KR102479994B1 - Cleaning method of capillary for wire bonder - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 제1 영역 상에 배치된 칩에 와이어를 본딩하는 캐필러리를 상기 기판의 제2 영역으로 이송시키는 것; 상기 캐필러리에서 인출된 상기 와이어의 끝단에 희생 범프 볼을 형성하는 것; 상기 희생 범프 볼이 상기 제2 영역에 접촉하는 것; 그리고, 상기 희생 범프 볼이 상기 제2 영역에 접촉된 상태에서 상기 캐필러리를 이동시켜, 상기 캐필러리를 클리닝하는 것을 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법에 관한 것이다.Transferring a capillary for bonding a wire to a chip disposed on a first area of a substrate to a second area of the substrate; forming a sacrificial bump ball at an end of the wire drawn out from the capillary; contacting the sacrificial bump ball with the second region; And, the present invention relates to a method for cleaning a capillary of a wire bonder including cleaning the capillary by moving the capillary in a state in which the sacrificial bump ball is in contact with the second region.

Description

와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법{Cleaning method of capillary for wire bonder}Method of cleaning capillary of wire bonder {Cleaning method of capillary for wire bonder}

본 발명은 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for cleaning a capillary of a wire bonder.

반도체 패키지의 크기가 점차 작아지고 그 두께도 줄어들고, 그에 따라서 와이어 본딩 공정에서 낮은 루프 높이(loop height)를 실현하기 위한 다양한 방법들이 제안되어 왔다.As the size of semiconductor packages gradually decreases and their thickness decreases, various methods for realizing a low loop height in a wire bonding process have been proposed.

반도체 패키지에서는 와이어 본더를 이용하여 반도체 칩의 본딩 패드와 기판의 접속 패드 등을 와이어 연결하는 방법이 신뢰성이 높고, 저 비용으로 공정을 실현할 수 있기 때문에 아주 보편적으로 사용되고 있다.In a semiconductor package, a method of connecting a bonding pad of a semiconductor chip and a connection pad of a substrate with a wire using a wire bonder is highly reliable and is widely used because it can realize a process at low cost.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method for cleaning a capillary of a wire bonder.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법은, 기판의 제1 영역 상에 배치된 칩에 와이어를 본딩하는 캐필러리를 상기 기판의 제2 영역으로 이송시키는 것; 상기 캐필러리에서 인출된 상기 와이어의 끝단에 희생 범프 볼을 형성하는 것; 상기 희생 범프 볼을 상기 제2 영역에 접촉하는 것; 그리고 상기 희생 범프 볼이 상기 제2 영역에 접촉된 상태에서 상기 캐필러리를 이동시켜, 상기 캐필러리를 클리닝하는 것을 포함한다. In order to achieve the above object, a method for cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention includes a capillary for bonding a wire to a chip disposed on a first region of a substrate to a second region of the substrate. to transport; forming a sacrificial bump ball at an end of the wire drawn out from the capillary; contacting the sacrificial bump ball to the second region; and cleaning the capillary by moving the capillary while the sacrificial bump ball is in contact with the second area.

일 실시예에서, 상기 캐필러리를 클리닝하는 것은 상기 캐필러리를 왕복 이동시키는 것을 포함할 수 있다. In one embodiment, cleaning the capillary may include reciprocating the capillary.

일 실시예에서, 상기 왕복 이동은 직선 왕복 운동 또는 진자 운동을 포함할 수 있다. In one embodiment, the reciprocating motion may include linear reciprocating motion or pendulum motion.

일 실시예에서, 상기 캐필러리를 클리닝하는 것은 상기 캐필러리를 회전시키는 것을 포함할 수 있다. In one embodiment, cleaning the capillary may include rotating the capillary.

일 실시예에서, 상기 캐필러리를 이송시키는 것은 상기 와이어의 본딩의 횟수가 기 설정된 횟수 이상일 때, 상기 캐필러리를 상기 제2 영역으로 이송할 수 있다.In an embodiment, the capillary may be transferred to the second area when the number of times of bonding of the wire is equal to or greater than a preset number of times.

일 실시예에서, 상기 캐필러리를 이송시키는 것은 기 설정된 주기마다 반복하여, 상기 캐필러리를 상기 제2 영역으로 이송할 수 있다.In one embodiment, the transfer of the capillary may be repeated at predetermined intervals to transfer the capillary to the second area.

일 실시예에서, 상기 캐필러리를 클리닝한 후, 상기 제2 영역에 접촉된 상기 희생 범프 볼로부터 상기 와이어를 절단하는 것을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the method may further include cutting the wire from the sacrificial bump ball contacting the second area after cleaning the capillary.

일 실시예에서, 상기 와이어를 절단하는 것은 상기 캐필러리의 상부로 연장된 상기 와이어를 클램프로 클램핑한 상태에서 상기 캐필러리와 상기 클램프를 상측으로 이송시키는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment, cutting the wire may include transferring the capillary and the clamp upward while clamping the wire extending upward from the capillary with a clamp.

일 실시예에서, 상기 희생 범프 볼로부터 절단된 상기 와이어의 끝단에 예비 범프 볼을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the method may further include forming a preliminary bump ball at an end of the wire cut from the sacrificial bump ball.

일 실시예에서, 상기 희생 범프 볼로부터 절단된 상기 와이어를 상기 캐필러리로부터 인출하는 것을 더 포함하고, 상기 예비 범프 볼을 재형성하는 것은 상기 캐필러리로부터 인출된 상기 와이어의 끝단에 상기 예비 범프 볼을 형성하는 할 수 있다.In one embodiment, the method further includes drawing the wire cut from the sacrificial bump ball from the capillary, and reshaping the preliminary bump ball is attached to an end of the wire drawn from the capillary. Can form a bump ball.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. 본 발명은 별도의 클리닝 부재의 추가 없이 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝할 수 있다. 본 발명은 신속하게 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝할 수 있다. 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.According to the wire bonder capillary cleaning method of the present invention, one or more of the following effects are provided. According to the present invention, the capillary of the wire bonder can be cleaned without adding a separate cleaning member. The present invention can quickly clean the capillary of a wire bonder. The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정들을 나타낸 개략도들이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정을 나타낸 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정을 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram showing wire bonding according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method for cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.
3 to 12 are schematic diagrams illustrating processes of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.
13 is a schematic diagram illustrating a process of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.
14 is a schematic diagram illustrating a process of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to completely inform the person who has the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numbers designate like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.Terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, singular forms also include plural forms unless specifically stated otherwise in a phrase. As used herein, “comprises” and/or “comprising” means the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements in the stated component, step, operation, and/or element. or do not rule out additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used in a meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless explicitly specifically defined.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 와이어 본딩을 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to drawings for explaining wire bonding according to embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩을 나타낸 개략도이다.1 is a schematic diagram showing wire bonding according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 칩(20)은 기판(10)의 제1 영역(A) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 칩(20)은 기판(10)의 제1 영역(A) 상에 배치된 칩 패드(30) 상에 부착될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 칩(20)은 반도체 칩(20)일 수 있다. Referring to FIG. 1 , a chip 20 may be disposed on a first area A of a substrate 10 . For example, the chip 20 may be attached to the chip pad 30 disposed on the first region A of the substrate 10 . In one embodiment of the present invention, the chip 20 may be a semiconductor chip 20 .

칩(20)은 일정 부위에 적어도 하나의 본딩 패드(20a)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 칩(20)은 상부 가장 자리를 따라 복수의 본딩 패드들(20a)을 포함할 수 있다. 본딩 패드(20a)는 니켈 등의 금속 층 상에 배치된 금 도금 층을 포함할 수 있다.The chip 20 may include at least one bonding pad 20a at a certain portion. For example, the chip 20 may include a plurality of bonding pads 20a along an upper edge. The bonding pad 20a may include a gold plating layer disposed on a metal layer such as nickel.

절연막(40)은 칩(20)의 상부 일부를 덮을 수 있다. 예를 들면, 절연막(40)은 칩(20)의 본딩 패드(20a)를 외부로 노출시키면서 칩(20)의 상부를 덮을 수 있다. 이에 따라, 칩(20)의 상부 일부는 외부로부터 보호될 수 있다. The insulating layer 40 may cover an upper part of the chip 20 . For example, the insulating film 40 may cover the top of the chip 20 while exposing the bonding pad 20a of the chip 20 to the outside. Accordingly, an upper portion of the chip 20 may be protected from the outside.

기판(10)은 칩(20)이 배치되는 제1 영역(A)에서 이격된 영역(B)에 접속 패드(10a)가 배치될 수 있다. 접속 패드(10a)는 외부 회로 단자일 수 있다. 접속 패드(10a)는 니켈 등의 금속 층 상에 배치된 금 도금 층을 포함할 수 있다. In the substrate 10 , the connection pad 10a may be disposed in an area B spaced apart from the first area A where the chip 20 is disposed. The connection pad 10a may be an external circuit terminal. The connection pad 10a may include a gold plating layer disposed on a metal layer such as nickel.

와이어(50)는 기판(10)의 접속 패드(10a)와 칩(20)의 본딩 패드(20a)에 본딩될 수 있다. 와이어(50)는 금(Au) 또는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. The wire 50 may be bonded to the connection pad 10a of the substrate 10 and the bonding pad 20a of the chip 20 . The wire 50 may include gold (Au) or copper (Cu).

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더(1)는 캐필러리(100), 방전 토치(200) 및 클램프(300)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a wire bonder 1 according to an embodiment of the present invention may include a capillary 100, a discharge torch 200, and a clamp 300.

캐필러리(100)는 기판(10)의 제1 영역(A) 상에 배치된 칩(20)에 와이어(50)를 본딩할 수 있다. 예를 들면 캐필러리(100)는 칩(20)의 본딩 패드(20a) 상에 와이어(50)를 본딩할 수 있다. The capillary 100 may bond the wire 50 to the chip 20 disposed on the first region A of the substrate 10 . For example, the capillary 100 may bond the wire 50 to the bonding pad 20a of the chip 20 .

캐필러리(100)는 기판(10)에 형성된 접속 패드(10a)에 와이어(50)를 본딩할 수 있다. 이에 따라, 캐필러리(100)는 기판(10)의 접속 패드(10a)와 칩(20)의 본딩 패드(20a)를 와이어 본딩할 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서 캐필러리(100)는 서로 이격된 두개의 기판들(10)에 형성된 접속 패드들(10a)을 와이어 본딩할 수 있다. The capillary 100 may bond the wire 50 to the connection pad 10a formed on the substrate 10 . Accordingly, the capillary 100 may wire-bond the connection pad 10a of the substrate 10 and the bonding pad 20a of the chip 20 . Unlike this, in another embodiment, the capillary 100 may wire-bond the connection pads 10a formed on the two substrates 10 spaced apart from each other.

캐필러리(100)는 내부에 와이어(50)가 관통하는 관통 로(110)를 포함할 수 있다. The capillary 100 may include a through passage 110 through which the wire 50 passes.

클램프(300)는 캐필러리(100)의 상부로 연장된 와이어(50)를 클램핑 또는 언클램핑할 수 있다. 클램프(300)는 범프 볼(50a)로부터 와이어(50)를 절단할 때, 와이어(50)를 클램핑할 수 있다. 예를 들면, 클램프(300)는 와이어(50)를 클램핑한 상태에서 캐필러리(100)와 동시에 상측으로 이동하여, 범프 볼(50a) 및 희생 범프 볼(50b, 도 9 참고)로부터 와이어(50)를 절단할 수 있다.The clamp 300 may clamp or unclamp the wire 50 extending to the top of the capillary 100 . The clamp 300 may clamp the wire 50 when cutting the wire 50 from the bump ball 50a. For example, the clamp 300 moves upward simultaneously with the capillary 100 in a state in which the wire 50 is clamped, and the bump ball 50a and the sacrificial bump ball 50b (see FIG. 50) can be cut.

클램프(300)는 와이어(50)의 양측에 설치되는 한 쌍의 전극부(미도시)를 포함할 수 있다. 클램프(300)는 전극부를 통해 와이어(50)에 소정의 전위(electric potential)를 제공할 수 있다.The clamp 300 may include a pair of electrode units (not shown) installed on both sides of the wire 50 . The clamp 300 may provide a predetermined electric potential to the wire 50 through the electrode part.

방전 토치(200)는 캐필러리(100)의 하단으로부터 인출된 와이어(50)의 끝단(51)에 방전 전압을 제공하여, 범프 볼(50a), 희생 범프 볼(50b, 도 6 참고) 및 예비 범프 볼(50c, 도 11 참고)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 방전 토치(200)는 클램프(300)의 전극부로부터 소정의 전위를 제공받는 와이어(50)의 끝단(51)에 방전 전압을 제공하여, 스파크를 발생시킬 수 있다. 이에 따라, 와이어(50)의 끝단(51)은 스파크에 의해 순간적으로 녹았다가 냉각될 수 있다. 스파크에 의해 녹았다가 냉각된 와이어(50)는 끝단(51)에 범프 볼(50a), 희생 범프 볼(50b) 및 예비 범프 볼(50c)이 형성될 수 있다.The discharge torch 200 provides a discharge voltage to the end 51 of the wire 50 drawn out from the lower end of the capillary 100 to bump balls 50a, sacrificial bump balls 50b (see FIG. 6), and A preliminary bump ball 50c (see FIG. 11) may be formed. For example, the discharge torch 200 may generate a spark by providing a discharge voltage to the end 51 of the wire 50 receiving a predetermined potential from the electrode portion of the clamp 300 . Accordingly, the end 51 of the wire 50 may be instantly melted by the spark and then cooled. A bump ball 50a, a sacrificial bump ball 50b, and a preliminary bump ball 50c may be formed at the end 51 of the wire 50 that is melted and cooled by a spark.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법을 나타낸 순서도이다. 도 3 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정들을 나타낸 개략도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명한 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.2 is a flowchart illustrating a method for cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention. 3 to 12 are schematic diagrams illustrating processes of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention. For brevity of description, descriptions of components substantially the same as those of the example described with reference to FIG. 1 are omitted.

도 2 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더(1)의 캐필러리 클리닝 방법을 설명한다. 이하, 이송한다는 것은 소정의 거리 범위 내에서 움직이는 것을 의미할 수 있다. 또한, 이동한다는 것은 미세 범위 내에서 움직이는 것을 의미할 수 있다.A method for cleaning the capillary of the wire bonder 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 12 . Hereinafter, transferring may mean moving within a predetermined distance range. Also, moving may mean moving within a minute range.

도 2 및 도 3을 참조하면, 와이어 본더(1)는 기판(10)의 제1 영역(A) 상에 배치된 칩(20)에 와이어(50)를 본딩할 수 있다(S11). 예를 들면, 와이어 본더(1)는 기판(10)의 제1 영역(A)에 이격된 영역(B)에 형성된 접속 패드(10a)에 와이어(50)를 본딩한 후, 루프(52)를 형성하며 기판(10)의 제1 영역(A) 상에 배치된 칩(20)의 본딩 패드(20a)의 상으로 이송될 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , the wire bonder 1 may bond the wire 50 to the chip 20 disposed on the first region A of the substrate 10 ( S11 ). For example, the wire bonder 1 bonds the wire 50 to the connection pad 10a formed in the area B spaced apart from the first area A of the substrate 10, and then forms the loop 52. It may be formed and transferred onto the bonding pad 20a of the chip 20 disposed on the first area A of the substrate 10 .

와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 칩(20)의 본딩 패드(20a)로 이송 중 방전 토치(200)를 이용하여 와이어(50)의 끝단(51)에 범프 볼(50a)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 와이어 본더(1)는 칩(20)의 본딩 패드(20a) 상에 와이어(50)를 볼 본딩(ball bonding)할 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서 와이어 본더(1)는 칩(20)의 본딩 패드(20a) 상에 와이어(50)를 스티치 본딩(stich bonding)을 할 수 있다. While the wire bonder 1 transfers the capillary 100 to the bonding pad 20a of the chip 20, the bump ball 50a is attached to the end 51 of the wire 50 using the discharge torch 200. can form Accordingly, the wire bonder 1 may ball bond the wire 50 onto the bonding pad 20a of the chip 20 . Unlike this, in another embodiment, the wire bonder 1 may perform stitch bonding of the wire 50 on the bonding pad 20a of the chip 20 .

이러한, 와이어 본더(1)는 다수의 와이어 본딩 과정들을 수행할 수 있다. 와이어 본더(1)가 다수의 와이어 본딩들을 수행함으로써, 와이어 본더(1)의 캐필러리(100)는 오염 물질(P)에 의해 오염될 수 있다. 예를 들면, 오염 물질(P)이 캐필러리(100)의 표면에 부착될 수 있다. 캐필러리(100)의 오염은 와이어 본딩시 범프 볼(50a), 루프(52)에 대한 불량을 발생시켜, 와이어 본딩의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. The wire bonder 1 may perform multiple wire bonding processes. As the wire bonder 1 performs multiple wire bondings, the capillary 100 of the wire bonder 1 may be contaminated by the contaminant P. For example, contaminants P may adhere to the surface of the capillary 100 . Contamination of the capillary 100 may cause defects in the bump ball 50a and the loop 52 during wire bonding, thereby reducing reliability of wire bonding.

도 2, 도 4 및 도 5는 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더(1)는 칩(20)의 본딩 패드(20a)에 대한 와이어 본딩 횟수가 기 설정된 횟수 이상인지를 판단할 수 있다(S12). 예를 들면, 와이어 본더(1)는 와이어 본딩 횟수를 카운트할 수 있다. 이에 따라, 와이어 본더(1)는 와이어 본딩 횟수가 기 설정된 횟수 이상인지를 쉽게 판단할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 와이어 본더(1)는 와이어 본딩 횟수가 기 설정된 횟수 이상인지를 판단하는 컨트롤러(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 컨트롤러는 캐필러리(100), 클램프(300) 및 방전 토치(200)를 제어할 수 있다.Referring to FIGS. 2, 4, and 5, the wire bonder 1 according to an embodiment of the present invention determines whether the number of times of wire bonding to the bonding pad 20a of the chip 20 is equal to or greater than a preset number of times. It can (S12). For example, the wire bonder 1 may count the number of times of wire bonding. Accordingly, the wire bonder 1 can easily determine whether the number of times of wire bonding is greater than or equal to a preset number of times. Although not shown, the wire bonder 1 may include a controller (not shown) that determines whether the number of times of wire bonding is greater than or equal to a predetermined number. Also, the controller may control the capillary 100 , the clamp 300 and the discharge torch 200 .

기 설정된 횟수는 사용자에 의해 미리 입력 및 저장된 값일 수 있다. 기 설정된 횟수는 와이어(50)의 종류, 와이어(50)의 각종 파마리터(parameter)에 따라 변경될 수 있다. The preset number of times may be a value previously input and stored by a user. The preset number of times may be changed according to the type of wire 50 and various parameters of the wire 50 .

본 발명의 일 실시예에서 와이어 본더(1)는 와이어 본딩 횟수가 기 설정된 횟수 이상인 때, 캐필러리(100)를 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송시킬 수 있다(S13). 이와 달리, 다른 실시예에서 와이어 본더(1)는 기 설정된 주기마다 반복하여 캐필러리(100)를 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송시킬 수 있다. 여기서, 제2 영역(C)은 제1 영역(A) 및 접속 패드(10a)가 배치된 영역(B) 이외의 영역을 의미할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the wire bonder 1 may transfer the capillary 100 to the second region C of the substrate 10 when the number of times of wire bonding is greater than or equal to a preset number (S13). Unlike this, in another embodiment, the wire bonder 1 may repeatedly transfer the capillary 100 to the second region C of the substrate 10 at predetermined intervals. Here, the second region C may mean an area other than the first region A and the region B where the connection pad 10a is disposed.

와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송하기 전, 칩(20)의 본딩 패드(20a)에 배치된 범프 볼(50a)로부터 와이어(50)를 절단할 수 있다. 예를 들면, 와이어 본더(1)는 와이어(50)를 클램프(300)로 클램핑한 상태에서 캐필러리(100)와 클램프(300)를 소정 거리만큼 동시에 상측으로 이송시킬 수 있다. 이에 따라, 와이어 본더(1)는 칩(20)의 본딩 패드(20a) 상의 범프 볼(50a)로부터 와이어(50)를 절단할 수 있다. Before transferring the capillary 100 to the second area C of the substrate 10, the wire bonder 1 transfers the wire from the bump ball 50a disposed on the bonding pad 20a of the chip 20 50) can be cut. For example, the wire bonder 1 may simultaneously transfer the capillary 100 and the clamp 300 upward by a predetermined distance in a state in which the wire 50 is clamped by the clamp 300 . Accordingly, the wire bonder 1 may cut the wire 50 from the bump ball 50a on the bonding pad 20a of the chip 20 .

도 2 및 도 6을 참조하면, 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송 중 캐필러리(100)에서 인출된 와이어(50)의 끝단(51)에 희생 범프 볼(50b)을 형성할 수 있다(S14). 예를 들면, 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송 중 클램프(300)의 전극부를 통해 와이어(50)에 소정의 전위를 제공할 수 있다. 와이어 본더(1)는 방전 토치(200)를 통해 소정의 전위가 제공된 와이어(50)의 끝단(51)에 방전 전압을 제공할 수 있다. 이에 따라, 캐필러리(100)에서 인출된 와이어(50)의 끝단(51)에 희생 범프 볼(50b)이 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 6 , the wire bonder 1 transfers the capillary 100 to the second area C of the substrate 10, while the wire 50 drawn from the capillary 100 A sacrificial bump ball 50b may be formed at the end 51 (S14). For example, the wire bonder 1 provides a predetermined potential to the wire 50 through the electrode part of the clamp 300 while transferring the capillary 100 to the second region C of the substrate 10. can The wire bonder 1 may provide a discharge voltage to the end 51 of the wire 50 provided with a predetermined potential through the discharge torch 200 . Accordingly, the sacrificial bump ball 50b may be formed at the end 51 of the wire 50 drawn out from the capillary 100 .

도 2 및 도 7을 참조하면, 와이어(50) 본더(1)는 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송 중에 형성된 희생 범프 볼(50b)을 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉시킬 수 있다(S15). 예를 들면, 희생 범프 볼(50b)은 기판(10)의 제2 영역(C)으로 이송 중인 캐필러리(100)에 의해 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉될 수 있다. 여기서, 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된다는 것은 기판(10)의 제2 영역(C)에 본딩된다는 것을 포함할 수 있다.2 and 7, the bonder 1 of the wire 50 transfers the sacrificial bump balls 50b formed during transfer to the second area C of the substrate 10. ) can be contacted (S15). For example, the sacrificial bump balls 50b may come into contact with the second area C of the substrate 10 by the capillary 100 being transferred to the second area C of the substrate 10 . Here, contacting the second region C of the substrate 10 may include bonding to the second region C of the substrate 10 .

도 2 및 도 8을 참조하면, 와이어 본더(1)는 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 이동시켜, 캐필러리(100)를 클리닝할 수 있다(S16). Referring to FIGS. 2 and 8 , the wire bonder 1 moves the capillary 100 in a state where the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second area C of the substrate 10, The li 100 may be cleaned (S16).

본 발명의 일 실시예에서 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 클리닝하기 위해 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 왕복 이동시킬 수 있다. 왕복 이동은 직선 왕복 운동을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the wire bonder 1 cleans the capillary 100 while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10 ( 100) can be reciprocated. Reciprocating motion may include linear reciprocating motion.

예를 들면, 캐필러리(100)는 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 좌우 왕복 운동 및/또는 상하 왕복 운동을 할 수 있다. 캐필러리(100)가 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 왕복 이동함으로써, 캐필러리(100)에 진동이 발생될 수 있다. 이에 따라, 캐필러리(100)에 부착된 오염물질은 진동에 의해 캐필러리(100)로부터 분리될 수 있다. 오염 물질(P)이 캐필러리(100)로부터 분리됨으로써, 캐필러리(100)는 클리닝될 수 있다. For example, the capillary 100 may perform left and right reciprocating motion and/or up and down reciprocating motion while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10 . When the capillary 100 reciprocates while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second area C of the substrate 10, vibration may be generated in the capillary 100. Accordingly, contaminants attached to the capillary 100 may be separated from the capillary 100 by vibration. As the contaminant P is separated from the capillary 100, the capillary 100 can be cleaned.

도 2 및 도 9를 참조하면, 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 클리닝한 후, 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 희생 범프 볼(50b)로부터 와이어(50)를 절단할 수 있다(S17). 2 and 9, the wire bonder 1 cleans the capillary 100 and then removes the wire 50 from the sacrificial bump ball 50b contacting the second area C of the substrate 10. ) can be cut (S17).

예를 들면, 캐필러리(100)의 상부로 연장된 와이어(50)를 클램프(300)로 클램핑한 상태에서 캐필러리(100)와 클램프(300)를 상측으로 이송시킬 수 있다. 이에 따라, 와이어(50)는 희생 범프 볼(50b)로부터 절단될 수 있다. For example, the capillary 100 and the clamp 300 may be transferred upward while the wire 50 extending upward from the capillary 100 is clamped by the clamp 300 . Accordingly, the wire 50 may be cut from the sacrificial bump ball 50b.

도 2, 도 9 및 도 10을 참조하면, 와이어 본더(1)는 희생 범프 볼(50b)로부터 절단된 와이어(50)를 캐필러리(100)로부터 인출할 수 있다(S18). Referring to FIGS. 2, 9, and 10 , the wire bonder 1 may withdraw the wire 50 cut from the sacrificial bump ball 50b from the capillary 100 (S18).

본 발명의 일 실시예에서 와이어(50)의 끝단(51)은 희생 범프 볼(50b)로부터 절단될 때, 캐필러리(100)로부터 인출되지 않은 상태일 수 있다. In one embodiment of the present invention, when the end 51 of the wire 50 is cut from the sacrificial bump ball 50b, it may not be withdrawn from the capillary 100.

전술한 바와 같이, 범프 볼(50a), 희생 범프 볼(50b) 및 예비 범프 볼(50c, 도 11 참고)은 와이어(50)의 끝단(51)이 캐필러리(100)로부터 인출된 상태에서 방전 토치(200)를 이용하여 형성할 수 있다. 와이어 본더(1)는 희생 범프 볼(50b)로부터 절단된 와이어(50)의 끝단(51)에 예비 범프 볼(50c)을 형성하기 위해, 와이어(50)를 캐필러리(100)로부터 인출할 수 있다.As described above, the bump ball 50a, the sacrificial bump ball 50b, and the preliminary bump ball 50c (see FIG. 11) are in a state where the end 51 of the wire 50 is pulled out from the capillary 100. It can be formed using the discharge torch 200. The wire bonder 1 draws the wire 50 from the capillary 100 to form the preliminary bump ball 50c at the end 51 of the wire 50 cut from the sacrificial bump ball 50b. can

도 2 및 도 11을 참고하면, 와이어 본더(1)는 희생 범프 볼(50b)로부터 절단된 와이어(50)의 끝단(51)에 예비 범프 볼(50c)을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)로부터 인출된 와이어(50)의 끝단(51)에 예비 범프 볼(50c)을 형성할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 11 , the wire bonder 1 may form a preliminary bump ball 50c at an end 51 of the wire 50 cut from the sacrificial bump ball 50b. In one embodiment of the present invention, the wire bonder 1 may form a preliminary bump ball 50c at the end 51 of the wire 50 drawn out from the capillary 100 .

이와 달리, 다른 실시예에서 와이어(50)의 끝단(51)은 희생 범프 볼(50b)로부터 절단될 때, 캐필러리(100)로부터 인출된 상태일 수 있다. 이에 따라, 와이어 본더(1)는 희생 범프 볼(50b)로부터 절단된 와이어(50)를 캐필러리(100)로부터 인출하는 공정을 없이, 와이어(50)의 끝단(51)에 예비 범프 볼(50c)을 형성할 수 있다. Unlike this, in another embodiment, when the end 51 of the wire 50 is cut from the sacrificial bump ball 50b, it may be drawn out from the capillary 100. Accordingly, the wire bonder 1 attaches the preliminary bump ball (51) to the end 51 of the wire 50 without a process of withdrawing the wire 50 cut from the sacrificial bump ball 50b from the capillary 100. 50c) can be formed.

도 12를 참고하면, 와이어(50)에 예비 범프 볼(50c)이 형성될 경우, 와이어 본더(1)는 기판(10)과 이격 배치된 다른 기판(11)으로 캐필러리(100)를 이송할 수 있다.Referring to FIG. 12 , when preliminary bump balls 50c are formed on the wire 50, the wire bonder 1 transfers the capillary 100 to another substrate 11 spaced apart from the substrate 10. can do.

다른 기판(11) 상에 칩 패드(31)가 배치될 수 있고, 칩 패드(31) 상에 칩(21)이 배치될 수 있다. 칩(21)의 상부에 본딩 패드(21a)가 배치될 수 있다. 또한, 칩(11)은 상에는 절연막(41)이 배치될 수 있다. 절연막(41)은 본딩 패드(21a)를 외부로 노출시키면서 칩(21)의 상부를 덮을 수 있다. A chip pad 31 may be disposed on another substrate 11 , and a chip 21 may be disposed on the chip pad 31 . A bonding pad 21a may be disposed on the chip 21 . In addition, an insulating film 41 may be disposed on the chip 11 . The insulating layer 41 may cover the top of the chip 21 while exposing the bonding pad 21a to the outside.

와이어 본더(1)는 다른 기판(11) 상에 배치된 칩(21)의 본딩 패드(21a) 또는 다른 기판(11)에 형성된 접속 패드(11a)의 상으로 캐필러리(100)를 이송할 수 있다. 이송된 캐필러리(100)는 다른 기판(11)의 접촉 패드(11a)와 다른 기판(11) 상의 칩(21)의 본딩 패드(21a)를 와이어 본딩할 수 있다. The wire bonder 1 transfers the capillary 100 onto the bonding pad 21a of the chip 21 disposed on another substrate 11 or the connection pad 11a formed on the other substrate 11. can The transferred capillary 100 may wire-bond the contact pad 11a of the other substrate 11 and the bonding pad 21a of the chip 21 on the other substrate 11 .

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정을 나타낸 개략도이다. 13 is a schematic diagram illustrating a process of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.

설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명한 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다. 도 13은 도 8과 같이, 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 이동시켜, 캐필러리(100)를 클리닝하는 공정을 나타낸 도면이다. For brevity of description, descriptions of components substantially the same as those of the example described with reference to FIG. 1 are omitted. FIG. 13 shows cleaning of the capillary 100 by moving the capillary 100 while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second area C of the substrate 10, as shown in FIG. 8 . A diagram showing the process.

도 13을 참조하면, 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 클리닝하기 위해 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 회전시킬 수 있다. Referring to FIG. 13 , the wire bonder 1 cleans the capillary 100 while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second area C of the substrate 10. ) can be rotated.

예를 들면, 캐필러리(100)는 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 정회전 및 역회전 중 적어도 하나 회전을 할 수 있다. 캐필러리(100)가 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 회전함으로써, 캐필러리(100)에는 원심력이 작용할 수 있다. 이에 따라, 캐필러리(100)에 부착된 오염물질은 원심력에 의해 캐필러리(100)로부터 분리될 수 있다. 오염 물질(P)이 캐필러리(100)로부터 분리됨으로써, 캐필러리(100)는 클리닝될 수 있다. For example, the capillary 100 may rotate at least one of normal rotation and reverse rotation in a state in which the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10 . When the capillary 100 rotates while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second area C of the substrate 10, centrifugal force may act on the capillary 100. Accordingly, contaminants attached to the capillary 100 may be separated from the capillary 100 by centrifugal force. As the contaminant P is separated from the capillary 100, the capillary 100 can be cleaned.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본더의 캐필러리를 클리닝하는 공정을 나타낸 개략도이다.14 is a schematic diagram illustrating a process of cleaning a capillary of a wire bonder according to an embodiment of the present invention.

설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명한 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다. 도 14은 도 8과 같이, 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 이동시켜, 캐필러리(100)를 클리닝하는 공정을 나타낸 도면이다. For brevity of description, descriptions of components substantially the same as those of the example described with reference to FIG. 1 are omitted. FIG. 14 shows cleaning of the capillary 100 by moving the capillary 100 while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10, as shown in FIG. 8 . A diagram showing the process.

도 14를 참조하면, 와이어 본더(1)는 캐필러리(100)를 클리닝하기 위해 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 캐필러리(100)를 왕복 이동할 수 있다. 왕복 이동에는 진자 운동을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the wire bonder 1 cleans the capillary 100 while the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10. ) can be moved back and forth. The reciprocating motion may include a pendulum motion.

예를 들면, 캐필러리(100)는 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 희생 범프 볼(50b)을 중심으로 진자 운동을 할 수 있다. 캐필러리(100)는 희생 범프 볼(50b)이 기판(10)의 제2 영역(C)에 접촉된 상태에서 진자 운동함으로써, 캐필러리(100)에 진동이 발생될 수 있다. 이에 따라, 캐필러리(100)에 부착된 오염물질은 진동에 의해 캐필러리(100)로부터 분리될 수 있다. 오염 물질(P)이 캐필러리(100)로부터 분리됨으로써, 캐필러리(100)는 클리닝될 수 있다. For example, the capillary 100 may perform a pendulum motion around the sacrificial bump ball 50b in a state in which the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10 . Vibration of the capillary 100 may be generated by a pendulum motion of the capillary 100 in a state in which the sacrificial bump ball 50b is in contact with the second region C of the substrate 10 . Accordingly, contaminants attached to the capillary 100 may be separated from the capillary 100 by vibration. As the contaminant P is separated from the capillary 100, the capillary 100 can be cleaned.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and in the technical field to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Various modifications and implementations are possible by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.

1: 와이어 본더 10, 11: 기판
10a, 11a: 접속 패드 20, 21: 칩
20a, 21a: 본딩 패드 30, 31: 칩 패드
40, 41: 절연막 50: 와이어
50a, 50b, 50c: 범프 볼들 100: 캐필러리
110: 관통 로 200: 방전 토치
300: 클램프 P: 오염 물질1: wire bonder 10, 11: substrate
10a, 11a: connection pads 20, 21: chip
20a, 21a: bonding pads 30, 31: chip pads
40, 41: insulating film 50: wire
50a, 50b, 50c: bump balls 100: capillary
110: penetrating furnace 200: discharge torch
300: clamp P: contaminant

Claims (10)

기판의 제1 영역 상에 배치된 칩에 와이어를 본딩하는 캐필러리를 상기 기판의 제2 영역으로 이송시키는 것;
상기 캐필러리에서 인출된 상기 와이어의 끝단에 희생 범프 볼을 형성하는 것;
상기 희생 범프 볼을 상기 제2 영역에 접촉하는 것; 그리고,
상기 희생 범프 볼이 상기 제2 영역에 접촉된 상태에서 상기 캐필러리를 이동시켜, 상기 캐필러리를 클리닝하는 것을 포함하되,
상기 캐필러리를 클리닝하는 것은 상기 캐필러리를 왕복 이동시키는 것을 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.
transferring a capillary for bonding a wire to a chip disposed on a first area of a substrate to a second area of the substrate;
forming a sacrificial bump ball at an end of the wire drawn out from the capillary;
contacting the sacrificial bump ball to the second region; And,
cleaning the capillary by moving the capillary while the sacrificial bump ball is in contact with the second area;
The method of cleaning the capillary of the wire bonder, wherein the cleaning of the capillary comprises reciprocating the capillary.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 왕복 이동은 직선 왕복 운동 또는 진자 운동을 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 1,
The reciprocating movement includes a linear reciprocating movement or a pendulum movement. 제1항에 있어서,
상기 캐필러리를 클리닝하는 것은 상기 캐필러리를 회전시키는 것을 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 1,
The method of cleaning the capillary of the wire bonder comprising rotating the capillary to clean the capillary. 제1항에 있어서,
상기 캐필러리를 이송시키는 것은 상기 와이어의 본딩의 횟수가 기 설정된 횟수 이상일 때, 상기 캐필러리를 상기 제2 영역으로 이송하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 1,
In the transferring of the capillary, the capillary is transferred to the second area when the number of bonding of the wire is greater than or equal to a preset number of times. 제1항에 있어서,
상기 캐필러리를 이송시키는 것은 기 설정된 주기마다 반복하여, 상기 캐필러리를 상기 제2 영역으로 이송하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 1,
The method of cleaning the capillary of the wire bonder wherein the transferring of the capillary is repeated at predetermined intervals and transferring the capillary to the second area. 제1항에 있어서,
상기 캐필러리를 클리닝한 후, 상기 제2 영역에 접촉된 상기 희생 범프 볼로부터 상기 와이어를 절단하는 것을 더 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 1,
The method of cleaning the capillary of the wire bonder further comprising cutting the wire from the sacrificial bump ball contacting the second area after cleaning the capillary. 제7항에 있어서,
상기 와이어를 절단하는 것은 상기 캐필러리의 상부로 연장된 상기 와이어를 클램프로 클램핑한 상태에서 상기 캐필러리와 상기 클램프를 상측으로 이송시키는 것을 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 7,
The cutting of the wire includes transferring the capillary and the clamp upward in a state in which the wire extending upward from the capillary is clamped with a clamp. 제7항에 있어서,
상기 희생 범프 볼로부터 절단된 상기 와이어의 끝단에 예비 범프 볼을 형성하는 것을 더 포함하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 7,
The method of cleaning the capillary of the wire bonder further comprising forming a preliminary bump ball at an end of the wire cut from the sacrificial bump ball. 제9항에 있어서,
상기 희생 범프 볼로부터 절단된 상기 와이어를 상기 캐필러리로부터 인출하는 것을 더 포함하고,
상기 예비 범프 볼을 형성하는 것은 상기 캐필러리로부터 인출된 상기 와이어의 끝단에 상기 예비 범프 볼을 형성하는 와이어 본더의 캐필러리 클리닝 방법.According to claim 9,
Further comprising withdrawing the wire cut from the sacrificial bump ball from the capillary,
Forming the preliminary bump ball is a method of cleaning the capillary of the wire bonder to form the preliminary bump ball at an end of the wire drawn out from the capillary.
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