KR102414804B1 - Glass plate chamfering device, glass plate chamfering method, and glass plate production method - Google Patents
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Abstract
지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있는 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법을 제공한다. 원주상으로 구성된 지석 (10) 을 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할하고, 분할된 일방의 분할 지석부 (36) 의 연삭 능력을, 타방의 분할 지석부 (42) 의 연삭 능력보다 높게 하고 있다. 즉, 1 개의 지석 (10) 에 복수의 성능을 갖게 하고, 성능에 따라 선택한 분할 지석부 (36, 42) 를 유리판 (16) 의 모따기용으로 사용한다. 예를 들어, 단면 (16A) 에 대해 제 1 모따기 가공을 실시하는 경우에는, 분할 지석부 (36) 를 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 가압하여 연삭한다. 다음으로, 제 2 모따기 가공을 실시하는 경우에는, 그 단면 (16A) 에, 분할 지석부 (42) 를 가압하여 연삭한다.Provided are a glass plate chamfering device, a glass plate chamfering method, and a glass plate manufacturing method capable of improving the chamfering quality of a glass plate without increasing the number of grindstones. The columnar-shaped grindstone 10 is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding capability of one divided grindstone part 36 is higher than the grinding ability of the other divided grindstone part 42 are doing That is, one grindstone 10 is made to have a plurality of performances, and the divided grindstone parts 36 and 42 selected according to the performance are used for chamfering of the glass plate 16 . For example, when performing 1st chamfering with respect to 16 A of end surfaces, the divided grindstone part 36 is pressed to 16 A of end surfaces of the glass plate 16, and it grinds. Next, when performing 2nd chamfering, the divided grindstone part 42 is pressed and ground to 16 A of the end surfaces.
Description
본 발명은, 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the chamfering apparatus of a glass plate, the chamfering method of a glass plate, and the manufacturing method of a glass plate.
액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등에 사용되는 FPD (Flat Panel Display) 용의 유리판은, 용융 유리를 띠상의 판유리 (유리 리본이라고도 한다.) 로 성형하는 성형 공정, 판유리를 소정의 사각 형상 사이즈의 유리판으로 절단하는 절단 공정, 및 유리판의 단면 (端面) 을 연삭하여 연마하는 모따기 공정을 거침으로써 제조된다.A glass plate for FPD (Flat Panel Display) used in liquid crystal displays, plasma displays, etc. is a forming process in which molten glass is molded into a strip-shaped plate glass (also called a glass ribbon), and the plate glass is cut into a glass plate of a predetermined square shape. It manufactures by passing through a cutting process and the chamfering process which grinds and grind|polishes the end surface of a glass plate.
특허문헌 1 에는, 상기 모따기 공정에서 사용되는 모따기 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1 의 모따기 장치는, 유지 수단에 유지된 유리판 (워크) 을, 반송 기구에 의해, 1 차 단면 연삭부가 설치된 위치에 반송하고, 그 양 단면 부분에 대해 연삭 가공 처리를 실시한다. 이어서, 2 차 단면 연삭부가 설치된 위치에 유리판을 반송하고, 그 양 단면 부분에 대해 연삭 가공 처리를 실시한다. 또, 특허문헌 1 에는, 유리판의 단면에 대해 경면 마무리를 실시하기 위해, 유리판의 반송 방향 하류측에 단면 연마부를 형성하는 것도 개시되어 있다.The chamfering apparatus of
한편, 특허문헌 2 에 기재된 모따기 장치는, 연삭용의 V 형 홈을 외주면에 구비한 메탈 본드 지석과, 연마면인 외주면이 편평한 탄성 지석을 구비하고 있다. 특허문헌 2 의 모따기 장치에 의하면, 상기 메탈 본드 지석의 V 형 홈에 의해 유리판의 단면을 연삭하여 단면에 모따기면을 형성하고, 그 후, 상기 모따기면을 상기 탄성 지석의 편평한 외주면에 의해 연마한다.On the other hand, the chamfering apparatus of patent document 2 is equipped with the metal bond grindstone which provided the V-shaped groove|channel for grinding on the outer peripheral surface, and the elastic grindstone whose outer peripheral surface which is a grinding|polishing surface is flat. According to the chamfering device of Patent Document 2, the cross section of the glass plate is ground by the V-shaped groove of the metal bond grindstone to form a chamfered surface on the cross section, and then the chamfered surface is polished by the flat outer peripheral surface of the elastic grindstone. .
그런데, 최근에는, 액정 디스플레이의 고정세화에 수반하여, 유리판의 표면에 부착되어 있는 미세한 먼지 (파티클이라고도 한다.) 에 대한 품질 요구가 높아지고 있다. 요컨대, 미세한 먼지가, 유리판의 표면에 전극 등의 소자를 형성할 때의 이물질이 되기 때문이다.By the way, in recent years, with the high definition of a liquid crystal display, the quality request with respect to the fine dust (it is also called a particle) adhering to the surface of a glass plate is increasing. That is, it is because fine dust becomes a foreign material at the time of forming elements, such as an electrode, on the surface of a glass plate.
이것으로부터, 유리판의 모따기면 (단면) 으로부터 발진 (發塵) 하는 미세한 컬릿도, 유리판의 품질에 영향을 주는 것이 판명되었고, 따라서, 유리판의 모따기 가공 기술에 있어서도 추가적인 향상이 요구되어 오고 있다.From this, it became clear that the fine cullet which oscillates from the chamfering surface (cross section) of a glass plate also affects the quality of a glass plate, Therefore, further improvement has been calculated|required also in the chamfering processing technique of a glass plate.
특허문헌 1, 2 에 개시된 종래의 모따기 장치는, 유리판의 일단면에 대해 지석을 2 개 배치하고, 전단의 지석으로 단면을 원하는 모따기 형상으로 연삭하고, 후단의 지석으로 그 단면을 연마하는 것이다.The conventional chamfering apparatus disclosed in
그러나, 전단의 지석에 의해 단면에 발생하는 비교적 큰 치핑, 크랙 (결손) 을, 후단의 지석만으로 확실하게 연마 제거하는 것은 곤란했다. 즉, 후단의 지석만으로 모따기면을, 컬릿이 발진하지 않는 경면으로 가공하는 것은 곤란했다.However, it was difficult to reliably polish and remove relatively large chippings and cracks (cracks) generated in the cross section by the grindstone of the front stage only with the grindstone of the rear stage. That is, it was difficult to process the chamfered surface into a mirror surface in which the cullet does not dust only with the grinding wheel at the rear end.
이로써, 종래의 모따기 장치에서는, 액정 디스플레이의 최근의 고정세화에 수반하는 사양으로 모따기 가공하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.Thereby, in the conventional chamfering apparatus, there existed a problem that it was difficult to chamfer with the specification accompanying the recent high-definition of a liquid crystal display.
또한, 유리판의 단면에 대해 조 (粗) 연삭 가공, 중 (中) 연삭 가공, 마무리 가공, 경면 가공을 순차 실시할 수 있도록 연삭 능력이 상이한 지석, 요컨대 성능이 상이한 지석을 4 대 배치하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 이 모따기 장치에서는, 지석의 증가분만큼 회전 장치가 증가하기 때문에, 장치 구성이 복잡해져 바람직하지 않다.In addition, it is also conceivable to arrange four grindstones with different grinding capabilities, that is, four grindstones with different performance, so that rough grinding, medium grinding, finishing, and mirror processing can be sequentially performed on the cross section of the glass plate. can However, in this chamfering apparatus, since the rotation apparatus increases by the increment of a grindstone, the apparatus structure becomes complicated, and it is unpreferable.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있는 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of such circumstances, and without increasing the number of grindstones, the chamfering apparatus of a glass plate which can improve the chamfering quality of a glass plate, the chamfering method of a glass plate, and providing the manufacturing method of a glass plate do it with
본 발명의 유리판의 모따기 장치는, 상기 목적을 달성하기 위해서,In order for the chamfering apparatus of the glass plate of this invention to achieve the said objective,
지석과,Ji-seok and
상기 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전 수단과, 유리판의 단면과 직교하는 제 1 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 1 이동 수단과,a rotation means for rotating the grindstone about its central axis; and a first moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate in a first direction orthogonal to the cross section of the glass plate;
상기 유리판의 단면이 연장되는 제 2 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 왕복 이동시키고, 상기 유리판의 동일 단면을 복수 회 연삭시키는 제 2 이동 수단과,a second moving means for relatively reciprocating the grindstone and the glass plate along a second direction in which the cross-section of the glass plate extends, and grinding the same cross-section of the glass plate a plurality of times;
상기 유리판의 주면 및 상기 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 3 이동 수단과,a third moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate along a third direction orthogonal to the main surface of the glass plate and the second direction;
상기 제 1 이동 수단, 제 2 이동 수단, 및 제 3 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.Control means for controlling the first moving means, the second moving means, and the third moving means are provided.
본 발명의 유리판의 모따기 방법은, 상기 목적을 달성하기 위해서,In order for the chamfering method of the glass plate of this invention to achieve the said objective,
지석은, 상하의 분할 지석부에 의해 구성되어 있고, 상하의 분할 지석부 중 일방의 분할 지석부를, 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기한 일방의 분할 지석부를 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 1 연삭 공정과,The grindstone is constituted by an upper and lower divided grindstone part, and after pressing one divided grindstone part among the upper and lower divided grindstone parts to one end surface of the glass plate, the grindstone and the glass plate are relative to each other in the extension direction of the one end surface. a first grinding step of grinding the one end face by moving the one divided grindstone part about its central axis while moving it to
상기 지석의 상하의 분할 지석부 중 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 상기 일단면에 가압한 후, 상기 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향 또는 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기한 타방의 분할 지석부를 그 중심축을 중심으로 회전시켜 동일한 상기 일단면을 연삭하는 제 2 연삭 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.After pressing the other divided grindstone part among the upper and lower divided grindstone parts of the grindstone to the one end surface of the glass plate, relatively moving the grindstone and the glass plate in the other extension direction or one extension direction of the one end surface; It is characterized by comprising a second grinding step of grinding the same one end face by rotating the other divided grindstone part about its central axis together.
본 발명의 유리판의 제조 방법은, 상기 목적을 달성하기 위해서, 유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과, 상기 유리 리본을 절단하여 유리판을 얻는 절단 공정과, 상기 유리판의 모따기 방법에 의해 상기 유리판을 모따기하는 모따기 공정을 갖는다.The manufacturing method of the glass plate of this invention, in order to achieve the said objective, the melting process of heating glass-making feedstock and obtaining a molten glass, the shaping|molding process of making the said molten glass into a plate shape to obtain a glass ribbon, and cutting the said glass ribbon It has the cutting process of obtaining a glass plate, and the chamfering process of chamfering the said glass plate with the chamfering method of the said glass plate.
본 발명의 유리판의 모따기 장치의 일 양태는, 상기 지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고, 상기 제 1 지석 및 상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높은 것이 바람직하다.One aspect of the chamfering apparatus of the glass plate of this invention, the said grindstone is comprised by at least a 1st grindstone and a 2nd grindstone, The said 1st grindstone and the said 2nd grindstone are columnar, Comprising: At least two in the axial direction. It is divided into the above divided grindstone parts, and it is preferable that the grinding capability of the divided one divided grindstone part is higher than the grinding ability of the other divided grindstone part.
본 발명의 유리판의 모따기 방법의 일 양태는,One aspect of the chamfering method of the glass plate of this invention is,
지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고,The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
상기 제 1 지석 및 상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높게 되어 있고,The first grindstone and the second grindstone are configured in a columnar shape and divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding ability of one divided grindstone part is higher than the grinding ability of the other divided grindstone part. is high,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 1 모따기 공정과,After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 1st grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 1st grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 1 A first chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone about its central axis;
상기 제 2 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 2 모따기 공정과,After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 2nd grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 2nd grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 2 A second chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone around its central axis;
상기 제 2 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 3 모따기 공정과,After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the second grindstone on one end surface of the glass plate, the second grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the A third chamfering process of grinding the one end surface by rotating the second grindstone about its central axis;
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 4 모따기 공정을 구비하는 것이 바람직하다.After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the first grindstone to one end surface of the glass plate, the first grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the It is preferable to provide a 4th chamfering process which rotates a 1st grindstone about its central axis and grinds the said one end surface.
본 발명의 유리판의 모따기 장치의 일 양태는, 상기 지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고, 상기 제 1 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 분할 지석부의 연삭 능력보다 높고, 상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 동일한 연삭 능력을 갖는 것이 바람직하다.One aspect of the chamfering apparatus for a glass plate of the present invention is that the grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone, and the first grindstone is configured in a columnar shape and divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction. It is preferable that the grinding ability of the divided one divided grindstone part is higher than the grinding ability of the divided divided grindstone part, and the second grindstone is configured in a columnar shape and has the same grinding ability.
본 발명의 유리판의 모따기 방법의 일 양태는,One aspect of the chamfering method of the glass plate of this invention is,
지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고,The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
상기 제 1 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높게 되어 있고,The first grindstone is configured in a columnar shape and is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding capacity of one divided divided grindstone part is higher than the grinding ability of the divided other divided grindstone part,
상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 동일한 연삭 능력을 갖는 상기 지석으로 구성되고,The second grindstone is configured in a columnar shape and is composed of the grindstone having the same grinding ability,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 1 모따기 공정과,After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 1st grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 1st grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 1 A first chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone about its central axis;
상기 제 2 지석을 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 2 모따기 공정과,After pressing the said 2nd grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving a said 2nd grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, the said 2nd grindstone is rotated about the central axis. A second chamfering process of grinding the one end surface by
상기 제 2 지석을 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 3 모따기 공정과,After pressing the second grindstone to one end surface of the glass plate, the second grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the second grindstone is moved around its central axis A third chamfering process of grinding the one end surface by rotating;
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 4 모따기 공정을 구비하는 것이 바람직하다.After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the first grindstone to one end surface of the glass plate, the first grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the It is preferable to provide a 4th chamfering process which rotates a 1st grindstone about its central axis and grinds the said one end surface.
본 발명의 유리판의 모따기 장치의 일 양태는, 상기 유리판은 사각 형상이고, 상기 유리판의 대향하는 2 단면에 대향하여 상기 지석이 배치되는 것이 바람직하다.As for the one aspect|mode of the chamfering apparatus of the glass plate of this invention, it is preferable that the said glass plate is square shape, and that the said grindstone is arrange|positioned opposing two end surfaces of the said glass plate.
본 발명의 유리판의 모따기 방법의 일 양태는, 상기 유리판은 사각 형상이며, 상기 유리판의 대향하는 2 단면에 대향하여 상기 지석이 배치되는 것이 바람직하다.As for one aspect of the chamfering method of the glass plate of this invention, it is preferable that the said glass plate is square shape, and the said grindstone is arrange|positioned opposing to two end surfaces of the said glass plate.
본 발명의 모따기 장치 및 모따기 방법은, 유리판의 일단면에 대해 지석을 일방향의 연장 방향으로 상대적으로 왕동 (往動) (1 Pass) 시켜 연삭하는 제 1 연삭 공정과, 유리판의 일단면에 대해 지석을 타방향의 연장 방향으로 상대적으로 복동 (復動) (2 Pass) 시켜 연삭하는 제 2 연삭 공정에 의해, 지석의 개수를 늘리지 않고, 동일한 일단면을 복수 회 연삭하여 모따기 가공하는 것을 특징으로 한다. 또, 상기 왕동을 2 회 반복하는 (1 Pass 에서 2 Pass) 것에 의해서도, 지석의 개수를 늘리지 않고, 동일한 일단면을 모따기 가공할 수 있다.The chamfering apparatus and the chamfering method of this invention make it relatively reciprocally move (1 pass) with respect to the one end surface of a glass plate, and the 1st grinding process of grinding, and the grindstone with respect to the one end surface of a glass plate In the second grinding process of grinding by relatively double acting (2 passes) in the extension direction of the other direction, the number of grindstones is not increased, and the same end surface is ground several times to perform chamfering. . In addition, even by repeating the reciprocal movement twice (1 pass to 2 passes), the same end face can be chamfered without increasing the number of grindstones.
본 발명의 일 양태에 있어서의 지석에 의하면, 원주상으로 구성된 지석을 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할하고, 분할한 일방의 분할 지석부의 연삭 능력을, 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높게 하고 있다. 즉, 1 개의 지석에 복수의 성능을 갖게 하고, 성능에 따라 선택한 지석부를 유리판의 모따기용으로 사용한다. 예를 들어, 단면에 대해 제 1 연삭 가공을 실시하는 경우에는, 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 단면에 가압하여 연삭한다. 다음으로, 제 2 모따기 가공을 실시하는 경우에는, 그 단면에, 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 가압하여 연삭한다.According to the grindstone in one aspect of the present invention, a columnar grindstone is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding capacity of one divided grindstone part is lower than the grinding capacity of the other divided grindstone part. making it high That is, one grindstone is given a plurality of performances, and a grindstone part selected according to the performance is used for chamfering a glass plate. For example, when performing 1st grinding with respect to an end surface, one divided grindstone part with high grinding ability is pressed to the end surface of a glass plate, and it grinds it. Next, when performing a 2nd chamfering process, the other divided grindstone part with a low grinding ability is pressed and grinded to the cross section.
이와 같이 본 발명은, 1 개의 지석에 2 종류 이상의 연삭 능력을 갖게 하고 있다. 따라서, 지석으로서, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석의 2 개를 형성하고, 제 1 지석 및 제 2 지석을 각각 축 방향으로 분할하여 분할 지석부를 형성하여, 분할된 1 개째의 분할 지석부에서 조연삭 가공을 실시하고, 2 개째의 분할 지석부에서 중연삭 가공을 실시하고, 3 개째의 분할 지석부에서 마무리 가공을 실시하고, 4 개째의 분할 지석부에서 경면 가공을 실시할 수도 있다. 또, 1 개의 지석에 4 종류의 연삭 능력을 갖게 해도 된다. 제 1 지석을 축 방향으로 4 분할하여 4 개의 분할 지석부를 형성하여, 분할된 1 개째의 분할 지석부에서 조연삭 가공을 실시하고, 2 개째의 분할 지석부에서 중연삭 가공을 실시하고, 3 개째의 분할 지석부에서 마무리 가공을 실시하고, 4 개째의 분할 지석부에서 경면 가공을 실시해도 된다. 이와 같이 하면, 제 2 지석은 불필요하다. 요컨대, 본 발명의 기술 사상은, 전단의 가공에 의해 단면에 발생한 치핑, 크랙을, 다음 단의 복수의 가공 공정에서 서서히 제거하고, 최종의 가공 공정에서 단면을 경면으로 가공하도록 1 개의 지석에 연삭 능력이 상이한 복수의 지석을 형성한 것에 있다.Thus, according to the present invention, one grindstone has two or more types of grinding capabilities. Therefore, as a grindstone, at least two of the first grindstone and the second grindstone are formed, the first grindstone and the second grindstone are respectively divided in the axial direction to form a divided grindstone part, Grinding may be performed, the second divided grindstone may be subjected to heavy grinding, the third divided grindstone may be finished, and the fourth divided grindstone may be mirror-finished. Moreover, you may give 4 types of grinding ability to one grindstone. The first grindstone is divided into four in the axial direction to form four divided grindstone parts, the first divided grindstone part is subjected to rough grinding processing, the second divided grindstone part is subjected to heavy grinding, and the third You may finish processing in the divided grindstone part of , and may mirror-finish it in the 4th divided grindstone part. In this way, the 2nd grindstone is unnecessary. In short, the technical idea of the present invention is to gradually remove chippings and cracks generated on the end face by machining in the previous stage in a plurality of machining steps in the next step, and grind the end face to a mirror surface in the final machining step. It is because of the formation of a plurality of stones with different abilities.
이로써, 본 발명의 유리판용 지석에 의하면, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있다.Thereby, according to the grindstone for glass plates of this invention, the chamfering quality of a glass plate can be improved, without increasing the number of objects of a grindstone.
또한, 명세서 및 특허 청구의 범위에 기재한 「연삭 능력」이란, 전술한 바와 같이 제 1 연삭 공정, 제 2 연삭 공정, 제 1 모따기 공정, 제 2 모따기 공정, 제 3 모따기 공정, 제 4 모따기 공정 등에 있어서 사용되는 지석의 연삭·연마 능력, 즉 지석의 성능을 의미한다. 지석은, 이하에 나타내는 바와 같이 광의로는 「연삭」을 주로 하는 지석, 「연마」를 주로 하는 지석으로 크게 나눌 수 있다.In addition, the "grinding ability" described in the specification and claims is a 1st grinding process, a 2nd grinding process, a 1st chamfering process, a 2nd chamfering process, a 3rd chamfering process, and a 4th chamfering process as mentioned above. It means the grinding/polishing ability of the grindstone used in the like, that is, the performance of the grindstone. A grindstone can be roughly divided into a grindstone mainly used for "grinding" and a grindstone mainly used for "polishing" in a broad sense as shown below.
「연삭」을 주로 하는 지석이란, 다이아몬드 또는 CBN (Cubic Boron Nitride : 입방정 질화붕소) 의 지립을 메탈 본드로 고정시킨 단단한 지석을 예시할 수 있다. 또, 전착 다이아몬드 지석도 예시할 수 있다. 이들 지석의 지립의 입도를 변경함으로써, 조연삭 가공 및 중연삭 가공 등의 복수 종류의 연삭 가공을 실시할 수 있다.The hard grindstone which fixed the abrasive grain of diamond or CBN (Cubic Boron Nitride: cubic boron nitride) with the metal bond with the grindstone mainly used for "grinding" can be illustrated. Moreover, an electrodeposition diamond grindstone can also be illustrated. By changing the grain size of the abrasive grains of these grindstones, a plurality of types of grinding processing such as rough grinding processing and medium grinding processing can be performed.
「연마」를 주로 하는 지석이란, 다이아몬드, 녹색 탄화규소 (GC), 알루미나 (Al2O3), 경석 (輕石), 또는 가닛 등의 지석을 부틸 고무, 천연 고무, 또는 수지 등의 본드로 고정시킨 지석을 예시할 수 있다. 또, 지립의 입도 및 본드의 종류를 변경함으로써, 마무리 가공 및 경면 가공 등의 복수 종류의 연마 가공을 실시할 수 있다.A grindstone that is mainly used for "polishing" is a grinding stone such as diamond, green silicon carbide (GC), alumina (Al 2 O 3 ), pumice stone, or garnet with a bond such as butyl rubber, natural rubber, or resin. A fixed grindstone can be exemplified. In addition, by changing the grain size of the abrasive grains and the type of bond, it is possible to perform a plurality of types of polishing such as finishing and mirror finishing.
또한, 지석의 형상인 「원주상」이란, 원반상 및 원통상을 포함하는 것으로 한다. 또, 지석의 표면에 링상의 홈이 형성된 것, 및 표면이 평평한 것도 「원주상」에 포함되는 것이다.In addition, the "columnar shape" which is the shape of a grindstone shall include a disk shape and a cylindrical shape. Moreover, the thing in which the ring-shaped groove|channel was formed in the surface of the grindstone, and the thing with a flat surface are also included in "circumferential shape".
종래의 모따기 장치에서는, 유리판의 일단면에 대해, 제 2 방향으로 1 Pass (왕동) 로 모따기 가공하는 것을, 본 발명의 일 양태에서는, 1 Pass 종료 후, 지석과 유리판을 제 3 방향으로 상대적으로 이동시키고, 제 2 방향으로 2 Pass (복동) 시킨다. 이로써, 유리판의 단면에 제 2 모따기 가공 (즉, 제 2 모따기 공정) 을 실시할 수 있다.In the conventional chamfering apparatus, with respect to the one end surface of the glass plate, in one aspect of the present invention, chamfering processing in 1 Pass (reverse copper) in the second direction, after completion of 1 Pass, the grindstone and the glass plate in the third direction relatively Move it and make 2 passes (double acting) in the second direction. Thereby, the 2nd chamfering process (namely, 2nd chamfering process) can be given to the cross section of a glass plate.
본 발명의 일 양태에 의하면, 예를 들어 일단면에 대해 지석이 2 개 배치된 형태에 있어서, 일단면에 최초로 닿는 제 1 지석의 일방의 지석을 조연삭 가공용 지석으로 하고, 타방의 지석을 경면 가공용 지석으로 한다. 그리고, 일단면에 다음으로 닿는 제 2 지석의 일방의 지석을 중연삭 가공용 지석으로 하고, 타방의 지석을 마무리 가공용 지석으로 한다.According to one aspect of this invention, for example, in the form in which two grindstones are arrange|positioned with respect to one end surface, one of the 1st grindstones contacting one end is set as the grindstone for rough grinding, and the other grindstone is mirror-polished. It is used as a grinding stone for processing. And let one grindstone of the 2nd grindstone which touches next to one end surface be a grindstone for heavy grinding, let the other grindstone be a grindstone for finish processing.
이 경우, 제 1 지석의 일방의 지석, 및 제 2 지석의 일방의 지석으로 1 Pass 가공하고, 이 후, 제 2 지석의 타방의 지석, 및 제 1 지석의 타방의 지석으로 2 Pass 가공한다.In this case, 1 pass processing is performed with one grindstone of the 1st grindstone, and one grindstone of the 2nd grindstone, and thereafter, 2 pass processing is performed with the other grindstone of the 2nd grindstone and the other grindstone of the 1st grindstone.
이로써, 종래의 모따기 장치에서는, 조연삭 가공, 마무리 가공에 의해 구성되어 있던 가공 공정을, 본 발명에서는, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 조연삭 가공, 중연삭 가공, 마무리 가공, 경면 마무리 가공의 4 공정으로 구성할 수 있다. 예를 들어, 상기한 바와 같이 2 개의 지석에 의해, 상기 4 공정을 실시할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 모따기 품질을 대폭으로 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the conventional chamfering apparatus, the machining process comprised of rough grinding and finishing is performed without increasing the number of grindstones in the present invention. It can be composed of 4 processes. For example, as mentioned above, the said 4 process can be implemented with two grindstones. Therefore, in this invention, chamfering quality can be improved significantly, without increasing the number of grindstones.
또, 일단면에 대해 지석이 2 개 배치된 형태에 있어서, 일단면에 최초로 닿는 제 1 지석의 일방의 지석을 조연삭 가공용 지석으로 하고, 타방의 지석을 경면 가공용 지석으로 한다. 그리고, 일단면에 다음으로 닿는 제 2 지석의 지석을 중연삭 가공용 지석으로 한다.Moreover, in the form in which two grindstones are arrange|positioned with respect to one end surface WHEREIN: Let one grindstone of the 1st grindstone which touches one end first be a grindstone for rough grinding, and let the other grindstone be a mirror-finishing grindstone. And let the grindstone of the 2nd grindstone which contact|abuts next to one end surface be a grindstone for heavy grinding processing.
이 경우, 제 1 지석의 일방의 지석, 및 제 2 지석으로 1 Pass 가공하고, 이 후, 제 2 지석, 및 제 1 지석의 타방의 지석으로 2 Pass 가공한다.In this case, 1 pass processing is carried out with one grindstone of a 1st grindstone, and a 2nd grindstone, and then, 2 pass processing is performed with a 2nd grindstone and the other grindstone of a 1st grindstone.
또한, 일단면에 대해 지석이 2 개 배치된 형태에 있어서, 일단면에 최초로 닿는 제 1 지석을 조연삭 가공용 지석으로 한다. 그리고, 일단면에 다음으로 닿는 제 2 지석을 중연삭 가공용 지석으로 한다.In addition, in the form in which two grindstones are arrange|positioned with respect to one end surface, let the 1st grindstone which contact|abuts first to one end surface be a grindstone for rough grinding processing. And let the 2nd grindstone which contact|abuts next to one end surface be a grindstone for heavy grinding processing.
이 경우, 제 1 지석, 및 제 2 지석으로 1 Pass 가공하고, 이 후, 제 2 지석으로 2 Pass 가공한다.In this case, 1 pass processing is performed with the 1st grindstone and the 2nd grindstone, and 2 passes are processed with the 2nd grindstone after that.
본 발명의 일 양태는, 상기 유리판은, 사각 형상이며, 상기 유리판의 대향하는 2 단면에 대향하여 상기 지석이 배치되는 것이 바람직하다.As for one aspect of this invention, it is preferable that the said glass plate is square shape, and the said grindstone is arrange|positioned opposing to two end surfaces of the said glass plate which oppose.
본 발명의 일 양태에 의하면, 지석에 대해 유리판을 90 도 선회시킴으로써, 사각 형상의 유리판의 4 단면을 효율적으로 모따기 가공할 수 있다.According to one aspect of this invention, by turning a glass plate 90 degrees with respect to a grindstone, the chamfering process of 4 cross sections of a rectangular glass plate can be carried out efficiently.
본 발명에 관련된 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법에 의하면, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있다.According to the chamfering apparatus of the glass plate which concerns on this invention, the chamfering method of a glass plate, and the manufacturing method of a glass plate, the chamfering quality of a glass plate can be improved, without increasing the number of objects of a grindstone.
도 1 은 실시형태의 유리판용 지석이 적용된 실시형태의 유리판의 모따기 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2 는 유리판의 화살표 A 방향의 왕동 중에 있어서의 지석의 상하 배치 위치를 나타낸 요부 확대 사시도이다.
도 3 은 유리판의 화살표 B 방향의 복동 중에 있어서의 지석의 상하 배치 위치를 나타낸 요부 확대 사시도이다.
도 4(A), 도 4(B), 도 4(C), 도 4(D), 도 4(E) 는, 유리판의 단면이 각 지석에 의해 순차 모따기 가공되어 가는 상태를 계시적 (繼時的) 으로 나타낸 설명도이다.
도 5(A), 도 5(B), 도 5(C), 도 5(D), 도 5(E) 는, 실시형태의 모따기 장치에 의한 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.
도 6(A), 도 6(B), 도 6(C), 도 6(D), 도 6(E), 도 6(F) 는, 실시형태의 모따기 장치에 의한 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.
도 7(A), 도 7(B), 도 7(C), 도 7(D), 도 7(E) 는, 실시형태의 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.
도 8(A), 도 8(B), 도 8(C), 도 8(D), 도 8(E) 는, 실시형태의 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows schematic structure of the chamfering apparatus of the glass plate of embodiment to which the grindstone for glass plates of embodiment was applied.
It is a principal part enlarged perspective view which showed the up-and-down arrangement position of the grindstone in the reciprocal movement of the arrow A direction of a glass plate.
It is a principal part enlarged perspective view which showed the up-down arrangement position of the grindstone in the double movement of the arrow B direction of a glass plate.
4(A), FIG. 4(B), FIG. 4(C), FIG. 4(D), and FIG. 4(E) show the state in which the cross section of the glass plate is sequentially chamfered by each grindstone. time) is an explanatory diagram.
5(A), 5(B), 5(C), 5(D), and 5(E) are explanatory views showing temporally the chamfering method by the chamfering device of the embodiment.
6(A), 6(B), 6(C), 6(D), 6(E), and 6(F) show another chamfering method by the chamfering device of the embodiment. It is an explanatory diagram indicated by .
7(A), FIG. 7(B), FIG. 7(C), FIG. 7(D), and FIG. 7(E) are explanatory drawings which show temporally another chamfering method of embodiment.
8(A), FIG. 8(B), FIG. 8(C), FIG. 8(D), and FIG. 8(E) are explanatory drawings which showed temporally another chamfering method of embodiment.
이하, 첨부 도면에 따라 본 발명에 관련된 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법의 바람직한 실시형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, according to an accompanying drawing, preferable embodiment of the chamfering apparatus of the glass plate which concerns on this invention, the chamfering method of a glass plate, and the manufacturing method of a glass plate is demonstrated.
도 1 은, 본 발명의 실시형태의 제 1 지석 (10) (이하, 제 1 지석 (10) 을 간단히 지석 (10) 이라고도 칭한다.) 및 제 2 지석 (12) (이하, 제 2 지석 (12) 을 간단히 지석 (12) 이라고도 칭한다.) 을 각각 1 쌍 구비한 실시형태의 유리판의 모따기 장치 (14) 의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 이 모따기 장치 (14) 는, 용해 공정, 성형 공정, 절단 공정, 및 모따기 공정을 포함하는 실시형태의 유리판의 제조 방법에 있어서, 상기 모따기 공정에서 사용되는 장치이다.1 shows a first grindstone 10 (hereinafter, the
또, 모따기 장치 (14) 로서, 두께가 0.7 ㎜ 이하인 액정 디스플레이용 유리판 (16) 의 4 단면 (16A ∼ 16D) 을 지석 (10, 12) 에 의해 모따기 가공하는 장치를 예시한다. 지석 (10, 12) 에 대해서는 후술한다.Moreover, as the
또한, 모따기 장치 (14) 에 적용 가능한 유리판으로는, 액정 디스플레이용 유리판 (16) 으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 플라즈마 디스플레이용 유리판, LED 디스플레이용 유리판 등의 다른 FPD 용 유리판이어도 되고, 태양 전지용, 조명용, 건재용, 미러용 등의 일반적인 유리판이어도 된다. 또, 유리판의 두께도 0.7 ㎜ 이하로 한정되지 않고, 0.7 ㎜ 를 초과하는 두께이어도 된다. 또한, 유리판으로 한정되지 않고, 금속제, 또는 수지제의 판상체여도, 모따기 장치 (14) 에 의해 단면의 모따기 가공이 가능하다.In addition, as a glass plate applicable to the
[모따기 장치 (14) 의 전체 구성][Overall configuration of the chamfering device 14]
모따기 장치 (14) 는, 사각 형상의 유리판 (16) 을 흡착 유지하는 정반 (18), 및 정반 (18) 을 수평 방향 (제 2 방향) 에 있어서 화살표 A 방향으로 왕동 (즉, 1 Pass) 및 화살표 B 방향으로 복동 (2 Pass) 시켜 동일한 단면 (16A, 16B) 을 복수 회 연삭시키는 이동 장치 (즉, 제 2 이동 수단) (20) 를 구비한다. 또한, 실시형태의 모따기 장치 (14) 는, 고정 배치된 지석 (10, 12) 에 대해, 유리판 (16) 을 왕복 이동시키는 장치이지만, 지석 (10, 12) 과 유리판 (16) 을, 유리판 (16) 의 단면 (16A, 16B) 의 연장 방향을 따른 수평 방향으로 상대적으로 왕복 이동시키는 장치이면 된다.The
또, 모따기 장치 (14) 는, 유리판 (16) 의 단면 (16A ∼ 16D) 에 가압되어 모따기면을 단면 (16A ∼ 16D) 으로 가공하는 원주상의 지석 (10, 12), 및 지석 (10, 12) 을 고속 회전시키는 모터 (회전 수단) (22, 24) 를 구비한다. 지석 (10, 12) 은, 유리판 (16) 의 대향하는 단면 (16A, 16B) 에 대해 2 개 배치되어 있지만, 3 개 이상 배치되어 있어도 된다.Moreover, the
또한, 모따기 장치 (14) 는, 지석 (10, 12) 을 모터 (22, 24) 와 함께 연직 방향 (제 3 방향) 으로 상하 이동시키는 승강 장치 (즉, 제 3 이동 수단) (26, 28), 지석 (10, 12) 에 의한 가공부에 냉각액을 분사하는 노즐 (30, 32), 및 제어 장치 (제어 수단) (34) 등을 구비한다. 또, 지석 (10, 12) 을 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 수평 방향으로 가압함과 함께, 단면 (16A) 에 대해 수평 방향으로 퇴피하는 방향으로 이동시키는 이송 장치 (즉, 제 1 이동 수단) (31, 33) (도 2 참조) 를 구비한다. 또한, 실시형태의 모따기 장치 (14) 는, 유리판 (16) 에 대해 지석 (10, 12) 을 승강 이동시키는 장치이지만, 지석 (10, 12) 과 유리판 (16) 을, 유리판 (16) 의 주면 (16E) (도 2 참조) 및 수평 방향에 직교하는 연직 방향을 따라 상대적으로 승강 이동시키는 장치이면 된다. 또, 단면 (16A) 에 대해 지석 (10, 12) 을 이송 장치 (31, 33) 에 의해 진퇴 이동시키는 장치로 한정되지 않고, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 과 지석 (10, 12) 을 상대적으로 진퇴 이동시키는 장치이면 된다. 이송 장치 (31, 33) 의 이송량에 따라 연삭 여유분이 설정된다. 또, 지석 (10, 12) 의 연삭 능력, 성능에 기초하여 이송량이 제어 장치 (34) 에 의해 제어되고 있다.Further, the
제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20), 모터 (22, 24) 의 회전수/회전 방향, 승강 장치 (26, 28), 및 이송 장치 (31, 33) 의 각 동작을 제어한다. 제어 장치 (34) 에 의한 각 동작의 제어 방법에 대해서는 후술한다.The
도 2 는, 유리판 (16) 의 화살표 A 방향의 왕동 중에 있어서의 지석 (10, 12) 의 상하 배치 위치를 나타낸 요부 확대 사시도이다.2 : is a principal part enlarged perspective view which showed the up-down arrangement position of the
도 3 은, 유리판 (16) 의 화살표 B 방향의 복동 중에 있어서의 지석 (10, 12) 의 상하 배치 위치를 나타낸 요부 확대 사시도이다.3 : is a principal part enlarged perspective view which showed the up-down arrangement position of the
도 2, 도 3 과 같이, 지석 (10) 은, 중심축 (10A) 을 중심으로 모터 (22) 에 의해 회전 구동된다. 또, 모터 (22) 가 제어 장치 (34) (도 1 참조) 에 의해 제어됨으로써, 그 회전수가 제어되고, 또한 도 2 의 화살표 C 와 도 3 의 화살표 D 로 나타내는 정역의 회전 방향이 제어된다. 실시형태에서는, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동될 때에는, 그 왕동 방향에 대향하는 화살표 C 방향으로 지석 (10) 이 회전된다. 동일하게, 유리판 (16) 이 화살표 B 방향으로 복동될 때에는, 그 복동 방향에 대향하는 화살표 D 방향으로 그 회전 방향이 변환된다. 또한, 지석 (10) 의 회전 방향의 변환은 필수는 아니다. 지석의 회전 방향을 변환하지 않음으로써, 가공 시간을 단축할 수 있다.2 and 3 , the
지석 (12) 도 동일하게, 중심축 (12A) 을 중심으로 모터 (24) 에 의해 회전 구동된다. 또, 모터 (24) 가 제어 장치 (34) (도 1 참조) 에 의해 제어됨으로써, 그 회전수가 제어되고, 또한 도 2 의 화살표 C 와 도 3 의 화살표 D 로 나타내는 정역의 회전 방향이 제어된다. 실시형태에서는, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동될 때에는, 그 왕동 방향에 대향하는 화살표 C 방향으로 지석 (12) 이 회전된다. 동일하게, 유리판 (16) 이 화살표 B 방향으로 복동될 때에는, 그 복동 방향에 대향하는 화살표 D 방향으로 그 회전 방향이 변환된다. 또한, 지석 (12) 의 회전 방향의 변환도 필수는 아니다.Similarly, the
<제 1 지석 (10), 제 2 지석 (12) 의 구성><Configuration of the first grindstone (10) and the second grindstone (12)>
지석 (10) 은, 축 방향으로 2 개의 지석부로 분할되고, 일방의 분할 지석부 (도시한 예에 있어서는 상부의 분할 지석부 (36)) 의 연삭 능력이, 타방의 분할 지석부 (도시한 예에 있어서는 상부의 분할 지석부 (42)) 의 연삭 능력보다 높게 설정되어 있다.The
지석 (12) 도 동일하게, 축 방향으로 2 개의 분할 지석부로 분할되고, 일방의 분할 지석부 (상부의 분할 지석부 (38)) 의 연삭 능력이, 타방의 분할 지석부 (하부의 분할 지석부 (40)) 의 연삭 능력보다 높게 설정되어 있다.The
또한, 지석 (10, 12) 의 분할수는, 2 개로 한정되는 것이 아니고, 3 개 이상으로 분할해도 된다.In addition, the division|segmentation number of the
실시형태의 분할 지석부 (36, 38, 40, 42) 는, 전술한 유리판 (16) 의 왕복 이동에 의해 단면 (16A, 16B) 에 대해, 조연삭 가공 (즉, 제 1 모따기 공정 : 제 1 연삭 공정), 중연삭 가공 (즉, 제 2 모따기 공정 : 제 1 연삭 공정), 마무리 가공 (즉, 제 3 모따기 공정 : 제 2 연삭 공정), 및 경면 가공 (즉, 제 4 모따기 공정 : 제 2 연삭 공정) 을 순차 실시할 수 있도록 각각의 연삭 능력, 요컨대 성능이 설정되어 있다.The divided
구체적으로는, 분할 지석부 (36) 가 조연삭 가공을 실시하고, 분할 지석부 (38) 가 중연삭 가공을 실시하고, 분할 지석부 (40) 가 마무리 가공을 실시하고, 분할 지석부 (42) 가 경면 가공을 실시할 수 있도록 성능이 설정되어 있다.Specifically, the divided
도 4(A) ∼ 도 4(E) 는, 유리판 (16) 의 동일한 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 38, 40, 42) 에 의해 순차 모따기 가공되어 가는 상태를 계시적으로 나타낸 설명도이다.4(A) - FIG. 4(E) are explanations temporally showing a state in which the
도 4(A) 는, 모따기 가공 전의 유리판 (16) 의 단면 (16A) 의 형상이 나타나 있다. 즉, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 은, 모따기 공정의 전단의 절단 공정에서 절단된 절단면이고, 주면 (16E) 에 대해 직교 방향에 형성되어 있다.4(A) shows the shape of 16 A of cross sections of the
도 4(B) 는, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공이 실시된 단면 (16A) 의 형상이 나타나 있고, 분할 지석부 (36) 의 연삭 홈인 단면 (斷面) U 자상의 환상 홈 (36A) (도 2, 도 3 참조) 에 의해 대략 U 자상으로 연삭 가공되어 있다. 조연삭 가공 후의 단면 (16A) 의 조도는 거칠고, 그 표면에는 조연삭 가공에 의해 발생한 치핑, 크랙이 많이 발생되어 있다.Fig. 4(B) shows the shape of the
또한, 도 2, 도 3 에 나타낸 분할 지석부 (36) 의 환상 홈 (36A) 의 단면 형상은, U 자상으로 한정되지 않고, V 자상 또는 오목상이어도 된다. 또, 환상 홈 (36A) 의 개수는, 1 개이어도 되는데, 분할 지석부 (36) 의 교환 작업을 생략하기 위해, 분할 지석부 (36) 의 축 방향으로 소정의 간격으로 복수 개 구비하는 것이 바람직하다. 환상 홈 (36A) 이 분할 지석부 (36) 에 복수 개 구비되어 있으므로, 사용 중인 환상 홈 (36A) 이 수명이 되었을 때, 승강 장치 (26) 에 의해 분할 지석부 (36) 를 환상 홈 (36A) 의 피치 단위로 축 방향으로 승강시키면, 분할 지석부 (36) 의 교환 작업을 하지 않고 새로운 환상 홈 (36A) 을 사용하여 단면 (16A) 을 조연삭 가공할 수 있다.In addition, the cross-sectional shape of 36 A of annular grooves of the divided
도 4(C) 는, 분할 지석부 (38) 에 의해 중연삭 가공이 실시된 단면 (16A) 의 형상이 나타나 있다. 분할 지석부 (38) 의 표면을 단면 (16A) 에 가압함으로써, 조연삭 가공에서 많이 발생하고 있던 치핑, 크랙이 거의 연마 제거되어 있다.Fig. 4(C) shows the shape of the
도 4(D) 는, 분할 지석부 (40) 에 의해 마무리 가공이 실시된 단면 (16A) 의 형상이 나타나 있다. 분할 지석부 (40) 의 표면을 단면 (16A) 에 가압함으로써, 조연삭 가공에서 많이 발생하고 있던 치핑, 크랙이 추가로 연마 제거되어 있다.4(D) shows the shape of the
도 4(E) 는, 분할 지석부 (42) 에 의해 마무리 가공이 실시된 단면 (16A) 의 형상이 나타나 있다. 분할 지석부 (42) 의 표면을 단면 (16A) 에 가압함으로써, 조연삭 가공에서 많이 발생하고 있던 치핑, 크랙이 거의 완전하게 연마 제거되고, 단면 (16A) 이 경면 가공되어 있다. 요컨대, 단면 (16A) 이, 단면 (16A) 으로부터 발진하지 않는다고 여겨지는 경면으로 가공된다.4(E), the shape of the
여기서, 「연삭」을 주로 실시하는 분할 지석부 (36, 38) 로는, 다이아몬드 또는 CBN 의 지립을 메탈 본드로 고정시킨 단단한 지석을 예시할 수 있다. 또, 전착 다이아몬드 지석도 예시할 수 있다. 분할 지석부 (36) 의 지립의 입도를, 예를 들어 270 ∼ 600 번으로 함으로써, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공을 실시할 수 있다. 분할 지석부 (36) 의 지립의 입도는, 325 ∼ 500 번으로 하는 것이 보다 바람직하다. 분할 지석부 (38) 의 지립의 입도를, 예를 들어 400 ∼ 1000 번으로 함으로써, 분할 지석부 (38) 에 의해 중연삭 가공을 실시할 수 있다. 분할 지석부 (38) 의 지립의 입도는, 420 ∼ 600 번으로 하는 것이 보다 바람직하다.Here, as the divided
그리고, 「연마」를 주로 실시하는 분할 지석부 (40, 42) 로는, 다이아몬드, CBN, 녹색 탄화규소 (GC), 알루미나 (Al2O3), 경석, 또는 가닛 등의 지석을 부틸 고무, 천연 고무, 또는 수지 등의 본드로 고정시킨 지석을 예시할 수 있다. 또, 분할 지석부 (40) 의 지립의 입도를, 예를 들어 270 ∼ 800 번으로 하고, 분할 지석부 (42) 의 지립의 입도를, 예를 들어 600 ∼ 4000 번으로 함으로써, 분할 지석부 (40) 에 의해 마무리 가공을 실시할 수 있고, 분할 지석부 (42) 에 의해 경면 가공을 실시할 수 있다.And, as the divided
또한, 분할 지석부 (38) 는, 다이아몬드, CBN, 녹색 탄화규소 (GC), 알루미나 (Al2O3), 경석, 또는 가닛 등의 지석을 부틸 고무, 천연 고무, 또는 수지 등의 본드로 고정시킨 지석을 사용해도 되고, 그 경우, 분할 지석부 (38) 의 지립의 입도를, 예를 들어 400 ∼ 600 번으로 함으로써, 중연삭 가공을 실시할 수 있다.Further, the divided
[모따기 장치 (14) 의 작용][Action of the chamfering device 14]
먼저, 도 1 의 제어 장치 (34) 에 지석 (10, 12) 에 의한 연삭 여유분을 설정함과 함께, 정반 (18) 의 왕동 속도, 복동 속도를 설정한다. 이 때, 종래의 1 Pass 에서의 가공 시간을 기준으로 하여, 실시형태의 1 Pass 와 2 Pass (왕복) 에서의 가공 시간과 종래의 1 Pass 가공 시간이 대략 동일해지도록, 이동 장치 (20) 를 제어하는 제어 장치 (34) 의 동작 프로그램을 설정하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 종래의 1 Pass 에서의 가공과 동등한 시간에 유리판 (16) 의 모따기 품질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 분할 지석부 (36) 의 지립의 입도는, 200 ∼ 450 번으로 하는 것이 바람직하고, 분할 지석부 (38) 의 지립의 입도는, 350 ∼ 500 번으로 하는 것이 바람직하다. 또, 가공 시간이 짧은 가공을 실시하는 경우에는, 왕동의 1 Pass 가공 시간보다, 복동의 2 Pass 가공 시간을 짧게 하는 것이 바람직하다. 또, 마무리 중시 가공을 실시하는 경우에는, 왕동의 1 Pass 가공 시간보다, 복동의 2 Pass 가공 시간을 길게 하는 것이 바람직하다. 또한, 왕동의 1 Pass 가공 시간과 복동의 2 Pass 가공 시간을 동등한 시간으로 설정해도 된다.First, while setting the grinding allowance by the
다음으로, 정반 (18) 에 의한 유리판 (16) 의 왕동시에는, 단면 (16A, 16B) 이 분할 지석부 (36, 38) 를 통과하고, 복동시에는 단면 (16A, 16B) 이 분할 지석부 (40, 42) 를 통과하도록, 승강 장치 (26, 28) 를 제어하는 제어 장치 (34) 의 동작 프로그램을 설정한다.Next, at the time of reciprocal movement of the
다음으로, 정반 (18) 에 의한 유리판 (16) 의 왕동시에는, 지석 (10, 12) 이 화살표 C 방향으로 회전하고, 복동시에는 지석 (10, 12) 이 화살표 D 방향으로 회전하도록, 모터 (22, 24) 를 제어하는 제어 장치 (34) 의 동작 프로그램을 설정한다. 또한, 전술한 바와 같이, 지석 (10, 12) 의 회전 방향은 변환되지 않고, 일정해도 된다.Next, at the time of reciprocal movement of the
이상에 의해, 모따기 장치 (14) 에 의한 사전 설정 작업이 종료한다.By the above, the preset operation|work by the
다음으로, 절단 공정에서 절단된 유리판 (16) 을, 정반 (18) 의 상면의 흡착면에 흡착 유지시킨다. 이 후, 제어 장치 (34) 가, 모따기 장치 (14) 의 각 부재를 제어하여, 유리판 (16) 의 단면 (16A, 16B) 의 모따기 가공을 개시한다.Next, the
즉, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 정반 (18) 에 의해 도 1 의 화살표 A 방향으로 왕동시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 모터 (22, 24) 를 제어하여, 도 2 의 화살표 C 방향으로 지석 (10, 12) 을 회전시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 승강 장치 (26, 28) 를 제어하여, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 38) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이를 조정한다.That is, the
도 5(A) ∼ 도 5(E) 는, 모따기 장치 (14) 에 의한 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.5(A) - FIG. 5(E) are explanatory drawings which show the chamfering method by the
도 5(A) 는, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 38) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이가 조정되고, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동되고 있는 상태를 나타낸 개략 측면도이다.The state in which the height of the
이 후, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 은, 제 1 연삭 공정으로서, 도 5(B) 와 같이 계속되는 유리판 (16) 의 왕동에 의해, 먼저, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공되고, 그 후, 분할 지석부 (38) 에 의해 중연삭 가공된다. 즉, 제 2 모따기 공정이 실시된다.Then, 16 A of end surfaces of the
조연삭 가공시 및 중연삭 가공시에는, 지석 (10, 12) 과 단면 (16A) 이 접촉하는 가공부에, 도 1 의 노즐 (30, 32) 로부터 냉각액이 분사된다. 이로써, 상기 가공부가 상기 냉각액에 의해 냉각되므로, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 발생하는 변색, 결손 등의 발생을 저감시킬 수 있다. 또, 유리판 (16) 의 2 개의 주면 각각과 단면 (16A, 16B) 의 경계면에 발생하는 치핑도 저감시킬 수 있다. 또한, 냉각액으로는, 순수를 예시할 수 있다.At the time of rough grinding and heavy grinding, the cooling liquid is sprayed from the
도 5(C) 와 같이, 단면 (16A) 의 중연삭 가공이 종료되고, 유리판 (16) 이 왕동의 종점 위치에 위치하면, 도 1 의 제어 장치 (34) 가 이동 장치 (20) 를 제어하여, 정반 (18) 의 이동을 일단 정지시킨다.As shown in Fig. 5 (C), when the heavy grinding processing of the end face 16A is finished and the
이 후, 도 5(C) 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 정반 (18) 에 의해 화살표 B 방향으로 복동시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 모터 (22, 24) 를 제어하여, 도 3 의 화살표 D 방향으로 지석 (10, 12) 을 회전시킨다. 그리고, 도 1 의 제어 장치 (34) 는, 승강 장치 (26, 28) 를 제어하여, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40, 42) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이를 조정한다. 즉, 도 5(C) 의 화살표 E 방향으로 지석 (10, 12) 을 상승 이동시킨다.Thereafter, as shown in FIG. And the
도 5(D) 는, 복동 개시시의 상태를 나타낸 개략 측면도이다.Fig. 5(D) is a schematic side view showing a state at the start of double-acting.
복동하는 유리판 (16) 은, 도 5(E) 와 같이, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40) 를 통과함으로써 마무리 가공되고 (즉, 제 3 모따기 공정이 실시되고), 분할 지석부 (42) 를 통과함으로써 경면 가공된다 (즉, 제 4 모따기 공정이 실시된다.).As shown in FIG. 5(E), the double-acting
또한, 유리판 (16) 의 다른 대향하는 단면 (16C, 16D) 은, 도 1 의 지석 (10, 12) 의 후단에 배치된, 동 성능을 갖는 지석 (10, 12) 에 의해 모따기 가공해도 된다. 즉, 도 1 의 후단에 배치된 도 1 과 동 기구의 장치에, 유리판 (16) 을 주면 방향의 수선을 축으로 90 도 회전시켜 배치하고, 지석 (10, 12) 과 동 성능을 갖는 지석에 의해 단면 (16C, 16D) 을 모따기 가공해도 된다.In addition, you may chamfer other opposing end surfaces 16C, 16D of the
또는, 유리판 (16) 을 정반 (18) 에 의해 B 방향으로 이동시켜 원래의 위치로 복귀시킨 후, 유리판 (16) 을 정반 (18) 에 의해, 유리판 (16) 의 주면 방향의 수선을 축으로 하여 90 도 회전시킨 후, 정반 (18) 에 의해 유리판 (16) 을 A 방향으로 이동시키면서, 유리판 (16) 의 단면 (16A, 16B) 의 연장 방향의 길이에 맞추어 간격이 변경된 각각 1 쌍의 지석 (10, 12) 에 의해 단면 (16C, 16D) 을 모따기 가공해도 된다.Alternatively, after the
[제 1 지석 (10), 제 2 지석 (12) 의 특징][Features of the first grindstone (10) and the second grindstone (12)]
실시형태의 지석 (10) (지석 (12) 도 포함한다) 은, 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할 지석부 (36) 의 연삭 능력을, 분할 지석부 (42) 의 연삭 능력보다 높게 하고 있다. 즉, 1 개의 지석 (10) 에 복수의 성능을 갖게 하고, 성능에 따라 선택한 지석을 유리판 (16) 의 모따기용으로 사용 하고 있다.The grindstone 10 (including the grindstone 12) of the embodiment is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding ability of the divided
예를 들어, 단면 (16A) 에 대해 제 1 모따기 가공을 실시하는 경우에는, 연삭 능력이 높은 분할 지석부 (36) 를 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 가압하여 가공한다. 다음으로, 제 2 모따기 가공을 실시하는 경우에는, 그 단면 (16A) 에, 연삭 능력이 낮은 분할 지석부 (42) 를 가압하여 가공한다.For example, when performing 1st chamfering with respect to 16 A of end surfaces, the divided
이와 같이 본 발명은, 1 개의 지석 (10) 에 2 종류 이상의 성능을 갖게 한 것을 특징으로 하고 있다. 따라서, 지석으로서, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석의 2 개를 형성하고, 제 1 지석 및 제 2 지석을 각각 축 방향으로 분할하여 분할 지석부를 형성하여, 분할된 1 개째의 분할 지석부에서 조연삭 가공을 실시하고, 2 개째의 분할 지석부에서 중연삭 가공을 실시하고, 3 개째의 분할 지석부에서 마무리 가공을 실시하고, 4 개째의 분할 지석부에서 경면 가공을 실시할 수도 있다. 또, 1 개의 지석에 4 종류의 연삭 능력을 갖게 해도 된다. 제 1 지석을 축 방향으로 4 분할하여 4 개의 분할 지석부를 형성하여, 분할된 1 개째의 분할 지석부에서 조연삭 가공을 실시하고, 2 개째의 분할 지석부에서 중연삭 가공을 실시하고, 3 개째의 분할 지석부에서 마무리 가공을 실시하고, 4 개째의 분할 지석부에서 경면 가공을 실시해도 된다. 이와 같이 하면, 제 2 지석은 불필요하다.As described above, the present invention is characterized in that one
이로써, 본 발명의 유리판용 지석에 의하면, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있다.Thereby, according to the grindstone for glass plates of this invention, the chamfering quality of a glass plate can be improved, without increasing the number of objects of a grindstone.
[모따기 장치 (14) 의 특징][Features of the chamfering device 14]
이동 장치 (20) 에 의해 유리판 (16) 을, 화살표 A 방향으로 왕동시키면서, 모터 (22) 에 의해 분할 지석부 (36) 를 회전시키고, 분할 지석부 (36) 를 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 가압한다. 이로써, 단면 (16A) 에 제 1 모따기 가공을 실시할 수 있다 (즉, 제 1 모따기 공정). 다음으로, 승강 장치 (26) 에 의해 지석 (10) 을 화살표 E 방향 (도 5(C) 참조) 으로 이동시키고, 이동 장치 (20) 에 의해 유리판 (16) 을, 화살표 B 방향으로 복동시키면서, 분할 지석부 (42) 를 단면 (16A) 에 가압한다. 이로써, 단면 (16A) 에 제 2 모따기 가공을 실시할 수 있다 (즉, 제 2 모따기 공정).The divided
여기서, 종래의 모따기 장치와 실시형태의 모따기 장치 (14) 를 비교한다.Here, the conventional chamfering apparatus and the
종래의 모따기 장치는, 지석에 대해 유리판 (16) 을 화살표 A 방향으로 1 Pass (왕동) 시켜 단면 (16A) 을 모따기 가공하는 장치이다.The conventional chamfering apparatus is an apparatus which chamfers 16 A of end surfaces by making 1 Pass (reciprocating movement) of the
이에 대하여, 실시형태의 모따기 장치 (14) 는, 1 Pass 종료 후, 지석 (10) 의 높이를 변경하고, 유리판 (16) 을 화살표 B 방향으로 2 Pass (즉, 복동) 시켜, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 에 제 2 모따기 가공을 실시하는 장치이다. 따라서, 종래의 모따기 장치에 의한 모따기 방법과, 실시형태의 모따기 장치 (14) 에 의한 모따기 방법은 완전히 상이한 것이다.On the other hand, the
[모따기 방법의 다른 실시형태][Other embodiment of chamfering method]
도 6(A) ∼ 도 6(F) 는, 모따기 장치 (14) 에 의한 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.6(A) to 6(F) are explanatory views temporally showing another chamfering method by the
도 6(A) ∼ 도 6(F) 와 같이, 지석 (10) 에는, 분할 지석부 (36) 와 분할 지석부 (40) 가 구비되고, 지석 (12) 에는, 분할 지석부 (38) 와 분할 지석부 (42) 가 구비되어 있다.6(A) to 6(F), the
도 6(A) 는, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 38) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이가 조정되고, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동되고 있는 상태를 나타낸 개략 측면도이다.The state in which the height of the
이 후, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 은, 제 1 모따기 공정으로서, 도 6(B) 와 같이 계속되는 유리판 (16) 의 왕동에 의해, 먼저, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공되고, 그 후, 제 2 모따기 공정으로서, 분할 지석부 (38) 에 의해 중연삭 가공된다.After this, 16 A of end surfaces of the
도 6(C) 와 같이, 단면 (16A) 의 중연삭 가공이 종료되고, 유리판 (16) 이 왕동의 종점 위치에 위치하면, 도 1 의 제어 장치 (34) 가 이동 장치 (20) 를 제어하여, 정반 (18) 의 이동을 일단 정지시킨다.As shown in Fig. 6(C), when the heavy grinding processing of the end face 16A is finished and the
이 후, 제어 장치 (34) 는, 이송 장치 (31, 33) 를 제어하여 지석 (10, 12) 을 단면 (16A) 의 맞닿음 위치로부터 퇴피시킴과 함께, 승강 장치 (26, 28) 를 제어하여, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40, 42) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이를 조정한다. 즉, 도 6(D) 의 화살표 E 방향으로 지석 (10, 12) 을 상승 이동시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 정반 (18) 에 의해 화살표 B 방향으로 복동시키고, 도 6(E) 와 같이, 유리판 (16) 의 복동의 종점 위치에 위치시킨다. 이 후, 제어 장치 (34) 는, 이송 장치 (31, 33) 를 제어하여 지석 (10, 12) 을 단면 (16A) 의 맞닿음 위치에 진출 이동시킨다. 또한, 맞닿음 위치란, 지석 (10, 12) 의 분할된 각각의 분할 지석부 (36, 38, 40, 42) 에 대해, 지석 직경, 전단의 연삭량에 따른 추가 삽입량, 본드 종류에 따른 지석의 마모 정도, 마모 정도에 따른 유리판 1 장 가공마다의 추가 삽입량에 기초하여 설정된다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 정반 (18) 에 의해 화살표 A 방향으로 재차 왕동시킨다.Thereafter, the
도 6(F) 와 같이, 왕동하는 유리판 (16) 은, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40) 를 통과함으로써 마무리 가공되고 (즉, 제 3 모따기 공정이 실시되고), 분할 지석부 (42) 를 통과함으로써 경면 가공된다 (즉, 제 4 모따기 공정이 실시된다.).As shown in Fig. 6(F) , the reciprocating
도 7(A) ∼ 도 7(E) 는, 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.7(A) to 7(E) are explanatory views showing another chamfering method temporally.
도 7(A) ∼ 도 7(E) 와 같이, 지석 (10) 에는, 분할 지석부 (36) 와 분할 지석부 (42) 가 구비되고, 지석 (12) 에는, 동일한 분할 지석부 (40) 만이 구비되어 있다.7(A) to 7(E), the
도 7(A) 는, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 40) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이가 조정되고, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동되고 있는 상태를 나타낸 개략 측면도이다.7(A) is a state in which the height of the
이 후, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 은, 도 7(B) 와 같이 계속되는 유리판 (16) 의 왕동에 의해, 먼저, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공되고 (즉, 제 1 모따기 공정이 실시되고), 그 후, 분할 지석부 (40) 에 의해 마무리 가공된다 (즉, 제 2 모따기 공정이 실시된다.). 이 경우의 분할 지석부 (40) 의 연삭력은 약하다.Thereafter, the
도 7(C) 와 같이, 단면 (16A) 의 마무리 가공이 종료되고, 유리판 (16) 이 왕동의 종점 위치에 위치하면, 도 1 의 제어 장치 (34) 가 이동 장치 (20) 를 제어하여, 정반 (18) 의 이동을 일단 정지시킨다.As shown in Fig. 7(C), when the finishing processing of the
이 후, 제어 장치 (34) 는, 승강 장치 (26, 28) 를 제어하여, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40, 42) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이를 조정한다. 즉, 도 7(C) 의 화살표 E 방향으로 지석 (10, 12) 을 상승 이동시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 도 7(D) 와 같이 정반 (18) 에 의해 화살표 B 방향으로 복동시킨다.Thereafter, the
도 7(E) 와 같이, 복동하는 유리판 (16) 은, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40) 를 통과함으로써 2 번째의 마무리 가공 (즉, 제 3 모따기 공정) 이 실시되고, 분할 지석부 (42) 를 통과함으로써 경면 가공된다 (즉, 제 4 모따기 공정이 실시된다.).As for the
이 다른 모따기 방법에서는, 왕동시에 있어서의 분할 지석부 (40) 의 연삭력은 약하지만, 복동시에도 분할 지석부 (40) 에 의해 연삭되므로, 전체로서 요구되는 조도의 모따기 가공을 실시할 수 있다.In this other chamfering method, although the grinding force of the divided
도 8(A) ∼ 도 8(E) 는, 다른 모따기 방법을 계시적으로 나타낸 설명도이다.8(A) to 8(E) are explanatory views showing another chamfering method temporally.
도 8(A) ∼ 도 8(E) 와 같이, 지석 (10) 에는 동일한 분할 지석부 (36) 만이 구비되고, 지석 (12) 에는 분할 지석부 (38) 와 분할 지석부 (40) 가 구비되어 있다.8(A) to 8(E), only the same divided
도 8(A) 는, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (36, 38) 를 통과하는 높이로 지석 (10, 12) 의 높이가 조정되고, 유리판 (16) 이 화살표 A 방향으로 왕동되고 있는 상태를 나타낸 개략 측면도이다.8(A) is a state in which the height of the
이 후, 유리판 (16) 의 단면 (16A) 은, 도 8(B) 와 같이 계속되는 유리판 (16) 의 왕동에 의해, 먼저, 분할 지석부 (36) 에 의해 조연삭 가공되고 (즉, 제 1 모따기 공정이 실시되고), 그 후, 분할 지석부 (38) 에 의해 중연삭 가공된다 (즉, 제 2 모따기 공정이 실시된다.).After that, the
도 8(C) 와 같이, 단면 (16A) 의 중연삭 가공이 종료되고, 유리판 (16) 이 왕동의 종점 위치에 위치하면, 도 1 의 제어 장치 (34) 가 이동 장치 (20) 를 제어하여, 정반 (18) 의 이동을 일단 정지시킨다.As shown in Fig. 8(C), when the heavy grinding processing of the end face 16A is finished and the
이 후, 제어 장치 (34) 는, 이송 장치 (31) 를 제어하여 지석 (10) 을 단면 (16A) 의 맞닿음 위치로부터 퇴피시킴과 함께, 승강 장치 (28) 를 제어하여, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40) 를 통과하는 높이로 지석 (12) 의 높이를 조정한다. 즉, 도 8(C) 의 화살표 E 방향으로 지석 (12) 을 상승 이동시킨다. 그리고, 제어 장치 (34) 는, 이동 장치 (20) 를 제어하여 유리판 (16) 을, 도 8(D) 와 같이 정반 (18) 에 의해 화살표 B 방향으로 복동시킨다.Thereafter, the
도 8(E) 와 같이, 복동하는 유리판 (16) 은, 제 3 모따기 공정으로서, 단면 (16A) 이 분할 지석부 (40) 를 통과함으로써 마무리 가공된다.As shown in FIG. 8(E) , the double-acting
이 다른 모따기 방법에서는, 분할 지석부 (42) 에 의한 경면 가공이 실시되지 않지만, 분할 지석부 (40) 의 입도를 높임으로써, 경면 가공과 동등한 마무리 가공을 실시할 수 있으면, 지석 (10) 에 분할 지석부 (42) 를 구비할 필요는 없다.In this other chamfering method, mirror-finishing by the divided
[모따기 장치 (14) 를 사용한 유리판의 제조 방법의 특징][Features of the manufacturing method of the glass plate using the chamfering device 14]
본 발명의 실시형태의 유리판의 제조 방법은,The manufacturing method of the glass plate of embodiment of this invention,
유리 원료를 가열하여 용융 유리를 얻는 용해 공정과,A melting step of heating a glass raw material to obtain a molten glass;
상기 용융 유리를 판상으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,A forming step of making the molten glass into a plate shape to obtain a glass ribbon;
상기 유리 리본을 절단하여 유리판을 얻는 절단 공정과,A cutting step of cutting the glass ribbon to obtain a glass plate;
상기 유리판의 모따기 방법에 의해 유리판을 모따기하는 모따기 공정을 갖는다.It has the chamfering process of chamfering a glass plate by the chamfering method of the said glass plate.
용해 공정에서는, 원하는 유리 조성이 되도록 규사, 그 밖의 유리 원료를 조정하고, 원료를 용해로에 투입하고, 바람직하게는 1400 ℃ ∼ 1650 ℃ 정도로 가열하여 용융 유리를 얻는다.At a melting process, silica sand and another glass-making feedstock are adjusted so that it may become a desired glass composition, a raw material is thrown into a melting furnace, Preferably it heats about 1400 degreeC - 1650 degreeC, and a molten glass is obtained.
성형 공정에서는, 플로트법, 퓨전법 등을 적용하여 용융 유리를 판상으로 하여 유리 리본을 얻는다. 예를 들어, 플로트법에서는 용융 유리를 용융 금속 상에 흘려 판상으로 하여 유리 리본을 얻는다.At a shaping|molding process, a float method, a fusion method, etc. are applied, a molten glass is made into a plate shape, and a glass ribbon is obtained. For example, by the float method, a molten glass is flowed on a molten metal, it is made into plate shape, and a glass ribbon is obtained.
절단 공정에서는, 유리 리본을 서랭 후, 유리 리본을 소정의 크기로 절단하고, 유리판을 얻는다.At a cutting process, after annealing a glass ribbon, a glass ribbon is cut|disconnected to a predetermined|prescribed size, and a glass plate is obtained.
모따기 방법에서는, 상기 서술한 유리판의 모따기 방법에 의해 유리판을 모따기한다.In the chamfering method, a glass plate is chamfered by the chamfering method of the above-mentioned glass plate.
본 발명의 유리판의 제조 방법에 의하면, 모따기 품질이 향상된 유리판 (16) 을 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the glass plate of this invention, the
또, 지석의 회전 장치를 증설하는 것 등의 대규모의 개조를 하지 않고, 제어 장치 (34) 의 동작 소프트 개조만으로 대응 가능하고, 개조에 필요로 하는 시간, 비용을 대폭적으로 삭감할 수 있다.Moreover, it is possible to cope only with the operation and soft remodeling of the
또한, 지석 (10, 12) 의 가공 속도를 높임으로써, 가공 택트를 바꾸지 않고, 즉, 유리판 (16) 의 생산성을 저하시키지 않고 모따기의 가공 품질을 향상시킬 수 있다.Moreover, the processing quality of chamfering can be improved, without changing a processing tact, ie, without reducing the productivity of the
또한, 다른 모따기 방법으로서, 일본 공개특허공보 2008-49449호에 개시된 모따기 방법에 본 발명의 모따기 방법을 적용할 수 있다. 즉, 제 1 모따기 지석이 유리판의 한 변에 있어서, 한 변의 대략 중앙부로부터 한 변의 타방의 단부까지 모따기를 실시하고, 제 2 모따기 지석이 동일한 한 변의 일방의 단부로부터, 동일한 한 변의 대략 중앙부까지 모따기를 실시하는 것을 특징으로 하는, 상기 공보에 개시된 모따기 방법에도, 본 발명의 모따기 장치 및 모따기 방법을 적용할 수 있다.Moreover, as another chamfering method, the chamfering method of this invention is applicable to the chamfering method disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-49449. That is, in one side of a glass plate, a 1st chamfering grindstone chamfers from the substantially central part of one side to the other edge part of one side, and a 2nd chamfering grindstone chamfers from one end of the same side to the substantially central part of the same side. The chamfering device and the chamfering method of the present invention can also be applied to the chamfering method disclosed in the above publication, characterized in that it is implemented.
본 발명에 관련된 유리판의 모따기 장치, 유리판의 모따기 방법, 및 유리판의 제조 방법에 의하면, 지석의 개수를 증가시키지 않고, 유리판의 모따기 품질을 향상시킬 수 있다.According to the chamfering apparatus of the glass plate which concerns on this invention, the chamfering method of a glass plate, and the manufacturing method of a glass plate, the chamfering quality of a glass plate can be improved, without increasing the number of objects of a grindstone.
또한, 2014년 12월 19일에 출원된 일본 특허 출원 2014-257462호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 개시로서 받아들이는 것이다.In addition, all the content of the specification of JP Patent application 2014-257462 for which it applied on December 19, 2014, a claim, drawing, and an abstract is referred here, and it takes in as an indication of this invention.
10, 12 : 지석,
14 : 모따기 장치,
16 : 유리판,
16A ∼ 16D : 단면,
18 : 정반,
20 : 이동 장치,
22, 24 : 모터,
26, 28 : 승강 장치,
30, 32 : 노즐,
31, 33 : 이송 장치,
34 : 제어 장치,
36, 38, 40, 42 : 분할 지석부.10, 12: Ji-seok,
14: chamfering device;
16: glass plate,
16A ~ 16D: single-sided,
18: surface plate,
20: mobile device;
22, 24: motor;
26, 28: elevating device,
30, 32: nozzle,
31, 33: conveying device;
34: control unit;
36, 38, 40, 42: divided grindstone parts.
Claims (9)
상기 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전 수단과,
유리판의 단면과 직교하는 제 1 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 1 이동 수단과,
상기 유리판의 단면이 연장되는 제 2 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 왕복 이동시키고, 상기 유리판의 동일 단면을 복수 회 연삭시키는 제 2 이동 수단과,
상기 유리판의 주면 및 상기 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 3 이동 수단과,
상기 제 1 이동 수단, 제 2 이동 수단, 및 제 3 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고,
상기 제 1 지석 및 상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높은 유리판의 모따기 장치.Ji-seok and
a rotating means for rotating the grindstone about its central axis;
A first moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate along a first direction orthogonal to the cross section of the glass plate;
a second moving means for relatively reciprocating the grindstone and the glass plate along a second direction in which the cross-section of the glass plate extends, and grinding the same cross-section of the glass plate a plurality of times;
a third moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate along a third direction orthogonal to the main surface of the glass plate and the second direction;
control means for controlling the first moving means, the second moving means, and the third moving means;
The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
The first grindstone and the second grindstone are configured in a columnar shape and divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding ability of one divided grindstone part is higher than the grinding ability of the other divided grindstone part. Chamfering device for high glass plates.
상기 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전 수단과,
유리판의 단면과 직교하는 제 1 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 1 이동 수단과,
상기 유리판의 단면이 연장되는 제 2 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 왕복 이동시키고, 상기 유리판의 동일 단면을 복수 회 연삭시키는 제 2 이동 수단과,
상기 유리판의 주면 및 상기 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향을 따라, 상기 지석 및 상기 유리판을 상대적으로 이동시키는 제 3 이동 수단과,
상기 제 1 이동 수단, 제 2 이동 수단, 및 제 3 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 지석은, 적어도 제 1 지석과 제 2 지석으로 구성되고,
상기 제 1 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높고,
상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 동일한 연삭 능력을 갖는 유리판의 모따기 장치.Ji-seok and
a rotating means for rotating the grindstone about its central axis;
A first moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate along a first direction orthogonal to the cross section of the glass plate;
a second moving means for relatively reciprocating the grindstone and the glass plate along a second direction in which the cross-section of the glass plate extends, and grinding the same cross-section of the glass plate a plurality of times;
a third moving means for relatively moving the grindstone and the glass plate along a third direction orthogonal to the main surface of the glass plate and the second direction;
control means for controlling the first moving means, the second moving means, and the third moving means;
The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
The first grindstone is configured in a columnar shape and is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding capability of the divided divided grindstone part is higher than the grinding ability of the divided other divided grindstone part;
A said 2nd grindstone is the chamfering apparatus of the glass plate which is comprised in the column shape and has the same grinding ability.
상기 유리판은, 사각 형상이며, 상기 유리판의 대향하는 2 단면에 대향하여 상기 지석이 배치되는 유리판의 모따기 장치.3. The method of claim 1 or 2,
The said glass plate is a square shape, The chamfering apparatus of the glass plate by which the said grindstone is arrange|positioned opposing two end surfaces of the said glass plate.
상기 제 1 지석 및 상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높게 되어 있고,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 1 모따기 공정과,
상기 제 2 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 2 모따기 공정과,
상기 제 2 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 3 모따기 공정과,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 4 모따기 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 유리판의 모따기 방법.The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
The first grindstone and the second grindstone are configured in a columnar shape and divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding ability of one divided grindstone part is higher than the grinding ability of the other divided grindstone part. is high,
After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 1st grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 1st grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 1 A first chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone about its central axis;
After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 2nd grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 2nd grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 2 A second chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone around its central axis;
After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the second grindstone on one end surface of the glass plate, the second grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the A third chamfering process of grinding the one end surface by rotating the second grindstone about its central axis;
After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the first grindstone to one end surface of the glass plate, the first grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the A chamfering method of a glass plate comprising a fourth chamfering step of grinding the one end surface by rotating the first grindstone about its central axis.
상기 제 1 지석은, 원주상으로 구성되어 축 방향으로 적어도 2 개 이상의 분할 지석부로 분할되고, 분할된 일방의 분할 지석부의 연삭 능력은, 분할된 타방의 분할 지석부의 연삭 능력보다 높게 되어 있고,
상기 제 2 지석은, 원주상으로 구성되어 동일한 연삭 능력을 갖는 상기 지석으로 구성되고,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 높은 일방의 분할 지석부를 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 1 모따기 공정과,
상기 제 2 지석을 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 일방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 2 모따기 공정과,
상기 제 2 지석을 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 2 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 2 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 3 모따기 공정과,
상기 제 1 지석의 연삭 능력이 낮은 타방의 분할 지석부를 상기 유리판의 일단면에 가압한 후, 상기 제 1 지석과 상기 유리판을, 상기 일단면의 타방의 연장 방향으로 상대적으로 이동시킴과 함께, 상기 제 1 지석을 그 중심축을 중심으로 회전시켜 상기 일단면을 연삭하는 제 4 모따기 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 유리판의 모따기 방법.The grindstone is composed of at least a first grindstone and a second grindstone,
The first grindstone is configured in a columnar shape and is divided into at least two or more divided grindstone parts in the axial direction, and the grinding capacity of one divided divided grindstone part is higher than the grinding ability of the divided other divided grindstone part,
The second grindstone is configured in a columnar shape and is composed of the grindstone having the same grinding ability,
After pressing the one divided grindstone part with high grinding ability of the said 1st grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving the said 1st grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, 1 A first chamfering process of grinding the one end surface by rotating the grindstone about its central axis;
After pressing the said 2nd grindstone to the one end surface of a glass plate, while relatively moving a said 2nd grindstone and the said glass plate in the one extension direction of the said one end surface, the said 2nd grindstone is rotated about the central axis. A second chamfering process of grinding the one end surface by
After pressing the second grindstone to one end surface of the glass plate, the second grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the second grindstone is moved around its central axis A third chamfering process of grinding the one end surface by rotating;
After pressing the other divided grindstone part having a low grinding ability of the first grindstone to one end surface of the glass plate, the first grindstone and the glass plate are relatively moved in the other extension direction of the one end surface, and the A chamfering method of a glass plate comprising a fourth chamfering step of grinding the one end surface by rotating the first grindstone about its central axis.
상기 유리판은, 사각 형상이며, 상기 유리판의 대향하는 2 단면에 대향하여 상기 지석이 배치되는 유리판의 모따기 방법.6. The method according to claim 4 or 5,
The said glass plate is a quadrangular shape, The chamfering method of the glass plate by which the said grindstone is arrange|positioned opposing two end surfaces of the said glass plate.
상기 용융 유리를 판상으로 하여 유리 리본을 얻는 성형 공정과,
상기 유리 리본을 절단하여 유리판을 얻는 절단 공정과,
제 4 항 또는 제 5 항에 기재된 유리판의 모따기 방법에 의해 상기 유리판을 모따기하는 모따기 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.A melting step of heating a glass raw material to obtain a molten glass;
A forming step of making the molten glass into a plate shape to obtain a glass ribbon;
A cutting step of cutting the glass ribbon to obtain a glass plate;
It has the chamfering process of chamfering the said glass plate by the chamfering method of the glass plate of Claim 4 or 5, The manufacturing method of the glass plate characterized by the above-mentioned.
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