KR102393963B1 - Plasma focus ring reuse replacement method for semiconductor etching apparatus - Google Patents

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KR102393963B1 KR1020200029225A KR20200029225A KR102393963B1 KR 102393963 B1 KR102393963 B1 KR 102393963B1 KR 1020200029225 A KR1020200029225 A KR 1020200029225A KR 20200029225 A KR20200029225 A KR 20200029225A KR 102393963 B1 KR102393963 B1 KR 102393963B1
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Abstract

본 발명은 플라즈마 가스의 반복적인 노출로 슬롯 부분이 손상되면 플라즈마 포커스 링 전체를 교체하지 않고 손상된 하부쪽만 절단하여 교체할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법에 관한 것으로, 단일품으로 형성된 플라즈마 포커스 링의 사용중 손상된 슬롯 부분을 이루는 하부 링을 절단하는 단계와, 상기 절단된 하부측 링을 새로운 하부 링으로 대체하는 단계와, 상기 대체된 하부 링을 상부 링에 밀착시켜 결합부재로 상부 링과 하부 링을 서로 결합하여 상부 링은 그대로 사용하고 하부 링만 교체하여 재사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus that can be replaced by cutting only the damaged lower side without replacing the entire plasma focus ring when a slot portion is damaged due to repeated exposure to plasma gas, Cutting a lower ring constituting a slot portion damaged during use of the formed plasma focus ring; replacing the cut lower ring with a new lower ring; By combining the ring and the lower ring with each other, the upper ring is used as it is, and only the lower ring is replaced and reused.

Description

반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법{PLASMA FOCUS RING REUSE REPLACEMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS}Plasma FOCUS RING REUSE REPLACEMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR ETCHING APPARATUS

본 발명은 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 가스의 반복적인 노출로 슬롯 부분이 손상되면 플라즈마 포커스 링 전체를 교체하지 않고 손상된 하부쪽만 절단하여 교체할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of reusing and replacing a plasma focus ring in a semiconductor etching apparatus, and more particularly, when a slot portion is damaged due to repeated exposure to plasma gas, the plasma focus ring can be replaced by cutting only the damaged lower side without replacing the entire plasma focus ring. It relates to a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus.

통상적인 반도체 웨이퍼 공정을 보면, 1) 웨이퍼를 제작하는 공정, 2) 웨이퍼 표면에 산화 막을 형성시키는 산화 공정, 3) 준비된 웨이퍼 위에 반도체 회로를 그려 넣는 포토공정, 4) 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하여 반도체 구조를 형성하는 패턴을 만드는 에칭(식각)공정, 5) 웨이퍼 위에 원하는 분자 또는 단위의 물질을 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게 하는 증착공정, 6) 소자 동작 신호가 섞이지 않고 잘 전달되도록 선을 연결하는 금속 배선 공정, 7) EDS test(electrical die sorting) 웨이퍼 상태인 각각의 칩들이 원하는 품질 수준에 도달하는지를 체크하는 테스트 공정, 8) 외부 환경으로부터 배선, 전력공급, 직접회로의 보호, 단자 간 연결을 위한 전기적 포장을 하는 패키징 공정으로 이루어진다.In a typical semiconductor wafer process, 1) wafer manufacturing process, 2) oxidation process to form an oxide film on the wafer surface, 3) photo process to draw semiconductor circuits on the prepared wafer, 4) other parts except for necessary circuit patterns An etching (etching) process to create a pattern to form a semiconductor structure by removing Metal wiring process that connects wires to ensure good transmission, 7) EDS test (electrical die sorting) A test process that checks whether each chip in the wafer state reaches the desired quality level, 8) Wiring, power supply, and integrated circuit from the external environment The packaging process consists of electrical packaging for protection of terminals and connections between terminals.

한편, 상기 에칭공정 시 챔버의 내부에 장착되어, 플라즈마 가스의 확산을 방지하면서도 가스의 유동 제어 및 양을 조절토록 하여 안정화된 에칭작업이 가능토록 하는 역할을 수행하는 포커스 링이 구성된다.Meanwhile, a focus ring installed inside the chamber during the etching process to prevent diffusion of plasma gas while controlling the flow and amount of gas to enable a stabilized etching operation is configured.

상기 포커스 링의 경우 소모성 부품으로써, 챔버의 내부에서 플라즈마 가스에 지속적으로 노출됨에 따라 일정기간 사용 후에는 상기 포커스 링을 교체한 후 에칭 작업을 진행하고 있다.In the case of the focus ring, as a consumable part, since it is continuously exposed to plasma gas inside the chamber, the focus ring is replaced after being used for a certain period of time and then etching is performed.

한편, 종래에는 포커스 링이 하나의 단일품으로 형성되어 챔버의 내부에서 장기간 사용 시 단일품으로 형성된 포커스 링을 그대로 분리시킨 후, 새로운 한정 링을 교체한 후 사용하고 있다.On the other hand, in the related art, the focus ring is formed as a single piece, and when the focus ring is used for a long period of time inside the chamber, the focus ring formed as a single piece is separated as it is, and then a new confinement ring is replaced before use.

특히, 상기 포커스 링은 소모품으로써, 지속적인 교체를 할 경우 많은 유지보수 비용이 발생하기 마련인데, 상기 포커스 링의 교체 및 경제적 효율성을 가질 수 있도록 개량된 포커스 링이 필요한 실정이다.In particular, since the focus ring is a consumable item, a high maintenance cost tends to occur when continuously replacing it. However, there is a need for an improved focus ring to be replaced and economically efficient.

또한, 종래에는 플라즈마 가스의 지속적인 노출에 의해 플라즈마 가스가 통과하는 포커스 링의 하부쪽에 형성된 슬롯 부분만 주로 손상이 발생되고 상부쪽은 플라즈마 가스의 노출에 의한 영향을 크게 받지 않아 손상되지 않았는데도 슬롯 부분의 손상에 의해 포커스 링 전체를 교체해야 하는 실정이다.In addition, in the related art, only the slot portion formed at the lower side of the focus ring through which the plasma gas passes due to continuous exposure to plasma gas is mainly damaged, and the upper side is not greatly affected by the exposure of the plasma gas, so that the slot portion is not damaged even though it is not damaged. Due to damage, the entire focus ring needs to be replaced.

대한민국 공개특허공보 제10-2018-0008290호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2018-0008290

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 그 목적은 단일품으로 형성된 플라즈마 포커스 링의 슬롯 부분이 플라즈마 가스에 지속적으로 노출됨에 따라 슬롯이 형성된 하부 링만 주로 손상이 발생되어 사용중인 플라즈마 포커스 링의 손상 부위인 슬롯이 형성된 하부 링의 일정 부위를 절단하여 손상 부위만 다른 하부 링으로 교체 조립할 수 있어 교체시 플라즈마 포커스 링 전체를 교체하지 않아 부품비를 절감할 수 있는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the above problems, and its purpose is that only the lower ring in which the slot is formed is mainly damaged as the slotted portion of the plasma focus ring formed as a single piece is continuously exposed to plasma gas. Plasma of a semiconductor etching device that can reduce parts cost by not replacing the entire plasma focus ring when replacing the damaged part of the plasma focus ring by cutting a certain part of the slotted lower ring and replacing only the damaged part with another lower ring An object of the present invention is to provide a method for reusing and replacing a focus ring.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법은 단일품으로 형성된 플라즈마 포커스 링의 사용중 손상된 슬롯 부분을 이루는 하부 링을 절단하는 단계와, 상기 절단된 하부측 링을 새로운 하부 링으로 대체하는 단계와, 상기 대체된 하부 링을 상부 링에 밀착시켜 결합부재로 상부 링과 하부 링을 서로 결합하여 상부 링은 그대로 사용하고 하부 링만 교체하여 재사용하는 단계를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, a method for reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to an embodiment of the present invention includes cutting a lower ring constituting a slot portion damaged during use of a plasma focus ring formed as a single product, and the cut The steps of replacing the lower ring with a new lower ring, and attaching the replaced lower ring to the upper ring to combine the upper and lower rings with a coupling member to use the upper ring as it is and replace only the lower ring for reuse. may include

상기 하부 링을 절단하는 단계는, 상기 슬롯이 형성된 하부 링의 모서리 부분을 절단공구를 이용하여 절단할 수 있다.In the step of cutting the lower ring, a corner portion of the lower ring in which the slot is formed may be cut using a cutting tool.

상기 하부 링의 모서리부분을 절단시 상부 링과 접하는 부분이 라운드 형태로 가공되어 모서리 지점의 정밀한 절단이 쉽지 않아 모서리 지점에서 상부 링 쪽으로 일정 높이를 남겨 두고 절단할 수 있다.When cutting the corner of the lower ring, the portion in contact with the upper ring is processed in a round shape, so it is not easy to precisely cut the corner, so it can be cut leaving a certain height from the corner to the upper ring.

상기 하부 링을 절단하는 단계는, 상기 슬롯이 형성된 하부 링의 외곽 둘레를 하부 링이 절단되지 않도록 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링의 나머지 부분을 연삭하여 절단할 수 있다.The cutting of the lower ring may include cutting the outer periphery of the slotted lower ring so that the lower ring is not cut, and then grinding the rest of the uncut lower ring.

상기 하부 링을 절단하는 단계는, 상기 슬롯이 형성된 하부 링의 외곽 둘레를 하부 링이 절단되지 않도록 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링의 나머지 부분을 레이저로 절단할 수 있다.The step of cutting the lower ring may include cutting the outer periphery of the slotted lower ring so that the lower ring is not cut, and then cutting the remaining portion of the lower ring that is not cut with a laser.

상기 하부 링을 절단하는 단계는, 상기 슬롯이 형성된 하부 링의 외곽 둘레를 하부 링이 절단되지 않도록 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링의 나머지 부분을 노즐팁으로 절단할 수 있다.The step of cutting the lower ring may include cutting the outer periphery of the slotted lower ring so that the lower ring is not cut, and then cutting the remaining portion of the lower ring that is not cut with a nozzle tip.

상기 하부 링을 노즐팁으로 절단함에 있어, 상기 노즐팁을 하부 링의 바닥면과 수직이 아닌 경사지게 위치시켜 하부 링을 절단할 수 있다.In cutting the lower ring with the nozzle tip, the lower ring can be cut by positioning the nozzle tip at an angle rather than perpendicular to the bottom surface of the lower ring.

상기 대체된 하부 링을 상부 링에 결합하는 단계는, 상기 상부 링의 하부에 체결홈을 형성하고 상기 하부 링에 체결홈과 관통되게 결합홈을 형성하며 상기 결합홈으로 삽입되는 결합부재를 체결홈에 체결하여 상부 링과 대체된 하부 링을 서로 결합할 수 있다.In the step of coupling the replaced lower ring to the upper ring, a fastening groove is formed in the lower portion of the upper ring, a coupling groove is formed in the lower ring to pass through the fastening groove, and the coupling member inserted into the coupling groove is fastened to the fastening groove. By fastening to the upper ring and the replaced lower ring can be combined with each other.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법에 의하면, 단일품으로 이루어진 플라즈마 포커스 링을 사용중 하부 링의 슬롯 부분이 플라즈마 가스의 노출로 인해 상부 링 보다 손상률이 높아 교체 시 플라즈마 포커스 링 전체가 아닌 슬롯 부분의 하부 링을 절단한 후 새로운 하부 링으로 대체하여 상부 링에 결합함으로써 플라즈마 포커스 링의 전체를 교체할 필요 없이 손상 부위의 하부 링만 교체하여 재사용할 수 있어 경제성을 극대화할 수 있다.As described above, according to the method for reusing and replacing the plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention, the slot portion of the lower ring has a higher damage rate than the upper ring due to exposure to plasma gas while using the plasma focus ring made of a single piece. When replacing, the lower ring of the slot part, not the entire plasma focus ring, is cut and replaced with a new lower ring and joined to the upper ring, so there is no need to replace the entire plasma focus ring and only the lower ring in the damaged area can be replaced and reused, making it economical can be maximized.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법을 도시한 공정도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법의 다른 일 예를 도시한 공정도이다.1 is a flowchart illustrating a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
2 is a perspective view illustrating a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
3 is a process diagram illustrating a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.
4 to 6 are process diagrams illustrating another example of a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

도면들에 있어서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니며 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 본 명세서에서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 권리 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.In the drawings, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown and are exaggerated for clarity. Although specific terms have been used herein, they are used for the purpose of describing the present invention, and are not used to limit the meaning or scope of the present invention described in the claims.

본 명세서에서 '및/또는'이란 표현은 전후에 나열된 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, '연결되는/결합되는'이란 표현은 다른 구성요소와 직접적으로 연결되거나 다른 구성요소를 통해 간접적으로 연결되는 것을 포함하는 의미로 사용된다. 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 또한, 명세서에서 사용되는 '포함한다' 또는 '포함하는'으로 언급된 구성요소, 단계, 동작 및 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및 소자의 존재 또는 추가를 의미한다.In this specification, the expression 'and/or' is used in a sense including at least one of the elements listed before and after. In addition, the expression 'connected/coupled' is used in a sense including being directly connected to another element or indirectly connected through another element. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. Also, as used herein, a component, step, operation, and element referred to as 'comprises' or 'comprising' refers to the presence or addition of one or more other components, steps, operation and element.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 측(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer (film), region, pattern or structures is placed “on” or “under” the substrate, each side (film), region, pad or patterns. The description "formed on" includes both those formed directly or through another layer. The standards for the upper/above or lower/lower layers of each layer will be described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법을 도시한 순서도이며, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링을 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법을 도시한 공정도이며, 도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법의 다른 일 예를 도시한 공정도이다.1 is a flowchart illustrating a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view illustrating a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention, and FIG. It is a process diagram illustrating a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus, and FIGS. 4 to 6 are process diagrams illustrating another example of a method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus according to the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법은 상부 링(110)과 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)이 일체형의 단일품으로 이루어진 플라즈마 포커스 링(100)을 사용중 플라즈마 가스 노출에 의해 슬롯(121) 부분에 손상이 발생되면 슬롯(121) 부분을 이루는 하부 링(120)을 절단하게 된다.(S100)1 to 3, in the method for reusing and replacing the plasma focus ring of the semiconductor etching apparatus according to the present invention, the upper ring 110 and the lower ring 120 in which the slot 121 is formed are formed as a single piece. If the slot 121 is damaged due to plasma gas exposure while using the plasma focus ring 100, the lower ring 120 constituting the slot 121 is cut (S100).

즉, 상기 플라즈마 포커스 링(100)이 소모품으로 사용중 플라즈마 가스가 슬롯 부분을 통해 배출되어 플라즈마 가스의 지속적인 노출에 의해 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)이 상부 링(110) 보다 빨리 손상됨으로써 소모품인 플라즈마 포커스 링(100)을 주기적으로 교체해주어야 한다.That is, the plasma gas is discharged through the slot portion while the plasma focus ring 100 is being used as a consumable, and the lower ring 120 in which the slot 121 is formed is damaged faster than the upper ring 110 by continuous exposure to the plasma gas. The plasma focus ring 100, which is a consumable, needs to be replaced periodically.

이때, 상기 플라즈마 포커스 링(100)이 상부 링(110)과 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)이 일체형인 단일품으로 이루어져 상부 링(110)이 손상되지 않아도 슬롯(121) 부분이 손상되면 플라즈마 포커스 링(100) 전체를 교체하지 않고 손상된 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)을 절단하여 새로운 하부 링(120a)으로 대체할 수 있다.At this time, since the plasma focus ring 100 is made of a single piece in which the upper ring 110 and the lower ring 120 having the slot 121 are formed, the slot 121 is damaged even if the upper ring 110 is not damaged. In this case, the lower ring 120 in which the damaged slot 121 is formed may be cut and replaced with a new lower ring 120a without replacing the entire plasma focus ring 100 .

상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(110)을 절단(S100)함에 있어, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)의 모서리 부분을 절단공구(도시하지 않음)를 이용하여 절단하게 된다.When the lower ring 110 in which the slot 121 is formed is cut (S100), the edge portion of the lower ring 120 in which the slot 121 is formed is cut using a cutting tool (not shown).

또한, 상기 하부 링(120)의 모서리 부분을 절단할 때 상부 링(110)과 접하는 부분이 직각이 아닌 라운드(R) 형태로 가공됨으로써 모서리 지점의 정밀한 절단이 쉽지 않아 상부 링(110)과 접하는 부분의 모서리 지점에서 상부 링(110) 쪽으로 일정 높이(ℓ)를 남겨 두고 절단할 수 있다.In addition, when cutting the corner portion of the lower ring 120, the portion in contact with the upper ring 110 is processed in a round (R) shape rather than a right angle, so it is not easy to precisely cut the corner point. It can be cut while leaving a certain height (ℓ) toward the upper ring 110 from the corner point of the part.

즉, 상기 상부 링(110)과 하부 링(120)을 분리시키기 위해 상기 하부 링(120)을 절단시 라운드(R) 형태로 가공된 모서리 지점을 절단하지 않고 상기 상부 링(110)의 상부쪽으로 0.5㎜ ~ 1.5㎜ 정도의 높이(ℓ)에서 절단하게 되어 정밀 가공이 가능하면서 교체되는 부위를 최소화할 수 있다.That is, when cutting the lower ring 120 to separate the upper ring 110 and the lower ring 120, toward the upper portion of the upper ring 110 without cutting the corner points processed in a round (R) shape. It is cut at a height (ℓ) of about 0.5 mm to 1.5 mm, so precision processing is possible and replacement parts can be minimized.

상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)을 절단(S100)하는 다른 예로서 도 4에서와 같이, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)의 외곽 테두리 둘레를 절삭공구(도시하지 않음)를 이용하여 절삭하되 상기 하부 링(120)이 절단되지 않도록 절삭하게 된다.As another example of cutting (S100) the lower ring 120 in which the slot 121 is formed, a cutting tool (not shown) around the outer rim of the lower ring 120 in which the slot 121 is formed, as shown in FIG. 4 . ), but cut so that the lower ring 120 is not cut.

즉, 상기 하부 링(120)의 외곽 테두리 둘레를 절삭 시 하부 링(120) 전체를 곧바로 절삭하면 상기 하부 링(120)의 모서리 지점이 정밀하게 절삭되지 않고 손상될 우려가 있어 0.01㎜ ~ 0.1㎜ 정도를 남겨두고 절삭하게 된다.That is, if the entire lower ring 120 is directly cut when cutting around the outer edge of the lower ring 120 , the edge point of the lower ring 120 is not precisely cut and there is a risk of being damaged, 0.01 mm ~ 0.1 mm It is cut to leave a degree.

그리고, 상기 하부 링(120)의 일부를 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링(120)의 나머지 부분을 연삭숫돌(10)로 연삭하여 절단할 수 있다.In addition, after cutting a part of the lower ring 120 , the remaining portion of the lower ring 120 that is not cut may be ground and cut with a grinding stone 10 .

또한, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)을 절단(S100)하는 다른 일 예로서 도 5에서와 같이, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)의 외곽 테두리 둘레를 절삭공구를 이용하여 절단되지 않을 만큼 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링(120)의 나머지 부분을 레이저 절단기(20)를 이용하여 레이저로 모서리 지점이 손상되지 않도록 절단하게 된다.In addition, as another example of cutting (S100) the lower ring 120 in which the slot 121 is formed, as shown in FIG. 5, a cutting tool is cut around the outer rim of the lower ring 120 in which the slot 121 is formed. After cutting enough to not be cut using the laser cutting machine 20, the remaining portion of the lower ring 120 that is not cut is cut so as not to damage the corner points with a laser.

또한, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)을 절단(S100)하는 다른 일 예로서 도 6에서와 같이, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)의 외곽 테두리 둘레를 절삭공구를 이용하여 절단되지 않을 만큼 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링(120)의 나머지 부분을 노즐팁(30)을 이용하여 모서리 지점이 손상되지 않도록 절단하게 된다.In addition, as another example of cutting (S100) the lower ring 120 in which the slot 121 is formed, as shown in FIG. 6, a cutting tool is cut around the outer rim of the lower ring 120 in which the slot 121 is formed. After cutting enough to not be cut using the nozzle tip 30, the remaining portion of the lower ring 120 that is not cut is cut so as not to damage the corner point.

그리고, 상기 하부 링(120)의 일부분을 노즐팁(30)으로 절단할 때 상기 노즐팁(30)을 하부 링(120)의 바닥면과 수직이 아닌 경사지게 위치시켜 하부 링(120)을 절단할 수 있다.And, when cutting a part of the lower ring 120 with the nozzle tip 30, the lower ring 120 is cut by positioning the nozzle tip 30 at an angle rather than perpendicular to the bottom surface of the lower ring 120. can

이와 같이, 상기 플라즈마 포커스 링(100)이 사용중 플라즈마 가스 노출에 의해 하부 링(120)의 슬롯(121) 부분에 손상이 발생되면 플라즈마 포커스 링(100) 전체를 교체하지 않고 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)만 절단하여 상부 링(110)은 그대로 사용하고 하부 링(120a)만 교체하여 조립할 수 있어 자재비를 최소화할 수 있다.As such, when the plasma focus ring 100 is in use and the slot 121 of the lower ring 120 is damaged due to plasma gas exposure, the slot 121 is replaced without replacing the entire plasma focus ring 100 . By cutting only the formed lower ring 120, the upper ring 110 can be used as it is, and only the lower ring 120a can be replaced and assembled, thereby minimizing the material cost.

상기 플라즈마 포커스 링(100)의 슬릿(121)이 형성된 하부 링(120)을 절단한 다음 하부 링(120a)을 새제품으로 대체하게 된다.(S200)After cutting the lower ring 120 in which the slit 121 of the plasma focus ring 100 is formed, the lower ring 120a is replaced with a new product (S200).

즉, 상기 슬롯(121) 부분이 손상된 하부 링(120)을 절단하여 상부 링(110)과 분리시켜 절단된 하부 링(120a)과 동일한 새제품으로 교체하게 된다.That is, the slot 121 part is cut and separated from the upper ring 110 by cutting the damaged lower ring 120 to replace it with a new product identical to the cut lower ring 120a.

도 3 내지 도 6에서와 같이, 상기 대체된 새제품의 하부 링(120a)을 상부 링(100)에 밀착시켜 결합부재(200)로 상부 링(110)과 하부 링(120a)을 서로 결합하게 된다.(S300)3 to 6, the lower ring 120a of the replaced new product is brought into close contact with the upper ring 100 to couple the upper ring 110 and the lower ring 120a with the coupling member 200 to each other. (S300)

상기 하부 링(120a)을 상부 링(110)과 결합부재(200)로 결합(S300)함에 있어, 상기 상부 링(110)의 하부에 체결홈(111)을 형성하고 상기 하부 링(120a)에 체결홈(111)과 관통되게 결합홈(122)을 형성하게 된다.In coupling (S300) the lower ring 120a to the upper ring 110 and the coupling member 200, a fastening groove 111 is formed in the lower portion of the upper ring 110, and the lower ring 120a is A coupling groove 122 is formed to pass through the fastening groove 111 .

또한, 상기 결합홈(122)으로 결합부재(200)를 삽입하고 상기 결합부재(200)를 체결홈(111)에 체결하여 상기 상부 링(110)과 하부 링(120)을 서로 결합하게 된다.In addition, by inserting the coupling member 200 into the coupling groove 122 and fastening the coupling member 200 to the coupling groove 111 , the upper ring 110 and the lower ring 120 are coupled to each other.

상기와 같이 본 발명은 플라즈마 포커스 링(100)이 상부 링(110)과 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)을 일체로하여 단일품으로 이루어져 상기 플라즈마 포커스 링(100)을 사용 중 플라즈마 가스의 지속적인 노출에 의해 플라즈마 가스가 배출되는 슬롯(121) 부분에 손상이 발생되면 플라즈마 포커스 링(100)을 교체하여 사용하게 된다.As described above, in the present invention, the plasma focus ring 100 is made of a single product by integrating the upper ring 110 and the lower ring 120 having the slot 121 formed therein. If damage occurs in the portion of the slot 121 from which the plasma gas is discharged due to the continuous exposure of the plasma focus ring 100, the plasma focus ring 100 is replaced and used.

그리고, 상기 하부 링(120)의 슬롯(121) 부분이 플라즈마 가스의 노출에 의해 손상이 발생되면 상기 상부 링(110)과 일체로 이루어진 하부 링(120)을 절단한 다음 손상된 하부 링(120)을 새제품의 하부 링(120a)으로 대체하여 상기 상부 링(110)에 하부 링(120a)을 결합부재(200)로 서로 결합시켜 재사용할 수 있게 된다.Then, when the slot 121 portion of the lower ring 120 is damaged by exposure to plasma gas, the lower ring 120 integrally formed with the upper ring 110 is cut and then the lower ring 120 damaged. is replaced with the lower ring 120a of a new product, and the upper ring 110 and the lower ring 120a are coupled to each other with the coupling member 200 so that they can be reused.

또한, 상기 슬롯(121)이 형성된 하부 링(120)의 손상으로 상부 링(110)을 포함한 플라즈마 포커스 링(100) 전체를 교체하지 않고 상기 상부 링(110)은 그대로 재사용하고 손상된 하부 링(120a)만 교체함으로써 부품비를 절감하여 경제성을 향상시킬 수 있다.In addition, due to damage to the lower ring 120 in which the slot 121 is formed, the entire plasma focus ring 100 including the upper ring 110 is not replaced, but the upper ring 110 is reused as it is and the damaged lower ring 120a ) can be replaced, reducing the cost of parts and improving economic feasibility.

이와 함께, 상기 하부 링(120a)을 교체하여 사용중인 상부 링(110)과 결합하여 재사용함으로써 서로 수명이 달라 교체 주기를 달리하여 교체비를 절감할 수 있다.At the same time, by replacing the lower ring 120a and combining it with the upper ring 110 in use for reuse, the lifespan is different, and the replacement cycle can be changed to reduce replacement cost.

따라서, 상기 하부 링(120)의 손상으로 인해 단일품으로 이루어진 플라즈마 포커스 링(100)을 교체시 플라즈마 포커스 링(100) 전체를 버리지 않고 손상된 부분만 대체하여 재사용할 수 있어 제품 호환을 최대화할 수 있다.Therefore, when replacing the plasma focus ring 100 made of a single piece due to damage to the lower ring 120 , the entire plasma focus ring 100 can be replaced and reused without discarding the entire plasma focus ring 100 , thereby maximizing product compatibility. there is.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.As described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and any person with ordinary skill in the art to which the invention pertains can variously Of course, modifications are possible, and such modifications are intended to be within the scope of the claims.

100 : 플라즈마 포커스 링
110 : 상부 링
111 : 체결홈
120,120a : 하부 링
121 : 슬롯
122 : 결합홈
200 : 결합부재100: plasma focus ring
110: upper ring
111: fastening groove
120,120a: lower ring
121 : slot
122: coupling groove
200: coupling member

Claims (8)

상부 링과 슬롯이 형성된 하부 링이 일체로 되어 단일품으로 형성된 플라즈마 포커스 링의 사용중 상부 링이 손상되지 않아도 슬롯 부분이 손상되면 플라즈마 포커스 링 전체를 교체하지 않고 손상된 슬롯 부분을 이루는 하부 링을 절단하는 단계;
상기 절단된 하부 링을 새로운 하부 링으로 대체하는 단계; 및
상기 대체된 하부 링을 상부 링에 밀착시켜 결합부재로 상부 링과 하부 링을 서로 결합하여 상부 링은 그대로 사용하고 하부 링만 교체하여 재사용하는 단계;를 포함하며,
상기 하부 링을 절단하는 단계는, 상기 슬롯이 형성된 하부 링의 외곽 둘레를 하부 링이 절단되지 않도록 모서리 부분의 일부만 남겨두고 절삭한 다음 절삭되지 않은 하부 링의 나머지 모서리 부분을 연삭, 레이저 가공, 노즐팁 중 어느 하나의 방법으로 절단하고,
상기 하부 링의 모서리부분을 절단시 상부 링과 접하는 부분이 라운드 형태로 가공되어 모서리 지점의 정밀한 절단이 쉽지 않아 모서리 지점에서 상부 링 쪽으로 0.5㎜ ~ 1.5㎜ 높이에서 절단하며,
상기 대체된 하부 링을 상부 링에 결합하는 단계는, 상기 상부 링의 하부에 체결홈을 형성하고 상기 하부 링에 체결홈과 관통되게 결합홈을 형성하며 상기 결합홈으로 삽입되는 결합부재를 체결홈에 체결하여 상부 링과 대체된 하부 링을 서로 결합하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법.When the upper ring and the slotted lower ring are integrated into a single piece of plasma focus ring, if the slot part is damaged even if the upper ring is not damaged during use, the lower ring forming the damaged slot part is cut without replacing the entire plasma focus ring. step;
replacing the cut lower ring with a new lower ring; and
In close contact with the replaced lower ring to the upper ring, combining the upper ring and the lower ring with a coupling member to use the upper ring as it is and replacing only the lower ring to reuse;
The step of cutting the lower ring includes cutting the outer periphery of the lower ring in which the slot is formed, leaving only a part of the edge so that the lower ring is not cut, and then grinding the remaining edge of the lower ring that is not cut by grinding, laser processing, or nozzle. cut by any one of the tips,
When cutting the corner of the lower ring, the part in contact with the upper ring is processed in a round shape, so it is not easy to precisely cut the corner, so it is cut at a height of 0.5 mm to 1.5 mm from the corner to the upper ring,
In the step of coupling the replaced lower ring to the upper ring, a fastening groove is formed in the lower part of the upper ring, a coupling groove is formed in the lower ring to pass through the fastening groove, and the coupling member inserted into the coupling groove is fastened to the fastening groove. A method of reusing and replacing a plasma focus ring of a semiconductor etching apparatus, characterized in that the upper ring and the replaced lower ring are coupled to each other by fastening to the . 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 하부 링을 노즐팁으로 절단함에 있어, 상기 노즐팁을 하부 링의 바닥면과 수직이 아닌 경사지게 위치시켜 하부 링을 절단하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각장치의 플라즈마 포커스 링 재사용 교체방법.The method of claim 1,
In cutting the lower ring with the nozzle tip, the plasma focus ring reuse and replacement method of a semiconductor etching apparatus, characterized in that the lower ring is cut by locating the nozzle tip at an angle rather than perpendicular to the bottom surface of the lower ring. 삭제delete
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