KR102443220B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102443220B1
KR102443220B1 KR1020150071872A KR20150071872A KR102443220B1 KR 102443220 B1 KR102443220 B1 KR 102443220B1 KR 1020150071872 A KR1020150071872 A KR 1020150071872A KR 20150071872 A KR20150071872 A KR 20150071872A KR 102443220 B1 KR102443220 B1 KR 102443220B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
optical member
unit
blade
control unit
Prior art date
Application number
KR1020150071872A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160137836A (ko
Inventor
백동석
신진
김성만
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150071872A priority Critical patent/KR102443220B1/ko
Priority to US15/094,072 priority patent/US10217653B2/en
Publication of KR20160137836A publication Critical patent/KR20160137836A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102443220B1 publication Critical patent/KR102443220B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G01N2201/022—Casings
    • G01N2201/0224—Pivoting casing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/063—Illuminating optical parts
    • G01N2201/0636—Reflectors

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 로딩되는 지지부, 상기 기판으로 광을 입사시켜 이미지 정보를 획득하고, 상기 이미지 정보로부터 상기 기판의 이상 여부를 감지하는 광 측정부, 상기 지지부 및 상기 광 측정부를 제어하고, 상기 광 측정부로부터 전송받은 상기 이미지 정보를 처리하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는, 상기 이미지 정보로부터 이상 신호가 검출되면 상기 기판에 진행되는 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시키는 인터락 제어부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 측정에 의해 인터락 발생이 가능한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 공정에 있어서, 특히 TSV(through Silicon Via), HBM(High Bandwidth Memory), WSS(Wafer Support System) 공정 및 일반 패키징 공정 상에 백 랩(Back-Lap) 또는 백 그라인딩(Back grinding) 공정 등을 이용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 기판의 두께를 얇게 가공하기 위해, 기판을 지지할 수 있는 캐리어와 결합시키는 것이 일반적이다. 백 그라인딩 공정은 통상 웨이퍼의 뒷면, 즉 패턴이 형성되지 않은 후면을 레이저, 화학적 및/또는 기계적 연마하는 방법에 의해 일정 부분을 깎아내는 공정을 의미한다. 백 그라인딩 공정 후에는 봉지 및 소잉(sawing) 공정 등의 후속 공정이 진행되어, 반도체 패키지가 완성될 수 있다. 이 때, 웨이퍼가 크랙(crack) 등의 하자를 갖는 경우, 공정이 계속 진행되면 웨이퍼에 가해지는 압력으로 웨이퍼가 깨질 수 있다. 따라서, 많은 비용과 시간이 소요되는 후속 공정들을 진행하기 전에, 크랙과 같은 하자를 갖는 웨이퍼를 선별하여 분리할 필요가 있다.
본 발명은 기판의 치핑(chipping) 또는 파티클 등의 이상 여부를 측정 및 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판으로 진입되는 블레이드부의 상태를 측정 및 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 이상 신호가 감지되었을 때, 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 로딩되는 지지부, 상기 기판으로 광을 입사시켜 이미지 정보를 획득하고, 상기 이미지 정보로부터 상기 기판의 이상 여부를 감지하는 광 측정부, 상기 지지부 및 상기 광 측정부를 제어하고, 상기 광 측정부로부터 전송받은 상기 이미지 정보를 처리하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는, 상기 이미지 정보로부터 이상 신호가 검출되면 상기 기판에 진행되는 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시키는 인터락 제어부를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 상기 기판으로 상기 광을 입사시키는 광학 부재, 상기 광학 부재로부터 이격되고, 상기 광학 부재로부터 입사된 상기 광을 반사시켜 상기 광의 입사 범위를 제어하는 반사 부재를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 광 측정부로부터 상기 이미지 정보를 전송받아 상기 이미지 정보를 모니터링하고, 상기 이상 신호가 검출되면 상기 인터락 제어부로 상기 이상 신호를 전송하는 영상 제어부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 상기 광학 부재를 이동시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광학 부재는 복수 개 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재를 포함하되, 상기 제 1 광학 부재는 상기 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나의 상기 이상 여부를 감지하고, 상기 제 2 광학 부재는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역 중 다른 하나의 상기 이상 여부를 감지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 상기 제 1 광학 부재에 대향되는 제 1 미러 및 상기 제 2 광학 부재에 대향되는 제 2 미러를 포함하되, 상기 제 1 미러는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역 중 어느 하나의 상에 제공되고, 상기 제 2 미러는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역 중 다른 하나의 상에 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는 상기 광 측정부로 상기 기판의 이상 여부를 감지할 때, 상기 지지부를 회전시켜 상기 기판을 회전시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는, 상기 지지부의 측부에 제공되어, 상기 지지부 상의 상기 기판이 포함하는 막을 제거하기 위한 블레이드부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 지지부, 상기 광 측정부, 그리고 상기 블레이드부를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 위에서 바라볼 때, 상기 블레이드부의 상에 제공된 제 3 광학 부재를 더 포함하고, 상기 제 3 광학 부재는 상기 블레이드부의 마모 여부를 감지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 위에서 바라볼 때, 상기 블레이드부와 이격된 제 4 광학 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 광학 부재는 상기 블레이드부가 상기 기판의 상기 막으로 인접할 때, 상기 블레이드부의 진입 위치 정보를 감지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제 3 광학 부재 및 상기 제 4 광학 부재 중 어느 하나가 감지한 정보를 기초로 상기 블레이드부의 동작을 중단시키는 인터락을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 이상 신호는 상기 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 이물질 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 이상 신호가 검출되면 알람을 발생시킬 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 로딩되는 지지부, 상기 기판에 대해 처리 공정을 진행하는 블레이드부, 상기 기판으로 광을 입사시켜, 상기 기판의 이상 여부 또는 상기 블레이드부의 위치 정보 중 적어도 하나를 감지하는 광 측정부, 상기 지지부, 상기 블레이드부, 그리고 상기 광 측정부를 제어하고, 상기 광 측정부로부터 상기 이상 여부 또는 상기 위치 정보 중 적어도 하나의 이미지 정보를 전송받아 상기 이미지 정보를 처리하는 제어부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 기판의 이상 신호 또는 상기 블레이드부의 이상 위치 정보 중 적어도 하나가 검출되면 상기 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어부는, 상기 이상 신호가 검출되면 알람을 발생시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 공정은 상기 기판이 포함하는 막을 제거하는 공정이고, 상기 광 측정부는 상기 블레이드가 상기 막을 제거하기 위해 상기 막에 근접할 때의 상기 위치 정보를 측정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광 측정부는, 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재를 포함하되, 상기 제 1 광학 부재는 상기 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나의 상기 이상 여부를 감지하고, 상기 제 2 광학 부재는 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역 중 다른 하나의 상기 이상 여부를 감지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 이상 신호는 상기 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 이물질 등을 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 본 발명은 기판의 치핑 또는 파티클 등의 이상 여부 및/또는 기판으로 진입하는 블레이드부의 상태를 광 측정하여 실시간 모니터링할 수 있고, 기판의 이상 신호 또는 블레이드부의 이상 신호가 감지되면 인터락을 발생시켜, 효율적인 장비 관리가 가능하고 웨이퍼 로스(loss)를 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 광 측정부의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 기판을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1 및 도 2의 제어부의 블록도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 기판 처리 장치가 기판으로부터 이미지 정보를 획득하는 것을 보여주는 도면들이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치가 인터락을 발생하는 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 장치를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10의 기판 처리 장치를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 도 12의 기판 처리 장치를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 14는 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 15는 도 14의 기판 처리 장치를 상에서 바라본 도면이다.
도 16은 도 14의 제어부의 블록도이다.
도 17 및 도 20는 도 14의 기판 처리 장치를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면들이고, 도 18 및 도 19는 각각 도 14의 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재가 광 측정한 모습을 보여주는 도면들이다.
도 21은 도 14의 제어부가 인터락을 발생시키는 것을 보여주는 플로우차트이다.
도 22는 제 6 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 23은 도 22의 기판 처리 장치가 광 측정하는 것을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 24는 도 20의 제어부가 인터락을 발생시키는 것을 보여주는 플로우차트이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 광 측정부(140)의 단면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 기판(10)을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 지지부(120), 광 측정부(140), 그리고 제어부(180)를 포함할 수 있다. 기판(10)은 지지부(120) 상에 로딩될 수 있다. 기판(10)은 반도체 기판일 수 있다. 일 예로, 도 3을 참조하면, 기판(10)은 디바이스 웨이퍼(20), 캐리어 웨이퍼(40), 그리고 접착막(60)을 포함할 수 있다. 디바이스 웨이퍼(20)는 집적회로(미도시)가 형성되는 상면(20a)과 그 반대면인 하면(20b)을 포함할 수 있다. 집적회로(미도시)는 메모리 회로, 로직 회로, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 디바이스 웨이퍼(20)는 복수 개의 관통전극들(22) 및 디바이스 웨이퍼(20)의 상면(20a)에 관통전극들(22)과 전기적으로 연결된 복수 개의 범프들(24)을 포함할 수 있다. 디바이스 웨이퍼(20)는 얇은 두께를 가질 수 있다. 일 예로, 디바이스 웨이퍼(20)의 두께는 약 50μm 내지 200 μm일 수 있다. 캐리어 웨이퍼(40)는 디바이스 웨이퍼(20)를 지지할 수 있다. 캐리어 웨이퍼(40)는 디바이스 웨이퍼(20)와 동일한 크기 및 형상을 가질 수 있다. 그러나, 캐리어 웨이퍼(40)의 크기 및 형상은 이에 제한되지 않는다. 캐리어 웨이퍼(40)는 수정(quartz) 기판, 유리 기판, 반도체 기판, 세라믹 기판, 또는 금속 기판을 포함할 수 있다. 디바이스 웨이퍼(20)가 기계적 강도를 갖는 캐리어 웨이퍼(40)에 부착되어, 디바이스 웨이퍼(20)를 핸들링하기 용이할 수 있다. 접착막(60)은 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)에 결합시킬 수 있다. 접착막(60)은 실리콘 또는 이를 포함하는 열경화성 수지(resin)를 포함하는 물질일 수 있다. 이와 달리, 접착막(60)은 다양한 조성을 갖는 물질일 수 있다.
지지부(120)는 지지 플레이트(122) 및 지지축(124)을 포함할 수 있다. 기판(10)은 지지 플레이트(122)의 상면에 로딩될 수 있다. 예를 들면, 지지 플레이트(122)는 진공으로 기판(10)을 지지할 수 있다. 선택적으로, 지지 플레이트(122)는 정전기력으로 기판(10)을 지지할 수 있다. 지지축(124)은 지지 플레이트(122)를 지지 및 회전시킬 수 있다. 일 예로, 지지축(124)은 구동부(미도시)로부터 회전력을 전달받아, 지지 플레이트(122)를 회전시킬 수 있다. 구동부(미도시)는 모터일 수 있다.
광 측정부(140)는 지지부(120)의 일측에 배치될 수 있다. 광 측정부(140)는 하우징(142), 축(144), 그리고 구동부(146)를 포함할 수 있다. 하우징(142)은 광학 부재(152) 및 반사 부재(154)를 포함할 수 있다. 광 측정부(140)는 기판(10)으로 광을 입사시켜 이미지 정보를 획득하고, 획득한 이미지 정보로부터 기판(10)의 이상 여부를 감지할 수 있다. 광학 부재(152)는 기판(10)으로 광을 입사시켜, 이미지 정보를 획득할 수 있다. 일 예로, 광학 부재(152)는 카메라일 수 있다. 반사 부재(154)는 광학 부재(152)와 이격되어 제공될 수 있다. 일 예로, 광학 부재(152) 및 반사 부재(154)는 하우징(142)의 일단과 타단에 배치될 수 있다. 반사 부재(154)는 광학 부재(152)로부터 입사된 광을 반사시켜, 광 측정 범위를 제어할 수 있다. 반사 부재(154)는 미러(Mirror)일 수 있다. 축(144)은 광학 부재(152)를 지지할 수 있다. 일 예로, 축(144)은 광학 부재(152)의 높이를 제어할 수 있다. 구동부(146)는 광학 부재(152)를 이동시킬 수 있다. 구동부(146)는 광학 부재(152)를 x축, x축과 수직하는 y축, x축 및 y축과 수직한 z축의 방향으로 전 방향 이동시킬 수 있다. 또한, 구동부(146)는 광학 부재(152)의 각도(θ)를 조절할 수 있다. 다른 예로, 광학 부재(152)는 하우징(142) 내 위치하지 않고, 구동부(146) 및 축(144)이 광학 부재(152)에 직접 결합될 수 있다. 이하, 광학 부재(152) 및 반사 부재(154)는 하우징(142)과 독립적인 구성인 것으로 설명한다.
도 4는 도 1 및 도 2의 제어부(180)의 블록도이다. 제어부(180)는 지지부(120) 및 광 측정부(140)를 제어할 수 있다. 제어부(180)는 광 측정부(140)로부터 전송받은 이미지 정보를 처리할 수 있다. 도 4를 참조하면, 제어부(180)는 영상 제어부(182) 및 인터락 제어부(184)를 포함할 수 있다. 영상 제어부(182)는 광 측정부(140)로부터 전송된 이미지 정보를 디스플레이에 표시할 수 있다. 일 예로, 영상 제어부(182)는 PC(Personal computer)일 수 있다. 영상 제어부(182)가 이미지 정보를 표시함으로써, 작업자는 이미지 정보를 실시간 모니터링할 수 있다. 영상 제어부(182)는 이미지 정보로부터 이상 신호가 검출되면, 이상 신호 발생 여부를 인터락 제어부(184)로 전송할 수 있다. 인터락 제어부(184)는 이상 신호가 검출되면, 기판(10)에 진행되는 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시킬 수 있다. 또한, 제어부(180)는 이상 신호가 발생되면, 알람(Alarm)을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 이상 신호는 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 깨짐(broken), 이물질 등을 포함할 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1 및 도 2의 기판 처리 장치(100)가 기판(10)에 대해 광 측정을 수행하는 것을 보여주는 도면들이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(10)은 중앙 영역(CA) 및 가장자리 영역(EA)을 포함할 수 있다. 광학 부재(152)가 가장자리 영역(EA)의 이상 여부를 감지할 때, 반사 부재(154)가 가장자리 영역(EA)의 상(over)에 배치되도록 제어부(180)는 광 측정부(140)의 위치를 제어할 수 있다. 이 때, 제어부(180)는 지지부(120)를 제어하여, 기판(10)을 회전시킬 수 있다. 또한, 제어부(180)는 광학 부재(152) 및 반사 부재(154)가 중앙 영역(CA)의 이상 여부를 감지하도록 제어할 수 있다. 일 예로, 제어부(180)는 구동부(146)를 제어하여, 반사 부재(154)가 중앙 영역(CA)의 상 (over)에 배치되도록 이동시킬 수 있다. 이 때, 광학 부재(152) 및 반사 부재(154)가 기판(10)의 반지름선 상에서 이동되도록, 제어부(180)는 구동부(146)를 제어할 수 있다. 제어부(180)는 지지부(120)를 제어하여, 기판(10)을 회전시킬 수 있다. 따라서, 기판(10)의 전 영역에 대해 이상 여부를 검출할 수 있다.
도 7은 도 1 및 도 2의 기판 처리 장치(100)가 인터락을 발생하는 과정을 보여주는 플로우차트이다. 처음에, 지지부(120)에 기판(10)이 로딩될 수 있다(S110). 기판(10)은 패키지 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판(10)은 유리 기판일 수 있다. 그 후, 기판(10)에 대해 공정이 진행되고, 광 측정부(140)는 기판(10)을 모니터링할 수 있다(S120). 제어부(180)는 광 측정부(140)로부터 전송받은 이미지 정보를 통해, 기판(10)에 대해 이상 신호 여부를 감지할 수 있다(S130). 이상 신호가 감지되면, 제어부(180)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다(S140, S150). 이 때, 제어부(180)는 알람(Alarm)을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 이상 신호는 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 깨짐(broken), 이물질 등을 포함할 수 있다. 이상 신호가 감지되지 않으면, 기판(10)에 대한 공정은 계속 진행될 수 있다. 공정은, 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9는 도 8의 기판 처리 장치(200)를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(200)는 지지부(220), 광 측정부(240), 그리고 제어부(280)를 포함할 수 있다. 도 8의 기판 처리 장치(200)의 지지부(220) 및 제어부(280) 각각은, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 지지부(120) 및 제어부(180)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 이하, 상술한 설명과 중복되는 내용의 설명은 생략한다. 다만, 도 8의 기판 처리 장치(200)는 복수 개의 광학 부재들(252a,252b) 및 복수 개의 반사 부재들(254a,254b)을 포함할 수 있다. 일 예로, 광학 부재들(252a,252b)은 제 1 광학 부재(252a) 및 제 2 광학 부재(252b)를 포함하고, 반사 부재들(254a,254b)은 제 1 미러(254a) 및 제 2 미러(254b)를 포함할 수 있다. 2개의 광학 부재들(252a,252b) 및 반사 부재들(254a,254b)은 기판(10) 상(over)에서, 서로 대향되게 배치될 수 있다. 도 9를 참조하면, 기판(10)의 이상 여부를 광 측정할 때, 제 1 광학 부재(252a) 및 제 1 미러(254a)는 중앙 영역(CA)의 이상 여부를 감지하고, 제 2 광학 부재(252b) 및 제 2 미러(254b)는 가장자리 영역(EA)의 이상 여부를 감지할 수 있다. 이 때, 제 1 미러(254a)는 기판(10)의 중앙 영역(CA)의 상(over)에 배치될 수 있고, 제 2 미러(254b)는 가장자리 영역(EA)의 상(over)에 배치될 수 있다. 이 때, 제어부(280)는 지지부(220)를 회전시켜, 기판(10)을 회전시킬 수 있다. 이로 인해, 기판(10)이 1회전할 동안, 기판(10)의 전 영역에 대한 이상 여부 감지가 가능할 수 있다. 제어부(280)는 광 측정부(240)로부터 전송받은 이미지 정보를 통해, 기판(10)에 대해 이상 신호 여부를 감지할 수 있다. 이상 신호가 감지되면, 제어부(280)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다. 이 때, 제어부(280)는 알람(Alarm)을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 이상 신호는 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 깨짐(broken), 이물질 등을 포함할 수 있다. 이상 신호가 감지되지 않으면, 기판(10)에 대한 공정은 계속 진행될 수 있다. 공정은, 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다.
도 10은 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11은 도 10의 기판 처리 장치(300)를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 10 및 도 11를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 지지부(320), 광 측정부(340), 그리고 제어부(380)를 포함할 수 있다. 도 10의 기판 처리 장치(300)의 지지부(320) 및 제어부(380) 각각은, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 지지부(120) 및 제어부(180)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 이하, 상술한 설명과 중복되는 내용의 설명은 생략한다. 다만, 도 10의 기판 처리 장치(300)는 복수 개의 광학 부재들(352a,352b)을 포함하고, 반사 부재를 포함하지 않을 수 있다. 일 예로, 광학 부재들(352a,352b)은 제 1 광학 부재(352a) 및 제 2 광학 부재(352b)를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 반사 부재를 포함하지 않으므로, 복수 개의 광학 부재들(352a,352b)이 기판(10) 상으로 직접 광을 입사시킬 수 있다. 도 11을 참조하면, 기판(10)의 이상 여부를 광 측정할 때, 제 1 광학 부재(352a)는 중앙 영역(CA)의 이상 여부를 감지하고, 제 2 광학 부재(352b)는 가장자리 영역(EA)의 이상 여부를 감지할 수 있다. 이 때, 제 1 광학 부재(352a)는 기판(10)의 중앙 영역(CA)의 상(over)에 배치될 수 있고, 제 2 광학 부재(352b)는 가장자리 영역(EA)의 상(over)에 배치될 수 있다. 이 때, 제어부(380)는 지지부(320)를 회전시켜, 기판(10)을 회전시킬 수 있다. 제어부(380)는 기판(10)을 회전시킴과 동시에, 제 1 광학 부재(352a) 및 제 2 광학 부재(352b)를 기판(10) 상(over)에서 직선 운동시킬 수 있다. 일 예로, 제어부(380)는 제 1 광학 부재(352a) 및 제 2 광학 부재(352b)를 기판(10) 상(over)에서 왕복 직선 운동시키면서 광 측정을 진행할 수 있다. 이 때, 제어부(380)는 제 1 광학 부재(352a) 및 제 2 광학 부재(352b)를 각각 기판(10)의 반지름선 상을 동일한 속도로 왕복 운동시킬 수 있다. 이로 인해, 기판(10)이 1회전할 동안, 기판(10)의 전 영역에 대한 이상 여부 감지가 가능할 수 있다. 제어부(380)는 광 측정부(340)로부터 전송받은 이미지 정보를 통해, 기판(10)에 대해 이상 신호 여부를 감지할 수 있다. 이상 신호가 감지되면, 제어부(380)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다. 이 때, 제어부(380)는 알람(Alarm)을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 이상 신호는 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 깨짐(broken), 이물질 등을 포함할 수 있다. 이상 신호가 감지되지 않으면, 기판(10)에 대한 공정은 계속 진행될 수 있다. 공정은, 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다.
도 12는 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치(400)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13은 도 12의 기판 처리 장치(400)를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 지지부(420), 광 측정부(440), 그리고 제어부(480)를 포함할 수 있다. 도 10의 기판 처리 장치(400)의 지지부(420) 및 제어부(480) 각각은, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 지지부(120) 및 제어부(180)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 이하, 상술한 설명과 중복되는 내용의 설명은 생략한다. 다만, 도 12의 기판 처리 장치(400)는 복수 개의 광학 부재들(452a,452b,452c)을 포함하고, 반사 부재를 포함하지 않을 수 있다. 일 예로, 광학 부재들(452a,452b,452c)은 제 1 광학 부재(452a), 제 2 광학 부재(452b), 그리고 제 3 광학 부재(452c)를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(400)는 반사 부재를 포함하지 않으므로, 복수 개의 광학 부재들(452a,452b,452c)이 기판(10) 상으로 직접 광을 입사시킬 수 있다. 복수 개의 광학 부재들(452a,452b,452c)은 기판(10) 상(over)에서 움직이지 않고, 고정될 수 있다. 도 13을 참조하면, 기판(10)의 이상 여부를 광 측정할 때, 복수 개의 광학 부재들(452a,452b,452c)은 기판(10)의 가장자리 영역(EA)의 이상 여부를 감지할 수 있다. 기판(10)의 치핑(chipping) 또는 이물질 발생율은 중앙 영역(CA)에 비해 가장자리 영역(EA)이 높으므로, 복수 개의 광학 부재들(452a,452b,452c)로 기판(10)의 가장자리 영역(EA)만을 측정할 수 있다. 이 때, 제어부(480)는 지지부(320)를 회전시켜, 기판(10)을 회전시킬 수 있다. 이로 인해, 기판(10)이 1회전할 동안, 기판(10)의 가장자리 영역(EA)에 대한 이상 여부 감지가 가능할 수 있다. 제어부(480)는 광 측정부(440)로부터 전송받은 이미지 정보를 통해, 기판(10)에 대해 이상 신호 여부를 감지할 수 있다. 이상 신호가 감지되면, 제어부(480)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다. 이 때, 제어부(480)는 알람(Alarm)을 발생시킬 수 있다. 일 예로, 이상 신호는 기판 상의 치핑(chipping), 크랙(crack), 깨짐(broken), 이물질 등을 포함할 수 있다. 이상 신호가 감지되지 않으면, 기판(10)에 대한 공정은 계속 진행될 수 있다. 공정은, 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다.
도 14는 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치(500)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 15는 도 14의 기판 처리 장치(500)를 상에서 바라본 도면이다. 도 16은 도 14의 제어부(580)의 블록도이고, 도 17 및 도 20는 도 14의 기판 처리 장치(500)를 이용하여, 광 측정하는 모습을 보여주는 도면들이며, 도 18 및 도 19는 각각 제 1 광학 부재(552a) 및 제 2 광학 부재(552b)가 광 측정한 모습을 보여주는 도면들이다. 도 21은 도 14의 제어부(580)가 인터락을 발생시키는 것을 보여주는 플로우차트이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 기판 처리 장치(500)는 지지부(520), 광 측정부(540), 블레이드부(560), 그리고 제어부(580)를 포함할 수 있다. 도 14의 기판 처리 장치(500)의 지지부(520) 및 제어부(580) 각각은, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 지지부(120) 및 제어부(180)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 이하, 상술한 설명과 중복되는 내용의 설명은 생략한다. 다만, 도 14의 기판 처리 장치(500)는 복수 개의 광학 부재들(552a,552b) 및 반사 부재(554b)을 포함할 수 있다. 일 예로, 광학 부재들(552a,552b)은 제 1 광학 부재(552a) 및 제 2 광학 부재(552b)를 포함하고, 반사 부재(554b)는 제 2 광학 부재(552b)에 대향되게 제공되는 제 2 미러(554b)일 수 있다.
기판 처리 장치(500)는 블레이드부(560)를 포함할 수 있다. 블레이드부(560)는 블레이드 표면(562)을 포함할 수 있다. 블레이드부(560)는 기판(10)에 대해 처리 공정을 진행할 수 있다. 일 예로, 블레이드부(560)는 기판(10) 상에 제공된 막을 제거하는 공정을 진행할 수 있다. 공정은 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다. 이를 위해, 블레이드부(560)는 디바이스 웨이퍼(20)와 캐리어 웨이퍼(40)를 결합시키는 접착막(60)을 제거할 수 있다. 예를 들어, 블레이드부(560)의 블레이드 표면(562)을 이용하여, 디바이스 웨이퍼(20)와 캐리어 웨이퍼(40)를 결합시키는 접착막(60)을 제거할 수 있다. 도 16을 참조하면, 제어부(580)는 지지부(520), 광 측정부(540), 그리고 블레이드부(560)를 제어할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제 1 광학 부재(552a)는 블레이드부(560)의 상(over)에 배치되고, 제 2 광학 부재(552b)는 블레이드부(560)에 이격되어 배치될 수 있다. 도 17, 도 18, 그리고 도 20를 참조하면, 제 1 광학 부재(552a)는 블레이드부(560)의 마모 여부를 모니터링할 수 있고, 보다 구체적으로, 제 1 광학 부재(552a)는 블레이드 표면(562)의 마모 여부를 모니터링할 수 있다. 또한, 도 17, 도 19, 그리고 도 20를 참조하면, 제 2 광학 부재(552b) 및 제 2 미러(554b)는 블레이드부(560)가 기판(10)에 대해 공정을 진행하기 위해 기판(10)에 근접할 때, 블레이드부(560)의 진입 위치 정보를 모니터링할 수 있다. 일 예로, 제 2 광학 부재(552b) 및 제 2 미러(554b)는 X-Y 평면에 대한 블레이드부(560)의 진입 위치 정보를 모니터링할 수 있다. 제 2 광학 부재(552b) 및 제 2 미러(554b)는 X-Y 평면에 대한 블레이드부(560)의 이동 방향을 모니터링할 수 있다. 접착막(60)은 얇은 두께를 가지므로, 블레이드부(560)의 진입 위치 방향이 기설정된 설정 방향과 어긋날 경우, 기판(10)이 파손될 수 있다. 따라서, 제 2 광학 부재(552b) 및 제 2 미러(554b)로 블레이드부(560)의 진입 위치를 모니터링하여, 기판(10)의 파손을 방지할 수 있다.
도 21은 도 14 및 도 15의 기판 처리 장치(500)가 인터락을 발생하는 과정을 보여주는 플로우차트이다. 처음에, 지지부(520)에 기판(10)이 로딩될 수 있다(S210). 기판(10)은 패키지 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판(10)은 유리 기판일 수 있다. 그 후, 기판(10)에 대해 공정이 진행되고, 광 측정부(540)는 블레이드부(560)을 모니터링할 수 있다(S220). 이 때, 공정은 기판(10)의 접착막(60)을 제거하는 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다. 제어부(580)는 광 측정부(540)로부터 전송받은 이미지 정보를 통해, 블레이드부(560)의 마모 여부를 감지할 수 있다(S230). 블레이드부(560)의 마모 신호가 감지되면, 제어부(580)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다(S250, S260). 블레이드부(560)의 마모 신호가 감지되지 않으면, 공정이 계속 진행되고, 블레이드부(560)의 진입 위치 정보를 감지할 수 있다(S240). 블레이드부(560)의 이상 위치 정보가 감지되면, 제어부(580)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다(S250, S260). 블레이드부(560)의 이상 위치 신호가 감지되지 않으면, 공정이 계속 진행될 수 있다.
도 22는 제 6 실시예에 따른 기판 처리 장치(600)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 23은 도 22의 기판 처리 장치(600)가 광 측정하는 것을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 24는 도 20의 제어부(680)가 인터락을 발생시키는 것을 보여주는 플로우차트이다.
도 22 내지 도 24를 참조하면, 기판 처리 장치(600)는 지지부(620), 광 측정부(640), 블레이드부(660), 그리고 제어부(680)를 포함할 수 있다. 도 22의 기판 처리 장치(600)의 지지부(620)는, 도 1의 기판 처리 장치(100)의 지지부(120)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 도 22의 기판 처리 장치(600)의 블레이드부(660) 및 제어부(680)는, 도 14의 기판 처리 장치(500)의 블레이드부(560) 및 제어부(580)와 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가질 수 있다. 이하, 상술한 설명과 중복되는 내용의 설명은 생략한다. 다만, 기판 처리 장치(600)는 복수 개의 광학 부재들(652a,652b,652c,652d) 및 복수 개의 반사 부재들(654a,654b,654b)을 포함할 수 있다.
광학 부재들(652a,652b,652c,652d)은 제 1 광학 부재(652a), 제 2 광학 부재(652b), 제 3 광학 부재(652c), 그리고 제 4 광학 부재(652d)를 포함하고, 반사 부재들(654a,654b,654b)은 제 1 미러(654a), 제 2 미러(654b), 그리고 제 3 미러(654d)를 포함할 수 있다. 제 1 미러(654a), 제 2 미러(654b), 그리고 제 3 미러(654d)는 각각 제 1 광학 부재(652a), 제 2 광학 부재(652b), 그리고 제 4 광학 부재(652d)에 대향되게 제공될 수 있다. 제 1 미러(654a) 및 제 2 미러(654b)는 기판(10) 상(over)에 서로 대향되게 배치될 수 있다.
이 때, 제 1 광학 부재(652a) 및 제 1 미러(654a)는 기판(10)의 중앙 영역(CA)의 이상 여부를 감지하고, 제 2 광학 부재(652b) 및 제 2 미러(654b)는 가장자리 영역(EA)의 이상 여부를 감지할 수 있다. 제 3 광학 부재(652c)는 블레이드부(660)의 상(over)에 배치되고, 제 4 광학 부재(652d)는 블레이드부(660)에 이격되어 배치될 수 있다. 제 3 광학 부재(652c)는 블레이드부(660)의 마모 여부를 모니터링할 수 있고, 제 4 광학 부재(652d) 및 제 4 미러(654b)는 블레이드부(660)가 기판(10)에 대해 공정을 진행하기 위해 기판(10)에 근접할 때, 블레이드부(660)의 진입 위치 정보를 모니터링할 수 있다. 블레이드부(660)는 기판(10)에 대해 처리 공정을 진행할 수 있다. 일 예로, 블레이드부(660)는 기판(10) 상에 제공된 막을 제거하는 공정을 진행할 수 있다.
공정은 디바이스 웨이퍼(20)를 캐리어 웨이퍼(40)로부터 분리시키기 위한 디본딩(De-bonding) 공정일 수 있다. 이를 위해, 블레이드부(660)는 디바이스 웨이퍼(20)와 캐리어 웨이퍼(40)를 결합시키는 접착막(60)을 제거할 수 있다. 접착막(60)은 얇은 두께를 가지므로, 블레이드부(660)의 진입 위치 방향이 기설정된 설정 방향과 어긋날 경우, 기판(10)이 파손될 수 있다. 따라서, 제 4 광학 부재(652d) 및 제 4 미러(654b)는 블레이드부(660)의 진입 위치 정보를 모니터링하여, 기판(10)의 파손을 방지할 수 있다.
도 24는 도 22의 기판 처리 장치(600)가 인터락을 발생하는 과정을 보여주는 플로우차트이다. 처음에, 지지부(620)에 기판(10)이 로딩될 수 있다(S310). 기판(10)은 패키지 기판일 수 있다. 이와 달리, 기판(10)은 유리 기판일 수 있다. 그 후, 기판(10)에 대해 공정이 진행되고, 광 측정부(640)는 기판(10) 및 블레이드부(660)을 모니터링할 수 있다(S320). 이 때, 제 1 광학 부재(652a) 및 제 2 광학 부재(652b)는 기판(10)을 모니터링하고, 제 3 광학 부재(652c) 및 제 4 광학 부재(652d)는 블레이드부(660)를 모니터링할 수 있다. 제어부(580)는 광 측정부들(652a,652b,652c,652d)로부터 전송받은 이미지 정보들을 통해, 기판(10)의 이상 신호 여부 및 블레이드부(660)의 마모 여부를 감지할 수 있다(S330). 기판(10)의 이상 신호 또는 블레이드부(660)의 마모 신호가 감지되면, 제어부(680)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다(S350, S360). 기판(10)의 이상 신호 및 블레이드부(660)의 마모 신호가 감지되지 않으면, 공정이 계속 진행되고, 기판(10)의 이상 신호 또는 블레이드부(660)의 진입 위치 정보를 감지할 수 있다(S340). 기판(10)의 이상 신호 및 블레이드부(660)의 이상 위치 정보가 감지되면, 제어부(680)는 인터락(interlock)을 발생시키고, 공정을 중단할 수 있다(S350, S360). 기판(10)의 이상 신호 및 블레이드부(660)의 이상 위치 신호가 감지되지 않으면, 공정이 계속 진행될 수 있다(S370).
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 패키지 기판에서, 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼로부터 분리시키는 디본딩(De-Bonding) 공정을 수행할 때 광 측정하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 광 측정 및 모니터링은 기판에 대한 다양한 공정을 수행할 때 진행될 수 있다. 일 예로, 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼에 접착시키는 본딩(Bonding) 공정을 수행할 때 광 측정 및 모니터링이 진행될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에서는 블레이드부가 기판에 포함된 막을 제거하는 공정을 수행하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 블레이드부의 기능은 이에 한정되지 않는다. 블레이드부는 기판에 대해 진입 위치 방향이 설정되어야 하는 다른 다양한 공정에 이용될 수 있다. 일 예로, 블레이드부는 기판 이송 공정에 이용될 수 있다. 또한, 상술한 실시예들에서는, 관통 전극을 포함하는 패키지 기판을 예로 들어 설명하였으나, 기판의 종류는 이에 한정되지 않는다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (10)

  1. 기판을 로딩하는 지지부;
    상기 지지부의 측부에 제공되어, 상기 지지부 상의 상기 기판 상에 제공된 막을 제거하기 위한 블레이드부;
    상기 기판으로 광을 입사시켜 이미지 정보를 획득하는 광 측정부; 및
    상기 지지부 및 상기 광 측정부를 제어하고, 상기 광 측정부로부터 전송받은 상기 이미지 정보를 처리하는 제어부; 를 포함하되,
    상기 광 측정부는, 상기 이미지 정보에 근거하여 상기 기판의 이상 여부를 감지하고, 상기 블레이드부의 마모 여부를 감지하며,
    상기 제어부는, 상기 이미지 정보로부터 이상 신호가 검출되면 상기 기판에 진행되는 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시키는 인터락 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는 상기 블레이드부의 마모 여부에 근거하여 상기 블레이드부의 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시키되,
    상기 광 측정부는:
    상기 기판으로 상기 광을 입사시키는 광학 부재;
    상기 광학 부재로부터 이격되고, 상기 광학 부재로부터 입사된 상기 광을 반사시켜 상기 광의 측정 범위를 제어하는 반사 부재를 포함하고,
    상기 광학 부재는 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재를 포함하며,
    상기 반사 부재는 제 1 미러 및 제 2 미러를 포함하되,
    상기 제 1 광학 부재는 상기 제 1 미러를 통해 상기 기판의 중앙 영역의 이상 여부를 감지하고, 상기 제 2 광학 부재는 상기 제 2 미러를 통해 상기 기판의 가장자리 영역의 이상 여부를 감지하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 광 측정부로부터 상기 이미지 정보를 전송받아 상기 이미지 정보를 모니터링하고, 상기 이상 신호가 검출되면 상기 인터락 제어부로 상기 이상 신호를 전송하는 영상 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 광 측정부는, 상기 광학 부재를 이동시키는 구동 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 측정부는,
    위에서 바라볼 때, 상기 블레이드부 상에 제공된 제 3 광학 부재를 더 포함하고, 상기 제 3 광학 부재는 상기 블레이드부의 마모 여부를 감지하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 광 측정부는,
    위에서 바라볼 때, 상기 블레이드부와 이격된 제 4 광학 부재를 더 포함하고, 상기 제 4 광학 부재는 상기 블레이드부가 상기 기판의 상기 막으로 인접할 때, 상기 블레이드부의 진입 위치 정보를 감지하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 3 광학 부재 및 상기 제 4 광학 부재 중 어느 하나가 감지한 정보를 기초로 상기 블레이드부의 동작을 중단시키는 인터락을 발생시키는 기판 처리 장치.
  10. 디바이스 웨이퍼에 부착되는 캐리어 웨이퍼를 포함하는 기판을 로딩하는 지지부;
    상기 디바이스 웨이퍼가 상기 캐리어 웨이퍼로부터 분리되도록 상기 기판에 대해 처리 공정을 진행하는 블레이드부;
    광을 입사시켜, 상기 블레이드부의 마모 여부를 감지하여 상기 마모 여부에 대한 이미지 정보를 획득하는 광 측정부;
    상기 지지부, 상기 블레이드부, 그리고 상기 광 측정부를 제어하고, 상기 광 측정부로부터 상기 이미지 정보를 전송받아 상기 이미지 정보를 처리하는 제어부를 포함하되,
    상기 제어부는 상기 블레이드부의 마모 여부에 따라 상기 공정을 중단하는 인터락(interlock)을 발생시키고,
    상기 광 측정부는:
    상기 기판으로 상기 광을 입사시키는 광학 부재; 및
    상기 광학 부재로부터 이격되고, 상기 광학 부재로부터 입사된 상기 광을 반사시켜 상기 광의 측정 범위를 제어하는 반사 부재를 포함하고,
    상기 광학 부재는 제 1 광학 부재 및 제 2 광학 부재를 포함하며,
    상기 반사 부재는 제 1 미러 및 제 2 미러를 포함하되,
    상기 제 1 광학 부재는 상기 제 1 미러를 통해 상기 기판의 중앙 영역의 이상 여부를 감지하고, 상기 제 2 광학 부재는 상기 제 2 미러를 통해 상기 기판의 가장자리 영역의 이상 여부를 감지하는 기판 처리 장치.

KR1020150071872A 2015-05-22 2015-05-22 기판 처리 장치 KR102443220B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150071872A KR102443220B1 (ko) 2015-05-22 2015-05-22 기판 처리 장치
US15/094,072 US10217653B2 (en) 2015-05-22 2016-04-08 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150071872A KR102443220B1 (ko) 2015-05-22 2015-05-22 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160137836A KR20160137836A (ko) 2016-12-01
KR102443220B1 true KR102443220B1 (ko) 2022-09-15

Family

ID=57325611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150071872A KR102443220B1 (ko) 2015-05-22 2015-05-22 기판 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10217653B2 (ko)
KR (1) KR102443220B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109290938B (zh) * 2018-11-06 2020-11-27 德淮半导体有限公司 一种实时侦测钻石掉落的装置及其方法、研磨机
US10960607B2 (en) * 2018-12-13 2021-03-30 General Electric Company Systems and methods for monitoring powder spreading in additive manufacturing systems
JP2021044480A (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社ディスコ 加工装置
KR102632831B1 (ko) * 2023-06-16 2024-02-06 주식회사 애플티 웨이퍼 불량 검출을 위한 ai 시스템

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315770A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Toppan Printing Co Ltd 観察方法、観察装置および欠陥検査装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442480B2 (ja) * 1994-06-08 2003-09-02 不二越機械工業株式会社 ウェーハ剥離装置
US7169015B2 (en) * 1995-05-23 2007-01-30 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for optical inspection of wafers during processing
US6424733B2 (en) * 1998-07-20 2002-07-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for inspecting wafers
JP4030247B2 (ja) * 1999-05-17 2008-01-09 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置及びポリッシング装置
US20020154298A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-24 International Business Machines Corporation Method of inspecting an edge of a glass disk for anomalies in an edge surface
KR100391264B1 (ko) * 2001-07-31 2003-07-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 절단 장치
KR100537684B1 (ko) 2001-09-19 2005-12-20 올림푸스 가부시키가이샤 반도체웨이퍼검사장치
JP4102081B2 (ja) * 2002-02-28 2008-06-18 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨面の異物検出方法
KR20040005089A (ko) 2002-07-08 2004-01-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 척 레벨링 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 척 레벨링방법
KR100451988B1 (ko) 2002-07-18 2004-10-08 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼의 모니터링 방법
KR20060103762A (ko) 2005-03-28 2006-10-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 칩핑 감지 기능을 구비한 웨이퍼 플랫존 얼라이너
KR100702015B1 (ko) * 2005-08-04 2007-03-30 삼성전자주식회사 웨이퍼 연마장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마방법
KR20080053096A (ko) 2006-12-08 2008-06-12 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 테스트 장비의 웨이퍼 고정척
KR20090058306A (ko) 2007-12-04 2009-06-09 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 치핑 감지 시스템 및 웨이퍼 치핑 감지 방법
US20130214370A1 (en) 2010-05-03 2013-08-22 S3C, Inc. System and method for minimizing deflection of a membrance of an absolute pressure sensor
US8753460B2 (en) 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
KR101426841B1 (ko) 2011-08-29 2014-08-06 김응식 웨이퍼의 테두리부 모니터링 장치 및 모니터링 방법
US9002493B2 (en) * 2012-02-21 2015-04-07 Stmicroelectronics, Inc. Endpoint detector for a semiconductor processing station and associated methods
US8697542B2 (en) 2012-04-12 2014-04-15 The Research Foundation Of State University Of New York Method for thin die-to-wafer bonding
US9885662B2 (en) * 2012-07-06 2018-02-06 Bt Imaging Pty Ltd Methods for inspecting semiconductor wafers
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
US20140120802A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Wayne O. Duescher Abrasive platen wafer surface optical monitoring system
US9349643B2 (en) 2013-04-01 2016-05-24 Brewer Science Inc. Apparatus and method for thin wafer transfer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007315770A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Toppan Printing Co Ltd 観察方法、観察装置および欠陥検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160343597A1 (en) 2016-11-24
US10217653B2 (en) 2019-02-26
KR20160137836A (ko) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI511219B (zh) 測量構件及測量晶圓堆疊之層厚度及空隙的方法
KR102443220B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101431838B1 (ko) 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 보호테이프의 박리 방법
US9490180B2 (en) Method for processing wafer
US8419895B2 (en) Laser ablation for integrated circuit fabrication
KR102022732B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20070118617A (ko) 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 및 평면 연삭장치
US5995218A (en) Method for inspecting defects of wafer and inspection equipment thereof
TWI797529B (zh) 處理半導體晶圓的方法
JP2018187688A (ja) 加工装置
JP2022172109A (ja) ウェーハの加工方法
JP2015166751A (ja) ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法
TWI487896B (zh) 檢測晶圓上的晶粒的方法
JP2012069677A (ja) 研削装置
JP2005197578A (ja) 板状物に形成された電極の加工装置，板状物に形成された電極の加工方法，及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法
Gong et al. Wafer edge defect study of temporary bonded and thin wafers in TSV process flow
US11328956B2 (en) Wafer processing method
US20240112902A1 (en) Processing method of bonded wafer and processing apparatus
US20240145248A1 (en) Processing method of bonded wafer
KR20070043280A (ko) 반도체 기판용 이송 시스템 및 이를 포함하는 반도체기판의 연마 장치
KR102358687B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법 및 시스템
JP2006313883A (ja) 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ並びに平面研削装置
TW202410233A (zh) 雷射加工裝置
TW201904699A (zh) 晶圓的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant