KR101842123B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키는 플라스마 소스와; 상기 처리 공간 내에서 수행되는 공정의 종점을 검출하는 종점 검출 유닛;을 포함하되, 상기 챔버의 측벽에는 내측면 및 외측면을 관통하는 삽입홀이 형성되고, 상기 종점 검출 유닛은, 상기 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광하는 수광부와; 상기 수광부가 상기 삽입홀에 삽입된 상태에서, 상기 수광부의 상기 삽입홀의 내측단으로부터의 거리를 조절하는 거리 조절 유닛;을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라스마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라스마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다.
플라스마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다.
반도체 공정 등의 박막을 플라스마를 이용하여 식각시키는 공정 시, 종점 검출 장치를 이용하여 원하는 두께로 식각되었음을 감지한다. 일반적으로 종점 검출 방법으로 분광분석이나 질량분석 방법 등이 사용되고 있는데, 장치가 간편하고 감도가 높은 분광분석이 널리 사용되며, 분광분석의 경우, 종점 검출 장치(End Point Detection)내 광 검출기를 이용하여 장치 내에서 플라스마를 이용한 기판 처리시 발생하는 방사광의 강도를 측정한다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로, 종점 검출 장치(1)의 빛을 수광하는 수광부(2)는 챔버(3)의 측벽에 형성된 홀(4)의 내부에 고정되게 제공된다. 수광부(2)에 의해 검출되는 방사광의 강도는 홀(4)의 내측단에 설치된 윈도우(5)와의 거리에 따라 달라진다. 따라서, 검출되는 방사광의 세기를 적절히 조절하기 위해 수광부(2)의 윈도우(5)와의 거리를 조절하는 경우, 수광부(2)를 홀(4)로부터 분리하여, 거리 조작 작업 후, 다시 설치하고, 시험 가동하는 것을 반복한다. 따라서, 수광부(2)의 윈도우(5)로부터의 거리 조절이 용이하지 않고, 수광부(2)의 윈도우(5)로부터의 거리 조절에 많은 시간이 소요된다.
본 발명은 수광부의 윈도우로부터의 거리를 용이하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 수광부의 윈도우로부터의 거리 조절 시간을 단축시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키는 플라스마 소스와; 상기 처리 공간 내에서 수행되는 공정의 종점을 검출하는 종점 검출 유닛;을 포함하되, 상기 챔버의 측벽에는 내측면 및 외측면을 관통하는 삽입홀이 형성되고, 상기 종점 검출 유닛은, 상기 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광하는 수광부와; 상기 수광부가 상기 삽입홀에 삽입된 상태에서, 상기 수광부의 상기 삽입홀의 내측단으로부터의 거리를 조절하는 거리 조절 유닛;을 포함한다.
상기 거리 조절 유닛은; 상기 삽입홀 내에 제공되고, 상기 수광부가 고정되는 몸체와; 상기 몸체를 상기 삽입홀의 길이 방향을 따라 이동시키는 조절 부재;를 포함한다.
상기 조절 부재는, 상기 삽입홀의 외측단에 고정되는 고정부와; 외측면에 나사 형상으로 제공된 제 1 나사면이 형성되고, 길이 방향이 상기 삽입홀의 길이 방향과 평행하게 제공되도록 상기 고정부를 관통하는 나사부를 포함하되, 상기 몸체에는, 상기 몸체를 관통하고, 내측면이 상기 제 1 나사면과 맞물리는 제 2 나사면으로 제공된 나사홀이 형성되고, 상기 나사부는 상기 제 1 나사면이 상기 나사홀의 내부에 위치되도록 상기 고정부에 길이 방향에 대해 고정되게 제공된다.
상기 수광부는 상기 몸체 및 상기 고정부를 관통하여 제공되고, 상기 고정부에 대해 상기 삽입홀의 내외측 방향으로 이동 가능하도록 제공된다.
상기 삽입홀의 상기 내측단에는 윈도우가 제공된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 수광부의 윈도우로부터의 거리를 용이하게 조절할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 수광부의 윈도우로부터의 거리 조절 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 종점 검출 유닛을 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시 예에서는 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 처리 공간 내에서 발광하는 빛을 수광하여 수행되는 공정의 종점을 검출하는 것이 요구되는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
또한 본 발명의 실시 예에서는 지지 유닛으로 정전 척을 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 지지 유닛은 기계적 클램핑에 의해 기판을 지지하거나, 진공에 의해 기판을 지지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400), 배기 유닛(500) 및 종점 검출 유닛(6000)을 포함한다.
챔버(100)는 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 챔버 하우징(110)의 내부에 배치된다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(200)은 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
지지 유닛(200)은 정전 척 및 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
정전 척은 바디 및 절연 플레이트(250)를 가진다. 바디는 내부 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.
내부 유전판(220)은 정전 척의 상단부에 위치한다. 내부 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 내부 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 내부 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 내부 유전판(220)에는 기판(W)의 저면으로 열 전달 가스가 공급되는 통로로 이용되는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 내부 유전판(220) 내에는 전극(223)과 히터(225)가 매설된다.
전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 전극(223)에 인가된 전류에 의해 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 내부 유전판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 내부 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 내부 유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 내부 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다.
지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다. 제1 순환 유로(231)는 열 전달 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 기판(W)과 정전 척(210) 간에 열 교환을 돕는 매개체 역할을 한다. 따라서 기판(W)은 전체적으로 온도가 균일하게 된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 내부 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 정전 척의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 내부 유전판(220)의 둘레를 따라 배치되어 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)은 상부 가장자리 영역이 링 형상으로 돌출되게 제공됨으로써, 플라스마가 기판(W)상으로 집중되도록 유도한다. 포커스 링(240)의 표면은 유전체 재질로 제공된다. 예를 들면, 포커스 링(240)의 표면은 산화이트륨(Y2O3) 재질로 코팅되어 제공될 수 있다. 공정 시간이 증가 될수록 포커스 링(240)의 표면은 식각되어 표면의 유전체 재질로 제공된 층의 두께가 변화된다. 변화된 포커스 링(240)의 표면의 유전체 층의 두께는 공정에 영향을 미친다. 예를 들면, 기판 처리 장치(10)가 플라스마를 이용하여 기판을 식각하는 장치인 경우, 포커스 링(240)의 표면의 유전체 층의 두께가 얇아지면 애칭률이 감소될 수 있다. 따라서, 포커스 링(240)은 표면의 유전체 층의 두께가 일정 두께 이하가 되는 경우, 새로운 포커스 링(240)으로 교체된다.
지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라스마 소스(400)는 처리 공간 내에 공급된 공정가스를 플라스마 상태로 여기시킨다. 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
도 3은 도 2의 종점 검출 유닛(6000)을 보여주는 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 종점 검출 유닛(6000)은 챔버(100) 내의 처리 공간에서 수행되는 공정의 종점을 검출한다. 종점 검출 유닛(6000)은 분광분석 방식으로 공정의 종점을 검출할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 종점 검출 유닛(6000)은 수광부(6100), 거리 조절 유닛(6200), 연산 부재(6300), 알람 부재(6400) 및 디스 플레이 부재(6500)를 포함한다.
수광부(6100)는 챔버(100)의 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광한다. 챔버(100)의 측벽에는 챔버(100)의 내측면 및 외측면을 관통하는 삽입홀(111)이 형성된다. 예를 들면, 삽입홀(111)은 하우징(110)의 측벽 및 라이너(130)의 측벽을 관통하여 형성된다. 수광부(6100)는 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광할 수 있는 위치로 삽입홀(111)에 삽입된다. 삽입홀(111)의 내측단에는 챔버(100)의 처리 공간 내에서 공정시 발생되는 빛이 투과되는 윈도우(112)가 제공된다. 예를 들면, 윈도우(112)는 사파이어(Sapphire) 재질로 제공될 수 있다. 수광부(6100)는 몸체(6210) 및 고정부(6221)를 관통하여 제공된다. 수광부(6100)는 고정부(6221)에 대해 삽입홀(111)의 내외측 방향으로 이동 가능하도록 제공된다. 예를 들면, 고정부(6221)에는 수광부(6100)가 관통되는 수광부 홀(6224)이 형성될 수 있다. 수광부의 외측면 및 수광부 홀의 내측면은 수광부(6100)가 이동될 수 있도록 이격되게 제공될 수 있다. 이 경우, 수광부(6100)의 외측면 및 수광부 홀(6224)의 내측면의 사이를 밀폐 시키는 실링 부재(6110)가 제공될 수 있다.
거리 조절 유닛(6200)은 수광부(6100)가 삽입홀(111)에 삽입된 상태에서, 수광부(6100)의 삽입홀(111)의 내측단으로부터의 거리를 조절한다. 거리 조절 유닛(6200)은 수광부(6100)의 삽입홀(111)의 내측단에 대한 거리를 조절할 수 있는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 거리 조절 유닛(6200)은 몸체(6210) 및 조절 부재(6220)를 포함한다.
몸체(6210)는 삽입홀(111) 내에 제공된다. 몸체(6210)에는 수광부(6100)가 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광할 수 있는 위치로 고정된다. 몸체(6210)에는 몸체(6210)를 관통하는 나사홀(6211)이 형성된다. 나사홀(6211)은 내측면이 이하, 설명될 나사부(6222)의 제 1 나사면과 맞물리는 제 2 나사면으로 제공된다.
조절 부재(6220)는 몸체(6210)를 삽입홀(111)의 길이 방향을 따라 이동시킨다. 일 실시 예에 따르면, 조절 부재(6220)는 고정부(6221) 및 나사부(6222)를 포함한다.
고정부(6221)는 삽입홀(111)의 외측단에 고정된다. 고정부(6221)는 삽입홀(111)을 외부로부터 밀폐시킬 수 있다.
나사부(6222)는 외측면에 나사 형상으로 제공된 제 1 나사면이 형성된다. 나사부(6222)는 길이 방향이 삽입홀(111)의 길이 방향과 평행하게 제공되도록 고정부(6221)를 관통한다. 나사부(6222)는 제 1 나사면의 일부가 나사홀(6211)의 내부에 위치되도록 위치된다. 나사부(6222)는 고정부에 길이 방향에 대해 고정되고, 길이 방향을 축으로 회전 가능하도록 제공된다. 예를 들면, 나사부(6222)의 측면에는 외측으로 돌출되는 고정 돌기(6223)가 제공될 수 있다. 고정 돌기(6223)는 고정부(6221)의 내측면 및 외측면에 각각 대응되도록 제공될 수 있다. 고정 돌기(6223)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 고정 돌기(6223)는 나사부(6222)가 고정부(6221)를 관통한 홀을 밀폐시킬 수 있도록 제공될 수 있다. 나사부(6222)의 삽입홀(111)의 외부에 위치된 끝단에는 손잡이가 제공될 수 있다. 따라서, 나사부(6222)는 챔버(100)의 외부에서 사용자가 나사부(6222)에 힘을 가하여 용이하게 회전시킬 수 있도록 제공된다.
연산 부재(6300)는 수광부(6100)로부터 수광된 빛을 분광분석하여 강도를 판단한다. 알람 부재(6400)는 연산 부재(6300)의해 공정의 종점이 판단된 경우, 알람을 발생시킨다. 디스플레이 부재(640)는 연산 부재(6300)에 의해 판단된 빛의 강도 및 공정 시간 등을 시각적으로 표시한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 장치는 거리 조절 유닛을 제공함으로써, 수광부를 챔버로부터 분리하지 않고, 수광부의 윈도우로부터의 거리를 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 수광부의 윈도우로부터의 거리 조절 시간을 단축시킬 수 있다.
10: 기판 처리 장치 W: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라스마 소스
500: 배기 유닛 6000: 종점 검출 유닛
6100: 수광부 6200: 거리 조절 유닛
6210: 몸체 6220: 조절 부재
6221: 고정부 6222: 나사부

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 공정 가스로부터 플라스마를 발생시키는 플라스마 소스와;
    상기 처리 공간 내에서 수행되는 공정의 종점을 검출하는 종점 검출 유닛;을 포함하되,
    상기 챔버의 측벽에는 내측면 및 외측면을 관통하고 내측단에는 윈도우가 제공되는 삽입홀이 형성되고,
    상기 종점 검출 유닛은,
    상기 처리 공간으로부터 발생되는 광을 수광하는 수광부와;
    상기 수광부가 상기 삽입홀에 삽입된 상태에서, 상기 윈도우와의 거리가 조절되도록 상기 수광부의 상기 삽입홀의 상기 내측단으로부터의 거리를 조절하는 거리 조절 유닛;을 포함하되,
    상기 거리 조절 유닛은;
    상기 삽입홀 내에 제공되고, 상기 수광부가 고정되는 몸체와;
    상기 몸체를 상기 삽입홀의 길이 방향을 따라 이동시키는 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 조절 부재는,
    상기 삽입홀의 외측단에 고정되는 고정부와;
    외측면에 나사 형상으로 제공된 제 1 나사면이 형성되고, 길이 방향이 상기 삽입홀의 길이 방향과 평행하게 제공되도록 상기 고정부를 관통하는 나사부를 포함하되,
    상기 몸체에는, 상기 몸체를 관통하고, 내측면이 상기 제 1 나사면과 맞물리는 제 2 나사면으로 제공된 나사홀이 형성되고,
    상기 나사부는 상기 제 1 나사면이 상기 나사홀의 내부에 위치되도록 상기 고정부에 길이 방향에 대해 고정되게 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 수광부는 상기 몸체 및 상기 고정부를 관통하여 제공되고, 상기 고정부에 대해 상기 삽입홀의 내외측 방향으로 이동 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 윈도우는 사파이어를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
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