KR102433759B1 - Apparatus for etching substrate - Google Patents

Apparatus for etching substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102433759B1
KR102433759B1 KR1020200159800A KR20200159800A KR102433759B1 KR 102433759 B1 KR102433759 B1 KR 102433759B1 KR 1020200159800 A KR1020200159800 A KR 1020200159800A KR 20200159800 A KR20200159800 A KR 20200159800A KR 102433759 B1 KR102433759 B1 KR 102433759B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
wafer
shaped wall
carrier
working fluid
Prior art date
Application number
KR1020200159800A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220056763A (en
Inventor
추안-창 펭
마오-린 리우
팅-위 우
Original Assignee
사이언테크 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사이언테크 코포레이션 filed Critical 사이언테크 코포레이션
Publication of KR20220056763A publication Critical patent/KR20220056763A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102433759B1 publication Critical patent/KR102433759B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

본 발명은 침지기구, 회전모터, 개폐기구 및 주입 노즐을 포함하는, 작업용 유체로 웨이퍼를 식각하기 위한 웨이퍼 식각장치를 제공한다. 침지기구는 웨이퍼를 탑재하기 위한 캐리어 및 작업용 유체를 담기 위해 웨이퍼 둘레에 끼워지기 위한 링형벽을 포함한다. 회전모터는 캐리어에 연동되어 캐리어를 회전하도록 구동한다. 개폐기구는 침지기구에 연동되어 캐리어 및 링형벽이 상대적으로 이동하게 구동함으로써 웨이퍼가 링형벽에서 출입할 수 있게 한다. 주입 노즐은 침지기구의 일측에 구비되고 또한 링형벽 안쪽을 향하게 배치되어 작업용 유체를 공급한다.The present invention provides a wafer etching apparatus for etching a wafer with a working fluid, comprising an immersion mechanism, a rotary motor, an opening and closing mechanism, and an injection nozzle. The immersion mechanism includes a carrier for mounting the wafer and a ring-shaped wall for fitting around the wafer to contain a working fluid. The rotary motor is linked to the carrier and drives the carrier to rotate. The opening/closing mechanism is linked to the immersion mechanism to drive the carrier and the ring-shaped wall to move relatively so that the wafer can be moved in and out of the ring-shaped wall. The injection nozzle is provided on one side of the immersion mechanism and is disposed toward the inside of the ring-shaped wall to supply the working fluid.

Figure R1020200159800
Figure R1020200159800

Description

웨이퍼 식각장치{Apparatus for etching substrate}Wafer etching apparatus {Apparatus for etching substrate}

본 발명은 웨이퍼 식각장치에 관한 것으로, 특히 단일 웨이퍼를 식각하기 위한 웨이퍼 식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer etching apparatus, and more particularly to a wafer etching apparatus for etching a single wafer.

현재 웨이퍼 식각 공정의 추세는 제품 다양화라는 요구에 부응하고자 단일 웨이퍼 가공이라는 방향으로 점차 발전하고 있다. 종래의 단일 웨이퍼 식각장치는 웨이퍼 표면에 식각액을 스프레이하는 방식으로 식각을 진행하지만 상기 식각액이 웨이퍼 가장자리에 머무는 시간이 너무 짧아서 웨이퍼 가장자리의 식각 수율이 열악하게 된다. 이러한 문제점에 대한 종래의 솔루션은 먼저 웨이퍼를 쌓은 후 웨이퍼를 미리 침지하여 웨이퍼 표면의 각 부분이 식각액과 충분히 접촉하게 한 후 식각장치에 진입 시켜 식각을 진행한다. 그러나 이러한 방법은 습기차고 젖은 웨이퍼를 이동시켜야 하고 비산되는 식각액을 제어하기 어렵다. 그리고 한 무리의 웨이퍼를 미리 식각하는 과정은 단일 웨이퍼 식각의 장점을 잃게 만든다.The current trend of the wafer etching process is gradually developing in the direction of single wafer processing in order to meet the demand for product diversification. The conventional single wafer etching apparatus etches by spraying an etchant on the wafer surface, but the etchant stays on the edge of the wafer for too short a time, resulting in poor etching yield at the edge of the wafer. The conventional solution to this problem is to first stack the wafers and then pre-immerse the wafers so that each part of the wafer surface is sufficiently in contact with the etching solution, and then enter the etching apparatus to perform the etching. However, this method has to move the wet and wet wafer, and it is difficult to control the scattered etchant. And the process of pre-etching a batch of wafers loses the advantages of single-wafer etching.

이에, 본 발명자가 개선하고자 하는 목적은 상술한 종래 기술에 대해 깊이 연구하고 학문적인 응용을 결합하여 상술한 문제점을 전적으로 해결하는 것이다.Accordingly, an object of the present inventors to improve is to completely solve the above-mentioned problems by in-depth research on the above-mentioned prior art and combining academic applications.

본 발명은 단일 웨이퍼를 식각하기 위한 웨이퍼 식각장치를 제공한다.The present invention provides a wafer etching apparatus for etching a single wafer.

본 발명은 침지기구, 회전모터, 개폐기구 및 주입 노즐을 포함하는, 작업용 유체로 웨이퍼를 식각하기 위한 웨이퍼 식각장치를 제공한다. 침지기구는 웨이퍼를 탑재하기 위한 캐리어 및 작업용 유체를 담기 위해 웨이퍼 둘레에 끼워지기 위한 링형벽을 포함한다. 회전모터는 캐리어에 연동되어 캐리어가 회전하게 구동할 수 있다. 개폐기구는 침지기구에 연동되어 캐리어 및 링형벽이 상대적으로 이동하게 구동함으로써 웨이퍼가 링형벽에서 출입할 수 있게 한다. 주입 노즐은 침지기구의 일측에 구비되고 또한 링형벽 안쪽을 향하게 배치되어 작업용 유체를 공급한다. The present invention provides a wafer etching apparatus for etching a wafer with a working fluid, comprising an immersion mechanism, a rotary motor, an opening and closing mechanism, and an injection nozzle. The immersion mechanism includes a carrier for mounting the wafer and a ring-shaped wall for fitting around the wafer to contain a working fluid. The rotary motor may be linked to the carrier to drive the carrier to rotate. The opening/closing mechanism is linked to the immersion mechanism to drive the carrier and the ring-shaped wall to move relatively so that the wafer can be moved in and out of the ring-shaped wall. The injection nozzle is provided on one side of the immersion mechanism and is disposed toward the inside of the ring-shaped wall to supply the working fluid.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 내부에 침지기구를 안치하는 외부 배수조를 더 포함한다. 외부 배수조는 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 다수 개의 분기용 링형 캡을 포함하고, 각각의 분기용 링형 캡은 각각 침지기구를 둘러싸고 또한 독자적으로 승강할 수 있다.The wafer etching apparatus according to the present invention further includes an external drainage tank for placing the immersion mechanism therein. The external drainage tank includes a plurality of branching ring-type caps overlapping each other in an enveloping manner, and each branching ring-type cap surrounds the immersion mechanism, respectively, and can be raised and lowered independently.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치의 개폐기구는 캐리어에 연결되는 제1 승강모듈을 포함한다. 개폐기구는 링형벽에 연결되는 제2 승강모듈을 포함한다. The opening/closing mechanism of the wafer etching apparatus according to the present invention includes a first lifting module connected to the carrier. The opening/closing mechanism includes a second elevating module connected to the ring-shaped wall.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치의 링형벽에는 스토퍼 모듈이 구비되어 웨이퍼 표면을 오버플로우하는 작업용 유체를 저지한다. 스토퍼 모듈은 링형벽의 내벽면에 연통되게 다수 개의 가스 분출구를 구비하여 가스를 링형벽과 웨이퍼 사이의 틈새에 주입한다. 스토퍼 모듈은 링형벽에 구비되는 밀폐링을 포함하고 캐리어는 밑판을 포함하고 밀폐링은 밑판의 가장자리에 맞닿아 압력을 가한다. 밑판의 상단면에는 돌출된 원추형 모양의 배수면이 형성된다. 캐리어는 밑판의 상단면에 세로로 구비되는 다수 개의 척을 구비하고 웨이퍼는 상술한 척에 탑재된다.The ring-shaped wall of the wafer etching apparatus according to the present invention is provided with a stopper module to block the working fluid overflowing the wafer surface. The stopper module is provided with a plurality of gas outlets communicating with the inner wall surface of the ring-shaped wall to inject gas into the gap between the ring-shaped wall and the wafer. The stopper module includes a sealing ring provided on the ring-shaped wall, the carrier includes a bottom plate, and the sealing ring abuts against the edge of the bottom plate to apply pressure. A protruding cone-shaped drainage surface is formed on the top surface of the bottom plate. The carrier is provided with a plurality of chucks vertically provided on the top surface of the bottom plate, and the wafer is mounted on the chuck as described above.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치의 회전모터는 링형벽에 연동되어 링형벽과 캐리어가 동시에 회전하도록 구동할 수 있다.The rotation motor of the wafer etching apparatus according to the present invention is linked to the ring-shaped wall and can be driven to rotate the ring-shaped wall and the carrier at the same time.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치의 캐리어 옆에는 상기 캐리어를 에워 싸는 다수 개의 청소 노즐을 구비하고 상술한 청소 노즐은 위로 벌어지게 배치된다. 상술한 청소 노즐의 분사 방향은 밖을 향해 발산하는 것이다.A plurality of cleaning nozzles surrounding the carrier are provided next to the carrier of the wafer etching apparatus according to the present invention, and the cleaning nozzles are arranged to be opened upward. The spraying direction of the above-described cleaning nozzle is to diverge outward.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 링형벽에 의해 웨이퍼의 가장자리를 감싸서 작업용 유체를 링형벽 내에 주입하고 나서 웨이퍼를 회전 시켜 식각을 진행한다. 그러므로 작업용 유체가 웨이퍼의 표면을 완전히 커버할 수 있어서 식각 품질이 균일하고 안정적이다.The wafer etching apparatus according to the present invention surrounds the edge of the wafer by the ring-shaped wall, injects a working fluid into the ring-shaped wall, and then rotates the wafer to perform etching. Therefore, the working fluid can completely cover the surface of the wafer, so that the etching quality is uniform and stable.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 설명도다.
도 3 내지 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 사용 상태 설명도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 변형 실시에 대한 설명도다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 설명도다.
도 9 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 사용 상태 설명도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치의 변형 실시에 대한 설명도이다.1 and 2 are explanatory views of a wafer etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 to 4 are diagrams illustrating a state of use of the wafer etching apparatus according to the first embodiment of the present invention.
5 and 6 are explanatory views for modified implementation of the wafer etching apparatus according to the first embodiment of the present invention.
7 and 8 are explanatory views of a wafer etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
9 to 10 are diagrams illustrating a state of use of a wafer etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
11 to 13 are explanatory views for modified implementation of the wafer etching apparatus according to the second embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 전체적으로 원기둥 모양을 하고 그 중심축을 따라 대칭된다. 따라서, 각 실시예에서는 세로 방향 단면도로 설명을 진행한다.The wafer etching apparatus according to the present invention has a cylindrical shape as a whole and is symmetrical along its central axis. Accordingly, in each embodiment, the description proceeds with a longitudinal cross-sectional view.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치는 작업용 유체(20)로 웨이퍼(10)를 식각하기 위한 것으로 적어도 침지기구(100), 회전모터(200), 개폐기구(300) 및 적어도 하나의 주입 노즐(400)을 포함한다. 1 to 3, the wafer etching apparatus according to the first embodiment of the present invention is for etching the wafer 10 with a working fluid 20, at least an immersion mechanism 100, a rotation motor 200, It includes an opening/closing mechanism 300 and at least one injection nozzle 400 .

침지기구(100)는 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 포함하고, 캐리어(110)는 웨이퍼(10)를 탑재하고 링형벽(120)은 웨이퍼(10)의 둘레에 끼워져 작업용 유체(20)를 담고 또한 작업용 유체(20)가 웨이퍼(10)의 표면을 덮도록 한다. 캐리어(110)는 밑판(101) 및 다수 개의 척(111)을 구비하고 밑판(101)은 접시 모양을 갖고 척(111)은 밑판(101)의 상단면에 세로로 구비되고 웨이퍼(10)는 상술한 척(111) 상에 탑재된다. 캐리어(110)의 밑판(101)은 장부(121)에 의해 링형벽(120)에 걸림으로써 결합되어 밑판(101)과 링형벽(120)을 고정 시킬 수 있다. 밑판(101)의 상단면에는 배수면(112)이 추가로 형성되고 배수면(112)은 돌출된 원추 모양을 갖는 것이 바람직하며, 배수면(112)은 밑판(101) 상단면에 잔류된 작업용 유체(20)를 밖으로 배출할 수 있다. The immersion mechanism 100 includes a carrier 110 and a ring-shaped wall 120 , the carrier 110 mounts the wafer 10 , and the ring-shaped wall 120 is fitted around the wafer 10 to provide a working fluid 20 . ) so that the working fluid 20 covers the surface of the wafer 10 . The carrier 110 includes a bottom plate 101 and a plurality of chucks 111 , the bottom plate 101 has a plate shape, the chuck 111 is vertically provided on the top surface of the bottom plate 101 , and the wafer 10 is It is mounted on the chuck 111 described above. The bottom plate 101 of the carrier 110 may be coupled by being caught on the ring-shaped wall 120 by the tenon 121 to fix the bottom plate 101 and the ring-shaped wall 120 . It is preferable that a drainage surface 112 is additionally formed on the top surface of the bottom plate 101 and the drainage surface 112 has a protruding cone shape, and the drainage surface 112 is for work remaining on the top surface of the bottom plate 101 . The fluid 20 may be discharged outside.

링형벽(120)에는 스토퍼 모듈(130)을 구비하여 웨이퍼(10) 표면을 오버플로우하는 작업용 유체(20)를 저지한다. 본 실시예에서, 바람직하게는 스토퍼 모듈(130)은 링형벽(120)에 구비되는 밀폐링(131)을 포함하고, 웨이퍼(10)가 링형벽(120) 내에 위치할 때 밀폐링(131)은 밑판(101)의 가장자리에 맞닿아 압력을 가하여 밑판(101)과 밀폐되게 결합한다.The ring-shaped wall 120 is provided with a stopper module 130 to stop the working fluid 20 from overflowing the surface of the wafer 10 . In this embodiment, preferably, the stopper module 130 includes a sealing ring 131 provided on the ring-shaped wall 120 , and the sealing ring 131 when the wafer 10 is positioned within the ring-shaped wall 120 . Silver abuts against the edge of the bottom plate 101 and is tightly coupled with the bottom plate 101 by applying pressure.

회전모터(200)는 적어도 캐리어(110)에 연동되어 캐리어(110)를 구동할 수 있으며, 본 실시예에서 회전모터(200)는 추가로 링형벽(120)에 연동되어 링형벽(120)과 캐리어(110)가 동시에 회전하게 구동할 수 있다. 구체적으로, 캐리어(110) 및 링형벽(120)은 각각 동일 회전축(210)에 직접이나 간접 연결되고 회전모터(200)는 회전축(210)과 맞물려서 캐리어(110) 및 링형벽(120)의 회전을 구동하며, 회전모터(200)는 회전축(210)에 직접 맞물리거나 감속 기어에 의해 회전축(210)에 간접적으로 맞물릴 수 있다. The rotation motor 200 may be linked to at least the carrier 110 to drive the carrier 110 , and in this embodiment, the rotation motor 200 is further interlocked with the ring-shaped wall 120 to form the ring-shaped wall 120 and The carrier 110 may be driven to rotate at the same time. Specifically, the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are each directly or indirectly connected to the same rotational shaft 210 and the rotational motor 200 is engaged with the rotational shaft 210 to rotate the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 . and the rotation motor 200 may be directly engaged with the rotation shaft 210 or may be indirectly engaged with the rotation shaft 210 by a reduction gear.

개폐기구(300)는 침지기구(100)에 연동되어 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 상대적으로 승강 이동하게 구동함으로써 웨이퍼(10)가 링형벽(120)에서 출입할 수 있게 한다. 본 실시예에서, 개폐기구(300)는 캐리어(110)에 연결되는 제1 승강모듈(310) 및 링형벽(120)에 연결되는 제2 승강모듈(320)을 포함한다. 제1 승강모듈(310) 및 제2 승강모듈(320)은 각각 적어도 세로로 구비되는 신축바(311/321)를 포함하되, 신축바(311/321)는 전동 실린더(선형 엑츄에이터), 유압 실린더 등의 동력 부재일 수 있으며 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 구체적으로, 바람직하게는 회전모터(200)는 회전축(210)으로 탑재 테이블의 회전을 구동하고 제1 승강모듈(310) 및 제2 승강모듈(320)은 각각 탑재 테이블에 세로 방향으로 구비되고, 캐리어(110) 및 링형벽(120)은 각각 제1 승강모듈(310) 상 및 제2 승강모듈(320) 상에 구비되어서 회전축(210)에 간접 연결된다.The opening/closing mechanism 300 is linked to the immersion mechanism 100 to drive the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 to move up and down relative to the wafer 10 so that the wafer 10 can enter and exit the ring-shaped wall 120 . In this embodiment, the opening/closing mechanism 300 includes a first elevating module 310 connected to the carrier 110 and a second elevating module 320 connected to the ring-shaped wall 120 . The first elevating module 310 and the second elevating module 320 each include at least an extension bar 311/321 provided vertically, and the telescopic bar 311/321 is an electric cylinder (linear actuator), a hydraulic cylinder. It may be a power member such as, but the present invention is not limited thereto. Specifically, preferably, the rotary motor 200 drives the rotation of the mounting table with the rotating shaft 210, and the first elevating module 310 and the second elevating module 320 are respectively provided on the mounting table in the vertical direction, The carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are provided on the first elevating module 310 and the second elevating module 320 , respectively, and are indirectly connected to the rotating shaft 210 .

주입 노즐(400)은 작업용 유체(20)를 공급하기 위한 것으로, 침지기구(100)의 일측에 구비되고 또한 링형벽(120) 안쪽을 향하게 배치된다. 본 실시예에서, 작업용 유체(20)는 웨이퍼(10)를 식각하기 위한 식각액이거나 웨이퍼(10) 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위한 세척액일 수 있다. 웨이퍼(10) 상의 상이한 코팅층에 대응하여 상응하는 식각액을 사용해야 하기 때문에 본 발명에서는 식각액의 종류에 제한을 두지 않는다. 세척액은 물이거나 기타 휘발성 용액일 수 있다. 바람직하게는, 다수 개의 주입 노즐(400)을 구비하여 여러 가지 다른 작업용 유체(20)를 공급하도록 한다.The injection nozzle 400 is for supplying the working fluid 20 , is provided on one side of the immersion mechanism 100 , and is disposed toward the inside of the ring-shaped wall 120 . In this embodiment, the working fluid 20 may be an etchant for etching the wafer 10 or a cleaning solution for removing the etchant remaining on the wafer 10 . Since a corresponding etchant must be used in response to the different coating layers on the wafer 10 , the present invention does not limit the type of the etchant. The cleaning solution may be water or other volatile solutions. Preferably, a plurality of injection nozzles 400 are provided to supply various different working fluids 20 .

바람직하게는, 본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 침지기구(100)가 내부에 안치되는 외부 배수조(500)를 더 포함한다. 외부 배수조(500)는 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 다수 개의 분기용 링형 캡(510)을 포함하고, 각각의 분기용 링형 캡(510)은 각각 침지기구(100)를 둘러싸고 또한 상술한 분기용 링형 캡(510) 중 적어도 일부는 승강기구(520)에 각각 연결되어 독자적으로 승강할 수 있으므로 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 분기용 링형 캡(510) 모두 분리될 수 있게 한다. 상호 겹쳐진 분기용 링형 캡(510)이 분리할 때 양자 사이의 틈새에는 배수로(501)가 형성되어 작업용 유체(20)가 이를 통과하여 배출되게 한다. 상술한 분기용 링형 캡(510)을 선택적으로 승강 시켜서 각각의 배수로(501)를 개폐 시킬 수 있다. 여러 가지 작업용 유체(20)를 사용할 경우 각 작업용 유체(20)는 상응하는 배수로(501)를 통해 각각 배출됨으로써 각 작업용 유체(20)가 배수로(501) 내벽에 부착된 다른 작업용 유체(20)에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. Preferably, the wafer etching apparatus according to the present invention further includes an external drain tank 500 in which the immersion mechanism 100 is placed therein. The external drainage tank 500 includes a plurality of branching ring-type caps 510 overlapping each other in a wrapping manner, and each branching ring-type cap 510 surrounds the immersion mechanism 100, respectively, and also includes the aforementioned branching ring-type caps. At least some of the caps 510 are respectively connected to the lifting mechanism 520 and can be lifted independently, so that all of the bifurcated ring-type caps 510 overlapping each other in a wrapping manner can be separated. When the overlapping branching ring-type caps 510 are separated, a drain 501 is formed in the gap between the two, so that the working fluid 20 is discharged through it. By selectively lifting the above-described ring-type cap 510 for branching, it is possible to open and close each drain 501 . When using various working fluids 20, each working fluid 20 is discharged through a corresponding drain 501, so that each working fluid 20 is attached to the drain 501 inner wall. contamination can be prevented.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치를 사용할 때 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 먼저 상대적으로 승강하여 분리함으로써 캐리어(110)가 링형벽(120) 외부의 상방에 위치하게 하여 웨이퍼(10)를 캐리어(110) 상에 편리하게 수평으로 안치할 수 있게 한다.Referring to FIG. 2 , when using the wafer etching apparatus according to the present invention, the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are first relatively elevated and separated so that the carrier 110 is positioned above the ring-shaped wall 120 outside. This allows the wafer 10 to be conveniently placed horizontally on the carrier 110 .

도 3을 참조하면, 이어서, 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 상대적으로 승강하게 하여 웨이퍼(10)를 링형벽(120) 내로 이동시키고 또한 캐리어(110)의 밑판(101)이 밀폐링(131)에 맞닿아 압력을 가하여 밑판(101)이 링형벽(120)과 밀폐 결합하게 한다. 그러고 나서 주입 노즐(400)에 의해 작업용 유체(20)를 링형벽(120) 내에 주입하여 링형벽(120) 내의 웨이퍼(10)를 잠기게 한다. 회전모터(200)로 캐리어(110)를 회전시켜서 웨이퍼(10)가 회전하게 함으로써 웨이퍼(10)의 표면이 적절하게 식각되게 한다.Referring to FIG. 3 , the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are then relatively elevated to move the wafer 10 into the ring-shaped wall 120 , and the bottom plate 101 of the carrier 110 is a sealing ring. By applying pressure in contact with (131), the bottom plate 101 is hermetically coupled to the ring-shaped wall (120). Then, the working fluid 20 is injected into the ring-shaped wall 120 by the injection nozzle 400 to submerge the wafer 10 in the ring-shaped wall 120 . By rotating the carrier 110 with the rotation motor 200 to rotate the wafer 10, the surface of the wafer 10 is properly etched.

도 4를 참조하면, 식각이 완료된 후 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 상대적으로 승강 시켜서 분리하게 하여 웨이퍼(10)가 링형벽(120)으로부터 나오도록 한다. 링형벽(120) 내에 남은 작업용 유체(20)는 사방으로 유출 유동하여 외부 배수조(500) 내에 이르고 상응하는 배수로(501)를 통해 배출된다.Referring to FIG. 4 , after the etching is completed, the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are relatively lifted and separated to separate the wafer 10 from the ring-shaped wall 120 . The working fluid 20 remaining in the ring-shaped wall 120 flows out and flows in all directions, reaches the external sump 500 , and is discharged through a corresponding drain 501 .

제1 실시예에 나타낸 것은 본 실시예 중에서 개폐기구(300)의 일 배치 방식을 나타내지만 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 개폐기구(300)의 기능은 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 상대적으로 승강하게 구동하는 것이며, 본 실시예에서는 여가 가지 다른 배치 방식을 열거할 수 있으며 이는 후술하도록 한다.Although shown in the first embodiment shows one arrangement method of the opening/closing mechanism 300 in the present embodiment, the present invention is not limited thereto. The function of the opening and closing mechanism 300 is to drive the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 to move up and down relatively, and in this embodiment, various other arrangement methods may be enumerated, which will be described later.

도 5를 참조하면, 개폐기구(300)는 캐리어(110)에 연결되는 제1 승강모듈(310)만 포함해도 된다. 제1 승강모듈(310)에 의해 캐리어(110)가 링형벽(120)과 상대적으로 승강하게 구동하면 웨이퍼(10)를 링형벽(120)에 진입하게 하거나 빠져나오게 할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the opening/closing mechanism 300 may include only the first lifting module 310 connected to the carrier 110 . When the carrier 110 is driven to be lifted relative to the ring-shaped wall 120 by the first lifting module 310 , the wafer 10 may enter or exit the ring-shaped wall 120 .

도 6을 참조하면, 개폐기구(300)는 링형벽(120)에 연결되는 제2 승강모듈(320)만 포함해도 된다. 제2 승강모듈(320)에 의해 링형벽(120)이 캐리어(110)와 상대적으로 승강하게 구동하면 웨이퍼(10)를 링형벽(120)에 진입하게 하거나 빠져나오게 할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the opening/closing mechanism 300 may include only the second lifting module 320 connected to the ring-shaped wall 120 . When the ring-shaped wall 120 is driven relatively to the carrier 110 by the second lifting module 320 to move the wafer 10 into or out of the ring-shaped wall 120 .

도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 식각장치는 작업용 유체(20)로 웨이퍼(10)를 식각하기 위한 것으로 적어도 침지기구(100), 회전모터(200), 개폐기구(300) 및 제1 실시예에 따른 적어도 하나의 주입 노즐(400)을 포함한다.7 to 9, the wafer etching apparatus according to the second embodiment of the present invention is for etching the wafer 10 with the working fluid 20, at least an immersion mechanism 100, a rotation motor 200, It includes an opening/closing mechanism 300 and at least one injection nozzle 400 according to the first embodiment.

침지기구(100)는 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 포함하고, 캐리어(110)는 웨이퍼(10)를 탑재하고 링형벽(120)은 웨이퍼(10)의 둘레에 끼워져 작업용 유체(20)를 담고 또한 작업용 유체(20)가 웨이퍼(10)의 표면을 덮도록 한다. 캐리어(110)는 밑판(101)을 구비하고 밑판(101)은 접시 모양을 갖고 상단은 평면이며, 웨이퍼(10)는 밑판(101)의 상단면에 탑재된다. 웨이퍼(10)가 링형벽(120)에 진입할 때 캐리어(110) 및 웨이퍼(10)는 모두 링형벽(120)으로부터 분리되기 때문에 캐리어(110) 및 웨이퍼(10)는 독자적으로 작동할 수 있고 링형벽(120)에 연동되지 않는다. 링형벽(120)에는 스토퍼 모듈(130)이 구비되어 웨이퍼(10) 표면을 오버플로우하는 작업용 유체(20)를 저지한다. 스토퍼 모듈(130)은 링형벽(120)의 내벽면에 연통되는 다수 개의 가스 분출구(132)를 포함하고, 각각의 가스 분출구(132)는 양압 가스원에 각각 연통되어 가스를 링형벽(120)과 웨이퍼(10) 사이의 틈새에 주입함으로써 작업용 유체(20)를 저지한다. 링형벽(120)의 밑부 가장자리에는 틈새에 대응되는 하방에 링형 홈(122)를 구비함으로써 누출된 작업용 유체(20)를 담고 더 나아가 회수하거나 배출할 수 있다. The immersion mechanism 100 includes a carrier 110 and a ring-shaped wall 120 , the carrier 110 mounts the wafer 10 , and the ring-shaped wall 120 is fitted around the wafer 10 to provide a working fluid 20 . ) so that the working fluid 20 covers the surface of the wafer 10 . The carrier 110 has a bottom plate 101 , the bottom plate 101 has a plate shape and a flat top, and the wafer 10 is mounted on the top surface of the bottom plate 101 . Since the carrier 110 and the wafer 10 are both separated from the ring-shaped wall 120 when the wafer 10 enters the ring-shaped wall 120 , the carrier 110 and the wafer 10 can operate independently and It is not interlocked with the ring-shaped wall 120 . The ring-shaped wall 120 is provided with a stopper module 130 to stop the working fluid 20 from overflowing the surface of the wafer 10 . The stopper module 130 includes a plurality of gas outlets 132 communicating with the inner wall surface of the ring-shaped wall 120, and each of the gas outlets 132 is in communication with a positive pressure gas source to supply gas to the ring-shaped wall 120. The working fluid 20 is blocked by injecting into the gap between the wafer and the wafer 10 . The lower edge of the ring-shaped wall 120 has a ring-shaped groove 122 on the lower side corresponding to the gap, so that the leaked working fluid 20 can be contained and further recovered or discharged.

회전모터(200)는 캐리어(110)에 연동되어 캐리어(110)가 회전하도록 구동할 수 있다. 구체적으로, 캐리어(110)는 회전축(210)에 직접 또는 간접 연결될 수 있고, 회전모터(200)는 회전축(210)에 맞물려서 캐리어(110)가 회전하도록 구동하며, 회전모터(200)는 회전축(210)에 직접 맞물리거나 감속 기어에 의해 회전축(210)에 간접적으로 맞물릴 수 있다.The rotation motor 200 may be linked to the carrier 110 to drive the carrier 110 to rotate. Specifically, the carrier 110 may be directly or indirectly connected to the rotating shaft 210, the rotating motor 200 is engaged with the rotating shaft 210 to drive the carrier 110 to rotate, and the rotating motor 200 is the rotating shaft ( It may be directly engaged with the 210 or may be indirectly engaged with the rotating shaft 210 by a reduction gear.

개폐기구(300)는 침지기구(100)에 연동되어 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 상대적으로 승강 이동하게 구동함으로써 웨이퍼(10)가 링형벽(120)에서 출입할 수 있게 한다. 본 실시예에서, 개폐기구(300)는 캐리어(110)에 연결되는 제1 승강모듈(310) 및 링형벽(120)에 연결되는 제2 승강모듈(320)을 포함한다. 제1 승강모듈(310) 및 제2 승강모듈(320)은 각각 적어도 세로로 구비되는 신축바(311/321)를 포함하되, 신축바(311/321)는 전동 실린더(선형 엑츄에이터), 유압 실린더 등의 동력 부재일 수 있으며 본 발명은 이에 국한되지 않는다.The opening/closing mechanism 300 is linked to the immersion mechanism 100 to drive the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 to move up and down relative to the wafer 10 so that the wafer 10 can enter and exit the ring-shaped wall 120 . In this embodiment, the opening/closing mechanism 300 includes a first elevating module 310 connected to the carrier 110 and a second elevating module 320 connected to the ring-shaped wall 120 . The first elevating module 310 and the second elevating module 320 each include at least an extension bar 311/321 provided vertically, and the telescopic bar 311/321 is an electric cylinder (linear actuator), a hydraulic cylinder. It may be a power member such as, but the present invention is not limited thereto.

주입 노즐(400)은 작업용 유체(20)를 공급하기 위한 것으로, 침지기구(100)의 일측에 배치되고 또한 링형벽(120) 내부를 향하게 배치된다.The injection nozzle 400 is for supplying the working fluid 20 , is disposed on one side of the immersion mechanism 100 , and is disposed toward the inside of the ring-shaped wall 120 .

바람직하게는, 본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 침지기구(100)가 내부에 안치되는 외부 배수조(500)를 더 포함한다. 외부 배수조(500)는 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 다수 개의 분기용 링형 캡(510)을 포함하고, 각각의 분기용 링형 캡(510)는 각각 침지기구(100)를 둘러싸고 또한 상술한 분기용 링형 캡(510) 중 적어도 일부는 승강기구(520)에 각각 연결되어 독자적으로 승강할 수 있으므로 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 분기용 링형 캡(510) 모두 분리될 수 있게 한다. 승강기구(520)는 전동 실린더(선형 엑츄에이터), 유압 실린더 등의 동력 부재일 수 있으며 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 상호 겹쳐지는 분기용 링형 캡(510)이 분리될 때 양자 사이의 틈새에는 배수로(501)가 형성되어 작업용 유체(20)가 이를 통과하여 배출되게 한다. 상술한 분기용 링형 캡(510)을 선택적으로 승강 시켜서 각각의 배수로(501)를 개폐 시킬 수 있다. 여러 가지 작업용 유체(20)를 사용할 경우 각 작업용 유체(20)는 상응하는 배수로(501)를 통해 각각 배출됨으로써 각 작업용 유체(20)가 배수로(501) 내벽에 부착된 다른 작업용 유체(20)에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.Preferably, the wafer etching apparatus according to the present invention further includes an external drain tank 500 in which the immersion mechanism 100 is placed therein. The external drainage tank 500 includes a plurality of branching ring-type caps 510 overlapping each other in a wrapping manner, and each branching ring-type cap 510 surrounds the immersion mechanism 100, respectively, and also includes the aforementioned branching ring-type caps. At least some of the caps 510 are respectively connected to the lifting mechanism 520 and can be lifted independently, so that all of the bifurcated ring-type caps 510 overlapping each other in a wrapping manner can be separated. The lifting mechanism 520 may be a power member such as an electric cylinder (linear actuator) or a hydraulic cylinder, but the present invention is not limited thereto. When the overlapping branching ring-type caps 510 are separated, a drain 501 is formed in the gap between the two, so that the working fluid 20 is discharged therethrough. By selectively lifting the above-described ring-type cap 510 for branching, it is possible to open and close each drain 501 . When using various working fluids 20, each working fluid 20 is discharged through a corresponding drain 501, so that each working fluid 20 is attached to the drain 501 inner wall. contamination can be prevented.

도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치를 사용할 때 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 먼저 상대적으로 승강하여 분리함으로써 캐리어(110)가 링형벽(120) 외부의 상방에 위치하게 하여 웨이퍼(10)를 캐리어(110) 상에 편리하게 수평으로 안치할 수 있게 한다.Referring to FIG. 8 , when using the wafer etching apparatus according to the present invention, the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are first relatively elevated and separated so that the carrier 110 is positioned above the ring-shaped wall 120 outside. This allows the wafer 10 to be conveniently placed horizontally on the carrier 110 .

도 9을 참조하면, 이어서, 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 상대적으로 승강하게 하여 웨이퍼(10)를 링형벽(120) 내로 이동시키고 또한 링형벽(120)을 밀폐 결합시킨다. 그러고 나서 주입 노즐(400)에 의해 작업용 유체(20)를 링형벽(120) 내에 주입하여 링형벽(120) 내의 웨이퍼(10)를 잠기게 한다. 회전모터(200)로 캐리어(110)를 회전시켜서 웨이퍼(10)가 회전하게 함으로써 웨이퍼(10)의 표면이 적절하게 식각되게 한다.Referring to FIG. 9 , the wafer 10 is moved into the ring-shaped wall 120 by relatively elevating the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 , and the ring-shaped wall 120 is hermetically coupled. Then, the working fluid 20 is injected into the ring-shaped wall 120 by the injection nozzle 400 to submerge the wafer 10 in the ring-shaped wall 120 . By rotating the carrier 110 with the rotation motor 200 to rotate the wafer 10, the surface of the wafer 10 is properly etched.

도 10을 참조하면, 식각이 완료된 후 캐리어(110) 및 링형벽(120)을 상대적으로 승강 시켜서 분리하게 하여 웨이퍼(10)가 링형벽(120)으로부터 나오도록 한다. 링형벽(120) 내에 남은 작업용 유체(20)는 사방으로 유출 유동하여 외부 배수조(500) 내에 이르고 상응하는 배수로(501)를 통해 배출된다.Referring to FIG. 10 , after the etching is completed, the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 are relatively lifted and separated to separate the wafer 10 from the ring-shaped wall 120 . The working fluid 20 remaining in the ring-shaped wall 120 flows out and flows in all directions, reaches the external sump 500 , and is discharged through a corresponding drain 501 .

제2 실시예에 나타낸 것은 본 실시예 중에서 개폐기구(300)의 일 배치 방식을 나타내지만 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 개폐기구(300)의 기능은 캐리어(110) 및 링형벽(120)이 상대적으로 승강하게 구동하는 것이며, 본 실시예에서는 여가 가지 다른 배치 방식을 열거할 수 있으며 이는 후술하도록 한다.What is shown in the second embodiment shows one arrangement method of the opening and closing mechanism 300 in the present embodiment, but the present invention is not limited thereto. The function of the opening and closing mechanism 300 is to drive the carrier 110 and the ring-shaped wall 120 to move up and down relatively, and in this embodiment, various other arrangement methods can be enumerated, which will be described later.

도 11을 참조하면, 개폐기구(300)는 캐리어(110)에 연결되는 제1 승강모듈(310)만 포함해도 된다. 제1 승강모듈(310)에 의해 캐리어(110)가 링형벽(120)과 상대적으로 승강하게 구동하면 웨이퍼(10)를 링형벽(120)에 진입하게 하거나 빠져나오게 할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the opening/closing mechanism 300 may include only the first lifting module 310 connected to the carrier 110 . When the carrier 110 is driven to be lifted relative to the ring-shaped wall 120 by the first lifting module 310 , the wafer 10 may enter or exit the ring-shaped wall 120 .

도 12를 참조하면, 개폐기구(300)는 링형벽(120)的에 연결되는 제2 승강모듈(320)만 포함해도 된다. 제2 승강모듈(320)에 의해 링형벽(120)이 캐리어(110)와 상대적으로 승강하게 구동하면 웨이퍼(10)를 링형벽(120)에 진입하게 하거나 빠져나오게 할 수 있다.Referring to FIG. 12 , the opening/closing mechanism 300 may include only the second lifting module 320 connected to the ring-shaped wall 120 . When the ring-shaped wall 120 is driven relatively to the carrier 110 by the second lifting module 320 to move the wafer 10 into or out of the ring-shaped wall 120 .

도 13을 참조하면, 캐리어(110) 내에는 밑판 상단면에 연통되는 음압 관로(102)를 구비함으로써 웨이퍼(10)를 흡착 및 고정 시킨다. 그리고, 캐리어(110) 옆에는 청소 모듈(600)을 구비할 수 있고, 바람직하게는 청소 모듈(600)은 캐리어(110)를 에워 싸는 링형 부재이고 또한 청소 모듈(600) 상에는 캐리어(110)을 에워 싸며 배열되는 다수 개의 청소 노즐(601)이 구비되며, 상술한 청소 노즐(601)은 위로 벌어지게 웨이퍼의 밑면에 대응 배치되고 또한 상술한 청소 노즐(601)의 분사 방향은 밖을 향해 발산하는 것이다. 청소 노즐(601)은 세척액을 공급하거나 공기를 분사할 수 있으며, 이로 인해 웨이퍼(10)의 밑면을 세척할 수 있고 웨이퍼(10) 밑면에 잔류된 작업용 유체(20)를 웨이퍼(10)의 가장자리로 불어서 제거할 수 있다. 청소 모듈(600)은 캐리어(110)와 분리되어 연동하지 않고 또한 웨이퍼(10)와 분리 배치된다. Referring to FIG. 13 , a negative pressure pipe 102 communicating with the upper surface of the bottom plate is provided in the carrier 110 to adsorb and fix the wafer 10 . And, the cleaning module 600 may be provided next to the carrier 110, preferably the cleaning module 600 is a ring-shaped member surrounding the carrier 110, and the cleaning module 600 includes the carrier 110 on the A plurality of cleaning nozzles 601 arranged to surround are provided, and the cleaning nozzles 601 are arranged to correspond to the bottom surface of the wafer to be opened upward, and the spraying direction of the cleaning nozzles 601 described above is diverging outward. will be. The cleaning nozzle 601 may supply a cleaning solution or spray air, thereby cleaning the underside of the wafer 10 and discharging the working fluid 20 remaining on the underside of the wafer 10 to the edge of the wafer 10 . It can be removed by blowing. The cleaning module 600 is separated from the carrier 110 and does not interlock and is disposed separately from the wafer 10 .

본 발명에 따른 웨이퍼 식각장치는 링형벽(120)이 웨이퍼(10)의 가장자리를 감싸서 작업용 유체(20)를 링형벽(120) 내에 주입하고 나서 웨이퍼(10)를 회전 시켜 식각을 진행한다. 따라서, 작업용 유체(20)는 웨이퍼(10)의 표면, 특히 웨이퍼(10)의 가장자리를 완전히 커버할 수 있어서 식각 품질이 균일하고 안정적이다. In the wafer etching apparatus according to the present invention, the ring-shaped wall 120 surrounds the edge of the wafer 10, injects the working fluid 20 into the ring-shaped wall 120, and then rotates the wafer 10 to perform etching. Accordingly, the working fluid 20 can completely cover the surface of the wafer 10 , particularly the edge of the wafer 10 , so that the etching quality is uniform and stable.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만 이로써 본 발명의 특허범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 특허 사상을 응용한 동등한 모든 변화는 모두 본 발명의 특허범위에 속한다고 봐야 한다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the scope of the patent of the present invention is not limited thereto, and all equivalent changes applying the patent idea of the present invention should be regarded as belonging to the scope of the patent of the present invention.

10 : 웨이퍼 20 : 작업용 유체
100 : 침지기구 101 : 밑판
102 : 음압 관로 110 : 캐리어
111 : 척 112 : 배수면
120 : 링형벽 121 : 장부
122 : 링형 홈 130 : 스토퍼 모듈
131 : 밀폐링 132 : 가스 분출구
200 : 회전모터 210 : 회전축
300 : 개폐기구 310 : 제1 승강모듈
311 : 신축바 320 : 제2 승강모듈
321 : 신축바 400 : 주입 노즐
500 : 외부 배수조 501 : 배수로
510 : 분기용 링형 캡 520 : 승강기구
600 : 청소 모듈 601 : 청소 노즐10: wafer 20: working fluid
100: immersion mechanism 101: bottom plate
102: negative pressure pipe 110: carrier
111: chuck 112: drain surface
120: ring wall 121: book
122: ring groove 130: stopper module
131: sealing ring 132: gas outlet
200: rotation motor 210: rotation shaft
300: opening and closing mechanism 310: first elevating module
311: telescopic bar 320: second elevating module
321: expansion bar 400: injection nozzle
500: external sump 501: ditch
510: ring-type cap for branching 520: elevating mechanism
600: cleaning module 601: cleaning nozzle

Claims (13)

작업용 유체로 웨이퍼를 식각하기 위한 웨이퍼 식각장치에 있어서,
상기 웨이퍼를 탑재하기 위한 캐리어 및 작업용 유체를 담기 위해 상기 웨이퍼 둘레에 끼워지기 위한 링형벽을 구비하는 침지기구와,
상기 캐리어에 연동되어 상기 캐리어를 회전하도록 구동할 수 있는 회전모터와,
상기 침지기구에 연동되어 상기 캐리어 및 상기 링형벽이 상대적으로 이동하게 구동함으로써 상기 웨이퍼가 상기 링형벽에서 출입할 수 있게 하는 개폐기구, 및
상기 침지기구의 일측에 구비되고 또한 상기 링형벽 안쪽을 향하게 배치되는, 상기 작업용 유체를 공급하기 위한 주입 노즐을 포함하고,
상기 링형벽에는 스토퍼 모듈을 구비하여 상기 웨이퍼 표면을 오버플로우하는 작업용 유체를 저지하고,
상기 스토퍼 모듈은 상기 링형벽에 구비되는 밀폐링을 포함하고, 상기 캐리어는 밑판을 포함하고, 상기 밀폐링은 상기 밑판의 가장자리에 맞닿아 압력을 가하고,
상기 밑판의 상단면에는 돌출된 원추형 모양의 배수면이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.In the wafer etching apparatus for etching a wafer with a working fluid,
an immersion mechanism having a carrier for mounting the wafer and a ring-shaped wall for fitting around the wafer to contain a working fluid;
a rotary motor that is linked to the carrier and can be driven to rotate the carrier;
an opening/closing mechanism interlocking with the immersion mechanism to drive the carrier and the ring-shaped wall to move relatively so that the wafer can be moved in and out of the ring-shaped wall; and
and an injection nozzle for supplying the working fluid, which is provided on one side of the immersion mechanism and is disposed toward the inside of the ring-shaped wall,
The ring-shaped wall is provided with a stopper module to block the working fluid overflowing the wafer surface,
The stopper module includes a sealing ring provided on the ring-shaped wall, the carrier includes a bottom plate, the sealing ring abuts against the edge of the bottom plate to apply pressure,
Wafer etching apparatus, characterized in that the drainage surface of the protruding conical shape is formed on the top surface of the bottom plate. 제1항에 있어서,
내부에 상기 침지기구를 안치하는 외부 배수조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
Wafer etching apparatus, characterized in that it further comprises an external water tank for placing the immersion mechanism therein. 제2항에 있어서,
상기 외부 배수조는 감싸는 방식으로 상호 겹쳐지는 다수 개의 분기용 링형 캡을 포함하고, 각각의 상기 분기용 링형 캡은 각각 상기 침지기구를 둘러싸고 또한 독자적으로 승강할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.3. The method of claim 2,
The external drain tank includes a plurality of diverging ring-type caps overlapping each other in an enveloping manner, and each of the diverging ring-type caps surrounds the immersion mechanism and is capable of independently moving up and down. 제1항에 있어서,
상기 개폐기구는 상기 캐리어에 연결되는 제1 승강모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
The opening/closing mechanism comprises a first elevating module connected to the carrier. 제1항에 있어서,
상기 개폐기구는 상기 링형벽에 연결되는 제2 승강모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
The opening/closing mechanism comprises a second elevating module connected to the ring-shaped wall. 제1항에 있어서,
상기 스토퍼 모듈은 상기 링형벽의 내벽면에 연통되게 다수 개의 가스 분출구를 구비하여 가스를 상기 링형벽과 상기 웨이퍼 사이의 틈새에 주입하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
The stopper module has a plurality of gas outlets communicating with the inner wall surface of the ring-shaped wall, and the gas is injected into a gap between the ring-shaped wall and the wafer. 제1항에 있어서,
상기 캐리어는 상기 밑판의 상단면에 세로로 구비되는 다수 개의 척을 구비하고 상기 웨이퍼는 상술한 척에 탑재되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
The carrier includes a plurality of chucks vertically provided on the top surface of the bottom plate, and the wafer is mounted on the chuck as described above. 제1항에 있어서,
상기 회전모터는 상기 링형벽에 연동되어 상기 링형벽과 상기 캐리어가 동시에 회전하도록 구동할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
The rotation motor is interlocked with the ring-shaped wall, the wafer etching apparatus, characterized in that capable of driving the ring-shaped wall and the carrier to rotate at the same time. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 옆에는 상기 캐리어를 에워 싸는 다수 개의 청소 노즐을 구비하고 상술한 청소 노즐은 위로 벌어지게 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.According to claim 1,
A wafer etching apparatus characterized in that a plurality of cleaning nozzles surrounding the carrier are provided next to the carrier, and the cleaning nozzles are arranged to open upward. 제9항에 있어서,
상술한 청소 노즐의 분사 방향은 밖을 향해 발산하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 식각장치.

10. The method of claim 9,
A wafer etching apparatus, characterized in that the spraying direction of the cleaning nozzle described above is diverged outward.

 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020200159800A 2020-10-28 2020-11-25 Apparatus for etching substrate KR102433759B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109137455 2020-10-28
TW109137455A TWI747580B (en) 2020-10-28 2020-10-28 Etching device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220056763A KR20220056763A (en) 2022-05-06
KR102433759B1 true KR102433759B1 (en) 2022-08-18

Family

ID=79907526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200159800A KR102433759B1 (en) 2020-10-28 2020-11-25 Apparatus for etching substrate

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102433759B1 (en)
TW (1) TWI747580B (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192845A (en) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd Electroless plating device and electroless plating method
KR100618868B1 (en) * 2004-10-19 2006-08-31 삼성전자주식회사 Spinning apparatus
JP2008251806A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumco Corp Single wafer processing etching method and etching device for wafer thereof
JP2011103361A (en) 2009-11-10 2011-05-26 Sofu Engineering:Kk Lift-off apparatus and lift-off processing method
JP2015220369A (en) * 2014-05-19 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid treatment device, substrate liquid treatment method and storage medium
KR101678269B1 (en) 2011-10-24 2016-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6982432B2 (en) 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing equipment

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2520833B2 (en) * 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 Immersion type liquid treatment device
JP5276420B2 (en) * 2008-01-31 2013-08-28 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5301505B2 (en) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP5844681B2 (en) * 2011-07-06 2016-01-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
CN106711060B (en) * 2015-11-16 2019-07-26 弘塑科技股份有限公司 The fluid collection device of spin etch cleaning machine
JP6770886B2 (en) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method
JP7029251B2 (en) * 2017-08-28 2022-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing method and board processing equipment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001192845A (en) * 2000-01-13 2001-07-17 Tokyo Electron Ltd Electroless plating device and electroless plating method
KR100618868B1 (en) * 2004-10-19 2006-08-31 삼성전자주식회사 Spinning apparatus
JP2008251806A (en) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumco Corp Single wafer processing etching method and etching device for wafer thereof
JP2011103361A (en) 2009-11-10 2011-05-26 Sofu Engineering:Kk Lift-off apparatus and lift-off processing method
KR101678269B1 (en) 2011-10-24 2016-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2015220369A (en) * 2014-05-19 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid treatment device, substrate liquid treatment method and storage medium
JP6982432B2 (en) 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220056763A (en) 2022-05-06
TWI747580B (en) 2021-11-21
TW202218003A (en) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101678251B1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP2003007664A (en) Method and apparatus for cleaning single wafer
JP2008091717A (en) Substrate processing apparatus
JP6512554B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101883015B1 (en) Liquid processing device, liquid processing method and storage medium
KR102445101B1 (en) Apparatus for etching substrate
KR102433759B1 (en) Apparatus for etching substrate
US6926817B2 (en) Solution processing apparatus and solution processing method
CN114446815A (en) Wafer etching device
JP2006286832A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN108701604B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20070049703A (en) Apparatus for cleaning nozzle that is spreading photo resist
JP4791068B2 (en) Substrate processing equipment
JP4504859B2 (en) Substrate processing equipment
JP2009032901A (en) Substrate processing apparatus
CN103084297A (en) Liquid coating apparatus
JP4963383B2 (en) Wafer etching apparatus and wafer wet processing method
CN117219533A (en) Liquid recovery assembly, single wafer processing apparatus and control method thereof
KR102548768B1 (en) Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate
CN218887160U (en) Single-wafer rotary cleaning equipment with soaking, cleaning and etching functions
KR100948419B1 (en) Lift-off apparatus for manufacturing light emission diode and spin process chamber comprising for the same
KR101283732B1 (en) Apparatus to plate substrate
JP2010153522A (en) Manufacturing device of circuit board and manufacturing method thereof
KR100799069B1 (en) Wafer etching apparatus and etching method
CN114446861A (en) Wafer etching machine

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant