KR102461108B1 - 박막 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 원자층 증착법으로 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비정질 탄소막을 증착함으로써, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있다.

Description

박막 증착 방법 {METHOD OF DEPOSITING THIN FILM}
본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착공정(Atomic Layer Deposition: ALD)은 자기 제어(self-limiting)방식의 증착 공정으로, 반도체 기판상의 종회비가 큰(high-aspect ratio) 단차 구조에서 우수한 단차 피복성(step coverage)을 구현할 수 있을 뿐만 아니라 박막의 두께 등을 정밀하게 제어하여 증착 가능하다.
원자층 증착 공정에는 통상 무기소스(inorganic precursor)가 사용 되었으나 최근 들어 유기 소스(organic precursor 혹은 polymer precursor)를 이용한 원자층 증착에 대한 연구가 진행되고 있다. 특히 탄소(carbon)을 포함하는 폴리머 전구체(polymer precursor)는 반도체 포토(photo) 공정에서 비반사막(anti-reflective layer; ARL)을 위한 비정질 탄소막(amorphous carbon layer) 증착에 사용될 수 있다.
미국 등록특허 US6852474, US7132219와 미국 공개특허US 2002/0132190는 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비반사막 증착방법을 공개하고 있으나 모두 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 혹은 CVD(Chemical Vapor Depostion) 공정으로 진행한 결과를 보여 주고 있다.
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 혹은 CVD(Chemical Vapor Depostion) 공정의 경우 성막 속도가 높아 생산성 향상에 유리한 측면이 있으나, 점점 미세화 되어가는 반도체 소자의 특성을 고려할 때 박막의 균일성(uniformity), 우수한 단차 피복성(step coverage)등의 정밀한 박막제어가 필요하다.
본 발명은 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비정질 탄소막을 증착하면서도, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있는 박막 증착 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법은 제1 시간 동안, 반응기에 제1 소스 기체를 공급하는 단계, 제2 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계, 제3 시간 동안, 상기 반응기에 제2 소스 기체를 공급하는 단계, 그리고 제4 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 폴리머 전구체이다.
상기 제1 소스 기체는 Ethylenediamine(C2H4(NH2)2)이고, 상기 제2 소스 기체는 1,4-Phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2)일 수 있다.
상기 퍼지 기체는 상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간 동안 연속하여 공급될 수 있다.
상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복할 수 있다.
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마가 공급될 수 있다.
상기 플라즈마 공급은 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하의 온도에서 공급될 수 있다.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 길 수 있다.
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간을 포함하는 제2 기체 공급 주기를 복수 회 반복하고, 상기 제3 시간 및 상기 제4 시간을 포함하는 제3 기체 공급 주기를 복수 회 반복할 수 있다.
상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 Hexamethylene diamine(C6H16N2), Ethylenediamine(C2H4(NH2)2), 1,6-Diisocyanatohexane(C8H12N2O2), 1,4-phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2) 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 원자층 증착법으로 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비정질 탄소막을 증착함으로써, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 증착 방법은 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체와 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 교대로 반응기에 공급하여 막을 층착한다.
이러한 두 개의 폴리머 전구체는 기판 위에서 상호 반응하여 폴리우레아(polyuria)를 형성한다.
보다 구체적으로, 제1 시간(t1) 동안, 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제1 소스 기체인 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제2 시간(t2) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하고, 제3 시간(t3) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제2 소스 기체인 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제4 시간(t4) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급한다.
퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)는 제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4) 동안 지속적으로 공급되지만, 퍼지 기체(purge gas)는 제1 시간(t1)과 제3 시간(t3) 동안에는 공급되지 않고, 제2 시간(t2)과 제4 시간(t4) 동안에만 공급될 수 있다.
이 때, 박막이 증착되는 기판의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 40℃이고, PDIC 소스 용기(source vessel) 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 65℃, EDA 소스 용기(source vessel)의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 30℃에서 제1 소스 기체와 제2 소스 기체(vapor)를 발생시켜 반응기로 공급한다.
제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4)을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복하여, 원하는 두께의 박막을 증착한다.
제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)에 비하여, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)이 더 길다. 예를 들어, 제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)은 약 1초, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)은 약 5초일 수 있다. 이처럼, 제1 소스 기체를 퍼지하는 단계와 제2 소스 기체를 퍼지하는 단계의 지속 시간을 길게 함으로써, 분자량이 큰 소스 기체의 퍼지 효율을 높일 수 있다.
본 실시예에서는 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)을 이용하여, 박막을 증착하였으나, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 제1 소스 기체를 공급하는 제1 시간(t1)과 제2 소스 기체를 공급하는 제3 시간(t3) 중 적어도 하나의 기체 공급 주기 동안 플라즈마를 함께 공급할 수 있다. 플라즈마 공급 시 기판의 온도는 약 100℃ 이하일 수 있다.
플라즈마는 인시튜(in-situ) 또는 원격(remote) 방식으로 공급할 수 있고, UV를 펄스 형태로 공급할 수도 있다. 이처럼 플라즈마를 공급함으로써, 상대적으로 낮은 온도에서 박막 형성 공정을 진행할 수 있고, 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)보다 막질 제어가 쉽고 폴리머 필름에 손상이 적을 수 있다.
그러면, 도 2를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 증착 방법은 제1 시간(t1) 동안, 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제1 소스 기체인 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제2 시간(t2) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하는 제2 기체 공급 주기(x cycle)를 복수 회 반복한 후, 제3 시간(t3) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제2 소스 기체인 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제4 시간(t4) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하는 제3 기체 공급 주기(y cycle)을 복수 회 반복하는 기체 공급 주기를 복수 회 반복한다.
퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)는 제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4) 동안 지속적으로 공급되지만, 퍼지 기체(purge gas)는 제1 시간(t1)과 제3 시간(t3) 동안에는 공급되지 않고, 제2 시간(t2)과 제4 시간(t4) 동안에만 공급될 수 있다.
이 때, 박막이 증착되는 기판의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 40℃이고, PDIC 소스 용기(source vessel) 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 65℃, EDA 소스 용기(source vessel)의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 30℃에서 제1 소스 기체와 제2 소스 기체(vapor)를 발생시켜 반응기로 공급한다.
제1 시간(t1) 및 제2 시간(t2)을 포함하는 제2 기체 공급 주기(x cycle)를 복수 회 반복하고, 제3 시간(t3)과 제4 시간(t4)을 포함하는 제3 기체 공급 주기(y cycle)를 복수 회 반복하는 기체 공급 주기(n cycle)을 원하는 회수만큼 반복하여, 원하는 두께의 박막을 증착한다.
제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)에 비하여, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)이 더 길다. 예를 들어, 제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)은 약 1초, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)은 약 5초일 수 있다. 이처럼, 제1 소스 기체를 퍼지하는 단계와 제2 소스 기체를 퍼지하는 단계의 지속 시간을 길게함 으로써, 분자량이 큰 소스 기체의 퍼지 효율을 높일 수 있다.
본 실시예에서는 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)을 이용하여, 박막을 증착하였으나, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 제1 소스 기체를 공급하는 제1 시간(t1)과 제2 소스 기체를 공급하는 제3 시간(t3) 중 적어도 하나의 기체 공급 주기 동안 플라즈마를 함께 공급할 수 있다. 플라즈마 공급 시 기판의 온도는 약 100℃ 이하일 수 있다.
플라즈마는 인시튜(in-situ) 또는 원격(remote) 방식으로 공급할 수 있고, UV를 펄스 형태로 공급할 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참고로 설명한 실시예들에 따른 증착 방법에 따르면, PDIC와 EDA를 폴리머 전구체(polymer precursor)로 이용하였으나, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에서는 아래 표 1에 나타낸 다양한 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용할 수 있다.
Hexamethylene diamine C6H16N2
Ethylenediamine C2H4(NH2)2
1,6-Diisocyanatohexane C8H12N2O2
1,4-phenylene diisocyanate C6H2(CNO)2
그러면, 도 3 내지 도 6을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 박막 증착 결과에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다. 도 4는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다. 도 5는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 도면이다. 도 6은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
먼저 도 3을 참고하여 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기와 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하면서, 증착되는 박막의 두께를 측정하여, 그 결과를 도 3에 도시하였다. 도 3을 참고하면, 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기와 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복할수록 박막의 두께가 선형적으로(linearly) 증가하고 있음을 알 수 있었다. 즉, 폴리머 전구체를 이용하여, 원자층 증착 방법으로 박막을 증착할 경우, 기체 공급 주기를 반복함에 따라서 박막의 두께가 두꺼워지도록 박막이 잘 증착됨을 알 수 있었다.
다음으로, 도 4를 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.
본 실험예에서는 산소 플라즈마 분위기에서 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, 증착된 박막의 식각 특성을 측정하여, 그 결과를 도 4에 도시하였다. 식각 특성은 산소 라디칼에 의한 식각 특성을 나타낸다.
원자층 증착법에 의해 폴리머 전구체를 이용하여 폴리우레아(polyuria) 막을 증착하고, 증착한 박막들에 대해, 산소 라디칼 분위기하에서 플라즈마 세기에 따른 플라즈마 식각 특성을 측정하였다.
도 4를 참고하면, 인가되는 플라즈마 전원(plasma power)의 세기가 클수록 산소 라디칼에 의한 식각 속도가 커짐을 알 수 있었다. 즉, 인가되는 플라즈마 전원(plasma power)의 크기와 산소 라디칼에 의한 식각 속도가 일정하게 비례하고 있음을 알 수 있었다.
다음으로, 도 5를 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, 증착된 박막의 굴절율(refractive index; n)과 흡수계수(absorption coefficient; k)를 측정하여, 그 결과를 도 5에 도시하였다.
굴절율(refractive index; n)과 흡수계수(absorption coefficient; k)는 비가시광(non-visible light) 영역과 가시광(visible light)에서 측정하였다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따라 증착된 박막의 광학적 특성은 모두 기준을 충족하고 있음을 알 수 있다. 비정질 탄소막으로 사용되기 위해서는 비가시광영역에서 굴절율(n)이 0.1이상, 가시광 영역에서의 흡수계수(k)가 0.1이하이어야 한다. 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 방법에 의하여 증착된 막에 대하여 248nm의 비가시광 파장영역에서 측정된 굴절율(n)은 1.72로 측정되었고, 이는 0.1 이상의 기준 값을 만족한 것이었다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 방법에 의하여 증착된 막에 대하여 633nm의 가시광 파장영역에서 측정된 흡수계수(k)는 0.005로서, 이는 0.1 이하의 기준 값을 만족한 것이었다.
다음으로, 도 6을 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, FT-IR(Fourier-Transform Infrared Spectroscopy)를 분석하여, 그 결과를 도 6에 도시하였다.
도 6을 참고하면, 증착된 박막의 FT-IR 분석에서 카본 피크(Carbon peak)(C=C, C=O, CHx)가 나타남을 알 수 있었고, 이에 따라 증착된 박막이 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)임을 알 수 있었다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 폴리머 전구체를 사용하여, 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 증착할 수 있다. 또한, 폴리머 전구체를 이용하여, 원자층 증착 방법으로 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 증착함으로써, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (14)

  1. 제1 시간 동안, 반응기에 제1 소스 기체를 공급하는 단계,
    제2 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계,
    제3 시간 동안, 상기 반응기에 제2 소스 기체를 공급하는 단계,
    제4 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계, 그리고
    상기 제1 시간 동안 또는 상기 제3 시간 동안 중 적어도 일부의 기간 동안 산소 플라스마를 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 폴리머 전구체이고,
    상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 100°C 이하의 온도에서 공급하고,
    상기 단계들을 통해 기판 위에 폴리우레아 필름이 증착되고,
    상기 제1 소스 기체는 Hexamethylene diamine(C6H16N2)와 Ethylenediamine(C2H4(NH2)2) 중 선택된 어느 하나이고,
    상기 제2 소스 기체는 1,6-Diisocyanatohexane(C8H12N2O2)와 1,4-phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2) 중 선택된 어느 하나이며,
    상기 플라스마는 상기 기판 온도가 100°C 이하에서 공급되고,
    상기 플라스마의 전원은 산소 라디칼에 의한 식각 속도에 일정하게 비례하도록 인가하는 박막 증착 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 소스 기체는 Ethylenediamine(C2H4(NH2)2)이고, 상기 제2 소스 기체는 1,4-Phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2)인 박막 증착 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 퍼지 기체는 상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간 동안 연속하여 공급되는 박막 증착 방법.
  4. 제2항에서,
    상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복하는 박막 증착 방법.
  5. 삭제
  6. 제2항에서,
    상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.
  7. 제2항에서,
    상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하는 박막 증착 방법.
  8. 삭제
  9. 제2항에서,
    상기 제1 시간 및 상기 제2 시간을 포함하는 제2 기체 공급 주기를 복수 회 반복하고,
    상기 제3 시간 및 상기 제4 시간을 포함하는 제3 기체 공급 주기를 복수 회 반복하는 박막 증착 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제1항에서,
    상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하는 박막 증착 방법.
  14. 제1항에서,
    상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030058271A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 하이닉스반도체 플라즈마를 이용한 원자층 증착방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080254231A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Darfon Electronics Corp. Method of forming protection layer on contour of workpiece

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