KR102407881B1

KR102407881B1 - Broadband metamaterial absorber

Info

Publication number: KR102407881B1
Application number: KR1020200125092A
Authority: KR
Inventors: 김용준; 김명준; 신종화; 정현준; 정민석; 정이교; 최태인; 이학주
Original assignee: 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단
Priority date: 2020-09-25
Filing date: 2020-09-25
Publication date: 2022-06-13
Also published as: KR20220041609A

Abstract

본 발명의 일실시예는 전자기파의 흡수 성능이 우수한 광대역 메타물질 흡수체를 제공한다. 여기서, 광대역 메타물질 흡수체는 제1유전체, 제1전도성 층, 제2유전체, 제2전도성 층 그리고 반사층을 포함한다. 제1전도성 층은 제1유전체의 전면에 구비되고, 외부의 전자기파가 입사된다. 제2전도성 층은 제1유전체의 후면에 구비되고, 제1전도성 층 및 제1유전체를 투과하는 전자기파가 입사된다. 제2유전체는 제2전도성 층의 후면에 구비된다. 반사층은 제2유전체의 후면에 구비된다. 제1전도성 층은, 제1전도성 층의 중앙을 수직으로 직교하는 가상의 직교축에 의해 나뉘는 사분면에 각각 형성되는 제1공백영역을 감싸도록 형성되는 제1패턴 및 복수의 제1패턴을 감싸는 제2공백영역을 감싸도록 형성되는 제2패턴을 가진다.An embodiment of the present invention provides a broadband metamaterial absorber having excellent electromagnetic wave absorption performance. Here, the broadband metamaterial absorber includes a first dielectric, a first conductive layer, a second dielectric, a second conductive layer, and a reflective layer. The first conductive layer is provided on the front surface of the first dielectric, and external electromagnetic waves are incident therein. The second conductive layer is provided on the rear surface of the first dielectric, and electromagnetic waves passing through the first conductive layer and the first dielectric are incident therein. The second dielectric is provided on the rear surface of the second conductive layer. The reflective layer is provided on the rear surface of the second dielectric. The first conductive layer includes a first pattern formed to surround a first blank region respectively formed in a quadrant divided by an imaginary orthogonal axis perpendicularly perpendicular to the center of the first conductive layer, and a first pattern surrounding the plurality of first patterns. 2 It has a second pattern formed to surround the blank area.

Description

Broadband metamaterial absorber {BROADBAND METAMATERIAL ABSORBER}

본 발명은 광대역 메타물질 흡수체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자기파의 흡수 성능이 우수한 광대역 메타물질 흡수체에 관한 것이다.The present invention relates to a broadband metamaterial absorber, and more particularly, to a broadband metamaterial absorber having excellent electromagnetic wave absorption performance.

투명 전극은 LCD, PDP, OLED와 같은 평판디스플레이 또는 비정형 실리콘 박막 태양전지, 염료 감응형 태양전지의 투명전극 등의 다양한 용도로 광범위하게 사용되고 있다. Transparent electrodes are widely used for various purposes, such as flat panel displays such as LCD, PDP, and OLED, or transparent electrodes of amorphous silicon thin film solar cells and dye-sensitized solar cells.

이러한 투명전극 필름으로 현재까지 가장 널리 사용되는 것은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 필름이다.As such a transparent electrode film, the most widely used up to now is an indium tin oxide (ITO) film.

현재 가장 많이 사용되는 이러한 ITO 투명전극은 유리(glass) 및 폴리머 필름(polymer film) 등의 기판 위에 증착되어 사용되고 있으나, 차세대 디스플레이의 개발이 저가격화, 대면적화, 경량화를 추구하고 있는 상황에서, 이를 실현하기 위해서는 유리보다 가벼운 플라스틱을 기판 재료로 사용하는 것이 요구되고 있으며, 플라스틱 기판 상에서 최적의 물성을 나타낼 수 있는 투명전극의 개발이 요구되고 있다.These ITO transparent electrodes, which are currently the most used, are deposited on substrates such as glass and polymer film, but in a situation where the development of next-generation displays pursues lower prices, larger areas, and lighter weights, In order to realize this, it is required to use plastic lighter than glass as a substrate material, and development of a transparent electrode capable of exhibiting optimal physical properties on a plastic substrate is required.

한편, 투명 전극은 IR차폐, EMI 차폐와 같은 기능성 유리 뿐만 아니라, 입사되는 전자기파를 손실시켜 스텔스 기능을 구현하기 위한 스텔스 필름 등의 구조물로도 그 적용영역이 확대될 수 있다.On the other hand, the transparent electrode can be applied not only to functional glass such as IR shielding and EMI shielding, but also to structures such as a stealth film for realizing a stealth function by losing an incident electromagnetic wave.

스텔스 기술은 무기체계의 운용 시 발생할 수 있는 광학 신호, 전자기 신호, 적외선 신호, 진동 신호 등을 흡수시켜, 적의 탐지신호에 포착 또는 노출되지 않도록 하는 기술을 의미한다. 고성능 전자 장비를 이용하여 레이더 탐지 주파수 대역이 다양화되는 미래 전투 체계의 판도 변화에 따라 전자기 스텔스 기술의 중요성 및 광대역 스텔스 성능 구현을 위한 기술 개발이 크게 대두되고 있다.Stealth technology refers to a technology that absorbs optical signals, electromagnetic signals, infrared signals, and vibration signals that may occur during the operation of a weapon system so that it is not captured or exposed to enemy detection signals. The importance of electromagnetic stealth technology and technology development for realizing broadband stealth performance are on the rise as the game changes in the future combat system in which radar detection frequency bands are diversified using high-performance electronic equipment.

스텔스 성능을 높이기 위해서는 전기장과 자기장의 진동 양상이 공간에서 진행하는 파동인 전자기파의 흡수율을 높여 반사율을 낮추는 것이 중요하다. 즉, 전기장 및 자기장 중 어느 하나의 흡수율이 낮은 경우 높은 스텔스 성능이 구현될 수 없다. 따라서, 전자기파의 흡수 성능을 높이기 위한 기술이 요구된다.In order to improve the stealth performance, it is important to lower the reflectance by increasing the absorption rate of electromagnetic waves, which are waves that travel in space where the oscillations of electric and magnetic fields travel in space. That is, when the absorption rate of any one of the electric field and the magnetic field is low, high stealth performance cannot be implemented. Accordingly, there is a need for a technique for increasing the absorption performance of electromagnetic waves.

대한민국 등록특허공보 제1944959호(2019.02.01. 공고)Republic of Korea Patent Publication No. 1944959 (2019.02.01. Announcement)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자기파의 흡수 성능이 우수한 광대역 메타물질 흡수체를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a broadband metamaterial absorber having excellent electromagnetic wave absorption performance.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 제1유전체; 상기 제1유전체의 전면에 구비되고, 외부의 전자기파가 입사되는 제1전도성 층; 상기 제1유전체의 후면에 구비되고, 상기 제1전도성 층 및 상기 제1유전체를 투과하는 전자기파가 입사되는 제2전도성 층; 상기 제2전도성 층의 후면에 구비되는 제2유전체; 그리고 상기 제2유전체의 후면에 구비되는 반사층을 포함하며, 상기 제1전도성 층은, 상기 제1전도성 층의 중앙을 수직으로 직교하는 가상의 직교축에 의해 나뉘는 사분면에 각각 형성되는 제1공백영역을 감싸도록 형성되는 제1패턴 및 복수의 상기 제1패턴을 감싸는 제2공백영역을 감싸도록 형성되는 제2패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 광대역 메타물질 흡수체를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention is a first dielectric; a first conductive layer provided on the front surface of the first dielectric and into which external electromagnetic waves are incident; a second conductive layer provided on a rear surface of the first dielectric and into which electromagnetic waves passing through the first conductive layer and the first dielectric are incident; a second dielectric provided on a rear surface of the second conductive layer; and a reflective layer provided on a rear surface of the second dielectric, wherein the first conductive layer is a first blank region formed in each quadrant divided by an imaginary orthogonal axis perpendicular to the center of the first conductive layer. It provides a broadband metamaterial absorber having a first pattern formed to surround the second pattern and a second pattern formed to surround a second blank area surrounding the plurality of first patterns.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2전도성 층은 적어도 상기 제1공백영역에 대응되는 영역이 채워지도록 형성되는 제3패턴을 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second conductive layer may have a third pattern formed to fill at least a region corresponding to the first blank region.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1패턴, 상기 제2패턴 및 상기 제3패턴은 상기 가상의 직교축을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first pattern, the second pattern, and the third pattern may be formed symmetrically with respect to the virtual orthogonal axis.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1전도성 층은 제1면저항을 가지고, 상기 제2전도성 층은 제2면저항을 가지며, 상기 제2면저항은 상기 제1면저항 이하일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first conductive layer may have a first sheet resistance, the second conductive layer may have a second sheet resistance, and the second sheet resistance may be less than or equal to the first sheet resistance.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1전도성 층 및 상기 제2전도성 층은 카본 잉크, 구리, 은(Ag), 그래핀 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first conductive layer and the second conductive layer may be formed of at least one of carbon ink, copper, silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1패턴, 상기 제1유전체 및 상기 제3패턴은 입사되는 상기 전자기파에서 단파장의 전자기파를 흡수할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first pattern, the first dielectric, and the third pattern may absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from the incident electromagnetic wave.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1패턴, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 반사층은 입사되는 상기 전자기파에서 단파장의 전자기파를 흡수할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first pattern, the first dielectric, the second dielectric, and the reflective layer may absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from the incident electromagnetic wave.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제3패턴, 상기 제2유전체 및 상기 반사층은 입사되는 상기 전자기파에서 단파장의 전자기파를 흡수할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the third pattern, the second dielectric, and the reflective layer may absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from the incident electromagnetic wave.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2패턴, 상기 제1유전체 및 상기 제3패턴은 입사되는 상기 전자기파에서 장파장의 전자기파를 흡수할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second pattern, the first dielectric, and the third pattern may absorb long-wavelength electromagnetic waves from the incident electromagnetic waves.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2패턴, 상기 제1유전체, 상기 제2유전체 및 상기 반사층은 입사되는 상기 전자기파에서 장파장의 전자기파를 흡수할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second pattern, the first dielectric, the second dielectric, and the reflective layer may absorb long-wavelength electromagnetic waves from the incident electromagnetic waves.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1유전체 및 상기 제2전도성 층의 사이에 구비되는 제1점착층을 포함하고, 상기 제3패턴이 형성되지 않은 제3공백영역에는 공기가 수용될 수 있다.In an embodiment of the present invention, air may be accommodated in a third blank region including a first adhesive layer provided between the first dielectric layer and the second conductive layer, and in which the third pattern is not formed. .

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1유전체 및 상기 제2전도성 층의 사이에 마련되는 제1점착물질을 포함하고, 상기 제1점착물질은 상기 제3패턴이 형성되지 않은 제3공백영역에도 채워질 수 있다.In an embodiment of the present invention, a first adhesive material provided between the first dielectric and the second conductive layer is included, and the first adhesive material is applied to a third blank region in which the third pattern is not formed. can be filled

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1전도성 층의 전면에 구비되는 보호층 및 상기 보호층 및 상기 제1전도성 층의 사이에 구비되는 제2점착층을 포함하고, 상기 제1공백영역 및 상기 제2공백영역에는 공기가 수용될 수 있다. In an embodiment of the present invention, it includes a protective layer provided on the entire surface of the first conductive layer and a second adhesive layer provided between the protective layer and the first conductive layer, wherein the first blank region and the Air may be accommodated in the second blank area.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1전도성 층의 전면에 구비되는 보호층 및 상기 보호층 및 상기 제1전도성 층의 사이에 마련되는 제2점착물질을 포함하고, 상기 제2점착물질은 상기 제1공백영역 및 상기 제2공백영역에도 채워질 수 있다.In an embodiment of the present invention, a protective layer provided on the front surface of the first conductive layer and a second adhesive material provided between the protective layer and the first conductive layer are included, wherein the second adhesive material is the The first blank area and the second blank area may also be filled.

본 발명의 실시예에 따르면, 광대역 메타물질 흡수체는 입사되는 전자기파에 의해 다중 공진 전류가 유도되는 패턴과 입사된 전자기파가 다중 공진을 일으킬 수 있는 다층 구조를 이용하고, 각 층의 패턴을 높은 전도성 손실을 갖는 전도성 소재로 구현하여 광대역에서 높은 흡수율을 구현할 수 있기 때문에, 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the broadband metamaterial absorber uses a pattern in which multiple resonance currents are induced by an incident electromagnetic wave and a multilayer structure in which the incident electromagnetic wave can cause multiple resonance, and the pattern of each layer has a high conductivity loss. Since it is implemented with a conductive material having a high absorption rate in a broad band, electromagnetic waves can be effectively absorbed.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체를 개략적으로 나타낸 단면예시도이다.
도 2는 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 작동을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 도 1의 제1전도성 층을 나타낸 예시도이다.
도 4는 도 1의 제2전도성 층을 나타낸 예시도이다.
도 5는 도 3의 제1전도성 층 및 도 4의 제2전도성 층이 제1유전체에 마련된 상태에서 도 3의 A-A’선을 중심으로 나타낸 단면예시도이다.
도 6은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 공진을 설명하기 위한 예시도이다.
도 7은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 반사성능을 나타낸 그래프이다.
도 8은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체에 수평 편파의 전자기파가 경사 입사할 경우 고각 변화에 따른 흡수성능을 나타낸 그래프이다.
도 9는 도 1의 광대역 메타물질 흡수체에 수직 편파의 전자기파가 경사 입사할 경우 고각 변화에 따른 흡수성능을 나타낸 그래프이다.
도 10은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 수직 입사 시 편파의 방위각 방향 회전에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체를 나타낸 단면예시도이다.
도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면예시도이다.
도 13은 도 11의 광대역 메타물질 흡수체의 반사성능을 나타낸 그래프이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a broadband metamaterial absorber according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exemplary view for explaining the operation of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
FIG. 3 is an exemplary view illustrating the first conductive layer of FIG. 1 .
4 is an exemplary view illustrating the second conductive layer of FIG. 1 .
5 is an exemplary cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 3 in a state in which the first conductive layer of FIG. 3 and the second conductive layer of FIG. 4 are provided on the first dielectric.
FIG. 6 is an exemplary view for explaining the resonance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
7 is a graph showing the reflective performance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
FIG. 8 is a graph showing absorption performance according to a change in elevation when horizontally polarized electromagnetic waves are obliquely incident on the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
FIG. 9 is a graph showing absorption performance according to a change in elevation angle when an electromagnetic wave of vertical polarization is obliquely incident on the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
FIG. 10 is a graph showing simulation results according to azimuthal rotation of polarized waves upon normal incidence of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .
11 is a cross-sectional view illustrating a broadband metamaterial absorber according to a second embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view showing another example of a broadband metamaterial absorber according to a second embodiment of the present invention.
13 is a graph showing the reflective performance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 11 .

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in several different forms, and thus is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when it is said that a part is “connected (connected, contacted, coupled)” with another part, it is not only “directly connected” but also “indirectly connected” with another member in between. “Including cases where it is In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further provided without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is used only to describe specific embodiments, and is not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체를 개략적으로 나타낸 단면예시도이고, 도 2는 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 작동을 설명하기 위한 예시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a broadband metamaterial absorber according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exemplary view for explaining the operation of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 제1유전체(100), 제1전도성 층(200), 제2전도성 층(300), 제2유전체(400) 그리고 반사층(500)을 포함할 수 있다.1 and 2, the broadband metamaterial absorber includes a first dielectric 100, a first conductive layer 200, a second conductive layer 300, a second dielectric 400, and a reflective layer 500. may include

제1전도성 층(200)은 제1유전체(100)의 전면에 구비될 수 있으며, 제1면저항을 가질 수 있다. 외부의 전자기파(10)는 제1전도성 층(200)에 입사될 수 있다. 구체적으로, 제1전도성 층(200)은 입사되는 전자기파(10)를 제1손실에너지(13)로 손실시키면서 제1유전체(100)를 향하여 이동되는 제1투과전자기파(12)의 위상을 변화시킬 수 있다.The first conductive layer 200 may be provided on the entire surface of the first dielectric 100 and may have a first sheet resistance. The external electromagnetic wave 10 may be incident on the first conductive layer 200 . Specifically, the first conductive layer 200 changes the phase of the first transmitted electromagnetic wave 12 moving toward the first dielectric 100 while losing the incident electromagnetic wave 10 to the first loss energy 13 . can

전자기파(10)가 제1전도성 층(200)에 입사되면 일부는 반사파(11)로 반사될 수 있는데, 제1전도성 층(200)의 최적 패턴 설계를 통해 공기와의 임피던스 차이를 최소화시키면 제1전도성 층(200)에서 반사되는 신호를 최소화시킬 수 있다. 후술 하겠지만, 광대역 메타물질 흡수체는 전체적으로 -10dB 이하의 반사도가 구현될 수 있기 때문에 스텔스 성능을 가질 수 있다. When the electromagnetic wave 10 is incident on the first conductive layer 200, some may be reflected as the reflected wave 11. If the impedance difference with air is minimized through the optimal pattern design of the first conductive layer 200, the first A signal reflected from the conductive layer 200 may be minimized. As will be described later, the broadband metamaterial absorber can have stealth performance because reflectivity of -10dB or less can be implemented as a whole.

그리고, 입사된 전자기파(10)가 전도성의 반사층(500)에서 반사되어 공진 모드가 형성되면 제1전도성 층(200)에서는 입사된 전기장과 나란한 방향으로 유도 기전력이 최대로 유도되며, 이로부터 유도전류가 발생하게 되면서 제1손실에너지(13)가 발생하게 된다. 전자기파의 일부는 제1손실에너지(13)로 흡수되어 손실될 수 있다.And, when the incident electromagnetic wave 10 is reflected by the conductive reflective layer 500 to form a resonance mode, the induced electromotive force is maximally induced in the direction parallel to the incident electric field in the first conductive layer 200, and from this, the induced current is generated, the first loss energy 13 is generated. A part of the electromagnetic wave may be absorbed and lost as the first loss energy 13 .

도 3은 도 1의 제1전도성 층을 나타낸 예시도이고, 도 4는 도 1의 제2전도성 층을 나타낸 예시도이고, 도 5는 도 3의 제1전도성 층 및 도 4의 제2전도성 층이 제1유전체에 마련된 상태에서 도 3의 A-A’선을 중심으로 나타낸 단면예시도이다.3 is an exemplary view illustrating the first conductive layer of FIG. 1 , FIG. 4 is an exemplary view illustrating the second conductive layer of FIG. 1 , and FIG. 5 is the first conductive layer of FIG. 3 and the second conductive layer of FIG. 4 It is an exemplary cross-sectional view showing the line A-A' of FIG. 3 in a state provided on the first dielectric.

도 3 내지 도 5에서 보는 바와 같이, 제1전도성 층(200)은 제1패턴 및 제2패턴(240)을 가질 수 있다.3 to 5 , the first conductive layer 200 may have a first pattern and a second pattern 240 .

제1전도성 층(200)의 중앙을 수직으로 직교하는 가상의 직교축(A1,A2)이 있다고 했을 때, 가상의 직교축(A1,A2)에 의해 나뉘는 사분면(Q1,Q2,Q3,Q4)에는 각각 제1공백영역(210a,2102b,210c,210d)이 형성될 수 있다. 제1공백영역은 직교축(A1,A2)을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다. 즉, 제1사분면(Q1)에 형성되는 제1공백영역(210a) 및 제4사분면(Q4)에 형성되는 제1공백영역(210d)은 수평방향의 직교축(A1)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 그리고, 제2사분면(Q2)에 형성되는 제1공백영역(210b) 및 제3사분면(Q3)에 형성되는 제1공백영역(210c)은 수평방향의 직교축(A1)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 그리고, 제1사분면(Q1)에 형성되는 제1공백영역(210a) 및 제2사분면(Q2)에 형성되는 제1공백영역(210b)은 수직방향의 직교축(A2)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 또한, 제3사분면(Q3)에 형성되는 제1공백영역(210c) 및 제4사분면(Q4)에 형성되는 제1공백영역(210d)은 수직방향의 직교축(A2)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다.Assuming that there are virtual orthogonal axes A1 and A2 perpendicular to the center of the first conductive layer 200, quadrants Q1, Q2, Q3, Q4 divided by the virtual orthogonal axes A1 and A2 First blank regions 210a, 2102b, 210c, and 210d may be formed in each. The first blank area may be formed symmetrically with respect to the orthogonal axes A1 and A2. That is, the first blank region 210a formed in the first quadrant Q1 and the first blank region 210d formed in the fourth quadrant Q4 are symmetrical with respect to the orthogonal axis A1 in the horizontal direction. can In addition, the first blank region 210b formed in the second quadrant Q2 and the first blank region 210c formed in the third quadrant Q3 are symmetrical with respect to the orthogonal axis A1 in the horizontal direction. can In addition, the first blank region 210a formed in the first quadrant Q1 and the first blank region 210b formed in the second quadrant Q2 are symmetrical with respect to the orthogonal axis A2 in the vertical direction. can In addition, the first blank region 210c formed in the third quadrant Q3 and the first blank region 210d formed in the fourth quadrant Q4 are symmetrical with respect to the orthogonal axis A2 in the vertical direction. can

그리고, 제1패턴(220a,220b,220c,220d)은 각 사분면(Q1,Q2,Q3,Q4)에서 제1공백영역(210a,2102b,210c,210d)을 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, 제1패턴은 직교축(A1,A2)을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다. 즉, 제1사분면(Q1)에서 제1공백영역(210a)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220a) 및 제4사분면(Q4)에서 제1공백영역(210d)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220d)은 수평방향의 직교축(A1)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 그리고, 제2사분면(Q2)에서 제1공백영역(210b)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220b) 및 제3사분면(Q3)에서 제1공백영역(210c)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220c)은 수평방향의 직교축(A1)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 그리고, 제1사분면(Q1)에서 제1공백영역(210a)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220a) 및 제2사분면(Q2)에서 제1공백영역(210b)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220b)은 수직방향의 직교축(A2)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다. 그리고, 제3사분면(Q3)에서 제1공백영역(210c)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220c) 및 제4사분면(Q4)에서 제1공백영역(210d)을 감싸도록 형성되는 제1패턴(220d)은 수직방향의 직교축(A2)을 기준으로 서로 대칭일 수 있다.In addition, the first patterns 220a, 220b, 220c, and 220d may be formed to surround the first blank areas 210a, 2102b, 210c, and 210d in each of the quadrants Q1, Q2, Q3, and Q4. Also, the first pattern may be formed symmetrically with respect to the orthogonal axes A1 and A2. That is, the first pattern 220a is formed to surround the first blank region 210a in the first quadrant Q1 and the first pattern is formed to surround the first blank region 210d in the fourth quadrant Q4. 220d may be symmetrical with respect to the orthogonal axis A1 in the horizontal direction. In addition, a first pattern 220b formed to surround the first blank region 210b in the second quadrant Q2 and a first pattern formed to surround the first blank region 210c in the third quadrant Q3 220c may be symmetrical with respect to the orthogonal axis A1 in the horizontal direction. In addition, the first pattern 220a formed to surround the first blank region 210a in the first quadrant Q1 and the first pattern formed to surround the first blank region 210b in the second quadrant Q2 220b may be symmetrical with respect to the orthogonal axis A2 in the vertical direction. In addition, a first pattern 220c formed to surround the first blank region 210c in the third quadrant Q3 and a first pattern formed to surround the first blank region 210d in the fourth quadrant Q4 220d may be symmetrical with respect to the orthogonal axis A2 in the vertical direction.

한편, 각각의 제1패턴(220a,220b,220c,220d)은 제2공백영역(230)에 의해 감싸질 수 있다. Meanwhile, each of the first patterns 220a, 220b, 220c, and 220d may be surrounded by the second blank area 230 .

그리고 제2패턴(240)은 제2공백영역(230)을 감싸도록 형성될 수 있다. 제2패턴(240)은 제1전도성 층(200)의 테두리 영역에 형성될 수 있다. 제2패턴(240)은 가상의 직교축(A1,A2)을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다.In addition, the second pattern 240 may be formed to surround the second blank area 230 . The second pattern 240 may be formed in an edge region of the first conductive layer 200 . The second pattern 240 may be formed symmetrically with respect to the virtual orthogonal axes A1 and A2.

제2전도성 층(300)은 제1유전체(100)의 후면에 구비될 수 있으며, 2전도성 층(300)은 제3패턴(310)을 가질 수 있다. 제3패턴(310)은 적어도 제1공백영역에 대응되는 영역이 채워지도록 형성될 수 있다. 즉, 제2전도성 층(300)에서 적어도 제1공백영역이 수직으로 투영되는 영역에는 제3패턴(310)이 형성될 수 있다. 따라서, 제3패턴(310)은 제1공백영역을 투과하는 제1투과전자기파(12)를 효과적으로 반사할 수 있으며, 패턴 형상에 따라 반사파의 위상이 조절될 수 있다. 제3패턴(310)은 가상의 직교축(A1,A2)을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다. 제2전도성 층(300)에는 제3공백영역(320)이 형성될 수 있다.The second conductive layer 300 may be provided on the rear surface of the first dielectric 100 , and the second conductive layer 300 may have a third pattern 310 . The third pattern 310 may be formed to fill at least an area corresponding to the first blank area. That is, in the second conductive layer 300 , the third pattern 310 may be formed in a region where at least the first blank region is vertically projected. Accordingly, the third pattern 310 may effectively reflect the first transmitted electromagnetic wave 12 passing through the first blank region, and the phase of the reflected wave may be adjusted according to the pattern shape. The third pattern 310 may be formed symmetrically with respect to the virtual orthogonal axes A1 and A2. A third blank region 320 may be formed in the second conductive layer 300 .

제2유전체(400)는 제2전도성 층(300)의 후면에 구비될 수 있다.The second dielectric 400 may be provided on the rear surface of the second conductive layer 300 .

그리고, 반사층(500)은 제2유전체(400)의 후면에 구비될 수 있으며, 전도성 소재로 형성될 수 있다. 반사층(500)은 제2유전체(400)를 투과하는 전자기파를 반사(17)할 수 있다. In addition, the reflective layer 500 may be provided on the rear surface of the second dielectric 400 and may be formed of a conductive material. The reflective layer 500 may reflect 17 the electromagnetic wave passing through the second dielectric 400 .

반사층(500)은 제2유전체(400)의 후면에 전체적으로 마련되거나, 또는 도전성 패턴을 가지도록 형성될 수 있다. 반사층(500)은 카본, 구리, 은(Ag), 그래핀 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.The reflective layer 500 may be provided entirely on the rear surface of the second dielectric 400 or may be formed to have a conductive pattern. The reflective layer 500 may be formed of at least one of carbon, copper, silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).

한편, 주파수는 직렬 공진회로에서

----- 식(1) 로 나타내질 수 있다. 여기서, L은 인덕턴스, C는 커패시턴스이다. 이에 따르면, 공진 주파수는 L 값에 반비례하게 된다. 패턴이 크다는 것은 L 값이 커지는 것을 의미하므로, 패턴이 클수록 낮은 주파수에서 공진이 발생하고, 이는 장파장에서 공진이 발생함을 의미한다. 따라서, 패턴이 크면 공진을 통해 장파장을 흡수하게 되고, 패턴이 작아지면 공진을 통해 단파장을 흡수할 수 있게 된다.On the other hand, the frequency in a series resonant circuit

----- It can be expressed by Equation (1). Here, L is the inductance and C is the capacitance. Accordingly, the resonance frequency is inversely proportional to the L value. A larger pattern means a larger L value. As the pattern is larger, resonance occurs at a lower frequency, which means that resonance occurs at a long wavelength. Accordingly, when the pattern is large, a long wavelength is absorbed through resonance, and when the pattern is small, a short wavelength can be absorbed through resonance.

식(1)에 따라, 제1패턴, 제1유전체(100) 및 제3패턴(310)은 입사되는 전자기파에서 단파장의 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제1전도성 층(200)에 입사된 전자기파(10)와 제2전도성 층(300)에서 반사된 반사파(14)와 보강 간섭을 일으키면, 제1전도성 층(200)의 위치에서 전자기파의 진폭이 최대가 되는 공진 모드가 형성될 수 있다. 그리고 이로부터 제1패턴에 강한 유도 전류가 흐르게 되면 제1패턴 사이의 갭(Gap), 즉, 제1공백영역에 의한 커패시터 성분과 제1패턴의 인덕터 성분으로 공진 회로가 구성되어 전류 세기가 극대화될 수 있고, 패턴의 저항 성분에 의한 열 손실로 단파장의 전자기파가 효과적으로 흡수될 수 있다.According to Equation (1), the first pattern, the first dielectric 100 , and the third pattern 310 may effectively absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from an incident electromagnetic wave. Specifically, when the electromagnetic wave 10 incident on the first conductive layer 200 and the reflected wave 14 reflected from the second conductive layer 300 cause constructive interference, the electromagnetic wave at the position of the first conductive layer 200 is A resonance mode in which the amplitude is maximized may be formed. And when a strong induced current flows through the first pattern from this, a resonance circuit is formed with the gap between the first patterns, that is, the capacitor component by the first blank region and the inductor component of the first pattern, thereby maximizing the current strength. and short-wavelength electromagnetic waves can be effectively absorbed due to heat loss due to the resistance component of the pattern.

그리고, 제1패턴, 제1유전체(100), 제2유전체(400) 및 반사층(500)은 입사되는 전자기파에서 단파장의 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제1전도성 층(200)에 입사되는 전자기파(10)와 반사층(500)에서 반사된 반사파(17)가 보강 간섭을 일으키면 제1전도성 층(200)의 위치에서 전자기파의 진폭이 최대가 되는 공진 모드가 형성될 수 있다. 그리고 이로부터 제1패턴에 강한 유도 전류가 흐르게 되면 제1패턴 사이의 갭(Gap), 즉, 제1공백영역에 의한 커패시터 성분과 제1패턴의 인덕터 성분으로 공진 회로가 구성되어 전류 세기가 극대화될 수 있다. 그리고, 패턴의 저항 성분에 의한 열 손실로 강하게 전자기장이 공진할 수 있으며, 이를 통해 입사되는 단파장 전자기파가 효과적으로 흡수될 수 있다.In addition, the first pattern, the first dielectric 100 , the second dielectric 400 , and the reflective layer 500 may effectively absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from an incident electromagnetic wave. Specifically, when the electromagnetic wave 10 incident on the first conductive layer 200 and the reflected wave 17 reflected from the reflective layer 500 cause constructive interference, the amplitude of the electromagnetic wave is maximized at the position of the first conductive layer 200. A resonant mode may be formed. And when a strong induced current flows through the first pattern from this, a resonance circuit is formed with the gap between the first patterns, that is, the capacitor component by the first blank region and the inductor component of the first pattern, thereby maximizing the current strength. can be In addition, the electromagnetic field may resonate strongly due to heat loss due to the resistance component of the pattern, and the short-wavelength electromagnetic wave incident therethrough may be effectively absorbed.

그리고, 제3패턴(310), 제2유전체(400) 및 반사층(500)은 입사되는 전자기파에서 단파장의 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제2전도성 층(300)에 입사되는 전자기파(12)와 반사층(500)에서 반사된 반사파(17)가 보강 간섭을 일으키면, 제2전도성 층(300)의 위치에서 전자기파의 진폭이 최대가 되는 공진 모드가 형성되고, 이로부터 제3패턴(310)에 강한 유도 전류가 흐르게 되면 제3패턴(310) 사이의 갭(Gap), 즉, 제3공백영역(320)에 의한 커패시터 성분과 제3패턴(310)의 인덕터 성분으로 공진 회로가 구성되어 전류 세기가 극대화될 수 있고, 패턴의 저항 성분에 의한 열 손실로 단파장의 전자기파가 효과적으로 흡수될 수 있다.In addition, the third pattern 310 , the second dielectric 400 , and the reflective layer 500 may effectively absorb an electromagnetic wave of a short wavelength from an incident electromagnetic wave. Specifically, when the electromagnetic wave 12 incident on the second conductive layer 300 and the reflected wave 17 reflected from the reflective layer 500 cause constructive interference, the amplitude of the electromagnetic wave at the position of the second conductive layer 300 is maximum. is formed, and when a strong induced current flows through the third pattern 310 therefrom, the gap between the third patterns 310, that is, the capacitor component by the third blank region 320 and The resonant circuit is configured with the inductor component of the third pattern 310 to maximize current strength, and short-wavelength electromagnetic waves can be effectively absorbed due to heat loss due to the resistance component of the pattern.

한편, 식(1)에 따라, 제2패턴(240), 제1유전체(100) 및 제3패턴(310)은 입사되는 전자기파에서 장파장의 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제1전도성 층(200)에 입사된 전자기파(10)와 제2전도성 층(300)에서 반사된 반사파(14)가 보강 간섭을 일으키면, 제1전도성 층(200)의 위치에서 전자기파의 진폭이 최대가 되는 공진 모드가 형성되고, 이로부터 제2패턴(240)에 강한 유도 전류가 흐르게 되면 제2패턴(240) 사이의 갭(Gap), 즉, 제2공백영역(230)에 의한 커패시터 성분과 제2패턴의 인덕터 성분으로 공진 회로가 구성되어 전류 세기가 극대화될 수 있고, 패턴의 저항 성분에 의한 손실로 장파장의 전자기파가 효과적으로 흡수될 수 있다.Meanwhile, according to Equation (1), the second pattern 240 , the first dielectric 100 , and the third pattern 310 can effectively absorb long-wavelength electromagnetic waves from incident electromagnetic waves. Specifically, when the electromagnetic wave 10 incident on the first conductive layer 200 and the reflected wave 14 reflected from the second conductive layer 300 cause constructive interference, the electromagnetic wave at the position of the first conductive layer 200 is A resonance mode having the maximum amplitude is formed, and when a strong induced current flows through the second pattern 240 , the gap between the second patterns 240 , that is, the second blank region 230 is formed. The resonant circuit is configured with the capacitor component and the inductor component of the second pattern to maximize current strength, and long-wavelength electromagnetic waves can be effectively absorbed due to loss due to the resistance component of the pattern.

그리고, 제2패턴(240), 제1유전체(100), 제2유전체(400) 및 반사층(500)은 입사되는 전자기파에서 장파장의 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. 구체적으로, 제1전도성 층(200)에 입사되는 전자기파(10)와 반사층(500)에서 반사된 반사파(17)가 보강 간섭을 일으키면 제1전도성 층(200)의 위치에서 전자기파의 진폭이 최대가 되는 공진 모드가 형성되고, 이로부터 제2패턴(240)에 강한 유도 전류가 흐르게 되면 제2패턴(240) 사이의 갭(Gap), 즉, 제2공백영역(230)에 의한 커패시터 성분과 제2패턴(240)의 인덕터 성분으로 공진 회로가 구성되어 전류 세기가 극대화될 수 있고, 패턴의 저항 성분에 의한 열 손실로 장파장 전자기파가 효과적으로 흡수될 수 있다.In addition, the second pattern 240 , the first dielectric 100 , the second dielectric 400 , and the reflective layer 500 may effectively absorb long-wavelength electromagnetic waves from incident electromagnetic waves. Specifically, when the electromagnetic wave 10 incident on the first conductive layer 200 and the reflected wave 17 reflected from the reflective layer 500 cause constructive interference, the amplitude of the electromagnetic wave is maximized at the position of the first conductive layer 200. A resonance mode is formed, and when a strong induced current flows through the second pattern 240 , the gap between the second patterns 240 , that is, the capacitor component by the second blank region 230 and the second The resonant circuit is configured with the inductor component of the two patterns 240 to maximize current strength, and long-wavelength electromagnetic waves can be effectively absorbed due to heat loss due to the resistance component of the pattern.

제2전도성 층(300)은 제2면저항을 가질 수 있다. 제2면저항은 제1전도성 층(200)의 제1면저항 이하일 수 있다. 이를 통해, 제2전도성 층(300)은 제1유전체(100)를 투과하는 제1투과전자기파(12)를 효과적으로 반사시킬 수 있으며, 제1전도성 층(200)을 향하여 반사되는 반사파(14)의 위상을 조절할 수 있다. 제1전도성 층(200)을 향하여 반사되는 반사파(14)의 위상은 제3패턴(310)의 형상에 따라 조절될 수 있다.The second conductive layer 300 may have a second sheet resistance. The second sheet resistance may be less than or equal to the first sheet resistance of the first conductive layer 200 . Through this, the second conductive layer 300 can effectively reflect the first transmitted electromagnetic wave 12 passing through the first dielectric 100 , and the reflected wave 14 reflected toward the first conductive layer 200 . You can adjust the phase. The phase of the reflected wave 14 reflected toward the first conductive layer 200 may be adjusted according to the shape of the third pattern 310 .

제1전도성 층(200)은 에너지를 손실시키면서 위상에 영향을 주기 때문에 에너지 흡수 기능에 초점이 맞춰질 경우 위상제어에 자유도가 줄어드는 한계를 가질 수 있다. 그러나, 제2전도성 층(300)이 제1전도성 층(200)을 향하여 반사되는 반사파(14)의 위상을 조절하여, 결과적으로, 제1전도성 층(200)은 제1투과전자기파(12)의 위상을 변화시킬 수 있고, 제2전도성 층(300)은 반사파(14)의 위상을 변화시킬 수 있기 때문에, 전자기파의 위상을 변화시키기 위한 자유도가 증가하여 전자기파의 위상을 보다 자유롭게 변화시킬 수 있다. 이로 인하여, 제1전도성 층(200)의 위치에서 전자기장의 보강간섭이 나타나는 주파수 조절이 가능해지며, 따라서 주파수 흡수 대역폭이 확대될 수 있게 된다. 또한, 제2전도성 층(300)을 이용하여 반사되는 반사파의 위상을 최적으로 조절함으로써 제1유전체(100)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 이를 통해, 광대역 메타물질 흡수체의 최종 두께를 감소시킬 수도 있다.Since the first conductive layer 200 affects the phase while losing energy, when the energy absorbing function is focused, the degree of freedom in phase control may be limited. However, the second conductive layer 300 adjusts the phase of the reflected wave 14 reflected toward the first conductive layer 200 , and as a result, the first conductive layer 200 is the first transmitted electromagnetic wave 12 . Since the phase can be changed and the second conductive layer 300 can change the phase of the reflected wave 14, the degree of freedom for changing the phase of the electromagnetic wave is increased, so that the phase of the electromagnetic wave can be changed more freely. Due to this, it is possible to adjust the frequency at which the constructive interference of the electromagnetic field appears at the position of the first conductive layer 200 , and thus the frequency absorption bandwidth can be expanded. In addition, the thickness of the first dielectric 100 can be reduced by optimally adjusting the phase of the reflected wave using the second conductive layer 300, and through this, the final thickness of the broadband metamaterial absorber can be reduced. have.

제2전도성 층(300)은 반사파의 위상에 영향을 주면서 에너지 흡수 기능을 동시에 가지므로 제2전도성 층(300)의 위치에서 보강간섭이 나타나는 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다.Since the second conductive layer 300 has an energy absorption function while influencing the phase of the reflected wave, it is possible to effectively absorb electromagnetic waves having constructive interference at the location of the second conductive layer 300 .

제1전도성 층(200), 제1유전체(100) 및 제2전도성 층(300)은 제1공진회로(21)를 형성할 수 있는데, 제1공진회로(21)의 제1공진주파수는 전자기파(10)에서 목적주파수를 포함하는 목적대역폭 내에 존재함이 바람직하다. The first conductive layer 200 , the first dielectric 100 , and the second conductive layer 300 may form a first resonant circuit 21 , and the first resonant frequency of the first resonant circuit 21 is an electromagnetic wave. It is preferable to exist within the target bandwidth including the target frequency in (10).

제1공진회로(21)의 제1공진주파수가 목적주파수를 포함하는 목적대역폭 내에 존재하게 되어 공진이 발생하도록 하면, 유도전류가 최대가 되도록 할 수 있고, 이를 통해 손실에너지가 커지도록 하여 스텔스 성능을 높일 수 있다.When the first resonant frequency of the first resonant circuit 21 is present within the target bandwidth including the target frequency and resonance occurs, the induced current can be maximized, thereby increasing the loss of energy and thus stealth performance. can increase

제1전도성 층(200) 및 제2전도성 층(300)은 카본, 구리, 은(Ag), 그래핀 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.The first conductive layer 200 and the second conductive layer 300 may be formed of at least one of carbon, copper, silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).

도 6은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 공진을 설명하기 위한 예시도이다.FIG. 6 is an exemplary view for explaining the resonance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 6에서 보는 바와 같이, 제1패턴(220)은 내부에 제1공백영역을 가지는 형태로 형성되어 그 자체로 커패시턴스(C1)가 형성되고, 제1패턴(220)으로 저항(R1)과 인덕턴스(L1)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6 , the first pattern 220 is formed in a shape having a first blank region therein so that a capacitance C1 is formed by itself, and a resistance R1 and an inductance are formed as the first pattern 220 . (L1) may be formed.

그리고, 제3패턴(310)은 채워지는 형태로 형성되어 제3패턴(310) 자체에 저항(R2) 및 인덕턴스(L2)가 형성될 수 있다. 더하여, 제3패턴(310)에는 패턴의 종류에 따라 패턴 사이에 갭(Gap)이 존재할 경우 커패시턴스가 형성될 수 있다.In addition, the third pattern 310 is formed to be filled, so that the resistance R2 and the inductance L2 may be formed in the third pattern 310 itself. In addition, capacitance may be formed in the third pattern 310 when a gap exists between the patterns according to the type of the pattern.

또한, 제3패턴(310) 및 제1패턴(220)의 사이에는 제1유전체를 매개로 하는 커패시턴스(C2)가 형성된다. 즉, 제3패턴(310), 제1유전체 및 제1패턴(220)은 RLC회로로 단순화되는 등가회로를 형성하고 단일 공진을 형성할 수 있다.In addition, a capacitance C2 via the first dielectric is formed between the third pattern 310 and the first pattern 220 . That is, the third pattern 310 , the first dielectric, and the first pattern 220 may form an equivalent circuit simplified to an RLC circuit and form a single resonance.

제2전도성 층(300), 제2유전체(400) 및 반사층(500)은 제2공진회로(22)를 형성할 수 있으며, 제2공진회로(22)의 제2공진주파수도 전자기파(10)에서 목적주파수를 포함하는 목적대역폭 내에 존재함이 바람직하다. The second conductive layer 300 , the second dielectric 400 , and the reflective layer 500 may form a second resonant circuit 22 , and the second resonant frequency of the second resonant circuit 22 is also an electromagnetic wave 10 . It is preferable to exist within the target bandwidth including the target frequency.

제1공진주파수 및 제2공진주파수는 두 개의 공진이 중첩되어 목적대역폭 근처의 스텔스 성능을 향상시키거나, 대역폭을 확장시킬 수 있는 대역폭 범위 내에 존재할 수 있다.The first resonant frequency and the second resonant frequency may exist within a bandwidth range in which the two resonances overlap to improve the stealth performance near the target bandwidth or to extend the bandwidth.

그리고, 제1전도성 층(200), 제1유전체(100), 제2전도성 층(300), 제2유전체(400) 및 반사층(500)은 총 공진회로(23)를 형성할 수 있으며, 총 공진회로(23)의 총 공진주파수도 목적주파수를 포함하는 목적대역폭 내에 존재함이 바람직하다.In addition, the first conductive layer 200 , the first dielectric 100 , the second conductive layer 300 , the second dielectric 400 , and the reflective layer 500 may form a total resonance circuit 23 , It is preferable that the total resonant frequency of the resonant circuit 23 also exists within the target bandwidth including the target frequency.

제1유전체(100) 및 제2유전체(400)의 두께는 공진 모드를 형성하는 주파수를 조절하기 위해 조절될 수도 있으며, 제1유전체(100) 및 제2유전체(400)의 두께를 적절하게 조절함으로써 입사되는 전자기파(10)를 더욱 효과적으로 열손실시킬 수 있고 흡수 대역폭을 더 넓힐 수도 있다.The thicknesses of the first dielectric 100 and the second dielectric 400 may be adjusted to adjust the frequency forming the resonance mode, and the thicknesses of the first dielectric 100 and the second dielectric 400 are appropriately adjusted. By doing so, the incident electromagnetic wave 10 may be more effectively heat lost and the absorption bandwidth may be further widened.

광대역 메타물질 흡수체는 반사층(500)의 전방, 즉 반사층(500)과 제2전도성 층(300) 사이에 하나 이상의 유전체 및 전도성 층을 더 포함할 수 있다.The broadband metamaterial absorber may further include one or more dielectric and conductive layers in front of the reflective layer 500 , ie between the reflective layer 500 and the second conductive layer 300 .

후방에 배치되는 하나 이상의 유전체 및 전도성 층을 더 포함할 수 있다.It may further include one or more dielectric and conductive layers disposed behind.

도 7은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 반사성능을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the reflective performance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 7은 제1전도성 층의 제1면저항은 100 Ω/sq, 제2전도성 층의 제2면저항은 50 Ω/sq에서 도 1 내지 도 4에서 설명한 광대역 메타물질 흡수체로 시뮬레이션 되었다. 도 7에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 6.5 내지 31 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 130.67 %)에서 -10 dB의 반사도를 보이는데, 이는 90 %의 흡수도를 가짐과 같다. 그리고, 6 내지 34.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 140.74 %)에서는 -7 dB의 반사도를 보이며, 이는 93%의 흡수도를 가짐과 같아 높은 반사도 및 흡수도를 가짐을 알 수 있다. 이러한 반사도 및 흡수도는 6 내지 34.5 GHz에서 구현될 수 있기 때문에, 광대역에서 성능 유지가 용이할 수 있다.7 shows that the first sheet resistance of the first conductive layer is 100 Ω/sq, and the second sheet resistance of the second conductive layer is 50 Ω/sq, and the broadband metamaterial absorber described in FIGS. 1 to 4 was simulated. 7, the broadband metamaterial absorber exhibits a reflectivity of -10 dB in a bandwidth of 6.5 to 31 GHz (relative bandwidth: 130.67%), which is equivalent to having an absorbance of 90%. And, in the bandwidth of 6 to 34.5 GHz (relative bandwidth: 140.74%), it shows a reflectivity of -7 dB, which is equivalent to having an absorbance of 93%, so it can be seen that it has high reflectivity and absorbance. Since such reflectivity and absorption can be implemented at 6 to 34.5 GHz, it can be easy to maintain performance in a wide band.

도 8은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체에 수평 편파의 전자기파가 경사 입사할 경우 고각 변화에 따른 흡수성능을 나타낸 그래프이다.FIG. 8 is a graph showing absorption performance according to a change in elevation when horizontally polarized electromagnetic waves are obliquely incident on the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 8의 (b)는 자기장(H) 및 전기장(E)이 도 8의 (a)에서와 같은 방향성을 갖는 전자기장이 진행(k)하면서 흡수체 평면(예를 들면, 제1전도성 층(200))과 미리 설정된 입사 각도(θ)를 이루면서 입사되는 경우의 TM(Transverse Magnetic) 편파 즉, 수평 편파인 경우 흡수도를 나타낸 것이다. 여기서, 입사 각도(θ)는 0도, 15도, 30도, 45도 및 60도 였다.8 (b) shows the absorber plane (for example, the first conductive layer 200) while the magnetic field (H) and the electric field (E) proceed (k) with the electromagnetic field having the same direction as in FIG. 8 (a). ) and a preset angle of incidence (θ), TM (Transverse Magnetic) polarization, that is, in the case of horizontal polarization, the absorption is shown. Here, the incident angles θ were 0 degrees, 15 degrees, 30 degrees, 45 degrees, and 60 degrees.

도 8의 (b)에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 8.5 내지 31 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 113.92 %)에서는 90 %의 흡수도를 보이고, 좀 더 광대역인 7 내지 34.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 132.53 %)에서도 80 %의 흡수도를 보여 자기장에 대해 높은 흡수도를 가짐을 알 수 있다. As shown in (b) of FIG. 8, the broadband metamaterial absorber exhibits an absorption of 90% in a bandwidth of 8.5 to 31 GHz (relative bandwidth: 113.92%), and a more broadband bandwidth of 7 to 34.5 GHz (relative bandwidth). Bandwidth: 132.53 %) shows an absorption of 80%, indicating that it has high absorption for magnetic fields.

도 9는 도 1의 광대역 메타물질 흡수체에 수직 편파의 전자기파가 경사 입사할 경우 고각 변화에 따른 흡수성능을 나타낸 그래프이다.FIG. 9 is a graph showing absorption performance according to a change in elevation angle when an electromagnetic wave of vertical polarization is obliquely incident on the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 9의 (b)는 자기장(H) 및 전기장(E)이 도 9의 (a)에서와 같은 방향성을 갖는 전자기장이 진행(k)하면서 흡수체 평면(예를 들면, 제1전도성 층(200))과 미리 설정된 입사 각도(θ)를 이루면서 입사되는 경우의 TE(Transverse Electric) 편파 즉, 수직 편파인 경우 흡수도를 나타낸 것이다. 여기서, 입사 각도(θ)는 0도, 15도, 30도 및 45도 였다.9 (b) shows the absorber plane (for example, the first conductive layer 200) while the magnetic field (H) and the electric field (E) proceed (k) with the electromagnetic field having the same direction as in FIG. 9 (a). ) and a preset angle of incidence (θ), TE (Transverse Electric) polarization, that is, in the case of vertical polarization, the absorption is shown. Here, the incident angles θ were 0 degrees, 15 degrees, 30 degrees, and 45 degrees.

도 9의 (b)에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 7 내지 31 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 126.32 %)에서는 90 %의 흡수도를 보이고, 좀 더 광대역인 6.5 내지 34.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 136.59 %)에서도 80 %의 흡수도를 보여 전기장에 대해서도 높은 흡수도를 가짐을 알 수 있다. 이처럼, 본 발명에 따른 광대역 메타물질 흡수체는 수평 및 수직 편파의 전자기파가 경사 입사하는 경우에 대해 광대역에서 높은 흡수율을 가지기 때문에, 전자기파를 효과적으로 흡수할 수 있다. As shown in (b) of FIG. 9, the broadband metamaterial absorber exhibits an absorption of 90% in a bandwidth of 7 to 31 GHz (relative bandwidth: 126.32%), and a more broadband bandwidth of 6.5 to 34.5 GHz (relative bandwidth). Bandwidth: 136.59 %) shows an absorption of 80%, indicating that it has high absorption even for an electric field. As such, the broadband metamaterial absorber according to the present invention can effectively absorb electromagnetic waves because it has a high absorption rate in a broadband for the case where horizontal and vertical polarized electromagnetic waves are obliquely incident.

도 10은 도 1의 광대역 메타물질 흡수체의 수직 입사 시 편파의 방위각 방향 회전에 따른 시뮬레이션 결과를 나타낸 그래프이다.FIG. 10 is a graph showing simulation results according to azimuthal rotation of polarized waves upon normal incidence of the broadband metamaterial absorber of FIG. 1 .

도 10의 (b)는 자기장(H) 및 전기장(E)이 도 10의 (a)에서와 같은 방향성을 갖는 전자기장이 진행(k)하면서 흡수체 평면(예를 들면, 제1전도성 층(200))과 미리 설정된 입사 각도를 이루면서 입사되는 경우 방위각(φ)에 따른 반사도를 나타낸 것이다. 여기서, 입사 각도는 0도, 방위각(φ)은 0도, 15도, 30도 및 45도 였다.10 (b) shows the absorber plane (for example, the first conductive layer 200) while the magnetic field (H) and the electric field (E) proceed (k) with the electromagnetic field having the same direction as in FIG. 10 (a). ) and the reflectance according to the azimuth angle (φ) when the light is incident while forming a preset angle of incidence. Here, the incident angle was 0 degrees, and the azimuth angles ? were 0 degrees, 15 degrees, 30 degrees, and 45 degrees.

도 10의 (b)에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 각 방위각에서 동일한 흡수도를 가짐을 알 수 있는데, 6.5 내지 31 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 130.67 %)에서는 90 %의 흡수도를 보이고, 좀 더 광대역인 6 내지 34.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 140.74 %)에서도 80 %의 흡수도를 가짐을 알 수 있다. As shown in (b) of FIG. 10, it can be seen that the broadband metamaterial absorber has the same absorbance at each azimuth, and shows an absorbance of 90% in a bandwidth of 6.5 to 31 GHz (relative bandwidth: 130.67%). , it can be seen that it has an absorption of 80% even in a wider bandwidth of 6 to 34.5 GHz (relative bandwidth: 140.74%).

본 발명에 따른 광대역 메타물질 흡수체는 직교축, 즉, X축 및 Y축에 대해 대칭인 형상을 가지기 때문에, 방위각의 경우 360도 중 0도 내지 45도의 결과를 확인할 경우 나머지 각도에서는 동일한 결과가 중복으로 확인될 수 있다.Since the broadband metamaterial absorber according to the present invention has a symmetrical shape with respect to the orthogonal axis, that is, the X-axis and the Y-axis, in the case of azimuth, if the result of 0 to 45 degrees out of 360 degrees is confirmed, the same result is duplicated at the remaining angles can be confirmed as

도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체를 나타낸 단면예시도이다. 본 실시예에서는 제1점착층, 보호층 및 제2점착층이 더 마련될 수 있으며, 다른 구성은 전술한 제1실시예와 동일하므로 반복되는 내용은 가급적 설명을 생략한다.11 is a cross-sectional view showing a broadband metamaterial absorber according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a first adhesive layer, a protective layer, and a second adhesive layer may be further provided, and since other configurations are the same as those of the first embodiment described above, repeated descriptions will be omitted as much as possible.

도 11에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체는 제1점착층(600)을 포함할 수 있다. 제1점착층(600)은 제1유전체(100) 및 제2전도성 층(300)의 사이에 구비되어 제1유전체(100) 및 제2전도성 층(300)을 점착할 수 있다. 이때, 제2전도성 층(300)에서 제3패턴(310, 도 4 참조)이 형성되지 않은 제3공백영역(320, 도 4 참조)에는 공기가 수용될 수 있다. 11 , the broadband metamaterial absorber according to the present embodiment may include a first adhesive layer 600 . The first adhesive layer 600 may be provided between the first dielectric 100 and the second conductive layer 300 to adhere the first dielectric 100 and the second conductive layer 300 . In this case, in the second conductive layer 300 , air may be accommodated in the third blank region 320 (refer to FIG. 4 ) in which the third pattern 310 (refer to FIG. 4 ) is not formed.

그리고, 본 실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체는 보호층(700) 및 제2점착층(800)을 포함할 수 있다.In addition, the broadband metamaterial absorber according to the present embodiment may include a protective layer 700 and a second adhesive layer 800 .

보호층(700)은 제1전도성 층(200)의 전면에 구비될 수 있다. 보호층(700)은 제1전도성 층(200)을 보호할 수 있다. 보호층(700)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 강화 유리 또는 방탄 유리 등 복합 소재일 수 있다. The protective layer 700 may be provided on the entire surface of the first conductive layer 200 . The protective layer 700 may protect the first conductive layer 200 . The protective layer 700 may be a composite material such as a polyethylene terephthalate (PET) film, tempered glass, or bulletproof glass.

제2점착층(800)은 보호층(700) 및 제1전도성 층(200)의 사이에 구비되어 보호층(700) 및 제1전도성 층(200)을 점착할 수 있다. 이때, 제1공백영역(210a,2102b,210c,210d) 및 제2공백영역(230)에는 공기가 수용될 수 있다. The second adhesive layer 800 may be provided between the protective layer 700 and the first conductive layer 200 to adhere the protective layer 700 and the first conductive layer 200 . In this case, air may be accommodated in the first empty areas 210a , 2102b , 210c and 210d and the second empty areas 230 .

한편, 도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 광대역 메타물질 흡수체의 다른 예를 나타낸 단면예시도인데, 도 12에서 보는 바와 같이, 광대역 메타물질 흡수체는 제1점착물질(650)을 포함할 수 있다. 제1점착물질(650)은 제1유전체(100) 및 제2전도성 층(300)의 사이에 구비되어 제1유전체(100) 및 제2전도성 층(300)을 점착할 수 있다. 이때, 제1점착물질(650)은 제2전도성 층(300)에서 제3패턴(310, 도 4 참조)이 형성되지 않은 제3공백영역(320, 도 4 참조)에도 채워질 수 있다.Meanwhile, FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of a broadband metamaterial absorber according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 12 , the broadband metamaterial absorber may include a first adhesive material 650 . can The first adhesive material 650 may be provided between the first dielectric 100 and the second conductive layer 300 to adhere the first dielectric 100 and the second conductive layer 300 . In this case, the first adhesive material 650 may also be filled in the third blank region 320 (refer to FIG. 4 ) in which the third pattern 310 (refer to FIG. 4 ) is not formed in the second conductive layer 300 .

그리고, 광대역 메타물질 흡수체는 보호층(700) 및 제2점착물질(850)을 포함할 수 있다. In addition, the broadband meta-material absorber may include a protective layer 700 and a second adhesive material 850 .

보호층(700)은 제1전도성 층(200)의 전면에 구비될 수 있다. 보호층(700)은 제1전도성 층(200)을 보호할 수 있다. 보호층(700)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 강화 유리일 수 있다. 제2점착물질(850)은 보호층(700) 및 제1전도성 층(200)의 사이에 구비되어 보호층(700) 및 제1전도성 층(200)을 점착할 수 있다. 이때, 제1점착물질(650)은 제1공백영역(210a,2102b,210c,210d) 및 제2공백영역(230)에도 채워질 수 있다. The protective layer 700 may be provided on the entire surface of the first conductive layer 200 . The protective layer 700 may protect the first conductive layer 200 . The protective layer 700 may be a polyethylene terephthalate (PET) film or tempered glass. The second adhesive material 850 may be provided between the protective layer 700 and the first conductive layer 200 to adhere the protective layer 700 and the first conductive layer 200 . In this case, the first adhesive material 650 may also be filled in the first empty areas 210a , 2102b , 210c and 210d and the second empty areas 230 .

도 13은 도 10의 광대역 메타물질 흡수체의 반사성능을 나타낸 그래프인데, 도 13에서 보는 바와 같이, 도 11의 광대역 메타물질 흡수체의 경우에도 6 내지 18.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 102.047 %)에서 -10 dB의 반사도를 보이고, 5.5 내지 32.5 GHz의 대역폭(상대 대역폭: 142.11 %)에서는 -7 dB의 반사도를 보여 광대역에서도 우수한 흡수도가 구현됨을 할 수 있다.13 is a graph showing the reflective performance of the broadband metamaterial absorber of FIG. 10. As shown in FIG. 13, even in the case of the broadband metamaterial absorber of FIG. 11 in a bandwidth of 6 to 18.5 GHz (relative bandwidth: 102.047%) - It shows a reflectivity of 10 dB, and shows a reflectivity of -7 dB in a bandwidth of 5.5 to 32.5 GHz (relative bandwidth: 142.11 %), so that excellent absorption can be realized even in a wide band.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the present invention described above is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a dispersed form, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 제1유전체 200: 제1전도성 층
210a, 210b, 210c, 210d: 제1공백영역
220a, 220b, 220c, 220d: 제1패턴
230: 제2공백영역 240: 제2패턴
300: 제2전도성 층 310: 제3패턴
320: 제3공백영역 400: 제2유전체
500: 반사층 600: 제1점착층
650: 제1점착물질 700: 보호층
800: 제2점착층 850: 제2점착물질100: first dielectric 200: first conductive layer
210a, 210b, 210c, 210d: first blank area
220a, 220b, 220c, 220d: first pattern
230: second blank area 240: second pattern
300: second conductive layer 310: third pattern
320: third blank region 400: second dielectric
500: reflective layer 600: first adhesive layer
650: first adhesive material 700: protective layer
800: second adhesive layer 850: second adhesive material

Claims

first dielectric;
a first conductive layer provided on the front surface of the first dielectric and into which external electromagnetic waves are incident;
a second conductive layer provided on a rear surface of the first dielectric layer and into which electromagnetic waves passing through the first conductive layer and the first dielectric are incident;
a second dielectric provided on a rear surface of the second conductive layer; and
and a reflective layer provided on the rear surface of the second dielectric,
The first conductive layer includes a first pattern and a plurality of first patterns formed to surround a first blank area formed in a quadrant divided by an imaginary orthogonal axis perpendicular to the center of the first conductive layer. Broadband metamaterial absorber, characterized in that it has a second pattern formed to surround the second blank area surrounding the.

According to claim 1,
The broadband metamaterial absorber, characterized in that the second conductive layer has a third pattern formed to fill at least an area corresponding to the first blank area.

3. The method of claim 2,
The broadband metamaterial absorber, characterized in that the first pattern, the second pattern and the third pattern are formed symmetrically with respect to the virtual orthogonal axis.

According to claim 1,
wherein the first conductive layer has a first sheet resistance, the second conductive layer has a second sheet resistance, and the second sheet resistance is less than or equal to the first sheet resistance.

According to claim 1,
The broadband metamaterial absorber, characterized in that the first conductive layer and the second conductive layer are made of at least one of carbon ink, copper, silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).

3. The method of claim 2,
The first pattern, the first dielectric, and the third pattern is a broadband metamaterial absorber, characterized in that it absorbs an electromagnetic wave of a short wavelength from the electromagnetic wave incident thereto.

According to claim 1,
The first pattern, the first dielectric, the second dielectric, and the reflective layer are broadband metamaterial absorbers, characterized in that they absorb electromagnetic waves of short wavelengths from the incident electromagnetic waves.

3. The method of claim 2,
The third pattern, the second dielectric, and the reflective layer are broadband metamaterial absorbers, characterized in that they absorb short-wavelength electromagnetic waves from the incident electromagnetic waves.

3. The method of claim 2,
The second pattern, the first dielectric, and the third pattern are broadband metamaterial absorbers, characterized in that they absorb long-wavelength electromagnetic waves from the incident electromagnetic waves.

According to claim 1,
The second pattern, the first dielectric, the second dielectric, and the reflective layer are broadband metamaterial absorbers, characterized in that they absorb long-wavelength electromagnetic waves from the incident electromagnetic waves.

3. The method of claim 2,
a first adhesive layer provided between the first dielectric layer and the second conductive layer;
A broadband metamaterial absorber, characterized in that air is accommodated in the third blank area where the third pattern is not formed.

3. The method of claim 2,
A first adhesive material provided between the first dielectric and the second conductive layer,
The broadband metamaterial absorber, characterized in that the first adhesive material is also filled in the third blank area where the third pattern is not formed.

According to claim 1,
a protective layer provided on the entire surface of the first conductive layer; and
a second adhesive layer provided between the protective layer and the first conductive layer;
The broadband metamaterial absorber, characterized in that air is accommodated in the first blank region and the second blank region.

According to claim 1,
a protective layer provided on the entire surface of the first conductive layer; and
a second adhesive material provided between the protective layer and the first conductive layer;
The broadband metamaterial absorber, characterized in that the second adhesive material is also filled in the first blank region and the second blank region.