KR102393385B1 - 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치 - Google Patents

코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치가 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비 단계, 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계, 검사 라인에 의해 이송된 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계, 광택도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계, 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계, 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계, 조도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계, 및 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법이 제공된다.

Description

코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING EROSION RESISTANCE OF COIN CELL TYPE SECONDARY BATTERY ELECTRODE TERMINAL}
본 발명은 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체, 디스플레이와 더불어 IT 기기의 핵심부품으로 이차전지 산업이 각광 받고 있다. 최근에는 대용량 전지가 사용되는 전기자전거, 하이브리드 자동차(HEV), 전기자동차(EV), 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV) 및 에너지 저장장치(ESS) 등의 용도로써 그 사용이 증가되고 있다.
일반적인 이차전지의 부품 중의 하나인 전극 단자(양극 단자 및 음극 단자)는 집전체의 말단부(즉, 전극탭)와 접촉 또는 접속되어 집전체와 외부를 전기적으로 연결하는 역할을 한다. 이러한 전극 단자는 그 일측이 이차전지의 단위셀 케이스 내부에 위치하고, 타측은 단위셀 케이스 외부에 위치하며, 단위셀 내부의 전해액이 전극 단자와 케이스의 접합부위를 통해 누액되는 것을 방지하기 위하여 절연필름이 전극 단자 중간에 부착된다.
이러한 전극 단자는 통상 집전체와 동일한 재질을 사용하며, 외부 공기 및 이물에 의한 부식을 방지하기 위해 내부식성 금속으로 도금된다. 구체적으로, 양극 단자 및 양극 집전체는 알루미늄 재질일 수 있고, 음극 단자 및 음극 집전체는 구리 재질일 수 있으며, 이러한 알루미늄 또는 구리 재질의 전극 단자는 산화가 잘되고, 부식에 약하므로 그 표면에 니켈 등을 도금하여 사용하고 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1521328호 (2015.05.18. 공고)
본 발명은 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자의 광택도 및 조도의 측정 값을 기초로 내식성 기준에 충족하는 양품의 전극 단자를 판단하여 선별하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비 단계, 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계, 검사 라인에 의해 이송된 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계, 광택도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계, 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계, 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계, 조도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계, 및 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법이 제공된다.
제1 판단 단계는 전극 단자의 광택도가 90 내지 110인 경우 양품으로 판단할 수 있다.
코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법은 제2 선별 단계 이후에, 제2 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 접촉각을 측정하는 접촉각 측정 단계, 접촉각 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 접촉각을 기설정된 접촉각 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 제3 판단 단계, 및 제3 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제3 선별 단계를 더 포함할 수 있다.
전극 단자는 크롬을 포함한 코팅재에 의해 코팅될 수 있다.
전극 단자는 스테인리스강(SUS)를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 이송시키는 검사 라인, 검사 라인에 설치되어 검사 라인을 따라 이송되는 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 유닛, 기설정된 광택도를 기준으로 광택도 측정 유닛에 의해 측정된 전극 단자의 광택도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제1 선별 유닛, 검사 라인에 설치되며, 제1 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 검사 라인을 따라 이송되는 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 유닛 및 기설정된 조도를 기준으로 조도 측정 유닛에 의해 측정된 전극 단자의 조도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제2 선별 유닛을 포함하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치가 제공된다.
제1 선별 유닛은 전극 단자의 광택도가 90 내지 110인 경우 양품으로 판단할 수 있다.
코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치는 검사 라인에 설치되며, 제2 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 검사 라인을 따라 이송되는 전극 단자의 접촉각을 측정하는 접촉각 측정 유닛, 및 기설정된 접촉각을 기준으로 접촉각 측정 유닛에 의해 측정된 전극 단자의 접촉각에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제3 선별 유닛을 더 포함할 수 있다.
전극 단자는 크롬을 포함한 코팅재에 의해 코팅될 수 있다.
전극 단자는 스테인리스강(SUS)를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자의 광택도 및 조도의 측정 값을 기초로 내식성 기준에 충족하는 양품의 전극 단자를 판단하여 선별할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 코인셀 전극 단자 내식성 평가 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지용 코인셀 전극 단자 내식성 평가 장치을 나타낸 도면.
도 3 내지 도 5는 이차전지용 코인셀 전극 단자의 주사 전자 현미경(SEM) 사진.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치(100)의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 준비 단계, 전극 단자를 검사 라인(110) 상에 배치하여 이송하는 이송 단계, 검사 라인(110)에 의해 이송된 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계, 광택도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 내식성 기준에 충족하는 양품의 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계, 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계, 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계, 조도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 내식성 기준에 충족하는 양품의 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계 및 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법이 제시된다.
본 실시예에 따르면 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자의 광택도 및 조도의 측정 값을 기설정된 광택도 및 조도를 기준과 비교하여 내식성 기준에 충족하는 양품의 전극 단자를 판단하여 선별할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치의 각 구성에 대해 설명하도록 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 준비 단계(S110)는 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 단계로, 여기서 금속 코팅은 전극 단자에 크로메이트(cromate)층을 형성하는 것을 말한다.
크로메이트는 크롬을 포함하는 코팅재를 이용하여 전극 단자를 코팅하는 것으로, 내식성이 강한 크롬 코팅재를 이용하여 내식성이 약한 전극 단자를 코팅하는 것을 말한다.
전극 단자를 코팅하는 재료, 환경 및 과정 등에 따라 전극 단자의 코팅 품질이 변할 수 있어, 이차전지를 제조 및 판매하기 전에 전극 단자의 코팅 품질을 평가할 필요가 있다.
또한, 본 실시예에서 전극 단자에서 양극 단자 및 양극 집전체는 알루미늄(AL)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있고, 음극 단자 및 음극 집전체는 스테인리스강(SUS)을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.
따라서, 본 실시예는 각 전극 단자에서 광택도, 조도 및 접촉각을 측정하여 코인셀 타입 이차전지 전극 단자의 내식성을 평가할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 이송 단계(S120)는 전극 단자를 검사 라인(110) 상에 배치하여 검사 라인(110)을 따라 이송하는 단계를 말한다.
보다 구체적으로, 검사 라인(110) 상에 전극 단자를 배치함으로써 전극 단자는 검사 라인(110)을 따라 이송되어 후술할 광택도, 조도 및 접촉각이 측정될 수 있으며, 이를 기초로 내식성 기준을 충족하는 양품이 선별될 수 있다.
일례로, 검사 라인(110)은 무한궤도로 이루어져 복수의 전극 단자를 연속하여 이송시킬 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 광택도 측정 단계(S130)는 광택도 측정 유닛(120)을 통해 검사 라인(110)에 의해 이송된 전극 단자의 광택도를 측정하는 단계를 말한다.
여기서 광택도는 빛을 입사시켜 입사하는 빛의 양에 대하여 반사되는 빛의 양을 비교하여 나타낸 것으로, 전극 단자의 코팅면의 광택도에 따라 코팅 품질을 판단할 수 있으며, 이를 통해 내식성을 평가할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 판단 단계(S140)는 광택도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 단계를 말한다.
제1 판단 단계는 제1 선별 유닛(130)에 의해서 수행될 수 있으며, 기설정된 광택도를 기준으로 전극 단자의 양품을 판단할 수 있다.
여기서 기설정된 광택도 기준은 90 내지 110의 범위로 설정될 수 있다. 따라서, 광택도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 광택도가 기설정된 광택도 범위 내에 형성되면 양품으로 판단될 수 있으며, 기설정된 광택도 범위를 초과하면 불량품으로 판단될 수 있다.
보다 구체적으로, 기설정된 광택도 범위는 90 내지 110G 범위의 광택도를 말할 수 있으며, 이러한 전극 단자의 광택도는 낮을수록 내식성이 향상될 수 있으며, 이러한 광택도는 내식성과 반비례 관계를 가질 수도 있다.
한편, 도 3은 광택도 90 내지 110GU의 범위인 이차전지 전극 단자의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이며, 도 4는 광택도 180 내지 200GU의 범위인 이차전지 전극 단자의 SEM 사진이고, 도 5는 광택도 350 내지 380GU의 범위인 이차전지 전극 단자의 SEM 사진이다. 여기서 이차전지 전극 단자는 광택도가 낮을수록 양품으로 판단될 수 있으므로, 상술한 도 3 내지 도 5의 이차전지 전극 단자 중에서, 다른 것들보다 표면이 거칠고 광택도가 낮은 도 3의 광택도 90 내지 110GU의 범위인 이차전지 전극 단자가 양품으로 판단될 수 있다.
이어서 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 선별 단계(S150)는 제1 선별 유닛(130)에 의해 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 단계를 말하며, 제1 선별 단계에 따라 양품의 전극 단자는 별도로 선별되어 조도 측정 단계 및 접촉각 측정 단계를 수행하지 않을 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 조도 측정 단계(S160)는 조도 측정 유닛(140)을 통하여 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 조도를 측정하는 단계를 말한다.
여기서 조도는 표면이 거칠고 매끄러운 정도를 나타내는 수치로 전극 단자의 코팅 품질을 판단하는 기준이 될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 판단 단계(S170)는 조도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 단계를 말하며, 제2 선별 유닛(150)에 의해 수행될 수 있다.
본 실시예는 조도 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 조도가 기설정된 조도 범위 내에 형성되면 양품으로 판단될 수 있으며, 기설정된 조도 범위 미만이거나 초과하면 불량품으로 판단될 수 있다.
이어서 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 선별 단계(S180)는 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 단계를 말하며, 제2 선별 유닛(150)에 의해 수행될 수 있다.
제2 선별 단계에서 양품의 전극 단자를 선별하게 되면 남은 전극 단자는 검사 라인(110)을 따라 계속하여 이송될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 접촉각 측정 단계(S190)는 접촉각 측정 유닛(160)을 이용하여 제2 선별 단계를 통해 선별되고 남은 전극 단자의 접촉각을 측정하는 단계를 말한다.
여기서 접촉각은 액체 방울이 고체 위에 존재할 때, 액체-기체 경계면이 액체-고체 경계면과 만드는 각을 말하며, 전극 단자의 코팅 품질을 판단하는 지표로 사용될 수 있으며 이를 통하여 전극 단자의 내식성을 평가할 수 있다.
다시 말하면, 접촉각은 액체가 고체표면의 표면장력보다 클 때, 액체의 방울이 고체의 표면에서 이루는 각을 말한다. 이러한 접촉각은 표면의 거칠기가 높을수록 상승할 수 있다. 따라서 접촉각을 통하여 전극 단자의 표면 거칠기를 알아내어, 이차전지용 전극 단자의 내식성을 평가할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제3 판단 단계(S200)는 접촉각 측정 단계를 통해 측정된 전극 단자의 접촉각을 기설정된 접촉각 기준과 비교하여 양품의 전극 단자를 판단하는 단계를 말하며, 제3 선별 유닛(170)에 의해 수행될 수 있다.
보다 구체적으로, 제3 판단 단계는 전극 단자의 접촉각이 제1 접촉각 내지 제2 접촉각 인 경우 양품으로 판단할 수 있다.
다시 말하면 접촉각 측정 단계에서 측정된 전극 단자의 접촉각이 기설정된 접촉각 범위 내에 형성되면 양품으로 판단될 수 있으며, 기설정된 접촉각 범위 미만이거나 초과하면 불량품으로 판단될 수 있다.
이어서 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제3 선별 단계(S210)는 제3 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 전극 단자를 선별하는 단계를 말하며, 제3 선별 유닛(170)에 의해 수행될 수 있다.
상술한 광택도 측정 유닛(120), 조도 측정 유닛(140) 및 접촉각 측정 유닛(160)은 검사 라인(110)에 설치되어 전극 단자가 검사 라인(110)을 따라 이동하는 과정에서 전극 단자의 광택도, 조도 및 접촉각을 측정할 수 있다.
또한, 광택도, 조도 및 접촉각을 각각 측정하는 과정 사이에 전극 단자의 양품을 선별하는 단계가 포함되어 1차적으로 광택도의 기준을 통과하면 따로 선별되고, 광택도 기준에 충족하지 못한 남은 전극 단자는 2차적으로 조도의 기준을 통과하면 따로 선별되고, 또 조도 기준에 충족하지 못한 남은 전극 단자는 3차적으로 접촉각을 기준으로 선별될 수 있다.
따라서 본 실시예의 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법 및 장치는 이러한 3단계의 측정 검사를 통하여 전극 단자의 광택도, 조도, 접촉각을 팩터로하여 내식성을 평가하여 보다 양품의 전극 단자를 선별할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치
110: 검사 라인
120: 광택도 측정 유닛
130: 제1 선별 유닛
140: 조도 측정 유닛
150: 제2 선별 유닛
160: 접촉각 측정 유닛
170: 제3 선별 유닛

Claims (10)

  1. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 준비 단계;
    상기 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계;
    상기 검사 라인에 의해 이송된 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계;
    상기 광택도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계;
    상기 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계;
    상기 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계;
    상기 조도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계; 및
    상기 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하고,
    상기 제1 판단 단계는,
    상기 전극 단자의 광택도가 90 내지 110인 경우 양품으로 판단하는, 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법.
  2. 삭제
  3. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 준비 단계;
    상기 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계;
    상기 검사 라인에 의해 이송된 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계;
    상기 광택도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계;
    상기 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계;
    상기 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계;
    상기 조도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계; 및
    상기 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하고,
    상기 제2 선별 단계 이후에,
    상기 제2 선별 단계를 통해 선별되고 남은 상기 전극 단자의 접촉각을 측정하는 접촉각 측정 단계;
    상기 접촉각 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 접촉각을 기설정된 접촉각 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제3 판단 단계; 및
    상기 제3 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제3 선별 단계를 더 포함하는, 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법.
  4. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 준비 단계;
    상기 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계;
    상기 검사 라인에 의해 이송된 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계;
    상기 광택도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계;
    상기 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계;
    상기 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계;
    상기 조도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계; 및
    상기 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하고,
    상기 전극 단자는 크롬을 포함한 코팅재에 의해 코팅되는, 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 방법.
  5. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 준비하는 준비 단계;
    상기 전극 단자를 검사 라인 상에 배치하여 이송하는 이송 단계;
    상기 검사 라인에 의해 이송된 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 단계;
    상기 광택도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 광택도를 기설정된 광택도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제1 판단 단계;
    상기 제1 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제1 선별 단계;
    상기 제1 선별 단계를 통해 선별되고 남은 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 단계;
    상기 조도 측정 단계를 통해 측정된 상기 전극 단자의 조도를 기설정된 조도 기준과 비교하여 양품의 상기 전극 단자를 판단하는 제2 판단 단계; 및
    상기 제2 판단 단계를 통해 양품으로 판단된 상기 전극 단자를 선별하는 제2 선별 단계를 포함하고,
    상기 전극 단자는 스테인리스강(SUS)를 포함하는 재질로 이루어지는, 코인셀 타입 이차 전지용 전극 단자 내식성 평가 방법.
  6. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 이송시키는 검사 라인;
    상기 검사 라인에 설치되어 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 유닛;
    기설정된 광택도를 기준으로 상기 광택도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 광택도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제1 선별 유닛;
    상기 검사 라인에 설치되며, 상기 제1 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 유닛; 및
    기설정된 조도를 기준으로 상기 조도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 조도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제2 선별 유닛을 포함하고,
    상기 제1 선별 유닛은 상기 전극 단자의 광택도가 90 내지 110인 경우 양품으로 판단하는, 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치.
  7. 삭제
  8. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 이송시키는 검사 라인;
    상기 검사 라인에 설치되어 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 유닛;
    기설정된 광택도를 기준으로 상기 광택도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 광택도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제1 선별 유닛;
    상기 검사 라인에 설치되며, 상기 제1 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 유닛; 및
    기설정된 조도를 기준으로 상기 조도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 조도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제2 선별 유닛을 포함하고,
    상기 검사 라인에 설치되며, 상기 제2 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 접촉각을 측정하는 접촉각 측정 유닛; 및
    기설정된 접촉각을 기준으로 상기 접촉각 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 접촉각에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제3 선별 유닛을 더 포함하는 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치.
  9. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 이송시키는 검사 라인;
    상기 검사 라인에 설치되어 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 유닛;
    기설정된 광택도를 기준으로 상기 광택도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 광택도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제1 선별 유닛;
    상기 검사 라인에 설치되며, 상기 제1 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 유닛; 및
    기설정된 조도를 기준으로 상기 조도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 조도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제2 선별 유닛을 포함하고,
    상기 전극 단자는 크롬을 포함한 코팅재에 의해 코팅되는, 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자 내식성 평가 장치.
  10. 금속 코팅된 코인셀 타입 이차전지용 전극 단자를 이송시키는 검사 라인;
    상기 검사 라인에 설치되어 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 광택도를 측정하는 광택도 측정 유닛;
    기설정된 광택도를 기준으로 상기 광택도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 광택도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제1 선별 유닛;
    상기 검사 라인에 설치되며, 상기 제1 선별 유닛에 의해 선별되고 남아 상기 검사 라인을 따라 이송되는 상기 전극 단자의 조도를 측정하는 조도 측정 유닛; 및
    기설정된 조도를 기준으로 상기 조도 측정 유닛에 의해 측정된 상기 전극 단자의 조도에 따라 양품을 판단하여 선별하는 제2 선별 유닛을 포함하고,
    상기 전극 단자는 스테인리스강(SUS)를 포함하는 재질로 이루어지는, 코인셀 타입 이차 전지용 전극 단자 내식성 평가 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007205974A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Toppan Printing Co Ltd メッキの検査方法及びリードフレームの検査方法
JP2010066132A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Nippon Steel Corp 連続焼鈍炉における温度制御方法および連続焼鈍炉
KR101094073B1 (ko) * 2011-06-29 2011-12-15 주식회사 톱텍 점화플러그의 중심전극 가공장치용 가공유닛
KR101787636B1 (ko) 2014-09-26 2017-10-19 주식회사 엘지화학 전지 셀 및 이를 포함하는 디바이스

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101521328B1 (ko) 2012-05-11 2015-05-18 주식회사 엘지화학 이차 전지의 다성분 전극의 특성을 평가하는 방법 및 시스템

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007205974A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Toppan Printing Co Ltd メッキの検査方法及びリードフレームの検査方法
JP2010066132A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Nippon Steel Corp 連続焼鈍炉における温度制御方法および連続焼鈍炉
KR101094073B1 (ko) * 2011-06-29 2011-12-15 주식회사 톱텍 점화플러그의 중심전극 가공장치용 가공유닛
KR101787636B1 (ko) 2014-09-26 2017-10-19 주식회사 엘지화학 전지 셀 및 이를 포함하는 디바이스

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