KR102449144B1 - Libs를 이용한 마이크로 led 리페어 방법과 이를 이용한 시스템 - Google Patents

Libs를 이용한 마이크로 led 리페어 방법과 이를 이용한 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;(c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및 (e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는, 방법을 제공한다.

Description

LIBS를 이용한 마이크로 LED 리페어 방법과 이를 이용한 시스템{Micro LED repair method using Laser Induced Breakdown Spectroscopy and system using the same}
본 발명은 LIBS를 이용한 마이크로 LED 리페어 시스템에 관한 것이다.
LED 기판은 다수의 픽셀형 LED를 기판에 전사하고 접합하는 과정을 통해 제조된다. 이 때, 다수의 픽셀형 LED를 기판에 전사하고 접합하는 과정에서 불량 픽셀이 발생할 수 있다.
종래에는, 발생된 불량 픽셀을 확인하여, 불량 픽셀에 레이저를 이용하여 식각하고 분리한 후, 불량 픽셀이 발생된 위치에 새로운 픽셀을 다시 접합하는 과정을 거쳐 LED 기판을 제조하였다. 다만, 불량 픽셀에 레이저를 이용하여 식각하는 과정에서 레이저의 식각 정도를 정확히 확인할 수 있는 방법이 제한적이며, 불량 픽셀에 레이저를 식각하는 과정에서 불량 픽셀과 접합된 기판이 손상되는 문제점이 발생하였다.
예를 들어, 한국등록특허공보 제10-1051072호는 실시간 투과율 측정 시스템에 관한 것으로, 포토마스크의 레이저 리페어 시스템을 이용한 리페어 공정 중에 실시간으로 투과율을 측정할 수 있는 장비를 제공하여 리페어의 신뢰성 및 재현성을 향상시키나, 레이저의 식각 정도를 정밀하게 측정하는 것에 대한 인식은 없으며, 기판의 손상 없이 불량 픽셀을 제거하는 것에 대한 인식은 없다.
또한, 예를 들어, 한국등록특허공보 제10-1890934호는 픽셀형 LED 공정에 관한 것으로, 마이크로 LED의 전사 및 본딩 과정에서 불량 픽셀이 발생하는 경우, 불량 픽셀이 발생한 부분을 열이나 레이저를 이용하여 선택적으로 제거하나, 레이저의 식각 정도를 정밀하게 측정하는 것에 대한 인식은 없으며, 기판의 손상 없이 불량 픽셀을 제거하는 것에 대한 인식은 없다.
(특허문헌 1) 한국등록특허공보 제10-1051072호
(특허문헌 2) 한국등록특허공보 제10-1890934호
(특허문헌 3) 미국등록특허공보 제9583401호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것이다.
구체적으로, 본 발명은 불량 픽셀을 식각 시, LIBS를 이용하여 정확하고 기판의 손상 없이 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리하기 위함이다.
또한, 본 발명은 제어부가 불량 픽셀을 식각하는 과정을 학습하여, 불량 픽셀을 식각하는 과정을 자동화하기 위함이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예는, (a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;(c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및 (e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는, 방법을 제공한다.
일 실시예는, 상기 (d)단계는, (d1) 상기 제어부(200)는 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하면, 상기 식각부(300)가 상기 (b)단계에서 판단된 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 (e)단계 이후, (f) 상기 제어부(200)는 상기 (c)단계의 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 상기 제어부(200)는 상기 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기 및 상기 식각부(300)의 위치를 학습하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.
일 실시예는, 상기 (e)단계 이후, (g) 상기 (e)단계에서 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 LED 픽셀(P)이 전사되는 단계; 및 (h) 상기 제어부(200)는 상기 (g)단계에서 전사된 새로운 LED 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하는 단계; 를 포함할 수 있다.
일 실시예는, 상기 (d1)단계는, 상기 제어부(200)는 상기 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak를 가시하면, 상기 금속 물질(M2)이 검출되는 것으로 판단하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예는, 상기 (d)단계는, 상기 제어부(200)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되도록 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하도록 제어하는 단계; 를 더 포함할 수 있다.
일 실시예는, 상기 (c)단계는, 상기 분광분석부(400)가 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 실시간으로 분석하는 단계; 를 포함할 수 있다.
일 실시예는, 상기 (b)단계는, 상기 제어부(200)가 상기 (a)단계에서 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 방법으로 판단하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예는, 상기 방법이 적용되는 리페어 시스템을 제공한다.
본 발명에 따라, 다음과 같은 효과가 달성된다.
본 발명은 불량 픽셀을 식각 시, LIBS를 이용하여 효율적으로 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리할 수 있다.
또한, 본 발명은 불량 픽셀을 식각할 때 실시간으로 모니터링할 수 있는 바, 기판의 손상 없이 불량 픽셀과 기판과의 접합을 분리할 수 있다.
또한, 본 발명은 제어부가 불량 픽셀을 식각하는 과정을 학습하여, 불량 픽셀을 식각하는 과정이 자동화될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2은 본 발명에 따른 기판과 픽셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5 및 6은 본 발명에 따라 분광분석부에서 금속물질이 발견되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 방법이 적용되는 시스템을 설명하기 위한 사진이다.
몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, "접합"이란, LED 가공공정에서 수행되는 본딩(bonding)을 의미하며, 본 발명에서 기판(100)과 LED 픽셀(P)이 접합된다는 것은 기판(100)과 LED 기판(P)이 전기적으로 결합되는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 방법은 기판(100), 제어부(200), 식각부(300), 분광분석부(400) 및 흡착부(500)를 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 방법을 수행하는 구성요소를 간략히 설명한다.
기판(100)은 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되어, 접합되는 판이다.
이 때, 기판(100)에는 LED 픽셀(P)이 다수 개 전사될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(100)에 전사되는 LED 픽셀(P)은 이후 불량 픽셀(P’)인지 여부를 판단하는 과정을 거쳐, LED 모듈이 생성될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
이 때, 기판(100)에 전사되는 LED 픽셀(P)의 개수 및 형상은 도시된 바에 제한되는 것은 아니다.
기판(100)은 상면으로 소자(110)가 위치되어, LED 픽셀(P)에 위치되는 소자와 전기적으로 연결될 수 있고, LED 픽셀(P)은 소자(110)의 극과 위치가 고려하여 전사되어, 접합될 수 있다.
제어부(200)는 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단할 수 있다.
이 때, 기설정된 방법은 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence)일 수 있으나, 불량 픽셀(P’)을 판단하는 방법은 이에 제한되는 것은 아니다.
이 때, 제어부(200)는 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence)을 수행할 수 있는 장치를 포함할 수 있고, 본 발명에 따른 식각부(300), 분광분석부(400) 및 흡착부(500)를 제어할 수 있다.
또한, 제어부(200)는 분광분석부(400)에서 송부되는 이미지에서 분석되는 물질에 따라 식각부(300)의 레이저의 조사 세기 및 위치를 제어할 수 있다.
식각부(300)는 레이저를 조사할 수 있는 장치로, 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 제어될 수 있다.
또한, 식각부(300)의 레이저의 조사 세기 및 위치는 제어부(200)에 의해 제어될 수 있다. 이에 대하여 자세한 설명은 후술한다.
이 때, 식각부(300)는 레이저를 조사하는 레이저 광원(310)과 조사된 레이저를 반사하여 불량 픽셀(P’)로 조준하는 레이저 반사판(320)을 포함할 수 있다.
이 때, 식각부(300)는 도시된 형상, 크기 및 개수에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 식각부(300)는 두 개 이상으로 위치되어 각각의 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사할 수도 있다.
식각부(300)에서 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하면 불량 픽셀(P’)이 식각되고, 불량 픽셀(P’)로 레이저를 조사하여 발생되는 플라즈마를 후술하는 분광분석부(400)에서 분석한다.
분광분석부(400)는 식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하여 발생되는 플라즈마가 입사되면, 플라즈마를 분석하여 해당 플라즈마가 포함하고 있는 물질을 분석한다.
이 때, 분광분석부(400)는 도시된 형상에 제한되는 것은 아니다.
흡착부(500)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 끊어지면, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하기 위하여 사용된다.
흡착부(500)는 기판(100)의 손상 없이 불량 픽셀(P’)을 제거할 수 있다.
이 때, 흡착부(500)는 진공 흡착기일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
이 때, 흡착부(500)는 도시된 형상과 크기에 제한되는 것은 아니다.
도 3 내지 도 6을 참조하여, 본 발명에 따른 방법을 설명한다.
기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 기판(100)과 하나 이상의LED 픽셀(P)이 각각 접합된다.
이 때, LED 픽셀(P)이 기판(100)과 접합되면, 기판(100)과 전기적으로 연결됨을 의미한다.
접합된 LED의 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단될 수 있다.
이 때, 제어부(200)가 접합된 LED의 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)을 기설정된 방법으로 판단될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
이 때, 접합된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 판단하는 방법으로, PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 중 어느 하나의 방법으로 불량 픽셀(P’)인지 여부가 판단될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제어부(200)는 식각부(300)가 판단된 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 제어한다. 즉, 제어부(200)는 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하기 위해, 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 전기적인 연결인 접합을 분리한다.
식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하면, 불량 픽셀(P’)에서 물질이 방출된다.
분광분석부(400)는 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대한 분석을 수행하고, 분광분석부(400)는 물질을 분석한 이미지를 제어부(200)로 전송한다.
이 때, 분광분석부(400)은 실시간으로 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 분석할 수 있다.
이 때, 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질은 초기에는 LED 물질(M1)이 방출되며, 이후 레이저를 계속하여 조사하면 금속 물질(M2)이 방출된다.
제어부(200)는 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 분석되면 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합을 분리하도록 식각부(300)를 제어한다.
제어부(200)는 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak을 가시하면, 식각부(300)가 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어한다.
이 때, 이미지가 GaAs peak을 가시한다는 것은, 플라즈마가 금속 물질(M2)을 함유하고 있다는 것이고, 이 때의 금속 물질(M2)은 불량 픽셀(P’) 또는 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합 부분 중 어느 부위에서 노출된 물질일 수 있다. 불량 픽셀(P’) 또는 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합 부분에서 금속 물질(M2)이 검출되는 경우에는, 불량 픽셀(P’)과 기판(100) 사이의 접합이 끊긴 것을 의미한다.
이에 따라, 본 발명에서는 제어부(200)와 분광분석부(400)를 이용하여, GaAs peak을 가시되면 레이저의 조사를 중단할 수 있는 바, 레이저가 과도하게 조사되는 것을 방지할 수 있어 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 분광분석부(400)에서 금속 물질(M2)이 검출되는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 LED 픽셀(P)에 레이저를 조사함에 따른 광학 이미지를 도시한다. 이 때, 조사된 레이저는 파장 343nm로 수행되었다.
도 5(a)는 LED 픽셀(P)에 레이저를 조사하기 전의 광학 이미지를 도시하고, 도 5(b)는 레이저를 1회 조사한 후의 광학 이미지, 도 5(c)는 레이저를 2회 조사한 후의 광학 이미지를 도시한다.
도 6은 LED 픽셀(P)에 레이저를 1회 내지 8회 조사했을 때, 분광분석부(400)에서 레이저 조사에 따른 물질을 분석한 그래프를 도시한다.
도 6(b)는 도 6(a)의 plot 박스 부위를 확대한 그래프로, 1회 및 2회 레이저를 조사할 때에는 GaAs peak이 보이지 않으나, 3회부터는 GaAs peak이 보인다. 이에 따라, 레이저를 3회 조사할 경우, 메탈 패턴을 뚫고 GaAs 층까지 식각되는 것을 알 수 있다.
제어부(200)는 식각부(300)가 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어한다.
분광분석부(400)로부터 다른 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대한 이미지를 전송받아, 이미지가 GaAs peak를 가시하는지 여부를 기준으로 레이저 조사 중단 여부를 결정한다.
흡착부(500)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리한다.
즉, 본 발명은 기판(100)과 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리된 후, 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하는 바, 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다.
이 때, 제어부(200)는 기판(100)과 불량 픽셀(P’)이 접합이 분리되면, 흡착부(500)가 불량 픽셀(P’)을 기판(100)으로부터 분리하도록 제어할 수 있다.
이후, 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 픽셀(P)이 전사된다.
제어부(200)는 전사된 새로운 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하고, 상기의 과정을 반복하여 수행하여 새로운 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인 경우 새로운 픽셀(P)을 기판(100)으로부터 다시 분리할 수 있다.
또한, 제어부(200)는 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 제어부(200)는 조사되는 레이저의 세기와 분광분석부(400)에서 전송된 이미지를 학습한다.
이 때, 제어부(200)는 조사되는 레이저의 파라미터를 더 학습할 수 있고, 레이저의 파라미터는 펄스폭(Pulse width), 레이저 파장(Laser wavelength), 레이저 에너지(Laser energy), 파장 윈도우(Wavelength window), ICCD grating, 게이트 딜레이(Gate delay) 및 게이트 폭(Gate width)을 포함한다.
이에 따라, 본 발명에서는 제어부(200)가 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 식각부(300)의 파라미터 및 위치를 학습할 수 있음에 따라, 제어부(200)는 이후 기판(100)이 불량 픽셀(P’)을 포함하면, 미리 학습된 이미지와 이 때의 식각부(300)의 파라미터 및 위치로, 어느 시점까지 식각부(300)에서 레이저를 조사해야 되는지 최적으로 판단할 수 있다. 이에 따라, 기판(100)의 손상 없이 효율적으로 불량 픽셀(P’)과 기판(100)과의 접합을 분리할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템을 예시적으로 설명하기 위한 도면으로, 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템의 사진을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 7(b)의 박스 부위를 확대한 도면이다.
도 7(a) 및 도 7(b)를 참조하면, 본 발명에 따른 방법이 수행되는 시스템은, 기판(100), 제어부(200), 식각부(300), 분광분석부(400), 흡착부(500)를 포함하며, 도 7에서 식각부(300)는 레이저 광원(310)과 레이저 반사부(320)가 도시되며, 도 7에서는 시료(S)에 레이저를 조사하는 것으로 도시된다.
이 때, 시료(S)는 기판(100)과 기판(100) 위에 위치된 픽셀(P)을 포함할 수 있다.
이상, 본 명세서에는 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당업자라면 본 발명의 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
100: 기판
110: 소자
200: 제어부
300: 식각부
310: 레이저 광원
320: 레이저 반사판
400: 분광분석부
500: 흡착부
M1: LED 물질
M2: 금속 물질
P: LED 픽셀
S: 샘플

Claims (8)

  1. (a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;
    (b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계;
    (c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;
    (d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및
    (e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하고,
    상기 식각부(300)에서 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하면 LED물질(M1)이 방출되고 이후 금속물질(M2)이 방출되는 것이고, 상기 (d)단계에서, 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리된 것으로 판단하는 것인,
    방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (d)단계는,
    (d1) 상기 제어부(200)는 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하면, 상기 식각부(300)가 상기 (b)단계에서 판단된 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하고,
    상기 (e)단계 이후,
    (f) 상기 제어부(200)는 상기 (c)단계의 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 상기 제어부(200)는 상기 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기 및 상기 식각부(300)의 위치를 학습하는 단계; 를 더 포함하는,
    방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (e)단계 이후,
    (g) 상기 (e)단계에서 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 LED 픽셀(P)이 전사되는 단계; 및
    (h) 상기 제어부(200)는 상기 (g)단계에서 전사된 새로운 LED 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하는 단계; 를 포함하는,
    방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 (d1)단계는,
    상기 제어부(200)는 상기 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak를 가시하면, 상기 금속 물질(M2)이 검출되는 것으로 판단하는 단계;를 더 포함하는,
    방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (d)단계는,
    상기 제어부(200)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되도록 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하는,
    방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    상기 분광분석부(400)가 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 실시간으로 분석하는 단계; 를 포함하는,
    방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는,
    상기 제어부(200)가 상기 (a)단계에서 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 방법으로 판단하는 단계;를 포함하는 ,
    방법.
  8. 제1항에 따른 방법이 적용되는 리페어 시스템.
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