KR102408996B1 - Adhesive sheet, adhesive sheet with dicing sheet, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 단시간에 경화시키는 것이 가능하고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 반도체 칩의 균열을 저감할 수 있는 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 25 ℃ 에서 175 ℃ 까지 3 분간 승온하고, 이어서 175 ℃ 를 3 시간 유지하는 조건하의 DSC 측정에 의해 그려지는 DSC 곡선에 있어서, 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간이 30 분 미만이며, 175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켜 얻어지는 경화물의 점탄성을 10 Hz 에서 측정함으로써 얻어지는 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률이 100 MPa 이상인 접착 시트에 관한 것이다. 기재 및 기재 상에 배치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트와, 점착제층 상에 배치된 접착 시트를 구비하는 다이싱 시트가 부착된 접착 시트에 관한 것이다.
(Project) An object of the present invention is to provide an adhesive sheet with a dicing sheet and an adhesive sheet that can be cured in a short time and can reduce poor bonding between a copper wire and a pad and cracking of a semiconductor chip.
(Solution) In the DSC curve drawn by DSC measurement under the condition that the temperature is raised from 25°C to 175°C for 3 minutes and then maintained at 175°C for 3 hours, from reaching 175°C until the reaction peak disappears The time is less than 30 minutes, and the tensile storage elastic modulus at 200 degreeC obtained by measuring the viscoelasticity of the hardened|cured material obtained by making it harden|cure by heating at 175 degreeC for 30 minutes at 10 Hz is 100 MPa or more. It relates to a dicing sheet provided with a base material and an adhesive layer disposed on the base material, and an adhesive sheet to which a dicing sheet is attached, having an adhesive sheet disposed on the pressure sensitive adhesive layer.

Description

접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법{ADHESIVE SHEET, ADHESIVE SHEET WITH DICING SHEET, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}An adhesive sheet, an adhesive sheet with a dicing sheet attached thereto, and a manufacturing method of a semiconductor device

본 발명은, 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet, an adhesive sheet with a dicing sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.

반도체 장치의 제조 방법에 관해서, 예를 들어, 반도체 칩을 접착 시트로 리드 프레임 등의 피착체에 고정시키는 공정과, 접착 시트를 경화시키는 공정과, 와이어 본딩하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Regarding the method for manufacturing a semiconductor device, for example, a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step of fixing a semiconductor chip to an adherend such as a lead frame with an adhesive sheet, a step of curing the adhesive sheet, and a step of wire bonding This is known (for example, refer patent document 1).

최근, 금 와이어를 사용한 와이어 본딩으로부터 저렴한 구리 와이어를 사용한 와이어 본딩으로의 이행이 진행되고 있다. 또, 반도체 장치의 소형화의 요구에서, 반도체 칩의 소형화가 진행되고 있다.In recent years, the transition from wire bonding using a gold wire to wire bonding using an inexpensive copper wire is progressing. Moreover, in response to the request|requirement of miniaturization of a semiconductor device, miniaturization of a semiconductor chip is progressing.

일본 공개특허공보 2013-53190호Japanese Patent Laid-Open No. 2013-53190

구리 와이어는 산화되기 쉽기 때문에 반도체 칩의 패드와 접착되기 어렵고, 용융 볼이 단단하다. 그러므로, 구리 와이어를 사용한 와이어 본딩에서는, 와이어 본딩 장치로부터 나오는 초음파에 의해 반도체 칩이 진동하기 쉽고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 칩 균열이 생기기 쉽다. 리드 프레임과 접촉하는 면적이 작은 소형의 반도체 칩은 진동하기 쉽기 때문에, 접합 불량, 칩 균열이 특히 생기기 쉽다.Since the copper wire is easily oxidized, it is difficult to adhere to the pad of the semiconductor chip, and the molten ball is hard. Therefore, in wire bonding using a copper wire, the semiconductor chip tends to vibrate by the ultrasonic wave emitted from the wire bonding apparatus, and it is easy to generate|occur|produce the bad bonding of a copper wire and a pad, and a chip crack. Since a small semiconductor chip having a small area in contact with the lead frame is liable to vibrate, poor bonding and chip cracking are particularly likely to occur.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 단시간에 경화시키는 것이 가능하고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 반도체 칩의 균열을 저감할 수 있는 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또, 단시간에 접착 시트를 경화시키는 것이 가능하고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 반도체 칩의 균열을 저감할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an adhesive sheet with a dicing sheet and an adhesive sheet that can be cured in a short time and can reduce poor bonding between copper wires and pads and cracks in semiconductor chips by solving the above problems do it with Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can cure an adhesive sheet in a short time, and can reduce a bonding defect between a copper wire and a pad and cracking of a semiconductor chip.

본 발명은, 반도체 장치의 제조에 사용되는 접착 시트에 관한 것이다. 본 발명의 접착 시트는, 다음의 성질을 구비한다. 즉, 25 ℃ 에서 175 ℃ 까지 3 분간 승온하고, 이어서 175 ℃ 를 3 시간 유지하는 조건하의 DSC 측정에 의해 그려지는 DSC 곡선에 있어서, 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간이 30 분 미만이다. 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간이 30 분 미만이므로, 단시간에 경화시키는 것이 가능하다. 본 발명의 접착 시트는 다음의 성질을 추가로 구비한다. 즉, 175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켜 얻어지는 경화물의 점탄성을 10 Hz 에서 측정함으로써 얻어지는 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률이 100 MPa 이상이다. 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률이 100 MPa 이상이므로, 반도체 칩의 진동을 저감하는 것이 가능하고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 반도체 칩의 균열을 저감할 수 있다.The present invention relates to an adhesive sheet used for manufacturing a semiconductor device. The adhesive sheet of the present invention has the following properties. That is, in the DSC curve drawn by DSC measurement under the condition that the temperature is raised from 25°C to 175°C for 3 minutes and then maintained at 175°C for 3 hours, the time from reaching 175°C until the reaction peak disappears is less than 30 minutes. Since the time until the reaction peak disappears after reaching 175 degreeC is less than 30 minutes, it is possible to harden in a short time. The adhesive sheet of the present invention further has the following properties. That is, the 200 degreeC tensile storage elastic modulus obtained by measuring the viscoelasticity of the hardened|cured material obtained by making it harden|cure by heating at 175 degreeC for 30 minutes at 10 Hz is 100 MPa or more. Since the tensile storage elastic modulus of 200 degreeC is 100 MPa or more, it is possible to reduce the vibration of a semiconductor chip, and the bonding defect of a copper wire and a pad, and the crack of a semiconductor chip can be reduced.

본 발명의 접착 시트는 다음의 성질을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 즉, 25 ℃ ∼ 300 ℃ 의 범위를 매분 10 ℃ 로 승온하는 조건하의 DSC 측정에 의해 얻어지는 반응 열량이 80 mJ/mg 이상인 것이 바람직하다.The adhesive sheet of the present invention preferably further has the following properties. That is, it is preferable that the amount of reaction heat obtained by DSC measurement under the conditions of heating up the range of 25 degreeC - 300 degreeC at 10 degreeC per minute is 80 mJ/mg or more.

본 발명의 접착 시트는 다음의 성질을 추가로 구비하는 것이 바람직하다. 즉, 175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켜 얻어지는 경화물의 Tg 가 150 ℃ 이상인 것이 바람직하다.The adhesive sheet of the present invention preferably further has the following properties. That is, it is preferable that Tg of the hardened|cured material obtained by making it harden|cure by heating at 175 degreeC for 30 minutes is 150 degreeC or more.

본 발명의 접착 시트는, 바람직하게는 BET 비표면적이 4 ㎡/g 이상의 실리카 필러를 함유한다. 실리카 필러의 함유량은, 바람직하게는 50 중량% 이상이다.The adhesive sheet of the present invention preferably contains a silica filler having a BET specific surface area of 4 m 2 /g or more. Content of a silica filler becomes like this. Preferably it is 50 weight% or more.

본 발명의 접착 시트는, 수지 성분을 함유한다. 바람직하게는, 수지 성분이 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 함유한다. 보다 바람직하게는, 수지 성분 100 중량% 중의 아크릴 수지의 함유량은 14 중량% 이하이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 120 g/eq. 이하이다.The adhesive sheet of this invention contains a resin component. Preferably, the resin component contains an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin. More preferably, content of the acrylic resin in 100 weight% of resin components is 14 weight% or less. The hydroxyl equivalent of a phenol resin becomes like this. Preferably it is 120 g/eq. is below.

본 발명은 또, 기재 및 기재 상에 배치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트와, 점착제층 상에 배치된 접착 시트를 구비하는 다이싱 시트가 부착된 접착 시트에 관한 것이다.The present invention also relates to a dicing sheet comprising a base material and an adhesive layer disposed on the base material, and an adhesive sheet with a dicing sheet comprising an adhesive sheet disposed on the pressure sensitive adhesive layer.

본 발명은 또, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트를 준비하는 공정과, 접착 시트에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 접착 시트 상에 배치된 반도체 웨이퍼를 다이싱함으로써, 패드를 구비하는 반도체 칩 및 반도체 칩 상에 배치된 접착 필름을 구비하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과, 단자부를 구비하는 피착체에 다이 본드용 칩을 압착함으로써 칩이 부착된 피착체를 형성하는 공정과, 칩이 부착된 피착체를 가열함으로써 접착 필름을 경화시키는 공정과, 구리를 함유하는 와이어의 일단과 패드를 접합하는 스텝 및 와이어의 타단과 단자부를 접합하는 스텝을 포함하고, 접착 필름을 경화시키는 공정의 후에 실시하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also provides a process for preparing an adhesive sheet with a dicing sheet attached thereto; a process for pressing a semiconductor wafer to the adhesive sheet; A step of forming a die-bonding chip having an adhesive film disposed on a semiconductor chip; a step of forming an adherend to which the chip is attached by pressing the die-bonding chip to an adherend having a terminal portion; It includes a step of curing the adhesive film by heating the adherend, a step of bonding one end of a copper-containing wire to a pad, and a step of bonding the other end of the wire to a terminal portion, which is carried out after the step of curing the adhesive film It relates to a method of manufacturing a semiconductor device comprising the step of:

도 1 은, 접착 시트의 개략 단면도이다.
도 2 는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트의 개략 단면도이다.
도 3 은, 변형예에 관련된 다이싱 시트가 부착된 접착 시트의 개략 단면도이다.
도 4 는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 상에 반도체 웨이퍼를 배치한 모습의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 반도체 웨이퍼를 개편화한 모습의 개략을 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 반도체 칩이 부착된 피착체의 개략 단면도이다.
도 7 은, 반도체 장치의 개략 단면도이다.
도 8 은, 실시예 2 의 DSC 곡선이다.
1 is a schematic cross-sectional view of an adhesive sheet.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of an adhesive sheet with a dicing sheet attached thereto.
3 is a schematic cross-sectional view of an adhesive sheet with a dicing sheet according to a modification.
It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the semiconductor wafer has been arrange|positioned on the adhesive sheet with a dicing sheet.
5 : is sectional drawing which shows the outline of a mode that the semiconductor wafer was divided into pieces.
6 is a schematic cross-sectional view of an adherend to which a semiconductor chip is attached.
7 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device.
Fig. 8 is a DSC curve of Example 2.

이하에 실시형태를 게재하여, 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Although an embodiment is given below and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited only to these embodiment.

[실시형태 1][Embodiment 1]

(접착 시트 (3))(Adhesive sheet (3))

도 1 에 나타내는 바와 같이, 접착 시트 (3) 의 형태는 시트상이다. 접착 시트 (3) 는 열경화성을 구비한다.As shown in FIG. 1, the form of the adhesive sheet 3 is sheet-like. The adhesive sheet 3 has thermosetting properties.

접착 시트 (3) 는 다음의 성질을 추가로 구비한다. 즉, 25 ℃ 에서 175 ℃ 까지 3 분간 승온하고, 이어서 175 ℃ 를 3 시간 유지하는 조건하의 DSC 측정에 의해 그려지는 DSC 곡선에 있어서, 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간이 30 분 미만이다. 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간은 30 분 미만이므로, 단시간에 경화시키는 것이 가능하다. 또, 표준적인 와이어 본딩 조건으로 완전 또는 대략 완전하게 경화시키는 것이 가능하고, 반도체 칩의 진동을 저감할 수 있다. 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간은, 바람직하게는 25 분 미만이다. 한편, 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간의 하한은, 예를 들어 5 분, 10 분, 15 분 등이다.The adhesive sheet 3 further has the following properties. That is, in the DSC curve drawn by DSC measurement under the condition that the temperature is raised from 25°C to 175°C for 3 minutes and then maintained at 175°C for 3 hours, the time from reaching 175°C until the reaction peak disappears is less than 30 minutes. Since the time until the reaction peak disappears after reaching 175 degreeC is less than 30 minutes, it is possible to harden in a short time. Moreover, it is possible to completely or substantially completely harden under standard wire bonding conditions, and it can reduce the vibration of a semiconductor chip. The time from reaching 175 degreeC until the reaction peak disappears becomes like this. Preferably it is less than 25 minutes. On the other hand, the lower limit of the time from reaching 175°C until the reaction peak disappears is, for example, 5 minutes, 10 minutes, 15 minutes, or the like.

「반응 피크가 소멸한다」 란, 측정용 샘플과 레퍼런스용 샘플의 온도가 동일해지도록 양자에 가한 단위 시간당의 열에너지의 입력의 차가 일정하게 되는 것을 말한다."The reaction peak disappears" means that the difference in the input of thermal energy per unit time applied to the sample for measurement and the sample for reference becomes constant so that the temperature of the sample for measurement and the sample for reference become the same.

175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간은, 경화 촉진제의 종류, 경화 촉진제의 함유량, 수지의 종류 등에 따라 컨트롤할 수 있다.Time until the reaction peak disappears after reaching 175 degreeC is controllable with the kind of hardening accelerator, content of a hardening accelerator, the kind of resin, etc.

바람직하게는, 접착 시트 (3) 는 다음의 성질을 추가로 구비한다. 즉, 25 ℃ ∼ 300 ℃ 의 범위를 매분 10 ℃ 로 승온하는 조건하의 DSC 측정에 의해 얻어지는 반응 열량은 80 mJ/mg 이상, 보다 바람직하게는 85 mJ/mg 이상이다. 한편, 반응 열량은, 바람직하게는 300 mJ/mg 이하, 보다 바람직하게는 200 mJ/mg 이하이다.Preferably, the adhesive sheet 3 further has the following properties. That is, the amount of heat of reaction obtained by DSC measurement under the condition that the temperature in the range of 25°C to 300°C is raised at 10°C per minute is 80 mJ/mg or more, more preferably 85 mJ/mg or more. On the other hand, the heat of reaction is preferably 300 mJ/mg or less, and more preferably 200 mJ/mg or less.

「반응 열량」 이란, 25 ℃ ∼ 300 ℃ 의 범위를 매분 10 ℃ 로 승온하는 조건하의 DSC 측정에 의해 측정되는 열량을 시험편의 중량으로 나눔으로써 산출되는 값이다.The "reaction calorific value" is a value calculated by dividing the calorific value measured by DSC measurement under the condition that the temperature in the range of 25°C to 300°C is raised at 10°C per minute by the weight of the test piece.

접착 시트 (3) 를 경화시켜 얻어지는 경화물의 점탄성을 10 Hz 에서 측정함으로써 얻어지는 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률은 100 MPa 이상, 바람직하게는 200 MPa 이상이다. 100 MPa 이상이므로, 반도체 칩의 진동을 저감하는 것이 가능하고, 구리 와이어와 패드의 접합 불량, 반도체 칩의 균열을 저감할 수 있다. 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률은, 바람직하게는 1000 MPa 이하, 보다 바람직하게는 700 MPa 이하이다. 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률의 상한으로서, 예를 들어, 500 MPa, 400 MPa 등도 예시할 수 있다.The tensile storage elastic modulus at 200 degreeC obtained by measuring the viscoelasticity of the hardened|cured material obtained by hardening the adhesive sheet 3 at 10 Hz is 100 MPa or more, Preferably it is 200 MPa or more. Since it is 100 MPa or more, it is possible to reduce the vibration of a semiconductor chip, and it can reduce the bonding defect of a copper wire and a pad, and the crack of a semiconductor chip. The tensile storage modulus at 200°C becomes like this. Preferably it is 1000 MPa or less, More preferably, it is 700 MPa or less. As an upper limit of a 200 degreeC tensile storage elastic modulus, 500 MPa, 400 MPa, etc. can also be illustrated, for example.

또한, 경화물은, 접착 시트 (3) 를 175 ℃ 에서 30 분 가열하여, 경화시킴으로써 얻어진 것이다.In addition, hardened|cured material is obtained by heating and hardening the adhesive sheet 3 at 175 degreeC for 30 minutes.

경화물의 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률은, 페놀 수지의 수산기 당량, 실리카 필러의 함유량, 실리카 필러의 입경 등에 의해 컨트롤할 수 있다. 예를 들어, 수산기 당량이 작은 페놀 수지를 사용하는 것, 실리카 필러의 함유량을 증가시키는 것, 입경이 작은 실리카 필러를 사용함으로써, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 높일 수 있다.The 200 degreeC tensile storage elastic modulus of hardened|cured material is controllable with the hydroxyl equivalent of a phenol resin, content of a silica filler, the particle diameter of a silica filler, etc. For example, a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised by using a phenol resin with a small hydroxyl equivalent, increasing content of a silica filler, and using a silica filler with a small particle size.

경화물의 Tg 는, 바람직하게는 150 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 180 ℃ 이상이다. 150 ℃ 이상이면, 경화물의 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 100 MPa 이상으로 설정하기 쉽다. 한편, 경화물의 Tg 는, 바람직하게는 250 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 220 ℃ 이하이다.Tg of hardened|cured material becomes like this. Preferably it is 150 degreeC or more, More preferably, it is 180 degreeC or more. If it is 150 degreeC or more, it will be easy to set the 200 degreeC tensile storage elastic modulus of hardened|cured material to 100 MPa or more. On the other hand, Tg of hardened|cured material becomes like this. Preferably it is 250 degrees C or less, More preferably, it is 220 degrees C or less.

경화물의 Tg (「유리 전이 온도」) 는, 페놀 수지의 수산기 당량 등에 의해 컨트롤할 수 있다.Tg ("glass transition temperature") of hardened|cured material is controllable by the hydroxyl equivalent of a phenol resin, etc.

접착 시트 (3) 는, 수지 성분을 함유한다. 수지 성분으로서는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.The adhesive sheet 3 contains a resin component. As a resin component, an acrylic resin, an epoxy resin, a phenol resin, etc. are mentioned.

아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1 종 또는 2 종 이상을 성분으로 하는 중합체 (아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer containing as a component one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly having 4 to 18 carbon atoms (acrylic copolymer) synthesis) and the like. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, or dodecyl group and the like.

또, 중합체 (아크릴 공중합체) 를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산무수물 모노머, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산10-하이드록시데실, (메트)아크릴산12-하이드록시라우릴 혹은 (4-하이드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.Moreover, it does not specifically limit as another monomer which forms a polymer (acrylic copolymer), For example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, or crotonic acid carboxyl group-containing monomers such as, etc., acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, ( (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl)- Hydroxyl group-containing monomers such as methyl acrylate, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate or (meth) sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

아크릴 수지 중에서도, 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 ∼ 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 ∼ 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC (겔·퍼미에이션·크로마토그래피) 에 의해 측정하여, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.Among acrylic resins, it is preferable that a weight average molecular weight is 100,000 or more, It is more preferable that it is 300,000-3 million, It is still more preferable that it is 500,000-2 million. It is because it is excellent in adhesiveness and heat resistance as it is in this numerical range. In addition, a weight average molecular weight is the value computed by polystyrene conversion by measuring by GPC (gel permeation chromatography).

아크릴 수지는, 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 아크릴 수지를 에폭시 수지와 가교시킬 수 있다.It is preferable that an acrylic resin contains the functional group which can react with an epoxy group. Thereby, an acrylic resin can be bridge|crosslinked with an epoxy resin.

에폭시기와 반응 가능한 관능기로서는, 예를 들어, 카르복실기, 하이드록실기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기와의 반응성이 높다는 이유에서, 카르복실기가 바람직하다.As a functional group which can react with an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, etc. are mentioned, for example. Especially, since the reactivity with an epoxy group is high, a carboxyl group is preferable.

아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 5 mgKOH/g 이상, 보다 바람직하게는 10 mgKOH/g 이상이다. 한편, 아크릴 수지의 산가는, 바람직하게는 40 mgKOH/g 이하, 보다 바람직하게는 25 mgKOH/g 이하이다.The acid value of the acrylic resin is preferably 5 mgKOH/g or more, and more preferably 10 mgKOH/g or more. On the other hand, the acid value of an acrylic resin becomes like this. Preferably it is 40 mgKOH/g or less, More preferably, it is 25 mgKOH/g or less.

또한, 산가는, JIS K 0070-1992 에 규정되는 중화 적정법으로 측정할 수 있다.In addition, an acid value can be measured by the neutralization titration method prescribed|regulated to JISK0070-1992.

수지 성분 100 중량% 중의 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 14 중량% 이하, 보다 바람직하게는 12 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 11 중량% 이하이다. 14 중량% 이하이면, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 높일 수 있다. 수지 성분 100 중량% 중의 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 5 중량% 이상, 보다 바람직하게는 7 중량% 이상이다.Content of the acrylic resin in 100 weight% of resin components becomes like this. Preferably it is 14 weight% or less, More preferably, it is 12 weight% or less, More preferably, it is 11 weight% or less. If it is 14 weight% or less, a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised. Content of the acrylic resin in 100 weight% of resin components becomes like this. Preferably it is 5 weight% or more, More preferably, it is 7 weight% or more.

에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A 형, 비스페놀 F 형, 비스페놀 S 형, 브롬화 비스페놀 A 형, 수첨 비스페놀 A 형, 비스페놀 AF 형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀 노볼락형, 오르토 크레졸 노볼락형, 트리스하이드록시페닐메탄형, 테트라페니롤에탄형 등의 2 관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들의 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페니롤에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들의 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited, and for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol furnace Bifunctional epoxy resins and polyfunctional epoxy resins such as bolac type, ortho cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylethane type, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, or glycyrrhizin Epoxy resins, such as a dilamine type, are used. Among these epoxy resins, a novolak-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, a trishydroxyphenylmethane-type resin, or a tetraphenylolethane-type epoxy resin is particularly preferable. It is because these epoxy resins are rich in reactivity with the phenol resin as a hardening|curing agent, and are excellent in heat resistance etc.

에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 120 g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 140 g/eq. 이상, 더욱 바람직하게는 150 g/eq. 이상이다. 한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 250 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 200 g/eq. 이하이다.The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 120 g/eq. above, more preferably 140 g/eq. or more, more preferably 150 g/eq. More than that. On the other hand, the epoxy equivalent of an epoxy resin becomes like this. Preferably it is 250 g/eq. Below, more preferably 200 g/eq. is below.

또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009 에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.In addition, the epoxy equivalent of an epoxy resin can be measured by the method prescribed|regulated to JISK7236-2009.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들의 페놀 수지 중 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.A phenol resin acts as a hardening|curing agent of an epoxy resin, For example, Novolak types, such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, tert- butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin. Polyoxystyrene, such as a phenol resin, a resol type phenol resin, and polyparaoxystyrene, etc. are mentioned. Among these phenol resins, a phenol novolak resin and a phenol aralkyl resin are particularly preferable. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 120 g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 110 g/eq. 이하이다. 120 g/eq. 이하이면, 가교 밀도를 높이는 것이 가능하고, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 높일 수 있다. 한편, 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 80 g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 90 g/eq. 이상이다.The hydroxyl equivalent of a phenol resin becomes like this. Preferably it is 120 g/eq. Hereinafter, more preferably 110 g/eq. is below. 120 g/eq. If it is below, it is possible to raise a crosslinking density, and a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised. On the other hand, the hydroxyl equivalent of a phenol resin becomes like this. Preferably it is 80 g/eq. or more, more preferably 90 g/eq. More than that.

에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1 당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 ∼ 2.0 당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은, 0.8 ∼ 1.2 당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.It is preferable to mix|blend so that the compounding ratio of an epoxy resin and a phenol resin may become 0.5-2.0 equivalent of the hydroxyl group in a phenol resin per 1 equivalent of epoxy groups in an epoxy resin component, for example. More preferably, it is 0.8-1.2 equivalent. That is, when the mixing ratio of both is out of this range, it is because sufficient hardening reaction does not advance and the characteristic of hardened|cured material deteriorates easily.

수지 성분 100 중량% 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 86 중량% 이상, 보다 바람직하게는 88 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 89 중량% 이상이다. 86 중량% 이상이면, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 높일 수 있다. 한편, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 95 중량% 이하, 보다 바람직하게는 93 중량% 이하이다.The total content of the epoxy resin and the phenol resin in 100% by weight of the resin component is preferably 86% by weight or more, more preferably 88% by weight or more, still more preferably 89% by weight or more. If it is 86 weight% or more, a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised. On the other hand, total content of an epoxy resin and a phenol resin becomes like this. Preferably it is 95 weight% or less, More preferably, it is 93 weight% or less.

접착 시트 (3) 가 BET 비표면적이 4 ㎡/g 이상의 실리카 필러를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive sheet 3 contains a silica filler with a BET specific surface area of 4 m<2>/g or more.

실리카 필러의 BET 비표면적은, 바람직하게는 15 ㎡/g 이상이다. 한편, 실리카 필러의 BET 비표면적은, 바람직하게는 100 ㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎡/g 이하이다.The BET specific surface area of the silica filler is preferably 15 m 2 /g or more. On the other hand, the BET specific surface area of the silica filler is preferably 100 m 2 /g or less, more preferably 50 m 2 /g or less.

BET 비표면적은, BET 흡착법 (다점법) 에 의해 측정한다. 구체적으로는, 접착 시트 (3) 를, 대기 분위기하, 700 ℃ 에서 2 시간 강열 (强熱) 하여 회화 (灰化) 시킨다. 얻어진 회분을 110 ℃, 6 시간 이상으로 진공 탈기한 후에, Quantachrome 제조 4 련식 비표면적·세공 분포 측정 장치 「NOVA-4200e 형」 을 이용하여, 질소 가스 중, 77.35 K 의 온도하에서 측정한다.The BET specific surface area is measured by the BET adsorption method (multipoint method). Specifically, the adhesive sheet 3 is incinerated by heating at 700°C for 2 hours in an atmospheric atmosphere. After vacuum degassing of the obtained ash content at 110 degreeC and 6 hours or more, it measures under the temperature of 77.35 K in nitrogen gas using the Quantachrome 4-type specific surface area and pore distribution measuring apparatus "NOVA-4200e type".

실리카 필러의 신모스 경도는 바람직하게는 4 이상이다. 4 이상이면, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 효과적으로 높일 수 있다. 실리카 필러의 신모스 경도의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 10 이다.The new Mohs hardness of the silica filler is preferably 4 or more. If it is 4 or more, a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised effectively. Although the upper limit of the New Mohs' Hardness of a silica filler is not specifically limited, For example, it is 10.

접착 시트 (3) 중의 실리카 필러의 함유량은, 바람직하게는 50 중량% 이상, 보다 바람직하게는 51 중량% 이상이다. 50 중량% 이상이면, 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 높일 수 있다. 한편, 실리카 필러의 함유량은, 바람직하게는 70 중량% 이하, 보다 바람직하게는 65 중량% 이하이다.Content of the silica filler in the adhesive sheet 3 becomes like this. Preferably it is 50 weight% or more, More preferably, it is 51 weight% or more. If it is 50 weight% or more, a 200 degreeC tensile storage elastic modulus can be raised. On the other hand, content of a silica filler becomes like this. Preferably it is 70 weight% or less, More preferably, it is 65 weight% or less.

접착 시트 (3) 는 경화 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량은, 수지 성분 100 중량부에 대해, 바람직하게는 0.1 ∼ 5 중량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 3 중량부이다. 0.1 중량부 이상이면, 단시간에 경화시키는 것이 가능하다.The adhesive sheet 3 preferably contains a curing accelerator. To [ content of a hardening accelerator / 100 weight part of resin components ], Preferably it is 0.1-5 weight part, More preferably, it is 0.1-3 weight part. If it is 0.1 weight part or more, it is possible to harden in a short time.

경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, an imidazole type compound, a triphenylphosphine type compound, an amine type compound, a triphenylborane type compound, a trihalogen borane type compound, etc. are mentioned.

이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸 (상품명 ; 2MZ), 2-운데실이미다졸 (상품명 ; C11Z), 2-헵타데실이미다졸 (상품명 ; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸 (상품명 ; 1.2 DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸 (상품명 ; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸 (상품명 ; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸 (상품명 ; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸 (상품명 ; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸 (상품명 ; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸 (상품명 ; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸 (상품명 ; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트 (상품명 ; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노- 6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 (상품명 ; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 (상품명 ; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 (상품명 ; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 (상품명 ; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (상품명 ; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 (상품명 ; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다 (모두 시코쿠 화성 (주) 제조).Examples of the imidazole-based compound include 2-methylimidazole (trade name; 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name; C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name; C17Z), and 1,2-dimethyl Midazole (trade name; 1.2 DMZ), 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name; 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name; 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name; 2P4MZ), 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name; 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name; 1B2PZ), 1-cyanoethyl-2-methylimidazole (trade name; 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name; C11Z-CN), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate (trade name; 2PZCNS-PW), 2 ,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine (trade name; 2MZ-A), 2,4-diamino-6-[2'- Undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine (trade name; C11Z-A), 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-( 1')]-ethyl-s-triazine (trade name; 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocia Nuric acid adduct (trade name; 2MA-OK), 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (trade name; 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimida Sol (brand name; 2P4MHZ-PW) etc. are mentioned (all are Shikoku Chemical Co., Ltd. product).

트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드 (상품명 ; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄 (상품명 ; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드 (상품명 ; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄 (상품명 ; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드 (상품명 ; TPP-ZC) 등을 들 수 있다 (모두 홋코 화학사 제조).The triphenylphosphine-based compound is not particularly limited, and for example, triphenylphosphine, tributylphosphine, tri(p-methylphenyl)phosphine, tri(nonylphenyl)phosphine, diphenyltolylphosphine, etc. Organophosphine, tetraphenylphosphonium bromide (trade name; TPP-PB), methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphine Phonium (trade name; TPP-MOC), benzyl triphenyl phosphonium chloride (trade name; TPP-ZC), etc. are mentioned (all are the Hokko Chemical company make).

트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또, 트리페닐보란계 화합물로서는, 추가로 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트 (상품명 ; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트 (상품명 ; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트 (상품명 ; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란 (상품명 ; TPP-S) 등을 들 수 있다 (모두 홋코 화학사 제조).It does not specifically limit as a triphenylborane type compound, For example, tri(p-methylphenyl)phosphine etc. are mentioned. Moreover, as a triphenylborane type compound, what has a triphenylphosphine structure is also contained. It does not specifically limit as a compound which has a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure, For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name) ; TPP-MK), benzyl triphenylphosphonium tetraphenyl borate (trade name; TPP-ZK), and triphenylphosphine triphenylborane (trade name; TPP-S) (all manufactured by Hokko Chemical Corporation).

아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 (스테라케미파 (주) 제조), 디시안디아미드 (나카라이테스크 (주) 제조) 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as an amino-type compound, For example, monoethanolamine trifluoroborate (made by Steracemipha Co., Ltd.), dicyandiamide (made by Nakaraitesk Co., Ltd.), etc. are mentioned.

트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리클로로보란 등을 들 수 있다.It does not specifically limit as a trihalogen borane type compound, For example, trichloroborane etc. are mentioned.

접착 시트 (3) 는, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.The adhesive sheet 3 may contain suitably the compounding agent generally used for film manufacture, for example, a crosslinking agent, etc. other than the said component.

접착 시트 (3) 는, 통상적인 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 위에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시킴으로써, 접착 시트 (3) 를 제조할 수 있다.The adhesive sheet 3 can be manufactured by a conventional method. For example, by preparing an adhesive composition solution containing each of the above components, applying the adhesive composition solution to a predetermined thickness on a substrate separator to form a coating film, and drying the coating film, the adhesive sheet 3 can be produced have.

접착제 조성물 용액에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예를 들어, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 도공의 방법으로서는, 예를 들어, 다이 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프 독터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도포 두께의 균일성이 높다는 점에서, 다이 코터가 바람직하다.Although it does not specifically limit as a solvent used for an adhesive composition solution, The organic solvent which can melt|dissolve, knead|mix, or disperse|distribute each said component uniformly is preferable. For example, ketone solvents, such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, etc. are mentioned. The coating method is not specifically limited. As a method of solvent coating, a die coater, a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, a comma coater, a pipe doctor coater, screen printing etc. are mentioned, for example. Especially, a die-coater is preferable at the point with high uniformity of application|coating thickness.

기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장사슬 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 건조 온도 70 ∼ 160 ℃, 건조 시간 1 ∼ 5 분간으로 실시할 수 있다.As the substrate separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used. As a coating method of an adhesive composition solution, roll coating, screen coating, gravure coating, etc. are mentioned, for example. Moreover, the drying conditions of a coating film are not specifically limited, For example, it can implement by 70-160 degreeC of drying temperature, and 1 to 5 minutes of drying time.

접착 시트 (3) 의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 접착 시트 (3) 를 제조하는 방법 등도 바람직하다. 믹서로서는 플래니터리 믹서 등을 들 수 있다.As a manufacturing method of the adhesive sheet 3, for example, the method of mixing each said component with a mixer, press-molding the obtained mixture, and manufacturing the adhesive sheet 3 etc. are also preferable. A planetary mixer etc. are mentioned as a mixer.

접착 시트 (3) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 15 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 5 ㎛ 미만이면, 휨이 생긴 반도체 웨이퍼나 반도체 칩과 접착하지 않는 지점이 발생하여, 접착 면적이 불안정해지는 경우가 있다. 또, 접착 시트 (3) 의 두께는 100 ㎛ 이하가 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 100 ㎛ 를 초과하면, 다이 어태치의 하중에 의해 접착 시트 (3) 가 과도하게 비어져 나와, 패드를 오염시키는 경우가 있다.Although the thickness of the adhesive sheet 3 is not specifically limited, 5 micrometers or more are preferable, and 15 micrometers or more are more preferable. If it is less than 5 micrometers, the point which does not adhere|attach with the semiconductor wafer or semiconductor chip which a curvature arose may generate|occur|produce, and an adhesion|attachment area may become unstable. Moreover, 100 micrometers or less are preferable and, as for the thickness of the adhesive sheet 3, 50 micrometers or less are more preferable. When it exceeds 100 micrometers, the adhesive sheet 3 may protrude excessively by the load of a die attach, and may contaminate a pad.

접착 시트 (3) 는, 반도체 장치의 제조에 사용된다. 구체적으로는, 리드 프레임 등의 피착체와 반도체 칩을 접착하기 위한 필름 (이하, 「다이 어태치 필름」이라고 한다) 으로서 사용된다. 피착체로서는, 리드 프레임, 인터포저, 반도체 칩 등을 들 수 있다.The adhesive sheet 3 is used for manufacture of a semiconductor device. Specifically, it is used as a film for adhering a semiconductor chip and an adherend such as a lead frame (hereinafter referred to as a "die attach film"). A lead frame, an interposer, a semiconductor chip, etc. are mentioned as a to-be-adhered body.

접착 시트 (3) 는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트의 형태로 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the adhesive sheet 3 in the form of the adhesive sheet with a dicing sheet.

(다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10)) (Adhesive sheet (10) with dicing sheet attached)

다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 에 대해 설명한다.The adhesive sheet 10 with a dicing sheet is demonstrated.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 는, 다이싱 시트 (1) 및 다이싱 시트 (1) 상에 배치된 접착 시트 (3) 를 구비한다. 다이싱 시트 (1) 는, 기재 (11) 및 기재 (11) 상에 배치된 점착제층 (12) 을 구비한다. 접착 시트 (3) 는 점착제층 (12) 상에 배치되어 있다.As shown in FIG. 2 , the adhesive sheet 10 with a dicing sheet is provided with the dicing sheet 1 and the adhesive sheet 3 arrange|positioned on the dicing sheet 1 . The dicing sheet 1 is provided with the base material 11 and the adhesive layer 12 arrange|positioned on the base material 11. As shown in FIG. The adhesive sheet 3 is disposed on the pressure-sensitive adhesive layer 12 .

도 3 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 는, 워크 (반도체 웨이퍼 (4) 등) 첩부 부분에만 접착 시트 (3) 를 형성한 구성이어도 된다.As shown in FIG. 3, the adhesive sheet 10 with a dicing sheet may have the structure in which the adhesive sheet 3 was formed only in the work piece (semiconductor wafer 4 etc.) pasting part.

기재 (11) 는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 의 강도 모체가 되는 것으로, 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 기재 (11) 로서는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직사슬형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술파이드, 아라미드 (종이), 유리, 유리 크로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속 (박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 11 serves as a strength matrix of the adhesive sheet 10 with a dicing sheet, and it is preferable to have ultraviolet transmittance. As the base material 11, for example, low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homo polypropylene, polybutene, polymethylpentene, etc. of polyolefin, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper) , glass, glass cloth, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like.

기재 (11) 의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들어, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제 (예를 들어, 후술하는 점착 물질) 에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 11 is subjected to a conventional surface treatment, for example, chemical treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, and ionizing radiation treatment, in order to improve adhesion to an adjacent layer, retainability, etc. Physical treatment and coating treatment with a primer (for example, an adhesive material to be described later) may be performed.

기재 (11) 의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 ∼ 200 ㎛ 정도이다.Although the thickness in particular of the base material 11 is not restrict|limited and can determine suitably, Generally, it is about 5-200 micrometers.

점착제층 (12) 의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.It does not restrict|limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 12, For example, common pressure-sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber-type adhesive, can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of cleaning properties with organic solvents such as ultrapure water and alcohol for electronic components that are reluctant to contamination of semiconductor wafers and glass.

아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르 (예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 ∼ 30, 특히 탄소수 4 ∼ 18 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 (예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 의 1 종 또는 2 종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트) 란 모두 동일한 의미이다.As the acrylic polymer, for example, (meth)acrylic acid alkyl ester (eg, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester) Ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester , hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester, etc. of an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, especially a linear or branched chain alkyl ester having 4 to 18 carbon atoms) and (meth)acrylic acid cycloalkyl esters (for example, For example, the acrylic polymer etc. which used 1 type, or 2 or more types of cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.) as a monomer component are mentioned. In addition, (meth)acrylic acid ester refers to an acrylic acid ester and/or a methacrylic acid ester, and (meth) in the present invention has the same meaning.

아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머 ; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머 ; (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산10-하이드록시데실, (메트)아크릴산12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머 ; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머 ; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머 ; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40 중량% 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the (meth)acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester if necessary for the purpose of modifying cohesive strength and heat resistance. Examples of such a monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers, such as itaconic acid anhydride; (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 6-hydroxyhexyl , (meth)acrylic acid 8-hydroxyoctyl, (meth)acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth)acrylic acid 12-hydroxylauryl, (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate, etc. Monomer containing a hydroxyl group; Styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Sulfonic acid group containing monomers, such as; Phosphoric acid group containing monomers, such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, etc. are mentioned. These copolymerizable monomer components can be used 1 type or 2 or more types. As for the usage-amount of these copolymerizable monomers, 40 weight% or less of all the monomer components is preferable.

또한, 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해, 다관능성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 함유할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 다관능성 모노머도 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30 중량% 이하가 바람직하다.Moreover, in order to bridge|crosslink an acrylic polymer, a polyfunctional monomer etc. can also be contained as a monomer component for copolymerization as needed. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) ) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylic a rate, polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used 1 type or 2 or more types. As for the usage-amount of a polyfunctional monomer, from points, such as an adhesive characteristic, 30 weight% or less of all the monomer components is preferable.

아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2 종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부여함으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 실시할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 ∼ 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. Superposition|polymerization can also be implemented by any method, such as solution polymerization, emulsion polymerization, block polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of preventing contamination on a clean adherend, it is preferable that the content of the low-molecular-weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교할 베이스 폴리머와의 밸런스에 의해, 나아가서는, 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 5 중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 ∼ 5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.Moreover, in order to raise the number average molecular weight of the acrylic polymer etc. which are a base polymer to the said adhesive, an external crosslinking agent can also be employ|adopted suitably. As a specific means of an external crosslinking method, the method of adding so-called crosslinking agents, such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, and a melamine type crosslinking agent, and making it react is mentioned. When using an external crosslinking agent, the usage-amount is suitably determined by the balance with the base polymer to be bridge|crosslinked, Furthermore, by the use use as an adhesive. Generally, it is about 5 weight part or less with respect to 100 weight part of said base polymers, Furthermore, it is preferable to mix|blend 0.1-5 weight part. In addition, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifiers and antioxidant, other than the said component as needed for an adhesive.

점착제층 (12) 은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, thereby reducing the adhesive strength easily.

도 2 에 나타내는 점착제층 (12) 의 워크 첩부 부분에 대응하는 부분 (12a) 만을 방사선 조사함으로써 다른 부분 (12b) 과의 점착력의 차를 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분 (12b) 은 접착 시트 (3) 와 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다.By irradiating only the part 12a corresponding to the work affixing part of the adhesive layer 12 shown in FIG. 2 with radiation, the difference of adhesive force with the other part 12b can be formed. In this case, the said portion 12b formed of an uncured radiation-curing pressure-sensitive adhesive is adhered to the adhesive sheet 3, so that the holding force at the time of dicing can be ensured.

또, 도 3 에 나타내는 접착 시트 (3) 에 맞추어 방사선 경화형의 점착제층 (12) 을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분 (12a) 을 형성할 수 있다. 이 경우, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분 (12b) 에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.Moreover, by hardening the radiation-curing adhesive layer 12 according to the adhesive sheet 3 shown in FIG. 3, the said part 12a in which adhesive force fell remarkably can be formed. In this case, the wafer ring can be fixed to the said part 12b which is formed by the uncured radiation-curable adhesive.

요컨대, 점착제층 (12) 을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층 (12) 에 있어서의 상기 부분 (12a) 의 점착력 <그 밖의 부분 (12b) 의 점착력이 되도록 상기 부분 (12a) 을 방사선 조사하는 것이 바람직하다.In other words, when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, the portion 12a is formed such that the adhesive force of the portion 12a in the pressure-sensitive adhesive layer 12 < the adhesive force of the other portions 12b. Irradiation is preferable.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 가지며, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.A radiation-curable pressure-sensitive adhesive having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include an addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation curable monomer component or an oligomer component is blended with a general pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어, 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 ∼ 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을, 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 예를 들어 5 ∼ 500 중량부, 바람직하게는 40 ∼ 150 중량부 정도이다.As the radiation-curable monomer component to be blended, for example, urethane oligomer, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth) ) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate and the like. The radiation-curable oligomer component includes various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and the molecular weight is suitably in the range of about 100 to 30000. The compounding quantity of a radiation-curable monomer component and an oligomer component can determine suitably the quantity which can reduce the adhesive force of an adhesive layer according to the kind of the said adhesive layer. Generally, it is 5-500 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, Preferably it is about 40-150 weight part.

또, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측사슬 또는 주사슬 중 혹은 주사슬 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 대부분은 함유하지 않기 때문에, 시간 경과적으로 올리고머 성분 등이 점착제 재중을 이동하는 일 없이, 안정적인 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Further, as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above, an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive using a base polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the end of the main chain can be mentioned. have. The built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive does not contain, or contains most of, the oligomer component, which is a low-molecular component. It is preferable because it can form a layer.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.As the base polymer having a carbon-carbon double bond, a base polymer having a carbon-carbon double bond and adhesiveness may be used without particular limitation. As such a base polymer, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측사슬에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method of introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods may be employed. However, introducing the carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer is easy for molecular design. For example, after copolymerizing a monomer having a functional group with an acrylic polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with this functional group and a carbon-carbon double bond is condensed while maintaining the radiation curability of the carbon-carbon double bond. Or the method of making an addition reaction is mentioned.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 하이드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함에서, 하이드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 또, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 되지만, 상기의 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 가지며, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시한 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸비닐에테르, 4-하이드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글루콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of the combination of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable from the viewpoint of easiness of reaction tracking. In addition, as long as the combination of these functional groups produces the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond, the functional group may be on either side of the acrylic polymer or the compound. In the above preferred combination, the acrylic polymer is hydroxyl It has a real group, and the case where the said compound has an isocyanate group is preferable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. can Moreover, as an acryl-type polymer, what copolymerized the ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethyleneglucol monovinyl ether, etc. with the hydroxyl-group containing monomer illustrated above is used.

상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머 (특히 아크릴계 폴리머) 를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상적으로 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 30 중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 ∼ 10 중량부의 범위이다.For the built-in radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer having a carbon-carbon double bond (especially an acrylic polymer) may be used alone, but the radiation-curable monomer component or oligomer component may be blended to such an extent that the properties are not deteriorated. have. The amount of the radiation-curable oligomer component is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제를 함유시킨다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물 ; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물 ; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물 ; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물 ; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물 ; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물 ; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물 ; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물 ; 캄퍼퀴논 ; 할로겐화 케톤 ; 아실포스피녹시드 ; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 예를 들어 0.05 ∼ 20 중량부 정도이다.The said radiation-curable adhesive is made to contain a photoinitiator, when hardening by an ultraviolet-ray etc. As a photoinitiator, 4-(2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl- α-ketol compounds such as 2-hydroxypropiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, and 2,2-diethoxyacetophenone Acetophenone compounds such as , 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane-1; benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether, etc. Benzoin ether compounds; Ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl) ) Photoactive oxime compounds such as oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthi Tea such as oxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, and 2,4-diisopropyl thioxanthone Oxanthone type compound; Camphorquinone; Halogenated ketone; Acyl phosphinoxide; Acyl phosphonate, etc. are mentioned. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acrylic polymer which comprises an adhesive, for example.

또 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 소60-196956호에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2 개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광 중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광 중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.Moreover, as a radiation-curable adhesive, for example, the addition-polymerizable compound which has two or more unsaturated bonds which are disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956, photopolymerizable compounds, such as the alkoxysilane which has an epoxy group, Carr and rubber-based pressure-sensitive adhesives and acrylic pressure-sensitive adhesives containing a photopolymerization initiator such as a bornyl compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, and an onium salt-based compound.

상기 방사선 경화형의 점착제층 (12) 중에는, 필요에 따라, 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해, 착색되는 화합물을 점착제층 (12) 에 함유시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이며, 예를 들어, 로이코 염료 등을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물의 사용 비율은, 적절히 설정할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 may contain a compound colored by radiation as needed. By containing the compound to be colored by irradiation with radiation in the pressure-sensitive adhesive layer 12, only the portion irradiated with radiation can be colored. The compound colored by irradiation with radiation is colorless or pale before irradiation, but is a compound that becomes colored by irradiation with radiation, and examples thereof include leuco dye. The use ratio of the compound colored by irradiation with radiation can be set suitably.

점착제층 (12) 의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 결손 방지나 접착 시트 (3) 의 고정 유지의 양립성 등의 점에서는, 1 ∼ 50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 ∼ 30 ㎛, 나아가서는 5 ∼ 25 ㎛ 가 바람직하다.Although the thickness of the adhesive layer 12 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-50 micrometers from points, such as loss prevention of a chip|tip cut surface, compatibility of fixing hold|maintenance of the adhesive sheet 3, etc. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 는, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다 (도시 생략). 즉, 접착 시트 (3) 상에 세퍼레이터가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 접착 시트 (3) 를 보호하는 보호재로서의 기능을 가지고 있다. 세퍼레이터는 접착 시트 (3) 상에 워크를 첩착 (貼着) 할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장사슬 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.It is preferable that the adhesive sheet 10 with a dicing sheet is protected with a separator (not shown). That is, it is preferable that the separator is arrange|positioned on the adhesive sheet 3 . A separator has a function as a protective material which protects the adhesive sheet 3 until it uses for practical use. The separator is peeled off when sticking a work on the adhesive sheet 3 . As the separator, a plastic film or paper surface coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used.

다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 는, 통상적인 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 시트 (1) 의 점착제층 (12) 과 접착 시트 (3) 를 첩합 (貼合) 함으로써, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 를 제조할 수 있다.The adhesive sheet 10 with a dicing sheet can be manufactured by a conventional method. For example, by bonding the adhesive layer 12 and the adhesive sheet 3 of the dicing sheet 1 together, the adhesive sheet 10 with a dicing sheet can be manufactured.

박리 온도 25 ℃, 박리 속도 300 mm/분의 조건하에서, 접착 시트 (3) 를 다이싱 시트 (1) 로부터 잡아떼었을 때의 박리력은, 바람직하게는 0.1 N/10 mm 이상이다. 0.1 N/10 mm 미만이면, 칩 비산이 발생할 우려가 있다. 한편, 박리력은, 바람직하게는 0.2 N/10 mm 이하이다. 0.2 N/10 mm 를 초과하면, 픽업이 곤란해지는 경향이 있다.The peeling force when the adhesive sheet 3 is peeled off from the dicing sheet 1 under conditions of a peeling temperature of 25 degreeC and a peeling rate of 300 mm/min becomes like this. Preferably it is 0.1 N/10mm or more. If it is less than 0.1 N/10 mm, there exists a possibility that chip|tip scattering may generate|occur|produce. On the other hand, the peeling force becomes like this. Preferably it is 0.2 N/10 mm or less. When it exceeds 0.2 N/10 mm, there exists a tendency for a pickup to become difficult.

(반도체 장치의 제조 방법)(Method for manufacturing semiconductor device)

도 4 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 에 반도체 웨이퍼 (4) 를 압착한다. 반도체 웨이퍼 (4) 로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 4 is crimped|bonded with the adhesive sheet 10 with a dicing sheet. As the semiconductor wafer 4, a silicon wafer, a silicon carbide wafer, a compound semiconductor wafer, etc. are mentioned. As a compound semiconductor wafer, a gallium nitride wafer etc. are mentioned.

압착 방법으로서는, 예를 들어, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하는 방법 등을 들 수 있다.As a crimping|compression-bonding method, the method of pressurization by press means, such as a crimping|compression-bonding roll, etc. are mentioned, for example.

압착 온도 (첩부 온도) 는, 35 ℃ 이상이 바람직하고, 37 ℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 것이 바람직하고, 바람직하게는 50 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 45 ℃ 이하이다. 저온에서 압착함으로써, 반도체 웨이퍼 (4) 에 대한 열 영향을 방지하는 것이 가능하여, 반도체 웨이퍼 (4) 의 휨을 억제할 수 있다. 또, 압력은, 1 × 105 Pa ∼ 1 × 107 Pa 인 것이 바람직하고, 2 × 105 Pa ∼ 8 × 106 Pa 인 것이 보다 바람직하다.35 degreeC or more is preferable and, as for the crimping|compression-bonding temperature (sticking temperature), 37 degreeC or more is more preferable. The upper limit of the crimping temperature is preferably low, preferably 50°C or lower, more preferably 45°C or lower. By crimping at a low temperature, it is possible to prevent thermal influence on the semiconductor wafer 4 , and curvature of the semiconductor wafer 4 can be suppressed. Moreover, it is preferable that they are 1x10 5 Pa - 1x10 7 Pa, and, as for a pressure, it is more preferable that they are 2x10 5 Pa - 8x10 6 Pa.

도 5 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (4) 를 다이싱함으로써, 다이 본드용 칩 (41) 을 형성한다. 다이 본드용 칩 (41) 은, 반도체 칩 (5) 및 반도체 칩 (5) 상에 배치된 접착 필름 (31) 을 구비한다. 반도체 칩 (5) 은, 칩 본체부 (502) 및 칩 본체부 (502) 상에 배치된 패드 (501) 를 구비한다. 패드 (501) 는 전극 패드이다. 패드 (501) 의 재료로서는, 알루미늄 등을 들 수 있다. 본 공정에서는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 까지 절삭을 실시하는 풀 컷으로 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또, 반도체 웨이퍼 (4) 는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 결손이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼 (4) 의 파손도 억제할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the die bonding chip 41 is formed by dicing the semiconductor wafer 4 . The die bonding chip 41 includes a semiconductor chip 5 and an adhesive film 31 disposed on the semiconductor chip 5 . The semiconductor chip 5 includes a chip body 502 and a pad 501 disposed on the chip body 502 . The pad 501 is an electrode pad. As a material of the pad 501, aluminum etc. are mentioned. In this process, the cutting method etc. called full cut which cut to the adhesive sheet 10 with a dicing sheet are employable. It does not specifically limit as a dicing apparatus, A conventionally well-known thing can be used. Moreover, since the semiconductor wafer 4 is adhesively fixed by the adhesive sheet 10 with a dicing sheet, chip|tip defect and chip scattering can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 4 can also be suppressed. can

다이 본드용 칩 (41) 을 픽업한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러 가지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩 (5) 을 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 이어서 다이 본드용 칩 (41) 을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The die bonding chip 41 is picked up. It does not specifically limit as a method of pickup, A conventionally well-known various method is employable. For example, a method in which the individual semiconductor chips 5 are pushed up by a needle from the side of the adhesive sheet 10 to which the dicing sheet is attached, and then the die bonding chips 41 are picked up by a pickup device, etc. can

점착제층 (12) 이 자외선 경화형인 경우, 점착제층 (12) 에 자외선을 조사한 후에 픽업한다. 이로써, 점착제층 (12) 의 다이 본드용 칩 (41) 에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩 (41) 을 용이하게 픽업할 수 있다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다.When the adhesive layer 12 is an ultraviolet curing type, it picks up after irradiating an ultraviolet-ray to the adhesive layer 12. Thereby, since the adhesive force with respect to the chip|tip 41 for die bonding of the adhesive layer 12 falls, the chip|tip 41 for die bonding can be picked up easily. Conditions, such as irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, irradiation time, are not specifically limited, What is necessary is just to set suitably as needed.

도 6 에 나타내는 바와 같이, 다이 본드용 칩 (41) 을 피착체 (6) 에 압착함으로써 반도체 칩이 부착된 피착체 (61) 를 얻는다. 반도체 칩이 부착된 피착체 (61) 는, 피착체 (6), 피착체 (6) 상에 배치된 접착 필름 (31) 및 접착 필름 (31) 상에 배치된 반도체 칩 (5) 을 구비한다. 피착체 (6) 는, 본체부 (602) 및 본체부 (602) 상에 배치된 단자부 (601) 를 구비한다.As shown in FIG. 6, the to-be-adhered body 61 with a semiconductor chip is obtained by crimping|bonding the die-bonding chip 41 to the to-be-adhered body 6. As shown in FIG. An adherend 61 with a semiconductor chip includes an adherend 6 , an adhesive film 31 disposed on the adherend 6 , and a semiconductor chip 5 disposed on the adhesive film 31 . . The adherend 6 includes a body portion 602 and a terminal portion 601 disposed on the body portion 602 .

다이 본드용 칩 (41) 을 피착체 (6) 에 압착하는 온도 (이하, 「다이 어태치 온도」 라고 한다) 는, 바람직하게는 80 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 90 ℃ 이상이다. 또, 다이 어태치 온도는, 바람직하게는 150 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 130 ℃ 이하이다.The temperature at which the die bonding chip 41 is pressed against the adherend 6 (hereinafter referred to as "die attach temperature") is preferably 80°C or higher, more preferably 90°C or higher. Further, the die attach temperature is preferably 150°C or less, and more preferably 130°C or less.

반도체 칩이 부착된 피착체 (61) 를 가압하에서 가열함으로써 접착 필름 (31) 을 경화시킨다. 이로써, 반도체 칩 (5) 을 피착체 (6) 에 고착시킨다. 가압하에서 접착 필름 (31) 을 경화시킴으로써, 접착 필름 (31) 과 피착체 (6) 의 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하여, 접착 필름 (31) 이 피착체 (6) 와 접촉하는 면적을 확보할 수 있다.The adhesive film 31 is cured by heating the adherend 61 to which the semiconductor chip is attached under pressure. Thereby, the semiconductor chip 5 is fixed to the to-be-adhered body 6 . By curing the adhesive film 31 under pressure, it is possible to eliminate voids existing between the adhesive film 31 and the adherend 6 , so that the area in which the adhesive film 31 is in contact with the adherend 6 . can be obtained

가압하에서 가열하는 방법으로서는, 예를 들어, 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된 반도체 칩이 부착된 피착체 (61) 를 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5 kg/c㎡ (4.9 × 10-2 MPa) 이상, 보다 바람직하게는 1 kg/c㎡ (9.8 × 10-2 MPa) 이상, 더욱 바람직하게는 5 kg/c㎡ (4.9 × 10-1 MPa) 이상이다. 0.5 kg/c㎡ 이상이면, 접착 필름 (31) 과 피착체 (6) 의 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20 kg/c㎡ (1.96 MPa) 이하, 보다 바람직하게는 18 kg/c㎡ (1.77 MPa) 이하, 더욱 바람직하게는 15 kg/c㎡ (1.47 MPa) 이하이다. 20 kg/c㎡ 이하이면, 과도한 가압에 의한 접착 필름 (31) 의 비어져 나옴을 억제할 수 있다.As a method of heating under pressure, the method of heating the to-be-adhered body 61 with a semiconductor chip arrange|positioned in the chamber filled with inert gas, etc. are mentioned, for example. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably 0.5 kg/cm2 (4.9×10 -2 MPa) or more, more preferably 1 kg/cm2 (9.8×10 -2 MPa) or more, still more preferably 5 kg/cm2 (9.8×10 -2 MPa) or more. cm2 (4.9 × 10 -1 MPa) or more. If it is 0.5 kg/cm2 or more, the void existing between the adhesive film 31 and the to-be-adhered body 6 can be extinguished easily. The pressure of the pressurized atmosphere is preferably 20 kg/cm2 (1.96 MPa) or less, more preferably 18 kg/cm2 (1.77 MPa) or less, still more preferably 15 kg/cm2 (1.47 MPa) or less. . If it is 20 kg/cm2 or less, the protrusion of the adhesive film 31 by excessive pressurization can be suppressed.

가열 온도는, 바람직하게는 80 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 120 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150 ℃ 이상, 특히 바람직하게는 170 ℃ 이상이다. 80 ℃ 이상이면, 접착 필름 (31) 을 적당한 경도로 하는 것이 가능하여, 가압 큐어에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. 가열 온도는, 바람직하게는 260 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 200 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 180 ℃ 이하이다. 260 ℃ 이하이면, 접착 필름 (31) 의 분해를 방지할 수 있다.The heating temperature is preferably 80°C or higher, more preferably 120°C or higher, still more preferably 150°C or higher, and particularly preferably 170°C or higher. It is possible to make the adhesive film 31 into moderate hardness as it is 80 degreeC or more, and a pressurization cure can lose|disappear a void effectively. Heating temperature becomes like this. Preferably it is 260 degrees C or less, More preferably, it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 180 degrees C or less. Decomposition of the adhesive film 31 can be prevented as it is 260 degrees C or less.

가열 시간은, 바람직하게는 0.1 시간 이상, 보다 바람직하게는 0.2 시간 이상이다. 가열 시간은, 바람직하게는 24 시간 이하, 보다 바람직하게는 3 시간 이하, 더욱 바람직하게는 1 시간 이하, 특히 바람직하게는 30 분 이하이다.Heating time becomes like this. Preferably it is 0.1 hour or more, More preferably, it is 0.2 hour or more. The heating time is preferably 24 hours or less, more preferably 3 hours or less, still more preferably 1 hour or less, particularly preferably 30 minutes or less.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 패드 (501) 와 단자부 (601) 를 본딩 와이어 (7) 로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 실시한다. 본딩 와이어 (7) 의 재료로서는, 구리 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 7 , a wire bonding step of electrically connecting the pad 501 and the terminal portion 601 with the bonding wire 7 is performed. As a material of the bonding wire 7, copper etc. are mentioned.

와이어 본딩 공정은, 본딩 와이어 (7) 의 일단과 패드 (501) 를 접합하는 스텝, 본딩 와이어 (7) 의 타단과 단자부 (601) 를 접합하는 스텝 등을 포함한다.The wire bonding step includes a step of bonding one end of the bonding wire 7 to the pad 501 , a step bonding the other end of the bonding wire 7 to the terminal portion 601 , and the like.

본딩 와이어 (7) 의 일단과 패드 (501) 를 접합하는 스텝은, 구체적으로는, 본딩 와이어 (7) 의 일단을 패드 (501) 에 압착하면서 본딩 와이어 (7) 에 초음파를 인가함으로써, 본딩 와이어 (7) 와 패드 (501) 를 접합하는 스텝이다.The step of joining one end of the bonding wire 7 and the pad 501 is specifically, by applying an ultrasonic wave to the bonding wire 7 while pressing the one end of the bonding wire 7 to the pad 501, whereby the bonding wire (7) and the pad 501 are joined together.

바람직하게는 175 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 200 ℃ 이상에서 접합한다. 한편, 바람직하게는 300 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 260 ℃ 이하에서 접합한다.Preferably it is 175 degreeC or more, More preferably, it joins at 200 degreeC or more. On the other hand, preferably, it is 300 degrees C or less, More preferably, it joins at 260 degrees C or less.

본딩 와이어 (7) 의 타단과 단자부 (601) 를 접합하는 스텝은, 구체적으로는, 본딩 와이어 (7) 의 타단을 단자부 (601) 에 압착하면서, 본딩 와이어 (7) 에 초음파를 인가함으로써 본딩 와이어 (7) 와 단자부 (601) 를 접합하는 스텝이다.Specifically, the step of joining the other end of the bonding wire 7 and the terminal portion 601 is by applying ultrasonic waves to the bonding wire 7 while pressing the other end of the bonding wire 7 to the terminal portion 601 . (7) and the terminal portion 601 are joined together.

와이어 본딩 공정을 실시한 후, 봉지 수지 (8) 에 의해 반도체 칩 (5) 을 봉지하는 봉지 공정을 실시한다. 본 공정은, 피착체 (6) 에 탑재된 반도체 칩 (5) 이나 본딩 와이어 (7) 를 보호하기 위해 실시된다. 본 공정은, 봉지용의 수지를 금형으로 성형함으로써 실시한다. 봉지 수지 (8) 로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 봉지 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 170 ℃ 이상이며, 가열 온도는, 바람직하게는 185 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 180 ℃ 이하이다.After implementing a wire bonding process, the sealing process of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is implemented. This step is carried out in order to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6 . This process is performed by shape|molding resin for sealing with a metal mold|die. As the sealing resin 8, epoxy-type resin is used, for example. The heating temperature at the time of resin encapsulation is preferably 165°C or higher, more preferably 170°C or higher, and the heating temperature is preferably 185°C or lower, more preferably 180°C or lower.

필요에 따라, 봉지 후에 추가로 가열을 해도 된다 (후경화 공정). 이로써, 봉지 공정으로 경화 부족의 봉지 수지 (8) 를 완전하게 경화할 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.If necessary, you may further heat after sealing (post-curing process). Thereby, the sealing resin 8 of insufficient hardening can be completely hardened by a sealing process. The heating temperature can be appropriately set.

이상과 같이, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트 (10) 를 준비하는 공정과, 접착 시트 (3) 에 반도체 웨이퍼 (4) 를 압착하는 공정과, 접착 시트 (3) 상에 배치된 반도체 웨이퍼 (4) 를 다이싱함으로써, 패드 (501) 를 구비하는 반도체 칩 (5) 및 반도체 칩 (5) 상에 배치된 접착 필름 (31) 을 구비하는 다이 본드용 칩 (41) 을 형성하는 공정과, 단자부 (601) 를 구비하는 피착체 (6) 에 다이 본드용 칩 (41) 을 압착함으로써 칩이 부착된 피착체 (61) 를 형성하는 공정과, 칩이 부착된 피착체 (61) 를 가열함으로써 접착 필름 (31) 을 경화시키는 공정과, 구리를 함유하는 와이어 (7) 의 일단과 패드 (501) 를 접합하는 스텝 및 와이어 (7) 의 타단과 단자부 (601) 를 접합하는 스텝을 포함하고, 접착 필름 (31) 을 경화시키는 공정의 후에 실시하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다.As mentioned above, the process of preparing the adhesive sheet 10 with a dicing sheet, the process of crimping|bonding the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 3, and the semiconductor wafer arrange|positioned on the adhesive sheet 3 ( 4) forming a die bonding chip 41 comprising a semiconductor chip 5 having a pad 501 and an adhesive film 31 disposed on the semiconductor chip 5 by dicing 4); A step of forming a chip-attached adherend 61 by pressing the die-bonding chip 41 against an adherend 6 having a terminal portion 601, and heating the chip-attached adherend 61 A step of curing the adhesive film (31), a step of bonding one end of a copper-containing wire (7) to a pad (501), and a step of bonding the other end of the wire (7) to a terminal portion (601), A semiconductor device can be manufactured by the method including the process performed after the process of hardening the adhesive film 31 .

실시예Example

이하, 본 발명에 관하여 실시예를 이용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 한, 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail using examples, but the present invention is not limited to the following examples unless there is a departure from the gist of the present invention.

실시예에서 사용한 성분에 대해 설명한다.The component used in the Example is demonstrated.

아크릴 고무 : 나가세켐텍스사 제조의 테이산 레진 SG-708-6 (카르복실기 및 하이드록실기를 함유하는 아크릴산에스테르 공중합체, Mw : 70만, 산가 : 9 mgKOH/g, 유리 전이 온도 : 4 ℃) Acrylic rubber: Teisan resin SG-708-6 manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd. (acrylic acid ester copolymer containing a carboxyl group and a hydroxyl group, Mw: 700,000, acid value: 9 mgKOH/g, glass transition temperature: 4°C)

에폭시 수지 1 : 닛폰 화약사 제조의 EPPN-501HY (에폭시 당량 169 g/eq. 의 에폭시 수지) Epoxy resin 1: EPPN-501HY manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (epoxy resin having an epoxy equivalent weight of 169 g/eq.)

에폭시 수지 2 : 닛폰 화약사 제조의 EOCN-1020 (에폭시 당량 198 g/eq. 의 에폭시 수지) Epoxy resin 2: EOCN-1020 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (epoxy resin having an epoxy equivalent of 198 g/eq.)

에폭시 수지 3 : 미츠비시 화학사 제조의 jER828 (에폭시 당량 190 g/eq. 의 에폭시 수지) Epoxy resin 3: jER828 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (epoxy resin having an epoxy equivalent of 190 g/eq.)

페놀 수지 1 : 메이와 화성사 제조의 MEH-7851S (수산기 당량 209 g/eq. 의 페놀 수지) Phenolic resin 1: MEH-7851S manufactured by Meiwa Chemicals (a phenol resin having a hydroxyl equivalent weight of 209 g/eq.)

페놀 수지 2 : 아라카와 화학사 제조의 P-180 (수산기 당량 105 g/eq. 의 페놀 수지) Phenolic resin 2: P-180 by Arakawa Chemical Co., Ltd. (phenol resin having a hydroxyl equivalent weight of 105 g/eq.)

실리카 필러 : 아드마텍스사 제조의 SO-25R (BET 비표면적 6.5 ㎡/g, 신모스 경도 7 의 구상 실리카) Silica filler: SO-25R manufactured by Admatex (BET specific surface area of 6.5 m 2 /g, spherical silica having New Mohs hardness of 7)

촉매 : 홋코 화학공업 (주) 제조의 TPP-MK (테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트)Catalyst: TPP-MK (tetraphenylphosphonium tetra-p-tolyl borate) manufactured by Hokko Chemical Industry Co., Ltd.

[접착 시트 및 다이싱 시트가 부착된 접착 시트의 제작][Production of adhesive sheet and dicing sheet attached adhesive sheet]

표 1 에 기재된 배합비에 따라, 표 1 에 기재된 각 성분 및 용매 (메틸에틸케톤) 를, 하이브리드 믹서 (키엔스 제조 HM-500) 의 교반 가마에 넣어, 교반 모드, 3 분간 교반·혼합했다. 얻어진 바니시를, 이형 처리 필름 (미츠비시 수지 (주) 제조의 MRA50) 에 다이코터로 도포한 후, 건조시켜, 두께 20 ㎛ 의 접착 시트를 얻었다. 접착 시트로부터 직경 230 mm 의 원형상의 접착 시트를 잘라, 원형상의 접착 시트를 다이싱 시트 (닛토 덴코 (주) 제조의 P2130G) 의 점착제층에 25 ℃ 에서 첩부하여, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트를 제작했다.According to the compounding ratio shown in Table 1, each component and solvent (methyl ethyl ketone) shown in Table 1 were placed in a stirring pot of a hybrid mixer (HM-500 manufactured by Keyence), and stirred and mixed for 3 minutes in a stirring mode. After apply|coating the obtained varnish to the mold release process film (MRA50 by Mitsubishi Resin Co., Ltd. product) with a die coater, it was made to dry and the 20-micrometer-thick adhesive sheet was obtained. A circular adhesive sheet having a diameter of 230 mm was cut from the adhesive sheet, and the circular adhesive sheet was affixed to the adhesive layer of a dicing sheet (P2130G manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) at 25° C., and the dicing sheet was attached to the adhesive sheet. made

[평가][evaluation]

얻어진 접착 시트, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트에 대해, 이하의 평가를 실시했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The following evaluation was performed about the obtained adhesive sheet and the adhesive sheet with a dicing sheet. A result is shown in Table 1.

(저장 탄성률 및 Tg 의 측정)(Measurement of storage modulus and Tg)

접착 시트를 60 ℃ 에서 첩합하여 두께 400 ㎛ 의 적층 시트를 얻었다. 적층 시트를 10 mm × 30 mm × 400 ㎛ 의 사이즈로 가공함으로써 가공품을 얻었다. 가공품을 175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켰다. 경화 후에 가공품의 점탄성을 동적 점탄성계 측정 장치 (TA 인스트루먼트사 제조의 RSA III) 를 이용하여 측정했다. 측정 조건은, 온도 범위 -10 ℃ ∼ 285 ℃, 승온 속도 10 ℃/분, 척간 거리 22.5 mm, 10 Hz 에서 실시했다. 얻어진 저장 탄성률 데이터로부터, 200 ℃ 의 저장 탄성률을 판독했다. 또 얻어진 tanδ 의 피크의 온도를 Tg 로 했다.The adhesive sheet was bonded together at 60 degreeC, and the 400-micrometer-thick laminated sheet was obtained. A processed product was obtained by processing the lamination sheet into a size of 10 mm × 30 mm × 400 μm. The workpiece was cured by heating at 175°C for 30 minutes. After curing, the viscoelasticity of the processed product was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (RSA III manufactured by TA Instruments). Measurement conditions were implemented in the temperature range of -10 degreeC - 285 degreeC, the temperature increase rate of 10 degreeC/min, the distance between chuck|zippers 22.5 mm, and 10 Hz. From the obtained storage elastic modulus data, the 200 degreeC storage elastic modulus was read. Moreover, the temperature of the obtained peak of tan-delta was made into Tg.

(반응 열량의 측정)(Measurement of heat of reaction)

접착 시트로부터 10 mg 의 시험편을 잘랐다. 시험편을 알루미늄팬으로 끼움으로써, 측정 샘플을 준비했다. 알루미늄팬만으로 이루어지는 레퍼런스용 샘플도 준비했다. 시차 주사 열량 측정 장치 (세이코 인스트루먼트사 제조의 DSC6220) 를 이용하여, 승온 속도 10 ℃/분, 온도 범위 25 ℃ ∼ 300 ℃ 에서 측정을 실시했다. 얻어진 발열 반응 피크의 열량을 샘플의 중량으로 나눔으로써 반응 열량을 산출했다.A 10 mg test piece was cut from the adhesive sheet. A measurement sample was prepared by sandwiching the test piece with an aluminum pan. A reference sample made of only an aluminum pan was also prepared. Using a differential scanning calorimetry apparatus (DSC6220 manufactured by Seiko Instruments), it measured at a temperature increase rate of 10°C/min and a temperature range of 25°C to 300°C. The amount of heat of reaction was calculated by dividing the heat amount of the obtained exothermic reaction peak by the weight of the sample.

(피크 소실 시간의 측정)(Measurement of peak dissipation time)

접착 시트로부터 10 mg 의 시험편을 잘랐다. 시험편을 알루미늄팬으로 끼움으로써, 측정용 샘플을 준비했다. 알루미늄팬만으로 이루어지는 레퍼런스용 샘플도 준비했다. 시차 조작 열량 측정 장치 (세이코 인스트루먼트사 제조, DSC6220) 를 이용하여, 25 ℃ 에서 175 ℃ 까지 3 분간 승온하고, 이어서 175 ℃ 를 3 시간 유지하는 조건으로 DSC 측정했다. 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간을, DSC 곡선으로부터 판독했다. 또한, 「반응 피크가 소멸한다」 란, 측정용 샘플과 레퍼런스용 샘플의 온도가 동일해지도록 양자에 가한 단위 시간당 열에너지의 입력의 차가 일정하게 되는 것을 말한다. 실시예 2 의 DSC 곡선을 도 8 에 나타낸다.A 10 mg test piece was cut from the adhesive sheet. A sample for measurement was prepared by sandwiching the test piece with an aluminum pan. A reference sample made of only an aluminum pan was also prepared. Using the differential operating calorimetry apparatus (the Seiko Instruments make, DSC6220), the temperature was raised from 25 degreeC to 175 degreeC for 3 minutes, and DSC measurement was carried out on the conditions which hold|maintain 175 degreeC next for 3 hours. The time until the reaction peak disappears after reaching 175 degreeC was read from the DSC curve. In addition, "reaction peak disappears" means that the difference in the input of thermal energy per unit time applied to both the sample for measurement and the sample for reference so that the temperature of the sample for reference becomes the same becomes constant. The DSC curve of Example 2 is shown in FIG.

(와이어 본드성)(Wire Bonding)

편면을 알루미늄 증착한 웨이퍼를 연삭함으로써, 두께 100 ㎛ 의 다이싱용 웨이퍼를 얻었다. 다이싱용 웨이퍼를 다이싱 시트가 부착된 접착 시트에 첩부하고, 이어서 가로 세로 2 mm 로 다이싱함으로써, 접착 시트가 부착된 칩을 얻었다. 접착 시트가 부착된 칩을 Cu 리드 프레임 위에 120 ℃, 0.1 MPa, 1 초의 조건으로 다이 어태치했다. 175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 접착 시트를 경화시켰다. 와이어 본딩 장치 (K&S 사 제조의 Maxum Plus) 를 이용하여, 하나의 칩에 선 직경 20 ㎛ 의 Cu 와이어를 5 개 본딩했다. 출력 80 Amp, 시간 10 ms 및 하중 50 g 의 조건으로 Cu 와이어를 Cu 리드 프레임에 본딩했다. 200 ℃, 출력 125 Amp, 시간 10 ms 및 하중 80 g 의 조건으로 Cu 와이어를 칩에 본딩했다. 5 개의 Cu 와이어 중 1 개 이상을 칩에 접합할 수 없었던 경우를 × 로 판정하고, 5 개의 Cu 와이어 중 5 개를 칩에 접합할 수 있었던 경우를 ○ 로 판정했다.The 100-micrometer-thick wafer for dicing was obtained by grinding the wafer which carried out aluminum vapor deposition on one side. A chip with an adhesive sheet was obtained by affixing the wafer for dicing to the adhesive sheet with a dicing sheet, and then dicing to 2 mm wide. The chip to which the adhesive sheet was attached was die-attached on a Cu lead frame under the conditions of 120 degreeC, 0.1 MPa, and 1 second. The adhesive sheet was hardened by heating at 175 degreeC for 30 minutes. Five Cu wires having a wire diameter of 20 µm were bonded to one chip using a wire bonding apparatus (Maxum Plus manufactured by K&S Corporation). A Cu wire was bonded to a Cu lead frame under the conditions of an output of 80 Amp, a time of 10 ms, and a load of 50 g. A Cu wire was bonded to the chip under conditions of 200°C, an output of 125 Amp, a time of 10 ms, and a load of 80 g. The case where one or more of 5 Cu wires could not be joined to a chip|tip was judged as x, and the case where 5 of 5 Cu wires could be joined to a chip|tip was determined as (circle).

Figure 112015111534353-pat00001
Figure 112015111534353-pat00001

10 : 다이싱 시트가 부착된 접착 시트
1 : 다이싱 시트
11 : 기재
12 : 점착제층
3 : 접착 시트
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
501 : 패드
502 : 칩 본체부
41 : 다이 본드용 칩
6 : 피착체
601 : 단자부
602 : 본체부
61 : 반도체 칩이 부착된 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 봉지 수지
10: adhesive sheet with dicing sheet attached
1: Dicing sheet
11: description
12: adhesive layer
3: adhesive sheet
4: semiconductor wafer
5: semiconductor chip
501: pad
502: chip body
41: die bonding chip
6: adherend
601: terminal part
602: body part
61: an adherend to which a semiconductor chip is attached
7: bonding wire
8: encapsulating resin

Claims (9)

25 ℃ 에서 175 ℃ 까지 3 분간 승온하고, 이어서 175 ℃ 를 3 시간 유지하는 조건하의 DSC (Differential Scanning Calorimetry) 측정에 의해 그려지는 DSC 곡선에 있어서, 175 ℃ 에 도달하고 나서 반응 피크가 소멸할 때까지의 시간이 30 분 미만이며,
175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켜 얻어지는 경화물의 점탄성을 10 Hz 에서 측정함으로써 얻어지는 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률이 100 MPa 이상인, 반도체 장치의 제조에 사용되는, 접착 시트.
In the DSC curve drawn by DSC (Differential Scanning Calorimetry) measurement under the condition that the temperature is raised from 25°C to 175°C for 3 minutes and then maintained at 175°C for 3 hours, from reaching 175°C until the reaction peak disappears time is less than 30 minutes,
The adhesive sheet used for manufacture of a semiconductor device whose tensile storage elastic modulus at 200 degreeC obtained by measuring the viscoelasticity of the hardened|cured material obtained by making it harden|cure by heating at 175 degreeC for 30 minutes at 10 Hz is 100 MPa or more.
제 1 항에 있어서,
25 ℃ ∼ 300 ℃ 의 범위를 매분 10 ℃ 로 승온하는 조건하의 DSC 측정에 의해 얻어지는 반응 열량이 80 mJ/mg 이상인, 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet in which the amount of reaction heat obtained by DSC measurement under the conditions which heats up the range of 25 degreeC - 300 degreeC at 10 degreeC per minute is 80 mJ/mg or more.
제 1 항에 있어서,
175 ℃ 에서 30 분 가열함으로써 경화시켜 얻어지는 경화물의 유리 전이 온도 (Tg) 가 150 ℃ 이상인, 접착 시트.
The method of claim 1,
The adhesive sheet whose glass transition temperature (Tg) of the hardened|cured material obtained by making it harden|cure by heating at 175 degreeC for 30 minutes is 150 degreeC or more.
제 1 항에 있어서,
BET (Brunauer-Emmett-Teller) 비표면적이 4 ㎡/g 이상의 실리카 필러를 함유하고,
상기 실리카 필러의 함유량이 50 중량% 이상인, 접착 시트.
The method of claim 1,
It contains a silica filler with a Brunauer-Emmett-Teller (BET) specific surface area of 4 m 2 /g or more,
The adhesive sheet whose content of the said silica filler is 50 weight% or more.
제 1 항에 있어서,
수산기 당량이 120 g/eq. 이하의 페놀 수지를 함유하는, 접착 시트.
The method of claim 1,
A hydroxyl equivalent of 120 g/eq. The adhesive sheet containing the following phenol resins.
제 1 항에 있어서,
수지 성분을 함유하고,
상기 수지 성분이 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 함유하고,
상기 수지 성분 100 중량% 중의 상기 아크릴 수지의 함유량은 14 중량% 이하인, 접착 시트.
The method of claim 1,
contains a resin component,
The resin component contains an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin,
The adhesive sheet, wherein the content of the acrylic resin in 100% by weight of the resin component is 14% by weight or less.
제 6 항에 있어서,
상기 페놀 수지의 수산기 당량은 120 g/eq. 이하인, 접착 시트.
7. The method of claim 6,
The hydroxyl equivalent of the phenol resin is 120 g/eq. Below, the adhesive sheet.
기재 및 상기 기재 상에 배치된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트와,
상기 점착제층 상에 배치된 제 1 항에 기재된 접착 시트를 구비하는, 다이싱 시트가 부착된 접착 시트.
A dicing sheet comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer disposed on the substrate;
The adhesive sheet with a dicing sheet provided with the adhesive sheet of Claim 1 arrange|positioned on the said adhesive layer.
제 8 항에 기재된 다이싱 시트가 부착된 접착 시트를 준비하는 공정과,
상기 접착 시트에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 접착 시트 상에 배치된 상기 반도체 웨이퍼를 다이싱함으로써, 패드를 구비하는 반도체 칩 및 상기 반도체 칩 상에 배치된 접착 필름을 구비하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과,
단자부를 구비하는 피착체에 상기 다이 본드용 칩을 압착함으로써 칩이 부착된 피착체를 형성하는 공정과,
상기 칩이 부착된 피착체를 가열함으로써 상기 접착 필름을 경화시키는 공정과,
상기 접착 필름을 경화시키는 공정 후에 실시하는 와이어 본딩 공정을 포함하고,
상기 와이어 본딩 공정은, 구리를 함유하는 와이어의 일단과 상기 패드를 접합하는 스텝 및 상기 와이어의 타단과 상기 단자부를 접합하는 스텝을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A step of preparing the adhesive sheet with the dicing sheet according to claim 8;
a step of pressing the semiconductor wafer to the adhesive sheet;
forming a die bonding chip comprising a semiconductor chip having a pad and an adhesive film disposed on the semiconductor chip by dicing the semiconductor wafer disposed on the adhesive sheet;
forming an adherend to which the chip is attached by pressing the die-bonding chip to an adherend having a terminal portion;
curing the adhesive film by heating the adherend to which the chip is attached;
Including a wire bonding process carried out after the process of curing the adhesive film,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the wire bonding step includes bonding one end of a copper-containing wire to the pad, and bonding the other end of the wire to the terminal portion.
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