JP2018527749A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018527749A
JP2018527749A JP2018507690A JP2018507690A JP2018527749A JP 2018527749 A JP2018527749 A JP 2018527749A JP 2018507690 A JP2018507690 A JP 2018507690A JP 2018507690 A JP2018507690 A JP 2018507690A JP 2018527749 A JP2018527749 A JP 2018527749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas distribution
disk
plasma
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018507690A
Other languages
English (en)
Inventor
ミンホ チョン
ミンホ チョン
ジンヒョク ヨ
ジンヒョク ヨ
チュルジュ ホワン
チュルジュ ホワン
Original Assignee
ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド, ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド filed Critical ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
Publication of JP2018527749A publication Critical patent/JP2018527749A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096—Flat-bed apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本発明の実施例による基板処理装置は、処理チャンバ、複数の基板を支持する形で、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する基板支持部、前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び異なる第１ガス及び第２ガスを空間的に離反させ、複数の基板に、該空間的に離反した第１ガス及び第２ガスを分配し得る、前記チャンバ蓋に設置されたガス分配ユニットから構成されている。前記基板支持部は、回転自在に設けられた第１ディスク、及び 第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうる、該第１ディスク上に配置された少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該少なくとも１枚の第２ディスク上には、複数の基板が配置されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
本明細書に記載した詳細は、単に実施例に関する背景情報を提供するものであり、関連技術を形成するものではない。
一般的に、太陽電池、半導体装置、フラットパネル表示装置等を製造するためには、基板表面に、薄膜層、薄膜回路パターン、又は光学パターンを形成する。このために、半導体製造工程が実行される。例えば、半導体製造工程は、基板上に、特殊な材料を含有する薄膜を堆積する薄膜堆積工程、感光材料を用いて、薄膜の一部を選択的に露光する露光工程、選択的に露光させた部分に対応する薄膜を取り除いて、パターンを形成するエッチング工程を有する。
半導体製造工程は、対応する工程に最適な環境を有するように設計された基板処理装置内で行う。最近では、プラズマに基づいて堆積又はエッチング処理を行う基板処理装置が多く用いられている。
プラズマに基づいた基板処理装置の例としては、プラズマを用いて薄膜を形成するプラズマ化学気相堆積（PECVD）装置、薄膜をエッチング、パターニングするプラズマエッチング装置が挙げられる。
図１は、一般的な基板処理装置を模式的に示す図である。
図１に示すように、一般的な基板処理装置１０は、チャンバ１０、プラズマ電極２０、サセプタ３０、及びガス分配手段４０を有する。
チャンバ１０は、基板処理工程のための反応空間を提供する。この場合、チャンバ１０の１床面は、反応空間を排気する、排気ポート１２と連通している。
プラズマ電極２０は、チャンバ１０に設置されて、反応空間をシールしている。
プラズマ電極２０の一端は、整合部材２２を介して高周波（RF）電源２４に電気的に接続している。この場合、高周波電源２４は、RF電力を発生し、該RF電力をプラズマ電極２０に供給する。
更に、プラズマ電極２０の中央部は、基板処理工程でソースガスを供給するガス供給パイプ２６に連通している。
整合部材２２は、プラズマ電極２０とRF電源２４の間に接続されており、ソースインピーダンスと、RF電源２４からプラズマ電極２０に供給したRF電力のロードインピーダンスとを整合する。
サセプタ３０は、チャンバ１０内に設置され、外からロードされた複数の基板Ｗを支持している。サセプタ３０は、プラズマ電極２０に対向した、対向電極であり、サセプタ３０を上下動させる昇降シャフト３２を介して電気的に接地されている。
昇降シャフト３２は、図示しない昇降装置により上下方向に昇降される。この時、昇降シャフト３２は、該昇降シャフト３２及びチャンバ１０の床面をシールする蛇腹部材３４により囲まれている。
ガス分配手段４０は、サセプタ３０に対向する形で、プラズマ電極２０の下に設置されている。この場合、ガス拡散空間４２には、プラズマ電極２０を通るガス供給パイプ２６から供給したソースガスが拡散され、該ガス拡散空間４２は、ガス分配手段４０とプラズマ電極２０の間に設けられる。ガス分配手段４０は、ガス拡散空間４２と連通した複数のガス分配穴４４を介して、ソースガスを反応空間のあらゆる部分に均一に分配する。
一般的な基板処理装置は、サセプタ３０上に基板Ｗをロードし、チャンバ１０の反応空間にソースガスを分配し、RF電力をプラズマ電極２０に供給して電界を発生させ、これにより、電界により基板Ｗに発生したプラズマを用いて、基板Ｗに薄膜を形成させる。
しかしながら、一般的な基板処理装置では、分配空間がプラズマ空間と同一なので、基板に堆積する薄膜材料の均一性は、反応空間に発生したプラズマ密度の均一性に依存する形で決まる。このため、薄膜材料の品質をコントロールすることが困難だった。
それ故、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ソースガスと、基板に分配した反応ガスを空間的に離反させ、第１ディスク及び第２ディスクのそれぞれを回転、自転させて基板上に堆積した薄膜の堆積均一性を向上させ、薄膜の品質制御を促進させ、チャンバ内に堆積した厚みを最小限にして粒子を減らすことが出来る、基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
上記した本発明の目的に加えて、本発明の他の特徴や利点を以下に説明するが、以下の記述からこれが当業者に明確に判断されるだろう。
上記目的を達成するために、本発明の実施例による基板処理装置は、処理チャンバ、複数の基板を支持する形で、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する基板支持部、前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び異なる第１ガス及び第２ガスを空間的に離反させ、複数の基板に、該空間的に離反した第１ガス及び第２ガスを分配し得る、前記チャンバ蓋に設置されたガス分配ユニットから構成された基板処理装置であり、前記基板支持部は、回転自在に設けられた第１ディスク、及び第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうる、該第１ディスクに配置された少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該少なくとも１枚の第２ディスク上には、複数の基板が配置され、前記第１ディスクの回転速度は、前記第２ディスクの回転速度とは異なることを特徴とする。
前記第１ディスクの回転速度と前記第２ディスクの回転速度の比は、１：０．１以上、及び、１：１未満であることを特徴とする。
前記ガス分配ユニットは、前記供給された第１ガスを、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間に分配し得る、前記チャンバ蓋に設置された第１ガス分配モジュール、及び前記処理蓋に設置され、前記１ガス分配モジュールから離反した第２ガス分配モジュールから構成され、該２ガス分配モジュールは、供給された第２ガスを、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間に分配しうることを特徴とする。
前記第１及び第２ガス分配モジュールの少なくも１つは、前記ガス分配空間にプラズマを発生し得る、複数の接地電極部材間に配置されたプラズマ電極部材を有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の実施例による基板処理装置は、処理チャンバ、複数の基板を支持し、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する、基板支持部、前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び基板支持部上の第１ガス分配領域と重なるように前記チャンバ蓋に設置された第１ガス分配モジュール及び、第１ガス分配領域とは空間的に離反した第２ガス分配領域と重なるように前記チャンバ蓋に設置された第２ガス分配モジュールからなるガス分配ユニットから構成される基板処理装置であって、該第１ガス分配モジュールは、第１ガスを該第１ガス分配領域に分配し、該第２ガス分配モジュールは、第２ガスを該第２ガス分配領域に分配し、前記基板支持部は、回転自在に設けられた第１ディスク、及び第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうる、該第１ディスク上に配置された少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該少なくとも１枚の第２ディスク上には、複数の基板が配置され、前記第２ガス分配モジュールは前記第２ガスをプラズマ化して、複数の接地電極部材と交互に配置したプラズマ電極部材に供給されたプラズマ電力に従って、該プラズマ化した第２ガスを分配することを特徴とする。
第１ガス分配モジュールは、供給された第１ガスを、複数の接地電極部材間にそのままの分配し、或いは、該第１ガスをプラズマ化し、プラズマ化した第１ガスを、複数の接地電極部材と交互に配置したプラズマ電極部材に供給したプラズマ電流に従って分配することを特徴とする。
前記第１及び第２ガス分配モジュールのそれぞれは複数設けられており、該複数の第２ガス分配モジュールのそれぞれは、該複数の第１ガス分配モジュールと交互に設けられていること特徴とする。
前記ガス分配ユニットは、更に、前記チャンバ蓋に設置され、前記第１及び第２ガス分配モジュール間に設けられた、第３及び第４ガス分配モジュールから構成されることで、第３ガスを複数の基板に分配すること特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の実施例による基板処理装置は、処理チャンバ、複数の基板を支持し、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する、基板支持部、前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び前記チャンバ蓋に一定の間隔で配置された複数のガス分配モジュールを有するガス分配ユニットから構成される基板処理装置であって、該複数のガス分配モジュールのそれぞれは、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間を有し、前記複数のガス分配モジュールの少なくとも１つは、複数の接地電極部材と交互に配置されたプラズマ電極部材に供給されたプラズマ電極に従い、ガス分配空間にプラズマを発生させ、前記基板支持部は、回転自在に設けられた第１ディスク、及び第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうるように、前記第１ディスク上に設けられた少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該複数の基板は少なくとも１枚の第２ディスク上に配置されること特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の実施例による基板処理方法は、（A）複数の基板を、処理チャンバ内に設置された基板支持部上に、一定の間隔で配置し、（B）複数の基板が配置された基板支持部を回転させて、第１ディスクの回転に伴い、第２ディスクが自転すると共に該第２ディスクを該第１ディスクの中心軸の周りを回転させ、（C）異なる第１ガス及び第２ガスを空間的に離反させ、該空間的に離反した第１ガス及び第２ガスを、基板支持部に対向する形で設けられた処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋内に、一定の間隔で配置された第１及び第２ガス分配モジュールを用いて複数の基板上に分配し、ステップ（C）において、第１ガス分配モジュールは、複数の接地電極部材間のガス分配空間に供給した第１ガスを、複数の基板に分配し、第２ガス分配モジュールは、複数の接地電極部材間のガス分配空間に供給した第２ガスを、該第１ガスとは空間的に離反する形で設けられた、複数の基板に分配することを特徴とする。
前記第１ディスクの回転速度の、前記第２ディスクの回転速度に対する比は、１：０．１以上、及び、１：１未満であることを特徴とする。
前記ステップ（C）において、前記第１ガス分配モジュールを介して第１ガスを分配する、第１ガス分配工程と、前記第２ガス分配モジュールを介して第２ガスを分配する、第２ガス分配工程を同時に、又は連続して実行することを特徴とする。
前記第１ガスを、前記第１ガス分配モジュールのガス分配空間に発生したプラズマにより、プラズマ化した第１ガスに変化させ、該プラズマ化した第１ガスを複数の基板に分配することを特徴とする。
技術的な解決によると、本発明による基板処理装置及び基板処理法方は、空間的に離反し、基板支持部に設けられた複数のガス分配モジュールを用いて、ソースガスと反応ガスを空間的に離反させ、基板にソースガスと反応ガスを分配することにより、各基板に堆積した堆積均一性を向上させ、薄膜の品質管理を促進させ、処理チャンバ内に堆積した厚みを減少させることで粒子を減少させることが出来る。
更に、パージガスを用いることにより、本発明による基板処理装置及び基板処理法方は、ソースガスと反応ガスが、基板へ分配されている間に反応してしまうことを防止することにより、薄膜材料の均一性及び薄膜材料の品質の管理をいっそう促進させることが出来る。
１実施例では、第２ディスクは、空気又はガスを用いる第２ディスク回転装置を新たに使用しないで回転するので、基板処理装置の構造が簡素化され、基板処理に使用する消費電力や消費エネルギを減らすことが出来る。
更に、空気又はガスを用いた回転装置を使用することで、空気やガスに含まれ、ウエハ等の、基板上に吸収される異物によって起きる製品欠陥をかなり減らすことが出来る。
更に、第２ディスクが回転する際、振動及びノイズを抑えることにより、第２ディスクの上面にロードされた基板の振動が防止され、基板上の不均一な堆積が防止されると共に、エッチングが防止される。
更に、第１ディスクと第２ディスクの回転速度を異なる形で設定することにより、それらの一定の速度比を相違するように維持すると、薄膜材料の均一性や薄膜材料の品質の管理が容易になる。
図１は、一般的な基板処理装置を模式的に示す図である。 図２Ａは、本発明の第１実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。 図２Ｂは、本発明の実施例による基板処理装置を説明する断面斜視図である。 図３は、図２Ａで説明したガス分配モジュールの断面表面を模式的に示す断面図である。 図４Ａは、本発明の第１実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。 図４Ｂは、図４Ａで説明した、第１〜第４ガス分配モジュールの処理順序を説明する波形図である。 図５Ａは、図２に示す第１〜第４ガス分配モジュールを使用した基板処理方法の修正例を説明する波形図である。 図５Ｂは、図２に示す第１〜第４ガス分配モジュールを使用した基板処理方法の修正例を説明する波形図である。 図５Ｃは、図２に示す第１〜第４ガス分配モジュールを使用した基板処理方法の修正例を説明する波形図である。 図５Ｄは、図２に示す第１〜第４ガス分配モジュールを使用した基板処理方法の修正例を説明する波形図である。 図６は、本発明の第１実施例による基板処理装置の修正実施例を説明する図である。 図７は、図６で説明した、第１〜第４ガス分配モジュールの処理順序を説明する波形図である。 図８は、本発明の第２実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。 図９は、図８で説明した第１〜第３ガス分配モジュールのそれぞれの断面表面を模式的に示す断面図である。 図１０は、本発明の第２実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。 図１１は、本発明の第３実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。 図１２は、本発明の第３実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。 図１３は、本発明の第４実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。 図１４は、本発明の第４実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。 図１５は、図２Ｂに示す上記基板処理装置を用いた基板処理方法を説明する図である。
以下、実施例を添付の図面を参照して詳述に説明する。発明概念としては種々の修正実施例を有し得るため、好ましい実施例を図面で説明し、発明の詳細な説明で記述する。しかしながら、特定の実施例において、これは発明概念を制限するものではなく、発明の概念は、該概念の思想及び技術的範囲内で、全ての修正、均等、置換をカバーしているものと理解すべきである。図面においては、各要素の大きさ又は形状は、明確化及び説明の都合上誇張されている場合がある。
各種要素を言及するに当たり、第１、第２等の用語を使用するが、これら要素は、この用語により限定を受けない。これらの用語は、１の要素を、他の要素から区別する目的でのみ使用している。また、実施例の機能や処理に鑑みて特別に定義した用語は、単に実施例を記述するためのものであり、実施例の範囲を制限するものではない。
実施例を記述する際、各要素「の上に」、又は「の下に」形成されているとの表現においては、「の上に」又は「の下に」の用語は、２つの要素が直接接触している場合の他、２つの要素の間に、間接的に１以上の要素が配置されている場合もある。また、「の上に」又は「の下に」の用語は、１の要素に関して、上方向を指す場合と、下方向を指す場合がある。
更に、以下に示す相関的な用語「の上に」、「の下に」等は、１の物質又は要素を、他の物質又は要素と区別するためだけに用いており、該物質又は要素間で物理的、論理的関係又は順序を必要に応じて望むものでも、また該物理的、論理的関係又は順序を含むものでもない。
以下、本発明の好ましい実施例を、図面に言及して、詳細に説明する。
図２Ａは、本発明の第１実施例による基板処理装置を模式的に示す図であり、図３は、図２Ａで説明したガス分配モジュールの断面表面を模式的に示す断面図である。
図２Ａ及び図３に示すように、本発明の第１実施例による基板処理装置１００は、処理チャンバ１１０、チャンバ蓋１１５、基板支持部１２０及びガス分配ユニット１３０を有している。
該処理チャンバ１１０は、例えば、薄膜成膜工程等の基板処理工程のための反応スペースを提供する。処理チャンバ１１０の床面又は側面は、図示しない、該反応空間にガス等を排気する排気パイプと連絡している。
チャンバ蓋１１５は、処理チャンバ１１０上に設けられており、該処理チャンバ１１０の上面を覆っている。チャンバ蓋１１５は、ガス分配ユニット１３０を支持し、また複数のモジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄを有している。ガス分配ユニット１３０は、該モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄ内に挿入され、その中に設置される。この場合、複数のモジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄは、チャンバ蓋１１５内に設けることが出来、それぞれが、チャンバ蓋１１５の中心点の周りで、対角線方向に対称的に９０度離間する形で設けられている。
図２Ａでは、チャンバ蓋１１５は、４つのモジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄを有しているが、これに限定されるわけではない。即ち、チャンバ蓋１１５には、中心点に関して対称的に設けられた２Ｎ個（Ｎは自然数）のモジュール取付部を設けることが出来る。この場合、複数のモジュール取付部は、対角線方向に、チャンバ蓋１１５の中心点に関して対称的に設けられる。以下、チャンバ蓋１１５には、第１〜第４ジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄが設けられていると仮定して説明する。
チャンバ蓋１１５でシールされた処理チャンバ１１０の反応空間は、チャンバ蓋１１５に設けられたポンピングパイプ１１７を介して、外部ポンピング手段（図示しない）に連結されている。
ポンピングパイプ１１７は、チャンバ蓋１１５の中心部に設けられたポンピングホール１１５ｅを介して、処理チャンバ１１０の反応空間と連通している。このため、処理チャンバ１１０の内部は、ポンピングパイプ１１７を介して、ポンピング手段がポンピング動作を行うことにより、真空状態又は大気圧状態に置かれる。
基板支持部１２０は、処理チャンバ１１０内に回転自在に設置されている。基板支持部１２０は、処理チャンバ１１０の中央床面を貫通する回転軸（図示しない）により支持されている。回転軸は、軸駆動部材（図示しない）の駆動により回転することで、基板支持部１２０を中心方向に回転させている。また、外側に露出した回転軸は、処理チャンバ１１０の底部に設けられたベロー（蛇腹部材、図示しない）によりシールされている。
基板支持部１２０は、外部基板ロード装置（図示しない）からロードされた複数の基板Ｗを支持している。この場合、基板支持部１２０は、円板形状をしており、複数の基板Ｗ（例えば、半導体基板又は半導体ウェーハ）が、所定の間隔で円形状に配置されている。
図２Ｂは、本発明の実施例による、基板処理装置における基板支持部１２０をより詳細に説明する断面斜視図である。この実施例による基板処理装置は、第１ディスク１０００、第２ディスク２０００、金属リング３０００、ベアリング６０００、及びフレーム５０００を有している。
第１ディスク１０００は、フレーム５０００内の収納部５１００内に収容され、フレーム５０００に対して第１回転する（即ち、回転自在である）ように設けられている。後述する第２ディスク２０００は、第１ディスク１０００内に設けられ、該第１ディスク１０００の中心に関して対称的に設けられている。
図２Ｂに示す第１ディスク１０００は、フレーム５０００に取り付けられている。この場合、第１ディスク１０００が配置された収納部５１００には溝が設けられ、フレーム５０００内に設けられることにより、第１ディスク１０００に対応する領域及び形状を有する。
第２ディスク２０００が第１ディスク１０００に含まれる場合、第１ディスク１０００には、該ディスクの大きさに依存する形で、いろいろな数の第２ディスク２０００が放射状に配置される。また、第２ディスク２０００が配置されるディスク受入部には、溝が形成され、第１ディスク１０００に設けられることで、第２ディスク２０００に対応した領域及び形状を有する。
第１ディスク１０００には、第２ディスク２０００が配置され、基板は第２ディスク２０００の上面に配置される。第１ディスク１０００が回転すると、第２ディスク２０００が回転し、第１ディスク１０００の中心の周りを第２回転（即ち、自転）する。
図示しない基板が、第２ディスク２０００の上面に配置される。この場合、第２ディスク２０００が、実施例のように円形であれば、基板は、例えば、円形のウェーハである。このため、基板処理は、原料物質及び／又はそれと同等のものを含むプロセスガスを、第２ディスク２０００の上部に配置されたウェーハ等の基板に分配することで実行できる。
更に、第２ディスク２０００は第１基板の中心の周りを回転し、同時に第２ディスク２０００の中心の周りを回転する。これにより、堆積層又はエッチング形状を、第２ディスク２０００に配置された円形基板に形成することが出来、該基板の中心に対して対称になる。
更に、第２ディスク２０００は、第１ディスク１０００の中心の周りを回転し、同時に第２ディスク２０００の中心の周りを自転する。ここで、第１ディスク１０００の回転速度は、第２ディスク２０００の回転速度と相違させることができる。第１ディスク１０００の回転速度が第２ディスク２０００の回転速度と相違させた場合、第２ディスク２０００上の基板（図示しない）に堆積処理を実行する際、該基板に対する堆積がコンスタントに均一に維持できる。
第１ディスク１０００の回転速度の、第２ディスク２０００の回転速度に対する比に関して、図１５に示すように、第１ディスク１０００の回転速度を１に設定する時、第２ディスク２０００の回転速度の比が、0.1以上及び１未満の場合、基板上の堆積均一性は、１％〜２％を維持することができる。
第１ディスク１０００の回転速度の、第２ディスク２０００の回転速度に対する比が、1：0.1未満及び1：1以上の場合、処理空間内での分配処理ガスの流れが、回転速度により影響を受けるため、基板上の堆積均一性は、一定にならない。
第１支持部２１００を、第２ディスク２０００の下に設けることが出来る。第１支持部２１００は、第２ディスク２０００の下に、突出する形で設けられている。
ガス分配ユニット１３０は、チャンバ蓋１１５内に設けられた各第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄに挿入され、設置されている。ガス分配ユニット１３０は、それぞれ空間的に分離しており、基板支持部１２０の回転に従って回転する複数の基板Ｗに、第１ガス及び第２ガスを分配する。
第１ガスは、基板Ｗに堆積すべき、薄膜材料を含むソースガスである。該ソースガスは、シリコン（Si）、チタン族元素（Ti, Zr, Hf等）、アルミニウム（Al）等を含む。例えば、Siを含有するソースガスは、シラン（SiH4）、ジシラン（Si2H6）、トリシラン（Si3H8）、オルトケイ酸テトラエチル（TEOS）、ジクロロシラン（DCS）、ヘキサクロロシラン（HCD）、トリジメチルアミノシラン（TriDMAS）、トリシリルアミン（TSA）及び／又はこれと同等のものである。
第２ガスは、ソースガスと反応する反応ガスであり、これによりソースガスに含まれた薄膜材料を基板Ｗに堆積することが出来る。例えば、反応ガスは、窒素（N2）、酸素（O2）、二酸化窒素（N2O）、オゾン（O3）から選んだ少なくとも１種のガスからなる。
ガス分配ユニット１３０は、チャンバ蓋１１５内に設けられ、空間的に離反した第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄのそれぞれに挿入され、取り付けられた第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄを有している。これら第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄは、それぞれ空間的に分離し、基板支持部１２０上に定義された第１〜第４分配領域に、第１及び第２ガスを分配する。
第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄは、チャンバ蓋１１５の第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄにそれぞれ挿入され、取り付けられ、また、基板支持部１２０の中点の周りで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で互いに対称に配置されている。
第１ガス分配モジュール１３０ａは、基板支持部１２０上に定義された第１ガス分配領域と重なった第１モジュール取付部１１５ａに挿入され、設置され、第１ガス分配領域に、既にプラズマ化した第１ガスを下向きに分配する。このため、第１ガス分配モジュール１３０ａは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、及び複数のプラズマ電極部材２４０を有する。
基礎フレーム２１０は、基礎隔壁部材２２０により互いに隔たりを有する複数のガス分配空間２１２が形成されるように、開放底部を有する形で設けられる。基礎フレーム２１０は、チャンバ蓋１１５の第１モジュール取付部１１５ａに挿入され、設置されると共に、チャンバ蓋１１５を介して、電気的に接地されている。このため、基礎フレーム２１０は、天板２１０ａと基礎側壁２１０ｂを有する。
天板２１０ａは、長方形に形成され、チャンバ蓋１１５の第１モジュール取付部１１５ａに連結している。複数の絶縁部材支持穴２１４及び、複数のガス供給穴２１６が、天板２１０ａに形成されている。
複数の絶縁部材支持穴２１４は、天板２１０ａを貫通しており、それぞれ複数のガス分配空間２１２と連通している。複数の絶縁部材支持穴２１４のそれぞれは、矩形平面を有するように設けられている。
複数のガス供給穴２１６は、天板２１０ａを貫通しており、それぞれ複数のガス分配空間２１２と連通している。複数のガス供給穴２１６のそれぞれは、ガス供給パイプを介して、図示しない外部ガス供給手段に連結されており、該ガス供給穴２１６には、該ガス供給パイプを介して、ガス供給手段（図示なし）から第１ガスが供給される。
各基礎側壁２１０ｂは、天板２１０ａの長辺端及び短辺端から垂直方向に突出することで、天板２１０ａの下にガス分配空間２１２を形成している。各基礎側壁２１０ｂは、チャンバ蓋１１５を介して、電気的に接地されている。この場合、各長辺基礎側壁は、接地電極として作用する。
基礎隔壁部材２２０は、天板２１０ａの中央底部から垂直方向に突出し、基礎側壁２１０ｂの長辺と平行に配置されている。基礎隔壁部材２２０は、一定の高さを有するように基礎フレーム２１０内に設けられることにより、該基礎フレーム２１０内に、互いに空間的に離反した複数のガス分配空間２１２が形成される。基礎隔壁部材２２０は、基礎フレーム２１０と一体化され、若しくは、基礎フレーム２１０に電気的に連結され、基礎フレーム２１０を介して電気的に接地されることにより、設置電極として作用する。
基礎側壁２１０ｂと基礎隔壁部材２２０の長辺は、基礎フレーム２１０内で一定の間隔で平行に配置されて、複数の接地電極部材を形成している。
断熱材料で形成された、複数の断熱部材２３０のそれぞれは、基礎フレーム２１０内に設けられた断熱部材支持穴２１４に挿入され、図示しない締結部材により基礎フレーム２１０の上部に連結されている。
導電材料で形成された複数のプラズマ電極部材２４０のそれぞれは、断熱部材２３０を貫通するように、該断熱部材に挿入され、基礎フレーム２１０の底部から一定の高さだけ突出することで、各プラズマ電極部材２４０がガス分配空間２１２に配置される。この場合、複数のプラズマ電極部材２４０のそれぞれは、基礎隔壁部材２２０と基礎フレーム２１０の側壁２１０ｂと同一の高さだけ突出する。それ故、複数のプラズマ電極部材２４０は、上記基礎電極部材と平行に、一定の間隔で交互に配置される。
プラズマ電極部材２４０は、フィーダケーブルを介してプラズマ電力供給ユニット１４０と電気的に接続しており、該プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させる。このため、該プラズマにより、ガス分配空間２１２に供給された第１ガスが、プラズマ化され、プラズマ化された第１ガスが、第１ガス分配領域に下向きに分配される。プラズマ化された第１ガスは、ガス分配空間２１２に供給された第１ガスの流速（或いは、流れ）により、ガス分配空間２１２から下向きに分配され得る。
プラズマ電力供給ユニット１４０は、特定周波数を有するプラズマ電力を発生させ、フィーダケーブルを介して、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれに、一緒に、若しくは独立的にプラズマ電力を供給する。この場合、プラズマ電力として、高周波（HF）電力又は、超高周波（VHF）電力が供給される。例えば、HF電力は、周波数が３MHz〜３０MHzであり、VHF電力が３０MHz〜３００MHzである。
フィーダケーブルには、図示しないインピーダンス整合回路が連結されている。
インピーダンス整合回路は、ソースインピーダンスと、プラズマ電力供給ユニット１４０から第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれに供給されたプラズマ電力のロードインピーダンスを整合させる。インピーダンス整合回路は、可変キャパシタ及び可変インダクタの少なくとも１つを有する少なくとも２つのインピーダンス要素（図示無し）で形成することが出来る。
第１ガス分配モジュール１３０ａは、プラズマ電力供給ユニット１４０からプラズマ電極部材２４０に供給したプラズマ電力に従って、ガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第１ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化された第１ガスを第１ガス分配領域に、下向きに分配する。
第２ガス分配モジュール１３０ｂは、上記第１ガス分配領域とは離反する形で形成された、基板支持部１２０上に定義された第２ガス分配領域と重なった第２モジュール取付部１１５ｂに挿入され、設置され、第２ガス分配領域に、プラズマ化された第２ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第２ガス分配モジュール１３０ｂは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第２ガス分配モジュール１３０ｂは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第２ガス分配領域に下向きに分配する。
第３ガス分配モジュール１３０ｃは、上記第２ガス分配領域とは離反する形で形成された、基板支持部１２０上に定義された第３ガス分配領域と重なった第３モジュール取付部１１５ｃに挿入、設置され、第３ガス分配領域に、プラズマ化した第１ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第３ガス分配モジュール１３０ｃは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第３ガス分配モジュール１３０ｃは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、ガス分配空間２１２に供給した第１ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第１ガスを第３ガス分配領域に下向きに分配する。
第４ガス分配モジュール１３０ｄは、上記第１及び第３ガス分配領域とは離反する形で形成された、第１及び第３ガス分配領域間の基板支持部１２０上に定義された第４ガス分配領域と重なった第４モジュール取付部１１５ｄに挿入、設置され、第４ガス分配領域に、プラズマ化された第２ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第４ガス分配領域に下向きに分配する。
本発明の第１実施例による基板処理装置１００において、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄは、互いに離反しており、基板支持部１２０上に配置され、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれを用いて、プラズマ化した第１及び第２ガスは、空間的に互いに離反しており、これらが基板支持部１２０に分配される。これにより、プラズマ化した第１及び第２ガス間の反応を介して、各基板Ｗに堆積した薄膜の堆積均一性が高まり、該薄膜の品質管理が促進され、粒子が減少する形で、処理チャンバ１１０に堆積した厚みを最小化させることが出来る。
図４Ａは、本発明の第１実施例による上記基板処理装置を用いた基板処理方法を説明する図であり、図４Ｂは、図４Ａの第１〜第４ガス分配モジュールの工程順序を説明する波形図である。
本発明の第１実施例による上記基板処理装置を用いた基板処理方法を、図３、図４Ａ、図４Ｂを用いて簡単に説明する。
まず始めに、複数の基板Ｗを、一定の間隔で基板支持部１２０にロードする。
続いて、上に複数の基板Ｗがロードされた基板支持部１２０を、一定の方向に回転させる。
続いて、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃのそれぞれのガス分配空間２１２に、第１ガスを供給し、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃのそれぞれのプラズマ電極部材２４０にプラズマ電力を印加する。これにより、基板支持部１２０上の第１及び第３ガス分配領域のそれぞれに、プラズマ化した第１ガスPG1を、下向きに分配することが出来る。この時、プラズマ化した第１ガスPG1を、一旦基板支持部１２０が特定方向に回転させる工程周期に関係なく、連続的に分配する。
同時に、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄのそれぞれのガス分配空間２１２に、第２ガスを供給し、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄのそれぞれのプラズマ電極部材２４０にプラズマ電力を印加する。これにより、基板支持部１２０上の第２及び第４ガス分配領域のそれぞれに、プラズマ化した第２ガスPG2を、下向きに分配することが出来る。この時、プラズマ化した第２ガスPG2を、工程周期に関係なく、連続的に分配する。
それ故、基板支持部１２０上に配置された複数の基板Ｗのそれぞれは、該基板支持部１２０の回転に従って、第１〜第４ガス分配領域を通過する。このようにして、空間的に互いに離反し、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれから分配された、プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2間の反応により、複数の基板Ｗのそれぞれに薄膜材料が堆積する。
上記した基板処理装置及び基板処理方法において、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれが、同時にプラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2を分配した場合を説明したが、これに限らず、プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2を、制御モジュール（図示しない）による制御に基づいて工程順序に従って分配することが出来る。
図５Ａ〜図５Ｄは、図２に示す第１〜第４ガス分配モジュールを用いた基板処理方法の修正例を示す波形図である。
図５Ａに示すように、第１修正実施例による基板処理方法では、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれの工程を順番に実行して、プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2をあらゆる工程周期で順番に分配する。この場合、各工程周期は、第１〜第４セクションから構成することが出来る。第１修正実施例による基板処理方法を、以下に詳細に説明する。
まず始めに、各工程周期の第１セクションで、プラズマ化した第１ガスPG1を、第１ガス分配モジュール１３０ａだけを介して、第１ガス分配領域に分配する。
続いて、各工程周期の第２セクションでは、第１ガス分配モジュール１３０ａを介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第２ガスPG2が、第２ガス分配モジュール１３０ｂだけを介して第２ガス分配領域に分配される。
続いて、各工程周期の第３セクションでは、第２ガス分配モジュール１３０ｂを介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第１ガスPG1が、第３ガス分配モジュール１３０ｃだけを介して第３ガス分配領域に分配される。
続いて、各工程周期の第４セクションでは、第３ガス分配モジュール１３０ｃを介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第２ガスPG2が、第４ガス分配モジュール１３０ｄだけを介して第４ガス分配領域に分配される。
図５Ｂに示すように、第２修正実施例による基板処理方法では、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃの工程と、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄの工程を交互に実行することが出来、これにより、あらゆる工程周期でプラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2を交互に分配することが出来る。この場合、各工程周期は、第１〜第４セクションから構成することが出来る。第２修正実施例による基板処理方法を、以下に詳細に説明する。
まず初めに、各工程周期の第１セクションで、プラズマ化した第１ガスPG1を、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃだけを介して、第１及び第３ガス分配領域に同時に分配する。
続いて、各工程周期の第２セクションでは、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃ介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第２ガスPG2が、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄだけを介して第２及び第４ガス分配領域に同時に分配される。
続いて、各工程周期の第３セクションでは、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄを介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第１ガスPG1が、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃだけを介して第１及び第３ガス分配領域に同時に分配される。
続いて、各工程周期の第４セクションでは、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃを介して行われるガス分配は休止し、プラズマ化した第２ガスPG2が、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄだけを介して第２及び第４ガス分配領域に同時に分配される。
図５Ｃに示すように、第３修正実施例による基板処理方法は、各工程周期のあらゆる一定のセクションで、プラズマ化した第１ガスPG1を、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃを介して、第１及び第３ガス分配領域に同時に分配することが出来、プラズマ化した第２ガスPG2を、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄを介して、第２及び第４ガス分配領域に連続して、かつ同時に分配することが出来る。
図５Ｄに示すように、第４修正実施例による基板処理方法は、各工程周期のあらゆる一定のセクションで、プラズマ化した第１ガスPG1を、第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃを介して、第１及び第３ガス分配領域に連続して、同時に分配することが出来、プラズマ化した第２ガスPG2を、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄを介して、第２及び第４ガス分配領域に同時に分配することが出来る。
図６は、本発明の第１実施例による基板処理装置の修正実施例を説明する図である。
図６に示すように、本発明の第１実施例の修正実施例による基板処理装置は、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれから分配されたガスの種類を除いて、図２Ａの基板処理装置と同一である。このため、以下に、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれから分配されたガスの種類だけを説明する。
第１ガス分配モジュール１３０ａに、ガス供給手段から上記した第１ガスを供給し、プラズマ化した第１ガスを第１ガス分配領域に、下向きに分配する。
第２ガス分配モジュール１３０ｂに、ガス供給手段から第３ガスを供給し、プラズマ化した第３ガスPG3を第２ガス分配領域に、下向きに分配する。この場合、第３ガスは、上記した第１及び第２ガスをパージするためのパージガスであり得る。第３ガスは、基板Ｗに堆積されずに残る第１ガスをパージし、及び／又は第１ガスと反応せずに残る第２ガスをパージするためのパージガスであり、窒素（N2）、アルゴン（Ar）、キセノン（Ze）、ヘリウム（He）のうち、少なくとも１種から構成できる。
第３ガス分配モジュール１３０ｃに、ガス供給手段から上記した第２ガスを供給し、プラズマ化した第２ガスを第３ガス分配領域に、下向きに分配する。
第４ガス分配モジュール１３０ｄに、ガス供給手段から第３ガスを供給し、プラズマ化した第３ガスPG3を第４ガス分配領域に、下向きに分配する。
図７は、図６に示す第１〜第４ガス分配モジュールの工程順序を説明する波形図である。
本発明の第１実施例の修正実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法を、図６及び図７に従って簡単に説明する。
まず初めに、複数の基板Ｗを、一定の間隔で基板支持部１２０上にロードさせる。
続いて、複数の基板Ｗがロードされた基板支持部１２０を、特定の方向に回転させる。
続いて、第１及び第２ガスPG1、PG2を空間的に互いに離反させ、かつ、あらゆる特定のセクションで第１及び第３ガス分配モジュール１３０ａ、１３０ｃを介して交互に分配させ、プラズマ化した第３ガスPG3を、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄを介して、連続して分配する。
それ故、空間的に互いに離反し、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれから分配された第１及び第２ガスPG1、PG2間の反応により、回転している基板支持部１２０上に配置した複数の基板Ｗのそれぞれに、薄膜が堆積する。この時、プラズマ化した第３ガスPG3は、プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2が、基板Ｗに分配されている間、該ガス同士が混合し、反応することを防止すると共に、該プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2が基板Ｗの上面に分配され、混合され、反応し得る。
上述したように、本発明の第１実施例の修正実施例による基板処理装置では、第３ガスPG3は、各基板Ｗへ分配される、プラズマ化した第１及び第２ガスPG1、PG2の混合を防止するため、各基板Ｗへ堆積された薄膜の品質及び堆積均一性が更に向上する。
更に、本発明の第１実施例の修正実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法では、図４Ｂ、図５Ａ、図５Ｄに示す工程順序に従って、第１〜第４ガス分配モジュール１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれを動作させることができ、上記プラズマ化した第１〜第３ガスPG1〜PG3を空間的に離反させ、第１〜第４ガス分配領域に分配することが出来る。
図８は、本発明の第２実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。
図８において、本発明の第２実施例による基板処理装置２００は、処理チャンバ１１０、チャンバ蓋１１５、基板支持部１２０及びガス分配ユニット１３０を有している。ガス分配ユニット１３０を除き、基板処理装置２００の要素は、上記基板処理装置１００と同一なので、上記記述は、同一の要素に適用される。
ガス分配ユニット１３０は、チャンバ蓋１１５内に設けられた各第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄに挿入され、設置されている。ガス分配ユニット１３０は、プラズマ化していない第１ガス及びプラズマ化した第２ガスを空間的に離反させ、基板支持部１２０に対して、空間的に離反した第１及び第２ガスを下向きに分配する。このため、ガス分配ユニット１３０は、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ及び第４ガス分配モジュール１３０ｄを有している。
第１ガス分配モジュール３３０ａを、上記第１ガス分配領域と重なる第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置し、該第１ガス分配モジュール３３０ａは、ガス供給手段から供給された第１ガスを、そのまま第１ガス分配領域に、下向きに分配する。このため、図９に示しように、第１ガス分配モジュール３３０ａは、基礎フレーム４１０、基礎隔壁部材４２０、及び複数のガス供給穴４３０を有する。
基礎フレーム４１０は、基礎隔壁部材４２０により互いに隔たりを有する複数のガス分配空間４１２が形成されるように、開放底部を有する形で設けられる。基礎フレーム４１０は、チャンバ蓋１１５の第１モジュール取付部１１５ａに挿入され、設置されると共に、チャンバ蓋１１５を介して、電気的に接地されている。このため、基礎フレーム４１０は、天板４１０ａと基礎側壁４１０ｂを有する。
天板４１０ａは、長方形に形成され、チャンバ蓋１１５の第１モジュール取付部１１５ａに連結している。
各基礎側壁４１０ｂは、天板４１０ａの長辺端及び短辺端から垂直方向に突出することで、天板４１０ａの下にガス分配空間４１２を形成している。各基礎側壁４１０ｂは、チャンバ蓋１１５を介して、電気的に接地されている。この場合、各長辺基礎側壁は、接地電極として作用する。
基礎隔壁部材４２０は、天板４１０ａの中央底部から垂直方向に突出し、基礎側壁４１０ｂの長辺と平行に配置されている。基礎隔壁部材４２０は、一定の高さを有するように基礎フレーム４１０内に設けられることにより、該基礎フレーム４１０内に、互いに空間的に離反した複数のガス分配空間４１２が形成される。基礎隔壁部材４２０は、基礎フレーム４１０と一体化され、若しくは、基礎フレーム４１０に電気的に連結され、基礎フレーム４１０を介して電気的に接地されることにより、接地電極として作用する。
基礎側壁４１０ｂと基礎隔壁部材４２０の長辺は、基礎フレーム４１０内で一定の間隔で平行に配置されて、複数の接地電極部材を形成している。
複数のガス供給穴４３０は、基礎フレーム４１０の天板４１０ａを貫通しており、それぞれ複数のガス分配空間４１２と連通している。複数のガス供給穴４３０のそれぞれは、ガス供給パイプを介して、外部ガス供給手段に連結されており、該ガス供給穴４３０には、該ガス供給パイプを介して、ガス供給手段から第１ガスが供給される。
第１ガス分配モジュール３３０ａは、ガス供給手段からガス分配空間４１２に供給された第１ガスを、プラズマ化せずにそのまま第１ガス分配領域に、下向きに分配する。即ち、プラズマ電極部材は、図２Ａに示す第１ガス分配モジュール１３０ａとは違い、第１ガス分配モジュール３３０ａには設置されていないので、該第１ガス分配モジュール３３０ａは、ガス分配空間４１２に供給された第１ガスをそのまま下向きに分配する。このため、第１ガス分配モジュール３３０ａに供給された第１ガスは、プラズマによりプラズマ化されなくとも、第２ガスと反応することで基板状に堆積され得る薄膜材料を有する。
第２ガス分配モジュール１３０ｂは、上記第１ガス分配領域と重なった第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置され、第２ガス分配領域に、プラズマ化した第２ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第２ガス分配モジュール１３０ｂは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第２ガス分配モジュール１３０ｂは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第２ガス分配領域に下向きに分配する。
第３ガス分配モジュール３３０ｃは、上記第３ガス分配領域と重なった第３モジュール取付部１１５ｃに挿入、設置され、第３ガス分配領域に、ガス供給手段から供給された第１ガスをプラズマ化せずそのまま、下向きに分配する。このため、第３ガス分配モジュール３３０ｃは、図９に示す第１ガス分配モジュール３３０ａと同一の構成を有するので、第１ガス分配モジュール３３０ａに関する記述は、第３ガス分配モジュール３３０ｃに適用する。
第４ガス分配モジュール１３０ｄは、上記第４ガス分配領域と重なった第４モジュール取付部１１５ｄに挿入、設置され、第４ガス分配領域に、プラズマ化した第２ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第２ガス分配領域に下向きに分配する。
図１０は、本発明の第２実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。
本発明の第２実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法を、図１０を用いて説明する。
まず始めに、複数の基板Ｗを、一定の間隔で基板支持部１２０にロードする。
続いて、上に複数の基板Ｗがロードされた基板支持部１２０を、一定に方向に回転させる。
続いて、第１及び第３ガス分配モジュール３３０ａ、３３０ｃのそれぞれのガス分配空間４１２に、第１ガスを供給することにより、第１及び第３ガス分配領域のそれぞれに、第１ガスG1を、下向きに分配することが出来る。この時、第１ガスG1を、一旦基板支持部１２０が特定方向に回転する工程周期に関係なく、連続的に分配する。
同時に、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄのそれぞれのガス分配空間２１２に、第２ガスを供給し、第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄのそれぞれのプラズマ電極部材２４０にプラズマ電力を印加する。これにより、基板支持部１２０上の第２及び第４ガス分配領域のそれぞれに、プラズマ化した第２ガスPG2を、下向きに分配することが出来る。この時、プラズマ化した第２ガスPG2を、工程周期に関係なく、連続的に分配する。
それ故、基板支持部１２０上に配置された複数の基板Ｗのそれぞれは、該基板支持部１２０の回転に従って、第１〜第４ガス分配領域を通過する。このようにして、空間的に互いに離反し、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ、第４ガス分配モジュール１３０ｄのそれぞれから分配された、第１及ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2間の反応により、複数の基板Ｗのそれぞれに薄膜材料が堆積する。
上記した第２実施例の基板処理装置及び基板処理方法において、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ、第４ガス分配モジュール１３０ｄのそれぞれが、同時に第１ガスG1びプラズマ化した第２ガスPG2を分配した場合を説明したが、これに限らず、制御モジュール（図示しない）による制御に基づいて、図４Ｂ、図５Ａ〜５Ｄに示すような工程順序に従って、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ、第４ガス分配モジュール１３０ｄを動作させることにより、上記第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2を互いに空間的に離反させ、第１〜第４ガス分配領域に分配させることが出来る。
図１１は、本発明の第３実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。
図１１に示すように、本発明の第３実施例による基板処理装置５００は、処理チャンバ１１０、チャンバ蓋１１５、基板支持部１２０及びガス分配ユニット１３０を有している。ガス分配ユニット１３０を除いて、基板処理装置５００の要素は、上記基板処理装置１００と同一である。このため、上記記述は、同一の要素に適用する。
ガス分配ユニット１３０は、チャンバ蓋１１５内に設けられた各第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄに挿入、設置されている。ガス分配ユニット１３０は、プラズマ化していない第１ガス及びプラズマ化した第２及び第３ガスから空間的に離反し、基板支持部１２０に対して、空間的に離反した第１〜第３ガスを下向きに分配する。このため、ガス分配ユニット１３０は、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ及び第４ガス分配モジュール１３０ｄを有している。
第１ガス分配モジュール３３０ａを、上記第１ガス分配領域と重なる第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置し、該第１ガス分配モジュール３３０ａは、ガス供給手段から供給された第１ガスを、プラズマ化せずにそのまま第１ガス分配領域に、下向きに分配する。このため、図９に示すように、第１ガス分配モジュール３３０ａは、基礎フレーム４１０、基礎隔壁部材４２０、及び複数のガス供給穴４３０を有する。このように、図９に言及した記述は、要素に適用する。
第２ガス分配モジュール１３０ｂは、上記第２ガス分配領域と重なった第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置され、第２ガス分配領域に、上記プラズマ化した第３ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第２ガス分配モジュール１３０ｂは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。第２ガス分配モジュール１３０ｂは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、ガス分配空間２１２に供給した第３ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第３ガスを第２ガス分配領域に下向きに分配する。
第３ガス分配モジュール１３０ｃは、上記第３ガス分配領域と重なった第３モジュール取付部１１５ｃに挿入、設置され、第３ガス分配領域に、上記プラズマ化した第２ガスを、下向きに分配する。このため、図３に示すように、第３ガス分配モジュール１３０ｃは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。第３ガス分配モジュール１３０ｃは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第３ガス分配領域に下向きに分配する。
第４ガス分配モジュール１３０ｄは、上記第４ガス分配領域と重なった第４モジュール取付部１１５ｄに挿入、設置され、第４ガス分配領域に、プラズマ化した第３ガスを下向きに分配する。このため、図３に示すように、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。該要素を用いることにより、第４ガス分配モジュール１３０ｄは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第３ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第４ガス分配領域に下向きに分配する。
図１２は、本発明の第３実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。
本発明の第３実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法を、図１２を用いて説明する。
まず始めに、複数の基板Ｗを、一定の間隔で基板支持部１２０にロードする。
続いて、上に複数の基板Ｗがロードされた基板支持部１２０を、一定に方向に回転させる。
続いて、第１ガス分配モジュール３３０ａに、第１ガスを供給することにより、第１ガス分配領域に、第１ガスG1を、下向きに分配することが出来る。同時に、第２ガス及びプラズマ電力を第３ガス分配モジュール１３０ｃに供給する。これにより、プラズマ化した第２ガスPG2を第３ガス分配領域に、下向きに分配することが出来る。この時、第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2を、一旦基板支持部１２０が特定方向に回転する工程周期に関係なく、連続的に分配する。
同時に分配した第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2と同時に、第３ガスとプラズマ電力を第２及び第４ガス分配モジュール１３０ｂ、１３０ｄに供給する。これにより、プラズマ化した第３ガスPG3を第２及び第４ガス分配領域に、下向きに連続して分配することが出来る。この時、プラズマ化した第３ガスPG3を、工程周期に関係なく、連続的に分配する。
それ故、基板支持部１２０上に配置された複数の基板Ｗのそれぞれは、該基板支持部１２０の回転に従って、第１〜第４ガス分配領域を通過する。このようにして、空間的に互いに離反し、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール１３０ｃ、第４ガス分配モジュール１３０ｄのそれぞれから分配された、第１及ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2間の反応により、複数の基板Ｗのそれぞれに薄膜材料が堆積する。この時、プラズマ化した第３ガスPG3は、第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2が、基板Ｗに分配されている間、該ガス同士が混合し、反応することを防止すると共に、該第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2が基板Ｗの上面に分配され、混合され、反応し得る。
本発明の第３実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法において、図４Ｂ、図５Ａ〜５Ｄ、及び図７に示す工程順序に従って、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール１３０ｃ、第４ガス分配モジュール１３０ｄを動作させることにより、上記第１ガスG1及びプラズマ化した第２及び第３ガスPG2、PG3を互いに空間的に離反させ、第１〜第４ガス分配領域に分配させることが出来る。
図１３は、本発明の第４実施例による基板処理装置を模式的に示す図である。
図１３に示すように、本発明の第４実施例による基板処理装置６００は、処理チャンバ１１０、チャンバ蓋１１５、基板支持部１２０及びガス分配ユニット１３０を有している。ガス分配ユニット１３０を除いて、基板処理装置６００の要素は、上記基板処理装置１００と同一である。このため、上記記述は、同一の要素に適用する。
ガス分配ユニット１３０は、チャンバ蓋１１５内に設けられた各第１〜第４モジュール取付部１１５ａ〜１１５ｄに挿入、設置されている。ガス分配ユニット１３０は、プラズマ化していない第１ガス及びプラズマ化した第２及び第３ガスを空間的に離反させ、基板支持部１２０に対して、空間的に離反した第１〜第３ガスを下向きに分配する。このため、ガス分配ユニット１３０は、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール１３０ｂ、第３ガス分配モジュール３３０ｃ及び第４ガス分配モジュール１３０ｄを有している。
第１ガス分配モジュール３３０ａを、上記第１ガス分配領域と重なる第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置し、該第１ガス分配モジュール３３０ａは、ガス供給手段から供給された第１ガスを、プラズマ化せずにそのまま第１ガス分配領域に、下向きに分配する。このため、図９に示すように、第１ガス分配モジュール３３０ａは、基礎フレーム４１０、基礎隔壁部材４２０、及び複数のガス供給穴４３０を有する。このように、図９に言及した記述は、要素に適用する。
第２ガス分配モジュール３３０ｂは、上記第２ガス分配領域と重なった第２モジュール取付部１１５ｂに挿入設置され、ガス供給手段から供給された第２ガスを第２ガス分配領域に、プラズマ化せずそのまま下向きに分配する。このため、図９に示すように、第２ガス分配モジュール３３０ｂは、基礎フレーム４１０、基礎隔壁部材４２０、複数のガス供給穴４３０を有している。このように、図９に言及した記述は、要素に適用される。
第３ガス分配モジュール１３０ｃは、上記第３ガス分配領域と重なった第３モジュール取付部１１５ｃに挿入、設置され、第３ガス分配領域に、上記プラズマ化した第２ガスを、下向きに分配する。このため、図３に示すように、第３ガス分配モジュール１３０ｃは、基礎フレーム２１０、基礎隔壁部材２２０、複数の絶縁部材２３０、複数のプラズマ電極部材２４０を有しており、上記記述は、要素に適用される。第３ガス分配モジュール１３０ｃは、フィーダケーブルを介して、プラズマ電力供給ユニット１４０に電気的に接続されて、プラズマ電力供給ユニット１４０から供給されたプラズマ電力に従ってガス分配空間２１２にプラズマを発生させ、該ガス分配空間２１２に供給した第２ガスをプラズマ化させ、該プラズマ化した第２ガスを第３ガス分配領域に下向きに分配する。
第４ガス分配モジュール３３０ｄは、上記第４ガス分配領域と重なった第４モジュール取付部１１５ｄに挿入、設置され、第４ガス分配領域に、ガス供給手段から供給した第３ガスを、プラズマ化せずにそのまま下向きに分配する。このため、図９に示すように、第４ガス分配モジュール３３０ｄは、基礎フレーム４１０、基礎隔壁部材４２０、複数の供給穴４３０を有している。このように、図９に言及した記述は、要素に適用される。
図１４は、本発明の第４実施例による上記基板処理装置を用いた、基板処理方法を説明する図である。
本発明の第４実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法を、図１４を用いて説明する。
まず始めに、複数の基板Ｗを、一定の間隔で基板支持部１２０にロードする。
続いて、上に複数の基板Ｗがロードされた基板支持部１２０を、一定に方向に回転させる。
続いて、第１ガス分配モジュール３３０ａに、第１ガスを供給することにより、第１ガス分配領域に、第１ガスG1を、下向きに分配することが出来る。同時に、第２ガス及びプラズマ電力を第３ガス分配モジュール１３０ｃに供給する。これにより、プラズマ化した第２ガスPG2を第３ガス分配領域に、下向きに分配することが出来る。この時、第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2を、一旦基板支持部１２０が特定方向に回転する工程周期に関係なく、連続的に分配する。
同時に分配した第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2と同時に、第３ガスを第２及び第４ガス分配モジュール３３０ｂ、３３０ｄに供給する。これにより、プラズマ化していない第３ガスPG3を第２及び第４ガス分配領域に、下向きに連続して分配することが出来る。この時、第３ガスPG3を、工程周期に関係なく、連続的に分配する。
それ故、基板支持部１２０上に配置された複数の基板Ｗのそれぞれは、該基板支持部１２０の回転に従って、第１〜第４ガス分配領域を通過する。このようにして、空間的に互いに離反し、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール３３０ｂ、第３ガス分配モジュール１３０ｃ、第４ガス分配モジュール３３０ｄのそれぞれから分配された、第１及ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2間の反応により、複数の基板Ｗのそれぞれに薄膜材料が堆積される。この時、第３ガスPG3は、第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2が、基板Ｗに分配されている間、該ガス同士が混合し、反応することを防止すると共に、該第１ガスG1及びプラズマ化した第２ガスPG2が基板Ｗの上面に分配され、混合され、反応し得る。
本発明の第４実施例による基板処理装置を用いた基板処理方法において、図４Ｂ、図５Ａ〜５Ｄ、及び図７に示す工程順序に従って、第１ガス分配モジュール３３０ａ、第２ガス分配モジュール３３０ｂ、第３ガス分配モジュール１３０ｃ、第４ガス分配モジュール３３０ｄを動作させることにより、上記第１及び第３ガスG1、G3及びプラズマ化した第２ガスPG2を互いに空間的に離反させ、第１〜第４ガス分配領域に分配させることが出来る。
技術的な真意又は本質的な特徴を変更しない限り、本発明は、他の詳細な形態に具現化できることは、当業者であれば理解できる。それ故、上記した実施例は、あらゆる面から見て例示的であり、限定的ではないと理解される。本発明の範囲は、詳細な記述ではなく、下記に示すクレームにより定義され、クレームの意味及び範囲、並びに同等の概念から推論できるあらゆる変更や修正は、本発明の範囲内に含まれるものと解釈される。

Claims (13)

  1. 処理チャンバ、
    複数の基板を支持する形で、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する基板支持部、
    前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び
    異なる第１ガス及び第２ガスを空間的に離反させ、複数の基板に、該空間的に離反した第１ガス及び第２ガスを分配し得る、前記チャンバ蓋に設置されたガス分配ユニットから構成された基板処理装置であり、
    前記基板支持部は、
    回転自在に設けられた第１ディスク、及び
    第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうる、該第１ディスクに配置された少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該少なくとも１枚の第２ディスク上には、複数の基板が配置され、
    前記第１ディスクの回転速度は、前記第２ディスクの回転速度とは異なることを特徴とする、基板処理装置。
  2. 前記第１ディスクの回転速度と前記第２ディスクの回転速度の比は、１：０．１以上、又は、１：１未満であることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス分配ユニットは、
    前記供給された第１ガスを、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間に分配し得る、前記チャンバ蓋に設置された第１ガス分配モジュール、
    前記処理蓋に設置され、前記１ガス分配モジュールから離反した第２ガス分配モジュールから構成され、該２ガス分配モジュールは、供給された第２ガスを、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間に分配しうることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記第１及び第２ガス分配モジュールの少なくも１つは、前記ガス分配空間にプラズマを発生し得る、複数の接地電極部材間に配置されたプラズマ電極部材であることを特徴とする、請求項３記載の基板処理装置。
  5. 処理チャンバ、
    複数の基板を支持し、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する、基板支持部、
    前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び
    基板支持部上の第１ガス分配領域と重なるように前記チャンバ蓋に設置された第１ガス分配モジュール及び、第１ガス分配領域とは空間的に離反した第２ガス分配領域と重なるように前記チャンバ蓋に設置された第２ガス分配モジュールからなるガス分配ユニットから構成される基板処理装置であり、該第１ガス分配モジュールは、第１ガスを該第１ガス分配領域に分配し、該第２ガス分配モジュールは、第２ガスを該第２ガス分配領域に分配し、
    前記基板支持部は、
    回転自在に設けられた第１ディスク、及び
    第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうる、該第１ディスク上に配置された少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該少なくとも１枚の第２ディスク上には、複数の基板が配置され、
    前記第２ガス分配モジュールは前記第２ガスをプラズマ化して、複数の接地電極部材と交互に配置したプラズマ電極部材に供給されたプラズマ電力に従って、該プラズマ化した第２ガスを分配することを特徴とする、基板処理装置。
  6. 第１ガス分配モジュールは、供給された第１ガスを、複数の接地電極部材間にそのままの分配し、或いは、該第１ガスをプラズマ化し、プラズマ化した第１ガスを、複数の接地電極部材と交互に配置したプラズマ電極部材に供給したプラズマ電流に従って分配することを特徴とする、請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記第１及び第２ガス分配モジュールのそれぞれは複数設けられており、該複数の第２ガス分配モジュールのそれぞれは、該複数の第１ガス分配モジュールと交互に設けられていること特徴とする、請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記ガス分配ユニットは、更に、前記チャンバ蓋に設置され、前記第１及び第２ガス分配モジュール間に設けられた、第３及び第４ガス分配モジュールから構成されることで、第３ガスを複数の基板に分配すること特徴とする、請求項１又は請求項５記載の基板処理装置。
  9. 処理チャンバ、
    複数の基板を支持し、前記処理チャンバに設置され、特定の方向に回転する、基板支持部、
    前記基板支持部に対向する形で設けられた、前記処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋、及び
    前記チャンバ蓋に一定の間隔で配置された複数のガス分配モジュールを有するガス分配ユニットから構成される基板処理装置であって、該複数のガス分配モジュールのそれぞれは、複数の接地電極部材間に設けられたガス分配空間を有し、
    前記複数のガス分配モジュールの少なくとも１つは、複数の接地電極部材と交互に配置されたプラズマ電極部材に供給されたプラズマ電極に従い、ガス分配空間にプラズマを発生させ、
    前記基板支持部は、
    回転自在に設けられた第１ディスク、及び
    第１ディスクの回転に伴い、自転すると共に該第１ディスクの中心の周りを回転しうるように、前記第１ディスク上に設けられた少なくとも１枚の第２ディスクから構成され、該複数の基板は少なくとも１枚の第２ディスク上に配置されること特徴とする、基板処理装置。
  10. （A）複数の基板を、処理チャンバ内に設置された基板支持部上に、一定の間隔で配置し、
    （B）複数の基板が配置された基板支持部を回転させて、第１ディスクの回転に伴い、第２ディスクが自転すると共に該第２ディスクを該第１ディスクの中心軸の周りを回転させ、
    （C）異なる第１ガス及び第２ガスを空間的に離反させ、該空間的に離反した第１ガス及び第２ガスを、基板支持部に対向する形で設けられた処理チャンバの上面を被覆するチャンバ蓋内に、一定の間隔で配置された第１及び第２ガス分配モジュールを用いて複数の基板上に分配し、
    ステップ（C）において、
    第１ガス分配モジュールは、複数の接地電極部材間のガス分配空間に供給した第１ガスを、複数の基板に分配し、
    第２ガス分配モジュールは、複数の接地電極部材間のガス分配空間に供給した第２ガスを、該第１ガスとは空間的に離反する形で設けられた、複数の基板に分配することを特徴とする、基板処理方法。
  11. 前記第１ディスクの回転速度の、前記第２ディスクの回転速度に対する比は、１：０．１以上、又は、１：１未満であることを特徴とする、請求項１０記載の基板処理方法。
  12. 前記ステップ（C）において、前記第１ガス分配モジュールを介して第１ガスを分配する、第１ガス分配工程と、前記第２ガス分配モジュールを介して第２ガスを分配する、第２ガス分配工程を同時に、又は連続して実行することを特徴とする、請求項１１記載の基板処理方法。
  13. 前記第１ガスを、前記第１ガス分配モジュールのガス分配空間に発生したプラズマにより、プラズマ化した第１ガスに変化させ、該プラズマ化した第１ガスを複数の基板に分配することを特徴とする、請求項１０記載の基板処理方法。
JP2018507690A 2015-08-20 2016-08-19 基板処理装置及び基板処理方法 Pending JP2018527749A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0117464 2015-08-20
KR1020150117464A KR20170022459A (ko) 2015-08-20 2015-08-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
PCT/KR2016/009179 WO2017030414A1 (ko) 2015-08-20 2016-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018527749A true JP2018527749A (ja) 2018-09-20

Family

ID=58051646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018507690A Pending JP2018527749A (ja) 2015-08-20 2016-08-19 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180269078A1 (ja)
JP (1) JP2018527749A (ja)
KR (1) KR20170022459A (ja)
CN (1) CN108352295A (ja)
TW (1) TW201724340A (ja)
WO (1) WO2017030414A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022501826A (ja) * 2018-09-29 2022-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102155281B1 (ko) * 2017-07-28 2020-09-11 주성엔지니어링(주) 기판처리장치의 가스분사장치, 기판처리장치, 및 기판처리방법
JP2020035874A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR20220031700A (ko) 2019-07-12 2022-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 동시 기판 이송을 위한 로봇
US11443973B2 (en) * 2019-07-12 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
KR102417422B1 (ko) * 2020-07-09 2022-07-06 주식회사 한화 플라즈마 전극부를 구비한 기판 처리 장치
CN115046256B (zh) * 2021-03-08 2024-05-28 广东美的制冷设备有限公司 空调器及其控制方法、控制装置和计算机可读存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013055356A (ja) * 2012-11-29 2013-03-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR20130097425A (ko) * 2012-02-24 2013-09-03 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2013214581A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 基板支持機構の制御方法、薄膜の形成方法およびプログラム
JP2015507097A (ja) * 2012-01-31 2015-03-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 回転式基板処理システム
JP2016092156A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2016535410A (ja) * 2013-08-16 2016-11-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高温低圧環境用の細長い容量結合プラズマ源

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
KR101224541B1 (ko) * 2011-08-16 2013-01-22 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상 증착장치 및 증착방법
KR101954758B1 (ko) * 2012-01-20 2019-03-06 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20130196078A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-01 Joseph Yudovsky Multi-Chamber Substrate Processing System
KR101573453B1 (ko) * 2014-11-10 2015-12-03 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015507097A (ja) * 2012-01-31 2015-03-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 回転式基板処理システム
KR20130097425A (ko) * 2012-02-24 2013-09-03 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2013214581A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Sumitomo Chemical Co Ltd 基板支持機構の制御方法、薄膜の形成方法およびプログラム
JP2013055356A (ja) * 2012-11-29 2013-03-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2016535410A (ja) * 2013-08-16 2016-11-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高温低圧環境用の細長い容量結合プラズマ源
JP2016092156A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022501826A (ja) * 2018-09-29 2022-01-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド
JP7121447B2 (ja) 2018-09-29 2022-08-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017030414A1 (ko) 2017-02-23
KR20170022459A (ko) 2017-03-02
CN108352295A (zh) 2018-07-31
TW201724340A (zh) 2017-07-01
US20180269078A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018527749A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US11028481B2 (en) Substrate treating apparatus and method
TWI623648B (zh) 基板處理方法
US11131023B2 (en) Film deposition apparatus and film deposition method
KR20130133622A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101954758B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101854242B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20130108803A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20130090287A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101834984B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102405776B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102176986B1 (ko) 기판 처리 방법
KR101987138B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101938267B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR101951861B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102051611B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102192369B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102098636B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102076512B1 (ko) 기판 처리 방법
US11651941B2 (en) Apparatus for distributing gas, and apparatus and method for processing substrate
KR20130137305A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200907

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200909

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20201204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201221

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210728