KR102459794B1 - Method for forming EMI shield structure of semiconductor package - Google Patents

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    • B29C65/02—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/44—Joining a heated non plastics element to a plastics element

Abstract

본 발명은 반도체 칩이 설치된 기판과, 전자파 차폐를 위한 금속 박막 시트를 마련하는 단계와; 상기 반도체 칩의 상면과 측면을 덮도록 상기 금속 박막 시트에 물리적인 가압력을 인가하면서 상기 기판에 부착하는 단계; 및 상기 금속 박막 시트와 상기 기판 사이의 접합을 강화하도록 상기 상기 금속 박막 시트가 부착된 기판에 고압 환경을 제공하는 단계;를 포함하는, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법에 관한 것이다.The present invention comprises the steps of: providing a substrate on which a semiconductor chip is installed, and a metal thin film sheet for shielding electromagnetic waves; attaching to the substrate while applying a physical pressing force to the metal thin film sheet so as to cover an upper surface and a side surface of the semiconductor chip; and providing a high-pressure environment to the substrate to which the metal thin film sheet is attached to strengthen the bonding between the metal thin film sheet and the substrate.

Description

반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 {Method for forming EMI shield structure of semiconductor package}Method for forming EMI shield structure of semiconductor package

본 발명은 반도체 패키지에서 발생하는 전자파 간섭을 저감하기 위한 전자파 차폐 구조를 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming an electromagnetic wave shielding structure for reducing electromagnetic interference generated in a semiconductor package.

전자기기의 기판에는 다수개의 반도체 패키지와 각종 신호 교환용 부품들이 설치되며, 이러한 반도체 패키지와 부품들은 전기적인 작동 중에 전자파를 발산시키는 것으로 알려져 있다. 전자기기의 소형화와 더불어 고성능화가 요구됨에 따라 반도체 패키지의 고집적화가 요구되며, 이러한 고집적화를 구현하기 위해 반도체 회로가 소형화 및 밀집화되고 있다. 이러한 환경에서는 전자파 간섭(electromagnetic interference)에 의해 반도체 패키지의 작동 성능이 저하되는 문제가 발생하고 있다.A plurality of semiconductor packages and various signal exchange components are installed on the substrate of the electronic device, and these semiconductor packages and components are known to emit electromagnetic waves during electrical operation. As high performance is required along with miniaturization of electronic devices, high integration of semiconductor packages is required. In order to realize such high integration, semiconductor circuits are becoming smaller and denser. In such an environment, there is a problem in that the operating performance of the semiconductor package is deteriorated due to electromagnetic interference.

이와 같은 전자파 간섭 현성을 저감하기 위하여 반도체 패키지에 전자파 간섭을 위한 구조들이 적용되고 있다. 과거에는 덮개 방식의 실드 캔(shield can)을 기판의 차폐 대상 영역을 덮도록 설치하여 전자파 간섭을 차폐하였으나, 최근에는 반도체 칩이 고성능화되면서 반도체 칩마다 차폐하는 방식으로 전환되고 있다. 이러한 방식은 칩 간 간섭으로 인한 이상 동작을 미연에 방지하고, 회로기판의 집적도도 보다 증가시킬 수 있는 이점이 있다.In order to reduce the electromagnetic interference, structures for electromagnetic interference have been applied to semiconductor packages. In the past, electromagnetic interference was shielded by installing a cover-type shield can to cover the shielding target area of the substrate. This method has the advantage of preventing an abnormal operation due to inter-chip interference in advance and increasing the degree of integration of the circuit board.

반도체 칩의 전자파 차폐는 일반적으로 반도체 패키지의 표면에 구리, 니켈 등의 금속 박막을 추가로 형성함으로써 이루어지는데, 일반적으로 스퍼터링 증착 공정을 통해 반도체 패키지에 금속 박막을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 이와 같은 스퍼터링에 의한 박막 증차 공정은 많은 비용이 소요되는 것에 반하여 생산성이 낮은 문제가 있다.The electromagnetic wave shielding of the semiconductor chip is generally made by additionally forming a metal thin film such as copper or nickel on the surface of the semiconductor package. In general, a method of forming the metal thin film on the semiconductor package through a sputtering deposition process is used. However, the thin film increasing process by sputtering has a problem in that productivity is low while it requires a lot of cost.

또한, 도 1의 도시와 같이, 스퍼터링 장비의 특성상 입자들이 반도체 칩(1)의 수직 방향으로 입사되어 코팅되므로, 반도체 칩(1)의 상면에 코팅된 금속박막(2) 두께(d1)와 반도체 칩(1)의 측면에 코팅된 금속박막(2)의 두께(d2)가 차이가 나는 문제가 발생하게 된다. 이러한 스텝 커버리지(Step Coverage) 문제는 반도체 칩 간의 차폐 성능을 악화시키는 원인이 된다.In addition, as shown in Fig. 1, since the particles are incident in the vertical direction of the semiconductor chip 1 and are coated due to the characteristics of the sputtering equipment, the thickness of the metal thin film 2 coated on the upper surface of the semiconductor chip 1 (d 1 ) and The thickness d 2 of the metal thin film 2 coated on the side surface of the semiconductor chip 1 is different from the problem. Such a step coverage problem causes deterioration of shielding performance between semiconductor chips.

공개특허공보 제 10-2011-0030090호 (2011.09.17)Patent Publication No. 10-2011-0030090 (2011.09.17)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 낮은 비용으로 높은 생산성을 구현할 수 있고, 반도체의 상면과 측면에 균일한 금속 박막을 형성할 수 있는 반도체 패키지의 전자파 차폐 구조 형성 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention is to solve the above problems, and to provide a method of forming an electromagnetic wave shielding structure of a semiconductor package that can realize high productivity at a low cost and can form a uniform metal thin film on the upper surface and side of the semiconductor make it a technical task.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. will be able

본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 칩이 실장된 기판과, 전자파 차폐를 위한 금속 박막 시트를 마련하는 단계와; 상기 반도체 칩의 상면과 측면을 덮도록 상기 금속 박막 시트에 물리적인 가압력을 인가하면서 상기 기판에 부착하는 단계; 및 상기 금속 박막 시트의 금속 박막과 상기 기판 사이의 접합을 강화하도록 상기 상기 금속 박막 시트가 부착된 기판에 고압 환경을 제공하는 단계;를 포함하는, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the method comprising: providing a substrate on which a semiconductor chip is mounted, and a metal thin film sheet for shielding electromagnetic waves; attaching to the substrate while applying a physical pressing force to the metal thin film sheet so as to cover an upper surface and a side surface of the semiconductor chip; and providing a high-pressure environment to the substrate to which the metal thin film sheet is attached so as to strengthen the bonding between the metal thin film of the metal thin film sheet and the substrate.

또한, 상기 기판에 고압 환경을 제공하는 단계는, 밀폐된 공정 챔버 내에서 상기 기판에 고압 환경을 제공하는 오토클레이브 공정을 포함할 수 있다.In addition, the providing of the high-pressure environment to the substrate may include an autoclave process of providing the high-pressure environment to the substrate in a sealed process chamber.

또한, 상기 물리적인 가압력의 인가는, 상기 기판과 상기 금속 박막 시트를 가압 롤에 함께 인입하여 이루어질 수 있다.In addition, the application of the physical pressing force may be made by pulling the substrate and the metal thin film sheet together into a pressing roll.

또한, 상기 가압 롤을 이용한 상기 금속 박막 시트의 부착 단계는 이송 롤을 통해 상기 금속 박막 시트를 연속적으로 이송시키는 롤-투-롤 공정을 통해 이루어질 수 있다.In addition, the step of attaching the metal thin film sheet using the pressure roll may be made through a roll-to-roll process of continuously transferring the metal thin film sheet through a transfer roll.

또한, 상기 물리적인 가압력의 인가는, 상기 금속 박막 시트를 상기 기판 상에 위치시키고, 가압판을 이용하여 상기 금속 박막 시트를 가압하여 이루어질 수 있다.In addition, the application of the physical pressing force may be made by placing the metal thin film sheet on the substrate and pressing the metal thin film sheet using a pressure plate.

또한, 상기 가압판은, 상기 반도체 칩의 상면과 측면 형상에 대응되는 가압면이 구비된 가압 홈을 구비할 수 있다.In addition, the pressing plate may include a pressing groove provided with a pressing surface corresponding to the shape of the upper surface and the side surface of the semiconductor chip.

또한, 상기 금속 박막 시트는, 지지 시트; 및 상기 지지 시트에 적층되며, 구리, 니켈, 실버 중 어느 하나를 포함하는 금속 박막;을 포함할 수 있다.In addition, the metal thin film sheet, the support sheet; and a metal thin film laminated on the support sheet and including any one of copper, nickel, and silver.

또한, 상기 지지 시트는 실크 메쉬 또는 금속 메쉬를 포함할 수 있다.In addition, the support sheet may include a silk mesh or a metal mesh.

또한, 상기 금속 박막 시트는 상기 지지 시트에 인장력을 인가하도록 상기 지지 시트를 지지하는 외곽 프레임;을 더 포함할 수 있다. In addition, the metal thin film sheet may further include an outer frame supporting the support sheet to apply a tensile force to the support sheet.

또한, 상기 금속 박막 시트를 제조하는 단계는, 캐리어 기판에 금속을 도금하여 상기 금속 박막을 형성하는 단계와; 상기 금속 박막 또는 상기 지지 시트에 접착물질을 도포하는 단계; 및 상기 캐리어 기판의 금속 박막을 상기 지지 시트에 전이시키는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing of the metal thin film sheet may include: forming the metal thin film by plating a metal on a carrier substrate; applying an adhesive material to the metal thin film or the support sheet; and transferring the metal thin film of the carrier substrate to the support sheet.

또한, 상기 물리적인 가압력의 인가는, 상기 금속 박막 시트를 흡착홀이 형성된 상기 기판 상에 위치시키고, 상기 흡착홀을 통해 공기를 흡입하여 상기 금속 박막 시트를 흡착시켜 이루어질 수 있다. In addition, the application of the physical pressing force may be made by placing the metal thin film sheet on the substrate having an adsorption hole and sucking air through the adsorption hole to adsorb the metal thin film sheet.

또한, 상기 금속 박막 시트의 흡착은 상기 금속 박막 시트를 가열한 상태에서 이루어질 수 있다. In addition, the adsorption of the metal thin film sheet may be made in a state in which the metal thin film sheet is heated.

또한, 상기 오토클레이브 공정을 위한 공정 챔버 내에서는 상기 금속 박막 시트의 가열을 위한 히터와, 상기 금속 박막 시트의 흡착을 위한 흡착 유닛이 설치될 수 있다.In addition, a heater for heating the metal thin film sheet and an adsorption unit for adsorbing the metal thin film sheet may be installed in the process chamber for the autoclave process.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 반도체 칩에 전자파 차폐를 위한 금속 박막을 형성하는 공정에 있어서 기존의 스퍼터링 방식 대비 비용을 절감하면서도 생산성을 향상시킬 수 있으며, 반도체 칩의 측면과 상면에 금속 박막을 균일한 두께로 형성할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, in the process of forming a metal thin film for electromagnetic wave shielding on a semiconductor chip, it is possible to improve productivity while reducing cost compared to the conventional sputtering method, and to form a metal thin film on the side and top of the semiconductor chip. There is an effect that can be formed with a uniform thickness.

또한, 금속 박막 시트와 기판 사이의 물리적 가압 공정과 오토 클레이브 공정을 순차적으로 수행함으로써 금속 박막의 접합력, 다시 말해, 금속 박막과 반도체 칩 사이의 접합력과, 금속 박막과 기판 사이의 접합력을 보다 강화할 수 있는 이점이 있다.In addition, by sequentially performing the physical pressure process and the autoclave process between the metal thin film sheet and the substrate, the bonding force of the metal thin film, that is, the bonding force between the metal thin film and the semiconductor chip, and the bonding force between the metal thin film and the substrate can be further strengthened. there is an advantage

도 1은 기존의 스퍼터링 공정을 통해 반도체 칩에 전자파 차폐를 위한 금속 박막을 형성한 구조를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 순차적으로 나타낸 순서도.
도 3은 도 2의 전자파 차폐막 형성 방법에 의해 제조된 반도체 패키지의 단면도.
도 4는 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 일 예로서, 가압 롤을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면.
도 5는 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 다른 예로서, 가압판을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면.
도 6은 도 5의 금속 박막 시트의 부착 방법에 사용 가능한 금속 박막 시트의 제조 방법을 나타낸 도면.
도 7은 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 또 다른 예로서, 흡착 방식을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면.
도 8은 오토클레이브 장치 내에서 도 7의 흡착 공정을 수행하기 위한 챔버 구조의 일 예를 나타낸 도면.1 is a view showing a structure in which a metal thin film for shielding electromagnetic waves is formed on a semiconductor chip through a conventional sputtering process.
2 is a flowchart sequentially illustrating a method of forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor package manufactured by the method of forming an electromagnetic wave shielding film of FIG. 2 ;
4 is a view showing an attachment process using a pressure roll as an example of the attachment method of the metal thin film sheet of Figure 2;
FIG. 5 is another example of the method of attaching the thin metal sheet of FIG. 2 , and is a view showing an attaching process using a pressure plate.
FIG. 6 is a view showing a method of manufacturing a thin metal sheet that can be used in the method of attaching the thin metal sheet of FIG. 5 .
FIG. 7 is another example of the method for attaching the thin metal sheet of FIG. 2 , and is a view showing an attaching process using an adsorption method.
FIG. 8 is a view showing an example of a chamber structure for performing the adsorption process of FIG. 7 in an autoclave apparatus;

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 본 발명에 의한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법의 일 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a method for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals. and a redundant description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 순차적으로 나타낸 순서도이고, 도 3은 도 2의 전자파 차폐막 형성 방법에 의해 제조된 반도체 패키지의 단면도이다.2 is a flowchart sequentially illustrating a method of forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor package manufactured by the method of forming an electromagnetic wave shielding film of FIG. 2 .

도 2 및 3을 참조하여, 본 실시예에 따른 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법을 설명하면, 먼저 반도체 칩(11)이 설치된 기판(10)과, 전자파 차폐를 위한 금속 박막 시트(12, 도 4 또는 도 5 참조)를 마련한다(S10). Referring to FIGS. 2 and 3 , the method of forming the electromagnetic wave shielding film of the semiconductor package according to the present embodiment will be described. First, the substrate 10 on which the semiconductor chip 11 is installed, and the metal thin film sheet 12 for shielding the electromagnetic wave ( FIG. 4 ) Or see FIG. 5) is prepared (S10).

기판(10, 또는 지지판)은 반도체 칩(11)을 지지하는 구조로서, 반도체 칩(11)은 추후 기판(10)으로부터 분리 가능하도록 기판(10)에 부착된다. The substrate 10 (or support plate) is a structure that supports the semiconductor chip 11 , and the semiconductor chip 11 is attached to the substrate 10 so as to be separated from the substrate 10 later.

금속 박막 시트(12)는 지지 시트(13)에 구리, 니켈, 실버 등의 금속 박막(14)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 지지 시트(13)는 폴리이미드 등의 합성수지 재질의 필름, 실크 또는 메탈 메쉬 등 금속 박막(14)을 지지할 수 있는 형태라면 다양한 형태로 구현 가능하다.The metal thin film sheet 12 may have a structure in which a metal thin film 14 such as copper, nickel, or silver is laminated on a support sheet 13 . The support sheet 13 can be implemented in various forms as long as it can support the thin metal film 14 such as a film made of a synthetic resin material such as polyimide, silk, or a metal mesh.

다음으로, 금속 박막 시트(12)에 물리적인 가압력을 인가하면서 기판(10)에 부착한다(S20). 이 때 금속 박막 시트(12)가 반도체 칩(11)의 상면과 측면을 덮도록 반도체 칩(11)과 기판(10)에 부착한다.Next, it is attached to the substrate 10 while applying a physical pressing force to the metal thin film sheet 12 (S20). At this time, the thin metal sheet 12 is attached to the semiconductor chip 11 and the substrate 10 so as to cover the top and side surfaces of the semiconductor chip 11 .

도 4는 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 일 예로서, 가압 롤을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating an attachment process using a pressure roll as an example of a method for attaching the thin metal sheet of FIG. 2 .

도 4에 도시된 바와 같이, 금속 박막 시트(12)에 물리적인 가압력을 인가하는 방법으로 가압 롤(5, 6)을 사용할 수 있다. 또한 이와 같은 가압 롤(5, 6)을 이용한 부착 공정은 이송 롤(3, 4)을 통해 금속 박막 시트(12)와 기판(10)을 연속적으로 이송시키는 롤-루-롤 공정을 통해 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4 , the pressing rolls 5 and 6 may be used as a method of applying a physical pressing force to the metal thin film sheet 12 . In addition, the attaching process using the pressure rolls 5 and 6 as described above can be made through a roll-loo-roll process in which the metal thin film sheet 12 and the substrate 10 are continuously transferred through the transfer rolls 3 and 4 . have.

구체적으로, 금속 박막 시트(12)는 이송 롤(3)을 통한 이송이 가능하도록 이형 필름 형태의 지지 시트(13)에 금속 박막(14)이 적층된 형태를 가질 수 있으며, 이송 롤(3)에 권취된 상태로 이송 롤(3)의 회전에 따라 이송될 수 있다.Specifically, the metal thin film sheet 12 may have a form in which the metal thin film 14 is laminated on the support sheet 13 in the form of a release film to enable transport through the transport roll 3 , and the transport roll 3 . It can be conveyed according to the rotation of the conveying roll 3 in a wound state.

또한, 반도체 칩(11)이 실장된 기판(10)도 이송 롤(4)을 통한 이송이 가능하도록 플렉시블한 재질로 형성 가능하며, 이송 롤(4)의 회전에 따라 가압 롤(5, 6) 쪽으로 이송된다.In addition, the substrate 10 on which the semiconductor chip 11 is mounted can also be formed of a flexible material so that it can be transferred through the transfer roll 4 , and the pressure rolls 5 and 6 according to the rotation of the transfer roll 4 . transferred to

가압 롤(5, 6)의 전단에서 기판(10)과 금속 박막 시트(12)의 사이에 접착제가 도포될 수 있으며, 그 후 기판(10)과 금속 박막 시트(12)가 가압 롤(5, 6)의 사이로 인입된다. 가압 롤(5, 6)의 회전 동작에 따라 기판(10)과 금속 박막 시트(12)에 물리적인 가압력이 인가되어 금속 박막(14)과 기판(10) 사이의 접합이 이루어지게 된다. 가압 롤(5, 6)은 반도체 칩(11)에 손상이 가지 않도록 신축성이 높은 연성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.An adhesive may be applied between the substrate 10 and the metal thin film sheet 12 at the front end of the pressure rolls 5 and 6, and then the substrate 10 and the metal thin film sheet 12 are pressed against the pressure roll 5, 6) is introduced. A physical pressing force is applied to the substrate 10 and the metal thin film sheet 12 according to the rotation operation of the pressing rolls 5 and 6 , so that bonding between the metal thin film 14 and the substrate 10 is made. The pressure rolls 5 and 6 are preferably made of a flexible material with high elasticity so as not to damage the semiconductor chip 11 .

다시 도 2를 참조하면, 금속 박막 시트(12)의 금속 박막(14)과 기판(10) 사이의 접합을 강화하도록 금속 박막 시트(12)가 부착된 기판에 고압 환경을 제공한다(S30). 이와 같은 공정은 밀폐된 공정 챔버 내에서 기판(10)에 고압 환경을 제공하는 오토클레이브(autoclave) 공정을 통해 이루어질 수 있다. Referring back to FIG. 2 , a high-pressure environment is provided to the substrate to which the metal thin film sheet 12 is attached to strengthen the bonding between the metal thin film 14 of the metal thin film sheet 12 and the substrate 10 ( S30 ). Such a process may be performed through an autoclave process that provides a high-pressure environment to the substrate 10 in a sealed process chamber.

금속 박막 시트(12)가 부착된 기판(10)을 오토클레이브 장치의 공정 챔버에 장입하고, 공정 챔버를 밀폐시킨 후 오토클레이브 장치를 가동한다. 이 때 기판(12)을 일정 길이로 커팅한 후 공정 챔버 내로 장입시킬 수 있다. 오토클레이브 장치가 가동됨에 따라 공정 챔버 내 밀밀폐 공간의 압력이 상승하여 고압 환경이 제공되게 된다. 이에 따라 금속 박막(14)의 부착면에 발생한 빈 공간이나 기포가 제거되어 그 접합이 보다 강화될 수 있게 된다.The substrate 10 to which the metal thin film sheet 12 is attached is loaded into the process chamber of the autoclave apparatus, and after the process chamber is sealed, the autoclave apparatus is operated. At this time, the substrate 12 may be cut to a predetermined length and then loaded into the process chamber. As the autoclave device is operated, the pressure of the sealed space in the process chamber is increased to provide a high-pressure environment. Accordingly, empty spaces or air bubbles generated on the attachment surface of the metal thin film 14 are removed, so that the bonding can be further strengthened.

이와 같이, 금속 박막 시트(12)와 기판(10) 사이의 물리적 가압 공정과 오토 클레이브 공정을 순차적으로 수행함으로써 비용 대비 높은 생산성으로 차폐막의 형성이 가능하며, 금속 박막의 접합력을 보다 강화시킬 수 있다. In this way, by sequentially performing the physical pressure process and the autoclave process between the metal thin film sheet 12 and the substrate 10, it is possible to form a shielding film with high productivity compared to the cost, and to further strengthen the bonding strength of the metal thin film. .

이상과 같이, 금속 박막 시트(12)의 부착 공정과 오토클레이브 공정을 수행한 후, 기판(10)에 부착된 금속 박막(14)으로부터 지지 시트(13)를 박리시키는 공정이 수행될 수 있으며, 이에 따라 도 3에 도시된 바와 같은 반도체 패키지의 차폐막 형성 공정이 완료된다. 다만, 지지 시트(13)의 박리는 오토클레이브 공정을 수행하기 전에 수행하는 것도 가능하다 할 것이다.As described above, after performing the attachment process and the autoclave process of the metal thin film sheet 12, the process of peeling the support sheet 13 from the metal thin film 14 attached to the substrate 10 may be performed, Accordingly, the shielding film forming process of the semiconductor package as shown in FIG. 3 is completed. However, the peeling of the support sheet 13 will be possible to perform before performing the autoclave process.

도 5는 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 다른 예로서, 가압판을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an attachment process using a pressure plate as another example of the method for attaching the thin metal sheet of FIG. 2 .

앞에서 설명한 가압 롤(5, 6)을 이용한 부착 방법 대신에, 본 실시예와 같이 가압판(20)을 이용하여 금속 박막 시트(12)를 부착시키는 것이 가능하다. 앞서 설명한 가압 롤(5, 6)이 롤-투-롤 공정에 기한 부착 방법인데 반하여, 본 실시예의 경우 일정 면적의 금속 박막 시트(12)를 기판(10)에 개별적으로 부착하는 방법이다.Instead of the attachment method using the pressure rolls 5 and 6 described above, it is possible to attach the metal thin film sheet 12 using the pressure plate 20 as in this embodiment. While the pressure rolls 5 and 6 described above are an attachment method based on a roll-to-roll process, in the present embodiment, the metal thin film sheet 12 having a predetermined area is individually attached to the substrate 10 .

구체적으로 설명하면, 도 5의 (a)와 같이 금속 박막 시트(12)를 기판(10) 상에 위치시킨다. 본 실시예에 따르면, 금속 박막 시트(12)의 지지 시트(13)로서 실크 메쉬 또는 금속 메쉬가 사용될 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 5 ( a ), the metal thin film sheet 12 is positioned on the substrate 10 . According to this embodiment, a silk mesh or a metal mesh may be used as the support sheet 13 of the metal thin film sheet 12 .

한편, 금속 박막 시트(12)의 테두리에는 금속 박막 시트(12) 또는 지지 시트(13)에 인장력을 인가하도록 이를 지지하는 외곽 프레임(15)이 설치될 수 있다. 금속 박막 시트(12)를 일정 길이 또는 면적만큼 신장시킨 상태로 이를 외곽 프레임(15)에 고정하며, 이와 같이 금속 박막 시트(12)를 평평하게 인장시킨 상태로 접합 공정을 수행함에 따라 금속 박막(13)의 접합 품질을 보다 향상시킬 수 있다.Meanwhile, an outer frame 15 for supporting the metal thin film sheet 12 to apply a tensile force to the metal thin film sheet 12 or the supporting sheet 13 may be installed on the edge of the metal thin film sheet 12 . The metal thin film sheet 12 is fixed to the outer frame 15 in a state in which it is stretched by a certain length or area, and as the metal thin film sheet 12 is flatly stretched in this way and the bonding process is performed, the metal thin film ( 13) can further improve the bonding quality.

금속 박막 시트(12)를 기판(10) 상에 위치시키는 과정에서 금속 박막 시트(12) 또는 기판(10)에 접착제가 도포될 수 있으며, 접착성을 향상시킬 수 있도록 금속 박막 시트(12)를 히팅시키는 공정이 추가될 수 있다.In the process of placing the metal thin film sheet 12 on the substrate 10, an adhesive may be applied to the metal thin film sheet 12 or the substrate 10, and the metal thin film sheet 12 is applied to improve adhesion. A heating process may be added.

그리고, 금속 박막 시트(12)를 가압하기 위한 가압판(20)을 그 위에 배치한다. 가압판(20)에는 반도체 칩(11)의 상면과 측면의 형상에 대응되는 가압면이 구비된 가압홈(21)이 형성된다. Then, a pressure plate 20 for pressing the metal thin film sheet 12 is disposed thereon. A pressing groove 21 having a pressing surface corresponding to the shape of the top and side surfaces of the semiconductor chip 11 is formed in the pressing plate 20 .

도 5의 (b)와 같이, 가압판(20)의 가압홈(21)과 반도체 칩(11)의 위치가 대응되도록 가압판(20)을 금속 박막 시트(12) 상에 위치시켜 설치한 후 프레스 공정을 수행한다. 이에 따라 금속 박막 시트(12)의 금속 박막(14)이 반도체 칩(11)의 상면과 측면, 기판(10)의 상면에 부착되게 된다.As shown in (b) of FIG. 5 , the pressing plate 20 is positioned on the metal thin film sheet 12 so that the positions of the pressing grooves 21 of the pressing plate 20 and the semiconductor chip 11 correspond to each other, and then the pressing process is performed. carry out Accordingly, the metal thin film 14 of the metal thin film sheet 12 is attached to the upper surface and side surfaces of the semiconductor chip 11 and the upper surface of the substrate 10 .

이와 같이 가압판(20)을 통한 금속 박막 시트(12)의 부착 공정을 완료한 후, 오토 클레이브 공정을 통한 고압 환경 제공 공정이 순차적으로 수행되며, 이에 대한 설명은 앞선 설명에 갈음하기로 한다.After completing the process of attaching the metal thin film sheet 12 through the pressure plate 20 as described above, the process of providing a high-pressure environment through the autoclave process is sequentially performed, and a description thereof will be substituted for the previous description.

도 6은 도 5의 금속 박막 시트의 부착 방법에 사용 가능한 금속 박막 시트의 제조 방법을 나타낸 도면으로서, 인장력 인가를 통해 신장 가능한 실크 또는 메탈 메쉬에 금속 박막을 형성하는 과정을 나타내고 있다.6 is a view showing a method of manufacturing a metal thin film sheet usable for the method of attaching the metal thin film sheet of FIG. 5 , and shows a process of forming a metal thin film on stretchable silk or metal mesh by applying a tensile force.

먼저, (a)와 같이 캐리어 기판(16)에 금속(구리, 니켈 등)을 도금하여 금속 박막(14)을 형성한다. 이는 전기 도금을 통해 구리 박막의 형성이 가능하다.First, as in (a), metal (copper, nickel, etc.) is plated on the carrier substrate 16 to form the metal thin film 14 . It is possible to form a copper thin film through electroplating.

다음으로 (b)와 같이 커팅이나 패터닝을 수행하여 금속 박막(14)의 형태를 원하는 형태로 만들 수 있다. Next, the shape of the metal thin film 14 can be made into a desired shape by performing cutting or patterning as in (b).

그리고, (c)와 같이 금속 박막(14) 또는 지지 시트(13)에 접착 물질을 도포한 후, 캐리어 기판(17)과 지지 시트(13)를 압착시켜 캐리어 기판(17)의 금속 박막(14)을 지지 시트(13)로 전이시킨다. Then, as in (c), after applying an adhesive material to the metal thin film 14 or the support sheet 13, the carrier substrate 17 and the support sheet 13 are compressed to form the metal thin film 14 of the carrier substrate 17. ) to the support sheet 13 .

이에 따라 (d)와 같이 지지 시트(13)에 금속 박막(14)이 적층된 금속 박막 시트(12)의 제조가 완료되게 된다.Accordingly, as shown in (d), the manufacturing of the metal thin film sheet 12 in which the metal thin film 14 is laminated on the support sheet 13 is completed.

도 7은 도 2의 금속 박막 시트의 부착 방법의 또 다른 예로서, 흡착 방식을 이용한 부착 공정을 나타낸 도면이다.7 is another example of the method of attaching the metal thin film sheet of FIG. 2 , and is a view showing an attaching process using an adsorption method.

본 실시예에 따르면, 앞에서 설명한 가압 롤(5, 6)이나 가압판(20)을 이용한을 부착 방식 대신에, 흡착홀(18)을 이용한 기판(10)을 이용한 공기 흡착 방식을 통해 금속 박막 시트(12)를 기판(10)에 부착시킨다.According to this embodiment, instead of the method of attaching using the pressure rolls 5 and 6 or the pressure plate 20 described above, the metal thin film sheet ( 12) is attached to the substrate 10 .

본 실시예의 경우, 금속 박막 시트(12)는 앞선 실시예와 달리 지지 시트(13)에 급속 박막(14)이 적층된 구조가 아닌, 그 자체로서 하나 이상의 금속 레이어를 갖는 금속 시트의 형태를 갖는다.In the case of this embodiment, the metal thin film sheet 12 is not a structure in which the rapid thin film 14 is laminated on the support sheet 13, unlike the previous embodiment, but in the form of a metal sheet having one or more metal layers by itself. .

본 실시예의 금속 박막 시트(12)의 부착 방법에 대하여 구체적으로 설명하면, 도 7의 (a)와 같이, 흡착홀(18)이 형성된 기판(10)을 마련한다. 흡착홀(18)은 기판(10)을 관통하는 관통홀의 형태를 가지며, 기판(10) 상에 복수개로 형성 가능하다.When describing the method of attaching the metal thin film sheet 12 according to the present embodiment in detail, as shown in FIG. The adsorption hole 18 has the form of a through hole penetrating through the substrate 10 , and may be formed in plurality on the substrate 10 .

그리고, 금속 박막 시트(12)를 기판(10) 상에 위치시킨다. 여기서 금속 박막 시트(12)의 테두리에는 외곽 프레임(15)이 설치될 수 있으며, 금속 박막 시트(12)는 인장 용접을 통해 외곽 프레임(15)에 접합 가능하다. Then, the metal thin film sheet 12 is positioned on the substrate 10 . Here, an outer frame 15 may be installed on the edge of the metal thin film sheet 12 , and the metal thin film sheet 12 may be joined to the outer frame 15 through tensile welding.

금속 박막 시트(12)를 기판(10) 상에 위치시키는 과정에서 금속 박막 시트(12) 또는 기판(10)에 접착제가 도포될 수 있으며, 접착성을 향상시킬 수 있도록 금속 박막 시트(12)를 히팅시키는 공정이 추가될 수 있다.In the process of placing the metal thin film sheet 12 on the substrate 10, an adhesive may be applied to the metal thin film sheet 12 or the substrate 10, and the metal thin film sheet 12 is applied to improve adhesion. A heating process may be added.

다음으로 도 7의 (c)와 같이, 금속 박막 시트(12)를 기판(10) 상에 위치시킨 상태에서 흡착홀(18)을 통해 공기를 흡입하여 금속 박막 시트(12)를 기판(10)에 흡착시킴으로써 금속 박막 시트(12)를 반도체 칩(11)의 상면과 측면, 기판(10)의 상면에 부착되게 된다.Next, as shown in FIG. 7(c), in a state in which the metal thin film sheet 12 is placed on the substrate 10, air is sucked through the suction hole 18 to apply the metal thin film sheet 12 to the substrate 10. By adsorbing to the metal thin film sheet 12 is attached to the upper surface and side surfaces of the semiconductor chip 11, the upper surface of the substrate (10).

이와 같이 금속 박막 시트(12)의 부착 공정을 완료한 후, 오토클레이브 공정을 통한 고압 환경 제공 공정이 순차적으로 수행되며, 이에 대한 설명은 앞선 설명에 갈음하기로 한다.After completing the attaching process of the metal thin film sheet 12 as described above, a process of providing a high-pressure environment through an autoclave process is sequentially performed, and a description thereof will be substituted for the previous description.

도 7에서 설명한 금속 박막 시트(12)의 부착 공정은 오토클레이브 공정을 수행하기 전에 오토클레이브 장치 밖에서 수행 가능하지만, 오토클레이브 장치 내에서 수행되도록 하여 공정 속도 및 효율성을 향상시키는 것도 가능하다. 도 8은 오토클레이브 장치 내에서 도 7의 흡착 공정을 수행하기 위한 챔버 구조의 일 예를 나타낸 도면이다.The attaching process of the metal thin film sheet 12 described in FIG. 7 can be performed outside the autoclave apparatus before performing the autoclave process, but it is also possible to improve the process speed and efficiency by allowing it to be performed in the autoclave apparatus. 8 is a diagram illustrating an example of a chamber structure for performing the adsorption process of FIG. 7 in an autoclave apparatus.

도 8의 도시와 같이 오트클레이브 공정을 위한 오토클레이브 장치의 공정 챔버(30) 내에는, 금속 박막 시트(12)의 가열을 위한 히터(31)와, 금속 박막 시트(12)의 흡착을 위한 흡착 유닛(32)이 설치될 수 있다. 히터(31)는 공정 챔버(30)의 상부에, 흡착 유닛(32)는 공정 챔버(30)의 하부에 각각 설치될 수 있다.As shown in FIG. 8 , in the process chamber 30 of the autoclave device for the autoclave process, the heater 31 for heating the metal thin film sheet 12 and the adsorption for the adsorption of the metal thin film sheet 12 . A unit 32 may be installed. The heater 31 may be installed above the process chamber 30 , and the adsorption unit 32 may be installed below the process chamber 30 .

금속 박막 시트(12)가 놓인 기판(10)을 흡착 유닛(32)에 로딩한 상태에서, 히터(31)를 동작시켜 금속 박막 시트(12)가 가열되도록 하며, 금속 박막 시트(12)가 기설정된 시간이나 온도만큼 가열되면, 흡착 유닛(32)을 가동하여 금속 박막 시트(12)가 기판(10)에 부착되도록 한다. 이 때 히터(31)의 동작이 계속 유지되도록 하여 금속 박막 시트(12)의 히팅이 유지된 상태에서 흡착 공정이 이루어질 수 있다.In a state in which the substrate 10 on which the metal thin film sheet 12 is placed is loaded in the adsorption unit 32, the heater 31 is operated so that the metal thin film sheet 12 is heated, and the metal thin film sheet 12 is When heated for a set time or temperature, the adsorption unit 32 is operated so that the metal thin film sheet 12 is attached to the substrate 10 . At this time, the operation of the heater 31 is continuously maintained so that the adsorption process may be performed while the heating of the metal thin film sheet 12 is maintained.

다음으로, 공정 챔버(30) 내에 압력을 인가하여 오토클레이브 공정을 통한 고압 환경 제공 공정이 수행되도록 함으로써 금속 박막 시트(12)의 부착면에 발생한 빈 공간이나 기포가 제거되도록 한다.Next, by applying a pressure in the process chamber 30 to perform a process of providing a high-pressure environment through an autoclave process, empty spaces or bubbles generated on the attachment surface of the metal thin film sheet 12 are removed.

상기에서는 본 발명의 특정의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to specific embodiments of the present invention, those of ordinary skill in the art may vary the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that modifications and changes can be made to

10: 기판 11: 반도체 칩
12: 금속 박막 시트 13: 지지 시트
14: 금속 박막 15: 외곽 프레임
17: 캐리어기판 18: 흡착홀
20: 가압판 21: 가압홈
30: 공정 챔버 31: 히터
32: 흡착 유닛10: substrate 11: semiconductor chip
12: metal thin film sheet 13: support sheet
14: metal thin film 15: outer frame
17: carrier substrate 18: suction hole
20: press plate 21: press groove
30: process chamber 31: heater
32: adsorption unit

Claims (13)

반도체 칩이 설치된 기판과, 전자파 차폐를 위한 금속 박막 시트를 마련하는 단계;
상기 반도체 칩의 상면과 측면을 덮도록 상기 금속 박막 시트에 물리적인 가압력을 인가하면서 상기 기판에 부착하는 단계; 및
상기 금속 박막 시트와 상기 기판 사이의 접합을 강화하도록 밀폐된 공정 챔버 내에서 상기 금속 박막 시트가 부착된 기판에 고압 환경을 제공하는 오토클레이브 공정 단계;를 포함하고,
상기 물리적인 가압력의 인가는,
히팅된 상기 금속 박막 시트를 상기 기판 상에 위치시키고, 가압판을 이용하여 상기 금속 박막 시트를 가압하여 이루어지며,
상기 금속 박막 시트는,
실크 메쉬 또는 금속 메쉬를 포함하는 지지 시트;
상기 지지 시트에 적층되며, 구리, 니켈, 실버 중 어느 하나를 포함하는 금속 박막; 및
상기 지지 시트에 인장력을 인가하도록 상기 지지 시트를 지지하는 외곽 프레임;을 포함하며,
상기 오토 클레이브 공정 단계를 수행한 후, 상기 기판에 부착된 금속 박막으로부터 상기 지지 시트를 박리시키는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.
providing a substrate on which a semiconductor chip is installed and a metal thin film sheet for shielding electromagnetic waves;
attaching to the substrate while applying a physical pressing force to the metal thin film sheet so as to cover an upper surface and a side surface of the semiconductor chip; and
An autoclave process step of providing a high-pressure environment to the substrate to which the metal thin film sheet is attached in a closed process chamber to strengthen the bonding between the metal thin film sheet and the substrate;
The application of the physical pressing force is,
It is made by placing the heated metal thin film sheet on the substrate and pressing the metal thin film sheet using a pressure plate,
The metal thin film sheet,
a support sheet comprising a silk mesh or a metal mesh;
a metal thin film laminated on the support sheet and including any one of copper, nickel, and silver; and
and an outer frame supporting the support sheet to apply a tensile force to the support sheet;
After performing the autoclave process step, the method for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package, characterized in that the step of peeling the support sheet from the metal thin film attached to the substrate is performed.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 가압판은,
상기 반도체 칩의 상면과 측면 형상에 대응되는 가압면이 구비된 가압 홈을 구비하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.
According to claim 1, wherein the pressure plate,
The method for forming an electromagnetic wave shielding film of a semiconductor package, characterized in that it comprises a pressing groove provided with a pressing surface corresponding to the shape of the upper surface and the side surface of the semiconductor chip.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 금속 박막 시트를 제조하는 단계는,
캐리어 기판에 금속을 도금하여 상기 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 금속 박막 또는 상기 지지 시트에 접착물질을 도포하는 단계; 및
상기 캐리어 기판의 금속 박막을 상기 지지 시트에 전이시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법.

The method of claim 1, wherein the manufacturing of the metal thin film sheet comprises:
forming the metal thin film by plating a metal on a carrier substrate;
applying an adhesive material to the metal thin film or the support sheet; and
and transferring the metal thin film of the carrier substrate to the support sheet.

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