KR20200001325A - Micro led picker and micro led transfer system using the same - Google Patents

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KR20200001325A
KR20200001325A KR1020180074140A KR20180074140A KR20200001325A KR 20200001325 A KR20200001325 A KR 20200001325A KR 1020180074140 A KR1020180074140 A KR 1020180074140A KR 20180074140 A KR20180074140 A KR 20180074140A KR 20200001325 A KR20200001325 A KR 20200001325A
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안범모
박승호
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Abstract

The present invention relates to a micro LED adsorbent and a micro LED transfer system using the same, which can more effectively adsorb a micro LED. According to the present invention, the micro LED adsorbent selectively adsorbs the micro LED arranged on a doughnut part by a plurality of adsorption parts.

Description

마이크로 LED 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사 시스템{MICRO LED PICKER AND MICRO LED TRANSFER SYSTEM USING THE SAME}MICRO LED PICKER AND MICRO LED TRANSFER SYSTEM USING THE SAME

본 발명은 마이크로 LED 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED adsorbent and a micro LED transfer system using the same.

현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. 마이크로 LED는, 성형한 수지 등으로 덮인 패키지 타입의 것이 아닌, 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것을 의미한다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다. Currently, the display market is still the mainstream, while OLED is rapidly becoming the mainstream by replacing LCD. As display companies are participating in the OLED market rush, Micro LED (hereinafter referred to as “micro LED”) display is emerging as another next generation display. The micro LED means not a package type covered with molded resin or the like, but a state cut out from a wafer used for crystal growth. Whereas the core materials of LCD and OLED are liquid crystal and organic materials, micro LED display is a display that uses LED chip of 1 ~ 100 micrometer (μm) unit as light emitting material.

Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다. When Cree applied for a patent on "Micro-light Emitting Diode Arrays with Improved Light Extraction" in 1999 (Registration No. 0731673), the research and development has been published since the publication of the term micro LED. This is being done. The challenge to apply micro LEDs to displays requires the development of custom microchips based on flexible materials / devices for micro-LED devices, and the accuracy of transfer and display pixel electrodes of micrometer-sized LED chips. There is a need for technology for mounting.

특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다. In particular, in connection with the transfer for transferring the micro LED device to the display substrate, as the LED size is reduced to the unit of 1-100 micrometers (μm), it is not possible to use the existing pick & place equipment, There is a need for a transfer head technology that transfers more precisely. In relation to the transfer head technology, several structures as described below have been proposed, but each proposed technology has some disadvantages.

미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함). 선행발명1의 전사원리는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법은 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다. Luxvue of the United States has proposed a method for transferring a micro LED using an electrostatic head (Public Patent Publication No. 2014-0112486, hereinafter referred to as "prior invention 1"). The transfer principle of the present invention 1 is a principle of generating adhesion between the micro LED and the charging by applying a voltage to a head part made of silicon. This method may cause a problem of micro LED damage due to a charging phenomenon due to the voltage applied to the head during the electrostatic induction.

미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). 이 방법은 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성 전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다. X-Celeprint Inc. of the United States proposed a method of transferring a micro LED on a wafer to a desired substrate by applying a transfer head as an elastic polymer material (Publication Publication No. 2017-0019415, hereinafter referred to as `` Prevention 2 ''). box). This method has no problems with LED damage compared to the electrostatic head method, but it can transfer micro LEDs stably when the transfer force of the elastic transfer head is larger than the adhesive force of the target substrate, and requires an additional process for electrode formation. There are disadvantages. In addition, maintaining the adhesive strength of the elastomeric material is also a very important factor.

한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). 그러나 선행발명3은 섬모의 접착구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점이 있다. The Korean Institute of Optical Technology proposed a method for transferring micro LEDs using a cilia adhesive structure head (registered patent publication No. 1754528, hereinafter referred to as 'prior invention 3'). However, the preceding invention 3 has a disadvantage in that it is difficult to manufacture the adhesive structure of the cilia.

한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). 그러나 선행발명4는 접착제의 지속적인 사용이 필요하고, 롤러 가압 시 마이크로 LED가 손상될 수도 있는 단점이 있다. The Korea Institute of Machinery and Materials proposed a method of transferring micro LEDs by coating an adhesive on a roller (registered patent publication No. 1757404, hereinafter referred to as 'prior invention 4'). However, the present invention 4 requires the continuous use of the adhesive, and there is a disadvantage that the micro LED may be damaged when the roller is pressed.

삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함). 그러나 선행발명 5는 마이크로 LED를 용액에 담가 어레이 기판에 전사한다는 점에서 별도의 용액이 필요하고 이후 건조공정이 필요하다는 단점이 있다.Samsung Display proposed a method of transferring micro LEDs to an array substrate by electrostatic induction by applying a negative voltage to the first and second electrodes of the array substrate while the array substrate is in solution. 2017-0026959, hereinafter referred to as `` First Invention 5 ''). However, the prior invention 5 has a disadvantage in that a separate solution is required in that the micro LED is transferred to the array substrate by soaking in a solution, and then a drying process is required.

엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). 그러나 선행발명 6은 복수의 픽업헤드들의 접착면에 접착력을 가지는 본딩물질을 도포하여 마이크로 LED를 전사하는 방식이라는 점에서, 픽업헤드에 본딩물질을 도포하는 별도의 공정이 필요하다는 단점이 있다. LG Electronics has proposed a method of arranging a head holder between a plurality of pickup heads and a substrate and deforming its shape by the movement of the plurality of pickup heads to provide a degree of freedom to the plurality of pickup heads. -2017-0024906, hereinafter referred to as 'prior invention 6'). However, the present invention 6 is a method of transferring a micro LED by applying a bonding material having an adhesive force to the adhesive surface of the plurality of pickup heads, there is a disadvantage that a separate process for applying a bonding material to the pickup head is required.

위와 같은 선행발명들의 문제점을 해결하기 위해서는 선행발명들이 채택하고 있는 기본 원리를 그대로 채용하면서 전술한 단점들을 개선해야 하는데, 이와 같은 단점들은 선행발명들이 채용하고 있는 기본 원리로부터 파생된 것이어서 기본 원리를 유지하면서 단점들을 개선하는 데에는 한계가 있다. 이에 본 발명의 출원인은 이러한 종래기술의 단점들을 개선하는데 그치지 않고, 선행 발명들에서는 전혀 고려하지 않았던 새로운 방식을 제안하고자 한다. In order to solve the problems of the preceding inventions, the above-mentioned disadvantages should be improved while adopting the basic principles adopted by the preceding inventions. These disadvantages are derived from the basic principles adopted by the preceding inventions. There are limits to improving the shortcomings. Accordingly, the applicant of the present invention is not only to improve the disadvantages of the prior art, but to propose a new method that has not been considered in the prior inventions at all.

성장기판에서 성장된 후 개별화된 마이크로 LED는 각각의 가로, 세로 길이가 수십㎛이고, 각각의 피치 간격은 수십 ㎛ 이하인 상태에서 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된다. 이렇게 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된 마이크로 LED를 진공 흡착홀을 이용하여 한꺼번에 흡착하여 전사하기 위해서는 흡착플레이트에 그 폭이 수십 ㎛ 이하로 흡착홀을 형성해야 하고, 또한 진공 흡착홀을 마이크로 LED의 각각의 피치 간격과 동일한 피치 간격으로 형성해야 한다. 다시 말해 기판 상에 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된 마이크로 LED 전부를 한꺼번에 진공 흡착하기 위해 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된 진공 흡착홀을 형성하여야 한다.After growing on the growth substrate, the individualized micro LEDs are arranged in a matrix form of m rows x n columns, each having a width and a length of several tens of micrometers and a pitch interval of several tens of micrometers or less. In order to adsorb and transfer micro LEDs arranged in a matrix form of m rows x n columns at one time using a vacuum suction hole, a suction hole having a width of several tens of micrometers or less must be formed on the suction plate, and the vacuum suction holes are micro LEDs. It should be formed at the same pitch interval as each pitch interval of. In other words, in order to vacuum-suck all micro LEDs arranged in a matrix of m rows by n columns on the substrate, vacuum suction holes arranged in a matrix of m rows by n columns should be formed.

여기서 흡착플레이트에 진공 흡착홀을 별도로 형성하기 위해서는 레이저나 에칭 등의 방식을 이용해야 하는데, 레이저나 에칭 등을 이용해서 미세 폭을 갖는 흡착홀을 형성하기 위해서는 기본적으로 흡착플레이트의 두께가 매우 얇아야 한다. 한편, 흡착홀을 기판 상에 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된 마이크로 LED와 1:1로 대응되게 형성하는 경우에는 흡착홀 간의 이격 거리가 마이크로 LED의 피치간격 만큼 짧아야 한다. In order to form vacuum adsorption holes separately on the adsorption plate, a laser or etching method should be used. In order to form adsorption holes having a fine width using laser or etching, the adsorption plate should be very thin. do. On the other hand, in the case where the adsorption holes are formed in a 1: 1 correspondence with the micro LEDs arranged in a matrix of m rows x n columns on the substrate, the separation distance between the adsorption holes should be as short as the pitch interval of the micro LEDs.

이처럼 기판 상에 m행×n열의 매트릭스 형태로 배치된 마이크로 LED와 1:1로 대응되게 흡착플레이트에 흡착홀을 형성할 경우에는, 흡착플레이트의 강성이 크게 저하되어 휨이 발생하거나 파손되기 쉬운 상태가 되므로 설사 흡착홀을 m행×n열의 매트릭스 형태로 형성하더라도 마이크로 LED를 제대로 흡착할 수 없는 문제점이 발생하게 된다. As described above, when the adsorption holes are formed in the adsorption plate in a 1: 1 correspondence with the micro LEDs arranged in a matrix of m rows x n columns on the substrate, the stiffness of the adsorption plate is greatly lowered and warpage may easily occur or break. Therefore, even if the adsorption holes are formed in a matrix form of m rows x n columns, there is a problem that micro LEDs cannot be properly adsorbed.

정전기력, 자기력, 반데르발스력, 접착력을 이용한 전사헤드와는 달리, 진공흡입력을 이용한 전사헤드의 경우에는 흡착플레이트를 관통하는 흡착홀을 형성하게 되면, 흡착홀이 차지하는 부피만큼 흡착플레이트 내부가 제거되므로 흡착플레이트의 강성이 저하된다. 따라서 진공 흡입력을 이용한 전사헤드 입장에서는 마이크로 LED를 진공 흡착하기 위한 흡착홀은 긍정적인 구성임에도 그 존재로 인하여 흡착플레이트의 강성이 저하되는 부정적인 요소가 되는 모순적인 문제점이 발생하게 된다.Unlike the transfer head using electrostatic force, magnetic force, van der Waals force, and adhesive force, in the case of the transfer head using vacuum suction input, if the suction hole penetrates the suction plate, the inside of the suction plate is removed by the volume occupied by the suction hole. Therefore, the rigidity of the adsorption plate is lowered. Therefore, from the standpoint of the transfer head using the vacuum suction force, even though the adsorption hole for vacuum adsorption of the micro LED is a positive configuration, there is a contradictory problem that becomes a negative factor that decreases the rigidity of the adsorption plate due to its presence.

등록특허공보 등록번호 제0731673호Registered Patent Publication No. 0731673 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호Published Patent Publication No. 2014-0112486 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호Korean Laid-Open Patent Publication No. 2017-0019415 등록특허공보 등록번호 제1754528호Registered Patent Publication No. 1754528 등록특허공보 등록번호 제1757404호Registered Patent Publication No. 1757404 공개특허공보 제10-2017-0026959호Patent Publication No. 10-2017-0026959 공개특허공보 제10-2017-0024906호Patent Publication No. 10-2017-0024906

이에 본 발명은 현재까지 제안된 마이크로 LED 전사시스템의 문제점을 해결하고 마이크로 LED를 보다 효과적으로 흡착할 수 있는 마이크로 LED 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the proposed micro LED transfer system and to provide a micro LED adsorber and a micro LED transfer system using the same.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 1배수의 거리인 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object of the present invention, the micro LED adsorbent according to the present invention is a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion with a plurality of adsorption portions, the adsorption portion in the x, y direction Disposed at regular intervals, wherein the adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with a vacuum suction force applied to the adsorption hole, and the distance in the x direction between the adsorption parts is equal to the donor part. The distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed, the y-direction separation distance between the adsorption portion is characterized in that the distance of one times the pitch interval of the y direction of the micro LED disposed on the donor.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리인 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED adsorbent according to the present invention, in the micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor unit by a plurality of adsorption unit, the adsorption unit is arranged at regular intervals in the x, y direction, The adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LEDs by the vacuum suction force applied to the adsorption holes, and the distance between the adsorption parts in the x direction of the micro LEDs disposed in the donor part It is a distance of three times the pitch interval, the y-direction spacing distance between the adsorption portion is characterized in that the distance of three times the pitch interval of the y direction of the micro LED disposed on the donor.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서, 상기 흡착부는 대각선 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 대각선 방향의 피치간격과 동일한 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED adsorber according to the present invention, in the micro LED adsorber for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion by a plurality of adsorption portion, the adsorption portion is arranged at a predetermined interval in the diagonal direction, the adsorption portion At least one adsorption hole penetrates through an adsorption plate to adsorb the micro LEDs by a vacuum suction force applied to the adsorption holes, and a diagonal distance between the adsorption parts is a diagonal pitch of the micro LEDs disposed on the donor part. It is characterized by the same as.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 2배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 2배수의 거리인 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED adsorbent according to the present invention, in the micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor unit by a plurality of adsorption unit, the adsorption unit is arranged at regular intervals in the x, y direction, The adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LEDs by the vacuum suction force applied to the adsorption holes, and the distance between the adsorption parts in the x direction of the micro LEDs disposed in the donor part It is a distance of twice the pitch interval, y-distance distance between the adsorption portion is characterized in that the distance of twice the pitch interval of the y direction of the micro LED disposed in the donor.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템은, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하고, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 1배수의 거리이며, 상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system including the micro LED adsorber according to the present invention includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed on the donor portion with a plurality of adsorption portions, the adsorption portion x, y direction Disposed at regular intervals, wherein the adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with a vacuum suction force applied to the adsorption hole, and the distance in the x direction between the adsorption parts is equal to the donor part. A distance of three times the pitch interval in the x direction of the disposed micro LEDs, a distance in the y direction between the adsorption portions is a distance of one times the pitch interval in the y direction of the micro LEDs disposed in the donor portion, and the donor portion includes: A first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed, wherein the micro LED adsorber drives the first to third micro LEDs while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate. The first to third micro LEDs are transferred to the target substrate to form a 1 × 3 pixel array.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템은, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리이며, 상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 3도너 기판과 목표 기판 사이를 9회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system including a micro LED adsorber according to the present invention includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed on the donor portion with a plurality of adsorption portion, the adsorption portion x, y direction Disposed at regular intervals, wherein the adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with a vacuum suction force applied to the adsorption hole, and the distance in the x direction between the adsorption parts is equal to the donor part. A distance of three times the pitch interval in the x direction of the disposed micro LEDs, a distance in the y direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the y direction of the micro LEDs disposed in the donor portion, A first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed, wherein the micro LED adsorber is configured to cause the first to third micro LEDs to reciprocate nine times between the first to third donor substrates and the target substrate. It is characterized by forming a 1x3 pixel array by transferring to a target substrate.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템은, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리이며, 상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 3×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system including a micro LED adsorber according to the present invention includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed on the donor portion with a plurality of adsorption portion, the adsorption portion x, y direction Disposed at regular intervals, wherein the adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with a vacuum suction force applied to the adsorption hole, and the distance in the x direction between the adsorption parts is equal to the donor part. A distance of three times the pitch interval in the x direction of the disposed micro LEDs, a distance in the y direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the y direction of the micro LEDs disposed in the donor portion, A first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed, wherein the micro LED adsorber is configured to cause the first to third micro LEDs to reciprocate between the first to third donor substrates and the target substrate three times. It is characterized by forming a 3x3 pixel array by transferring to a target substrate.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템은, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되, 상기 흡착부는 대각선 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 대각선 방향의 피치간격과 동일하며, 상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent according to the present invention includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed on the donor portion with a plurality of adsorption units, the adsorption unit constant in a diagonal direction It is disposed at intervals, the adsorption portion is provided with at least one adsorption hole through the adsorption plate to adsorb the micro LED by the vacuum suction force applied to the adsorption hole, the diagonal distance between the adsorption portion is disposed in the donor portion It is equal to the pitch interval in the diagonal direction of the micro LED, the donor portion, the first donor substrate on which the first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed, wherein the micro LED adsorber drives the first to third micro LEDs while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate. The first to third micro LEDs are transferred to the target substrate to form a 1 × 3 pixel array.

한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템은, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되, 상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 2배수의 거리이고, 상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 2배수의 거리이며, 상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 2×2 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the micro LED transfer system including a micro LED adsorber according to the present invention includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed on the donor portion with a plurality of adsorption portion, the adsorption portion x, y direction Disposed at regular intervals, wherein the adsorption part has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with a vacuum suction force applied to the adsorption hole, and the distance in the x direction between the adsorption parts is equal to the donor part. A distance of twice the pitch interval in the x direction of the disposed micro LEDs, a distance in the y direction between the adsorption units is a distance of twice the pitch interval in the y direction of the micro LEDs disposed in the donor unit, and the donor unit includes: A first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed, wherein the micro LED adsorber drives the first to third micro LEDs while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate. The first to third micro LEDs are transferred to the target substrate to form a 2 × 2 pixel array.

또한, 상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판 중 어느 하나의 기판과 목표 기판 사이를 1회 이동하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED 중 어느 하나의 마이크로 LED를 추가로 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 2×2 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the micro LED adsorber is moved between the substrate of any one of the first to third donor substrate and the target substrate once to further add the micro LED of any one of the first to third micro LEDs. The first to third micro LEDs are transferred to a substrate to form a 2 × 2 pixel array.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED 흡착체 및 이를 이용한 마이크로 LED 전사시스템은, 마이크로 LED를 보다 효과적으로 흡착하여 전사할 수 있게 된다.As described above, the micro LED adsorbent according to the present invention and the micro LED transfer system using the same can more effectively absorb and transfer the micro LED.

도 1은 본 발명의 실시예의 전사 대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3a, 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 제1실시예를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 제2실시예를 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 제3실시예를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 제4실시예를 나타내는 도면.
도 7, 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제1실시예를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제2실시예를 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제3실시예를 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제4실시예를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제4실시예의 변형례를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제5실시예를 나타내는 도면.1 is a view showing a micro LED to be the transfer target of the embodiment of the present invention.
2 is a view of a micro LED structure is transferred to the display substrate mounted in accordance with an embodiment of the present invention.
3A and 3B show a first embodiment of a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a view showing a second embodiment of a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention.
5 is a view showing a third embodiment of the micro LED adsorber according to the preferred embodiment of the present invention.
6 is a view showing a fourth embodiment of the micro LED adsorber according to the preferred embodiment of the present invention.
7 and 8 show a first embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention;
9 illustrates a second embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention.
10 shows a third embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention;
11 illustrates a fourth embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention.
12 is a view showing a modification of the fourth embodiment of the micro transcription system according to the preferred embodiment of the present invention.
13 shows a fifth embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention;

이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art may implement the principles of the invention and invent various devices included in the concept and scope of the invention, although not explicitly described or illustrated herein. In addition, all conditional terms and embodiments listed herein are in principle clearly intended to be understood only for the purpose of understanding the concept of the invention and are not to be limited to the specifically listed embodiments and states. .

상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above objects, features, and advantages will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, and thus, it will be possible to easily implement the technical idea of self-invention having ordinary skill in the art. .

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and / or perspective views, which are ideal exemplary views of the invention. The thicknesses of the films and regions and the diameters of the holes shown in these figures are exaggerated for the effective explanation of the technical contents. The shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. In addition, the number of micro-LEDs shown in the drawings is only a part of the drawings for illustrative purposes. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in forms generated according to manufacturing processes.

다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In various embodiments of the present disclosure, components that perform the same function will be given the same names and the same reference numbers for convenience, even though the embodiments are different. In addition, the configuration and operation already described in another embodiment will be omitted for convenience.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 흡착 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(100)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.1 is a diagram illustrating a plurality of micro LEDs 100 to be adsorbed by a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention. The micro LED 100 is fabricated and positioned on the growth substrate 101.

성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The growth substrate 101 may be made of a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the growth substrate 101 may be formed of at least one of sapphire, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 .

마이크로 LED(100)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.The micro LED 100 may include a first semiconductor layer 102, a second semiconductor layer 104, an active layer 103 formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104, and a first contact electrode ( 106 and a second contact electrode 107.

제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.The first semiconductor layer 102, the active layer 103, and the second semiconductor layer 104 may be formed of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), or plasma chemical vapor deposition (CVD). Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), or the like.

제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 102 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped. The second semiconductor layer 104 may be formed, for example, including an n-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN , AlInN, and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, and the like may be doped.

다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the first semiconductor layer 102 may include an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 104 may include a p-type semiconductor layer.

활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 103 is a region where electrons and holes are recombined. The active layer 103 may transition to a low energy level as the electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength. The active layer 103 may include, for example, a semiconductor material having a compositional formula of InxAlyGa1-x-yN (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and It may be formed of a quantum well structure or a multi quantum well structure (MQW). In addition, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.The first contact electrode 106 may be formed on the first semiconductor layer 102, and the second contact electrode 107 may be formed on the second semiconductor layer 104. The first contact electrode 106 and / or the second contact electrode 107 may comprise one or more layers and may be formed of various conductive materials including metals, conductive oxides and conductive polymers.

성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다. The plurality of micro LEDs 100 formed on the growth substrate 101 are cut along the cutting line using a laser or the like, or separately separated by an etching process, and the plurality of micro LEDs 100 are separated by the laser lift-off process. It can be made to be in a state detachable from 101.

도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다. 도 1에는 마이크로 LED(100)의 단면 형상이 원형인 것을 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니고 사각 단면 등과 같이 성장기판(101)에서 제작되는 방법에 따라 원형 단면이 아닌 다른 단면 형상을 가질 수 있다.In Figure 1 'p' means the pitch interval between the micro LED 100, 's' means the separation distance between the micro LED 100, 'w' means the width of the micro LED (100). Although FIG. 1 illustrates that the cross-sectional shape of the micro LED 100 is circular, the present invention is not limited thereto and may have a cross-sectional shape other than a circular cross-section according to a method of manufacturing the growth substrate 101 such as a rectangular cross section.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체에 의해 표시 기판으로 이송되어 실장됨에 따라 형성된 마이크로 LED 구조체를 도시한 도면이다. FIG. 2 is a view illustrating a micro LED structure formed by being transferred to a display substrate by a micro LED adsorbent according to a preferred embodiment of the present invention.

표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.The display substrate 300 may include various materials. For example, the display substrate 300 may be made of a transparent glass material mainly containing SiO 2 . However, the display substrate 300 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material to have solubility. Plastic materials include insulating polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET) polyethyeleneterepthalate, polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose tri acetate (TAC), cellulose acetate propionate: CAP) may be an organic material selected from the group consisting of.

화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.When the image is a bottom emission type implemented in the direction of the display substrate 300, the display substrate 300 should be formed of a transparent material. However, when the image is a top emission type that is implemented in a direction opposite to the display substrate 300, the display substrate 300 may not necessarily be formed of a transparent material. In this case, the display substrate 300 may be formed of metal.

금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the display substrate 300 is formed of metal, the display substrate 300 may include at least one selected from the group consisting of iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel (SUS), Invar alloy, Inconel alloy, and Kovar alloy. It may include, but is not limited thereto.

표시 기판(300)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다. The display substrate 300 may include a buffer layer 311. The buffer layer 311 may provide a flat surface and may block foreign matter or moisture from penetrating. For example, the buffer layer 311 may be formed of inorganic materials such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, or titanium nitride, or organic materials such as polyimide, polyester, and acryl. And may be formed of a plurality of laminates of the illustrated materials.

박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT may include an active layer 310, a gate electrode 320, a source electrode 330a, and a drain electrode 330b.

이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.Hereinafter, the thin film transistor TFT will be described as a top gate type in which the active layer 310, the gate electrode 320, the source electrode 330a, and the drain electrode 330b are sequentially formed. However, the present embodiment is not limited thereto, and various types of thin film transistors (TFTs), such as a bottom gate type, may be employed.

활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. The active layer 310 may include a semiconductor material, for example, amorphous silicon or poly crystalline silicon. However, the present embodiment is not limited thereto, and the active layer 310 may contain various materials. In some embodiments, the active layer 310 may contain an organic semiconductor material.

또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.In another alternative embodiment, the active layer 310 may contain an oxide semiconductor material. For example, the active layer 310 may be formed of Group 12, 13, 14 metal elements such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn) cadmium (Cd), germanium (Ge), and combinations thereof. Oxides of the selected materials.

게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 313 is formed on the active layer 310. The gate insulating layer 313 insulates the active layer 310 and the gate electrode 320. The gate insulating layer 313 may be formed of a multilayer or a single layer formed of an inorganic material such as silicon oxide and / or silicon nitride.

게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.The gate electrode 320 is formed on the gate insulating layer 313. The gate electrode 320 may be connected to a gate line (not shown) for applying an on / off signal to the thin film transistor TFT.

게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The gate electrode 320 may be made of a low resistance metal material. The gate electrode 320 is made of aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg) in consideration of adhesion to adjacent layers, surface flatness of the stacked layers, and workability. , Gold (Au), Nickel (Ni), Neodymium (Nd), Iridium (Ir), Chromium (Cr), Lithium (Li), Calcium (Ca), Molybdenum (Mo), Titanium (Ti), Tungsten (W) It may be formed of a single layer or multiple layers of one or more materials of copper (Cu).

게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.An interlayer insulating layer 315 is formed on the gate electrode 320. The interlayer insulating layer 315 insulates the source electrode 330a, the drain electrode 330b, and the gate electrode 320. The interlayer insulating film 315 may be formed of a multilayer or a single layer of an inorganic material. For example, the inorganic material may be a metal oxide or a metal nitride. Specifically, the inorganic material may be silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or titanium oxide ( TiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), hafnium oxide (HfO 2 ), zinc oxide (ZrO 2 ), and the like.

층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.The source electrode 330a and the drain electrode 330b are formed on the interlayer insulating film 315. The source electrode 330a and the drain electrode 330b include aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), Iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), copper (Cu) of one or more materials Can be formed. The source electrode 330a and the drain electrode 330b are electrically connected to the source region and the drain region of the active layer 310, respectively.

평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.The planarization layer 317 is formed on the thin film transistor TFT. The planarization layer 317 is formed to cover the thin film transistor TFT, thereby eliminating a step resulting from the thin film transistor TFT and making the top surface flat. The planarization layer 317 may be formed of a single layer or multiple layers of an organic material. Organic materials include general purpose polymers such as polymethylmethacrylate (PMMA) and polystylene (PS), polymer derivatives having phenolic groups, acrylic polymers, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluorine polymers, and p-xylene Polymers, vinyl alcohol-based polymers and blends thereof, and the like. In addition, the planarization layer 317 may be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.The first electrode 510 is positioned on the planarization layer 317. The first electrode 510 may be electrically connected to the thin film transistor TFT. In detail, the first electrode 510 may be electrically connected to the drain electrode 330b through a contact hole formed in the planarization layer 317. The first electrode 510 may have various shapes. For example, the first electrode 510 may be patterned in an island shape. The bank layer 400 defining the pixel region may be disposed on the planarization layer 317. The bank layer 400 may include a recess in which the micro LED 100 is to be accommodated. For example, the bank layer 400 may include a first bank layer 410 forming a recess. The height of the first bank layer 410 may be determined by the height and the viewing angle of the micro LED 100. The size (width) of the recess may be determined by the resolution, the pixel density, and the like of the display device. In one embodiment, the height of the micro LED 100 may be greater than the height of the first bank layer 410. The concave portion may have a rectangular cross-sectional shape, but embodiments of the present invention are not limited thereto, and the concave portion may have various cross-sectional shapes such as polygons, rectangles, circles, cones, ellipses, and triangles.

뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.The bank layer 400 may further include a second bank layer 420 on the first bank layer 410. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may have a step difference, and the width of the second bank layer 420 may be smaller than the width of the first bank layer 410. The conductive layer 550 may be disposed on the second bank layer 420. The conductive layer 550 may be disposed in a direction parallel to the data line or the scan line and electrically connected to the second electrode 530. However, the present invention is not limited thereto, and the second bank layer 420 may be omitted, and the conductive layer 550 may be disposed on the first bank layer 410. Alternatively, the second bank layer 420 and the conductive layer 500 may be omitted, and the second electrode 530 may be formed on the entire substrate 301 as a common electrode common to the pixels P. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include a material that absorbs at least a portion of light, a light reflecting material, or a light scattering material. The first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include an insulating material that is translucent or opaque to visible light (eg, light in the wavelength range of 380 nm to 750 nm).

일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may include polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone, polyvinylbutyral, polyphenylene ether, polyamide, poly Thermoplastic resins such as etherimide, norbornene system resins, methacryl resins, cyclic polyolefins, epoxy resins, phenol resins, urethane resins, acrylic resins, vinyl ester resins, imide resins, urethane resins, and urea It may be formed of a thermosetting resin such as resin, melamine resin, or an organic insulating material such as polystyrene, polyacrylonitrile, polycarbonate, but is not limited thereto.

다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.As another example, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an inorganic insulating material such as inorganic oxides such as SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx, and inorganic nitride. It is not limited to this. In one embodiment, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be formed of an opaque material, such as a black matrix material. Insulating black matrix materials include organic resins, resins or pastes comprising glass paste and black pigments, metal particles such as nickel, aluminum, molybdenum and alloys thereof, metal oxide particles (eg chromium oxide), Or metal nitride particles (eg, chromium nitride) or the like. In a modification, the first bank layer 410 and the second bank layer 420 may be distributed Bragg reflectors (DBRs) having high reflectivity or mirror reflectors formed of metal.

오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.The micro LED 100 is disposed in the recess. The micro LED 100 may be electrically connected to the first electrode 510 in the recess.

마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 흡착체에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(300)에 전사됨으로써 표시 기판(300)의 오목부에 수용될 수 있다. The micro LED 100 emits light having a wavelength of red, green, blue, white, and the like, and white light may be realized by using a fluorescent material or combining colors. The micro LED 100 has a size of 1 μm to 100 μm. Each of the micro LEDs 100 is picked up on the growth substrate 101 by an adsorbent according to an exemplary embodiment of the present invention, and transferred to the display substrate 300 by recesses of the display substrate 300. Can be accommodated in

마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.The micro LED 100 includes a p-n diode, a first contact electrode 106 disposed on one side of the p-n diode, and a second contact electrode 107 positioned opposite to the first contact electrode 106. The first contact electrode 106 may be connected to the first electrode 510, and the second contact electrode 107 may be connected to the second electrode 530.

제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. The first electrode 510 may include a reflective film formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and a transparent or translucent electrode layer formed on the reflective film. The transparent or translucent electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3, indium oxide), and indium gallium. At least one selected from the group consisting of oxide (IGO; indium gallium oxide) and aluminum zinc oxide (AZO) may be provided.

패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The passivation layer 520 surrounds the micro LED 100 in the recess. The passivation layer 520 fills the space between the bank layer 400 and the micro LED 100 to cover the recess and the first electrode 510. The passivation layer 520 may be formed of an organic insulating material. For example, the passivation layer 520 may be formed of acrylic, poly (methyl methacrylate) (PMMA), benzocyclobutene (BCB), polyimide, acrylate, epoxy, polyester, and the like, but is not limited thereto. It is not.

패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다. The passivation layer 520 is formed above the micro LED 100, for example, at a height not covering the second contact electrode 107, so that the second contact electrode 107 is exposed. A second electrode 530 electrically connected to the exposed second contact electrode 107 of the micro LED 100 may be formed on the passivation layer 520.

제2 전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.The second electrode 530 may be disposed on the micro LED 100 and the passivation layer 520. The second electrode 530 may be formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체Micro LED adsorber according to a preferred embodiment of the present invention

마이크로 LED 흡착체(1000)는 흡착플레이트(1100), 흡착플레이트(1100)을 고정 지지하는 지지부재(1200)를 포함하여 구성된다. 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1기판에서 제2기판으로 마이크로 LED(ML)를 전사하는 전사헤드로서 이용될 수 있고, 도 1에 도시된 마이크로 LED(100)를 도 2에 도시된 표시기판(300)으로 전사하는 전사헤드로서 이용될 수 있다.The micro LED adsorber 1000 includes an adsorption plate 1100 and a support member 1200 for fixedly supporting the adsorption plate 1100. The micro LED adsorbent 1000 may be used as a transfer head for transferring the micro LEDs (ML) from the first substrate to the second substrate, the micro LED 100 shown in FIG. It can be used as a transfer head for transferring to 300.

흡착플레이트(1100)에는 흡착홀(1110)이 형성된다. 흡착홀(1110)은 레이저나 에칭 등을 이용하여 흡착플레이트(1100)을 수직하게 관통되도록 형성된다. Adsorption holes 1110 are formed in the adsorption plate 1100. The adsorption hole 1110 is formed to vertically penetrate the adsorption plate 1100 using a laser or etching.

흡착홀(1110)의 폭을 수십㎛ 이하로 형성할 수 있는 것이라면, 흡착플레이트(1100)는 금속, 비금속, 세라믹, 유리, 쿼츠, 실리콘(PDMS), 수지 등의 재질로 구성될 수 있다. 흡착플레이트(1100)의 재질이 금속 재질인 경우에는 마이크로 LED(ML)의 전사 시 정전기 발생을 방지할 수 있다는 이점을 갖게 할 수 있다. 흡착플레이트(1100)의 재질이 비금속 재질인 경우에는 금속의 성질을 가지지 않은 재질로서 흡착플레이트(1100)가 금속의 성질을 갖마이크로 LED(ML)에 미치는 영향을 최소할 수 있는 이점을 갖는다. 흡착플레이트(1100)가 세라믹, 유리, 쿼츠 등의 재질인 경우에는 강성 확보에 유리하고, 열 팽창 계수가 낮아 마이크로 LED(ML)의 전사 시 흡착플레이트(1100)의 열 변형에 따른 위치 오차의 발생의 우려를 최소할 수 있게 된다. 흡착플레이트(1100)가 실리콘 또는 PDMS 재질인 경우에는 흡착플레이트(1100)의 하면이 마이크로 LED(ML)의 상면과 직접 접촉하더라도 완충기능을 발휘하여 마이크로 LED(ML)와의 충돌에 따른 파손의 염려를 최소할 수 있게 된다. 흡착플레이트(1100)의 재질이 수지 재질인 경우에는 흡착플레이트(1100)의 제작이 간편하다는 장점을 갖게 할 수 있다.If the width of the adsorption hole 1110 can be formed to several tens of micrometers or less, the adsorption plate 1100 may be made of a material such as metal, nonmetal, ceramic, glass, quartz, silicon (PDMS), resin, or the like. When the material of the adsorption plate 1100 is a metal material, it may have an advantage of preventing the generation of static electricity during the transfer of the micro LED (ML). In the case where the material of the adsorption plate 1100 is a non-metal material, the material of the adsorption plate 1100 does not have the property of metal, and thus the effect of the adsorption plate 1100 on the micro LED (ML) may be minimized. When the adsorption plate 1100 is made of a material such as ceramic, glass, quartz, etc., it is advantageous to secure rigidity, and the thermal expansion coefficient is low, so that a position error occurs due to thermal deformation of the adsorption plate 1100 during transfer of the micro LED (ML). This can minimize the concern. If the adsorption plate 1100 is made of silicon or PDMS material, even if the lower surface of the adsorption plate 1100 is in direct contact with the upper surface of the micro LED (ML), it exhibits a cushioning function and may cause damage due to collision with the micro LED (ML). It can be minimized. When the material of the adsorption plate 1100 is made of a resin material, the adsorption plate 1100 may be easily manufactured.

흡착홀(1110)은 x(행) 방향, y(열) 방향으로 일정 간격으로 이격되어 형성된다. 여기서 흡착홀(1110)은 x, y 방향 중 적어도 어느 한 방향으로는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y 방향의 피치간격의 2배 이상의 거리로 이격되어 형성된다. Suction holes 1110 are formed spaced apart at regular intervals in the x (row) direction and the y (column) direction. The adsorption holes 1110 may be spaced apart from each other by at least two times the pitch intervals in the x and y directions of the micro LEDs ML disposed on the donor in at least one of the x and y directions.

여기서 도너부는 도 1에 도시된 성장기판(101)일 수 있고, 성장기판(101)에서 임시적으로 전사된 임시 기판 또는 캐리어 기판일 수 있다.The donor may be the growth substrate 101 illustrated in FIG. 1, and may be a temporary substrate or a carrier substrate that is temporarily transferred from the growth substrate 101.

도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y 방향의 피치간격과 동일 간격으로 흡착홀(1110)을 이격시켜 흡착홀(1110)의 사이 영역으로 최소이격부(1130)를 형성하고, 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y 방향의 피치간격의 2배 이상의 거리로 이격시켜른 흡착홀(1110)의 사이 영역으로 강성확보부(1120)를 형성한다. 다시 말해 최소이격부(1130)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y 방향의 피치간격으로 형성되는 부분이고, 강성확보부(1120)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x, y 방향의 피치간격의 2배 이상의 거리로 형성되는 부분을 의미한다.Adjacent to the suction hole 1110 at the same interval as the pitch interval of the x, y direction of the micro LED (ML) disposed on the donor portion to form a minimum spacing 1130 in the area between the suction hole 1110, The rigidity securing unit 1120 is formed in a region between the adsorption holes 1110 spaced at a distance not less than twice the pitch interval in the x and y directions of the micro LED ML disposed in the unit. In other words, the minimum spacing portion 1130 is a portion formed at pitch intervals in the x and y directions of the micro LEDs ML disposed on the donor portion, and the rigidity obtaining portion 1120 is the micro LED ML disposed on the donor portion. Means a portion formed at a distance of two or more times the pitch interval in the x and y directions.

강성확보부(1120)는 최소이격부(1130)의 길이보다 길게 형성됨으로써, 흡착홀(1110)의 형성에 따라 흡착플레이트(1100)의 강성이 저하되는 것을 강성확보부(1120)가 방지할 수 있게 된다.Since the rigidity securing unit 1120 is formed longer than the length of the minimum separation unit 1130, the rigidity securing unit 1120 may prevent the rigidity of the adsorption plate 1100 from being lowered due to the formation of the adsorption holes 1110. Will be.

도 3(a), (b)를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 제1실시예에 대해 설명한다.3A and 3B, a first embodiment of a micro LED absorber 1000 according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

도 3(b)는 흡착플레이트(1100)의 바닥면을 도시한 도면이다, 도 3(b)를 참조하면, 흡착홀(1110)을 기준으로 x 방향으로는 흡착홀(1110) 들 사이에 강성확보부(1120)가 형성되며, 흡착홀(1110)을 기준으로 y 방향으로는 흡착홀(1110) 들 사이에는 최소이격부(1130)가 형성된다. FIG. 3B is a view showing the bottom surface of the adsorption plate 1100. Referring to FIG. 3B, the rigidity between the adsorption holes 1110 in the x direction with respect to the adsorption holes 1110 is shown. The securing unit 1120 is formed, and the minimum spaced portion 1130 is formed between the adsorption holes 1110 in the y direction based on the adsorption holes 1110.

다시 도 3(a)를 참조하면, 마이크로 LED(ML)는 기판(S) 상에 x 방향으로 P(ML)_x 거리 만큼의 피치 간격으로 배치된다. 이에 대응하여 흡착플레이트(1100)에 형성된 흡착홀(1110)은 x 방향으로 P(H)_x 거리 만큼의 일정 거리로 이격되어 형성된다. 여기서 흡착홀(1110) 간의 x 방향 이격거리는 기판(S)에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리가 된다. Referring again to FIG. 3A, the micro LEDs ML are disposed on the substrate S at pitch intervals of the distance P (ML) _x in the x direction. Correspondingly, the adsorption holes 1110 formed in the adsorption plate 1100 are spaced apart by a predetermined distance as much as P (H) _x in the x direction. Here, the distance in the x direction between the suction holes 1110 may be three times the distance of the pitch distance in the x direction of the micro LED disposed on the substrate S.

이러한 흡착홀(1110)이 배치 구성을 통해 x 방향으로 강성확보부(1120)를 구비할 수 있게 된다. 다시 말해 x 방향으로의 흡착홀(1110)간의 이격된 영역이 강성확보부(1120)이며, 이러한 강성확보부(1120)의 구성을 통해 흡착플레이트(1100)에 수직한 형태의 공기 유로를 제공하는 흡착홀(1110)을 형성하더라도 흡착플레이트(1100)의 강도 저하 문제를 해소할 수 있게 된다. The adsorption hole 1110 may include the rigidity securing unit 1120 in the x direction through the arrangement. In other words, the spaced apart area between the suction holes 1110 in the x direction is the rigidity securing unit 1120, and through the configuration of the rigidity securing unit 1120, an air flow path having a shape perpendicular to the adsorption plate 1100 is provided. Even if the adsorption hole 1110 is formed, the problem of lowering the strength of the adsorption plate 1100 can be solved.

강성확보부(1120)의 구성으로 인해 마이크로 LED 흡착체(1000)는 기판(S) 상에 안착된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하여 전사하게 되므로, 마이크로 LED(ML) 전체를 한꺼번에 흡착하여 전사하는 방식에 비해 1회에 전사할 수 있는 마이크로 LED(ML)의 수량은 적지만, 흡착홀(1110)이 형성되는 흡착플레이트(1100)의 강성 저하를 방지할 수 있고 마이크로 LED 흡착체(1000)가 표시기판(300)에 배치되는 화소 배열을 고려하여 복수 회에 걸쳐 마이크로 LED(ML)를 전사하면 되는 것이어서 마이크로 LED(ML)를 전체를 한꺼번에 흡착하여 전사하는 것 대비 전사 효율이 저하된다고 볼 수 없다. 오히려 흡착플레이트(1100)의 강성이 확보됨에 따라 마이크로 LED(ML)를 에러 없이 전사할 수 있고 마이크로 LED(ML) 전체를 한꺼번에 흡착하여 전사할 필요 없이 표시기판(300)의 화소 배열을 고려해서 전사하면 되므로 전사 효율이 향상된다 할 것이다.Due to the configuration of the rigidity securing unit 1120, the micro LED adsorber 1000 selectively absorbs and transfers the micro LEDs (ML) seated on the substrate (S), thereby adsorbing the entire micro LED (ML) at once. Although the number of micro LEDs (ML) that can be transferred at a time is smaller than that of the transfer method, the rigidity of the adsorption plate 1100 in which the adsorption holes 1110 are formed can be prevented, and the micro LED adsorber (1000) can be prevented. In this regard, the micro LEDs ML may be transferred a plurality of times in consideration of the pixel arrangement disposed on the display substrate 300. Therefore, the transfer efficiency is lowered compared to the process of absorbing and transferring the micro LEDs ML at once. Can't. Rather, as the rigidity of the adsorption plate 1100 is secured, the micro LED (ML) can be transferred without error and the transfer is performed in consideration of the pixel arrangement of the display substrate 300 without the need to absorb and transfer the entire micro LED (ML) at once. Since the transfer efficiency is improved.

흡착플레이트(1100)의 상부에는 지지부재(1200)가 위치한다. 지지부재(1200)의 내부에는 흡착플레이트(1100)의 상면이 이격되는 챔버(1300)가 형성되고, 챔버(1300)는 지지부재(1200)의 통기관(1210)과 서로 연통된다. 진공펌프(미도시)가 작동되면 통기관(1210)을 통해 챔버(1300) 내부의 공기가 외부로 유출되며, 챔버(1300)를 통해 흡착홀(1110) 내부의 공기도 외부로 유출된다. 이를 통해 흡착홀(1110)이 마이크로 LED(ML)를 진공 흡착할 수 있게 된다.The support member 1200 is positioned above the suction plate 1100. A chamber 1300 in which the upper surface of the suction plate 1100 is spaced apart is formed in the support member 1200, and the chamber 1300 is in communication with the vent pipe 1210 of the support member 1200. When the vacuum pump (not shown) is operated, the air inside the chamber 1300 flows out through the vent pipe 1210, and the air inside the suction hole 1110 flows out through the chamber 1300. Through this, the adsorption hole 1110 may vacuum-adsorb the micro LED ML.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 제2실시예를 도시한 도면이다. 제2실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)와는 다르게 흡착플레이트(1100)은 금속을 양극산화하여 제조된 양극산화막(1121)으로 형성되는다는 점에서 구성상의 차이가 있고 그 나머지 구성은 동일하다. 4 is a view showing a second embodiment of the micro LED adsorber 1000 according to the preferred embodiment of the present invention. The micro LED adsorber 1000 of the second embodiment is different from the micro LED adsorber 1000 of the first embodiment in that the adsorption plate 1100 is formed of an anodized film 1121 manufactured by anodizing a metal. There is a difference in the phases and the rest of the configuration is the same.

양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공은 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막이 형성된다. 위와 같이, 형성된 양극산화막은 내부에 기공이 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 기공이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층의 상부에 위치한다. 이처럼, 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막만(1121)이 남게 된다. 기공의 내부 폭은 수 nm 내지 수 백 nm의 크기를 갖는다.Anodized film means a film formed by anodizing a base metal, and pores means a hole formed in the process of forming an anodized film by anodizing a metal. For example, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base material is anodized, an anodized film made of anodized aluminum (Al 2 O 3 ) is formed on the surface of the base material. As described above, the formed anodization film is divided into a barrier layer in which pores are not formed therein and a porous layer in which pores are formed therein. The barrier layer is located on top of the base material, and the porous layer is located on top of the barrier layer. As such, when the base material is removed from the base material on which the anodized film having the barrier layer and the porous layer is formed on the surface, only the anodized film 1121 of aluminum anodized (Al 2 O 3 ) material remains. The inner width of the pores has a size of several nm to several hundred nm.

이러한 양극산화막에 마스크를 이용하여 에칭을 하면 에칭되는 부분에 수직한 형태의 홀이 형성된다. 이러한 홀은 양극산화막에 자연 발생적으로 형성된 기공과는 달리 그 폭이 크게 형성되며, 이러한 홀이 제2실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)의 흡착홀(1110)이 된다. 이처럼 흡착플레이트(1100)의 재질로서 양극산화막을 이용하는 경우에는 양극산화막이 에칭 용액에 반응하여 수직한 홀을 형성할 수 있다는 점을 이용하여 흡착홀(1110)의 형상을 수직하게(z축 방향으로) 쉽게 형성할 수 있게 된다. When etching is performed on the anodization film by using a mask, holes are formed perpendicular to the portion to be etched. Unlike the pores naturally formed in the anodization film, the holes have a wide width, and the holes become adsorption holes 1110 of the micro LED adsorber 1000 of the second embodiment. As such, when the anodization film is used as the material of the adsorption plate 1100, the shape of the adsorption hole 1110 is perpendicular to the z-axis direction using the fact that the anodization film can form a vertical hole in response to the etching solution. Easily formed.

마이크로 LED(ML)는 기판(S) 상에 x 방향으로 P(ML)_x 거리 만큼의 피치 간격으로 배치된다. 이에 대응하여 흡착플레이트(1100)에 형성된 흡착홀(1110)은 x 방향으로 P(H)_x 거리 만큼의 일정 거리로 이격되어 형성된다. 여기서 흡착홀(1110) 간의 x 방향 이격거리는 기판(S)에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리가 된다. The micro LEDs ML are disposed on the substrate S at pitch intervals of the distance P (ML) _x in the x direction. Correspondingly, the adsorption holes 1110 formed in the adsorption plate 1100 are spaced apart by a predetermined distance as much as P (H) _x in the x direction. Here, the distance in the x direction between the suction holes 1110 may be three times the distance of the pitch distance in the x direction of the micro LED disposed on the substrate S.

이러한 흡착홀(1110)이 배치 구성을 통해 x 방향으로 강성확보부(1120)를 구비할 수 있게 된다. 다시 말해 x 방향으로의 흡착홀(1110)간의 이격된 영역이 강성확보부(1120)이며, 이러한 강성확보부(1120)의 구성을 통해 흡착플레이트(1100)에 수직한 형태의 공기 유로를 제공하는 흡착홀(1110)을 형성하더라도 흡착플레이트(1100)의 강도 저하 문제를 해소할 수 있게 된다. The adsorption hole 1110 may include the rigidity securing unit 1120 in the x direction through the arrangement. In other words, the spaced apart area between the suction holes 1110 in the x direction is the rigidity securing unit 1120, and through the configuration of the rigidity securing unit 1120, an air flow path having a shape perpendicular to the adsorption plate 1100 is provided. Even if the adsorption hole 1110 is formed, the problem of lowering the strength of the adsorption plate 1100 can be solved.

또한 양극산화막의 열팽창계수는 2 내지 3 ppm/℃으로서 제2실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(ML)를 흡착하여 전사함에 있어 주변 열에 의해 열 변형되는 것을 최소화 할 수 있게 되므로, 위치 오차의 우려가 현저히 낮아지는 효과를 발휘할 수 있게 된다.In addition, the thermal expansion coefficient of the anodic oxide film is 2 to 3 ppm / ℃ it is possible to minimize the thermal deformation by the ambient heat in the micro LED adsorbent 1000 of the second embodiment to absorb and transfer the micro LED (ML), It is possible to exert an effect that the fear of position error is significantly lowered.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 제3실시예를 도시한 도면이다. 제3실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)와는 다르게 흡착홀(1120)의 단부에 돌출부(1125)가 추가로 형성된다는 점에서 구성상의 차이가 있고 그 나머지 구성은 동일하다.5 is a view showing a third embodiment of the micro LED adsorber 1000 according to the preferred embodiment of the present invention. The micro LED adsorber 1000 of the third embodiment has a configuration difference in that the protrusion 1125 is additionally formed at the end of the adsorption hole 1120, unlike the micro LED adsorber 1000 of the first embodiment. The rest of the configuration is the same.

돌출부(1125)는 하면을 향해 돌출되는 형상으로 돌출부(1125)의 중앙 부분을 흡착홀(1110)이 관통하는 구성을 갖는다. 이러한 돌출부(1125)의 구성에 의해 돌출부(1125)의 주변부는 자연스럽게 오목부(1127)가 형성된다. 이처럼 흡착홀(1110)을 돌출부(1125)에 형성하고, 돌출부(1125)의 주변부는 오목부(1127)가 형성되는 구성에 따라, 흡착홀(1110)을 이용하여 마이크로 LED(ML)을 흡착할 때에 주변 마이크로 LED(ML)는 오목부(1127)에 의해 간섭을 받지 않는다는 점에서 전사 효율을 향상시킬 수 있게 된다.The protrusion 1125 has a configuration in which the suction hole 1110 penetrates the central portion of the protrusion 1125 in a shape protruding toward the lower surface thereof. Due to the structure of the protrusion 1125, the periphery of the protrusion 1125 is naturally formed with the recess 1127. As such, the adsorption hole 1110 is formed in the protrusion 1125, and the periphery of the protrusion 1125 may adsorb the micro LED ML using the adsorption hole 1110 according to the configuration in which the recess 1127 is formed. At this time, the peripheral micro LED ML can be improved in transfer efficiency in that it is not interrupted by the recess 1127.

마이크로 LED(ML)는 기판(S) 상에 x 방향으로 P(ML)_x 거리 만큼의 피치 간격으로 배치된다. 이에 대응하여 흡착플레이트(1100)에 형성된 흡착홀(1110)은 x 방향으로 P(H)_x 거리 만큼의 일정 거리로 이격되어 형성된다. 여기서 흡착홀(1110) 간의 x 방향 이격거리는 기판(S)에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리가 된다. The micro LEDs ML are disposed on the substrate S at pitch intervals of the distance P (ML) _x in the x direction. Correspondingly, the adsorption holes 1110 formed in the adsorption plate 1100 are spaced apart by a predetermined distance as much as P (H) _x in the x direction. Here, the distance in the x direction between the suction holes 1110 may be three times the distance of the pitch distance in the x direction of the micro LED disposed on the substrate S.

이러한 흡착홀(1110)이 배치 구성을 통해 x 방향으로 강성확보부(1120)를 구비할 수 있게 된다. 다시 말해 x 방향으로의 흡착홀(1110)간의 이격된 영역이 강성확보부(1120)이며, 이러한 강성확보부(1120)의 구성을 통해 흡착플레이트(1100)에 수직한 형태의 공기 유로를 제공하는 흡착홀(1110)을 형성하더라도 흡착플레이트(1100)의 강도 저하 문제를 해소할 수 있게 된다. The adsorption hole 1110 may include the rigidity securing unit 1120 in the x direction through the arrangement. In other words, the spaced apart area between the suction holes 1110 in the x direction is the rigidity securing unit 1120, and through the configuration of the rigidity securing unit 1120, an air flow path having a shape perpendicular to the adsorption plate 1100 is provided. Even if the adsorption hole 1110 is formed, the problem of lowering the strength of the adsorption plate 1100 can be solved.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 제4실시예를 도시한 도면이다. 제4실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1실시예의 마이크로 LED 흡착체(1000)와는 다르게 챔버(1300) 내부에 다공성 부재(1400)가 구비된다는 점에서 구성상의 차이가 있고 그 나머지 구성은 동일하다.6 is a view showing a fourth embodiment of the micro LED adsorber 1000 according to the preferred embodiment of the present invention. The micro LED adsorber 1000 of the fourth embodiment has a configuration difference in that the porous member 1400 is provided inside the chamber 1300 unlike the micro LED adsorber 1000 of the first embodiment, and the rest of the configuration is different. same.

다공성 부재(1400)는 내부에 기공이 다수 함유되어 있는 물질을 포함하여 구성되며, 일정 배열 또는 무질서한 기공구조로 0.2~0.95 정도의 기공도를 가지는 분말, 박막/후막 및 벌크 형태로 구성될 수 있다. 다공성 부재(1400)의 기공은 그 크기에 따라 직경 2 nm 이하의 마이크로(micro)기공, 2~50 nm 메조(meso)기공, 50 nm 이상의 마크로(macro)기공으로 구분할 수 있는데, 이들의 기공들을 적어도 일부를 포함한다. 다공성 부재(1400)는 그 구성 성분에 따라서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재로 구분이 가능하다. 다공성 부재(1400)는 형상의 측면에서 분말, 코팅막, 벌크가 가능하고, 분말의 경우 구형, 중공구형, 화이버, 튜브형등 다양한 형상이 가능하며, 분말을 그대로 사용하는 경우도 있지만, 이를 출발물질로 코팅막, 벌크 형상을 제조하여 사용하는 것도 가능하다. The porous member 1400 includes a material containing a large number of pores therein, and may be formed in a powder, thin film / thick film, and bulk form having a porosity of about 0.2 to 0.95 in a predetermined arrangement or a disordered pore structure. . The pores of the porous member 1400 can be classified into micro pores of 2 nm or less in diameter, meso pores of 2 to 50 nm, and macro pores of 50 nm or more, depending on the size thereof. At least in part. The porous member 1400 may be classified into organic, inorganic (ceramic), metal, and hybrid porous materials according to components thereof. The porous member 1400 may be a powder, a coating film, or a bulk in terms of its shape, and in the case of a powder, various shapes such as spherical, hollow spherical, fiber, and tubular are possible, and powder may be used as it is, but as a starting material It is also possible to manufacture and use a coating film and a bulk shape.

다공성 부재(1400)의 기공이 무질서한 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재(1400)의 내부는 다수의 기공들이 서로 연결되면서 다공성 부재(1400)의 상, 하를 연결하는 유로를 형성하게 된다. 이러한 다공성 부재(1400)는 무기질 재료성 분립체로 구성되는 골재와 골재 상호를 결합하는 결합제를 소결함으로써 다공질이 될 수 있다. 이 경우 다공성 부재는 복수의 기공이 서로 불규칙적으로 이어져서 기체 유로를 형성되며, 이러한 기체 유로에 의해 다공성 부재(1400)의 표면과 배면이 서로 연통되게 된다. When the pores of the porous member 1400 have a disordered pore structure, the inside of the porous member 1400 forms a flow path connecting the top and bottom of the porous member 1400 while the plurality of pores are connected to each other. The porous member 1400 may be porous by sintering an aggregate composed of inorganic material granules and a binder bonding the aggregates to each other. In this case, the porous member has a plurality of pores irregularly connected to each other to form a gas flow path, and the surface and the back surface of the porous member 1400 are communicated with each other by the gas flow path.

다공성 부재(1400)는 통기관(1210)과 흡착플레이트(1100) 사이에 구비되어, 통기관(1210)으로부터 생성되는 흡입력을 수평 방향으로 분산시켜 흡착플레이트(1100)에 전달하므로, 복수개의 흡착홀(1110)에 가해지는 진공압을 균일하게 할 수 있는 효과를 발휘하게 된다.The porous member 1400 is provided between the vent pipe 1210 and the suction plate 1100, and distributes the suction force generated from the vent pipe 1210 in the horizontal direction and transmits the suction force to the suction plate 1100, thereby providing a plurality of suction holes 1110. The effect of making the vacuum pressure applied to) uniform can be achieved.

흡착플레이트(1100)의 상부에 걸리는 진공압에 의해 흡착플레이트(1100)는 상부로 변형되는 힘을 받게 된다. 이때에 흡착플레이트(1100)의 강성확보부(1120)가 이를 저항하여 흡착플레이트(1100)의 변형을 방지하지만 이에 더 나아거 강성확보부(1120)의 상부에 존재하는 다공성 부재(1400)로 인해 흡착플레이트(1100)의 변형을 보다 효과적으로 방지할 수 있게 된다.The suction plate 1100 is subjected to a force deformed upward by the vacuum pressure applied to the upper portion of the suction plate 1100. At this time, the rigidity securing unit 1120 of the adsorption plate 1100 resists this to prevent deformation of the adsorption plate 1100, but furthermore, due to the porous member 1400 present on the upper portion of the rigidity securing unit 1120. The deformation of the adsorption plate 1100 can be prevented more effectively.

이처럼 다공성 부재(1400)는 흡착플레이트(1100)의 강성확보부(1120)와 함께 흡착플레이트(1100)의 변형을 방지하도록 지지하는 기능을 발휘하여, 흡착플레이트(1100)의 평탄도가 변형됨에 따라 일부의 마이크로 LED(ML)가 흡착되지 않거나 일부의 마이크로 LED(ML)에 진공압이 제대로 형성되지 않도록 하는 것을 미연에 방지할 수 있게 된다. As described above, the porous member 1400 functions to support the stiffness securing unit 1120 of the adsorption plate 1100 so as to prevent deformation of the adsorption plate 1100, thereby degrading the flatness of the adsorption plate 1100. It is possible to prevent some micro LEDs (ML) from adsorbing or not forming a vacuum pressure in some micro LEDs (ML).

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체를 이용한 마이크로 LED 전사 시스템Micro LED Transfer System Using Micro LED Adsorbent According to Preferred Embodiment of the Present Invention

도 7, 8을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제1실시예를 설명한다. 7, 8, a first embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

제1실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체(1000)로서, 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 흡착부는 흡착플레이트(1100)를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀(1110)을 구비하여 흡착홀(1110)에 가해진 진공 흡입력으로 마이크로 LED(ML)를 흡착하고, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 1배수의 거리이다.The micro LED adsorbent 1000 of the micro transcription system of the first embodiment is a micro LED adsorbent 1000 that selectively adsorbs the micro LEDs ML disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections, and the adsorption section x, y It is disposed at regular intervals in the direction, the adsorption portion penetrates through the adsorption plate 1100 and has at least one adsorption hole 1110 to adsorb the micro LED (ML) by the vacuum suction force applied to the adsorption hole 1110, the adsorption unit The x-direction spacing distance (P (H) _x) is three times the distance of the pitch spacing (P (ML) _x) in the x-direction of the micro LED (ML) disposed on the donor, and the y-direction spacing between the adsorption portions. (P (H) _y) is a distance of one multiple of the pitch interval P (ML) _y in the y-direction of the micro LED ML disposed on the donor portion.

따라서 제1실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착홀(1110)의 x 방향으로는 강성확보부(1120)가 형성되며, 흡착홀(1110)의 y 방향으로는 최소이격부(1130)가 형성되는 흡착플레이트(1100)를 구비한다. 흡착홀(1110)의 x 방향으로 형성된 강성확보부(1120)의 구성에 따르면, 흡착플레이트(1100)의 강도가 다소 낮은 재료를 이용할 수 있고, 흡착홀(1110)의 가공 정밀도가 다소 낮다고 하더라도 마이크로 LED(ML)의 효과적인 전사가 가능하게 된다.Therefore, in the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the first embodiment, the rigidity securing portion 1120 is formed in the x direction of the adsorption hole 1110, and the minimum separation is performed in the y direction of the adsorption hole 1110. Adsorption plate (1100) is formed having a portion (1130). According to the configuration of the rigidity securing unit 1120 formed in the x direction of the adsorption hole 1110, a material of which the strength of the adsorption plate 1100 is somewhat low may be used, and even if the machining precision of the adsorption hole 1110 is slightly low, Effective transfer of the LED ML is enabled.

도 7을 참조하면, 도너부는, 제1마이크로 LED(ML1)가 배치된 제1도너 기판(DS1), 제2마이크로 LED(ML2)가 배치된 제2도너 기판(DS2) 및 제3마이크로 LED(ML3)가 배치된 제3도너 기판(DS3)을 포함한다. 여기서 제1마이크로 LED(ML1)는 적색 마이크로 LED이고, 제2마이크로 LED(ML2)는 녹색 마이크로 LED이며, 제3마이크로 LED(ML3)는 청색 마이크로 LED일 수 있다.Referring to FIG. 7, the donor unit may include a first donor substrate DS1 on which a first micro LED ML1 is disposed, a second donor substrate DS2 on which a second micro LED ML2 is disposed, and a third micro LED ( ML3) includes a third donor substrate DS3 disposed thereon. Here, the first micro LED ML1 may be a red micro LED, the second micro LED ML2 may be a green micro LED, and the third micro LED ML3 may be a blue micro LED.

제1도너 기판(DS1)에는 제1마이크로 LED(ML1)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제2도너 기판(DS2)에는 제2마이크로 LED(ML2)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제3도너 기판(DS3)에는 제3마이크로 LED(ML3)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 도너 기판(DS1, DS2, DS3) 상에 배치된 제1 내지 제3 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 x 방향으로 동일 피치간격(P(ML)_x)으로 이격되어 배치되고, y 방향으로 동일 피치 간격(P(ML)_y)으로 이격되어 배치된다.The first micro LED ML1 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the first donor substrate DS1, and the second micro LED ML2 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the second donor substrate DS2. The third micro LED ML3 is disposed on the third donor substrate DS3 at predetermined intervals in the x and y directions. In addition, the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 disposed on the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 are spaced apart by the same pitch interval P (ML) _x in the x direction. And spaced apart at equal pitch intervals P (ML) _y in the y-direction.

제1실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 1배수의 거리이다. In the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the first embodiment, the x-direction spacing distance P (H) _x between the adsorption portions is the pitch interval P in the x direction of the micro LEDs ML disposed on the donor portion. (ML) _x) is three times the distance, and the y-direction spacing (P (H) _y) between the adsorption portions is the pitch interval (P (ML) _y) of the y-direction of the micro LED (ML) disposed on the donor portion. Is a multiple of 1

이러한 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다. 여기서 목표 기판(TS)은 도 2에 도시된 표시 기판(300)일 수 있고, 성장 기판(101)에서 전사된 임시기판 또는 캐리어 기판일 수 있다.By using the micro LED adsorber 1000, the first to third micro LEDs ML1 and ML2 are reciprocated three times between the first to third donor substrates DS1, DS2 and DS3 and the target substrate TS. , ML3 is transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 form a 1 × 3 pixel array. The target substrate TS may be the display substrate 300 illustrated in FIG. 2, and may be a temporary substrate or a carrier substrate transferred from the growth substrate 101.

구체적으로 설명하면, 도 8(a)에 도시된 바와 같이, 제1도너 기판(DS1) 상에는 제1마이크로 LED(ML1)이 일정 간격으로 배치된다. 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1도너 기판(DS1) 측으로 하강하여 흡착홀(1110)에 대응되는 위치에 존재하는 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착한다, 도 8(a)을 참조하면, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1도너 기판(DS1) 상의 1,4,7,10,13,16번째 열에 해당하는 제1마이크로 LED(ML1)만을 선택적으로 진공 흡착한다. 흡착이 완료되면 마이크로 LED 흡착체(1000)는 상승한 후 수평 이동하여 목표 기판(TS) 상부에 위치한다. 그 이후에 마이크로 LED 흡착체(1000)가 하강하여 목표 기판(TS) 상에 제1마이크로 LED(ML1)를 일괄 전사한다. Specifically, as shown in FIG. 8A, the first micro LEDs ML1 are disposed on the first donor substrate DS1 at regular intervals. The micro LED adsorber 1000 descends to the first donor substrate DS1 and selectively adsorbs the first micro LED ML1 existing at a position corresponding to the adsorption hole 1110, see FIG. 8A. The micro LED absorbent 1000 selectively vacuum-adsorbs only the first micro LED ML1 corresponding to the first, fourth, seventh, tenth, thirteenth, and sixteenth columns on the first donor substrate DS1. When the adsorption is completed, the micro LED adsorber 1000 is moved upward and then horizontally moved and positioned above the target substrate TS. After that, the micro LED adsorber 1000 is lowered to collectively transfer the first micro LED ML1 onto the target substrate TS.

다음으로 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 흡착체(100)는 제2도너 기판(DS2) 상으로 이동한다. 그 다음, 앞서 도 8(a)의 작동 과정과 동일한 과정으로 마이크로 LED 흡착체(100)는 제2도너 기판(DS2) 상의 제2마이크로 LED(ML2)를 흡착하여 목표 기판(TS)으로 전사한다. 이때 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Next, as shown in FIG. 8B, the micro LED adsorbent 100 moves on the second donor substrate DS2. Next, in the same process as the operation of FIG. 8A, the micro LED absorber 100 absorbs the second micro LED ML2 on the second donor substrate DS2 and transfers the same to the target substrate TS. . At this time, based on the first micro LED ML1 already transferred onto the target substrate TS, the micro LED adsorber 100 is moved to the right in the drawing by the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the micro LED ML. ) And collectively transfer the second micro LED ML2 onto the target substrate TS.

다음으로 도 8(c)에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED 흡착체(100)는 제3도너 기판(DS3) 상으로 이동한다. 그 다음, 앞서 도 8(a)의 작동 과정과 동일한 과정으로 마이크로 LED 흡착체(100)는 제3도너 기판(DS3) 상의 제3마이크로 LED(ML3)를 흡착하여 목표 기판(TS)으로 전사한다. 이때 목표 기판(TS) 상에 이미 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Next, as shown in FIG. 8C, the micro LED adsorbent 100 moves on the third donor substrate DS3. Next, in the same process as the operation of FIG. 8A, the micro LED absorber 100 absorbs the third micro LED ML3 on the third donor substrate DS3 to transfer to the target substrate TS. . At this time, on the target substrate TS, the micro LED adsorber 100 is moved to the right in the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED ML based on the second micro LED ML2. By positioning, the third micro LED ML3 is collectively transferred onto the target substrate TS.

이처럼 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 구성을 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다.As described above, the first to third donor substrates DS1, DS2, DS3 and the target substrate TS are reciprocated three times using the configuration of the micro LED adsorber 1000 according to the first embodiment. The third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 1 × 3 pixel array.

도 9를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제2실시예를 설명한다. 9, a second embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

제2실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체(1000)로서, 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀(1110)을 구비하여 흡착홀(1110)에 가해진 진공 흡입력으로 마이크로 LED(ML)를 흡착하고, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 3배수의 거리이다.The micro LED adsorbent 1000 of the micro transcription system of the second embodiment is a micro LED adsorbent 1000 that selectively adsorbs the micro LEDs ML disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections, and the adsorption section x, y Direction at a predetermined interval, the adsorption part has at least one adsorption hole 1110 penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED (ML) by the vacuum suction force applied to the adsorption hole 1110, and the x direction between the adsorption parts. The separation distance P (H) _x is a distance of three times the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the micro LED ML disposed in the donor part DS, and the separation distance in the y direction between the adsorption parts. (P (H) _y) is a distance of three times the pitch interval P (ML) _y in the y direction of the micro LED disposed in the donor portion DS.

따라서 제2실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착홀(1110)의 x 방향으로 강성확보부(1120)가 형성되며, 또한, 흡착홀(1110)의 y 방향으로도 강성확보부(1120)가 형성되는 흡착플레이트(1100)를 구비한다. 흡착홀(1110)의 x, y 방향으로 형성된 강성확보부(1120)의 구성에 따르면, 흡착플레이트(1100)의 강도가 다소 낮은 재료를 이용할 수 있고, 흡착홀(1110)의 가공 정밀도가 다소 낮다고 하더라도 마이크로 LED(ML)의 효과적인 전사가 가능하게 된다.Therefore, in the micro LED adsorber 1000 of the micro transcription system of the second embodiment, the rigidity securing part 1120 is formed in the x direction of the adsorption hole 1110, and is also rigid in the y direction of the adsorption hole 1110. Adsorption plate 1100 is formed with a secured portion 1120. According to the configuration of the rigidity securing unit 1120 formed in the x and y directions of the adsorption hole 1110, a material of which the strength of the adsorption plate 1100 is rather low may be used, and the processing accuracy of the adsorption hole 1110 is somewhat low. Even if it is possible to effectively transfer the micro LED (ML).

도 9를 참조하면, 도너부는, 제1마이크로 LED(ML1)가 배치된 제1도너 기판(DS1), 제2마이크로 LED(ML2)가 배치된 제2도너 기판(DS2) 및 제3마이크로 LED(ML3)가 배치된 제3도너 기판(DS3)을 포함한다. 여기서 제1마이크로 LED(ML1)는 적색 마이크로 LED이고, 제2마이크로 LED(ML2)는 녹색 마이크로 LED이며, 제3마이크로 LED(ML3)는 청색 마이크로 LED일 수 있다.Referring to FIG. 9, the donor unit may include a first donor substrate DS1 on which the first micro LED ML1 is disposed, a second donor substrate DS2 on which the second micro LED ML2 is disposed, and a third micro LED ( ML3) includes a third donor substrate DS3 disposed thereon. Here, the first micro LED ML1 may be a red micro LED, the second micro LED ML2 may be a green micro LED, and the third micro LED ML3 may be a blue micro LED.

제1도너 기판(DS1)에는 제1마이크로 LED(ML1)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제2도너 기판(DS2)에는 제2마이크로 LED(ML2)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제3도너 기판(DS3)에는 제3마이크로 LED(ML3)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 도너 기판(DS1, DS2, DS3) 상에 배치된 제1 내지 제3 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 x 방향으로 동일 피치간격(P(ML)_x)으로 이격되어 배치되고, y 방향으로 동일 피치 간격(P(ML)_y)으로 이격되어 배치된다. The first micro LED ML1 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the first donor substrate DS1, and the second micro LED ML2 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the second donor substrate DS2. The third micro LED ML3 is disposed on the third donor substrate DS3 at predetermined intervals in the x and y directions. In addition, the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 disposed on the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 are spaced apart by the same pitch interval P (ML) _x in the x direction. And spaced apart at equal pitch intervals P (ML) _y in the y-direction.

제2실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 3배수의 거리이다.In the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the second embodiment, the x direction separation distance P (H) _x between the adsorption parts is the pitch in the x direction of the micro LED ML disposed in the donor part DS. The distance P (ML) _x is three times the distance, and the y-direction distance P (H) _y between the adsorption portions is the pitch interval P (ML) in the y direction of the micro LED disposed on the donor portion DS. This is a distance of 3 times multiple of) _y).

이러한 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 9회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다.By using the micro LED adsorbent 1000, the first to third micro LEDs ML1 and ML2 are reciprocated nine times between the first to third donor substrates DS1, DS2 and DS3 and the target substrate TS. , ML3 is transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 form a 1 × 3 pixel array.

구체적으로 설명하면, 1회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS)에 일괄 전사하고, 2회 전사시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 3회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Specifically, in one transfer, the micro LED absorber 1000 selectively absorbs the first micro LED ML1 from the first donor substrate DS1 to collectively transfer it onto the target substrate TS, and transfer twice. Micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the second micro LED ML2 on the second donor substrate DS2 so that the micro micro LED adsorbent 1000 may be micro-based based on the first micro LED ML1 already transferred onto the target substrate TS. The second micro LED ML2 is collectively transferred onto the target substrate TS by locating the micro LED adsorber 100 to the right in the drawing by the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the LED ML. . In the next three transfers, the micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the third micro LED ML3 on the third donor substrate DS3 to transfer the second micro LED ML2 already transferred onto the target substrate TS. The micro LED adsorbent 100 is positioned on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED (ML), and the third micro LED (ML3) is placed on the target substrate (TS). Transfer the batch to the prize.

다음으로 4회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS) 상에 이미 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)만큼 도면 아래쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제1마이크로 LED(ML1)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 5회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 4회 전사 때 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 6회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 5회 전사 시 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Next, during the fourth transfer, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the first micro LED ML1 on the first donor substrate DS1 to transfer the second micro LED ML2 already transferred onto the target substrate TS. The first micro LED (ML1) is positioned on the target substrate TS by positioning the micro LED adsorber 100 below the drawing by the pitch interval P (ML) _y of the y direction of the micro LED (ML). Batch transfer to During the next five transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the second micro LEDs ML2 on the second donor substrate DS2 to transfer the first micro LEDs four times on the target substrate TS. Based on the ML1, the micro LED adsorber 100 is positioned on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED ML, and the second micro LED ML2 is placed on the target substrate ( Transfer collectively on TS). In the next six transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the third micro LEDs ML3 on the third donor substrate DS3 and transfers the second micros transferred five times on the target substrate TS. The third micro LED (ML3) is the target substrate by placing the micro LED adsorber 100 on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED (ML) based on the LED (ML2). It transfers collectively on (TS).

다음으로 7회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS) 상에 이미 전사된 제3마이크로 LED(ML3)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)만큼 도면 아래쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제1마이크로 LED(ML1)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 8회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 7회 전사 때 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 9회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 8회 전사 시 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Next, upon seven transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the first micro LED ML1 on the first donor substrate DS1 to transfer the third micro LED ML3 already transferred onto the target substrate TS. The first micro LED (ML1) is positioned on the target substrate TS by positioning the micro LED adsorber 100 below the drawing by the pitch interval P (ML) _y of the y direction of the micro LED (ML). Batch transfer to During the next eight transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the second micro LEDs ML2 on the second donor substrate DS2 to transfer the first micro LEDs seven times on the target substrate TS. Based on the ML1, the micro LED adsorber 100 is positioned on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED ML, and the second micro LED ML2 is placed on the target substrate ( Transfer collectively on TS). In the next nine transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the third micro LEDs ML3 on the third donor substrate DS3 and transfers the second micros upon transfer eight times on the target substrate TS. The third micro LED (ML3) is the target substrate by placing the micro LED adsorber 100 on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED (ML) based on the LED (ML2). It transfers collectively on (TS).

이처럼 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 구성을 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 9회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다.As described above, using the configuration of the micro LED adsorber 1000 according to the second embodiment, the first to third donor substrates DS1, DS2, DS3 and the target substrate TS are reciprocated nine times. The third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 1 × 3 pixel array.

도 10을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제3실시예를 설명한다. 10, a third embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

제3실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체(1000)로서, 흡착부는 대각선 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 흡착부는 흡착플레이트(1100)를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀(1110)을 구비하여 흡착홀(1110)에 가해진 진공 흡입력으로 마이크로 LED(ML)를 흡착하고, 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 대각선 방향의 피치간격과 동일한 거리이다.The micro LED adsorbent 1000 of the micro transcription system of the third embodiment is a micro LED adsorbent 1000 that selectively adsorbs the micro LEDs ML disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections, and the adsorption section is in a diagonal direction. Arranged at regular intervals, the adsorption unit has at least one adsorption hole 1110 penetrating the adsorption plate 1100 to adsorb the micro LED (ML) by the vacuum suction force applied to the adsorption hole 1110, and the diagonal between the adsorption sections The direction separation distance is the same distance as the pitch interval in the diagonal direction of the micro LED ML disposed in the donor part DS.

따라서 제3실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착홀(1110)의 x 방향으로 강성확보부(1120)가 형성되며, 또한, 흡착홀(1110)의 y 방향으로도 강성확보부(1120)가 형성되는 흡착플레이트(1100)를 구비한다. 흡착홀(1110)의 x, y 방향으로 형성된 강성확보부(1120)의 구성에 따르면, 흡착플레이트(1100)의 강도가 다소 낮은 재료를 이용할 수 있고, 흡착홀(1110)의 가공 정밀도가 다소 낮다고 하더라도 마이크로 LED(ML)의 효과적인 전사가 가능하게 된다.Therefore, in the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the third embodiment, the rigidity securing part 1120 is formed in the x direction of the adsorption hole 1110, and is also rigid in the y direction of the adsorption hole 1110. Adsorption plate 1100 is formed with a secured portion 1120. According to the configuration of the rigidity securing unit 1120 formed in the x and y directions of the adsorption hole 1110, a material of which the strength of the adsorption plate 1100 is rather low may be used, and the processing accuracy of the adsorption hole 1110 is somewhat low. Even if it is possible to effectively transfer the micro LED (ML).

도 10을 참조하면, 도너부는, 제1마이크로 LED(ML1)가 배치된 제1도너 기판(DS1), 제2마이크로 LED(ML2)가 배치된 제2도너 기판(DS2) 및 제3마이크로 LED(ML3)가 배치된 제3도너 기판(DS3)을 포함한다. 여기서 제1마이크로 LED(ML1)는 적색 마이크로 LED이고, 제2마이크로 LED(ML2)는 녹색 마이크로 LED이며, 제3마이크로 LED(ML3)는 청색 마이크로 LED일 수 있다.Referring to FIG. 10, the donor unit may include a first donor substrate DS1 on which a first micro LED ML1 is disposed, a second donor substrate DS2 on which a second micro LED ML2 is disposed, and a third micro LED ( ML3) includes a third donor substrate DS3 disposed thereon. Here, the first micro LED ML1 may be a red micro LED, the second micro LED ML2 may be a green micro LED, and the third micro LED ML3 may be a blue micro LED.

제1도너 기판(DS1)에는 제1마이크로 LED(ML1)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제2도너 기판(DS2)에는 제2마이크로 LED(ML2)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제3도너 기판(DS3)에는 제3마이크로 LED(ML3)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 도너 기판(DS1, DS2, DS3) 상에 배치된 제1 내지 제3 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 x 방향으로 동일 피치간격(P(ML)_x)으로 이격되어 배치되고, y 방향으로 동일 피치 간격(P(ML)_y)으로 이격되어 배치된다. The first micro LED ML1 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the first donor substrate DS1, and the second micro LED ML2 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the second donor substrate DS2. The third micro LED ML3 is disposed on the third donor substrate DS3 at predetermined intervals in the x and y directions. In addition, the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 disposed on the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 are spaced apart by the same pitch interval P (ML) _x in the x direction. And spaced apart at equal pitch intervals P (ML) _y in the y-direction.

제3실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 대각선 방향의 피치간격과 동일한 거리이다.In the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the third embodiment, the diagonal separation distance between the adsorption portions is the same distance as the pitch interval in the diagonal direction of the micro LEDs ML disposed in the donor portion DS.

이러한 제3실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 구성을 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다.By using the configuration of the micro LED adsorber 1000 according to the third embodiment, the first to third donor substrates DS1, DS2, DS3 and the target substrate TS are reciprocated three times. The third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred onto the target substrate TS so that the first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 1 × 3 pixel array.

구체적으로 설명하면, 1회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS)에 일괄 전사하고, 2회 전사시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 3회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Specifically, in one transfer, the micro LED absorber 1000 selectively absorbs the first micro LED ML1 from the first donor substrate DS1 to collectively transfer it onto the target substrate TS, and transfer twice. Micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the second micro LED ML2 on the second donor substrate DS2 so that the micro micro LED adsorbent 1000 may be micro-based based on the first micro LED ML1 already transferred onto the target substrate TS. The second micro LED ML2 is collectively transferred onto the target substrate TS by locating the micro LED adsorber 100 to the right in the drawing by the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the LED ML. . In the next three transfers, the micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the third micro LED ML3 on the third donor substrate DS3 to transfer the second micro LED ML2 already transferred onto the target substrate TS. The micro LED adsorbent 100 is positioned on the right side of the drawing by the pitch interval P (ML) _x of the x direction of the micro LED (ML), and the third micro LED (ML3) is placed on the target substrate (TS). Transfer the batch to the prize.

이처럼 제3실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 구성을 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 1×3 화소 배열을 형성하도록 한다.As described above, the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 and the target substrate TS are reciprocated three times using the configuration of the micro LED adsorber 1000 according to the third embodiment. The third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 1 × 3 pixel array.

도 11을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제4실시예를 설명한다. Referring to Fig. 11, a fourth embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

제4실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체(1000)로서, 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 흡착부는 흡착플레이트(1100)를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀(1110)을 구비하여 흡착홀(1110)에 가해진 진공 흡입력으로 마이크로 LED(ML)를 흡착하고, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 2배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 2배수의 거리이다.The micro LED adsorbent 1000 of the micro transcription system of the fourth embodiment is a micro LED adsorbent 1000 that selectively adsorbs the micro LEDs ML disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections, and the adsorption section x, y It is disposed at regular intervals in the direction, the adsorption portion penetrates through the adsorption plate 1100 and has at least one adsorption hole 1110 to adsorb the micro LED (ML) by the vacuum suction force applied to the adsorption hole 1110, the adsorption unit The x-direction spacing distance (P (H) _x) is twice the distance of the pitch spacing (P (ML) _x) in the x-direction of the micro LED (ML) disposed on the donor, and the y-direction spacing between the adsorption portions. (P (H) _y) is a distance twice the pitch interval P (ML) _y in the y direction of the micro LED ML disposed on the donor portion.

따라서 제4실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착홀(1110)의 x 방향으로 강성확보부(1120)가 형성되며, 또한, 흡착홀(1110)의 y 방향으로도 강성확보부(1120)가 형성되는 흡착플레이트(1100)를 구비한다. 흡착홀(1110)의 x, y 방향으로 형성된 강성확보부(1120)의 구성에 따르면, 흡착플레이트(1100)의 강도가 다소 낮은 재료를 이용할 수 있고, 흡착홀(1110)의 가공 정밀도가 다소 낮다고 하더라도 마이크로 LED(ML)의 효과적인 전사가 가능하게 된다.Accordingly, in the micro LED adsorber 1000 of the micro transcription system of the fourth embodiment, the rigidity securing part 1120 is formed in the x direction of the adsorption hole 1110, and is also rigid in the y direction of the adsorption hole 1110. Adsorption plate 1100 is formed with a secured portion 1120. According to the configuration of the rigidity securing unit 1120 formed in the x and y directions of the adsorption hole 1110, a material of which the strength of the adsorption plate 1100 is rather low may be used, and the processing accuracy of the adsorption hole 1110 is somewhat low. Even if it is possible to effectively transfer the micro LED (ML).

도 11을 참조하면, 도너부는, 제1마이크로 LED(ML1)가 배치된 제1도너 기판(DS1), 제2마이크로 LED(ML2)가 배치된 제2도너 기판(DS2) 및 제3마이크로 LED(ML3)가 배치된 제3도너 기판(DS3)을 포함한다. 여기서 제1마이크로 LED(ML1)는 적색 마이크로 LED이고, 제2마이크로 LED(ML2)는 녹색 마이크로 LED이며, 제3마이크로 LED(ML3)는 청색 마이크로 LED일 수 있다.Referring to FIG. 11, the donor unit may include a first donor substrate DS1 on which the first micro LED ML1 is disposed, a second donor substrate DS2 on which the second micro LED ML2 is disposed, and a third micro LED ( ML3) includes a third donor substrate DS3 disposed thereon. Here, the first micro LED ML1 may be a red micro LED, the second micro LED ML2 may be a green micro LED, and the third micro LED ML3 may be a blue micro LED.

제1도너 기판(DS1)에는 제1마이크로 LED(ML1)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제2도너 기판(DS2)에는 제2마이크로 LED(ML2)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제3도너 기판(DS3)에는 제3마이크로 LED(ML3)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 도너 기판(DS1, DS2, DS3) 상에 배치된 제1 내지 제3 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 x 방향으로 동일 피치간격(P(ML)_x)으로 이격되어 배치되고, y 방향으로 동일 피치 간격(P(ML)_y)으로 이격되어 배치된다. The first micro LED ML1 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the first donor substrate DS1, and the second micro LED ML2 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the second donor substrate DS2. The third micro LED ML3 is disposed on the third donor substrate DS3 at predetermined intervals in the x and y directions. In addition, the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 disposed on the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 are spaced apart by the same pitch interval P (ML) _x in the x direction. And spaced apart at equal pitch intervals P (ML) _y in the y-direction.

제4실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 2배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 2배수의 거리이다.In the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the fourth embodiment, the x direction separation distance P (H) _x between the adsorption portions is the pitch interval P in the x direction of the micro LEDs ML disposed on the donor portion. (ML) _x) is twice the distance, and the y-direction spacing (P (H) _y) between the adsorption portions is the pitch interval (P (ML) _y) in the y-direction of the micro LED (ML) disposed on the donor portion. Is the distance of twice.

이러한 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 2×2 화소 배열을 형성하도록 한다.By using the micro LED adsorber 1000, the first to third micro LEDs ML1 and ML2 are reciprocated three times between the first to third donor substrates DS1, DS2 and DS3 and the target substrate TS. , ML3 is transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 form a 2 × 2 pixel array.

구체적으로 설명하면, 1회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS)에 일괄 전사하고, 2회 전사시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 도면 상 오른쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 3회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 2회 전사 시 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)만큼 도면 상 아래쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Specifically, in one transfer, the micro LED absorber 1000 selectively absorbs the first micro LED ML1 from the first donor substrate DS1 to collectively transfer it onto the target substrate TS, and transfer twice. Micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the second micro LED ML2 on the second donor substrate DS2 so that the micro micro LED adsorbent 1000 may be micro-based based on the first micro LED ML1 already transferred onto the target substrate TS. The second micro LED ML2 is collectively transferred onto the target substrate TS by locating the micro LED adsorber 100 to the right in the drawing by the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the LED ML. . In the next three transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the third micro LEDs ML3 on the third donor substrate DS3 and transfers the second micros upon transfer twice on the target substrate TS. The third micro LED ML3 is placed on the target substrate by placing the micro LED adsorber 100 downward on the drawing by the pitch interval P (ML) _y of the y direction of the micro LED ML based on the LED ML2. It transfers collectively on (TS).

이처럼 제4실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 2×2 화소 배열을 형성하도록 한다.As described above, the micro LED absorber 1000 according to the fourth exemplary embodiment may be used to reciprocate three times between the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 and the target substrate TS, and the first to third times. The micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 2 × 2 pixel array.

한편, 제4실시예의 마이크로 전사 시스템에 따르면, 목표 기판(TS) 상에 전사된 마이크로 LED(ML)는 총 3개의 마이크로 LED(ML)만으로 2×2 화소 배열을 이루되게 된다. Meanwhile, according to the micro transfer system of the fourth exemplary embodiment, the micro LEDs ML transferred onto the target substrate TS form a 2 × 2 pixel array using only three micro LEDs ML in total.

따라서 마이크로 LED(ML)가 추가적으로 실장될 수 있는 여유 영역이 존재하게 된다. 마이크로 LED(ML)의 개별적 발광 특성 개선, 시인성 개선 및/또는 불량품의 존재 등을 고려하여, 비어 있는 2×2 화소 배열에 추가적인 마이크로 LED(ML)를 여유 영역에 전사하여 총 4개의 마이크로 LED(ML)로 2×2 화소 배열을 형성할 수 있다. Therefore, there is a spare area in which the micro LED (ML) can be additionally mounted. In consideration of the improvement of individual light emission characteristics of the micro LEDs (ML), improvement of visibility and / or the presence of defective products, additional micro LEDs (ML) are transferred to a free area in a free 2 × 2 pixel array, so that a total of four micro LEDs ( ML) to form a 2x2 pixel array.

다시 말해 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 제1 내지 제3도너 기판 중 어느 하나의 기판과 목표 기판 사이를 1회 이동하여 제1 내지 제3마이크로 LED 중 어느 하나의 마이크로 LED를 추가로 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)의 4개가 2×2 화소 배열을 형성할 수 있다. 여기서 추가적으로 전사되는 마이크로 LED(ML)는 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 중 어느 하나의 것이다.In other words, the micro LED adsorber 1000 moves between the one of the first to third donor substrates and the target substrate once to further add the micro LED to any one of the first to third micro LEDs. Four of the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 may be transferred to a substrate to form a 2 × 2 pixel array. Herein, the additional micro LEDs ML are transferred to any one of the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3.

한편, 도 12를 참고하면, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)을 흡착하여 목표 기판(TS)에 전사하여 2×2 화소 배열에 제3마이크로 LED(ML3)가 2개가 존재하게 된다. 다만, 제3마이크로 LED(ML3)만으로 한정되는 것은 아니며, 제1, 2마이크로 LED(ML1,2) 중 어느 하나가 추가적으로 전사될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 12, the micro LED adsorber 1000 absorbs the third micro LED ML3 from the third donor substrate DS3, transfers the same to the target substrate TS, and transfers the third LED to the 2 × 2 pixel array. There are two micro LEDs ML3. However, the present invention is not limited to only the third micro LED ML3, and any one of the first and second micro LEDs ML1 and 2 may be additionally transferred.

이를 통해 마이크로 LED(ML)의 발광 특성 또는 시인성을 보완할 수 있고, 마이크로 LED(ML) 전사 시 전사가 제대로 이루어지지 않아 누락된 마이크로 LED(ML)가 존재하거나 불량품의 마이크로 LED(ML)가 존재할 경우 양품의 마이크로 LED(ML)를 추가로 실장함으로써 디스플레이의 화질을 향상시킬 수 있게 된다.Through this, it is possible to supplement the light emitting property or visibility of the micro LED (ML), and there is a missing micro LED (ML) or defective micro LED (ML) due to the poor transfer during the micro LED (ML) transfer. In this case, it is possible to improve the image quality of the display by additionally mounting a good quality micro LED (ML).

도 13을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 전사 시스템의 제5실시예를 설명한다. 13, a fifth embodiment of a micro transcription system according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

제5실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체(1000)로서, 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 흡착부는 흡착플레이트(1100)를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀(1110)을 구비하여 흡착홀(1110)에 가해진 진공 흡입력으로 마이크로 LED(ML)를 흡착하고, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부(DS)에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 3배수의 거리이다. The micro LED adsorbent 1000 of the micro transcription system of the fifth embodiment is a micro LED adsorbent 1000 that selectively adsorbs the micro LEDs ML disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections, and the adsorption section x, y It is disposed at regular intervals in the direction, the adsorption portion penetrates through the adsorption plate 1100 and has at least one adsorption hole 1110 to adsorb the micro LED (ML) by the vacuum suction force applied to the adsorption hole 1110, the adsorption unit The distance in the x-direction (P (H) _x) is three times the distance of the pitch interval (P (ML) _x) in the x-direction of the micro LED (ML) disposed in the donor section (DS), and y between the adsorption sections. The direction separation distance P (H) _y is a distance of three times the pitch interval P (ML) _y in the y direction of the micro LED ML disposed in the donor portion DS.

따라서 제5실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착홀(1110)의 x 방향으로 강성확보부(1120)가 형성되며, 또한, 흡착홀(1110)의 y 방향으로도 강성확보부(1120)가 형성되는 흡착플레이트(1100)를 구비한다. 흡착홀(1110)의 x, y 방향으로 형성된 강성확보부(1120)의 구성에 따르면, 흡착플레이트(1100)의 강도가 다소 낮은 재료를 이용할 수 있고, 흡착홀(1110)의 가공 정밀도가 다소 낮다고 하더라도 마이크로 LED(ML)의 효과적인 전사가 가능하게 된다.Therefore, in the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the fifth embodiment, the rigidity securing part 1120 is formed in the x direction of the adsorption hole 1110, and is also rigid in the y direction of the adsorption hole 1110. Adsorption plate 1100 is formed with a secured portion 1120. According to the configuration of the rigidity securing unit 1120 formed in the x and y directions of the adsorption hole 1110, a material of which the strength of the adsorption plate 1100 is rather low may be used, and the processing accuracy of the adsorption hole 1110 is somewhat low. Even if it is possible to effectively transfer the micro LED (ML).

도 13을 참조하면, 도너부는, 제1마이크로 LED(ML1)가 배치된 제1도너 기판(DS1), 제2마이크로 LED(ML2)가 배치된 제2도너 기판(DS2) 및 제3마이크로 LED(ML3)가 배치된 제3도너 기판(DS3)을 포함한다. 여기서 제1마이크로 LED(ML1)는 적색 마이크로 LED이고, 제2마이크로 LED(ML2)는 녹색 마이크로 LED이며, 제3마이크로 LED(ML3)는 청색 마이크로 LED일 수 있다.Referring to FIG. 13, the donor unit may include a first donor substrate DS1 on which a first micro LED ML1 is disposed, a second donor substrate DS2 on which a second micro LED ML2 is disposed, and a third micro LED ( ML3) includes a third donor substrate DS3 disposed thereon. Here, the first micro LED ML1 may be a red micro LED, the second micro LED ML2 may be a green micro LED, and the third micro LED ML3 may be a blue micro LED.

제1도너 기판(DS1)에는 제1마이크로 LED(ML1)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제2도너 기판(DS2)에는 제2마이크로 LED(ML2)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며, 제3도너 기판(DS3)에는 제3마이크로 LED(ML3)이 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치된다. 또한, 제1 내지 제3 도너 기판(DS1, DS2, DS3) 상에 배치된 제1 내지 제3 마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)는 x 방향으로 동일 피치간격(P(ML)_x)으로 이격되어 배치되고, y 방향으로 동일 피치 간격(P(ML)_y)으로 이격되어 배치된다. The first micro LED ML1 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the first donor substrate DS1, and the second micro LED ML2 is disposed at a predetermined interval in the x and y directions on the second donor substrate DS2. The third micro LED ML3 is disposed on the third donor substrate DS3 at predetermined intervals in the x and y directions. In addition, the first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 disposed on the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 are spaced apart by the same pitch interval P (ML) _x in the x direction. And spaced apart at equal pitch intervals P (ML) _y in the y-direction.

제5실시예의 마이크로 전사 시스템의 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 흡착부 간의 x 방향 이격거리(P(H)_x)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)의 3배수의 거리이고, 흡착부 간의 y 방향 이격거리(P(H)_y)는 도너부에 배치된 마이크로 LED(ML)의 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)의 3배수의 거리이다.In the micro LED adsorption body 1000 of the micro transcription system of the fifth embodiment, the x direction separation distance P (H) _x between the adsorption portions is the pitch interval P in the x direction of the micro LEDs ML disposed on the donor portion. (ML) _x) is three times the distance, and the y-direction spacing (P (H) _y) between the adsorption portions is the pitch interval (P (ML) _y) of the y-direction of the micro LED (ML) disposed on the donor portion. Is a multiple of 3 times.

이러한 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 3×3 화소 배열을 형성하도록 한다.By using the micro LED adsorber 1000, the first to third micro LEDs ML1 and ML2 are reciprocated three times between the first to third donor substrates DS1, DS2 and DS3 and the target substrate TS. , ML3 is transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2, and ML3 form a 3 × 3 pixel array.

구체적으로 설명하면, 1회 전사 시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제1 도너 기판(DS1)에서 제1마이크로 LED(ML1)를 선택적으로 흡착하여 목표기판(TS)에 일괄 전사하고, 2회 전사시 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제2 도너 기판(DS2)에서 제2마이크로 LED(ML2)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 이미 전사된 제1마이크로 LED(ML1)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 오른쪽으로 그리고 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)만큼 아래쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제2마이크로 LED(ML2)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다. 다음 3회 전사 시, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 제3 도너 기판(DS3)에서 제3마이크로 LED(ML3)를 선택적으로 흡착하여 목표 기판(TS) 상에 2회 전사 시 전사된 제2마이크로 LED(ML2)를 기준으로 마이크로 LED(ML)의 x 방향의 피치간격(P(ML)_x)만큼 오른쪽으로 그리고 y 방향의 피치간격(P(ML)_y)만큼 아래쪽으로 마이크로 LED 흡착체(100)를 위치시켜 제3마이크로 LED(ML3)를 목표 기판(TS) 상으로 일괄 전사한다.Specifically, in one transfer, the micro LED absorber 1000 selectively absorbs the first micro LED ML1 from the first donor substrate DS1 to collectively transfer it onto the target substrate TS, and transfer twice. Micro LED adsorbent 1000 selectively adsorbs the second micro LED ML2 on the second donor substrate DS2 so that the micro micro LED adsorbent 1000 may be micro-based based on the first micro LED ML1 already transferred onto the target substrate TS. The second micro LED is located by positioning the micro LED adsorber 100 to the right by the pitch interval P (ML) _x in the x direction of the LED ML and downward by the pitch interval P (ML) _y in the y direction. ML2 is collectively transferred onto the target substrate TS. In the next three transfers, the micro LED adsorber 1000 selectively adsorbs the third micro LEDs ML3 on the third donor substrate DS3 and transfers the second micros upon transfer twice on the target substrate TS. Micro LED adsorber 100 to the right by the pitch spacing (P (ML) _x) in the x direction and down by the pitch spacing (P (ML) _y) in the y direction with respect to the LED (ML2). ) Is collectively transferred to the third micro LED ML3 onto the target substrate TS.

이처럼 제5실시예 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)를 이용하여, 제1 내지 제3도너 기판(DS1, DS2, DS3)과 목표 기판(TS) 사이를 3회 왕복 이동하면서 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3)를 목표 기판(TS)에 전사하여 제1 내지 제3마이크로 LED(ML1, ML2, ML3) 3개가 3×3 화소 배열을 형성하도록 한다.As described above, the micro LED absorber 1000 according to the fifth exemplary embodiment may be used to reciprocate the first to third donor substrates DS1, DS2, and DS3 and the target substrate TS three times. The third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 are transferred to the target substrate TS so that three first to third micro LEDs ML1, ML2 and ML3 form a 3 × 3 pixel array.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 흡착홀(1110)의 형성에 따라 흡착플레이트(1100)의 강성이 저하되는 것을 강성확보부(1120)가 방지할 수 있게 되고, 1×3 , 2×2, 3×3 의 화소 배열을 갖는 디스플레이를 제작함에 있어 강성확보부(1120)를 구비한 흡착플레이트(1100)를 이용하여 마이크로 LED(ML)를 에러 없이 전사할 수 있게 된다.As described above, in accordance with the preferred embodiment of the present invention, the rigidity securing unit 1120 can prevent the rigidity of the adsorption plate 1100 from decreasing with the formation of the adsorption holes 1110, and 1 × 3. In manufacturing a display having a pixel array of 2 × 2 and 3 × 3, the micro LED ML may be transferred without error using the adsorption plate 1100 having the rigidity obtaining unit 1120.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. Or it may be modified.

100, ML: 마이크로 LED 1100: 흡착플레이트
1110: 흡착홀 1120: 강성확보부
1130: 최소이격부 1200: 지지부재 100, ML: micro LED 1100: adsorption plate
1110: adsorption hole 1120: rigidity securing unit
1130: minimum separation portion 1200: support member

Claims (10)

복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 1배수의 거리인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
In the micro LED adsorber which selectively adsorbs the micro LED disposed in the donor section by a plurality of adsorption sections,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The y direction separation distance between the said adsorption | suction part is a micro LED adsorption body characterized by the distance of 1 times the pitch spacing of the y direction of the micro LED arrange | positioned at the said donor part.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하고,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 1배수의 거리이며,
상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.
A micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LEDs disposed in the donor section with a plurality of adsorption sections,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The distance in the y direction between the adsorption parts is a distance of 1 times the pitch interval in the y direction of the micro LED disposed on the donor part,
The donor unit may include a first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed,
The micro LED adsorbent transfers the first to third micro LEDs to the target substrate while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate so that the first to third micro LEDs become 1. A micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent, characterized by forming an x3 pixel array.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
In the micro LED adsorber which selectively adsorbs the micro LED disposed in the donor section by a plurality of adsorption sections,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The y direction separation distance between the said adsorption | suction part is a micro LED adsorption body characterized by the distance of 3 times the pitch spacing of the y direction of the micro LED arrange | positioned at the said donor part.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리이며,
상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 3도너 기판과 목표 기판 사이를 9회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.
It includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion by a plurality of adsorption unit,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The distance in the y direction between the adsorption parts is a distance of three times the pitch interval in the y direction of the micro LEDs disposed on the donor part.
The donor unit may include a first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed,
The micro LED absorber transfers the first to third micro LEDs to the target substrate while reciprocating nine times between the first to third donor substrates and the target substrate to form a 1 × 3 pixel array. Micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 3배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 3배수의 거리이며,
상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 3×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.
It includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion by a plurality of adsorption unit,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The distance in the y direction between the adsorption portions is a distance of three times the pitch interval in the y direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The donor unit may include a first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed,
The micro LED adsorbent transfers the first to third micro LEDs to the target substrate while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate to form a 3 × 3 pixel array. Micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서,
상기 흡착부는 대각선 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 대각선 방향의 피치간격과 동일한 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
In the micro LED adsorber which selectively adsorbs the micro LED disposed in the donor section by a plurality of adsorption sections,
The adsorption parts are arranged at a predetermined interval in the diagonal direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The diagonal separation distance between the adsorption portions is the same as the pitch interval of the diagonal direction of the micro LED disposed in the donor portion micro LED adsorber.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되,
상기 흡착부는 대각선 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 대각선 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 대각선 방향의 피치간격과 동일하며,
상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 1×3 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.
It includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion with a plurality of adsorption portion,
The adsorption part is disposed at a predetermined interval in the diagonal direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The diagonal separation distance between the adsorption parts is the same as the pitch interval in the diagonal direction of the micro LED disposed on the donor part,
The donor unit may include a first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed,
The micro LED adsorbent transfers the first to third micro LEDs to the target substrate while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate so that the first to third micro LEDs become 1. A micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent, characterized by forming an x3 pixel array.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체에 있어서,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 2배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 2배수의 거리인 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
In the micro LED adsorber which selectively adsorbs the micro LED disposed in the donor section by a plurality of adsorption sections,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of twice the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The y direction separation distance between the said adsorption part is a micro LED adsorption body characterized by the distance of 2 times the pitch interval of the y direction of the micro LED arrange | positioned at the said donor part.
복수개의 흡착부로 도너부에 배치된 마이크로 LED를 선택적으로 흡착하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하되,
상기 흡착부는 x, y 방향으로 일정 간격으로 배치되며,
상기 흡착부는 흡착플레이트를 관통하여 적어도 하나 이상의 흡착홀을 구비하여 상기 흡착홀에 가해진 진공 흡입력으로 상기 마이크로 LED를 흡착하고,
상기 흡착부 간의 x 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 x 방향의 피치간격의 2배수의 거리이고,
상기 흡착부 간의 y 방향 이격거리는 상기 도너부에 배치된 마이크로 LED의 y 방향의 피치간격의 2배수의 거리이며,
상기 도너부는, 제1마이크로 LED가 배치된 제1도너 기판; 제2마이크로 LED가 배치된 제2도너 기판; 및 제3마이크로 LED가 배치된 제3도너 기판을 포함하고,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판과 목표 기판 사이를 3회 왕복 이동하면서 상기 제1 내지 제3마이크로 LED를 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 2×2 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.
It includes a micro LED adsorbent for selectively adsorbing the micro LED disposed in the donor portion by a plurality of adsorption unit,
The adsorption unit is disposed at regular intervals in the x, y direction,
The adsorption unit has at least one adsorption hole penetrating the adsorption plate to adsorb the micro LED with the vacuum suction force applied to the adsorption hole,
The distance in the x direction between the adsorption portions is a distance of twice the pitch interval in the x direction of the micro LED disposed on the donor portion,
The distance in the y direction between the adsorption parts is a distance of twice the pitch interval in the y direction of the micro LED disposed on the donor part,
The donor unit may include a first donor substrate on which a first micro LED is disposed; A second donor substrate on which a second micro LED is disposed; And a third donor substrate on which a third micro LED is disposed,
The micro LED adsorbent transfers the first to third micro LEDs to the target substrate while reciprocating three times between the first to third donor substrates and the target substrate so that the first to third micro LEDs become 2. A micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent, characterized by forming an x2 pixel array.
제9항에 있어서,
상기 마이크로 LED 흡착체는, 상기 제1 내지 제3도너 기판 중 어느 하나의 기판과 목표 기판 사이를 1회 이동하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED 중 어느 하나의 마이크로 LED를 추가로 상기 목표 기판에 전사하여 상기 제1 내지 제3마이크로 LED가 2×2 화소 배열을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체를 포함하는 마이크로 LED 전사 시스템.

The method of claim 9,
The micro LED adsorber moves once between any one of the first to third donor substrates and the target substrate to further add the micro LED of any one of the first to third micro LEDs to the target substrate. A micro LED transfer system comprising a micro LED adsorbent, wherein the first to third micro LEDs form a 2 × 2 pixel array by transferring.

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