KR102419841B1 - 반도체 테스트 챔버 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 테스트 챔버에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버는 유체를 순환되는 유로상에 반도체 소자들이 배치되어 상기 반도체 소자들 각각이 소정의 온도에서 작동하는지 유무를 판단하는 반도체 테스트 챔버로, 상기 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이를 포함하는 반도체 테스트부; 상기 반도체 테스트부의 일측에 배치되어 상기 반도체 테스트부로 유체를 전달시키는 송풍기; 상기 반도체 테스트부를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 상기 유입된 유체의 온도를 조절하며, 상기 송풍기로 유체를 전달하는 온도조절부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버는 유체를 순환되는 유로상에 반도체 소자들이 배치되어 상기 반도체 소자들 각각이 소정의 온도에서 작동하는지 유무를 판단하는 반도체 테스트 챔버로, 상기 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이를 포함하는 반도체 테스트부; 상기 반도체 테스트부의 일측에 배치되어 상기 반도체 테스트부로 유체를 전달시키는 송풍기; 상기 반도체 테스트부를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 상기 유입된 유체의 온도를 조절하며, 상기 송풍기로 유체를 전달하는 온도조절부를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 테스트 챔버에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 웨이퍼 위에 회로를 형성시키는 전 공정(Front-end Process)과 후 공정(Back-end Process)으로 분류되며, 후 공정은 다시 패키지 공정과 테스트 공정으로 분류된다.
패키지 공정 후 제조된 반도체는 해당 제품에 대한 양품 여부를 테스트 챔버(Test Chamber) 장비를 이용하여 일정 가혹 조건 하에서 반도체 소자(칩, Chip)에 전기적신호를 인가하면서 정상적 작동 여부의 검사를 진행하게 되며, 이때 테스트 챔버의 운전 조건은 반도체의 사용 목적에 따라 전압, 전류, 온도 및 시간을 조절하여 품질 검사를 수행하게 된다.
일반적으로 테스트 챔버의 작동 온도는 -10
~ +125
까지 온도를 변화시키면서 반도체 소자의 이상 작동 유무를 검사하며, 이때 측정되는 반도체 소자는 한 챔버당 약 3,000개 정도이다.
이와 같은 종래의 테스트 챔버에는 대한민국 등록특허공보 제10-1207891호의 " 반도체 부품 검사용 번인 테스트 챔버"(이하, 종래기술이라 칭함)가 있다.
최근 기술개발의 방향은 반도체 제조비용 절감을 위해 최종 검사 공정에서 한꺼번에 많은 개수의 반도체 소자를 동시에 검사하려는 시도가 진행되고 있다.
그러나, 종래 테스트 챔버의 경우, 테스트 챔버 내부에서의 온도분포 균일성, 내부 발열 제어 및 신속한 온도변화 대응과 같은 기술적 문제들이 있었다.
상기와 같은 기술적 배경을 바탕으로 안출된 것으로, 본 발명의 일실시예는 테스트 챔버의 전체 크기와 압력손실을 고려하여 공기의 온도에 관계없이 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 구성요소들을 배치함으로써 최적의 유로가 형성된 반도체 테스트 챔버를 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버는 유체를 순환되는 유로상에 반도체 소자들이 배치되어 상기 반도체 소자들 각각이 소정의 온도에서 작동하는지 유무를 판단하는 반도체 테스트 챔버로, 상기 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이를 포함하는 반도체 테스트부; 상기 반도체 테스트부의 일측에 배치되어 상기 반도체 테스트부로 유체를 전달시키는 송풍기; 상기 반도체 테스트부를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 상기 유입된 유체의 온도를 조절하며, 상기 송풍기로 유체를 전달하는 온도조절부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반도체 테스트부, 상기 송풍기 및 상기 온도조절부가 내부에 설치되는 본체를 포함하고, 상기 본체 내부에는 상기 유체가 순환되는 유로가 형성되고 상기 본체는 단면이 사각형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 온도조절부는, 상기 송풍기 및 상기 반도체 테스트부 사이에 형성된 유로상에 배치되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절하는 히터 및 상기 반도체 테스트부 및 상기 송풍기 사이에 형성된 유로상에 배치되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절하는 열교환기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반도체 트레이는 복수개로 형성되고, 상기 복수개의 반도체 트레이는 상기 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층될 수 있다.
또한, 상기 반도체 테스트부는 제1 반도체 테스트 및 제2 반도체 테스트를 포함하고, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 제2 반도체 테스트는 상기 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 유로는 제1 유로 및 상기 제1 유로의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로를 포함하고, 상기 제1 유로는 상기 송풍기, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환하는 유로이고, 상기 제2 유로는 상기 송풍기, 상기 제2 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환할 수 있다.
또한, 상기 유로는 제1 유로 및 상기 제1 유로의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로를 포함하고, 상기 송풍기는 제1 송풍기 및 상기 제1 송풍기와 이격되게 배치되는 제2 송풍기를 포함하고, 상기 제1 유로는 상기 제1 송풍기, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환하는 유로이고, 상기 제2 유로는 상기 제2 송풍기, 상기 제2 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환할 수 있다.
또한, 상기 본체는, 상기 제1 유로가 형성되도록 하는 제1 격벽 및 상기 제2 유로가 형성되도록 하는 제2 격벽을 포함할 수 있다.
또한, 상기 송풍기 및 상기 히터 및 상기 반도체 테스트부가 일직선상에 배치되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 유로는 제1 유로 및 상기 제1 유로의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로를 포함하고, 상기 열교환기는 제1 유로 상에 위치하는 제1 열교환기; 및 상기 제2 유로상에 위치하는 제2 열교환기를 포함하고, 상기 제1 유로는 상기 송풍기, 상기 히터, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 제1 열교환기를 순환하고, 상기 제2 유로는 상기 송풍기, 상기 히터, 상기 제2 반도체 테스트 및 상기 제2 열교환기를 순환할 수 있다.
또한, 상기 유로는 상기 반도체 테스트부의 상부 및 하부 중 적어도 하나에서 형성될 수 있다.
또한, 상기 유로는 상기 반도체 테스트부의 좌측 및 우측 중 적어도 하나에서 형성될 수 있다.
본 발명의 각 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버는 테스트 챔버의 전체 크기와 압력손실을 고려하여 구성요소들을 배치함으로써, 공기가 반도체 테스트부의 각 트레이별로 균일하게 유입되도록 할 수 있다. 이에 따라, 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 최적화시킬 수 있으므로, 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 온도로 효율적으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 19는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 21은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 22는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 23은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 24은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 상단면도이다.
도 25는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 26은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 27은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 28은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 29는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 30은 본 발명의 제1 내지 4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 각 관측 지점별 속도에 따른 표준편차를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 측단면도이다.
도 18은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 19는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 21은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 22는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 23은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 24은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 상단면도이다.
도 25는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 26은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 27은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버를 나타낸 사시도이다.
도 28은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 단면별 속도분포를 나타낸 것이다.
도 29는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 반도체 테스트부에서 반도체 트레이들의 각 관측 지점별 속도를 나타낸 것이다.
도 30은 본 발명의 제1 내지 4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 각 관측 지점별 속도에 따른 표준편차를 나타낸 것이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에 따른 반도체 테스트 챔버(10, 10')는 유체를 순환되는 유로상에 반도체 소자들이 배치되어 반도체 소자들 각각이 소정의 온도에서 작동하는지 유무를 판단하는데 사용될 수 있다.
1. 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')는 본체(100), 반도체 테스트부(200), 히터(H), 송풍기(W), 열교환기(R)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 설치공간이 형성될 수 있다. 본체(100)의 내부에는 반도체 테스트부(200), 송풍기(W) 및 온도조절부(Z)가 설치될 수 있다.
본체(100) 내부에는 유체가 순환되는 유로(100r)가 형성될 수 있다. 또한, 유로(100r)는 반도체 테스트부(200)의 상부 및 하부 중 적어도 하나에서 형성될 수 있다. 그리고, 본체(100)는 단면이 사각형으로 형성될 수 있다.
그리고, 본체(100) 상부의 후단부에는 제1 공기 유입구(100a)가 형성되고, 본체(100) 후측의 상단부에는 제1 공기 배출구(100e)가 형성될 수 있다.
반도체 테스트부(200)는 본체(100)의 내부에 설치되고 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이(210T, 220T)들을 포함할 수 있다. 즉, 반도체 트레이(210T, 220T)는 복수개로 형성될 수 있다. 그리고, 복수개의 반도체 트레이(210T, 220T)는 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층될 수 있다.
도 7을 참고하면, 반도체 테스트부(200)는 제1 반도체 테스트(210)과 제1 반도체 테스트(210)의 상측에 배치되는 제2 반도체 테스트(220)으로 이루어질 수 있다. 다시말해, 제1 반도체 테스트(210) 및 제2 반도체 테스트(220)는 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층될 수 있다.
그리고, 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)의 내부에는 반도체 트레이(210T, 220T)들이 적층되어 있을 수 있다. 또한, 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)은 하부로부터 상부까지 제1 반도체 트레이(210T1, 220T1)로부터 제8 반도체 트레이(210T8, 220T8)가 순차적으로 적층될 수 있다.
그리고, 각각의 반도체 트레이들(210T, 220T)의 전방 좌측부(a), 전방 중심부(b), 전방 우측부(c), 좌측 중심부(d), 중심부(e), 우측 중심부(f), 후방 좌측부(g), 후방 중심부(h), 후방 우측부(i)를 공기 속도 관측 지점으로 설정할 수 있다.
온도조절부(Z)는 반도체 테스트부(200)를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유입된 유체의 온도를 조절하며, 송풍기(W)로 유체를 전달할 수 있다.
온도조절부(Z)는 히터(H) 및 열교환기(R)를 포함할 수 있다.
히터(H)는 송풍기(W) 및 반도체 테스트부(200) 사이에 형성된 유로(100r)상에 배치되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절할 수 있다.
다시말해, 히터(H)는 본체(100)의 내부에서 반도체 테스트부(200)의 상측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 히터(H)는 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 공기의 온도를 조절할 수 있다.
열교환기(R)는 반도체 테스트부(200) 및 송풍기(W) 사이에 형성된 유로(100r)상에 배치되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절할 수 있다.
다시말해, 열교환기(R)는 반도체 테스트부(200)의 후방측에 이격되어 배치되고 배출되는 공기의 온도를 조절할 수 있다.
송풍기(W)는 반도체 테스트부(200)의 일측에 배치되어 반도체 테스트부(200)로 유체(공기)를 전달시킬 수 있다.
다시말해, 송풍기(W)는 히터(H)의 후방측에 이격되어 배치되고 제1 공기 유입부를 통해 유체(공기)를 유입시킬 수 있다.
그리고, 송풍기(W)를 통해 제1 공기 유입구(100a)로 유입되는 공기는 히터(H)를 거쳐 반도체 테스트부(200)로 유입될 수 있다. 또한, 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기는 열교환기(R)를 거쳐 제1 공기 배출구(100e)를 통해 송풍기(W)측으로 배출될 수 있다.
다시말해, 제1 공기 배출구(100e)를 통해 배출되는 공기는 제1 공기 유입구(100a)로 유입될 수 있다. 즉 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기가 순환될 수 있다.
도3 및 도4를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')의 A-A', B-B', C-C'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200)의 제1 반도체 테스트(210) 하부에서만 공기 속도가 높은 것을 알 수 있다. 그리고, 제1 반도체 테스트(210)의 제1 반도체 트레이(210T1)로부터 제2 반도체 테스트(220)의 제8 반도체 트레이(220T8)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
도5 및 도6을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')의 D-D', E-E', F-F', G-G'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 히터(H)에서의 공기 속도가 제1 반도체 테스트(210)에서만 비슷한 속도로 측정되는 것을 알 수 있다.
도8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')의 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)에 적층되어 있는 반도체 트레이들(210T, 220T)의 각 관측 지점에서의 속도를 도시한 것이다.
도8을 참고하면, 제1 반도체 테스트(210)의 제1 반도체 트레이(210T1) 및 제2 반도체 트레이(210T2)에서 공기 속도가 높고, 제1 반도체 테스트(210)의 제1 반도체 트레이(210T1)로부터 제2 반도체 테스트(220)의 제8 반도체 트레이(220T8)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
그리고, 전체 관측 지점에서의 표준편차가 8.731로 산출되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')는 송풍기(W)를 통해 유입되는 공기가 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 각 반도체 트레이(210T, 220T)들에게 균일하게 제공될 수 있다.
2. 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버
도 9 및 도 10을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 본체(100), 반도체 테스트부(200), 온도조절부(Z), 송풍기(W)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 설치공간이 형성될 수 있다. 본체(100)의 내부에는 반도체 테스트부(200), 송풍기(W) 및 온도조절부(Z)가 설치될 수 있다. 그리고, 본체(100)는 단면이 사각형으로 형성될 수 있다.
본체(100) 내부에는 유체가 순환되는 유로(100r)가 형성될 수 있다.
그리고, 유로(100r)는 제1 유로(100r1) 및 제1 유로(100r1)의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로(100r2)를 포함할 수 있다.
제1 유로(100r1)는 송풍기(W), 제1 반도체 테스트(210) 및 온도조절부(Z)를 통해 순환하는 유로일 수 있다. 그리고, 제2 유로(100r2)는 송풍기(W), 제2 반도체 테스트(220) 및 온도조절부(Z)를 통해 순환하는 유로일 수 있다.
그리고, 송풍기(W)는 제1 송풍기(W1) 및 제1 송풍기(W1)와 이격되게 배치되는 제2 송풍기(W2)를 포함할 수 있다.
또한, 제1 유로(100r1)는 제1 송풍기(W1), 제1 반도체 테스트(210) 및 온도조절부(Z)를 통해 순환하는 유로일 수 있다. 그리고, 제2 유로(100r2)는 제2 송풍기(W2), 제2 반도체 테스트(220) 및 온도조절부(Z)를 통해 순환하는 유로일 수 있다.
그리고, 본체(100) 상부의 후단부 및 본체(100) 하부의 후단부에는 각각 제1, 2 공기 유입구(100a, 100b)가 형성될 수 있다. 또한, 본체(100) 후측의 상단부 및 본체(100) 후측의 하단부에는 각각 제1, 2 공기 배출구(100e, 100f)가 형성될 수 있다.
또한, 본체(100)는 제1 유로(100r1)가 형성되도록 하는 제1 격벽(100w1) 및 제2 유로(100r2)가 형성되도록 하는 제2 격벽(100w2)을 포함할 수 있다.
반도체 테스트부(200)는 본체(100)의 내부에 설치되고 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이(210T, 220T)들을 포함할 수 있다. 그리고, 반도체 테스트부(200)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')에서 설명한 것과 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
온도조절부(Z)는 반도체 테스트부(200)를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유입된 유체의 온도를 조절하며, 송풍기(W)로 유체를 전달할 수 있다.
온도조절부(Z)는 제1 히터(H1), 제2 히터(H2) 및 열교환기(R)를 포함할 수 있다.
제1 히터(H1)는 본체(100)의 내부에서 반도체 테스트부(200)의 상측에 이격되어 배치되고, 제2 히터(H2)는 본체(100)의 내부에서 반도체 테스트부(200)의 하측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 제1 히터(H1) 및 제2 히터(H2)는 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 공기의 온도를 조절할 수 있다.
열교환기(R)는 반도체 테스트부(200)의 후방측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 열교환기(R)는 제1, 2 공기 배출구(100e, 100f)를 통해 배출되는 공기의 온도를 조절할 수 있다.
제1 송풍기(W1)는 제1 히터(H1)의 후방측에 이격되어 배치되고, 제2 송풍기(W2)는 제2 히터(H2)의 후방측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 제1 송풍기(W1)는 제1 공기 유입구(100a)를 통해 공기를 유입시킬 수 있고, 제2 송풍기(W2)는 제2 공기 유입구(100b)를 통해 공기를 유입시킬 수 있다.
그리고, 제1 송풍기(W1)를 통해 제1 공기 유입구(100a)로 유입되는 공기는 제1 히터(H1)를 거쳐 반도체 테스트부(200)로 유입될 수 있다. 또한, 제2 송풍기(W2)를 통해 제2 공기 유입구(100b)로 유입되는 공기는 제2 히터(H2)를 거쳐 반도체 테스트부(200)로 유입될 수 있다.
그리고, 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기는 열교환기(R)를 거쳐 제1, 2 공기 배출구(100e, 100f)를 통해 배출될 수 있다.
여기서, 제1 공기 배출구(100e)를 통해 배출되는 공기는 제1 공기 유입구(100a)로 유입될 수 있다. 그리고, 제2 공기 배출구(100f)를 통해 배출되는 공기는 제2 공기 유입구(100b)로 유입될 수 있다. 즉 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기가 순환될 수 있다.
도11 및 도12를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 A-A', B-B', C-C'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200)의 제1 반도체 테스트(210) 상부 및 제2 반도체 테스트(220) 하부에서만 공기 속도가 높은 것을 알 수 있다. 그리고, 제1 반도체 테스트(210)의 제8 반도체 트레이(210T8)로부터 제1 반도체 트레이(210T1)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
또한, 제2 반도체 테스트(220)의 제1 반도체 트레이(220T1)로부터 제8 반도체 트레이(220T8)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
도13 및 도14를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 D-D', E-E', F-F', G-G', H-H'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 제1 반도체 테스트(210)과 제2 반도체 테스트(220) 사이에서 공기 속도가 가장 높고, 제1 반도체 테스트(210)과 제2 반도체 테스트(220) 사이에서 하측의 제1 반도체 테스트(210)이나 상측의 제2 반도체 테스트(220)으로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
도15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)에 적층되어 있는 반도체 트레이들(210T, 220T)의 각 관측 지점에서의 속도를 도시한 것이다.
도15를 참고하면, 제1 반도체 테스트(210)의 제8 반도체 트레이(210T8)로부터 제1 반도체 테스트(210)의 중심측에 위치하는 제3 반도체 트레이(210T3)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다. 그리고, 제2 반도체 테스트(220)의 제1 반도체 트레이(220T1)로부터 제2 반도체 테스트(220)의 중심측에 위치하는 제6 반도체 트레이(220T6)로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
그리고, 전체 관측 지점에서의 표준편차가 4.828로 산출되므로, 제1,2 송풍기(W1, W2)를 통해 유입되는 공기가 각 반도체 트레이(210T, 220T)들에게 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 균일하게 제공되는 것을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부(200)에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 최적화될 수 있다.
3. 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버
도 16 및 도 17을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 본체(100), 반도체 테스트부(200), 온도조절부(Z), 송풍기(W)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 설치공간이 형성될 수 있다. 본체(100)의 내부에는 반도체 테스트부(200), 송풍기(W) 및 온도조절부(Z)가 설치될 수 있다. 그리고, 본체(100)의 후단부에는 공기 유입구(100c)가 형성될 수 있다. 또한, 본체(100) 후측에서 상하로 마주보는 면에는 상측과 하측에 각각 제1, 2 공기 배출구(100g, 100h)가 형성될 수 있다. 그리고, 본체(100)는 단면이 사각형으로 형성될 수 있다.
본체(100) 내부에는 유체가 순환되는 유로(100r)가 형성될 수 있다.
그리고, 유로(100r)는 제1 유로(100r1) 및 제1 유로(100r1)의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로(100r2)를 포함할 수 있다.
반도체 테스트부(200)는 본체(100)의 내부에 설치되고 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이(210T, 220T)들을 포함할 수 있다. 그리고, 반도체 테스트부(200)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')에서 설명한 것과 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
온도조절부(Z)는 반도체 테스트부(200)를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유입된 유체의 온도를 조절하며, 송풍기(W)로 유체를 전달할 수 있다.
온도조절부(Z)는 히터(H), 제1 열교환기(R1), 제2 열교환기(R2)를 포함할 수 있다.
히터(H)는 본체(100)의 내부에서 반도체 테스트부(200)의 후방측에 이격되어 배치되고, 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 공기의 온도를 조절할 수 있다.
제1 열교환기(R1)는 반도체 테스트부(200)의 상측에 이격되어 배치되고, 제2 열교환기(R2)는 반도체 테스트부(200)의 하측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 제1, 2 열교환기(R1, R2)는 제1, 2 공기 배출구(100g, 100h)를 통해 배출되는 공기의 온도를 조절할 수 있다.
그리고, 송풍기(W)를 통해 공기 유입구(100c)로 유입되는 공기는 히터(H)를 거쳐 반도체 테스트부(200)로 유입될 수 있다.
또한, 송풍기(W), 히터(H) 및 반도체 테스트부(200)가 일직선상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 반도체 테스트부(200)에 공기가 균일하게 제공될 수 있다.
제1 열교환기(R1)는 제1 유로(100r1) 상에 위치할 수 있고, 제2 열교환기(R2)는 제2 유로(100r2)상에 위치할 수 있다.
그리고, 제1 유로(100r1)는 송풍기(W), 히터(H), 제1 반도체 테스트(210) 및 제1 열교환기(R1)를 순환하도록 형성될 수 있다. 또한, 제2 유로(100r2)는 송풍기(W), 히터(H), 제2 반도체 테스트(220) 및 제2 열교환기(R2)를 순환하도록 형성될 수 있다.
그리고, 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기는 제1 열교환기(R1)를 거쳐 제1 공기 배출구(100g)를 통해 배출될 수 있다. 또한, 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기는 제2 열교환기(R2)를 거쳐 제2 공기 배출구(100h)를 통해 배출될 수 있다.
그리고, 제1 공기 배출구(100g) 및/또는 제2 공기 배출구(100h)를 통해 배출되는 공기는 공기 유입구(100c)로 유입될 수 있다. 즉 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기가 순환될 수 있다.
도18 및 도19를 참고하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 A-A', B-B', C-C'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200) 전체에서 공기 속도가 균일하게 보일 수 있다.
도20 및 도21을 참고하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 D-D', E-E', F-F', G-G', H-H'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200) 전체에서 공기 속도가 균일하게 보일 수 있다.
도22는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)에 적층되어 있는 반도체 트레이들(210T, 220T)의 각 관측 지점에서의 속도를 도시한 것이다.
도22를 참고하면, 제1 반도체 테스트(210)의 일부 반도체 트레이들은 a, b, c 관측지점에서 공기 속도가 다른 관측지점들에 비해 빠른 것을 알 수 있다. 그리고, 제2 반도체 테스트(220)의 일부 반도체 트레이들은 g, h, i 관측지점에서 공기 속도가 다른 관측지점들에 비해 빠른 것을 알 수 있다.
또한, 전체 관측 지점에서의 표준편차가 2.097로 산출되므로, 송풍기(W)를 통해 유입되는 공기가 각 반도체 트레이(210T, 220T)들에게 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 균일하게 제공되는 것을 확인할 수 있다.
즉, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부(200)에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 최적화될 수 있다.
4. 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버
도 23 및 도 24를 참고하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 본체(100), 반도체 테스트부(200), 온도조절부(Z), 송풍기(W)를 포함할 수 있다.
본체(100)는 내부에 설치공간이 형성될 수 있다. 본체(100)의 내부에는 반도체 테스트부(200), 송풍기(W) 및 온도조절부(Z)가 설치될 수 있다.
본체(100) 내부에는 유체가 순환되는 유로(100r)가 형성될 수 있다. 또한, 유로(100r)는 반도체 테스트부(200)의 좌측 및 우측 중 적어도 하나에서 형성될 수 있다. 그리고, 본체(100)는 단면이 사각형으로 형성될 수 있다.
그리고, 본체(100)의 좌측부의 후단부에는 공기 유입구(100d)가 형성될 수 있다. 또한, 본체(100) 후측의 좌단부에는 공기 배출구(100i)가 형성될 수 있다.
반도체 테스트부(200)는 본체(100)의 내부에 설치되고 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이(210T, 220T)들을 포함할 수 있다. 그리고, 반도체 테스트부(200)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10')에서 설명한 것과 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
온도조절부(Z)는 반도체 테스트부(200)를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유입된 유체의 온도를 조절하며, 송풍기(W)로 유체를 전달할 수 있다.
온도조절부(Z)는 히터(H) 및 열교환기(R)를 포함할 수 있다.
히터(H)는 본체(100)의 내부에서 반도체 테스트부(200)의 좌측에 이격되어 배치되고, 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 공기의 온도를 조절할 수 있다.
열교환기(R)는 반도체 테스트부(200)의 후방측에 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 열교환기(R)는 공기 배출구(100i)를 통해 배출되는 공기의 온도를 조절할 수 있다.
그리고, 송풍기(W)를 통해 공기 유입구(100d)로 유입되는 공기는 히터(H)를 거쳐 반도체 테스트부(200)로 유입될 수 있다.
또한, 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기는 열교환기(R)를 거쳐 공기 배출구(100i)를 통해 배출될 수 있다.
그리고. 공기 배출구(100i)를 통해 배출되는 공기는 공기 유입구(100d)로 유입될 수 있다. 즉 반도체 테스트부(200)로 유입되는 공기가 순환될 수 있다.
도25 및 도26을 참고하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 A-A', B-B', C-C', D-D'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200)의 우측부에서 좌측부로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
도27 및 도28을 참고하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 E-E', F-F', G-G'단면에서의 속도분포를 살펴보면, 반도체 테스트부(200)의 우측부에서 좌측부로 갈수록 공기 속도가 저하되는 것을 알 수 있다.
도29는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)의 제1, 2 반도체 테스트부분(210, 220)에 적층되어 있는 반도체 트레이들(210T, 220T)의 각 관측 지점에서의 속도를 도시한 것이다.
도29를 참고하면, 제1 반도체 테스트(210) 및 제2 반도체 테스트(220)의 반도체 트레이(210T, 220T)들은 c, f, i 관측지점에서 공기 속도가 다른 관측지점들에 비해 빠른 것을 알 수 있다.
또한, 전체 관측 지점에서의 표준편차가 8.927로 산출되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 송풍기(W)를 통해 유입되는 공기가 종래 반도체 테스트 챔버에 비해 각 반도체 트레이(210T, 220T)들에게 균일하게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 공기 유입구(100d)와 공기 배출구(100i)가 다른 실시예들에 비해 크게 형성될 수 있으므로, 내부에 반도체 테스트부분을 추가로 배치할 수 있다.
도 30은 본 발명의 제1 내지 4 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버의 각 관측 지점별 속도에 따른 표준편차를 나타낸 것이다.
도30를 참고하면, 본 발명의 제2, 3 반도체 테스트 챔버(10)는 제1, 4 반도체 테스트 챔버(10, 10')에 비해 작은 표준편차값을 가지므로, 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부(200)에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 최적화되었다고 볼 수 있다. 따라서, 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 온도로 효율적으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 발명의 제3 반도체 테스트 챔버(10)가 가장 작은 표준편차값을 가지므로, 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부(200)에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 가장 최적화되었다고 볼 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 각 실시예에 따른 반도체 테스트 챔버(10)는 테스트 챔버의 전체 크기와 압력손실을 고려하여 구성요소들을 배치함으로써, 공기가 반도체 테스트부(200)의 각 반도체 트레이(210T, 220T)별로 균일하게 유입되도록 할 수 있다.
이에 따라, 공기의 온도에 관계없이 반도체 테스트부(200)에서 균일한 속도 분포 및 열 분포를 가질 수 있도록 최적화시킬 수 있으므로, 반도체 소자들을 테스트 조건에 상응하는 온도로 효율적으로 유지시킬 수 있으며, 그에 따라 테스트 결과의 정확성을 향상시킬 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10 : 반도체 테스트 챔버
100 : 본체 100c, 100d : 공기 유입구
100a : 제1 공기 유입구 100b : 제2 공기 유입구
100i : 공기 배출구 100e, 100g : 제1 공기 배출구
100f, 100h : 제2 공기 배출구 100r : 유로
100r1 : 제1 유로 100r2 : 제2 유로
200 : 반도체 테스트부 210 : 제1 반도체 테스트
220 : 제2 반도체 테스트 Z : 온도조절부
H : 히터 H1 : 제1 히터
H2 : 제2 히터 W : 송풍기
W1 : 제1 송풍기 W2 : 제2 송풍기
R : 열교환기 R1 : 제1 열교환기
R2 : 제2 열교환기
100 : 본체 100c, 100d : 공기 유입구
100a : 제1 공기 유입구 100b : 제2 공기 유입구
100i : 공기 배출구 100e, 100g : 제1 공기 배출구
100f, 100h : 제2 공기 배출구 100r : 유로
100r1 : 제1 유로 100r2 : 제2 유로
200 : 반도체 테스트부 210 : 제1 반도체 테스트
220 : 제2 반도체 테스트 Z : 온도조절부
H : 히터 H1 : 제1 히터
H2 : 제2 히터 W : 송풍기
W1 : 제1 송풍기 W2 : 제2 송풍기
R : 열교환기 R1 : 제1 열교환기
R2 : 제2 열교환기
Claims (12)
- 유체를 순환되는 유로상에 반도체 소자들이 배치되어 상기 반도체 소자들 각각이 소정의 온도에서 작동하는지 유무를 판단하는 반 도체 테스트 챔버로써,
상기 반도체 소자들이 장착된 반도체 트레이를 포함하는 반도체 테스트부;
상기 반도체 테스트부의 일측에 배치되어 상기 반도체 테스트부로 유체를 전달시키는 송풍기;
상기 반도체 테스트부를 통과한 유체가 유입되도록 형성되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 상기 유입된 유체의 온도를 조절하며, 상기 송풍기로 유체를 전달하는 온도조절부를 포함하고,
상기 반도체 테스트부, 상기 송풍기 및 상기 온도조절부가 내부에 설치되는 본체를 포함하고,
상기 본체 내부에는 상기 유체가 순환되는 유로가 형성되고 상기 본체는 단면이 사각형으로 형성되고,
상기 본체의 후측부에는 공기 유입구가 형성되고,
상기 본체의 후측에서 상하로 마주보는 면에는 상측과 하측에 각각 제1, 2 공기 배출구가 형성되며,
상기 송풍기는 상기 공기 유입구와 상기 제1, 2 공기 배출구의 사이에 배치되고,
상기 온도조절부는,
상기 송풍기 및 상기 반도체 테스트부 사이에 형성된 유로상에 배치되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절하는 히터 및
상기 반도체 테스트부 및 상기 송풍기 사이에 형성된 유로상에 배치되어 상기 반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 유지되도록 유체의 온도를 조절하는 열교환기를 포함하고,
상기 반도체 트레이는 복수개로 형성되고,
상기 복수개의 반도체 트레이는 상기 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층되고,
상기 반도체 테스트부는 제1 반도체 테스트 및 제2 반도체 테스트를 포함하고,
상기 제1 반도체 테스트 및 상기 제2 반도체 테스트는 상기 유체의 유로방향과 수직한 방향으로 적층되도록 형성되고,
상기 유로는 제1 유로 및 상기 제1 유로의 순환방향과 반대방향으로 순환하는 제2 유로를 포함하고,
상기 열교환기는 제1 유로 상에 위치하는 제1 열교환기와, 상기 제2 유로상에 위치하는 제2 열교환기를 포함하고,
상기 제1 열교환기는 상기 반도체 테스트부의 상측에 이격되어 배치되고,
상기 제2 열교환기는 상기 반도체 테스트부의 하측에 이격되어 배치되며,
상기 제1 유로는 상기 송풍기, 상기 히터, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 제1 열교환기를 순환하고,
상기 제2 유로는 상기 송풍기, 상기 히터, 상기 제2 반도체 테스트 및 상기 제2 열교환기를 순환하며,
상기 송풍기, 상기 히터 및 상기 반도체 테스트부가 일직선상에 배치되어 상기 반도체 테스트부에 공기가 균일하게 제공되는 반도체 테스트 챔버. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 송풍기는 제1 송풍기 및 상기 제1 송풍기와 이격되게 배치되는 제2 송풍기를 포함하고,
상기 제1 유로는 상기 제1 송풍기, 상기 제1 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환하는 유로이고,
상기 제2 유로는 상기 제2 송풍기, 상기 제2 반도체 테스트 및 상기 온도조절부를 통해 순환하는 유로인 반도체 테스트 챔버. - 제1 항에 있어서,
상기 본체는,
상기 제1 유로가 형성되도록 하는 제1 격벽 및
상기 제2 유로가 형성되도록 하는 제2 격벽을 포함하는 반도체 테스트 챔버. - 삭제
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 유로는 상기 반도체 테스트부의 상부 및 하부 중 적어도 하나에서 형성되는 반도체 테스트 챔버. - 제1 항에 있어서,
상기 유로는 상기 반도체 테스트부의 좌측 및 우측 중 적어도 하나에서 형성되는 반도체 테스트 챔버.
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|---|---|---|---|
| KR1020200136137A KR102419841B1 (ko) | 2020-10-20 | 2020-10-20 | 반도체 테스트 챔버 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020200136137A KR102419841B1 (ko) | 2020-10-20 | 2020-10-20 | 반도체 테스트 챔버 |
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| KR20220052139A KR20220052139A (ko) | 2022-04-27 |
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| KR1020200136137A KR102419841B1 (ko) | 2020-10-20 | 2020-10-20 | 반도체 테스트 챔버 |
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| JP2011252717A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Espec Corp | 環境試験装置 |
| KR101333435B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2013-11-26 | 세메스 주식회사 | 테스트 핸들러 |
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Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| US7123037B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Wells-Cti, Llc | Integrated circuit temperature sensing device and method |
| KR101968984B1 (ko) * | 2012-03-16 | 2019-08-26 | (주)테크윙 | 사이드도킹식 테스트핸들러 |
-
2020
- 2020-10-20 KR KR1020200136137A patent/KR102419841B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011252717A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Espec Corp | 環境試験装置 |
| KR101333435B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2013-11-26 | 세메스 주식회사 | 테스트 핸들러 |
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| KR20220052139A (ko) | 2022-04-27 |
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