KR102442612B1 - Method for transferring light emitting diode - Google Patents

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Abstract

본 실시예들은 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법을 개시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법은, 상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 상기 발광 다이오드를 90도 회전 배치하는 단계; 상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및 상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함한다. The present embodiments disclose a method of transferring a light emitting diode.
A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate according to an embodiment of the present invention comprises: picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper; rotating the light emitting diode by 90 degrees on the first stamper or the sacrificial substrate; picking up the light emitting diodes rotationally disposed on the first stamper or the sacrificial substrate by a second stamper; and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate.

Description

발광 다이오드 트랜스퍼 방법{Method for transferring light emitting diode}Method for transferring light emitting diode

본 실시예들은 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to a method of transferring a light emitting diode.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 반도체 소자이다. In a light emitting diode (LED), when a voltage is applied to a PN junction diode in the forward direction, holes and electrons are injected, and the energy generated by the recombination of the holes and electrons is released. It is a semiconductor device that converts light energy.

LED는 무기 LED 또는 유기 LED로 형성되고, LCD TV의 백라이트, 조명, 전광판을 비롯하여 핸드폰과 같은 소형 전자기기로부터 대형 TV까지 사용되고 있다. LEDs are formed of inorganic LEDs or organic LEDs, and are used from small electronic devices such as cell phones to large TVs, including backlights, lighting, and electronic displays of LCD TVs.

디스플레이 장치를 제조하기 위해 LED의 P형 반도체층과 n형 반도체층이 디스플레이 기판의 일면에 수직 방향으로 적층되는 구조를 갖도록 디스플레이 기판 상에 LED를 실장하는 경우, P형 반도체층과 n형 반도체층이 동일 방향으로 드러나게 하기 위한 후속 공정들이 복잡해지고, LED의 사이즈가 소형화되면서 그러한 공정들에 의한 면적 손실 문제점이 있다. 본 발명의 실시예들은 복잡한 후속 공정 및 LED의 면적 손실 없이 디스플레이 장치를 제조하기 위해 LED를 디스플레이 기판에 실장하는 방법을 제공하고자 한다. When the LED is mounted on a display substrate to have a structure in which the P-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer of the LED are vertically stacked on one surface of the display substrate to manufacture a display device, the P-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer Subsequent processes for revealing in the same direction are complicated, and as the size of the LED is reduced, there is a problem of area loss due to such processes. SUMMARY Embodiments of the present invention provide a method for mounting an LED on a display substrate in order to manufacture a display device without a complicated subsequent process and loss of area of the LED.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법은, 상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 상기 발광 다이오드를 90도 회전 배치하는 단계; 상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및 상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함한다. A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate according to an embodiment of the present invention comprises: picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper; rotating the light emitting diode by 90 degrees on the first stamper or the sacrificial substrate; picking up the light emitting diodes rotationally disposed on the first stamper or the sacrificial substrate by a second stamper; and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드 회전 배치 단계는, 상기 발광 다이오드가 부착된 제1 스탬퍼를 회전시키는 단계; 및 상기 제1 스탬퍼에 부착된 상기 발광 다이오드를 프레스하여 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;를 포함할 수 있다. In this embodiment, the rotational arrangement of the light emitting diode includes: rotating the first stamper to which the light emitting diode is attached; and rotating the light emitting diode by 90 degrees by pressing the light emitting diode attached to the first stamper.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드의 90도 회전에 의해, 상기 제1 스탬퍼 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직일 수 있다. In this embodiment, by rotating the light emitting diode by 90 degrees, the layer stacking direction of the light emitting diode on the first stamper may be perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diode on the base substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드 회전 배치 단계는, 상기 제1 스탬퍼에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 희생 기판에 릴리즈하는 단계; 및 상기 희생 기판을 인장시켜 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;를 포함할 수 있다. In this embodiment, the step of rotating the light emitting diodes may include: releasing the light emitting diodes attached to the first stamper to the sacrificial substrate; and rotating the light emitting diode by 90 degrees by stretching the sacrificial substrate.

본 실시예에서, 상기 희생 기판의 상면은 접착력을 갖는 제1 영역과 접착력이 없는 제2 영역을 갖고, 상기 희생 기판의 인장에 의해, 상기 제1 영역에 부착된 상기 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직일 수 있다. In this embodiment, the upper surface of the sacrificial substrate has a first region having an adhesive force and a second region having no adhesive force, and the layer stacking direction of the light emitting diodes attached to the first region is changed by tension of the sacrificial substrate. It may be perpendicular to the stacking direction of the layers of the light emitting diode on the base substrate.

본 실시예에서, 상기 희생 기판의 상면은 상기 희생 기판의 바닥 면에 수직인 제1 영역과 상기 제1 영역과 예각을 갖는 제2 영역을 구비할 수 있다. In the present embodiment, the top surface of the sacrificial substrate may include a first region perpendicular to the bottom surface of the sacrificial substrate and a second region having an acute angle with the first region.

본 실시예에서, 상기 희생 기판의 상기 제1 영역에 접착제가 구비될 수 있다. In this embodiment, an adhesive may be provided in the first region of the sacrificial substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드는, 상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고, 상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조일 수 있다. In this embodiment, the light emitting diode has a structure in which, in the base substrate, a first semiconductor layer, an intermediate layer, and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to a surface of the base substrate, in the display substrate, the The first semiconductor layer, the intermediate layer, and the second semiconductor layer may be stacked in a second direction perpendicular to the first direction.

본 실시예에서, 상기 트랜스퍼 방법은, 상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판의 동일 레이어 상에 구비된 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결하는 단계;를 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the transfer method may further include electrically connecting the light emitting diode to a first electrode and a second electrode provided on the same layer of the display substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드 연결 단계는, 상기 발광 다이오드의 제1 반도체층과 상기 디스플레이 기판의 제1 전극을 연결하는 제1 컨택부 및 상기 발광 다이오드의 제2 반도체층과 상기 디스플레이 기판의 제2 전극을 연결하는 제2 컨택부를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. In the present embodiment, the step of connecting the light emitting diode includes a first contact portion connecting the first semiconductor layer of the light emitting diode and the first electrode of the display substrate, and a second semiconductor layer of the light emitting diode and the display substrate. It may include; forming a second contact portion for connecting the two electrodes.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법은, 상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 상기 발광 다이오드가 부착된 제1 스탬퍼를 회전시키는 단계; 및 상기 제1 스탬퍼에 부착된 발광 다이오드를 프레스하여 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계; 상기 제1 스탬퍼에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및 상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함한다. A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate according to an embodiment of the present invention comprises: picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper; rotating the first stamper to which the light emitting diode is attached; and rotating the light emitting diode by 90 degrees by pressing the light emitting diode attached to the first stamper. picking up the light emitting diodes rotationally arranged on the first stamper by a second stamper; and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드의 90도 회전에 의해, 상기 제1 스탬퍼 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직일 수 있다. In this embodiment, by rotating the light emitting diode by 90 degrees, the layer stacking direction of the light emitting diode on the first stamper may be perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diode on the base substrate.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드는, 상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고, 상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조일 수 있다. In this embodiment, the light emitting diode has a structure in which, in the base substrate, a first semiconductor layer, an intermediate layer, and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to a surface of the base substrate, in the display substrate, the The first semiconductor layer, the intermediate layer, and the second semiconductor layer may be stacked in a second direction perpendicular to the first direction.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법은, 상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 상기 제1 스탬퍼에 부착된 발광 다이오드를 희생 기판으로 릴리즈하는 단계; 상기 희생 기판을 인장시켜 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계; 상기 희생 기판에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및 상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함한다. A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate according to an embodiment of the present invention comprises: picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper; releasing a light emitting diode attached to the first stamper to a sacrificial substrate; rotating the light emitting diode by 90 degrees by tensioning the sacrificial substrate; picking up the light emitting diodes rotationally disposed on the sacrificial substrate by a second stamper; and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate.

본 실시예에서, 상기 희생 기판의 상면은 접착력을 갖는 제1 영역과 접착력이 없는 제2 영역을 갖고, 상기 희생 기판의 인장에 의해, 상기 제1 영역에 부착된 상기 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직일 수 있다. In this embodiment, the upper surface of the sacrificial substrate has a first region having an adhesive force and a second region having no adhesive force, and the layer stacking direction of the light emitting diodes attached to the first region is changed by tension of the sacrificial substrate. It may be perpendicular to the stacking direction of the layers of the light emitting diode on the base substrate.

상기 발광 다이오드는, 상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고, 상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조일 수 있다. The light emitting diode has a structure in which, in the base substrate, a first semiconductor layer, an intermediate layer, and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to a surface of the base substrate, in the display substrate, the first semiconductor layer; The intermediate layer and the second semiconductor layer may be stacked in a second direction perpendicular to the first direction.

본 발명의 실시예들에 따라 LED를 디스플레이 기판에 실장함으로써 복잡한 후속 공정 및 LED의 면적 손실 없이 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. By mounting the LED on the display substrate according to the embodiments of the present invention, a display device can be manufactured without a complicated subsequent process and loss of area of the LED.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법을 설명하는 단면도이다.
도 7 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법을 설명하는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 16은 도 15의 디스플레이 장치의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 17은 도 16에 도시된 컨택부를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of transferring a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
7 to 14 are cross-sectional views illustrating a method of transferring a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.
15 is a plan view schematically illustrating a display device manufactured according to an embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a cross-section AA′ of the display device of FIG. 15 .
17 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of forming the contact unit shown in FIG. 16 .

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components may be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including them. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.In cases where certain embodiments are otherwise practicable, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법을 설명하는 단면도이다.1 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of transferring a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 트랜스퍼는 베이스 기판(10) 상의 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(80)에 이송할 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼는 챔버(미도시) 내부의 공간에 설치될 수 있다. 챔버 내부의 압력은 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 챔버 내부의 압력은 챔버 내부에서 하기에서 설명할 공정이 진행되는 동안 대기압 또는 진공과 동일 또는 유사하게 형성될 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30) 및 제2 스탬퍼(70)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼는 스테이지, 이동부, 비전부, 회전구동부, 선형구동부, 컨트롤러 등을 더 포함할 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의를 위해 제1 스탬퍼(30) 및 제2 스탬퍼(70)만을 도시하여 설명한다. 플레이트 형태의 스테이지의 일면에 베이스 기판(10) 및 디스플레이 기판(80)이 안착될 수 있다. The light emitting diode transfer according to an embodiment of the present invention may transfer the light emitting diode 20 on the base substrate 10 to the display substrate 80 . The light emitting diode transfer may be installed in a space inside the chamber (not shown). The pressure inside the chamber may be formed in various ways. For example, the pressure inside the chamber may be equal to or similar to atmospheric pressure or vacuum while a process to be described below is performed inside the chamber. The light emitting diode transfer may include a first stamper 30 and a second stamper 70 . The light emitting diode transfer may further include a stage, a moving unit, a vision unit, a rotational driving unit, a linear driving unit, a controller, etc. Hereinafter, only the first stamper 30 and the second stamper 70 are shown for convenience of explanation. Explain. The base substrate 10 and the display substrate 80 may be seated on one surface of the plate-shaped stage.

도 1을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 복수의 발광 다이오드(20)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 1 , a plurality of light emitting diodes 20 may be formed on a base substrate 10 .

베이스 기판(10)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 베이스 기판(10)은 발광 다이오드(20)들이 직접 형성된 웨이퍼이거나, 또는 웨이퍼로부터 발광 다이오드(20)들이 1차적으로 이송되어 재배열된 임시 기판일 수 있다.The base substrate 10 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 It may be formed of at least any one of three . The base substrate 10 may be a wafer in which the light emitting diodes 20 are directly formed, or a temporary substrate in which the light emitting diodes 20 are primarily transferred and rearranged from the wafer.

복수의 발광 다이오드(20)들 각각은, 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(232) 및, 제1 반도체층(231)과 제2 반도체층(232) 사이의 중간층(233)을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(231), 중간층(233), 및 제2 반도체층(232)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. Each of the plurality of light emitting diodes 20 includes a first semiconductor layer 231 , a second semiconductor layer 232 , and an intermediate layer 233 between the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 . may include The first semiconductor layer 231, the intermediate layer 233, and the second semiconductor layer 232 are formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition method (CVD; chemical vapor deposition), and a plasma chemical vapor deposition method ( PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like may be used.

발광 다이오드(20)는 제1 반도체층(231), 중간층(233), 및 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 수직인 방향(Y 방향)으로 차례로 적층된 구조를 갖는다. 발광 다이오드(20)는 베이스 기판(10)의 면에 수평인 방향(X 방향)으로의 길이인 폭(W1) 및 베이스 기판(10)의 면에 수직인 방향으로의 길이인 두께(H)의 사이즈를 가질 수 있다. 폭(W1)은 두께(H) 이상일 수 있다. The light emitting diode 20 has a structure in which a first semiconductor layer 231 , an intermediate layer 233 , and a second semiconductor layer 232 are sequentially stacked in a direction (Y direction) perpendicular to the surface of the base substrate 10 . . The light emitting diode 20 has a width W1 that is a length in a direction (X direction) horizontal to the surface of the base substrate 10 and a thickness H that is a length in a direction perpendicular to the surface of the base substrate 10 . can have size. The width W1 may be equal to or greater than the thickness H.

도 1의 실시예에서는 제1 반도체층(231)이 베이스 기판(10)의 면에 컨택하도록 배치되고 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 컨택하도록 배치될 수 있다. In the embodiment of FIG. 1 , the first semiconductor layer 231 is disposed to contact the surface of the base substrate 10 , but the embodiment of the present invention is not limited thereto, and the second semiconductor layer 232 is formed on the base substrate ( 10) may be arranged to contact the surface.

제1 반도체층(231)은, 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 231 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN , AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba.

제2 반도체층(232)은, 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 232 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), for example, GaN, AlN , AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(231)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(232)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first semiconductor layer 231 may include an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 232 may include a p-type semiconductor layer.

중간층(233)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 중간층(233)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire) 구조 또는 양자점(Quantum dot) 구조를 포함할 수도 있다. The intermediate layer 233 is a region in which electrons and holes recombine, and as the electrons and holes recombine, the intermediate layer 233 may transition to a low energy level and generate light having a corresponding wavelength. The intermediate layer 233 includes, for example, a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may be formed as a single quantum well structure or a multi quantum well structure (MQW: Multi Quantum Well). In addition, it may include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231) 및 제2 반도체층(232)이 디스플레이 기판(80) 면에 수직인 방향으로 적층되는 구조를 갖도록 배치하는 실장 방식의 경우, 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 제1 반도체층(231) 및 제2 반도체층(232)이 모두 동일 방향으로 드러나도록 하는 에칭 공정과 전극 형성 공정 등이 필요하다. 이러한 후속 공정들은 복잡할 뿐만 아니라, 발광 다이오드(20)가 소형화 경향을 띰에 따라 발광 다이오드의 면적 손실이 발생할 수 있다. In the case of a mounting method in which the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 are stacked in a direction perpendicular to the surface of the display substrate 80, manufacturing a display device For this, an etching process and an electrode forming process are required so that both the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 are exposed in the same direction. These subsequent processes are not only complicated, but as the light emitting diode 20 tends to be miniaturized, an area loss of the light emitting diode may occur.

본 발명의 실시예에서는 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231) 및 제2 반도체층(232)의 적층 방향이 디스플레이 기판(80) 면에 수평인 방향이 되도록 발광 다이오드를 디스플레이 기판에 배치할 수 있다. 이에 따라 발광 다이오드(20)의 면적 손실이나 공정의 복잡화를 줄이면서 디스플레이 장치를 제조할 수 있다. In the embodiment of the present invention, the light emitting diode is disposed on the display substrate so that the stacking direction of the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 is horizontal to the surface of the display substrate 80 . can do. Accordingly, the display device can be manufactured while reducing the area loss of the light emitting diode 20 or the complexity of the process.

도 2를 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼의 제1 스탬퍼(30)를 베이스 기판(10) 상의 기 설정된 위치에 배치할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the first stamper 30 of the light emitting diode transfer may be disposed at a preset position on the base substrate 10 .

이때, 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 제1 스탬퍼(30)와 베이스 기판(10)의 위치를 파악하고, 제1 스탬퍼(30)의 위치를 변경할 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(10)에 얼라인 마크가 형성되어 비전부를 통하여 촬영된 영상을 근거로 제1 스탬퍼(30)와 베이스 기판(10)의 위치를 파악하여 제1 스탬퍼(30)의 위치를 조절할 수 있다. 다른 실시예로서 비전부로 제1 스탬퍼(30)와 베이스 기판(10)의 형태를 측정하여 제1 스탬퍼(30)의 위치를 조절하는 것도 가능하다. 비전부를 통하여 제1 스탬퍼(30)의 위치를 조절하는 방법은 상기에 한정되는 것은 아니며, 제1 스탬퍼(30)와 베이스 기판(10)의 위치를 파악하여 제1 스탬퍼(30)의 위치를 조절하는 모든 방법을 포함할 수 있다. In this case, the positions of the first stamper 30 and the base substrate 10 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the first stamper 30 may be changed. For example, an alignment mark is formed on the base substrate 10 and the positions of the first stamper 30 and the base substrate 10 are identified based on the image captured through the vision unit, and the position of the first stamper 30 is determined. can be adjusted. As another embodiment, it is also possible to adjust the position of the first stamper 30 by measuring the shapes of the first stamper 30 and the base substrate 10 with a vision unit. The method of adjusting the position of the first stamper 30 through the vision unit is not limited to the above, and the position of the first stamper 30 is adjusted by grasping the positions of the first stamper 30 and the base substrate 10 . It can include any way to do it.

제1 스탬퍼(30)는 플레이트(31) 및 플레이트(31)의 표면에 양각 패턴으로 돌출 형성된 픽업부(35)를 구비할 수 있다. The first stamper 30 may include a plate 31 and a pickup part 35 protruding from the surface of the plate 31 in an embossed pattern.

플레이트(31)는 강도가 우수한 금속, 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The plate 31 may be formed of a metal having excellent strength, plastic, or the like.

픽업부(35)는 플레이트(31)와 동일하게 금속, 또는 플라스틱 등으로 플레이트(31)와 일체로 또는 별개로 형성될 수 있다. 다른 실시예로서 픽업부(35)는 신축성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 픽업부(35)는 천연 또는 합성 고무, 실리콘계 폴리머(silicone-based polymer) 등으로 이루어질 수 있다. 실리콘계 폴리머는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 픽업부(35)는 폴리우레탄(polyurethane), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate) 등과 같은 다양한 재질로 이루어질 수 있다.The pickup unit 35 may be formed of metal, plastic, or the like in the same way as the plate 31 , integrally or separately from the plate 31 . As another embodiment, the pickup unit 35 may be made of a material having elasticity. For example, the pickup unit 35 may be made of natural or synthetic rubber, a silicone-based polymer, or the like. The silicone-based polymer may include polydimethylsiloxane (PDMS), hexamethyldisiloxane (HMDSO), or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the pickup unit 35 may be made of various materials such as polyurethane, polyurethane acrylate, and the like.

픽업부(35)의 폭(W2)은 발광 다이오드(20)의 폭(W1)보다 작을 수 있다. The width W2 of the pickup unit 35 may be smaller than the width W1 of the light emitting diode 20 .

픽업부(35)는 정전기력, 자기력, 흡착력 또는 점착력을 이용하여 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있다. 픽업부(35)는 상기에 한정되는 것은 아니며 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 픽업부(35)는 복수개 구비될 수 있다. 복수의 픽업부(35)는 플레이트(31)의 일 방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The pickup unit 35 may attach the light emitting diode 20 using electrostatic force, magnetic force, adsorption force, or adhesive force. The pickup unit 35 is not limited to the above, and may include any device and any structure to which the light emitting diode 20 can be attached. A plurality of pickup units 35 may be provided. The plurality of pickup units 35 may be disposed to be spaced apart from each other in one direction of the plate 31 .

도 3을 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30)를 하강하여 베이스 기판(10) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다. 이때 제1 스탬퍼(30)의 픽업부(35)는 발광 다이오드(20)의 제2 반도체층(232)의 일부를 픽업하여, 발광 다이오드(20)의 제2 반도체층(232)의 상면 일부(A)가 픽업부(35)에 부착될 수 있다. Referring to FIG. 3 , the light emitting diode transfer may pick up the light emitting diode 20 on the base substrate 10 by lowering the first stamper 30 . At this time, the pickup unit 35 of the first stamper 30 picks up a portion of the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20, and a portion of the upper surface of the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 ( A) may be attached to the pickup unit 35 .

다음으로, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30)에 부착된 발광 다이오드(20)를 90도 회전시켜 제1 스탬퍼(30)에 재배치할 수 있다. Next, in the light emitting diode transfer, the light emitting diode 20 attached to the first stamper 30 may be rotated 90 degrees to be rearranged in the first stamper 30 .

발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30)를 180도 회전시킬 수 있다. 이에 따라 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231)의 상면이 베이스 기판(10)을 마주하는 방향과 반대 방향으로 노출될 수 있다. The light emitting diode transfer may rotate the first stamper 30 by 180 degrees. Accordingly, the upper surface of the first semiconductor layer 231 of the light emitting diode 20 may be exposed in a direction opposite to the direction facing the base substrate 10 .

일 실시예에서, 도 4a에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30)에 부착된 발광 다이오드(20)를 프레싱 롤(40)에 의해 프레스하여 발광 다이오드(20)를 90도 회전시킬 수 있다. 프레싱 롤(40)의 표면은 접착력이 없어, 발광 다이오드(20)는 프레싱 롤(40)에 부착되지 않고 90도 회전하여 픽업부(35)로부터 분리된 후 픽업부(35) 주변에 안착할 수 있다. In one embodiment, as shown in FIG. 4A , the light emitting diode transfer presses the light emitting diode 20 attached to the first stamper 30 by a pressing roll 40 to rotate the light emitting diode 20 by 90 degrees. can do it Since the surface of the pressing roll 40 has no adhesive force, the light emitting diode 20 is not attached to the pressing roll 40 and rotates 90 degrees to separate from the pickup unit 35 and then can be seated around the pickup unit 35 have.

다른 실시예에서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30)에 부착된 발광 다이오드(20)를 프레싱 스템퍼(50)에 의해 프레스하여 발광 다이오드(20)를 90도 회전시킬 수 있다. In another embodiment, as shown in FIG. 4B , the light emitting diode transfer presses the light emitting diode 20 attached to the first stamper 30 by the pressing stamper 50 to rotate the light emitting diode 20 by 90 degrees. can be rotated

프레싱 스템퍼(50)는 플레이트(51) 및 플레이트(51)로부터 돌출된 돌출 패턴(55)을 포함할 수 있다. 돌출 패턴(55)은 복수개 구비될 수 있다. 복수의 돌출 패턴(55)들은 플레이트(51)의 일 방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 돌출 패턴(55))의 폭(W3)은 발광 다이오드(20)의 폭(W1)보다 작을 수 있다. The pressing stamper 50 may include a plate 51 and a protruding pattern 55 protruding from the plate 51 . A plurality of protrusion patterns 55 may be provided. The plurality of protrusion patterns 55 may be disposed to be spaced apart from each other in one direction of the plate 51 . The width W3 of the protrusion pattern 55 may be smaller than the width W1 of the light emitting diode 20 .

발광 다이오드 트랜스퍼는 프레싱 스템퍼(50)의 돌출 패턴(55)이 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231)에서 제1 스탬퍼(30)의 픽업부(35)와 오버랩하지 않는 부분(B)에 대응하도록 프레싱 스템퍼(50)를 제1 스탬퍼(30) 상에 위치시킬 수 있다. In the light emitting diode transfer, the protruding pattern 55 of the pressing stamper 50 does not overlap the pickup portion 35 of the first stamper 30 in the first semiconductor layer 231 of the light emitting diode 20 (B) ) to correspond to the pressing stamper 50 may be positioned on the first stamper (30).

발광 다이오드 트랜스퍼는 프레싱 스템퍼(50)를 제1 스탬퍼(30)를 향하여 프레스하여 발광 다이오드(20)를 회전시킬 수 있다. 프레싱 스템퍼(50)의 돌출 패턴(55)의 표면은 접착력이 없어, 발광 다이오드(20)는 프레싱 스템퍼(50)에 부착되지 않고 90도 회전하여 픽업부(35)로부터 분리된 후 픽업부(35) 주변에 안착할 수 있다. The light emitting diode transfer may rotate the light emitting diode 20 by pressing the pressing stamper 50 toward the first stamper 30 . Since the surface of the protruding pattern 55 of the pressing stamper 50 has no adhesive force, the light emitting diode 20 is not attached to the pressing stamper 50 and rotates 90 degrees to separate from the pickup unit 35 and then the pickup unit (35) Can be settled around.

도 5를 참조하면, 발광 다이오드(20)는 90도 회전함에 따라 수직으로 세워지고, 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231), 중간층(233), 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 수평인 방향(X 방향)으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 즉, 발광 다이오드(20)의 제1 측면(234)이 프레싱 스템퍼(50)에 컨택하고 제1 측면(234)에 대향하는 제2 측면(235)이 베이스 기판(10)을 마주하는 방향과 반대 방향으로 노출될 수 있다. Referring to FIG. 5 , the light emitting diode 20 is vertically erected as it rotates 90 degrees, and the first semiconductor layer 231 , the intermediate layer 233 , and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 are the bases. It may have a structure in which the substrate 10 is laminated in a horizontal direction (X direction). That is, the direction in which the first side 234 of the light emitting diode 20 contacts the pressing stamper 50 and the second side 235 opposite to the first side 234 faces the base substrate 10 and It can be exposed in the opposite direction.

도 5의 실시예에서는 제1 스탬퍼(30)의 픽업부(35)의 측면에 발광 다이오드(20)가 컨택하고 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 발광 다이오드(20)의 사이즈에 따라 픽업부(35)의 측면과 컨택하지 않고, 픽업부(35) 주변에, 즉 인접하는 픽업부(35)들 사이의 공간에 수직으로 세워질 수 있다. In the embodiment of Figure 5, the light emitting diode 20 is in contact with the side of the pickup part 35 of the first stamper 30, but the embodiment of the present invention is not limited thereto, and the size of the light emitting diode 20 is not limited thereto. Accordingly, without contacting the side of the pickup unit 35 , it may be erected around the pickup unit 35 , that is, vertically in the space between adjacent pickup units 35 .

도시되지 않았으나, 발광 다이오드(20)가 90도 회전 후 제1 스탬퍼(30)의 픽업부(35) 주변에 안착되는 것을 돕기 위해, 제1 스탬퍼(30)는 발광 다이오드(20)의 사이즈를 고려한 간격으로 픽업부(35) 주변에 돌기를 더 구비할 수 있다. Although not shown, in order to help the light emitting diode 20 to be seated around the pickup part 35 of the first stamper 30 after the 90 degree rotation, the first stamper 30 considers the size of the light emitting diode 20 A protrusion may be further provided around the pickup unit 35 at intervals.

발광 다이오드 트랜스퍼는 제2 스탬퍼(70)를 제1 스탬퍼(30) 상부에 위치시킬 수 있다. 이때 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 제1 스탬퍼(30)와 제2 스탬퍼(70)의 위치를 파악하고, 제2 스탬퍼(70)의 위치를 변경할 수 있다. The light emitting diode transfer may position the second stamper 70 on the first stamper 30 . At this time, the positions of the first stamper 30 and the second stamper 70 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the second stamper 70 may be changed.

제2 스탬퍼(70)는 플레이트(71) 및 플레이트(71)의 표면에 양각 패턴으로 돌출 형성된 픽업부(75)를 구비할 수 있다. The second stamper 70 may include a plate 71 and a pickup unit 75 protruding from the surface of the plate 71 in an embossed pattern.

플레이트(71)는 강도가 우수한 금속, 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The plate 71 may be formed of a metal having excellent strength, plastic, or the like.

픽업부(75)는 플레이트(71)와 동일하게 금속, 또는 플라스틱 등으로 플레이트(71)와 일체로 또는 별개로 형성될 수 있다. 다른 실시예로서 픽업부(75)는 신축성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 픽업부(75)는 천연 또는 합성 고무, 실리콘계 폴리머(silicone-based polymer) 등으로 이루어질 수 있다. 실리콘계 폴리머는, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 픽업부(75)는 폴리우레탄(polyurethane), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate) 등과 같은 다양한 재질로 이루어질 수 있다.The pickup unit 75 may be formed integrally with or separately from the plate 71 using metal, plastic, or the like, in the same manner as the plate 71 . As another embodiment, the pickup unit 75 may be made of a material having elasticity. For example, the pickup unit 75 may be made of natural or synthetic rubber, a silicone-based polymer, or the like. The silicone-based polymer may include polydimethylsiloxane (PDMS), hexamethyldisiloxane (HMDSO), or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the pickup unit 75 may be made of various materials such as polyurethane and polyurethane acrylate.

픽업부(75)의 폭(W4)은 발광 다이오드(20)의 두께(H) 이상일 수 있다. The width W4 of the pickup unit 75 may be greater than or equal to the thickness H of the light emitting diode 20 .

픽업부(75)는 정전기력, 자기력, 흡착력 또는 점착력을 이용하여 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있다. 픽업부(75)는 상기에 한정되는 것은 아니며 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 픽업부(75)는 발광 다이오드(20)를 잡을 수 있는 홀더 구조일 수 있다. 픽업부(75)는 복수개 구비될 수 있다. 복수의 픽업부(75)는 플레이트(71)의 일 방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The pickup unit 75 may attach the light emitting diode 20 using electrostatic force, magnetic force, adsorption force, or adhesive force. The pickup unit 75 is not limited to the above, and may include any device and any structure to which the light emitting diode 20 can be attached. For example, the pickup unit 75 may have a holder structure capable of holding the light emitting diode 20 . A plurality of pickup units 75 may be provided. The plurality of pickup units 75 may be disposed to be spaced apart from each other in one direction of the plate 71 .

발광 다이오드 트랜스퍼는 제2 스탬퍼(70)를 하강하여 제1 스탬퍼(30) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다. 발광 다이오드(20)의 제2 측면(235)이 제2 스탬퍼(70)의 픽업부(75)에 부착될 수 있다. The light emitting diode transfer may pick up the light emitting diode 20 on the first stamper 30 by descending the second stamper 70 . The second side 235 of the light emitting diode 20 may be attached to the pickup unit 75 of the second stamper 70 .

도 6을 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)가 부착된 제2 스탬퍼(70)를 디스플레이 기판(80) 상부에 위치시킬 수 있다. 이때 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 제2 스탬퍼(70)와 디스플레이 기판(80)의 위치를 파악하고, 제2 스탬퍼(70)의 위치를 변경할 수 있다. Referring to FIG. 6 , the light emitting diode transfer may position the second stamper 70 to which the light emitting diode 20 is attached on the display substrate 80 . At this time, the positions of the second stamper 70 and the display substrate 80 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the second stamper 70 may be changed.

발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(80)의 정해진 위치에 플레이스하고, 발광 다이오드(20)를 제2 스탬퍼(70)로부터 릴리즈할 수 있다. 이에 따라 발광 다이오드(20)는 디스플레이 기판(80)에 수직 실장될 수 있다. The light emitting diode transfer may place the light emitting diode 20 at a predetermined position on the display substrate 80 and release the light emitting diode 20 from the second stamper 70 . Accordingly, the light emitting diode 20 may be vertically mounted on the display substrate 80 .

한편, 디스플레이 기판(80)에는 후술하는 바와 같이, 제1 전극 및 제2 전극이 구비될 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231) 및 제2 반도체층(232)이 제1 전극 및 제2 전극과 각각 전기적으로 연결되도록 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(80) 상에 플레이스할 수 있다. Meanwhile, as described below, the display substrate 80 may include a first electrode and a second electrode. The light emitting diode transfer connects the light emitting diode 20 to the display substrate 80 so that the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 are electrically connected to the first electrode and the second electrode, respectively. You can place it on the table.

도 7 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 트랜스퍼하는 방법을 설명하는 단면도이다. 이하에서는 도 1 내지 도 6에서 설명된 내용과 동일한 내용의 상세한 설명은 생략한다. 7 to 14 are cross-sectional views illustrating a method of transferring a light emitting diode according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, detailed descriptions of the same contents as those described with reference to FIGS. 1 to 6 will be omitted.

도 7을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 복수의 발광 다이오드(20)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7 , a plurality of light emitting diodes 20 may be formed on the base substrate 10 .

베이스 기판(10)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 베이스 기판(10)은 발광 다이오드(20)들이 직접 형성된 웨이퍼이거나, 또는 웨이퍼로부터 발광 다이오드(20)들이 1차적으로 이송되어 재배열된 임시 기판일 수 있다.The base substrate 10 may be formed of a conductive substrate or an insulating substrate. The base substrate 10 may be a wafer in which the light emitting diodes 20 are directly formed, or a temporary substrate in which the light emitting diodes 20 are primarily transferred and rearranged from the wafer.

복수의 발광 다이오드(20)들 각각은, 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(232) 및, 제1 반도체층(231)과 제2 반도체층(232) 사이의 중간층(233)을 포함할 수 있다. 발광 다이오드(20)는 제1 반도체층(231), 중간층(233), 및 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 수직인 방향(Y 방향)으로 차례로 적층된 구조를 갖는다. Each of the plurality of light emitting diodes 20 includes a first semiconductor layer 231 , a second semiconductor layer 232 , and an intermediate layer 233 between the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 . may include The light emitting diode 20 has a structure in which a first semiconductor layer 231 , an intermediate layer 233 , and a second semiconductor layer 232 are sequentially stacked in a direction (Y direction) perpendicular to the surface of the base substrate 10 . .

도 7의 실시예에서는 제1 반도체층(231)이 베이스 기판(10)의 면에 컨택하도록 배치되고 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 컨택하도록 배치될 수 있다. In the embodiment of FIG. 7 , the first semiconductor layer 231 is disposed to contact the surface of the base substrate 10 , but the embodiment of the present invention is not limited thereto, and the second semiconductor layer 232 is formed on the base substrate ( 10) may be arranged to contact the surface.

도 8을 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼의 제1 스탬퍼(30')를 베이스 기판(10) 상의 기 설정된 위치에 배치할 수 있다. 이때, 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 제1 스탬퍼(30')와 베이스 기판(10)의 위치를 파악하고, 제1 스탬퍼(30')의 위치를 변경할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the first stamper 30 ′ of the light emitting diode transfer may be disposed at a preset position on the base substrate 10 . In this case, the positions of the first stamper 30 ′ and the base substrate 10 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the first stamper 30 ′ may be changed.

제1 스탬퍼(30')는 플레이트(31') 및 플레이트(31')의 표면에 양각 패턴으로 돌출 형성된 픽업부(35')를 구비할 수 있다. The first stamper 30 ′ may include a plate 31 ′ and a pickup part 35 ′ protruding in an embossed pattern from the surface of the plate 31 ′.

플레이트(31')는 강도가 우수한 금속, 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The plate 31 ′ may be formed of a metal having excellent strength, plastic, or the like.

픽업부(35')는 플레이트(31')와 동일하게 금속, 또는 플라스틱 등으로 플레이트(31')와 일체로 또는 별개로 형성될 수 있다. 다른 실시예로서 픽업부(35')는 신축성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. 도 8에 도시된 제1 스탬퍼(30')는 픽업부(35')의 폭(W5)이 발광 다이오드(20)의 폭(W1) 이상인 점에서, 도 2에 도시된 제1 스탬퍼(30)와 상이하다. The pickup part 35' may be formed of metal, plastic, or the like, in the same way as the plate 31', integrally or separately from the plate 31'. As another embodiment, the pickup unit 35 ′ may be made of a material having elasticity. The first stamper 30 ′ shown in FIG. 8 is the first stamper 30 shown in FIG. 2 in that the width W5 of the pickup unit 35 ′ is greater than or equal to the width W1 of the light emitting diode 20 . different from

픽업부(35')는 정전기력, 자기력, 흡착력 또는 점착력을 이용하여 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있다. 픽업부(35')는 상기에 한정되는 것은 아니며 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 픽업부(35')는 복수개 구비될 수 있다. 복수의 픽업부(35')는 플레이트(31')의 일 방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The pickup unit 35 ′ may attach the light emitting diode 20 using electrostatic force, magnetic force, adsorption force, or adhesive force. The pickup unit 35 ′ is not limited to the above, and may include any device and any structure to which the light emitting diode 20 can be attached. A plurality of pickup units 35 ′ may be provided. The plurality of pickup units 35 ′ may be disposed to be spaced apart from each other in one direction of the plate 31 ′.

도 9를 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30')를 하강하여 베이스 기판(10) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다. 이때 제1 스탬퍼(30')의 픽업부(35')에 발광 다이오드(20)의 제2 반도체층(232)의 상면이 픽업부(35)에 부착될 수 있다.Referring to FIG. 9 , the light emitting diode transfer may pick up the light emitting diode 20 on the base substrate 10 by lowering the first stamper 30 ′. In this case, the upper surface of the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 may be attached to the pickup part 35 of the first stamper 30 ′.

도 10을 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30')를 희생 기판(60) 상부에 위치시킬 수 있다. Referring to FIG. 10 , the light emitting diode transfer may position the first stamper 30 ′ on the sacrificial substrate 60 .

희생 기판(60)은 스트레칭이 가능한 신축성 기판일 수 있다. 희생 기판(60)은 신축성이 좋은 PDMS(polydimethylsiloxane) 재질로 구성될 수 있고, 수평 방향으로 잡아당기면 쉽게 인장이 된다.The sacrificial substrate 60 may be a stretchable stretchable substrate. The sacrificial substrate 60 may be made of a highly stretchable polydimethylsiloxane (PDMS) material, and can be easily stretched by pulling in the horizontal direction.

희생 기판(60)의 일면은 영역별로 접착력이 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 희생 기판(60)은 일면이 접착력을 갖는 제1 영역(61)과 접착력이 없는 제2 영역(63)을 가질 수 있다. 제1 영역(61)은 희생 기판(60)의 바닥 면에 수직이고, 제2 영역(63)은 제1 영역(61)과 예각(θ)을 이루도록 테이퍼지게 형성될 수 있다. 희생 기판(60)의 일면은 제1 영역(61)과 제2 영역(62)에 의해 평평하지 않다. 제1 영역(61)에는 접착력을 제공하기 위한 접착제(65)가 구비될 수 있다. One surface of the sacrificial substrate 60 may have different adhesive strength for each region. For example, the sacrificial substrate 60 may have a first region 61 having an adhesive force on one surface and a second region 63 having no adhesive force. The first region 61 may be perpendicular to the bottom surface of the sacrificial substrate 60 , and the second region 63 may be tapered to form an acute angle θ with the first region 61 . One surface of the sacrificial substrate 60 is not flat by the first region 61 and the second region 62 . An adhesive 65 for providing adhesive force may be provided in the first region 61 .

도 11을 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 제1 스탬퍼(30')의 발광 다이오드를 희생 기판(60)으로 릴리즈할 수 있다. 희생 기판(60)으로 릴리즈된 발광 다이오드(20)는 제1 영역(61)과 제2 영역(62)에 의해 정의된 공간으로 플레이스될 수 있다. Referring to FIG. 11 , the light emitting diode transfer may release the light emitting diode of the first stamper 30 ′ to the sacrificial substrate 60 . The light emitting diode 20 released to the sacrificial substrate 60 may be placed in a space defined by the first region 61 and the second region 62 .

도 12를 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 희생 기판(60)을 좌우 수평 방향으로 잡아당겨 인장시킬 수 있다. 이에 따라 희생 기판(60)의 일면이 대략 평평해지면서, 발광 다이오드(20)의 제1 측면(234)이 접착력을 갖는 제1 영역(61)에 부착된 상태로 발광 다이오드(20)는 90도 회전할 수 있다. Referring to FIG. 12 , the light emitting diode transfer may stretch the sacrificial substrate 60 by pulling it in the left and right horizontal directions. Accordingly, one surface of the sacrificial substrate 60 is substantially flat, and the light emitting diode 20 is rotated at 90 degrees while the first side 234 of the light emitting diode 20 is attached to the first region 61 having an adhesive force. can rotate

도 13을 참조하면, 발광 다이오드(20)는 90도 회전함에 따라 수직으로 세워지고, 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231), 중간층(233), 제2 반도체층(232)이 베이스 기판(10)의 면에 수평인 방향(X 방향)으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 즉, 발광 다이오드(20)의 제1 측면(234)이 희생 기판(60)에 컨택하고 제1 측면(234)에 대향하는 제2 측면(235)이 베이스 기판(10)을 마주하는 방향과 반대 방향으로 노출될 수 있다. Referring to FIG. 13 , the light emitting diode 20 is vertically erected as it rotates 90 degrees, and the first semiconductor layer 231 , the intermediate layer 233 , and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 are the bases. It may have a structure in which the substrate 10 is laminated in a horizontal direction (X direction). That is, the first side 234 of the light emitting diode 20 contacts the sacrificial substrate 60 , and the second side 235 opposite to the first side 234 faces the base substrate 10 in the opposite direction. direction can be exposed.

발광 다이오드 트랜스퍼는 제2 스탬퍼(70)를 희생 기판(60) 상부에 위치시킬 수 있다. 이때 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 희생 기판(60)과 제2 스탬퍼(70)의 위치를 파악하고, 제2 스탬퍼(70)의 위치를 변경할 수 있다. The light emitting diode transfer may position the second stamper 70 on the sacrificial substrate 60 . In this case, the positions of the sacrificial substrate 60 and the second stamper 70 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the second stamper 70 may be changed.

제2 스탬퍼(70)는 플레이트(71) 및 플레이트(71)의 표면에 양각 패턴으로 형성된 픽업부(75)를 구비할 수 있다. The second stamper 70 may include a plate 71 and a pickup unit 75 formed in an embossed pattern on the surface of the plate 71 .

플레이트(71)는 강도가 우수한 금속, 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The plate 71 may be formed of a metal having excellent strength, plastic, or the like.

픽업부(75)는 플레이트(71)와 동일하게 금속, 또는 플라스틱 등으로 플레이트(71)와 일체로 또는 별개로 형성될 수 있다. 다른 실시예로서 픽업부(75)는 신축성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다. The pickup unit 75 may be formed integrally with or separately from the plate 71 using metal, plastic, or the like, in the same manner as the plate 71 . As another embodiment, the pickup unit 75 may be made of a material having elasticity.

픽업부(75)는 정전기력, 자기력, 흡착력 또는 점착력을 이용하여 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있다. 픽업부(75)는 상기에 한정되는 것은 아니며 발광 다이오드(20)를 부착시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 픽업부(75)는 발광 다이오드(20)를 잡을 수 있는 홀더 구조일 수 있다. 픽업부(75)는 복수개 구비될 수 있다. 복수의 픽업부(75)는 플레이트(71)의 일 방향으로 서로 이격되도록 배치될 수 있다. The pickup unit 75 may attach the light emitting diode 20 using electrostatic force, magnetic force, adsorption force, or adhesive force. The pickup unit 75 is not limited to the above, and may include any device and any structure to which the light emitting diode 20 can be attached. For example, the pickup unit 75 may have a holder structure capable of holding the light emitting diode 20 . A plurality of pickup units 75 may be provided. The plurality of pickup units 75 may be disposed to be spaced apart from each other in one direction of the plate 71 .

발광 다이오드 트랜스퍼는 제2 스탬퍼(70)를 하강하여 제1 스탬퍼(30) 상의 발광 다이오드(20)를 픽업할 수 있다. 발광 다이오드(20)의 제2 측면(235)이 제2 스탬퍼(70)의 픽업부(75)에 부착될 수 있다. The light emitting diode transfer may pick up the light emitting diode 20 on the first stamper 30 by descending the second stamper 70 . The second side 235 of the light emitting diode 20 may be attached to the pickup unit 75 of the second stamper 70 .

도 14를 참조하면, 발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)가 부착된 제2 스탬퍼(70)를 디스플레이 기판(80)으로 위치시킬 수 있다. 이때 비전부(미도시)에서 촬영된 영상을 근거로 제2 스탬퍼(70)와 디스플레이 기판(80)의 위치를 파악하고, 제2 스탬퍼(70)의 위치를 변경할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the light emitting diode transfer may position the second stamper 70 to which the light emitting diode 20 is attached to the display substrate 80 . At this time, the positions of the second stamper 70 and the display substrate 80 may be determined based on the image captured by the vision unit (not shown), and the positions of the second stamper 70 may be changed.

발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(80)의 정해진 위치에 플레이스하고, 발광 다이오드(20)를 제2 스탬퍼(70)로부터 릴리즈할 수 있다. 이에 따라 발광 다이오드(20)는 디스플레이 기판(80)에 수직 실장될 수 있다. The light emitting diode transfer may place the light emitting diode 20 at a predetermined position on the display substrate 80 and release the light emitting diode 20 from the second stamper 70 . Accordingly, the light emitting diode 20 may be vertically mounted on the display substrate 80 .

한편, 디스플레이 기판(80)에는 후술하는 바와 같이, 제1 전극 및 제2 전극이 구비될 수 있다. 발광 다이오드 트랜스퍼는 발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231) 및 제2 반도체층(232)이 제1 전극 및 제2 전극과 각각 전기적으로 연결되도록 발광 다이오드(20)를 디스플레이 기판(80) 상에 플레이스할 수 있다. Meanwhile, as described below, the display substrate 80 may include a first electrode and a second electrode. The light emitting diode transfer connects the light emitting diode 20 to the display substrate 80 so that the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 of the light emitting diode 20 are electrically connected to the first electrode and the second electrode, respectively. You can place it on the table.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 16은 도 15의 디스플레이 장치의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 17은 도 16에 도시된 컨택부를 형성하는 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 15 is a plan view schematically illustrating a display device manufactured according to an embodiment of the present invention. 16 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a cross section A-A' of the display device of FIG. 15 . 17 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of forming the contact unit shown in FIG. 16 .

도 15 및 도 16을 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 기판(80) 및 디스플레이 기판(80) 상의 발광 다이오드(20)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드(20)는 제1 반도체층(231)과 제2 반도체층(232)이 좌우로 외부에 노출되도록 수직으로 디스플레이 기판(80) 상에 실장되어 있다. 15 and 16 , the display apparatus 100 may include a display substrate 80 and a light emitting diode 20 on the display substrate 80 . The light emitting diode 20 is vertically mounted on the display substrate 80 so that the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 are exposed left and right to the outside.

디스플레이 기판(80)은 기판(201), 기판(201) 상의 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT) 상의 평탄화층(205)을 포함할 수 있으며, 평탄화층(205) 상에는 비아홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 제1 전극(211)이 형성될 수 있다. 또한, 평탄화층(205) 상에는 제2 전극(213)이 형성될 수 있다. 제2 전극(213)은 평탄화층(205) 하부의 복수의 절연막들 중 하나의 절연막 상에 형성된 보조 배선(223)과 컨택홀을 통해 연결될 수 있다. 도 16에서는 층간 절연막(204) 상에 보조 배선(223)이 형성되어 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 보조 배선(223)은 게이트 절연막(203) 상에 형성될 수 있다. The display substrate 80 may include a substrate 201 , a thin film transistor (TFT) on the substrate 201 , and a planarization layer 205 on the thin film transistor (TFT), and a thin film transistor on the planarization layer 205 through a via hole. A first electrode 211 connected to the TFT may be formed. Also, a second electrode 213 may be formed on the planarization layer 205 . The second electrode 213 may be connected to the auxiliary wiring 223 formed on one of the plurality of insulating layers under the planarization layer 205 through a contact hole. Although the auxiliary wiring 223 is formed on the interlayer insulating layer 204 in FIG. 16 , the embodiment is not limited thereto, and the auxiliary wiring 223 may be formed on the gate insulating layer 203 .

기판(201) 상에는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NA)이 정의될 수 있다. 표시 영역(DA)에는 발광 다이오드(20)가 배치되고, 비표시 영역(NA)에는 전원 배선 등이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NA)에는 패드부(250)가 배치될 수 있다. On the substrate 201 , a display area DA and a non-display area NA may be defined outside the display area DA. The light emitting diode 20 may be disposed in the display area DA, and power wiring may be disposed in the non-display area NA. Also, the pad part 250 may be disposed in the non-display area NA.

기판(201)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(201)은 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(201)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The substrate 201 may include various materials. For example, the substrate 201 may be made of a transparent glass material containing silicon dioxide (SiO 2 ) as a main component. However, the substrate 201 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material to have flexibility. Plastic materials are insulating organic materials such as polyethersulfone (PES, polyethersulphone), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyetherimide (PEI, polyetherimide), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET, polyethyeleneterepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate: CAP) may be an organic material selected from the group consisting of.

기판(201) 상에는 버퍼층(202)이 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 기판(201)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(201)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(202)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. A buffer layer 202 may be formed on the substrate 201 . The buffer layer 202 may provide a flat surface on the substrate 201 , and may block foreign matter or moisture from penetrating through the substrate 201 . For example, the buffer layer 202 may include an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide or titanium nitride, or an organic material such as polyimide, polyester, or acrylic. may be contained, and may be formed into a laminate of a plurality of the exemplified materials.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include an active layer 207 , a gate electrode 208 , a source electrode 209a , and a drain electrode 209b .

이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(207), 게이트 전극(208), 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.Hereinafter, a case in which the thin film transistor TFT is a top gate type in which the active layer 207 , the gate electrode 208 , the source electrode 209a , and the drain electrode 209b are sequentially formed will be described. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFTs) such as a bottom gate type may be employed.

활성층(207)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(207)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(207)은 유기 반도체 물질, 산화물 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The active layer 207 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or poly crystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and the active layer 207 may contain various materials. In an alternative embodiment, the active layer 207 may contain an organic semiconductor material, an oxide semiconductor material, or the like.

게이트 절연막(203)은 활성층(207) 상에 형성된다. 게이트 절연막(203)은 활성층(207)과 게이트 전극(208)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(203)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. A gate insulating film 203 is formed on the active layer 207 . The gate insulating layer 203 insulates the active layer 207 from the gate electrode 208 . The gate insulating layer 203 may be formed of a multilayer or single layer made of an inorganic material such as silicon oxide and/or silicon nitride.

게이트 전극(208)은 게이트 절연막(203)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(208)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다. 게이트 전극(208)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(208)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 208 is formed on the gate insulating film 203 . The gate electrode 208 may be connected to a gate line (not shown) that applies an on/off signal to the thin film transistor TFT. The gate electrode 208 may be formed of a low-resistance metal material. The gate electrode 208 is formed of, for example, aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), or magnesium (Mg) in consideration of adhesion to an adjacent layer, surface flatness of the layer to be laminated, and workability. , gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W) , copper (Cu) may be formed as a single layer or a multi-layered material.

게이트 전극(208) 상에는 층간 절연막(204)이 형성된다. 층간 절연막(204)은 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)과 게이트 전극(208)을 절연한다. 층간 절연막(204)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating film 204 is formed on the gate electrode 208 . The interlayer insulating film 204 insulates the source electrode 209a and the drain electrode 209b and the gate electrode 208 . The interlayer insulating layer 204 may be formed as a multilayer or a single layer made of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride, specifically, the inorganic material is silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide ( TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), or zinc oxide (ZrO2) may be included.

층간 절연막(204) 상에 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)이 형성된다. 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)은 활성층(207)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉하도록 형성된다.A source electrode 209a and a drain electrode 209b are formed on the interlayer insulating film 204 . The source electrode 209a and the drain electrode 209b are aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) as a single or multi-layered material can be formed. The source electrode 209a and the drain electrode 209b are formed to contact the source region and the drain region of the active layer 207 , respectively.

한편, 층간 절연막(204) 상에 보조 배선(223)이 형성될 수 있다. 보조 배선(223)은 소스 전극(209a) 및 드레인 전극(209b)과 동일한 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. Meanwhile, an auxiliary wiring 223 may be formed on the interlayer insulating layer 204 . The auxiliary wiring 223 may be formed of the same material as the source electrode 209a and the drain electrode 209b in a single layer or in multiple layers.

평탄화층(205)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(205)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 할 수 있다. 평탄화층(205)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(205)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The planarization layer 205 is formed on the thin film transistor (TFT). The planarization layer 205 may be formed to cover the thin film transistor TFT, so as to eliminate a step caused by the thin film transistor TFT and to make the top surface flat. The planarization layer 205 may be formed as a single layer or a multilayer film made of an organic material. Organic materials include general-purpose polymers such as Polymethylmethacrylate (PMMA) or Polystylene (PS), polymer derivatives having phenolic groups, acrylic polymers, imide-based polymers, arylether-based polymers, amide-based polymers, fluorine-based polymers, and p-xylene-based polymers. Polymers, vinyl alcohol-based polymers, and blends thereof may be included. Also, the planarization layer 205 may be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화층(205) 상에는 제1 전극(211)과 제2 전극(213)이 배치될 수 있다. A first electrode 211 and a second electrode 213 may be disposed on the planarization layer 205 .

제1 전극(211)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(211)은 평탄화층(205)에 형성된 비아홀을 통하여 드레인 전극(209b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(211)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. The first electrode 211 may be electrically connected to the thin film transistor TFT. Specifically, the first electrode 211 may be electrically connected to the drain electrode 209b through a via hole formed in the planarization layer 205 . The first electrode 211 may have various shapes, for example, may be patterned and formed in an island shape.

제1 전극(211)과 제2 전극(213)은 서로 이격되어 전기적으로 분리되도록 형성될 수 있다. The first electrode 211 and the second electrode 213 may be formed to be electrically separated from each other.

발광 다이오드(20)는 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 발광 다이오드(20)는 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(232) 및, 제1 반도체층(231)과 제2 반도체층(232) 사이의 중간층(233)을 포함할 수 있다.The light emitting diode 20 emits red, green, or blue light, and white light can also be implemented by using a fluorescent material or combining colors. The light emitting diode 20 may include a first semiconductor layer 231 , a second semiconductor layer 232 , and an intermediate layer 233 between the first semiconductor layer 231 and the second semiconductor layer 232 .

발광 다이오드(20)의 제1 반도체층(231)은 제1 전극(211)과 직접 또는 제1 컨택부(236)를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 반도체층(232)은 제2 전극(213)과 직접 또는 제2 컨택부(237)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. The first semiconductor layer 231 of the light emitting diode 20 is electrically connected to the first electrode 211 directly or through the first contact portion 236 , and the second semiconductor layer 232 is connected to the second electrode 213 . ) and may be electrically connected directly or through the second contact unit 237 .

제1 컨택부(236) 및 제2 컨택부(237)는 다양한 형태로 형성될 수 있다. 제1 컨택부(236) 및 제2 컨택부(237)는 발광 다이오드(20)가 디스플레이 기판(80)에 실장된 후 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 17에 도시된 바와 같이, 디스플레이 기판(80)에 발광 다이오드(20)를 실장한 후, 디스플레이 기판(80)을 소정 각도로 기울인 상태에서 마스크(300)를 사용하여 금속을 증착함으로써 제1 컨택부(236) 및 제2 컨택부(237)를 형성할 수 있다. 디스플레이 기판(80)을 소정 각도로 좌우로 두 번 기울여 제1 컨택부(236) 및 제2 컨택부(237)를 각각 형성할 수 있다. The first contact part 236 and the second contact part 237 may be formed in various shapes. The first contact portion 236 and the second contact portion 237 may be formed after the light emitting diode 20 is mounted on the display substrate 80 . For example, as shown in FIG. 17 , after the light emitting diode 20 is mounted on the display substrate 80 , metal is deposited using the mask 300 in a state where the display substrate 80 is tilted at a predetermined angle. Thus, the first contact portion 236 and the second contact portion 237 may be formed. The first contact portion 236 and the second contact portion 237 may be respectively formed by tilting the display substrate 80 to the right and left at a predetermined angle twice.

제1 컨택부(236) 및 제2 컨택부(237)는 전술된 실시예에 한정되지 않고, 에어로졸 제트 방식의 3D 프린팅 기법 등 다양한 방식으로 형성될 수 있다. The first contact unit 236 and the second contact unit 237 are not limited to the above-described embodiment, and may be formed in various ways, such as an aerosol jet 3D printing technique.

전술된 본 발명의 실시예들은 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼할 때 발광 다이오드의 레이어 적층 방향을 90도 회전시킴으로써 발광 다이오드의 에칭 공정이 필요 없고, 컨택 전극을 발광 다이오드 면적 손실 없이 간단하게 형성할 수 있다. 발광 다이오드 면적 손실이 없기 때문에 발광 면적의 손실이 줄어들어 발광 효율이 증가할 수 있다. The above-described embodiments of the present invention eliminate the need for an etching process of the light emitting diode by rotating the layer stacking direction of the light emitting diode by 90 degrees when transferring the light emitting diode from the base substrate to the display substrate, and the contact electrode can be simply replaced without loss of area of the light emitting diode. can be formed Since there is no loss in the area of the light emitting diode, the loss of the light emitting area may be reduced, and thus light emitting efficiency may be increased.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiments are possible therefrom. Accordingly, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (16)

발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법에 있어서,
상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계;
상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 상기 발광 다이오드를 90도 회전 배치하는 단계;
상기 제1 스탬퍼 또는 희생 기판에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및
상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate, the method comprising:
picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper;
rotating the light emitting diode by 90 degrees on the first stamper or the sacrificial substrate;
picking up the light emitting diodes rotationally disposed on the first stamper or the sacrificial substrate by a second stamper; and
and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 회전 배치 단계는,
상기 발광 다이오드가 부착된 제1 스탬퍼를 회전시키는 단계; 및
상기 제1 스탬퍼에 부착된 상기 발광 다이오드를 프레스하여 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.The method of claim 1, wherein the rotational arrangement of the light emitting diode comprises:
rotating the first stamper to which the light emitting diode is attached; and
and rotating the light emitting diode by 90 degrees by pressing the light emitting diode attached to the first stamper. 제2항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 90도 회전에 의해, 상기 제1 스탬퍼 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.3. The method of claim 2,
By rotating the light emitting diode by 90 degrees, the layer stacking direction of the light emitting diode on the first stamper is perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diode on the base substrate. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 회전 배치 단계는,
상기 제1 스탬퍼에 부착된 상기 발광 다이오드를 상기 희생 기판에 릴리즈하는 단계; 및
상기 희생 기판을 인장시켜 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;를 포함하는, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.The method of claim 1, wherein the rotational arrangement of the light emitting diode comprises:
releasing the light emitting diode attached to the first stamper to the sacrificial substrate; and
and rotating the light emitting diode by 90 degrees by tensioning the sacrificial substrate. 제4항에 있어서,
상기 희생 기판의 상면은 접착력을 갖는 제1 영역과 접착력이 없는 제2 영역을 갖고,
상기 희생 기판의 인장에 의해, 상기 제1 영역에 부착된 상기 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.5. The method of claim 4,
The upper surface of the sacrificial substrate has a first area having an adhesive force and a second area having no adhesive force,
The light emitting diode transfer method, wherein the layer stacking direction of the light emitting diodes attached to the first region is perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diodes on the base substrate by the tension of the sacrificial substrate. 제5항에 있어서,
상기 희생 기판의 상면은 상기 희생 기판의 바닥 면에 수직인 제1 영역과 상기 제1 영역과 예각을 갖는 제2 영역을 구비한, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.6. The method of claim 5,
An upper surface of the sacrificial substrate includes a first region perpendicular to a bottom surface of the sacrificial substrate and a second region having an acute angle with the first region. 제6항에 있어서,
상기 희생 기판의 상기 제1 영역에 접착제가 구비된, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.7. The method of claim 6,
An adhesive is provided in the first region of the sacrificial substrate. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는,
상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고,
상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.According to claim 1, wherein the light emitting diode,
In the base substrate, a structure in which a first semiconductor layer, an intermediate layer and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to the surface of the base substrate,
In the display substrate, a structure in which the first semiconductor layer, the intermediate layer, and the second semiconductor layer are stacked in a second direction perpendicular to the first direction, the light emitting diode transfer method. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드를 상기 디스플레이 기판의 동일 레이어 상에 구비된 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결하는 단계;를 더 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.According to claim 1,
and electrically connecting the light emitting diode to a first electrode and a second electrode provided on the same layer of the display substrate. 제9항에 있어서, 상기 발광 다이오드 연결 단계는,
상기 발광 다이오드의 제1 반도체층과 상기 디스플레이 기판의 제1 전극을 연결하는 제1 컨택부 및 상기 발광 다이오드의 제2 반도체층과 상기 디스플레이 기판의 제2 전극을 연결하는 제2 컨택부를 형성하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.10. The method of claim 9, wherein the step of connecting the light emitting diode,
forming a first contact portion connecting the first semiconductor layer of the light emitting diode and the first electrode of the display substrate and a second contact portion connecting the second semiconductor layer of the light emitting diode and the second electrode of the display substrate A light emitting diode transfer method comprising a. 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법에 있어서,
상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계;
상기 발광 다이오드가 부착된 제1 스탬퍼를 회전시키는 단계; 및
상기 제1 스탬퍼에 부착된 발광 다이오드를 프레스하여 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;
상기 제1 스탬퍼에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및
상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함하는 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate, the method comprising:
picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper;
rotating the first stamper to which the light emitting diode is attached; and
rotating the light emitting diode by 90 degrees by pressing the light emitting diode attached to the first stamper;
picking up the light emitting diodes rotationally arranged on the first stamper by a second stamper; and
and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate. 제11항에 있어서,
상기 발광 다이오드의 90도 회전에 의해, 상기 제1 스탬퍼 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.12. The method of claim 11,
By rotating the light emitting diode by 90 degrees, the layer stacking direction of the light emitting diode on the first stamper is perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diode on the base substrate. 제12항에 있어서, 상기 발광 다이오드는,
상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고,
상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.The method of claim 12, wherein the light emitting diode,
In the base substrate, a structure in which a first semiconductor layer, an intermediate layer and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to the surface of the base substrate,
In the display substrate, a structure in which the first semiconductor layer, the intermediate layer, and the second semiconductor layer are stacked in a second direction perpendicular to the first direction, the light emitting diode transfer method. 발광 다이오드를 베이스 기판으로부터 디스플레이 기판으로 트랜스퍼하는 방법에 있어서,
상기 베이스 기판의 발광 다이오드를 제1 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계;
상기 제1 스탬퍼에 부착된 발광 다이오드를 희생 기판으로 릴리즈하는 단계;
상기 희생 기판을 인장시켜 상기 발광 다이오드를 90도 회전시키는 단계;
상기 희생 기판에 회전 배치된 발광 다이오드를 제2 스탬퍼에 의해 픽업하는 단계; 및
상기 발광 다이오드를 상기 제2 스탬퍼로부터 상기 디스플레이 기판으로 릴리즈하는 단계;를 포함하는, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.A method of transferring a light emitting diode from a base substrate to a display substrate, the method comprising:
picking up the light emitting diode of the base substrate by a first stamper;
releasing the light emitting diode attached to the first stamper to the sacrificial substrate;
rotating the light emitting diode by 90 degrees by tensioning the sacrificial substrate;
picking up the light emitting diodes rotationally disposed on the sacrificial substrate by a second stamper; and
and releasing the light emitting diode from the second stamper to the display substrate. 제14항에 있어서,
상기 희생 기판의 상면은 접착력을 갖는 제1 영역과 접착력이 없는 제2 영역을 갖고,
상기 희생 기판의 인장에 의해, 상기 제1 영역에 부착된 상기 발광 다이오드의 레이어 적층 방향이 상기 베이스 기판 상에서 발광 다이오드의 레이어 적층 방향과 수직인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법..15. The method of claim 14,
The upper surface of the sacrificial substrate has a first area having an adhesive force and a second area having no adhesive force,
By stretching the sacrificial substrate, the layer stacking direction of the light emitting diode attached to the first region is perpendicular to the layer stacking direction of the light emitting diode on the base substrate. 제15항에 있어서, 상기 발광 다이오드는,
상기 베이스 기판에서, 상기 베이스 기판의 면에 수직인 제1 방향으로 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 적층된 구조이고,
상기 디스플레이 기판에서, 상기 제1 반도체층, 중간층 및 제2 반도체층이 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 적층된 구조인, 발광 다이오드 트랜스퍼 방법.The method of claim 15, wherein the light emitting diode,
In the base substrate, a structure in which a first semiconductor layer, an intermediate layer and a second semiconductor layer are stacked in a first direction perpendicular to the surface of the base substrate,
In the display substrate, a structure in which the first semiconductor layer, the intermediate layer, and the second semiconductor layer are stacked in a second direction perpendicular to the first direction, the light emitting diode transfer method.
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