KR102102922B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상게하게는 기판에 대한 식각, 증착 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며, 상기 리프트핀조립체는, 상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as etching and deposition on a substrate.
The present invention, a process chamber for forming a processing space for performing the substrate processing for the two rectangular substrates introduced from the outside; A substrate processing apparatus installed in the process chamber and including a substrate support for supporting the two rectangular substrates, the plurality of lift pins installed in the process chamber and installed to enable vertical movement through the substrate support And a lift pin assembly, wherein the lift pin assembly is installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion in which the two rectangular substrates face each other, and is adjacent to each other by the elevation driving of a single driving source. Disclosed is a substrate processing apparatus including a central lift pin lifting portion for supporting each at the same time.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상게하게는 기판에 대한 식각, 증착 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as etching and deposition on a substrate.

기판처리장치는, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 것이 일반적이다.The substrate processing apparatus generally includes a process chamber forming a processing space for processing the substrate, and a substrate support installed in the process chamber to support the substrate.

그리고 기판처리장치는, 기판처리의 종류, 방식에 따라서 샤워헤드 등의 가스공급부, 압력제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 설치된다.In addition, the substrate processing apparatus is provided with a gas supply unit such as a shower head, an exhaust system for pressure control and exhaust, and the like according to the type and method of the substrate processing.

한편, 기판처리시 공정압 하에 기판처리가 수행될 때 정전기력에 의하여 기판을 흡착고정하는 정전척이 설치된다.On the other hand, an electrostatic chuck is installed to adsorb and fix the substrate by electrostatic force when the substrate is processed under process pressure during substrate processing.

상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치는, 6세대, 7세대, 8세대 등 기판처리를 기준으로 기판의 크기에 따라서 그 크기가 증가하고 있으며, 증가된 기판규격에 따라서 크기, 레시피 등이 최적화됨이 일반적이다.The substrate processing apparatus having the above-described configuration is increasing in size according to the size of the substrate based on the substrate processing, such as 6th, 7th, and 8th generation, and the size, recipe, etc. are optimized according to the increased substrate standard. This is common.

그러나, 상기와 같이 각 크기에 최적화된 기판처리장치는, 다른 규격, 즉 크기가 다른 기판처리에 사용될 수 없어, 크기가 다른 기판처리를 위해서는 그 크기에 최적화된 기판처리장치를 새로 설치하여야 함으로 추가 투자비용이 발생되는 문제점이 있다.However, as described above, the substrate processing apparatus optimized for each size cannot be used for processing different sizes, i.e., substrate processing with different sizes, and for processing substrates having different sizes, a substrate processing device optimized for the size must be newly installed. There is a problem in that investment costs are incurred.

본 발명의 목적은, 기판처리의 수행을 위하여 2장의 직사각형 기판이 안착되는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which two rectangular substrates are seated for performing substrate processing.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며, 상기 리프트핀조립체는, 상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, a process chamber for forming a processing space for performing a substrate processing on two rectangular substrates introduced from the outside; A substrate processing apparatus installed in the process chamber and including a substrate support for supporting the two rectangular substrates, the plurality of lift pins installed in the process chamber and installed to enable vertical movement through the substrate support And a lift pin assembly, wherein the lift pin assembly is installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion in which the two rectangular substrates face each other, and is adjacent to each other by the elevation driving of a single driving source. Disclosed is a substrate processing apparatus including a central lift pin lifting portion supporting each of the same simultaneously.

상기 중앙 리프트핀승강부는, 밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와, 상기 밀폐부재를 관통하며 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 승강로드와, 상기 승강로드의 타단에 결합되며 상면에 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부와, 상기 밀폐부재와 상기 리프트핀 지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부를 포함할 수 있다.The central lift pin elevating unit includes a sealing member installed in a through hole formed in the process chamber through a sealing means, a lifting rod penetrating through the sealing member and driven by the driving source coupled to one end, and the lifting rod It may be coupled to the other end of the lift pin support portion for simultaneously supporting the pair of central lift pins on the upper surface, and a space between the sealing member and the lift pin support so as to be hermetically connected, and may include a stretchable portion that is expandable up and down. .

상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들은, 상기 리프트핀 지지부에 대하여 상하높이의 미세조정이 가능하도록 설치될 수 있다.The pair of central lift pins may be installed to allow fine adjustment of the vertical height with respect to the lift pin support.

상기 중앙 리프트핀승강부는, 밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와, 상기 밀폐부재를 관통하며 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 승강로드와, 상기 승강로드의 타단에 결합되는 메인지지부와, 상기 메인지지부의 상부에 상하로 이동가능하게 설치되며 상면에 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들 각각을 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부와, 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들 각각의 높이를 조절하도록 상기 한 쌍의 리프트핀 지지부에 각각 결합되어 상기 메인지지부와 상기 밀폐부재를 관통하여 승강 가능하게 상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 한 쌍의 높이조절로드와, 상기 밀폐부재와 상기 메인지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부와, 상기 리프트핀 지지부와 상기 메인지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 보조신축부를 포함할 수 있다.The central lift pin elevating unit includes a sealing member installed in a through hole formed in the process chamber through a sealing means, a lifting rod penetrating through the sealing member and driven by the driving source coupled to one end, and the lifting rod The main support part coupled to the other end of the main body, and a pair of lift pin support parts that are movably installed on the upper part of the main support part and support each of the pair of center lift pins on the upper surface, and the pair of center lift pins A pair of height adjustment rods coupled to the pair of lift pin supports to adjust the respective heights, protruding downwards through the main support and the sealing member to protrude downward from the sealing member, and the sealing member The expansion and contraction of the space between the main supports to be hermetically connected and expandable up and down, and the lift pin support and upper Closed possible to connect the space between the main supporting section and may include a secondary expandable elastic up and down.

상기 중앙 리프트핀승강부는, 밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와, 상기 밀폐부재를 관통하여 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드들과, 상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 상기 한 쌍의 승강로드의 일단을 지지하며 상기 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부와, 상기 한 쌍의 승강로드 타단에 각각 결합되며 상면에 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부와, 상기 밀폐부재와 상기 리프트핀 지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부를 포함할 수 있다.The central lift pin elevating unit includes a sealing member installed in a through hole formed in the process chamber with a sealing means interposed therebetween, and a pair of lifting rods driven by the driving source coupled to one end through the sealing member. , Supporting one end of the pair of lifting rods protruding to the lower side of the sealing member, and the rod support unit which is driven by the driving source, and coupled to the other end of the pair of lifting rods, respectively, and the center lift of the pair on the upper surface A lift pin support part supporting pins at the same time, and a space between the sealing member and the lift pin support so as to be hermetically connected, and may include a stretchable part extending up and down.

상기 중앙 리프트핀승강부는, 밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와, 상기 밀폐부재를 관통하여 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드들과, 상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 상기 한 쌍의 승강로드의 일단을 지지하며 상기 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부와, 상기 한 쌍의 승강로드 타단에 각각 결합되며 상면에 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 각각 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부들과, 상기 밀폐부재와 상기 한 쌍의 리프트핀 지지부들 사이의 각 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 한 쌍의 신축부들을 포함할 수 있다.The central lift pin elevating unit includes a sealing member installed in a through hole formed in the process chamber with a sealing means interposed therebetween, and a pair of lifting rods driven by the driving source coupled to one end through the sealing member. , Supporting one end of the pair of lifting rods protruding to the lower side of the sealing member, and the rod support unit which is driven by the driving source, and coupled to the other end of the pair of lifting rods, respectively, and the center lift of the pair on the upper surface It may include a pair of lift pin supports for supporting the pins, and a pair of stretch parts that can be connected to each space between the sealing member and the pair of lift pins so as to be hermetically expandable. .

상기 한 쌍의 신축부들은, 각각 상기 밀폐부재에 결합되는 부분에서 반경방향으로 확장된 플렌지부가 구비되며, 상기 신축부의 플렌지부는, 인접한 신축부의 플렌지부와 상하로 중첩되어 설치될 수 있다.The pair of expansion and contraction portions may be provided with a flange portion extending in a radial direction in a portion coupled to the sealing member, and the flange portion of the expansion and contraction portion may be installed to overlap with the flange portion of the adjacent expansion and contraction portion.

상기 신축부는, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재들과, 상기 복수의 신축부재들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재들이 상하로 연결된 중간부재를 포함할 수 있다.The expansion and contraction unit may include a plurality of expansion and contraction members arranged vertically and having variable lengths, and intermediate members to which upper and lower expansion and contraction members are installed and disposed between the plurality of expansion and contraction members. have.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 구성에 있어서 2장으로 분리된 직사각형의 기판들을 지지할 수 있는 기판지지대를 제공함으로써, 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 간단한 변형에 의하여 2장으로 분리된 직사각형의 기판들을 한번에 기판처리할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is divided into two by providing a substrate support capable of supporting rectangular substrates separated into two in the configuration of the substrate processing apparatus for processing the substrate before separation into two. There is an advantage in that the rectangular substrates separated into two sheets can be processed at once by simple modification of the substrate processing apparatus for processing the entire substrate.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 구성에 있어서 2장으로 분리된 직사각형의 기판들을 지지할 수 있는 기판지지대 및 2장의 기판 사이에서 2장의 기판 가장자리를 동시에 각각을 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀을 상하이동시킴으로써 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 간단한 변형에 의하여 2장으로 분리된 직사각형의 기판들을 한번에 기판처리할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention, in the configuration of the substrate processing apparatus for processing the substrate before separation into two, the substrate support capable of supporting the rectangular substrates separated into two and two substrates between the two substrates By vertically moving a pair of central lift pins supporting each of the substrate edges at the same time, the rectangular substrates separated into two can be processed at once by a simple modification of the substrate processing apparatus that processes the substrates before separation into two. There is an advantage.

특히 2장의 직사각형 기판을 동시에 각각 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀들에 의하여 2장의 직사각형 기판을 상하이동시킴으로써 상하구동을 위한 리프트핀조립체의 부재들 간의 간섭을 최소화하여 2장의 직사각형 기판 사이의 간격을 최소화할 수 있는 이점이 있다.Particularly, by moving the two rectangular substrates up and down by a pair of central lift pins supporting each of the two rectangular substrates at the same time, the interference between the members of the lift pin assembly for vertical driving is minimized, thereby minimizing the distance between the two rectangular substrates. There is an advantage to do.

구체적으로, 본 발명은, 2장의 직사각형 기판을 동시에 각각 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 하나의 부재로 지지하고, 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 지지하는 부재를 상하로 승강구동함으로써 2장의 기판 사이의 간격, 특히 리프트핀들의 간격을 최소화하여 공정챔버의 전체 크기를 최소화할 수 있는 이점이 있다.Specifically, the present invention, by supporting a pair of central lift pins supporting each of the two rectangular substrates at the same time as a member, and lifting and lowering the member supporting the pair of central lift pins up and down between the two substrates It has the advantage of minimizing the gap of the lift pins, in particular the overall size of the process chamber.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치의 Ⅱ-Ⅱ 방향의 단면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치의 Ⅲ-Ⅲ 방향의 일부 단면도이다.
도 4는, 도 2에서 외곽실드부재 및 중앙실드부재가 설치된 부분을 확대한 확대도이다.
도 5는, 도 1의 기판처리장치 중 중앙 리프트핀승강부를 보여주는 일부 단면도이다.
도 6a은, 도 5의 중앙 리프트핀승강부의 변형례를 보여주는 일부 단면도이다.
도 6b는, 도 6a에서 조정플레이트의 구성을 보여주는 평면도이다.
도 7은, 도 5의 중앙 리프트핀승강부의 다른 변형례를 보여주는 일부 단면도이다.
도 8은, 도 5의 중앙 리프트핀승강부의 또 다른 변형례를 보여주는 일부 단면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
3 is a partial cross-sectional view taken along the III-III direction of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is an enlarged view of a portion in which the outer shield member and the central shield member are installed in FIG. 2.
5 is a partial cross-sectional view showing a central lift pin lift among the substrate processing apparatus of FIG. 1.
6A is a partial cross-sectional view showing a modification of the central lift pin elevating portion of FIG. 5.
6B is a plan view showing the configuration of the adjustment plate in FIG. 6A.
FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing another modified example of the central lift pin lift of FIG. 5.
FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing still another modification of the central lift pin lift of FIG. 5.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 참고로 도 1 내지 도 8는 본 발명의 설명을 위하여 도시한 것으로서 실제와 대비하여 일부 구성이 과장되어 표현되거나 차이가 있음은 물론이다.Hereinafter, a substrate processing apparatus of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. For reference, FIGS. 1 to 8 are illustrated for the purpose of explaining the present invention, and some components are exaggeratedly expressed or different from the actual ones.

먼저 본 발명의 기술적 요지는, 2장으로 분할된 크기의 2장의 직사각형 기판들을 한번에 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 제공하는데 있다.First, the technical point of the present invention is to provide a substrate processing apparatus characterized in that the substrate processing is performed on two rectangular substrates of a size divided into two.

특히 2장의 직사각형 기판(서로 크기가 동일한 것이 바람직하다)들을 처리함에 있어서, 2장의 기판을 지지하는 기판지지대의 구성이 중요한다.In particular, in processing two rectangular substrates (preferably of the same size), the configuration of the substrate support supporting the two substrates is important.

이에 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지대의 구성에 있어서, 하나의 정전척으로 2개의 기판을 안정적으로 흡착고정할 수 있도록 기판지지대의 구성이 변형될 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus according to the present invention, in the configuration of the substrate support, the configuration of the substrate support can be modified to stably adsorb and fix two substrates with one electrostatic chuck.

이하, 하나의 정전척으로 2개의 기판을 안정적으로 흡착고정할 수 있는 실시예를 들어 설명한다.Hereinafter, an example in which two substrates can be stably adsorbed and fixed with one electrostatic chuck will be described.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판(10)들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와, 공정챔버(100) 내에 설치되어 2장의 직사각형 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와, 공정챔버(100)에 설치되며, 기판지지대(130)를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀(310)들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in Figures 1 and 2, a process chamber for forming a processing space (S) for performing substrate processing on two rectangular substrates 10 introduced from the outside (100), a substrate support 130 installed in the process chamber 100 to support two rectangular substrates 10, and installed in the process chamber 100, through the substrate support 130, it is possible to move up and down It includes a lift pin assembly including a plurality of lift pins 310 to be installed.

여기서 기판처리는, 기판표면에 박막을 형성하는 증착공정, 식각하는 식각공정 등 다양한 공정이 될 수 있다.Here, the substrate treatment may be various processes such as a deposition process of forming a thin film on a substrate surface, and an etching process of etching.

그리고 기판처리의 대상은, LCD패널용 기판, OLED 기판 등 식각, 증착 등의 기판처리의 대상은 모두 가능하다.In addition, the target of the substrate processing can be any target of the substrate processing such as etching and vapor deposition, such as a substrate for an LCD panel and an OLED substrate.

상기 공정챔버(100)는, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.The process chamber 100 may be configured to include a chamber body 110 and an upper lead 120 that are detachably coupled to each other to form a processing space S.

상기 챔버본체(110)는, 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)이 입출될 수 있도록 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐되는 적어도 하나의 게이트(111)가 형성된다. The chamber body 110 can be configured in various ways depending on the design and design, and at least one gate 111 that is opened and closed by a gate valve (not shown) is formed to allow the substrate 10 to enter and exit.

한편, 상기 공정챔버(100)는, 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 처리공간(S)으로 처리가스를 분사하는 가스공급부(140) 및 기판(10)이 안착되는 기판지지대(130), 처리공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템과 연결되는 배기관(미도시) 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.On the other hand, the process chamber 100, the substrate support 130, which is supplied from a gas supply device (not shown), the gas supply unit 140 for spraying the processing gas into the processing space (S) and the substrate 10 are seated, Devices for performing a vacuum processing process, such as an exhaust pipe (not shown) connected to the exhaust system for pressure regulation and exhaust in the processing space S, may be installed.

상기 기판지지대(130)는, 처리공간(S)에서 공정 수행을 위한 플라즈마 형성 등 진공처리를 위한 반응이 일어날 수 있도록 전원이 인가되는 하부전극(미도시)이 설치될 수 있다.The substrate support 130 may be provided with a lower electrode (not shown) to which power is applied so that a reaction for vacuum processing such as plasma formation for performing a process in the processing space S may occur.

여기서 상기 하부전극은, 전원인가 방식에 따라서 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)를 접지시키고 하나 또는 두 개의 RF전원이 인가되거나, 하부전극은 접지되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 RF전원이 인가되거나, 하부전극에 제1의 RF전원이 인가되고 챔버본체(110) 및 가스공급부(140)에 제2의 RF전원이 인가되는 등 다양한 형태로 전원이 인가될 수 있다.Here, the lower electrode is grounded to the chamber body 110 and the gas supply unit 140 according to a power application method, and one or two RF power sources are applied, or the lower electrode is grounded and the chamber body 110 and the gas supply unit 140 are grounded. RF power may be applied to the lower electrode, the first RF power may be applied to the lower electrode, and the second RF power may be applied to the chamber body 110 and the gas supply unit 140.

또한 상기 기판지지대(130)는, 플라즈마에 의한 기판처리를 위해 온도를 높이거나 처리공정에서 발생하는 열을 냉각할 수 있도록, 후술하는 정전척(200)의 하측에 결합되어 온도 제어를 위한 전열유체가 흐르는 유로가 형성된 쿨링 플레이트(cooling plate)를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate support 130 is coupled to the lower side of the electrostatic chuck 200, which will be described later, to increase the temperature for cooling the substrate by plasma or to cool the heat generated in the processing process. It may further include a cooling plate (cooling plate) is formed a flow path.

또한 상기 기판지지대(130)는, 챔버본체(110)가 접지되어 구성될 수 있는바, 정전척(200)이 챔버본체(110)와 절연될 수 있도록 정전척(200)과 챔버본체(110) 사이에 절연플레이트가 추가로 설치될 수 있다.In addition, the substrate support 130, the chamber body 110 can be configured by being grounded, the electrostatic chuck 200 and the chamber body 110 so that the electrostatic chuck 200 can be insulated from the chamber body 110 An insulating plate may be additionally installed therebetween.

상기 절연플레이트는, 상술한 바와 같이 쿨링 플레이트가 설치되는 경우, 쿨링 플레이트의 하측에 결합되는 것이 바람직하다.When the cooling plate is installed as described above, the insulating plate is preferably coupled to the lower side of the cooling plate.

또한 상기 기판지지대(130)는, 절연플레이트의 하측에 결합되고 챔버본체(110)의 저면에 설치된 복수의 플랜지(160)에 의해 지지되는 베이스 플레이트(미도시)를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate support 130 may further include a base plate (not shown) coupled to the lower side of the insulating plate and supported by a plurality of flanges 160 installed on the bottom surface of the chamber body 110.

또한 상기 기판지지대(130)는, 공정챔버(100) 내에 고정되는 예로 도시하였으나, 공정챔버(100) 내에서 상하로 이동가능하게 설치될 수도 있다.In addition, although the substrate support 130 is illustrated as an example fixed in the process chamber 100, it may be installed to be movable up and down in the process chamber 100.

또한 상기 기판지지대(130)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 정전기력을 이용하여 기판(10)를 흡착 고정하는 정전척(200)과; 정전척(200)의 가장자리를 따라서 탈착가능하게 설치되어 직사각형을 이루는 하나 이상의 외곽실드부재(250)와; 2장의 직사각형 기판(10)들 각각을 지지하는 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들로 구획하도록 2장의 직사각형 기판(10)들 사이에 대응되는 정전척(200)의 상면에 설치되어 외곽실드부재(250)를 연결하는 하나 이상의 중앙실드부재(270)를 포함한다.In addition, the substrate support 130, as shown in Figures 1 to 4, the electrostatic chuck 200 for adsorbing and fixing the substrate 10 using electrostatic force; One or more outer shield members 250 which are detachably installed along the edge of the electrostatic chuck 200 to form a rectangle; The outer shield is installed on the upper surface of the electrostatic chuck 200 corresponding between the two rectangular substrates 10 so as to partition them into a pair of support regions A1 and A2 supporting each of the two rectangular substrates 10. And one or more central shield members 270 connecting the members 250.

상기 정전척(200)은, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 평면형상이 직사각형이며 금속재질을 가지는 모재(210)와; 모재(210)에 용사에 의하여 형성되는 제1절연층(220)과; 제1절연층(220) 상에 형성되어 DC전원과 연결되어 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층(230)과; 도전체층(230) 상에 용사에 형성되는 제2절연층(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 200, as shown in Figures 2 to 4, the plane shape is rectangular and the base material 210 having a metal material; A first insulating layer 220 formed by thermal spraying on the base material 210; A conductor layer 230 formed on the first insulating layer 220 and connected to a DC power source to generate electrostatic force by applying power; And a second insulating layer 240 formed on the conductive layer 230 on the thermal spray.

상기 모재(210)는, 평면형상이 직사각형을 이룸과 아울러, 접지되거나 RF전원이 인가되어 전원인가부의 하부전극으로 기능할 수 있도록 금속재질, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄합금, Ti, 스테인리스강 (SUS 또는 STS) 등이 사용될 수 있다.The base material 210 is a metal material such as aluminum, aluminum alloy, Ti, stainless steel (SUS) so that the planar shape has a rectangular shape and is grounded or RF power is applied to function as a lower electrode of the power supply unit. Or STS).

그리고 상기 모재(210)는, 중앙실드부재(270)에 대응되어 상면에 베이스요홈(217)이 형성된다.And the base material 210, the base groove 217 is formed on the upper surface corresponding to the central shield member 270.

상기 베이스요홈(217)은, 최종적으로 중앙실드부재(270)가 삽입되는 삽입요홈(247)의 형성을 위하여 형성되며, 절연층의 형성 후에 중앙실드부재(270)가 삽입되는 삽입요홈(247)의 치수를 고려하여 그 단면형상 및 깊이가 결정된다.The base groove 217 is formed for the formation of the insertion groove 247 into which the central shield member 270 is finally inserted, and the insertion groove 247 into which the central shield member 270 is inserted after formation of the insulating layer The cross-sectional shape and depth are determined in consideration of the dimensions of.

한편 상기 베이스요홈(217)은, 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 하나의 절연층의 형성시에, 또는 별도로 절연층이 형성될 수 있으며, 절연층이 용사에 의하여 코팅됨을 고려하여 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 내측면이 모재(210)의 상면과 경사를 이루어 상측에서 하측으로 가면서 그 폭이 감소하도록 경사면(218)이 형성됨이 바람직하다.On the other hand, the base groove 217, when forming at least one insulating layer of the first insulating layer 220 and the second insulating layer 240, or separately, an insulating layer may be formed, the insulating layer is sprayed 2 to 4 in consideration of being coated, it is preferable that the inclined surface 218 is formed such that the inner surface is inclined with the upper surface of the base material 210 and decreases in width from the upper side to the lower side.

한편 상기 모재(210)가 스테인리스강(SUS 또는 STS)이 사용되는 경우 열팽창을 고려하여 중앙실드부재(270)는, 세라믹 재질을 가짐이 바람직하다.Meanwhile, when the base material 210 is made of stainless steel (SUS or STS), it is preferable that the central shield member 270 has a ceramic material in consideration of thermal expansion.

여기서 물론 상기 모재(210)가 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우 중앙실드부재(270)는, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질, 세라믹 재질 등의 사용이 모두 가능하다.Here, of course, when the base material 210 is aluminum or an aluminum alloy, the central shield member 270 can be made of aluminum or an aluminum alloy material or a ceramic material.

그리고 상기 모재(210)가 알루미늄 재질 또는 알루미늄합금 재질을 가지는 경우, 제1절연층(220)의 형성 전에 아노다이징 처리되며, 베이스요홈(217)의 내측면은, 모재(210)의 상면과 경사를 이루는 것 이외에, 수직을 이룰 수 있다.In addition, when the base material 210 has an aluminum material or an aluminum alloy material, anodizing is performed before the formation of the first insulating layer 220, and the inner surface of the base recess 217 is inclined with the upper surface of the base material 210. In addition to achieving, verticals can be achieved.

상기 제1절연층(220) 및 제2절연층(240)은, 정전척으로서의 기능을 수행하기 위하여 소정의 유전율을 가지도록 다양한 재질이 사용될 수 있으며, 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질이 사용될 수 있다. The first insulating layer 220 and the second insulating layer 240, a variety of materials can be used to have a predetermined dielectric constant to perform a function as an electrostatic chuck, the insulating material Al 2 O 3 , ZrO 3 , Ceramic materials such as AlN and Y 2 O 3 may be used.

여기서 상기 제2절연층(240)은, 2장의 직사각형 기판(10)들 각각을 지지하는 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들을 형성한다.Here, the second insulating layer 240 forms a pair of support regions A1 and A2 supporting each of the two rectangular substrates 10.

그리고 상기 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들을 형성하는 제2절연층(240)은, 기판(10)을 지지하고 온도 제어를 위해 기판(10)의 저면 및 정전척(200), 즉 정전척(200)의 상면 사이에서 헬륨(He) 등의 전열가스가 충진될 수 있도록 다수의 돌기부(241)들이 돌출형성되고, 전열가스가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여 기판(10)의 저면 가장자리를 지지하는 댐(242)이 형성될 수 있다.In addition, the second insulating layer 240 forming the pair of support regions A1 and A2 supports the substrate 10 and the bottom surface of the substrate 10 and the electrostatic chuck 200, that is, an electrostatic force for temperature control. Between the upper surface of the chuck 200, a plurality of projections 241 are formed to protrude heat gas such as helium (He), and the bottom edge of the substrate 10 to prevent the heat gas from leaking to the outside Dam 242 supporting the may be formed.

한편 상기 모재(210)에 형성된 베이스요홈(217)에는, 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 하나 또는 별도의 절연층 형성될 수 있으며, 최종적으로 형성된 절연층의 상면에 중앙실드부재(270)가 삽입되는 삽입요홈(247)이 형성된다.Meanwhile, at least one of the first insulating layer 220 and the second insulating layer 240 may be formed in the base recess 217 formed in the base material 210, and a top surface of the finally formed insulating layer The insertion groove 247 into which the central shield member 270 is inserted is formed.

상기 삽입요홈(247)은, 제1절연층(220) 및 제2절연층(240) 중 적어도 어느 하나가 형성되어 중앙실드부재(270)가 삽입되는 홈으로서 설계 및 디자인에 따라서 다양하게 형성될 수 있다.The insertion groove 247 is a groove in which at least one of the first insulating layer 220 and the second insulating layer 240 is formed and the central shield member 270 is inserted, and may be variously formed according to design and design. You can.

특히, 상기 삽입요홈(247)은, 제1절연층(220), 제2절연층(240) 등의 두께가 수마이크로 단위임을 고려하여 중앙실드부재(270)의 하단이 모재(210)의 상면보다 깊게 위치된다.In particular, the insertion groove 247, the thickness of the first insulating layer 220, the second insulating layer 240, etc., taking into account that the thickness is a few micro units, the lower end of the central shield member 270 is the upper surface of the base material 210 It is located deeper.

상기와 같이, 상기 삽입요홈(247)이 중앙실드부재(270)의 하단이 모재(210)의 상면보다 깊게 위치되도록 형성되면 공정 수행 중 플라즈마의 침입 등을 효과적으로 방지하여 정전척의 손상을 방지할 수 있게 된다.As described above, when the insertion groove 247 is formed so that the lower end of the central shield member 270 is located deeper than the upper surface of the base material 210, it is possible to effectively prevent plasma intrusion or the like during the process and prevent damage to the electrostatic chuck. There will be.

상기 도전체층(230)은, DC전원과 연결되어 제2절연층(240)과 함께 정전기력을 발생시켜 제2절연층(240) 상에 안착된 기판(10)을 흡착고정하기 위한 구성으로서, 텅스텐(W)과 같은 전도성이 있는 재질이 사용될 수 있다.The conductor layer 230 is connected to a DC power source to generate an electrostatic force along with the second insulating layer 240 to adsorb and fix the substrate 10 seated on the second insulating layer 240, tungsten Conductive materials such as (W) may be used.

그리고 상기 도전체층(230)은, 정전기력을 신속하게 발생시키고 전압차가 생기지 않도록 복수 개로 분할 형성될 수 있다.In addition, the conductive layer 230 may be divided into a plurality of pieces to rapidly generate electrostatic force and prevent voltage differences.

특히 상기 도전체층(230)은, 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들에 대응되어 별도로 형성될 수 있으며, 각각 별도의 DC전원 또는 하나의 DC전원에 의하여 DC전원을 인가받을 수 있다.Particularly, the conductor layer 230 may be separately formed corresponding to the pair of support regions A1 and A2, and DC power may be applied by a separate DC power or a DC power.

여기서 상기 도전체층(230)에 인가되는 DC전원은, 각 기판(10)에 대응되어 독립적으로 제어되는 것이 바람직하다.Here, the DC power applied to the conductor layer 230 is preferably controlled independently corresponding to each substrate 10.

구체적으로, 상기 정전척(200)은, 전원인가에 의하여 정전기력을 발생시키는 도전체층(230)이 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들 각각에 대응되어 별도로 형성되거나 일체로 형성될 수 있다.Specifically, the electrostatic chuck 200 may be formed separately or integrally with a conductor layer 230 that generates electrostatic force by applying power, corresponding to each of the pair of support regions A1 and A2.

즉, 상기 도전체층(230)은, 베이스요홈(217)에 대응되는 부분을 제외하고 제1절연층(220) 상에 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.That is, the conductor layer 230 may be formed in a predetermined pattern on the first insulating layer 220 except for the portion corresponding to the base recess 217.

아울러, 상기 전열가스의 공급에 있어서도, 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들에 대응되어 전열가스공급이 별도로 제어되거나, 통합되어 제어될 수 있다.In addition, in the supply of the heat transfer gas, the heat transfer gas supply may be separately controlled or integrated and controlled in correspondence to the pair of support regions A1 and A2.

상기 제1절연층(220), 도전체층(230) 및 제2절연층(240)은 다양한 방법에 의하여 형성이 가능하며, 예로서, 플라즈마 용사에 의하여 형성될 수 있다.The first insulating layer 220, the conductor layer 230, and the second insulating layer 240 may be formed by various methods, for example, may be formed by plasma spraying.

한편 상기 정전척(200)은, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 외곽실드부재(250)가 안정적으로 설치될 수 있도록 가장자리에 단차(202)가 형성될 수 있다.On the other hand, the electrostatic chuck 200, as shown in Figures 1 to 4, a step 202 may be formed on the edge so that the outer shield member 250 is stably installed.

상기 외곽실드부재(250)는, 기판지지대(130), 즉 정전척(200)에 기판(10)이 안착된 상태에서, 정전척(200) 중 상측으로 노출된 부분을 플라즈마로부터 보호하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 재질인 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질, 폴리카보네이트, 테프론 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.The outer shield member 250 is configured to protect a portion exposed to the upper side of the electrostatic chuck 200 from the plasma while the substrate 10 is seated on the substrate support 130, that is, the electrostatic chuck 200. As, it is preferably made of a ceramic material such as Al 2 O 3 , ZrO 3 , AlN and Y 2 O 3 , which are insulating materials, which are materials resistant to plasma, and polycarbonate, Teflon, and the like.

또한 상기 외곽실드부재(250)는, 대형의 정전척(200)에 사용가능하도록 복수 개의 부재들로 구성될 수 있으며, 한국공개특허공보 제10-2014-0060662호에 개시된 바와 같은 구조를 이룰 수 있다.In addition, the outer shield member 250, may be composed of a plurality of members to be used for a large electrostatic chuck 200, can achieve a structure as disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2014-0060662. have.

한편 상기 모재(210)의 측면에는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 정전척(200), 쿨링 플레이트 등이 플라즈마에 의하여 손상되는 것을 방지하기 위하여 측면실드부재(280)가 추가로 설치될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 2 and 3, side shield members 280 are additionally installed on the side surfaces of the base material 210 to prevent the electrostatic chuck 200 and the cooling plate from being damaged by plasma. Can be.

상기 측면실드부재(280)는, 모재(210)의 측면에 설치됨으로써, 정전척(200)가 외부로 노출되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 재질인 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질, 폴리카보네이트, 테프론 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.The side shield member 280 is a configuration for preventing the electrostatic chuck 200 from being exposed to the outside by being installed on the side of the base material 210, Al 2 O 3 , ZrO, an insulating material that is resistant to plasma. 3 , AlN and Y 2 O 3 It is preferably made of a ceramic material, such as polycarbonate, Teflon, and the like.

상기 중앙실드부재(270)는, 2장의 직사각형 기판(10)들 각각을 지지하는 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들로 구획하도록 2장의 직사각형 기판(10)들 사이에서 외곽실드부재(250)를 연결하는 부재로서 다양한 구성이 가능하다.The central shield member 270, the outer shield member 250 between the two rectangular substrates 10 to partition into a pair of support regions (A1, A2) supporting each of the two rectangular substrates (10) ) As a connecting member, various configurations are possible.

특히 상기 중앙실드부재(270)는, 2장의 직사각형 기판(10)들 각각을 지지하는 한 쌍의 지지영역(A1, A2)들로 구획하도록 설치되어, 제2절연층(240), 즉 정전척(200)가 플라즈마에 노출되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 재질인 절연재질인 Al2O3, ZrO3, AlN 및 Y2O3 등의 세라믹 재질, 폴리카보네이트, 테프론 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.In particular, the central shield member 270 is installed to partition into a pair of support regions A1 and A2 supporting each of the two rectangular substrates 10, so that the second insulating layer 240, that is, the electrostatic chuck As a configuration for preventing the 200 from being exposed to the plasma, it is made of ceramic materials such as Al 2 O 3 , ZrO 3 , AlN and Y 2 O 3 , which are insulating materials that are strong materials for plasma, polycarbonate, and Teflon. desirable.

또한 상기 중앙실드부재(270)는, 외곽실드부재(250)와 적어도 일부가 일체로 형성될 수 있다.In addition, the central shield member 270, the outer shield member 250 and at least a portion may be integrally formed.

또한 상기 중앙실드부재(270)는, 외곽실드부재(250)와의 경계부분에서 플라즈마가 정전척(200)로 침입하는 것을 방지하기 위하여, 외곽실드부재(250)와 적어도 일부가 서로 중첩되는 것이 바람직하다.In addition, the central shield member 270, in order to prevent the plasma from entering the electrostatic chuck 200 at the boundary with the outer shield member 250, it is preferable that the outer shield member 250 and at least a portion overlap each other. Do.

그리고 상기 중앙실드부재(270)의 상면은 댐(242)의 상면이 기판(10)의 저면을 지지할 수 있도록 댐(242)의 높이와 같거나 낮게 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the upper surface of the central shield member 270 is preferably formed equal to or lower than the height of the dam 242 so that the upper surface of the dam 242 can support the bottom surface of the substrate 10.

또한 상기 중앙실드부재(270)는, 직사각형 기판(10)들이 서로 마주보는 내측변에 대응되는 댐(242)들 사이에 위치되는 것이 바람직하다.In addition, the center shield member 270 is preferably located between the dams 242 corresponding to the inner sides of the rectangular substrates 10 facing each other.

상기와 같은 구성을 가지는 중앙실드부재(270)의 추가 설치에 의하여, 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 구성에 있어서 2장으로 분리하기 전 기판을 처리하는 기판처리장치의 간단한 변형(정전척 교체)에 의하여 2장으로 분리된 직사각형의 기판(10)들을 한번에 기판처리할 수 있는 이점이 있다.By the additional installation of the central shield member 270 having the above-described configuration, in the configuration of the substrate processing apparatus for processing the substrate before separation into two, a simple of the substrate processing apparatus for processing the substrate before separation into two There is an advantage in that the substrates of the rectangular substrates 10 separated into two by deformation (electrostatic chuck replacement) can be processed at once.

상기 리프트핀조립체는, 반송로봇 등에 의하여 기판(10)을 인출할 수 있도록 기판(10)를 상하로 승강시키는 구성으로서, 공정챔버(100)에 설치되며, 기판지지대(130)를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀(310)들을 포함하는 구성으로서, 리프트핀(310)들을 상하로 구동시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The lift pin assembly is configured to elevate the substrate 10 up and down so that the substrate 10 can be taken out by a transfer robot, etc., installed in the process chamber 100, penetrates the substrate support 130 and moves up and down As a configuration including a plurality of lift pins 310 installed to be possible, any configuration is possible as long as the lift pins 310 can be driven up and down.

일예로서, 상기 리프트핀조립체는, 본 출원인의 특허출원인, 한국 공개특허공보 제10-2015-0114227호와 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.As an example, the lift pin assembly may have the same or similar configuration to Korean Patent Application Publication No. 10-2015-0114227, the applicant of the patent.

한편, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 2장의 기판을 도입 및 기판처리가 이루어짐에 따라서 각 기판을 상하로 이동시키도록 리프트핀(310)들이 배치된다.On the other hand, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the lift pins 310 are arranged to move each substrate up and down as two substrates are introduced and substrate processing is performed.

그런데 2장의 기판이 놓인 상태에서 서로 마주보는 가장자리에도 복수의 리프트핀들이 각각 배치됨에 따라 인접한 기판의 가장자리를 지지하는 리프트핀들 간 또는 그 상하구동을 위한 구성들 간의 간섭이 있어 2장의 기판을 서로 근접시키는데 한계가 있다.However, as a plurality of lift pins are disposed at the edges facing each other in a state where two substrates are placed, there is interference between lift pins supporting the edges of adjacent substrates or configurations for up and down driving, so that the two substrates are close to each other. There is a limit.

여기서 2장의 기판 사이의 간격이 증가하는 경우 공정챔버(100)의 크기도 증가하여 공정챔버(100)의 제조비용이 증가하는 한편 상대적으로 증가한 체적의 공정압(소정의 진공압)을 견디도록 공정챔버(100)의 두께가 증가되는 문제점이 있다.Here, when the spacing between two substrates increases, the size of the process chamber 100 also increases, so that the manufacturing cost of the process chamber 100 increases, while the process pressure to withstand a relatively increased volume of process pressure (predetermined vacuum pressure) There is a problem that the thickness of the chamber 100 is increased.

따라서, 상기 리프트핀조립체는, 인접한 기판의 가장자리를 지지하는 중앙 리프트핀들 간의 간격을 최소화할 필요가 있다.Therefore, the lift pin assembly needs to minimize the gap between the center lift pins supporting the edges of adjacent substrates.

이에, 상기 리프트핀조립체는, 2장의 직사각형 기판(10)이 서로 대향하는 경계부분인 기판지지대(130)의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원(미도시)의 승강 구동에 의해 서로 인접한 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부(300)를 포함하는 것이 바람직하다.Thus, the lift pin assembly, two rectangular substrates 10 are installed along the central portion of the substrate support 130, which is a boundary portion facing each other, and two rectangular substrates adjacent to each other by lifting and lowering driving of a single driving source (not shown). It is preferable to include a central lift pin lifting portion 300 which respectively supports the bottom surfaces at the same time.

상기 구동원은, 한 쌍의 리프트핀(310)들을 하나의 구동원으로서 상하로 구동하는 구성으로서 구동방식에 따라서, 벨트 및 풀리의 조합, 스크류 조합 등 다양한 구성이 가능하다.The driving source is a configuration in which a pair of lift pins 310 are driven up and down as a single driving source, and various configurations such as a combination of a belt and a pulley, a screw combination, etc. are possible according to a driving method.

한편 상기 인접한 기판의 가장자리를 지지하는 중앙 리프트핀(310)들 간의 간격을 최소화하기 위한 중앙 리프트핀승강부(300)의 구성은 다양한 실시예가 가능하다.On the other hand, the configuration of the central lift pin lifting unit 300 to minimize the gap between the central lift pins 310 supporting the edge of the adjacent substrate is possible in various embodiments.

구체적으로, 제1실시예로서, 상기 중앙 리프트핀승강부(300)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되는 밀폐부재(360)와, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 승강로드(330)와, 승강로드(330)의 타단에 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부(320)와, 밀폐부재(360)와 리프트핀 지지부(320) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부(340)를 포함할 수 있다.Specifically, as the first embodiment, the central lift pin lifting part 300 is installed in the through hole 119 formed in the process chamber 100 with the sealing means 412 interposed, as shown in FIG. 5. It is coupled to the other end of the hoisting member 360 and the hoisting member 360 and the hoisting rod 330 which is driven up and down by a driving source (not shown) coupled to one end, and is coupled to the other end of the hoisting rod 330. The lift pin support part 320 supporting the pair of central lift pins 310 at the same time, and the expansion and contraction part 340 which can be vertically stretched while connecting the space between the sealing member 360 and the lift pin support part 320 so as to be hermetically sealed. It may include.

상기 밀폐부재(360)는, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되어 공정챔버(100) 내부의 공정압을 유지시키기 위한 구성으로서 오링 등과 같은 밀폐수단(412)가 개재되어 공정챔버(100), 예를 들면 관통공(119)이 형성된 공정챔버(100)의 저면에 결합된다.The sealing member 360 is installed in a through hole 119 formed in the process chamber 100 with a sealing means 412 interposed therebetween to maintain a process pressure inside the process chamber 100 and seal such as an O-ring or the like. The means 412 is interposed and coupled to the bottom of the process chamber 100, for example, the process chamber 100 in which the through hole 119 is formed.

상기 승강로드(330)는, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The lifting rod 330 is a configuration that is driven by a driving source (not shown) that penetrates the sealing member 360 and is coupled to one end, and various configurations are possible.

상기 리프트핀 지지부(320)는, 승강로드(330)의 타단에 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지하는 구성으로서, 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The lift pin support part 320 is coupled to the other end of the lifting rod 330 and simultaneously supports a pair of central lift pins 310 on an upper surface, and simultaneously supports a pair of central lift pins 310. Any configuration is possible as long as it is possible.

여기서 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들은, 리프트핀 지지부(320)에 대하여 상하높이의 미세조정이 가능하도록 설치될 수 있다.Here, the pair of central lift pins 310 may be installed to allow fine adjustment of the vertical height with respect to the lift pin support part 320.

상기 신축부(340)는, 밀폐부재(360)와 리프트핀 지지부(320) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The expansion and contraction part 340 is a sealable connection between the space between the sealing member 360 and the lift pin support part 320, and a variety of configurations are possible.

상기 신축부(340)는, 신축부(340)의 외측의 공정압 상태 및 내측의 대기압 상태를 격리시키는 구성으로서, 벨로우즈 등 상하방향으로 길이가 가변되는 신축성 부재이면 어떠한 구성도 가능하다.The stretchable part 340 is configured to isolate the process pressure state and the atmospheric pressure state of the outside of the stretchable part 340, and any configuration may be used as long as it is a stretchable member having a variable length in the vertical direction such as a bellows.

또한, 상기 신축부(340)의 설치와 관련하여, 안정적인 구조를 가지도록, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재(341, 342)들과, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 중간부재(343)를 포함할 수 있다.In addition, with respect to the installation of the expansion and contraction portion 340, a plurality of expansion and contraction members (341, 342) are disposed vertically, the vertical length is variable to have a stable structure, and a plurality of expansion and contraction members (341, 342) Intermediate members 343 that are installed in correspondence between the fields and are located at the upper and lower sides are connected to the vertical members 341 and 342.

상기 신축부재(341, 342)들은, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 구성으로서 벨로우즈 등이 사용될 수 있다.The expansion and contraction members 341 and 342 may be used as bellows as a configuration in which the vertical length is variable by being vertically disposed.

그리고, 상기 중간부재(343)는, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 구성으로서 신축부(340)가 상하로 지나치게 길어지는 것을 방지하여, 신축부(340)의 안정적인 설치가 가능하다.In addition, the intermediate member 343 is installed in correspondence between the plurality of stretching members 341 and 342, and the stretching members 341 and 342 positioned at the upper and lower sides are connected vertically, so that the stretching unit 340 It is prevented from being too long vertically and vertically, so that a stable installation of the expansion and contraction unit 340 is possible.

제2실시예로서, 상기 중앙 리프트핀승강부(300)는, 리프트핀 지지부(320)에 대하여 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들의 상하높이의 미세조정이 가능한 실시예로서, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되는 밀폐부재(360)와, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원에 의해 승강구동되는 승강로드(330)와, 승강로드(330)의 타단에 결합되는 메인지지부(321)와, 메인지지부(321)의 상부에 상하로 이동가능하게 설치되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각을 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부(320)와, 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각의 높이를 조절하도록 한 쌍의 리프트핀 지지부(320)에 각각 결합되어 메인지지부(321)와 밀폐부재(360)를 관통하여 승강 가능하게 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 한 쌍의 높이조절로드(375)와, 밀폐부재(360)와 메인지지부(321) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부(340)와, 리프트핀 지지부(320)와 메인지지부(321) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 보조신축부(372)를 포함할 수 있다.As a second embodiment, the central lift pin lifting part 300 is an embodiment in which fine adjustment of the vertical height of a pair of central lift pins 310 with respect to the lift pin support part 320 is possible. As shown in 6b, the sealing member 360 installed in the through hole 119 formed in the process chamber 100 with the sealing means 412 interposed therebetween, and a driving source coupled to one end through the sealing member 360 The lifting rod 330, which is driven by the hoisting, and the main support 321 coupled to the other end of the hoisting rod 330, is installed to be movable up and down on the top of the main support 321, and a pair of centers on the upper surface A pair of lift pin supports 320 supporting each of the lift pins 310 and a pair of lift pin support parts 320 to adjust the height of each of the pair of central lift pins 310, respectively. Stone penetrates the main support part 321 and the sealing member 360 so as to move up and down to the lower side of the sealing member 360 The pair of height adjustment rods 375, the sealing member 360 and the main support part 321 are connected so as to be sealingly expandable and expandable up and down, and the lift pin support part 320 and A space between the main support parts 321 may be hermetically connected, and an auxiliary expansion and contraction part 372 that may expand and contract up and down may be included.

상기 밀폐부재(360)는, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되어 공정챔버(100) 내부의 공정압을 유지시키기 위한 구성으로서 오링 등과 같은 밀폐수단(412)가 개재되어 공정챔버(100), 예를 들면 관통공(119)이 형성된 공정챔버(100)의 저면에 결합된다.The sealing member 360 is installed in a through hole 119 formed in the process chamber 100 with a sealing means 412 interposed therebetween to maintain a process pressure inside the process chamber 100 and seal such as an O-ring or the like. The means 412 is interposed and coupled to the bottom of the process chamber 100, for example, the process chamber 100 in which the through hole 119 is formed.

상기 승강로드(330)는, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The lifting rod 330 is a configuration that is driven by a driving source (not shown) that penetrates the sealing member 360 and is coupled to one end, and various configurations are possible.

상기 메인지지부(321)는, 승강로드(330)의 타단에 결합되는 구성으로서 플레이트 부재 등 다양한 구성이 가능하다.The main support part 321 is configured to be coupled to the other end of the lifting rod 330, and various configurations such as a plate member are possible.

상기 한 쌍의 리프트핀 지지부(320)는, 메인지지부(321)의 상부에 상하로 이동가능하게 설치되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각을 지지하는 구성으로서, 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The pair of lift pin supports 320 are configured to be movable up and down on the upper portion of the main support part 321 and support each of the pair of central lift pins 310 on the upper surface, a pair on the upper surface Any configuration is possible as long as it is a configuration capable of supporting each of the central lift pins 310.

상기 한 쌍의 높이조절로드(375)는, 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각의 높이를 조절하도록 한 쌍의 리프트핀 지지부(320)에 각각 결합되어 메인지지부(321)와 밀폐부재(360)를 관통하여 승강 가능하게 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The pair of height adjustment rods 375 are respectively coupled to a pair of lift pin supports 320 to adjust the height of each of the pair of central lift pins 310, and the main support 321 and the sealing member ( 360) is a configuration that protrudes to the lower side of the sealing member 360 to be able to elevate through, various configurations are possible.

여기서 상기 높이조절로드(375)는, 다양한 방법 및 결합구조에 의하여 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각의 높이를 조절할 수 있다.Here, the height adjustment rod 375 can adjust the height of each of the pair of central lift pins 310 by various methods and coupling structures.

예로서 상기 높이조절로드(375)는, 메인지지부(321)에 설치된 암나사부(미도시)에 나사결합됨으로써 회전에 의하여 상하로 이동될 수 있다.For example, the height adjustment rod 375 may be moved up and down by rotation by being screwed to a female screw portion (not shown) installed in the main support portion 321.

상기와 같은 구성을 가지는 높이조절로드(375)의 회전에 의하여 높이조절로드(375)는, 메인지지부(321)에 대하여 상하로 미세이동되며, 중앙 리프트핀(310)들의 상하높이의 미세조정이 가능하여 각 중앙 리프트핀(310)들의 상하높이 조건을 능동적으로 맞추어 최적의 공정조건을 조성할 수 있다.The height adjustment rod 375 is finely moved up and down relative to the main support portion 321 by the rotation of the height adjustment rod 375 having the above configuration, and fine adjustment of the vertical height of the center lift pins 310 is possible. Possible, it is possible to create optimal process conditions by actively matching the upper and lower height conditions of each of the center lift pins 310.

다른 예로서 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 높이조절로드(375)는, 승강로드(330)에 고정되는 고정부재(384)에 상하이동 및 위치고정이 가능하게 결합됨으로써, 중앙 리프트핀(310)들의 상하높이의 미세 조정을 가능하게 할 수 있다.As another example, as shown in FIGS. 6A and 6B, the height adjustment rod 375 is coupled to the fixing member 384 fixed to the lifting rod 330 so as to be movable and fixed in position, so that the central lift Fine adjustment of the vertical height of the pins 310 may be possible.

상기 고정부재(384)는, 주관통공(384b)에 승강로드(330)가 관통되며 고정핀(386)에 의하여 고정되는 등 승강로드(330)에 다양한 방법에 의하여 고정될 수 있다.The fixing member 384 may be fixed to the lifting rod 330 by various methods, such as a lifting rod 330 passing through the main through hole 384b and being fixed by a fixing pin 386.

그리고 상기 고정부재(384)는, 높이조절로드(375)가 관통되는 한 쌍의 보조관통공(384a)들이 형성되고 높이조절로드(375)가 보조관통공(384a)들 각각에 삽입된다.And the fixing member 384, a pair of auxiliary through-holes 384a through which the height-adjusting rod 375 penetrates is formed, and the height-adjusting rod 375 is inserted into each of the auxiliary through-holes 384a.

여기서 상기 높이조절로드(375)는, 고정부재(384)의 상하로 나사결합을 위한 수나사부가 형성되고, 상하에 각각 설치된 너트(387, 388)들에 의하여 고정부재(384)에 대하여 상하이동 및 위치고정이 가능하게 결합된다.Here, the height adjustment rod 375 is formed with a male screw portion for screwing up and down of the fixing member 384, and moves up and down with respect to the fixing member 384 by nuts 387 and 388 respectively installed up and down. Positioning is possible.

여기서 사용자는, 상기 높이조절로드(375)에 대한 미세한 상하이동이 필요한 경우 너트(387, 388)들을 회전시킴으로써 높이조절로드(375)를 고정부재(384)에 대하여 미세하게 상하이동시킨 후 다시 너트(387, 388)를 조여 높이조절로드(375)를 고정부재(384)에 고정시킨다.Here, if the user needs to move finely with respect to the height adjustment rod 375, the height adjustment rod 375 is rotated finely with respect to the fixing member 384 by rotating the nuts 387 and 388, and then the nut ( 387, 388) to fix the height adjustment rod 375 to the fixing member 384.

한편 상기 높이조절로드(375)는, 고정부재(384)에 대하여 회전을 방지할 필요가 있는바 보조관통공(384a) 및 이에 대응되는 부분에서의 높이조절로드(375)의 횡단면 형상은 다각형 형상을 가짐이 바람직하다.Meanwhile, since the height adjustment rod 375 needs to prevent rotation with respect to the fixing member 384, the cross-sectional shape of the height adjustment rod 375 in the auxiliary through hole 384a and the corresponding portion thereof is a polygonal shape. It is preferred to have.

여기서 상기 높이조절로드(375)는, 너트와의 결합을 위하여 암나사부의 형성을 위하여 단면형상이 일부 변형될 수 있음은 물론이다.Here, the height-adjustable rod 375 is, of course, a part of the cross-sectional shape may be modified for the formation of the female thread for coupling with the nut.

상기 신축부(340)는, 밀폐부재(360)와 메인지지부(321) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The expansion / contraction part 340 is a structure that can be sealed up and down to connect the space between the sealing member 360 and the main support part 321, and various configurations are possible.

상기 신축부(340)는, 신축부(340)의 외측의 공정압 상태 및 내측의 대기압 상태를 격리시키는 구성으로서, 벨로우즈 등 상하방향으로 길이가 가변되는 신축성 부재이면 어떠한 구성도 가능하다.The stretchable part 340 is configured to isolate the process pressure state and the atmospheric pressure state of the outside of the stretchable part 340, and any configuration may be used as long as it is a stretchable member having a variable length in the vertical direction such as a bellows.

또한, 상기 신축부(340)의 설치와 관련하여, 안정적인 구조를 가지도록, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재(341, 342)들과, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 중간부재(343)를 포함할 수 있다.In addition, with respect to the installation of the expansion and contraction portion 340, a plurality of expansion and contraction members (341, 342) are disposed vertically, the vertical length is variable to have a stable structure, and a plurality of expansion and contraction members (341, 342) Intermediate members 343 that are installed in correspondence between the fields and are located at the upper and lower sides are connected to the vertical members 341 and 342.

상기 신축부재(341, 342)들은, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 구성으로서 벨로우즈 등이 사용될 수 있다.The expansion and contraction members 341 and 342 may be used as bellows as a configuration in which the vertical length is variable by being vertically disposed.

그리고, 상기 중간부재(343)는, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 구성으로서 신축부(340)가 상하로 지나치게 길어지는 것을 방지하여, 신축부(340)의 안정적인 설치가 가능하다.In addition, the intermediate member 343 is installed in correspondence between the plurality of stretching members 341 and 342, and the stretching members 341 and 342 positioned at the upper and lower sides are connected vertically, so that the stretching unit 340 It is prevented from being too long vertically and vertically, so that a stable installation of the expansion and contraction unit 340 is possible.

제3실시예로서, 상기 중앙 리프트핀승강부(300)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되는 밀폐부재(360)와, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드(381)와, 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 한 쌍의 승강로드(381)의 일단을 지지하며 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부(331)와, 한 쌍의 승강로드(381) 타단에 각각 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부(320)와, 밀폐부재(360)와 리프트핀 지지부(320) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부(340)를 포함할 수 있다.As a third embodiment, the central lift pin lifting part 300 is a sealing member installed in a through hole 119 formed in the process chamber 100 with a sealing means 412 interposed as shown in FIG. 7. (360), a pair of lifting rods 381 that are driven up and down by a driving source (not shown) coupled to one end of the sealing member 360 and a pair of protrusions protruding to the lower side of the sealing member 360 It supports the one end of the lifting rod 381 and is coupled to the other end of the pair of lifting rods 381 and the rod support 331 which is driven by the driving source, and supports a pair of central lift pins 310 at the same time. The lift pin support part 320 and the sealing member 360 and the lift pin support part 320 may be hermetically connected to the space, and may include a stretchable part 340 that can be vertically stretched.

상기 밀폐부재(360)는, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되어 공정챔버(100) 내부의 공정압을 유지시키기 위한 구성으로서 오링 등과 같은 밀폐수단(412)가 개재되어 공정챔버(100), 예를 들면 관통공(119)이 형성된 공정챔버(100)의 저면에 결합된다.The sealing member 360 is installed in a through hole 119 formed in the process chamber 100 with a sealing means 412 interposed therebetween to maintain a process pressure inside the process chamber 100 and seal such as an O-ring or the like. The means 412 is interposed and coupled to the bottom of the process chamber 100, for example, the process chamber 100 in which the through hole 119 is formed.

상기 승강로드(381)는, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The lifting rod 381 penetrates the sealing member 360 and can be variously configured as a lifting driving mechanism by a driving source (not shown) coupled to one end.

특히 상기 승강로드(381)는, 제1실시예와 대비하여 한 쌍으로 설치된 점에서 차이가 있으며, 중앙 리프트핀(310)의 안정적인 지지를 위하여 중앙 리프트핀(310)의 축선상에 설치됨이 바람직하다.In particular, the lifting rod 381 differs in that it is installed in a pair compared to the first embodiment, and is preferably installed on the axis of the central lift pin 310 for stable support of the central lift pin 310. Do.

상기 로드 지지부(331)는, 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 한 쌍의 승강로드(381) 일단을 지지하며 구동원에 의해 승강구동되는 구성으로서 플레이트 등 다양한 구성이 가능하다.The rod support 331 supports a pair of lifting rods 381 protruding to the lower side of the sealing member 360 and is configured to be elevated and driven by a driving source, and various configurations such as a plate are possible.

여기서 상기 로드지지부(331)는, 도시된 바와 같이, 구동원에 의하여 상하로 구동되는 구동지지로드(333)가 하측에 결합되어 상하로 구동될 수 있다.Here, the rod support portion 331, as shown, the drive support rod 333 driven up and down by a driving source is coupled to the lower side can be driven up and down.

상기 리프트핀 지지부(320)는, 한 쌍의 승강로드(330) 타단에 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지하는 구성으로서, 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 동시에 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The lift pin support part 320 is coupled to the other end of the pair of lifting rods 330 and simultaneously supports a pair of center lift pins 310 on the upper surface, and simultaneously supports a pair of center lift pins 310 Any configuration is possible as long as it is a supportable configuration.

여기서 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들은, 리프트핀 지지부(320)에 대하여 상하높이의 미세조정이 가능하도록 설치될 수 있다.Here, the pair of central lift pins 310 may be installed to allow fine adjustment of the vertical height with respect to the lift pin support part 320.

상기 신축부(340)는, 밀폐부재(360)와 리프트핀 지지부(320) 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The expansion and contraction part 340 is a sealable connection between the space between the sealing member 360 and the lift pin support part 320, and a variety of configurations are possible.

상기 신축부(340)는, 신축부(340)의 외측의 공정압 상태 및 내측의 대기압 상태를 격리시키는 구성으로서, 벨로우즈 등 상하방향으로 길이가 가변되는 신축성 부재이면 어떠한 구성도 가능하다.The stretchable part 340 is configured to isolate the process pressure state and the atmospheric pressure state of the outside of the stretchable part 340, and any configuration may be used as long as it is a stretchable member having a variable length in the vertical direction such as a bellows.

또한, 상기 신축부(340)의 설치와 관련하여, 안정적인 구조를 가지도록, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재(341, 342)들과, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 중간부재(343)를 포함할 수 있다.In addition, with respect to the installation of the expansion and contraction portion 340, a plurality of expansion and contraction members (341, 342) are disposed vertically, the vertical length is variable to have a stable structure, and a plurality of expansion and contraction members (341, 342) Intermediate members 343 that are installed in correspondence between the fields and are located at the upper and lower sides are connected to the vertical members 341 and 342.

상기 신축부재(341, 342)들은, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 구성으로서 벨로우즈 등이 사용될 수 있다.The expansion and contraction members 341 and 342 may be used as bellows as a configuration in which the vertical length is variable by being vertically disposed.

그리고, 상기 중간부재(343)는, 복수의 신축부재(341, 342)들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재(341, 342)들이 상하로 연결된 구성으로서 신축부(340)가 상하로 지나치게 길어지는 것을 방지하여, 신축부(340)의 안정적인 설치가 가능하다.In addition, the intermediate member 343 is installed in correspondence between the plurality of stretching members 341 and 342, and the stretching members 341 and 342 positioned at the upper and lower sides are connected vertically, so that the stretching unit 340 It is prevented from being too long vertically and vertically, so that a stable installation of the expansion and contraction unit 340 is possible.

제4실시예로서, 상기 중앙 리프트핀승강부(300)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되는 밀폐부재(360)와, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드(381)와, 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 한 쌍의 승강로드(381) 일단을 지지하며 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부(331)와, 한 쌍의 승강로드(381) 타단에 각각 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 각각 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부(322)들과, 밀폐부재(360)와 한 쌍의 리프트핀 지지부(322)들 사이의 각 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 한 쌍의 신축부(340)들을 포함할 수 있다.As a fourth embodiment, the central lift pin lifting part 300 is a sealing member installed in the through hole 119 formed in the process chamber 100 with the sealing means 412 interposed, as shown in FIG. 8. (360), a pair of lifting rods 381 that are driven up and down by a driving source (not shown) coupled to one end of the sealing member 360 and a pair of protrusions protruding to the lower side of the sealing member 360 Supporting one end of the lifting rod 381, the rod supporting portion 331 which is driven upward and downward by a driving source, is coupled to the other ends of the pair of lifting rods 381, and supports a pair of central lift pins 310 on the upper surface, respectively. A pair of expansion and contraction portions 340 that can be vertically stretched by connecting each space between the pair of lift pin support portions 322 and the sealing member 360 and the pair of lift pin support portions 322. It may include.

상기 밀폐부재(360)는, 밀폐수단(412)이 개재되어 공정챔버(100)에 형성된 관통공(119)에 설치되어 공정챔버(100) 내부의 공정압을 유지시키기 위한 구성으로서 오링 등과 같은 밀폐수단(412)가 개재되어 공정챔버(100), 예를 들면 관통공(119)이 형성된 공정챔버(100)의 저면에 결합된다.The sealing member 360 is installed in a through hole 119 formed in the process chamber 100 with a sealing means 412 interposed therebetween to maintain a process pressure inside the process chamber 100 and seal such as an O-ring or the like. The means 412 is interposed and coupled to the bottom of the process chamber 100, for example, the process chamber 100 in which the through hole 119 is formed.

상기 승강로드(381)는, 밀폐부재(360)를 관통하며 일단에 결합된 구동원(미도시)에 의해 승강구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The lifting rod 381 penetrates the sealing member 360 and can be variously configured as a lifting driving mechanism by a driving source (not shown) coupled to one end.

특히 상기 승강로드(381)는, 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들 각각을 지지하도록 한 쌍으로 설치됨에 특징이 있으며, 중앙 리프트핀(310)의 안정적인 지지를 위하여 중앙 리프트핀(310)의 축선상에 설치됨이 바람직하다.In particular, the lifting rod 381 is characterized in that it is installed in a pair to support each of the pair of central lift pins 310, and for the stable support of the central lift pin 310, the central lift pin 310 It is preferably installed on the axis.

상기 로드 지지부(331)는, 밀폐부재(360)의 하측으로 돌출된 한 쌍의 승강로드(381) 일단을 지지하며 구동원에 의해 승강구동되는 구성으로서 플레이트 등 다양한 구성이 가능하다.The rod support 331 supports a pair of lifting rods 381 protruding to the lower side of the sealing member 360 and is configured to be elevated and driven by a driving source, and various configurations such as a plate are possible.

여기서 상기 로드지지부(331)는, 도시된 바와 같이, 구동원에 의하여 상하로 구동되는 구동지지로드(333)가 하측에 결합되어 상하로 구동될 수 있다.Here, the rod support portion 331, as shown, the drive support rod 333 driven up and down by a driving source is coupled to the lower side can be driven up and down.

상기 리프트핀 지지부(322)는, 한 쌍으로 구성되어 한 쌍의 승강로드(381) 타단에 각각 결합되며 상면에 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들을 각각 지지하도록 설치된다.The lift pin support part 322 is composed of a pair, respectively coupled to the other end of the pair of lifting rods 381 and installed to support the pair of central lift pins 310 on the upper surface, respectively.

여기서 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀(310)들은, 리프트핀 지지부(322)에 대하여 상하높이의 미세조정이 가능하도록 설치될 수 있다.Here, the pair of central lift pins 310 may be installed to enable fine adjustment of the vertical height with respect to the lift pin support part 322.

상기 한 쌍의 신축부(340)는, 밀폐부재(360)와 한 쌍의 리프트핀 지지부(322)들 사이의 각 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The pair of expansion and contraction parts 340 are connected to each space between the sealing member 360 and the pair of lift pin support parts 322 so as to be sealingly expandable and vertically expandable, and various configurations are possible.

상기 신축부(340)는, 신축부(340)의 외측의 공정압 상태 및 내측의 대기압 상태를 격리시키는 구성으로서, 벨로우즈 등 상하방향으로 길이가 가변되는 신축성 부재이면 어떠한 구성도 가능하다.The stretchable part 340 is configured to isolate the process pressure state and the atmospheric pressure state of the outside of the stretchable part 340, and any configuration may be used as long as it is a stretchable member having a variable length in the vertical direction such as a bellows.

또한, 상기 신축부(340)의 설치와 관련하여, 안정적인 구조를 가지도록, 앞서 설명한 바와 같이, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재들과, 복수의 신축부재들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재들이 상하로 연결된 중간부재를 포함할 수 있다.In addition, with respect to the installation of the expansion and contraction unit 340, as described above, as described above, a plurality of expansion and contraction members are disposed vertically and the length is variable and corresponded between the plurality of expansion and contraction members. It may be installed to include an intermediate member connected to the upper and lower stretch members are located on the upper and lower sides.

상기 신축부재들은, 상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 구성으로서 벨로우즈 등이 사용될 수 있다.The stretching members are arranged vertically, and bellows or the like may be used as a configuration in which the vertical length is variable.

그리고, 상기 중간부재는, 복수의 신축부재들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재들이 상하로 연결된 구성으로서 신축부가 상하로 지나치게 길어지는 것을 방지하여, 신축부의 안정적인 설치가 가능하다.In addition, the intermediate member is installed in correspondence between a plurality of expansion and contraction members so that the expansion and contraction members located at the upper side and the lower side are vertically connected to prevent the expansion and contraction portion from being excessively long upward and downward, thereby enabling stable installation of the expansion and contraction portion. .

한편 상기 신축부(340)들은, 밀폐부재(360)에 결합되는 부분에서 반경방향으로 확장된 플렌지부(348)가 구비됨이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the expansion and contraction portions 340 are provided with a flange portion 348 extended in a radial direction in a portion coupled to the sealing member 360.

그런데, 상기 신축부(340)의 플렌지부(348)는, 인접한 신축부(340)의 플렌지부(348)와의 간섭이 발생되어 한 쌍의 리프트핀(310)들 간의 간격을 최소화하는데 방해될 수 있다.However, the flange portion 348 of the stretchable portion 340 may interfere with the gap between the pair of lift pins 310 due to interference with the flange portion 348 of the adjacent stretchable portion 340. have.

이에, 상기 신축부(340)의 플렌지부(348)는, 인접한 신축부(340)의 플렌지부(348)와 상하로 중첩되도록 설치될 수 있다.Accordingly, the flange portion 348 of the stretchable portion 340 may be installed to overlap the flange portion 348 of the adjacent stretchable portion 340 vertically.

그리고 상기 신축부(340)의 플렌지부(348)가 인접한 신축부(340)의 플렌지부(348)와 상하로 중첩되는 방법으로서, 하나는 밀폐부재(360)의 상면에서 나머지 하나는 밀폐부재(360)의 하면에 결합되도록 설치될 수 있다.And a method in which the flange portion 348 of the expansion and contraction portion 340 overlaps the flange portion 348 of the adjacent expansion and contraction portion 340 up and down. 360).

여기서 상기 신축부(340)의 플렌지부(348)는, 밀폐부재(360)와 용접, 오링이 개지된 상태로 밀착결합되는 등 다양한 방법에 의하여 결합될 수 있다.Here, the flange portion 348 of the expansion and contraction portion 340, the sealing member 360 and the welding, the O-ring can be coupled by a variety of methods, such as close coupling.

상기와 같은 구조를 가지는 중앙 리프트핀승강부(300)의 설치에 의하여, 2장의 기판(10)을 승하강시키기 위한 리프트핀들 중 인접한 가장자리의 한 쌍의 리프트핀들의 상하구동을 위한 구동구성에 의한 2장의 기판(10)들 간의 간격을 최소화할 수 있게 된다.By the installation of the central lift pin elevating unit 300 having the above-described structure, among the lift pins for elevating and descending the two substrates 10, a driving configuration for vertical movement of a pair of lift pins at adjacent edges It is possible to minimize the gap between the two substrates 10.

한편 도면에서 설명되지 않은 도면부호 351, 352, 354, 356는, 승강로드 등의 상하이동시 마찰력을 최소화하기 위한 부시 등을 가리킨다.Meanwhile, reference numerals 351, 352, 354, and 356, which are not described in the drawings, refer to a bush or the like for minimizing the frictional force at the same time as the lifting rod.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.The above is merely a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, so, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the present invention described above. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

10 : 기판 100 : 기판처리장치
130 : 기판지지대 200 : 정전척
270 : 중앙실드부재 300 : 중앙 리프트핀승강부10: substrate 100: substrate processing device
130: substrate support 200: electrostatic chuck
270: central shield member 300: central lift pin lift

Claims (8)

외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며,
상기 리프트핀조립체는,
상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하며,
상기 중앙 리프트핀승강부는, 상기 기판지지대를 관통하여 상기 2장의 기판 저면을 각각 지지하는 한 쌍의 중앙리프트핀들을 포함하는 기판처리장치.A process chamber for forming a processing space for performing substrate processing on the two rectangular substrates introduced from the outside; In the substrate processing apparatus is installed in the process chamber including a substrate support for supporting the two rectangular substrates,
It is installed in the process chamber, and includes a lift pin assembly including a plurality of lift pins installed through the substrate support to move up and down,
The lift pin assembly,
The two rectangular substrates are installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion facing each other, and includes a central lift pin elevation portion that simultaneously supports the bottom surfaces of the two rectangular substrates adjacent to each other by lifting and lowering of a single driving source,
The central lift pin elevating unit includes a pair of central lift pins that penetrate the substrate support and respectively support the bottom of the two substrates. 청구항 1에 있어서,
상기 중앙 리프트핀승강부는,
밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와,
상기 밀폐부재를 관통하며 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 승강로드와,
상기 승강로드의 타단에 결합되며 상면에 상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부와,
상기 밀폐부재와 상기 리프트핀 지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The central lift pin lift,
The sealing member is interposed between the sealing member is installed in the through hole formed in the process chamber,
A lifting rod penetrating through the sealing member and being driven up and down by the driving source coupled to one end;
A lift pin support unit coupled to the other end of the lifting rod and simultaneously supporting the pair of central lift pins on an upper surface;
And a space between the sealing member and the lift pin support so as to be hermetically sealed, and further comprising a stretchable part that can be stretched up and down. 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며,
상기 리프트핀조립체는,
상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하며,
상기 중앙 리프트핀승강부는,
밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와,
상기 밀폐부재를 관통하며 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 승강로드와,
상기 승강로드의 타단에 결합되는 메인지지부와,
상기 메인지지부의 상부에 상하로 이동가능하게 설치되며 상면에 상기 2장의 기판 저면을 각각 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀들 각각을 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부와,
상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들 각각의 높이를 조절하도록 상기 한 쌍의 리프트핀 지지부에 각각 결합되어 상기 메인지지부와 상기 밀폐부재를 관통하여 승강 가능하게 상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 한 쌍의 높이조절로드와,
상기 밀폐부재와 상기 메인지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부와,
상기 리프트핀 지지부와 상기 메인지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 보조신축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber for forming a processing space for performing substrate processing on the two rectangular substrates introduced from the outside; In the substrate processing apparatus is installed in the process chamber including a substrate support for supporting the two rectangular substrates,
It is installed in the process chamber, and includes a lift pin assembly including a plurality of lift pins installed through the substrate support to move up and down,
The lift pin assembly,
The two rectangular substrates are installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion facing each other, and includes a central lift pin elevation portion that simultaneously supports the bottom surfaces of the two rectangular substrates adjacent to each other by lifting and lowering of a single driving source,
The central lift pin lift,
The sealing member is interposed between the sealing member is installed in the through hole formed in the process chamber,
A lifting rod penetrating through the sealing member and being driven up and down by the driving source coupled to one end;
And the main support coupled to the other end of the lifting rod,
A pair of lift pin supports which are installed to be movable up and down on the upper portion of the main support and support each of a pair of central lift pins respectively supporting the bottom surfaces of the two substrates,
Adjusting the height of each of the pair of central lift pins, the pair of lift pins are respectively coupled to the support portion to adjust the height of the pair protruding downward through the main support portion and the sealing member so as to be elevated. Lord,
The expansion and contraction of the space between the sealing member and the main support so as to be sealed and expandable up and down,
And a secondary expansion and contraction part which is capable of sealingly connecting a space between the lift pin support part and the main support part and expands and contracts up and down. 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며,
상기 리프트핀조립체는,
상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하며,
상기 중앙 리프트핀승강부는,
밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와,
상기 밀폐부재를 관통하여 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드들과,
상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 상기 한 쌍의 승강로드의 일단을 지지하며 상기 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부와,
상기 한 쌍의 승강로드 타단에 각각 결합되며 상면에 상기 2장의 기판 저면을 각각 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 동시에 지지하는 리프트핀 지지부와,
상기 밀폐부재와 상기 리프트핀 지지부 사이의 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 신축부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber for forming a processing space for performing substrate processing on the two rectangular substrates introduced from the outside; In the substrate processing apparatus is installed in the process chamber including a substrate support for supporting the two rectangular substrates,
It is installed in the process chamber, and includes a lift pin assembly including a plurality of lift pins installed through the substrate support to move up and down,
The lift pin assembly,
The two rectangular substrates are installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion facing each other, and includes a central lift pin elevation portion that simultaneously supports the bottom surfaces of the two rectangular substrates adjacent to each other by lifting and lowering of a single driving source,
The central lift pin lift,
The sealing member is interposed between the sealing member is installed in the through hole formed in the process chamber,
A pair of lifting rods which are driven up and down by the driving source coupled to one end through the sealing member;
A rod support portion supporting one end of the pair of lifting rods protruding to the lower side of the sealing member and being driven up and down by the driving source;
A lift pin support unit coupled to the other end of the pair of lifting rods and simultaneously supporting a pair of central lift pins respectively supporting the bottom surfaces of the two substrates on an upper surface;
And a space between the sealing member and the lift pin support so as to be hermetically sealed, and including a stretchable part that is stretchable up and down. 외부로부터 도입된 2장의 직사각형 기판들에 대하여 기판처리를 수행하기 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 2장의 직사각형 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판지지대를 관통하여 상하이동이 가능하도록 설치되는 복수의 리프트핀들을 포함하는 리프트핀조립체를 포함하며,
상기 리프트핀조립체는,
상기 2장의 직사각형 기판이 서로 대향하는 경계부분인 상기 기판지지대의 중앙부를 따라 설치되며 단일 구동원의 승강 구동에 의해 서로 인접한 상기 2장의 직사각형 기판 저면을 동시에 각각 지지하는 중앙 리프트핀승강부를 포함하며,
상기 중앙 리프트핀승강부는,
밀폐수단이 개재되어 상기 공정챔버에 형성된 관통공에 설치되는 밀폐부재와,
상기 밀폐부재를 관통하여 일단에 결합된 상기 구동원에 의해 승강구동되는 한 쌍의 승강로드들과,
상기 밀폐부재의 하측으로 돌출된 상기 한 쌍의 승강로드의 일단을 지지하며 상기 구동원에 의해 승강구동되는 로드 지지부와,
상기 한 쌍의 승강로드 타단에 각각 결합되며 상면에 상기 2장의 기판 저면을 각각 지지하는 한 쌍의 중앙 리프트핀들을 각각 지지하는 한 쌍의 리프트핀 지지부들과,
상기 밀폐부재와 상기 한 쌍의 리프트핀 지지부들 사이의 각 공간을 밀폐 가능하게 연결하며 상하로 신축 가능한 한 쌍의 신축부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A process chamber for forming a processing space for performing substrate processing on the two rectangular substrates introduced from the outside; In the substrate processing apparatus is installed in the process chamber including a substrate support for supporting the two rectangular substrates,
It is installed in the process chamber, and includes a lift pin assembly including a plurality of lift pins installed through the substrate support to move up and down,
The lift pin assembly,
The two rectangular substrates are installed along a central portion of the substrate support, which is a boundary portion facing each other, and includes a central lift pin elevation portion that simultaneously supports the bottom surfaces of the two rectangular substrates adjacent to each other by lifting and lowering of a single driving source,
The central lift pin lift,
The sealing member is interposed between the sealing member is installed in the through hole formed in the process chamber,
A pair of lifting rods which are driven up and down by the driving source coupled to one end through the sealing member;
A rod support portion supporting one end of the pair of lifting rods protruding to the lower side of the sealing member and being driven up and down by the driving source;
A pair of lift pin supports respectively coupled to the other end of the pair of lifting rods and supporting a pair of central lift pins respectively supporting the bottom surfaces of the two substrates on an upper surface;
A substrate processing apparatus comprising a pair of expansion and contraction portions that can be vertically connected to each space between the sealing member and the pair of lift pin supports. 청구항 5에 있어서,
상기 한 쌍의 신축부들은, 각각 상기 밀폐부재에 결합되는 부분에서 반경방향으로 확장된 플렌지부가 구비되며,
상기 신축부의 플렌지부는, 인접한 신축부의 플렌지부와 상하로 중첩되어 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 5,
The pair of expansion and contraction parts, each of which is provided with a flange portion extending in the radial direction in a portion coupled to the sealing member,
The flange portion of the expansion and contraction, the substrate processing apparatus characterized in that the flange portion of the adjacent expansion and contraction overlapped and installed. 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 신축부는,
상하로 배치되어 상하길이가 가변되는 복수의 신축부재들과, 상기 복수의 신축부재들 사이에 대응되어 설치되어 상측 및 하측에 위치된 신축부재들이 상하로 연결된 중간부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 6,
The elastic part,
A substrate characterized in that it comprises a plurality of elastic members arranged vertically and having varying lengths, and intermediate members in which vertically connected elastic members are provided between the plurality of elastic members and positioned at upper and lower sides. Processing device. 청구항 2, 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 한 쌍의 중앙 리프트핀들은, 상기 리프트핀 지지부에 대하여 상하높이의 미세조정이 가능하도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 and 4 to 6,
The pair of central lift pins, the substrate processing apparatus, characterized in that installed to enable fine adjustment of the vertical height with respect to the lift pin support.
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