KR102402402B1 - Tin electroplating bath and tin plating film - Google Patents
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Abstract
주석 도금 피막에 대한 외부 응력 인가시에, 주석 위스커 발생이 억제되는 주석 도금 피막을 얻기 위한, 주석 전기 도금욕을 제공한다. 그 주석 전기 도금욕은, 플라보노이드 화합물과 그 배당체, 크산텐 골격을 갖는 화합물과 그 배당체, 및 아크리딘 골격을 갖는 화합물과 그 배당체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유하는 것을 특징으로 한다.A tin electroplating bath is provided for obtaining a tin plating film in which generation of tin whiskers is suppressed upon application of an external stress to the tin plating film. The tin electroplating bath contains at least one compound selected from the group consisting of a flavonoid compound and its glycoside, a compound having a xanthene skeleton and its glycoside, and a compound having an acridine skeleton and a glycoside thereof, do.
Description
본 발명은, 주석 전기 도금욕 및 주석 도금 피막에 관한 것이다. 특히, 주석 도금 피막에 외부 (기계적) 응력이 인가된 경우에 주석 위스커 발생이 억제되는 주석 도금 피막, 및 그 주석 도금 피막의 형성에 사용되는 주석 전기 도금욕에 관한 것이다.The present invention relates to a tin electroplating bath and a tin plating film. In particular, it relates to a tin plating film in which generation of tin whiskers is suppressed when an external (mechanical) stress is applied to the tin plating film, and a tin electroplating bath used for forming the tin plating film.
커넥터, 단자, IC 칩 등의 전자 기기용 부품에는, 납땜이나 부식 방지 등의 관점에서 주석 도금이나 주석 합금 도금 등의 피막이 형성된다. 그 주석 도금이나 주석 합금 도금의 형성 방법으로서, 지금까지 여러 가지의 방법이 제안되어 있다. 예를 들어 특허문헌 1 에는, 금속 재료에 주석 또는 주석-납 합금을 도금한 도금재의 표면 처리 방법에 있어서, 인히비터로서 규정한 벤조트리아졸계 화합물, 규정한 메르캅토벤조티아졸계 화합물, 및 규정한 트리아진계 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 혹은 2 종 이상을 함유하는 표면 처리액 중에서, 상기 도금재를 양극으로서 전해하는 것이 나타나 있다. 그 방법으로 표면 처리된 주석 또는 주석-납 합금 도금재는, 납땜성의 열화가 적고, 우수한 내식성을 갖는 것이 나타나 있다.BACKGROUND ART Films such as tin plating and tin alloy plating are formed on electronic device components such as connectors, terminals, and IC chips from the viewpoint of soldering and corrosion prevention. As a method of forming the tin plating or tin alloy plating, various methods have been proposed so far. For example, in Patent Document 1, in a method for surface treatment of a plating material in which tin or a tin-lead alloy is plated on a metal material, a benzotriazole-based compound prescribed as an inhibitor, a prescribed mercaptobenzothiazole-based compound, and a prescribed Electrolysis of the plating material as an anode is shown in a surface treatment solution containing one or two or more selected from the group consisting of triazine-based compounds. It is shown that the tin or tin-lead alloy plating material surface-treated by this method has little deterioration of solderability and has excellent corrosion resistance.
특허문헌 2 에는, 넓은 전류 밀도 영역에 걸쳐 광택 도금을 형성할 수 있는 주석 및 주석/납 합금 도금액이 제안되어 있다. 그 도금액으로서, 주석 및 주석/납 합금의 전기 도금용 수용액으로서, 산으로서 알칸술폰산, 금속염으로서 알칸술폰산의 2 가의 주석염 또는 2 가의 주석염과 2 가의 납염 (鉛鹽) 의 양자, 분산제로서 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 또는 폴리옥시에틸렌나프틸에테르의 1 종 혹은 2 종 이상, 광택제로서 클로로벤즈알데히드와 나프토알데히드와 피콜린산을 함유하는 주석 및 주석/납 합금 도금액이 나타나 있다.Patent Document 2 proposes a tin and tin/lead alloy plating solution capable of forming bright plating over a wide current density region. As the plating solution, an aqueous solution for electroplating of tin and a tin/lead alloy, an alkanesulfonic acid as an acid, a divalent tin salt or a divalent tin salt and a divalent lead salt of an alkanesulfonic acid as a metal salt, poly as a dispersant A tin and tin/lead alloy plating solution containing one or two or more of oxyethylene alkylphenyl ether or polyoxyethylene naphthyl ether and chlorobenzaldehyde, naphthoaldehyde and picolinic acid as a brightener is disclosed.
특허문헌 3 에는, 전착물 피막의 리플로성, 레벨링성 및 납땜성이 우수하고, 또한 저전류 밀도부로부터 고전류 밀도부에 걸쳐 넓은 광택 범위를 갖는 시간 경과적 안정성이 우수한 도금욕이 제안되어 있다. 구체적으로 그 도금욕으로서, 알칸술폰산 및/또는 알칸올술폰산 그리고 그것들의 2 가의 주석염 및/또는 2 가의 납염을 함유하는 주도금욕에, 적어도 1 종의 계면 활성제, 적어도 1 종의 방향족 알데히드 및 적어도 1 종의 N-치환 불포화 지방산 아미드 화합물을 첨가하여 이루어지는 도금욕이 나타나 있다.Patent Document 3 proposes a plating bath excellent in reflow property, leveling property, and solderability of the electrodeposition film, and excellent in stability over time having a wide gloss range from a low current density area to a high current density area. . Specifically, as the plating bath, in a main plating bath containing alkanesulfonic acid and/or alkanolsulfonic acid and their divalent tin salt and/or divalent lead salt, at least one surfactant, at least one aromatic aldehyde, and at least A plating bath formed by adding one type of N-substituted unsaturated fatty acid amide compound is shown.
또 특허문헌 4 에는, 불화물 또는 불화붕소산염을 전혀 함유하지 않고, 또한 평활하게 하여 균일한 두께로 광택이 있는 주석 등의 피막을 도착 (鍍着) 하기 위한 수성 도금욕이 나타나 있다. 그 수성 도금욕으로서, (A) 제 1 주석염 등의 욕 가용성 금속염과, (B) 적어도 1 종의 알칸술폰산 또는 알칸올술폰산과, (C) 적어도 1 종의 비이온, 카티온 또는 양쪽성의 계면 활성제와, (D) 방향족 알데히드, 아세토페논, 및 규정한 기를 갖는 카르보닐 화합물 중 1 종 이상의 제 1 차 광택제와, (E) 저급 지방족 알데히드와 규정한 치환 올레핀 중 1 종 이상의 제 2 차 광택제를 함유하는 도금욕이 나타나 있다.In addition, Patent Document 4 discloses an aqueous plating bath containing no fluoride or borofluoride salt, and for providing a glossy film such as tin with a smooth, uniform thickness. An aqueous plating bath comprising (A) a bath-soluble metal salt such as stannous salt, (B) at least one kind of alkanesulfonic acid or alkanolsulfonic acid, and (C) at least one kind of nonionic, cationic or amphoteric a surfactant, (D) at least one primary brightener among aromatic aldehydes, acetophenones, and carbonyl compounds having a specified group, and (E) at least one secondary brightener among lower aliphatic aldehydes and substituted olefins as specified A plating bath containing
그런데, 주석이나 주석 합금 도금 피막은, 피막에 내부 응력이 있으면 위스커가 발생하는 것이 알려져 있다. 이 위스커에 의해 회로가 쇼트되거나 하는 문제가 발생한다. 이 위스커의 발생은, 상기 도금 피막에 대한 납의 첨가에 의해 대폭 억제되기 때문에, 주석납 합금 도금 피막이 주류인 시대는 문제가 되지 않았다. 그러나, RoHS (Restriction of Hazardous Substance) 지령 시행에 의한 납프리화의 움직임에 수반하여, 다시 개선책이 필요해졌다. 이 때문에, 도금액의 개량을 실시하는 등, 주석 도금 피막이나 주석 합금 도금 피막의 내부 응력을 저감시키는 여러 가지의 방법이 제안되어 왔다. 그러나 내부 응력이 저감되어, 피막 자체가 위스커를 잘 발생시키지 않는 것이라도, 외부 응력이 피막에 가해지면, 이 외부 응력에서 기인한 위스커가 발생한다는 문제가 있다. 예를 들어 커넥터에 있어서, 주석 또는 주석 합금 도금 피막이 실시된 커넥터 핀에 대해 리드가 삽입되어, 그 커넥터 핀에 있어서의 리드와의 접촉 지점에 외부 하중이 가해진다. 요컨대 커넥터 핀 표면에 형성된 주석 또는 주석 합금 도금 피막에 외부적 압력이 가해져 (이하, 이 상태를 「접압」이라고 하는 경우가 있다), 상기 내부 응력이 발생하고 있는 상태와 동일해진다. 그렇게 하면 주석 위스커가 발생하기 쉬워진다. 이하에서는, 이와 같은 외부 응력에서 기인한 주석 위스커를 「접압 위스커」라고 하는 경우가 있다.By the way, it is known that a whisker will generate|occur|produce in a tin or a tin alloy plating film when an internal stress exists in a film. This whisker causes a problem that the circuit is short-circuited. Since the generation of this whisker is largely suppressed by the addition of lead to the plated film, there was no problem in the era when the tin-lead alloy plated film was mainstream. However, with the lead-free movement due to the enforcement of the RoHS (Restriction of Hazardous Substance) directive, improvement measures were again required. For this reason, various methods of reducing the internal stress of a tin plating film or a tin alloy plating film, such as improving a plating solution, have been proposed. However, even if the internal stress is reduced and the film itself does not easily generate whiskers, when an external stress is applied to the film, there is a problem that whiskers are generated due to the external stress. For example, in a connector, a lead is inserted with respect to the connector pin to which the tin or tin alloy plating film was given, and an external load is applied to the contact point with the lead in the connector pin. That is, an external pressure is applied to the tin or tin alloy plating film formed on the surface of the connector pin (hereinafter, this state may be referred to as "contact pressure"), and it becomes the same as the state in which the said internal stress is occurring. Doing so makes it prone to tin whiskers. Hereinafter, a tin whisker resulting from such an external stress may be referred to as a "contact pressure whisker".
상기 특허문헌 1 ∼ 4 에 개시된 주석 또는 주석 합금 도금 형성 방법은, 상기 접압 위스커 발생의 억제까지 검토한 것은 아니다. 지금까지, 상기 접압 위스커의 발생을 방지하는 방법으로서, 주석과 함께 상기 접압 위스커의 발생 방지에 효과적인 원소를 함유하는 도금액을 사용하여 주석 합금 도금 피막을 형성하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어 특허문헌 5 에는, 기재 상에, 비스무트 편석 억제층으로서 은 도금을 형성하고, 그 위에 주석 비스무트 합금으로 이루어지는 표면층을 구비하는 커넥터로 함으로써, 위스커의 발생 및 성장을 효과적으로 억제할 수 있는 것이 나타나 있다. 특허문헌 6 에는, 하지층으로서 금 도금을 형성하고 나서, 주석 함유물층을 형성하고, 이어서 열처리를 함으로써, 주석-금의 금속간 화합물을 형성하여 위스커를 억제하는 것이 나타나 있다.The tin or tin alloy plating forming method disclosed in Patent Documents 1 to 4 was not studied until suppression of the generation of the contact pressure whiskers. Heretofore, as a method for preventing the generation of the contact pressure whisker, a method of forming a tin alloy plating film using a plating solution containing an element effective for preventing the generation of the contact pressure whisker together with tin is exemplified. For example, in Patent Document 5, by forming a silver plating as a bismuth segregation suppressing layer on a base material and making a connector provided with a surface layer made of a tin-bismuth alloy thereon, it is possible to effectively suppress the generation and growth of whiskers. is appearing Patent Document 6 shows that a tin-containing material layer is formed after forming a gold plating as a base layer, followed by heat treatment to form a tin-gold intermetallic compound to suppress whisker.
그러나 상기 특허문헌 5 및 6 의 방법은, 비용이 비싸고, 또, 2 종 이상의 금속 원소를 필수로 하면, 도금욕 및 도금 피막의 합금비의 관리가 필수가 된다. 특히, 주석-은 합금 도금욕이나 상기 특허문헌 5 와 같이 주석-비스무트 합금 도금욕을 사용하는 경우, 다음과 같은 문제가 발생할 수 있다. 즉, 도금욕 중에서의 2 금속 원소간의 전위차가 크기 때문에, 주석 양극판 표면이나 도금을 실시한 피도금물을, 무통전 중 도금욕 중에 침지시킨 채인 상태로 하면, 은이나 비스무트가 상기 주석 양극판이나 피도금물의 표면에 치환 석출되어, 사용할 수 없게 되는 경우가 있다. 또, 상기 서술한 바와 같이 주석 도금에 비해 비용이 높아진다는 문제도 있다.However, the method of the said patent documents 5 and 6 is expensive, and when 2 or more types of metal elements are essential, management of the alloy ratio of a plating bath and a plating film becomes essential. In particular, when a tin-silver alloy plating bath or a tin-bismuth alloy plating bath is used as in Patent Document 5, the following problems may occur. That is, since the potential difference between the two metal elements in the plating bath is large, if the surface of the tin anode plate or the plated object to be plated is left immersed in the plating bath during de-energization, silver or bismuth will be deposited on the tin anode plate or the coated object. Substitution and precipitation on the surface of the forbidden substance may make it unusable. Moreover, as mentioned above, there also exists a problem that cost becomes high compared with tin plating.
접압 위스커의 다른 발생 방지 방법으로서, 주석 피막을 융점 이상에서 용융시키는, 즉, 리플로 처리 방법을 들 수 있다. 이 방법에서는, 접압 위스커가 억제되지만, 완전하게는 방지할 수 없어, 땜납 젖음성이 저하된다는 다른 문제가 발생한다.As another method for preventing the occurrence of a contact pressure whisker, a reflow treatment method in which the tin film is melted above the melting point is exemplified. In this method, although the contact pressure whisker is suppressed, it cannot be prevented completely, and another problem arises that solder wettability falls.
또, 커넥터 핀간의 좁은 커넥터의 경우, 금 도금 처리가 실시되는 경우가 있다. 금 도금을 실시하면, 상기 접압 위스커의 발생은 당연히 없지만, 비용이 대폭 높아진다는 문제가 있다.Moreover, in the case of a narrow connector between connector pins, a gold plating process may be performed. When gold plating is performed, there is naturally no generation of the above-mentioned contact pressure whiskers, but there is a problem in that the cost is significantly increased.
본 발명은 상기와 같은 사정에 주목하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 주석 도금 피막에 대한 외부 응력 인가시에 주석 위스커 발생이 억제되는 주석 도금 피막을, 비용 상승을 초래하지 않고 형성할 수 있는, 주석 전기 도금욕을 실현하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and its object is to form a tin-plated film in which generation of tin whiskers is suppressed when an external stress is applied to the tin-plated film without incurring an increase in cost. It is to realize an electroplating bath.
상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 주석 전기 도금욕은, 플라보노이드 화합물과 그 배당체, 크산텐 골격을 갖는 화합물과 그 배당체, 및 아크리딘 골격을 갖는 화합물과 그 배당체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물 (이하, 화합물 X 라고 한다) 을 함유하는 것에 특징이 있다. 이하, 본 발명의 주석 전기 도금욕을 「전기 도금욕」또는 「도금욕」이라고 하는 경우가 있다.The tin electroplating bath of the present invention capable of solving the above problems is one selected from the group consisting of a flavonoid compound and a glycoside thereof, a compound having a xanthene skeleton and a glycoside thereof, and a compound having an acridine skeleton and a glycoside thereof It is characterized in that it contains the above compound (hereinafter referred to as compound X). Hereinafter, the tin electroplating bath of this invention may be called "electroplating bath" or "plating bath".
상기 화합물 X 로서, 상기 플라보노이드 화합물과 그 배당체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.As the compound X, it is preferable to use at least one compound selected from the group consisting of the above flavonoid compounds and glycosides thereof.
상기 화합물 X 를, 전기 도금욕 중에서 차지하는 비율로 0.0001 g/ℓ 이상 5 g/ℓ 이하 함유하도록 하는 것이 바람직하다.It is preferable to make it contain 0.0001 g/L or more and 5 g/L or less of the said compound X in the ratio which occupies in an electroplating bath.
본 발명에는, 상기 주석 전기 도금욕을 사용하여 얻어지는 주석 도금 피막으로서, 그 주석 도금 피막의 막 두께 (t) 방향 단면의 t/2 위치에 있어서의 비커스 경도가 10 이하인 것에 특징을 갖는 주석 도금 피막도 포함된다.In the present invention, a tin plating film obtained by using the tin electroplating bath, the tin plating film characterized in that the Vickers hardness at the t/2 position of the cross section in the film thickness (t) direction of the tin plating film is 10 or less also included.
본 발명의 주석 전기 도금욕을 사용하여 얻어진 주석 도금 피막은, 외부 응력이 인가된 경우라도, 그 외부 응력을 기인으로 하는 위스커의 발생이 억제된다.The tin plating film obtained by using the tin electroplating bath of the present invention suppresses the occurrence of whiskers due to the external stress even when an external stress is applied thereto.
도 1 은, 실시예의 위스커 억제 효과의 평가에 있어서의 압흔 전체 이미지의 일례를 나타내는 사진이다.
도 2 는, 도 1 의 일부의 확대 사진으로서, 위스커 길이 측정의 일례를 나타내는 사진이다.
도 3 은, 실시예에 있어서의 위스커의 길이와 직경의 측정 위치를 설명하는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a photograph which shows an example of the whole image of an indentation in evaluation of the whisker suppression effect of an Example.
FIG. 2 is an enlarged photograph of a part of FIG. 1 , and is a photograph showing an example of whisker length measurement.
Fig. 3 is a view for explaining the measurement positions of the length and diameter of the whisker in the Example.
본 발명자들은, 주석 도금 피막에 대한 외부 응력 인가시에, 주석 위스커 발생이 억제되는 주석 도금 피막을, 비용 상승을 초래하지 않고 형성하기 위한 전기 도금 방법을, 그 주석 도금 피막의 형성에 사용하는 주석 전기 도금욕에 주목하여 예의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 그 주석 전기 도금욕에, 플라보노이드 화합물과 그 배당체, 크산텐 골격을 갖는 화합물과 그 배당체, 및 아크리딘 골격을 갖는 화합물과 그 배당체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물 (이하 「화합물 X」라고 하는 경우가 있다) 을 필수 성분으로서 함유시키면, 소기의 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.The present inventors have found that an electroplating method for forming a tin plating film in which generation of tin whisker is suppressed without causing a cost increase when external stress is applied to the tin plating film is used for forming the tin plating film. Paying attention to the electroplating bath, earnest research was repeated. As a result, in the tin electroplating bath, at least one compound selected from the group consisting of a flavonoid compound and its glycoside, a compound having a xanthene skeleton and its glycoside, and a compound having an acridine skeleton and a glycoside thereof (hereinafter referred to as " Compound X") was contained as an essential component, it was found that the intended purpose could be achieved, and the present invention was completed.
상기 화합물 X 를 도금욕에 첨가함으로써 접압 위스커가 억제되는 메커니즘은, 여전히 충분하게는 해명되어 있지 않지만, 이하와 같이 생각된다. 즉, 주석 전기 도금욕 중에 상기 화합물 X 가 존재함으로써, 도금을 구성하는 Sn 의 결정 사이즈가 커지고, 결과적으로 도금 피막의 경도의 저하가 발생하는 것으로 생각된다. 그리고, 도금 피막의 경도가 저하됨으로써, 외부 응력이 부가되어도, 그 응력이 도금 피막 내에서 분산되어 완화, 바꾸어 말하면 외부 응력이 국부적으로 축적되지 않기 때문에, 접압 위스커의 발생이 억제되는 것으로 추측된다.Although the mechanism by which a contact pressure whisker is suppressed by adding the said compound X to a plating bath is still not fully elucidated, it thinks as follows. That is, it is thought that the crystal size of Sn which comprises metal plating becomes large when the said compound X exists in a tin electroplating bath, and the fall of the hardness of a plating film arises as a result. And, by decreasing the hardness of the plating film, even when an external stress is added, the stress is dispersed and relieved in the plating film, in other words, since the external stress is not locally accumulated, it is estimated that the generation of contact pressure whiskers is suppressed.
상기 플라보노이드 화합물과 그 배당체로는, 크리신, 루테오린, 아피게닌과 그 배당체인 아피인 등의 플라본류;갈란긴, 켄페놀, 미리세틴, 모린, 케르세틴과 그 배당체인 루틴과 케르시트린 등의 플라보놀류;게니스틴, 다이제인 및 그 배당체인 다이진 등의 이소플라본류;카테킨, 에피카테킨, 에피갈로카테킨, 에피카테킨갈레이트, 에피갈로카테킨갈레이트, 테아플라빈 등의 플라바놀류 (카테킨류);나린게닌 및 그 배당체인 나린긴, 헤스페레틴 및 그 배당체인 헤스페리딘 등의 플라바논류;카르티미니딘 및 그 배당체인 카르타민 등의 칼콘류;시아니딘 및 그 배당체인 시아닌, 델피니딘 및 그 배당체인 델핀, 펠라르고니딘 및 그 배당체인 펠라르고닌 등의 안토시아니딘류;등을 들 수 있다.Examples of the flavonoid compound and its glycosides include flavones such as chrysin, luteolin, apigenin and its glycosides apiin; of flavanols; isoflavones such as genistin, daidzein and its glycosides daijin; flavanols such as catechin, epicatechin, epigallocatechin, epicatechin gallate, epigallocatechin gallate, and theaflavin (Catechins); Flavanones such as naringenin and its glycosides naringin and hesperetin and its glycosides hesperidin; Chalcones such as cartiminidin and its glycosides cartamine; Cyanidin and its glycosides cyanine; Anthocyanidins, such as delphinidin and its glycoside delphine, pelargonidin, and its glycoside pelargonine; etc. are mentioned.
크산텐 골격을 갖는 화합물과 그 배당체로는, 크산틸륨, 3,6-비스(에틸아미노)-9-[2-(에톡시카르보닐)페닐]-2,7-디메틸크산틸륨클로라이드, 3,6-디아미노-9-(2-카르복시페닐)크산틸륨, 3,6-비스(디에틸아미노)크산틸륨클로라이드, 플루오레세인, 카르세인, 우라닌, 테트라요오드플루오레세인, 플루오레세인-4-이소티아네이트 등을 들 수 있다.Compounds having a xanthene skeleton and glycosides thereof include xanthylium, 3,6-bis(ethylamino)-9-[2-(ethoxycarbonyl)phenyl]-2,7-dimethylxanthylium chloride, 3, 6-diamino-9-(2-carboxyphenyl)xanthylium, 3,6-bis(diethylamino)xanthylium chloride, fluorescein, carcein, uranine, tetraiodofluorescein, fluorescein- 4-isothiinate etc. are mentioned.
아크리딘 골격을 갖는 화합물과 그 배당체로는, 아크리딘, 3,6-디메틸아미노아크리딘, 아크릴플라빈, 9(10H)아크리돈, 9-아미노아크리딘, 아크리놀, 9-페닐아크리딘, 프로플라빈 등을 들 수 있다.Compounds having an acridine skeleton and glycosides thereof include acridine, 3,6-dimethylaminoacridine, acrylflavin, 9(10H)acridone, 9-aminoacridine, acrrinol, 9-phenylacridine, proplavin, and the like.
상기 화합물 X 중, 특히 플라보노이드 화합물과 그 배당체가 바람직하다. 그 중에서도, 플라보놀류와 그 배당체가 보다 바람직하다.Among the compounds X, flavonoid compounds and glycosides thereof are particularly preferred. Among them, flavonols and glycosides thereof are more preferable.
상기 효과를 충분히 발휘시킴과 함께, 고전류 밀도에서의 타는 것이나 눌러붙는 것을 억제하여 도금 피막을 양호하게 제작하기 위해서는, 전기 도금욕 중에서 차지하는 상기 화합물 X 의 바람직한 함유량 (단독으로 함유할 때에는 단독의 양이며, 2 종 이상을 함유할 때에는 이것들의 합계량이다) 을, 0.0001 g/ℓ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.001 g/ℓ 이상, 더욱 바람직하게는 0.005 g/ℓ 이상이다. 한편, 상기 화합물 X 의 함유량이 지나치게 많으면, 위스커 억제 효과의 향상이 보이지 않을 뿐만 아니라 음극 전류 효율이 저하된다. 따라서, 상기 화합물 X 의 함유량은, 5 g/ℓ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 g/ℓ 이하, 더욱 바람직하게는 1 g/ℓ 이하이다.In order to sufficiently exhibit the above effects and to suppress burning and seizure at high current density and to produce a plated film satisfactorily, the preferable content of the compound X in the electroplating bath (when contained alone, it is a single amount , when it contains two or more types) is preferably 0.0001 g/L or more, more preferably 0.001 g/L or more, and still more preferably 0.005 g/L or more. On the other hand, when there is too much content of the said compound X, the improvement of the whisker suppression effect is not seen, but the cathode current efficiency falls. Therefore, it is preferable that content of the said compound X shall be 5 g/L or less, More preferably, it is 2 g/L or less, More preferably, it is 1 g/L or less.
본 발명은, 주석 전기 도금욕으로서, 상기 화합물 X 를 사용한 것에 특징이 있고, 그 주석 전기 도금욕의 그 밖의 성분으로서, 주석 전기 도금 피막의 형성에 통상 사용되는 하기의 성분을 함유할 수 있다.The present invention is characterized in that the compound X is used as a tin electroplating bath, and as other components of the tin electroplating bath, the following components commonly used for forming a tin electroplating film can be contained.
[주석염][Tin salt]
주석염은, 도금 피막의 구성에 필수적인 성분이다. 본 발명에 사용되는 주석염의 형태는, 전기 도금욕의 분야에서 통상 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 주석염으로서, 제 1 주석염과 제 2 주석염이 있다.A tin salt is an essential component for the structure of a plating film. The form of the tin salt used for this invention will not be specifically limited if it is normally used in the field|area of an electroplating bath. The stannous salts include stannous salts and stannous salts.
상기 제 1 주석염 (주석염 (II)) 으로서, 메탄술폰산주석 (II) 등의 알칸술폰산주석 (II), 이세티온산주석 (II) 등의 알칸올술폰산주석 (II) 등의 유기 술폰산주석 (II);황산주석 (II), 붕불화주석 (II), 염화주석 (II), 브롬화주석 (II), 요오드화주석 (II), 산화주석 (II), 인산주석 (II), 피롤린산주석 (II), 아세트산주석 (II), 시트르산주석 (II), 글루콘산주석 (II), 타르타르산주석 (II), 락트산주석 (II), 숙신산주석 (II), 술팜산주석 (II), 붕불화주석 (II), 포름산주석 (II), 규불화주석 (II) 등의 무기 주석 화합물;등을 들 수 있다. 상기 제 2 주석염 (주석염 (IV)) 으로는, 주석산나트륨, 주석산칼륨 등을 들 수 있다.Examples of the stannous salt (tin salt (II)) include tin alkanesulfonic acid (II) such as tin methanesulfonate (II), and tin alkanolsulfonate (II) such as tin isethionate (II). (II); tin sulfate (II), tin borofluoride (II), tin chloride (II), tin bromide (II), tin iodide (II), tin oxide (II), tin phosphate (II), tin pyrroline (II), tin acetate (II), tin citrate (II), tin gluconate (II), tin tartrate (II), tin lactate (II), succinate (II), tin sulfamic acid (II), borofluoride Inorganic tin compounds, such as tin (II), a tin formate (II), and a tin silicate (II); etc. are mentioned. As said stannous salt (tin salt (IV)), sodium tartrate, potassium tartrate, etc. are mentioned.
상기 주석염으로서, 특히 상기 메탄술폰산주석 (II) 등의 알칸술폰산주석 (II), 이세티온산주석 (II) 등의 알칸올술폰산주석 (II) 등의 유기 술폰산주석 (II) 이 바람직하다.As said tin salt, organic tin sulfonate (II), such as tin alkanolsulfonic acid (II), such as tin alkanesulfonate (II), such as said tin methanesulfonate (II), and tin isethionate (II), is especially preferable.
본 발명의 전기 도금욕 중에서 차지하는 주석 (Sn2+ 이온이나 Sn4+ 이온) 의 농도는, 소망으로 하는 주석 도금이 실시되도록 제어되어 있으면 특별히 한정되지 않는다. 상기 주석의 농도는, 예를 들어 5 ∼ 100 g/ℓ, 바람직하게는 10 ∼ 70 g/ℓ 의 범위 내로 할 수 있다.The concentration of tin (Sn 2+ ion or Sn 4+ ion) occupied in the electroplating bath of the present invention is not particularly limited as long as it is controlled so that desired tin plating is performed. The concentration of the tin may be, for example, from 5 to 100 g/L, preferably from 10 to 70 g/L.
본 발명의 주석 전기 도금욕으로서, 강산성의 도금욕을 사용하는 경우, 상기 주석염 (IV) 은 강산 하에서는 불용이기 때문에, 착화제를 함께 첨가해도 된다. 그 착화제는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아황산나트륨, 아황산칼륨, 아황산암모늄, 시안화나트륨, 시안화칼륨, 티오황산나트륨, 티오황산칼륨, 티오황산암모늄, 인산, 붕산, 시트르산, 글루콘산, 타르타르산, 락트산, 말산, 에틸렌디아민, 트리에탄올아민, 글리신, 알라닌, 하이드록시에틸에틸렌디아민3아세트산 (HEDTA), 에틸렌디아민4아세트산 (EDTA), 시클로헥산디아민4아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산 (DTPA), 트리에틸렌트리아민6아세트산 (TTHA), 하이드록시에틸이미노2아세트산 (HIMDA), 디하이드록시에틸이미노아세트산 (DHEIMA), 디하이드록시에틸에틸렌디아민2아세트산 (DHEDDA), 글리신, 이미노아세트산, 니트릴로트리아세트산 (NTA), 아미노트리메틸렌포스폰산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산) 등을 사용할 수 있다. 이들 착화제는, 1 종 단독으로 또는 2 종 이상을 함께 사용할 수 있다.When a strong acid plating bath is used as the tin electroplating bath of the present invention, since the tin salt (IV) is insoluble in a strong acid, a complexing agent may be added together. The complexing agent is not specifically limited, For example, sodium sulfite, potassium sulfite, ammonium sulfite, sodium cyanide, potassium cyanide, sodium thiosulfate, potassium thiosulfate, ammonium thiosulfate, phosphoric acid, boric acid, citric acid, gluconic acid, tartaric acid, Lactic acid, malic acid, ethylenediamine, triethanolamine, glycine, alanine, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), cyclohexanediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid (DTPA), tri Ethylenetriaminehexaacetic acid (TTHA), hydroxyethyliminodiacetic acid (HIMDA), dihydroxyethyliminoacetic acid (DHEIMA), dihydroxyethylethylenediaminediacetic acid (DHEDDA), glycine, iminoacetic acid, nitrile Rotriacetic acid (NTA), aminotrimethylenephosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, diethylenetriaminepenta(methylenephosphonic acid), etc. can be used. . These complexing agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
상기 착화제의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 500 g/ℓ 정도로 하는 것이 바람직하고, 10 ∼ 300 g/ℓ 정도로 하는 것이 보다 바람직하다. 착화제의 함유량이 지나치게 적으면, 도금욕 중에 주석이 석출되어 욕 안정성이 나빠진다. 한편, 착화제의 함유량이 지나치게 많으면, Sn2+ 와의 착물 형성이 과잉으로 진행되어 석출 속도가 저하되어, 소망으로 하는 막 두께의 도금 피막을 형성시킬 수 없게 된다. 또 착화제를 용해시키는 것이 곤란해져 경제적이지 않게 되기도 한다.Although content of the said complexing agent is not specifically limited, It is preferable to set it as about 1-500 g/L, and it is more preferable to set it as about 10-300 g/L. When there is too little content of a complexing agent, tin will precipitate in a plating bath, and bath stability will worsen. On the other hand, when there is too much content of a complexing agent, complex formation with Sn 2+ advances excessively, a precipitation rate falls, and it becomes impossible to form the plating film of the film thickness made into desired. Moreover, it becomes difficult to dissolve a complexing agent, and it may become uneconomical.
본 발명의 도금욕은, 상기와 같이 합금 원소를 필수로 하는 것은 아니다. 그러나, 도금의 석출이나 피막 경도, 제조성, 비용에 악영향을 미치지 않는 범위 내에서 합금 원소가 함유되어 있어도 된다. 상기 합금 원소로서, 예를 들어 피막 경도를 낮게 억제할 수 있는 In 등을 들 수 있다. 단, 합금 원소로서 비스무트나 은은, 상기 서술한 전위차의 문제가 발생하기 때문에 바람직하지 않다. 또 합금 원소로서 구리를 사용한 경우, 피막 경도가 높아지기 쉽고, 위스커가 발생하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 또한 납은, 상기 서술한 바와 같이 납프리화의 관점에서 바람직하지 않다.The plating bath of the present invention does not necessarily contain an alloying element as described above. However, the alloying element may be contained within a range that does not adversely affect precipitation of plating, film hardness, manufacturability, and cost. As said alloying element, In etc. which can suppress film hardness low are mentioned, for example. However, bismuth or silver as an alloying element is not preferable because the problem of the potential difference mentioned above arises. Moreover, when copper is used as an alloying element, since film hardness becomes high easily and whisker is easy to generate|occur|produce, it is unpreferable. Moreover, lead is not preferable from a viewpoint of being lead-free as mentioned above.
[무기산 및 유기산 그리고 그 수용성염][Inorganic and organic acids and their water-soluble salts]
무기산 및 유기산 그리고 그 수용성염은, pH 등을 조정하여, 도금욕의 안정성에 작용한다. 또, 전기 전도성 (전압) 에도 작용한다.An inorganic acid, an organic acid, and its water-soluble salt act on the stability of a plating bath by adjusting pH etc. It also acts on electrical conductivity (voltage).
본 발명에 사용되는 무기산 및 유기산은, 도금 피막에 통상 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 무기산으로서, 황산, 염산, 질산, 인산, 술팜산 등을 들 수 있다. 또 상기 유기산으로서, 유기 술폰산 (메탄술폰산 등의 알칸술폰산, 이세티온산 등의 알칸올술폰산), 카르복실산 (방향족 카르복실산, 지방족 포화 카르복실산, 아미노카르복실산) 등을 들 수 있다. 액의 안정성 등을 고려하면, 바람직하게는 유기 술폰산이며, 보다 바람직하게는 메탄술폰산이다.The inorganic acid and organic acid used for this invention will not be specifically limited if it is a thing normally used for a plating film. For example, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, sulfamic acid, etc. are mentioned as said inorganic acid. Examples of the organic acid include organic sulfonic acids (alkanesulfonic acids such as methanesulfonic acid and alkanolsulfonic acids such as isethionic acid), carboxylic acids (aromatic carboxylic acids, aliphatic saturated carboxylic acids, and aminocarboxylic acids). . Considering the stability of the liquid, etc., it is preferably organic sulfonic acid, and more preferably methanesulfonic acid.
이것들은 유리형으로서 존재해도 되고, 무기산의 수용성염, 유기산의 수용성염과 같이 수용성염으로서 존재해도 된다. 상기 염의 종류는, 수용성염의 형태를 취하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 칼륨염, 나트륨염, 암모늄염, 마그네슘염 등을 들 수 있다.These may exist as a free form, and may exist as a water-soluble salt like the water-soluble salt of an inorganic acid and the water-soluble salt of an organic acid. The type of the salt is not particularly limited as long as it takes the form of a water-soluble salt, and examples thereof include potassium salt, sodium salt, ammonium salt, and magnesium salt.
본 발명에서는, 상기 무기산 및 유기산, 그리고 그 수용성염을, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 전기 도금욕 중에서 차지하는 상기 성분의 바람직한 함유량 (단독으로 함유할 때에는 단독의 양이며, 2 종 이상을 함유할 때에는 이것들의 합계량이다) 이 지나치게 적으면, 도금욕의 안정성이 나빠져, 침전물 등이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 따라서 상기 함유량은, 50 g/ℓ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 g/ℓ 이상이다. 한편, 상기 성분을 과잉으로 첨가해도, 상기 성분의 첨가 효과가 포화되어 버려, 불필요하기 때문에, 상기 함유량은, 500 g/ℓ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 300 g/ℓ 이하이다.In this invention, the said inorganic acid and organic acid, and its water-soluble salt may be used independently and may use 2 or more types together. If the preferred content of the above components in the electroplating bath (when contained alone, it is a single amount, when two or more types are contained, it is the total amount) is too small, the stability of the plating bath deteriorates, and deposits etc. tends to be easy. Therefore, it is preferable that the said content sets it as 50 g/L or more, More preferably, it is 100 g/L or more. On the other hand, even if the said component is added excessively, since the addition effect of the said component is saturated and unnecessary, it is preferable that the said content shall be 500 g/L or less, More preferably, it is 300 g/L or less.
[비이온 계면 활성제][Non-ionic surfactant]
비이온 계면 활성제는, 기재에 대한 도금욕의 젖음성을 향상시키는 역할을 갖는다.A nonionic surfactant has a role of improving the wettability of the plating bath with respect to a base material.
상기 비이온 계면 활성제로서, 알킬렌옥사이드계의 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아미드, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 다가 알코올에테르, 산화에틸렌산화프로필렌 블록 중합형, 산화에틸렌산화프로필렌 랜덤 중합형, 산화 프로필렌 중합형 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 특히 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르가 바람직하게 사용된다.As said nonionic surfactant, the thing of an alkylene oxide type is used preferably. Specifically, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene alkylamide, polyoxyethylene fatty acid ester, polyoxyethylene polyhydric alcohol ether, ethylene oxide propylene oxide block polymerization type; Ethylene oxide propylene oxide random polymerization type, propylene oxide polymerization type, etc. can be used. Among these, polyoxyethylene alkylphenyl ether is particularly preferably used.
본 발명에서는, 상기의 비이온 계면 활성제를, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 전기 도금욕 중에서 차지하는 상기 비이온 계면 활성제의 바람직한 함유량 (단독으로 함유할 때에는 단독의 양이며, 2 종 이상을 함유할 때에는 이것들의 합계량이다) 은, 지나치게 적으면 고전류 밀도에서 타는 것이나 눌러붙는 것이 발생하는 경우가 있기 때문에, 0.05 g/ℓ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 g/ℓ 이상이다. 한편, 상기 비이온 계면 활성제가 과잉으로 함유되면, 도금 피막이 흑색화되어, 색 불균일이 발생하거나 하는 불량을 일으키는 경우가 있다. 따라서, 상기 함유량은, 100 g/ℓ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 g/ℓ 이하이다.In this invention, said nonionic surfactant may be used independently and may use 2 or more types together. When the preferred content of the nonionic surfactant in the electroplating bath (when contained alone, it is a single amount, when two or more types are contained, it is the total amount) is too small, burning or sticking occurs at high current density In some cases, it is preferable to set it as 0.05 g/L or more, and more preferably 1 g/L or more. On the other hand, when the said nonionic surfactant is contained excessively, a plating film may blacken, and the defect that a color nonuniformity generate|occur|produces may be produced. Therefore, it is preferable that the said content shall be 100 g/L or less, More preferably, it is 50 g/L or less.
[산화 방지제][Antioxidant]
산화 방지제는, 주석염 (II) 을 사용하는 경우, 욕 중의 2 가 Sn 이온의 산화와, 그 밖의 욕 성분의 산화를 방지하여, 욕을 안정화시키는 역할을 갖는다. 또, 주석염 (IV) 을 사용하는 경우에는, Sn 착물의 안정성에 기여한다. 상기 산화 방지제로서, 카테콜, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀(p-메톡시페놀) 등을 사용할 수 있다.When using tin salt (II), antioxidant prevents oxidation of the divalent Sn ion in a bath and oxidation of other bath components, and has a role of stabilizing a bath. Moreover, when using tin salt (IV), it contributes to stability of Sn complex. As said antioxidant, catechol, hydroquinone, 4-methoxyphenol (p-methoxyphenol), etc. can be used.
이것들은, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합할 수도 있다. 전기 도금욕 중에서 차지하는 상기 산화 방지제의 바람직한 함유량 (단독으로 함유할 때에는 단독의 양이며, 2 종 이상을 함유할 때에는 이것들의 합계량) 은, 지나치게 적으면 충분한 산화 방지 효과가 얻어지지 않기 때문에 0.1 g/ℓ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 g/ℓ 이상이다. 한편, 상기 함유량이 지나치게 많으면, 전류 효율 등의 저하 (눌러붙음의 발생) 나 분해물에 의한 도금욕의 물성 열화 (점성이나 소포성의 열화) 를 초래하는 경우가 있다. 따라서 상기 함유량은, 10 g/ℓ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 g/ℓ 이하이다. 상기 산화 방지제의 농도는, 주석염 (II) 의 경우도 주석염 (IV) 의 경우도 변함없다.These may be used independently and may combine 2 or more types. When the preferable content of the antioxidant in the electroplating bath (when containing alone, it is a single amount, when containing two or more types, the total amount of these) is too small, sufficient antioxidant effect is not obtained, so 0.1 g/ It is preferable to set it as L or more, More preferably, it is 0.2 g/L or more. On the other hand, when there is too much said content, the fall of electric current efficiency etc. (occurrence|production of seizure), or deterioration of the physical property of the plating bath by the decomposition product (deterioration of viscosity and antifoaming property) may be caused. Therefore, it is preferable that the said content shall be 10 g/L or less, More preferably, it is 5 g/L or less. The concentration of the antioxidant does not change in the case of the tin salt (II) or the tin salt (IV).
[유기 용매][Organic solvent]
유기 용매는, 상기 화합물 X 를 도금욕 중에 용해시킬 목적에서 사용한다. 또, 도금욕 내에서의 안정성을 향상시킬 목적에서 사용한다. 상기 유기 용매로서, 예를 들어, 메탄올, 2-프로판올(이소프로필알코올) 등의 1 가 알코올류;에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 등의 2 가 알코올류;중 적어도 1 종을 사용하는 것을 들 수 있다.The organic solvent is used for the purpose of dissolving the compound X in the plating bath. Moreover, it is used for the purpose of improving stability in a plating bath. As the organic solvent, for example, monohydric alcohols such as methanol and 2-propanol (isopropyl alcohol); dihydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol; thing can be heard
이것들은, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 사용해도 된다. 전기 도금욕 중에서 차지하는 상기 유기 용매의 바람직한 함유량 (단독으로 함유할 때에는 단독의 양이며, 2 종 이상을 함유할 때에는 이것들의 합계량) 이, 지나치게 적으면 충분한 용해성이 얻어지지 않아 탁해져, 침전이 발생할 가능성이 있다. 따라서 상기 함유량은 5 g/ℓ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 유기 용매가 지나치게 많으면, 전류 효율 등의 저하 (눌러붙음의 발생) 나 분해물에 의한 도금욕의 물성 (점성이나 소포성) 의 열화를 초래할 가능성이 있다. 따라서 상기 함유량은, 100 g/ℓ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70 g/ℓ 이하, 더욱 바람직하게는 50 g/ℓ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 20 g/ℓ 이하이다.These may be used independently and may use 2 or more types. When the preferable content of the organic solvent occupied in the electroplating bath (when containing alone, it is a single amount, when containing two or more types, the total amount thereof) is too small, sufficient solubility is not obtained and turbidity and precipitation may occur. There is a possibility. Therefore, it is preferable that the said content shall be 5 g/L or more. On the other hand, when there are too many organic solvents, the fall of electric current efficiency etc. (occurrence|production of seizure), or deterioration of the physical property (viscosity and antifoaming property) of the plating bath by a decomposition product may be caused. Therefore, it is preferable that the said content shall be 100 g/L or less, More preferably, it is 70 g/L or less, More preferably, it is 50 g/L or less, More preferably, it is 20 g/L or less.
주석 전기 도금욕의 pH 는 10 이하로 하는 것이 바람직하다. 특히 주석염 (II) 을 사용하는 경우, pH 가 지나치게 높으면 4 가의 주석이 발생하기 쉬워진다. 따라서 pH 3 이하로 하는 것이 바람직하다. 한편, 주석염 (IV) 을 사용하는 경우, pH 가 지나치게 높거나, 또는 지나치게 낮으면 착물 형성이 불가능하여 도금욕의 안정성이 저하된다. 따라서 pH 는 3 ∼ 10 의 범위로 하는 것이 바람직하다. 상기 pH 조정에는, 사용한 주석염에 함유되는 유리산과 동일한 산을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 메탄술폰산주석의 경우는 메탄술폰산을 pH 조정에 사용하는 것이 바람직하다.The pH of the tin electroplating bath is preferably 10 or less. When using tin salt (II) especially, when pH is too high, tetravalent tin will become easy to generate|occur|produce. Therefore, it is preferable to set it as pH 3 or less. On the other hand, when the tin salt (IV) is used, if the pH is too high or too low, complex formation is impossible and the stability of the plating bath is lowered. Therefore, it is preferable to make pH into the range of 3-10. It is preferable to use the same acid as the free acid contained in the used tin salt for the said pH adjustment, for example, in the case of tin methanesulfonic acid, it is preferable to use methanesulfonic acid for pH adjustment.
본 발명의 주석 전기 도금욕을 사용하여 전기 도금을 실시할 때의 예를 들어 욕 온도, 전류 밀도, 도금욕 침지 시간 등의 조건은, 주석 전기 도금에서 통상 실시되고 있는 방법이나 조건을 채용할 수 있다.When performing electroplating using the tin electroplating bath of the present invention, for example, the conditions such as bath temperature, current density, plating bath immersion time, and the like, methods and conditions commonly used in tin electroplating can be adopted. have.
본 발명에서 규정한 주석 전기 도금욕을 사용하고, 전기 도금을 실시하여 얻어지는 주석 도금 피막은, 막 두께 (t) 방향 단면에 있어서의 t/2 위치의 비커스 경도가 10 이하로 억제되어 있다. 상기 비커스 경도는, 바람직하게는 9.0 미만, 보다 바람직하게는 8.5 이하이다. 또한, 주석 도금 피막의 보호막으로서의 역할 등을 고려하면, 비커스 경도의 하한치는 대체로 4 정도이다.As for the tin plating film obtained by electroplating using the tin electroplating bath prescribed|regulated by this invention, the Vickers hardness of the t/2 position in the film thickness (t) direction cross section is suppressed to 10 or less. The said Vickers hardness becomes like this. Preferably it is less than 9.0, More preferably, it is 8.5 or less. In addition, when the role etc. as a protective film of a tin plating film are considered, the lower limit of Vickers hardness is about 4 in general.
본원은, 2014년 6월 11일에 출원된 일본 특허출원 제2014-120714호에 기초하는 우선권의 이익을 주장하는 것이다. 2014년 6월 11일에 출원된 일본 특허출원 제2014-120714호의 명세서의 전체 내용이, 본원의 참고를 위해 원용된다.This application claims the benefit of the priority based on Japanese Patent Application No. 2014-120714 for which it applied on June 11, 2014. The entire content of the specification of Japanese Patent Application No. 2014-120714 for which it applied on June 11, 2014 is taken in for reference of this application.
실시예Example
이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 원래 하기 실시예에 의해 제한을 받는 것이 아니고, 전·후기하는 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적당하게 변경을 더하여 실시하는 것도 물론 가능하며, 그것들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited by the original examples, and it is also carried out with appropriate changes within a range that can be suitable for the purpose of the preceding and following descriptions. Of course, it is possible, and all of them are included in the technical scope of the present invention.
본 발명에서 규정한 화합물 X 의 유용성을 조사하기 위해서, 먼저, 하기 표 1A ∼ 표 1D 에 기재된 여러 가지의 성분 (수용성 주석염, 산, 계면 활성제, 화합물 X, 산화 방지제, 유기 용매) 을 함유하는 주석 전기 도금욕을 제작하였다. 표 1A ∼ 표 1D 에 있어서 공란은 첨가하고 있지 않는 것을 의미한다. 또한, 표 1A ∼ 표 1D 에 기재된 도금욕은, 모두 pH 1 이하였다. 그 도금욕을 사용하여 하기에 나타내는 도금 처리 공정과 같이, 인청동재로 이루어지는 기재의 표면에 주석 전기 도금 피막을, 하기 위스커 억제 효과의 평가용 시료는 막 두께 2 ㎛, 하기 피막 경도 측정용의 시료는 막 두께 30 ㎛ 가 되도록 형성하고, 주석 도금 피막이 형성된 시료를 얻었다.In order to investigate the usefulness of the compound X defined in the present invention, first, various components (water-soluble tin salt, acid, surfactant, compound X, antioxidant, organic solvent) listed in Tables 1A to 1D below are contained. A tin electroplating bath was prepared. In Table 1A - Table 1D, a blank means that it is not added. In addition, all of the plating baths of Table 1A - Table 1D were pH 1 or less. Using the plating bath, as in the plating process shown below, a tin electroplating film was applied to the surface of a substrate made of a phosphor bronze material. was formed so that it might become a film thickness of 30 micrometers, and the sample in which the tin plating film was formed was obtained.
(도금 처리 공정)(Plating process)
전해 탈지 (2 분) → 수세 (30 초) → 산세 (30 초) → 수세 (30 초) → 하지 니켈 도금 (막 두께 1.5 ㎛, 하기 조건) → 수세 (30 초) → 산세 (30 초) → 수세 (30 초) → 주석 도금 (하기 조건) → 수세 (30 초) → 이온 교환 수세 → 건조Electrolytic degreasing (2 min) → Water washing (30 sec) → Pickling (30 sec) → Water washing (30 sec) → Base nickel plating (film thickness 1.5 µm, the following conditions) → Water washing (30 sec) → Pickling (30 sec) → Washing with water (30 sec) → Tin plating (under the following conditions) → Washing with water (30 sec) → Washing with ion exchange water → Drying
상기 공정에 있어서의 하지 니켈 도금에서는, 도금욕으로서, 술팜산니켈 도금욕 (조성은, 술팜산니켈:300 g/ℓ, 염화니켈:15 g/ℓ, 붕산:30 g/ℓ) 을 사용하고, 하기 조건에서 전기 도금을 실시하였다.In the base nickel plating in the above step, a nickel sulfamate plating bath (composition, nickel sulfamate: 300 g/L, nickel chloride: 15 g/L, boric acid: 30 g/L) is used as the plating bath, , electroplating was performed under the following conditions.
(니켈 도금 조건)(Nickel plating conditions)
음극 전류 밀도:8 A/d㎡Cathode current density: 8 A/d㎡
액온:50 ℃Liquid temperature: 50 degrees Celsius
도금 시간:60 초Plating time: 60 seconds
pH:4.0pH: 4.0
또 상기 공정에 있어서의 주석 도금에서는, 하기 조건에서 전기 도금을 실시하였다.Moreover, in the tin plating in the said process, electroplating was performed under the following conditions.
(주석 도금 조건)(Tin plating conditions)
음극 전류 밀도:20 A/d㎡Cathode current density: 20 A/d㎡
액온:50 ℃Liquid temperature: 50 degrees Celsius
도금 시간:위스커 억제 효과의 평가용 시료의 경우:12 초Plating time: For samples for evaluation of whisker suppression effect: 12 seconds
피막 경도 측정용 시료의 경우:180 초For samples for film hardness measurement: 180 seconds
상기 얻어진 시료를 사용하여, 위스커 억제 효과의 평가와 피막 경도의 측정을 하기와 같이 실시하였다.Using the obtained sample, evaluation of the whisker suppression effect and measurement of film hardness were performed as follows.
[위스커 억제 효과의 평가][Evaluation of whisker inhibitory effect]
상기 평가 시료를 사용하여, 위스커 억제 효과의 평가를 실시하였다. 그 평가에 있어서, 하중 시험 및 위스커 측정은, 전자 정보 기술 산업 협회 규격의 전자 기기용 커넥터의 위스커 시험 방법 (JEITA RC-5241) 에 기초하여 실시하였다. 구체적으로는, 하중 시험기를 사용하여 구 압자법으로, 주석 도금 피막에 대해 직경 1 ㎜ 의 지르코니아 볼 압자를 사용하여 하중 200 g 을 국부적으로 가하여 120 시간 방치하였다. 그 후, 주석 도금 피막으로부터 하중을 제거하고, 주석 도금 피막의 압흔 지점을, 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의해 배율 2,000 배로 관찰하였다. 그 SEM 이미지를 사용하여 압흔 주변으로부터 발생한 위스커를 측장하였다. 상기 압흔의 SEM 이미지의 일례를 도 1 에 나타낸다. 또 도 2 에, 상기 도 1 의 SEM 이미지의 일부를 확대하고, 위스커 길이 측정의 일례를 나타낸 사진을 나타낸다.The whisker inhibitory effect was evaluated using the evaluation sample. The evaluation WHEREIN: The load test and whisker measurement were performed based on the whisker test method (JEITA RC-5241) of the connector for electronic devices of the Electronic Information Technology Industry Association standard. Specifically, a load of 200 g was locally applied to the tin-plated film using a zirconia ball indenter with a diameter of 1 mm by the ball indenter method using a load tester and allowed to stand for 120 hours. Then, the load was removed from the tin plating film, and the indentation point of the tin plating film was observed with the magnification of 2,000 times with a scanning electron microscope (SEM). The SEM image was used to measure the whiskers arising from the perimeter of the indentation. An example of the SEM image of the said indentation is shown in FIG. Moreover, in FIG. 2, a part of the SEM image of the said FIG. 1 is enlarged, and the photograph which showed an example of whisker length measurement is shown.
본 실시예에서는, 애스펙트비 (길이/직경) 가 2 이상인 것을 측정 대상의 「위스커」로 하여, 그 길이나 개수를 측정하였다. 위스커 길이의 측정 방법은, JEITA ET-7410 의 부속서 2 와 같이 하였다. 기둥상의 위스커의 길이와 직경의 측정 위치는 도 3 에 나타내는 바와 같고, 철사상의 위스커의 길이의 측정 위치는 상기 도 2 에 나타내는 바와 같다. 상기 도 2 와 같이 위스커가 절곡되어 있는 경우는, 직선 거리에서 가장 길어지는 지점을 측정하였다.In this Example, the thing with an aspect-ratio (length/diameter) of 2 or more was set as the "whisker" to be measured, and the length and number were measured. The whisker length was measured as in Annex 2 of JEITA ET-7410. The measuring positions of the length and diameter of the column-shaped whiskers are as shown in FIG. 3 , and the measuring positions of the length of the wire-shaped whiskers are as shown in FIG. 2 . When the whisker is bent as shown in FIG. 2, the longest point in the straight line distance was measured.
육안으로 볼 수 있는 위스커로서 길이가 1 ㎛ 이상인 것을 대상으로, 길이가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 위스커와, 길이가 10 ㎛ 초과인 위스커의 각 개수를 카운트하였다. 이 측정을, 1 시료에 대해 1 개의 압흔 또는 1 시료에 대해 복수의 압흔으로 실시하였다. 상기 복수의 압흔을 형성한 경우, 길이가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 위스커와, 길이가 10 ㎛ 초과인 위스커의 각 개수는, 1 개의 압흔당의 평균치를 구하였다. 그리고 하기의 기준에 의해 평가하였다. 하기의 기준에서는, A 와 B 의 경우를 합격, 특히 A 의 경우를 양호라고 판단하고, C 의 경우를 불합격이라고 판단하였다.For whiskers with a length of 1 µm or more that can be seen with the naked eye, the number of whiskers having a length of 1 µm or more and 10 µm or less and whiskers having a length of more than 10 µm were counted. This measurement was performed with one indentation for one sample or a plurality of indentations for one sample. When the plurality of indentations were formed, the average value of each number of whiskers having a length of 1 µm or more and 10 µm or less and whiskers having a length of more than 10 µm was obtained as an average value per one indentation. And it evaluated by the following criteria. In the following standards, the cases of A and B were judged as pass, especially the case of A was judged as good, and the case of C was judged as failing.
(평가 기준)(Evaluation standard)
A:길이 10 ㎛ 초과의 위스커는 관찰되지 않고, 길이 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 위스커는 5 개 이하 관찰되었다.A: No whiskers exceeding 10 µm in length were observed, and 5 or less whiskers having a length of 1 µm or more and 10 µm or less were observed.
B:길이 10 ㎛ 초과의 위스커는 관찰되지 않고, 길이 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하의 위스커는 6 개 이상 관찰되었다.B: No whiskers exceeding 10 µm in length were observed, and 6 or more whiskers having a length of 1 µm or more and 10 µm or less were observed.
C:길이 10 ㎛ 초과의 위스커가 1 개 이상 관찰되었다.C: One or more whiskers having a length of more than 10 µm were observed.
[주석 도금 피막의 경도의 측정][Measurement of hardness of tin plating film]
상기 평가 시료를 수지에 매립하고, 주석 도금 피막의 막 두께 (t) 방향 단면에 있어서의 t/2 위치의 비커스 경도를 측정하였다. 측정 조건은 하기와 같다. 그 비커스 경도는 표 1A ∼ 표 1D 의 「피막 경도 [Hv]」에 나타낸다.The said evaluation sample was embedded in resin, and the Vickers hardness of the t/2 position in the film thickness (t) direction cross section of a tin plating film was measured. Measurement conditions are as follows. The Vickers hardness is shown in "film hardness [Hv]" of Table 1A - Table 1D.
(피막 경도의 측정 조건)(Measurement conditions for film hardness)
측정 기기:주식회사 아카시 제조 미소 경도 시험기 HM-124Measuring instrument: Akashi Co., Ltd. micro hardness tester HM-124
하중:0.0010 kg (0.0098 N)Load: 0.0010 kg (0.0098 N)
유지 시간:15 초Holding time: 15 seconds
인가 속도:10 ㎛/초Application rate: 10 µm/sec
이들 결과를 표 1A ∼ 표 1D 에 병기한다.These results are written together in Table 1A - Table 1D.
[표 1A][Table 1A]
[표 1B][Table 1B]
[표 1C][Table 1C]
[표 1D][Table 1D]
표 1A ∼ 표 1D 중, 실시예 1 ∼ 27 은 본 발명의 요건을 만족시키는 본 발명예이다. 이들 예에서는, 규정한 화합물 X 를 함유하는 도금욕을 사용하여, 주석 도금 피막을 형성하고 있기 때문에, 얻어진 주석 도금 피막은, 외부 응력을 주어도, 위스커 발생이 억제되고 있다. 이에 대해 비교예 1 ∼ 6 은, 규정한 화합물 X 를 함유하지 않고, 비교예 1 은, 특허문헌 1 에 나타난 2-메르캅토벤조티아졸, 비교예 5 는, 특허문헌 3 에 나타난 메타크릴산, 비교예 6 은, 특허문헌 3 에 나타난 메타크릴산과 특허문헌 2 및 4 에 나타난 나프토알데히드를 함유하는 예이다. 이들 비교예에서는, 모두 긴 위스커가 발생하였다.In Tables 1A to 1D, Examples 1-27 are inventive examples satisfying the requirements of the present invention. In these examples, since the tin plating film is formed using the plating bath containing the prescribed|regulated compound X, even if an external stress is applied to the obtained tin plating film, whisker generation|occurrence|production is suppressed. On the other hand, Comparative Examples 1 to 6 do not contain the prescribed compound X, Comparative Example 1 is 2-mercaptobenzothiazole shown in Patent Document 1, Comparative Example 5 is methacrylic acid shown in Patent Document 3; Comparative Example 6 is an example containing methacrylic acid shown in Patent Document 3 and naphthoaldehyde shown in Patent Documents 2 and 4. In all of these comparative examples, long whiskers were generated.
또 실시예 1 ∼ 27 과 비교예 1 ∼ 6 의 피막 경도를 대비하자, 실시예 1 ∼ 27 은, 비교예 1 ∼ 6 보다 피막 경도가 저하되어 있다. 실시예 1 ∼ 27 은, 상기 서술한 바와 같이 화합물 X 를 사용하여 주석 도금 피막을 형성했기 때문에, 얻어진 주석 도금 피막은 피막 경도가 저하되고, 그 결과, 외부 응력이 부가되었을 때에 그 응력이 완화되어, 위스커 발생이 억제된 것이라고 생각된다.Moreover, when Examples 1-27 and the film hardness of Comparative Examples 1-6 are compared, the film hardness of Examples 1-27 is falling rather than Comparative Examples 1-6. In Examples 1-27, since the tin-plated film was formed using the compound X as described above, the obtained tin-plated film had reduced film hardness, and as a result, the stress was relieved when an external stress was applied. , it is thought that whisker generation was suppressed.
특히, 실시예 1 ∼ 4, 6, 7, 10, 12, 13, 15, 17 및 18 의 위스커 평가의 결과가 A 인 바와 같이, 화합물 X 로서, 플라보노이드 또는 그 배당체를 사용한 경우에, 위스커 발생이 충분히 억제될 수 있는 것을 알 수 있다. 또 플라보노이드 또는 그 배당체를 사용한 경우는, 피막 경도가 9.0 미만인 경우에, 위스커 발생이 충분히 억제될 수 있는 것을 알 수 있다.In particular, as the result of the whisker evaluation of Examples 1 to 4, 6, 7, 10, 12, 13, 15, 17 and 18 is A, when a flavonoid or a glycoside thereof is used as the compound X, whisker generation is It can be seen that it can be sufficiently suppressed. In addition, when flavonoids or glycosides thereof are used, it can be seen that whisker generation can be sufficiently suppressed when the film hardness is less than 9.0.
Claims (7)
1 가 알코올류, 및 2 가 알코올류로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 유기용매
를 함유하고,
상기 유기용매의 함유량은 5 g/ℓ ~ 100 g/ℓ 인 것을 특징으로 하는 주석 전기 도금욕.At least one compound selected from the group consisting of a flavonoid compound and its glycoside, a compound having a xanthene skeleton and a glycoside thereof, and a compound having an acridine skeleton and a glycoside thereof (hereinafter referred to as compound X), and
At least one organic solvent selected from the group consisting of monohydric alcohols and dihydric alcohols
contains
The content of the organic solvent is a tin electroplating bath, characterized in that 5 g / ℓ ~ 100 g / ℓ.
상기 화합물 X 로서, 상기 플라보노이드 화합물과 그 배당체로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 사용하는 주석 전기 도금욕.The method of claim 1,
A tin electroplating bath using, as the compound X, at least one compound selected from the group consisting of the flavonoid compound and its glycosides.
상기 화합물 X 를, 전기 도금욕 중에서 차지하는 비율로 0.0001 g/ℓ 이상 5 g/ℓ 이하 함유하는 주석 전기 도금욕.3. The method of claim 1 or 2,
A tin electroplating bath containing 0.0001 g/L or more and 5 g/L or less of the compound X in the electroplating bath.
상기 1 가 알코올류는 메탄올, 및 2-프로판올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고,
상기 2 가 알코올류는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 및 트리에틸렌글리콜로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 주석 전기 도금욕.3. The method of claim 1 or 2,
The monohydric alcohol is at least one selected from the group consisting of methanol and 2-propanol,
The tin electroplating bath, wherein the dihydric alcohol is at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, and triethylene glycol.
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