KR102391633B1 - VOCs processing system - Google Patents

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KR102391633B1
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문근식
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주식회사 신명이노텍
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Abstract

Disclosed is, as a VOCs treatment system using a concentrator coupled to an RTO, a system in which high-concentration gas is directly sent to the RTO, low-concentration gas is sent to the concentrator, and a distribution ratio can be adjusted in consideration of the treatment capacity of the RTO. The VOCs treatment system of the present invention includes: a regenerative thermal oxidizer (RTO, 1), a rotor concentrator adsorption (RCA, 2), a VOCs introduction unit, an RTO capacity measurement unit, a combustion device, and a main control unit (MCU, C). The VOCs treatment system of the present invention can divide VOCs gas treated by the RTO and the RCA according to concentration and adjust the amount of gas treated by the RTO.

Description

VOCs 처리 시스템{VOCs processing system} VOCs processing system {VOCs processing system}

본 발명은 VOCs 처리 시스템에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 본 발명은 고농축과 저농축 VOCs를 구분하여 효율적으로 처리하기 위한 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a VOCs treatment system. More specifically, the present invention relates to a system for efficiently treating high-concentration and low-concentration VOCs by distinguishing them.

산업현장에서는 휘발성 유기화합물(Volatile organic compounds)등과 같은 유해가스가 발생되고 있다.Harmful gases such as volatile organic compounds are being generated at industrial sites.

휘발성 유기화합물이란, 0.02psi 이상의 증기압을 갖거나 끓는점이 100℃ 미만인 탄화수소 화합물을 말하며, 대기중에서 질소화합물과 공존하면, 햇빛의 작용에 의하여 광화학 반응을 일으켜 오존 및 광화학 산화물을 생성시킨다. 휘발성 유기화합물은 환경을 오염시키는 물질일 뿐만 아니라, 호흡기관의 장애와 발암을 유발하는 인체에 유해한 물질이다.Volatile organic compounds refer to hydrocarbon compounds having a vapor pressure of 0.02 psi or more or a boiling point of less than 100 ° C. When coexisting with nitrogen compounds in the atmosphere, a photochemical reaction occurs under the action of sunlight to generate ozone and photochemical oxides. Volatile organic compounds are not only substances that pollute the environment, but also substances that are harmful to the human body, causing disorders of the respiratory tract and carcinogenesis.

산업현장에서는 휘발성 유기화합물을 포함한 유해가스를 제거하기 위한 다양한 방법들을 사용하고 있다.In the industrial field, various methods are used to remove harmful gases including volatile organic compounds.

휘발성 유기화합물을 제거하는 방법에는 연소산화 방법과 촉매산화 방법 등이 있으며, 연소산화 방법은 약 800℃의 고온에서 휘발성 유기화합물을 직접 연소시켜 휘발성 유기화합물을 제거하고, 촉매산화 방법은 약 350℃의 온도에서 촉매를 이용하여 휘발성 유기화합물을 연소시켜 휘발성 유기화합물을 제거한다.There are two methods for removing volatile organic compounds: combustion oxidation method and catalytic oxidation method. The combustion oxidation method removes volatile organic compounds by directly burning the volatile organic compounds at a high temperature of about 800°C, and the catalytic oxidation method is about 350°C. The volatile organic compounds are removed by burning the volatile organic compounds using a catalyst at a temperature of

발명자는 연소 산화 장치로서 특허 제10-1490658호에서 배출되는 청정가스에 미연소 유해가스가 섞이는 것을 방지하도록 구획된 축열부재의 구역을 따라 순차적으로 순환하면서 유해가스 및 청정가스가 각각 통과하고, 청정공기가 축열부재를 통과하도록 한 장치를 개시하였다.The inventor, as a combustion oxidation device, sequentially circulates along the section of the heat storage member partitioned to prevent the unburned harmful gas from mixing with the clean gas discharged in Patent No. 10-1490658, and the harmful gas and the clean gas pass through, An apparatus for allowing air to pass through a heat storage member was disclosed.

이러한 장치를 통상 RTO(Regenerative thermal oxidizer)라고 하며, 가스 연소 시 발생하는 열을 열교환시켜 축열재를 이용하여 열을 회수한다. Such a device is generally referred to as a regenerative thermal oxidizer (RTO), and heat exchanges heat generated during gas combustion to recover heat using a thermal storage material.

그런데, RTO에 공급되는 VOCs는 소량의 고농축(고농도)인 것이 바람직하다. 하지만 산업 현장에서 발생하는 가스는 대량의 저농축(저농도)인 경우도 많기 때문에 이를 바로 RTO로 보내면 온도 유지를 위한 연료가 많이 소요되고 처리 시간이 크게 지연되는 문제가 발생한다. 고농축인 경우나 저농축인 경우나 오염가스의 최종 처리 농도는 비슷하며 RTO의 연소실에서 결국 모든 가스가 연소되어 청정되므로 가스의 유입 용량이 효율을 좌우하는 중요 요인이 된다.By the way, it is preferable that the VOCs supplied to the RTO have a small amount of high concentration (high concentration). However, since gas generated in industrial sites is often of low concentration (low concentration) in large quantities, sending it directly to the RTO takes a lot of fuel to maintain temperature and greatly delays the processing time. In the case of high or low concentration, the final treatment concentration of the polluting gas is similar, and since all gases are eventually burned and cleaned in the combustion chamber of the RTO, the inflow capacity of the gas becomes an important factor influencing the efficiency.

이 때문에 농축기, 특히 대풍량 저농도의 가스를 적은 비용으로 처리하기 위하여 RCA (Rotor Concentrator Adsorption) 농축기를 사용하여 오염 가스의 농축도를 10 ~ 40배로 증가시키는 대신 용량을 대폭 줄여 RTO로 보내어 축열 처리하는 방식이 제안되고 있다.For this reason, instead of increasing the concentration of polluted gas by 10 to 40 times by using an RCA (Rotor Concentrator Adsorption) concentrator to process the concentrator, especially the low-concentration gas with large air volume, at a low cost, the capacity is greatly reduced and sent to the RTO for heat storage treatment. This is being proposed.

도 6은 RCA(10')의 전형적인 구조이다.6 is a typical structure of the RCA 10'.

RCA(10')는 원형의 베드(12')로 이루어지며, 베드(12')는 모터와 풀리의 구동으로 회전한다. 베드(12')는 크게 3구역 흡착영역(absorption zone; 14'), 냉각영역(16') 및 탈착영역(desorption zone; 18')으로 구획된다. 흡착영역(14')에는 휘발성 가스의 휘발 성분을 흡착하기 위한 제올라이트 또는 활성화탄소로 이루어진 흡착재가 설치된다. 산업현장에서 발생하는 가스는 흡착영역(14')을 통과하면서 유해 물질이 제거되어 비교적 청정 가스가 되고 필요한 연소 과정을 거쳐 외부로 배출된다. 흡착 영역(14')도 탈착영역(18')과 같은 크기의 여러 서브 섹션으로 구획되어 있다.The RCA 10' is made of a circular bed 12', and the bed 12' is rotated by driving a motor and a pulley. The bed 12' is largely divided into a three-zone absorption zone 14', a cooling zone 16' and a desorption zone 18'. An adsorbent made of zeolite or activated carbon for adsorbing volatile components of volatile gas is installed in the adsorption region 14'. The gas generated in the industrial field passes through the adsorption area 14', and harmful substances are removed to become a relatively clean gas, and is discharged to the outside through a necessary combustion process. The adsorption zone 14' is also divided into several sub-sections of the same size as the desorption zone 18'.

휘발성 가스와 반대방향에서 유입되는 고온의 가스는 탈착영역(18')을 통과하면서 흡착제가 흡수한 휘발성 성분을 탈착시켜 자신이 흡수하여 고농도의 휘발성 가스가 된다. "흡착"과 "탈착"은 RCA의 관점에서 바라 본 용어이며, 가스의 입장에서는 반대로 휘발성 성분을 "분리" 및 "흡수"하는 것이다.The high-temperature gas flowing in from the opposite direction to the volatile gas desorbs the volatile component absorbed by the adsorbent while passing through the desorption region 18' and absorbs itself to become a highly concentrated volatile gas. "Adsorption" and "desorption" are terms viewed from the point of view of RCA, and from the point of view of a gas, "separation" and "absorption" of volatile components, on the contrary.

휘발성 가스와 같은 방향에서 유입되는 냉각 가스는 냉갹영역(16')을 통과하면서 흡착제의 온도를 떨어뜨려 흡착제의 흡착 기능을 재생시킨다.The cooling gas flowing in from the same direction as the volatile gas decreases the temperature of the adsorbent while passing through the cooling region 16', thereby regenerating the adsorption function of the adsorbent.

도 7은 이상의 RCA(10')를 RTO(1')와 결합하여 사용하는 VOCs 처리 시스템의 일례를 나타낸 구성도이다.7 is a configuration diagram showing an example of a VOCs processing system using the above RCA (10') in combination with the RTO (1').

RTO(1')는 하부의 축열부(2')와 상부의 연소실(4')로 구성되어 있다.The RTO 1' is composed of a lower heat storage unit 2' and an upper combustion chamber 4'.

연소가스도입부(20')를 통과한 휘발성의 가스는 휘발성 처리 가스와 냉각 가스로 분리되어 전자는 흡착영역(14')을 통과하여 청정화된 다음 연소 장치인 스택(40')으로 공급되어 연소된 후 외부로 배출된다. 후자인 냉각가스는 냉각 영역(16')을 통과한 후 RTO(1')의 연소실(2')에서 공급된 고온의 연소가스와 열교환 장치(30')에서 열교환하여 온도가 상승되어 다시 RCA(10')로 리턴되며, 이번에는 탈착영역(18')을 통과하면서 고농도의 휘발성 가스가 된다. 그리고 이 고농도 고농축의 가스가 RTO(1')의 축열부(2')로 공급된다.The volatile gas that has passed through the combustion gas introduction unit 20' is separated into a volatile process gas and a cooling gas, and the former passes through the adsorption region 14' to be purified, and then is supplied to the stack 40', which is a combustion device, for combustion. then discharged to the outside. The latter, the cooling gas, passes through the cooling region 16' and then exchanges heat with the high-temperature combustion gas supplied from the combustion chamber 2' of the RTO 1' in the heat exchange device 30' to increase the temperature and re-run the RCA ( 10'), this time passing through the desorption region 18', becoming a highly concentrated volatile gas. And this highly concentrated gas is supplied to the heat storage part 2' of the RTO 1'.

이상에서 알 수 있는 것과 같이 RCA(10')를 통과하는 흡착, 탈착 및 냉각 가스는 모두 연소가스도입부(20')를 통과하여 제공된 것으로 소스가 동일하다. 당연하지만 냉각 가스 역시 처음부터 휘발성 가스이며, 탈착 가스와 대비하여 온도가 상승된 점이 다를 뿐 실체는 동일하고 탈착 영역(18')을 통과하면서 고농축의 휘발성 가스로 변한다. 냉각 가스가 열교환장치(30')에서 열교환하는 이유는 탈착 가스가 고온이어야 RCA(10')에서 휘발 성분을 흡수할 수 있기 때문이다. As can be seen from the above, the adsorption, desorption, and cooling gas passing through the RCA 10' is provided through the combustion gas introduction unit 20', and the source is the same. Of course, the cooling gas is also a volatile gas from the beginning, and the substance is the same except that the temperature is different from that of the desorption gas, and as it passes through the desorption region 18 ′, it changes into a highly concentrated volatile gas. The reason why the cooling gas exchanges heat in the heat exchanger 30' is that the desorbed gas must be at a high temperature so that the RCA 10' can absorb volatile components.

스택(40')으로 공급되는 청정 가스를 제외한 모든 가스는 결국 RTO(1')를 거침을 알 수 있다. 이 시스템은 가스의 재생 효과가 우수하지만, 연소가스도입부(20')를 통과한 가스 중 어느 것을 처리 가스로 흡착 영역으로 보내고, 어느 것을 냉각 가스로 보내야 하는지 구분이 모호한 단점이 있다.It can be seen that all gases except for the clean gas supplied to the stack 40' eventually pass through the RTO 1'. Although this system has an excellent gas regeneration effect, it has a disadvantage in that it is not clear which of the gases that have passed through the combustion gas introduction unit 20' is sent to the adsorption area as a process gas and which is sent as a cooling gas.

특허 문헌으로 특허 제10-2099599호는 도 8에 도시한 것과 같이 As a patent document, Patent No. 10-2099599, as shown in FIG.

고농도 VOCs유입부(120')와 저농도 VOCs유입부(130')를 통과한 휘발성 가스가 전처리부(140'), 농축처리부(150'), 송배풍기부(160) 및 RTO(170')를 거치도록 한 VOCs 처리장치를 개시하고 있다. 이 특허에서 사용하는 농축처리부(150')는 도 1에 도시한 것과 같은 RCA이다(상기 특허의 도2).The volatile gas passing through the high-concentration VOCs inlet 120' and the low-concentration VOCs inlet 130' passes through the pre-processing unit 140', the concentration processing unit 150', the blower unit 160 and the RTO 170'. Disclosed is a VOCs processing device that has been passed through. The concentration processing unit 150' used in this patent is an RCA as shown in FIG. 1 (FIG. 2 of the above patent).

위 특허가 개시하는 VOCs 처리장치 역시 도 2의 처리 시스템과 동일하게 모든 VOCs가 RCA인 농축처리부(150')를 통과하며, 이 중 연소되어 외부로 배출되는 청정 가스를 제외한 모든 가스가 RTO(170')로 공급되는 것이다. The VOCs processing device disclosed in the above patent also passes through the enrichment processing unit 150 ′ in which all VOCs are RCA in the same way as in the processing system of FIG. ') is supplied.

하지만 이상의 선행 기술은 고농도의 VOCs 가스를 RTO로 공급한다는 장점은 있지만, 본래 고농도의 VOCs가스도 RCA를 통과하여 RTO로 공급될 수 있으므로 이 경우에는 처리 공정이 중복이고 효율이 저하하는 단점이 있다. 또, 고농도의 VOCs 가스로 변환하기 위해서 냉각가스를 분기시켜 RCA를 통과시킨 후 가열하여 다시 리턴하는 공정은 복잡하며, 연소가스도입부를 통과한 가스 중 어느 것을 냉각 가스로 보내야 하는지 구분이 모호한 단점이 있다. However, the above prior art has the advantage of supplying a high concentration of VOCs gas to the RTO, but since the original high concentration of VOCs gas can also be supplied to the RTO through the RCA, in this case, the treatment process is duplicated and the efficiency is lowered. In addition, the process of branching the cooling gas to convert it into a high-concentration VOCs gas, passing it through the RCA, heating it and returning it again is complicated, and it is difficult to distinguish which of the gases that have passed through the combustion gas introduction part to be sent as the cooling gas. there is.

본 발명은 이상의 선행 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것이다. The present invention has been devised to solve the above problems of the prior art.

그러므로 본 발명은 RTO와 RCA가 처리해야 할 VOCs가스를 농도에 따라 나누고, RTO가 처리해야 할 가스의 양을 조절할 수 있도록 한 VOCs 처리 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a VOCs treatment system capable of dividing the VOCs gas to be treated by the RTO and the RCA according to the concentration, and controlling the amount of the gas to be treated by the RTO.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, RTO(Regenerative thermal oxidizer; 1)와, RCA(Rotor Concentrator Adsorption; 2)와, VOCs도입부와, RTO 용량측정부와, 연소장치와, MCU(Main control unit; C)를 포함하는 VOCs가스 처리 시스템으로서, VOCs가스 도입부를 통하여 공급된 VOCs가스는 RTO 또는 RCA로 공급되고, RTO로 공급된 가스는 축열실과 연소실을 통하여 고온 가스가 되어 RTO외부로 배출되고, RCA로 공급된 가스는 RCA의 흡착영역을 통과하여 정화되어 연소장치에서 연소되고 RCA로 공급된 가스의 일부는 RCA의 냉각영역을 통과하여 승온된 후 다시 RCA의 탈착영역을 통과하여 고농축된 후 RTO로 공급되며, VOCs도입부는 농도측정부를 포함하며, 농도측정부가 측정한 농도값은 MCU로 전달되며, RTO용량 측정부는 RTO의 연소실의 외부에 설치되어 배출되는 고온 가스의 용량 데이터를 MCU로 전송하는, VOCs가스 처리 시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a regenerative thermal oxidizer (RTO) 1, a rotor concentrator adsorption (RCA) 2, a VOCs introduction unit, an RTO capacity measurement unit, a combustion device, and a main control unit (MCU). C) as a VOCs gas processing system, wherein the VOCs gas supplied through the VOCs gas introduction part is supplied to the RTO or RCA, and the gas supplied to the RTO becomes a high-temperature gas through the heat storage chamber and the combustion chamber and is discharged to the outside of the RTO, The gas supplied to RCA passes through the adsorption area of RCA, is purified and burned in the combustion device, and a part of the gas supplied to RCA passes through the cooling area of RCA, rises in temperature, passes through the desorption area of RCA again, and is highly concentrated and then RTO The VOCs introduction part includes a concentration measurement part, and the concentration value measured by the concentration measurement part is transmitted to the MCU, and the RTO capacity measurement part is installed outside the combustion chamber of the RTO and transmits the capacity data of the discharged hot gas to the MCU. , to provide a VOCs gas treatment system.

VOCs도입부에서 연장되는 도관은 RTO를 향하는 도관과 RCA를 향하는 도관으로 분기되며, 도관들의 분기노드에는 제1벨브가 설치되고, RCA를 향하는 도관은 흡착영역으로 흐르는 제1도관과, 냉각영역으로 흐르는 제2도관으로 분기되며, 제1도관 또는 제2도관에는 제2밸브가 설치될 수 있다.The conduit extending from the VOCs introduction part is branched into a conduit facing RTO and a conduit facing RCA, a first valve is installed at the branch node of the conduits, and the conduit facing RCA is a first conduit flowing into the adsorption area and a conduit flowing into the cooling area It is branched into a second conduit, and a second valve may be installed in the first conduit or the second conduit.

MCU는 농도측정부가 측정한 농도값을 수신하는 VOCs농도수신부와, RTO용량 측정부가 측정한 고온 가스 용량 데이터를 수신하는 RTO용량데이터수신부와, 제1밸브를 제어하는 제1밸브제어부와, 제2밸브를 제어하는 제2밸브제어부와, VOCs농도수신부의 농도값과 RTO용량데이터수신부의 고온 가스 용량데이터를 토대로 메모리를 참조하여 제1밸브 및 제2밸브의 제어신호를 제1밸브제어부 및 제2밸브제어부로 전송하는 연산부를 포함할 수 있다.The MCU includes a VOCs concentration receiving unit for receiving the concentration value measured by the concentration measuring unit, an RTO capacity data receiving unit receiving the hot gas capacity data measured by the RTO capacity measuring unit, a first valve control unit for controlling the first valve, and a second The second valve control unit for controlling the valve, the control signal of the first valve and the second valve with reference to the memory based on the concentration value of the VOCs concentration receiving unit and the high temperature gas capacity data of the RTO capacity data receiving unit, the first valve control unit and the second It may include a calculation unit for transmitting to the valve control unit.

연산부는 농도값과 메모리에 저장된 임계데이터를 비교하여 임계데이터 이상이면 대응하는 제어신호를 제1밸브제어부로 전송하며, 제1밸브제어부는 제1밸브를 제어하여 RTO를 향하는 도관을 개방하고 RCA를 향하는 도관을 폐쇄하여 가스가 RTO로 흐르게 할 수 있다.The calculation unit compares the concentration value with the threshold data stored in the memory and, if the threshold data is greater than the threshold data, transmits a corresponding control signal to the first valve control unit, and the first valve control unit controls the first valve to open the conduit toward the RTO and to open the RCA. The conduit to which it is directed can be closed to allow gas to flow into the RTO.

연산부는 농도값과 메모리에 저장된 임계데이터를 비교하여 임계데이터 미만이면 대응하는 제어신호를 제1밸브제어부로 전송하며, 제1밸브제어부는 제1밸브를 제어하여 RTO를 향하는 도관을 폐쇄하고 RCA를 향하는 도관을 개방하여 가스가 RCA로 흐르게 할 수 있다.The operation unit compares the concentration value with the threshold data stored in the memory and, if it is less than the threshold data, transmits a corresponding control signal to the first valve control unit, and the first valve control unit controls the first valve to close the conduit toward the RTO, and perform RCA. The conduit to which it is directed can be opened to allow gas to flow into the RCA.

이 경우, 연산부는 고온 가스의 용량 데이터를 토대로 메모리를 참조하여 제1도관과 제2도관으로 분배해야 하는 VOCs가스의 배분비를 판독하여 이에 대응하는 신호를 제2밸브제어부로 전송할 수 있다.In this case, the operation unit may read the distribution ratio of the VOCs gas to be distributed to the first conduit and the second conduit with reference to the memory based on the capacity data of the high temperature gas, and transmit a signal corresponding thereto to the second valve control unit.

즉, 고온 가스의 용량데이터가 큰 경우 제1도관으로 흐르는 VOCs의 유량을 증가시켜, RCA의 탈착영역을 통과하여 RTO로 공급되는 VOCs의 유량을 감소시켜 RTO의 과부하를 해소할 수 있다.That is, when the capacity data of the high temperature gas is large, the flow rate of VOCs flowing into the first conduit is increased, and the flow rate of VOCs supplied to the RTO through the desorption region of the RCA is decreased, thereby solving the overload of the RTO.

또, RTO가 작동 중지인 경우, 제2도관으로 흐르는 VOCs 가스의 흐름을 차단하여, RCA로 공급되는 모든 VOCs가스가 흡착영역을 통과하여 정화되도록 할 수 있다.In addition, when the RTO is stopped, the flow of the VOCs gas flowing into the second conduit is blocked, so that all the VOCs gases supplied to the RCA pass through the adsorption area and are purified.

본 발명에 의하면, 주위적으로 농도를 기준으로 RTO 또는 RCA 중의 하나로 VOCs 가스를 공급하고, RCA로 공급하는 경우에는 2차로 RTO의 처리 능력을 반영하여 RTO로 공급되는 가스량을 조절함과 동시에 연소되어야 할 가스량을 조절하므로, 대용량의 VOCs 가스의 처리 효율이 좋으며, 불필요한 장비의 가동은 억제하고 과부하 장비의 가동은 줄임으로써 경제적이고 합리적인 VOCs처리 시스템을 구축할 수 있다는 효과를 발휘한다.According to the present invention, VOCs gas is supplied to one of RTO or RCA based on the concentration in the surroundings, and when supplied to the RCA, the amount of gas supplied to the RTO is adjusted by reflecting the processing capability of the RTO and combustion should be performed at the same time. By controlling the amount of gas to be used, the processing efficiency of large-capacity VOCs gas is good, and by suppressing the operation of unnecessary equipment and reducing the operation of overload equipment, an economical and reasonable VOCs processing system can be established.

도 1은 본 발명의 VOCs 처리 시스템의 전체 구성도;
도 2는 본 발명의 MCU의 구성도;
도 3은 본 발명의 MCU의 VOCs 가스 처리 공정을 도시한 흐름도;
도 4는 RTO가 구동되는 경우의 VOCs가스의 처리 흐름을 도시한 도면;
도 5는 RCA가 구동되는 경우의 VOCs가스의 처리 흐름을 도시한 도면;
도 6은 RCA의 전형적인 구조를 도시한 도면;
도 7은 RCA를 RTO와 결합하여 사용하는 VOCs 처리 시스템의 일례를 나타낸 구성도; 그리고
도 8은 선행기술의 VOCs 처리장치를 도시한 도면이다.1 is an overall configuration diagram of the VOCs processing system of the present invention;
2 is a block diagram of an MCU of the present invention;
Figure 3 is a flow chart showing the VOCs gas processing process of the MCU of the present invention;
4 is a view showing a processing flow of VOCs gas when the RTO is driven;
5 is a view showing a processing flow of VOCs gas when RCA is driven;
6 is a diagram showing a typical structure of an RCA;
7 is a block diagram showing an example of a VOCs processing system using RCA in combination with RTO; And
8 is a view showing a VOCs processing apparatus of the prior art.

본 발명에 따른 각 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 하나의 예에 불과하고, 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 각 실시예에 포함되는 개별 구성 및 개별 기능 중, 적어도 어느 하나 이상의 조합으로 구성될 수 있다.Each embodiment according to the present invention is merely an example for helping understanding of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments. The present invention may be composed of a combination of at least any one of individual components and individual functions included in each embodiment.

본 발명에서 어느 구성을 “포함”한다는 기재는 그 구성은 물론이고 다른 구성도 포함할 수 있다는 개방된 의미로 해석되어야 한다. In the present invention, the statement “including” any component should be interpreted as an open meaning that may include other components as well as the component.

도 1은 본 발명의 VOCs 처리 시스템(S)의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a VOCs processing system S of the present invention.

본 발명의 처리 시스템(S)은 RTO(Regenerative thermal oxidizer; 1)와, RCA(Rotor Concentrator Adsorption; 2)와, VOCs도입부(4)와, RTO 용량측정부(12)와, 스택과 같은 연소장치(6)와, MCU(Main control unit; C)를 포함한다. MCU(C)는 처리 시스템(S)의 여러 구성과 연결되어 데이터를 수신하고, 데이터를 연산 및 분석하여 필요한 제어를 수행한다. 도면에서 팬, 모터와 같은 부품은 설명의 편의를 위하여 그 도시를 생략하였다. The treatment system S of the present invention includes a regenerative thermal oxidizer (RTO) 1, a rotor concentrator adsorption (RCA) 2, a VOCs introduction unit 4, an RTO capacity measurement unit 12, and a combustion device such as a stack. (6) and MCU (Main Control Unit; C). The MCU (C) is connected to the various components of the processing system (S) to receive data, calculate and analyze the data to perform necessary control. In the drawings, parts such as fans and motors are omitted for convenience of description.

RTO(1)는 크게 축열부(14)와 가열부(16)를 포함한다. RTO(1)는 기존의 어느 것도 사용할 수 있으며, 구성과 기능은 공지된 것이므로 상세한 설명은 생략한다. RTO(1)의 가열부(16)에서 배출되는 고온 가스의 유로에는 RTO용량 측정부(12)가 설치되어 배출되는 고온 가스의 용량 데이터가 MCU(C)로 전송된다.The RTO 1 largely includes a heat storage unit 14 and a heating unit 16 . The RTO 1 can use any of the existing ones, and the configuration and function are known, so a detailed description thereof will be omitted. The RTO capacity measuring unit 12 is installed in the flow path of the hot gas discharged from the heating unit 16 of the RTO (1), and the capacity data of the discharged hot gas is transmitted to the MCU(C).

RCA(2; Rotor Concentrator Adsorption)는 흡착영역(20)과, 냉각영역(22)과, 탈착영역(24)을 포함한다. 각각의 영역의 기본적인 기능은 앞서 설명한 것과 같다. 도시한 예에서는 편의상 층 구조로 도시하였으나, 도 2를 토대로 설명한 원형의 디스크 베드 구조이다.The RCA (Rotor Concentrator Adsorption) includes an adsorption zone 20 , a cooling zone 22 , and a desorption zone 24 . The basic function of each area is the same as described above. In the illustrated example, a layer structure is shown for convenience, but the disk bed structure is a circular disk bed structure described based on FIG. 2 .

VOCs도입부(4)로는 본 발명의 처리시스템(S)이 적용되는 공장등의 생산 설비에서 발생하는 모든 처리 대상 VOCs 가스가 유입된다. VOCs도입부(4)는 농도측정부(40)를 포함하며, 측정된 농도값은 실시간으로 MCU(C)로 전달된다. VOCs도입부(4)에서 공급 도관(42)은 RTO(1)를 향하는 도관(44)과 RCA(2)를 향하는 도관(46)으로 분기된다. 도관(44, 46)의 분기노드에는 제1벨브(42a)가 설치된다. 제1밸브(42a)는 방향전환밸브인 것이 바람직하다. All VOCs gas to be treated is introduced into the VOCs introduction unit 4 that is generated in production facilities such as factories to which the treatment system S of the present invention is applied. The VOCs introduction unit 4 includes a concentration measurement unit 40, and the measured concentration value is transmitted to the MCU (C) in real time. At the VOCs introduction section (4), the supply conduit (42) branches into a conduit (44) towards the RTO (1) and a conduit (46) towards the RCA (2). A first valve (42a) is installed at the branch node of the conduits (44, 46). The first valve 42a is preferably a directional switching valve.

도관(44)은 RTO(1)의 축열부(14)와 연통된다. The conduit 44 communicates with the heat storage portion 14 of the RTO 1 .

도관(46)은 다시 RCA(2)의 흡착영역(20)으로 흐르는 제1도관(46a)과, 냉각영역(22)으로 흐르는 제2도관(46b)으로 분기된다. 제1도관(46a)에는 제2밸브(42b)가 설치된다. 제2밸브(42b)는 용량제어밸브인 것이 바람직하다. 제2밸브(42b)는 제1도관(46a)이 아닌 제2도관(46b)에 설치될 수 있다. 제1도관(46a)과 제2도관(46b)의 분기노드 이전 적절한 위치에는 도시하지 않은 체크밸브가 설치된다.The conduit 46 is again branched into a first conduit 46a flowing into the adsorption region 20 of the RCA 2 and a second conduit 46b flowing into the cooling region 22 . A second valve 42b is installed in the first conduit 46a. The second valve 42b is preferably a capacity control valve. The second valve 42b may be installed in the second conduit 46b instead of the first conduit 46a. A check valve (not shown) is installed at an appropriate position before the branch node of the first conduit (46a) and the second conduit (46b).

전술한 것과 같이, 제1도관(46a)을 통하여 흡착영역(20)을 통과한 가스는 비교적 청정 가스가 되어 연소장치(6)에서 가열된 후 외부로 배출된다. 제2도관(46b)을 통하여 냉각영역(22)을 통과한 가스는 RTO(1)의 가열부(16)에서 공급된 고온의 연소가스와 열교환부(30)에서 열교환되어 승온되며 탈착영역(24)을 통과하여 고농축의 VOCs가스가 된 후 RTO(1)의 축열부(14)로 공급된다.As described above, the gas passing through the adsorption region 20 through the first conduit 46a becomes a relatively clean gas, is heated in the combustion device 6, and then discharged to the outside. The gas that has passed through the cooling region 22 through the second conduit 46b exchanges heat with the high-temperature combustion gas supplied from the heating unit 16 of the RTO 1 in the heat exchange unit 30 to increase the temperature, and the desorption region 24 ) to become highly concentrated VOCs gas and then supplied to the heat storage unit 14 of the RTO (1).

도 2는 본 발명의 MCU(C)의 구성도이다.2 is a block diagram of the MCU (C) of the present invention.

본 발명의 MCU(C)는 VOCs농도수신부(100)와, RTO용량데이터수신부(102)와, 제1밸브제어부(104)와, 제2밸브제어부(106)와, 연산부(108)와, 메모리(110)를 포함한다.The MCU (C) of the present invention includes a VOCs concentration receiving unit 100, an RTO capacity data receiving unit 102, a first valve control unit 104, a second valve control unit 106, an arithmetic unit 108, and a memory (110).

VOCs농도수신부(100)는 VOCs도입부(4)의 농도측정부(40)가 측정한 농도값을 수신하여 이를 연산부(108)로 전송한다. RTO용량데이터수신부(102)는 RTO용량 측정부(12)가 전송하는 고온 가스의 배출 용량 데이터를 수신하여 연산부(108)로 전송한다. The VOCs concentration receiving unit 100 receives the concentration value measured by the concentration measuring unit 40 of the VOCs introduction unit 4 and transmits it to the calculating unit 108 . The RTO capacity data receiving unit 102 receives the high-temperature gas discharge capacity data transmitted by the RTO capacity measuring unit 12 and transmits it to the calculating unit 108 .

제1밸브제어부(104)는 RTO(1)를 향하는 도관(44)과 RCA(2)를 향하는 도관(46)의 분기 노드에 장착된 제1밸브(42a)를 제어하여 가스가 RTO(1) 또는 RCA(2)로 흐르게 한다. 제1밸브(42a)를 솔레노이드밸브로 구성하는 경우 제1밸브제어부(104)는 솔레노이드를 구동하기 위한 전기신호를 전송하게 될 것이다.The first valve control unit 104 controls the first valve 42a mounted at the branch node of the conduit 44 facing the RTO 1 and the conduit 46 facing the RCA 2 so that the gas flows into the RTO 1 . or to RCA(2). When the first valve 42a is configured as a solenoid valve, the first valve control unit 104 will transmit an electric signal for driving the solenoid.

제2밸브제어부(106)는 제2밸브(42b)를 제어하여 제1도관(46a)으로 흐르는 휘발성 가스의 량을 조절한다. 제1도관(46a)으로 흐르는 가스의 양을 많게 하면 제2도관(46b)으로 흐르는 가스량은 작아지며, 반대로 제1도관(46a)으로 흐르는 가스의 양을 적게 하면 제2도관(46b)으로 흐르는 가스량은 증가한다.The second valve control unit 106 controls the second valve 42b to adjust the amount of the volatile gas flowing into the first conduit 46a. If the amount of gas flowing into the first conduit 46a is increased, the amount of gas flowing into the second conduit 46b is decreased. Conversely, if the amount of gas flowing into the first conduit 46a is decreased, the gas flowing into the second conduit 46b gas volume increases.

연산부(108)는 VOCs농도수신부(100)의 데이터와 RTO용량데이터수신부(102)의 데이터를 토대로 메모리(110)를 참조하여 제1밸브 및 제2밸브(42a,42b)의 제어신호를 제1밸브제어부(104) 및/또는 제2밸브제어부(106)로 전송한다. Calculation unit 108 refers to the memory 110 based on the data of the VOCs concentration receiving unit 100 and the data of the RTO capacity data receiving unit 102, the first and second valves (42a, 42b) control signals of the first It is transmitted to the valve control unit 104 and/or the second valve control unit 106 .

메모리(110)에는 VOCs가스의 농도를 저농도와 고농도로 구분하는 임계데이터가 저장되어 있다. VOCs가스의 경우 1,000ppm이하이면 저농도, 50,000ppm이상이면 고농도이다. 따라서, 임계데이터는 예를 들어 10,000ppm 또는 20,000ppm으로 정할 수 있다.The memory 110 stores threshold data for classifying the concentration of the VOCs gas into a low concentration and a high concentration. In the case of VOCs gas, if it is less than 1,000ppm, the concentration is low, and if it is more than 50,000ppm, the concentration is high. Accordingly, the threshold data may be set to, for example, 10,000 ppm or 20,000 ppm.

메모리(110)에는 또한 RTO 배출용량데이터에 대응하여 제1도관(46a)과 제2도관(46b)으로 분배해야 하는 휘발성 가스의 배분비를 저장한 테이블이 저장되어 있다. 테이블에는 배출용량데이터를 구간 별로 설정하고 각 구간에 대응하여 배분비를 설정할 수 있다.The memory 110 also stores a table storing the distribution ratio of the volatile gas to be distributed to the first conduit 46a and the second conduit 46b in response to the RTO emission capacity data. In the table, the emission capacity data can be set for each section and the distribution ratio can be set in response to each section.

이상의 메모리(110)의 임계데이터와 테이블 값은 작업자가 생산 현장의 환경 또는 공정 중의 필요에 따라 새로 설정하거나 갱신할 수 있다.The threshold data and table values of the above memory 110 may be newly set or updated by the operator according to the environment of the production site or the need during the process.

다음, 도 3을 참조로 MCU(C)의 VOCs 가스 처리 공정에 대하여 설명한다.Next, a VOCs gas processing process of the MCU(C) will be described with reference to FIG. 3 .

먼저, MCU(C)의 VOCs농도수신부(100)는 VOCs도입부(4)의 농도측정부(40)로부터 수신한 VOCs 농도데이터를 수신한다(S10).First, the VOCs concentration receiving unit 100 of the MCU (C) receives the VOCs concentration data received from the concentration measuring unit 40 of the VOCs introduction unit 4 (S10).

연산부(108)는 VOCs농도데이터를 메모리(110)의 임계데이터와 비교한다(S12).The calculating unit 108 compares the VOCs concentration data with the threshold data of the memory 110 (S12).

비교 결과, VOCs농도데이터가 임계데이터 이상이면 연산부(108)는 제어신호를 제1밸브제어부(104)로 전송한다. 제1밸브제어부(104)는 제1밸브(42a)를 제어하며, 제1밸브(42a)는 RTO(1)를 향하는 도관(44)을 개방하고 RCA(2)를 향하는 도관(46)을 폐쇄하여 가스가 RTO(1)로만 흐르게 하여 RTO(1)를 구동한다(S14).As a result of the comparison, if the VOCs concentration data is greater than or equal to the threshold data, the operation unit 108 transmits a control signal to the first valve control unit 104 . The first valve control unit 104 controls the first valve 42a, the first valve 42a opens the conduit 44 towards the RTO 1 and closes the conduit 46 towards the RCA 2 to drive the RTO (1) by allowing the gas to flow only to the RTO (1) (S14).

도 4는 RTO(1)가 구동되는 경우의 VOCs가스의 처리 흐름을 도시하고 있다. VOCs가스의 처리에 관여하지 않는 부재는 도시를 생략하였다. VOCs농도데이터가 임계데이터 이상의 고농도인 경우, VOCs가스는 RTO(1)에서만 처리되며, RCA(2)로는 공급되지 않는다. RTO(1)와 RCA(2)사이의 관계는 단절된다. 따라서, 종래기술과 같이 고농도의 VOCs가스도 RCA(2)를 거쳐 더 농축되어 RTO(1)로 공급되는 불필요함을 방지할 수 있어 처리 효율이 좋으며, 생산 설비의 경제적인 운영을 도모할 수 있다.4 shows the processing flow of VOCs gas when the RTO 1 is driven. Members not involved in the treatment of VOCs gas are not shown. When the VOCs concentration data has a high concentration equal to or higher than the threshold data, the VOCs gas is processed only in the RTO (1) and is not supplied to the RCA (2). The relationship between RTO(1) and RCA(2) is severed. Therefore, as in the prior art, it is possible to prevent unnecessary supply of VOCs gas to the RTO (1) after being further concentrated through the RCA (2) as in the prior art, so that the treatment efficiency is good, and the economical operation of the production facility can be promoted. .

단계(S12)에서 비교 결과, VOCs농도데이터가 임계데이터 미만이면 연산부(108)는 제어신호를 제1밸브제어부(104)로 전송한다. 제1밸브제어부(104)는 제1밸브(42a)를 제어하며, 제1밸브(42a)는 RTO(1)를 향하는 도관(44)을 폐쇄하고 RCA(2)를 향하는 도관(46)을 개방하여 가스가 RCA(2)로만 흐르게 하여 RCA(2)를 구동한다(S16).As a result of the comparison in step S12 , if the VOCs concentration data is less than the threshold data, the calculation unit 108 transmits a control signal to the first valve control unit 104 . The first valve control unit 104 controls the first valve 42a, the first valve 42a closes the conduit 44 towards the RTO 1 and opens the conduit 46 towards the RCA 2 Thus, the gas flows only to the RCA (2) to drive the RCA (2) (S16).

도 5는 RCA(2)가 구동되는 경우의 VOCs가스의 처리 흐름을 도시하고 있다. VOCs농도데이터가 임계데이터 이하의 저농도인 경우, VOCs가스는 RCA(2)로 공급된다. 메인도관(44)은 삭제된 것과 같다. 제1도관(46a)을 통하여 흡착영역(20)을 통과한 가스는 비교적 청정 가스가 되어 연소장치(6)에서 가열된 후 외부로 배출되고, 제2도관(46b)을 통하여 냉각영역(22)을 통과한 가스는 탈착영역(24)을 통과하여 고농축의 VOCs가스가 되어 RTO(1)로 공급된다.5 shows the processing flow of VOCs gas when the RCA 2 is driven. When the VOCs concentration data is a low concentration below the threshold data, the VOCs gas is supplied to the RCA (2). The main conduit 44 is the same as deleted. The gas that has passed through the adsorption region 20 through the first conduit 46a becomes a relatively clean gas, is heated in the combustion device 6, and then discharged to the outside, and the cooling region 22 through the second conduit 46b. The gas that has passed through passes through the desorption region 24 to become a highly concentrated VOCs gas and is supplied to the RTO (1).

이때, 본 발명의 MCU(C)의 용량데이터수신부(102)는 RTO용량 측정부(12)가 전송한 고온 가스의 용량 데이터를 수신한다(S18).At this time, the capacity data receiving unit 102 of the MCU (C) of the present invention receives the capacity data of the high temperature gas transmitted by the RTO capacity measuring unit 12 (S18).

연산부(108)는 고온 가스의 용량 데이터를 메모리(110)의 테이블을 검색하여 제1도관(46a)과 제2도관(46b)으로 분배해야 하는 휘발성 가스의 배분비를 판독한 후 이에 대응하는 신호를 제2밸브제어부(106)로 전송한다. The operation unit 108 searches the table of the memory 110 for the capacity data of the high temperature gas, reads the distribution ratio of the volatile gas to be distributed to the first conduit 46a and the second conduit 46b, and then a signal corresponding thereto is transmitted to the second valve control unit 106 .

제2밸브제어부(106)는 제2밸브(42b)를 제어하여 제1도관(46a)으로 흐르는 휘발성 가스의 량을 조절한다(S20). 구체적으로, 제1도관(46a)으로 흐르는 가스의 양을 많게 하면 제2도관(46b)으로 흐르는 가스량은 작아지며, 반대로 제1도관(46a)으로 흐르는 가스의 양을 적게 하면 제2도관(46b)으로 흐르는 가스량은 증가한다.The second valve control unit 106 controls the second valve 42b to adjust the amount of the volatile gas flowing into the first conduit 46a (S20). Specifically, if the amount of gas flowing into the first conduit 46a is increased, the amount of gas flowing into the second conduit 46b is decreased. Conversely, if the amount of gas flowing into the first conduit 46a is decreased, the second conduit 46b ) and the amount of gas flowing through it increases.

제1도관(46a)은 흡착영역(20)과 연결되고, 제2도관(46b)은 냉각영역(22)과 연결되므로, 제1도관(46a)으로 향하는 배출 가스의 량을 늘리면 청정 가스로 변환되어 연소되는 VOCs의 가스량이 증가하는 대신 RTO(1)로 공급되는 고농축 가스량은 줄어들게 된다. 따라서, RTO(1)의 배출 가스 용량이 많아 과부하가 걸리는 경우 RTO(1)로의 공급 가스를 줄여 처리 효율을 높일 수 있다. 또, RTO(1)가 고장으로 가동이 어려운 경우에는 제2밸브(42b)가 제1도관(46a)을 향하는 밸브 간극을 폐쇄하여 모든 가스를 흡착 영역(20)을 통과하여 연소시킬 수 있다.Since the first conduit 46a is connected to the adsorption region 20, and the second conduit 46b is connected to the cooling region 22, if the amount of exhaust gas directed to the first conduit 46a is increased, it is converted into clean gas. Instead of increasing the amount of VOCs to be burned, the amount of highly concentrated gas supplied to the RTO (1) is reduced. Therefore, when the exhaust gas capacity of the RTO (1) is large and overload is applied, the processing efficiency can be increased by reducing the supply gas to the RTO (1). In addition, when it is difficult to operate the RTO 1 due to a failure, the second valve 42b closes the valve gap facing the first conduit 46a so that all gases can be burned through the adsorption region 20 .

반대로, 고온 가스의 용량데이터가 작으면, 현재 상태를 그대로 유지하거나 또는 제1도관(46a)으로 향하는 배출 가스의 량을 줄여 RTO(1)로 공급되는 고농축 가스량을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 VOCs 처리 시스템(S)에 의하면 처리되어야 할 전체 VOCs가스 용량, RTO(1)와 RCA(2)의 처리 능력과 상태를 반영하여 효율적으로 운영할 수 있다.
고온 가스의 용량데이터가 크거나 작은 기준은 메모리에 미리 기억된 소정의 기준치를 기준으로 판단하는 것이 바람직하다.Conversely, if the capacity data of the hot gas is small, the amount of the highly concentrated gas supplied to the RTO 1 may be increased by maintaining the current state or reducing the amount of the exhaust gas directed to the first conduit 46a. Therefore, according to the VOCs processing system (S) of the present invention, it is possible to efficiently operate by reflecting the total VOCs gas capacity to be treated, the processing capacity and status of the RTO (1) and the RCA (2).
It is preferable that the criterion for which the capacity data of the high temperature gas is large or small is determined based on a predetermined reference value stored in advance in the memory.

이상 기술한 본 발명은 1차적으로 농도를 기준으로 RTO(1) 또는 RCA(2)중의 하나로 VOCs 가스를 공급하고, RCA(2)로 공급하는 경우에는 2차적으로 RTO(1)의 처리 능력을 반영하여 RTO(1)로 공급되는 가스량을 조절함과 동시에 연소되어야 할 가스량을 조절하므로, 농도에 무관하게 RCA와 RTO를 차례로 거치게 한 종래 기술에 비하여 VOCs 가스의 처리 효율이 좋으며, 불필요한 장비의 가동은 억제하고 과부하 장비의 가동은 줄임으로써 경제적이고 합리적인 VOCs처리 시스템을 구축할 수 있다. The present invention described above primarily supplies VOCs gas to one of RTO (1) or RCA (2) based on the concentration, and secondarily increases the processing capacity of RTO (1) when supplying to RCA (2). By reflecting, the amount of gas supplied to the RTO (1) is adjusted and the amount of gas to be burned is adjusted at the same time, so the processing efficiency of VOCs gas is good compared to the prior art in which RCA and RTO are sequentially passed regardless of the concentration, and operation of unnecessary equipment It is possible to construct an economical and reasonable VOCs treatment system by suppressing

본 발명의 권리범위는 이하 기술하는 청구범위와 동일 또는 균등한 영역에까지 미침은 자명하다.It is apparent that the scope of the present invention extends to the same or equivalent scope as the claims described below.

Claims (8)

RTO(Regenerative thermal oxidizer; 1)와, RCA(Rotor Concentrator Adsorption; 2)와, VOCs도입부와, RTO 용량측정부와, 연소장치와, MCU(Main control unit; C)를 포함하는 VOCs가스 처리 시스템으로서,
VOCs가스 도입부를 통하여 공급된 VOCs가스는 RTO 또는 RCA로 공급되고, RTO로 공급된 가스는 축열실과 연소실을 통하여 고온 가스가 되어 RTO외부로 배출되고, RCA로 공급된 가스는 RCA의 흡착영역을 통과하여 정화되어 연소장치에서 연소되고 RCA로 공급된 가스의 일부는 RCA의 냉각영역을 통과하여 승온된 후 다시 RCA의 탈착영역을 통과하여 고농축된 후 RTO로 공급되며,
VOCs도입부는 농도측정부를 포함하며, 농도측정부가 측정한 농도값은 MCU로 전달되며,
RTO용량 측정부는 RTO의 연소실의 외부에 설치되어 배출되는 고온 가스의 용량 데이터를 MCU로 전송하고,
VOCs도입부에서 연장되는 도관은 RTO를 향하는 도관과 RCA를 향하는 도관으로 분기되며, 도관들의 분기노드에는 제1벨브가 설치되고,
RCA를 향하는 도관은 흡착영역으로 흐르는 제1도관과, 냉각영역으로 흐르는 제2도관으로 분기되며, 제1도관 또는 제2도관에는 제2밸브가 설치되며,
MCU는 농도측정부가 측정한 농도값을 수신하는 VOCs농도수신부와, RTO용량 측정부가 측정한 고온 가스 용량 데이터를 수신하는 RTO용량데이터수신부와, 제1밸브를 제어하는 제1밸브제어부와, 제2밸브를 제어하는 제2밸브제어부와, VOCs농도수신부의 농도값과 RTO용량데이터수신부의 고온 가스 용량데이터를 토대로 메모리를 참조하여 제1밸브 및 제2밸브의 제어신호를 제1밸브제어부 및 제2밸브제어부로 전송하는 연산부를 포함하고,
연산부는 농도값과 메모리에 저장된 임계데이터를 비교하여 임계데이터 미만이면 대응하는 제어신호를 제1밸브제어부로 전송하며, 제1밸브제어부는 제1밸브를 제어하여 RTO를 향하는 도관을 폐쇄하고 RCA를 향하는 도관을 개방하여 가스가 RCA로 흐르게 하고,
연산부는 고온 가스의 용량 데이터를 토대로 메모리를 참조하여 제1도관과 제2도관으로 분배해야 하는 VOCs가스의 배분비를 판독하여 이에 대응하는 신호를 제2밸브제어부로 전송하는, VOCs가스 처리 시스템.A VOCs gas processing system including a Regenerative thermal oxidizer (RTO) 1, a Rotor Concentrator Adsorption (RCA) 2, a VOCs introduction unit, an RTO capacity measurement unit, a combustion device, and an MCU (Main control unit; C). ,
VOCs gas supplied through the VOCs gas introduction part is supplied to RTO or RCA, and the gas supplied to RTO becomes hot gas through the heat storage chamber and combustion chamber and is discharged to the outside of RTO, and the gas supplied to RCA passes through the adsorption area of RCA A part of the gas that is purified and combusted in the combustion device and supplied to RCA passes through the cooling area of the RCA to increase the temperature, then passes through the desorption area of the RCA again to be highly concentrated and then supplied to the RTO.
The VOCs introduction part includes a concentration measurement part, and the concentration value measured by the concentration measurement part is transmitted to the MCU,
The RTO capacity measurement unit is installed outside the combustion chamber of the RTO and transmits the capacity data of the discharged hot gas to the MCU,
The conduit extending from the VOCs introduction part is branched into a conduit facing RTO and a conduit facing RCA, and a first valve is installed at the branch node of the conduits,
The conduit toward the RCA is branched into a first conduit flowing into the adsorption region and a second conduit flowing into the cooling region, and a second valve is installed in the first conduit or the second conduit,
The MCU includes a VOCs concentration receiving unit for receiving the concentration value measured by the concentration measuring unit, an RTO capacity data receiving unit receiving the hot gas capacity data measured by the RTO capacity measuring unit, a first valve control unit for controlling the first valve, and a second The second valve control unit for controlling the valve and the control signal of the first valve and the second valve with reference to the memory based on the concentration value of the VOCs concentration receiving unit and the high temperature gas capacity data of the RTO capacity data receiving unit are transferred to the first valve control unit and the second valve Including a calculation unit for transmitting to the valve control unit,
The operation unit compares the concentration value with the threshold data stored in the memory and, if it is less than the threshold data, transmits a corresponding control signal to the first valve control unit, and the first valve control unit controls the first valve to close the conduit toward the RTO, and perform RCA. open the conduit facing to allow gas to flow into the RCA,
The calculation unit reads the distribution ratio of the VOCs gas to be distributed to the first conduit and the second conduit with reference to the memory based on the capacity data of the hot gas, and transmits a signal corresponding thereto to the second valve control unit, VOCs gas processing system. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
연산부는 농도값과 메모리에 저장된 임계데이터를 비교하여 임계데이터 이상이면 대응하는 제어신호를 제1밸브제어부로 전송하며, 제1밸브제어부는 제1밸브를 제어하여 RTO를 향하는 도관을 개방하고 RCA를 향하는 도관을 폐쇄하여 가스가 RTO로 흐르게 하는, VOCs가스 처리 시스템.The method of claim 1,
The calculation unit compares the concentration value with the threshold data stored in the memory and, if the threshold data is greater than the threshold data, transmits a corresponding control signal to the first valve control unit, and the first valve control unit controls the first valve to open the conduit toward the RTO and to open the RCA. A VOCs gas treatment system, which closes the conduit to which the gas flows to the RTO. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
고온 가스의 용량데이터가 소정치 이상인 경우 제1도관으로 흐르는 VOCs의 유량을 증가시켜, RCA의 탈착영역을 통과하여 RTO로 공급되는 VOCs의 유량을 감소시켜 RTO의 과부하를 해소하는, VOCs가스 처리 시스템.The method of claim 1,
VOCs gas treatment system that increases the flow rate of VOCs flowing into the first conduit when the capacity data of high temperature gas is greater than or equal to a predetermined value, and reduces the flow rate of VOCs supplied to RTO through the desorption area of RCA to eliminate overload of RTO . 제 1항에 있어서,
RTO가 작동 중지인 경우, 제2도관으로 흐르는 VOCs 가스의 흐름을 차단하여, RCA로 공급되는 모든 VOCs가스가 흡착영역을 통과하여 정화되도록 한, VOCs가스 처리 시스템.
The method of claim 1,
When the RTO is out of operation, the flow of VOCs gas flowing into the second conduit is blocked so that all VOCs gas supplied to the RCA passes through the adsorption area and is purified.
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KR101580576B1 (en) * 2015-01-29 2015-12-29 주식회사 태종이엔씨 Regenerator combustion and oxidization apparatus
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