KR102435555B1 - Degas device for wafer Physical Vapor Deposition process - Google Patents

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KR102435555B1
KR102435555B1 KR1020220043524A KR20220043524A KR102435555B1 KR 102435555 B1 KR102435555 B1 KR 102435555B1 KR 1020220043524 A KR1020220043524 A KR 1020220043524A KR 20220043524 A KR20220043524 A KR 20220043524A KR 102435555 B1 KR102435555 B1 KR 102435555B1
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wafer
heating
heating chamber
elevating
disposed
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김형준
이흥열
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주식회사 세미노바
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Abstract

The present invention relates to a degas apparatus for a wafer physical vapor deposition (PVD) process. More specifically, the present invention relates to a degas apparatus configured to heat a wafer and burn foreign matter, comprising: a frame main body; a housing main body placed on an upper side of the frame main body, and having an accommodation space inside, and having an insertion slit formed on one surface to insert the wafer; and a heating chamber placed in the housing main body, and having a heater, and heating the wafer transferred through the insertion slit. The heating chamber accommodating a wafer to be processed is formed in a cassette structure, so the wafer can be placed to be stacked inside, thereby effectively improving processing efficiency and productivity. The heating chamber is configured to be elevated and lowered, so the wafer can be conveniently inserted or taken out from outside.

Description

웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치 { Degas device for wafer Physical Vapor Deposition process }Degas device for wafer PVD process { Degas device for wafer Physical Vapor Deposition process }

본 발명은 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가공될 웨이퍼가 수용되는 가열챔버를 카세트구조로 형성하여, 웨이퍼가 내부에 적층되게 배치되어 가공효율 및 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있게 되고, 가열챔버가 승강되도록 구성하여 웨이퍼를 외부에서 간편하게 인입 또는 인출시키도록 된 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a degassing apparatus for a wafer PVD process, and more particularly, by forming a heating chamber in which a wafer to be processed is accommodated in a cassette structure, and the wafers are stacked therein, the processing efficiency and productivity can be effectively improved It relates to a degas device for a wafer PVD process that is configured to raise and lower a heating chamber to easily draw in or withdraw a wafer from the outside.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 디가스(degas) 공정이란, PVD 또는 CVD 등을 이용하여 박막을 형성하기 전에 박막이 형성될 웨이퍼의 표면에 박막 형성을 저해하거나 생성된 박막의 특성을 변화시킬 수 있는 기체 또는 액체상의 물질, 예컨대, 수분이나 O₂등을 가열에 의해 활성화시켜서 제거하는 공정이다.In general, a degas process in a process for manufacturing a semiconductor device inhibits the formation of a thin film on the surface of the wafer on which the thin film is to be formed or changes the characteristics of the generated thin film before forming the thin film using PVD or CVD. It is a process to activate and remove gas or liquid substances, such as moisture or O₂, which can be heated.

종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 디가스 공정을 실시하는 장치는 디가스 공정을 위하여 웨이퍼가 내측으로 로딩되는 챔버와, 챔버의 내측에 마련되는 가열수단과, 챔버 내부의 기체를 진공으로 흡입하는 진공흡입부를 포함한다.A conventional apparatus for performing a degas process for manufacturing a semiconductor device includes a chamber into which a wafer is loaded for the degas process, a heating means provided inside the chamber, and a vacuum for sucking the gas inside the chamber into a vacuum. Includes suction.

상기 챔버는 바닥면에 웨이퍼를 지지하기 위한 지지대가 마련되고, 일측에 웨이퍼의 출입을 위한 출입구가 형성된다.The chamber is provided with a support for supporting the wafer on the bottom surface, and an entrance for entering and exiting the wafer is formed on one side.

그러나, 종래의 디가스 공정의 챔버는 웨이퍼가 지지대에 단독으로 배치되어 가공되는 구조으로 이루어져 있어, 생산성이 저하되고 가공효율이 떨어지는 문제점이 있으며, 웨이퍼가 고정된 구조로 이루어져 있어 효율적이고 균일한 가공이 어려운 문제점이 상존하게 된다.However, the conventional chamber of the degas process consists of a structure in which the wafer is arranged alone on a support and processed, so there is a problem that productivity is lowered and processing efficiency is lowered. This difficult problem persists.

전술한 발명은 본 발명이 속하는 기술분야의 배경기술을 의미하며, 종래 기술을 의미하는 것은 아니다.The above-described invention refers to the background of the technical field to which the present invention pertains, and does not mean the prior art.

등록특허 제10-0827476호Registered Patent No. 10-0827476

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 가공될 웨이퍼가 수용되는 가열챔버를 카세트구조로 형성하여, 웨이퍼가 내부에 적층되게 배치되어 가공효율 및 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있게 되고, 가열챔버가 승강되도록 구성하여 웨이퍼를 외부에서 간편하게 인입 또는 인출시키도록 된 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the above conventional problems, and an object of the present invention is to form a heating chamber in which a wafer to be processed is accommodated in a cassette structure, and the wafers are arranged to be stacked therein to improve processing efficiency and productivity. An object of the present invention is to provide a degassing apparatus for a wafer PVD process, which can be effectively improved, and is configured to raise and lower the heating chamber so that the wafer can be easily drawn in or drawn out from the outside.

본 발명은 웨이퍼를 가열하여 이물질을 연소시키도록 된 디가스 장치로서, 프레임틀본체와, 상기 프레임틀본체이 상부에 배치되고 내부에 수용공간이 마련되고, 일면에 상기 웨이퍼가 인입되도록 인입슬릿이 형성된 하우징본체와, 상기 하우징본체의 내부에 배치되고 히터가 마련되며, 상기 인입슬릿을 통해 전달된 상기 웨이퍼를 가열하는 가열챔버로 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention is a degas device configured to burn a foreign material by heating a wafer. A frame body, the frame body is disposed on the upper portion, an accommodation space is provided therein, and an inlet slit is formed on one surface to insert the wafer. It characterized in that it consists of a housing body and a heating chamber disposed inside the housing body and provided with a heater, and heating the wafer transferred through the inlet slit.

또한, 상기 가열챔버에는 내부에 상기 웨이퍼를 지지하는 가이드레일이 카세트구조로 일정간격을 유지하며 배치되고, 상기 가이드레일의 하부에는 상기 히터가 체결되어, 상기 가이드레일에 배치되는 웨이퍼를 가열하여, 이물질을 연소시키게 되며, 상기 가이드레일에 상기 웨이퍼를 배치시키도록 일면에 투입구가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, guide rails for supporting the wafer inside the heating chamber are arranged at regular intervals in a cassette structure, and the heater is fastened to a lower portion of the guide rail to heat the wafer disposed on the guide rail, The foreign material is burned, and an inlet is formed on one surface to place the wafer on the guide rail.

또한, 상기 프레임틀본체 및 상기 하우징본체에는 상기 가열챔버를 승강시키도록 승강부가 더 마련되고, 상기 승강부는 상기 프레임틀 본체에 형성되는 한쌍의 지지패널과, 상기 지지패널들을 연결하며 회전되게 축결합되는 스크류축과, 상기 스크류축에 체결되어, 상기 스크류축의 회전에 의해 승강된 너트부재가 마련된 하부승강패널과, 상기 가열챔버에 연결되는 상부승강패널과, 상기 하부승강패널과 상기 상부승강패널을 상호 연결하는 체결샤프트와, 상기 스크류축을 회전시키는 구동모터로 이루어지며, 상기 인입슬릿은 단일 웨이퍼가 투입될 수 있는 크기로 형성하고, 상기 승강부에 의해 카세트 구조의 상기 가열챔버가 승강되면서 상기 인입슬릿을 통해 투입되는 웨이퍼가 상기 가열챔버의 내부에 일정간격을 유지하며 적층되게 배치되도록 한 후 가열하여 달라붙은 이물질을 연소시키도록 된 것을 특징으로 한다.In addition, the frame body and the housing body are further provided with an elevating unit to elevate the heating chamber, and the elevating unit is axially coupled to a pair of support panels formed on the frame body and the support panels to be rotatably connected. a lower elevating panel provided with a screw shaft, which is fastened to the screw shaft, and provided with a nut member lifted by rotation of the screw shaft; an upper elevating panel connected to the heating chamber; and the lower elevating panel and the upper elevating panel. Consists of a fastening shaft interconnecting and a driving motor rotating the screw shaft, the inlet slit is formed to a size that a single wafer can be inserted into, and the heating chamber of the cassette structure is raised and lowered by the lifting unit. It is characterized in that the wafers introduced through the slit are arranged to be stacked while maintaining a predetermined interval inside the heating chamber, and then heated to burn the adhering foreign substances.

또한, 상기 하우징본체에는 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼들에 상기 가열챔퍼의 측면패널들을 통해 열기를 전달하도록 순환형열풍공급수단이 더 마련되며, 상기 순환형열풍공급수단은 상기 웨이퍼가 내부에 배치되는 가열챔버의 측면패널들에 형성되는 중공의 가열구와, 상기 가열챔버의 내측면에 체결되어 고정되는 송풍브라켓과, 상기 송풍브라켓에 일단이 연결되어 고정되는 절곡된 구조의 절곡샤프트와, 상기 절곡샤프트의 끝단에 연결되어 고정되는 순환히터유닛과, 상기 송풍브라켓에 체결되는 상기 순환히터유닛 방향으로 바람을 공급하는 송풍펜으로 이루어져, 상기 순환히터유닛에서 발생되는 열기가 상기 측면패널의 가열구를 통해 상기 가열챔버의 웨이퍼로 전달되도록 함과 아울러 상기 송풍펜에 의해 재차 열기가 이동되어 전달되도록 함과 아울러 순환되도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, a circulating hot air supply means is further provided in the housing body to transfer heat to the wafers disposed in the heating chamber through side panels of the heating chamfer, and the circulating hot air supply means includes the wafer inside A hollow heating port formed on side panels of the heating chamber, a blowing bracket fastened to the inner surface of the heating chamber and fixed, and a bent shaft having a bent structure having one end connected to the blowing bracket and fixed; It consists of a circulation heater unit connected to and fixed to the end of the bent shaft, and a blower pen that supplies wind in the direction of the circulation heater unit fastened to the blower bracket, so that the heat generated by the circulation heater unit is heated through the heating port of the side panel. It is characterized in that the heat is transferred to the wafer of the heating chamber through

상기 하우징본체에는 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼들을 승강하면서 가열하도록 승강형웨이퍼가열수단이 더 마련되며, 상기 승강형웨이퍼가열수단은 상기 하우징본체의 내측 상부에 연결되어 고정되는 승강브라켓과, 상기 승강브라켓에 일단이 연결되어 고정되는 승강실린더와, 상기 승강실린더의 승강축 단부에 형성되는 연결샤프트와, 상기 승강실린더의 연결샤프트에 상단부가 연결되어 고정되며 상기 승강실린더의 구동에 의해 승강되는 가열틀과, 상기 가열틀의 내면에 체결되어 고정되는 가열히터유닛들과, 상기 가열틀에 형성되는 가열통기공들로 이루어져, 상기 승강실린더의 구동에 의해 상기 가열틀이 승강되면서, 상기 가열히터유닛에서 발생되는 열기에 의해 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼를 가열하도록 된 것을 특징으로 한다.An elevating type wafer heating means is further provided in the housing body to heat the wafers disposed in the heating chamber while moving up and down, and the elevating type wafer heating means includes an elevating bracket connected to and fixed to the inner upper portion of the housing body; An elevating cylinder having one end connected to and fixed to the elevating bracket, a connecting shaft formed at an end of the elevating shaft of the elevating cylinder, and an upper end connected to and fixed to the connecting shaft of the elevating cylinder, heating that is elevated by driving the elevating cylinder It consists of a frame, heating heater units fastened to the inner surface of the heating frame and fixed, and heating vent holes formed in the heating frame. It is characterized in that the wafer disposed in the heating chamber is heated by the heat generated in the .

본 발명인 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치는 가공될 웨이퍼가 수용되는 가열챔버를 카세트구조로 형성하여, 웨이퍼가 내부에 적층되게 배치되어 가공효율 및 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있게 되고, 가열챔버가 승강되도록 구성하여 웨이퍼를 외부에서 간편하게 인입 또는 인출시킬 수 있게 되는 효과가 있다.The degassing apparatus for wafer PVD process of the present invention forms a heating chamber in which a wafer to be processed is accommodated in a cassette structure, so that the wafers are stacked therein, so that processing efficiency and productivity can be effectively improved, and the heating chamber is raised and lowered There is an effect that the wafer can be easily drawn in or drawn out from the outside.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 사시사진이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 하부 사시사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 하부 사시사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 내부구성을 나타낸 하부 사시사진이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 단면을 나타낸 사진이다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 다른 실시예를 나타낸 작동상태도이다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 작동상태도이다.1 is a perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
2 is a bottom perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
3 is a bottom perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
4 is a bottom perspective view showing the internal configuration of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
5 is a photograph showing a cross-section of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
7 is an operation state diagram showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
8 is a cross-sectional view showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.
9 is an operation state diagram showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.

본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the description of the present invention is merely an embodiment for structural or functional description, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiment described in the text. That is, since the embodiment is capable of various changes and may have various forms, it should be understood that the scope of the present invention includes equivalents capable of realizing the technical idea.

한편, 본 발명에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.On the other hand, the meaning of the terms described in the present invention should be understood as follows.

"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as “first” and “second” are for distinguishing one component from another, and the scope of rights should not be limited by these terms. For example, a first component may be termed a second component, and similarly, a second component may also be termed a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected to” another component, it may be directly connected to the other component, but it should be understood that other components may exist in between. On the other hand, when it is mentioned that a certain element is "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle. On the other hand, other expressions describing the relationship between elements, that is, "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다"또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The singular expression is to be understood to include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise, and terms such as "comprises" or "have" refer to the embodied feature, number, step, action, component, part or these It is intended to indicate that a combination exists, and it should be understood that it does not preclude the possibility of the existence or addition of one or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

각 단계들에 있어 식별부호(예를 들어, a, b, c 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.Identifiers (eg, a, b, c, etc.) in each step are used for convenience of description, and the identification code does not describe the order of each step, and each step clearly indicates a specific order in context. Unless otherwise specified, it may occur in a different order from the specified order. That is, each step may occur in the same order as specified, may be performed substantially simultaneously, or may be performed in the reverse order.

여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.All terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. Terms defined in general used in the dictionary should be interpreted as having the meaning consistent with the context of the related art, and cannot be interpreted as having an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 사시사진이다. 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 하부 사시사진이다. 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치를 나타낸 하부 사시사진이다. 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 내부구성을 나타낸 하부 사시사진이다. 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 단면을 나타낸 사진이다. 도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 다른 실시예를 나타낸 작동상태도이다. 도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 단면도이다. 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 작동상태도이다.1 is a perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 2 is a bottom perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 3 is a bottom perspective view showing a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 4 is a bottom perspective view showing the internal configuration of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 5 is a photograph showing a cross-section of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 6 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 7 is an operation state diagram showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 8 is a cross-sectional view showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention. 9 is an operation state diagram showing another embodiment of a degas device for a wafer PVD process according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명인 웨이퍼 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정용 디가스 장치(10)(이하에서는 설명의 편의상 디가스 장치라 명명함)는 웨이퍼(100)를 가열하여 이물질을 연소시키도록 된 디가스 장치(10)로서, 이에 이와같은 디가스 장치(10)는 프레임틀본체(20)와 하우징본체(30)와 가열챔버(40)로 이루어진다.As shown in the drawing, the present inventor's degas device 10 for a wafer PVD (Physical Vapor Deposition) process (hereinafter, referred to as a degas device for convenience of description) is designed to burn foreign substances by heating the wafer 100. As the degas device 10 , this degas device 10 includes a frame body 20 , a housing body 30 , and a heating chamber 40 .

상기 프레임틀본체(20)는 지면에 배치되며 이동할 수 있도록 하부에 캐스터를 설치하는 것도 가능하다.The frame body 20 is disposed on the ground and it is also possible to install a caster at the lower portion so as to be movable.

상기 프레임틀본체(20)는 금속재로 이루어지며, 수평을 유지하도록 하부에 볼트축들의 일단이 형성되고, 상기 볼트축에 너트받침이 나사 체결 된다.The frame body 20 is made of a metal material, and one end of the bolt shafts is formed at the lower part to keep it horizontal, and the nut support is screwed to the bolt shaft.

상기 하우징본체(30)는 상기 프레임틀본체(20)이 상부에 배치되고 내부에 수용공간이 마련되고, 일면에 상기 웨이퍼(100)가 인입되도록 인입슬릿(31)이 형성된다.In the housing body 30, the frame body 20 is disposed on the upper portion, a receiving space is provided therein, and an inlet slit 31 is formed on one surface to allow the wafer 100 to be introduced therein.

상기 프레임틀본체(20)의 상부에 하부가 나사체결되어 고정되며, 전면부에는 내부의 수용공간과 연통되게 인입슬릿(31)이 형성된다.The lower part is screwed to the upper part of the frame body 20 and fixed, and an inlet slit 31 is formed in the front part to communicate with the receiving space therein.

상기 하우징본체(30)는 육면체 형상으로 형성되며, 상기 가열챔버(40)의 가열에 따른 열기에 의해 형상변형이 발생되는 것을 방지하도록 내열성을 갖는 금속재로 형성시키게 된다.The housing body 30 is formed in a hexahedral shape, and is made of a metal material having heat resistance to prevent shape deformation from occurring due to the heat generated by the heating of the heating chamber 40 .

상기 가열챔버(40)는 상기 하우징본체(30)의 내부에 배치되고 히터(41)가 마련되며, 상기 인입슬릿(31)을 통해 전달된 상기 웨이퍼(100)를 가열하게 된다.The heating chamber 40 is disposed inside the housing body 30 , a heater 41 is provided, and heats the wafer 100 transferred through the inlet slit 31 .

상기 가열챔버(40)의 일면에는 상기 인입슬릿(31)에서 전달되는 웨이퍼(100)가 인입 또는 인출되도록 투입구(42)가 형성된다.An inlet 42 is formed on one surface of the heating chamber 40 so that the wafer 100 transferred from the inlet slit 31 is drawn in or drawn out.

상기 가열챔버(40)는 금속재로 이루어지며 도면에서와 같이 육면체 형상으로 형성된다.The heating chamber 40 is made of a metal material and is formed in a hexahedral shape as shown in the drawing.

이때, 상기 가열챔버(40)에는 양내측면에 상기 웨이퍼(100)를 지지하는 가이드레일(43)이 카세트구조로 일정간격이 유지되게 배치되고, 도면에서와 같이 상기 투입구(42)를 통해 양내측면의 상기 가이드레일(43)들을 연결하며 상부에 상기 웨이퍼(100)를 배치시키게 된다.At this time, in the heating chamber 40, guide rails 43 supporting the wafer 100 on both inner sides are arranged at regular intervals in a cassette structure, and both inner side surfaces through the inlet 42 as shown in the figure. The guide rails 43 are connected to each other and the wafer 100 is placed thereon.

상기 가이드레일(43)의 상부에 배치된 상기 웨이퍼(43)들 사이에는 통기공간이 형성된다.A ventilation space is formed between the wafers 43 disposed on the guide rail 43 .

상기 가이드레일(43)은 상기 가열챔버의 내측면에 나사체결하여 고정시키게 된다.The guide rail 43 is fixed by screwing to the inner surface of the heating chamber.

이때, 상기 가이드레일(43)의 하부에는 상기 히터가 체결되어, 상기 가이드레일에 배치되는 웨이퍼(100)를 가열하여, 달라붙은 이물질을 연소시키게 된다.At this time, the heater is coupled to the lower portion of the guide rail 43 to heat the wafer 100 disposed on the guide rail, thereby burning the adhering foreign matter.

상기 히터(41)는 열선이며 상기 가이드레일(43)에 나사체결되어 고정되며, 상기 가열챔버(40)의 내측 상면에도 나사체결하여 고정시킬 수 있다. The heater 41 is a hot wire and is screwed to the guide rail 43 to be fixed, and may also be screwed to the inner upper surface of the heating chamber 40 to be fixed.

상기 히터(41)는 상술한 열선 이외에 가열되는 것이면 어느것이 사용되어도 무방하다.Any of the heaters 41 may be used as long as they are heated other than the above-described heating wire.

상기 히터(41)의 열기에 의해 상기 가이드레일(43)에 배치되는 웨이퍼(100)의 표면에 달라붙은 이물질을 태워 소멸시키게 된다.The foreign substances adhering to the surface of the wafer 100 disposed on the guide rail 43 are burned and destroyed by the heat of the heater 41 .

이때, 상기 하우징본체(30)에는 일면에는 개폐도어를 마련하여, 상기 가열챔버(40)를 유지보수하거나 상기 웨이퍼(100)를 상기 가열챔버(40)에 인입 또는 인출시키도록 하는 것도 가능하다.At this time, by providing an opening/closing door on one surface of the housing body 30 , it is also possible to maintain the heating chamber 40 or to insert or withdraw the wafer 100 into or out of the heating chamber 40 .

상기 프레임틀본체(20) 및 상기 하우징본체(30)에는 상기 가열챔버(40)를 승강시키도록 승강부(50)가 더 마련된다.A lifting unit 50 is further provided in the frame body 20 and the housing body 30 to elevate the heating chamber 40 .

상기 승강부(50)는 상기 프레임틀 본체에 형성되는 한쌍의 지지패널(51)과, 상기 지지패널(51)들을 연결하는 회전되게 축결합되는 스크류축(52)과, 상기 스크류축(52)에 체결되어, 상기 스크류축(52)의 회전에 의해 승강된 너트부재(531)가 마련된 하부승강패널(53)과, 상기 가열챔버(40)의 하부에 나사체결되는 상부승강패널(54)과, 상기 하부승강패널(53)과 상기 상부승강패널(54)을 상호 연결하는 체결샤프트(55)과, 상기 프레임틀본체(20)에 나사체결되며 상기 스크류축(52)을 회전시키는 구동모터(56)로 이루어진다.The lifting unit 50 includes a pair of support panels 51 formed on the frame body, a screw shaft 52 rotatably axially coupled to the support panels 51 , and the screw shaft 52 . and a lower lifting panel 53 provided with a nut member 531 that is fastened to and lifted by the rotation of the screw shaft 52, and an upper lifting panel 54 screwed to the lower portion of the heating chamber 40, and , a fastening shaft 55 interconnecting the lower elevating panel 53 and the upper elevating panel 54, and a driving motor screwed to the frame body 20 and rotating the screw shaft 52 ( 56).

상기 지지패널(51)은 상기 프레임틀 본체의 상부와 하부에 나사체결되어 고정되며, 상부에 고정되는 지지패널(51)은 상기 하우징본체(30)의 저면에 나사체결되어 고정된다.The support panel 51 is screwed to the upper and lower portions of the frame body, and the support panel 51 fixed to the upper portion is screwed to the lower surface of the housing body 30 to be fixed.

상기 체결샤프트(55)의 상단부는 상기 하우징본체(30)의 저면에 형성되는 관통공에 관통하여 상기 상부승강패널(54)의 저면에 나사체결되어 고정되고, 하단부는 하부승강패널(53)의 상면에 나사체결되어 고정된다.The upper end of the fastening shaft 55 penetrates through a through hole formed in the lower surface of the housing body 30 and is screwed to the lower surface of the upper elevating panel 54 to be fixed, and the lower end of the lower elevating panel 53 It is fixed by screwing on the upper surface.

상기 구동모터(56)는 상기 스크류축(52)과 벨트에 의해 연결되어 상기 구동모터(56)의 구동에 의해 상기 스크류축(52)을 회전시켜, 상기 구동모터(56)의 구동축의 회전방향에 따라 상기 하부승강패널(53), 상부승강패널(54) 및 상기 가열챔버(40)를 승강시키게 된다.The drive motor 56 is connected to the screw shaft 52 by a belt and rotates the screw shaft 52 by driving the drive motor 56 in the direction of rotation of the drive shaft of the drive motor 56 . Accordingly, the lower elevating panel 53, the upper elevating panel 54 and the heating chamber 40 are elevated.

상기 승강부(50)에 의해 상기 가열챔버(40)가 승강되어, 카세트 구조의 가열챔버(40)에 적층되게 상기 웨이퍼(100)를 인입 또는 인출시킬 수 있게 된다.The heating chamber 40 is lifted by the lifting unit 50 so that the wafer 100 can be drawn in or pulled out to be stacked on the heating chamber 40 having a cassette structure.

이때, 상기 승강부(50)를 실린더로 구성하여, 상기 실린더를 상기 프레임틀본체(20)에 나사체결하고, 상기 실린더의 승강축을 상기 관통공에 관통시킨 후 상기 가열챔버(40)의 하부에 나사체결함으로써, 상기 실린더의 구동에 의해 상기 가열챔버(40)를 승강시키는 것도 가능하다.At this time, the elevating part 50 is composed of a cylinder, the cylinder is screwed to the frame body 20, and the elevating shaft of the cylinder is passed through the through hole, and then in the lower part of the heating chamber 40. By screwing, it is also possible to elevate the heating chamber 40 by driving the cylinder.

또한, 상기 인입슬릿(31)은 단일 웨이퍼(100)가 투입될 수 있는 크기로 형성하고, 상기 승강부(50)에 의해 카세트 구조의 상기 가열챔버(40)가 승강되면서 상기 인입슬릿(31)을 통해 투입되는 웨이퍼(100)가 상기 가열챔버(40)의 내부에 일정간격을 유지하며 적층되게 배치되도록 한 후 가열하여 달라붙은 이물질을 연소시키도록 된다.In addition, the inlet slit 31 is formed to a size that a single wafer 100 can be put in, and as the heating chamber 40 of a cassette structure is lifted by the lifting unit 50, the inlet slit 31 is raised. The wafers 100 introduced through the are arranged to be stacked while maintaining a predetermined interval inside the heating chamber 40, and then heated to burn the adhering foreign substances.

상기 하우징본체(30)에는 상기 가열챔버(40)에 배치되는 상기 웨이퍼(100)들에 상기 가열챔퍼의 측면패널들을 통해 열기를 전달하도록 순환형열풍공급수단(60)이 더 마련된다.A circulating hot air supply means 60 is further provided in the housing body 30 to transfer heat to the wafers 100 disposed in the heating chamber 40 through side panels of the heating chamfer.

상기 순환형열풍공급수단(60)은 상기 웨이퍼(100)가 내부에 배치되는 가열챔버(40)의 측면패널들에 형성되는 중공의 가열구(61)와, 상기 가열챔버(40)의 내측면에 나사체결되어 고정되는 송풍브라켓(62)과, 상기 송풍브라켓(62)에 일단이 나사체결 또는 용접연결되어 고정되는 절곡된 구조의 절곡샤프트(63)와, 상기 절곡샤프트(63)의 끝단에 나사체결되어 고정되는 순환히터(41)유닛과, 상기 송풍브라켓(62)에 나사체결되는 상기 순환히터(41)유닛 방향으로 바람을 공급하는 송풍펜(65)으로 이루어져, 상기 순환히터(41)유닛에서 발생되는 열기가 상기 측면패널의 가열구(61)를 통해 상기 가열챔버(40)의 웨이퍼(100)로 전달되도록 함과 아울러 상기 송풍펜(65)에 의해 재차 열기가 이동되어 전달되도록 함과 아울러 열기가 순환되도록 함으로써, 웨이퍼(100)에 달라붙은 이물질의 제거효율을 높일 수 있게 된다.The circulating hot air supply means (60) includes a hollow heating port (61) formed on side panels of a heating chamber (40) in which the wafer (100) is disposed, and an inner surface of the heating chamber (40). A blower bracket 62 fixed by screwing to the blower bracket 62, a bent shaft 63 having a bent structure in which one end is screwed or welded to the blower bracket 62, and the end of the bent shaft 63 It consists of a circulation heater 41 unit fixed by screwing, and a blowing pen 65 supplying wind in the direction of the circulation heater 41 unit screwed to the ventilation bracket 62, and the circulation heater 41 The heat generated by the unit is transferred to the wafer 100 of the heating chamber 40 through the heating port 61 of the side panel, and the heat is transferred and transferred again by the blowing pen 65 In addition, by allowing the hot air to circulate, it is possible to increase the removal efficiency of foreign substances adhering to the wafer 100 .

또한, 상기 송풍펜(65)에서 전달되는 열풍에 의해 태워진 후 소멸되지 않은 이물질을 웨이퍼(100)에서 분리시킬 수 있어, 별도의 이물질 분리를 위한 공정이 불필요하게 됨으로써, 공정의 효율성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, foreign substances that are not extinguished after being burned by the hot air transmitted from the blowing pen 65 can be separated from the wafer 100, so that a separate process for separating foreign substances is unnecessary, thereby improving the efficiency of the process. be able to

상기 하우징본체(30)에는 상기 가열챔버(40)에 배치되는 상기 웨이퍼(100)들을 승강하면서 가열하도록 승강형웨이퍼(100)가열수단(70)이 더 마련된다.The housing body 30 is further provided with a heating means 70 for the elevating wafer 100 so as to heat the wafers 100 disposed in the heating chamber 40 while elevating the wafer 100 .

상기 승강형웨이퍼(100)가열수단(70)은 상기 하우징본체(30)의 내측 상부에 나사체결되어 고정되는 승강브라켓(71)과, 상기 승강브라켓(71)에 일단이 나사체결되어 고정되는 승강실린더(72)와, 상기 승강실린더(72)의 승강축 단부에 형성되는 연결샤프트(73)와, 상기 승강실린더(72)의 연결샤프트(73)에 상단부가 나사체결되어 고정되며 상기 승강실린더(72)의 구동에 의해 승강되는 중공의 가열틀(74)과, 상기 가열틀(74)의 내면에 나사체결되어 고정되는 열선인 가열히터(41)유닛들과, 상기 가열틀(74)에 형성되는 가열통기공(76)들로 이루어져, 상기 승강실린더(72)의 구동에 의해 상기 가열틀(74)이 승강되면서, 상기 가열히터(41)유닛에서 발생되는 열기에 의해 상기 가열챔버(40)에 배치되는 상기 웨이퍼(100)를 가열하여 달라붙은 이물질을 태워 소멸시키게 된다.The elevating wafer 100 heating means 70 includes an elevating bracket 71 that is screwed to the inner upper portion of the housing body 30 and an elevating bracket 71 that is fixed by screwing one end to the elevating bracket 71 . The cylinder 72, the connecting shaft 73 formed at the end of the elevating shaft of the elevating cylinder 72, and the upper end screwed to the connecting shaft 73 of the elevating cylinder 72 and fixed, the elevating cylinder ( 72), a hollow heating frame 74 that is raised and lowered by driving, heating heater 41 units that are heat wires fixed by screwing on the inner surface of the heating frame 74, and formed in the heating frame 74 The heating chamber (40) is composed of heating vent holes (76) that become The wafer 100 is heated to burn out the attached foreign substances.

또한, 상기 가열챔버(40)에 형성되는 히터(41)와 상기 가열히터(41)유닛의 열기에 의해 상기 웨이퍼(100)의 이물질을 태우는 효율을 높일 수 있게 되고, 상기 가열틀(74)이 상기 가열챔버(40)을 감싸면서 배치한 후 가열함으로써, 가열효율 및 이물질제거효율을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, it is possible to increase the efficiency of burning foreign substances on the wafer 100 by the heat of the heater 41 formed in the heating chamber 40 and the heating heater 41 unit, and the heating frame 74 is It is possible to improve heating efficiency and foreign matter removal efficiency by heating the heating chamber 40 while enclosing it.

또한, 상기 가열통기공(76)을 통해 상기 순환형열풍공급수단(60)을 통해 이동되는 열풍을 상기 가열챔버(40)로 전달할 수 있게 된다.In addition, the hot air moving through the circulating hot air supply means 60 through the heating vent hole 76 can be transferred to the heating chamber 40 .

이때, 상기 웨이퍼(100)가 내부에 배치되는 가열챔버(40)의 측면패널들에 중공의 가열구(61)가 형성되어, 상기 투입구(42)와 함께 상기 웨이퍼(100)로 열기를 전달할 수 있게 된다.At this time, a hollow heating port 61 is formed in the side panels of the heating chamber 40 in which the wafer 100 is disposed, and heat can be transferred to the wafer 100 together with the inlet 42 . there will be

지금까지 본 발명에 대해서 상세히 설명하였으나, 그 과정에서 언급한 실시예는 예시적인 것일 뿐이며, 한정적인 것이 아님을 분명히 하고, 본 발명은 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상이나 분야를 벗어나지 않는 범위내에서, 균등하게 대처될 수 있는 정도의 구성요소 변경은 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail so far, it is clear that the embodiments mentioned in the process are merely illustrative and not restrictive, and the present invention is the technical spirit or field of the present invention provided by the following claims. Within a range that does not depart from, it will be said that component changes to a degree that can be equally dealt with fall within the scope of the present invention.

10 : 디가스 장치
20 : 프레임틀본체
30 : 하우징본체
31 : 인입슬릿
40 : 가열챔버
41 : 히터
42 : 투입구
43 : 가이드레일
50 : 승강부
51 : 지지패널
52 : 스크류축
53 : 하부승강패널
531 : 너트부재
54 : 상부승강패널
55 : 체결샤프트
56 : 구동모터
60 : 순환형열풍공급수단
61 : 가열구
62 : 송풍브라켓
63 : 절곡샤프트
64 : 순환히터유닛
65 : 송풍펜
70 : 승강형웨이퍼가열수단
71 : 승강브라켓
72 : 승강실린더
73 : 연결샤프트
74 : 가열틀
75 : 가열히터유닛
76 : 가열통기공
100 : 웨이퍼10: degas device
20: frame body
30: housing body
31: inlet slit
40: heating chamber
41 : heater
42: inlet
43: guide rail
50: elevator
51: support panel
52: screw shaft
53: lower lifting panel
531: nut member
54: upper lifting panel
55: fastening shaft
56: drive motor
60: circulating hot air supply means
61: heating element
62: blow bracket
63: bending shaft
64: circulation heater unit
65: blow pen
70: elevating type wafer heating means
71: elevating bracket
72: elevating cylinder
73: connecting shaft
74: heating frame
75: heating heater unit
76: heating vent hole
100: wafer

Claims (5)

웨이퍼를 가열하여 이물질을 연소시키도록 된 디가스 장치로서,
프레임틀본체;
상기 프레임틀본체의 상부에 배치되고 내부에 수용공간이 마련되고, 일면에 상기 웨이퍼가 인입되도록 인입슬릿이 형성된 하우징본체; 및
상기 하우징본체의 내부에 배치되고 히터가 마련되며, 상기 인입슬릿을 통해 전달된 상기 웨이퍼를 가열하는 가열챔버로 이루어진 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치에 있어서,
상기 하우징본체에는 승강하면서 상기 가열챔버을 감싸면서 배치되어, 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼들을 가열하도록 승강형웨이퍼가열수단이 더 마련되며,
상기 승강형웨이퍼가열수단은,
상기 하우징본체의 내측 상부에 연결되어 고정되는 승강브라켓과,
상기 승강브라켓에 일단이 연결되어 고정되는 승강실린더와,
상기 승강실린더의 승강축 단부에 형성되는 연결샤프트와,
상기 승강실린더의 연결샤프트에 상단부가 연결되어 고정되며 상기 승강실린더의 구동에 의해 승강되며, 상기 가열챔버를 감싸면서 배치되는 가열틀과,
상기 가열틀의 내면에 체결되어 고정되는 가열히터유닛들과,
상기 가열틀에 형성되는 가열통기공들로 이루어져,
상기 승강실린더의 구동에 의해 상기 가열틀이 승강되면서, 상기 가열히터유닛에서 발생되는 열기를 상기 가열챔버에 형성되는 가열구와 투입구를 통해 열기를 전달하여 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼를 가열하도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치.
A degas device configured to burn a foreign material by heating a wafer, comprising:
frame body;
a housing body disposed on an upper portion of the frame body, provided with an accommodating space therein, and having an inlet slit formed on one surface to receive the wafer; and
In the degassing device for wafer PVD process, which is disposed inside the housing body, provided with a heater, and comprising a heating chamber for heating the wafer transferred through the inlet slit,
An elevating type wafer heating means is further provided on the housing body while enclosing the heating chamber while ascending and lowering, so as to heat the wafers disposed in the heating chamber,
The elevating type wafer heating means,
an elevating bracket connected to and fixed to the inner upper portion of the housing body;
an elevating cylinder having one end connected to the elevating bracket and fixed;
a connecting shaft formed at an end of the elevating shaft of the elevating cylinder;
The upper end is connected to the connecting shaft of the elevating cylinder and fixed, the elevating cylinder is lifted by driving the elevating cylinder, and the heating frame is disposed while surrounding the heating chamber;
Heating heater units fastened to the inner surface of the heating frame and fixed;
Consists of heating vents formed in the heating frame,
As the heating frame is raised and lowered by the driving of the elevating cylinder, heat generated from the heating heater unit is transferred through a heating port and an inlet formed in the heating chamber to heat the wafer disposed in the heating chamber Degas device for wafer PVD process, characterized in that.
 제 1 항에 있어서,
상기 가열챔버에는 내부에 상기 웨이퍼를 지지하는 가이드레일이 카세트구조로 일정간격을 유지하며 배치되고,
상기 가이드레일의 하부에는 상기 히터가 체결되어, 상기 가이드레일에 배치되는 웨이퍼를 가열하여, 이물질을 연소시키게 되며,
상기 가이드레일에 상기 웨이퍼를 배치시키도록 일면에 투입구가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치.
The method of claim 1,
Guide rails for supporting the wafer inside the heating chamber are arranged at regular intervals in a cassette structure,
The heater is coupled to the lower portion of the guide rail to heat the wafer disposed on the guide rail to burn foreign substances,
A degassing device for a wafer PVD process, characterized in that an inlet is formed on one surface to place the wafer on the guide rail.
 제 1 항에 있어서,
상기 프레임틀본체 및 상기 하우징본체에는 상기 가열챔버를 승강시키도록 승강부가 더 마련되고,
상기 승강부는 상기 프레임틀 본체에 형성되는 한쌍의 지지패널과,
상기 지지패널들을 연결하며 회전되게 축결합되는 스크류축과,
상기 스크류축에 체결되어, 상기 스크류축의 회전에 의해 승강된 너트부재가 마련된 하부승강패널과,
상기 가열챔버에 연결되는 상부승강패널과,
상기 하부승강패널과 상기 상부승강패널을 상호 연결하는 체결샤프트와,
상기 스크류축을 회전시키는 구동모터로 이루어지며,
상기 인입슬릿은 단일 웨이퍼가 투입될 수 있는 크기로 형성하고,
상기 승강부에 의해 카세트 구조의 상기 가열챔버가 승강되면서 상기 인입슬릿을 통해 투입되는 웨이퍼가 상기 가열챔버의 내부에 일정간격을 유지하며 적층되게 배치되도록 한 후 가열하여 달라붙은 이물질을 연소시키도록 된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치.
The method of claim 1,
The frame body and the housing body are further provided with a lifting unit to elevate the heating chamber,
The lifting unit includes a pair of support panels formed on the frame body;
A screw shaft that connects the support panels and is shaft-coupled to rotate;
A lower lifting panel fastened to the screw shaft and provided with a nut member lifted by rotation of the screw shaft;
an upper elevating panel connected to the heating chamber;
a fastening shaft interconnecting the lower elevating panel and the upper elevating panel;
Consists of a driving motor for rotating the screw shaft,
The inlet slit is formed to a size that a single wafer can be inserted,
As the heating chamber of the cassette structure is raised and lowered by the elevating unit, the wafers introduced through the inlet slit are arranged to be stacked while maintaining a predetermined interval inside the heating chamber, and then heated to burn the adhering foreign substances. Degas device for wafer PVD process, characterized in that.
 제 1 항에 있어서,
상기 하우징본체에는 상기 가열챔버에 배치되는 상기 웨이퍼들에 상기 가열챔버의 측면패널들을 통해 열기를 전달하도록 순환형열풍공급수단이 더 마련되며,
상기 순환형열풍공급수단은,
상기 웨이퍼가 내부에 배치되는 가열챔버의 측면패널들에 형성되는 중공의 가열구와,
상기 가열챔버의 내측면에 체결되어 고정되는 송풍브라켓과,
상기 송풍브라켓에 일단이 연결되어 고정되는 절곡된 구조의 절곡샤프트와,
상기 절곡샤프트의 끝단에 연결되어 고정되는 순환히터유닛과,
상기 송풍브라켓에 체결되는 상기 순환히터유닛 방향으로 바람을 공급하는 송풍펜으로 이루어져,
상기 순환히터유닛에서 발생되는 열기가 상기 측면패널의 가열구를 통해 상기 가열챔버의 웨이퍼로 전달되도록 함과 아울러 상기 송풍펜에 의해 재차 열기가 이동되어 전달되도록 함과 아울러 순환되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 PVD 공정용 디가스 장치.


The method of claim 1,
A circulating hot air supply means is further provided in the housing body to transfer heat to the wafers disposed in the heating chamber through side panels of the heating chamber,
The circulation type hot air supply means,
a hollow heating port formed on side panels of a heating chamber in which the wafer is disposed;
a blower bracket fastened to and fixed to the inner surface of the heating chamber;
A bent shaft having a bent structure in which one end is connected to the blower bracket and fixed;
a circulation heater unit connected to and fixed to the end of the bent shaft;
It consists of a blower pen that supplies wind in the direction of the circulation heater unit fastened to the blower bracket,
The heat generated by the circulation heater unit is transferred to the wafer of the heating chamber through the heating port of the side panel, and the hot air is moved and transferred again by the blowing pen and is circulated. Degas device for wafer PVD process.


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