되지만, 핫 스탬핑박에 적용한 경우에는, 첨가한 필러에 의해 열전사된 핫 스탬핑박의 OVD에 불필요한 요철이 발생하여, 핫 스탬핑박의 OVD에서 불필요한 요철에 의한 광의 불필요한 산란이 발생하는 경우가 있다. 그 결과, OVD가 백탁되어 보이는 백탁의 결함이 발생하는 경우가 있다. 이 백탁의 결함에 의해 OVD가 본래 갖는 광학 효과가 손상되거나, 소실되거나 한다고 하는 문제가 있다. 나아가, 열전사의 스루풋을 높일 목적으로 열압을 높이면, OVD의 불필요한 요철이 심해져, 백탁의 결함이 악화될 것이 예상된다.
이와 같이, 열전사의 스루풋 향상에 수반하여, 결함이 발생하는 것이 과제이다. 그 때문에, 열전사의 스루풋을 향상시키면서, 결함에 대한 해결이 요구된다. 결함으로서는, 보관 시의 블로킹, 및 적층 광학 구조체(OVD)에 생기는 백탁의 결함이 있으며, 이들 결함의 해결이 요구된다.
본 개시에 따르면, 열전사의 스루풋을 향상시켰을 때의 적층 광학 구조체(OVD)의 보관 중의 블로킹을 방지할 수 있다. 나아가, 적층 광학 구조체의 백탁의 결함을 방지할 수 있다.
본 발명의 제1 양태는, 전사 열압을 가함으로써 전사 대상에 전사되는 핫 스탬핑박이다. 이 핫 스탬핑박은, 베이스 필름 또는 코트된 베이스 필름의 캐리어와, 캐리어 상에 형성된 적층 광학 구조체를 포함하는 적층 광학 장식체와, 연질 수지와 변형 제한제를 함유하고, 적층 광학 구조체 상에 형성된 가라앉음 제어층과, 가라앉음 제어층 상에 형성된 접착층을 구비한다. 접착층은, 상온보다 낮은 유리 전이 온도의 열가소 수지를 함유하고, 접착층의 두께를 규정하는 수지 성분과, 접착층의 두께보다 큰 입경을 갖고, 일부가 수지 성분으로부터 돌출되는 스페이서 입자를 함유하고, 스페이서 입자가, 전사 열압 후에 상기 가라앉음 제어층에 가라앉는다.
본 발명의 제2 양태는, 본 발명의 핫 스탬핑박을 사용하여 인쇄체에 적층 광학 장식체가 열전사된 적층 광학 장식체 구비 인쇄체이다.
기재된 핫 스탬핑박에 따르면, 전사 후의 표면 요철에 의한 백탁의 결함 방지와, 보관 시의 블로킹 방지를 양립시킬 수 있다.
도 1은, 실시 형태의 핫 스탬핑박이 개략적으로 도해된 단면도이다.
도 2는, 입자를 함유하지 않는 접착층과 캐리어의 접촉이 개략적으로 도해되어 있다.
도 3은, 스페이서 입자만 함유하는 접착층과 캐리어의 접촉 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 4는, 스페이서 입자 및 분체 필러를 함유하는 접착층과 캐리어의 접촉 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는, 핫 스탬핑박의 온도 변화를 도시하는 개념도이다.
도 6은, 백탁을 발생시키지 않은 전사 후 적층 광학 장식체의 사진이다.
도 7은, 백탁을 발생시킨 전사 후 적층 광학 장식체의 사진이다.
도 8은, 제2 그룹의 실시예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 9는, 제3 그룹의 실시예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 10은, 적층 광학 장식체 구비 인쇄체의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 11은, 상기 적층 광학 장식체 구비 인쇄체의 부분 모식 단면도이다.
도 2는, 입자를 함유하지 않는 접착층과 캐리어의 접촉이 개략적으로 도해되어 있다.
도 3은, 스페이서 입자만 함유하는 접착층과 캐리어의 접촉 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 4는, 스페이서 입자 및 분체 필러를 함유하는 접착층과 캐리어의 접촉 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 5는, 핫 스탬핑박의 온도 변화를 도시하는 개념도이다.
도 6은, 백탁을 발생시키지 않은 전사 후 적층 광학 장식체의 사진이다.
도 7은, 백탁을 발생시킨 전사 후 적층 광학 장식체의 사진이다.
도 8은, 제2 그룹의 실시예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 9는, 제3 그룹의 실시예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 10은, 적층 광학 장식체 구비 인쇄체의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 11은, 상기 적층 광학 장식체 구비 인쇄체의 부분 모식 단면도이다.
이하에서, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 핫 스탬핑박(1)을 개략적으로 도해하는 단면도이다. 핫 스탬핑박은 적층 광학 장식체(25)를 박리 가능하게 보유 지지한다. 핫 스탬핑박은 열압으로 전사 대상에 적층 광학 장식체(25)를 전사할 수 있다. 핫 스탬핑박(1)은, 캐리어(10)와, 캐리어(10) 상에 형성된 적층 광학 장식체(25)를 구비한다. 캐리어(10)와 적층 광학 장식체(25)는 접해 있다. 적층 광학 장식체(25)는, 적층 광학 구조체(20)와, 적층 광학 구조체(20) 상에 형성된 가라앉음 제어층(30)과, 가라앉음 제어층(30) 상에 형성된 접착층(40)을 구비한다. 적층 광학 구조체(20)와 가라앉음 제어층(30)은 접해 있거나, 사이에 피복층을 두고 있다. 가라앉음 제어층(30)과 접착층(40)은 접해 있다.
캐리어(10)는, 핫 스탬핑박(1)이 전사 대상에 열전사될 때까지 적층 광학 장식체(25)를 보유 지지한다. 핫 스탬핑박(1)이 전사 대상에 열전사된 후에는, 적층 광학 구조체(20)와의 경계에서 박리된다. 바꾸어 말하면, 핫 스탬핑박(1)이 전사 대상에 열전사된 후에는, 적층 광학 구조체(20)와의 경계에서 박리된다. 캐리어(10)는, 베이스 필름, 또는 코트된 베이스 필름이다. 베이스 필름은 단층 또는 다층의 폴리머 필름으로 할 수 있다. 폴리머 필름은 압출법, 용액 유연법, 캘린더법에 의해 제조할 수 있다. 압출법으로서는, 인플레이션법, T 다이법을 적용할 수 있다. 또한, 폴리머 필름은 연신, 비연신의 필름으로 할 수 있다. 폴리머 필름의 재료는, 열가소 플라스틱, 용해성 수지로 할 수 있다. 열가소 플라스틱은, 폴리올레핀 등으로 할 수 있다. 폴리올레핀은, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PP(폴리프로필렌)로 해도 된다. 폴리올레핀은, 적층 광학 구조체(20)와 적당한 접착성이 있다. 폴리올레핀 수지는, 적층 광학 구조체(20)를 박리 가능하게 보유 지지할 수 있다. 베이스 필름은, 내열 필름, 내압 필름으로 할 수 있다. 내열 재료, 내압 재료는, 전사 시에 가하는 열이나 압력에 의한 변형이나 변질을 적게 할 수 있다. 코트된 베이스 필름은, 베이스 필름의 편면 또는 양면이 코트되어 있다. 이 코트는, 수지 단체, 분체를 함유한 수지를 코팅한 것으로 할 수 있다. 이 코팅은, 마이크로 그라비아 코트, 그라비아 코트, 다이 코트, 스크린 코트를 적용할 수 있다. 코트하는 수지는, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 불소계 수지 중 어느 것, 어느 공중합 수지, 어느 복합 수지, 어느 공중합 수지의 어느 복합 수지로 할 수 있다. 수지가 함유하는 분체는, 실리카 분체, 실리콘 분체, 불소계 분체, 카본 분체로 할 수 있다. 코팅을 적층 광학 구조체측에 한 경우, 적층 광학 구조체의 보유 지지, 박리를 조정할 수 있다. 코팅을 적층 광학 구조체의 반대측에 한 경우, 적층 광학 구조체의 접착층과의 블로킹을 방지하는 것, 또는 핫 스탬핑박의 반송을 원활하게 하는 것, 또는 이들 양쪽을 실현할 수 있다. 베이스 필름의 캐리어(10)의 두께는, 예를 들어 4㎛ 이상으로 할 수 있다. 두께가 4㎛ 미만이면, 캐리어로서의 물리적 강도가 불충분해져 핫 스탬핑박의 취급이 곤란해진다. 캐리어(10)의 두께는 12 내지 50㎛의 범위로 할 수 있다.
또한, 용도나 목적에 따라, 베이스 필름은 종이나 합성지, 플라스틱 복층지나 수지 함침지로 할 수 있다.
적층 광학 구조체(20)는, 캐리어(10)측으로부터 순서대로 톱층(21), 래커층(22), 무기 퇴적층(23)을 갖는다. 래커층(22)은, 톱층(21) 상의 전체면에 형성되거나, 일부에 형성되거나, 생략된다. 래커층이 생략되는 경우에는, 톱층(21) 상에 무기 퇴적층(23)을 형성할 수 있다. 무기 퇴적층(23)은, 래커층(22) 상에 형성할 수 있다. 또한, 무기 퇴적층(23)의 래커층(22)의 반대측에 피복층(24)을 가져도 된다. 적층 광학 구조체(20)의 기본 구성은 주지이지만, 각 층에 대하여 이하에 설명한다.
톱층(21)은, 적층 광학 구조체(20)를 캐리어(10)로부터 박리 가능하게 지지시킨다. 핫 스탬핑박(1)의 전사 후, 적층 광학 구조체(20)의 톱층(21)은 전사 대상의 반대측에 위치하여, 외적 손상으로부터 적층 광학 구조체를 보호한다.
톱층(21)은, 열가소 폴리머와 표면 개질제를 함유하는 층으로 할 수 있다. 톱층(21)의 열가소 폴리머는, 유리 전이 온도가 90℃ 이상, 130℃의 수지로 할 수 있다. 열가소 폴리머는, 아크릴 폴리머나 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드 중 어느 것, 어느 공중합, 어느 복합, 어느 공중합의 어느 복합으로 할 수 있다. 표면 개질제는, 파우더, 왁스, 오일로 할 수 있다. 파우더는, 내열 파우더로 할 수 있다. 내열 파우더는, 실리카 파우더, 폴리에틸렌 파우더, 불소계 파우더, 실리콘계 파우더로 할 수 있다. 왁스는, 파라핀 왁스, 실리콘 왁스, 카르나우바 로우로 할 수 있다. 오일은, 실리콘 오일로 할 수 있다. 톱층(21)은, 착색되어도 된다. 톱층(21)의 수지에 안료, 염료를 첨가함으로써 착색할 수 있다. 안료는, 무기 안료, 유기 안료, 무기 안료와 유기 안료의 혼합으로 할 수 있다. 또는 안료는, 형광성 안료, 펄 안료, 자성 안료의 단체, 동종의 블렌드, 이종의 혼합, 이종의 동종의 블렌드의 혼합으로 할 수도 있다. 염료는, 천연 염료, 합성 염료, 천연 염료와 합성 염료의 혼합으로 할 수 있다. 또는 염료는, 형광성 염료로 할 수도 있다. 톱층(21)은, 캐리어(10) 상에 인쇄, 도포에 의해 형성할 수 있다. 도포는, 그라비아 코트나 마이크로 그라비아 코트, 다이 코트로 할 수 있다. 인쇄는, 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄로 할 수 있다. 톱층(21)의 두께는, 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위로 할 수 있다. 톱층(21)은, 인쇄를 수용할 수 있다. 아크릴 수지는, 인쇄를 수용하기 쉽다. 인쇄를 수용 가능한 톱층을 갖는 적층 광학 장식체 구비 인쇄체는, 인쇄 가능하다. 인쇄를 수용 가능한 톱층을 갖는 적층 광학 장식체 구비 인쇄체는, 적층 광학 장식체와 인쇄체가 모두 인쇄가 가능하게 된다.
래커층(22)은, 래커층(22)의 하나의 표면, 또는 양면에 요철 형상의 릴리프 구조를 가질 수 있다. 래커층(22)은, 자외선 경화 수지, 열가소 수지, 열경화 수지로 할 수 있다. 자외선 경화 수지는, 경화 수지인, 에틸렌성 불포화 결합, 또는 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머로 할 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합, 또는 에틸렌성 불포화기를 갖는 모노머로서는, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트로 할 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합, 또는 에틸렌성 불포화기를 갖는 올리고머로서는, 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트의 올리고머 또는 코올리고머로 할 수 있다. 폴리머로서는, 우레탄 변성 아크릴, 에폭시 변성 아크릴의 폴리머 또는 코폴리머로 할 수 있다. 자외선 경화 수지로서는, 아크릴 수지, 아크릴아크릴레이트 수지, 에폭시아크릴레이트 수지, 우레탄아크릴레이트 수지, 폴리에스테르아크릴레이트 수지, 에틸렌메타크릴레이트 수지 중 어느 것, 어느 공중합 수지, 어느 복합 수지, 어느 공중합 수지의 어느 복합 수지로 할 수 있다. 래커층(21)은, 착색되어도 된다. 래커층(21)의 수지에 안료, 염료를 첨가함으로써 착색할 수 있다. 안료는, 무기 안료, 유기 안료로 할 수 있다. 또는 안료는, 형광성 안료, 펄 안료, 자성 안료로 할 수도 있다. 염료는, 천연 염료, 합성 안료로 할 수 있다. 또는 염료는, 형광성 염료로 할 수도 있다.
래커층(22)의 열가소성 수지는, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 셀룰로오스계 수지, 비닐계 수지 중 어느 것, 어느 공중합 수지, 어느 복합 수지, 어느 공중합 수지의 어느 복합 수지로 할 수 있다. 래커층(22)의 열경화 수지는, 우레탄 수지, 멜라민계 수지, 에폭시 수지, 페놀계 수지 중 어느 것, 어느 공중합 수지, 어느 복합 수지, 어느 공중합 수지의 어느 복합 수지로 할 수 있다. 래커층(22)의 두께는, 0.5㎛ 이상 30㎛ 이하의 범위로 할 수 있다.
래커층(22)의 릴리프 구조는, 오목부 또는 볼록부, 혹은 오목부 및 볼록부를 갖는다. 릴리프 구조는, 광학 회절, 광반사 억제, 등방성 또는 이방성 산란효, 반사, 편광 선택성, 파장 선택성 등의 광학적 성질을 갖는다. 릴리프 구조의 광학 효과는, 눈으로 보기나 기계 검지 등에 의해 검지할 수 있다. 릴리프 구조의 광학적 성질은 위조 개찬 방지나 의장성 향상의 효과를 발현한다. 광학적 성질은, 하나 혹은 복수의 광학 효과를 갖는 릴리프를 조합하여 선택할 수 있다.
래커층(22)의 표면의 릴리프 구조에 의해, 적층 광학 구조체(20)는, 회절, 광반사 억제, 등방성 또는 이방성의 광산란, 굴절, 편광ㆍ파장 선택성의 반사, 투과, 광반사 억제 등의 광학적 기능을 구비한다. 래커층(22)의 릴리프 구조로서, 회절 격자 구조의 영역을 마련함으로써, 적층 광학 구조체(20)는, 광을 회절시키는 성질을 릴리프 구조에 의해 얻을 수 있다. 회절 격자 구조의 피치는, 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하의 범위로 할 수 있다. 회절 격자 구조의 깊이는, 0.05㎛ 이상 0.5㎛ 이하의 범위로 해도 된다. 래커층(22)에, 모스아이 구조나 깊은 격자 구조를 마련함으로써, 적층 광학 구조체(20)는 광반사 억제의 성질이나, 편광ㆍ파장 선택성의 반사, 투과, 광반사 억제를 릴리프 구조에 의해 얻을 수 있다. 래커층(22)에, 복수의 선형부 또는 복수의 도트형부가 비주기적으로 배치된 산란 구조의 영역을 마련함으로써, 적층 광학 구조체(20)는 등방적 혹은 이방적인 산란광을 사출하는 성질을 릴리프 구조에 의해 얻을 수 있다. 산란 구조의 평균 피치는, 0.5㎛ 이상 3㎛ 이하로 할 수 있다. 깊이는, 0.05㎛ 이상 0.5㎛ 이하로 해도 된다. 래커층(22)에, 미러 구조의 영역을 마련하고, 인접하는 층과 상이한 굴절률로 함으로써, 릴리프 구조는 반사의 성질을 적층 광학 구조체(20)에 부여한다. 미러 구조의 평균 피치는 3㎛보다 크게, 30㎛ 이하로 할 수 있다. 깊이는, 0.5㎛보다 깊게, 20㎛보다 얕게 할 수 있다. 적층 광학 구조체(20)의 광학적 성질은, 눈으로 보기나 기계 검지에 의해, 지각, 검지할 수 있다. 이에 의해 위조 개찬 방지 성능이나 의장성을 향상시킬 수 있다. 래커층(22)의 표면의 릴리프 구조는, 복수의 릴리프 구조 영역을 가져도 된다. 릴리프 구조 영역은, 단체로서, 또는 복수의 통합으로서 화상을 표시할 수 있다. 화상은, 그림, 사진, 초상, 랜드마크, 마크, 로고, 심볼의 단체 또는 그들의 조합으로 할 수 있다.
무기 증착층(23)은, 래커층(22)에서 발생하는 광학 효과를 용이하게 관찰 가능하게 하는 기능을 갖는다.
무기 퇴적층(23)은, 래커층(22) 상의 일부 또는 전체면에 형성된다. 무기 퇴적층(23)이 래커층(22) 상의 일부에 형성된 경우, 적층 광학 구조체(20)의 제조에 따라 고도의 가공 기술이 요구되며, 보다 정교하고 치밀한 의장으로 되므로, 핫 스탬핑박(1)은 보다 높은 위조 방지 효과를 가질 수 있다.
무기 퇴적층(23)은, 래커층(22)에서 발생하는 광학적 성질을 용이하게 관찰 가능하게 한다. 무기 퇴적층(23)은, 구조색을 표시해도 된다. 구조색은, 간섭에 의한 발색 등이다. 또는 구조색은, 관찰 각도나 조명 각도에 따라 변화한다. 구조색은, 무지개색이나 고채도의 색이다. 무기 퇴적층(23)의 재료로서는, 금속 또는 규소의 단체, 합금 또는 이들의 화합물로 할 수 있다. 단체, 합금 또는 이들의 화합물을 구성하는 금속 또는 규소는, Si, Al, Sn, Cr, Ni, Cu, Ag 중 어느 것 또는 어느 조합으로 할 수 있다. 무기 퇴적층(23)의 두께는, 10 내지 500nm의 범위로 할 수 있다. 무기 퇴적층은, 감압 하에서 무기 재료를 퇴적함으로써 형성할 수 있다. 무기 퇴적층(23)의 퇴적에는, 진공 증착이나 스퍼터링, CVD에 의해 형성할 수 있다.
무기 퇴적층(23)은 단층 또는 다층이다. 다층의 무기 퇴적층(23)은, 금속의 단체와 금속의 화합물을 교대로 적층한 것, 이종의 금속의 단체를 교대로 적층한 것, 이종의 금속의 화합물을 교대로 적층한 것으로 할 수 있다. 금속의 단체와 금속의 화합물을 교대로 적층한 무기 퇴적층(23)은, 알루미늄층에 이산화규소층을 적층한 다층 등이다.
피복층(24)은, 무기 퇴적층(23) 상의 전체면 또는 일부를 피복한다. 피복층(24)은, 무기 퇴적층(23) 상의 일부에 레지스트로서 마련하고, 피복층이 없는 부분의 무기 퇴적층(23)을 선택적으로 제거함으로써, 무기 퇴적층(23)을 래커층(22) 상의 일부에 마련할 수 있다. 무기 퇴적층(23)이 래커층(22) 상의 일부에 마련되어 있는 경우에는, 피복층(24)은, 일부에 마련된 무기 퇴적층에 대응시켜 마련해도 된다.
피복층(24)을 무기 퇴적층(23) 상에 인쇄, 도포, 퇴적함으로써 무기 퇴적층(23)을 피복층(24)으로 피복할 수 있다. 피복층(24)을 무기 퇴적층(23) 상의 일부에 마련하는 방법으로서, 피복층(24)을 인쇄로 부분적으로 마련하는 방법, 에칭액의 투과성이 상이한 피복층(24)을 무기 퇴적층(23) 상에 퇴적시켜 피복층(24)과 무기 퇴적층(23)을 에칭액의 투과성의 차에 의해 선택적으로 에칭하는 방법, 자외선 노광에 의해 용해되거나 혹은 용해되기 어려워지는 수지 재료를 도포하고, 패턴형으로 자외선을 노광한 후, 피복층(24)을 현상하고, 에칭액으로 무기 퇴적층(23)을 선택적으로 에칭하는 방법, 무기 퇴적층(23) 상에 용해성 수지를 부분적으로 형성한 후에 피복층(24)을 형성하고, 용해성 수지 및 용해성 수지 상의 피복층을 용제로 부분적으로 제거하는 방법을 채용할 수 있다. 피복층(24)을 부분적으로 마련하는 방법이라면, 다른 주지의 각종 가공 기술을 적용해도 된다.
피복층(24)의 재료는, 수지 또는 무기 재료 또는 수지와 무기 재료의 컴포지트로 할 수 있다. 피복층(24)의 수지는 에칭 내성을 갖는 수지로 할 수 있다. 피복층(24)의 수지는 경화 수지로 할 수 있다. 경화 수지는, 에칭 내성을 얻기 쉽다. 피복층(24)의 수지는, 비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지 중 어느 것, 어느 공중합 수지, 어느 복합 수지, 어느 공중합 수지의 어느 복합 수지로 할 수 있다. 비닐계 수지는, 염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올로 할 수 있다. 폴리스티렌계 수지는, 폴리스티렌계 폴리스티렌, 스티렌ㆍ아크릴로니트릴 공중합체, 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합체로 할 수 있다. 아크릴계 수지는, 폴리메틸메타크릴레이트로 할 수 있다. 또한, 이들 중 적어도 2종류 이상을 공중합한 수지여도 된다. 나아가, 상기 수지의 분자에는, 에스테르 결합, 우레탄 결합, 에테르 결합, 아민 결합, 실란올 결합 등을 포함하고 있어도 된다. 이들 결합에 관한 관능기를 갖는 2종류 이상의 수지의 화학 구조의 일부를 가교시켜도 된다. 경화계 수지는, 우레탄 수지나 에폭시 수지 등의 열경화 수지, 아크릴레이트계 수지 등의 자외선 경화 수지 등으로 할 수 있다. 피복층(24)의 수지는, 기타 전자선 경화 수지, 습기 경화 수지로 할 수도 있다.
피복층(24)의 두께는, 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하의 범위로 할 수 있다.
가라앉음 제어층(30)은, 접착층 중의 스페이서 입자(후술)의 가라앉음양을 조정한다. 핫 스탬핑박의 보관 시에는, 스페이서 입자는 가라앉음 제어층 중에는, 거의 가라앉지 않고, 롤형으로 감길 때, 접착층과 캐리어(10) 사이에 갭을 유지한다. 열전사 시에는, 스페이서 입자(41)가 가라앉음 제어층 중에 적절하게 가라앉는다. 가라앉음 제어층(30)은, 접착층(40)과 접촉하고 있다.
가라앉음 제어층(30)은, 연질 수지와 변형 제한제를 함유한다. 연질 수지와 변형 제한제는 유연성이 상이해도 된다. 연질 수지와 변형 제한제의 혼합비는, 50:1 내지 1:1의 범위로 할 수 있다. 열압에 수반하여, 가라앉음 제어층(30) 중의 연질 수지가 변형되어, 스페이서 입자(41)가 가라앉는다. 이때, 변형 제한제가 연질 수지의 변형을 억제하여, 스페이서 입자(41)가 지나치게 가라앉는 것을 억제함으로써, 스페이서 입자(41)의 가라앉음을 조정한다. 이에 의해, 과도하게 가라앉음이 발생함에 따른 블로킹, 스페이서 입자(41)가 가라앉지 않음에 따른 적층 광학 구조체(20)의 백탁의 결함을 방지할 수 있다.
가라앉음 제어층(30)은, 열압 전에는 적당한 경도를 갖기 때문에, 스페이서 입자(41)는 상기 접착층(40)에 머무른다. 열압 전의 가라앉음 제어층(30)에 적당한 경도를 부여하기 위해, 연질 수지를 결정성 수지로 하거나, 변형 제한제를 고 유리 전이 온도 중합체 또는 그의 컴포지트로 하거나, 상기 구성을 조합할 수 있다. 연질 수지를 결정성 수지로 한 경우, 열압 전에는 연질 수지가 결정 상태이기 때문에, 가라앉음 제어층(30)은 적당한 경도를 갖는다. 변형 제한제를 고 유리 전이 온도 중합체 또는 그의 컴포지트로 한 경우, 열압 전에는 변형 제한제가 유리 상태이기 때문에, 가라앉음 제어층(30)은 적당한 경도를 갖는다. 상기 구성을 조합한 경우, 열압 전에는 연질 수지가 결정 상태이고 변형 제한제가 유리 상태이기 때문에, 가라앉음 제어층(30)은 적당한 경도를 갖는다.
가라앉음 제어층(30)의 연질 수지의 유리 전이 온도는 80℃ 이하로 할 수 있다. 변형 제한제는, 가라앉음 제어층(30)의 두께보다 작은 입경의 무기 분체 필러, 고 유리 전이 온도 중합체, 접착층의 두께보다 작은 입경의 무기 분체 필러와 고 유리 전이 온도 중합체의 양쪽으로 할 수 있다. 고 유리 전이 온도 중합체의 유리 전이점은 60℃ 이상 또는 유리 전이점이 없는 것으로 할 수 있다. 고 유리 전이 온도 중합체의 유리 전이점은, 60℃ 이상 300℃ 이하의 범위로 해도 된다. 고 유리 전이 온도 중합체는, 폴리머 분체 필러여도 된다.
가라앉음 제어층(30)의 변형 제한제로서, 유리 전이점이 60℃ 이상이고, 연화 온도가 90℃ 이상, 130℃ 이상인 고 유리 전이 온도 중합체를 사용한 경우, 적층 광학 구조체(20)를 부분적으로 전사 대상에 전사할 때의 버 발생을 방지할 수 있다. 고 유리 전이 온도 중합체와 연질 수지는 2상 상태의 상 분리 구조여도 된다. 2상 상태의 상 분리 구조를 형성하기 위해서는, 용제에 가용인 연성 수지와 고 유리 전이 온도 중합체를 사용하여 용해된 도포액을 도포함으로써 얻을 수 있다. 고 유리 전이 온도 중합체는, 연속상으로 할 수 있다. 연속상은 골격을 이룬다. 연속상으로서는 다공성 구조 등이다. 연성 수지는, 분산상 또는 연속상으로 할 수 있다. 고 유리 전이 온도 중합체의 유리 전이 온도는, 연질 수지의 유리 전이 온도 이상이어도 된다. 그 결과, 부분 전사 시에는, 열전사 영역의 윤곽의 내측에서는, 고 유리 전이 온도 중합체가 연화되고, 열전사 영역의 윤곽의 외측에서는 연화되지 않기 때문에, 열전사 영역의 윤곽의 고 유리 전이 온도 중합체에 응력이 집중되어, 확실하게 윤곽 부분에서 수지가 파단된다고 생각된다.
고 유리 전이 온도 중합체는, 분체 또는 디스퍼전으로서, 연질 수지 내에서 혼합되어도 된다. 또한, 연질 수지는 결정성 수지여도 된다. 변형 억제제로서의 고 유리 전이 온도 중합체는, 염화비닐아세트산비닐 공중합체, 셀룰로오스 중합체, 페놀 중합체, 불소계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 아크릴계 폴리머, 멜라민계 폴리머, 에폭시계 폴리머로 할 수 있다. 염화비닐아세트산비닐 공중합체는, 다른 수지와의 밀착성이 좋다.
가라앉음 제어층(30)의 연질 수지는, 산 변성 폴리올레핀 수지로 할 수 있다. 산 변성 폴리올레핀 수지는, 에틸렌과 산 성분의 공중합 수지여도 된다. 에틸렌과 산 성분의 공중합체는, 에틸렌(메트)아크릴산 공중합 수지(EMAA), 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지, 에틸렌(메트)아크릴산에스테르 공중합 수지 등으로 할 수 있다. 에틸렌과 산 성분의 공중합 수지는, 적당한 유연성과 인접하는 층과의 적당한 밀착성을 얻기 쉽다.
산 변성 폴리올레핀 수지는, 산 변성에 의해, 인접하는 무기 증착층 및 래커층, 피복층과의 밀착성을 얻을 수 있다. 이것은, 산 변성 폴리올레핀이, 인접하는 무기 증착층 및 래커층, 피복층의 유기 실란 화합물 및 이소시아네이트와 결합하기 때문이다.
산 변성 폴리올레핀 중에서도, 에틸렌(메트)아크릴산 공중합 수지(EMAA)는 블로킹되기 어렵다. 가라앉음 제어층(30) 중의 연질 수지는, 가라앉음 제어층(30) 중의 염화비닐아세트산비닐 공중합체보다 낮은 연화 온도로 할 수 있고, 또한 전사 시의 전사 온도 이하의 연화 온도로 할 수 있다. 가라앉음 제어층(30)의 수지의 연화 온도로서는, 60℃ 이상 110℃ 이하의 범위로 할 수 있다. 핫 스탬핑박의 전사 온도(스탬퍼 판면 온도)는, 일반적으로 90℃ 내지 130℃의 범위이기 때문에, 연화 온도를 상기로 할 수 있다.
산 변성 폴리올레핀의 산가의 측정은, 일반적으로 사용되는 FT-IR법이나, 적정법 등으로 할 수 있다. 산 변성 폴리올레핀의 산가는, 0.5 내지 200의 범위로 할 수 있다.
연질 수지의 용액은, 연질 수지의 분산체인 디스퍼전이 사용되어도 된다. 이 경우, 디스퍼전의 입자의 크기는 30㎛ 정도로 할 수 있다.
연질 수지와 염화비닐아세트산비닐 공중합체는 유연성이 상이해도 된다. 통상은, 염화비닐아세트산비닐 공중합체보다 연질 수지 쪽이 유연성이 우수하다. 가라앉음 제어층의 각 수지 및 가라앉음 제어층 전체의 유연성은, 일반적으로 사용되는 나노인텐더에 의해 측정 가능하다.
가라앉음 제어층(30)의 연화 온도는, 60℃ 이상 110℃ 이하의 범위로 할 수 있다. 가라앉음 제어층(30)의 연화 온도는, 핫 스탬핑박의 전사 시의 온도가, 일반적으로 90℃ 내지 130℃의 범위이기 때문에, 이 전사 시의 온도에서 연화하는 온도이다.
가라앉음 제어층(30)에는, 보조제가 첨가되어도 된다. 보조제의 첨가량은, 0.1Wt% 내지 10Wt%의 범위로 할 수 있다. 보조제로서, 실란 커플링제, 이소시아네이트가 첨가되어도 된다. 실란 커플링제를 첨가함으로써, 가라앉음 제어층(30)의 일부가 적층 광학 구조체(20)의 무기 증착층(23)과 접촉하고 있는 경우라도, 실란올 결합을 발생시킴으로써 적층 광학 구조체(20)와의 접착의 안정성이 향상된다. 실란올 결합에 의해, 가라앉음 제어층의 내열성, 내용제성도 향상된다. 또한, 가라앉음 제어층(30)의 일부가 적층 광학 구조체(20)의 래커층(22)과 접촉하고 있는 경우, 래커층(22)의 표면에 존재하는 래커층(22)에 첨가한 실란 화합물과의 밀착성도 향상된다.
가라앉음 제어층(30)에는, 보조제로서 이소시아네이트가 첨가되어도 된다. 이소시아네이트를 첨가함으로써, 가라앉음 제어층(30) 중 래커층(22) 및 피복층(24)에 접하는 부위에서 우레탄 결합이 발생하여, 밀착성, 내열성, 내용제성 등이 향상된다. 가라앉음 제어층(30)은, 형광성을 가져도 된다. 형광성은, 수지나 폴리머가 형광 분자 구조를 갖거나, 수지에 형광제가 첨가되거나, 수지나 폴리머가 형광 분자 구조를 갖고 수지에 형광제가 첨가됨으로써 실현될 수 있다.
가라앉음 제어층(30)의 두께는, 0.5㎛ 이상 3㎛ 이하의 범위로 할 수 있다.
접착층(40)은, 피착체에 대하여 접착성을 발휘하는 수지 성분과, 수지 성분 중에 첨가된 스페이서 입자 및 분체 필러를 갖는다. 분체 필러는 필수적이지 않다. 접착층(40)에 있어서의 분체 필러의 함유 비율(중량비)은, 수지 성분의 0.1% 이상 100% 이하의 범위로 할 수 있다.
수지 성분으로서는, 공지된 각종 접착제나 점착제 등을 사용할 수 있다. 수지 성분으로서, 아크릴 수지가 사용되어도 된다. 아크릴 수지는 폴리메틸메타크릴레이트 등으로 할 수 있다. 핫 스탬핑박(1)이 유가 증권 등에 적용되는 경우, 전사 대상의 재질이 종이, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등으로 되는 경우가 많다. 수지 성분을 아크릴 수지로 한 경우, 적은 열량으로 전사 가능하게 되고, 이들 전사 대상에 대한 전사 프로세스에 있어서 단시간의 열가압으로 전사를 행할 수 있다. 이에 의해 전사의 스루풋이 향상된다. 본 발명에 관한 전사 프로세스에 있어서 「단시간의 열가압」이란, 일반적으로 90 내지 130℃에서 1초 미만으로의 열가압을 의미한다. 따라서, 접착층(40)의 수지 성분으로서는, 아크릴 수지 이외의, 융점이 60℃ 내지 130℃의 사이에 있는 열가소 수지를 사용할 수 있다. 이 경우, 더 단시간으로의 열가압으로 전사가 가능하다.
아크릴 수지 이외의 적합한 열가소 수지로서는, 비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리우레탄계 수지 등으로 할 수 있다. 비닐계 수지는, 염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올 등으로 할 수 있다. 폴리스티렌계 수지는, 폴리스티렌, 스티렌ㆍ아크릴로니트릴 공중합체, 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 등으로 할 수 있다. 또한 이들 중 2종류 이상을 공중합한 수지여도 된다. 또한, 상기 수지 중에는, 에스테르 결합, 우레탄 결합, 에테르 결합, 아민 결합, 실란올 결합 등을 포함하고 있어도 되고, 이들 결합에 관한 관능기를 갖는 2종류 이상의 수지의 화학 구조의 일부를 가교시켜도 된다. 이들 결합에 의해 분자량을 조정할 수 있고, 연화 온도나 점탄성, 내용제성 등을 조정할 수 있다. 또한, 열가소 수지는 공중합체여도 된다. 또한, 열가소 수지는 변성되어 있어도 된다. 접착층(40)은, 형광성을 가져도 된다. 형광성은, 수지나 폴리머가 형광 분자 구조를 갖거나, 수지에 형광제가 첨가되거나, 수지나 폴리머가 형광 분자 구조를 갖고 수지에 형광제가 첨가됨으로써 실현될 수 있다.
수지 성분에 의해 규정되는 접착층(40)의 두께는, 가라앉음 제어층(30)보다 두껍게 할 수 있다. 접착층(40)의 두께는, 2㎛ 이상 10㎛ 이하의 범위로 할 수 있다.
스페이서 입자(41)는, 접착층(40)의 두께보다 큰 평균 입경을 갖는다. 또한, 스페이서 입자(41)의 평균 입경은, 접착층(40)의 두께와 가라앉음 제어층(30)을 더한 총 두께보다 크며, 또한 총 두께의 2배 이하로 할 수 있다. 스페이서 입자(41)의 평균 입자경은, 1 이상 10㎛ 이하의 범위로 할 수 있다. 본 발명에 있어서, 입자의 평균 입자경이란, 도포 전이라면, 레이저 회절ㆍ산란식 입자경 분포 측정 장치(마이크로트랙 BlueRaytrac 마이크로트랙ㆍ벨 가부시키가이샤제 등)를 사용하여 측정할 수 있으며, 체적 평균 입자경을 의미한다. 도포 후라면, 전자 현미경의 관찰 화상으로부터의 면적 평균 입자경에 의해 구할 수 있다.
스페이서 입자는, 2종류의 평균 입자경의 입자군을 블렌드해도 된다. 이때, 작은 스페이서 입자의 평균 입자경은, 1 내지 10㎛의 범위로 하고, 큰 스페이서 입자의 평균 입자경은, 10㎛ 이상 30㎛의 범위로 해도 된다. 2종류의 평균 입자경의 입자군을 블렌드할 때, 큰 스페이서 입자의 입자군의 체적 비율은, 작은 스페이서 입자의 체적 비율보다 크게 할 수 있다. 큰 스페이서 입자의 입자군과 작은 스페이서 입자의 입자군의 체적 비율은, 1:50 이상 1:2 이하로 할 수 있다. 또한, 스페이서 입자(41)는, 2종류 이상의 평균 입자경의 입자군을 블렌드하여 구성되어도 된다.
스페이서 입자(41)는, 정형 입자 또는 부정형 입자로 할 수 있다. 정형 입자는 타원형 입자, 구형 입자로 할 수 있다. 정형 입자는, 안정된 갭을 유지하기 쉽다. 타원형 입자라면, 압력에 대하여 로버스트이다. 구형 입자라면, 압력에 대하여 일정한 반응이 얻어진다. 부정형 입자는, 비용을 저감할 수 있다. 또한, 입자경의 분산 상태는, 입자경이 일정하게 되어 있는 단분산의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 단분산이란, 일반적으로 CV값=(표준 편차/평균값)이 10% 이하인 것을 의미한다.
스페이서 입자(41)는, 무기, 내열 수지, 무기와 내열 수지의 컴포지트, 또는 천연 소재로 할 수 있다. 무기는, 무기 화합물, 순물질로 할 수 있다. 무기 화합물은, 실리카, 탄산칼슘, 탈크, 황산바륨, 마이카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 카올린 클레이, 제올라이트, 운모 등으로 할 수 있다. 순물질은, 카본 블랙으로 할 수 있다. 스페이서 입자(41)의 재질로서의 내열 수지는, 합성 수지 등이다. 합성 수지는, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지 등으로 할 수 있다. 천연 소재는 목분, 호박 등으로 할 수 있다. 또한, 스페이서 입자(41)의 무기와 내열 수지의 컴포지트는, 상기에 예시한 재료를 무기와 내열 수지의 각각으로 할 수 있다. 무기 재료는, 내열성, 내약품성을 얻기 쉽다. 합성 수지는, 내열성, 내약품성을 얻기 쉽다. 천연 소재는 환경 부하가 작다.
스페이서 입자(41)의 접착층(40)의 수지 성분에 대한 체적 비율은, 0.1% 이상 3% 이하의 범위로 할 수 있다.
분체 필러는, 평균 입자경이 나노 레벨인 분체이다. 무기 분체 필러의 재질로서는, 실리카나, 각종 금속 및 그의 산화물 등을 사용할 수 있다. 무기 분체 필러는, 용제로 열화되지 않는다. 또한, 무기 분체 필러는 저비용이다. 내열 수지 분체 필러는, 평균 입자경이 나노 레벨인 분체이다. 내열 수지 분체 필러의 재질로서의 내열 수지는, 합성 수지이다. 합성 수지는, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지 등으로 할 수 있다. 천연 소재는 셀룰로오스, 호박, 제올라이트, 운모 등으로 할 수 있다. 합성 수지는, 내열성, 내약품성을 얻기 쉽다. 천연 소재는 환경 부하가 작다.
무기 분체 필러, 내열 수지 분체 필러의 평균 입경으로서는, 10 내지 15나노미터(nm)로 할 수 있다. 무기 분체 필러, 내열 수지 분체 필러의 평균 입경은, 접착층(40)의 막 두께보다 작아도 된다. 본 개시에 있어서의 나노 레벨의 필러의 평균 입자경은, 도포 전이라면 동적 광산란식 입자경 분포 측정 장치(나노트랙 Nanotrac Wave 마이크로트랙ㆍ벨 가부시키가이샤제 등)를 사용하여 측정할 수 있으며, 체적 평균 입자경을 의미한다. 도포 후라면, 전자 현미경의 관찰 화상으로부터의 면적 평균 입자경에 의해 구할 수 있다.
무기 분체 필러, 내열 수지 분체 필러는, 부정형 입자로 할 수 있다. 또한, 무기 분체 필러의 입자경의 분산 상태는, 입자경이 일정하게 되어 있지 않은 다분산의 것을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 다분산이란, CV값=(표준 편차/평균값)이 10% 이상인 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 접착층(40)의 두께는, 접착층(40) 중, 수지 성분의 두께로 규정된다. 접착층(40)의 두께는, 주사형 전자 현미경에 의해 계측할 수 있다. 계측점의 수는, 실용적으로는 5점으로 할 수 있지만, 정밀하게는 30점으로 할 수 있고, 계측한 실측값의 평균값을 두께로 할 수 있다. 또는, 광학 현미경으로 마찬가지로 측정해도 된다. 핫 스탬핑박(1)의 다른 층의 두께도, 주사형 전자 현미경에 의해 계측할 수 있다. 이때의 계측점의 수는, 실용적으로는 5점으로 할 수 있지만, 정밀하게는 30점으로 할 수 있고, 계측한 실측값의 평균값을 두께로 할 수 있다. 또한, 마찬가지로 광학 현미경으로 측정해도 된다.
접착층(40)에는, 상기 열가소 수지, 스페이서 입자 및 분체 필러 이외에, 유리 전이점이 60℃ 이상인 폴리머가 포함되어 있어도 된다. 폴리머의 유리 전이점은, 60℃ 이상 150℃ 이하로 할 수 있다. 폴리머로서는, 1종류의 수지를 사용해도 되고, 복수의 수지의 혼합체를 사용해도 된다. 수지로서는 열가소 수지나 경화 수지를 사용할 수 있다. 폴리머는, 1종류의 모노머의 중합체나, 공중합체로 할 수 있다. 1종류의 모노머의 중합체로서는, 아크릴, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리아세트산비닐, 폴리스티렌 등으로 할 수 있다. 공중합체로서는, 염화비닐아세트산비닐 공중합체 등을 사용할 수 있다. 또한, 폴리머는, 테르펜 수지나, 로진 수지, 스티렌말레산 등의 저분자의 것을 폴리머 내에 포함해도 된다. 수지 성분의 열가소 수지와, 유리 전이점이 60℃ 이상인 폴리머의 비율은, 50:1 내지 5:1의 범위로 할 수 있고, 나아가 40:1 내지 6:1의 범위로 할 수 있다.
접착층(40)은, 파단 촉진 입자를 함유해도 된다. 파단 촉진 입자는, 적층 광학 구조체(20), 가라앉음 제어층(30), 접착층(40)을 포함하는 전사체를, 핫 스탬핑박(1)으로부터 전사 대상에 열전사할 때, 전사 영역과 그 이외의 영역의 경계에서 전사체가 파단되도록 한다. 파단이 불충분하고 전사체가 연신되어 전사 영역 외까지 연신된 경우, 연신 부분에서 수지 부스러기가 발생해 버린다. 파단 촉진 입자로서는, 스페이서 입자와 동일한 재질, 동일한 형상, 동일한 CV값의 것으로, 접착층과 가라앉음 제어층을 합한 층 두께보다 작은 입자경의 입자로 할 수 있다.
접착층(40)은, 수지 성분 및 스페이서 입자를 함유하는 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다. 도포액은 고형분이 완전히 용해되어 있는 것이어도 되고, 디스퍼전이나 에멀전과 같이, 고형분이 분산되어 있는 것이어도 된다. 도포는, 롤 코트, 리버스 롤 코트, 그라비아 코트, 리버스 그라비아 코트, 바 코트, 로드 코트, 립 코트, 다이 코트 등으로 할 수 있다. 또한, 인쇄를 도포에 적용해도 된다. 인쇄는, 그라비아, 스크린 인쇄로 할 수 있다. 도포액의 건조는, 고형분의 융점 이하의 온도에서 행하는 것이 바람직하다.
전사 대상은, 인쇄체로 할 수 있다. 인쇄체는, 전체면 또는 일부에 인쇄된 필름 또는 인쇄된 종이 또는 인쇄할 필름 또는 인쇄 용지 등이다. 인쇄체의 두께는, 0.05mm 이상 4mm 이하의 범위로 할 수 있다. 인쇄된 필름은, 베이스 필름과, 그 표면의 전체면 또는 일부에 앵커층이 코트되고, 코트된 앵커층에 인쇄된 것이다. 인쇄된 종이는, 상질지, 중질지, 코트지, 비코트지, 필름을 라미네이트한 종이, 수지 함침지 등에 인쇄된 것이다. 인쇄할 필름은, 베이스 필름 상에 인쇄를 수용하도록 앵커층이 코트된 플라스틱 필름이다. 인쇄된 필름, 인쇄할 필름의 베이스 필름에는, 플라스틱 필름을 적용할 수 있다. 플라스틱 필름은, 연신 필름 또는 비연신 필름으로 할 수 있다. 연신 필름 또는 비연신 필름 필름은, 폴리에스테르 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름으로 할 수 있다. 폴리머 필름은, 단층 또는 동일 재료 또는 이종 재료를 교대로 적층한 다층으로 할 수 있다. 인쇄는, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등으로 할 수 있다. 인쇄는, 잉크가 인쇄된 것으로 할 수 있다. 잉크는, 안료 잉크, 염료 잉크, 펄 잉크, 불가시 잉크로 할 수 있다. 불가시 잉크는 형광 잉크, 적외선 흡수 잉크로 할 수 있다. 전사 대상의 인쇄체는, 시큐리티 인쇄로 할 수 있다. 시큐리티 인쇄는, 지폐, 티켓, 태그, 시일, 게임 카드, 인증 카드, 인증 페이지, 상품권, 증명서, 포스터, 인사장, 비즈니스 카드 등으로 할 수 있다. 시큐리티 인쇄는, 위조, 개찬, 비밀로 되어야 할 정보의 훔쳐 읽기 등의 부정 방지 대책이나, 만일 그러한 부정이 우려되어도 부정의 유무의 판별을 용이하게 하는 대책, 및 위조 방지 대책이 필요로 되는 인쇄이다. 상기 인쇄 가능한 폴리머 필름 또는 인쇄된 폴리머 필름에 사용하는 앵커층은, 열가소 수지, 열경화 가능 수지, 또는 열가소 열경화 가능 수지로 할 수 있다. 앵커층의 수지는, 중합체, 공중합체로 할 수 있다. 앵커층의 중합체, 공중합체는, 폴리에틸렌, 에틸렌메타크릴산, 폴리에틸렌이민, 폴리우레탄으로 할 수 있다. 폴리에틸렌이민의 + 극성기나 - 극성기는, 에틸렌(메트)아크릴산 공중합체의 + 극성기나 - 극성기와의 결합에 의해, 적층 광학 장식체(25)와 높은 접착성을 초래한다. 또한, 전사 대상의 표면은, 공지의 표면 개질 처리에 의해, 표면을 개질할 수 있다. 전사 대상의 표면 개질 처리는, 핫 스탬핑박(1)과의 높은 접착성을 초래한다. 표면 개질 처리는, 코로나 방전 처리, 화염 처리, 오존 처리, 자외선 처리, 방사선 처리, 조면화 처리, 화학 약품 처리, 플라스마 처리, 저온 플라스마 처리 및 그래프트화 처리로 할 수 있다. 상기 전사 대상은 핫 스탬핑박(1)과 높은 밀착성을 갖는다. 핫 스탬핑박(1)은, 접착층(40)이 전사 대상과 접하도록 전사되고, 전사 후, 캐리어(10)는 박리된다. 적층 광학 구조체, 또는 전사 대상의 인쇄체, 적층 광학 구조체와 전사 대상의 인쇄체의 양쪽은 인쇄 가능하게 할 수 있다. 전사 대상에 핫 스탬핑박으로부터 적층 광학 구조체를 열전사한 후에, 적층 광학 구조체에, 또는 전사 대상의 인쇄체에, 적층 광학 구조체와 전사 대상의 인쇄체의 양쪽에 인쇄할 수 있다. 핫 스탬핑박을 사용하여 적층 광학 구조체를 인쇄체에 열전사하여 적층 광학 구조체 구비 인쇄체로 할 수 있다. 티켓이나 지폐나 카드나 책자, 포스터 등에서의 위조 방지나, 브랜드품이나 고급품 등의 일반적으로 고가인 것에 적층 광학 구조체를 열전사함으로써, 진정임을 증명 가능한 적층 광학 구조체 구비 인쇄체로 할 수 있다. 핫 스탬핑박은, 이들 요구에 효과적으로 따를 수 있고, 의장적으로도 우수한 시각 효과를 얻을 수 있다. 핫 스탬핑박(1)은, 인쇄체에 열전사 가능하다.
도 10 및 도 11에, 적층 광학 장식체 구비 인쇄체의 예를 도시한다. 도 10에 평면도로 도시하는 적층 광학 장식체 구비 인쇄체(100)는, 인쇄(101a)가 실시된 전사 대상의 지폐(인쇄체)(101)와, 지폐(101)에 전사된 핫 스탬핑박(1)의 적층 광학 장식체(25)를 구비한다. 지폐(101)에는, 패치 형상의 적층 광학 장식체(25A)와, 스트라이프 형상의 적층 광학 장식체(25B)의 2종류의 적층 광학 장식체가 전사되어 있지만, 이것은 일례이며, 어느 한쪽이어도 된다.
도 11은, 도 10의 부분 모식 단면도이다. 적층 광학 장식체(25A)는, 접착층(40)에 의해 지폐(101)에 접합되어 있다. 접착층(40) 내의 스페이서 입자(41)는, 가라앉음 제어층(30) 중에 가라앉아 있다. 적층 광학 장식체(25A)에는, 접착층(40)의 하면 및 적층 광학 장식체(25A)의 상면에 인쇄(102)가 형성되어 있다. 적층 광학 장식체에는, 어느 측에도 인쇄를 실시할 수 있다.
핫 스탬핑박(1)이 공업적으로 양산되는 경우, 긴 캐리어(10) 상에 적층 광학 구조체(20), 앵커층(30) 및 접착층(40)이 형성됨으로써, 캐리어(10)가 이어진 상태에서 핫 스탬핑박(1)이 제조된다. 이와 같이 제조된 핫 스탬핑박(1)은, 통상, 전사 대상에 전사될 때까지 롤형으로 감겨 보관된다.
핫 스탬핑박의 보관 중에 발생하는 문제로서, 블로킹이 있다. 블로킹은, 주로 보관 시에 핫 스탬핑박끼리 달라붙는 현상이며, 블로킹이 발생하면, 롤형으로 감긴 핫 스탬핑박이 조출될 때, 톱층이 캐리어로부터 박리되어 적층 광학 구조체의 일부 또는 전부가 하측(보다 내측에 감긴 부위)에 위치하는 캐리어 상에 잔류해 버린다. 그 결과, 블로킹이 발생한 핫 스탬핑박은, 불량으로 된다.
본 실시 형태의 핫 스탬핑박(1)에서는, 접착층(40)에 스페이서 입자를 혼합함으로써, 블로킹을 억제할 수 있다. 이하, 상세하게 설명한다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 스페이서 입자를 함유하지 않는 접착층(50)은, 접착성을 갖는 수지 성분이 전체면에 걸쳐 하측의 캐리어(10)와 접촉하기 때문에, 블로킹이 발생하기 쉽다. 접착층에, 수지 성분의 두께보다 큰 입경의 스페이서 입자를 넣으면, 스페이서 입자의 일부가 접착층 상에 돌출되기 때문에, 접착층의 수지 성분과 캐리어(10)의 접촉 면적이 감소한다.
도 3에는, 스페이서 입자(41)만을 함유하는 접착층(60)을 도시하고 있다. 스페이서 입자(41)의 일부가 돌출됨으로써, 접착층(60)의 수지 성분(61)과 캐리어(10)의 접촉 면적은 감소하지만, 스페이서 입자(41) 사이의 영역에서는, 여전히 수지 성분(61)과 캐리어(10)가 전체면에 걸쳐 접촉하고 있기 때문에, 블로킹 억제 효과가 충분하지 않은 경우가 있다.
도 4에는, 스페이서 입자(41) 및 분체 필러(42)를 함유하는 본 실시 형태의 접착층(40)을 도시하고 있다. 분체 필러(42)의 입경은 접착층(40)의 두께보다 작지만, 스페이서 입자(41)보다 다량으로 존재하고 있기 때문에, 스페이서 입자(41) 사이의 영역에 있어서, 일부의 분체 필러(42)의 표면이 수지 성분(45) 상에 돌출됨으로써, 수지 성분(45)과 캐리어(10)가 전체면에 걸쳐 접촉하는 것을 방지한다. 이에 의해, 본 실시 형태의 핫 스탬핑박(1)은, 백탁을 과도하게 증가시키지 않고 블로킹의 발생을 적합하게 억제할 수 있다.
상술한 효과를 발휘하기 위해서는, 스페이서 입자(41) 및 분체 필러(42)의 합계 중량에 있어서, 분체 필러가 차지하는 비율을 스페이서 입자보다 많게 하는 것이 필요하다. 구체적으로는, 스페이서 입자와 분체 필러의 중량비는, 1:20 내지 1:100이 바람직하고, 1:30 내지 1:50이 보다 바람직하다.
핫 스탬핑박(1)에 발생하는 다른 문제로서, 백탁이 있다. 상술한 바와 같이, 백탁은, 적층 광학 구조체(20)의 표면에 요철이 발생하고, 적층 광학 구조체(20)에 닿은 광이 산란함으로써 발생한다. 접착층에 첨가되는 스페이서 입자는, 적층 광학 구조체(20)의 표면에 요철이 발생하는 원인으로 될 수 있다.
종래, 핫 스탬핑박에 있어서의 앵커층에는, 수지 및 무기 재료 중 어느 것에 대해서도 밀착성이 좋은 염화비닐아세트산비닐 공중합체가 많이 사용되고 있다. 그러나, 염화비닐아세트산비닐 공중합체는 유연성이 부족한 수지이기 때문에, 스페이서 입자를 첨가한 접착층과의 조합에서는 전사 시에 스페이서 입자가 앵커층을 뚫어버리는 경우가 있다. 앵커층을 꿰뚫고 나간 경질의 스페이서 입자가 적층 광학 구조체를 변형시키면, 적층 광학 구조체(20)의 표면에 요철이 발생하여, 백탁의 원인으로 된다.
이상 설명한 바와 같이, 백탁을 방지한다는 관점에서는, 종래의 앵커층에 상당하는 층이 어느 정도 유연성을 갖는 것이 바람직하기는 하지만, 지나치게 유연하면, 스페이서 입자가 앵커층 중에 과도하게 묻혀 버려, 블로킹 억제 효과를 충분히 발휘할 수 없다.
발명자는, 블로킹 억제 효과와 백탁 방지 효과를 양립하기 위해 검토를 거듭한 결과, 적층 광학 구조체와 접착층의 사이에, 연질 수지와 변형 제한제를 함유하는 가라앉음 제어층을 마련하고, 열압 시에 있어서의 스페이서 입자의 가라앉음양을 소정 범위로 하는 것이 유효하다는 것을 알아냈다.
도 5에 핫 스탬핑박(1)에 있어서의 온도 변화의 개념도를 도시한다. 온도 t가 도 5에 도시하는 t1 내지 t2인 보관 중에는, 연질 수지, 변형 억제제 모두 연화되어 있지 않기 때문에, 스페이서 입자(41)에 의해, 블로킹이 적합하게 방지된다. 시각 P1에 전사가 개시되면, 핫 스탬핑박(1)의 온도는, 전사가 종료되는 시각 P2까지의 1초 전후의 사이에, 전사 온도 t4에 가까운 온도까지 급격하게 상승한다. 온도 t가 도 5에 도시하는 t2 내지 t3인 전사 초기에는, 연질 수지는 연화되지만, 변형 억제제는 연화되어 있지 않다. 그 후, 온도 t가 도 5에 도시하는 t3을 초과하는 전사 후기에 도달하면, 변형 억제제가 연화되고, 스페이서 입자(41)가 가라앉음 제어층(30) 중에 가라앉는 상태로 된다. 그 결과, 스페이서 입자(41)의 이동을 가라앉음 제어층(30)이 적합하게 흡수하여, 백탁의 발생을 적합하게 방지한다.
핫 스탬핑박에 열압을 가하였을 때 가라앉음 제어층(30)의 유연성이 충분하지 않은 경우, 스페이서 입자에 눌려도 가라앉음 제어층(30)은 거의 변형되지 않으므로, 스페이서 입자가 가라앉음 제어층(30) 중에 가라앉는 일은 없다. 그 결과, 수지 성분으로부터의 스페이서 입자(41)의 돌출량은, 열압 부하의 전후에서 거의 변화하지 않는다. 접착층(40)의 두께 방향의 최대 치수는, 오로지 스페이서 입자의 돌출량에 의해 규정되기 때문에, 이 경우, 핫 스탬핑박의 총 두께는, 열압 부하의 전후에서 거의 변화하지 않는다.
이에 비해, 열압 시에 가라앉음 제어층(30)이 충분히 유연한 경우에는, 가라앉음 제어층(30)의 일부가 스페이서 입자(41)에 눌려 변형되어, 스페이서 입자(41)의 일부가 가라앉음 제어층(30) 중에 가라앉는다. 그 결과, 열압 부하 후에 있어서의 수지 성분으로부터의 스페이서 입자(41)의 돌출량은, 가라앉은 양에 따라 감소한다. 이에 수반하여 핫 스탬핑박의 총 두께도, 열압 부하 후에 감소한다. 따라서, 열압 전후에 있어서의 핫 스탬핑박의 총 두께의 차분을 측정함으로써, 열압 시에 있어서의 스페이서 입자의 가라앉음양을 특정하는 것이 가능하다.
발명자의 검토에서는, 스페이서 입자의 과부하 열압 시의 가라앉음양에 대한 스페이서 입자의 전사 열압 시의 가라앉음양을 20% 이상 60% 이하의 범위로 함으로써, 블로킹 억제 효과와 백탁 방지 효과를 최대한 양립할 수 있음이 확인되었다. 이것은, 발명자가 처음으로 발견한 새로운 지견이다. 또한, 이때, 분체 필러는 반드시 필수는 아니며, 접착층이 스페이서 입자만을 함유하는 구성이어도 된다.
필러의 가라앉음양을 측정하기 위한 열압 조건은, 보관 중에 있어서의 창고 내의 상황을 모방한, 기온 40℃ 내지 80℃, 보관 중에 있어서의 감기 상태에 따라 핫 스탬핑박에 걸리는 부하를 모방한, 1 내지 4kg의 하중 부하의 범위 내에서 열압 조건이 설정되며, 특히 60℃에서의 2kg 가중으로 평가할 수 있다. 이것은, 보관 시의 가장 가혹한 조건을 고려하여 설정되는 것이다.
이상의 기재와 같이, 핫 스탬핑박(1)은, 가라앉음 제어층(30) 및 접착층(40)의 구성에 의해, 종래 곤란하였던 블로킹의 방지와 백탁 결함의 방지의 양립을 실현할 수 있다.
<실시예>
본 실시 형태의 핫 스탬핑박에 대하여, 실시예 및 비교예를 사용하여 더 설명한다. 단, 본 발명의 기술적 범위는, 이들 실시예의 구체적 내용에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
우선, 각 층의 재료에 대하여 나타낸다. 이후의 기재에 있어서, 「부」는, 특별히 언급하지 않는 한, 질량부를 의미한다.
(캐리어)
PET 필름(두께 38㎛)(상품명 루미러, 도레이 가부시키가이샤제)
(톱층 형성용 잉크)
폴리아미드이미드 수지 19.2부
폴리에틸렌 파우더 0.8부
디메틸아세트아미드 45.0부
톨루엔 35.0부
(래커층 형성용 잉크)
우레탄 수지 20.0부
메틸에틸케톤 50.0부
아세트산에틸 30.0부
(피복층 형성용 잉크)
염화비닐아세트산비닐 공중합체 65.6부
폴리에틸렌 수지 2.9부
폴리우레탄 수지 8.2부
디메틸아세트아미드(DMAC) 23.3부
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 A)
EMAA(디스퍼전, 연화 온도 62℃) 47.8부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(도모에 고교제 E15/45M tg 73℃) 7.1부
유기 실란 화합물(실란 커플링제) 2.4부
이소시아네이트 1.4부
에탄올 11.9부
메틸에틸케톤 15.4부
톨루엔 14.0부
(접착층 형성용 잉크 A)
아크릴 수지(수지 성분) 36.9부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 0.9부
소포제 0.2부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 8.0㎛ 레이저법에 의한 측정) 1.1부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정)
50.1부
메틸에틸케톤 9.4부
톨루엔 1.5부
이하에 핫 스탬핑박의 작성 방법을 기재한다. 상기 캐리어의 한쪽 면에, 상기 톱층 형성용 잉크를 건조 후의 막 두께(드라이 막 두께)가 1㎛로 되도록 도포 건조하여, 톱층을 형성하였다.
이어서, 톱층 상에 상기 래커층 형성용 잉크를 드라이 막 두께가 1㎛로 되도록 도포 건조한 후, 롤 엠보싱법으로 회절 격자를 구성하는 릴리프 구조를 래커층의 표면에 형성하였다.
계속해서, 래커층 상에, 알루미늄을 50nm의 막 두께로 되도록 진공 증착하여, 무기 퇴적층을 형성하였다.
계속해서, 무기 퇴적층 상에, 상기 피복층 형성용 잉크를, 드라이 막 두께가 1㎛로 되도록 도포 건조하여, 피복층을 형성하였다.
이상에 의해, 캐리어 상에 적층 광학 구조체를 형성하였다.
그 후, 적층 광학 구조체 상에, 상기 앵커층 형성용 잉크 A를 드라이 막 두께가 1 내지 2㎛로 되도록 도포 건조하여, 앵커층을 형성하였다.
또한, 앵커층 상에, 상기 접착층 형성용 잉크 A를, 고형분의 드라이 막 두께가 4 내지 5㎛로 되도록 도포 건조하여, 접착층을 형성하였다.
이상에 의해, 실시예 1의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(실시예 2)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 B를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 B)
폴리에스테르우레탄 수지(도요보사제 UR-8200 tg 73℃) 31부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 13.8부
메틸에틸케톤 27.6부
톨루엔 27.6부
(실시예 3)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 C를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 C)
폴리에스테르우레탄 수지(도요보사제 UR-8300 tg 23℃) 31부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 13.8부
메틸에틸케톤 27.6부
톨루엔 27.6부
(실시예 4)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 D를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 4의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 D)
폴리에스테르우레탄 수지(도요보사제 UR-8700 tg 22℃) 31부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 13.8부
메틸에틸케톤 27.6부
톨루엔 27.6부
(실시예 5)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 E를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 5의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 E)
EMAA(디스퍼전(평균 입자경 30㎛), 연화점 62℃) 57부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 8.6부
메틸에틸케톤 17.2부
톨루엔 17.2부
(실시예 6)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 F를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 6의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 F)
결정성 폴리에스테르(디스퍼전, Tg -14℃) 40부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 12부
메틸에틸케톤 24부
톨루엔 24부
(실시예 7)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 G를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 7의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 G)
폴리아미드계 엘라스토머(연화 온도 142±5℃) 8부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 12부
메틸에틸케톤 40부
톨루엔 40부
(실시예 8)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 H를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 8의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 H)
폴리아미드계 엘라스토머(T&K TOKA사제 TPAE-12) 8부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 12부
메틸에틸케톤 40부
톨루엔 40부
(실시예 9)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 I를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 9의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 E)
폴리아미드계 엘라스토머(T&K TOKA사제 TPAE-31 융점 114℃) 5.7부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 8.6부
메틸에틸케톤 17.2부
톨루엔 42.85부
에탄올 25.65부
(실시예 10)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 J를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 10의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 J)
EMAA(디스퍼전, 연화 온도 62℃) 57부
셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(이스트만 케미컬사제 CAP-504-0.2 tg 159℃) 8.6부
에탄올 17.2부
톨루엔 17.2부
(실시예 11)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 K를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 11의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 K)
EMAA(디스퍼전, 연화 온도 62℃) 57부
테르펜페놀 수지(야스하라 케미컬사제 YS 폴리스타 T160 연화점 160±5℃)
8.6부
메틸에틸케톤 34.4부
(실시예 12)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 L을 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 12의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 L)
아크릴 수지(도요 잉크사제 BPS6458 tg -37℃) 61.6부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(닛신 가가쿠 고교사제 솔바인 A tg 76℃)
3.1부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 4.6부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10.0부
(실시예 13)
접착층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 B를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 13의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 B)
에틸렌(메트)아크릴산 공중합체 디스퍼전 용액
(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제 뉴크렐 AN4213C 융점 88℃ 분산 용제 톨루엔/아세트산에틸) 91.5부
실리카(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 4004) 0.2부
나노실리카 분산액(닛산 가가쿠제 MEK-ST) 6.1부
메틸에틸케톤 2.2부
(실시예 14)
접착층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 C를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 14의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 C)
아크릴 수지 26.9부
폴리에스테르 수지 0.7부
소포제 0.1부
실리카 0.8부
나노실리카 23.5부
메틸에틸케톤 6.9부
톨루엔 1.1부
에틸렌(메트)아크릴산 공중합체 디스퍼전 용액
(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제 뉴크렐 AN4213C 융점 88℃ 분산 용제 톨루엔/아세트산에틸) 40부
(비교예 1)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 O를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 비교예 2의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 O)
염화비닐아세트산비닐 공중합체(E15/45M) 20부
메틸에틸케톤 40부
톨루엔 40부
(비교예 2)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 P를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 비교예 3의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 P)
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A) 20부
메틸에틸케톤 40부
톨루엔 40부
각 실시예의 핫 스탬핑박에 대하여, 이하의 항목의 평가를 행하였다.
(열압 시 스페이서 입자 가라앉음양의 측정)
핫 스탬핑박을 8매 겹치고, 두께 방향의 양측을 PET 시트로 집었다. 이 상태에서, 2kgf/㎠, 60℃의 열압 조건에서 20분간 열압을 가하였다(테스터 산교제 히트 시일 테스터 TP-701C 사용).
열압 전후의 핫 스탬핑박의 합계 두께를, 무작위로 설정한 5개소에서 측정하고, 이하의 방법에 의해 가라앉음양을 산출하였다.
핫 스탬핑박을 8매 겹치고, 또한 PET로 집은 상기와 동일한 샘플을, 115℃, 0.42t/㎠의 조건(과부하 열압)에서 60초간 열압을 가하였을 때의 막 두께의 감소분을, 100%의 가라앉음의 값으로 한다. 이 값에 대하여, 2kgf/㎠, 60℃(전사 열압)에서 열압을 가하였을 때의 막 두께의 감소분을 산출한 것을, 스페이서 입자의 가라앉음양의 값으로 하였다.
상기 산출은 5개소 각각에서 행하고, 그 평균값을 채용하였다.
(보존 조건 하에 있어서의 블로킹의 평가)
100m 감은 롤형의 PET의 외주면 상에, 길이 100mm, 폭 24mm로 자른 각 예의 핫 스탬핑박을 길이 방향으로 1000매 배열하고, 총 100m 핫 스탬핑박을 감은 상태로 하였다. 이것을 60℃에서 24시간 보관하고, 추가로 실온 하에 12시간 보관한 후, 핫 스탬핑박을 취출하였다. 두께 방향으로 겹쳐진 핫 스탬핑박을 순차적으로 분리하고, 이하의 2단계로 평가하였다.
○(good): 적층 광학 구조체가 하측의 핫 스탬핑박의 캐리어에 첩부된 것이 보이지 않음
×(bad): 적층 광학 구조체의 적어도 일부가 하측의 핫 스탬핑박의 캐리어에 첩부된 것이 보임
(전사 후에 발생하는 백탁 결함의 평가)
두께 약 200㎛의 상질지를 전사 대상으로 하여, 각 예의 핫 스탬핑박을 판면 온도 115℃, 압력 1.05t/㎠, 가압 시간 0.3초의 조건에서 전사하였다. 그 후, 반사 농도계(RD918 맥베스제, 측정 면적 φ2mm)를 사용하여 전사된 적층 광학 구조체의 표면의 반사 농도(절대 농도, 컬러 채널 K)를 측정하였다. 평가는 이하의 2단계로 하였다.
○(good): 백탁의 결함 없음(반사 농도 1.75 이상)
×(bad): 백탁의 결함 있음(반사 농도 1.75 미만)
참고로서, 백탁의 결함 없음의 사진을 도 6에, 백탁의 결함 있음의 사진을 도 7에, 각각 도시한다.
결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 스페이서 입자의 과부하 열압 시의 가라앉음양에 대한 스페이서 입자의 전사 열압 시의 가라앉음양이 20% 이상 60% 이하인 각 실시예의 핫 스탬핑박에 있어서는, 블로킹 방지와 전사 시 백탁의 억제가 양립되어 있었다.
한편, 스페이서 입자의 과부하 열압 시의 가라앉음양에 대한 스페이서 입자의 전사 열압 시의 가라앉음양이 20% 미만인 비교예 1 및 2에서는, 전사 열압 시에도 가라앉음 제어층이 단단하기 때문에, 스페이서 입자가 가라앉음 제어층을 꿰뚫고 나가, 백탁이 발생하였다.
또한, 실시예 10 및 11에 나타나는 바와 같이, 가라앉음 제어층에 염화비닐아세트산비닐 공중합체를 사용하지 않아도, 스페이서 입자의 과부하 열압 시의 가라앉음양에 대한 스페이서 입자의 전사 열압 시의 가라앉음양을 20% 이상 60% 이하로 함으로써, 블로킹 방지와 전사 시 백탁의 억제를 양립할 수 있음을 보여준다.
계속해서, 실시예의 제2 그룹에 대하여 설명한다. 제2 그룹의 실시예에 있어서는, 가라앉음 제어층이, 유리 전이점이 110℃ 이하인 고 유리 전이 온도 중합체의 변형 제한제를 함유한다.
이하의 실시예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 도 8에 도시한다. 핫 스탬핑박은 리본형이며, 롤의 폭 w1은 20mm이다. 전사 대상에 전사되는 적층 광학 구조체(20)는, 장축 15mm, 단축 12mm의 타원형의 패치 형상이다. 전사되는 적층 광학 구조체(20)의 사이의 간격 p1은 3mm이다. 단위 길이 u1(15mm)의 핫 스탬핑박에 있어서의 적층 광학 구조체의 면적 비율은 30 내지 40%이다.
(실시예 2-1)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-1의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA)
연질 수지: 아크릴 수지(tg -46℃) 63.0부
변형 제한제: 염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃)
2.0부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
4.3부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-2)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BC를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-3의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BC)
아크릴 수지(tg -46℃) 64.0부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 1.9부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 3.4부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-3)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BD를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-4의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BD)
아크릴 수지(tg -46℃) 62.5부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.2부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 3.6부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-4)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BE를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-5의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BE)
아크릴 수지(tg -46℃) 63.3부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.1부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 2.9부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-5)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BF를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-6의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BF)
아크릴 수지(tg -46℃) 63.6부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.2부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 2.5부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-6)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BG를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-7의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BG)
아크릴 수지(tg -46℃) 64.3부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.1부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 1.9부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-7)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BH를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-8의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BH)
아크릴 수지(tg -37℃) 64.3부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.1부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 1.9부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
(실시예 2-8)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 BA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 BI를 사용한 점을 제외하고, 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 2-9의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 BI)
아크릴 수지(tg 20℃) 64.3부
염화비닐아세트산비닐 공중합체(솔바인 A tg 76℃) 3.1부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 1.9부
메틸에틸케톤 20.7부
톨루엔 10부
제2 그룹의 실시예에 대하여, 전사 품질 및 적층 광학 구조체에 발생하는 백탁을 평가하였다. 백탁은, 제1 그룹(실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 3)과 마찬가지의 수순으로 평가하였다. 전사 품질은 이하의 요령으로 평가하였다.
(전사 품질)
두께 약 200㎛의 상질지를 전사 대상으로 하였다. 핫 스탬핑박과 전사 대상을 폭 20mm×길이 200mm로 절단하고, 판면 온도 115℃, 압력 1.05t/㎠, 가압 시간 0.3초의 조건에서 길이 방향 30mm 간격으로 전사하였다. 텐실론 STA1225(ORIENTEC제)를 사용하여, 1kN 100%, 1000mm/min으로 90도 방향으로 인장하고, 적층 광학 구조체의 주위에 발생한 버 부분의 길이를 측정하였다. 평가는 이하의 2단계로 하였다.
○(good): 버 부분의 길이 5mm 이하
×(bad): 버 부분의 길이 5mm 이상
결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 표 2에는 나타나지 않았지만, 제2 그룹의 실시예에 관한 핫 스탬핑박은, 모두 블로킹이 적합하게 방지되어 있었다.
핫 스탬핑으로 부분적으로 형성된 적층 광학 장식체를 전사 대상에 전사하는 경우, 일반적으로 플랫 핫 스탬핑이 채용되며, 핫 스탬핑 시에 전사 영역의 주연에 버가 발생하기 쉽다.
또한, 플랫 핫 스탬핑에서는, 전사 영역에 열압이 집중되기 때문에, 전사 영역에 걸리는 압력이 커지는 경향이 있으며, 백탁이 발생하기 쉽다.
제2 그룹의 실시예에 있어서는, 전사 품질 및 백탁 억제의 어느 것에 대해서도 양호하였다.
가라앉음 제어층의 변형 제한제가, 연화 온도가 90℃ 이상 130℃ 이하인 고 유리 전이 온도 중합체인 경우, 핫 스탬핑 시에 전사 영역의 내측에서는 고 유리 전이 온도 중합체가 연화되고, 고탄성으로 되는 것에 비해, 전사 영역의 외측에서는, 고 유리 전이 온도 중합체는 연화되지 않기 때문에 탄성은 낮은 채로 된다. 그 때문에, 핫 스탬핑의 최종 공정에서 캐리어를 박리하고, 전사 영역 내의 적층 광학 구조체만 전사할 때, 가라앉음 제어층의 전사 영역의 경계의 고 유리 전이 온도 중합체에 응력이 집중됨으로써, 가라앉음 제어층의 전사 영역의 경계가 확실하게 파단되어, 전사 시의 버가 억제되었다고 생각된다.
또한, 가라앉음 제어층의 변형 제한제가 고 유리 전이 온도 중합체인 경우, 핫 스탬핑 시에, 전사 영역 내의 변형 제한제도 연화됨으로써, 전사 영역 내에 있어서의 접착층의 스페이서 입자에 집중되는 압력을 가라앉음 제어층이 적합하게 흡수하여, 백탁이 방지되었다고 생각된다.
이어서, 실시예 및 비교예의 제3 그룹에 대하여 설명한다. 제3 그룹의 실시예에 있어서는, 가라앉음 제어층의 연질 수지가 결정성 수지인 구성으로 되어 있다.
이하의 실시예 및 비교예에 있어서의 핫 스탬핑박의 양태를 도 9에 도시한다. 핫 스탬핑박 롤의 폭 w1은 8mm이다. 전사 대상에 전사되는 적층 광학 구조체(20)는, 짧은 변 8mm, 긴 변 60mm의 직사각형이며, 핫 스탬핑박의 폭 방향에 걸쳐 적층 광학 구조체(20)가 형성되어 있다. 전사되는 적층 광학 구조체(20)의 사이의 간격 p2는 15mm이다. 단위 길이 u2(75mm)의 핫 스탬핑박에 있어서의 적층 광학 구조체의 면적 비율은 80%이다.
(실시예 3-1)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 A 및 접착층 형성용 잉크 A 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 및 접착층 형성용 잉크 CA를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-1의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 100℃), 디스퍼전 용액) 62.4부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100) 3.8부
메틸에틸케톤 33.8부
(접착층 형성용 잉크 CA)
아크릴 수지(수지 성분) 49.2부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 8.0㎛ 레이저법에 의한 측정)
1.4부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 14.0㎛ 레이저법에 의한 측정)
0.9부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정)
32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
(실시예 3-2)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CB를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-2의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CB)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 100℃), 디스퍼전 용액)
66.7부
염화비닐아세트산비닐 공중합체 2.7부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
2.0부
메틸에틸케톤 28.6부
(실시예 3-3)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CC를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-3의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CC)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 100℃), 디스퍼전 용액)
76.9부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
2.3부
메틸에틸케톤 20.8부
(실시예 3-4)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CD를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-4의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CD)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 100℃), 디스퍼전 용액)
62.4부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
3.8부
메틸에틸케톤 33.8부
(실시예 3-5)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CE를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-5의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CE)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 107℃), 디스퍼전 용액)
60.4부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
5.8부
메틸에틸케톤 33.8부
(실시예 3-6)
가라앉음 제어층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 가라앉음 제어층 형성용 잉크 CF를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-6의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(가라앉음 제어층 형성용 잉크 CF)
결정성 폴리에스테르(연질 수지(융점 111℃), 디스퍼전 용액)
62.4부
실리카 필러(후지 실리시아 가가쿠사제 사일로포빅 100)
3.8부
메틸에틸케톤 33.8부
(실시예 3-7)
접착층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 CB를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-7의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 CB)
아크릴 수지(수지 성분) 49.2부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
실리카(파단 촉진 입자, 평균 입경 3.4 내지 5.5㎛, 애스펙트비 30 내지 50, 레이저법에 의한 측정) 1.4부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 14.0㎛ 레이저법에 의한 측정)
0.9부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정)
32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
(실시예 3-8)
접착층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 CC를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-8의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 CC)
아크릴 수지(수지 성분) 49.2부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
실리카(파단 촉진 입자, 평균 입경 2.7㎛ 레이저법에 의한 측정)
1.4부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 14.0㎛ 레이저법에 의한 측정)
0.9부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정) 32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
(실시예 3-9)
접착층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 CD를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-9의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 BD)
아크릴 수지(수지 성분) 49.2부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 5.3㎛ 레이저법에 의한 측정)
1.4부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 8.84㎛ 레이저법에 의한 측정)
0.9부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정) 32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
(실시예 3-10)
접착층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 CE를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 실시예 3-10의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 CE)
아크릴 수지(수지 성분) 49.2부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 6.6㎛ 레이저법에 의한 측정)
1.4부
실리카(스페이서 입자, 평균 입경 8.0㎛ 레이저법에 의한 측정)
0.9부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정) 32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
(비교예 3-1)
접착층 형성용 잉크 CA 대신에, 하기 접착층 형성용 잉크 CF를 사용한 점을 제외하고, 실시예 3-1과 마찬가지의 방법으로 비교예 3-1의 핫 스탬핑박을 제작하였다.
(접착층 형성용 잉크 CF)
아크릴 수지(수지 성분) 51.5부
폴리에스테르 수지(수지 성분) 1.3부
소포제 0.3부
나노실리카(무기 분체 필러, 평균 입경 10 내지 15nm 레이저법에 의한 측정) 32.3부
메틸에틸케톤 12.6부
톨루엔 2.0부
제3 그룹의 실시예 및 비교예에 대하여, 보존 조건 하에 있어서의 블로킹의 평가 및 저온 저압 조건에 있어서의 전사의 밀착성을 평가하였다. 보존 조건 하에 있어서의 블로킹은, 제1 그룹(실시예 1 내지 14 및 비교예 1 내지 3)과 마찬가지의 수순으로 평가하였다. 저온 저압 조건에 있어서의 전사의 밀착성은 이하의 요령으로 평가하였다.
(저온 저압 전사의 밀착성 평가)
두께 약 200㎛의 상질지를 전사 대상으로 하여, 각 예의 핫 스탬핑박을 판면 온도 100℃, 압력 0.4t/㎠, 가압 시간 0.3초의 조건에서 전사하였다. 전사 개소에 셀로판 테이프(니치반 LP-24)를 첩부 압착한 후, 1㎝/2.5초의 속도로, 전사면에 대하여 수직 방향으로 박리하였다. 박리 후의 셀로판 테이프를 흑색 PET 필름(도레이 루미러 188×30)에 첩부하고, 눈으로 보아 밀착 평가하였다. 박리된 점형의 적층 광학 구조체가, 밀집되어 부착되어 있는 경우에는 ×(밀착성에 문제 있음), 산재되어 있는 경우 또는 존재하지 않는 경우에는 ○(밀착성에 문제 없음)로 하였다. 이 기준은, 산재된 박리에서는 전사된 무늬의 외견에 미치는 영향이 작지만, 밀집되어 박리되면 전사된 무늬의 외견에 미치는 영향이 크다는 점에 기초한다.
결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 표 3에는 나타나지 않았지만, 제3 그룹의 실시예에 관한 핫 스탬핑박은, 모두 스페이서 입자의 과부하 열압 시의 가라앉음양에 대한 스페이서 입자의 전사 열압 시의 가라앉음양이 20% 이상 60% 이하이고, 전사 후의 백탁은 적합하게 억제되어 있었다.
제3 그룹의 실시예는, 핫 스탬핑박 중에서도 「스트라이프박」 등으로 불리는 경우가 있는 양태이다.
스트라이프박은, 적층 광학 구조체의 긴 변이 100mm 이상으로 길게 형성되거나, 복수의 적층 광학 구조체를 폭 방향으로 배열한 상태에서 전사되거나 하는 일이 많아, 전사 면적이 커지기 쉽다. 그 결과, 전사 시의 열압이 걸리기 어려워, 저온 저압 조건에서도 충분한 밀착성을 확보하여 전사되는 것이 중요하게 된다.
전사 대상에 대한 밀착성을 높이는 간편한 방법으로서는, 접착층의 태크성을 높이는 방법이나, 접착층의 융점을 낮추는 방법 등이 고려되지만, 이들 방법을 채용하면, 블로킹이 발생하기 쉬워지기 때문에, 블로킹 억제와의 양립은 매우 곤란하다.
제3 그룹의 각 실시예에 있어서는, 저온 저압 전사에 있어서의 높은 밀착성과, 블로킹의 억제가 양립되어 있었다. 이것은, 이하와 같은 메커니즘에 따른 것이라고 생각된다.
제3 그룹의 실시예에서는, 모두 가라앉음 제어층이 융점을 갖는 결정성 수지를 함유하고 있다. 따라서, 전사 시의 온도 조건을 고려하여 적절한 융점을 갖는 수지를 선택함으로써, 저온 저압 전사에 있어서도 가라앉음 제어층을 용융시킬 수 있다. 그 결과, 전사 시에 가라앉음 제어층이 용융되어, 전사 시의 열이 접착층에 전달되기 쉬워져, 높은 밀착성을 실현할 수 있다.
또한, 보관 시에 용융되지 않은 융점을 갖는 수지를 선택함으로써, 상술한 바와 같이 접착층의 스페이서 입자의 가라앉음을 적정하게 제어할 수 있기 때문에, 블로킹의 억제 효과도 동시에 얻을 수 있다.
접착층에 입자경이 상이한 3종류의 입자를 포함하는 실시예 3-1, 및 3-7 내지 3-10도 양호한 블로킹 억제를 보여 주었다. 이것은, 입경이 큰 입자가 입경이 작은 입자에 걸리는 압력을 저감시켜, 가라앉음 제어층에 유연한 수지를 적용해도, 보관 중에 입경이 작은 입자가 지나치게 가라앉지 않음에 따른 것이라고 생각된다. 직경이 큰 입자에는, 압력이 집중되기 쉽지만, 입자의 수를 적게 함으로써, 눈으로 볼 수 있을 정도의 백화의 발생을 억제할 수 있다.
이상으로부터, 제3 그룹의 실시예의 구성은, 스트라이프박의 구성에 특히 적합함을 보여준다.
1: 핫 스탬핑박
10: 캐리어
20: 적층 광학 구조체
25: 적층 광학 장식체
30: 가라앉음 제어층
40, 60: 접착층
41: 스페이서 입자
42: 분체 필러
45: 수지 성분
100: 적층 광학 장식체 구비 인쇄체
101: 지폐(인쇄체)
10: 캐리어
20: 적층 광학 구조체
25: 적층 광학 장식체
30: 가라앉음 제어층
40, 60: 접착층
41: 스페이서 입자
42: 분체 필러
45: 수지 성분
100: 적층 광학 장식체 구비 인쇄체
101: 지폐(인쇄체)
Claims (24)
- 전사 열압을 가함으로써 전사 대상에 전사되는 핫 스탬핑박이며,
베이스 필름 또는 코트된 베이스 필름의 캐리어와,
상기 캐리어 상에 형성된 적층 광학 구조체를 포함하는 적층 광학 장식체와,
연질 수지와 변형 제한제를 함유하고, 상기 적층 광학 구조체 상에 형성된 가라앉음 제어층과,
상기 가라앉음 제어층 상에 형성된 접착층
을 구비하고,
상기 접착층은,
상온보다 낮은 유리 전이 온도의 열가소 수지를 함유하고, 상기 접착층의 두께를 규정하는 수지 성분과,
상기 접착층의 두께보다 큰 입경을 갖고, 일부가 상기 수지 성분으로부터 돌출되는 스페이서 입자를 함유하고,
상기 스페이서 입자가, 전사 열압 후에 상기 가라앉음 제어층에 가라앉는, 핫 스탬핑박. - 제1항에 있어서,
상기 변형 제한제는, 상기 접착층의 두께보다 작은 입경의 무기 분체 필러 및 고 유리 전이 온도 중합체 중 적어도 한쪽을 포함하는,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 스페이서 입자의 평균 입경은, 상기 접착층의 두께와 상기 가라앉음 제어층의 두께의 합인 총 두께보다 크고, 상기 총 두께의 2배 이하인,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전사 열압 후에 있어서의 상기 스페이서 입자의 가라앉음양이, 과부하 열압 시에 있어서의 상기 스페이서 입자의 가라앉음양의 20% 이상 60% 이하인,
핫 스탬핑박. - 제1항에 있어서,
상기 변형 제한제가 염화비닐아세트산비닐 공중합체인,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연질 수지가 산 변성 폴리올레핀 수지인,
핫 스탬핑박. - 제6항에 있어서,
상기 산 변성 폴리올레핀 수지는, 폴리에틸렌과 (메트)아크릴산의 공중합 수지인,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연질 수지는, 아크릴 수지인,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 실란올 결합을 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 우레탄 결합을 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제1항에 있어서,
상기 변형 제한제는 고 유리 전이 온도 중합체를 포함하고,
상기 고 유리 전이 온도 중합체와 상기 연질 수지는 2상 상태로 상 분리되어 있고,
상기 고 유리 전이 온도 중합체는 연속상이고, 상기 고 유리 전이 온도 중합체의 유리 전이 온도는, 상기 연질 수지의 유리 전이 온도 이상인,
핫 스탬핑박. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 접착층은, 상기 접착층의 두께보다 작은 입경의 분체 필러를 함유하는,
핫 스탬핑박. - 전사 열압을 가함으로써 전사 대상에 전사되는 핫 스탬핑박이며,
베이스 필름 또는 코트된 베이스 필름의 캐리어와,
상기 캐리어 상에 형성된 적층 광학 구조체를 포함하는 적층 광학 장식체와,
상기 적층 광학 구조체 상에 형성된 가라앉음 제어층과,
상기 가라앉음 제어층 상에 형성된 접착층
을 구비하고,
상기 접착층은,
상기 접착층의 두께를 규정하는 수지 성분과,
상기 접착층의 두께보다 큰 입경을 갖고, 일부가 상기 수지 성분으로부터 돌출되는 스페이서 입자를 함유하고,
상기 전사 열압 후에 있어서의 상기 스페이서 입자의 가라앉음양이, 과부하 열압 시에 있어서의 상기 스페이서 입자의 가라앉음양의 20% 이상 60% 이하인,
핫 스탬핑박. - 제13항에 있어서,
상기 접착층은, 상기 접착층의 두께보다 작은 입경의 분체 필러를 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 염화비닐아세트산비닐 공중합 수지를 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제15항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 산 변성 폴리올레핀 수지를 더 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제15항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 폴리에틸렌과 (메트)아크릴산의 공중합 수지를 더 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 실란올 결합을 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 우레탄 결합을 함유하는,
핫 스탬핑박. - 제13항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층은, 융점을 갖는 수지로 형성되어 있는,
핫 스탬핑박. - 제20항에 있어서,
상기 융점이 111℃ 이하인, 핫 스탬핑박. - 제20항에 있어서,
상기 가라앉음 제어층이 필러를 함유하는, 핫 스탬핑박. - 제20항에 있어서,
상기 접착층이 아크릴 점착제를 함유하는, 핫 스탬핑박. - 제1항, 제2항, 제13항, 제14항 중 어느 한 항에 기재된 핫 스탬핑박을 사용하여 인쇄체에 상기 적층 광학 장식체가 열전사된, 적층 광학 장식체 구비 인쇄체.
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