KR102423547B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하고 상기 절연층의 일부를 노출하는 개구가 형성된 화소정의막; 상기 개구를 정의하는 상기 화소정의막의 측면 상에 위치하고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 하부전극; 상기 개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 하부전극과 이격된 반사패턴; 상기 하부전극 및 상기 반사패턴 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 상부전극; 및 상기 상부전극 상에 위치하고 상기 개구 내에 위치하는 파장변환층을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 천이하면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 등의 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대폰 등과 같은 개인용 휴대기기에서 텔레비전(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다.
유기 발광 표시 장치는, 적색, 녹색, 청색의 삼원색을 이용하여 화상을 표시할 수 있다.
유기 발광 표시 장치 중 일부는 RGB 색상을 백색 유기 발광층과 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터, 청색 컬러필터의 조합을 이용하여 구현한다.
상술한 백색 유기 발광층 및 컬러필터를 이용하는 유기 발광 표시 장치의 경우, 컬러필터를 사용함에 따라 광효율 측면 및 색재현성 측면에서 불리한 점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광효율 및 색재현성이 향상된 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하고 상기 절연층의 일부를 노출하는 개구가 형성된 화소정의막; 상기 개구를 정의하는 상기 화소정의막의 측면 상에 위치하고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 하부전극; 상기 개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 하부전극과 이격된 반사패턴; 상기 하부전극 및 상기 반사패턴 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 상부전극; 및 상기 상부전극 상에 위치하고 상기 개구 내에 위치하는 파장변환층을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 하부전극과 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 반사패턴은 플로팅 패턴일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 하부전극은, 평면 시점에서 상기 반사패턴을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 절연층에는 상부 폭이 하부 폭보다 작은 홈이 형성되고, 상기 홈은 상기 하부전극과 상기 반사패턴 사이에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 홈 내에 위치하고 상기 하부전극 및 상기 반사패턴과 이격된 도전패턴을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 도전패턴, 상기 하부전극 및 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 절연층에는 상부 폭이 하부 폭보다 작은 홈이 형성되고, 상기 반사패턴은 상기 홈 내에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 절연층 상에 위치하고 상기 하부전극과 상기 반사패턴 사이에 위치하는 절연패턴을 더 포함하고, 상기 절연패턴은, 상부 폭이 하부 폭보다 클 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 절연패턴 상에 위치하고 상기 하부전극 및 상기 반사패턴과 이격된 도전패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 도전패턴, 상기 하부전극 및 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 절연층 상에 위치하고 상부 폭이 하부 폭보다 큰 절연패턴을 더 포함하고, 상기 반사패턴은 상기 절연패턴 상에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 화소정의막과 상기 발광층 사이에 위치하는 뱅크패턴을 더 포함하고, 상기 뱅크패턴은 상기 하부전극 중 상기 화소정의막의 상면과 중첩하는 부분을 커버할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 발광층은 청색 발광층이고, 상기 파장변환층은 양자점을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 제1화소영역 및 상기 제1화소영역과 인접한 제2화소영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하고 상기 제1화소영역에 위치하는 제1스위칭 소자; 상기 기판 상에 위치하고 상기 제2화소영역에 위치하는 제2스위칭 소자; 상기 제1스위칭 소자 및 상기 제2스위칭 소자 상에 위치하는 절연층; 상기 절연층 상에 위치하고, 상기 제1화소영역에서 상기 절연층의 일부를 노출하는 제1개구를 정의하는 제1측면 및 상기 제2화소영역에서 상기 절연층의 일부를 노출하는 제2개구를 정의하는 제2측면을 포함하는 화소정의막; 상기 제1측면 상에 위치하고 상기 제1스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제1하부전극; 상기 제2측면 상에 위치하고 상기 제2스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제2하부전극; 상기 제1개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 제1하부전극과 이격된 제1반사패턴; 상기 제2개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 제2하부전극과 이격된 제2반사패턴; 상기 제1하부전극, 상기 제2하부전극, 상기 제1반사패턴 및 상기 제2반사패턴 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 상부전극; 상기 상부전극 상에 위치하고 상기 제1개구 내에 위치하는 제1파장변환층; 및 상기 상부전극 상에 위치하고 상기 제2개구 내에 위치하는 제2파장변환층을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1하부전극, 상기 제2하부전극, 상기 제1반사패턴 및 상기 제2반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제1파장변환층은 제1양자점을 포함하고, 상기 제2파장변환층은 상기 제1양자점과 다른 제2양자점을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 기판은 상기 제2화소영역과 인접하는 제3화소영역을 더 포함하고, 상기 화소정의막에는 상기 제3화소영역 내에 위치하는 제3개구가 더 형성되고, 상기 상부전극 상에 위치하고 제3개구 내에 위치하는 투과층을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 투과층은 광을 산란시키는 산란재를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 기판 상에 위치하고 상기 제3화소영역 내에 위치하는 제3스위칭 소자; 및 상기 제3스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제3하부전극; 을 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 제3스위칭 소자와 상기 제3하부전극 사이에 위치하고, 상기 발광층은 상기 제3하부전극 상에 더 위치하고, 상기 상부전극은 상기 제3화소영역에서 상기 발광층 상에 더 위치하고, 상기 투과층은 상기 상부전극 상에 위치할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 광효율 및 색재현성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치에서 하나의 화소영역 내 위치하는 화소에 대한 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 세 화소영역 구조를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 X1-X1', X3, X3', X5-X5'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 6의 Q1을 확대 도시한 도면이다.
도 8은 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 도 8의 Q2를 확대 도시한 도면이다.
도 10은 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 도 10의 Q3를 확대 도시한 도면이다.
도 12은 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13은 도 12의 Q4를 확대 도시한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
몇몇 실시예에서 표시 장치(10)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(10)는 일 방향으로 연장된 양 단변과 상기 일 방향과 교차하는 다른 방향으로 연장된 양 장변을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)의 장변과 단변이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 한정되지 않으며, 곡면을 이룰 수도 있다. 표시 장치(10)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하며, 표시 영역(DA)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(10)의 두께 방향인 제3방향(DR3)에서 보았을 때 표시 영역(DA)은 대략적으로 직사각형 형상을 갖는 것일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들(PA)을 포함한다. 화소 영역들(PA)은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 화소 영역(PA)에는 화소(도 2의 PX)가 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는다. 표시 장치(10)의 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 비표시 영역(NDA)은 예를 들어, 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제1방향(DR1) 및 제1방향(DR1)과 교차하는 제2방향(DR2)으로 표시 영역(DA)과 인접할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 화소들 중 한 화소에 대한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 한 화소(PX)는 복수의 신호선(121, 171, 181), 복수의 신호선(121, 171, 181)에 연결되어 있는 복수의 스위칭 소자(T1, T2), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
스위칭 소자(T1, T2)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1), 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2)을 포함한다.
신호선(121, 171, 172)은 게이트 신호(Sn, 스캔 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 게이트선(121)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 복수의 데이터선(171), 그리고 구동 전압(ELVDD)을 전달하며 데이터선(171)과 거의 나란하게 형성되어 있는 복수의 구동 전압선(181)을 포함한다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지고 있다. 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 게이트선(121)에 인가되는 게이트 신호(Sn)에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호(Dm)를 구동 트랜지스터(T2)에 전달한다.
구동 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지고 있다. 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(181)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(OLED)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 구동전류(Id)를 흘린다.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드 전극(anode electrode), 공통 전압 (ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드 전극(cathode electrode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(T2)의 구동전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 n 채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET) 또는 p 채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 스위칭 소자(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 연결 관계는 다양하게 변경될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치에서 세개의 화소영역 구조를 도시한 평면도, 도 4는 도 3의 X1-X1', X3, X3', X5-X5'선을 따라 절단한 단면도, 도 5는 도 3의 X7-X7'선을 따라 절단한 단면도이다. 이하의 실시예에서, 일부의 구성 요소에 대해서는 도 1 및 도 2에서 언급한 구성 요소와 실질적으로 동일하더라도 구성 요소들 간의 배치 및 결합 관계를 용이하게 설명하기 위해 새로운 도면 부호가 부여되었다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 도 2의 설명에서 상술한 바와 같이 제1화소영역(PAa) 내에는 제1스위칭 트랜지스터(T1a), 제1구동 트랜지스터(T2a) 및 제1스토리지 커패시터(Csta)가 위치한다. 또한 제2화소영역(PAb) 내에는 제2스위칭 트랜지스터(T1b), 제2구동 트랜지스터(T2b) 및 제2스토리지 커패시터(Cstb)가 위치하며, 제3화소영역(PAc) 내에는 제3스위칭 트랜지스터(T1c), 제3구동 트랜지스터(T2c) 및 제3스토리지 커패시터(Cstc)가 위치한다.
이하 표시 장치(10)의 적층 구조에 대해서 설명한다.
기판(100)은 유리, 석영, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene napthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terepthalate: PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 있다. 기판(100)은 금속 재질의 물질을 포함할 수도 있다.
기판(100)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수 있다. 플렉시블 기판을 이루는 물질의 예로 폴리이미드(PI)를 들 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(100)에는 제1화소영역(PAa), 제2화소영역(PAb) 및 제3화소영역(Pac)이 정의될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1화소영역(PAa), 제2화소영역(PAb) 및 제3화소영역(PAc)은 제1방향(DR1)을 따라 순차적으로 위치할 수 있다.
기판(100) 상의 제1화소영역(PAa)에는 제1스위칭 트랜지스터(T1a)의 제1반도체 패턴(151a) 및 제1구동 트랜지스터(T2a)의 제2반도체 패턴(153a)이 위치한다. 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다결정 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수 있다. 상기 결정화 방법의 예로는 RTA(rapid thermal annealing)법, SPC(solid phase crystallzation)법, ELA(excimer laser annealing)법, MIC(metal induced crystallzation)법, MILC(metal induced lateral crystallzation)법, SLS(sequential lateral solidification)법 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로, 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)은 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등을 포함할 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다른 실시예에서 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz)을 포함할 수도 있다.
제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)의 양측에는 불순물 이온(PMOS 트랜지스터의 경우 p형 불순물 이온)이 도핑되어 있을 수 있다. 몇몇 실시예에서 붕소(B) 등 3가 도펀트가 상기 p형 불순물 이온으로 사용될 수 있다.
기판(100) 상의 제2화소영역(PAb)에는 제2스위칭 트랜지스터(T1b)의 제3반도체 패턴(151b) 및 제2구동 트랜지스터(T2b)의 제4반도체 패턴(153b)이 위치하고, 기판(100) 상의 제3화소영역(PAc)에는 제3스위칭 트랜지스터(T1c)의 제5반도체 패턴(151c) 및 제3구동 트랜지스터(T2c)의 제6반도체 패턴(153c)이 위치한다. 제3반도체 패턴(151b), 제4반도체 패턴(153b), 제5반도체 패턴(151c) 및 제6반도체 패턴(153c)은 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1반도체 패턴(151a) 및 제2반도체 패턴(153a) 의 구성 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제1반도체 패턴(151a), 제2반도체 패턴(153a), 제3반도체 패턴(151b), 제4반도체 패턴(153b), 제5반도체 패턴(151c) 및 제6반도체 패턴(153c) 상에는 제1 절연층(131)이 위치할 수 있다. 제1 절연층(131)은 대체로 기판(100)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제1 절연층(131)은 게이트 절연 기능을 갖는 게이트 절연막일 수 있다.
제1 절연층(131)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(131)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 절연층(131)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
제1 절연층(131) 상에는 제1도전층이 위치할 수 있다. 상기 제1도전층은 게이트선(121), 제1게이트 전극(124a), 제2게이트 전극(127a), 제3게이트 전극(124b), 제4게이트 전극(127b), 제5게이트 전극(124c), 제6게이트 전극(127c) 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제1전극(CE1a), 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제1전극(CE1b) 및 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제1전극(CE1c)을 포함할 수 있다.
게이트선(121)은 제1방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다.
제1게이트 전극(124a), 게이트 전극(124b) 및 제5게이트 전극(124c)은 게이트선(121)과 연결될 수 있다. 그리고 제1게이트 전극(124a)은 제1반도체 패턴(151a)과 중첩하고, 제3게이트 전극(124b)은 제3반도체 패턴(151b)과 중첩하고 제5게이트 전극(124c)은 제5반도체 패턴(151c)과 중첩할 수 있다.
제2게이트 전극(127a)은 제1게이트 전극(124a)과 이격되고, 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제1전극(CE1a)과 연결되고, 제2반도체 패턴(153a)과 중첩할 수 있다. 유사하게 제4게이트 전극(127b)은 제3게이트 전극(124b)과 이격되고, 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제1전극(CE1b)과 연결되고, 제4반도체 패턴(153b)과 중첩할 수 있으며, 제6게이트 전극(127c)은 제5게이트 전극(124c)과 이격되고, 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제1전극(CE1c)과 연결되고, 제6반도체 패턴(153c)과 중첩할 수 있다.
상기 제1도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 도전층은 단일막 또는 다층막 구조일 수 있다.
상기 제1도전층 상에는 제2 절연층(133)이 위치할 수 있다. 제2 절연층(133)은 대체로 기판(100)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제2 절연층(133)은 층간 절연막일 수 있다.
제2 절연층(133)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 무기 절연 물질이나 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 절연층(133)은 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수 있다.
제1화소영역(PAa)에서 제1 절연층(131) 및 제2 절연층(133)에는 제2반도체 패턴(153a)의 일부를 노출하는 제1컨택홀(H1a) 및 제2컨택홀(H2a)이 형성되고, 제1반도체 패턴(151a)의 일부를 노출하는 제4컨택홀(H4a) 및 제5컨택홀(H5a)이 형성될 수 있다. 또한 제2 절연층(133)에는 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제1전극(CE1a)을 노출하는 제6컨택홀(H6a)이 형성될 수 있다.
유사하게 제2화소영역(PAb)에서 제1 절연층(131) 및 제2 절연층(133)에는 제4반도체 패턴(153a)의 일부를 노출하는 제1컨택홀(H1b) 및 제2컨택홀(H2b), 제3반도체 패턴(151b)의 일부를 노출하는 제4컨택홀(H4b) 및 제5컨택홀(H5b)이 형성될 수 있으며, 제2 절연층(133)에는 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제1전극(CE1b)을 노출하는 제6컨택홀(H6b)이 형성될 수 있다. 또한 제3화소영역(PAc)에서 제1 절연층(131) 및 제2 절연층(133)에는 제6반도체 패턴(153c)의 일부를 노출하는 제1컨택홀(H1c) 및 제2컨택홀(H2c), 제5반도체 패턴(151c)의 일부를 노출하는 제4컨택홀(H4c) 및 제5컨택홀(H5c)이 형성되고, 제2 절연층(133)에는 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제1전극(CE1c)을 노출하는 제6컨택홀(H6c)이 형성될 수 있다.
제2 절연층(133) 상에는 제2 도전층이 위치할 수 있다. 상기 제2 도전층은 제1데이터선(171a), 제2데이터선(171b), 제3데이터선(171c), 제1구동전압선(181a), 제2구동전압선(181b), 제3구동전압선(181c), 소스전극들(173a, 177a, 173b, 177b, 173c, 177c), 드레인 전극들(175a, 179a, 175b, 179b, 175c, 179c), 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제2전극(CE2a), 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제2전극(CE2b) 및 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제2전극(CE2c)을 포함할 수 있다.
제1데이터선(171a), 제2데이터선(171b), 제3데이터선(171c), 제1구동전압선(181a), 제2구동전압선(181b), 제3구동전압선(181c)은 열방향인 제2방향(DR2)을 따라 연장될 수 있으며, 제1방향(DR1)을 따라 서로 이격될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1데이터선(171a), 제1구동전압선(181a), 제2데이터선(171b), 제2구동전압선(181b), 제3데이터선(171c) 및 제3구동전압선(181c)은 제1방향(DR1)을 따라 순차 배치될 수 있다.
제1스토리지 커패시터(Csta)의 제2전극(CE2a)은 제1구동전압선(181a)과 연결되고, 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제1전극(CE1a)과 중첩할 수 있다. 유사하게 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제2전극(CE2b)은 제2구동전압선(181b)과 연결되고 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제1전극(CE1b)과 중첩할 수 있으며, 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제2전극(CE2c)은 제3구동전압선(181c)과 연결되고 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제1전극(CE1c)과 중첩할 수 있다.
제1소스전극(173a)은 제1데이터선(171a)으로부터 연장되고 제1화소영역(PAa)의 제4컨택홀(H4a)을 통해 제1반도체 패턴(151a)과 연결될 수 있다. 유사하게 제3소스전극(173b)은 제2데이터선(171b)으로부터 연장되고 제2화소영역(PAb)의 제4컨택홀(H4b)을 통해 제3반도체 패턴(151b)과 연결될 수 있으며, 제5소스전극(173c)은 제3데이터선(171c)으로부터 연장되고 제3화소영역(PAc)의 제4컨택홀(H4c)을 통해 제5반도체 패턴(151c)과 연결될 수 있다.
제2소스전극(177a)은 제1구동전압선(181a)으로부터 연장되고 제1화소영역(PAa)의 제1컨택홀(H1a)을 통해 제2반도체 패턴(153a)과 연결될 수 있다. 유사하게 제4소스전극(177b)은 제2구동전압선(181b)으로부터 연장되고 제2화소영역(PAb)의 제1컨택홀(H1b)을 통해 제4반도체 패턴(153b)과 연결될 수 있으며, 제6소스전극(177c)은 제3구동전압선(181b)으로부터 연장되고 제3화소영역(PAc)의 제1컨택홀(H1c)을 통해 제6반도체 패턴(153c)과 연결될 수 있다.
제1드레인 전극(175a)은 제1소스전극(173a)과 이격 배치되고, 제1화소영역(PAa)의 제5컨택홀(H5a)을 통해 제1반도체 패턴(151a)과 연결되고, 제1화소영역(PAa)의 제6컨택홀(H6a)을 통해 제1스토리지 커패시터(Csta)의 제1전극(CE1a)과 연결될 수 있다. 유사하게 제3드레인 전극(175b)은 제3소스전극(173a)과 이격 배치되고, 제2화소영역(PAb)의 제5컨택홀(H5b)을 통해 제3반도체 패턴(151b)과 연결되고, 제2화소영역(PAb)의 제6컨택홀(H6b)을 통해 제2스토리지 커패시터(Cstb)의 제1전극(CE1b)과 연결될 수 있다. 또한 제5 드레인 전극(175c)은 제3소스전극(173c)과 이격 배치되고, 제3화소영역(PAc)의 제5컨택홀(H5c)을 통해 제5반도체 패턴(151c)과 연결되고, 제3화소영역(PAc)의 제6컨택홀(H6c)을 통해 제3스토리지 커패시터(Cstc)의 제1전극(CE1c)과 연결될 수 있다.
제2드레인 전극(179a)은 제2소스전극(177a)과 이격 배치되고, 제1화소영역(PAa)의 제2컨택홀(H2a)을 통해 제2반도체 패턴(153a)과 연결될 수 있다. 유사하게 제4드레인 전극(179b)은 제4소스전극(177b)과 이격 배치되고 제2화소영역(PAb)의 제2컨택홀(H2b)을 통해 제4반도체 패턴(153b)과 연결될 수 있으며, 제6드레인 전극(179c)은 제6소스전극(177c)과 이격 배치되고, 제3화소영역(PAc)의 제2컨택홀(H2c)을 통해 제6반도체 패턴(153c)과 연결될 수 있다.
상기 제2 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제3 도전층(500)은 단일막 또는 다층막일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전층은 Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/AlGe/Mo, Ti/Cu 등의 적층구조로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전층 상에는 제3 절연층(135)이 위치할 수 있다. 제3 절연층(135)은 대체로 기판(100)의 전체 면에 걸쳐 배치될 수 있다. 제3 절연층(135)은 층간 절연막일 수 있다. 제3 절연층(135)은 제2 절연층(133)과 동일한 물질을 포함하거나, 제2 절연층(133)의 구성 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제1화소영역(PAa)에서 제3 절연층(135)에는 제2 드레인 전극(179a)의 일부를 노출하는 제3컨택홀(H3a)이 형성될 수 있다. 또한 제2화소영역(PAb)에서 제3 절연층(135)에는 제4 드레인 전극(179b)의 일부를 노출하는 제3컨택홀(H3b)이 형성되고, 제3화소영역(PAc)에서 제3 절연층(135)에는 제6 드레인 전극(179c)의 일부를 노출하는 제3컨택홀(H3c)이 형성될 수 있다.
제3 절연층(135) 상에는 발광 영역을 구획하는 화소 정의막(141)이 위치할 수 있다. 화소 정의막(141)은 예컨대 폴리이미드 등과 같은 유기물 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane)를 포함할 수 있다.
제1화소영역(PAa)에서 화소 정의막(141)에는 제1개구(OPa)가 형성될 수 있으며, 화소 정의막(141)은 제1개구(OPa)를 정의하는 제1측면(1411a)을 포함할 수 있다. 유사하게 제2화소영역(PAb)에서 화소 정의막(141)에는 제2개구(OPb)가 형성될 수 있으며 화소 정의막(141)은 제2개구(OPb)를 정의하는 제2측면(1411a)을 포함할 수 있고, 제3화소영역(PAc)에서 화소 정의막(141)에는 제3개구(OPc)가 형성될 수 있으며 화소 정의막(141)은 제3개구(OPc)를 정의하는 제3측면(1411c)을 포함할 수 있다.
화소 정의막(141) 및 제3 절연층(135) 상에는 제3 도전층이 위치할 수 있다. 상기 제3 도전층은 제1 하부전극(210a), 제2 하부전극(210b), 제3 하부전극(210c), 제1반사패턴(270a) 및 제2반사패턴(270b)을 포함한다. 또한 몇몇 실시예에서 상기 제3 도전층은 제3반사패턴(270c)을 더 포함할 수 있다.
제1 하부전극(210a)은 제1유기발광소자(ELa)의 애노드 전극일 수 있다. 제1 하부전극(210a)은 제1화소영역(PAa)에 위치한다. 제1 하부전극(210a)은 제1화소영역(PAa)의 제3컨택홀(H3a)을 통해 제2 드레인 전극(179a)과 연결될 수 있다. 제1 하부전극(210a)은 제1개구(OPa) 주변의 경사면인 화소 정의막(141)의 제1측면(1411a) 상에 위치하며, 제1 하부전극(210a)의 일부는 화소 정의막(141)의 상면(1413) 상에 위치할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1 하부전극(210a)은 화소 정의막(141)의 제1측면(1411a)과 접촉할 수 있으며, 화소 정의막(141)의 상면(1413)과도 접촉할 수 있다.
제1 반사패턴(270a)은 제1개구(OPa) 내에 위치하며, 제3 절연층(135) 상에 위치할 수 있다. 제1 반사패턴(270a)은 입사하는 광을 상측으로 반사할 수 있다. 제1 반사패턴(270a)은 제1 하부전극(210a)과 물리적/전기적으로 이격 배치된다. 몇몇 실시예에서 제1 반사패턴(270a)은 화소 정의막(141)과는 중첩하지 않을 수 있다. 또한 제1 반사패턴(270a)은 전기적 신호가 전달되지 않는 플로팅 패턴일 수 있다. 제1 반사패턴(270a)은 후술할 바와 같이, 반사성이 우수한 금속을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 평면 시점에서 바라볼 때 제1 반사패턴(270a)은 제1 하부전극(270a)에 의해 둘러싸일 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1 하부전극(210a)은 제1 반사패턴(270a)을 둘러싸는 폐루프 형상으로 이루어질 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)의 배치는 다양하게 변경될 수도 있다.
제2 하부전극(210b)은 제2유기발광소자(ELb)의 애노드 전극일 수 있다. 제2 하부전극(210b)은 제2화소영역(PAb)에 위치하며, 제2화소영역(PAb)의 제3컨택홀(H3a)을 통해 제4 드레인 전극(179b)과 연결될 수 있다. 제2 하부전극(210b)은 제2개구(OPb) 주변의 경사면인 화소 정의막(141)의 제2측면(1411b) 상에 위치하며, 일부는 화소 정의막(141)의 상면(1413) 상에 위치할 수도 있다.
제2 반사패턴(270b)은 제2개구(OPb) 내에 위치하며, 제3절연층(135) 상에 위치할 수 있다. 제2 반사패턴(270b)은 제2 하부전극(210b)과 물리적/전기적으로 이격 배치된다.
제3 하부전극(210c)은 제3유기발광소자(ELc)의 애노드 전극일 수 있다. 제3 하부전극(210c)은 제3화소영역(PAc)에 위치하며, 제3화소영역(PAc)의 제3컨택홀(H3c)을 통해 제6 드레인 전극(179c)과 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3 하부전극(210c)은 제1하부전극(210a) 및 제2하부전극(210b)과 마찬가지로 제2개구(OPb) 주변의 경사면인 화소 정의막(141)의 제3측면(1411ㅊ) 상에 위치하며, 일부는 화소 정의막(141)의 상면(1413) 상에 위치할 수도 있다.
제3 반사패턴(270c)은 제3개구(OPc) 내에 위치하며, 제3절연층(135) 상에 위치할 수 있다. 제3 반사패턴(270c)은 제3 하부전극(210c)과 물리적/전기적으로 이격 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 반사패턴(270c)은 제1 반사패턴(210a) 및 제2 반사패턴(210b)과는 달리, 제3 하부전극(210c)과 물리적/전기적으로 연결될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 제3 반사패턴(270c)이 제3 하부전극(210c)과 이격된 경우를 예시로 설명한다.
제1 하부전극(210a), 제2 하부전극(210b), 제3 하부전극(210c), 제1반사패턴(270a), 제2반사패턴(270b), 제3반사패턴(270c)은 동일 공정 내에서 동시에 형성될 수 있다. 예컨대, 하나의 도전층을 형성하고 이를 패터닝함으로써 제1 하부전극(210a), 제2 하부전극(210b), 제3 하부전극(210c), 제1반사패턴(270a), 제2반사패턴(270b), 제3반사패턴(270c)을 동시에 형성할 수 있다.
상기 제3 도전층은 반사성 금속을 포함할 수 있다. 예시적으로 상기 제3 도전층은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pb), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 제3 도전층은 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3) 등과 같은 투명 도전성 물질과 상술한 반사성 금속으로 이루어진 다층구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 도전층은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, Ag/ITO/Ag 등의 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 정의막(141) 상에는 뱅크 패턴(143)이 위치할 수 있다. 뱅크 패턴(143)은 제1 하부전극(210a), 제2 하부전극(210b) 및 제3 하부전극(210c) 중 화소 정의막(141)의 상면(1413)과 중첩하는 부분 또는 화소 정의막(141)의 상면 위에 위치하는 부분을 커버하고, 이외 제1 하부전극(210a) 중 제1측면(1411a) 상에 위치하는 부분, 제2 하부전극(210b) 중 제2측면(1411b) 상에 위치하는 부분 및 제3 하부전극(210c) 중 제3측면(1411c) 상에 위치하는 부분은 커버하지 않을 수 있다. 뱅크 패턴(143)은 유기물질로 이루어질 수 있다.
상기 제3 도전층 상에는 발광층(230)이 위치할 수 있다. 발광층(230)은 제1 하부전극(210a), 제2 하부전극(210b), 제3 하부전극(210c), 제1반사패턴(270a), 제2반사패턴(270b) 및 제3반사패턴(270c)을 덮을 수 있다. 또한 발광층(230)은 뱅크 패턴(143)을 덮을 수 있다.
발광층(230)은 제1화소영역(PAa), 제2화소영역(PAb) 및 제3화소영역(PAc)에 걸쳐 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 발광층(230) 중 제1화소영역(PAa)에 위치하는 부분, 제2화소영역(PAb)에 위치하는 부분 및 제3화소영역(PAc)에 위치하는 부분은 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 몇몇 실시예에서 서로 연결될 수 있다.
발광층(230)은 제1광(L)을 발광할 수 있으며, 제1광(L)은 청색광일 수 있다. 예를 들면, 제1광(L)은 450 nm 내지 460 nm 에서 최대 강도(intensity)를 갖는 스펙트럼을 가질 수 있다. 즉, 발광층(230)은 청색 발광층일 수 있다.
발광층(230) 상에는 상부 전극(250)이 위치할 수 있다. 상부 전극(250)은 제1화소영역(PAa), 제2화소영역(PAb) 및 제3화소영역(PAc)에 걸쳐 위치할 수 있다. 상부 전극(250)은 제1유기발광소자(ELa), 제2유기발광소자(ELb) 및 제3유기발광소자(ELc) 각각의 캐소드 전극일 수 있다. 상부 전극(250)은 투명한 도전성 물질, 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등을 포함할 수 있다.
제1 하부전극(210a), 발광층(230) 및 상부 전극(250)은 제1유기발광소자(ELa)를 이룬다. 또한 제2 하부전극(210b), 발광층(230) 및 상부 전극(250)은 제2유기발광소자(ELb)를 이루며, 제3 하부전극(210c), 발광층(230) 및 상부 전극(250)은 제3유기발광소자(ELc)를 이룬다
상부 전극(250) 상에는 제1파장변환층(510), 제2파장변환층(530)이 위치할 수 있으며, 투과층(550)이 더 위치할 수 있다.
제1파장변환층(510)은 제1화소영역(PAa)에 위치할 수 있으며, 제1개구(OPa) 내에 위치할 수 있다.
제1파장변환층(510)은 투명한 유기물 등으로 이루어진 제1매질층(511) 및 제1매질층(511) 내에 분산된 제1양자점(513)을 포함할 수 있다. 양자점은 광의 파장을 변환하여 원하는 특정의 광을 방출할 수 있도록 하는 것으로서, 입자의 크기에 따라 변환할 수 있는 파장이 다르다. 따라서, 양자점의 크기를 조절하면 원하는 색상의 광을 방출할 수 있게 된다.
제1양자점(513)은 CdSe, ZnSe, ZnO, ZnTe, InP, GaP, InGaN, 및 InN 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 사용할 수 있으며, 제1양자점(513)의 직경은 2 nm 내지 10 nm인 영역에서 필요에 따라 그 크기를 조절하여 사용할 수 있다. 다만 본 발명의 실시예에 따른 제1양자점(513)의 물질 및 직경은 이에 국한되지 않는다.
제1양자점(513)은 발광층(230)에서 방출된 제1광(L)의 파장을 변환하여 제1광(L)을 제2광(La)으로 전환할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2광(La)은 적색 광일 수 있다. 예를 들면, 제2광(La)은 630 nm 내지 640 nm에서 최대 강도(intensity)를 갖는 스펙트럼을 가질 수 있다. 본 실시예에 의하는 경우, 제1양자점(513)을 이용하여 제1광(L)을 제2광(La)으로 변환하는 바, 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 양자점을 통해 발광하는 광은 전 방향으로 방출되는 바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
제1 하부전극(210a)은 제1측벽(1411a) 상에 위치하며, 제1파장변환층(510)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 그리고 제1 하부전극(210a) 상에는 발광층(230) 및 상부 전극(250)이 위치하는 바, 발광층(230)에서 방출된 제1광(L)은 제1파장변환층(510)의 측부로 입사한다. 이에 따라 제1광(L) 중 제1파장변환층(510)에 의해 변환되지 않은 광이 외부로 출사할 가능성은 낮아지며, 결과적으로 광 변환효율을 향상시킬 수 있는 이점, 색순도를 향상시킬 수 있는 이점이 발생한다.
또한, 제1개구(OPa) 내에는 제1파장변환층(510) 하부에 제1반사패턴(270a)이 위치한다. 따라서 발광층(230)에서 방출된 제1광(L) 중 제1반사패턴(270a)을 향하는 성분은 제1반사패턴(270a)에 의해 반사되어 제1파장변환층(510)에 제공된다. 또한 제1파장변환층(510)에서 변환된 제2광(La) 중 제1반사패턴(270a)을 향하는 성분은 제1반사패턴(270a)에 의해 반사되어 제1파장변환층(510)을 거쳐 외부로 제공된다. 이에 따라 광효율이 향상되는 이점이 발생한다.
제2파장변환층(530)은 제2화소영역(PAb)에 위치할 수 있으며, 제2개구(OPb) 내에 위치할 수 있다.
제2파장변환층(530)은 투명한 유기물 등으로 이루어진 제2매질층(531) 및 제2매질층(531) 내에 분산된 제2양자점(533)을 포함할 수 있다. 제2양자점(533)은 발광층(230)에서 방출된 제1광(L)의 파장을 변환하여 제1광(L)을 제3광(Lb)으로 전환할 수 있다.
양자점은 크기가 작아지면 방출되는 광의 파장이 짧아져 청색 계열의 광이 발생되며, 양자점의 크기가 커지면 방출되는 광의 파장이 길어져 적색 계열의 광이 발생된다. 몇몇 실시예에서 제2양자점(533)의 크기는 제1양자점(513)의 크기보다 작을 수 있다. 이에 따라 제2파장변환층(530)에서 방출되는 제3광(Lb)은 제1파장변환층(510)에서 방출되는 제2광(La)과 색상이 다를 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3광(Lb)은 녹색 광일 수 있다. 예를 들면, 상기 제3광은 520 nm 내지 560 nm에서 최대 강도(intensity)를 갖는 스펙트럼을 가질 수 있다. 본 실시예에 의하는 경우 제2양자점(533)을 이용하여 제1광(L)을 제3광(Lb)으로 변환하는 바, 색순도/색재현성이 향상되는 이점, 광 시야각이 향상되는 이점이 존재한다.
제2화소영역(PAb)의 경우에도 제2 하부전극(210b)이 제2측벽(1411b) 상에 위치하며 제2파장변환층(530)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라 광 변환효율이 향상되는 이점이 발생한다. 또한 제2반사패턴(270b)이 제2파장변환층(530) 하부에 위치함에 따라 광효율이 향상되는 이점이 발생한다.
제3화소영역(PAc)에는 별도의 파장변환층이 위치하지 않을 수 있다. 따라서 제3화소영역(PAc)에서는 제1광(L)이 그대로 표시장치 외부로 출광될 수 있다. 즉, 제3화소영역(PAc)에서는450 nm 내지 460 nm 에서 최대 강도(intensity)를 갖는 스펙트럼을 갖는 제1광(L)이 출광될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3개구(OPc) 내에는 투과층(550)이 위치할 수 있다. 투과층(550)은 투명한 유기물 등으로 이루어진 제3매질층(551)을 포함하며, 발광층(230)에서 방출된 제1광(L)은 투과층(550)을 투과할 수 있다.
투과층(550)은 산란체(553)를 더 포함할 수 있다. 산란체(553)는 투과층(550)으로부터 방출되는 광의 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 할 수 있다. 산란체(553)는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 재질도 가능하며, 일례로써 실리카(silica), TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 중 어느 하나일수 있다. 투과층(550)이 산란체(553)를 포함함에 따라 광 시야각이 향상되는 이점이 발생한다.
상술한 표시 장치(10)는 제1유기발광소자(ELa), 제2유기발광소자(ELb) 및 제3유기발광소자(ELc)가 발광층(230)을 공유함에도 불구하고, 각 화소영역 별로 제1광(예컨대 청색광, L), 제2광(예컨대 적색광, La) 및 제3광(예컨대 녹색광, Lb)을 모두 발광할 수 있다.
상부 전극(250), 제1파장변환층(510), 제2파장변환층(530) 및 투과층(550) 상에는 박막 봉지층(TFE)이 위치할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 제1유기발광소자(ELa), 제2유기발광소자(ELb) 및 제3유기발광소자(ELc)를 밀봉하고 외부에서 제1유기발광소자(ELa), 제2유기발광소자(ELb) 및 제3유기발광소자(ELc)로 수분 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한 박막 봉지층(TFE)은 제1파장변환층(510), 제2파장변환층(530) 및 투과층(550)을 밀봉하여 외부에서의 수분 유입 등을 차단할 수 있다.
몇몇 실시예에서 박막 봉지층(TFE)은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층을 포함할 수 있다. 일 실시예로 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(310), 유기층(330) 및 제2 무기층(350)을 포함할 수 있다.
제1 무기층(310)은 제1유기발광소자(ELa), 제2유기발광소자(ELb), 제3유기발광소자(ELc), 제1파장변환층(510), 제2파장변환층(530) 및 투과층(550)으로 수분, 산소 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 무기층(310)은 무기물을 포함하며, 상기 무기물의 예시로서 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiONx)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
유기층(330)은 제1 무기층(310) 상에 배치될 수 있으며, 평탄도를 향상시킬 수 있다. 유기층(330)은 유기물을 포함하며, 상기 유기물의 예시로서 에폭시, 아크릴레이트 또는 우레탄아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 무기층(350)은 유기층(330) 상에 배치될 수 있다. 제2 무기층(350)은 제1 무기층(310)과 실질적으로 동일하거나 유사한 역할을 수행할 수 있으며, 제1 무기층(310)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 무기층(350)은 유기층(330)을 완전히 덮을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 무기층(350)과 제1 무기층(310)은 비표시 영역(NDA)에서 서로 접하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있다. 상기 무기-무기 접합을 형성하는 경우, 표시 장치(10)의 외부에서 표시 장치(10) 내부로 수분 등이 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
도 6은 도 3의 X7-X7’선을 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 7은 도 6의 Q1을 확대 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(20)는 제3절연층(135)에 제1홈(1351a), 제2홈(1351b) 및 제3홈(1351c)이 형성된 점에서 도 3 내지 도 5의 설명에서 상술한 표시 장치(10)와 가장 큰 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제3절연층(135)의 제1홈(1351a)은 제1화소영역(PAa)에 위치하며, 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a) 사이에 형성된다. 제1홈(1351a)은 최상부의 폭(W1)이 최하부의 폭(W2)보다 작을 수 있다. 또한 제1홈(1351a)의 폭은 최상부에서 최하부로 갈수록 증가할 수 있다.
제3절연층(135)에 제1홈(1351a)이 형성됨에 따라, 제조 과정에서 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)을 형성하기 위해 도전층을 증착시, 패터닝 공정을 진행하지 않더라도 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)은 서로 분리될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1홈(1351a) 내에는 제1도전패턴(271a)이 위치할 수 있다. 제1도전패턴(271a)은 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)의 제조과정에서 남겨진 잔여패턴일 수 있으며, 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)과 이격될 수 있다. 그리고 제1도전패턴(271a)은 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1화소영역(PAa)과 유사하게, 제2화소영역(PAb)에서 제3절연층(135)의 제2홈(1351b)은 제2 하부전극(210b)과 제2 반사패턴(270b) 사이에 형성된다. 그리고 몇몇 실시예에서 제2홈(1351b) 내에는 제2도전패턴(271b)이 위치할 수 있다. 또한 제3화소영역(PAc)에서 제3절연층(135)의 제3홈(1351c)은 제3 하부전극(210c)과 제3 반사패턴(270b) 사이에 형성되며, 제3홈(1351c) 내에는 제3도전패턴(271c)이 위치할 수 있다. 제2홈(1351b) 및 제3홈(1351c)에 대한 보다 구체적 설명은 제1홈(1351a)의 경우와 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
도 8은 도 3의 X7-X7’선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 9는 도 8의 Q2를 확대 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(30)는 제3절연층(135)에 제1홈(1353a), 제2홈(1353b) 및 제3홈(1353c)이 형성된 점에서 도 3 내지 도 5의 설명에서 상술한 표시 장치(10)와 가장 큰 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제3절연층(135)의 제1홈(1353a)은 제1화소영역(PAa)에 위치한다. 제1홈(1353a)은 최상부의 폭(W3)이 최하부의 폭(W4)보다 작을 수 있으며, 제1홈(1353a)의 폭은 최상부에서 최하부로 갈수록 증가할 수 있다.
제1 반사패턴(270a)은 제1홈(1353a) 내에 위치한다. 제3절연층(135)에 제1홈(1353a)이 형성됨에 따라, 제조 과정에서 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)을 형성하기 위해 도전층을 증착시, 패터닝 공정을 진행하지 않더라도 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)은 서로 분리될 수 있다.
제1홈(1353a)과 유사하게, 제3절연층(135)의 제2홈(1353b)은 제2화소영역(PAb) 위치하며, 제2 반사패턴(270b)은 제2홈(1353b) 내에 위치한다. 또한 제3절연층(135)의 제3홈(1353c)은 제3화소영역(PAc)에 위치하며, 제3반사패턴(270c)은 제3홈(1353c) 내에 위치한다. 이외 제2홈(1353b) 및 제3홈(1353c)에 대한 보다 구체적 설명은 제1홈(1353a)의 경우와 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
도 10은 도 3의 X7-X7’선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 11은 도 10의 Q3를 확대 도시한 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(40)는 제3절연층(135) 상에 제1절연패턴(137a), 제2절연패턴(137b) 및 제3절연패턴(137c)이 더 배치된 점에서 도 3 내지 도 5의 설명에서 상술한 표시 장치(10)와 가장 큰 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제1절연패턴(137a)은 제3절연층(135) 상에 위치하며 제1화소영역(PAa)에 서 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a) 사이에 형성된다. 제1절연패턴(137a)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 몇몇 실시예에서 상기 절연물질은 유기물질일 수 있다.
제1절연패턴(137a)은 폭방향을 따라 절단한 단면 형상이 최상부의 폭(W5)이 최하부의 폭(W6)보다 작은 형상으로 이루어질 수 있다. 또한 제1절연패턴(137a)의 단면 폭은 최상부에서 최하부로 갈수록 감소할 수 있다. 예시적으로 제1절연패턴(137a)의 단면 형상은 역테이퍼 형상할 수 있다.
제3 절연층(135) 상에 제1절연패턴(137a)이 위치함에 따라, 제조 과정에서 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)을 형성하기 위해 도전층을 증착시, 패터닝 공정을 진행하지 않더라도 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)은 서로 분리될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1절연패턴(137a) 상에는 제1도전패턴(272a)이 위치할 수 있다. 제1도전패턴(272a)은 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)의 제조과정에서 남겨진 잔여패턴일 수 있으며, 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)과 이격되고, 제1 하부전극(210a) 및 제1 반사패턴(270a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1화소영역(PAa)과 유사하게, 제2화소영역(PAb)에서 제3절연층(135) 상에는 제2절연패턴(137b)이 위치할 수 있으며, 제2절연패턴(137b)은 제2 하부전극(210b)과 제2 반사패턴(270b) 사이에 위치할 수 있다. 그리고 몇몇 실시예에서 제2절연패턴(137b) 상에는 제2도전패턴(272b)이 위치할 수 있다. 또한 제3화소영역(PAc)에서 제3절연층(135) 상에는 제3절연패턴(137c)이 위치할 수 있으며, 제3절연패턴(137c)은 제3 하부전극(210c)과 제3 반사패턴(270b) 사이에 위치할 수 있다. 그리고 제3절연패턴(137c) 상에는 제3도전패턴(272c)이 위치할 수 있다.
제2절연패턴(137b) 및 제3절연패턴(137c)에 대한 구체적 설명은 제1절연패턴(137a)에 대한 설명과 실질적으로 동일하며, 제2도전패턴(272b) 및 제3도전패턴(272c)에 대한 설명은 제1도전패턴(272a)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바 생략한다.
도 12는 도 3의 X7-X7’선을 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 13은 도 12의 Q4를 확대 도시한 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(50)는 제3절연층(135) 상에 제1절연패턴(138a), 제2절연패턴(138b) 및 제3절연패턴(138c)이 더 배치된 점에서 도 3 내지 도 5의 설명에서 상술한 표시 장치(10)와 가장 큰 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제1절연패턴(138a)은 제3절연층(135) 상에 위치하며 제1화소영역(PAa)에 서 제1 반사패턴(270a) 아래에 형성된다. 제1절연패턴(137a)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 몇몇 실시예에서 상기 절연물질은 유기물질일 수 있다.
제1절연패턴(138a)은 폭방향을 따라 절단한 단면 형상이 최상부의 폭(W7)이 최하부의 폭(W8)보다 작은 형상으로 이루어질 수 있다. 또한 제1절연패턴(138a)의 단면 폭은 최상부에서 최하부로 갈수록 감소할 수 있다. 예시적으로 제1절연패턴(138a)의 단면 형상은 역테이퍼 형상할 수 있다.
몇몇 실시예에서 일 방향을 따라 측정한 제1절연패턴(138a)의 최상부의 폭(W7)은 상기 일 방향을 따라 측정한 제1반사패턴(270a)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
제3 절연층(135) 상에 제1절연패턴(138a)이 위치함에 따라, 제조 과정에서 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)을 형성하기 위해 도전층을 증착시, 패터닝 공정을 진행하지 않더라도 제1 하부전극(210a)과 제1 반사패턴(270a)은 서로 분리될 수 있다.
제1화소영역(PAa)과 유사하게, 제2화소영역(PAb)에서 제3절연층(135) 상에는 제2절연패턴(138b)이 위치할 수 있으며, 제2절연패턴(138b)은 제2 반사패턴(270b) 아래에 위치할 수 있다. 또한 제3화소영역(PAc)에서 제3절연층(135) 상에는 제3절연패턴(138c)이 위치할 수 있으며, 제3절연패턴(138c)은 제3 반사패턴(270b) 아래에 위치할 수 있다.
제2절연패턴(138b) 및 제3절연패턴(138c)에 대한 구체적 설명은 제1절연패턴(138a)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 스위칭 소자;
    상기 스위칭 소자 상에 위치하는 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하고 상기 절연층의 일부를 노출하는 개구가 형성된 화소정의막;
    상기 개구를 정의하는 상기 화소정의막의 측면 상에 위치하고 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 하부전극;
    상기 개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 하부전극과 이격된 반사패턴;
    상기 하부전극 및 상기 반사패턴 상에 위치하는 발광층;
    상기 발광층 상에 위치하는 상부전극; 및
    상기 상부전극 상에 위치하고 상기 개구 내에 위치하는 파장변환층; 을 포함하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하부전극과 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어진 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 반사패턴은 플로팅 패턴인 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하부전극은, 평면 시점에서 상기 반사패턴을 둘러싸도록 배치된 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층에는 상부 폭이 하부 폭보다 작은 홈이 형성되고,
    상기 홈은 상기 하부전극과 상기 반사패턴 사이에 위치하는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 홈 내에 위치하고 상기 하부전극 및 상기 반사패턴과 이격된 도전패턴을 더 포함하는 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 도전패턴, 상기 하부전극 및 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어진 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층에는 상부 폭이 하부 폭보다 작은 홈이 형성되고,
    상기 반사패턴은 상기 홈 내에 위치하는 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층 상에 위치하고 상기 하부전극과 상기 반사패턴 사이에 위치하는 절연패턴을 더 포함하고,
    상기 절연패턴은, 상부 폭이 하부 폭보다 큰 표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 절연패턴 상에 위치하고 상기 하부전극 및 상기 반사패턴과 이격된 도전패턴을 더 포함하는 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 도전패턴, 상기 하부전극 및 상기 반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어진 표시장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층 상에 위치하고 상부 폭이 하부 폭보다 큰 절연패턴을 더 포함하고,
    상기 반사패턴은 상기 절연패턴 상에 위치하는 표시장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 화소정의막과 상기 발광층 사이에 위치하는 뱅크패턴을 더 포함하고,
    상기 뱅크패턴은 상기 하부전극 중 상기 화소정의막의 상면과 중첩하는 부분을 커버하는 표시장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 발광층은 청색 발광층이고,
    상기 파장변환층은 양자점을 포함하는 표시장치.
  15. 제1화소영역 및 상기 제1화소영역과 인접한 제2화소영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 제1화소영역에 위치하는 제1스위칭 소자;
    상기 기판 상에 위치하고 상기 제2화소영역에 위치하는 제2스위칭 소자;
    상기 제1스위칭 소자 및 상기 제2스위칭 소자 상에 위치하는 절연층;
    상기 절연층 상에 위치하고, 상기 제1화소영역에서 상기 절연층의 일부를 노출하는 제1개구를 정의하는 제1측면 및 상기 제2화소영역에서 상기 절연층의 일부를 노출하는 제2개구를 정의하는 제2측면을 포함하는 화소정의막;
    상기 제1측면 상에 위치하고 상기 제1스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제1하부전극;
    상기 제2측면 상에 위치하고 상기 제2스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제2하부전극;
    상기 제1개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 제1하부전극과 이격된 제1반사패턴;
    상기 제2개구를 통해 노출된 상기 절연층 상에 위치하고 상기 제2하부전극과 이격된 제2반사패턴;
    상기 제1하부전극, 상기 제2하부전극, 상기 제1반사패턴 및 상기 제2반사패턴 상에 위치하는 발광층;
    상기 발광층 상에 위치하는 상부전극;
    상기 상부전극 상에 위치하고 상기 제1개구 내에 위치하는 제1파장변환층; 및
    상기 상부전극 상에 위치하고 상기 제2개구 내에 위치하는 제2파장변환층; 을 포함하는 표시장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1하부전극, 상기 제2하부전극, 상기 제1반사패턴 및 상기 제2반사패턴은 서로 동일한 물질로 이루어진 표시장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 발광층은 청색 발광층이고,
    상기 제1파장변환층은 제1양자점을 포함하고,
    상기 제2파장변환층은 상기 제1양자점과 크기가 다른 제2양자점을 포함하는 표시장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제2화소영역과 인접하는 제3화소영역을 더 포함하고,
    상기 화소정의막에는 상기 제3화소영역 내에 위치하는 제3개구가 더 형성되고,
    상기 상부전극 상에 위치하고 제3개구 내에 위치하는 투과층을 더 포함하는 표시장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 투과층은 광을 산란시키는 산란재를 포함하는 표시장치.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 기판 상에 위치하고 상기 제3화소영역 내에 위치하는 제3스위칭 소자; 및
    상기 제3스위칭 소자와 전기적으로 연결된 제3하부전극; 을 더 포함하고,
    상기 절연층은 상기 제3스위칭 소자와 상기 제3하부전극 사이에 위치하고,
    상기 발광층은 상기 제3하부전극 상에 더 위치하고,
    상기 상부전극은 상기 제3화소영역에서 상기 발광층 상에 더 위치하고,
    상기 투과층은 상기 상부전극 상에 위치하는 표시장치.
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