KR102452722B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102452722B1
KR102452722B1 KR1020150120747A KR20150120747A KR102452722B1 KR 102452722 B1 KR102452722 B1 KR 102452722B1 KR 1020150120747 A KR1020150120747 A KR 1020150120747A KR 20150120747 A KR20150120747 A KR 20150120747A KR 102452722 B1 KR102452722 B1 KR 102452722B1
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Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판 처리 영역을 포함하는 챔버, 상기 기판 처리 영역 상에 배치되고, 삽입홀을 포함하는 유전판 및 상기 유전판 상에 배치되어 상기 유전판의 온도를 측정하고, 상기 삽입홈에 삽입되는 나사(screw)부를 가지는 온도 측정부를 포함하고, 상기 삽입홀과 상기 나사부 각각은 서로 맞물리는 나사선을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Substrate Processing Apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 온도 측정부를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그래피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식 식각과 건식 식각이 사용된다. 이 중 건식 식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
한편, 챔버는 기판을 지지하는 기판 지지부가 배치되는 기판 처리 영역을 내부에 포함한다. 기판 처리 영역은 챔버 내에 배치되는 유전판을 통하여, 다른 영역과 구분될 수 있다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에 있어서, 상기 유전판은 일정한 온도로 유지되어야 한다. 따라서, 기판 처리 공정 중에, 상기 유전판 온도의 정확한 측정이 요구된다.
반도체 장치 제조 공정의 미세 공정에 있어서, 기판 처리 장치가 포함하는 유전판의 온도는 반도체 장치 제조 공정의 임계 치수(critical dimension)와 패턴의 프로필(profile)에 큰 영향을 미치는 요소이다. 따라서, 기판 처리 장치 내의 유전판의 온도 변화를 정확하게 모니터링하는 것은, 반도체 장치 제조 공정의 신뢰성 측면에서 중요하다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 유전판 온도의 정확한 측정이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 온도 측정부와 유전판 간의 조립 재현성 및 결합력이 향상된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 영역을 포함하는 챔버; 상기 기판 처리 영역 상에 배치되고, 삽입홀을 포함하는 유전판; 및 상기 유전판 상에 배치되어 상기 유전판의 온도를 측정하고, 상기 삽입홈에 삽입되는 나사(screw)부를 가지는 온도 측정부를 포함하고, 상기 삽입홀과 상기 나사부 각각은 서로 맞물리는 나사선을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 삽입홀의 깊이는 상기 유전판 두께의 80% 이하일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 삽입홀의 깊이는 10 내지 15mm일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부가 포함하는 나사선은 4.2 내지 20mm의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부는 3 내지 14개의 나사산을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부에서 연장되는 제1 바디부와 상기 제1 바디부를 감싸는 세라믹막을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 세라믹막은 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 온도 측정부는 제1 바디부를 더 포함하되, 상기 나사부는 환형의 원통 형상을 가지고 상기 제1 바디부의 측벽 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부는 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발며으이 다른 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되어 상기 챔버의 기판 처리 영역과 기판 미처리 영역을 구획하고, 삽입홀을 포함하는 유전판; 상기 기판 처리 영역에 배치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판 처리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 상기 기판 미처리 영역에 배치되어 상기 유전판의 온도를 측정하고, 상기 삽입홀에 삽입되는 나사(screw)부를 가지는 온도 측정부를 포함하고, 상기 삽입홀과 상기 나사부 각각은 서로 맞물리는 나사선을 포함하는 기판 처리 장치.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 삽입홀의 깊이는 상기 유전판 두께의 80% 이하일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 삽입홀의 깊이는 10 내지 15mm일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부가 포함하는 나사선은 4.2 내지 20mm의 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 나사부는 3 내지 14개의 나사산을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 온도 측정부는 제1 바디부를 더 포함하되, 상기 나사부는 환형의 원통 형상을 가지고 상기 제1 바디부의 측벽 상에 배치될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 배플을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 1의 유전판과 온도 측정부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
도 12은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 발명의 실시예들에서는, 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 온도 측정이 필요한 기판 처리 장치라면 다양하게 적용 가능하다.
또한, 본 발명의 실시예들에서는, 기판이 원형의 웨이퍼(wafer)인 것으로 예를 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 사각형을 포함하는 다양한 향상의 웨이퍼에 적용 가능하다.
이하에서, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 도 2는 도 1의 배플을 설명하기 위한 사시도이다. 도 3은 도 1의 유전판과 온도 측정부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 가열부(150), 냉각부(160), 기판 지지부(200), 공정가스 공급부(300), 플라즈마 발생부(400), 배플(500) 및 온도 측정부(600)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 기판 처리 영역(120)과 기판 처리 영역(120)의 상부에 배치하는 기판 미처리 영역(110)을 포함할 수 있다. 챔버(100)는 원통 형상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
챔버(100)는 하우징(102), 커버(104), 보호막(105) 및 유전판(106)을 포함할 수 있다. 하우징(102)은 상부가 개방된 원통 형상일 수 있다. 하우징(102)의 일측벽에는 개구부(130)가 형성될 수 있다. 개구부(130)은 기판(w)이 하우징(102) 내로 반입되거나, 반출될 수 있는 통로일 수 있다.
커버(104)는 하부가 개방된 원통 형상일 수 있다. 커버(104)는 유전판(106)을 덮도록 하우징(102)에 결합된다. 하우징(102)과 결합되 커버(104)는 온도 측정부(600)의 상부와 접촉할 수 있다. 커버(104)는 커버(104)와 유전판(106) 사이에 배치된 온도 측정부(600)를 지지하여, 온도 측정부(600)의 자세를 고정시킬 수 있다.
한편, 하우징(102) 및 커버(104)는 금속성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
유전판(106)은 하우징(102)과 커버(104)에 의해 형성되는 내부 공간을 구획할 수 있다. 즉, 유전판(106)은 상기 내부 공간을 플라즈마가 공급되어 기판이 처리되는 기판 처리 영역(120)과, 기판 미처리 영역(110)으로 구획할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 유전판(106)은 기판 처리 영역(120) 상에 배치될 수 있다.
유전판(106)은 원판 형상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 배치되는 챔버(100)의 형상에 대응되는 형상으로, 다양한 형상이 적용될 수 있다. 유전판(106)은 하우징(102)의 내경과 대응되는 직경을 가질 수 있다.
유전판(106)은 하우징(102)과 커버(104) 사이에 위치할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 하우징(102)의 내측 또는 커버(104)의 내측에 배치될 수도 있다.
유전판(106)이 하우징(102)과 커버(104) 사이에 위치하는 경우, 기판 처리 영역(120)은 하우징(102)과 유전판(106)에 의해 구획되는 영역일 수 있으며, 기판 미처리 영역(110)은 커버(104)와 유전판(106)에 의해 구획되는 영역일 수 있다.
한편, 유전판(106)은 유전체로 형성될 수 있다. 유전판(106)은 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 세라믹(ceramic) 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
유전판(106)의 하면 상에는 보호막(105)가 배치될 수 있다. 보호막(105)는 기판 처리 공정 중의 유전판(106)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 보호막(105)는 기판 처리 공정 중에 유전판(106)에서 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 보호막(105)는 이트륨 산화물 등으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성될 수 있다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압부재(160)에 연결될 수 있다. 감압부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공할 수 있다. 기판 처리 공정 중에 발생할 수 있는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 감압부재(160)가 제공하는 진공압으로 인해, 챔버(100)의 외부로 배출될 수 있다.
기판 지지부(200)는 기판 처리 영역(120)에 배치될 수 있다. 기판 지지부(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척일 수 있다. 다만, 기판 지지부(200)는 이에 제한되는 것은 아니며, 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
기판 지지부(200)가 정전척인 경우, 기판 지지부(200)는 유전층(210), 포커스링(250) 및 베이스(230)을 포함할 수 있다. 유전층(210)의 상면 상에 기판(W)이 배치될 수 있다. 이 경우, 유전층(210)의 상면과 기판(W)은 서로 접촉할 수 있다. 유전층(210)은 원판 형상일 수 있다. 유전층(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다.
유전층(210)의 내부에는 하부 전극(212)이 배치될 수 있다. 하부 전극(212)에는 전원이 연결될 수 있고, 전원으로부터 전력을 인가받을 수 있다. 하부 전극(212)는 상기 전력으로부터 기판(W)이 유전층(210)에 흡착될 수 있도록 정전기력을 제공받을 수 있다. 한편, 하부 전극(212)은 모노 폴라 전극 일 수 있다.
유전층(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 형성될 수 있다. 히터(214)는 하부 전극(212)의 하부에 배치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. 또한, 유전층(210)은 세라믹 물질로 형성될 수 있다.
베이스(230)은 유전층(210)을 지지할 수 있다. 베이스(230)는 유전층(210)의 아래에 위치되며, 유전층(210)과 결합될 수 있다. 베이스(230)의 상면은 상기 상면의 중앙 영역이 가장 자리 영역과 비교하여, 높도록 단차된 형상일 수 있다. 베이스(230)은 베이스(230) 상면의 중앙 영역은 유전층(210)의 저면과 대응되는 면적을 가질 수 있다.
베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성될 수 있다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결될 수 있다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가할 수 있다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)을 향해 이동되도록 안내할 수 있다. 베이스(230)는 금속 재질로 형성될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함할 수 있다. 내측링(252)은 유전층(210)을 감싸는 환형의 링 형상일 수 있다. 내측링(252)은 베이스(230)의 가장 자리 영역에 배치될 수 있다. 내측링(252)의 상면은 유전층(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공될 수 있다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 한편, 내측링(252)은 도전성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상일 수 있다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장 자리 영역에서 내측링(252)과 인접하게 배치될 수 있다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면과 비교하여, 높게 배치될 수 있다. 한편, 외측링(254)는 절연성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
가스 공급부(300)은 기판 지지부(200)로 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급부(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330) 및 가스 유입 포트(310)를 포함할 수 있다. 가스 저장부(350)는 공정 가스를 제공할 수 있다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)를 가스 유입 포트(310)에 연결할 수 있다. 가스 저장부(350)이 공급하는 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)로 공급되 수 있다.
한편, 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치될 수 있다. 밸브는 상기 공정 가스의 공급 통로를 열거나 닫을 수 있다. 한편, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치가 기판 식각 장치인 경우에는, 상기 공정 가스는 식각 가스일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
플라즈마 발생부(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 유도결합형 플라즈마(inductively coupled plasma) 발생부일 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함할 수 있다.
안테나(410)는 기판 미처리 영역(110)에 배치될 수 있다. 안테나(410)는 동일 높이에서 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공될 수 있고, 외부 전원(430)과 연결될 수 있다. 안테나(410)는 외부 전원(430)으로부터 전력을 인가받을 수 있다. 전력이 인가된 안테나(410)은 기판 처리 영역(120)에 방전 공간을 형성할 수 있다. 방전 공간이 형성된 기판 처리 영역(120) 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 기판 처리 영역(120)에서 플라즈마가 영역 별로 균일하게 배기되게 할 수 있다.
도 2을 참조하면, 배플(500)은 처리 영역(120)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지부(200) 사이에 배치될 수 있다. 배플(500)은 환형의 링 형상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 배플(500)은 배치되는 영역의 형상과 대응하는 다양한 형상을 포함할 수 있다.
배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성될 수 있다. 관통홀들(502)은 상하 방향으로 제공될 수 있다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주 방향을 따라 제공될 수 있다. 관통홀(502)은 슬릿 형상일 수 있다. 관통홀(502)은 배플(500)의 경 방향을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다.
가열부(150)는 유전판(106)의 양측에 배치될 수 있다. 가열부(150)은 유전판(106)의 가장 자리 영역을 가열할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 가열부(150)이 유전판(108)의 양측에 배치된 것으로 도시하였지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 가열부(150)는 유전판(106)을 가열할 수 있는 위치라면, 제한없이 배치될 수 있다.
한편, 가열부(150)은 외부에 배치된 온도 조절 장치와 연결될 수 있다. 상기 온도 조절 장치는 유전판(106)의 온도가 공정 상태에 따라 변화되도록 가열부(150)을 제어할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도 조절 장치는 가열부(150)에 전원을 공급하는 전원과, 가열부(150)가 유전판(106)에 공급하는 열을 조절하는 제어부를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 가열부(150)는 온도 측정부(600)와 상기 온도 조절 장치를 통해 전기적 신호를 주고 받을 수 있다. 즉, 온도 측정부(600)를 통해 유전판(106)의 온도가 측정되면, 측정된 온도를 바탕으로 가열부(150)가 상기 온도 조절 장치를 통해 제어될 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니며, 별도의 추가적인 구성이 온도 측정부(600)와 연결될 수 있다.
냉각부(160)는 유전판(106)의 온도가 과열되는 것을 방지할 수 있다. 냉각부(160)는 커버(104)의 측벽에 배치된 팬(fan)을 포함할 수 있다. 상기 팬은 기판 미처리 영역(110)에 기류를 형성하여 유전판(106)이 가열되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 팬에 의해 형성된 기류는 유전판(106)의 가장 자리 영역이 가지는 온도를 유전판(106)의 중앙 영역으로 전달할 수 있다. 한편, 냉각부(160)은 상기 팬에 전원을 공급하는 외부 전원을 더 포함할 수 있다.
한편, 가열부(150)과 냉각부(160)는 별도의 제어부를 통해 상호 작용하여, 유전판(106)의 온도를 제어할 수 있다.
온도 측정부(600)는 유전판(106)과 커버(104) 사이에 배치될 수 있다. 온도 측정부(600)는 기판 미처리 영역(110)에 배치될 수 있다. 온도 측정부(600)는 상하로 연장되는 길다란 원통형일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 온도 측정부(600)는 금속성 물질로 형성될 수 있다.
온도 측정부(600)로 측정된 온도는 측정라인(610)을 통해, 측정 온도 저장부(620)으로 전달 될 수 있다. 한편, 측정 온도 저장부(620)는 냉각부(160) 및/또는 가열부(150)과 전기적으로 연결되어, 특정한 제어부의 제어를 통하여 상호 작용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 있어서, 온도 측정부(600)는 온도 측정부(600)의 일부가 유전판(106) 내에 배치될 수 있고, 유전판(106) 내에 배치된 온도 측정부(600)의 일부를 이용하여 유전판(106)의 온도를 측정할 수 있다. 이에 따라, 온도 측정부(600)는 보다 정확한 온도 측정이 가능하다.
보다 구체적으로 설명하면, 온도 측정부(600)가 유전판(106)의 표면과 접촉하여 유전판(106)의 온도를 측정하는 경우에는, 온도 측정 시의 온도 측정부(600)에 가해지는 압력, 냉각부(160)가 포함하는 팬의 기류 등으로 인하여, 유전판(106)의 온도를 정확히 측정하기 어렵다.
즉, 온도 측정부(600)에 가해지는 압력이 상대적으로 높은 경우에는, 유전판(106)의 온도가 높은 것으로 측정될 수 있다. 나아가, 온도 측정 시에, 냉각부(160)의 팬의 기류가 순간적으로 변화하는 경우에는 유전판(106)의 온도가 역시 순간적으로 변화할 수 있다.
따라서, 유전판(106)의 표면에서 유전판(106)의 온도를 측정하는 것은, 다양한 변수로 인하여 온도 측정의 정확성이 떨어지므로, 측정 온도의 신뢰성이 떨어진다. 또한, 복수 개의 챔버가 있는 경우에, 상술한 다양한 변수로 인하여 유전판(106)의 온도가 서로 다르게 측정되는 문제점이 발생할 수도 있다.
그러나, 본 실시예들에 따른 온도 측정부(600)는 온도 측정부(600)의 일부가 유전판(106)의 내부에 배치되어, 유전판(106)의 온도를 측정하므로, 상술한 다양한 변수로 인한 온도의 왜곡을 차단할 수 있으므로, 보다 정확한 온도 측정이 가능하다. 따라서, 온도 측정부(600)의 측정된 온도의 신뢰성이 향상될 수 있다.
온도 측정부(600)로부터 측정된 온도를 바탕으로 기판 처리 장치가 제어 또는 작동될 수 있으므로, 본 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 신뢰성이 향상된 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
도 3을 이용하여, 유전판(106)과 온도 측정부(600)의 개략적인 배치관계를 설명한다.
도 3을 참조하면, 유전판(106)은 삽입홀(h)을 포함하며, 삽입홀(h) 내에 온도 측정부(600)의 일부가 배치될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 하나의 삽입홀(h)이 배치된 것으로 도시되었지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 삽입홀(h)은 필요에 따라 복수개로 배치될 수 있다. 또한, 삽입홀(h)은 유전판(106)의 온도를 측정할 수 있는 위치라면, 제한 없이 형성될 수 있다.
이어서, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도들이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부의 사시도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 기판 처리 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 번호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 이에 따라, 동일한 구성 요소에 대해 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부의 상세한 설명을 위한 것이다.
우선, 도 4를 참조하여, 온도 측정부(600)의 구성과 온도 측정부(600)와 유전판(106)의 결합 과정을 보다 상세히 설명한다. 도 4의 (a)는 온도 측정부(600)와 유전판(106)이 결합되기 전의 단면도이고, 도 4의 (b)는 온도 측정부(600)와 유전판(106)이 결합된 후의 단?e도이다.
도 4를 참조하면, 온도 측정부(600)는 나사부(630), 제1 바디부(620b), 제2 바디부(620a) 및 헤드부(610)을 포함할 수 있다.
나사부(630)는 유전판(106)의 온도를 감지할 수 있다. 나사부(630)의 하면과 유전판(106)의 삽입홀(h) 바닥면과의 접촉을 통하여, 나사부(630)는 유전판(106)의 온도를 감지할 수 있다.
나사부(630)는 나사선을 포함할 수 있으며, 외주면에 나사선을 포함하는 수나사일 수 있다. 나사부(630)는 제1 바디부(620b)에서 연장되는 형상일 수 있다. 제2 바디부(620a)는 제1 바디부(620b) 상에 배치될 수 있다. 제2 바디부(620a)는 제1 바디부(620b)에서 연장되는 형상일 수 있다. 제1 바디부(620b)와 제2 바디부(620a)의 폭은 서로 다를 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
유전판(106)의 삽입홀(h)는 내주면에 나사선을 포함할 수 있으며, 삽입홀(h)이 포함하는 나사선은 나사부(630)의 나사선과 서로 맞물릴 수 있다. 온도 측정부(600)는 회전하여 유전판(106)의 삽입홀(h)내로 삽입될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 있어서, 온도 측정부(600)와 유전판(106) 각각은 나사선을 가지며, 이는 서로 맞물릴 수 있다. 따라서, 온도 측정부(600)가 유전판(106)의 표면과 단순 접촉하는 경우와 비교하여, 본 실시예에 따른 온도 측정부(600)와 유전판(106)은 보다 강하게 결합될 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치의 진동 및 충격이 발생하는 경우에도, 본 실시예들에 따른 온도 측정부(600)는 유전판(106)과의 결합을 안정적으로 유지할 수 있다. 이를 통해, 온도 측정부(600)는 유전판(106) 온도를 정확하게 계측할 수 있다.
또한, 온도 측정부(600)와 유전판(106)이 각각의 나사산을 통해 결합하므로, 나사산이 없는 경우와 비교하여, 유전판(106)의 삽입홀(h) 내로 외기가 침입하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 이에 따라, 온도 측정의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 일정 깊이로 형성된 삽입홀(h) 내로 온도 측정부(600)가 삽입되어 온도를 측정하므로, 기판 처리 영역(120)과 인접한 유전판(106)의 하면의 온도를 보다 정확하게 측정할 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 5를 참조하면, 유전판(106)는 제1 길이(h1)의 두께를 가질 수 있다. 나사부(630)는 제2 길이(h2)의 길이를 가질 수 있다. 삽입홀(h)는 제2 길이(h2)의 깊이를 가질 수 있다. 한편, 나사부(630)와 삽입홀(h)의 길이가 서로 동일한 제2 길이(h2)인 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 나사부(630)와 삽입홀(h)의 길이는 서로 다를 수 있다.
제1 및 제2 바디부(620b, 620a)와 헤드부(610)의 전체 길이는 제3 길이(h3)에 해당하는 길이일 수 있다. 따라서, 온도 측정부(600)는 제2 길이(h2)와 제3 길이(h3)가 합쳐진 길이를 가질 수 있다.
제2 길이(h2)는 제1 길이(h1)의 80% 이하의 길이를 가질 수 있다. 즉, 삽입홀(h)의 깊이(h2)는 유전판(106)의 두께(h1)의 80%이하의 길이일 수 있다. 제2 길이(h2)가 제1 길이(h1)의 80% 이하의 길이를 가지는 경우에, 유전판(106)의 크랙 발생 및 깨짐을 방지할 수 있다. 한편, 본 실시예에 있어서, 삽입홀(h)의 깊이는 10 내지 15mm일 수 있다. 나사부(630)에 대해서는, 이후에 보다 상세히 설명한다.
한편, 헤드부(610)은 제3 폭(w3)을 가질 수 있다. 제2 바디부(620a)는 제1 폭(w1)을 가질 수 있다. 제1 바디부(620b)는 제2 폭(w2)를 가질 수 있다.
헤드부(610)는 챔버(100)의 커버(104)과 접촉할 수 있다. 이를 통해, 온도 측정부(600)의 자세가 공정될 수 있으므로, 헤드부(610)의 폭인 제3 폭(w3)은 제1 및 제2 폭(w1, w2) 보다 클 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 제1 폭(w1)이 제2 폭(w2)보다 큰 것으로 도시되었지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 제1 폭(w1)은 제2 폭(w2)보다 크거나 제2 폭(w2)과 동일할 수 있다.
이어서, 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부의 나사부를 보다 상세히 설명한다.
도 6을 참조하면, 온도 측정부(600)의 나사부(630)은 제2 길이(h2)에 해당하는 길이를 가질 수 있다. 나사부(630)은 나사산(TS), 나사골(TR) 및 나사선(TA)를 포함한다. 또한, 나사부(630)는 나사골 폭(w2a)과 나사산 폭(w2b)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 나사선(TA)의 길이는 4.2mm 내지 20mm일 수 있다. 나사선(TA)의 길이가 상술한 범위 내인 경우에, 온도 측정부(600)는 유전판(106)과 안정적인 체결력을 갖춤과 동시에, 정확한 온도를 측정하기 위하여 유전판(106)의 삽입홀(h) 내로 일정 깊이 이상 삽입될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 실시예에 있어서, 온도 측정부(600)의 단면 상에 나타나는 나사산(TS)의 개수는 3 내지 14일 수 있다. 나사산(TS)의 개수가 상술한 범위 내인 경우에, 온도 측정부(600)는 유전판(106)과 적절한 체결력을 갖춤과 동시에, 외기의 유입을 차단하며, 정확한 온도를 측정하기 위하여 유전판(106)의 삽입홀(h) 내로 일정 깊이 이상 삽입될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 본 실시예에 있어서, 나사선(TA)의 길이가 4.2mm 인 경우에, 나사산(TS)의 개수는 3개 일 수 있고, 나사선(TA)의 길이가 20mm인 경우에, 나사산(TS)의 개수는 14개 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도 6에 도시된 나사부(630)은 나사선(TA)의 길이가 10mm이고, 나사산(TS)의 개수가 7개인 경우를 가정하여 도시하였지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 나사부(630)의 나사선(TA)의 길이가 10mm이고 나사산(TS)의 개수가 7개인 경우에, 피치(P)는 1.4mm이고, 나사산 각도(A)는 60°일 수 있다.
한편, 골지름(w2a)은 10 내지 20mm 일 수 있고, 바깥지름(w2b)는 10 내지 20mm 일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 바깥지름(w2b)의 크기는 유전판(106)의 삽입홀(h)의 직경과 대응될 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 나사부(630)는 오른 나사 또는 왼 나사일 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 나사부(630)가 나사산(TS)의 형태가 삼각형인 삼각 나사인 경우로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 나사부(630)는 사각 나사, 사다리꼴 나사, 톱니 나사 또는 둥근 나사일 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 나사부(630)가 1열의 나사선(TA)을 가지는 1열 나사로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 나사부(630)는 다열 나사일 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 온도 측정부 표면을 감싸는 세라믹막을 더 포함하는 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조부호는 동일한 구성을 지칭하며, 이에 따라, 동일한 구성에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 7을 참조하면, 온도 측정부(600)는 온도 측정부(600)의 표면 일부를 감싸는 세라믹막(640)을 더 포함할 수 있다.
세라믹막(640)은 나사부(630)을 제외한, 제1 바디부(620b), 제2 바디부(620a) 및 헤드부(610)의 표면을 감쌀 수 있다.
세라믹막(640)은 유전판(106)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 세라믹막(640)은 유전체 물질로 형성될 수 있다. 세라믹막(640)은 실리콘 산화물 및 알루미늄 산화물을 포함하는 세라믹(ceramic)을 포함할 수 있다.
온도 측정부(600)를 절연막(640)으로 감싸므로, 온도 측정부(600)를 외부 환경으로부터 보호하고, 온도 측정부(600)와 유전판(106)을 구성하는 물질의 차이에 따른 열팽창률의 차이를 최소화시킬 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도 및 사시도이다. 도 8의 (a)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일 영역을 나타내는 단면도이고, 도 8의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 온도 측정부를 설명하기 위한 사시도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 나사부가 온도 측정부와 분리 가능한 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 이에 따라 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 8을 참조하면, 온도 측정부(600)는 제1 바디부(620b)의 측벽 상에 배치되는 나사부(630)을 포함한다. 나사부(630)는 제1 바디부(620b)의 하단 영역으로의 삽입이 가능한 환형의 원통 형상일 수 있다. 따라서, 나사부(630)는 제1 바디부(620b)의 삽입과 제거가 가능하다.
한편, 본 실시에 있어서, 나사부(630)는 유전판(106)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 나사부(630)는 유전체 물질로 형성될 수 있다. 나사부(630)는 실리콘 산화물 및 알루미늄 산화물을 포함하는 세라믹을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 온도 측정부(600)는 탈착이 가능한 나사부(630)를 포함하므로, 온도 측정부(600)가 삽입될 수 있는 유전판(106)의 삽입홀(h)의 깊이에 맞는 길이를 가지는 나사부(630)를 자유롭게 사용할 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도들이다. 도 9의 (a)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부가 포함하는 스프링을 설명하기 위한 단면도이고, 도 9의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 온도 측정부가 포함하는 스프링이 압축된 상태를 설명하기 위한 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 제2 바디부 내에 스프링이 배치되고, 제1 바디부가 제2 바디부 내로 삽입이 가능한 것을 제외하고 실질적으로 동일히다. 따라서, 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 이에 따라 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 9를 참조하면, 온도 측정부(600)는 스프링(S)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 온도 측정부(600)는 제2 바디부(620a) 내부에 스프링 배치 영역(SA)를 포함할 수 있다. 스프링 배치 영역(SA)은 하부에 개방 영역을 가지는 오목한 형상일 수 있다.
스프링 배치 영역(SA) 내에 스프링(S)이 배치될 수 있으면, 스프링(S)의 상부는 스프링 배치 영역(SA)의 상면에 지지될 수 있고, 스프링(S)의 하부는 제1 바디부(620b)의 상면에 지지될 수 있다.
따라서, 헤드부(610)에 압력이 가해지는 경우, 스피링(S)은 압축되며, 제1 바디부(620b)의 상단 영역의 일부는 제2 바디부(620a)의 스프링 배치 영역(SA) 내에 배치될 수 있다.
보다 구체적으로, 온도 측정부(600)의 나사부(630)가 유전판(106)의 삽입홀(h) 내에 삽입된 상태에서 커버(104)가 배치되면, 커버(104)가 헤드부(610)에 압력을 가하여 스프링(S)은 압축된다. 이에 따라, 1 바디부(620b)의 상단 영역의 일부는 제2 바디부(620a)의 스프링 배치 영역(SA)으로 삽입되으므로, 온도 측정부(600)의 길이는 작아질 수 있다. 즉, 본 실시예에 있어서, 제1 바디부(620b)와 제2 바디부(620a)는 서로 분리될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 온도 측정부(600)는 스프링(S)을 포함하므로, 챔버(100)의 커버(104)가 닫히는 경우에, 온도 측정부(600)는 스프링(S)의 탄성력으로 인하여, 안정적인 자세를 유지할 수 있다. 따라서, 기판 처리 공정 중의 충격 및 진동이 있더라도, 온도 측정부(600)는 안정적인 자세를 유지하므로 기판 처리 장치의 온도 측정의 신뢰성이 향상될 수 있다.
이어서, 도 10을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 온도 측정부의 제1 바디부와 제2 바디부가 분리 가능한 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조번호는 동일한 구성 요소를 지칭하므로, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 10을 참조하면, 온도 측정부(600)의 제1 바디부(620b)와 제2 바디부(620a)는 분리될 수 있다. 제2 바디부(620a)의 폭(w1)은 제1 바디부(620b)의 폭(w2)보다 클 수 있다. 이를 통해, 제2 바디부(620a)는 제1 바디부(620b) 상에 안정적으로 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 온도 측정부(600)의 제1 바디부(620b)와 제2 바디부(620a)는 분리될 수 있으므로, 제1 바디부(620b)와 나사부(630)을 유전판(106)에 고정시킨 상태에서, 자유럽게 제2 바디부(620a) 및 헤드부(610)을 제거할 수 있다.
즉, 온도 측정부(600)의 전체 구성을 항시 배치하지 않고, 유전판(106)의 온도 측정이 필요한 경우에만, 제2 바디부(620a)의 결합을 함으로써, 온도 측정을 할 수 있다. 또한, 다수의 챔버 내에는 제1 바디부(620b)와 나사부(630)를 항시 배치시키고, 하나의 제2 바디부(620a)를 번갈아 가면서 제1 바디부(620b)와 결합시켜 유전판(106)의 온도를 측정할 수 있으므로, 보다 경제적이다.
이어서, 도 11을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 온도 측정부가 제2 바디부와 헤드부를 포함하지 않는 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조번호는 동일한 구성 요소를 지칭하므로, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 11을 참조하면, 온도 측정부(600)는 나사부(630)와 제1 바디부(620b)를 포함한다.
본 실시예에 따른 온도 측정부(600)는 다른 실시예들에 따른 온도 측정부(600)와 비교하여, 제2 바디부 및 헤드부를 포함하지 않는 단순한 구성을 가진다.
이어서, 도 12을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 12은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부 영역의 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 도 4 내지 도 6을 통해 설명한 기판 처리 장치와 비교하여, 온도 측정부가 제2 바디부를 포함하지 않는 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조번호는 동일한 구성 요소를 지칭하므로, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 11을 참조하면, 온도 측정부(600)는 나사부(630)와 제1 바디부(620b) 및 헤드부(610)를 포함한다.
본 실시예에 따른 온도 측정부(600)는 다른 실시예들에 따른 온도 측정부(600)와 비교하여, T자형의 단순한 형태를 가진다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 챔버 150: 가열부
160: 냉각부 200: 기판 지지부
300: 공정가스 공급부 400: 플라즈마 발생부
600: 온도 측정부 610: 헤드부
620b: 제1 바디부 620a: 제2 바디부
630: 나사부

Claims (10)

  1. 기판이 위치되는 기판 처리 영역 및 상기 기판 처리 영역의 상부에 배치되는 기판 미처리 영역을 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내에서 상기 기판 처리 영역과 상기 기판 미처리 영역을 구획하고, 상부가 상기 기판 미처리 영역에 노출된 삽입홀을 포함하는 유전판;
    상기 기판 미처리 영역에 배치되고, 상기 기판 처리 영역에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 및
    상기 기판 미처리 영역에 배치되고, 상기 삽입홀에 삽입되어 상기 유전판에 연결되는 나사(screw)부를 포함하고, 상기 나사부의 하면은 상기 삽입홀의 바닥면과 접촉하고, 상기 유전판의 온도를 측정하는 온도 측정부를 포함하고,
    상기 삽입홀과 상기 나사부 각각은 서로 맞물리는 나사선을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 삽입홀의 깊이는 상기 유전판 두께의 80% 이하인 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 삽입홀의 깊이는 10 내지 15mm인 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 나사부가 포함하는 나사선은 4.2 내지 20mm의 길이를 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 나사부는 3 내지 14개의 나사산을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 온도 측정부는,
    상기 나사부에서 연장되는 제1 바디부와 상기 제1 바디부를 감싸는 세라믹막을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 세라믹막은 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 온도 측정부는 제1 바디부를 더 포함하되,
    상기 나사부는 환형의 원통 형상을 가지고 상기 제1 바디부의 측벽 상에 배치되는 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 나사부는 실리콘 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 삭제
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