KR102457132B1 - 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템 - Google Patents

기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102457132B1
KR102457132B1 KR1020200137047A KR20200137047A KR102457132B1 KR 102457132 B1 KR102457132 B1 KR 102457132B1 KR 1020200137047 A KR1020200137047 A KR 1020200137047A KR 20200137047 A KR20200137047 A KR 20200137047A KR 102457132 B1 KR102457132 B1 KR 102457132B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
pair
clamping
chamber
Prior art date
Application number
KR1020200137047A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220053110A (ko
Inventor
심용보
박병우
김건
Original Assignee
아이엠에스(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아이엠에스(주) filed Critical 아이엠에스(주)
Priority to KR1020200137047A priority Critical patent/KR102457132B1/ko
Publication of KR20220053110A publication Critical patent/KR20220053110A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102457132B1 publication Critical patent/KR102457132B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반입된 기판을 반전시킬 수 있는 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 내부공간(S)을 형성하는 챔버(100)와; 상기 챔버(100) 내에 설치되어 상기 챔버(100)로 로딩된 기판(1)을 반전시키는 기판반전부(200)를 포함하는 기판반전모듈(10)로서, 상기 기판반전부(200)는, 기판(1)을 클램핑하는 기판클램핑부(210)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의해 클램핑된 기판(1)이 반전되도록 상기 기판클램핑부(210)를 회전시키는 회전부(220)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의한 기판클램핑을 해제하기 위한 기판클램핑해제부(230)를 포함하며, 상기 챔버(100)는, 상기 챔버(100)의 대향하는 양 측면에 기판출입을 위한 한 쌍의 게이트(110)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10)를 개시한다.

Description

기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템{Substrate flip module and substrate process system having the same}
본 발명은, 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반입된 기판을 반전시킬 수 있는 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.
이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 제조 장치에서는 기판을 반전시키기 위한 기판반전장치를 필요로 한다. 일 예로, 트랜스퍼모듈(Transfer module)에 의해 이송된 기판은 캐리어 상에 얼라인되어 안착되고, 기판반전장치에 의해 반전된 후, 증착 공정이 수행될 수 있고, 증착 공정이 완료된 후에는 다시 반대 방향으로 반전된 상태로 이송될 수 있다.
종래 기판반전장치의 경우, 기판반전 시 일 측에서만 기판출입이 가능하므로 클러스터타입 기판처리시스템의 반송모듈의 일 측면을 모두 차지하며 기판반전 및 반송에 소요되는 시간이 길어져 기판처리장치의 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 양 측면 모두에서 기판출입 및 반전이 가능한 기판반전장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 내부공간(S)을 형성하는 챔버(100)와; 상기 챔버(100) 내에 설치되어 상기 챔버(100)로 로딩된 기판(1)을 반전시키는 기판반전부(200)를 포함하는 기판반전모듈(10)을 개시한다.
상기 기판반전부(200)는, 기판(1)을 클램핑하는 기판클램핑부(210)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의해 클램핑된 기판(1)이 반전되도록 상기 기판클램핑부(210)를 회전시키는 회전부(220)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의한 기판클램핑을 해제하기 위한 기판클램핑해제부(230)를 포함함할 수 있다.
상기 챔버(100)는, 상기 챔버(100)의 대향하는 양 측면에 기판출입을 위한 한 쌍의 게이트(110)를 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑부(210)는, 클램핑 대상이 되는 기판(1) 가장자리를 파지하기 위한 복수의 파지부(212)들과, 상기 파지부(212)에 의한 기판파지력을 형성하기 위한 파지력형성부(214)를 포함할 수 있다.
상기 복수의 파지부(212)들은, 각각 서로 대향하는 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)를 포함할 수 있다.
상기 파지력형성부(214)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 각각 이동가능하게 결합되는 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)와, 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 설치되어 상기 파지부재(212a, 212b)의 위치에 따른 탄성력을 상기 파지부재(212a, 212b)로 인가하는 탄성부재(216)을 포함할 수 있다.
상기 파지력형성부(214)는, 상기 파지부재(212a, 212b)가 상기 베이스부(214a, 214b)에 대해 이동가능하도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b)를 연결하는 연결샤프트부(218)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 탄성부재(216)는, 상기 연결샤프트부(218)의 외주면에 설치될 수 있다.
상기 탄성부재(216)는, 상기 기판클램핑부(210)에 외력이 인가되지 않는 경우 상기 기판파지력이 형성되도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 압축된 상태로 설치될 수 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 가압력을 인가하여 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이를 이격시키는 가압샤프트부(232)를 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 가압력 인가를 위해 상기 가압샤프트부(232)의 이동을 구동하는 샤프트구동부(234)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 결합되며 상기 가압샤프트부(232)에 의해 가압되는 가압지지부재(236)를 포함할 수 있다.
상기 가압샤프트부(232)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전축(R)을 기준으로 상기 회전축의 양측에 설치되는 제1가압샤프트부(232a) 및 제2가압샤프트부(232b)와, 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)를 연결하는 연결샤프트부(232c)를 포함할 수 있다.
상기 가압샤프트부(232)는, 상기 회전축(R)에 평행한 라인을 따라 복수로 구비될 수 있다.
상기 가압지지부재(236)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전에 따라 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)에 각각 대응되어 가압되는 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)를 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 챔버(100) 상측에 설치될 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은, 기판이송을 위한 이송로봇(21)을 구비하는 반송모듈(20)과; 상기 반송모듈(20) 일측에 설치되며 기판처리를 위한 기판처리공간을 형성하는 하나 이상의 공정모듈(30)과; 상기 반송모듈(20)과 공정모듈(30) 사이에 설치되는 청구항 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 따른 기판반전모듈(10)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.
본 발명에 따른 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 기판반전모듈의 양 측면 모두에서 기판출입 및 반전이 가능한 이점이 있다.
이를 통해, 본 발명에 따른 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 반송모듈과 상하 반전된 상태의 기판에 대한 기판처리를 수행하는 공정모듈 사이에 기판반전모듈이 설치될 수 있으므로, 기판반전모듈의 설치공간 확보가 용이하며 기판반전 및 이송에 소요되는 시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 일반적인 클러스터타입의 기판처리시스템을 도시한 평면도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판반전모듈에서의 기판반전원리를 개략적으로 도시한 개략도이다.
도 3a내지 도 3b는, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판반전모듈의 동작을 설명하는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4b는, 도 3a 내지 도 3b의 구성일부를 보여주는 사시도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판이송을 위한 이송로봇(21)을 구비하는 반송모듈(20)과; 상기 반송모듈(20) 일측에 설치되며 기판처리를 위한 기판처리공간을 형성하는 하나 이상의 공정모듈(30)과; 상기 반송모듈(20)과 공정모듈(30) 사이에 설치되는 기판반전모듈(10)을 포함한다.
상기 반송모듈(20)은, 기판이송을 위한 이송로봇(21)을 구비하는 트랜스퍼모듈로 다양한 구성이 가능하다.
상기 이송로봇(21)은 반송로봇(20)의 챔버내에 설치되어 기판(1)을 이송하는 로봇으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 이송로봇(21)은, 반송모듈(20)과 공정모듈(30) 또는 반송모듈(20)과 후술하는 기판반전모듈(10) 사이에서 기판(1)을 이송하기 위해, 다양한 다관절로봇, 예로서, 수평다관절(스카라) 로봇일 수 있다.
상기 공정모듈(30)은, 상기 반송모듈(20) 일측에 설치되며 기판처리를 위한 기판처리공간을 형성하는 프로세스모듈로서 하나 이상의 개수로 구비될 수 있다.
상기 공정모듈(30) 중 적어도 하나는, 기판처리면이 상방을 향하던(또는 기판처리면이 하방을 향하던) 기판(1)이 상하 반전되어 기판처리면이 하방을 향하도록(또는 기판처리면이 상방을 향하도록) 반전된 기판(1)에 대한 기판처리를 수행하는 프로세스모듈일 수 있다.
여기서 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판으로서, LCD제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 공정모듈(30)에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간 내에서 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 다양한 공정이 가능하다.
상기 공정모듈(30)의 챔버는, 상측이 개구된 챔버본체와, 챔버본체의 개구에 탈착가능하게 결합된 상부리드를 포함할 수 있다.
상기 챔버본체는, 기판지지부 등이 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 처리공간에 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 내측벽에 하나 이상의 게이트(31)가 형성될 수 있다.
상기 공정모듈(30)의 챔버벽을 기준으로 내부인 처리공간은 진공분위기(Vacuum)로 유지될 수 있다.
상기 기판반전모듈(10)은, 상하 반전된 기판(1)에 대한 기판처리를 수행하기 위한 공정모듈(30)의 일측에 설치될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판반전모듈(10)은, 반송모듈(20)과 공정모듈(30) 사이에 설치되어 반송모듈(20)로부터 전달받은 기판(1)을 상하 반전시킬 수 있으며, 기판반전모듈(10)에서 상하 반전된 기판(1)은 공정모듈(30)로 로딩 될 수 있다.
반대로, 상기 공정모듈(30)에서 기판처리가 완료된 기판(1)은 외부로 언로딩되거나 또는 다시 기판반전모듈(10)로 전달되어 반송모듈(20)로 이송될 수 있다.
상기 기판반전모듈(10)에서 반송모듈(20)로 이송되기 전, 기판반전모듈(10) 내의 기판(1)은 다시 상하 반전될 수 있음은 물론이다.
보다 구체적으로, 상기 기판반전모듈(10)은, 내부공간(S)을 형성하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내에 설치되어 상기 챔버(100)로 로딩된 기판(1)을 반전시키는 기판반전부(200)를 포함할 수 있다.
상기 챔버(100)는, 내부공간(S)을 형성하는 하우징으로, 밀폐될 수 있다.
상기 챔버(100)는, 기판(1)의 형태나 내부 장치들의 배치에 따라 다양한 형상 및 크기로 이루어질 수 있다.
상기 챔버(100)는, 상기 챔버(100)의 대향하는 양 측면에 기판출입을 위한 한 쌍의 게이트(110)를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2 기준, 챔버(100)의 일 측에 형성된 제1게이트(110a)를 통해 챔버(100) 내로 로딩된 기판(1)은 챔버(100) 내에서 미리 설정된 회전축(R)을 중심으로 회전되어 상하 반전된 후 제1게이트(110a)에 대향하는 제2게이트(110b) 또는 제1게이트(110a)를 통해 챔버(100) 외부로 언로딩될 수 있다.
또는, 도 2 기준, 챔버(100)의 제2게이트(110b)를 통해 챔버(100) 내로 로딩된 기판(1)은 챔버(100) 내에서 미리 설정된 회전축(R)을 중심으로 회전되어 상하 반전된 후 제2게이트(110b)에 대향하는 제1게이트(110a) 또는 제2게이트(110b)를 통해 챔버(100) 외부로 언로딩될 수 있다.
즉, 상기 챔버(100)는, 대향하는 한 쌍의 게이트(110)를 포함함으로써, 양 측면 모두에서 기판출입 및 반전이 가능하게 구성될 수 있다.
상기 기판반전부(200)는, 상기 챔버(100) 내에 설치되어 상기 챔버(100)로 로딩된 기판(1)을 반전시키는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
보다 구체적으로, 상기 기판반전부(200)는, 미리 설정된 회전축(R)에 대해 기판(1)을 회전시켜 기판(1)을 상하 반전시킬 수 있다.
상기 회전축(R)은, 수평면에 평행하며, 한 쌍의 게이트(110)의 배치방향에 수직한 방향으로 설정될 수 있다.
예로서, 상기 기판반전부(200)는, 기판(1)을 클램핑하는 기판클램핑부(210)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의해 클램핑된 기판(1)이 반전되도록 상기 기판클램핑부(210)를 회전시키는 회전부(220)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의한 기판클램핑을 해제하기 위한 기판클램핑해제부(230)를 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑부(210)는, 기판(1)을 클램핑하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
일 실시예에서, 상기 기판클램핑부(210)는, 클램핑 대상이 되는 기판(1) 가장자리를 파지하기 위한 복수의 파지부(212)들과, 상기 파지부(212)에 의한 기판파지력을 형성하기 위한 파지력형성부(214)를 포함할 수 있다.
상기 복수의 파지부(212)들은, 클램핑 대상이 되는 기판(1) 가장자리를 파지하기 위한 구성으로, 다양한 구성이 가능하다.
상기 복수의 파지부(212)들은, 각각 서로 대향하는 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)를 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)는, 서로 대향하도록 배치되어 사이에 위치되는 기판(10)의 가장자리를 파지하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)는, 수평상태로 로딩되는 기판(1)을 파지하기 위해 상하방향으로 배치될 수 있다.
도 3a 내지 도 4b를를 참조하면, 상기 파지부(212)는, 파지대상이 되는 기판(10)의 둘레를 따라 복수로 구비될 수 있으며, 보다 구체적으로, 2개로 구비될 수 있다.
상기 파지부(212)의 개수 및 배치는, 기판(1)의 형상 및 크기에 따라 다양하게 구성될 수 있음은 물론이다.
이때, 상기 파지부(212)가 복수의 쌍의 파지부재(212a, 212b)를 포함하는 것도 가능함은 물론이다.
상기 복수의 쌍의 파지부재(212a, 212b)는, 파지부(212)의 길이방향을 따라 형성될 수 있다.
상기 파지부재(212a, 212b)는, 기판(1)과 직접 접촉되는 영역으로, 기판(1)의 위치를 얼라인하기 위한 위치가이드핀(213)이 형성될 수 있다.
상기 파지력형성부(214)는, 상기 파지부(212)에 의한 기판파지력을 형성하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 파지력형성부(214)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 각각 이동가능하게 결합되는 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)와, 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 설치되어 상기 파지부재(212a, 212b)의 위치에 따른 탄성력을 상기 파지부재(212a, 212b)로 인가하는 탄성부재(216)을 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 각각 이동가능하게 결합되는 구성으로, 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)는 각각, 도 3a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 평면상(X-Y평면 상) 파지대상이 되는 기판(1)의 둘레를 따라 형성되는 링 형상의 부재일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)는 각각, 중앙이 개구된 직사각형 링형부재로 이루어질 수 있다.
상기 중앙 개구 영역은, 후술하는 가압샤프트(232)의 이동경로를 간섭하지 않도록 형성될 수 있다.
상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)는, 서로 동일한 형상으로 이루어지며, 서로 간격을 두고 대향하도록 설치될 수 있다.
이때, 상기 파지력형성부(214)는, 상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)는, 기판(1)의 회전축(R) 방향 양 끝단부에서 상기 한 쌍의 베이스부(212a, 212b)를 서로 결합시키는 한 쌍의 베이스결합부(215)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 베이스결합부(215)는, 각각 상부 및 하부가 상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)를 향해 절곡되어, 수직단면이 ㄷ 및 뒤집어진 ㄷ자 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 한 쌍의 베이스결합부(215)의 절곡된 영역에서, 상기 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)와 각각 다양한 방식으로 결합될 수 있다.
상기 탄성부재(216)는, 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 설치되어 상기 파지부재(212a, 212b)의 위치에 따른 탄성력을 상기 파지부재(212a, 212b)로 인가하는 탄성체로서 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 파지력형성부(214)는, 상기 파지부재(212a, 212b)가 상기 베이스부(214a, 214b)에 대해 이동가능하도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b)를 연결하는 연결샤프트부(218)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탄성부재(216)는, 상기 연결샤프트부(218)의 외주면에 설치될 수 있다.
또한, 상기 탄성부재(216)는, 상기 기판클램핑부(210)에 외력이 인가되지 않는 경우 상기 기판파지력이 형성되도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 압축된 상태로 설치될 수 있다.
상기 탄성부재(216)가 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 압축된 상태로 설치됨에 따라 탄성부재(216)가 인장 되려는 반대방향 복원력이 프리로드로서 작용할 수 있고, 결과적으로, 다른 외력이 인가되지 않을 때, 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이에 기판(1)을 클램핑하기 위한 파지력이 형성될 수 있다.
이때, 상기 탄성부재(216)가 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 압축된 상태로 설치되기 위해, 상기 파지부재(212a, 212b)의 위치를 제한하는 다양한 위치제한수단이 구비될 수 있다.
한편, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 기판(1)의 가장자리를 파지한 상태를 유지하고 있을 때, 파지된 기판(1)을 다시 외부로 배출하기 위해서, 또는 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이로 기판(1)을 로딩하기 위해서, 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)에 의한 클램핑을 해제할 필요가 있다.
이를 위해, 상기 기판반전모듈(10)은, 상기 기판클램핑부(210)에 의한 기판클램핑을 해제하기 위한 기판클램핑해제부(230)를 포함할 수 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 가압력을 인가하여 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이를 이격시키는 가압샤프트부(232)를 포함할 수 있다.
상기 가압샤프트부(232)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 상기 탄성부재(216)에 의한 탄성력 보다 더 큰 반대방향 가압력을 인가하여 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이를 이격시킬 수 있다면 다양한 구성이 가능하다.
상기 가압샤프트부(232)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전축(R)을 기준으로 상기 회전축의 양측에 설치되는 제1가압샤프트부(232a) 및 제2가압샤프트부(232b)와, 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)를 연결하는 연결샤프트부(232c)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가압샤프트부(232)는, 원활한 클램핑 해제를 위해서 복수로 구비될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 가압샤프트부(232)는, 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 회전축(R)에 평행한 라인을 따라 복수로 구비될 수 있다.
또한, 상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 결합되며 상기 가압샤프트부(232)에 의해 가압되는 가압지지부재(236)를 포함할 수 있다.
상기 가압샤프트부(232)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 직접 가압력을 인가하는 것이 아니라, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 결합된 가압지지부재(236)에 가압력을 인가해 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나로 가압력이 전달되도록 할 수 있다.
상기 가압지지부재(236)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 형성되는 파지부(212)에서 외측으로 연장형성되는 돌기영역일 수 있다.
이때, 상기 가압지지부재(236)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전에 따라 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)에 각각 대응되어 가압되는 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)를 포함할 수 있다.
상기 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)는, 각각 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 대응되어 설치될 수 있다.
또한, 상기 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)는, 서로 동일한 형상으로 이루어질 수 있으며, 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 가압샤프트부(232)에 의한 가압 시 서로 간섭되지 않도록 배치평면 상 어긋난 위치에 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1가압지지부재(236a)이 제1가압샤프트부(232a)에 의해 가압될 때, 제2가압지지부재(236b)는 이를 간섭하지 않도록 제1가압지지부재(236a)의 일측 어긋난 위치에 형성될 수 있다.
상기 기판클램핑부(210)가 회전축(R)을 중심으로 180° 회전되어 상하반전되면, 제2가압지지부재(236b)는, 제1가압샤프트부(232a)에 의해 가압될 수 있는 영역에 위치될 수 있다.
이때, 제1가압지지부재(236a) 또한 이를 간섭하지 않는 일측 어긋난 위치에 자연스럽게 위치될 수 있다.
즉, 본 발명은, 평면 상 서로 어긋난 위치에 형성되는 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)로 인하여, 기판클램핑부(210)가 180°상하 반전되는 경우에도, 언제나 가압샤프트부(232)가 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b) 중 어느 하나를 가압하여 기판클램핑을 해제할 수 있는 이점이 있다.
상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 가압력 인가를 위해 상기 가압샤프트부(232)의 이동을 구동하는 샤프트구동부(234)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 샤프트구동부(234)에 의한 구동력이 가압샤프트부(232)를 이동시켜 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나(보다 구체적으로는, 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b) 중 어느 하나에) 상기 탄성부재(216)에 의한 탄성력 보다 더 큰 반대방향 가압력을 인가할 수 있다.
상기 샤프트구동부(234)는, 다양한 구동원이 가능하며, 예로서, 실린더구동원일 수 있다.
또한, 상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 챔버(100) 상측에 설치될 수 있다.
이때, 상기 가압샤트부(232)는, 상기 챔버(100) 상측에 설치된 샤프트구동부(234)에 의해 상하이동이 구동될 수 있다.
상기 기판반전모듈(10)은, 이송로봇(21)에 의해 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이로 로딩된 기판(1)을 클램핑한 후, 후술하는 회전부(220)에 의해 상하 180° 회전한 후, 기판클램핑해제부(230)에 의해 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)의 클램핑을 해제할 수 있다.
상기 기판반전모듈(10)에서 반전된 기판(1)은, 다시 외부로 배출될 수 있다.
상기 회전부(220)는, 상기 기판클램핑부(210)에 의해 클램핑된 기판(1)이 반전되도록 상기 기판클램핑부(210)를 회전시키는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 회전부(220)는, 기판클램핑부(210) 전체가 회전축(R)에 대해 회전될 수 있도록 상술한 한 쌍의 베이스결합부(215)를 회전시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 회전부(220)는, 한 쌍의 베이스결합부(215)가 회전축(R)을 중심으로 회전가능하게 설치되는 회전지지부(222)를 포함할 수 있다.
상기 회전지지부(222)는, 챔버(100) 하측서 상기 한 쌍의 베이스결합부(215)를 향해 상방으로 연장형성 되는 한 쌍의 회전지지샤프트(222a)를 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 회전지지샤프트(222a) 또한 회전축(R) 방향에 평행하게 배치될 수 있다.
상기 한 쌍의 회전지지샤프트(222a)에 의해 상기 한 쌍의 베이스결합부(215)는, 챔버(100) 하측에서 들어올려진 상태에서 회전축(R)을 중심으로 회전될 수 있다.
이때, 상기 회전부(220)는, 한 쌍의 회전지지샤프트(222a)에 의해 회전가능하게 지지된 한 쌍의 베이스결합부(215)의 회전을 구동하는 회전구동부(224)를 포함할 수 있다.
상기 회전구동부(224)는, 한 쌍의 베이스결합부(215)의 회전을 구동하는 구동원으로, 다양한 구동원이 가능하며, 예로서, 모터일 수 있다.
이때, 상기 한 쌍의 베이스결합부(215) 중 하나에는 상기 회전구동부(224)와 결합되기 위한 결합축(215a)이 형성될 수 있다.
상기 결합축(215a)은 회전지지샤프트(222a) 일측에 설치되는 회전구동부(224)와 결합되어 회전구동부(224)의 회전구동력을 베이스결합부(215)로 전달할 수 있다.
한 쌍의 베이스결합부(215) 사이에 기판(1)이 파지된 상태로 클램핑되므로, 한 쌍의 베이스결합부(215) 회전에 따라 기판(1) 또한 원하는 각도로 반전될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
1: 기판 10: 기판반전모듈
20: 반송모듈 30: 공정모듈

Claims (14)

  1. 내부공간(S)을 형성하는 챔버(100)와; 상기 챔버(100) 내에 설치되어 상기 챔버(100)로 로딩된 기판(1)을 반전시키는 기판반전부(200)를 포함하는 기판반전모듈(10)로서,
    상기 기판반전부(200)는, 기판(1)을 클램핑하는 기판클램핑부(210)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의해 클램핑된 기판(1)이 반전되도록 상기 기판클램핑부(210)를 회전시키는 회전부(220)와, 상기 기판클램핑부(210)에 의한 기판클램핑을 해제하기 위한 기판클램핑해제부(230)를 포함하며,
    상기 챔버(100)는, 상기 챔버(100)의 대향하는 양 측면에 기판출입을 위한 한 쌍의 게이트(110)를 포함하며,
    상기 기판클램핑부(210)는, 클램핑 대상이 되는 기판(1) 가장자리를 파지하기 위한 복수의 파지부(212)들과, 상기 파지부(212)에 의한 기판파지력을 형성하기 위한 파지력형성부(214)를 포함하며,
    상기 복수의 파지부(212)들은, 각각 서로 대향하는 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)를 포함하며,
    상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 가압력을 인가하여 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 사이를 이격시키는 가압샤프트부(232)를 포함하며,
    상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b) 중 적어도 하나에 결합되며 상기 가압샤프트부(232)에 의해 가압되는 가압지지부재(236)를 포함하며,
    상기 가압샤프트부(232)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전축(R)을 기준으로 상기 회전축의 양측에 설치되는 제1가압샤프트부(232a) 및 제2가압샤프트부(232b)와, 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)를 연결하는 연결샤프트부(232c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 파지력형성부(214)는, 상기 한 쌍의 파지부재(212a, 212b)가 각각 이동가능하게 결합되는 한 쌍의 베이스부(214a, 214b)와, 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 설치되어 상기 파지부재(212a, 212b)의 위치에 따른 탄성력을 상기 파지부재(212a, 212b)로 인가하는 탄성부재(216)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 파지력형성부(214)는, 상기 파지부재(212a, 212b)가 상기 베이스부(214a, 214b)에 대해 이동가능하도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b)를 연결하는 연결샤프트부(218)를 추가로 포함하며,
    상기 탄성부재(216)는, 상기 연결샤프트부(218)의 외주면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 탄성부재(216)는, 상기 기판클램핑부(210)에 외력이 인가되지 않는 경우 상기 기판파지력이 형성되도록 상기 파지부재(212a, 212b)와 상기 베이스부(214a, 214b) 사이에 압축된 상태로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 가압력 인가를 위해 상기 가압샤프트부(232)의 이동을 구동하는 샤프트구동부(234)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 가압샤프트부(232)는, 상기 회전축(R)에 평행한 라인을 따라 복수로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 가압지지부재(236)는, 상기 기판클램핑부(210)의 회전에 따라 상기 제1가압샤프트부(232a) 및 상기 제2가압샤프트부(232b)에 각각 대응되어 가압되는 제1가압지지부재(236a) 및 제2가압지지부재(236b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  13. 청구항 1, 청구항 4 내지 청구항 6, 청구항 8, 청구항 11, 및 청구항 12 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판클램핑해제부(230)는, 상기 챔버(100) 상측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판반전모듈(10).
  14. 기판이송을 위한 이송로봇(21)을 구비하는 반송모듈(20)과; 상기 반송모듈(20) 일측에 설치되며 기판처리를 위한 기판처리공간을 형성하는 하나 이상의 공정모듈(30)과; 상기 반송모듈(20)과 공정모듈(30) 사이에 설치되는 청구항 1, 청구항 4 내지 청구항 6, 청구항 8, 청구항 11, 및 청구항 12 중 어느 하나의 항에 따른 기판반전모듈(10)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
KR1020200137047A 2020-10-21 2020-10-21 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템 KR102457132B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200137047A KR102457132B1 (ko) 2020-10-21 2020-10-21 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200137047A KR102457132B1 (ko) 2020-10-21 2020-10-21 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220053110A KR20220053110A (ko) 2022-04-29
KR102457132B1 true KR102457132B1 (ko) 2022-10-21

Family

ID=81428947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200137047A KR102457132B1 (ko) 2020-10-21 2020-10-21 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102457132B1 (ko)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101329818B1 (ko) * 2012-01-31 2013-11-15 주식회사 티이에스 기판 반전 장치
KR20130115827A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101844317B1 (ko) * 2015-12-30 2018-04-03 주식회사 에스에프에이 기판 정렬 장치 및 기판 정렬 방법
KR102141852B1 (ko) * 2018-12-06 2020-08-07 주식회사 선익시스템 기판 반전 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220053110A (ko) 2022-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7874781B2 (en) Substrate processing apparatus
US8505991B2 (en) Conveying device and vacuum apparatus
TW201323202A (zh) 基板貼附系統及基板貼附方法
CN102194728B (zh) 衬底处理设备
JP2013046022A (ja) 基板反転装置および基板処理装置
JP2007208252A (ja) 柔軟性のある結合要素を備えた湾曲したスリットバルブドア
US20140079514A1 (en) Load lock chamber designs for high-throughput processing system
TWI386353B (zh) 搬運設備、具有該搬運設備之搬運室及包含該搬運設備之真空處理系統
KR20050005377A (ko) 기판조립 방법 및 장치
KR101829081B1 (ko) 기판 보유 지지 링 파지 기구
KR102457132B1 (ko) 기판반전모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템
EP2357056B1 (en) Wafer bonding apparatus
GB2433819A (en) Substrate bonding apparatus for liquid crystal display panel
KR20210098573A (ko) 기판 반전장치 및 이를 포함하는 트랜스퍼 시스템
KR101324288B1 (ko) 유지보수가 간편한 기판 얼라이너
KR20180083259A (ko) 기판 홀더, 종형 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치
KR101688842B1 (ko) 기판 처리 장치
TW200306638A (en) Substrate alignment apparatus
US11842887B2 (en) Film formation apparatus
JP2013197164A (ja) 板状部材移動装置
TWI556346B (zh) 基板反轉裝置、真空成膜裝置及基板反轉方法
JP2000144430A (ja) 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
CN106207005B (zh) 用于制造显示装置的装置和制造显示装置的方法
CN112249685B (zh) 进行基板快速交互搬送的机构及其搬送方法
CN219418991U (zh) 晶圆承载装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant