KR102409312B1 - 플라즈마 원자층 증착 장치 - Google Patents

플라즈마 원자층 증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고밀도 패턴을 가지는 기판의 증착에서 패턴 내 측벽의 박막의 특성을 향상시킬 수 있게 하는 플라즈마 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 수용 공간에 설치되고, 적어도 하나의 기판을 지지하는 서셉터; 상기 기판을 향하여 적어도 소스 가스, 버퍼 가스, 반응 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 선택하여 공급할 수 있도록 상기 챔버에 설치되는 적어도 하나의 샤워 헤드; 및 상기 서셉터와 상기 샤워 헤드 사이에서 플라즈마가 발생될 수 있도록 전기장을 형성하는 플라즈마 발생 장치;를 포함하고, 상기 플라즈마 발생 장치는, 상기 샤워 헤드와 상기 서셉터 사이에 설치되고, 상기 전기장이 수평 방향으로도 형성될 수 있도록 소용돌이 형태로 형성되는 안테나 전극;을 포함할 수 있다

Description

플라즈마 원자층 증착 장치{Plasma atomic layer deposition apparatus}
본 발명은 플라즈마 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고밀도 패턴을 가지는 기판의 증착에서 패턴 내 측벽의 박막의 특성을 향상시킬 수 있게 하는 플라즈마 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
반도체 집적 기술의 발달로 인하여 고순도, 고품질의 박막을 증착 시키는 공정은 반도체 제조공정 중에서 중요한 부분을 차지하게 되었다. 박막 형성의 대표적인 방법으로 화학 증착(Chemical Vapour Deposition, CVD)법과 물리 증착(Physical Vapour Deposition, PVD)법이 있다. 스퍼터링(sputtering)법 등의 물리 증착법은 형성된 박막의 단차 피복성(step coverage)이 나쁘기 때문에 요철이 있는 표면에 균일한 두께의 막을 형성하는 데에는 사용할 수 없다.
화학 증착법은 가열된 기판의 표면 위에서 기체상태의 물질들이 반응하고, 그 반응으로 생성된 화합물이 기판 표면에 증착되는 방법이다. 화학 증착법은 물리 증착법에 비하여 단차 피복성이 좋고, 박막이 증착되는 기판의 손상이 적고, 박막의 증착 비용이 적게 들며, 박막을 대량 생산할 수 있기 때문에 많이 적용되고 있다.
그러나, 최근 반도체 소자의 집적도가 서브 마이크론(sub-micron) 단위로까지 향상됨에 따라, 종래 방식의 화학 증착법만으로는 웨이퍼 기판에서 서브 마이크론 단위의 균일한 두께를 얻거나, 우수한 단차 피복성(step coverage)을 얻는데 한계에 이르고 있으며, 웨이퍼 기판에 서브 마이크론 크기의 콘택홀(contact hole), 비아(via) 또는 도랑(trench)과 같은 단차가 존재하는 경우에 위치에 상관없이 일정한 조성을 가지는 물질막을 얻는 데도 어려움을 겪게 되었다.
따라서, 종래의 모든 공정 기체들을 동시에 주입하는 화학 증착법과 다르게 원하는 박막을 얻는데 필요한 두 가지 이상의 공정 기체들을 기상에서 만나지 않도록 시간에 따라 순차적으로 분할하여 공급하되, 이들 공급 주기를 주기적으로 반복하여 박막을 형성하는 시분할 방식의 원자층 증착(atomic layer deposition) 방식이 새로운 박막 형성 방법으로 적용될 수 있다. 또한, 최근에는 두 가지 이상의 공정 기체들을 기상에서 만나지 않도록 공간을 달리하여 공급하되, 기판이 서로 다른 공간으로 이동되게 하는 공간 분할 방식의 원자층 증착 장치도 널리 적용되고 있다.
한편, 원자층 증착시, 기판에 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 여기시켜서 증착 반응을 더욱 촉진시키는 플라즈마 원자층 증착 장치들도 개발되어 널리 적용되고 있다.
도 1은 기존의 플라즈마 원자층 증착 장치를 개념적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기존의 플라즈마 원자층 증착 장치에서 기판(1)에 증착막(2)이 증착되는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기존의 플라즈마 원자층 증착 장치는, 챔버 내부에 기판(1)을 지지하는 서셉터(SC)와 기판(1)에 가스를 공급하는 샤워 헤드(SH)가 설치되는 것으로서, 상기 서셉터(SC)에 접지부(G)를 연결하고, 상기 샤워 헤드(SH)에 RF 전력부(RF)를 연결시켜서 이들 사이에 전기장(E)을 형성하여 플라즈마(P)를 형성하고, 이를 이용하여 기판(1)에 증착막(2)을 증착하는 구성이다.
이 때, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전기장(E)은 평판형 전극과 함께 역시 동일한 평판형 전극 사이에서 대부분 수직 방향으로 인가되는 것으로서, 상기 기판(1)에 단차 구조를 갖는 패턴이 형성된 경우, 측벽에 성막되는 증착막(2)의 측벽부(2b)는 수직 방향의 전기장(E)에 노출되기 어렵기 때문에, 박막의 품질이 전기장(E)에 직접적으로 노출되는 증착막(2)의 상면부(2a)영역에 비해 막질이 크게 떨어지는 문제점이 있었다.
한편, 통상적으로, 용량 결합형 플라즈마는 플라즈마 밀도가 10-6 ~ 10-7이고, 유도 결합형 플라즈마는 플라즈마 밀도가 10-8 ~ 10-9 로 약 10배 내지 100배 이상 높기 때문에, 고밀도 플라즈마 형성을 통하여 박막의 특성을 향상 시킬 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 안테나 전극을 적용하여 전기장의 방향을 패턴 내에서 수평방향으로도 유도되게 하고, 이를 통해 기판의 단차 구조 패턴에서 원자층 증착시 패턴 내 측벽에 증착되는 박막의 전기장 노출도를 향상시켜서 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 유도 결합형 고밀도 플라즈마로 플라즈마의 특성을 향상시키고, 증착막의 특성 및 패턴 밀도가 높은 기판에서의 단차 피복성을 향상시킬 수 있으며, 별도의 샤워헤드 구조를 구성하여 균일한 증착막을 형성할 수 있게 하는 플라즈마 원자층 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 플라즈마 원자층 증착 장치는, 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 수용 공간에 설치되고, 적어도 하나의 기판을 지지하는 서셉터; 상기 기판을 향하여 적어도 소스 가스, 버퍼 가스, 반응 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 선택하여 공급할 수 있도록 상기 챔버에 설치되는 적어도 하나의 샤워 헤드; 및 상기 서셉터와 상기 샤워 헤드 사이에서 플라즈마가 발생될 수 있도록 전기장을 형성하는 플라즈마 발생 장치;를 포함하고, 상기 플라즈마 발생 장치는, 상기 샤워 헤드와 상기 서셉터 사이에 설치되고, 상기 전기장이 수평 방향으로도 형성될 수 있도록 소용돌이 형태로 형성되는 안테나 전극;을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 안테나 전극은, 상기 기판의 테두리 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부, DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부 중 어느 하나와 연결되는 테두리 단자부; 상기 기판의 중심 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부, DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부 중 어느 하나와 연결되는 중심 단자부; 및 유도 결합형 플라즈마를 형성할 수 있도록 상기 중심 단자부에서 시작하여 일정한 폭방향 간격을 두고 둥글거나 또는 사각진 소용돌이 형태로 절곡되어 상기 테두리 단자부까지 형성되는 절곡부;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 절곡부는, 그 단면이 사각형 또는 원형인 전도성 금속 전극체의 표면에 절연막이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 안테나 전극은, 상기 샤워 헤드와 이격 거리만큼 이격되게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 안테나 전극은, 소용돌이 형상을 유지할 수 있도록 상기 절곡부와 이웃하는 절곡부를 서로 연결하는 절연 재질의 안테나 브라켓;을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 안테나 브라켓은, 상기 중심 단자부를 중심으로 십자형 또는 방사형 형태로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 RF 전력부에서 발생되는 RF 주파수는 60 kHz 내지 60 MHz일 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 플라즈마 발생 장치는, 상기 안테나 전극과 대응될 수 있도록 상기 서셉터의 적어도 일부분에 설치되고, 접지부와 연결되는 서셉터 전극;를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 안테나 전극을 적용하여 전기장의 방향을 패턴 내에서 수평방향으로도 유도되게 하고, 이를 통해 기판의 단차 구조 패턴에서 원자층 증착시 패턴 내 측벽에 증착되는 박막의 전기장 노출도를 향상시켜서 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 유도 결합형 고밀도 플라즈마로 플라즈마의 특성을 향상시키고, 증착막의 특성 및 패턴 밀도가 높은 기판에서의 단차 피복성을 향상시킬 수 있으며, 별도의 샤워헤드 구조를 구성하여 균일한 증착막을 형성할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기존의 플라즈마 원자층 증착 장치를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기존의 플라즈마 원자층 증착 장치에서 기판에 증착막이 증착되는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 원자층 증착 장치를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 플라즈마 원자층 증착 장치의 안테나 전극을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 3의 플라즈마 원자층 증착 장치에서 기판에 증착막이 증착되는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 원자층 증착 장치(100)를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 플라즈마 원자층 증착 장치(100)의 안테나 전극(41)을 나타내는 평면도이다.
먼저, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 플라즈마 원자층 증착 장치(100)는, 크게 챔버(10)와, 서셉터(20)와, 적어도 하나의 샤워 헤드(30) 및 플라즈마 발생 장치(40)를 포함할 수 있다.
예컨대, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10)는, 내부에 반응 공간 및 수용 공간이 형성되는 일종의 밀폐된 박스 형태의 구조체로서, 기판(1)이 안착될 수 있는 상기 서셉터(20), 상기 샤워 헤드(30)들 및 상기 플라즈마 발생 장치(40) 등이 내부에 설치될 수 있고, 일체로 제작되거나 또는 상부 패널과, 측벽 패널 및 바닥 패널 등을 용접하거나 나사 조립하여 이루어지는 등 다양한 부재들로 이루어질 수 있다.
그러나, 이러한 상기 챔버(10)는 도면에 반드시 국한되지 않는 것으로서, 그 내부에 상기 서셉터(20)나 상기 샤워 헤드(30)들을 지지할 수 있는 충분한 강도나 내구성을 갖는 다양한 모든 형태의 챔버들이 적용될 수 있다.
또한, 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(20)는, 상기 수용 공간에 설치되는 것으로서, 상기 기판(1)이 회전될 수 있도록 모터와 연결되어 회전축을 중심으로 회전도, 적어도 하나의 기판(1)을 지지하는 일종의 회전 테이블 장치일 수 있다.
또한, 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 샤워 헤드(30)는, 상기 기판(1)을 향하여 적어도 소스 가스, 버퍼 가스, 반응 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 선택하여 공급할 수 있도록 상기 챔버(10)에 설치되는 일종의 가스 분배 장치일 수 있다.
따라서, 설치 위치가 서로 다른 상기 샤워 헤드(30)들은 공급받은 상기 소스 가스, 상기 퍼지 가스, 상기 반응 가스를 공간 또는 시간의 차이를 두고 상기 기판(1)의 표면 상에 골고루 분배할 수 있다.
여기서, 상기 샤워 헤드(30)는, 상기 기판(1)에 소스 가스, 버퍼 가스, 반응 가스 중 어느 하나 이상을 선택하여 시간 분할적으로 분배할 수 있는 단일 샤워 헤드 구조도 가능하나, 바람직하기로는, 가스들이 서로 만나지 않도록 소스 가스 샤워 헤드, 버퍼 가스 샤워 헤드, 반응 가스 샤워 헤드 등이 각각 별도로 설치되어 상기 가스들을 공간 분할적으로 분배하는 공간 분할 방식의 복수개의 샤워 헤드 구조도 적용할 수 있다.
또한, 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 장치(40)는, 상기 서셉터(20)와 상기 샤워 헤드(30) 사이에서 플라즈마가 발생될 수 있도록 전기장(E)을 형성하는 일종의 전기장 형성 장치일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 발생 장치(40)는, 상기 샤워 헤드와 상기 서셉터 사이에 설치되고, 상기 전기장(E)이 수평 방향으로도 형성될 수 있도록 소용돌이 형태로 형성되는 안테나 전극(41) 및 상기 안테나 전극(41)과 대응될 수 있도록 상기 서셉터(20)의 적어도 일부분에 설치되고, 접지부(G)와 연결되는 서셉터 전극(42)를 포함할 수 있다.
여기서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 안테나 전극(41)은, 상기 기판(1)의 테두리 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부(RF), DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부 중 어느 하나와 연결되는 테두리 단자부(T1)와, 상기 기판(1)의 중심 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부, DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부(G) 중 어느 하나와 연결되는 중심 단자부(T2) 및 유도 결합형 플라즈마를 형성할 수 있도록 상기 중심 단자부(T2)에서 시작하여 일정한 폭방향 간격을 두고 둥글거나 또는 사각진 소용돌이 형태로 절곡되어 상기 테두리 단자부(T1)까지 형성되는 절곡부(R)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 테두리 단자부(T1)는 절연 처리된 상기 샤워 헤드(30)의 테두리 돌출 부분에 설치되어 상기 RF 전력부(RF)와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 중심 단자부(T2)는 후술될 안테나 브라켓(B) 등에 의해 고정되어 별도의 전선으로 접지부(G)와 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 RF 전력부(RF)에서 발생되는 RF 주파수는, 너무 높은 경우 전력 손실이 크고, 너무 낮은 경우, 플라즈마 효율이 떨어지기 때문에 바람직하기로는 60 kHz 내지 60 MHz일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 4의 확대된 부분에 도시된 단면도와 같이, 상기 절곡부(R)는, 그 단면이 사각형 또는 원형인 전도성 금속 전극체(Ra)의 표면에 세라믹 등의 절연 재질로 이루어지는 절연막(Rb)이 형성될 수 있다.
따라서, 이러한 단면이 사각형인 금속 전극체(Ra)와 절연막(Rb)을 이용하여 용량 결합 성분의 플라즈마의 발생을 최대한 억제할 수 있고, 상기 샤워 헤드(30) 방향으로 전위차가 발생되지 않도록 상기 샤워 헤드(30)와 충분히 이격시킬 수 있다.
특히, 단면이 사각형인 상기 금속 전극체(Ra)를 이용하여 임피던스를 충분히 줄일 수 있고, 이로 인하여 인덕턴스 성분을 줄여서 용량 결합 성분의 플라즈마의 발생을 최대한 억제할 수 있다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 가스들의 분배 기류를 방해하지 않도록 상기 안테나 전극(41)은, 적어도 일부분이 상기 샤워 헤드(30)와 이격 거리(H)만큼 이격되게 형성될 수 있다.
그러나, 이러한 상기 안테나 전극(41)은 도면에 도시된 원형의 소용돌이 형상에 반드시 국한되지 않는 것으로서, 예컨대, 사각형 소용돌이 형상이나 다각형 소용돌이 형상 등 모든 소용돌이 형상이 모두 적용될 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 안테나 전극(41)은, 소용돌이 형상을 유지할 수 있도록 상기 절곡부(R)와 이웃하는 절곡부(R)를 서로 연결하는 세라믹 등의 절연 재질의 안테나 브라켓(B)을 더 포함할 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 안테나 브라켓(B)은, 상기 중심 단자부(T2)를 중심으로 십자형 또는 방사형 형태로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 안테나 전극(41)은 상기 안테나 브라켓(B)을 이용하여 적어도 일부분이 상기 샤워 헤드(30)와 이격되도록 기계적인 형태가 변하지 않게 견고하게 설치될 수 있고, 전력 인가시 발생되는 각종 진동이나 소음의 발생을 방지할 수 있다.
도 5는 도 3의 플라즈마 원자층 증착 장치(100)에서 기판(1)에 증착막(2)이 증착되는 상태를 나타내는 확대 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 전기장(E)은 비록 서셉터 전극(42)이 평판형이라 하더라도 상기 안테나 전극(41)이 소용돌이 형상으로 형성되기 때문에 절곡부(R)와 절곡부(R) 사이에 공간을 통과하는 전기장(E)이 회절되어 수평 성분(Ea)이 발생되기 때문에 상기 기판(1)에 단차 구조를 갖는 패턴이라 하더라도, 측벽에 성막되는 증착막(2)의 측벽부(2b) 역시 전기장(E)의 수평 성분(Ea)에 노출되어 증착막(2)의 상면부(2a)영역과 함께 균일하게 형성되어 막질의 균일도를 크게 향상시킬 수 있다.
그러므로, 상기 안테나 전극(41)을 적용하여 전기장(E)의 방향을 패턴 내에서 수평방향으로도 유도되게 하고, 이를 통해 상기 기판(1)의 단차 구조 패턴에서 원자층 증착시 패턴 내 측벽에 증착되는 증착막(2)의 측벽부(2b)의 전기장 노출도를 향상시켜서 박막의 균일도를 전체적으로 향상시킬 수 있으며, 유도 결합형 고밀도 플라즈마로 플라즈마의 특성을 향상시키고, 증착막의 특성 및 패턴 밀도가 높은 기판에서의 단차 피복성을 향상시킬 수 있으며, 별도의 샤워헤드 구조를 구성하여 균일한 증착막을 형성할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 기판
2: 증착막
2a: 상면부
2b: 측벽부
10: 챔버
SC, 20: 서셉터
SH, 30: 샤워 헤드
40: 플라즈마 발생 장치
41: 안테나 전극
42: 서셉터 전극
E: 전기장
Ea: 수평 성분
RF: RF 전력부
T1: 테두리 단자부
T2: 중심 단자부
G: 접지부
R: 절곡부
Ra: 금속 전극체
Rb: 절연막
H: 이격 거리
B: 안테나 브라켓
100: 플라즈마 원자층 증착 장치

Claims (8)

  1. 수용 공간이 형성되는 챔버;
    상기 수용 공간에 설치되고, 단차 구조를 갖는 패턴이 형성된 적어도 하나의 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 기판을 향하여 적어도 소스 가스, 버퍼 가스, 반응 가스 중 어느 하나 이상의 가스를 선택하여 공급할 수 있도록 상기 챔버에 설치되는 적어도 하나의 샤워 헤드; 및
    상기 서셉터와 상기 샤워 헤드 사이에서 플라즈마가 발생될 수 있도록 전기장을 형성하는 플라즈마 발생 장치;를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생 장치는,
    상기 샤워 헤드와 상기 서셉터 사이에 설치되고, 상기 전기장이 수평 방향으로도 형성될 수 있도록 소용돌이 형태로 형성되는 안테나 전극;을 포함하고,
    상기 안테나 전극은,
    상기 기판의 테두리 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부, DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부 중 어느 하나와 연결되는 테두리 단자부;
    상기 기판의 중심 부분과 대응되도록 형성되고, 적어도 RF 전력부, DC 마이크로 웨이브 전력부 및 접지부 중 어느 하나와 연결되는 중심 단자부; 및
    유도 결합형 플라즈마를 형성할 수 있도록 상기 중심 단자부에서 시작하여 일정한 폭방향 간격을 두고 둥글거나 또는 사각진 소용돌이 형태로 절곡되어 상기 테두리 단자부까지 형성되는 절곡부;를 포함하고,
    상기 기판은,
    소용돌이 형태로 절곡된 상기 안테나 전극의 상기 절곡부 사이의 공간을 통과하는 과정에서 회절되어 발생되는 상기 전기장의 수평 성분에 의해, 상기 단차 구조의 측벽이 상기 전기장에 노출되어, 상기 측벽에 증착막이 성막되는, 플라즈마 원자층 증착 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절곡부는, 그 단면이 사각형 또는 원형인 전도성 금속 전극체의 표면에 절연막이 형성되는, 플라즈마 원자층 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 전극은, 상기 샤워 헤드와 이격 거리만큼 이격되게 형성되는, 플라즈마 원자층 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 전극은,
    소용돌이 형상을 유지할 수 있도록 상기 절곡부와 이웃하는 절곡부를 서로 연결하는 절연 재질의 안테나 브라켓;
    을 더 포함하는, 플라즈마 원자층 증착 장치
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 안테나 브라켓은, 상기 중심 단자부를 중심으로 십자형 또는 방사형 형태로 형성되는, 플라즈마 원자층 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 전력부에서 발생되는 RF 주파수는 60 kHz 내지 60 MHz인, 플라즈마 원자층 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 장치는,
    상기 안테나 전극과 대응될 수 있도록 상기 서셉터의 적어도 일부분에 설치되고, 접지부와 연결되는 서셉터 전극;
    를 더 포함하는, 플라즈마 원자층 증착 장치.
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