KR102432680B1 - 탄성 표면파 장치 - Google Patents

탄성 표면파 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102432680B1
KR102432680B1 KR1020200087075A KR20200087075A KR102432680B1 KR 102432680 B1 KR102432680 B1 KR 102432680B1 KR 1020200087075 A KR1020200087075 A KR 1020200087075A KR 20200087075 A KR20200087075 A KR 20200087075A KR 102432680 B1 KR102432680 B1 KR 102432680B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
idt
acoustic wave
surface acoustic
wave device
band
Prior art date
Application number
KR1020200087075A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200088262A (ko
Inventor
고이치 하타노
Original Assignee
가부시키가이샤 와이솔재팬
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150110590A external-priority patent/KR102443568B1/ko
Application filed by 가부시키가이샤 와이솔재팬 filed Critical 가부시키가이샤 와이솔재팬
Priority to KR1020200087075A priority Critical patent/KR102432680B1/ko
Publication of KR20200088262A publication Critical patent/KR20200088262A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102432680B1 publication Critical patent/KR102432680B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6443—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being acoustically coupled
    • H03H9/6453—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being acoustically coupled by at least an interdigital transducer overlapping both tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02653—Grooves or arrays buried in the substrate
    • H03H9/02661—Grooves or arrays buried in the substrate being located inside the interdigital transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6479—Capacitively coupled SAW resonator filters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는, 제 1 입력용 배선에 접속된 제 1 IDT와, 제 2 입력용 배선에 접속된 제 2 IDT와, 출력용 배선에 접속되고, 상기 제 1 IDT와 상기 제 2 IDT의 사이에 설치된 제 3 IDT를 포함하며, 상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

탄성 표면파 장치{SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성 표면파 장치에 관한 것이다.
휴대 단말 등의 통신 기기의 안테나 공용기에는, 특정 주파수 대역의 신호를 통과시키기 위하여 탄성 표면파(SAW : Surface Acoustic Wave) 장치가 탑재되어 있다.
이와 같은 탄성 표면파 장치로서, 복수의 빗형 전극(IDT : Interdigital Transducer)으로 구성된 세로 모드 결합형의 탄성 표면파 장치가 알려져 있다.
통상, 휴대 단말 등에 있어서는, 송신(Tx) 신호의 주파수 대역(이하, 송신 대역)보다, 수신(Rx) 신호의 주파수 대역(이하, 수신 대역) 쪽이 높은 주파수 대역에서 통신하는 통신 방식을 채용하고 있다. 그러나, 최근에는, 수신 대역과 송신 대역이 인접하고, 또한 송신 대역이 수신 대역보다 높은 주파수의 신호로 통신하는 통신 방식도 등장하고 있다.
이와 같이, 수신 대역이 송신 대역보다 높고 또한 인접하고 있는 상태에서, 안정적인 통신을 실현하기 위해서는, 수신 대역의 고대역측의 감쇠가 급준하고 고감쇠인 특성이 탄성 표면파 장치에 요구된다.
또한, 2개 이상의 밴드를 이용한 통신을 1개의 안테나로 공용하여 행하는 경우에 있어서는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 저대역측의 감쇠 대역에 있어서도 신호를 급준하고 고감쇠로 감쇠시키는 특성도 요구될 것으로 생각된다.
일본 공개특허 특개2004-194269호 (2004.07.08) 일본 공개특허 특개2006-42398호 (2006.02.09)
특허문헌 1 및 2에 기재된 탄성 표면파 필터에는, IDT의 개구 길이를 작게 하면, 입력 임피던스와 출력 임피던스에 부정합이 생겨, 삽입 손실이 증가한다는 과제가 있음이 판명되었다.
또한, 특허문헌 1 및 2는, 입력 임피던스와 출력 임피던스의 부정합을 해소하기 위하여, DMS 필터를 병렬로 접속하는 구조를 기재하고 있다.
그러나, 특허문헌 1 및 2는 DMS 필터 이외의 탄성 표면파 장치를 이용하여 입력 임피던스 및 출력 임피던스의 부정합을 해소하는 것에 대하여 하등 고려하고 있지 않다.
본 발명의 목적은, DMS 필터에 한정하지 않고, 저손실이며, 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는 탄성 표면파 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성 표면파 장치는, 제 1 입력용 배선에 접속된 제 1 IDT와, 제 2 입력용 배선에 접속된 제 2 IDT와, 출력용 배선에 접속되고 상기 제 1 IDT와 상기 제 2 IDT의 사이에 설치된 제 3 IDT를 포함하며, 상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속되어 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 탄성 표면파 장치는, 제 1 입력용 배선에 접속된 제 1 IDT와, 제 2 입력용 배선에 접속된 제 2 IDT와, 출력용 배선에 접속되고 상기 제 1 IDT와 상기 제 2 IDT의 사이에 설치된 제 3 IDT와, 상기 제 1~제 3 IDT의 양측에 설치된 제 1 반사기와 제 2 반사기를 포함하고, 상기 제 1 반사기는 상기 제 1 입력용 배선과 접속되고, 상기 제 2 반사기는 상기 제 2 입력용 배선과 접속되어 있으며, 상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄성 표면파 디바이스는, 본 발명의 각 실시예에 따른 탄성 표면파 장치가 적어도 1개의 공진기와 접속되어 있는 것일 수 있다.
본 발명의 모든 실시예들에서, 상기 용량 패턴은, 2개의 금속 도체를 대향하여 배치한 전극, 탄성 표면파의 전파 방향과 수직의 방향으로 전극을 형성한 제 1 수직 IDT, 및 탄성 표면파의 전파 방향과 평행의 방향으로 전극을 형성한 제 2 수직 IDT 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 모든 실시예들에서, 상기 용량 패턴은, 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해질 수 있다.
본 발명의 모든 실시예들에서, 상기 용량 패턴은, 상기 통과 대역의 고대역측의 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해질 수 있다.
본 발명의 모든 실시예들에서, 상기 통과 대역은 수신 대역일 수 있다.
본 발명의 선택적 실시예들에서, 상기 제 1 반사기와 상기 제 1 입력 배선의 사이 및 상기 제 2 반사기와 상기 제 2 입력 배선의 사이는 각각 정전 용량이 발생하도록 접속될 수 있다.
본 발명의 선택적 실시예들에서, 상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속될 수 있다.
본 발명에 의하면, DMS 필터에 한정하지 않고, 저손실이며, 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치에 포함되는 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는 수신 대역과 송신 대역의 주파수 특성의 관계를 나타낸 모식도이다.
도 3은 종래의 탄성 표면파 장치의 수신 대역의 주파수 특성과, 본 발명에 관련된 탄성 표면파 장치의 수신 대역의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 2개의 밴드의 수신 대역과 송신 대역의 주파수 특성의 관계를 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 형태의 제 1 변형례에 관련된 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 형태의 제 2 변형례에 관련된 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시 형태의 제 3 변형례에 관련된 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 형태의 제 1 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시 형태의 제 2 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시 형태의 제 3 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시 형태의 제 4 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 13은 제 3 실시 형태에 관련된 듀플렉서의 구성을 나타낸 블럭도이다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 15는 종래의 탄성 표면파 장치의 아이솔레이션 특성과, 제 3 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치의 아이솔레이션 특성을 나타낸 그래프이다.
도 16은 종래의 듀플렉서의 송신 대역의 주파수 특성과, 제 3 실시 형태에 관련된 듀플렉서의 송신 대역의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 17은 본 발명의 제 3 실시 형태의 제 1 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 18은 본 발명의 제 3 실시 형태의 제 2 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 19는 본 발명의 제 3 실시 형태의 제 3 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 20은 본 발명의 제 3 실시 형태의 제 4 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
이하에서, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 반복의 번잡함을 피하기 위하여, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 적당히 생략한다.
[1. 제 1 실시 형태]
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치(100)의 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
도시된 탄성 표면파 장치(100)는, 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 전극(41)과 제 2 전극(42)을 포함한다.
제 1 IDT(10)는, 입력 신호를 입력하는 제 1 입력용 배선(11)에 접속된 입력용의 IDT이다. 또, 제 1 IDT(10)는, 제 1 입력용 배선(11)이 접속되어 있는 반대측에는 제 1 그라운드 배선(12)이 접속되어 있다.
제 2 IDT(20)는, 제 1 입력 배선(11)과 동일한 입력 신호를 입력하는 제 2 입력용 배선(21)에 접속된 입력용의 IDT이다. 또, 제 2 IDT(20)는, 제 2 입력용 배선(21)이 접속되어 있는 반대측에는 제 2 그라운드 배선(22)이 접속되어 있다.
제 3 IDT(30)는, 출력용 배선(31)에 접속된 출력용의 IDT이다. 또, 제 3 IDT(30)는, 출력용 배선(31)이 접속되어 있는 반대측에는 제 3 그라운드 배선(32)이 접속되어 있다.
즉, 탄성 표면파 장치(100)는, 1개의 출력용의 IDT와 2개의 입력용의 IDT를 포함하고 있다.
이하에서는, 1개의 출력용의 IDT와 2개의 입력용의 IDT를 포함하는 탄성 표면파 장치에 대하여 설명하지만, 이것은 예시로서, 탄성 표면파 장치에 포함되는 IDT의 수를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 예를 들면, 1개의 출력용의 IDT와 4개의 입력용의 IDT를 포함하는 탄성 표면파 장치에 대해서도 적용할 수 있다.
제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)은, 예를 들면 2개의 금속 도체를 대향하여 형성된 전극으로서, 정전 용량을 갖는 용량 패턴이다.
제 1 전극(41)은, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)에 접속되어 있다. 즉, 제 1 전극(41)은, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 정전 용량을 부가한다.
제 2 전극(42)은, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)에 접속되어 있다. 즉, 제 2 전극(42)은, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 정전 용량을 부가한다.
제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 정전 용량은, 금속 도체 사이의 폭이나 금속 도체의 형상 등에 따라서 변화한다. 즉, 설계자 등은 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 금속 도체 사이의 폭이나 금속 도체의 형상 등을 설계에 따라서 변경함으로써, 정전 용량의 값을 조절할 수 있다. 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 정전 용량의 값은 동일해도 되고 달라도 된다.
또한, 탄성 표면파 장치(100)는, 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 쌍방을 포함할 필요는 없고, 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 적어도 일방을 포함하면 된다.
도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 탄성 표면파 장치의 수신 대역과 송신 대역의 주파수 특성의 관계의 일례를 나타낸 모식도이다.
도 2에 있어서, 가로축은 주파수(㎒), 세로축은 삽입 손실(㏈)로서, 송신 대역(102)이 수신 대역(101)보다 높은 주파수를 갖고 있는 경우가 나타나 있다.
수신 대역(101)과 송신 대역(102)이 도 2의 관계에 있는 경우에, 수신 대역(101)의 고대역측의 감쇠 대역의 감쇠량을 크게 하는 것이 요구되는 것으로 생각된다. 본 발명은, 탄성 표면파 장치의 IDT 사이에 정전 용량을 부가함으로써 수신 대역(101)의 고대역측의 감쇠 대역의 감쇠량을 크게 할 수 있다.
도 3은 본 발명에 관련된 탄성 표면파 장치(100)의 수신 대역의 주파수 특성과, 종래의 탄성 표면파 장치의 수신 대역의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
종래의 탄성 표면파 장치란, 정전 용량이 부가되어 있지 않은 탄성 표면파 장치이다.
제 1 주파수 특성(1)은 종래의 탄성 표면파 장치의 주파수 특성, 제 2 주파수 특성(2)은 탄성 표면파 장치(100)의 주파수 특성으로서, 가로축이 주파수(㎒), 세로축이 삽입 손실(㏈)이다.
또, 도 3에 있어서 가로축은 약 720~930 MHz이고, 세로축은 약 -80~0 ㏈이다.
도 3에 나타나 있는 바와 같이, 탄성 표면파 장치(100)는 약 780~830 MHz에 수신 대역을 갖는다. 또, 탄성 표면파 장치(100)는, 약 840~850 MHz의 고대역측의 감쇠 대역에 있어서, 종래의 탄성 표면파 장치보다 약 26 ㏈나 주파수를 감쇠시키고 있다.
이것은, 정전 용량이 부가됨으로써, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 공진이 생겨, 삽입 손실이 억제되었기 때문이다.
즉, 본 발명의 일 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치(100)는, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 공진이 생기도록 정전 용량을 부가함으로써, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
또한, 탄성 표면파 장치(100)는, 약 780~830 MHz의 범위에 수신 대역을 갖지만, 이것은 예시로서, 탄성 표면파 장치의 수신 대역을 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 다른 주파수 대역에 수신 대역을 갖는 탄성 표면파 장치에도 적용할 수 있다.
도 4는 2개 이상의 밴드를 이용한 통신을 1개의 안테나를 공용하여 사용하는 경우의 주파수 특성의 관계를 나타낸 모식도이다.
도 4에 있어서, 송신 대역(201)과 수신 대역(202)과 송신 대역(203)과 수신 대역(204)의 2개의 밴드의 통신 대역이 나타나 있다. 또, 도 4에 있어서 가로축은 주파수(㎒), 세로축은 삽입 손실(㏈)이다.
수신 대역(202)은 송신 대역(201 및 203)의 사이의 주파수 대역에 존재한다. 이와 같은 경우, 수신 대역(202)의 고대역측의 감쇠 대역을 급준하게 크게 감쇠시키는 것에 부가하여, 저대역측의 감쇠 대역도 급준하게 크게 감쇠시키는 것이 필요하다.
본 발명에 있어서는, 도 4의 경우에도, 수신 대역(202)의 저대역측의 감쇠 대역에서 공진이 생기도록 정전 용량을 부가함으로써, 수신 대역(202)의 저대역측의 감쇠 대역에서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
또, 탄성 표면파 장치(100)는, 배선의 형상을 변경하거나 IDT 사이에 정전 용량을 부가하거나 하는 것만으로, 저손실이며, 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 비교하여 장치의 소형화의 관점에서도 유리하다.
[2. 제 1 실시 형태의 변형례]
(2-1. 제 1 변형례)
도 5는 본 발명의 탄성 표면파 장치(100)의 제 1 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치(100A)의 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(100A)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 수직 IDT(43)와 제 2 수직 IDT(44)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(100A)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 수직 IDT(43)가 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 수직 IDT(44)가 접속되어 있는 점에서 탄성 표면파 장치(100)와는 다르다.
제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT(44)는, 탄성 표면파의 전파 방향에 대하여 수직 방향으로 전극을 형성한 IDT(즉, 수직 IDT)이다. 즉, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT와 제 3 IDT(30)의 사이에는, 2개의 금속 도체로 이루어지는 전극뿐만 아니라, 도 5에 나타낸 바와 같이 수직 IDT(43 및 44)를 접속하는 것에 의해서도 탄성 표면파 장치(100)에 정전 용량을 부가할 수 있다.
제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT의 정전 용량의 값은 각각 전극의 피치 폭 및 전극의 대수(對數) 등에 따라서 변화한다. 즉, 설계자 등은 제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT의 전극의 피치 폭 및 전극의 대수 등을 설계에 따라서 변경함으로써, 정전 용량의 값을 조절할 수 있다. 제 1 수직 IDT(43), 및 제 2 수직 IDT(44)의 정전 용량의 값은 동일해도 되고 달라도 된다.
또한, 탄성 표면파 장치(100A)는, 제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT(44)의 쌍방을 포함할 필요는 없고, 제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT(44) 중 적어도 일방을 포함하면 된다.
(2-2. 제 2 변형례)
도 6은 본 발명의 탄성 표면파 장치(100)의 제 2 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치(100B)의 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
제 2 변형례에 관련된 탄성 표면파 장치(100B)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 평행 IDT(45)와 제 2 평행 IDT(46)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(100B)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 평행 IDT(45)가 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 평행 IDT(46)가 접속되어 있는 점에서 탄성 표면파 장치(100)와는 다르다.
제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)는, 탄성 표면파의 전파 방향에 대하여 평행의 방향으로 전극을 형성한 IDT(즉, 평행 IDT)이다.
제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)의 정전 용량의 값은 전극의 피치 폭 및 전극의 대수 등에 따라서 변화한다. 즉, 설계자 등은 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)의 전극의 피치 폭 및 전극의 대수 등을 설계에 따라서 변경함으로써, 정전 용량의 값을 조절할 수 있다. 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)의 정전 용량의 값은 동일해도 되고 달라도 된다.
또한, 탄성 표면파 장치(100B)는, 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)의 쌍방을 포함할 필요는 없고, 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46) 중 적어도 일방을 포함하면 된다.
(2-3. 제 3 변형례)
도 7은 본 발명의 탄성 표면파 장치(100)의 제 3 변형례인 탄성 표면파 장치(100C)의 IDT의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(100C)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 전극(41)과 제 2 수직 IDT(44)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(100C)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에는 제 1 전극(41)이 접속되어 있지만, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 수직 IDT(44)가 접속되어 있는 점에서 탄성 표면파 장치(100)와는 다르다.
즉, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에는, 서로 다른 형상의 용량 패턴을 접속할 수 있다. 즉, 탄성 표면파 장치(100C)에 있어서, 접속하는 2개의 용량 패턴은 제 1 전극(41), 제 2 전극(42), 제 1 수직 IDT(43), 제 2 수직 IDT(44), 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)를 설계에 따라서 자유롭게 조합할 수 있다.
또한, 용량 패턴의 형상으로서 제 1 전극(41), 제 2 전극(42), 제 1 수직 IDT(43), 제 2 수직 IDT(44), 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)에 대하여 설명하였지만, 이들은 예시로서, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명에 있어서, 용량 패턴의 형상은, 탄성 표면파 장치에 정전 용량을 부가할 수 있는 형상이라면, 상기의 형상과는 달라도 된다.
따라서, 탄성 표면파 장치(100A~100C)에 있어서도, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 공진이 생기도록 정전 용량을 부가함으로써, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
또, 탄성 표면파 장치(100A~100C)에 있어서도, 배선의 형상을 변경하거나 IDT 사이에 정전 용량을 부가하거나 하는 것만으로, 저손실이며, 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 비교하여 장치의 소형화의 관점에서도 유리하다.
[3. 제 2 실시 형태]
도 8은 본 발명의 제 2 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 장치(200)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(200)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 반사기(51)와 제 2 반사기(52)를 포함한다.
제 1 IDT(10)는, 입력 신호를 입력하는 제 1 입력용 배선(11)에 접속된 입력용의 IDT이다. 또, 제 1 IDT(10)는, 제 1 입력용 배선(11)이 접속되어 있는 반대측에는 제 1 그라운드 배선(12)이 접속되어 있다.
제 2 IDT(20)는, 제 1 입력용 배선(11)과 동일한 입력 신호를 입력하는 제 2 입력용 배선(21)에 접속된 입력용의 IDT이다. 또, 제 2 IDT(20)는, 제 2 입력용 배선(21)이 접속되어 있는 반대측에는 제 2 그라운드 배선(22)이 접속되어 있다.
제 3 IDT(30)는 출력용 배선(31)에 접속된 출력용의 IDT이다. 또, 제 3 IDT(30)는, 출력용 배선(31)이 접속되어 있는 반대측에는 제 3 그라운드 배선(32)이 접속되어 있다.
즉, 탄성 표면파 장치(100)는, 1개의 출력용의 IDT와 2개의 입력용의 IDT를 포함하고 있다.
이하에서는, 1개의 출력용의 IDT와 2개의 입력용의 IDT를 포함하는 탄성 표면파 장치에 대하여 설명하지만, 이것은 예시로서, 탄성 표면파 장치에 포함되는 IDT의 수를 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 예를 들면, 1개의 출력용의 IDT와 4개의 입력용의 IDT를 포함하는 탄성 표면파 장치에 대해서도 적용할 수 있다.
제 1 반사기(51) 및 제 2 반사기(52)는 제 1 IDT(10), 제 2 IDT(20) 및 제 3 IDT(30)를, 탄성 표면파의 전파 방향을 따라서 끼워넣도록 설치되어 있다. 또, 제 1 반사기(51)에는 제 1 입력용 배선(11)이 접속되어 있고, 제 2 반사기(52)에는 제 2 입력용 배선(21)이 접속되어 있다.
구체적으로는, 제 1 반사기(51)에는 출력용 배선(31)과 제 1 반사기(51)의 사이에서 정전 용량이 발생하도록 제 1 입력용 배선(11)이 접속되고, 제 2 반사기(52)에는 출력용 배선(31)과 제 2 반사기(52)의 사이에서 정전 용량이 발생하도록 제 2 입력용 배선(21)이 접속되어 있다.
즉, 탄성 표면파 장치(200)는, 출력용 배선(31)과 제 1 반사기(51)의 사이 및 출력용 배선(31)과 제 2 반사기(52)의 사이에도 정전 용량이 발생한다.
출력용 배선(31)과 제 1 반사기(51)의 사이에 발생하는 정전 용량의 값은, 출력용 배선(31)의 형상, 제 1 반사기(51)의 전극의 대수 및 제 1 반사기(51)의 피치 폭 등에 따라서 변화한다. 즉, 설계자 등은 출력용 배선(31)의 형상, 제 1 반사기(51)의 전극의 대수 및 제 1 반사기(51)의 피치 폭 등을 변경함으로써, 정전 용량의 값을 설계에 따라서 조절할 수 있다.
마찬가지로, 출력용 배선(31)과 제 2 반사기(52)의 사이에 발생하는 정전 용량의 값은, 출력용 배선(31)의 형상, 제 2 반사기(52)의 전극의 대수 및 제 2 반사기(52)의 피치 폭 등에 따라서 변화한다. 즉, 설계자 등은 출력용 배선(31)의 형상, 제 2 반사기(52)의 대수 및 제 2 반사기(52)의 피치 폭 등을 설계에 따라서 변경함으로써, 정전 용량의 값을 조절할 수 있다.
출력용 배선(31)과 제 1 반사기(51)의 사이에 발생하는 정전 용량의 값과, 출력용 배선(31)과 제 2 반사기(52)의 사이에 발생하는 정전 용량의 값은, 동일해도 되고 달라도 된다.
따라서, 탄성 표면파 장치(200)는, 정전 용량을 부가함으로써, 저손실이고 또한 수신 대역의 고대역측에 있어서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
또, 탄성 표면파 장치(200)는, 배선의 형상을 변경하거나 IDT 사이에 정전 용량을 부가하거나 하는 것만으로, 저손실이며, 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 비교하여 장치의 소형화의 관점에서도 유리하다.
[4. 제 2 실시 형태의 변형례]
(4-1. 제 1 변형례)
도 9는 탄성 표면파 장치(200)의 제 1 변형례인 탄성 표면파 장치(200A)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(200A)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 전극(41)과 제 2 전극(42)과 제 1 반사기(51)와 제 2 반사기(52)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(200A)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 전극(41)이 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 전극(42)이 접속되어 있는 점에서 전술한 탄성 표면파 장치(200)와는 다르다.
즉, 탄성 표면파 장치(200A)에는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에도 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)에 의해서 정전 용량이 부가되어 있다.
따라서, 탄성 표면파 장치(200A)는, 제 1 전극(41) 및 제 2 전극(42)의 정전 용량의 값을 변경함으로써, 저손실이고 또한 수신 대역의 고대역측에 있어서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
(4-2. 제 2 변형례)
도 10은 탄성 표면파 장치(200)의 제 2 변형례인 탄성 표면파 장치(200B)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(200B)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 수직 IDT(43)와 제 2 수직 IDT(44)와 제 1 반사기(51)와 제 2 반사기(52)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(200B)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 수직 IDT(43)가 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 수직 IDT(44)가 접속되어 있는 점에서 전술한 탄성 표면파 장치(200)와는 다르다.
즉, 탄성 표면파 장치(200B)에는, 탄성 표면파 장치(200)와 비교하면, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에도 정전 용량이 부가되어 있다.
따라서, 탄성 표면파 장치(200B)는, 제 1 수직 IDT(43) 및 제 2 수직 IDT(44)의 정전 용량의 값을 변경함으로써, 저손실이고 또한 수신 대역의 고대역측에 있어서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
(4-3. 제 3 변형례)
도 11은 탄성 표면파 장치(200)의 제 3 변형례인 탄성 표면파 장치(200C)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(200C)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 평행 IDT(45)와 제 2 평행 IDT(46)와 제 1 반사기(51)와 제 2 반사기(52)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(200C)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 평행 IDT(45)가 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 평행 IDT(46)가 접속되어 있는 점에서 전술한 탄성 표면파 장치(200)와는 다르다.
즉, 탄성 표면파 장치(200C)에는, 탄성 표면파 장치(200)와 비교하면, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에도 정전 용량이 부가되어 있다.
따라서, 탄성 표면파 장치(200C)는, 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)의 정전 용량의 값을 변경함으로써, 저손실이고 또한 수신 대역의 고대역측에 있어서 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있다.
(4-4. 제 4 변형례)
도 12는 탄성 표면파 장치(200)의 제 4 변형례인 탄성 표면파 장치(200D)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 장치(200D)는 제 1 IDT(10)와 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)와 제 1 전극(41)과 제 2 수직 IDT(44)와 제 1 반사기(51)와 제 2 반사기(52)를 포함한다.
탄성 표면파 장치(200D)는, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 1 전극(41)이 접속되고, 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에 제 2 수직 IDT(44)가 접속되어 있는 점에서 탄성 표면파 장치(200)와는 다르다.
즉, 탄성 표면파 장치(200D)에 있어서, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30)의 사이에는, 서로 다른 형상의 용량 패턴을 접속할 수 있다.
또한, 탄성 표면파 장치(200D)에 있어서, 접속하는 2개의 용량 패턴은, 설계에 따라서 제 1 전극(41), 제 2 전극(42), 제 1 수직 IDT(43), 제 2 수직 IDT(44), 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)를 자유롭게 조합할 수 있다. 여기서, 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30) 사이 및 제 2 IDT(20)와 제 3 IDT(30) 사이에 접속하는 용량 패턴의 정전 용량의 값은 동일해도 되고 달라도 된다.
또한, 본 발명에 있어서, 정전 용량을 부가하는 용량 패턴으로서 제 1 전극(41), 제 2 전극(42), 제 1 수직 IDT(43), 제 2 수직 IDT(44), 제 1 평행 IDT(45) 및 제 2 평행 IDT(46)를 설명하였지만, 이들은 예시로서, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명에 있어서, 용량 패턴의 형상은, 탄성 표면파 장치에 정전 용량을 부가할 수 있는 형상이라면, 상술한 형상과 달라도 된다.
따라서, 탄성 표면파 장치(200A~200D)에 있어서도, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 공진이 생기도록 정전 용량을 부가함으로써, 수신 대역의 고대역측의 감쇠 대역에서 급준하고 큰 감쇠 특성을 용이하게 얻을 수 있다.
또, 탄성 표면파 장치(200A~200D)에 있어서도, 배선의 형상을 변경하거나 IDT 사이에 정전 용량을 부가하거나 하는 것만으로, 저손실이며 또한 급준하고 큰 감쇠 특성을 얻을 수 있으므로, 종래의 탄성 표면파 장치와 비교하여 장치의 소형화의 관점에서도 유리하다.
[5. 제 3 실시 형태]
본 발명의 제 3 실시 형태에 관련된 탄성 표면파 디바이스는, 안테나 공용기 등에 탑재되는 듀플렉서의 수신측을 구성하는 탄성 표면파 디바이스이다.
여기서, 도 13을 참조하여, 본 발명을 적용한 듀플렉서(500)의 일례에 대하여 설명한다.
듀플렉서(500)는, 수신측의 탄성 표면파 디바이스(300)와, 송신측의 탄성 표면파 디바이스(400)를 포함하고, 양자는 안테나 단자 Ant 단자에 접속되어 있다. 또, 듀플렉서(500)의 Ant 단자에는 제 1 인덕터(81)가 접속되고, 송신측(Tx) 단자에는 제 2 인덕터(82)가 접속되고, 수신측(Rx) 단자에는 제 3 인덕터(83)가 접속되어 있다. 제 1 인덕터(81)~제 3 인덕터(83)는 예를 들면 일반적인 인덕터로 구성할 수 있다.
수신측의 탄성 표면파 디바이스(300)는 탄성 표면파 장치(200)와 제 5 직렬 공진기(65)와 제 6 직렬 공진기(66)와 제 5 병렬 공진기(75)를 포함한다.
탄성 표면파 디바이스(300)에 있어서, 탄성 표면파 장치(200)는 제 1 IDT(10)와 제 3 IDT(30)의 사이에 용량 패턴을 접속한 구성을 갖는다.
제 5 직렬 공진기(65), 제 6 직렬 공진기(66) 및 제 5 병렬 공진기(75)는, 예를 들면 일반적인 1-Port의 SAW 공진기로 구성할 수 있다. 제 5 직렬 공진기(65)와 제 6 직렬 공진기(66)와 제 5 병렬 공진기(75)는 래더형으로 접속되어 있다.
즉, 탄성 표면파 디바이스(300)는, 제 2 실시 형태의 탄성 표면파 장치(200)에 래더형으로 결합된 SAW 공진기가 접속된 탄성 표면파 장치이다.
또한, 제 5 직렬 공진기(65), 제 6 직렬 공진기(66) 및 제 5 병렬 공진기(75)는, 탄성 표면파 장치(200)에 접속하는 SAW 공진기의 수를 한정하는 것은 아니다. 본 발명에 있어서, 탄성 표면파 장치(200)에 접속하는 SAW 공진기의 수는 특별히 한정되지 않고, 탄성 표면파 디바이스(300)는, 예를 들면 설계에 따라서 제 5 직렬 공진기(66)만을 탄성 표면파 장치(200)에 접속한 구성으로 할 수 있다.
또, 후술하지만, 탄성 표면파 디바이스(300)는 듀플렉서(500)의 수신측에 사용되는 탄성 표면파 디바이스이므로, Tx 단자로부터 Rx 단자로의 아이솔레이션에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
송신측의 탄성 표면파 디바이스(400)는 제 1 직렬 공진기(61)와 제 2 직렬 공진기(62)와 제 3 직렬 공진기(63)와 제 4 직렬 공진기(64)와 제 1 병렬 공진기(71)와 제 2 병렬 공진기(72)와 제 3 병렬 공진기(73)와 제 4 병렬 공진기(74)와 제 4 인덕터(84)와 제 5 인덕터(85)를 포함한다.
제 1 직렬 공진기(61)~제 4 직렬 공진기(64)는, 예를 들면 일반적인 1-Port의 SAW 공진기로 구성할 수 있다. 마찬가지로, 제 1 병렬 공진기(71)~제 4 병렬 공진기(74)는, 예를 들면 일반적인 SAW 공진기로 구성할 수 있다. 제 4 인덕터(84) 및 제 5 인덕터(85)는 일반적인 인덕터로 구성할 수 있다.
송신측의 탄성 표면파 디바이스(400)는 제 1 직렬 공진기(61)~제 4 직렬 공진기(64)와, 제 1 병렬 공진기(71)~제 4 병렬 공진기(74)와, 제 4 인덕터(84), 및 제 5 인덕터(85)가 래더형으로 결합된 래더형의 탄성 표면파 디바이스이다.
도 14는 탄성 표면파 디바이스(300)의 구체적인 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 디바이스(300)는, 탄성 표면파 장치(200)와 제 1 공진기(91)와 제 2 공진기(92)와 제 3 공진기(93)를 포함한다.
제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)는, 예를 들면 1-Port의 SAW 공진기로 구성할 수 있다.
도 14에 있어서, 탄성 표면파 장치(200)에는, 래더형으로 접속된 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)가 접속되어 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)는 탄성 표면파 장치(200)에 접속되는 SAW 공진기를 한정하는 것은 아니다. 탄성 표면파 디바이스(300)는, 예를 들면 탄성 표면파 장치(200)에 제 1 공진기(91)만을 접속한 구성으로 할 수도 있다.
탄성 표면파 디바이스(300)는, 안테나 공용기에 탑재되므로, 수신측의 고대역측의 급준하고 큰 감쇠 특성에 부가하여, 송신측으로부터 탄성 표면파 장치(200)로의 아이솔레이션에 대해서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는 것이 필요하다.
도 15는 정전 용량을 부가하지 않는 탄성 표면파 디바이스와, 정전 용량을 부가한 본 발명에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300)의 아이솔레이션 특성을 나타낸 그래프이다.
도 15에 있어서, 제 1 아이솔레이션 특성(3)은 정전 용량을 부가하지 않는 탄성 표면파 디바이스의 아이솔레이션 특성이고, 제 2 아이솔레이션 특성(4)은 본 발명에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300)의 아이솔레이션 특성으로서, 가로축이 주파수(㎒), 세로축이 삽입 손실(㏈)이다.
제 1 아이솔레이션 특성(3)과 제 2 아이솔레이션 특성(4)을 비교하면, 제 2 아이솔레이션 특성(4) 쪽이 약 840~850 MHz의 고대역측에 있어서 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다. 이는, 탄성 표면파 장치(200)에는 정전 용량이 부가되어 있기 때문에, 아이솔레이션에 있어서도 삽입 손실이 억제되었기 때문이다.
도 16은 정전 용량을 부가하지 않는 탄성 표면파 디바이스와, 본 발명에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300)의 송신측의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 16에 있어서, 제 1 송신측 주파수 특성(5)은 정전 용량을 부가하지 않는 탄성 표면파 디바이스의 송신측의 주파수 특성이고, 제 2 송신측 주파수 특성(6)은 본 발명에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300)의 송신측의 주파수 특성으로서, 가로축이 주파수(㎒), 세로축이 삽입 손실(㏈)이다.
도 16을 참조하면, 제 1 송신측 주파수 특성(5)과 제 2 송신측 주파수 특성(6)은 대부분 겹쳐 있고, 수신측의 탄성 표면파 디바이스(300)에 정전 용량을 부가하더라도, 송신측에는 영향을 주지 않는 것이 나타나 있다. 또한, 수신측의 주파수 특성에 대해서는 도 3과 마찬가지이므로 설명은 생략한다.
즉, 본 발명에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300)는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 아이솔레이션 특성에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
[6. 제 3 실시 형태의 변형례]
(6-1. 제 1 변형례)
도 17은 탄성 표면파 디바이스(300)의 제 1 변형례에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300A)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 디바이스(300A)는, 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)에 탄성 표면파 장치(200A)가 접속되어 있는 점에서, 전술한 탄성 표면파 디바이스(300)와 다르다.
탄성 표면파 장치(200A)에는 정전 용량이 부가되어 있으므로, 탄성 표면파 디바이스(300A)는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 아이솔레이션 특성에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
(6-2. 제 2 변형례)
도 18은 탄성 표면파 디바이스(300)의 제 2 변형례에 관련된 탄성 표면파 디바이스(300B)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 디바이스(300B)는, 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93), 탄성 표면파 장치(200B)가 접속되어 있는 점에서, 전술한 탄성 표면파 디바이스(300)와 다르다.
탄성 표면파 장치(200B)에는 정전 용량이 부가되어 있으므로, 탄성 표면파 디바이스(300B)는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 아이솔레이션 특성에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
(6-3. 제 3 변형례)
도 19는 탄성 표면파 디바이스(300)의 제 3 변형례인 탄성 표면파 디바이스(300C)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 디바이스(300C)는 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)에 탄성 표면파 장치(200C)가 접속되어 있는 점에서, 전술한 탄성 표면파 디바이스(300)와 다르다.
탄성 표면파 장치(200C)에는 정전 용량이 부가되어 있으므로, 탄성 표면파 디바이스(300C)는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 아이솔레이션 특성에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
(6-4. 제 4 변형례)
도 20은 탄성 표면파 디바이스(300)의 제 4 변형례인 탄성 표면파 디바이스(300D)의 구성을 나타낸 모식도이다.
탄성 표면파 디바이스(300D)는, 제 1 공진기(91), 제 2 공진기(92) 및 제 3 공진기(93)에 탄성 표면파 장치(200D)가 접속되어 있는 점에서, 전술한 탄성 표면파 디바이스(300)와 다르다.
탄성 표면파 장치(200D)에는 정전 용량이 부가되어 있으므로, 탄성 표면파 장치(300D)는, 수신 대역의 고대역측뿐만 아니라, 아이솔레이션 특성에 있어서도 급준하고 큰 감쇠 특성을 갖는다.
1 : 제 1 수신 주파수 특성
2 : 제 2 수신 주파수 특성
3 : 제 1 아이솔레이션 특성
4 : 제 2 아이솔레이션 특성
5 : 제 1 송신 주파수 특성
6 : 제 2 송신 주파수 특성
10 : 제 1 IDT
11 : 제 1 입력용 배선
12 : 제 1 그라운드 배선
20 : 제 2 IDT
21 : 제 2 입력용 배선
22 : 제 2 그라운드 배선
30 : 제 3 IDT
31 : 출력용 배선
32 : 제 3 그라운드 배선
41 : 제 1 전극
42 : 제 2 전극
43 : 제 1 수직 IDT
44 : 제 2 수직 IDT
45 : 제 1 평행 IDT
46 : 제 2 평행 IDT
51 : 제 1 반사기
52 : 제 2 반사기
61 : 제 1 직렬 공진기
62 : 제 2 직렬 공진기
63 : 제 3 직렬 공진기
64 : 제 4 직렬 공진기
65 : 제 5 직렬 공진기
66 : 제 6 직렬 공진기
71 : 제 1 병렬 공진기
72 : 제 2 병렬 공진기
73 : 제 3 병렬 공진기
74 : 제 4 병렬 공진기
75 : 제 5 병렬 공진기
81 : 제 1 인덕터
82 : 제 2 인덕터
83 : 제 3 인덕터
84 : 제 4 인덕터
85 : 제 5 인덕터
91 : 제 1 공진기
92 : 제 2 공진기
93 : 제 3 공진기
100, 100A, 100B, 100C : 탄성 표면파 장치
101 : 수신 대역
102 : 송신 대역
200, 200A, 200B, 200C, 200D : 탄성 표면파 장치
201 : 송신 대역
202 : 수신 대역
203 : 송신 대역
204 : 수신 대역
300, 300A, 300B, 300C, 300D : 탄성 표면파 디바이스
400 : 탄성 표면파 디바이스
500 : 듀플렉서

Claims (24)

  1. 제 1 입력용 배선에 접속된 제 1 IDT와,
    제 2 입력용 배선에 접속된 제 2 IDT와,
    출력용 배선에 접속되고, 상기 제 1 IDT와 상기 제 2 IDT의 사이에 설치된 제 3 IDT를 포함하며,
    상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속되어 있고,
    상기 용량 패턴은, 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해지는, 탄성 표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 2개의 금속 도체를 대향하여 배치한 전극, 탄성 표면파의 전파 방향과 수직의 방향으로 전극을 형성한 IDT, 및 탄성 표면파의 전파 방향과 평행의 방향으로 전극을 형성한 IDT 중 어느 하나인, 탄성 표면파 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 통과 대역의 고대역측의 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해지는, 탄성 표면파 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 통과 대역은 수신측의 수신 대역인, 탄성 표면파 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제 1~제 3 IDT의 양측에 설치된 제 1 반사기와 제 2 반사기를 더 포함하고,
    상기 제 1 반사기는 상기 제 1 입력용 배선과 접속되고, 상기 제 2 반사기는 상기 제 2 입력용 배선과 접속되어 있는, 탄성 표면파 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 반사기와 상기 제 1 입력용 배선의 사이 및 상기 제 2 반사기와 상기 제 2 입력용 배선의 사이는, 각각 정전 용량이 발생하도록 접속되어 있는, 탄성 표면파 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 2개의 금속 도체를 대향하여 배치한 전극, 탄성 표면파의 전파 방향과 수직의 방향으로 전극을 형성한 제 1 수직 IDT, 및 탄성 표면파의 전파 방향과 평행의 방향으로 전극을 형성한 제 2 수직 IDT 중 어느 하나인, 탄성 표면파 장치.
  10. 삭제
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 통과 대역의 고대역측의 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해지는, 탄성 표면파 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 통과 대역은 수신 대역인, 탄성 표면파 장치.
  13. 제1항의 탄성 표면파 장치를 포함하고,
    상기 탄성 표면파 장치는 적어도 1개의 공진기와 접속되어 있는, 탄성 표면파 디바이스.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 2개의 금속 도체를 대향하여 배치한 전극, 탄성 표면파의 전파 방향과 수직의 방향으로 전극을 형성한 제 1 수직 IDT, 및 탄성 표면파의 전파 방향과 평행의 방향으로 전극을 형성한 제 2 수직 IDT 중 어느 하나인, 탄성 표면파 디바이스.
  15. 삭제
  16. 제 13 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 통과 대역의 고대역측의 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해지는, 탄성 표면파 디바이스.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 통과 대역은 수신측의 수신 대역인, 탄성 표면파 디바이스.
  18. 제6항의 탄성 표면파 장치를 포함하고,
    상기 탄성 표면파 장치는 적어도 1개의 공진기와 접속되어 있는, 탄성 표면파 디바이스.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 반사기와 상기 제 1 입력 배선의 사이 및 상기 제 2 반사기와 상기 제 2 입력 배선의 사이는 각각 정전 용량이 발생하도록 접속되어 있는, 탄성 표면파 디바이스.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 및 상기 제 2 IDT와 상기 제 3 IDT의 사이 중 적어도 한 곳에 정전 용량을 부가하는 용량 패턴이 접속되어 있는, 탄성 표면파 디바이스.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 2개의 금속 도체를 대향하여 배치한 전극, 탄성 표면파의 전파 방향과 수직의 방향으로 전극을 형성한 제 1 수직 IDT, 및 탄성 표면파의 전파 방향과 평행의 방향으로 전극을 형성한 제 2 수직 IDT 중 어느 하나인, 탄성 표면파 디바이스.
  22. 삭제
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 용량 패턴은, 통과 대역의 고대역측의 감쇠 대역에 공진을 생기게 하는 공진점에 의해서 정해지는, 탄성 표면파 디바이스.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 통과 대역은 수신 대역인, 탄성 표면파 디바이스.
KR1020200087075A 2015-08-05 2020-07-14 탄성 표면파 장치 KR102432680B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200087075A KR102432680B1 (ko) 2015-08-05 2020-07-14 탄성 표면파 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150110590A KR102443568B1 (ko) 2015-08-05 2015-08-05 탄성 표면파 장치
KR1020200087075A KR102432680B1 (ko) 2015-08-05 2020-07-14 탄성 표면파 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150110590A Division KR102443568B1 (ko) 2015-08-05 2015-08-05 탄성 표면파 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200088262A KR20200088262A (ko) 2020-07-22
KR102432680B1 true KR102432680B1 (ko) 2022-08-16

Family

ID=83064057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200087075A KR102432680B1 (ko) 2015-08-05 2020-07-14 탄성 표면파 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102432680B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070090895A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Fujitsu Media Devices Limited Surface acoustic wave device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3853513T2 (de) * 1987-11-20 1995-11-23 Oki Electric Ind Co Ltd Akustische Oberflächenwellenanordnung.
JP4373390B2 (ja) 2002-10-18 2009-11-25 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器
JP3764731B2 (ja) 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070090895A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Fujitsu Media Devices Limited Surface acoustic wave device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200088262A (ko) 2020-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7425878B2 (en) Surface acoustic wave filter and duplexer using the same
US11881843B2 (en) Filter device and duplexer
US9083314B2 (en) Elastic wave filter device and antenna duplexer using same
JP2018064302A (ja) 高周波フィルタ
KR102496953B1 (ko) 멀티플렉서
JP5210253B2 (ja) 弾性波デバイス
JP2005295203A (ja) デュプレクサ
US20170126204A1 (en) Ladder filter and duplexer
KR102432680B1 (ko) 탄성 표면파 장치
US20220140809A1 (en) Acoustic wave filter and multiplexer
JP4373390B2 (ja) 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器
JP6677296B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
US11876505B2 (en) Acoustic wave filter device and multiplexer using same
KR102457672B1 (ko) 필터 회로 및 복합 필터 장치
KR102443568B1 (ko) 탄성 표면파 장치
JP2020028013A (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
US20210099159A1 (en) Multiplexer
US9479137B2 (en) Filter device and duplexer including compensation circuit
US11916542B2 (en) Acoustic wave filter device and multiplexer using same
KR20200002598A (ko) 필터 및 멀티플렉서
CN117097298B (zh) 一种改善带外抑制的滤波器电路
KR102462289B1 (ko) 송신 필터 회로 및 복합 필터 장치
US20230198493A1 (en) Composite acoustic wave filter device
CN111066242A (zh) Saw谐振器和包括saw谐振器的滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant