KR102532609B1 - Electromagnetic wave absorber with metasurface - Google Patents

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KR102532609B1
KR102532609B1 KR1020210148328A KR20210148328A KR102532609B1 KR 102532609 B1 KR102532609 B1 KR 102532609B1 KR 1020210148328 A KR1020210148328 A KR 1020210148328A KR 20210148328 A KR20210148328 A KR 20210148328A KR 102532609 B1 KR102532609 B1 KR 102532609B1
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신종화
박현진
김용준
최태인
이학주
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재단법인 파동에너지 극한제어 연구단
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials

Abstract

본원은, 유효 입사 각도 범위가 확장된 전자기파 흡수 성능을 갖는 메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체에 관한 것이다.The present disclosure relates to an electromagnetic wave absorber including a metasurface having electromagnetic wave absorbing performance with an extended effective incident angle range.

Description

메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체{ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBER WITH METASURFACE}Electromagnetic wave absorber including a metasurface {ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBER WITH METASURFACE}

본원은, 유효 입사 각도 범위가 확장된 전자기파 흡수 성능을 갖는 메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체에 관한 것이다.The present disclosure relates to an electromagnetic wave absorber including a metasurface having electromagnetic wave absorbing performance with an extended effective incident angle range.

물체에 의한 반사는 해당 물체의 임피던스와 주변 물질(보통은 공기 중)의 임피던스에 의해 결정된다. 물체와 주변의 임피던스 차이가 작을수록 반사율이 낮고, 물체의 임피던스가 주변의 임피던스와 동일할 경우 반사율이 0이 되며 임피던스 매칭이 되었다고 말한다. Reflection by an object is determined by the impedance of the object and the impedance of the surrounding material (usually air). The smaller the difference between the impedance of an object and its surroundings, the lower the reflectance.

메타물질은 목표 파장대역의 반파장 이하 크기의 구조를 적절히 디자인하여 공간 상에 주기적으로 배치함으로써 해당 물질의 광학적 특성을 인위적으로 조절한 물질을 말한다. 이러한 메타물질의 개념을 응용하여 임피던스를 조절하는 것이 가능하며, 원하는 파장대역에서 임피던스 매칭을 통해 낮은 반사율과 동시에 높은 흡수율을 가지는 메타물질 흡수체를 디자인할 수 있다. 특정 파장대역에서 임피던스 매칭을 이루기 위한 방법은 주로 공진 요소를 포함하는 구조를 디자인하는 것이다. 유전체 기판만의 임피던스는 파장에 따라 변화하는데, 공진 요소에 의한 목표 대역에서의 급격한 임피던스 변화를 통해 구조체 전체의 임피던스 매칭을 얻는 것이 가능하다. 그러나, 현재까지 개발된 전자기파 흡수체는 흡수 성능을 발휘하는 유효 입사 각도 범위가 좁아 두 면이 수직하게 만나는 부분에서 전자기파 흡수가 제대로 이루어지지 않아 재귀반사가 발생하는 문제점이 있다.Metamaterial refers to a material whose optical properties are artificially adjusted by properly designing a structure having a size of less than half a wavelength of a target wavelength band and periodically arranging it in space. It is possible to adjust the impedance by applying the concept of the metamaterial, and it is possible to design a metamaterial absorber having low reflectance and high absorption at the same time through impedance matching in a desired wavelength band. A method for achieving impedance matching in a specific wavelength band is to design a structure mainly including a resonant element. The impedance of the dielectric substrate only changes according to the wavelength, and it is possible to obtain impedance matching of the entire structure through a rapid impedance change in a target band by a resonant element. However, the electromagnetic wave absorber developed so far has a problem in that the effective incident angle range for exhibiting absorption performance is narrow, and thus the electromagnetic wave absorption is not properly performed at the part where the two surfaces meet perpendicularly, resulting in retroreflection.

[선행기술문헌][Prior art literature]

(특허문헌 1) KR 10-1957798 B(Patent Document 1) KR 10-1957798 B

본원은, 상기 문제점을 해결하기 위해, 유효 입사 각도 범위가 확장되어 전자기파의 재귀반사율이 저감되는 특징을 갖도록 설계된 메타표면을 포함하는 전자기파 흡수체를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides an electromagnetic wave absorber including a metasurface designed to have a feature in which the effective incident angle range is extended and the retroreflectivity of electromagnetic waves is reduced.

그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present application is not limited to the above-mentioned problem, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본원의 제 1 측면은, 금속 반사판; 상기 금속 반사판 상에 형성된 제 1 유전체층; 및 상기 제 1 유전체층 상에 형성된 전도성 패턴 구조체를 포함하는, 흡수체 모듈을 포함하는, 전자기파 흡수체로서, 외부에서 입사하는 전자기파의 재귀반사율이 저감되는 특징을 갖는, 전자기파 흡수체를 제공한다.A first aspect of the present application is a metal reflector; a first dielectric layer formed on the metal reflection plate; and an absorber module including a conductive pattern structure formed on the first dielectric layer, wherein retroreflectivity of electromagnetic waves incident from the outside is reduced.

본원의 제 2 측면은, 제 1 측면에 따른 전자기파 흡수체를 대상 물체의 표면에 배치하는 것을 포함하는, 전자기파 흡수의 설계방법을 제공한다. A second aspect of the present application provides a design method for absorbing electromagnetic waves, which includes arranging the electromagnetic wave absorber according to the first aspect on a surface of an object.

본원의 구현예들에 따른 전자기파 흡수체는, 수직 입사를 기준으로 목표 대역폭 내에서 15 dB 이상의 높은 흡수율을 구현함으로써 입사 각도가 변하여도 우수한 전자기파 흡수 성능을 유지할 수 있다. 또한 높은 기계적 강도를 가지며 우수한 단열 특성을 갖는 보호층을 포함함으로써 전도성 패턴 구조체를 보호하고 향후 전차, 전투기, 함정 등 극한 환경에서 운용되는 무기 체계에 첨단 스텔스 소재로 응용이 가능할 수 있다.The electromagnetic wave absorber according to embodiments of the present disclosure can maintain excellent electromagnetic wave absorption performance even when the incident angle changes by realizing a high absorption rate of 15 dB or more within a target bandwidth based on normal incidence. In addition, by including a protective layer with high mechanical strength and excellent insulation properties, it protects the conductive patterned structure and can be applied as a high-tech stealth material to weapon systems operated in extreme environments such as tanks, fighters, and ships in the future.

본원의 구현예들에 따른 전자기파 흡수체는, 단일 평면에 활용되었을 때에는 X-밴드(8.2 내지 12.4 GHz) 대역에서 경사를 가지고 입사하는 전자기파에 대해 TM 편파(polarization)의 경우 -9 dB 이하, TE 편파의 경우 -5 dB 이하의 반사율을 보일 수 있다. 상기 전자기파 흡수체를 두 면이 수직하게 만나는 수직 접합부의 양면에 적용하는 경우 편파 방향에 상관없이 X-밴드 대역에서 -15 dB 이하의 반사율 효과, 즉 재귀반사 저감 효과를 얻을 수 있으므로, 목표 주파수 대역인 X-밴드(8.2 내지 12.4 GHz)에 대해 전파 흡수율이 단일 평면에서 70% 이상, 수직 접합부에서 96% 이상을 나타낼 수 있다.The electromagnetic wave absorber according to the embodiments of the present invention, when used in a single plane, has a slope in the X-band (8.2 to 12.4 GHz) band for incident electromagnetic waves, -9 dB or less in the case of TM polarization, TE polarization In the case of -5 dB or less reflectance can be shown. When the electromagnetic wave absorber is applied to both sides of a vertical junction where two surfaces meet vertically, a reflectance effect of -15 dB or less in the X-band band, that is, a retroreflection reduction effect, can be obtained regardless of the polarization direction, so that the target frequency band For the X-band (8.2 to 12.4 GHz), radio wave absorption can be 70% or more in a single plane and 96% or more in a vertical junction.

도 1은, 본원의 일 구현예에 있어서, 전자기파 흡수체의 단면도와 전도성 패턴 구조체의 형상을 나타내는 그림이다.
도 2는, 본원의 일 실시예에 있어서, 전자기파 흡수체의 목표 대역인 X 밴드 (8 내지 12 GHz)에서의 반사도 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
도 3은, 본원의 일 실시예에 있어서, 45도 경사 입사 시 수직(Transverse electric, TE), 수평(Transverse magnetic, TM) 편파에 대한 전자기파 흡수체의 반사도 시뮬레이션 결과를 나태나는 그래프이다.
도 4는, 본원의 일 실시예에 있어서, 90도를 이루도록 배치된 금속 모서리 구조에 전자기파 흡수체를 배치하기 전(빨간색 선)과 후(파란색 선)의 레이더 단면적(RCS) 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5는, 본원의 일 실시예에 있어서, 금속 모서리 구조에 전자기파 흡수체를 배치하기 전 대비 결합한 후의 레이더 단면적(RCS) 변화 정도를 나타내는 그래프이다.
도 6은, 본원의 일 구현예에 있어서, 90도로 배치된 두 면의 접합부에 배치된 전자기파 흡수체를 나타내는 개략도이다.
도 7은, 본원의 일 구현예에 있어서, 각각 90도로 배치된 세 면의 접합부에 배치된 전자기파 흡수체를 나타내는 개략도이다.
도 8a는, 본원의 일 실시예에 있어서, 사각 더블링 패턴을 포함하는 전도성 패턴 구조체를 사용한 전자기파 흡수체의 형상을 나타내는 개략도이다.
도 8b는, 본원의 일 실시예에 있어서, 사각 더블링 패턴을 포함하는 전도성 패턴 구조체를 사용한 전자기파 흡수체의 평면 구조(Flat TE, Flat TM) 및 수직 접합 구조(Corner TE, Corner TM)에서의 반사율을 확인한 그래프이다.
1 is a diagram illustrating a cross-sectional view of an electromagnetic wave absorber and a shape of a conductive pattern structure according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
2 is a graph showing simulation results of reflectivity in an X band (8 to 12 GHz), which is a target band of an electromagnetic wave absorber, according to an embodiment of the present disclosure.
3 is a graph showing simulation results of reflectivity of an electromagnetic wave absorber for vertical (transverse electric, TE) and horizontal (transverse magnetic, TM) polarized waves at a 45 degree oblique incidence, according to an embodiment of the present disclosure.
4 is a graph showing radar cross-sectional area (RCS) measurement results before (red line) and after (blue line) an electromagnetic wave absorber is placed on a metal corner structure disposed at 90 degrees in an embodiment of the present disclosure. .
5 is a graph showing the degree of radar cross-sectional area (RCS) change after the electromagnetic wave absorber is placed on a metal corner structure compared to before it is disposed in an embodiment of the present application.
6 is a schematic diagram showing an electromagnetic wave absorber disposed at a junction of two surfaces disposed at 90 degrees according to one embodiment of the present application.
7 is a schematic diagram showing an electromagnetic wave absorber disposed at a junction of three surfaces arranged at 90 degrees, respectively, according to one embodiment of the present application.
8A is a schematic diagram illustrating a shape of an electromagnetic wave absorber using a conductive pattern structure including a quadrangular doubling pattern according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
8B shows the reflectance in a planar structure (Flat TE, Flat TM) and a vertical junction structure (Corner TE, Corner TM) of an electromagnetic wave absorber using a conductive pattern structure including a square doubling pattern in one embodiment of the present application. This is a verified graph.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 디바이스를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is said to be "connected" to another part, this includes not only the case of being "directly connected" but also the case of being "electrically connected" with another device in between. do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the present specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the present specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. As used herein, the terms "about," "substantially," and the like are used at or approximating that number when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are given, and are intended to assist in the understanding of this disclosure. Accurate or absolute figures are used to prevent undue exploitation by unscrupulous infringers of the stated disclosure.

본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.The term "step of" or "step of" as used throughout this specification does not mean "step for".

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination(s) of these" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, It means including one or more selected from the group consisting of the above components.

본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.Throughout this specification, reference to "A and/or B" means "A or B, or A and B".

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments and embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.

본원의 제 1 측면은, 금속 반사판; 상기 금속 반사판 상에 형성된 제 1 유전체층; 및 상기 제 1 유전체층 상에 형성된 전도성 패턴 구조체를 포함하는, 흡수체 모듈을 포함하는, 전자기파 흡수체로서, 외부에서 입사하는 전자기파의 재귀반사율이 저감되는 특징을 갖는, 전자기파 흡수체를 제공한다.A first aspect of the present application is a metal reflector; a first dielectric layer formed on the metal reflection plate; and an absorber module including a conductive pattern structure formed on the first dielectric layer, wherein retroreflectivity of electromagnetic waves incident from the outside is reduced.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 패턴 구조체는 메타표면으로서, 비트맵 패턴 또는 더블링 패턴을 포함하는 것일 수 있다. 상기 전도성 패턴 구조체의 형상이 비트맵 패턴인 경우에는 설계적 자유도가 제공될 수 있으며, 상기 더블링 패턴은 구조가 단순하여 제조공정 상 용이성을 제공할 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive pattern structure may be a metasurface and include a bitmap pattern or a doubling pattern. When the shape of the conductive pattern structure is a bitmap pattern, design freedom may be provided, and the structure of the doubling pattern may be simple to provide ease in a manufacturing process.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 비트맵 패턴은 하기의 비트맵 구조를 포함하고,In one embodiment of the present application, the bitmap pattern includes the following bitmap structure,

Figure 112021125819744-pat00001
; (하얀색: 전도성 패턴 구조체; 보라색: 제 1 유전체층),
Figure 112021125819744-pat00001
; (white: conductive pattern structure; purple: first dielectric layer),

상기 더블링 패턴은 하기의 더블링 구조를 포함하는 것일 수 있다.The doubling pattern may include the following doubling structure.

Figure 112021125819744-pat00002
; (검정색: 전도성 패턴 구조체, 파란색: 제 1 유전체층).
Figure 112021125819744-pat00002
; (Black: conductive pattern structure, blue: first dielectric layer).

도 1을 참조하여 설명하면, 본원의 흡수체 모듈은 하부에서부터 순서대로 금속 반사판, 제 1 유전체층, 전도성 패턴 구조체를 포함하고, 선택적으로 상기 전도성 패턴 구조체 상에 제 2 유전체층, 제 3 유전체층, 또는 상기 둘 모두가 보호층으로 형성될 수 있다. 상기 전도성 패턴 구조체는 비트맵 패턴일 수 있으며, 상기 패턴은 전도성 패턴 구조체가 메타표면으로 역할을 하고 목적하는 범위의 전자기파에 대해 흡수율이 높고 반사율이 낮게 나타날 수 있도록 설계될 수 있다.Referring to FIG. 1, the absorber module of the present application includes a metal reflector, a first dielectric layer, and a conductive pattern structure in order from the bottom, and optionally a second dielectric layer, a third dielectric layer, or both of them on the conductive pattern structure. All may be formed as a protective layer. The conductive pattern structure may be a bitmap pattern, and the pattern may be designed such that the conductive pattern structure serves as a metasurface and exhibits high absorption and low reflectance for electromagnetic waves within a desired range.

본원의 전자기파 흡수체는, 수직 입사를 기준으로 목표 대역폭 내에서 15 dB 이상의 높은 흡수율을 구현함으로써 외부 전자기파의 입사 각도가 변하여도 우수한 전자기파 흡수 성능을 유지할 수 있다. 특히, 목표 주파수 대역인 X-밴드(8.2 GHz 내지 12.4 GHz) 범위에 대해 평균 70% 이상의 광범위한 흡수 성능을 보이는 반면 종래기술(선행기술)의 경우 10.5 GHz 내외의 약 1 GHz 범위에서 50% 이상의 흡수 성능만 보이고 있는 점에서 본원의 전자기파 흡수체의 성능이 보다 우수함을 알 수 있다.The electromagnetic wave absorber of the present application realizes a high absorption rate of 15 dB or more within a target bandwidth based on normal incidence, and thus can maintain excellent electromagnetic wave absorption performance even when the incident angle of external electromagnetic waves changes. In particular, while the target frequency band, X-band (8.2 GHz to 12.4 GHz), shows a wide range of absorption performance of 70% or more on average, in the case of the prior art (prior art), absorption of 50% or more in the range of about 1 GHz around 10.5 GHz From the fact that only performance is shown, it can be seen that the performance of the electromagnetic wave absorber of the present application is more excellent.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 제 1 유전체층은 아크릴 수지, PET, PP, PE, PMMA, 폴리우레탄, 실리콘고무 및 스티로폼 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the first dielectric layer may include one or more selected from acrylic resin, PET, PP, PE, PMMA, polyurethane, silicone rubber, and styrofoam.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 패턴 구조체는 카본 잉크, 구리(Cu), 은(Ag), 그래핀 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the conductive pattern structure may include one or more selected from carbon ink, copper (Cu), silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 반사판은 알루미늄, 금, 은 및 구리 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the metal reflector may include one or more selected from aluminum, gold, silver and copper.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 패턴 구조체 상에 제 2 유전체층, 제 3 유전체층 또는 상기 둘 모두를 추가 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 제 2 유전체층은 단열 성능을 구현하고, 상기 제 3 유전체층은 기계적 강도를 부여하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 상기 제 2 유전체층은 공기, 스티로폼, 아크릴 수지, PET, PP, PE, PMMA, 폴리우레탄, 실리콘고무 및 에어로겔 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고, 상기 제 3 유전체층은 강화유리, FR-4 에폭시 유리 섬유 라미네이트 및 에폭시 글라스 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다. 상기 제 2 유전체층과 상기 제 3 유전체층은 높은 기계적 강도를 가지며 우수한 단열 특성을 갖는 보호층의 역할을 할 수 있으며, 이들을 통해 상기 전도성 패턴 구조체가 보호되어 전차, 전투기, 함정 등 극한 환경에서 운용되는 무기 체계에 첨단 스텔스 소재에도 응용 가능할 수 있다.In one embodiment of the present application, a second dielectric layer, a third dielectric layer, or both may be further included on the conductive pattern structure. Specifically, the second dielectric layer implements heat insulation performance, and the third dielectric layer may impart mechanical strength, but is not limited thereto. More specifically, the second dielectric layer includes one or more selected from air, styrofoam, acrylic resin, PET, PP, PE, PMMA, polyurethane, silicone rubber, and airgel, and the third dielectric layer includes tempered glass, FR- 4 may include one or more selected from epoxy glass fiber laminate and epoxy glass. The second dielectric layer and the third dielectric layer may serve as a protective layer having high mechanical strength and excellent thermal insulation properties, and through them, the conductive pattern structure is protected, and weapons operated in extreme environments such as tanks, fighters, and traps. It could also be applied to advanced stealth materials in systems.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는 복수의 상기 흡수체 모듈을 포함하고, 상기 복수의 흡수체 모듈은 서로 수직으로 배치되는 것일 수 있다. 상기 전자기파 흡수체는 목표 대역인 X-밴드에서의 임피던스 매칭 및 반사율 저감을 확보할 수 있는 것으로, 특히 모서리 수직접합 구조에 적용될 경우 전자기파의 경사 입사에 대해 구조를 최적화 함으로써 X-밴드 대역 전체에 대해 -10 dB 미만의 반사율, 즉 90% 이상의 흡수율을 보이는 효과가 있다. 구체적으로 설명하면, 면과 면이 수직으로 만나는 수직 접합 부분에서는 입사하는 전자기파가 반사되어 동일한 방향으로 되돌아갈 수 있는 재귀반사가 일어날 가능성이 매우 크며, 이 경우 마이크로파 대역의 레이더에 의해 피탐지 될 확률이 크게 높아진다. 이를 방지하고, 피탐지 확률을 줄이기 위해 종래에는 일반적인 흡수체를 활용할 수 있으나, 이들은 수직 입사에 대응하여 설계되는 경우가 대부분이며, 재귀반사를 저감하기 위해 적합한 구조체가 아니다. 본원에서는 재귀반사를 줄이기 위해 경사각을 가지는 마이크로파 대역 전자기파의 흡수율을 최적화 한 전자기파 흡수체를 제공한다.In one embodiment of the present application, the electromagnetic wave absorber may include a plurality of absorber modules, and the plurality of absorber modules may be disposed perpendicular to each other. The electromagnetic wave absorber can ensure impedance matching and reflectance reduction in the target band, X-band. In particular, when applied to a corner vertical joint structure, the structure is optimized for oblique incidence of electromagnetic waves, so that for the entire X-band band - It has the effect of showing a reflectance of less than 10 dB, that is, an absorption rate of 90% or more. Specifically, there is a very high possibility of retroreflection, in which incident electromagnetic waves can be reflected and returned to the same direction, at the vertical junction where planes meet perpendicularly, and in this case, the probability of being detected by radar in the microwave band this greatly increases In order to prevent this and reduce the detection probability, general absorbers can be used in the prior art, but they are most often designed to correspond to normal incidence and are not suitable structures for reducing retroreflection. The present invention provides an electromagnetic wave absorber in which an absorption rate of electromagnetic waves in a microwave band having an inclination angle is optimized to reduce retroreflection.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 흡수체 모듈이 단일 평면에 적용될 경우에는 X-밴드 대역에서 경사를 가지고 입사하는 전자기파에 대해 TM 편파(polarization)의 경우 -9 dB 이하, TE 편파의 경우 -5 dB 이하의 반사율을 보일 수 있다. 또한, 상기 흡수체 모듈이 두 면이 수직하게 만나는 수직 접합부의 양면에 적용하는 경우에는 편파 방향에 상관없이 X-밴드 대역에서 -15 dB 이하의 반사율 효과, 즉 재귀반사 저감 효과를 나타낼 수 있다.In one embodiment of the present application, when the absorber module is applied to a single plane, -9 dB or less for TM polarization and -5 dB for TE polarization for electromagnetic waves incident with an inclination in the X-band band The following reflectances can be seen. In addition, when the absorber module is applied to both sides of a vertical junction where two surfaces meet vertically, a reflectance effect of -15 dB or less in the X-band band, that is, a retroreflection reduction effect, can be exhibited regardless of the polarization direction.

도 2 및 3을 통해 설명하면, 본원의 흡수체 모듈이 단일 평면에 적용될 경우의 반사도 시뮬레이션 결과를 확인할 수 있다. 상기 흡수체 모듈에서 수직 입사하는 전자기파에 대해 목표 대역인 X-밴드(8 GHz 내지 12 GHz)에서 15 dB 이상의 흡수율이 구현되었음이 확인되었다. 또한, 상기 전자기파 흡수체에서 45도 경사 입사 시 수직(Transverse electric, TE), 수평(Transverse magnetic, TM) 편파에 대한 전자기파 흡수체의 반사도 시뮬레이션 결과를 확인한 결과, X-밴드(8 GHz 내지 12 GHz) 전체에서 TE 편파의 경우 13 dB 이상, TM 편파의 경우 8 dB 이상 흡수율이 구현되었음이 확인되었다. Referring to FIGS. 2 and 3 , it can be confirmed the reflectivity simulation results when the absorber module of the present application is applied to a single plane. It was confirmed that an absorption rate of 15 dB or more was implemented in the X-band (8 GHz to 12 GHz), which is a target band, for electromagnetic waves normally incident on the absorber module. In addition, as a result of confirming the simulation results of reflectivity of the electromagnetic wave absorber for vertical (Transverse electric, TE) and horizontal (Transverse magnetic, TM) polarized waves at 45 degree oblique incidence in the electromagnetic wave absorber, the entire X-band (8 GHz to 12 GHz) It was confirmed that absorption rates of 13 dB or more for TE polarization and 8 dB or more for TM polarization were realized.

도 4 및 5를 통해 설명하면, 본원의 흡수체 모듈이 두 면이 90도를 이루도록 배치된 금속 모서리 구조에 적용될 경우의 반사도 시뮬레이션 결과를 확인할 수 있다. 도 4에서와 같이, 수평 편파를 기준으로 상기 결과를 측정하였으며, 흡수체 모듈이 적용되기 전(빨간색 선)과 적용된 후(파란색 선)의 두 그래프의 비교를 통해 흡수체 의 적용 후 레이더 단면적이 효과적으로 감소함을 확인할 수 있었다. 또한, 도 5와 같이 X밴드(8 GHz 내지 12 GHz) 전체에서 레이더 단면적이 10 dB 이상 감소함을 확인하여 상기 전자기파 흡수체가 수직 접합 구조에서 반사율을 현저히 낮출 수 있음을 확인하였다.Referring to FIGS. 4 and 5 , it can be confirmed the reflectivity simulation result when the absorber module of the present invention is applied to a metal corner structure arranged so that two surfaces form 90 degrees. As shown in FIG. 4, the results were measured based on horizontal polarization, and the radar cross-section area was effectively reduced after application of the absorber through comparison of the two graphs before (red line) and after (blue line) the absorber module was applied. was able to confirm that In addition, as shown in FIG. 5, it was confirmed that the cross-sectional area of the radar was reduced by 10 dB or more in the entire X-band (8 GHz to 12 GHz), and it was confirmed that the electromagnetic wave absorber could significantly lower the reflectance in the vertical junction structure.

도 6 및 7과 같이, 흡수체 모듈이 두 면 또는 세 면이 90도를 이루도록 배치된 금속 모서리 구조에 적용될 경우의 개략도를 확인할 수 있다 (각각 도 6 및 7). 구체적으로, 두 면의 수직 접합부(101)에서 금속 반사판(102), 제 1 유전체층(103) 및 전도성 패턴 구조체(104)의 순서로 적층된 흡수체 모듈이 각 면에 배치될 수 있다. 또한, 세 면의 수직 접합부(201)에서 금속 반사판(202), 제 1 유전체층(203) 및 전도성 패턴 구조체(204)의 순서로 적층된 흡수체 모듈이 각 면에 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 7 , a schematic view of a case where the absorber module is applied to a metal corner structure arranged so that two or three sides form 90 degrees can be confirmed ( FIGS. 6 and 7 , respectively). Specifically, the metal reflector 102, the first dielectric layer 103, and the conductive pattern structure 104 are sequentially stacked at the vertical junction 101 of the two surfaces, and absorber modules may be disposed on each surface. In addition, in the three-sided vertical joint 201, an absorber module in which the metal reflector 202, the first dielectric layer 203, and the conductive pattern structure 204 are sequentially stacked may be disposed on each surface.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 금속 반사판을 제외한 상기 전자기파 흡수체의 두께는 1 mm 내지 12.5 mm인 것일 수 있다. 본원의 전자기파 흡수체(금속 반사판 제외)의 두께를 고정한 상태에서 하기의 실시예를 도출할 수 있으며, 본원의 상기 금속 반사판을 제외한 상기 전자기파 흡수체의 두께는 1 mm 내지 12.5 mm, 2 mm 내지 12.5 mm, 4 mm 내지 12.5 mm, 1 mm 내지 10 mm, 2 mm 내지 10 mm, 4 mm 내지 10 mm, 1 mm 내지 8 mm, 2 mm 내지 8 mm, 또는 4 mm 내지 8 mm일 수 있다. 또한, 상기 금속 반사판의 두께는 10 μm 내지 100 μm이고, 상기 전도성 패턴 구조체의 두께는 10 μm 내지 300 μm인 것일 수 있다. 상기 전도성 패턴 구조체는 상기 제 1 유전체층의 표면에 존재하되, 상기 제 1 유전체층에 파묻힌 형태로 존재할 수 있다.In one embodiment of the present application, the electromagnetic wave absorber excluding the metal reflector may have a thickness of 1 mm to 12.5 mm. The following examples can be derived in a state in which the thickness of the electromagnetic wave absorber (excluding the metal reflector) of the present application is fixed, and the thickness of the electromagnetic wave absorber excluding the metal reflector of the present application is 1 mm to 12.5 mm, 2 mm to 12.5 mm, 4 mm to 12.5 mm, 1 mm to 10 mm, 2 mm to 10 mm, 4 mm to 10 mm, 1 mm to 8 mm, 2 mm to 8 mm, or 4 mm to 8 mm. In addition, the thickness of the metal reflection plate may be 10 μm to 100 μm, and the thickness of the conductive pattern structure may be 10 μm to 300 μm. The conductive pattern structure may exist on the surface of the first dielectric layer, but may exist in a form buried in the first dielectric layer.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 패턴 구조체는 사각의 더블링 패턴을 포함하는 것이고, 내측 링이 둘러싸고 있는 내부의 너비는 1 mm 내지 3 mm이고, 내측 링의 폭이 1 mm 내지 3 mm이고, 내측 링과 외측 링 사이의 최단거리는 1 mm 내지 3 mm이고, 각각의 사각의 더블링 구조체 사이의 간격은 1 mm 내지 3 mm인 것일 수 있다. In one embodiment of the present application, the conductive pattern structure includes a square doubling pattern, the width of the inner ring surrounded by the inner ring is 1 mm to 3 mm, the width of the inner ring is 1 mm to 3 mm, The shortest distance between the inner ring and the outer ring may be 1 mm to 3 mm, and the interval between each square doubling structure may be 1 mm to 3 mm.

도 8a 및 8b를 통해 구체적인 더블링 패턴의 적용예를 확인할 수 있다. 흡수체 모듈의 두께를 4 ㎜로 고정한 상태에서 전도성 패턴인 더블링의 형상을 변화시켜 가며 탐색하며 최적화를 진행하였고, 다양한 시도 예들 중 최적 성능을 나타내는 구조를 선정하였다. 최적화에 활용된 변수는 총 5가지로, 내측 링으로 둘러싸인 내부의 너비(din), 내측 링의 폭(Win), 내측 링과 외측 링 사이의 최단거리(Lout), 외측 링의 폭(Wout), 주기적으로 배치되는 더블링들 사이의 간격(Pmargin)으로 구성된다. 최적화 진행 중 해당 변수들에 대해 특정 범위 내에서 탐색하도록 설정하였으며 그 범위는 하기 표 1과 같다.A specific example of application of the doubling pattern can be confirmed through FIGS. 8A and 8B. While the thickness of the absorber module was fixed at 4 mm, the shape of the doubling ring, which is a conductive pattern, was searched for and optimized, and a structure exhibiting optimal performance was selected from among various trial examples. A total of five variables were used for optimization: the width of the inner ring surrounded by the inner ring (d in ), the width of the inner ring (W in ), the shortest distance between the inner and outer rings (L out ), and the width of the outer ring. (W out ), and the interval (P margin ) between periodically arranged doublings. During optimization, it was set to search within a specific range for the corresponding variables, and the range is shown in Table 1 below.

변수variable 최소값minimum 최대값max value din d in 1 ㎜1 mm 3 ㎜3 mm Win W in 1 ㎜1 mm 3 ㎜3 mm Lout L out 1 ㎜1 mm 3 ㎜3 mm Wout W out 1 ㎜1 mm 3 ㎜3 mm Pmargin P margin 1 ㎜1 mm 3 ㎜3 mm

상기 최적화는 Particle Swarm Optimization (PSO) 알고리즘을 적용하여 진행하였다. 표 1과 같이 제시된 제한된 범위를 가지는 5차원의 최적화 파라미터 공간에 대해 사전에 설정한 수(n)의 particle들이 탐색을 하며, 각 particle 별로 배정된 파라미터 값에 대응되는 흡수체 구조에 대해 전자기 시뮬레이션을 진행하였다. 각 입자들의 Figure of Merit (FOM)을 비교하여 입자들의 파라미터 공간 상의 위치가 변경되고 다시 전자기 시뮬레이션을 진행하는 방식으로 반복하여 최적의 해를 찾았다. 이 때, 각 FOM은 목표 대역은 8.2 내지 12.4 GHz 대역의 45도 경사 입사에 대한 반사율 값의 총 합으로 결정되며, 반사율이 10%를 넘는 포인트에 대해 40배의 패널티를 주어 합산하였다. 최적화는 FoM을 최소화하는 방향으로 진행되었다. 상기를 통해, 면저항 40 Ω/□의 경우에 대해 최적화를 진행하였으며 그 결과는 하기 표 2와 같다.The optimization was performed by applying the Particle Swarm Optimization (PSO) algorithm. As shown in Table 1, a pre-set number (n) of particles search for the 5-dimensional optimization parameter space having a limited range, and electromagnetic simulation is performed for the absorber structure corresponding to the parameter value assigned to each particle. did By comparing the Figure of Merit (FOM) of each particle, the position of the particle in the parameter space was changed, and the electromagnetic simulation was repeated to find the optimal solution. At this time, the target band for each FOM is determined by the total sum of the reflectance values for 45-degree oblique incidence in the 8.2 to 12.4 GHz band, and the points where the reflectance exceeds 10% are summed by giving a 40-fold penalty. Optimization was carried out in the direction of minimizing the FoM. Through the above, optimization was performed for the case of sheet resistance of 40 Ω/□, and the results are shown in Table 2 below.

변수variable 최적화 값optimization value din d in 1 ㎜1 mm Win W in 1 ㎜1 mm Lout L out 1.35 ㎜1.35 mm Wout W out 1.33 ㎜1.33 mm Pmargin P margin 1.49 ㎜1.49 mm

최적화된 전도성 패턴 구조체(도 8a)의 주기 및 각 링의 너비와 폭을 이용하여 확인한 반사율 도 8b와 같다. 도 8b 그래프에서 실시예의 X-밴드에 대한 반사율을 확인할 수 있는데, 평면 구조(Flat TE, Flat TM)에 배치된 경우, 45도로 경사 입사하는 전자기파에 대해 TE 편파(polarization)의 경우 -5 dB 이하, TM 편파(polarization)의 경우 -9 dB 이하의 반사율을 확보되는 것이 확인되었다. 특히, 수직 접합 구조 (Corner TE, Corner TM)의 경우 편파 방향에 상관없이 -15 dB 미만의 반사율, 즉 90% 이상의 흡수율을 보이는 것이 확인되었다.The reflectivity confirmed using the period of the optimized conductive pattern structure (FIG. 8a) and the width and width of each ring is shown in FIG. 8b. In the graph of FIG. 8B, the reflectance of the X-band of the embodiment can be confirmed. When disposed in a flat structure (Flat TE, Flat TM), for electromagnetic waves incident at an angle of 45 degrees, in the case of TE polarization, -5 dB or less , it was confirmed that the reflectivity of -9 dB or less was secured in the case of TM polarization. In particular, in the case of vertical junction structures (Corner TE, Corner TM), it was confirmed that the reflectance was less than -15 dB, that is, the absorption was greater than 90% regardless of the polarization direction.

본원의 제 2 측면은, 제 1 측면에 따른 전자기파 흡수체를 대상 물체의 표면에 배치하는 것을 포함하는, 전자기파 흡수의 설계방법을 제공한다. A second aspect of the present application provides a design method for absorbing electromagnetic waves, which includes arranging the electromagnetic wave absorber according to the first aspect on a surface of an object.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 전자기파 흡수체는 복수의 흡수체 모듈을 포함하고, 상기 복수의 흡수체 모듈을 상기 대상 물체의 면과 면이 수직으로 만나는 부분에 배치하는 것을 포함하는 것일 수 있다.In one embodiment of the present application, the electromagnetic wave absorber may include a plurality of absorber modules, and the plurality of absorber modules may include disposing the plurality of absorber modules at a portion where surfaces of the target object vertically meet.

본원의 제 1 측면과 중복되는 부분들에 대해서는 상세한 설명을 생략하였으나, 본원의 제 1 측면에 대해 설명한 내용은 본원의 제 2 측면에서 그 설명이 생략되었더라도 동일하게 적용될 수 있다.Detailed descriptions of portions overlapping with the first aspect of the present application have been omitted, but the description of the first aspect of the present application can be equally applied even if the description is omitted in the second aspect of the present application.

본원의 일 구현예에 있어서, 상기 대상 물체는 전투기, 함정 또는 무인기일 수 있으며, 이들의 동체 중 두 면이 수직으로 만나는 부분(비제한적인 예로, 몸통과 꼬리가 만나는 부분, 수평 수직 꼬리가 만나는 부분 등)에 상기 전자기파 흡수체를 배치하여 마이크로파 스텔스 기능이 구현될 수 있다.In one embodiment of the present application, the target object may be a fighter jet, a trap, or an unmanned aerial vehicle, and a part where two surfaces of their body meet vertically (non-limiting example, a part where a body and a tail meet, a part where a horizontal and vertical tail meet) A microwave stealth function may be implemented by disposing the electromagnetic wave absorber on a part, etc.).

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application.

Claims (14)

금속 반사판; 상기 금속 반사판 상에 형성된 제 1 유전체층; 및 상기 제 1 유전체층 상에 형성된 전도성 패턴 구조체를 포함하는, 흡수체 모듈
을 포함하는, 전자기파 흡수체로서,
외부에서 입사하는 전자기파의 재귀반사율이 저감되는 특징을 가지며,
상기 전자기파 흡수체는 복수의 상기 흡수체 모듈을 포함하고,
상기 복수의 흡수체 모듈은 서로 수직으로 배치되는 것인,
전자기파 흡수체.
metal reflector; a first dielectric layer formed on the metal reflection plate; and a conductive pattern structure formed on the first dielectric layer.
As an electromagnetic wave absorber comprising a,
It has the characteristic of reducing the retroreflectance of electromagnetic waves incident from the outside,
The electromagnetic wave absorber includes a plurality of absorber modules,
Wherein the plurality of absorber modules are disposed perpendicular to each other,
electromagnetic wave absorber.
제 1 항에 있어서,
상기 전도성 패턴 구조체는 메타표면으로서, 비트맵 패턴 또는 더블링 패턴을 포함하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 1,
The conductive pattern structure is a metasurface and includes a bitmap pattern or a doubling pattern, the electromagnetic wave absorber.
제 2 항에 있어서,
상기 비트맵 패턴은 하기의 비트맵 구조를 포함하고,
Figure 112021125819744-pat00003
; (하얀색: 전도성 패턴 구조체; 보라색: 제 1 유전체층),
상기 더블링 패턴은 하기의 더블링 구조를 포함하는 것인, 전자기파 흡수체:
Figure 112021125819744-pat00004
; (검정색: 전도성 패턴 구조체, 파란색: 제 1 유전체층).
According to claim 2,
The bitmap pattern includes the following bitmap structure,
Figure 112021125819744-pat00003
; (white: conductive pattern structure; purple: first dielectric layer),
The doubling pattern includes the following doubling structure, the electromagnetic wave absorber:
Figure 112021125819744-pat00004
; (Black: conductive pattern structure, blue: first dielectric layer).
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 유전체층은 아크릴 수지, PET, PP, PE, PMMA, 폴리우레탄, 실리콘고무 및 스티로폼 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 1,
Wherein the first dielectric layer comprises at least one selected from acrylic resin, PET, PP, PE, PMMA, polyurethane, silicone rubber and styrofoam, the electromagnetic wave absorber.
제 1 항에 있어서,
상기 전도성 패턴 구조체는 카본 잉크, 구리(Cu), 은(Ag), 그래핀 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 1,
The conductive pattern structure includes at least one selected from carbon ink, copper (Cu), silver (Ag), graphene, and indium tin oxide (ITO).
제 1 항에 있어서,
상기 금속 반사판은 알루미늄, 금, 은 및 구리 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 1,
Wherein the metal reflector includes at least one selected from aluminum, gold, silver and copper.
제 1 항에 있어서,
상기 전도성 패턴 구조체 상에 제 2 유전체층, 제 3 유전체층 또는 상기 둘 모두를 추가 포함하는, 전자기파 흡수체.
According to claim 1,
An electromagnetic wave absorber further comprising a second dielectric layer, a third dielectric layer, or both on the conductive pattern structure.
제 7 항에 있어서,
상기 제 2 유전체층은 단열 성능을 구현하고,
상기 제 3 유전체층은 기계적 강도를 부여하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 7,
The second dielectric layer implements thermal insulation performance,
The third dielectric layer imparts mechanical strength, the electromagnetic wave absorber.
제 7 항에 있어서,
상기 제 2 유전체층은 공기, 스티로폼, 아크릴 수지, PET, PP, PE, PMMA, 폴리우레탄, 실리콘고무 및 에어로겔 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,
상기 제 3 유전체층은 강화유리, FR-4 에폭시 유리 섬유 라미네이트 및 에폭시 글라스 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 7,
The second dielectric layer includes at least one selected from air, styrofoam, acrylic resin, PET, PP, PE, PMMA, polyurethane, silicone rubber, and airgel,
Wherein the third dielectric layer comprises at least one selected from tempered glass, FR-4 epoxy glass fiber laminate, and epoxy glass, the electromagnetic wave absorber.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 금속 반사판을 제외한 상기 전자기파 흡수체의 총 두께는 1 mm 내지 12.5 mm인 것인,전자기파 흡수체.
According to claim 1,
The total thickness of the electromagnetic wave absorber excluding the metal reflector is 1 mm to 12.5 mm, Electromagnetic wave absorber.
제 2 항에 있어서,
상기 전도성 패턴 구조체는 사각의 더블링 패턴을 포함하는 것이고,
내측 링이 둘러싸고 있는 내부의 너비는 1 mm 내지 3 mm이고,
내측 링의 폭이 1 mm 내지 3 mm이고,
내측 링과 외측 링 사이의 최단거리는 1 mm 내지 3 mm이고,
각각의 사각의 더블링 구조체 사이의 간격은 1 mm 내지 3 mm인 것인, 전자기파 흡수체.
According to claim 2,
The conductive pattern structure includes a square doubling pattern,
The inner width surrounded by the inner ring is 1 mm to 3 mm,
The width of the inner ring is 1 mm to 3 mm,
The shortest distance between the inner ring and the outer ring is 1 mm to 3 mm,
The interval between each square doubling structure is 1 mm to 3 mm, the electromagnetic wave absorber.
삭제delete 삭제delete
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