KR102409375B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되며, 외벽에 복수의 볼트공(122)이 형성되는 챔버(100)와; 상기 복수의 볼트공(122)에 대응되어 복수의 관통공(231)이 형성되며, 상기 관통공(231)을 관통하여 상기 볼트공(122)에 볼트결합되는 복수의 결합볼트(300)들을 통해 상기 챔버(100)에 결합되는 적어도 하나의 보강부재(200)와; 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200) 사이 및 상기 보강부재(200)와 상기 결합볼트(300)의 볼트머리(310) 사이 중 적어도 하나에 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200)의 상대이동을 위하여 마찰력을 감소시키는 마찰억제수단(400)을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing substrate processing such as deposition and etching on a substrate.
The present invention includes a chamber 100 in which a processing space (S) for processing a substrate is formed therein, and a plurality of bolt holes 122 are formed in an outer wall; A plurality of through-holes 231 are formed to correspond to the plurality of bolt holes 122 , and through a plurality of coupling bolts 300 that pass through the through-holes 231 and are bolted to the bolt holes 122 . at least one reinforcing member 200 coupled to the chamber 100; Between the chamber 100 and the reinforcing member 200 and between the reinforcing member 200 and the bolt head 310 of the coupling bolt 300 at least one of the chamber 100 and the reinforcing member 200 Disclosed is a substrate processing apparatus including a friction suppression means 400 for reducing frictional force for the relative movement of the substrate.
Description
본 발명은, 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing substrate processing such as deposition and etching on a substrate.
기판처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 서셉터 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to an apparatus that performs substrate processing such as depositing and etching the surface of a substrate seated on a susceptor by applying power to a closed processing space to form plasma.
이때, 상기 기판처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드조립체와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터를 포함하여 구성된다. At this time, the substrate processing apparatus includes a top lid and a chamber body coupled to each other to form a processing space, a showerhead assembly installed on the top lid to spray gas for substrate processing into the processing space, and a chamber body installed on the substrate to remove the substrate It is configured to include a supporting susceptor.
한편, 기판의 대면적화에 따라 챔버의 크기 또한 커지면서, 기판처리장치의 변형 방지 필요성이 대두되었으며, 특히 탑리드가 고온의 공정환경에서 변형되는 경우 기판처리공간의 진공유지가 불가능하고, 내부 구성이 파손되는 등의 문제점이 있다.On the other hand, as the size of the chamber increases with the increase in the size of the substrate, the need to prevent deformation of the substrate processing apparatus has emerged. There are problems such as breakage.
종래에는 챔버의 변형을 방지하기 위하여, 단순히 챔버의 두께를 두껍게하는 방법을 사용하였으나, 챔버의 두께를 키우는데 있어서 생산 가능한 소재 사이즈에 한계가 있으며, 후처리 비용과 시간이 크게 증가하여 원가 경쟁력이 약화되며, 가공이 어려운 문제점이 있다.Conventionally, in order to prevent deformation of the chamber, a method of simply increasing the thickness of the chamber has been used, but there is a limit to the size of material that can be produced in increasing the thickness of the chamber, and the post-processing cost and time are greatly increased, thereby weakening the cost competitiveness. And there is a problem that processing is difficult.
이러한 문제점을 극복하기 위하여, 종래에는 챔버에 별도의 보강구조물을 결합하여, 기존 챔버의 두께변화 없이 보강구조물을 통해 챔버의 변형을 방지하였다. In order to overcome this problem, conventionally, a separate reinforcing structure is coupled to the chamber to prevent deformation of the chamber through the reinforcing structure without changing the thickness of the existing chamber.
그러나, 보강구조물을 결합하여 사용하는 경우, 상온에서 보강 효과는 우수하나 고온 환경 하에서는 보강구조물과 챔버의 서로 다른 열팽창률로 인해 보강구조물의 변형정도와 챔버의 변형정도가 상이해 전체 형상이 변형되는 문제점이 있다.However, when the reinforcing structures are combined and used, the reinforcing effect is excellent at room temperature, but under a high temperature environment, the degree of deformation of the reinforcing structure and the degree of deformation of the chamber are different due to the different coefficients of thermal expansion of the reinforcing structure and the chamber, so that the overall shape is deformed. There is a problem.
또한, 보강구조물은 챔버에 볼트결합을 통해 밀착결합되는 구성이므로, 챔버의 변형정도와 보강구조물의 변형정도가 상이할 경우, 볼트에 응력이 집중되어 결합이 파손되기 쉽고, 더 나아가 챔버 자체가 휘거나 파손되는 문제점이 있다.In addition, since the reinforcing structure is a configuration that is closely coupled to the chamber through bolt coupling, when the degree of deformation of the chamber and the degree of deformation of the reinforcing structure are different, stress is concentrated on the bolt and the coupling is easily damaged, and furthermore, the chamber itself is deformed. Or there is a problem of breakage.
또한, 대체로 알루미늄 재질의 챔버 열팽창률이 강철 재질의 보강부재의 열팽창률에 비해 더 크므로, 고온환경에서 결합에 의해 챔버가 보강부재 설치면으로 휘어지는 문제점이 있다.In addition, since the coefficient of thermal expansion of the chamber made of aluminum is generally larger than that of the reinforcing member made of steel, there is a problem in that the chamber is bent toward the mounting surface of the reinforcing member by bonding in a high-temperature environment.
특히, 챔버 상단의 탑리드의 경우, 챔버의 열변형 및 진공변형 등 각종 원인에 따른 변형에 가장 큰 변형정도를 보이며, 탑리드가 변형되는 경우, 챔버 내부의 진공유지가 불가능하거나, 내부 구성이 파손되는 등의 문제점이 있다.In particular, in the case of the top lid at the top of the chamber, it shows the greatest degree of deformation due to various causes such as thermal deformation and vacuum deformation of the chamber. There are problems such as breakage.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 보강구조물과 챔버가 결합된 상태에서 상대이동 가능한 기판처리장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of relatively moving in a state in which a reinforcing structure and a chamber are coupled in order to solve the above problems.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되며, 외벽에 복수의 볼트공(122)이 형성되는 챔버(100)와; 상기 복수의 볼트공(122)에 대응되어 복수의 관통공(231)이 형성되며, 상기 관통공(231)을 관통하여 상기 볼트공(122)에 볼트결합되는 복수의 결합볼트(300)들을 통해 상기 챔버(100)에 결합되는 적어도 하나의 보강부재(200)와; 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200) 사이 및 상기 보강부재(200)와 상기 결합볼트(300)의 볼트머리(310) 사이 중 적어도 하나에 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200)의 상대이동을 위하여 마찰력을 감소시키는 마찰억제수단(400)을 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention is a chamber in which a processing space (S) for processing a substrate is formed therein, and a plurality of
상기 챔버(100)는, 상부가 개방되고 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부를 커버하는 탑리드(120)를 포함하며, 상기 적어도 하나의 보강부재(200)는, 상기 탑리드(120)의 상부면에 결합될 수 있다.The
상기 복수의 관통공(231)들은, 상기 보강부재(200)가 상기 챔버(100)와 결합된 상태에서 상대이동 가능하도록, 내경이 상기 볼트공(122)보다 크게 형성될 수 있다.The plurality of through-
상기 마찰억제수단(400)은, 접촉면의 마찰계수가 상기 챔버(100), 상기 보강부재(200) 및 상기 결합볼트(300) 보다 작은 삽입패드(410)를 포함할 수 있다.The friction suppression means 400 may include an
상기 마찰억제수단(400)은, 상기 볼트머리(310)의 저면과 상기 보강부재(200) 사이에서 상기 결합볼트(300)의 나사부(320)를 감싸도록 설치되며, 볼트머리(310) 및 보강부재(200)와의 접촉면의 마찰계수가 상기 결합볼트(300) 및 상기 보강부재(200) 보다 작은 와셔부(420)를 포함할 수 있다.The friction suppression means 400 is installed between the bottom surface of the
상기 마찰억제수단(400)은, 상기 결합볼트(300), 상기 보강부재(200) 및 상기 챔버(100) 사이의 접촉면들 중 적어도 하나에 마찰계수가 상기 결합볼트(300), 상기 보강부재(200) 및 상기 챔버(100)보다 작은 코팅물질로 코팅될 수 있다.The friction suppression means 400 has a coefficient of friction on at least one of the contact surfaces between the
상기 마찰억제수단(400)은, 재질이 엔지니어링 플라스틱일 수 있다.The friction suppression means 400 may be made of engineering plastics.
상기 마찰억제수단(400)은, 재질이 PTFE(Polytetrafluoroethylene)일 수 있다.The
상기 다수의 관통공(231)들은, 상기 챔버(100)의 가장자리측에 위치하는 관통공(231)의 내경이 상기 챔버(100)의 중심측에 위치하는 관통공(231)에 비하여 크게 형성될 수 있다.The plurality of through-
본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버 특히, 탑리드에 보강구조물을 설치함으로써, 대형화된 챔버의 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of preventing deformation of the enlarged chamber by installing a reinforcing structure in the chamber, in particular, the top lid.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버에 설치되는 보강구조물과 챔버가 결합된 상태에서 상대이동 가능하게 함으로써, 고온 환경에서 보강구조물과 챔버 사이에 열팽창률의 차이로 인한 각각의 변형에도 전체 형상이 유지되는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention enables relative movement in a state in which the reinforcing structure installed in the chamber and the chamber are coupled, so that the overall shape is achieved despite each deformation due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the reinforcing structure and the chamber in a high-temperature environment. This has the advantage of being maintained.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 보강구조물과 챔버가 결합된 상태에서 상대이동 가능하게 함으로써, 결합을 위해 설치되는 볼트에 응력이 집중되는 것을 방지하여 보강구조물이 챔버에 견고하게 결합될 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention enables relative movement in a state in which the reinforcing structure and the chamber are coupled, thereby preventing the concentration of stress on the bolt installed for the coupling, so that the reinforcing structure can be firmly coupled to the chamber. There is an advantage.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 보강구조물과 챔버의 열팽창률 차이에 의한 각각의 변형에도 전체 형상을 유지함으로써, 처리공간 내부의 실링을 통한 진공유지가 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention maintains the overall shape despite each deformation due to a difference in thermal expansion coefficient between the reinforcing structure and the chamber, so that the vacuum can be maintained through the sealing inside the processing space.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 보강구조물과 챔버의 열변형 뿐만아니라, 진공변형을 포함하는 장치 사용 과정에서 발생가능한 어떠한 변형에도 전체 형상을 유지할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has an advantage in that it can maintain its overall shape despite any deformation that may occur in the process of using the apparatus including vacuum deformation as well as thermal deformation of the reinforcing structure and the chamber.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 보강부재와 탑리드 사이에 마찰억제수단이 설치된 모습을 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 2에 따른 기판처리장치 중 보강부재와 볼트 사이에 마찰억제수단이 추가로 설치된 모습을 보여주는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 3에 따른 기판처리장치 중 보강부재와 탑리드 사이의 상대이동 과정을 보여주는 Ⅳ-Ⅳ방향 단면도들이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a state in which a friction suppressing means is installed between a reinforcing member and a top lead in the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a friction suppressing means is additionally installed between a reinforcing member and a bolt in the substrate processing apparatus according to FIG. 2 .
4A and 4B are cross-sectional views in the IV-IV direction illustrating a relative movement process between the reinforcing member and the top lead in the substrate processing apparatus according to FIG. 3 .
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 내부에 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되며, 외벽에 복수의 볼트공(122)이 형성되는 챔버(100)와; 상기 복수의 볼트공(122)에 대응되어 복수의 관통공(231)이 형성되며, 상기 관통공(231)을 관통하여 상기 볼트공(122)에 볼트결합되는 복수의 결합볼트(300)들을 통해 상기 탑리드(120)에 결합되는 적어도 하나의 보강부재(200)와; 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200) 사이 및 상기 보강부재(200)와 상기 결합볼트(300)의 볼트머리(310) 사이 중 적어도 하나에 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200)의 상대이동을 위하여 마찰력을 감소시키는 마찰억제수단(400)을 포함한다. In the substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in FIGS. 1 to 4B , a processing space (S) for substrate processing is formed therein, and a plurality of
상기 복수의 관통공(231)들은, 상기 보강부재(200)가 상기 챔버(100)와 결합된 상태에서 상대이동 가능하도록, 내경이 상기 볼트공(122)보다 크게 형성된다.The plurality of through-
또한 상기 기판처리장치는, 챔버본체(110)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와, 기판지지부(20)의 상부에 설치되어 공정수행을 위한 가스를 분사하는 샤워헤드조립체(30)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus includes a
여기서 기판처리의 대상인 기판(1)은, 식각, 증착 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다. Here, the
상기 챔버(100)는, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 챔버(100)는, 상부가 개방되고 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되는 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 상부를 커버하며, 상부면에 다수의 볼트공(122)이 형성되는 탑리드(120)를 포함할 수 있다. For example, the
상기 챔버본체(110)는, 상부가 개방되고 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
특히, 상기 챔버본체(110)는, 기판지지부(20) 등이 설치되며, 처리공간(S)에 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 내측벽에 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다. In particular, in the
상기 게이트(111)는, 처리공간(S)에 기판(1)의 도입 및 배출을 위해 챔버(100) 중 챔버본체(110)에 형성되는 구조로서, 다양한 구조가 가능하다.The
상기 기판지지부(20)는, 챔버(100) 내 처리공간(S)의 하측에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 기판지지부(20)는, 기판(1)이 안착되는 기판안착부(21)와, 기판안착부(21)가 상하이동 가능하도록 기판안착부(21)의 하측에 설치되는 지지축(22)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 기판지지부(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트(111)를 통한 기판(1)의 도입 및 배출을 위하여 상하이동이 가능하도록 설치될 수 있으며, 더 나아가 기판(1)을 가열하거나, 냉각하는 등 온도제어를 위하여 히터 등 온도제어부재가 추가로 설치될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the
상기 샤워헤드조립체(30)는, 챔버(100)의 상단에 설치되며, 탑리드(120)를 관통하여 가스를 처리공간(S) 내부로 도입하는 하나 이상의 디퓨저(31)와 디퓨저(31)를 통해 도입된 가스가 확산되기 위한 확산공간을 형성하는 미드플레이트(33)와, 미드플레이트(33)의 하단에 설치되어 다수의 분사공을 통해 확산된 가스가 분사되는 분사플레이트(34)를 포함할 수 있다. The
또한 상기 샤워헤드조립체(30)는, 탑리드(120)와 절연되기 위하여, 탑리드(120)와의 접촉부에 설치되는 절연부재(32)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the
상기 탑리드(120)는, 챔버본체(110)의 개구를 복개하여 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 탑리드(120)는, 챔버본체(110)의 형상에 대응되어 챔버본체(110)의 개구를 복개할 수 있으며, 챔버본체(110)가 평면상 사각형인 경우, 사각 형상을, 챔버본체(110)가 평면상 육각형 형상인 경우, 육각 형상일 수 있다.For example, the
상기 탑리드(120)는, 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 처리공간(S)의 천장을 이루는 본체부분(121)과, 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)의 측벽의 일부를 이루며, 챔버본체(110)와 직접 접촉하여 결합되는 단부를 포함할 수 있다.The
또한 상기 탑리드(120)는, 후술하는 보강부재(200)와의 볼트결합을 위하여 결합볼트(300)가 체결되기 위한 복수의 볼트공(122)이 형성될 수 있다.In addition, the
상기 복수의 볼트공(122)들은, 후술하는 보강부재(200)를 관통하는 결합볼트(300)와 볼트결합하기 위하여, 내주면에 대응되는 나사산이 형성될 수 있다.The plurality of
한편 상기 챔버(100)는, 금속재질로 구성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 알루미늄 재질일 수 있다.Meanwhile, the
본 발명에 대하여, 상기 보강부재(200)는, 챔버(100)에 결합됨으로써, 챔버(100)의 열변형 및 진공변형을 방지할 수 있으며, 이에 따라 챔버(100)의 어떠한 위치에도 결합될 수 있다.With respect to the present invention, the reinforcing
한편, 상기 보강부재(200)는, 챔버(100)에 열변형 및 진공변형이 발생하는 경우, 변형량이 가장 큰 부분이 탑리드(120)이므로, 탑리드(120)에 설치됨이 가장 바람직하며, 이를 통해 챔버(100)의 변형을 가장 효과적으로 방지할 수 있다.On the other hand, the reinforcing
이에, 이하에서는 보강부재(200)가 탑리드(120)의 상부면에 결합되는 예에 대하여 상세히 설명하며, 동일 내용이 탑리드(120) 뿐만아니라, 챔버본체(110) 등 챔버(100) 전반에 적용될 수 있음은 또한 물론이다.Accordingly, below, an example in which the reinforcing
상기 보강부재(200)는, 챔버(100)에 결합되어 챔버(100)의 변형을 방지하며, 보다 구체적으로는 탑리드(120)의 상부면에 결합되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The reinforcing
즉, 상기 보강부재(200)는, 탑리드(120)에 결합되어 탑리드(120)의 공정환경에 따른 다양한 변형을 방지하는 구성이면, 어떠한 구성도 적용 가능하다.That is, as long as the reinforcing
예를 들면, 상기 보강부재(200)는, 'H'빔 형태로서, 탑리드(120)의 변형을 방지하기 위하여 탑리드(120) 측에 형성되는 하부베이스(230)와, 하부베이스(230)로부터 평행하게 이격되어 형성되는 상부베이스(210)와, 상부베이스(210)와 하부베이스(230)를 연결하는 연결부(220)를 포함할 수 있다.For example, the reinforcing
특히, 상기 보강부재(200)는, 탑리드(120)의 변형을 방지하기 위하여 높은 강도를 가지는 재질로 구성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 탑리드(120)와는 달리 강철소재일 수 있다. In particular, the reinforcing
또한 상기 보강부재(200)는, 적어도 하나 이상 설치될 수 있으며, 보다 바람직하게는 복수개가 탑리드(120)에 설치되어, 탑리드(120)의 변형을 방지할 수 있다.In addition, at least one reinforcing
특히, 상기 보강부재(200)들은, 탑리드(120)의 상단에 설치되는 구성들과, 탑리드(120)의 형상에 따른 변형가능성을 예측하여 다양한 형태로 설치될 수 있다.In particular, the reinforcing
일예로, 상기 보강부재(200)들은, 도 1에 도시된 바와 같이, 탑리드(120)의 변에 대응되는 길이로 형성되고, 상측에서 서로 평행하며 일정간격으로 이격되어 설치될 수 있다.For example, as shown in FIG. 1 , the reinforcing
또한 다른 예로서, 상기 보강부재(200)들은, 중심을 기준으로 평면상 복수의 사각형이 중심에 사각형을 둘러싸도록 배치되어 설치될 수 있다.Also, as another example, the reinforcing
또한 다른 예로서, 상기 보강부재(200)들은, 탑리드(120)의 상부면에 격자형으로 배치되어 설치될 수 있다.As another example, the reinforcing
상기 상부베이스(210)는, 보강부재(200)의 상측에 위치하는 구성이 안착되어 설치될 수 있도록 연결부(220)로부터 평면상 면적이 확장되어 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
상기 연결부(220)는, 상부베이스(210)와 하부베이스(230)를 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
상기 하부베이스(230)는, 탑리드(120) 측에 설치되며, 탑리드(120)의 변형을 방지하기 위하여, 연결부(220)로부터 평면상 면적이 확장되어 형성될 수 있다.The
또한 상기 하부베이스(230)는, 탑리드(120)와 볼트결합되기 위하여, 복수의 관통공(231)이 형성될 수 있으며, 이로써 관통공(231)을 관통하여 볼트공(122)에 볼트결합되는 결합볼트(300)를 통해 탑리드(120)에 결합될 수 있다. In addition, the
상기 관통공(231)은, 탑리드(120)와 보강부재(200)를 볼트결합하기 위하여, 탑리드(120)에 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The through
예를 들면 상기 관통공(231)은, 보강부재(200)가 탑리드(120)와 결합된 상태에서 상대이동 가능하도록, 내경이 볼트공(121)보다 크게 형성될 수 있다.For example, the through
즉, 상기 관통공(231)은, 탑리드(120)에 형성된 볼트공(121)에 결합된 결합볼트(300)가 관통공(231) 내부에서 상대이동 가능하도록, 내경이 볼트공(121)보다 크게 형성될 수 있다.That is, the through
보다 구체적으로, 탑리드(120)는 알루미늄 재질로 구성되며, 보강부재(200)는 강철 재질로 구성되는 바, 열팽창률이 알루미늄이 더 크므로 고온 환경에서 탑리드(120)의 변형정도가 클 수 있다.More specifically, the
따라서, 탑리드(120)의 최외각으로부터 보강부재(200)의 최외각까지의 거리는, 상온에서의 거리(d1)에 비해 고온에서의 거리(d2)가 더 커질 수 있다.Accordingly, the distance from the outermost shell of the
또한, 상기 관통공(231)들은, 보강부재(200)들의 배치 및 결합형태에 따라서 그 형상이 달라질 수 있으며, 보다 구체적으로는 챔버(100)의 변형방향에 따른 챔버(100)와 보강부재(200)들의 상대이동 방향으로 결합볼트(300)와 이격공간이 형성되도록하는 형태일 수 있다.In addition, the shape of the through-
예로서, 상기 관통공(231)들은, 보강부재(200)들이 직선형으로 배치되는 경우, 평면상 원형 또는 보강부재(200)들의 직선방향으로 장축이 형성되는 타원형의 장공일 수 있다.For example, when the reinforcing
또한 상기 관통공(231)들은, 보강부재(200)들이 챔버(100)에 격자형으로 결합되는 경우, 챔버(100) 및 보강부재(200)들의 상대이동방향이 중심을 기준으로 방사형태이므로, 그 평면상 형상이 방사방향이 장축이 되는 타원형의 장공일 수 있다.In addition, the through-
한편, 상기 관통공(231)들은, 탑리드(120)의 가장자리측에 위치하는 관통공(231)의 내경이 탑리드(120)의 중심측에 위치하는 관통공(231)에 비하여 크게 형성될 수 있다.On the other hand, the through-
이 경우, 열팽창에 따른 변형은 탑리드(120)의 중심에서 가장자리측으로 갈수록 크게 일어나므로, 탑리드(120)와 보강부재(200) 사이의 상대이동의 범위를 탑리드(120)의 가장자리 측에서 크게할 수 있다.In this case, since the deformation due to thermal expansion increases from the center of the
이때, 관통공(231)들이 장공형태인 경우, 장축의 길이가 탑리드(120)의 가장자리 측에서 중심부에 비해 크게 형성될 수 있다.In this case, when the through-
상기 마찰억제수단(400)은, 탑리드(120)와 보강부재(200) 사이 및 보강부재(200)와 볼트머리(310) 사이 중 적어도 하나에 탑리드(120)와 보강부재(200)의 상대이동을 위하여 마찰력을 감소시키는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The friction suppression means 400 is located between the
예를 들면, 상기 마찰억제수단(400)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 접촉면의 마찰계수가 탑리드(120), 보강부재(200) 및 결합볼트(300) 보다 작은 삽입패드(410)를 포함할 수 있다.For example, the friction suppression means 400, as shown in FIG. 2, the friction coefficient of the contact surface is smaller than the
상기 삽입패드(410)는, 접촉면의 마찰계수가 탑리드(120) 및 보강부재(200)보다 작아 탑리드(120) 및 보강부재(200) 사이에 설치됨으로써, 탑리드(120)와 탑리드(120)의 볼트공(122)에 볼트결합되는 결합볼트(300)의 보강부재(200)에 대한 상대이동이 가능하도록 할 수 있다.The
또한, 상기 삽입패드(410)는, 보강부재(200)와 결합볼트(300) 사이에도 설치될 수 있으며, 보다 구체적으로는 결합볼트(300)의 볼트머리(310) 저면에 설치되어, 볼트머리(310)가 보강부재(200)에 대하여 상대이동 가능하도록 할 수 있다.In addition, the
한편, 상기 삽입패드(410)는, 결합볼트(300)가 관통하기 위한 제1관통공(411)이 형성될 수 있다.Meanwhile, the
이때, 상기 제1관통공(411)은, 결합볼트(300)의 나사부(320)의 직경에 대응되는 내경을 가짐으로써, 결합볼트(300) 및 탑리드(120)의 상대이동 시 삽입패드(410)가 함께 이동하도록 할 수 있다.At this time, the first through
다른 예로서, 상기 제1관통공(411)은, 내경이 결합볼트(300)의 나사부(320)의 직경보다 크게 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 관통공(231)의 내경에 대응되어, 삽입패드(410)에 대하여 결합볼트(300) 및 탑리드(120)가 상대이동 하도록 할 수 있다.As another example, the first through
또한 상기 마찰억제수단(400)은, 다른 예로서, 볼트머리(310)의 저면과 보강부재(200) 사이에서 결합볼트(300)의 나사부(320)를 감싸도록 설치되며, 볼트머리(310) 및 보강부재(200)와의 접촉면 마찰계수가 결합볼트(300) 및 보강부재(200) 보다 작은 와셔부(420)를 포함할 수 있다.In addition, the friction suppression means 400, as another example, is installed between the bottom surface of the
상기 와셔부(420)는, 볼트머리(310)의 저면에서 결합볼트(300)의 나사부(320)를 감싸도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 와셔부(420)는, 볼트머리(310) 및 보강부재(200)와 접촉하는 접촉면의 마찰계수가 작은 재질로 구성됨으로써, 결합볼트(300)가 보강부재(200)에 대하여 상대이동하도록 할 수 있다.For example, the
한편, 이 경우, 상기 와셔부(420)는, 볼트머리(310)의 하측에서 결합볼트(300)의 나사부(320)에 나사체결될 수 있으며, 이로써, 결합볼트(300)의 보강부재(200)에 대한 상대이동 시, 결합볼트(300)와 함께 상대이동할 수 있다.On the other hand, in this case, the
다른 예로서, 상기 와셔부(420)는, 단순히 볼트머리(310)의 하측에서 결합볼트(300)의 나사부(320)를 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이때, 와셔부(420)의 내주면(421)의 내경이 나사부(320)의 직경보다 크게 함으로써, 결합볼트(300)가 와셔부(420)에 대하여 상대이동 되도록 할 수 있다.As another example, the
이 경우, 와셔부(420)의 내주면(421)의 내경은 관통공(231)에 대응될 수 있다.In this case, the inner diameter of the inner
다른 예로서, 상기 마찰억제수단(400)은, 결합볼트(300), 보강부재(200) 및 탑리드(120) 보다 작은 코팅물질을 결합볼트(300), 보강부재(200) 및 탑리드(120) 사이의 접촉면들 중 적어도 하나에 코팅할 수 있다.As another example, the friction suppression means 400 includes a coating material smaller than the
즉, 결합볼트(300)의 보강부재(200)와의 접촉면, 보강부재(200)의 결합볼트(300) 및 탑리드(120)와의 각각의 접촉면, 탑리드(120)의 보강부재(200)와의 접촉면들 중 적어도 하나에 코팅물질을 코팅함으로써, 결합볼트(300) 및 탑리드(120)가 보강부재(200)에 대하여 상대이동 되도록 할 수 있다.That is, the contact surface of the
이때, 상기 코팅물질은, 폴리불화에틸렌계 합성섬유로써 보다 구체적으로는 테프론 코팅일 수 있다.In this case, the coating material may be a polyfluorinated ethylene-based synthetic fiber, and more specifically, a Teflon coating.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and It will be said that the technical idea and the technical idea accompanying the fundamental are all included in the scope of the present invention.
110: 챔버본체 120: 탑리드
200: 보강부재 300: 결합볼트
400: 마찰억제수단110: chamber body 120: top lead
200: reinforcing member 300: coupling bolt
400: friction suppression means
Claims (10)
상기 복수의 볼트공(122)에 대응되어 복수의 관통공(231)이 형성되며, 상기 관통공(231)을 관통하여 상기 볼트공(122)에 볼트결합되는 복수의 결합볼트(300)들을 통해 상기 챔버(100)에 결합되는 적어도 하나의 보강부재(200)와;
상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200) 사이 및 상기 보강부재(200)와 상기 결합볼트(300)의 볼트머리(310) 사이 중 적어도 하나에 상기 챔버(100)와 상기 보강부재(200)의 상대이동을 위하여 마찰력을 감소시키는 마찰억제수단(400)을 포함하며,
상기 다수의 관통공(231)들은,
상기 챔버(100)의 가장자리측에 위치하는 관통공(231)의 내경과 상기 챔버(100)의 중심측에 위치하는 관통공(231)의 내경이 서로 다른 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. a chamber 100 having a processing space S for processing a substrate therein and having a plurality of bolt holes 122 formed on an outer wall thereof;
A plurality of through-holes 231 are formed to correspond to the plurality of bolt holes 122 , and through a plurality of coupling bolts 300 that pass through the through-holes 231 and are bolted to the bolt holes 122 . at least one reinforcing member 200 coupled to the chamber 100;
Between the chamber 100 and the reinforcing member 200 and between the reinforcing member 200 and the bolt head 310 of the coupling bolt 300 at least one of the chamber 100 and the reinforcing member 200 Includes friction suppression means 400 for reducing frictional force for the relative movement of
The plurality of through-holes 231 are,
Substrate processing, characterized in that the inner diameter of the through hole 231 positioned on the edge side of the chamber 100 and the inner diameter of the through hole 231 positioned on the center side of the chamber 100 are different from each other Device.
상기 챔버(100)는,
상부가 개방되고 기판처리를 위한 처리공간(S)이 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 상부를 커버하는 탑리드(120)를 포함하며,
상기 적어도 하나의 보강부재(200)는, 상기 탑리드(120)의 상부면에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The chamber 100,
It includes a chamber body 110 having an open upper portion and forming a processing space (S) for substrate processing, and a top lid 120 covering the upper portion of the chamber body 110,
The at least one reinforcing member (200) is a substrate processing apparatus, characterized in that coupled to the upper surface of the top lid (120).
상기 복수의 관통공(231)들은,
상기 보강부재(200)가 상기 챔버(100)와 결합된 상태에서 상대이동 가능하도록, 내경이 상기 볼트공(122)보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The plurality of through-holes 231 are,
The substrate processing apparatus, characterized in that the inner diameter is formed larger than the bolt hole (122) so that the reinforcing member (200) is relatively movable in a state in which it is coupled to the chamber (100).
상기 마찰억제수단(400)은,
접촉면의 마찰계수가 상기 챔버(100), 상기 보강부재(200) 및 상기 결합볼트(300) 보다 작은 삽입패드(410)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The friction suppression means 400,
A substrate processing apparatus comprising an insertion pad (410) having a friction coefficient of a contact surface smaller than that of the chamber (100), the reinforcing member (200), and the coupling bolt (300).
상기 마찰억제수단(400)은,
상기 볼트머리(310)의 저면과 상기 보강부재(200) 사이에서 상기 결합볼트(300)의 나사부(320)를 감싸도록 설치되며, 볼트머리(310) 및 보강부재(200)와의 접촉면의 마찰계수가 상기 결합볼트(300) 및 상기 보강부재(200) 보다 작은 와셔부(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method according to claim 1,
The friction suppression means 400,
It is installed to surround the screw part 320 of the coupling bolt 300 between the bottom surface of the bolt head 310 and the reinforcing member 200 , and the friction coefficient of the contact surface with the bolt head 310 and the reinforcing member 200 . The substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a washer portion (420) smaller than the coupling bolt (300) and the reinforcing member (200).
상기 마찰억제수단(400)은,
상기 결합볼트(300), 상기 보강부재(200) 및 상기 챔버(100) 사이의 접촉면들 중 적어도 하나에 마찰계수가 상기 결합볼트(300), 상기 보강부재(200) 및 상기 챔버(100)보다 작은 코팅물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The friction suppression means 400,
At least one of the contact surfaces between the coupling bolt 300 , the reinforcing member 200 and the chamber 100 has a coefficient of friction greater than that of the coupling bolt 300 , the reinforcing member 200 and the chamber 100 . A substrate processing apparatus, characterized in that it is coated with a small coating material.
상기 마찰억제수단(400)은,
재질이 엔지니어링 플라스틱인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. 7. The method according to any one of claims 4 to 6,
The friction suppression means 400,
A substrate processing apparatus, characterized in that the material is engineering plastic.
상기 마찰억제수단(400)은,
재질이 PTFE(Polytetrafluoroethylene)인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.7. The method of claim 6,
The friction suppression means 400,
Substrate processing equipment, characterized in that the material is PTFE (Polytetrafluoroethylene).
상기 다수의 관통공(231)들은,
상기 챔버(100)의 가장자리측에 위치하는 관통공(231)의 내경이 상기 챔버(100)의 중심측에 위치하는 관통공(231)에 비하여 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The plurality of through-holes 231 are,
The substrate processing apparatus, characterized in that the inner diameter of the through hole (231) positioned at the edge of the chamber (100) is larger than that of the through hole (231) positioned at the center of the chamber (100).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180140453A KR102409375B1 (en) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180140453A KR102409375B1 (en) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | Substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200056592A KR20200056592A (en) | 2020-05-25 |
KR102409375B1 true KR102409375B1 (en) | 2022-06-15 |
Family
ID=70914289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180140453A KR102409375B1 (en) | 2018-11-15 | 2018-11-15 | Substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102409375B1 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101137725B1 (en) * | 2004-10-26 | 2012-04-24 | 주성엔지니어링(주) | Slot valve for semiconductor manufacturing apparatus |
KR100891614B1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-04-08 | 주식회사 에스에프에이 | Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display |
KR100976400B1 (en) * | 2008-03-26 | 2010-08-17 | 주식회사 에스에프에이 | Loadlock chamber for chemical vapor deposition apparatus |
JP6600990B2 (en) * | 2015-01-27 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
-
2018
- 2018-11-15 KR KR1020180140453A patent/KR102409375B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200056592A (en) | 2020-05-25 |
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