KR102478349B1 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment Download PDF

Info

Publication number
KR102478349B1
KR102478349B1 KR1020220083890A KR20220083890A KR102478349B1 KR 102478349 B1 KR102478349 B1 KR 102478349B1 KR 1020220083890 A KR1020220083890 A KR 1020220083890A KR 20220083890 A KR20220083890 A KR 20220083890A KR 102478349 B1 KR102478349 B1 KR 102478349B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vessel
unit
chamber
substrate processing
processing device
Prior art date
Application number
KR1020220083890A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이윤성
채희성
정희석
Original Assignee
주식회사 기가레인
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 기가레인 filed Critical 주식회사 기가레인
Priority to KR1020220083890A priority Critical patent/KR102478349B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102478349B1 publication Critical patent/KR102478349B1/en
Priority to TW112123558A priority patent/TWI845354B/en
Priority to CN202310774871.8A priority patent/CN117373890B/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

The present invention relates to a substrate processing device comprising: a chamber having a processing space for processing a substrate with plasma therein; a seating part in which a substrate is seated, and which is disposed in the processing space; a vessel part disposed on a more upper side of the seating part in the processing space, and having a through-hole to guide the plasma toward the substrate seated on the seating part; and a driving part for driving the vessel part, wherein the vessel part is characterized to be driven by the driving part and is formed to enable to move up/down so that a distance with the seating part is adjusted. Therefore, a size of the substrate processing device can be relatively small.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

일반적으로, 기판 처리 장치는 기판 처리를 수행하기 위해 챔버 내에 공정가스가 공급되며，공급된 공정가스는 RF 전원 인가에 의하여 플라즈마가 형성되고，챔버 내에 형성된 플라즈마에 의하여 기판은 식각, 증착되거나, 세정되는 등의 기판 처리가 수행된다.In general, in a substrate processing apparatus, process gas is supplied into a chamber to perform substrate processing, and plasma is formed by applying RF power to the supplied process gas, and the substrate is etched, deposited, or cleaned by the plasma formed in the chamber. Substrate processing, such as being, is performed.

보다 구체적으로, 기판 처리 장치는，내부 공간을 가지는 챔버，챔버 내부에 설치되며，내부에 처리 대상물인 기판이 안착되는 기판 안착부가 설치되고，챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스 공급부, 가스 공급부 주위의 챔버 외부에 설치된 안테나를 포함한다. 이러한 기판 처리 장치에 의하면，안테나가 RF 전원을 챔버 내부에 공급된 공정가스에 인가하면，공정가스로부터 플라즈마가 형성된다. 그리고，플라즈마는 베셀부를 통해 기판으로 유도되어 기판은 식각, 증착되거나 세정되는 등의 기판 처리가 수행된다.More specifically, the substrate processing apparatus has a chamber having an internal space, installed inside the chamber, a substrate seating unit for seating a substrate, which is an object to be processed, inside the chamber, a gas supply unit for supplying process gas into the chamber, and a gas supply unit around the gas supply unit. It includes an antenna installed outside the chamber of According to this substrate processing apparatus, when the antenna applies RF power to the process gas supplied into the chamber, plasma is formed from the process gas. Then, the plasma is guided to the substrate through the vessel unit, and substrate processing such as etching, depositing, or cleaning the substrate is performed.

종래의 기판 처리 장치는, 안착부를 하강시켜 안착부와 베셀부 사이에 공간을 확보하여 안착부에 기판을 안착하고, 다시 상승시켜 베셀부에 기판을 인접하게 위치시켜 기판 처리를 진행하였다. 하지만, 안착부를 승강시킴에 있어서, 안착부는 무거우므로, 이를 승강시키기 위한 모터 등 동력부재의 작동 부하가 증가하는 문제가 있다.In a conventional substrate processing apparatus, substrate processing was performed by lowering the seating portion to secure a space between the seating portion and the vessel portion to seat a substrate on the seating portion, and raising the substrate again to place the substrate adjacent to the vessel portion. However, in raising and lowering the seating unit, since the seating unit is heavy, there is a problem in that an operating load of a power member such as a motor for lifting the seating unit increases.

또한, 안착부의 무게에 의한 동력부재의 크기가 커지고, 나아가 기판 처리 장치의 크기도 커지는 문제가 있다.In addition, there is a problem in that the size of the power member increases due to the weight of the seating portion, and furthermore, the size of the substrate processing apparatus also increases.

따라서, 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 기판 처리 장치가 필요한 실정이다.Accordingly, there is a need for a substrate processing apparatus capable of solving the above problems.

발명의 배경이 되는 기술은 본 발명에 대한 이해를 보다 용이하게 하기 위해 작성되었다. 발명의 배경이 되는 기술에 기재된 사항들이 선행기술로 존재한다고 인정하는 것으로 이해되어서는 안된다.The background description of the invention has been prepared to facilitate understanding of the present invention. It should not be construed as an admission that matters described in the art that form the background of the invention exist as prior art.

KRKR 10-0550931 10-0550931 BB

본 발명은 동력부재의 작동 부하를 상대적으로 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of relatively reducing the operating load of a power member.

본 발명은 상대적으로 작은 크기의 동력부재를 사용할 수 있고, 나아가 기판 처리 장치의 크기도 상대적으로 작아질 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of using a relatively small-sized power member and further reducing the size of the substrate processing apparatus.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of the present invention are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood from the description below.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 처리공간을 구비하는 챔버와 기판이 안착되며, 처리공간에 배치되는 안착부와 처리공간에 안착부보다 상측에 배치되고, 안착부에 안착된 기판을 향하여 플라즈마를 안내하도록 관통구를 구비하는 베셀부 및 베셀부를 구동하기 위한 구동부를 포함한다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, a chamber having a processing space for processing a substrate with plasma and a substrate are seated therein, and a seating portion disposed in the processing space and a seating portion disposed above the seating portion in the processing space, , a vessel unit having a through-hole to guide plasma toward a substrate seated on the seating unit, and a driving unit for driving the vessel unit.

실시예에 따르면, 베셀부는, 구동부에 의해 구동되어 안착부와의 간격이 조절되도록 상하 이동 가능하게 형성되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the vessel unit is driven by a driving unit and is characterized in that it is formed to be vertically movable so that a distance with the seating unit is adjusted.

실시예에 따르면, 베셀부를 가이드하기 위한 가이드부를 더 포함한다.According to the embodiment, a guide part for guiding the vessel part is further included.

실시예에 따르면, 가이드부는, 관통구를 기준으로 원주방향을 따라, 복수의 지점에서 베셀부를 지지하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the guide part is characterized in that it supports the vessel part at a plurality of points along the circumferential direction based on the through hole.

실시예에 따르면, 가이드부는, 상하로 연장되고, 그 하부가 챔버의 외벽에 지지되고, 구동부가 이동 가능하게 연결되는 지지부재 및 지지부재의 상부에 결합되는 상판부재를 포함한다.According to the embodiment, the guide unit includes a support member extending vertically, a lower portion of which is supported on an outer wall of the chamber, and a support member movably connected to the driving unit and an upper plate member coupled to an upper portion of the support member.

실시예에 따르면, 지지부재는, 복수개로 마련되고, 원주방향을 따라 서로 이격되며, 복수의 지점에서 구동부의 이동부재를 지지하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the supporting member is provided in plurality, spaced apart from each other along the circumferential direction, and supporting the moving member of the driving unit at a plurality of points.

실시예에 따르면, 구동부는, 구동력을 발생시키고, 가이드부에 결합되는 동력부재와 동력부재에 전후진 이동 가능하게 결합되는 연결부재 및 연결부재와 베셀부에 각각 연결되고, 동력부재에 발생된 구동력을 연결부재를 통해 전달받아 베셀부를 승강 가능하게 지지부재에 지지되는 이동부재를 포함한다.According to the embodiment, the driving unit generates a driving force, and is connected to a power member coupled to the guide unit, a connecting member coupled to the power member to be movable forward and backward, and the connecting member and the vessel unit, respectively, and the driving force generated in the power member. and a movable member supported by the support member to enable the vessel to move up and down by receiving the transfer through the connecting member.

실시예에 따르면, 이동부재는, 지지부재의 가이드레일에 슬라이딩 이동 가능하게 결합되며, 원주방향을 따라 연장되는 제1 이동체 및 제1 이동체에 결합되고, 적어도 일부가 챔버의 외벽을 관통하여 베셀부에 연결되는 제2 이동체를 포함한다.According to the embodiment, the movable member is slidably coupled to the guide rail of the support member, coupled to the first movable body extending in the circumferential direction and to the first movable body, and at least a portion of the vessel unit penetrating the outer wall of the chamber. It includes a second movable body connected to.

실시예에 따르면, 제2 이동체는, 복수개로 마련되며, 관통구의 중심축을 기준으로 방사형으로 일정간격 이격 배치되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the second movable body is provided in plurality, and is characterized in that it is arranged radially at regular intervals with respect to the central axis of the through hole.

실시예에 따르면, 제2 이동체는, 제1 이동체의 하부에 고정되는 바디와 챔버 외벽의 수용홀에 삽입되고, 그 상부가 바디에 고정되며, 그 하부가 베셀부에 고정되는 메인기둥 및 바디의 이동을 가이드하도록 삽입되고, 그 하부가 챔버의 외벽에 지지되는 서브기둥을 포함한다.According to the embodiment, the second movable body is inserted into the receiving hole of the outer wall of the chamber and the body fixed to the lower part of the first movable body, the upper part is fixed to the body, and the lower part is fixed to the vessel part. It is inserted to guide the movement, and includes a sub-pillar whose lower part is supported on the outer wall of the chamber.

실시예에 따르면, 서브기둥은, 복수개로 마련되며, 메인기둥보다 짧은 길이를 갖고, 메인기둥을 중심으로 방사형으로 일정간격 이격되어 배치되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the sub-pillars are provided in plurality, have a shorter length than the main pillars, and are radially spaced apart from the main pillars at regular intervals.

실시예에 따르면, 제2 이동체는, 바디와 챔버의 외벽에 각각 연결되며, 메인기둥의 둘레를 감싸도록 배치되는 벨로우즈를 더 포함한다.According to the embodiment, the second movable body is connected to the body and the outer wall of the chamber, respectively, and further includes bellows arranged to surround the circumference of the main pillar.

실시예에 따르면, 연결부재는, 그 하부가 동력부재에 슬라이딩 이동 가능하게 삽입되는 승강바와 승강바의 상부에 결합되는 승강판 및 그 상부가 승강판의 하부에 결합되고, 그 하부가 이동부재에 결합되며, 지지부재를 기준으로 서로 이격되어 상판부재를 관통하는 연결바를 포함한다.According to the embodiment, the connection member includes a lift bar whose lower part is slidably inserted into the power member, an elevator plate coupled to an upper part of the lift bar, and an upper part coupled to the lower part of the lift plate, and a lower part connected to the moving member. It is coupled and includes a connecting bar that is spaced apart from each other based on the support member and penetrates the upper plate member.

실시예에 따르면, 구동부는, 원주방향을 따라 연장되는 제1 이동체 및 제1 이동체에 결합되고, 적어도 일부가 챔버의 외벽을 관통하여 베셀부에 연결되는 제2 이동체를 포함한다.According to the embodiment, the drive unit includes a first movable body extending in a circumferential direction and a second movable body coupled to the first movable body and connected to the vessel unit through at least a portion of an outer wall of the chamber.

실시예에 따르면, 베셀부는, 관통구가 형성되는 베셀부재 및 베셀부재에서 상측으로 돌출되고, 원주방향을 따라 연장되며, 챔버의 외벽에 수용 가능하게 삽입되는 커버부재를 포함한다.According to the embodiment, the vessel unit includes a vessel member in which a through-hole is formed, and a cover member that protrudes upward from the vessel member, extends in a circumferential direction, and is receptively inserted into an outer wall of the chamber.

실시예에 따르면, 베셀부재는, 구동부에 연결되고, 원주방향을 따라 연장되며, 관통구의 일부를 형성하는 제1 베셀부재 및 제1 베셀부재로부터 하측으로 연장되고, 관통구의 나머지 일부를 형성하며, 반경방향으로 관통된 배출통로를 가지는 제2 베셀부재를 포함한다.According to the embodiment, the vessel member is connected to the drive unit, extends in the circumferential direction, extends downward from the first vessel member and the first vessel member forming a part of the through hole, and forms the remaining part of the through hole, It includes a second vessel member having a discharge passage penetrated in the radial direction.

실시예에 따르면, 커버부재의 돌출되는 길이는, 베셀부 하강시 제1 베셀부재와 챔버의 외벽 사이의 틈새를 커버하도록, 베셀부의 하강 거리에 대응되는 길이로 형성되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the protruding length of the cover member is characterized in that it is formed to a length corresponding to the descending distance of the vessel unit so as to cover a gap between the first vessel member and the outer wall of the chamber when the vessel unit descends.

실시예에 따르면, 커버부재는, 그 내주면이 아노다이징 방식으로 코팅되는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment, the inner circumferential surface of the cover member is coated with an anodizing method.

실시예에 따르면, 제1 베셀부재는, 그 하단부를 향하여 내경이 감소하는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the first vessel member is characterized in that the inner diameter decreases toward the lower end thereof.

실시예에 따르면, 배출통로는, 복수개로 마련되고, 복수의 배출통로는, 제2 베셀부재의 둘레를 따라 등간격으로 이격되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, a plurality of discharge passages are provided, and the plurality of discharge passages are spaced apart at equal intervals along the circumference of the second vessel member.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 처리공간을 구비하는 챔버와 처리공간에 배치되고, 기판이 안착되는 안착부와 기판으로 플라즈마를 안내하도록 관통구를 구비하며, 안착부를 향하여 이동 가능하게 배치되는 베셀부를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is disposed in a chamber having a processing space for processing a substrate with plasma therein and a processing space, and includes a seating portion on which a substrate is seated and a through-hole to guide plasma to the substrate. And, it includes a vessel portion movably disposed toward the seating portion.

실시예에 따르면, 베셀부는, 그 외주부로터 챔버의 외벽을 향해 상측으로 돌출되어 그 적어도 일 부분이 챔버의 외벽 내측에 삽입되는 커버부재를 포함한다.According to the embodiment, the vessel unit includes a cover member protruding upward from an outer circumferential portion toward an outer wall of the chamber and having at least a portion thereof inserted into the outer wall of the chamber.

실시예에 따르면, 챔버는, 그 외벽에 원주방향을 따라 내측을 함몰된 가이드홈을 포함한다.According to the embodiment, the chamber includes a guide groove recessed inside along the circumferential direction on its outer wall.

실시예에 따르면, 커버부재는, 베셀부의 승강에 의해 가이드홈에 삽입된 깊이가 조절되는 것을 특징으로 한다.According to the embodiment, the cover member is characterized in that the depth inserted into the guide groove is adjusted by lifting the vessel unit.

본 발명에 따르면, 안착부보다 무게가 상대적으로 가벼운 베셀부를 승강시켜 안착부와 베셀부 사이에 공간에 대한 간격을 조절할 있다. 이에, 동력부재의 작동 부하를 상대적으로 낮출 수 있어, 상대적으로 작은 크기의 동력부재를 사용할 수 있고, 나아가 기판 처리 장치의 크기도 상대적으로 작아질 수 있다.According to the present invention, it is possible to adjust the space between the seating part and the vessel part by moving the vessel part, which is relatively lighter in weight than the seating part. Accordingly, the operation load of the power member can be relatively lowered, so that a relatively small-sized power member can be used, and furthermore, the size of the substrate processing apparatus can be relatively reduced.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 유사한 참조 부호는 유사한 구성 요소를 나타내지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부와 구동부의 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가이드부의 구조를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 이동체와 지지부재의 결합관계를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부 및 제2 이동체의 구조를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부와 제2 이동체의 결합관계를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 제2 이동체의 분해사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 연결부재와 제1 이동체의 결합관계를 도시한 도면이다.
도 10은 도 1에 도시된 B-B'에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부의 하강 이후의 모습을 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 커버부재의 구조를 확대한 도면이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but similar reference numerals indicate similar components, but the present invention is not limited thereto.
1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to AA′ shown in FIG. 1 .
3 is a diagram showing the structure of a vessel unit and a driving unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing the structure of a guide unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a coupling relationship between a first movable body and a support member according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing structures of a vessel unit and a second movable body according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing a coupling relationship between a vessel unit and a second movable body according to an embodiment of the present invention.
8 is an exploded perspective view of a second movable body according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a coupling relationship between a connecting member and a first movable body according to an embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to BB′ shown in FIG. 1;
11 is a cross-sectional view showing a state after a vessel unit is lowered according to an embodiment of the present invention.
12 is an enlarged view of the structure of a cover member according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는는 도 1에 도시된 A-A'에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부와 구동부의 구조를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가이드부의 구조를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 제1 이동체와 지지부재의 결합관계를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부 및 제2 이동체의 구조를 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부와 제2 이동체의 결합관계를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 제2 이동체의 분해사시도이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 연결부재와 제1 이동체의 결합관계를 도시한 도면이고, 도 10은 도 1에 도시된 B-B'에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 베셀부의 하강 이후의 모습을 도시한 단면도이고, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 커버부재의 구조를 확대한 도면이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus according to AA′ shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a vessel unit according to an embodiment of the present invention. 4 is a view showing the structure of a guide unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 shows a coupling relationship between a first movable body and a support member according to an embodiment of the present invention. 6 is a view showing the structure of the vessel unit and the second movable body according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 shows the coupling relationship between the vessel unit and the second movable body according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is an exploded perspective view of a second movable body according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is a view showing a coupling relationship between a connecting member and a first movable body according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus along line BB', FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state after the vessel unit is lowered according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cover according to an embodiment of the present invention. This is an enlarged view of the structure of the member.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공급받은 공정가스를 이용하여 챔버 내부에서 플라즈마를 형성하고, 형성된 플라즈마로 기판(S)을 처리하는 장치일 수 있다. 여기서, 플라즈마로 기판(S)을 처리하는 것은, 예컨데 식각, 증착되거나 세정되는 등의 기판 처리를 포함할 수 있으며, 하기에서는 기판 처리가 식각인 경우를 예시적으로 설명한다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention forms plasma in a chamber using a supplied process gas and processes a substrate S with the formed plasma. may be a device. Here, treating the substrate S with plasma may include, for example, etching, depositing, or cleaning the substrate, and a case in which the substrate treatment is etching will be exemplarily described below.

이를 위해, 기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 안착부(120), 베셀부(130) 및 구동부(140)를 포함할 수 있다. 이에 더하여, 기판 처리 장치(100)는 그 내부로 공정 가스를 공급할 수 있는 가스 공급부(160) 및 안테나(미도시)를 포함할 수 있다.To this end, the substrate processing apparatus 100 may include a chamber 110 , a seating unit 120 , a vessel unit 130 and a driving unit 140 . In addition, the substrate processing apparatus 100 may include a gas supply unit 160 capable of supplying process gas therein and an antenna (not shown).

챔버(110)는 그 내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 공간인 처리공간(112a)을 구비할 수 있다. 즉, 챔버(110)는 그 내부에서 안테나로부터 인가되는 RF 전원에 의해 플라즈마의 형성이 가능하고，기판(S) 처리 공정을 수행할 수 처리공간(112a)을 가지는 통 형상으로 마련될 수 있다. The chamber 110 may have a processing space 112a therein, which is a space for processing a substrate with plasma. That is, the chamber 110 may be provided in a tubular shape having a processing space 112a in which plasma may be formed by RF power applied from an antenna therein and a substrate S processing process may be performed.

보다 구체적으로, 챔버(110)는 그 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(160)가 상부에 설치되고, 주위에 안테나가 설치되는 상부 챔버(111) 및 상부 챔버(111)의 하측에 위치하고, 그 내부에 처리공간(112a)을 형성하며 그 내부에 안착부(120)가 설치되는 하부 챔버(112)를 포함한다.More specifically, the chamber 110 has an upper chamber 111 in which a gas supply unit 160 for supplying process gas is installed on the upper side and an antenna is installed around the chamber 110, and is located below the upper chamber 111, A processing space 112a is formed therein, and a lower chamber 112 in which a seating part 120 is installed is included.

상부 챔버(111)는 내부공간을 가지며, 그 하부에 상하방향을 따라 관통된 중앙홀(111a)을 가질 수 있다. 여기서, 상하방향은 챔버(110)가 연장되는 방향을 포함할 수 있다. 또한, 상부 챔버(111)는 상하방향에 대하여 수직하게 직교하는 폭방향(이하, 폭방향이라 함)과 폭방향에 수평하게 직교하는 교차방향을 따라 폭과 두께를 갖는 구조체로 마련될 수 있다. 물론, 상부 챔버(111)는 그 형상이 이에 한정되지 않고, 그 하부가 관통되며 내부공간을 가지는 다양한 형상으로 마련될 수 있다.The upper chamber 111 may have an inner space and a central hole 111a penetrating in the vertical direction at a lower portion thereof. Here, the vertical direction may include a direction in which the chamber 110 extends. In addition, the upper chamber 111 may be provided as a structure having a width and a thickness along a width direction perpendicular to the vertical direction (hereinafter referred to as a width direction) and a cross direction horizontally orthogonal to the width direction. Of course, the shape of the upper chamber 111 is not limited thereto, and may be provided in various shapes having a lower portion penetrating and having an inner space.

한편, 챔버(100)의 외벽(예컨데, 상부 챔버(111)와 하부 챔버(112)가 만나는 지점의 외벽)에는 후술되는 구동부(140)의 제2 이동체(143b)가 삽입될 수 있도록, 상하방향으로 관통된 수용홀(111b)을 구비할 수 있다. 수용홀(111b)은 복수개로 마련되며, 후술되는 제2 이동체(143b)의 위치에 대응하여 원주방향을 따라 이격될 수 있다. 이와 관련된 설명은, 하기에서 제2 이동체(143b)의 구조를 설명하면서 더욱 구체적으로 설명한다.On the other hand, the outer wall of the chamber 100 (for example, the outer wall at the point where the upper chamber 111 and the lower chamber 112 meet), so that the second movable body 143b of the driving unit 140 to be described later can be inserted in the vertical direction. It may be provided with a receiving hole (111b) passed through. A plurality of accommodating holes 111b are provided, and may be spaced apart in a circumferential direction corresponding to the position of the second movable body 143b to be described later. A description related to this will be described in more detail while explaining the structure of the second movable body 143b below.

한편, 챔버(100)의 외벽(예컨데, 상부 챔버(111)와 하부 챔버(112)가 만나는 지점의 외벽)에는 후술되는 베셀부(130)의 커버부재(132)가 삽입될 수 있도록, 내측에서 외측으로 함몰된 가이드홈(111c)이 형성될 수 있다. 가이드홈(111c)은 원주방향을 따라 연장된 홈으로 마련될 수 있다. 여기서, 가이드홈(111c)이 함몰되는 깊이는 커버부재(132)의 상하방향 길이보다 길거나 같게 형성될 수 있다. 또한, 가이드홈(111c)의 폭은 후술되는 커버부재(132)의 두께보다 큰 폭으로 형성될 수 있다. 이와 관련된 설명은, 하기에서 커버부재(132)의 구조를 설명하면서 더욱 구체적으로 설명한다.On the other hand, the outer wall of the chamber 100 (eg, the outer wall at the point where the upper chamber 111 and the lower chamber 112 meet) so that the cover member 132 of the vessel unit 130 described later can be inserted from the inside. A guide groove 111c recessed outward may be formed. The guide groove 111c may be provided as a groove extending in a circumferential direction. Here, the depth at which the guide groove 111c is depressed may be equal to or longer than the vertical length of the cover member 132 . In addition, the width of the guide groove 111c may be formed to be larger than the thickness of the cover member 132 to be described later. A description related to this will be described in more detail while explaining the structure of the cover member 132 below.

하부 챔버(112)는 상부 챔버(111)의 하측에 설치되며，그 내부에 상술한 상부 챔버(111)의 내부공간과 연통되는 처리공간(112a)을 가질 수 있다. 하부 챔버(112)는 처리공간(112a)을 형성하는 그 내부의 내경이 상부 챔버(111)의 중앙홀(111a)의 직경보다 클 수 있다. 이러한 하부 챔버(112)의 형상은 어느 하나에 한정되지 않고，처리공간(112a)을 가지는 다양한 통 형상 예컨대, 직사각형，돔형，실린더형 등 다양한 통 형상으로 구성될 수 있다. The lower chamber 112 is installed below the upper chamber 111 and may have a processing space 112a communicating with the inner space of the above-described upper chamber 111 therein. The inner diameter of the lower chamber 112 forming the processing space 112a may be larger than the diameter of the central hole 111a of the upper chamber 111 . The shape of the lower chamber 112 is not limited to any one, and may be configured in various tubular shapes having a processing space 112a, for example, a rectangular shape, a dome shape, a cylinder shape, and the like.

한편, 상부 챔버(111)는 그 내경이 상부에서 하부를 향하여 점점 더 크게 형성될 수 있다.Meanwhile, the inner diameter of the upper chamber 111 may gradually increase from the top to the bottom.

안착부(120)는 기판(S)이 안착되어, 처리공간(112a)에 배치될 수 있다. 즉, 안착부(120)는 하부 챔버(112)의 내부에 설치되고, 챔버(110)의 내부로 공정가스(혹은 플라즈마)가 공급되는 방향에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 여기서, 안착부(120)는 그 위치가 고정되어 설치될 수 있다.The seating portion 120 may be disposed in the processing space 112a where the substrate S is seated. That is, the seating part 120 may be installed inside the lower chamber 112 and may be disposed at a position opposite to a direction in which process gas (or plasma) is supplied into the chamber 110 . Here, the seating portion 120 may be installed in a fixed position.

베셀부(130)는 처리공간(112a)에서 안착부(120)보다 상측에 배치되고, 안착부(120)에 안착된 기판(S)을 향하여 플라즈마를 안내할 수 있도록, 관통구(130a)를 구비할 수 있다. 즉, 베셀부(130)는 그 내부가 상하방향을 따라 관통되며, 상술한 관통된 부분이 관통구(130a)일 수 있다. 이에, 베셀부(130)는 관통구(130a)를 형성하는 그 내주면을 통해 플라즈마를 안착부(120)로 안내할 수 있다. The vessel part 130 is disposed above the seating part 120 in the processing space 112a and has a through hole 130a to guide plasma toward the substrate S seated on the seating part 120. can be provided That is, the inside of the vessel portion 130 is penetrated in the vertical direction, and the above-described through-hole may be the through-hole 130a. Accordingly, the vessel unit 130 may guide the plasma to the seating unit 120 through the inner circumferential surface forming the through hole 130a.

구동부(140)는 베셀부(130)를 승강시킬 수 있다. 즉, 구동부(140)는 구동력을 발생시키고, 발생된 구동력을 베셀부(130)로 전달하여 베셀부(130)를 안착부(120)에 안착된 기판(S)과 가까워지도록 이동시키거나 기판(S)으로부터 멀어지도록 이동시킬 수 있다.The driving unit 140 may elevate the vessel unit 130 . That is, the driving unit 140 generates a driving force and transmits the generated driving force to the vessel unit 130 to move the vessel unit 130 to be closer to the substrate S seated on the seating unit 120 or to the substrate ( can be moved away from S).

이와 같이, 상대적으로 무게가 무거운 안착부(120) 대신에, 상대적으로 무게가 가벼운 베셀부(130)를 승강시켜, 안착부(120)에 기판(S)을 안착하고, 안착된 기판(S)으로 플라즈마를 유도할 수 있다. 이에, 기판 처리 장치(100)의 작동 부하를 상대적으로 낮출 수 있다.In this way, instead of the seating portion 120 having a relatively heavy weight, the vessel portion 130 having a relatively light weight is moved up and down to seat the substrate S on the seating portion 120, and the seated substrate S plasma can be induced. Accordingly, an operation load of the substrate processing apparatus 100 may be relatively reduced.

한편, 가스 공급부(160)는 챔버(110)의 상부(예컨데, 상부 챔버(111)의 상부)에 설치되며, 챔버(110)의 내부로 공정가스를 공급할 수 있다. 가스 공급부(160)는 상부 챔버(111)의 폭방향으로 복수의 분사홀이 이격되어 나열 형성된 형상인 샤워헤드로 마련될 수 있으며，복수의 분사홀을 통해 공정가스를 챔버(110)에 공급할 수 있다.Meanwhile, the gas supply unit 160 is installed in the upper part of the chamber 110 (eg, the upper part of the upper chamber 111), and may supply process gas into the chamber 110. The gas supply unit 160 may be provided as a shower head having a shape in which a plurality of spray holes are spaced apart from each other in the width direction of the upper chamber 111, and process gas may be supplied to the chamber 110 through the plurality of spray holes. there is.

또한, 안테나(미도시)는 챔버(110)(예컨데, 상부 챔버(111))의 둘레를 감싸도록 배치되며, 챔버(110)로 공급된 공정가스를 플라즈마로 형성할 수 있다. 예를 들어, 안테나는 RF 전원이 인가될 수 있는 코일 형상으로 마련될 수 있다.In addition, an antenna (not shown) is disposed to surround the circumference of the chamber 110 (eg, the upper chamber 111), and process gas supplied to the chamber 110 may be formed into plasma. For example, the antenna may be provided in a coil shape to which RF power can be applied.

도 2 및 도 3을 참조하면, 구체적으로, 베셀부(130)를 가이드하기 위한 가이드부(150)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , in detail, a guide part 150 for guiding the vessel part 130 may be further included.

구체적으로, 가이드부(150)는, 관통구(130a)를 기준으로 원주방향을 따라, 복수의 지점에서 베셀부(130)를 지지할 수 있다. 여기서, 원주방향은 상하방향을 중심축으로 하는 원의 둘레방향일 수 있다. 가이드부(150)는 챔버(110)(예컨데, 상부 챔버(111)와 하부 챔버(112)가 만나는 지점의 외벽)에 설치되며, 구동부(140)에 연결될 수 있다. 가이드부(150)는 구동부(140)에 결합된 베셀부(130)의 상하방향 이동을 가이드할 수 있다. Specifically, the guide part 150 may support the vessel part 130 at a plurality of points along the circumferential direction based on the through hole 130a. Here, the circumferential direction may be a circumferential direction of a circle having a vertical direction as a central axis. The guide unit 150 may be installed in the chamber 110 (eg, an outer wall at a point where the upper chamber 111 and the lower chamber 112 meet) and may be connected to the driving unit 140 . The guide unit 150 may guide the vertical movement of the vessel unit 130 coupled to the driving unit 140 .

여기서, 가이드부(150)는 적어도 셋 이상의 지점에서 베셀부(130)를 가이드할 수 있다. 즉, 가이드부(150)는 적어도 셋 이상의 지점에서 챔버(110)에 지지된 상태로 베셀부(130)의 상하방향 이동을 가이드할 수 있다. 여기서, 상술한 적어도 셋 이상의 지점은 원주방향을 기준으로, 서로 90° 이상 내지 120° 이하의 각도로 이격되는 지점일 수 있다.Here, the guide part 150 may guide the vessel part 130 at at least three points. That is, the guide unit 150 may guide the vertical movement of the vessel unit 130 in a state supported by the chamber 110 at at least three points. Here, at least three or more points described above may be points spaced apart from each other at an angle of 90° or more to 120° or less based on the circumferential direction.

이와 같이, 가이드부(150)가 복수의 지점(예컨데, 셋 이상의 지점)에서 베셀부(130)를 지지한 상태로 베셀부(130)를 승강시키므로, 승강하는 베셀부(130)의 수평도를 유지시킬 수 있다. 따라서, 가이드부(150)를 통해, 베셀부(130)가 수평을 유지한 상태에서, 플라즈마를 기판(S)으로 유도할 수 있게 되고, 기판(S)의 식각비가 일정해질 수 있다.In this way, since the guide unit 150 lifts the vessel unit 130 while supporting the vessel unit 130 at a plurality of points (eg, three or more points), the horizontality of the vessel unit 130 being lifted can be maintained Accordingly, plasma can be induced to the substrate S through the guide unit 150 while the vessel unit 130 is maintained horizontally, and the etching rate of the substrate S can be constant.

도 4를 참조하면, 구체적으로, 가이드부(150)는 지지부재(151) 및 상판부재(152)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , in detail, the guide part 150 may include a support member 151 and an upper plate member 152 .

지지부재(151)는 상하로 연장되고, 그 하부가 챔버(110)의 외벽(예컨데, 상부 챔버(111)와 하부 챔버(112)가 만나는 지점의 외벽)에 지지될 수 있다. 지지부재(151)에는 구동부(140)가 이동 가능하게 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 지지부재(151)는 상하방향으로 연장된 막대 형상으로 형성되며, 그 하부가 챔버(110)의 외벽에 고정될 수 있다. 또한, 지지부재(151)는 구동부(140)와 연결되는 일측면에 가이드레일(151a) 및 가이드레일(151a)에 상하방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 결합되는 가이드유닛(151b)을 구비할 수 있다. 가이드레일(151a)은 구동부(140)의 상하방향 이동 경로를 형성하고, 가이드유닛(151b)은 후술되는 구동부(140)의 앵커(143aa)에 결합되며, 후술되는 구동부(140)의 제1 이동체(143a)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 가이드레일(151a)은 슬라이딩 레일로 마련될 수 있고, 가이드유닛(151b)은 슬라이더로 마련될 수 있다.The supporting member 151 extends vertically, and a lower portion thereof may be supported on an outer wall of the chamber 110 (eg, an outer wall at a point where the upper chamber 111 and the lower chamber 112 meet). The driving unit 140 may be movably connected to the support member 151 . More specifically, the support member 151 is formed in a rod shape extending in the vertical direction, and a lower portion thereof may be fixed to an outer wall of the chamber 110 . In addition, the support member 151 may include a guide rail 151a on one side connected to the driving unit 140 and a guide unit 151b coupled to the guide rail 151a to be slidably movable along the vertical direction. . The guide rail 151a forms a vertical movement path of the driving unit 140, the guide unit 151b is coupled to an anchor 143aa of the driving unit 140 to be described later, and the first movable body of the driving unit 140 to be described later. (143a) can be moved in the vertical direction. For example, the guide rail 151a may be provided as a sliding rail, and the guide unit 151b may be provided as a slider.

상판부재(152)는 지지부재(151)의 상부에 결합될 수 있다. 상판부재(152)에는 후술되는 구동부(140)의 승강바(142a)가 삽입될 수 있다. 상판부재(152)는 그 내부에 삽입되어 상하방향으로 이동하는 승강바(142a)를 지지할 수 있도록, 소정의 두께를 가지는 플레이트 형상으로 마련될 수 있다.The upper plate member 152 may be coupled to an upper portion of the support member 151 . An elevating bar 142a of the driving unit 140, which will be described later, may be inserted into the upper plate member 152. The upper plate member 152 may be provided in a plate shape having a predetermined thickness so as to support the lifting bar 142a that is inserted therein and moves vertically.

이와 같이, 지지부재(151)가 챔버(110)의 외벽에 고정된 상태에서 구동부(140)를 지지하므로, 구동부(140)의 구동력이 안정적으로 베셀부(130)로 전달될 수 있다. 또한, 상판부재(152)가 승강바(142a)를 지지한 상태에서 승강바(142a)의 상하이동을 가이드하므로, 승강바(142a)에 연결된 제1 이동체(143a)의 수평도를 유지시킬 수 있다.In this way, since the support member 151 supports the drive unit 140 while being fixed to the outer wall of the chamber 110, the driving force of the drive unit 140 can be stably transmitted to the vessel unit 130. In addition, since the upper plate member 152 guides the vertical movement of the lifting bar 142a while supporting the lifting bar 142a, the horizontality of the first movable body 143a connected to the lifting bar 142a can be maintained. there is.

도 3을 참조하면, 구체적으로, 지지부재(151)는, 복수개로 마련되고, 원주방향을 따라 서로 이격되며, 복수의 지점에서 구동부(140)의 이동부재(143)를 지지할 수 있다.Referring to FIG. 3 , specifically, a plurality of support members 151 may be provided, spaced apart from each other in a circumferential direction, and support the movable member 143 of the driving unit 140 at a plurality of points.

일반적으로, 일 평면을 타 평면과 수평상태로 형성하기 위해서는 적어도 셋 이상의 위치에서 수평도를 조절해야 한다. 즉, 일 평면을 셋 이상의 위치에서 높이 조절해야, 타 평면에 대하여 수평하게 배치시킬 수 있다. 이에, 복수의 지지부재(151)는 적어도 셋 이상의 지점에서 구동부(140)의 이동부재(143)에 상대 이동 가능하게 연결될 수 있다. 즉, 복수의 지지부재(151)가 연결된 이동부재(143)를 지지할 수 있다. 여기서, 복수의 지지부재(151)는 원주방향을 기준으로 서로 90° 이상 내지 120° 이하의 각도로 이격될 수 있다. 하기에서는, 복수의 지지부재(151)가 90°의 각도로 이격된 경우를 예시적으로 설명한다.In general, in order to form one plane in a horizontal state with another plane, the degree of horizontality must be adjusted in at least three positions. That is, the height of one plane must be adjusted at three or more positions so that it can be placed horizontally with respect to other planes. Accordingly, the plurality of support members 151 may be relatively movably connected to the movable member 143 of the driving unit 140 at at least three points. That is, the plurality of support members 151 may support the connected movable member 143 . Here, the plurality of support members 151 may be spaced apart from each other at an angle of 90° or more to 120° or less based on the circumferential direction. In the following, a case where the plurality of support members 151 are spaced apart at an angle of 90° will be described as an example.

이와 같이, 복수의 지지부재(151)가 복수의 위치(예컨데, 적어도 셋 이상의 위치)에서 이동부재(143)를 지지하므로, 상하방향으로 이동하는 이동부재(143)의 수평도를 유지시킬 수 있다.In this way, since the plurality of support members 151 support the movable member 143 at a plurality of positions (eg, at least three positions), the horizontality of the movable member 143 moving in the vertical direction can be maintained. .

도 3을 참조하면, 구체적으로, 구동부(140)는 동력부재(141), 연결부재(142) 및 이동부재(143)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , in detail, the drive unit 140 may include a power member 141 , a connection member 142 and a moving member 143 .

동력부재(141)는 구동력을 발생시키고, 가이드부(150)에 결합될 수 있다. 여기서, 동력부재(141)는 베셀부(130)를 승강시킬 수 있도록, 구동력을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 동력부재(141)는 모터, 실린더 등으로 마련될 수 있다. 하기에서는, 동력부재(141)가 지지부재(151)에 설치되는 경우를 예시적으로 설명한다. 하지만, 동력부재(141)의 구조 및 설치 위치는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The power member 141 may generate a driving force and be coupled to the guide unit 150 . Here, the power member 141 may generate a driving force so as to elevate the vessel unit 130 . For example, the power member 141 may be provided with a motor, cylinder, or the like. In the following, a case in which the power member 141 is installed on the support member 151 will be described as an example. However, the structure and installation position of the power member 141 is not limited thereto and may vary.

연결부재(142)는 상하방향을 기준으로 동력부재(141)에 전후진 이동 가능하게 결합될 수 있다. 연결부재(142)는 동력부재(141)에서 발생된 구동력을 이동부재(143)에 전달하는 역할을 할 수 있다.The connection member 142 may be movably coupled to the power member 141 in a vertical direction. The connection member 142 may play a role in transmitting driving force generated from the power member 141 to the moving member 143 .

이동부재(143)는 연결부재(142)와 베셀부(130)에 각각 연결될 수 있다. 이동부재(143)는 동력부재(141)에 발생된 구동력을 연결부재(142)를 통해 전달받고, 전달받은 구동력을 통해 베셀부(130)를 승강시킬 수 있다. 이동부재(143)는 상하로 이동 가능하게 지지부재(151)에 지지될 수 있다. 즉, 이동부재(143)는 적어도 일부가 원주방향을 따라 연장되며, 복수의 지지부재(151)의 가이드레일(151a)에 상하방향으로 이동 가능하게 결합될 수 있다. 또한, 이동부재(143)는 원주방향을 기준으로 복수의 지점에서 베셀부(130)에 연결될 수 있다.The moving member 143 may be connected to the connecting member 142 and the vessel unit 130, respectively. The moving member 143 may receive the driving force generated by the power member 141 through the connection member 142 and move the vessel unit 130 up and down through the received driving force. The movable member 143 may be supported by the support member 151 to be movable up and down. That is, at least a portion of the movable member 143 extends in the circumferential direction and may be movably coupled to the guide rails 151a of the plurality of support members 151 in a vertical direction. In addition, the movable member 143 may be connected to the vessel unit 130 at a plurality of points in the circumferential direction.

이와 같이, 연결부재(142)가 동력부재로부터 발생된 구동력을 이동부재(143)에 전달하고, 이동부재(143)가 복수의 지지부재(151)에 지지된 상태로 베셀부(130)를 상하방향을 따라 이동시킬 수 있다. 이에, 이동부재(143)가 복수의 위치에서 베셀부(130)를 지지하므로, 더 안정적으로 베셀부(130)를 승강시킬 수 있다.In this way, the connecting member 142 transmits the driving force generated from the power member to the moving member 143, and the moving member 143 moves the vessel unit 130 up and down while being supported by the plurality of support members 151. It can be moved in any direction. Accordingly, since the movable member 143 supports the vessel unit 130 at a plurality of positions, the vessel unit 130 can be moved up and down more stably.

도 5를 참조하면, 구체적으로, 이동부재(143)는 제1 이동체(143a) 및 제2 이동체(143b)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , in detail, the movable member 143 may include a first movable body 143a and a second movable body 143b.

제1 이동체(143a)는 지지부재(151)의 가이드레일(151a)에 슬라이딩 이동 가능하게 결합되며, 원주방향을 따라 연장될 수 있다. 제1 이동체는 상하방향을 기준으로 상판부재(152)와 챔버(110)의 외벽 사이에 배치되며, 원주방향을 따라 연장된 중공의 플레이트로 형성될 수 있다. 제1 이동체(143a)의 중공에는 상부 챔버(111)가 관통되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 이동체(143a)는 교차방향과 폭방향을 기준으로 하는 평면에서, 그 단면이 ‘C’자 형상의 플레이트로 형성될 수 있다.The first movable body 143a is slidably coupled to the guide rail 151a of the support member 151 and may extend in a circumferential direction. The first movable body may be disposed between the upper plate member 152 and the outer wall of the chamber 110 in the vertical direction, and may be formed as a hollow plate extending in the circumferential direction. An upper chamber 111 may be disposed through the hollow of the first movable body 143a. For example, the first movable body 143a may be formed as a plate having a 'C' shape in its cross section in a plane based on the cross direction and the width direction.

또한, 제1 이동체(143a)는 그 하부에 복수의 앵커(143aa)를 구비할 수 있다. 앵커(143aa)는 제1 이동체(143a)를 가이드유닛(151b)에 고정시킬 수 있다. 앵커(143aa)는 절곡된 형상으로 형성되며, 그 상면에 제1 이동체(143a)의 하부가 고정되고, 절곡된 부분에 가이드유닛(151b)의 측부가 고정될 수 있다. 예를 들어, 앵커(143aa)는 그 단면이 'ㄱ'자 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 앵커(143aa)는 지지부재(151)의 개수와 동일한 개수로 마련될 수 있다.In addition, the first movable body 143a may have a plurality of anchors 143aa below it. The anchor 143aa may fix the first movable body 143a to the guide unit 151b. The anchor 143aa is formed in a bent shape, the lower part of the first movable body 143a is fixed to the upper surface, and the side part of the guide unit 151b can be fixed to the bent part. For example, the cross section of the anchor 143aa may be formed in an 'L' shape. In addition, the same number of anchors 143aa as the number of support members 151 may be provided.

제2 이동체(143b)는 제1 이동체(143a)에 결합되고, 적어도 일부가 챔버(110)의 외벽을 관통하여 베셀부(130)에 연결될 수 있다. 제2 이동체(143b)는 제1 이동체(143a)의 하부에 결합되고, 상술한 챔버(110)의 수용홀(111b)에 삽입될 수 있다.The second movable body 143b may be coupled to the first movable body 143a and may be connected to the vessel unit 130 through at least a portion of the outer wall of the chamber 110 . The second movable body 143b is coupled to the lower portion of the first movable body 143a and may be inserted into the above-described receiving hole 111b of the chamber 110 .

이와 같이, 제2 이동체(143b)의 적어도 일부가 챔버(110)의 외벽을 관통하여 베셀부(130)에 결합되므로, 챔버(110)의 외벽 하측에 위치한 베셀부(130)에 동력부재(141)의 구동력을 전달할 수 있다. 따라서, 제2 이동체(143b)가 베셀부(130)를 승강시킬 수 있다.In this way, since at least a part of the second movable body 143b passes through the outer wall of the chamber 110 and is coupled to the vessel unit 130, the power member 141 is attached to the vessel unit 130 located below the outer wall of the chamber 110. ) can deliver the driving force. Accordingly, the second movable body 143b may move the vessel unit 130 up and down.

도 6을 참조하면, 구체적으로, 제2 이동체(143b)는, 복수개로 마련되고, 관통구(130a)의 중심축(즉, 상하방향)을 기준으로 방사형으로 일정간격 이격될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 이동체(143b)는 4개로 마련될 수 있으며, 동력부재(141)를 기준으로 한쌍의 제2 이동체(143b)가 폭방향을 기준으로 일측에 서로 인접하게 배치되고, 다른 한쌍의 제2 이동체(143b)가 폭방향을 기준으로 타측에 서로 인접하게 배치될 수 있다. 이에, 복수의 제2 이동체(143b)는 동력부재(141)를 사이에 두고, 그 양측에서 베셀부(130)를 지지하는 구조를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in detail, a plurality of second movable bodies 143b may be provided, and may be radially spaced at regular intervals based on the central axis (ie, up and down direction) of the through hole 130a. For example, the plurality of second movable bodies 143b may be provided in four, and a pair of second movable bodies 143b are disposed adjacent to each other on one side in the width direction based on the power member 141, Another pair of second movable bodies 143b may be disposed adjacent to each other on the other side in the width direction. Thus, the plurality of second movable bodies 143b may form a structure supporting the vessel unit 130 at both sides with the power member 141 interposed therebetween.

이와 같이, 복수의 제2 이동체(143b)가 방사형으로 배치된 상태에서, 제1 이동체(143a)에 베셀부(130)를 연결시키므로, 하강하는 베셀부(130)의 수평도를 유지시킬 수 있다.In this way, in a state where the plurality of second movable bodies 143b are radially arranged, since the vessel unit 130 is connected to the first movable body 143a, the horizontality of the descending vessel unit 130 can be maintained. .

도 7 및 도 8을 참조하면, 구체적으로, 제2 이동체(143b)는 바디(143ba), 메인기둥(143bb) 및 서브기둥(143bc)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8 , in detail, the second movable body 143b may include a body 143ba, a main pillar 143bb, and a sub pillar 143bc.

바디(143ba)는 제1 이동체(143a)의 하부에 고정될 수 있다. 예를 들어, 바디(143ba)는 상하방향으로 소정의 길이를 가지는 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 바디(143ba)는 그 하부에 내측으로 함몰된 복수의 홀들을 구비할 수 있다. 상술한 복수의 홀들에 후술되는 서브기둥(143bc)이 이동 가능하게 삽입될 수 있다.The body 143ba may be fixed to the lower part of the first movable body 143a. For example, the body 143ba may be formed in a cylindrical shape having a predetermined length in the vertical direction. In addition, the body 143ba may have a plurality of holes recessed inward in its lower portion. A sub-column 143bc described below may be movably inserted into the plurality of holes described above.

메인기둥(143bb)은 챔버(110) 외벽의 수용홀(111b)에 삽입되고, 그 상부가 바디(143ba)에 고정되며, 그 하부가 베셀부(130)에 고정될 수 있다. 메인기둥(143bb)은 상하방향으로 연장된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 메인기둥(143bb)의 직경은 수용홀(111b)의 내경보다 작게 형성될 수 있다.The main pillar 143bb may be inserted into the receiving hole 111b of the outer wall of the chamber 110, the upper part may be fixed to the body 143ba, and the lower part may be fixed to the vessel part 130. The main pillar 143bb may be formed in a cylindrical shape extending in the vertical direction. Here, the diameter of the main pillar 143bb may be smaller than the inner diameter of the receiving hole 111b.

서브기둥(143bc)은 바디(143ba)의 이동을 가이드하도록 삽입되고, 그 하부가 챔버(110)의 외벽에 지지될 수 있다. 서브기둥(143bc)은 그 상부가 상술한 바디(143ba)의 홀에 상하방향을 따라 이동 가능하게 삽입되고, 그 하부가 챔버(110)의 외벽(예컨데, 상부 챔버(111)와 하부 챔버(112)가 만나는 지점의 외벽)에 고정될 수 있다. 이에, 메인기둥(143bb) 및 바디(143ba)가 제1 이동체(143a)와 함께 상하방향을 따라 이동함에 있어서, 서브기둥(143bc)은 그 위치가 고정될 수 있다. 즉, 서브기둥(143bc)의 위치가 상하방향에 대해 수평하게 고정된 상태에서, 바디(143ba)에 형성된 홀의 형성 경로를 따라 바디(143ba)의 내부로 삽입될 수 있다. 따라서, 바디(143ba)의 수평도를 유지시키며 상하방향으로 이동하는 바디(143ba)를 가이드할 수 있다.The sub-column 143bc is inserted to guide the movement of the body 143ba, and a lower portion thereof may be supported on an outer wall of the chamber 110. The upper part of the sub-column 143bc is movably inserted into the hole of the body 143ba described above, and the lower part thereof is the outer wall of the chamber 110 (eg, the upper chamber 111 and the lower chamber 112). ) can be fixed to the outer wall) at the point where it meets. Accordingly, when the main pillar 143bb and the body 143ba move in the vertical direction together with the first movable body 143a, the position of the sub pillar 143bc may be fixed. That is, in a state in which the position of the sub-pillar 143bc is horizontally fixed in the vertical direction, it may be inserted into the body 143ba along the path of the hole formed in the body 143ba. Accordingly, it is possible to guide the body 143ba moving in the vertical direction while maintaining the horizontality of the body 143ba.

또한, 바디(143ba)가 일정이상 아래로 이동하면 서브기둥(143bc)이 제1 이동체(143a)에 접촉되어 바디(143ba)의 이동이 제한될 수 있다. 즉, 바디(143ba)의 이동을 제한하여 필요이상으로 베셀부(130)가 하강하는 것을 제한할 수 있다.In addition, when the body 143ba moves downward beyond a certain level, the sub-column 143bc contacts the first movable body 143a and the movement of the body 143ba may be restricted. That is, by limiting the movement of the body 143ba, it is possible to limit the descent of the vessel unit 130 more than necessary.

이와 같이, 바디(143ba)에 결합된 메인기둥(143bb)이 서브기둥(143bc)에 의해 가이드된 상태에서, 챔버(110)의 외벽을 관통하여 베셀부(130)를 지지하므로, 베셀부(130)를 더 안정적으로 승강시킬 수 있다.In this way, since the main pillar 143bb coupled to the body 143ba penetrates the outer wall of the chamber 110 and supports the vessel part 130 while being guided by the sub pillar 143bc, the vessel part 130 ) can be lifted more stably.

도 7 및 도 8을 참조하면, 구체적으로, 서브기둥(143bc)은, 복수개로 마련되며, 메인기둥(143bb)보다 짧은 길이를 갖고, 메인기둥(143bb)을 중심으로 방사형으로 일정간격 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브기둥(143bc)은 메인기둥(143bb)을 중심으로 하여, 그 둘레에서 서로 등간격으로 이격될 수 있다. 하기에서는, 복수의 서브기둥(143bc)이 4개로 마련되는 경우를 예시적으로 설명한다.7 and 8, specifically, a plurality of sub-pillars 143bc are provided, have a shorter length than the main pillar 143bb, and are radially spaced apart from each other at regular intervals around the main pillar 143bb. It can be. For example, the plurality of sub-pillars 143bc may be spaced apart from each other at equal intervals around the main pillar 143bb as a center. In the following, a case in which four sub-pillars 143bc are provided will be described as an example.

이와 같이, 복수의 서브기둥(143bc)이 메인기둥(143bb)의 둘레를 따라 배치되어 메인기둥(143bb)의 수평도를 유지시키므로, 메인기둥(143bb)이 베셀부(130)를 더 안정적으로 승강시킬 수 있다.In this way, since the plurality of sub-pillars 143bc are arranged along the circumference of the main pillar 143bb to maintain the horizontality of the main pillar 143bb, the main pillar 143bb moves the vessel unit 130 up and down more stably. can make it

한편, 복수의 서브기둥(143bc)은 메인기둥(143bb)을 기준으로 소정 간격 이격되어 배치될 수 있고, 복수의 서브기둥(143bc)과 메인기둥(143bb) 사이의 이격된 틈새로 후술되는 벨로우즈(143bd)가 메인기둥(143bb)의 둘레를 감싸도록 배치될 수 있다.On the other hand, the plurality of sub-pillars 143bc may be spaced apart from each other by a predetermined interval based on the main pillar 143bb, and the bellows (described later) as a spaced gap between the plurality of sub-pillars 143bc and the main pillar 143bb ( 143bd) may be arranged to surround the circumference of the main pillar 143bb.

도 7 및 도 8을 참조하면, 구체적으로, 메인기둥(143bb)의 둘레를 감싸도록 배치되는 벨로우즈(bellows)를 더 포함할 수 있다. 벨로우즈(143bd)는 그 하부가 수용홀(111b)을 형성하는 챔버(110) 외벽의 상부에 결합되고, 그 상부가 바디(143ba)의 하부에 결합되며, 그 내부에 메인기둥(143bb)을 수용할 수 있다. 벨로우즈(143bd)는 그 내경이 수용홀(111b)의 내경보다 더 크게 형성되며, 수용홀(111b)과 연통될 수 있다. 즉, 벨로우즈(143bd)는 수용홀(111b)을 밀폐할 수 있다. Referring to FIGS. 7 and 8 , in detail, bellows disposed to surround the circumference of the main pillar 143bb may be further included. The lower part of the bellows 143bd is coupled to the upper part of the outer wall of the chamber 110 forming the accommodating hole 111b, the upper part is coupled to the lower part of the body 143ba, and the main pillar 143bb is accommodated therein. can do. The bellows 143bd has an inner diameter larger than that of the accommodating hole 111b and may communicate with the accommodating hole 111b. That is, the bellows 143bd may seal the accommodating hole 111b.

일반적으로, 기판(S)에 식각이 진행되는 하부 챔버(112)의 처리공간(112a)은 진공상태일 수 있다. 만일, 처리공간(112a)에 상부 챔버(111)의 공기가 유입될 경우, 기판(S)의 식각이 원활하게 진행되지 못할 수 있다. 이에, 처리공간(112a)의 진공상태를 유지시키기 위해, 처리공간(112a)을 밀폐시킬 필요가 있다. 이에, 벨로우즈(143bd)가 메인기둥(143bb)의 둘레를 감싸도록 배치되어, 메인기둥(143bb)의 외주면과 수용홀(111b) 사이의 틈새(gap) 주위를 밀폐시켜, 처리공간(112a)이 진공상태가 유지되도록 할 수 있다.In general, the processing space 112a of the lower chamber 112 in which the substrate S is etched may be in a vacuum state. If air from the upper chamber 111 is introduced into the processing space 112a, etching of the substrate S may not proceed smoothly. Accordingly, in order to maintain a vacuum state in the processing space 112a, it is necessary to seal the processing space 112a. Accordingly, the bellows 143bd is disposed to surround the circumference of the main pillar 143bb, thereby sealing the periphery of the gap between the outer circumferential surface of the main pillar 143bb and the receiving hole 111b, so that the processing space 112a is formed. A vacuum can be maintained.

이와 같이, 벨로우즈(143bd)가 메인기둥(143bb)의 둘레를 감싸므로, 진공으로 형성되는 처리공간(112a)으로 공기가 유입되는 것을 방지할 수 있다.As such, since the bellows 143bd wraps around the main pillar 143bb, it is possible to prevent air from entering into the vacuum processing space 112a.

도 9를 참조하면, 구체적으로, 연결부재(142)는 승강바(142a), 연결판(142b) 및 연결바(142c)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9 , in detail, the connecting member 142 may include a lifting bar 142a, a connecting plate 142b and a connecting bar 142c.

승강바(142a)는 그 하부가 동력부재(141)의 내부로 슬라이딩 이동 가능하게 삽입될 수 있다. 예를 들어, 승강바(142a)는 상하방향으로 연장된 원기둥형상으로 형성될 수 있다.The lower part of the lifting bar 142a may be slidably inserted into the power member 141 . For example, the lifting bar 142a may be formed in a cylindrical shape extending in the vertical direction.

연결판(142b)은 승강바(142a)의 상부에 고정될 수 있다. 연결판(142b)은 교차방향을 따라 그 폭이 점점 증가하는 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결판(142b)은 소정의 면적을 갖는 삼각 플레이트로 형성될 수 있다.The connecting plate 142b may be fixed to an upper portion of the lifting bar 142a. The connection plate 142b may be formed in a shape in which the width gradually increases along the crossing direction. For example, the connecting plate 142b may be formed of a triangular plate having a predetermined area.

또한, 연결판(142b)이 일정이상 아래로 이동하면 상판부재(152)에 접촉되어 연결판(142b)의 이동이 제한될 수 있다. 즉, 연결판(142b)의 이동을 제한하여 필요이상으로 베셀부(130)가 하강하는 것을 제한할 수 있다.In addition, when the connecting plate 142b moves downward beyond a certain level, it comes into contact with the upper plate member 152 and the movement of the connecting plate 142b may be restricted. That is, by limiting the movement of the connecting plate 142b, it is possible to limit the descent of the vessel unit 130 more than necessary.

연결바(142c)는 그 상부가 연결판(142b)의 하부에 결합되고, 그 하부가 이동부재(143)에 결합되며, 지지부재(151)를 기준으로 서로 이격되어 상판부재(152)를 관통할 수 있다. 연결바(142c)는 한쌍으로 마련되며, 지지부재(151)를 기준으로 폭방향을 따라 등간격으로 서로 이격될 수 있다. 연결바(142c)는 상판부재(152)에 슬라이딩 이동 가능하게 삽입될 수 있다. 이에, 한쌍의 연결바(142c)가 지지부재(151)를 기준으로, 양측에서 이동부재(143)를 지지할 수 있다. 예를 들어, 연결바(142c)는 상하방향을 따라 연장된 원기둥 형상으로 형성될 수 있다. 이와 같이, 동력부재(151)에서 발생된 구동력을 승강바(152a), 승강판(152b)을 통해 한쌍의 연결바(142c)로 전달할 수 있다. 이에, 2개의 지점에서 이동부재(153)를 지지하는 한쌍의 연결바(142c)를 통해 보조적으로 이동부재(153)의 수평도를 유지시킬 수 있다.The connecting bar 142c has its upper part coupled to the lower part of the connecting plate 142b, its lower part coupled to the movable member 143, and is spaced apart from each other based on the support member 151 to pass through the upper plate member 152. can do. The connection bars 142c are provided as a pair and may be spaced apart from each other at equal intervals along the width direction with respect to the support member 151. The connecting bar 142c may be slidably inserted into the top plate member 152 . Accordingly, the pair of connecting bars 142c may support the movable member 143 from both sides based on the support member 151 . For example, the connecting bar 142c may be formed in a cylindrical shape extending in the vertical direction. In this way, the driving force generated by the power member 151 can be transmitted to the pair of connecting bars 142c through the lifting bar 152a and the lifting plate 152b. Accordingly, the horizontality of the movable member 153 may be maintained auxiliaryly through a pair of connecting bars 142c supporting the movable member 153 at two points.

도 2 및 도 3을 참조하면, 구체적으로, 구동부(140)는, 제1 이동체(143a) 및 제2 이동체(143b)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , in detail, the driving unit 140 may include a first movable body 143a and a second movable body 143b.

제1 이동체(143a)는 원주방향을 따라 연장될 수 있다. 제2 이동체(143b)는 제1 이동체(143a)에 결합되고, 적어도 일부가 챔버(110)의 외벽을 관통하여 베셀부(130)에 연결될 수 있다. 즉, 구동부(140)는 상술한 가이드부(150)에 의해 지지되지 않은 상태에서, 자체적으로 제1 이동체(143a) 및 제2 이동체(143b)에 의해 상하방향으로 이동하며 베셀부(130)를 승강시킬 수도 있다.The first movable body 143a may extend in a circumferential direction. The second movable body 143b may be coupled to the first movable body 143a and may be connected to the vessel unit 130 through at least a portion of the outer wall of the chamber 110 . That is, the driving unit 140, in a state not supported by the above-described guide unit 150, moves in the vertical direction by the first moving body 143a and the second moving body 143b by itself and moves the vessel unit 130. can also be lifted.

도 2 및 도 3을 참조하면, 구체적으로, 베셀부(130)는 베셀부재(131) 및 커버부재(132)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , in detail, the vessel unit 130 may include a vessel member 131 and a cover member 132 .

베셀부재(131)는 그 내부에 상하방향으로 관통된 관통구(130a)가 형성될 수 있다. 베셀부재(131)는 메인기둥(143bb)의 하부에 고정될 수 있다. 이에, 베셀부재(131)는 메인기둥(143bb)에 의해 상승 이동 혹은 하강할 수 있다.Vessel member 131 may have a through hole 130a penetrating in a vertical direction therein. The vessel member 131 may be fixed to the lower portion of the main pillar 143bb. Accordingly, the vessel member 131 may be moved upward or downward by the main pillar 143bb.

커버부재(132)는 베셀부재(131)에서 상측으로 돌출되고, 원주방향을 따라 연장되며, 챔버(110)의 외벽에 수용 가능하게 삽입될 수 있다. 커버부재(132)는 베셀부재(131)의 최외각 단부에서 상측으로 돌출되고, 챔버(110)의 외벽에 형성되는 가이드홈(111c)에 삽입될 수 있다. 상술한 바와 같이, 가이드홈(111c)은 챔버(110) 외벽의 하부에서 링형상으로 내측으로 함몰된 홈일 수 있다.The cover member 132 protrudes upward from the vessel member 131, extends in a circumferential direction, and can be receptively inserted into an outer wall of the chamber 110. The cover member 132 protrudes upward from the outermost end of the vessel member 131 and may be inserted into the guide groove 111c formed on the outer wall of the chamber 110 . As described above, the guide groove 111c may be a groove recessed inward in a ring shape at the bottom of the outer wall of the chamber 110 .

베셀부(130)가 하강하면 이에 따라 커버부재(132)가 가이드홈(111c)으로부터 노출되는 면이 증가하므로 챔버(110)의 외벽과 하강한 베셀부재(131) 사이의 틈새를 커버부재(132)가 커버할 수 있다.When the vessel unit 130 descends, the surface of the cover member 132 exposed from the guide groove 111c increases accordingly, so that the gap between the outer wall of the chamber 110 and the descending vessel member 131 is filled with the cover member 132. ) can cover.

커버부재(132)가 일정 이상 위로 이동하면 커버부재(132)가 가이드홈(111c)에 접촉되어 커버부재(132)의 이동이 제한될 수 있다. 즉, 커버부재(132)의 이동을 제한하여 필요이상으로 베셀부재(131)가 상승하는 것을 제한할 수 있다.When the cover member 132 moves upward beyond a certain level, the cover member 132 contacts the guide groove 111c and thus the movement of the cover member 132 may be restricted. That is, by restricting the movement of the cover member 132, it is possible to restrict the vessel member 131 from rising more than necessary.

이와 같이, 커버부재(132)가 베셀부(130)가 하강하면 챔버(110)의 외벽과 하강한 베셀부재(131) 사이의 틈새를 커버부재(132)가 막아줄 수 있다. 따라서, 커버부재(132)가 베셀부(130)로 유도된 플라즈마가 챔버(110)의 외벽과 이격된 베셀부재(131) 사이의 틈새로 빠져나가는 것을 억제시킬 수 있다.In this way, when the vessel portion 130 of the cover member 132 descends, the cover member 132 may block a gap between the outer wall of the chamber 110 and the descending vessel member 131 . Accordingly, the cover member 132 can suppress plasma induced into the vessel unit 130 from escaping through the gap between the outer wall of the chamber 110 and the spaced vessel member 131 .

도 6을 참조하면, 구체적으로, 베셀부재(131)는 제1 베셀부재(131a) 및 제2 베셀부재(131b)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in detail, the vessel member 131 may include a first vessel member 131a and a second vessel member 131b.

제1 베셀부재(131a)는 구동부(140)(즉, 메인기둥(143bb))에 연결되고, 원주방향을 따라 연장되며, 관통구(130a)의 일부(즉, 상부 영역)를 형성할 수 있다. 또한, 제1 베셀부재(131a)는 일부가 원주방향을 따라 수평하게 연장되고, 다른 일부가 수평하게 연장된 부분의 내측으로 하향 경사지게 연장될 수 있다. 하기에서는, 제1 베셀부재(131a)에서 원주방향을 따라 수평하게 연장되는 부분을 제1 파트(131aa)라 하고, 제1 파트(131aa)에서 폭이 좁아지도록 하향 경사지게 연장되는 부분을 제2 파트(131ab)라 한다.The first vessel member 131a may be connected to the driving unit 140 (ie, the main pillar 143bb), extend in a circumferential direction, and form a part (ie, an upper region) of the through hole 130a. . In addition, a part of the first vessel member 131a may extend horizontally along the circumferential direction, and another part may extend downwardly inclined toward the inside of the horizontally extended part. In the following, a portion extending horizontally along the circumferential direction of the first vessel member 131a is referred to as a first part 131aa, and a portion extending downwardly inclined so as to narrow the width of the first part 131aa is referred to as a second part. (131ab).

여기서, 제1 베셀부재(131a)의 제1 파트(131aa)는 그 상면이 챔버(110) 외벽의 하면과 접촉되거나, 혹은 이격될 수 있다. 또한, 제1 베셀부재(131a)의 제2 파트(131ab)는 하측으로 그 내경이 감소하는 형상으로 형성될 수 있다. Here, the upper surface of the first part 131aa of the first vessel member 131a may be in contact with the lower surface of the outer wall of the chamber 110 or may be separated from it. In addition, the second part 131ab of the first vessel member 131a may be formed in a shape in which an inner diameter decreases downward.

제2 베셀부재(131b)는 제1 베셀부재(131a)로부터 하측으로 연장되고, 관통구(130a)의 다른 일부(즉, 하부 영역)를 형성하며, 반경방향으로 관통된 배출통로(131ba)를 가질 수 있다. 여기서, 배출통로(131ba)는 제2 베셀부재(131b)의 하단부를 기준으로 소정 높이에 형성될 수 있다.The second vessel member 131b extends downward from the first vessel member 131a, forms another part (ie, lower area) of the through-hole 130a, and has a discharge passage 131ba penetrating in the radial direction. can have Here, the discharge passage 131ba may be formed at a predetermined height based on the lower end of the second vessel member 131b.

이와 같이, 제1 베셀부재(131a)와 제2 베셀부재(131b)가 하방으로 연장되므로, 플라즈마를 기판으로 원활히 유도할 수 있다. 또한, 배출통로(131ba)를 통해 일부의 플라즈마가 배출통로(131ba)로 유출되며 기판(S)으로 플라즈마가 안내되므로, 기판(S)의 외측부가 상대적으로 더 많이 식각되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 즉, 기판(S)으로 유도된 플라즈마가 기판의 외측부에 체류하며, 기판(S)의 외측부를 중심부보다 상대적으로 더 많이 식각하는 것을 억제시킬 수 있다.As such, since the first vessel member 131a and the second vessel member 131b extend downward, plasma can be smoothly induced to the substrate. In addition, since some of the plasma flows out to the discharge passage 131ba through the discharge passage 131ba and the plasma is guided to the substrate S, it is possible to suppress or prevent the outer portion of the substrate S from being etched relatively more. there is. That is, the plasma induced to the substrate S stays on the outer portion of the substrate, and etching of the outer portion of the substrate S relatively more than the central portion can be suppressed.

도 10 및 도 11을 참조하면, 구체적으로, 커버부재(132)의 돌출되는 길이는, 베셀부(130) 하강시 제1 베셀부재(131a)와 챔버(110)의 외벽 사이의 틈새를 커버 가능한 길이로 형성될 수 있다. 즉, 커버부재(132)의 상하방향 길이는 베셀부(130)의 하강 거리에 대응되는 길이로 형성될 수 있다. 커버부재(132)의 상하방향 길이는, 제1 베셀부재(131a)의 제1 파트(131aa)의 상면과 챔버(110)의 외벽(즉, 상부 챔버(111))의 하면 사이의 간격과 같거나, 혹은 더 긴 길이로 형성될 수 있다.10 and 11, in detail, the protruding length of the cover member 132 can cover the gap between the first vessel member 131a and the outer wall of the chamber 110 when the vessel unit 130 descends. Can be made in length. That is, the vertical length of the cover member 132 may be formed to correspond to the descending distance of the vessel unit 130 . The vertical length of the cover member 132 is the same as the distance between the upper surface of the first part 131aa of the first vessel member 131a and the lower surface of the outer wall of the chamber 110 (ie, upper chamber 111). or may be formed in a longer length.

이와 같이, 커버부재(132)의 길이가 베셀부(130)의 이동 거리에 대응되는 길이로 형성되므로, 베셀부(130) 하강시 챔버(110)의 외벽과 제1 베셀부재(131a) 사이의 틈새를 효과적으로 커버할 수 있다. 따라서, 플라즈마가 베셀부(130)로 유도되지 못하고 베셀부(130)의 외부로 새 나가는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.In this way, since the length of the cover member 132 is formed to correspond to the moving distance of the vessel part 130, when the vessel part 130 descends, there is a gap between the outer wall of the chamber 110 and the first vessel member 131a. gaps can be effectively covered. Accordingly, it is possible to suppress or prevent plasma from escaping to the outside of the vessel unit 130 without being guided to the vessel unit 130 .

도 12를 참조하면, 구체적으로, 커버부재(132)는 그 내주면이 아노다이징 방식으로 코팅될 수 있다. 이에 더하여, 커버부재(132)는 그 내주면이 아노다이징 처리된 알루미늄 재질로 형성될 수도 있다. Referring to FIG. 12 , in detail, the inner circumferential surface of the cover member 132 may be coated with an anodizing method. In addition, the cover member 132 may be formed of an aluminum material having an anodized inner circumferential surface thereof.

이와 같이, 커버부재(132)의 내주면이 코팅되므로, 커버부재(132)가 마모 및 부식되는 것을 억제시킬 수 있다.In this way, since the inner circumferential surface of the cover member 132 is coated, wear and corrosion of the cover member 132 can be suppressed.

도 10을 참조하면, 구체적으로, 제1 베셀부재(131a)는, 그 하단부를 향하여 내경이 감소할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 베셀부재(131a)는 제1 파트(131aa)에서 하측으로 연장되는 제2 파트(131ab)가 그 폭이 감소하도록 하향 경사지게 연장 형성될 수 있다.Referring to FIG. 10 , specifically, the inner diameter of the first vessel member 131a may decrease toward the lower end thereof. As described above, in the first vessel member 131a, the second part 131ab extending downward from the first part 131aa may be formed to extend obliquely downward so that the width thereof decreases.

이와 같이, 제1 베셀부재(131a)의 내경이 감소하는 형상을 가지므로, 기판(S)의 중심부로 플라즈마를 원활하게 유도할 수 있다.In this way, since the inner diameter of the first vessel member 131a has a decreasing shape, plasma can be smoothly induced to the center of the substrate S.

도 2 및 도 3을 참조하면, 구체적으로, 배출통로(131ba)는 복수개로 마련될 수 있다. 복수의 배출통로(131ba)는 제2 베셀부재(131b)의 둘레를 따라 등간격 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , specifically, a plurality of discharge passages 131ba may be provided. The plurality of discharge passages 131ba may be arranged at regular intervals along the circumference of the second vessel member 131b.

이와 같이. 배출통로(131ba)가 제2 베셀부재(131b)의 둘레를 따라 등간격으로 형성되므로, 기판을 식각 처리한 플라즈마를 원활하게 배출시킬 수 있다. 따라서, 플라즈마가 기판의 외측부(즉, 가장자리 부분)에 체류하며, 기판(S)의 가장자리 부분이 중심부에 비하여 과도하게 식각되는 것을 억제시킬 수 있다.like this. Since the discharge passages 131ba are formed at regular intervals along the circumference of the second vessel member 131b, the plasma etched on the substrate can be smoothly discharged. Accordingly, the plasma stays on the outer portion (ie, the edge portion) of the substrate, and it is possible to suppress excessive etching of the edge portion of the substrate S compared to the central portion.

도 1 및 도 2 및 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 안착부(120) 및 베셀부(130)를 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 and 10 , the substrate processing apparatus 100 according to another embodiment of the present invention may include a chamber 110, a seating part 120, and a vessel part 130. .

챔버(110)는 내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 처리공간(112a)을 구비할 수 있다.The chamber 110 may include a processing space 112a for processing a substrate with plasma therein.

안착부(120)는 처리공간(112a)에 배치되고, 기판(S)이 안착될 수 있다.The seating portion 120 is disposed in the processing space 112a, and the substrate S may be seated thereon.

베셀부(130)는 기판으로 플라즈마를 안내하도록 관통구(130a)를 구비하며, 안착부(120)를 향하여 이동 가능하게 배치될 수 있다.The vessel unit 130 has a through hole 130a to guide plasma to the substrate, and may be movably disposed toward the seating unit 120 .

또한, 커버부재(132)를 포함할 수 있다.In addition, a cover member 132 may be included.

커버부재(132)는 그 외주부로터 챔버(110)의 외벽을 향해 상측으로 돌출되어 그 적어도 일 부분이 챔버(110)의 외벽 내측에 삽입될 수 있다.The cover member 132 protrudes upward toward the outer wall of the chamber 110 from its outer circumferential portion, and at least one portion of the cover member 132 may be inserted into the outer wall of the chamber 110 .

이와 같이, 커버부재(132)가 가이드홈(111c)에 삽입된 깊이가 조절되어, 베셀부(130)와 챔버(110)의 외벽 사이의 틈새를 효과적으로 커버할 수 있다. In this way, the depth at which the cover member 132 is inserted into the guide groove 111c is adjusted, so that the gap between the vessel unit 130 and the outer wall of the chamber 110 can be effectively covered.

도 12를 참조하면, 구체적으로, 챔버(110)는, 그 외벽에 원주방향을 따라 내측을 함몰된 가이드홈(111c)을 포함할 수 있다. 가이드홈(111c)은 챔버(110) 외벽의 내측에서 외측(예컨데, 상측)으로 함몰되어 형성될 수 있다.Referring to FIG. 12 , in detail, the chamber 110 may include a guide groove 111c recessed inside along the circumferential direction on its outer wall. The guide groove 111c may be formed by being depressed from the inside of the outer wall of the chamber 110 to the outside (eg, upper side).

또한, 구체적으로, 커버부재(132)는, 베셀부(130)의 이동에 의해 가이드홈(111c)에 삽입된 깊이가 조절될 수 있다. 즉, 커버부재(132)는 베셀부(130)의 상승에 연동되어 위로 이동하여, 삽입된 깊이가 증가하거나, 혹은 베셀부(130)의 하강에 연동되어 아래로 이동하여, 삽입된 깊이가 감소되어 제1 베셀부재(131a)의 상부와 챔버(110)의 외벽 하부 사이의 공간을 커버할 수 있다.In addition, in detail, the insertion depth of the cover member 132 into the guide groove 111c may be adjusted by moving the vessel unit 130 . That is, the cover member 132 moves upward in conjunction with the elevation of the vessel unit 130, thereby increasing the insertion depth, or moves downward in association with the descent of the vessel unit 130, thereby decreasing the insertion depth. This may cover the space between the upper part of the first vessel member 131a and the lower part of the outer wall of the chamber 110.

이와 같이, 베셀부(130)의 승강에 연동되어 이동하는 커버부재(132)가 가이드홈(111c)에 삽입된 깊이가 조절되어, 베셀부(130)와 챔버(110)의 외벽 사이의 틈새를 효과적으로 커버할 수 있다.In this way, the depth at which the cover member 132, which moves in conjunction with the elevation of the vessel unit 130, is inserted into the guide groove 111c is adjusted to close the gap between the vessel unit 130 and the outer wall of the chamber 110. can be covered effectively.

이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 청구범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.Above, the present invention has been described in detail through preferred embodiments, but the present invention is not limited thereto and may be variously practiced within the scope of the claims.

이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 청구범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.Above, the present invention has been described in detail through preferred embodiments, but the present invention is not limited thereto and may be variously practiced within the scope of the claims.

100: 기판 처리 장치 110: 챔버
111: 상부챔버 111a: 중앙홀
111b: 수용홀 111c: 가이드홈
112: 가이드홈 112a: 처리공간
120: 안착부 130: 베셀부
130a: 관통구 131: 베셀부재
131a: 제1 베셀부 131aa: 제1 파트
131ab: 제2 파트 131b: 제2 베셀부재
131ba: 배출통로 132: 커버부재
140: 구동부 141: 동력부재
142: 연결부재 142a: 승강바
142b: 연결판 142c: 연결바
143: 이동부재 143a: 제1 이동체
143aa: 앵커 143b: 제2 이동체
143ba: 바디 143bb: 메인기둥
143bc: 서브기둥 143bd: 벨로우즈
150: 가이드부 151: 지지부재
151a: 가이드레일 151b: 가이드유닛
152: 상판부재 160: 가스 공급부
S: 기판100: substrate processing device 110: chamber
111: upper chamber 111a: central hole
111b: receiving hole 111c: guide groove
112: guide groove 112a: processing space
120: seating part 130: vessel part
130a: through hole 131: vessel member
131a: first vessel part 131aa: first part
131ab: second part 131b: second vessel member
131ba: discharge passage 132: cover member
140: driving unit 141: power member
142: connecting member 142a: lifting bar
142b: connecting plate 142c: connecting bar
143: moving member 143a: first moving body
143aa: anchor 143b: second mobile body
143ba: body 143bb: main pillar
143bc: sub-column 143bd: bellows
150: guide part 151: support member
151a: guide rail 151b: guide unit
152: upper plate member 160: gas supply unit
S: substrate

Claims (20)

내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 처리공간을 구비하는 챔버;
기판이 안착되며, 상기 처리공간에 배치되는 안착부;
상기 처리공간에 상기 안착부보다 상측에 배치되고, 상기 안착부에 안착된 상기 기판을 향하여 상기 플라즈마를 안내하도록 관통구를 구비하는 베셀부;
상기 베셀부를 구동하기 위한 구동부; 및
상기 베셀부를 가이드하기 위한 가이드부;를 포함하고,
상기 베셀부는, 상기 구동부에 의해 구동되어 상기 안착부와의 간격이 조절되도록 상하 이동 가능하게 형성되고,
상기 가이드부는, 상기 관통구를 기준으로 원주방향을 따라, 복수의 지점에서 상기 베셀부를 지지하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.A chamber having a processing space for processing a substrate with plasma therein;
a seating portion on which a substrate is seated and disposed in the processing space;
a vessel unit disposed above the seating unit in the processing space and having a through-hole to guide the plasma toward the substrate seated on the seating unit;
a driving unit for driving the vessel unit; and
Including; a guide unit for guiding the vessel unit;
The vessel unit is driven by the driving unit and is formed to be vertically movable so that a distance with the seating unit is adjusted,
Characterized in that the guide part supports the vessel part at a plurality of points along the circumferential direction based on the through hole,
Substrate processing device. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 가이드부는,
상하로 연장되고, 그 하부가 상기 챔버의 외벽에 지지되고, 상기 구동부가 이동 가능하게 연결되는 지지부재; 및
상기 지지부재의 상부에 결합되는 상판부재; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 1,
The guide part,
a support member that extends vertically, has a lower portion supported on an outer wall of the chamber, and is movably connected to the driving unit; and
a top plate member coupled to an upper portion of the support member; including,
Substrate processing device. 청구항 3에 있어서,
상기 지지부재는, 복수개로 마련되고, 원주방향을 따라 서로 이격되며, 복수의 지점에서 상기 구동부의 이동부재를 지지하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 3,
The support member is provided in plurality, spaced apart from each other along the circumferential direction, characterized in that for supporting the moving member of the drive unit at a plurality of points,
Substrate processing device. 청구항 3에 있어서,
상기 구동부는,
구동력을 발생시키고, 상기 가이드부에 결합되는 동력부재;
상기 동력부재에 전후진 이동 가능하게 결합되는 연결부재; 및
상기 연결부재와 상기 베셀부에 각각 연결되고, 상기 동력부재에 발생된 구동력을 상기 연결부재를 통해 전달받아 상기 베셀부를 승강 가능하게 상기 지지부재에 지지되는 이동부재; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 3,
the driving unit,
a power member that generates a driving force and is coupled to the guide part;
A connecting member coupled to the power member to be movable forward and backward; and
a movable member connected to the connecting member and the vessel unit, and supported by the support member to enable the vessel unit to move up and down by receiving the driving force generated in the power member through the connecting member; including,
Substrate processing device. 청구항 5에 있어서,
상기 이동부재는,
상기 지지부재의 가이드레일에 슬라이딩 이동 가능하게 결합되며, 원주방향을 따라 연장되는 제1 이동체; 및
상기 제1 이동체에 결합되고, 적어도 일부가 상기 상기 챔버의 외벽을 관통하여 상기 베셀부에 연결되는 제2 이동체; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 5,
The moving member,
a first movable body that is slidably coupled to the guide rail of the support member and extends in a circumferential direction; and
a second movable body coupled to the first movable body and connected to the vessel unit through at least a portion of the outer wall of the chamber; including,
Substrate processing device. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 이동체는, 복수개로 마련되며, 상기 관통구의 중심축을 기준으로 방사형으로 일정간격 이격 배치되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 6,
The second movable body is provided in plurality, and is characterized in that it is arranged radially at regular intervals based on the central axis of the through hole.
Substrate processing device. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 이동체는,
상기 제1 이동체의 하부에 고정되는 바디;
상기 챔버 외벽의 수용홀에 삽입되고, 그 상부가 상기 바디에 고정되며, 그 하부가 상기 베셀부에 고정되는 메인기둥; 및
상기 바디의 이동을 가이드하도록 삽입되고, 그 하부가 챔버의 외벽에 지지되는 서브기둥; 을 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 6,
The second movable body,
a body fixed to the lower part of the first movable body;
a main pillar inserted into the receiving hole of the outer wall of the chamber, having an upper part fixed to the body, and a lower part fixed to the vessel part; and
a sub-column inserted to guide the movement of the body, the lower part of which is supported on the outer wall of the chamber; including,
Substrate processing device. 청구항 8에 있어서,
상기 서브기둥은, 복수개로 마련되며, 상기 메인기둥보다 짧은 길이를 갖고, 상기 메인기둥을 중심으로 방사형으로 일정간격 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 8,
Characterized in that the sub-pillars are provided in plurality, have a shorter length than the main pillar, and are radially spaced apart from each other at regular intervals around the main pillar.
Substrate processing device. 청구항 8에 있어서,
상기 제2 이동체는, 상기 바디와 상기 챔버의 외벽에 각각 연결되며, 상기 메인기둥의 둘레를 감싸도록 배치되는 벨로우즈; 를 더 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 8,
The second movable body may include bellows connected to the body and the outer wall of the chamber and arranged to surround the circumference of the main pillar; Including more,
Substrate processing device. 청구항 5에 있어서,
상기 연결부재는,
그 하부가 상기 동력부재에 슬라이딩 이동 가능하게 삽입되는 승강바;
상기 승강바의 상부에 결합되는 승강판; 및
그 상부가 상기 승강판의 하부에 결합되고, 그 하부가 상기 이동부재에 결합되며, 상기 지지부재를 기준으로 서로 이격되어 상기 상판부재를 관통하는 연결바; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 5,
The connecting member is
an elevating bar having a lower portion slidably inserted into the power member;
a lifting plate coupled to an upper portion of the lifting bar; and
a connection bar having an upper portion coupled to a lower portion of the lifting plate, a lower portion thereof coupled to the movable member, and spaced apart from each other based on the support member and penetrating the upper plate member; including,
Substrate processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 구동부는,
원주방향을 따라 연장되는 제1 이동체; 및
상기 제1 이동체에 결합되고, 적어도 일부가 상기 상기 챔버의 외벽을 관통하여 상기 베셀부에 연결되는 제2 이동체; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 1,
the driving unit,
a first movable body extending in a circumferential direction; and
a second movable body coupled to the first movable body and connected to the vessel unit through at least a portion of the outer wall of the chamber; including,
Substrate processing device. 청구항 1에 있어서,
상기 베셀부는,
상기 관통구가 형성되는 베셀부재; 및
상기 베셀부재에서 상측으로 돌출되고, 원주방향을 따라 연장되며, 상기 챔버의 외벽에 수용 가능하게 삽입되는 커버부재; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 1,
The vessel part,
a vessel member in which the through hole is formed; and
a cover member that protrudes upward from the vessel member, extends in a circumferential direction, and is receptively inserted into an outer wall of the chamber; including,
Substrate processing device. 청구항 13에 있어서,
상기 베셀부재는,
상기 구동부에 연결되고, 원주방향을 따라 연장되며, 상기 관통구의 일부를 형성하는 제1 베셀부재; 및
상기 제1 베셀부재로부터 하측으로 연장되고, 상기 관통구의 나머지 일부를 형성하며, 반경방향으로 관통된 배출통로를 가지는 제2 베셀부재; 를 포함하는,
기판 처리 장치.The method of claim 13,
The vessel member,
a first vessel member connected to the driving unit, extending in a circumferential direction, and forming a part of the through-hole; and
a second vessel member extending downward from the first vessel member, forming a remaining part of the through hole, and having a discharge passage passing through in a radial direction; including,
Substrate processing device. 청구항 14에 있어서,
상기 커버부재의 돌출되는 길이는, 상기 베셀부 하강시 상기 제1 베셀부재와 상기 챔버의 외벽 사이의 틈새를 커버하도록, 상기 베셀부의 하강 거리에 대응되는 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 14,
Characterized in that the protruding length of the cover member is formed to a length corresponding to the descending distance of the vessel unit so as to cover the gap between the first vessel member and the outer wall of the chamber when the vessel unit descends.
Substrate processing device. 청구항 13에 있어서,
상기 커버부재는, 그 내주면이 아노다이징 방식으로 코팅되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 13,
The cover member is characterized in that the inner circumferential surface is coated with an anodizing method,
Substrate processing device. 청구항 14에 있어서,
상기 제1 베셀부재는, 그 하단부를 향하여 내경이 감소하는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 14,
The first vessel member is characterized in that the inner diameter decreases toward the lower end thereof,
Substrate processing device. 청구항 14에 있어서,
상기 배출통로는, 복수개로 마련되고,
복수의 상기 배출통로는, 상기 제2 베셀부재의 둘레를 따라 등간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.The method of claim 14,
The discharge passage is provided in plurality,
Characterized in that the plurality of discharge passages are spaced apart at equal intervals along the circumference of the second vessel member,
Substrate processing device. 내부에 플라즈마로 기판을 처리하는 처리공간을 구비하는 챔버;
상기 처리공간에 배치되고, 상기 기판이 안착되는 안착부;
상기 기판으로 상기 플라즈마를 안내하도록 관통구를 구비하며, 상기 안착부를 향하여 이동 가능하게 배치되는 베셀부; 를 포함하고,
상기 베셀부는, 그 외주부로터 상기 챔버의 외벽을 향해 상측으로 돌출되어 그 적어도 일 부분이 상기 챔버의 외벽 내측에 삽입되는 커버부재; 를 포함하는,
기판 처리 장치.A chamber having a processing space for processing a substrate with plasma therein;
a seating portion disposed in the processing space and on which the substrate is seated;
a vessel unit having a through-hole to guide the plasma to the substrate and being movably disposed toward the seating unit; including,
The vessel portion may include a cover member protruding upward from an outer circumferential portion toward an outer wall of the chamber and having at least a portion thereof inserted into the outer wall of the chamber; including,
Substrate processing device. 청구항 19에 있어서,
상기 챔버는, 그 외벽에 원주방향을 따라 내측을 함몰된 가이드홈; 을 포함하고,
상기 커버부재는, 상기 베셀부의 승강에 의해 상기 가이드홈에 삽입된 깊이가 조절되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.



The method of claim 19
The chamber includes a guide groove recessed inside along the circumferential direction on its outer wall; including,
The cover member is characterized in that the depth inserted into the guide groove is adjusted by the elevation of the vessel unit.
Substrate processing device.
KR1020220083890A 2022-07-07 2022-07-07 Substrate processing equipment KR102478349B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220083890A KR102478349B1 (en) 2022-07-07 2022-07-07 Substrate processing equipment
TW112123558A TWI845354B (en) 2022-07-07 2023-06-26 Substrate processing equipment
CN202310774871.8A CN117373890B (en) 2022-07-07 2023-06-28 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220083890A KR102478349B1 (en) 2022-07-07 2022-07-07 Substrate processing equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102478349B1 true KR102478349B1 (en) 2022-12-16

Family

ID=84535019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220083890A KR102478349B1 (en) 2022-07-07 2022-07-07 Substrate processing equipment

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102478349B1 (en)
CN (1) CN117373890B (en)
TW (1) TWI845354B (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550931B1 (en) 1998-09-30 2006-02-13 어낵시스 발처스 악티엔게젤샤프트 Vacuum treatment chamber and method for treating surfaces
KR101987577B1 (en) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 Substrate processing apparatus including an exhaust adjusting part linked with an elevating inducing part
KR102078364B1 (en) * 2019-04-25 2020-02-17 주식회사 기가레인 Discharge flow control unit and plasma processing apparatus including the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100773263B1 (en) * 2005-10-17 2007-11-05 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for vacuum processing
CN105336559B (en) * 2014-08-14 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 A kind of reaction chamber and semiconductor processing equipment
KR101680850B1 (en) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 Plasma processing apparatus having control of exhaust flow path size
KR102164987B1 (en) * 2016-10-06 2020-10-13 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus
KR102498911B1 (en) * 2018-04-11 2023-02-10 주식회사 디엠에스 Apparatus for substrate process
KR102114891B1 (en) * 2019-11-18 2020-05-26 주식회사 기가레인 Plasma processing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550931B1 (en) 1998-09-30 2006-02-13 어낵시스 발처스 악티엔게젤샤프트 Vacuum treatment chamber and method for treating surfaces
KR101987577B1 (en) * 2018-01-24 2019-06-10 주식회사 기가레인 Substrate processing apparatus including an exhaust adjusting part linked with an elevating inducing part
KR102078364B1 (en) * 2019-04-25 2020-02-17 주식회사 기가레인 Discharge flow control unit and plasma processing apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI845354B (en) 2024-06-11
CN117373890A (en) 2024-01-09
CN117373890B (en) 2024-10-15
TW202403953A (en) 2024-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101737014B1 (en) Plasma processing apparatus
KR102102787B1 (en) Substrate treating apparatus and blocker plate assembly
KR102478349B1 (en) Substrate processing equipment
KR101689015B1 (en) Liner assembly and wafer treatment equipment having the same
KR20140001540A (en) Apparatus for treating substrate
CN115404543B (en) Process chamber of epitaxial growth equipment and epitaxial growth equipment
KR20050036858A (en) Treatment subject elevating mechanism, and treating device using the same
KR102114891B1 (en) Plasma processing apparatus
KR102657929B1 (en) Leveling apparatus of substrate treating equipment
KR100970113B1 (en) Assembly for lifting substrate
KR100384060B1 (en) chuck plate of ashing equipment for fabricating semiconductor device and chuck assembly having same
KR101215893B1 (en) Substrate supporting device comprising member of going up and down
KR20130099776A (en) Plasma bourndry limiter unit, apparatus and method for treating a substrate
KR101856689B1 (en) Substrate processing apparatus including an elevating induced part
KR101935958B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101987576B1 (en) Substrate processing apparatus including an interlocking part linked with an elevating inducing part
KR102278083B1 (en) Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit
JP2002037563A (en) Renewal method for hydraulic elevator
EP1724229A1 (en) Elevator apparatus
KR101212941B1 (en) Flexible shower head
KR102451382B1 (en) Transfer system
JP2017007757A (en) Elevator noise suppressor and manufacturing method thereof
JP2006151625A (en) Elevator device
JP2007276918A (en) Elevator
KR101816746B1 (en) Substrate Processing Apparatus and method for manufacturing structure

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant