KR102415094B1 - Exposure apparatus and method for nanoimprint process for non-planar substrates - Google Patents

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이재종
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한국기계연구원
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Abstract

본 발명은 비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 일면 또는 양면이 평평하지 않은 비평면기판을 사용하여 임프린트 공정을 수행함에 있어서, 굴절보정수단을 사용하여 비평면기판에서 발생되는 자외선 굴절을 보정함으로써 레지스트 경화가 균일하게 일어날 수 있도록 하는, 비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법을 제공함에 있다.The present invention relates to a nanoimprint exposure apparatus and method for a non-planar substrate. It is an object of the present invention to perform an imprint process using a non-planar substrate that is not flat on one side or both sides, so that the resist curing can occur uniformly by correcting the ultraviolet refraction generated on the non-planar substrate using a refractive correction means. To provide a nanoimprint exposure apparatus and method for a non-planar substrate.

Description

비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법 {Exposure apparatus and method for nanoimprint process for non-planar substrates}Nanoimprint exposure apparatus and method for non-planar substrates {Exposure apparatus and method for nanoimprint process for non-planar substrates}

본 발명은 비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 나노임프린트 공정 중 노광을 수행하는 장치로서 비평면기판 상의 레지스트에도 균일하게 노광이 이루어질 수 있도록 하기 위한 노광장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanoimprint exposure apparatus and method for a non-planar substrate, and more particularly, an apparatus and method for performing exposure during a nanoimprint process so that exposure can be made uniformly to a resist on a non-planar substrate is about

임프린트 리소그래피(imprint lithography) 기술은 나노미터 또는 마이크로미터 수준의 패턴을 고정밀 저비용으로 용이하게 생산할 수 있게 해 주는 기술로, 기판 위에 코팅된 레지스트 표면에 나노미터 또는 마이크로미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 스탬프(stamp)를 눌러 찍어내는 방식으로 패턴을 전사하는 방식으로 이루어진다. 자외선을 이용하여 레지스트를 경화시키는 임프린트 리소그래피의 경우 공정 특성상 자외선이 스탬프를 통과하여 레지스트에 도달할 수 있도록 기판 또는 스탬프가 투명하게 형성되어야 한다. 도 1 및 도 2는 종래의 리소그래피를 이용한 패터닝 공정 개념도로서, 도 1은 스탬프가 투명한 경우, 도 2는 기판이 투명한 경우의 공정이 각각 개념적으로 도시되어 있다.Imprint lithography is a technology that enables the easy production of nanometer or micrometer level patterns with high precision and low cost. It is done by transferring the pattern by pressing (stamp). In the case of imprint lithography, in which a resist is cured using ultraviolet rays, the substrate or stamp must be transparent so that ultraviolet rays can pass through the stamp and reach the resist due to the nature of the process. 1 and 2 are conceptual diagrams of a patterning process using conventional lithography. FIG. 1 conceptually shows a case in which a stamp is transparent, and FIG. 2 is a case in which a substrate is transparent, respectively.

도 1 및 도 2를 참조하여 종래의 리소그래피 패터닝 공정을 간략히 설명하면 다음과 같다. 투명 스탬프를 사용하는 경우, 먼저 도 1(a)에 도시된 바와 같이 기판(substrate) 상에 레지스트(resist)가 도포되고, 도 1(b)에 도시된 바와 같이 투명 스탬프(stamp)를 레지스트에 접촉 및 가압시킨다. 이 과정에서 스탬프 상에 형성된 패턴이 레지스트로 옮겨지게 된다. 스탬프가 레지스트에 접촉 및 가압되고 있는 상태에서, 도 1(c)에 도시된 바와 같이 노광 공정을 수행하여 자외선이 조사되면, 자외선에 의해 레지스트가 경화된다. 마지막으로 도 1(d)에 도시된 바와 같이 투명 스탬프를 제거하면, 상면에 패턴이 형성된 레지스트가 완성된다. 투명 기판을 사용하는 경우, 도 2(a)에 도시된 바와 같이 패턴이 형성된 스탬프에 레지스트를 도포한다. 이 과정에서 레지스트의 하면에 이미 패턴이 형성되게 된다. 다음으로 도 2(b)에 도시된 바와 같이 스탬프 위에 도포된 레지스트 위에 투명 기판을 배치시킨다. 이후 도 2(c)에 도시된 바와 같이 노광하여 레지스트를 경화시키면, 도 2(d)에 도시된 바와 같이 하면에 패턴이 형성된 레지스트가 완성된다.A conventional lithographic patterning process will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2 . In the case of using a transparent stamp, a resist is first applied on a substrate as shown in Fig. 1(a), and a transparent stamp is applied to the resist as shown in Fig. 1(b). Contact and pressurize. In this process, the pattern formed on the stamp is transferred to the resist. In a state in which the stamp is in contact with and pressurized against the resist, an exposure process is performed as shown in FIG. Finally, when the transparent stamp is removed as shown in FIG. 1(d), a resist having a pattern formed on the upper surface is completed. In the case of using a transparent substrate, a resist is applied to the stamp on which the pattern is formed as shown in Fig. 2(a). In this process, a pattern is already formed on the lower surface of the resist. Next, as shown in FIG. 2(b), a transparent substrate is placed on the resist applied on the stamp. Then, when the resist is cured by exposure as shown in FIG. 2( c ), a resist having a pattern formed thereon is completed as shown in FIG. 2( d ).

한편 최근 기판의 기능이 다양해짐에 따라 임프린트를 수행하고자 하는 기판의 일측 또는 양측의 형상이 평평하지 않은 경우가 많아지고 있다. 일례로 한국특허등록 제2194832호("렌즈 표면 나노구조층의 제조 방법", 2020.12.17., 이하 '선행문헌')의 경우 렌즈 상에 나노구조층을 형성하는 기술이 개시된다. 선행문헌에서는, 나노구조체가 형성된 나노구조필름 상에 나노구조체를 보호하는 보호층을 형성한 후, 보호층이 형성된 나노구조필름을 렌즈에 위치시키고 써멀 임프린트 공정을 진행하여 렌즈와 동일한 곡면을 갖도록 한 뒤 보호층을 제거하는 방식으로, 렌즈 표면에 나노구조층을 형성시킨다. 즉 선행문헌에서는 이미 패턴이 형성된 별도의 필름을 렌즈에 부착하는 방식을 채택한 것이다. 그러나 이처럼 별도 필름을 대상물에 부착하는 방식은 나노구조필름 제조공정, 필름-대상물 부착공정 등 여러 공정을 거쳐야 하는 등의 여러 단점이 있다.On the other hand, as the functions of the substrate are diversified in recent years, the shape of one or both sides of the substrate on which the imprint is to be performed is not flat in many cases. As an example, in the case of Korean Patent Registration No. 2194832 ("Method for manufacturing a lens surface nanostructure layer", 2020.12.17., hereinafter 'prior literature'), a technique for forming a nanostructure layer on a lens is disclosed. In the prior literature, after forming a protective layer that protects the nanostructures on the nanostructured film on which the nanostructures are formed, the nanostructured film with the protective layer is placed on the lens and a thermal imprint process is performed to have the same curved surface as the lens. By removing the back protective layer, a nanostructure layer is formed on the lens surface. That is, in the prior literature, a method of attaching a separate film on which a pattern is already formed to the lens is adopted. However, this method of attaching a separate film to an object has several disadvantages, such as having to go through several processes such as a nanostructure film manufacturing process and a film-object attachment process.

이에 굴곡이 있는 기판 등과 같이 비평면기판 상에 직접 임프린트 공정을 수행할 수 있도록 하는 기술이 다양하게 연구되고 있다. 이러한 기술에서 당면한 가장 큰 문제점은, 평평하지 않은 면을 통해 자외선이 조사되는 과정에서 레지스트 경화가 불균일하게 일어난다는 것이다. 도 3 및 도 4는 도 2와 유사한 방식으로 리소그래피를 이용하여 패터닝을 수행하되, 일면은 렌즈와 같이 볼록한 형상이 반복적으로 형성된 비평면이고 타면은 평면으로 된 비평면기판을 대상으로 임프린트 공정을 수행하는 과정을 도시하고 있다. 도 3의 경우, 도 2와 거의 유사하게 패턴 형상의 스탬프에 레지스트를 도포하고(도 3(a)) 비평면기판의 평면부가 레지스트와 접촉되도록 덮어(도 3(b)) 노광을 수행한다. 도 4의 경우, 레지스트가 도포되는 스탬프를 유연재질로 형성하고, 레지스트가 도포된 스탬프를 뒤집어 비평면기판의 비평면부에 레지스트가 접촉되도록 덮은 후(도 4(b)) 노광을 수행한다. 그런데, 도 3 및 도 4 모두의 경우에서, 기판 자체가 굴곡이 진 형상으로 되어 있기 때문에 자외선이 굴절됨에 따라, 광량이 모이는 곳에서는 경화가 제대로 일어나지만(도 3, 4(c)(d)에서 진한 색으로 표시) 광량이 분산되는 곳에서는 경화가 되지 않거나 덜 되는(도 3, 4(c)(d)에서 연한 색으로 표시) 문제가 발생한다.Accordingly, various technologies are being studied for directly performing an imprint process on a non-planar substrate such as a curved substrate. The biggest problem facing this technology is that the resist curing occurs non-uniformly in the process of irradiating ultraviolet rays through an uneven surface. 3 and 4, patterning is performed using lithography in a similar manner to FIG. 2, but an imprint process is performed on a non-planar substrate in which one surface is repeatedly formed with a convex shape such as a lens and the other surface is flat. shows the process. In the case of Fig. 3, almost similar to Fig. 2, a resist is applied to the pattern-shaped stamp (Fig. 3(a)) and the flat portion of the non-planar substrate is covered so that it is in contact with the resist (Fig. 3(b)) and exposure is performed. In the case of FIG. 4, the resist coated stamp is formed of a flexible material, and the resist coated stamp is turned over to cover the non-planar part of the non-planar substrate so that the resist is in contact (FIG. 4 (b)) and exposure is performed. However, in both cases of FIGS. 3 and 4, since the substrate itself has a curved shape, as the UV rays are refracted, curing occurs properly where the amount of light is collected (FIGS. 3, 4(c)(d)) (displayed in dark color in )) where the amount of light is dispersed, there is a problem in that curing is not performed or less (indicated in light color in FIGS. 3 and 4(c)(d)).

이처럼 일면 또는 양면이 평평하지 않은 비평면기판을 대상으로 임프린트 공정을 성공적으로 수행하기 위해서는, 자외선 굴절로 인하여 레지스트 경화가 불균일하게 일어나는 문제를 해결할 필요가 있다.In order to successfully perform the imprint process on a non-planar substrate that is not flat on one side or both sides, it is necessary to solve the problem of non-uniform resist curing due to UV refraction.

1. 한국특허등록 제2194832호("렌즈 표면 나노구조층의 제조 방법", 2020.12.17.)1. Korean Patent Registration No. 2194832 (“Method for manufacturing lens surface nanostructure layer”, 2020.12.17.)

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 일면 또는 양면이 평평하지 않은 비평면기판을 사용하여 임프린트 공정을 수행함에 있어서, 굴절보정수단을 사용하여 비평면기판에서 발생되는 자외선 굴절을 보정함으로써 레지스트 경화가 균일하게 일어날 수 있도록 하는, 비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a refractive correction means in performing an imprint process using a non-planar substrate that is not flat on one or both sides. An object of the present invention is to provide a nanoimprint exposure apparatus and method for a non-planar substrate, which allows the resist curing to occur uniformly by correcting the refraction of ultraviolet rays generated on the non-planar substrate by using it.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 일면에 패턴이 형성되어 레지스트(500)가 도포되는 스탬프(110); 일면 및 타면 중 적어도 하나에 비평면부(121)가 형성되는 비평면기판(120); 상기 비평면부(121)에 형성된 굴곡에 따른 자외선의 굴절을 보상하는 형상으로 형성되는 적어도 하나의 보정렌즈(130); 를 포함하며, 평행광으로 조사되는 자외선이 상기 보정렌즈(130)를 통과하면서 미리 굴절되어 상기 비평면부(121)에 의한 자외선 굴절이 보상됨으로써 상기 레지스트(500)에 균일한 광강도를 가지는 평행광으로 도달하도록 형성될 수 있다.The nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate of the present invention for achieving the above object includes: a stamp 110 on which a resist 500 is applied with a pattern formed on one surface; a non-planar substrate 120 having a non-planar portion 121 formed on at least one of one surface and the other surface; at least one correction lens 130 formed in a shape compensating for the refraction of ultraviolet rays according to the curvature formed in the non-planar portion 121; Including, parallel light having a uniform light intensity on the resist 500 by compensating for UV refraction by the non-planar part 121 by being refracted in advance while passing through the correction lens 130 . can be formed to reach

평면 패터닝을 위해, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 비평면기판(120) 중 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고 타면에 평면부(122)가 형성되며, 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 부착되도록, 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되어, 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키도록 형성될 수 있다.For planar patterning, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the non-planar portion 121 is formed on one surface of the non-planar substrate 120 and a flat portion 122 is formed on the other surface, and the The non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 faces the correcting lens 130 so that the resist 500 is attached to the flat portion 122, and the flat portion 122 forms the stamp ( The resist 500 of 110) is disposed to face the coated surface, and in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the flat portion 122, ultraviolet rays are emitted from the correction lens 130 and the non-planar surface. It may be formed to pass through the substrate 120 sequentially to cure the resist 500 .

이 때 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 비평면기판(120)이 투명재질로 형성될 수 있다.In this case, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the non-planar substrate 120 may be formed of a transparent material.

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 자외선을 조사하는 자외선조사부(140); 상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 비평면기판(120), 상기 스탬프(110)를 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150); 을 더 포함할 수 있다.In addition, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes an ultraviolet irradiation unit 140 for irradiating ultraviolet rays; a frame 150 for sequentially fixing and arranging the ultraviolet irradiation unit 140, the correction lens 130, the non-planar substrate 120, and the stamp 110; may further include.

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 비평면기판(120) 및 상기 스탬프(110)가 이격 배치되되, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되어, 상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다.In addition, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the non-planar substrate 120 and the stamp 110 are spaced apart, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the non-planar substrate ( 120), a pressure passage 155 is formed on the outside of the stamp 110 on the frame 150 based on the stack of the resist 500 and the stamp 110, and the pressure passage 155 through As the stamp 110 is pressed by pressing, the resist 500 may be formed to contact and closely contact the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 .

평면 패터닝 시 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광방법은, 상술한 바와 같은 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)를 이용한 비평면기판용 나노임프린트 노광방법에 있어서, 상기 스탬프(500)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계; 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되는 배치단계; 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계; 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계; 를 포함할 수 있다.In the case of planar patterning, the nanoimprint exposure method for a non-planar substrate of the present invention includes the nanoimprint exposure method for a non-planar substrate using the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate as described above. a coating step in which the resist 500 is applied to the surface on which the pattern is formed; The non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 faces the correction lens 130 , and the flat portion 122 faces the resist 500 coated surface of the stamp 110 . an arrangement step to be placed; In a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the planar part 122 , ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the non-planar substrate 120 sequentially to cure the resist 500 . step; a completion step in which the resist 500 is attached to the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed; may include

이 때 상기 경화단계 시, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다.At this time, during the curing step, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the stamp 110 is outside of the laminated body of the non-planar substrate 120 , the resist 500 , and the stamp 110 . As the stamp 110 is pressed by the pressure from the side, the resist 500 may be formed to contact and closely contact the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 .

비평면 패터닝을 위해, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 비평면기판(120) 중 적어도 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(112)에 부착되도록, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되어, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키도록 형성될 수 있다.For non-planar patterning, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the non-planar portion 121 is formed on at least one surface of the non-planar substrate 120 , and the resist 500 is formed on the non-planar portion. To be attached to 112 , the opposite side of the resist 500 coated side of the stamp 110 faces the correction lens 130 , and the resist 500 coated side of the stamp 110 is Arranged to face the non-planar part 121, and in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar part 121, ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the stamp 110 sequentially to harden the resist 500 .

이 때 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 스탬프(110)가 투명 및 유연재질로 형성될 수 있다.In this case, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the stamp 110 may be formed of a transparent and flexible material.

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 자외선을 조사하는 자외선조사부(140); 상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 스탬프(110), 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150); 을 더 포함할 수 있다.In addition, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes an ultraviolet irradiation unit 140 for irradiating ultraviolet rays; a frame 150 for sequentially fixing and disposing the ultraviolet irradiation unit 140, the correction lens 130, the stamp 110, and the non-planar substrate 120; may further include.

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 스탬프(110) 및 상기 비평면기판(120)이 이격 배치되되, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되어, 상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다.In addition, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the stamp 110 and the non-planar substrate 120 are spaced apart, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the stamp 110 , a pressure passage 155 is formed on the outside of the stamp 110 on the frame 150 based on the laminate of the resist 500 and the non-planar substrate 120, and through the pressure passage 155 As the stamp 110 is pressed by pressing, the resist 500 may be formed to contact and closely contact the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 .

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 가압통로(155)가 상기 보정렌즈(130) 바깥쪽에 형성되며, 상기 보정렌즈(130) 상에 통공(135)이 형성될 수 있다.In addition, in the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate, the pressure passage 155 may be formed outside the correction lens 130 , and the through hole 135 may be formed on the correction lens 130 . .

또한 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 상기 자외선조사부(140) 및 상기 보정렌즈(130) 사이에 구비되는 투명판(160); 을 더 포함할 수 있다.In addition, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes a transparent plate 160 provided between the ultraviolet irradiation unit 140 and the correction lens 130 ; may further include.

비평면 패터닝 시 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광방법은, 상술한 바와 같은 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)를 이용한 비평면기판용 나노임프린트 노광방법에 있어서, 상기 스탬프(500)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계; 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되는 배치단계; 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계; 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계; 를 포함할 수 있다.In the case of non-planar patterning, the nanoimprint exposure method for a non-planar substrate of the present invention is a nano-imprint exposure method for a non-planar substrate using the nano-imprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate as described above, the stamp 500 a coating step in which the resist 500 is applied to the surface on which the pattern is formed; The opposite side of the resist 500 coated surface of the stamp 110 faces the correction lens 130 , and the resist 500 coated surface of the stamp 110 is on the non-planar portion 121 . an arrangement step arranged to face; a curing step of curing the resist 500 by sequentially passing through the correction lens 130 and the stamp 110 in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar portion 121; a completion step in which the resist 500 is attached to the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed; may include

이 때 상기 경화단계 시, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다.At this time, during the curing step, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the stamp 110 is outside the stamp 110 based on the laminate of the stamp 110 , the resist 500 , and the non-planar substrate 120 . As the stamp 110 is pressed by the pressure from the side, the resist 500 may be formed to contact and closely contact the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 .

본 발명에 의하면, 일면 또는 양면이 평평하지 않은 비평면기판을 사용하여 임프린트 공정을 수행함에 있어서, 굴절보정수단을 사용하여 비평면기판에서 발생되는 자외선 굴절을 보정함으로써 레지스트 경화가 균일하게 일어날 수 있게 하는 큰 효과가 있다. 보다 구체적으로 설명하자면, 평면기판의 경우 평행광 형태의 자외선이 그대로 평행을 유지하며 레지스트에 조사되어 균일한 경화가 일어나지만, 비평면기판의 경우 비평면 부분의 굴곡에 의하여 자외선이 굴절됨에 따라 평행광이 되지 못하여 부분적으로 광량이 더 모이는 지점과 덜 모이는 지점이 발생하게 되어, 레지스트의 경화가 불균일해지는 문제가 있었다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해소하기 위하여 비평면기판에서 발생되는 자외선 굴절을 보정하도록 비평면기판의 굴곡에 대응되는 굴곡 형상을 가지는 굴절보정수단을 도입함으로써, 자외선 굴절을 억제하여 평행광이 유지되도록 한다. 이에 따라 종래에 발생하던 경화 불균일 문제를 원천적으로 해소할 수 있는 큰 효과가 있다.According to the present invention, in performing the imprint process using a non-planar substrate that is not flat on one side or both sides, by correcting the UV refraction generated on the non-planar substrate using a refractive correction means, resist curing can occur uniformly. has a great effect. To be more specific, in the case of a flat substrate, the ultraviolet rays in the form of parallel light remain parallel as they are and are irradiated to the resist to achieve uniform curing. There is a problem in that the curing of the resist becomes non-uniform because the light does not become light, and a point where the amount of light is partially gathered and a point where the amount of light is less are partially generated. In the present invention, in order to solve this problem, a refractive correction means having a curved shape corresponding to the curvature of the non-planar substrate is introduced to correct the UV refraction generated in the non-planar substrate, thereby suppressing the UV refraction and maintaining parallel light. . Accordingly, there is a great effect that can fundamentally solve the curing non-uniformity problem that has occurred in the prior art.

도 1은 종래의 리소그래피를 이용한 패터닝 개념도(투명 스탬프).
도 2는 종래의 리소그래피를 이용한 패터닝 개념도(투명 기판).
도 3은 종래의 리소그래피를 이용한 비평면기판 패터닝 개념도(평면 이용).
도 4는 종래의 리소그래피를 이용한 비평면기판 패터닝 개념도(비평면 이용).
도 5는 본 발명의 리소그래피를 이용한 비평면기판 패터닝 개념도(평면부 패터닝).
도 6은 본 발명의 리소그래피를 이용한 비평면기판 패터닝 개념도(비평면부 패터닝).
도 7은 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(평면부 패터닝용).
도 8은 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(비평면부 패터닝용).1 is a conceptual diagram (transparent stamp) of patterning using conventional lithography.
2 is a conceptual diagram of patterning using conventional lithography (transparent substrate).
3 is a conceptual diagram (planar use) of non-planar substrate patterning using conventional lithography.
4 is a conceptual diagram (using a non-planar substrate) for patterning a non-planar substrate using conventional lithography.
5 is a conceptual diagram of a non-planar substrate patterning using the lithography of the present invention (planar portion patterning).
6 is a conceptual diagram (non-planar portion patterning) of non-planar substrate patterning using the lithography of the present invention.
7 is a nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate of the present invention (for patterning a flat portion).
8 is a nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate (for non-planar portion patterning) of the present invention.

이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 비평면기판용 나노임프린트 노광장치 및 방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a nanoimprint exposure apparatus and method for a non-planar substrate according to the present invention having the configuration as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

또한 도 5 및 도 6은 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)를 도시한 것으로, 도 5는 평면부에 패터닝이 이루어지는 경우의 장치 구성을, 도 6은 비평면부에 패터닝이 이루어지는 경우의 장치 구성을 각각 도시하고 있다. 도 7 및 도 8은 본 발명의 리소그래피를 이용한 비평면기판 패터닝 개념도를 도시한 것으로, 도 7은 도 5의 장치를 이용하여 평면부에 패터닝이 이루어지는 경우를, 도 8은 도 6의 장치를 이용하여 비평면부에 패터닝이 이루어지는 경우를 각각 도시하고 있다. 5 and 6 show the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate according to the present invention. FIG. 5 shows the device configuration when patterning is performed on a flat surface, and FIG. 6 is a non-planar surface where patterning is performed. The device configuration in each case is shown. 7 and 8 are diagrams illustrating a non-planar substrate patterning concept using lithography of the present invention. FIG. 7 shows a case in which patterning is performed on a flat surface using the apparatus of FIG. 5, and FIG. 8 uses the apparatus of FIG. Thus, a case in which patterning is performed on a non-planar portion is shown respectively.

도 5 내지 도 8에 잘 나타난 바와 같이, 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 기본적으로 스탬프(110), 비평면기판(120), 보정렌즈(130)를 포함한다.5 to 8 , the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate of the present invention basically includes a stamp 110 , a non-planar substrate 120 , and a correction lens 130 .

상기 스탬프(110)는, 종래의 스탬프와 동일하게, 일면에 패턴이 형성되어 레지스트(500)가 도포된다. 상기 레지스트(500)가 기판 상에 접촉된 상태로 경화되면 상기 스탬프(110)는 제거되고 상기 레지스트(500)에 패턴 형태가 새겨져 기판에 부착되어 제작물이 완성되게 된다.The stamp 110, similarly to the conventional stamp, a pattern is formed on one surface and the resist 500 is applied. When the resist 500 is cured while in contact with the substrate, the stamp 110 is removed, a pattern shape is engraved on the resist 500 and attached to the substrate, thereby completing the production.

상기 비평면기판(120)은, 일면 및 타면 중 적어도 하나에 비평면부(121)가 형성된다. 도 5 내지 도 8에는 상기 비평면기판(120)이 일면은 비평면부(121)로, 타면은 평면부(122)로 형성되는 예시가 도시되어 있으나, 이로써 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 즉 상기 비평면기판(120)은 양면 모두가 비평면부(121)로 형성될 수도 있음은 물론이다. 다만 양면이 평면부(122)로 형성되는 경우에만 "비평면인 면"이 존재하지 않기 때문에 "비평면기판"이 될 수 없다.The non-planar substrate 120 has a non-planar portion 121 formed on at least one of one surface and the other surface. 5 to 8 show an example in which the non-planar substrate 120 is formed by the non-planar portion 121 on one surface and the flat portion 122 on the other surface, but the present invention is not limited thereto. That is, of course, both sides of the non-planar substrate 120 may be formed of the non-planar portion 121 . However, it cannot be a “non-planar substrate” because the “non-planar surface” does not exist only when both surfaces are formed of the flat portion 122 .

상기 보정렌즈(130)는, 상기 비평면부(121)에 형성된 굴곡에 따른 자외선의 굴절을 보상하는 형상으로 형성된다. 앞서 도 3 및 도 4를 통해 설명한 바와 같이, 종래에 비평면기판에 나노임프린트 공정을 수행하는 경우, 비평면기판의 굴곡에 의해 자외선이 굴절됨으로써 자외선이 평행광을 유지하지 못하게 되었다. 이에 따라 레지스트의 어느 부분은 자외선에 과하게 노출되고 다른 부분은 부족하게 노출되어, 결국 전체적으로 레지스트의 경화가 불균일하게 형성되는 문제가 있었다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해소하도록, 상기 비평면기판(120)의 굴곡에 의해 자외선이 굴절되어 광경로가 변경되는 만큼을 상기 보정렌즈(130)가 보상하도록 한다. 즉 평행광으로 조사되는 자외선이 상기 보정렌즈(130)를 통과하면서 미리 굴절되어 상기 비평면부(121)에 의한 자외선 굴절이 보상됨으로써 상기 레지스트(500)에 균일한 광강도를 가지는 평행광으로 도달하도록 하는 것이다. 이와 같이 함으로써, 본 발명의 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)에 의하면, 상기 비평면기판(120)이 굴곡을 가지고 있음에도 불구하고 상기 레지스트(500) 전체적으로 균일한 경화를 실현할 수 있게 된다.The correction lens 130 is formed in a shape that compensates for the refraction of ultraviolet rays according to the curvature formed in the non-planar portion 121 . As described above with reference to FIGS. 3 and 4, when the nanoimprint process is conventionally performed on a non-planar substrate, the UV rays are refracted due to the curvature of the non-planar substrate, so that the UV rays cannot maintain parallel light. Accordingly, some portions of the resist are excessively exposed to ultraviolet rays and other portions are insufficiently exposed, and consequently, there is a problem in that the curing of the resist is formed non-uniformly as a whole. In the present invention, in order to solve this problem, the correction lens 130 compensates the amount of change in the optical path due to the refracting of the ultraviolet rays due to the bending of the non-planar substrate 120 . That is, the ultraviolet rays irradiated as parallel light are refracted in advance while passing through the correction lens 130 so that the ultraviolet refraction by the non-planar portion 121 is compensated to reach the resist 500 as parallel light having a uniform light intensity. will do In this way, according to the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate of the present invention, even though the non-planar substrate 120 has a curvature, uniform curing of the entire resist 500 can be realized.

여기에서 상기 보정렌즈(130)의 형상은 상기 비평면기판(120)의 형상에 따라 결정된다. 도면의 여러 예시에서 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)는 복수 개의 볼록렌즈가 배열된 형태로 이루어지며, 따라서 평행광인 자외선이 상기 비평면부(121)를 지나면서 볼록렌즈 형태로 된 부분에서 수렴하는 형태로 나아가게 된다. 종래의 경우, 즉 도 3 및 도 4의 경우 이렇게 수렴하는 부분에서는 노광과다로 인한 레지스트의 과경화가, 그 외의 부분에서는 노광부족으로 인한 레지스트의 미경화가 이루어져, 레지스트 경화가 불균일해졌다. 그러나 본 발명의 도 5 내지 도 8에서와 같이 상기 보정렌즈(130)를 배치함으로써, 평행광인 자외선이 상기 비평면부(121)를 지나면서 수렴하는 형태로 굴절되는 각도를 미리 고려하여, 평행광인 자외선이 상기 보정렌즈(130)를 거치면서 미리 고려된 각도에 맞게 발산하는 형태로 굴절되게 하면, 발산광인 자외선이 상기 비평면부(121)를 지나면서 굴절되어 다시 평행광으로 보정되게 된다. 이에 따라 결과적으로 상기 레지스트(500)에는 평행광인 자외선이 도달하게 되며, 따라서 레지스트 경화가 전체적으로 균일하게 이루어질 수 있게 된다.Here, the shape of the correction lens 130 is determined according to the shape of the non-planar substrate 120 . In various examples of the drawings, the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 is formed in a form in which a plurality of convex lenses are arranged, and thus, the ultraviolet rays, which are parallel light, pass through the non-planar portion 121 to form a convex lens. It progresses in a form that converges in the part where it is. In the conventional case, that is, in the case of FIGS. 3 and 4, over-curing of the resist due to overexposure occurs in the converging portions, and non-curing of the resist due to insufficient exposure occurs in other areas, resulting in non-uniform resist curing. However, by arranging the correction lens 130 as in FIGS. 5 to 8 of the present invention, the angle at which the parallel light is refracted in a convergent form while passing through the non-planar portion 121 is taken into consideration in advance, and the parallel light is ultraviolet light. When the correction lens 130 is refracted in a diverging form according to a pre-considered angle, the divergent UV light is refracted as it passes through the non-planar portion 121 and is corrected to be parallel light again. Accordingly, as a result, ultraviolet rays, which are parallel light, reach the resist 500 , and thus the resist curing can be uniformly performed as a whole.

이하에서는, 상기 비평면기판(120)에서 상기 평면부(122)에 나노임프린트 공정을 수행하는 경우 및 상기 비평면부(121)에 나노임프린트 공정을 수행하는 경우 두 가지에 대하여 각각 보다 구체적으로 상세히 설명한다.Hereinafter, when the nanoimprint process is performed on the planar part 122 on the non-planar substrate 120 and when the nanoimprint process is performed on the non-planar part 121, each of the two cases will be described in more detail. do.

먼저 상기 평면부(122)에 나노임프린트 공정을 수행하는 경우에 대하여 설명한다. 상기 평면부(122)에 나노임프린트 공정을 수행한다는 것은 즉 상기 레지스트(500)가 최종적으로 상기 평면부(122)에 부착되어 제작이 완료된다는 것을 의미한다. 도 5는 이 경우에 사용되는 장치의 구체적인 구성을, 도 7은 이 경우의 패터닝단계 개념도를 각각 도시한다. 간결한 기술을 위하여 이하에서 이러한 경우를 "평면 패터닝"이라고 하기로 한다.First, a case in which a nanoimprint process is performed on the flat portion 122 will be described. Performing the nanoimprint process on the flat portion 122 means that the resist 500 is finally attached to the flat portion 122 to complete fabrication. Fig. 5 shows a specific configuration of an apparatus used in this case, and Fig. 7 shows a conceptual diagram of the patterning step in this case, respectively. For the sake of brevity, this case will be referred to as "planar patterning" hereinafter.

평면 패터닝의 경우, 상기 비평면기판(120) 중 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고 타면에 평면부(122)가 형성되며, 공정이 완료되면 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 부착된다. 이렇게 하기 위하여, 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되게 한다. 이러한 배치에 의하여 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키게 된다. 이 때 자외선이 상기 비평면기판(120)을 통과하여야 하므로, 이 경우 상기 비평면기판(120)이 투명재질로 형성되어야 한다.In the case of planar patterning, the non-planar portion 121 is formed on one surface of the non-planar substrate 120 and the flat portion 122 is formed on the other surface. ) is attached to To do this, the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 faces the correction lens 130, and the flat portion 122 is the resist 500 of the stamp 110 is applied. Place them face to face. By this arrangement, in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the flat portion 122 , ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the non-planar substrate 120 sequentially to the resist 500 . will harden At this time, since ultraviolet rays must pass through the non-planar substrate 120 , in this case, the non-planar substrate 120 must be formed of a transparent material.

이와 같은 배치 및 동작이 안정적으로 이루어지도록 하기 위해, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 자외선을 조사하는 자외선조사부(140) 및 상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 비평면기판(120), 상기 스탬프(110)를 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150)을 더 포함할 수 있다.In order to ensure that such arrangement and operation are stably performed, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes an ultraviolet irradiator 140 irradiating ultraviolet rays and the ultraviolet ray irradiator 140 as shown in FIG. 5 . ), the correction lens 130, the non-planar substrate 120, and may further include a frame 150 for sequentially arranging the stamp 110 to be fixed.

이 때 상기 비평면기판(120) 및 상기 스탬프(110)가 처음부터 밀착되게 배치되게 할 수는 없으므로, 기본적인 배치상태에서는 상기 비평면기판(120) 및 상기 스탬프(110)가 이격 배치되도록 한다. 이 상태에서 상기 평면부(122) 및 상기 레지스트(500)가 원활하고 균일하게 접촉 및 밀착되게 하기 위해서, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되게 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 도 5를 기준으로 상기 스탬프(110)가 자연스럽게 상승하게 되며, 이에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 원활하게 접촉 및 밀착될 수 있게 된다. 물론 상기 비평면기판(120) 또는 상기 스탬프(110)를 고정한 부품이 상하이동함으로써 접촉 및 밀착이 이루어지게 할 수도 있겠으나, 이와 같은 정밀한 기계적 이동을 구현하는 것은 고성능의 장비를 필요로 하기 때문에, 상술한 바와 같은 공압을 이용하는 것이 훨씬 저렴한 비용으로 우수한 결과를 얻을 수 있다.At this time, since the non-planar substrate 120 and the stamp 110 cannot be arranged in close contact from the beginning, in a basic arrangement state, the non-planar substrate 120 and the stamp 110 are arranged to be spaced apart. In this state, in order to smoothly and uniformly contact and closely contact the flat portion 122 and the resist 500, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the non-planar substrate 120, the resist ( 500), the pressure passage 155 may be formed on the outside of the stamp 110 on the frame 150 based on the laminate of the stamp 110 . By doing this, as the stamp 110 is pressed by the pressing through the pressing passage 155, the stamp 110 naturally rises based on FIG. 5, and accordingly, the resist 500 is It is possible to smoothly contact and adhere to the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 . Of course, the non-planar substrate 120 or the part fixing the stamp 110 may move vertically to make contact and close contact, but to implement such precise mechanical movement requires high-performance equipment, Using pneumatic pressure as described above can obtain excellent results at a much lower cost.

이와 같은 장치를 이용한 평면 패터닝 시 비평면기판용 나노임프린트 노광방법을 도 7을 참조하여 단계적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저 도 7(a)에 도시된 바와 같이 상기 스탬프(500)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계가 수행된다. 다음으로 도 7(b)에 도시된 바와 같이 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되는 배치단계가 수행된다. 다음으로 도 7(c)에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계가 수행된다. 이 때 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)가 상기 가압통로(155)를 포함할 경우, 상기 경화단계 시, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다. 마지막으로 도 7(d)에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계가 수행된다.A nanoimprint exposure method for a non-planar substrate during planar patterning using such an apparatus will be described in stages with reference to FIG. 7 as follows. First, as shown in FIG. 7( a ), a coating step in which the resist 500 is applied to the patterned surface of the stamp 500 is performed. Next, as shown in FIG. 7( b ), the non-planar part 121 of the non-planar substrate 120 faces the correction lens 130 , and the plane part 122 of the stamp 110 . A disposition step of disposing the resist 500 to face the coated surface is performed. Next, as shown in FIG. 7(c) , in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the planar part 122 , the ultraviolet rays sequentially strike the corrective lens 130 and the non-planar substrate 120 . A curing step of curing the resist 500 by passing through the At this time, when the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes the pressure passage 155 , the stamp 110 is formed of a flexible material during the curing step, and the non-planar substrate 120 . , as the stamp 110 is pressed by the pressure from the outside of the stamp 110 based on the stack of the resist 500 and the stamp 110, the resist 500 is formed on the non-planar substrate It may be formed to contact and closely contact the flat portion 122 of the 120 . Finally, as shown in FIG. 7( d ), a completion step in which the resist 500 is attached to the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed is performed.

다음으로 상기 비평면부(121)에 나노임프린트 공정을 수행하는 경우에 대하여 설명한다. 상기 비평면부(121)에 나노임프린트 공정을 수행한다는 것은 즉 상기 레지스트(500)가 최종적으로 상기 비평면부(121)에 부착되어 제작이 완료된다는 것을 의미한다. 도 6은 이 경우에 사용되는 장치의 구체적인 구성을, 도 8은 이 경우의 패터닝단계 개념도를 각각 도시한다. 간결한 기술을 위하여 이하에서 이러한 경우를 "비평면 패터닝"이라고 하기로 한다.Next, a case in which the nanoimprint process is performed on the non-planar portion 121 will be described. Performing the nanoimprint process on the non-planar part 121 means that the resist 500 is finally attached to the non-planar part 121 to complete fabrication. Fig. 6 shows a specific configuration of an apparatus used in this case, and Fig. 8 shows a conceptual diagram of the patterning step in this case, respectively. For the sake of brevity, this case will be referred to as "non-planar patterning" hereinafter.

비평면 패터닝의 경우, 상기 비평면기판(120) 중 적어도 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(112)에 부착된다. (이 경우 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이 상기 비평면기판(120) 중 일면에만 상기 비평면부(121)가 형성되어도 되고, 양면 모두에 상기 비평면부(121)가 형성되어도 된다.) 이렇게 하기 위하여, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되게 한다. 이러한 배치에 의하여 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키게 된다. 이 때 자외선이 상기 스탬프(110)를 통과하여야 하며 또한 상기 스탬프(110)가 상기 비평면부(121)에 접촉하여 그 형상에 맞게 변형되어야 하므로, 이 경우 상기 스탬프(110)가 투명 및 유연재질로 형성되어야 한다.In the case of non-planar patterning, the non-planar portion 121 is formed on at least one surface of the non-planar substrate 120 , and the resist 500 is attached to the non-planar portion 112 . (In this case, as shown in FIGS. 5 to 8, the non-planar part 121 may be formed on only one surface of the non-planar substrate 120, or the non-planar part 121 may be formed on both surfaces of the non-planar substrate 120.) In order to do this, the opposite side of the surface on which the resist 500 is applied of the stamp 110 faces the correction lens 130, and the surface on which the resist 500 is applied of the stamp 110 is the non-planar part ( 121) to face it. By this arrangement, in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar portion 121 , ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the stamp 110 sequentially to cure the resist 500 . will make it At this time, ultraviolet rays must pass through the stamp 110 and the stamp 110 must be deformed to fit the shape by contacting the non-planar part 121. In this case, the stamp 110 is made of a transparent and flexible material. should be formed

이와 같은 배치 및 동작이 안정적으로 이루어지도록 하기 위해, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 자외선을 조사하는 자외선조사부(140) 및 상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 스탬프(110), 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150)을 더 포함할 수 있다.In order to ensure that such arrangement and operation are stably performed, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes an ultraviolet irradiator 140 irradiating ultraviolet rays and the ultraviolet ray irradiator 140 as shown in FIG. 6 . ), the correction lens 130 , the stamp 110 , and a frame 150 for sequentially fixing and disposing the non-planar substrate 120 may be further included.

평면 패터닝 시와 마찬가지로 상기 비평면기판(120) 및 상기 스탬프(110)가 처음부터 밀착되게 배치되게 할 수는 없으므로, 기본적인 배치상태에서는 상기 스탬프(110) 및 상기 비평면기판(120)이 이격 배치되도록 한다. 이 상태에서 상기 평면부(122) 및 상기 레지스트(500)가 원활하고 균일하게 접촉 및 밀착되게 하기 위해서, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되게 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 도 6을 기준으로 상기 스탬프(110)가 자연스럽게 하강하게 되며, 이에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 원활하게 접촉 및 밀착될 수 있게 된다.As in the case of planar patterning, since the non-planar substrate 120 and the stamp 110 cannot be arranged in close contact from the beginning, in a basic arrangement state, the stamp 110 and the non-planar substrate 120 are spaced apart make it possible In this state, in order to smoothly and uniformly contact and closely contact the flat portion 122 and the resist 500, the stamp 110 is formed of a flexible material, and the stamp 110 and the resist 500 are formed of a flexible material. , the pressure passage 155 may be formed on the outside of the stamp 110 on the frame 150 based on the laminate of the non-planar substrate 120 . By doing this, as the stamp 110 is pressed by the pressing through the pressing passage 155, the stamp 110 naturally descends with reference to FIG. 6, and accordingly, the resist 500 is It is possible to smoothly contact and adhere to the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 .

이 경우 상기 가압통로(155)는 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110) 사이의 위치에 형성되어도 물론 무방하지만, 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110) 간의 간격은 실제로 상당히 작을 수 있기 때문에 적절한 크기의 상기 가압통로(155)를 형성하기 어려울 수 있다. 따라서 상기 가압통로(155)가 상기 보정렌즈(130) 바깥쪽에 형성되게 할 수 있는데, 이 경우 상기 보정렌즈(130)에 의하여 가압을 위한 공기의 흐름이 가로막히지 않도록, 상기 보정렌즈(130) 상에 통공(135)이 형성되게 하면 된다.In this case, the pressure passage 155 may be formed at a position between the correction lens 130 and the stamp 110 , but the interval between the correction lens 130 and the stamp 110 may actually be quite small. Therefore, it may be difficult to form the pressure passage 155 of an appropriate size. Accordingly, the pressurization passage 155 can be formed outside the corrective lens 130 . In this case, the corrective lens 130 is disposed on the corrective lens 130 so that the flow of air for pressurization is not blocked by the corrective lens 130 . A through hole 135 may be formed in the .

이와 같이 할 때 가압공간은 실질적으로 상기 자외선조사부(140) 및 상기 스탬프(110) 사이의 공간이 된다. 그런데 상기 자외선조사부(140) 및 상기 프레임(150)이 결합되어 완전 밀폐를 형성하게 하기 어려울 수 있으며, 그러한 경우 그 틈새로 공기가 새어나가 가압이 올바르게 이루어지지 못하게 될 우려가 있다. 이러한 문제를 해소하고 가압공간의 밀폐가 원활하게 실현되도록 하기 위해, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 자외선조사부(140) 및 상기 보정렌즈(130) 사이에 구비되는 투명판(160)을 더 포함할 수 있다.In this way, the pressurized space becomes substantially a space between the ultraviolet irradiation unit 140 and the stamp 110 . However, the UV irradiation unit 140 and the frame 150 may be combined to form a complete seal, and in such a case, there is a risk that air may leak through the gap and the pressurization may not be performed correctly. In order to solve this problem and ensure that the sealing of the pressurized space is smoothly realized, the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate is, as shown in FIG. 6 , the ultraviolet irradiation unit 140 and the correction lens ( 130) may further include a transparent plate 160 provided between.

이와 같은 장치를 이용한 비평면 패터닝 시 비평면기판용 나노임프린트 노광방법을 도 8을 참조하여 단계적으로 설명하면 다음과 같다. 먼저 도 8(a)에 도시된 바와 같이 상기 스탬프(500)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계가 수행된다. 다음으로 도 8(b)에 도시된 바와 같이 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되는 배치단계가 수행된다. 다음으로 도 8(c)에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계가 수행된다. 이 때 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)가 상기 가압통로(155)를 포함할 경우, 상기 경화단계 시, 상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착되도록 형성될 수 있다. 마지막으로 도 8(d)에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계가 수행된다.A nanoimprint exposure method for a non-planar substrate during non-planar patterning using such an apparatus will be described in stages with reference to FIG. 8 as follows. First, as shown in FIG. 8( a ), a coating step in which the resist 500 is applied to the patterned surface of the stamp 500 is performed. Next, as shown in FIG. 8(b), the opposite side of the surface to which the resist 500 of the stamp 110 is applied faces the correction lens 130, and the resist 500 of the stamp 110 An arrangement step is performed in which the surface on which is applied is arranged to face the non-planar portion 121 . Next, as shown in FIG. 8( c ), in the state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar part 121 , the ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the stamp 110 sequentially A curing step of curing the resist 500 is performed. At this time, when the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate includes the pressure passage 155, the stamp 110 is formed of a flexible material during the curing step, and the stamp 110, the As the stamp 110 is pressed by the pressure from the outside of the stamp 110 based on the laminate of the resist 500 and the non-planar substrate 120, the resist 500 is formed on the non-planar substrate. It may be formed to contact and closely contact the non-planar portion 121 of 120 . Finally, as shown in FIG. 8( d ), a completion step in which the resist 500 is attached to the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed is performed.

한편 도 6 및 도 8에서는, 비평면 패터닝 시 상기 도포단계(상기 스탬프(500)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포) 수행 후에, 상기 배치단계(상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치)를 수행하기 위해, 상기 레지스트(500)가 도포된 상기 스탬프(110)를 뒤집는 것으로 도시하였다. 경화되지 않은 상기 레지스트(500)라 해도 점도가 있기 때문에 이렇게 뒤집어서 패터닝을 수행하여도 크게 문제는 없지만, 상기 레지스트(500)의 재질에 따라 점도가 별로 높지 않은 경우 흘러내릴 우려가 일부 있을 수 있다. 이러한 경우에는, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 레지스트(500)가 도포된 상기 스탬프(110)를 뒤집지 않고, 나머지 부품들을 도 6 및 도 8에 도시된 것과는 상하방향으로 거꾸로 배치하면 된다. 즉 도 6 및 도 8에서는 [스탬프가 상측/비평면기판이 하측]에 배치되므로, [레지스트 도포면이 비평면부에 대면]하게 하기 위해 상기 스탬프(110)를 뒤집었지만, 도 9에 도시된 바와 같이 [스탬프가 하측/비평면기판이 상측]에 배치되게 하면, [레지스트 도포면이 비평면부에 대면]하게 하기 위해 상기 스탬프(110)를 뒤집을 필요가 없다. 물론 상하방향만 바뀔 뿐 [레지스트 도포면이 비평면부에 대면]한다는 것이나, [자외선이 보정렌즈 및 스탬프를 순차적으로 통과하여 레지스트에 도달]한다는 것 등은 모두 도 6 및 도 8의 실시예에서와 동일하다. 따라서 도 9와 같은 식으로 비평면 패터닝을 수행하기 위해 장치를 구성할 경우, 도 6의 장치를 단순히 상하방향으로 뒤집은 형태로 만들기만 하면 된다.On the other hand, in FIGS. 6 and 8, after performing the application step ( the resist 500 is applied to the surface on which the pattern of the stamp 500 is formed) during non-planar patterning, the disposing step ( the resist of the stamp 110) Arranged so that the opposite side of the surface on which 500 is applied faces the correction lens 130, and the side on which the resist 500 of the stamp 110 is applied faces the non-planar part 121) , it is shown that the resist 500 is applied to the stamp 110 is turned over. Even if the uncured resist 500 has viscosity, there is no problem even if the resist 500 is turned over and patterned in this way. In this case, as shown in FIG. 9 , instead of turning over the stamp 110 to which the resist 500 is applied, the remaining parts may be disposed upside down from those shown in FIGS. 6 and 8 . That is, in FIGS. 6 and 8, since the stamp is placed on the upper side/non-planar substrate on the lower side, the stamp 110 is turned over so that the [resist-coated surface faces the non-planar portion], but as shown in FIG. If the [stamp is placed on the lower side/non-planar substrate on the upper side], it is not necessary to turn the stamp 110 over to make the [resist-coated surface face the non-planar portion]. Of course, only the vertical direction is changed, [the resist coated surface faces the non-planar part] and [UV rays pass through the corrective lens and the stamp sequentially to reach the resist] are all the same as in the embodiment of FIGS. 6 and 8 do. Therefore, when configuring the device to perform non-planar patterning in the same manner as in FIG. 9 , it is only necessary to make the device of FIG. 6 in a vertically inverted form.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the scope of application is varied, and anyone with ordinary knowledge in the field to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims It goes without saying that various modifications are possible.

100 : 비평면기판용 나노임프린트 노광장치
110 : 스탬프 120 : 비평면기판
121 : 비평면부 122 : 평면부
130 : 보정렌즈 135 : 통공
140 : 자외선조사부 150 : 프레임
155 : 가압통로 160 : 투명판100: nanoimprint exposure apparatus for non-planar substrate
110: stamp 120: non-planar substrate
121: non-planar portion 122: flat portion
130: corrective lens 135: through hole
140: UV irradiation unit 150: frame
155: pressure passage 160: transparent plate

Claims (15)

일면에 패턴이 형성되어 레지스트(500)가 도포되는 스탬프(110);
일면 및 타면 중 적어도 하나에 비평면부(121)가 형성되는 비평면기판(120);
상기 비평면부(121)에 형성된 굴곡에 따른 자외선의 굴절을 보상하는 형상으로 형성되는 적어도 하나의 보정렌즈(130);
를 포함하며,
상기 비평면부(121)에 의한 자외선 굴절이 보상되도록 평행광으로 조사되는 자외선이 상기 보정렌즈(130)를 통과하면서 상기 보정렌즈(130)의 형상에 의하여 미리 굴절됨으로써 상기 레지스트(500)에 균일한 광강도를 가지는 평행광으로 도달하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
a stamp 110 on which a resist 500 is applied by forming a pattern on one surface;
a non-planar substrate 120 having a non-planar portion 121 formed on at least one of one surface and the other surface;
at least one correction lens 130 formed in a shape compensating for the refraction of ultraviolet rays according to the curvature formed in the non-planar portion 121;
includes,
The ultraviolet rays irradiated with parallel light pass through the correction lens 130 to compensate for the ultraviolet refraction by the non-planar part 121 and are refracted in advance by the shape of the correction lens 130 so that the resist 500 is uniformly formed. A nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that it is formed so as to reach parallel light having light intensity.
 제 1항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 비평면기판(120) 중 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고 타면에 평면부(122)가 형성되며, 상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 부착되도록,
상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되어,
상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
According to claim 1, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
The non-planar portion 121 is formed on one surface of the non-planar substrate 120 and the flat portion 122 is formed on the other surface, and the resist 500 is attached to the flat portion 122,
The non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 faces the correction lens 130 , and the flat portion 122 faces the resist 500-coated surface of the stamp 110 . placed,
In a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the flat portion 122 , ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the non-planar substrate 120 sequentially to cure the resist 500 . Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that it is formed.
 제 2항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 비평면기판(120)이 투명재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
According to claim 2, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that the non-planar substrate (120) is formed of a transparent material.
 제 2항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
자외선을 조사하는 자외선조사부(140);
상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 비평면기판(120), 상기 스탬프(110)를 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150);
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
According to claim 2, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
Ultraviolet irradiation unit 140 for irradiating ultraviolet rays;
a frame 150 for sequentially fixing and arranging the ultraviolet irradiation unit 140, the correction lens 130, the non-planar substrate 120, and the stamp 110;
Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that it further comprises.
 제 4항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 비평면기판(120) 및 상기 스탬프(110)가 이격 배치되되,
상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되어,
상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
According to claim 4, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
The non-planar substrate 120 and the stamp 110 are spaced apart,
The stamp 110 is formed of a flexible material, and on the frame 150 on the basis of the laminate of the non-planar substrate 120 , the resist 500 , and the stamp 110 , on the outside of the stamp 110 . A pressure passage 155 is formed,
As the stamp 110 is pressed by the pressing through the pressing passage 155, the resist 500 is formed to contact and closely contact the flat portion 122 of the non-planar substrate 120. Nanoimprint exposure apparatus for non-planar substrates.
 제 1항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 비평면기판(120) 중 적어도 일면에 상기 비평면부(121)가 형성되고, 상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(112)에 부착되도록,
상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되어,
상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
According to claim 1, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
The non-planar portion 121 is formed on at least one surface of the non-planar substrate 120 , and the resist 500 is attached to the non-planar portion 112 ,
The opposite side of the resist 500 coated side of the stamp 110 faces the correction lens 130 , and the resist 500 coated side of the stamp 110 is on the non-planar portion 121 . placed face to face,
In a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar portion 121, ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the stamp 110 sequentially to cure the resist 500 Nanoimprint exposure apparatus for non-planar substrates, characterized in that.
 제 6항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 스탬프(110)가 투명 및 유연재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
The method of claim 6, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that the stamp 110 is formed of a transparent and flexible material.
 제 6항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
자외선을 조사하는 자외선조사부(140);
상기 자외선조사부(140), 상기 보정렌즈(130), 상기 스탬프(110), 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 고정 배치시키는 프레임(150);
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
The method of claim 6, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
Ultraviolet irradiation unit 140 for irradiating ultraviolet rays;
a frame 150 for sequentially fixing and disposing the ultraviolet irradiation unit 140, the correction lens 130, the stamp 110, and the non-planar substrate 120;
Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that it further comprises.
 제 8항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 스탬프(110) 및 상기 비평면기판(120)이 이격 배치되되,
상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 프레임(150) 상에서 상기 스탬프(110) 바깥쪽에 가압통로(155)가 형성되어,
상기 가압통로(155)를 통한 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라 상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
The method of claim 8, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
The stamp 110 and the non-planar substrate 120 are spaced apart,
The stamp 110 is formed of a flexible material, and on the frame 150 on the basis of the laminate of the stamp 110 , the resist 500 , and the non-planar substrate 120 , the stamp 110 is outside. A pressure passage 155 is formed,
As the stamp 110 is pressed by the pressing through the pressing passage 155, the resist 500 is formed to contact and closely contact the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120. Nanoimprint exposure apparatus for non-planar substrates.
 제 9항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 가압통로(155)가 상기 보정렌즈(130) 바깥쪽에 형성되며,
상기 보정렌즈(130) 상에 통공(135)이 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
10. The method of claim 9, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
The pressure passage 155 is formed outside the correction lens 130,
A nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that a through hole (135) is formed on the correction lens (130).
 제 10항에 있어서, 상기 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)는,
상기 자외선조사부(140) 및 상기 보정렌즈(130) 사이에 구비되는 투명판(160);
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광장치.
11. The method of claim 10, wherein the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate,
a transparent plate 160 provided between the ultraviolet irradiation unit 140 and the correction lens 130;
Nanoimprint exposure apparatus for a non-planar substrate, characterized in that it further comprises.
 제 2항에 의한 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)를 이용한 비평면기판용 나노임프린트 노광방법에 있어서,
상기 스탬프(110)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계;
상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)가 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 평면부(122)가 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면에 대면하도록 배치되는 배치단계;
상기 레지스트(500)가 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 비평면기판(120)을 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계;
상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광방법.
In the nanoimprint exposure method for a non-planar substrate using the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate according to claim 2,
an application step of applying the resist 500 to the patterned surface of the stamp 110;
The non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 faces the correction lens 130 , and the flat portion 122 faces the resist 500-coated surface of the stamp 110 . an arrangement step to be placed;
In a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the planar part 122 , ultraviolet rays pass through the correction lens 130 and the non-planar substrate 120 sequentially to cure the resist 500 . step;
a completion step in which the resist 500 is attached to the flat portion 122 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed;
Nanoimprint exposure method for a non-planar substrate, comprising:
 제 12항에 있어서, 상기 경화단계 시,
상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 비평면기판(120), 상기 레지스트(500), 상기 스탬프(110)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라,
상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 평면부(122)에 접촉 및 밀착되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광방법.
13. The method of claim 12, wherein during the curing step,
The stamp 110 is formed of a flexible material, and by pressing from the outside of the stamp 110 based on the stack of the non-planar substrate 120 , the resist 500 , and the stamp 110 , the As the stamp 110 is pressed,
The nanoimprint exposure method for a non-planar substrate, characterized in that the resist (500) is formed to contact and closely contact the flat portion (122) of the non-planar substrate (120).
 제 6항에 의한 비평면기판용 나노임프린트 노광장치(100)를 이용한 비평면기판용 나노임프린트 노광방법에 있어서,
상기 스탬프(110)의 패턴이 형성된 면에 상기 레지스트(500)가 도포되는 도포단계;
상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면 반대쪽이 상기 보정렌즈(130)에 대면하고, 상기 스탬프(110)의 상기 레지스트(500)가 도포된 면이 상기 비평면부(121)에 대면하도록 배치되는 배치단계;
상기 레지스트(500)가 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착된 상태에서, 자외선이 상기 보정렌즈(130) 및 상기 스탬프(110)를 순차적으로 통과하여 상기 레지스트(500)를 경화시키는 경화단계;
상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 부착되고 상기 스탬프(110)가 제거되는 완료단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광방법.
In the nanoimprint exposure method for a non-planar substrate using the nanoimprint exposure apparatus 100 for a non-planar substrate according to claim 6,
an application step of applying the resist 500 to the patterned surface of the stamp 110;
The opposite side of the resist 500 coated side of the stamp 110 faces the correction lens 130 , and the resist 500 coated side of the stamp 110 is on the non-planar portion 121 . an arrangement step arranged to face;
a curing step of curing the resist 500 by sequentially passing through the correction lens 130 and the stamp 110 in a state in which the resist 500 is in contact with and in close contact with the non-planar portion 121;
a completion step in which the resist 500 is attached to the non-planar portion 121 of the non-planar substrate 120 and the stamp 110 is removed;
Nanoimprint exposure method for a non-planar substrate, comprising:
 제 14항에 있어서, 상기 경화단계 시,
상기 스탬프(110)가 유연재질로 형성되며, 상기 스탬프(110), 상기 레지스트(500), 상기 비평면기판(120)의 적층체를 기준으로 상기 스탬프(110) 바깥쪽으로부터의 가압에 의해 상기 스탬프(110)가 가압됨에 따라,
상기 레지스트(500)가 상기 비평면기판(120)의 상기 비평면부(121)에 접촉 및 밀착되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 비평면기판용 나노임프린트 노광방법.15. The method of claim 14, wherein during the curing step,
The stamp 110 is formed of a flexible material, and by pressing from the outside of the stamp 110 based on the laminate of the stamp 110 , the resist 500 , and the non-planar substrate 120 , the As the stamp 110 is pressed,
The nanoimprint exposure method for a non-planar substrate, characterized in that the resist (500) is formed to be in contact with and in close contact with the non-planar portion (121) of the non-planar substrate (120).
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